KR20220027763A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20220027763A
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고지 가가와
겐지 세키구치
슈헤이 요네자와
다이스케 스즈키
요시히로 다케자와
요시히사 마츠바라
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

실리콘막을 적절하게 결정화 및 확대시킨다.
기판 처리 방법은, 실리콘막을 열처리에 의해 결정화 및 확대시키는 기판 처리 방법이며, 열처리를 행하기 전에, 실리콘막이 형성된 기판을 보유 지지하는 보유 지지 공정과, 보유 지지 공정에 있어서 보유 지지된 기판에 대하여 금속을 포함하는 용액을 공급함으로써, 실리콘막의 표면에 1.0E10[atoms/㎠] 이상 1.0E20[atoms/㎠] 이하의 범위 내의 부착량으로 금속을 부착시키는 부착 공정을 포함한다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 개시는, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 실리콘막의 표면에 촉매로서의 금속막을 형성한 후, 열처리를 행하여 실리콘막을 결정화시키는 기술이 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2008-243975호 공보
본 개시는, 실리콘막을 적절하게 결정화 및 확대시킬 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 방법은, 실리콘막을 열처리에 의해 결정화 및 확대시키는 기판 처리 방법이며, 상기 열처리를 행하기 전에, 상기 실리콘막이 형성된 기판을 보유 지지하는 보유 지지 공정과, 상기 보유 지지 공정에 있어서 보유 지지된 상기 기판에 대하여 금속을 포함하는 용액을 공급함으로써, 상기 실리콘막의 표면에 1.0E10[atoms/㎠] 이상 1.0E20[atoms/㎠] 이하의 범위 내의 부착량으로 상기 금속을 부착시키는 부착 공정을 포함한다.
본 개시에 의하면, 실리콘막을 적절하게 결정화 및 확대시킬 수 있다는 효과를 발휘한다.
도 1은, 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는, 실시 형태에 따른 제1 처리 유닛의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 3은, 실시 형태에 따른 제2 처리 유닛의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 4는, 실시 형태에 따른 제1 처리 유닛이 실행하는 기판 처리의 수순을 도시하는 흐름도이다.
도 5는, 제1 처리 유닛이 실행하는 기판 처리에 있어서 금속의 부착량을 바꾸어서 실리콘막의 결정 사이즈를 측정한 측정 결과의 일례를 도시하는 도면이다.
도 6은, 실시 형태에 따른 제2 처리 유닛이 실행하는 기판 처리의 수순을 도시하는 흐름도이다.
이하, 도면을 참조하여 여러가지 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태에 의해 개시 기술이 한정되는 것은 아니다.
그런데, 실리콘막의 표면에 촉매로서의 금속을 부착시킨 후에 열처리를 행하는 경우, 실리콘막 내에 금속이 과잉으로 확산되어, 결과적으로, 과잉으로 확산된 금속에 의해 실리콘막의 결정화 및 확대가 저해될 우려가 있다. 이 때문에, 실리콘막을 적절하게 결정화 및 확대시키는 것이 기대되고 있다.
(실시 형태)
<기판 처리 시스템의 구성>
도 1은, 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성을 도시하는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해서, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.
반입출 스테이션(2)은, 캐리어 적재부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 적재부(11)에는, 복수매의 기판, 본 실시 형태에서는 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼(W))를 수평 상태에서 수용하는 복수의 캐리어(C)가 적재된다. 웨이퍼(W)의 표면 상에는, 실리콘막이 형성되어 있다.
반송부(12)는, 캐리어 적재부(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 보유 지지 기구를 사용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 제1 처리 유닛(16)과, 복수의 제2 처리 유닛(17)을 구비한다. 복수의 제1 처리 유닛(16) 및 복수의 제2 처리 유닛(17)은, 반송부(15)의 양측에 나열하여 마련된다.
반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(18)를 구비한다. 기판 반송 장치(18)는, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(18)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 보유 지지 기구를 사용하여 전달부(14)와 제1 처리 유닛(16) 또는 제2 처리 유닛(17) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
제1 처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(18)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 처리를 행한다. 본 실시 형태에 있어서, 제1 처리 유닛(16)은, 웨이퍼(W) 상의 실리콘막을 결정화 및 확대하기 위한 열처리가 행하여지기 전에, 실리콘막의 표면에 촉매로서의 금속을 부착시킨다.
