JP7065622B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
その後、ウエハWが鉛直軸線周りに回転させられる。ウエハWは、後述する一連の工程が終了するまでの間、継続的に回転させられる。
次に、図4に示すように、回転しているウエハWの表面(デバイス形成面)のベベル部WBを含むウエハWの周縁部分内の位置P1,P2に、前処理ノズル43,43'からSC-1が供給される。SC-1は、ウエハWの端縁WEまで回り込む。このため、位置P1,P2との間の領域Aの全体がSC-1(PL)により覆われる。SC-1により、ウエハWのエッチング対象部位である領域Aに付着している有機物が除去される。最終的に、SC-1は遠心力によりウエハWから離脱して飛散する。なお、以下の液がウエハWに供給される各工程において、液(フッ硝酸及びDIW)の動きは上記のSC-1の動きと同じであるので、重複説明は省略する。
前処理ノズル43,43'からのSC-1の吐出を停止した後、回転しているウエハW上の位置P1,P2にリンスノズル42,42'からDIWが供給される。これにより、ウエハWの表裏面の周縁部分に残留していたSC-1及び反応生成物が洗い流される。
リンスノズル42,42'からのDIWの吐出を停止した後、回転しているウエハW上の位置P1,P2に、薬液ノズル41,41'から予め定められた流量で、増粘剤が混合されたフッ硝酸が供給される。例えば、フッ硝酸への増粘剤の混合割合は制御装置4により制御される。このとき、制御装置4は、キャリア載置部11に載置されたキャリアCにおけるウエハWに付されたロット番号等のID種別に応じてポリシリコン膜103の形態を入手し、当該ポリシリコン膜103とメインタンク70から供給されるフッ硝酸との親和性に応じて混合割合を制御することが好ましい。
次いで、酸化シリコンがフッ硝酸中に含まれるフッ酸により下記反応式に従い溶解する。
薬液ノズル41,41'からの増粘剤が添加されたフッ硝酸の吐出を停止した後、回転しているウエハW上の位置P1,P2にリンスノズル42,42'からDIWが供給される。これによりウエハ表裏面の周縁部分に残留していた増粘剤が混合されたフッ硝酸及び反応生成物が洗い流される。
リンスノズル42,42'からのDIWの吐出を停止した後、好ましくはウエハWの回転速度を増し、ウエハW上に残留しているDIWを遠心力により振り切る振り切り乾燥が行われる。
4 制御装置
21、22 処理ユニット
70 メインタンク
71 混合部
72 サブタンク
101 シリコンウエハ
102 SiO2膜
103 ポリシリコン膜
W ウエハ
WB ベベル部
Claims (10)
- 基板の周縁部分を処理する基板処理装置であって、
疎水性の膜が形成された基板を保持して回転させる基板回転部と、
前記膜の除去に用いる薬液に増粘剤を混合する混合部と、
回転している前記基板の周縁部分に向けて、前記混合部により前記増粘剤が混合された薬液を吐出するノズルと、
前記混合部における前記増粘剤の混合割合を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記薬液の種類及び前記膜の種類の組み合わせに応じて、前記混合部による前記薬液への前記増粘剤の混合割合を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 前記制御部は、前記ノズルが前記増粘剤が混合された薬液を吐出している間に、前記混合割合を変更することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 基板の周縁部分を処理する基板処理装置であって、
膜が形成された基板を保持して回転させる基板回転部と、
前記膜の除去に用いる薬液に増粘剤を混合する混合部と、
回転している前記基板の周縁部分に向けて、前記混合部により前記増粘剤が混合された薬液を吐出するノズルと、
前記混合部における前記増粘剤の混合割合を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記ノズルが前記増粘剤が混合された薬液を吐出している間に、前記混合割合を変更することを特徴とする基板処理装置。 - 前記混合割合の変更に付随して、前記基板の周縁部分における前記増粘剤が混合された薬液を吐出する位置を変更することを特徴とする請求項2又は3に記載の基板処理装置。
- 前記基板を保持して回転させる第2の基板回転部と、
回転している前記基板の裏面の中心部分に向けて、前記薬液を吐出する第2のノズルと、
を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記第2のノズルが吐出する前記薬液は前記増粘剤を含まないことを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記基板回転部及び前記ノズルを含む第1の処理ユニットと、前記第2の基板回転部及び前記第2のノズルを含む第2の処理ユニットと、を個別に有することを特徴とする請求項5又は6に記載の基板処理装置。
- 基板の周縁部分を処理する基板処理方法であって、
基板回転部により、疎水性の膜が形成された基板を保持して回転させる工程と、
混合部により、前記膜の除去に用いる薬液に増粘剤を混合する工程と、
回転している前記基板の周縁部分に向けて、前記増粘剤が混合された薬液をノズルから吐出する工程と、
前記薬液の種類及び前記膜の種類の組み合わせに応じて、前記薬液への前記増粘剤の混合割合を制御する工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。 - 前記ノズルが前記増粘剤が混合された薬液を吐出している間に、前記混合割合を変更する工程を有することを特徴とする請求項8に記載の基板処理方法。
- 前記増粘剤が混合された薬液をノズルから吐出する工程の後に、
前記基板を前記基板回転部から第2の基板回転部に搬送する工程と、
前記第2の基板回転部により、前記基板を保持して回転させる工程と、
回転している前記基板の裏面の中心部分に向けて、前記増粘剤を混合させずに前記薬液を第2のノズルから吐出する工程と、
を有することを特徴とする請求項8又は9に記載の基板処理方法。
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JP2018007696A JP7065622B2 (ja) | 2018-01-19 | 2018-01-19 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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---|---|---|---|---|
JP2013207092A (ja) | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2015070015A (ja) | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2016100565A (ja) | 2014-11-26 | 2016-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 測定処理装置、基板処理システム、測定用治具、測定処理方法、及びその記憶媒体 |
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