CN107210216B - 湿蚀刻方法、基板液处理装置以及存储介质 - Google Patents

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Abstract

湿蚀刻方法具备以下步骤：使基板(W)旋转；向正在旋转的基板的第一面(器件形成面)供给蚀刻用的药液；以及在向基板供给药液的期间中，向基板的第二面(非器件形成面)供给蚀刻抑制液(DIW)。蚀刻抑制液经过基板的端缘(WE)而绕到第一面且到达第一区域，该第一区域为从第一面的周缘部分中的基板的端缘至第一面上的位于比端缘靠径向内侧的第一径向位置的区域。由此，能够对形成有两层膜的基板的上层良好地进行斜角蚀刻处理。

Description

湿蚀刻方法、基板液处理装置以及存储介质
技术领域
本发明涉及一种对层叠有多层膜的基板的周缘部进行蚀刻的技术。
背景技术
在半导体装置的制造工序中具有通过湿蚀刻只去除形成于半导体晶圆等基板的表面上的膜中的周缘部分的工序，该工序被称作斜角蚀刻。在专利文献1中，通过对形成有一层膜的基板的表面的周缘部分供给蚀刻液来进行斜角蚀刻。在作为斜角蚀刻处理对象的基板上形成有两层(或两层以上)膜的情况下，有时要求只去除上层的膜而留下下层的膜。此时，在没有相对于下层而言上层的蚀刻选择比高的药液的情况下，难以应对上述要求。
例如，在作为下层的SiO2膜之上形成有由单片式CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相淀积)装置形成的作为上层的SiGe膜的Si基板中，存在基板的端缘附近的SiGe膜的膜厚度薄的倾向(例如参照图4的(a))。因此，在湿蚀刻时，端缘附近的SiGe膜提前消失而SiO2膜露出。当持续进行蚀刻直到在基板的周缘部分的整个区域将SiGe膜完全去除为止时，存在端缘附近的SiO2膜消失而基底的Si露出的风险。
另外，例如在形成有作为下层的SiO2膜和由间歇式成膜装置形成的作为上层的Poly-Si膜的Si基板中，在基板整个表面形成膜厚度大致均匀的Poly-Si膜(例如参照图6的(a))。在这样的基板中，去除基板的表面的周缘部分和背面整体的Poly-Si膜。此时，存在如下风险：通过供给用于表面的周缘部分的蚀刻的药液和用于背面的蚀刻的药液这两方，要蚀刻的端缘附近部分的Poly-Si膜提前消失，该要蚀刻的端缘附近部分的Poly-Si膜的基底的SiO2膜也消失。
专利文献1：日本特开2008-47629号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的在于提供一种能够对形成有两层膜的基板的上层良好地进行斜角蚀刻处理的技术。
用于解决问题的方案
根据本发明的一个实施方式，提供一种湿蚀刻方法，对基板进行湿蚀刻，所述基板具有第一面和所述第一面的背面侧的第二面，在所述基板的至少所述第一面的周缘部分层叠有作为下层的第一层和作为上层的第二层，所述湿蚀刻方法的特征在于，具备第一蚀刻工序，所述第一蚀刻工序包括如下步骤：使所述基板旋转；向正在旋转的所述基板的所述第一面供给能够蚀刻所述第一层和所述第二层这两方的药液；以及在向所述基板供给所述药液的期间中，向所述基板的所述第二面供给蚀刻抑制液，其中，所述第一蚀刻工序使所述基板以如下方式旋转来供给所述蚀刻抑制液，该方式为使所述蚀刻抑制液经过所述基板的端缘而绕到所述第一面且到达第一区域的方式，该第一区域为从所述第一面的周缘部分中的所述基板的所述端缘至所述第一面上的位于比所述端缘靠径向内侧的第一径向位置的区域。
根据本发明的其它实施方式，提供一种存储介质，记录有如下程序：该程序在被用于对基板液处理装置的动作进行控制的计算机执行时，使所述计算机对所述基板液处理装置进行控制来执行上述的湿蚀刻方法。