제2 처리 유닛(17)은, 기판 반송 장치(18)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 처리를 행한다. 본 실시 형태에 있어서, 제2 처리 유닛(17)은, 웨이퍼(W) 상의 실리콘막을 결정화 및 확대하기 위한 열처리가 행하여진 후에, 실리콘막의 표면 상에 잔존하는 금속(예를 들어, 금속 실리사이드)을 제거한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예를 들어 컴퓨터이고, 제어부(4A)와 기억부(4B)를 구비한다. 기억부(4B)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(4A)는, 기억부(4B)에 기억된 프로그램을 판독하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있었던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(4B)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들어 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그네트 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
상기와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 반입출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 적재부(11)에 적재된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 적재한다. 전달부(14)에 적재된 웨이퍼(W)는 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(18)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어서, 제1 처리 유닛(16)에 반입된다.
제1 처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는 제1 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(18)에 의해 제1 처리 유닛(16)으로부터 반출되어서 전달부(14)에 적재된다. 그리고, 전달부(14)에 적재된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 적재부(11)의 캐리어(C)로 복귀된다.
처리가 끝난 웨이퍼(W)가 캐리어(C)로 복귀된 후, 캐리어(C)는, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 배치된 어닐 장치에 소정의 반송 장치에 의해 반송된다. 그리고, 어닐 장치에 있어서, 웨이퍼(W)에 대하여 열처리가 행하여진다. 열처리가 행하여진 후의 웨이퍼(W)를 수용하는 캐리어(C)는, 소정의 반송 장치에 의해 기판 처리 시스템(1)으로 복귀된다.
그 후, 기판 처리 시스템(1)에서는, 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 적재부(11)에 적재된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 적재한다. 전달부(14)에 적재된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(18)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어서, 제2 처리 유닛(17)에 반입된다.
제2 처리 유닛(17)에 반입된 웨이퍼(W)는, 제2 처리 유닛(17)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(18)에 의해 제2 처리 유닛(17)으로부터 반출되어서 전달부(14)에 적재된다. 그리고, 전달부(14)에 적재된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 적재부(11)의 캐리어(C)로 복귀된다.
<제1 처리 유닛의 구성>
이어서, 제1 처리 유닛(16)의 개략 구성에 대하여 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는, 실시 형태에 따른 제1 처리 유닛(16)의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 제1 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 보유 지지 기구(30)와, 처리액 공급부(40)와, 세정액 공급부(50)와, 하부 공급부(60)와, 회수 컵(70)을 구비한다.
챔버(20)는, 기판 보유 지지 기구(30), 처리액 공급부(40), 세정액 공급부(50), 하부 공급부(60) 및 회수 컵(70)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)가 마련된다. FFU(21)는, 챔버(20) 내에 다운 플로를 형성한다.
FFU(21)는, 밸브(22)를 개재하여 다운 플로 가스 공급원(23)에 접속된다. FFU(21)는, 다운 플로 가스 공급원(23)으로부터 공급되는 다운 플로 가스(예를 들어, 질소 또는 드라이에어)를 챔버(20) 내로 토출한다.
기판 보유 지지 기구(30)는, 보유 지지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 보유 지지부(31)는, 웨이퍼(W)를 수평하게 보유 지지한다. 보유 지지부(31)의 상면에는, 웨이퍼(W)의 주연부를 파지하는 복수의 파지부(31a)가 마련되어 있다. 웨이퍼(W)는 파지부(31a)에 의해 보유 지지부(31)의 상면으로부터 조금 이격한 상태에서 수평하게 보유 지지된다. 또한, 웨이퍼(W)는 실리콘막이 형성된 면을 상방을 향한 상태에서 보유 지지부(31)에 보유 지지된다. 지주부(32)는, 연직 방향으로 연장하는 부재이고, 보유 지지부(31)를 하방으로부터 지지한다. 구동부(33)는, 지주부(32)를 연직축 주위로 회전시킨다. 기판 보유 지지 기구(30)는, 구동부(33)를 사용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 보유 지지부(31)를 회전시키고, 이에 의해, 보유 지지부(31)에 보유 지지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
처리액 공급부(40)는, 기판 보유 지지 기구(30)에 보유 지지된 웨이퍼(W)에 대하여 각종 처리액을 공급한다. 처리액 공급부(40)는, 밸브(41a)를 통해 DHF(희불산) 공급원(42a)에 접속된다. 또한, 처리액 공급부(40)는, 밸브(41b)를 통해 SC1 공급원(42b)에 접속된다. DHF 공급원(42a)으로부터 공급되는 DHF 및 SC1 공급원(42b)으로부터 공급되는 SC1(암모니아, 과산화수소 및 물의 혼합액)은, 웨이퍼(W) 상의 실리콘막의 표면을 친수화하기 위한 친수화 처리액이다.
또한, 처리액 공급부(40)는, 밸브(41c) 및 희석부(43)를 개재하여 금속 용액 공급원(44) 및 DIW(DeIonized Water: 탈이온수) 공급원(45)에 접속된다. 금속 용액 공급원(44)으로부터 공급되는, 금속을 포함하는 용액(이하 적절히 「금속 용액」이라고 칭한다.)은, 웨이퍼(W) 상의 실리콘막의 표면에 금속을 부착시키기 위한 처리액이다. 금속 용액에 포함되는 금속으로서는, 예를 들어 Ni, Pd, Ag, Au, Sn, Sb, Cu, Cd, Al, Co, Pt, Mo, Ti, W 및 Cr의 적어도 하나가 사용된다. 금속 용액의 용매로서는, 예를 들어 희질산이나 순수 등이 사용된다. DIW 공급원(45)으로부터 공급되는 DIW는, 금속 용액을 희석하기 위한 희석액이다. 희석액으로서는, DIW 대신에, IPA(이소프로필알코올)가 사용되어도 된다. 금속 용액 공급원(44)으로부터 공급되는 금속 용액은, 희석부(53)에 있어서 DIW에 의해 희석된 다음, 처리액 공급부(40)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 공급된다.
또한, 웨이퍼(W)에 대한 금속 용액의 접촉각을 저하시켜서 실리콘막의 표면에 대한 금속의 부착을 촉진하는 관점에서, 처리액 공급부(40)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 금속 용액에 IPA 등의 유기 용제를 혼합한 혼합액을 공급하도록 해도 된다. 이 경우, 금속 용액 공급원(44) 대신에, 금속 용액에 IPA 등의 유기 용제를 혼합한 혼합액을 공급하는 혼합액 공급원이 사용되면 된다.
또한, 처리액 공급부(40)는, 밸브(41d)를 개재하여 DIW 공급원(42d)에 접속된다. DIW 공급원(42d)으로부터 공급되는 DIW는, 희석부(53)에 있어서 희석된 금속 용액을 더 희석하기 위한 희석액이다. 희석액으로서는, DIW 대신에, IPA가 사용되어도 된다. 또한, DIW 공급원(42d)으로부터 공급되는 DIW는, 웨이퍼(W) 상의 실리콘막의 표면에 과잉으로 부착된 금속을 세정하기 위한 세정액으로서도 사용된다. 또한, DIW 공급원(42d)으로부터 공급되는 DIW는, 친수화 처리액을 제거하기 위한 린스용의 처리액으로서도 사용된다.
세정액 공급부(50)는, 기판 보유 지지 기구(30)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 베벨부를 세정하기 위한 세정액을 공급한다. 베벨부란, 웨이퍼(W)의 주연부에 형성된 경사부이다. 세정액 공급부(50)는, 밸브(51a)를 개재하여 SC2 공급원(52a)에 접속된다. SC2 공급원(52a)으로부터 공급되는 SC2(염산과 과산화수소의 혼합액)는, 웨이퍼(W)의 베벨부를 세정하기 위한 세정액이다. 세정액으로서는, SC2 대신에, 불산, 희염산, SPM(황산과 과산화수소의 혼합액), 또는 왕수(염산3:질산1의 혼합액)가 사용되어도 된다.
또한, 세정액 공급부(50)는, 밸브(51b)를 개재하여 DIW 공급원(52b)에 접속된다. DIW 공급원(52b)으로부터 공급되는 DIW는, 웨이퍼(W)의 베벨부에 잔존하는 세정액을 제거하기 위한 린스용의 처리액이다.
하부 공급부(60)는, 기판 보유 지지 기구(30)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 이면을 세정하기 위한 세정액을 공급한다. 이면이란, 웨이퍼(W)의 실리콘막이 형성된 면과는 반대측의 면이다. 하부 공급부(60)는, 보유 지지부(31) 및 지주부(32)의 중공부에 삽입 관통된다. 하부 공급부(60)의 내부에는 연직 방향으로 연장하는 유로가 형성되어 있다. 유로에는, 밸브(61a)를 개재하여 SC2 공급원(62a)이 접속된다. SC2 공급원(62a)으로부터 공급되는 SC2는, 웨이퍼(W)의 이면을 세정하기 위한 세정액이다. 세정액으로서는, SC2 대신에, 불산, 희염산, SPM, 또는 왕수가 사용되어도 된다.