根据本发明的另一其它实施方式，提供一种基板液处理装置，对基板进行湿蚀刻，所述基板具有第一面和所述第一面的背面侧的第二面，在所述基板的至少所述第一面的周缘部分层叠有作为下层的第一层和作为上层的第二层，在所述基板液处理装置中具备：基板保持机构，其将所述基板以水平姿势保持，并使所述基板绕铅垂轴线旋转；药液喷嘴，其向所述基板的所述第一面的周缘部分供给能够蚀刻所述第一层和所述第二层这两方的药液；蚀刻抑制液喷嘴，其向所述基板的所述第二面供给蚀刻抑制液；以及控制装置，其至少对通过所述基板保持机构进行的所述基板的旋转和从所述蚀刻抑制液喷嘴供给的所述蚀刻抑制液的流量进行控制，其中，所述控制装置在所述药液喷嘴向所述基板的所述第一面的周缘部分供给所述药液的期间中，利用所述蚀刻抑制液喷嘴向所述基板的所述第二面供给所述蚀刻抑制液，使该所供给的蚀刻抑制液经由所述基板的端缘而绕到所述第一面且到达第一区域，该第一区域为从所述第一面的周缘部分中的所述基板的所述端缘至所述第一面上的位于比所述端缘靠径向内侧的第一径向位置的区域。
发明的效果
根据本发明，能够对形成有两层膜的基板的上层良好地进行斜角蚀刻处理。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的俯视图。
图2是表示处理单元的概要结构的纵向截面图。
图3是表示在湿蚀刻方法的第一实施方式和第二实施方式中使用的处理单元的概要结构的纵向截面图。
图4是表示湿蚀刻方法的第一实施方式的作用的说明图。
图5是表示在湿蚀刻方法的第二实施方式中使用的处理单元的概要结构的纵向截面图。
图6是表示湿蚀刻方法的第二实施方式的作用的说明图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本发明的实施方式。
图1是表示本实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。以下，为了使位置关系清楚，对互相正交的X轴、Y轴及Z轴进行规定，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2和处理站3相邻地设置。
搬入搬出站2具备承载件载置部11和输送部12。在承载件载置部11上载置有多个承载件C，该多个承载件C用于将多个晶圆W以水平状态收纳。
输送部12与承载件载置部11相邻地设置，在输送部12的内部具备基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13具备用于保持晶圆W的基板保持机构。另外，基板输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，该基板输送装置13使用基板保持机构在承载件C与交接部14之间输送晶圆W。
处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3具备输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16以排列在输送部15的两侧的方式设置。
输送部15在内部具备基板输送装置17。基板输送装置17具备用于保持晶圆W的基板保持机构。另外，基板输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，该基板输送装置17使用基板保持机构在交接部14与处理单元16之间输送晶圆W。
处理单元16用于对由基板输送装置17输送过来的晶圆W进行规定的基板处理。
另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机，其具备控制部18和存储部19。在存储部19中保存有用于对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读出并执行被存储在存储部19中的程序来控制基板处理系统1的动作。
此外，所述的程序既可以是记录在可由计算机读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中的程序。作为可由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)以及存储卡等。