또한, 하부 공급부(60)는, 밸브(61b)를 개재하여 DIW 공급원(62b)에 접속된다. DIW 공급원(62b)으로부터 공급되는 DIW는, 웨이퍼(W)의 이면에 잔존하는 세정액을 제거하기 위한 린스용의 처리액이다.
회수 컵(70)은, 보유 지지부(31)를 둘러싸도록 배치되고, 보유 지지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 회수 컵(70)의 저부에는, 액체 배출구(71)가 형성되어 있고, 회수 컵(70)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 액체 배출구(71)로부터 제1 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 또한, 회수 컵(70)의 저부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 제1 처리 유닛(16)의 외부로 배출하는 배기구(72)가 형성된다.
<제2 처리 유닛의 구성>
이어서, 제2 처리 유닛(17)의 개략 구성에 대하여 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은, 실시 형태에 따른 제2 처리 유닛(17)의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 제2 처리 유닛(17)은, 챔버(120)와, 기판 보유 지지 기구(130)와, 공급부(140)와, 회수 컵(150)을 구비한다.
챔버(120)는, 기판 보유 지지 기구(130), 공급부(140) 및 회수 컵(150)을 수용한다. 챔버(120)에는, 어닐 장치에 있어서 열처리를 행한 웨이퍼(W)가 반송된다. 어닐 장치에 있어서 열처리를 행한 웨이퍼(W)의 실리콘막의 표면 상에는, 열처리에 있어서 실리사이드화된 금속(즉, 금속 실리사이드)이 잔존하고 있다. 챔버(120)의 천장부에는, FFU(121)가 마련된다. FFU(121)는, 챔버(120) 내에 다운 플로를 형성한다.
FFU(121)는, 밸브(122)를 개재하여 다운 플로 가스 공급원(123)에 접속된다. FFU(121)는, 다운 플로 가스 공급원(123)으로부터 공급되는 다운 플로 가스(예를 들어, 질소 또는 드라이에어)를 챔버(120) 내로 토출한다.
기판 보유 지지 기구(130)는, 보유 지지부(131)와, 지주부(132)와, 구동부(133)를 구비한다. 보유 지지부(131)는, 웨이퍼(W)를 수평하게 보유 지지한다. 또한, 웨이퍼(W)는 실리콘막이 형성된 면을 상방을 향한 상태에서 보유 지지부(131)에 보유 지지된다. 지주부(132)는, 연직 방향으로 연장하는 부재이고, 보유 지지부(131)를 하방으로부터 지지한다. 구동부(133)는, 지주부(132)를 연직축 주위로 회전시킨다. 기판 보유 지지 기구(130)는, 구동부(133)를 사용하여 지주부(132)를 회전시킴으로써 지주부(132)에 지지된 보유 지지부(131)를 회전시키고, 이에 의해, 보유 지지부(131)에 보유 지지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
공급부(140)는, 기판 보유 지지 기구(130)에 보유 지지된 웨이퍼(W)에 대하여 처리액을 공급한다. 공급부(140)는, 밸브(141a)를 개재하여 SC2 공급원(142a)에 접속된다. SC2 공급원(142a)으로부터 공급되는 SC2는, 실리콘막의 표면 상에 잔존하는 금속(예를 들어, 금속 실리사이드)을 제거하기 위한 세정액이다. 실리콘막의 표면 상에 잔존하는 금속을 제거하기 위한 세정액으로서는, SC2 대신에, SPM 또는 왕수가 사용되어도 된다.
또한, 공급부(140)는, 밸브(141b)를 개재하여 DIW 공급원(142b)에 접속된다. DIW 공급원(142b)으로부터 공급되는 DIW는, 실리콘막의 표면 상에 잔존하는 세정액을 제거하기 위한 린스용의 처리액이다.
회수 컵(150)은, 보유 지지부(131)를 둘러싸도록 배치되고, 보유 지지부(131)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 회수 컵(150)의 저부에는, 액체 배출구(151)가 형성되어 있고, 회수 컵(150)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 액체 배출구(151)로부터 제2 처리 유닛(17)의 외부로 배출된다. 또한, 회수 컵(150)의 저부에는, FFU(121)로부터 공급되는 기체를 제2 처리 유닛(17)의 외부로 배출하는 배기구(152)가 형성된다.
<제1 처리 유닛이 실행하는 기판 처리>
이어서, 제1 처리 유닛(16)이 실행하는 기판 처리에 대하여 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는, 실시 형태에 따른 제1 처리 유닛(16)이 실행하는 기판 처리의 수순을 도시하는 흐름도이다. 또한, 도 4에 도시하는 각 처리는, 제어부(4A)에 의한 제어에 따라서 실행된다.
도 4에 도시한 바와 같이, 먼저, 기판 반송 장치(18)는, 제1 처리 유닛(16)의 챔버(20) 내에 웨이퍼(W)를 반입한다(스텝 S101). 웨이퍼(W)는, 실리콘막이 형성된 면을 상방을 향한 상태에서 보유 지지부(31)에 보유 지지된다. 그 후, 구동부(33)에 의해 보유 지지부(31)가 회전한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)는 보유 지지부(31)와 함께 회전한다.
계속해서, 제1 처리 유닛(16)에서는, 친수화 처리가 행하여진다(스텝 S102). 친수화 처리에서는, 처리액 공급부(40)가 웨이퍼(W)의 중앙 상방에 위치한다. 그 후, 밸브(41a)가 소정 시간 해방됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 친수화 처리액인 DHF가 공급된다. 웨이퍼(W)에 공급된 DHF는, 웨이퍼(W)의 회전에 수반하는 원심력에 의해 웨이퍼(W) 상의 실리콘막의 표면 전체에 퍼진다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 상의 실리콘막의 표면이 친수화된다. 그 후, 밸브(41d)가 소정 시간 해방됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 린스용의 처리액인 DIW가 공급된다. 웨이퍼(W)에 공급된 DIW는, 웨이퍼(W)의 회전에 수반하는 원심력에 의해 웨이퍼(W) 상의 실리콘막의 표면 전체에 퍼진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 DHF가 DIW에 의해 씻겨 내려간다. 그 후, 밸브(41b)가 소정 시간 개방됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 친수화 처리액인 SC1이 공급된다. 웨이퍼(W)에 공급된 SC1은, 웨이퍼(W)의 회전에 수반하는 원심력에 의해 웨이퍼(W) 상의 실리콘막의 표면 전체에 퍼진다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 상의 실리콘막의 표면이 더 친수화된다. 그 후, 밸브(41d)가 소정 시간 해방됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 린스용의 처리액인 DIW가 공급된다. 웨이퍼(W)에 공급된 DIW는, 웨이퍼(W)의 회전에 수반하는 원심력에 의해 웨이퍼(W) 상의 실리콘막의 표면 전체에 퍼진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 SC1이 DIW에 의해 씻겨 내려간다.
계속해서, 제1 처리 유닛(16)에서는, 부착 처리가 행하여진다(스텝 S103). 부착 처리에서는, 밸브(41c) 및 밸브(41d)가 소정 시간 개방됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 금속 용액이 공급된다. 이때, 금속 용액은, 희석부(43)에 있어서 DIW 공급원(45)으로부터 공급되는 DIW에 의해 희석되고, 또한 희석부(43)의 하류측에 있어서 DIW 공급원(42d)으로부터 공급되는 DIW에 의해 더 희석된 다음, 웨이퍼(W)의 표면에 공급된다. 바꾸어 말하면, 부착 처리에서는, 웨이퍼(W)에 대하여 금속 용액을 공급하기 전에, 금속 용액을 복수의 희석액(DIW)에 의해 단계적으로 희석하여 금속 용액에 포함되는 금속의 농도를 조정한다. 금속 용액에 포함되는 금속의 농도는, 예를 들어 10[ppm] 이상 10000[ppm] 이하의 범위 내이다. 웨이퍼(W)에 공급된 금속 용액은, 웨이퍼(W)의 회전에 수반하는 원심력에 의해 웨이퍼(W) 상의 실리콘막의 표면 전체에 퍼진다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 상의 실리콘막의 표면에 1.0E10[atoms/㎠] 이상 1.0E20[atoms/㎠] 이하의 범위 내의 부착량으로 금속이 부착된다.