在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先，搬入搬出站2的基板输送装置13将晶圆W自载置于承载件载置部11的承载件C中取出，并将取出后的晶圆W载置于交接部14。利用处理站3的基板输送装置17将被载置于交接部14的晶圆W自交接部14取出并将其搬入到处理单元16中。
在利用处理单元16对被搬入到处理单元16中的晶圆W进行处理之后，利用基板输送装置17将该晶圆W自处理单元16搬出并将其载置于交接部14。然后，利用基板输送装置13将载置于交接部14的处理完成后的晶圆W返回到载置部11的承载件C。
接着，参照图2说明处理单元16的概要结构。图2是表示处理单元16的概要结构的图。
如图2所示，处理单元16包括腔室20、基板保持机构30、处理流体供给部40以及回收杯50。
腔室20用于收纳基板保持机构30、处理流体供给部40以及回收杯50。在腔室20的顶部设置有FFU(Fan Filter Unit：风机过滤单元)21。FFU 21在腔室20内形成下降流。
基板保持机构30具备保持部31、支柱部32以及驱动部33。保持部31将晶圆W水平地保持。支柱部32是沿铅垂方向延伸的构件，其基端部被驱动部33支承为能够旋转，支柱部32在顶端部将保持部31水平地支承。驱动部33用于使支柱部32绕铅垂轴线旋转。该基板保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32旋转而使由支柱部32支承着的保持部31旋转，由此，使由保持部31保持着的晶圆W旋转。
处理流体供给部40用于对晶圆W供给处理流体。处理流体供给部40与处理流体供给源70相连接。
回收杯50以包围保持部31的方式配置，以收集因保持部31的旋转而自晶圆W飞散的处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，由回收杯50收集到的处理液自该排液口51被排出到处理单元16的外部。另外，在回收杯50的底部形成有排气口52，该排气口52用于将自FFU 21供给的气体排出到处理单元16的外部。
[第一实施方式]
接着，对使用上述基板处理系统1执行的湿蚀刻方法的第一实施方式进行说明。首先，参照图3对适于湿蚀刻方法的第一实施方式的实施的处理单元16(16A)的结构进行说明。
处理单元16A具有药液喷嘴41、清洗喷嘴42以及蚀刻抑制液喷嘴43来作为所述处理流体供给部40(参照图2)的结构要素。药液喷嘴41向晶圆W的表面(是指形成有器件的面)的包括斜角部的周缘部分即作为蚀刻对象部位的内周缘的位置P1供给药液例如DHF(稀氢氟酸)。清洗喷嘴42向晶圆W表面上的比药液喷嘴41供给药液的位置P1靠径向内侧的位置P2供给作为清洗液的DIW(纯水)。蚀刻抑制液喷嘴43向晶圆W的背面(是指没有形成器件的面)的周缘部分且比能够形成SiGe膜的位置靠内侧的位置供给用于使蚀刻率下降的蚀刻抑制液。在本实施方式中，蚀刻抑制液包含DIW，药液被DIW稀释，由此蚀刻率下降。蚀刻抑制液只要是具有使供给的药液的蚀刻率下降的作用的液体即可，不限定于DIW。在使用不是DIW的液体来作为蚀刻抑制液的情况下，蚀刻抑制液喷嘴43用于供给该液体。因而，在该情况下，还设置清洗喷嘴以向晶圆W的背面供给作为清洗液的DIW。
能够分别经由作为所述处理流体供给源70(参照图2)的结构要素的处理液供给机构71、72、73将药液、清洗液和蚀刻抑制液以控制后的流量分别供给至药液喷嘴41、清洗喷嘴42以及蚀刻抑制液喷嘴43。各处理液供给机构(71、72、73)能够具备在将与各液的供给源对应的喷嘴(41、42、43)连接的处理液线上设置的开闭阀和流量控制阀等。
处理单元16具有覆盖被保持部31保持着的晶圆W的中央部上方的顶板34(顶部板)。经由设置于顶板34的中央部的气体喷出口向晶圆W与顶板34之间供给氮气，利用该氮气的流动G1来防止药液和清洗液的飞沫附着于晶圆W的表面(上表面)中央部。另外，回收杯50(图2中概要性地示出)具备外杯体50a和内杯体50b。通过晶圆W旋转，形成从内杯体50b的上表面与晶圆W的背面(下表面)之间朝向外部方向的气体的流动G2，由此能够防止蚀刻抑制液的飞沫附着于晶圆W的背面的中央部。