또한, 상기의 부착 처리에 있어서, 희석부(43)에 의한 1회째의 희석에 의해 금속 용액에 포함되는 금속의 농도가 원하는 농도로 되어 있는 경우에는, 희석부(43)의 하류측에서의 2회째의 희석을 생략해도 된다.
또한, 상기의 부착 처리에 있어서, 제1 처리 유닛(16)은, 웨이퍼(W) 상에 금속 용액을 액막 형성하고, 그 후, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 소정 시간 증가시켜서 웨이퍼(W) 상의 금속 용액을 원심 탈수하게 해도 된다. 금속 용액의 액막 형성은 웨이퍼(W)의 회전 속도를 소정 시간 감소시켜서(또는, 웨이퍼(W)의 회전을 소정시간 정지시켜) 금속 용액을 공급함으로써 실현된다. 웨이퍼(W) 상에 금속 용액을 액막 형성한 후에 금속 용액을 원심 탈수함으로써, 웨이퍼(W)에 대한 금속 용액의 공급량을 삭감할 수 있다.
또한, 상기의 부착 처리에 있어서, 제1 처리 유닛(16)은, 2유체 노즐 등을 사용하여 웨이퍼(W)의 표면에 금속 용액을 안개 상태로 공급해도 된다. 또한, 상기의 부착 처리에 있어서, 제1 처리 유닛(16)은, 처리액 공급부(40)를 웨이퍼(W)의 중심부와 외주부 사이에서 이동시키는 스캔 처리를 행하고, 웨이퍼(W)의 표면에 금속 용액을 공급해도 된다. 이에 의해, 부착 처리의 처리 시간을 단축할 수 있다.
또한, 제1 처리 유닛(16)은, 웨이퍼(W)에 대하여 금속 용액에 IPA 등의 유기 용제를 혼합한 혼합액을 공급해도 된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 대한 금속 용액의 접촉각을 저하시킬 수 있고, 웨이퍼(W) 상의 실리콘막의 표면에 금속 용액을 도포하여 확산하기 쉬워진다. 따라서, 실리콘막의 표면에 대한 금속의 부착을 촉진할 수 있다. 또한, 제1 처리 유닛(16)은, 금속 용액에 유기 용제를 혼합한 혼합액을 사용하는 경우, 웨이퍼(W)에 대하여 혼합액을 예를 들어 100nm 이상의 두께가 되도록 공급해도 된다. 이에 의해, 실리콘막의 표면에 대한 금속의 부착을 보다 촉진할 수 있다.
또한, 상기의 부착 처리에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전수는 1000[rpm] 이하로 설정되고, 또한 처리 시간은 60초 이하로 설정되는 것이 바람직하다.
계속해서, 제1 처리 유닛(16)에서는, 조정 처리가 행하여진다(스텝 S104). 조정 처리에서는, 밸브(41d)가 소정 시간 개방됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 세정액인 DIW가 공급된다. 웨이퍼(W)에 공급된 DIW는, 웨이퍼(W)의 회전에 수반하는 원심력에 의해 웨이퍼(W) 상의 실리콘막의 표면 전체에 퍼진다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 상의 실리콘막의 표면에 부착되어 있는 금속의 일부가 DIW에 의해 씻겨 내려간다. 이에 의해, 실리콘막의 표면에 있어서의 금속의 부착량이 조정된다.
또한, 상기의 부착 처리(스텝 S103)를 종료한 시점에서 실리콘막의 표면에 있어서의 금속의 부착량이 이미 원하는 부착량이 되어 있는 경우에는, 상기의 조정 처리(스텝 S104)를 생략해도 된다.
계속해서, 제1 처리 유닛(16)에서는, 건조 처리가 행하여진다(스텝 S105). 건조 처리에서는, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 소정 시간 증가시킴으로써 웨이퍼(W) 상에 잔존하는 DIW를 원심 탈수하여 웨이퍼(W)를 스핀 건조시킨다.
또한, 상기의 건조 처리에 있어서 사용되는 건조 방식은, 스핀 건조에 한정되지 않는다. 예를 들어, DIW를 IPA로 치환한 후에 IPA를 원심 탈수하여 웨이퍼(W)를 스핀 건조시키는 IPA 건조를 행하여도 된다. 또한, 웨이퍼(W) 상의 패턴 도괴를 억제하는 관점에서, IPA 건조에 앞서, 웨이퍼(W)에 발수화 액을 공급함으로써 웨이퍼(W)의 표면을 발수화시켜도 된다. 또한, 상기의 건조 처리에 있어서, DIW를 IPA로 치환한 후에 IPA를 초임계 상태의 유체와 접촉시킴으로써 웨이퍼(W)를 건조시키는 초임계 건조를 행하여도 된다.
계속해서, 제1 처리 유닛(16)에서는, 베벨 세정 처리가 행하여진다(스텝 S106). 베벨 세정 처리에서는, 세정액 공급부(50)가 웨이퍼(W)의 주연부 상방에 위치한다. 그 후, 밸브(51a)가 소정 시간 개방됨으로써, 웨이퍼(W)의 주연부에 세정액인 SC2가 공급된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 베벨부가 세정되어서 웨이퍼(W)의 베벨부에서 금속이 제거된다.
계속해서, 제1 처리 유닛(16)에서는, 린스 처리가 행하여진다(스텝 S107). 린스 처리에서는, 밸브(51b)가 소정 시간 개방됨으로써, 웨이퍼(W)의 주연부에 린스용의 처리액인 DIW가 공급된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 베벨부에 잔존하는 SC2가 DIW에 의해 씻겨 내려간다.
계속해서, 제1 처리 유닛(16)에서는, 건조 처리가 행하여진다(스텝 S108). 건조 처리에서는, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 소정시간 증가시킴으로써 웨이퍼(W)를 건조시킨다.
계속해서, 제1 처리 유닛(16)에서는, 이면 세정 처리가 행하여진다(스텝 S109). 이면 세정 처리에서는, 밸브(61a)가 소정 시간 개방됨으로써, 웨이퍼(W)의 이면에 세정액인 SC2가 공급된다. 웨이퍼(W)의 이면에 공급된 SC2는, 웨이퍼(W)의 회전에 수반하는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 이면 전체에 퍼진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 이면이 세정되어서 웨이퍼(W)의 이면으로부터 금속이 제거된다.
계속해서, 제1 처리 유닛(16)에서는, 린스 처리가 행하여진다(스텝 S110). 린스 처리에서는, 밸브(61b)가 소정 시간 개방됨으로써, 웨이퍼(W)의 이면에 린스용의 처리액인 DIW가 공급된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 이면에 잔존하는 SC2가 DIW에 의해 씻겨 내려간다.
계속해서, 제1 처리 유닛(16)에서는, 건조 처리가 행하여진다(스텝 S111). 건조 처리에서는, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 소정 시간 증가시킴으로써 웨이퍼(W)를 건조시킨다.
계속해서, 제1 처리 유닛(16)에서는, 반출 처리가 행하여진다(스텝 S112). 반출 처리에서는, 웨이퍼(W)의 회전을 정지한 후, 웨이퍼(W)를 제1 처리 유닛(16)으로부터 반출한다. 제1 처리 유닛(16)으로부터 반출된 웨이퍼(W)는, 캐리어 적재부(11)의 캐리어(C)로 복귀된 후, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 배치된 어닐 장치에 반송된다. 그리고, 어닐 장치에 있어서, 웨이퍼(W)에 대하여 열처리가 행하여진다. 열처리의 처리 시간은, 예를 들어 2 내지 24시간이다. 웨이퍼(W)에 대하여 열처리가 행해짐으로써, 웨이퍼(W) 상의 실리콘막의 표면에 부착되어 있는 금속이 실리콘막 내에 확산되어서 실리사이드화된다. 이에 의해, 실리사이드화된 금속(즉, 금속 실리사이드)을 기점으로 하여 실리콘막이 결정화 및 확대된다. 열처리가 행하여진 웨이퍼(W)는 캐리어(C)에 수용된 후, 기판 처리 시스템(1)으로 복귀된다.
여기서, 제1 처리 유닛(16)이 실행하는 기판 처리에 있어서 금속의 부착량과 실리콘막의 결정화의 관계를 평가하였다. 도 5는, 제1 처리 유닛(16)이 실행하는 기판 처리에 있어서 금속의 부착량을 바꾸어서 실리콘막의 결정 사이즈를 측정한 측정 결과의 일례를 도시하는 도면이다. 사용된 금속은, Ni이다.