药液喷嘴41和清洗喷嘴42也可以以与顶板34一起移动的方式固定于顶板34。药液喷嘴41和清洗喷嘴42也可以固定于未图示的喷嘴臂，并在图3所示的处理位置与回收杯50的外侧的退避位置(未图示)之间移动。蚀刻抑制液喷嘴43例如能够固定于内杯体50b。取而代之地，蚀刻抑制液喷嘴43也能够构成为穿通内杯体50b的喷嘴孔。
保持部31构成为对晶圆W的背面中央部进行真空吸附的真空卡盘。
接着，对湿蚀刻方法的第一实施方式所涉及的各工序进行说明。此外，通过执行控制装置4的存储部19中保存的控制程序，能够在控制装置4的控制之下自动地进行以下说明的各工序。
如图3和图4所示，该第一实施方式中的被处理体即晶圆W由硅基板构成，在硅基板上形成有作为下层的SiO2膜和作为上层的SiGe膜。SiO2膜连续地形成于晶圆W的表面和背面的整个区域。SiGe膜形成于晶圆W的表面的整个区域(不形成于背面)。SiGe膜经由晶圆W的端缘WE而绕到晶圆W背面的斜角部。在本说明书中，晶圆W的端缘WE是指经过距离晶圆W的中心最远的部位的圆。
如图3所示，晶圆W被搬入到处理单元16并被保持部31以水平姿势保持。之后，使晶圆W绕铅垂轴线旋转。接着，如图4所示，从药液喷嘴41向正在旋转的晶圆W的表面(器件形成面)的包括斜角部WB(在此是指晶圆W的带倾斜的最外周部分。也可以还将端面P1～WB包括在内地称作斜角部。)的周缘部分、即作为蚀刻对象部位的内周缘的位置P1供给蚀刻用的药液(在此例如为DHF)。该药液能够对SiO2膜和SiGe膜这两方进行蚀刻(蚀刻率没有大的差异)。此外，在图3、图4以及图6中，对药液标注参照符号“CHM”。
被供给的药液由于离心力而向径向外侧扩散并且沿着晶圆W的表面(上表面)流动。流入到斜角部WB的药液的一部分由于离心力而从晶圆W脱离后飞散，但药液的另一部分由于表面张力而越过晶圆W的端缘WE且绕到晶圆W的背面(下表面)的斜角部，之后由于重力而从晶圆W离开后落向下方。因而，晶圆W的周缘部分成为图4的(a)所示那样的被药液的液膜覆盖的状态。与药液接触的SiGe膜随着时间的经过而被蚀刻。
当在图4的(a)的状态下经过了某种程度的时间时，如图4的(b)所示，成为本来膜厚度比较薄的晶圆W的背面(下表面)的斜角部、晶圆W的端缘WE以及晶圆W的表面(上表面)的斜角部WB的最外周部的SiGe膜完全消失而基底的SiO2膜露出的状态。在SiGe膜的初始膜厚度厚的区域、也就是说比晶圆W的表面的斜角部WB靠径向内侧的区域以及斜角部WB的一部分的区域中，仍残留有SiGe膜。若为了将残留于蚀刻对象部位的SiGe膜完全去除而继续维持图4的(a)所示的液供给状态，则存在对已经露出的SiO2膜进行蚀刻以致SiO2膜消失而基底的Si露出的可能性。
为了防止这样的情况，在进行蚀刻直到SiGe膜成为图4的(b)的状态后，在维持从药液喷嘴41喷出药液的状态下从蚀刻抑制液喷嘴43向晶圆W的背面(下表面)的周缘部分供给作为蚀刻抑制液的DIW。从蚀刻抑制液喷嘴43供给的DIW由于离心力而向径向外侧扩散并且沿着晶圆W的背面流动。流到背面侧的斜角部WB的DIW的一部分由于离心力而从晶圆W脱离后飞散，但DIW的另一部分由于表面张力而越过晶圆W的端缘WE且绕到晶圆W的表面(上表面)的斜角部WB。在DIW像这样流动的过程中，DIW与药液碰触。
如果DIW的流动的劲势相比于药液的流动的劲势足够大，则DIW的流动压制药液的流动。在本实施方式中，如图4的(b)所示，将DIW的流势设定为使DIW的液膜与药液的液膜之间的外观上的界面(碰触位置)产生在晶圆W的表面(上表面)的斜角部WB上。通过这样，残留的SiGe膜被药液覆盖，露出的SiO2膜被DIW覆盖。因此，能够设为在进一步地进行SiGe膜的蚀刻的同时设为SiO2膜的蚀刻率大幅度下降了的状态、或SiO2膜的蚀刻实质上停止了的状态。
能够通过变更作为蚀刻抑制液的DIW的供给流量、药液的供给流量以及晶圆W的旋转速度等参数来进行调节DIW的液膜与药液的液膜之间的外观上的界面的位置(图4的(b)所示的第一径向位置P3)。能够通过实验求出用于将界面的位置设定在期望的位置的参数值。例如，通过将DIW的供给流量设定为比药液的供给流量多，能够使DIW绕到图4的(b)所示的第一径向位置P3的位置。
此外，图4只是示意图，在DIW的液膜与药液的液膜之间并不一定存在如图4的(b)中描绘出那样的明确的界面。实际上，在DIW与药液碰触的部位的附近区域存在被DIW稀释了的低浓度的药液。被稀释而成为低浓度的药液对SiGe膜的蚀刻率至少低于从药液喷嘴41喷出的药液对SiGe膜的蚀刻率。
当在图4的(b)的状态下经过了某种程度的时间时，如图4的(c)所示，位于比位置P1靠径向外侧的SiGe膜被完全去除。
之后，在维持从蚀刻抑制液喷嘴43喷出DIW的状态下停止从药液喷嘴41喷出药液，从清洗喷嘴42进行DIW的喷出来进行晶圆W的清洗处理。之后，在维持晶圆W的旋转(优选为增加晶圆W的转速)的状态下停止从清洗喷嘴42和蚀刻抑制液喷嘴43喷出作为清洗液的DIW，并进行晶圆W的甩动干燥(旋转干燥)。通过以上内容，一系列的蚀刻处理结束。在图4的(d)中示出此时的晶圆W的状态。在此，能够得到如下那样的期望的蚀刻处理结果：晶圆W表面的周缘部分的SiGe膜和晶圆背面的SiGe膜完全被去除，另一方面，在晶圆的表面和背面整个区域残留有SiO2膜。
根据上述的实施方式，在向旋转的晶圆W供给药液的同时向晶圆W供给蚀刻抑制液，由此能够在将晶圆W上的某一特定的区域(第二区域)中的被蚀刻膜的蚀刻率维持得高的状态下使晶圆W上的其它特定的区域(第一区域)中的被蚀刻膜的蚀刻率大幅度减少或使其实质上为零。因此，能够使对具有如下不均匀的膜厚度分布的被蚀刻膜(本实施方式的SiGe膜)的蚀刻在被蚀刻膜的各部位中以大概相同的定时结束，所述膜厚度分布是经过晶圆W的端缘WE而逐渐变薄地绕到晶圆W背面的斜角部的被蚀刻膜的膜厚度分布。因此，能够防止在被蚀刻膜消失后基底局部性地受到药液的损伤。
另外，向晶圆W的一个面即表面(上表面)供给药液，向晶圆W的另一个面即背面(下表面)供给蚀刻抑制液，使蚀刻抑制液绕到晶圆表面而与药液碰触(混合)。即使朝向晶圆W的表面的第一位置喷出药液且向晶圆W的表面的第二位置(比第一位置靠径向外侧的位置)喷出蚀刻抑制液，也能够像上述那样地形成蚀刻率高的区域和蚀刻率低的区域。但是，当第一位置与第二位置接近时，存在容易发生落下的蚀刻抑制液溅到药液的液膜上的问题。然而，如上述实施方式那样，向晶圆W的一个面供给药液，向另一个面供给蚀刻抑制液，利用液体的绕回使两者碰触，由此药液与蚀刻抑制液稳定地碰触。因此，能够将由于药液与蚀刻抑制液的碰触而引起的溅液抑制在最小限度。
另外，根据上述实施方式，向晶圆W的一个面供给药液，向另一个面供给蚀刻抑制液，利用液体的绕回使两者碰触，因此只通过与晶圆W的旋转速度相关联地调整药液的喷出流量和蚀刻抑制液的喷出流量就能够调整药液与蚀刻抑制液的碰触点(位置P3)的位置。因此，不用设置对蚀刻抑制液的喷出位置进行微调整的机构就能够调整药液与蚀刻抑制液的碰触点的位置，从而能够防止装置的结构的复杂化。另一方面，在向晶圆的一个面供给药液和蚀刻抑制液这两方的方式中，若不进行蚀刻抑制液喷嘴的位置调整则无法调整药液与蚀刻抑制液之间的碰触点的位置。
[第二实施方式]
接着，对使用上述基板处理系统1执行的湿蚀刻方法的第二实施方式进行说明。在该第二实施方式中，除了使用在上述的第一实施方式中使用的处理单元16A以外还使用处理单元16B。具体来说，例如能够将基板处理系统1的处理单元16中的一半设为处理单元16A，将其余的一半设为处理单元16B。
下面，参照图5来说明处理单元16B的结构。处理单元16B具有底板311和安装于底板311的把持爪312来作为图2所示的保持部31(为了区别而记为“31’”)而。把持爪312能够摆动以对晶圆W进行把持和解除把持。在从底板311延伸到下方的支柱部32’的内部插入有作为所述处理流体供给部40(参照图2)的结构要素的处理液供给管44。处理液供给管44的上端部成为处理液喷嘴45。处理液喷嘴45位于晶圆W的背面(下表面)的中央部的正下方。
处理单元16B具有向基板的表面(上表面)供给清洗液的清洗喷嘴46。清洗喷嘴46能够借助未图示的喷嘴移动机构在晶圆W的表面(上表面)的中央部的正上方的处理位置与从回收杯50退避后的退避位置之间移动。
能够经由作为所述处理流体供给源70(参照图2)的结构要素的处理液供给机构(药液供给机构)75A和处理液供给机构(清洗液供给机构)75B选择性地将药液(例如DHF)或清洗液(例如DIW)以控制后的流量供给至处理液喷嘴45。能够经由作为所述处理流体供给源70的结构要素的处理液供给机构76将清洗液(例如DIW)以控制后的流量供给至清洗喷嘴46。各处理液供给机构(75A、75B、76)能够具备在将与各液的供给源对应的喷嘴(45、46)连接的处理液线上设置的开闭阀和流量控制阀等。
接着，对湿蚀刻方法的第二实施方式所涉及的各工序进行说明。此外，也能够通过执行控制装置4的存储部19中保存的控制程序，在控制装置4的控制之下自动地进行以下所说明的各工序。
如图6所示，该第二实施方式中的被处理体即晶圆W由硅基板构成，在硅基板上形成有作为下层的SiO2膜和作为上层的Poly-Si(多晶硅)膜。SiO2膜是通过间歇式氧化处理装置而形成的，且在晶圆W的表面(器件形成面)和背面(非器件形成面)的整个区域连续地形成。Poly-Si膜是通过间歇式减压CVD装置而形成的，且在晶圆W的表面和背面的整个区域连续地形成。
如图3所示，晶圆W被搬入到处理单元16A，并以水平姿势被保持部31保持。之后，使晶圆W旋转。接着，设为与之前说明的第一实施方式中的图4的(b)的状态相同的状态。即，如图6的(a)所示，从药液喷嘴41向位置P1供给药液(在此例如为DHF)，并且从蚀刻抑制液喷嘴43向晶圆W的背面(下表面)的周缘部分供给作为蚀刻抑制液的DIW。通过这样，只有从DIW与药液碰触的位置到位置P1为止的范围被浓的药液覆盖。因此，处于该范围中的Poly-Si膜被蚀刻而被去除，成为图6的(b)所示的状态。
之后，在维持从蚀刻抑制液喷嘴43喷出DIW的状态下停止从药液喷嘴41喷出药液，从清洗喷嘴42进行DIW的喷出来进行晶圆W的清洗处理。之后，在维持晶圆W的旋转(优选的是增加晶圆W的转速)的状态下停止从清洗喷嘴42和蚀刻抑制液喷嘴43喷出作为清洗液的DIW，并进行晶圆W的甩动干燥(旋转干燥)。
之后，将晶圆W从处理单元16A搬出并将其搬入到处理单元16B，如图5所示那样，利用保持部31’将晶圆W水平地支承。接着，通过使驱动部33’动作，来使晶圆W绕铅垂轴线旋转。
在该状态下，从处理液喷嘴45朝向晶圆W的背面的中央部喷出药液(在此例如为DHF)。药液由于离心力而向径向外侧扩散并且沿着晶圆W的背面(下表面)流动。流到背面侧的斜角部的药液由于离心力而从晶圆W脱离后飞散，但药液的一部分由于表面张力而越过晶圆W的端缘WE且绕到晶圆W的表面(上表面)的斜角部(参照图6的(c))。与药液接触的Poly-Si膜随着时间的经过而被蚀刻，最终如图6的(d)所示那样消失。
在进行蚀刻直到图6的(d)所示的状态为止后，停止从处理液喷嘴45喷出药液，并且喷出作为清洗液的DIW，还从清洗喷嘴46向晶圆W的表面(上表面)的中央部喷出作为清洗液的DIW，来进行晶圆W的清洗处理。之后，在维持晶圆W的旋转(优选的是增加晶圆W的转速)的状态下停止从处理液喷嘴45和清洗喷嘴46喷出DIW，并进行晶圆W的甩动干燥(旋转干燥)。通过以上内容，一系列的蚀刻处理结束。
在该第二实施方式中，也能够得到如下期望的蚀刻处理结果：晶圆W表面的周缘部分的Poly-Si膜和晶圆背面的Poly-Si膜完全被去除，另一方面，在晶圆的表面和背面整个区域残留有SiO2膜。
蚀刻的对象膜并不限定于上述的膜，能够设为蚀刻用的药液的蚀刻率没有大的差异的两层(或两层以上的)任意种类的层叠膜。
通过上述实施方式蚀刻的被处理基板不限于半导体晶圆W，能够设为玻璃基板、陶瓷基板等任意的基板。

Claims (9)

1.一种湿蚀刻方法，对基板进行湿蚀刻，所述基板具有第一面和所述第一面的背面侧的第二面，在所述基板的至少所述第一面的周缘部分层叠有作为下层的第一层和作为上层的第二层，所述湿蚀刻方法的特征在于，
具备第一蚀刻工序，所述第一蚀刻工序包括如下步骤：
使所述基板旋转；
向正在旋转的所述基板的所述第一面供给能够蚀刻所述第一层和所述第二层这两方的药液；以及
在向所述基板供给所述药液的期间中，向所述基板的所述第二面供给蚀刻抑制液，
其中，所述第一蚀刻工序使所述基板以如下方式旋转来供给所述蚀刻抑制液，该方式为使所述蚀刻抑制液经过所述基板的端缘而绕到所述第一面且到达第一区域的方式，该第一区域为从所述第一面的周缘部分中的所述基板的所述端缘至所述第一面上的位于比所述端缘靠径向内侧的第一径向位置的区域，所述蚀刻抑制液防止或抑制作为所述第二层被去除的结果而露出的所述第一层被所述药液蚀刻。
2.根据权利要求1所述的湿蚀刻方法，其特征在于，
向所述基板的所述第二面供给所述蚀刻抑制液是在向所述基板的所述第一面供给所述药液并持续预先决定的时间之后、或在所述第二层通过所述药液而被蚀刻了预先决定的量之后开始的。
3.根据权利要求2所述的湿蚀刻方法，其特征在于，
通过利用所述蚀刻抑制液的液膜将所述基板的表面覆盖，或者通过利用所述蚀刻抑制液将所述药液稀释，来防止或抑制所述药液的蚀刻。
4.根据权利要求1所述的湿蚀刻方法，其特征在于，
所述湿蚀刻方法还具备第二蚀刻工序，
在所述第一蚀刻工序中，在使所述蚀刻抑制液到达所述第一区域的状态下供给所述药液，以对所述第一面的周缘部分中的位于比所述第一区域靠径向内侧的第二区域的所述第二层进行蚀刻，
所述第二蚀刻工序包括以下步骤：以使所述药液经过所述基板的端缘而绕到所述第一面的方式向所述基板的第二面供给所述药液，由此，同时对所述第二面上的所述第二层和所述第一面的位于所述第一区域的所述第二层进行蚀刻。
5.根据权利要求4所述的湿蚀刻方法，其特征在于，
通过利用所述蚀刻抑制液的液膜将所述基板的表面覆盖，或者通过利用所述蚀刻抑制液将所述药液稀释，来防止或抑制所述药液的蚀刻。
6.根据权利要求1所述的湿蚀刻方法，其特征在于，
通过利用所述蚀刻抑制液的液膜将所述基板的表面覆盖，或者利用所述蚀刻抑制液将所述药液稀释，来防止或抑制所述药液的蚀刻。
7.根据权利要求1所述的湿蚀刻方法，其特征在于，
所述蚀刻抑制液为纯水。
8.一种存储介质，记录有如下程序：该程序在被用于对基板液处理装置的动作进行控制的计算机执行时，使所述计算机对所述基板液处理装置进行控制来执行根据权利要求1所述的湿蚀刻方法。
9.一种基板液处理装置，对基板进行湿蚀刻，所述基板具有第一面和所述第一面的背面侧的第二面，在所述基板的至少所述第一面的周缘部分层叠有作为下层的第一层和作为上层的第二层，在所述基板液处理装置中具备：
基板保持机构，其将所述基板以水平姿势保持，并使所述基板绕铅垂轴线旋转；
药液喷嘴，其向所述基板的所述第一面的周缘部分供给能够蚀刻所述第一层和所述第二层这两方的药液；
蚀刻抑制液喷嘴，其向所述基板的所述第二面供给蚀刻抑制液；以及
控制装置，其至少对通过所述基板保持机构进行的所述基板的旋转和从所述蚀刻抑制液喷嘴供给的所述蚀刻抑制液的流量进行控制，
其中，所述控制装置在所述药液喷嘴向所述基板的所述第一面的周缘部分供给所述药液的期间中，利用所述蚀刻抑制液喷嘴向所述基板的所述第二面供给所述蚀刻抑制液，使所供给的该蚀刻抑制液经由所述基板的端缘而绕到所述第一面且到达第一区域，该第一区域为从所述第一面的周缘部分中的所述基板的所述端缘至所述第一面上的位于比所述端缘靠径向内侧的第一径向位置的区域，所述蚀刻抑制液防止或抑制作为所述第二层被去除的结果而露出的所述第一层被所述药液蚀刻。
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