도 5로부터 알 수 있는 바와 같이, 실리콘막의 표면에 있어서의 금속의 부착량이 1.0E10[atoms/㎠] 이상 1.0E20[atoms/㎠] 이하의 범위인 경우, 결정 사이즈가 0[㎛]보다도 큰 실리콘막이 얻어졌다. 특히, 실리콘막의 표면에 있어서의 금속의 부착량이 1.0E13[atoms/㎠] 이상 1.0E16[atoms/㎠] 이하의 범위인 경우, 결정 사이즈가 약 0.5[㎛] 이상으로 된다. 따라서, 실리콘막을 적절하게 결정화 및 확대시키는 관점에서 바람직한 금속의 부착량은, 다음 범위 내인 것이 확인되었다. 즉, 바람직한 금속의 부착량은, 1.0E10[atoms/㎠] 이상 1.0E20[atoms/㎠] 이하의 범위 내, 보다 바람직하게는 1.0E13[atoms/㎠] 이상 1.0E16[atoms/㎠] 이하의 범위 내이다.
<제2 처리 유닛이 실행하는 기판 처리>
이어서, 제2 처리 유닛(17)이 실행하는 기판 처리에 대하여 도 6을 참조하여 설명한다. 도 6은, 실시 형태에 따른 제2 처리 유닛(17)이 실행하는 기판 처리의 수순을 도시하는 흐름도이다. 또한, 도 6에 도시하는 각 처리는, 제어부(4A)에 의한 제어에 따라서 실행된다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 먼저, 기판 반송 장치(18)는, 제2 처리 유닛(17)의 챔버(120) 내에 웨이퍼(W)를 반입한다(스텝 S201). 챔버(120) 내에는, 어닐 장치에 있어서 열처리를 행한 웨이퍼(W)가 반입된다. 어닐 장치에 있어서 열처리를 행한 웨이퍼(W)의 실리콘막의 표면 상에는, 열처리에 있어서 실리사이드화된 금속(즉, 금속 실리사이드)이 잔존하고 있다. 웨이퍼(W)는, 실리콘막이 형성된 면을 상방을 향한 상태에서 보유 지지부(131)에 보유 지지된다. 그 후, 구동부(133)에 의해 보유 지지부(131)가 회전한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)는 보유 지지부(131)와 함께 회전한다.
계속해서, 제2 처리 유닛(17)에서는, 제거 처리가 행하여진다(스텝 S202). 제거 처리에서는, 공급부(140)가 웨이퍼(W)의 중앙 상방에 위치한다. 그 후, 밸브(141a)가 소정 시간 개방됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 세정액인 SC2가 공급된다. 웨이퍼(W)에 공급된 SC2는, 웨이퍼(W)의 회전에 수반하는 원심력에 의해 웨이퍼(W) 상의 실리콘막의 표면 전체에 퍼진다. 이에 의해, 실리콘막의 표면 상에 잔존하는 금속(예를 들어, 금속 실리사이드)이 제거된다.
계속해서, 제2 처리 유닛(17)에서는, 린스 처리가 행하여진다(스텝 S203). 린스 처리에서는, 밸브(141b)가 소정 시간 개방됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 린스용의 처리액인 DIW가 공급된다. 웨이퍼(W)에 공급된 DIW는, 웨이퍼(W)의 회전에 수반하는 원심력에 의해 웨이퍼(W) 상의 실리콘막의 표면 전체에 퍼진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 SC2가 DIW에 의해 씻겨 내려간다.
계속해서, 제2 처리 유닛(17)에서는, 건조 처리가 행하여진다(스텝 S204). 건조 처리에서는, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 소정 시간 증가시킴으로써 웨이퍼(W)를 건조시킨다.
계속해서, 제2 처리 유닛(17)에서는, 반출 처리가 행하여진다(스텝 S205). 반출 처리에서는, 웨이퍼(W)의 회전을 정지한 후, 웨이퍼(W)를 제2 처리 유닛(17)으로부터 반출한다.
<효과>
실시 형태에 따른 기판 처리 방법은, 실리콘막을 열처리에 의해 결정화 및 확대시키는 기판 처리 방법이며, 보유 지지 공정과, 부착 공정을 포함한다. 보유 지지 공정은, 열처리를 행하기 전에, 실리콘막이 형성된 기판(일례로서, 웨이퍼(W))을 보유 지지한다. 부착 공정은, 보유 지지 공정에 있어서 보유 지지된 기판에 대하여 금속을 포함하는 용액을 공급함으로써, 실리콘막의 표면에 1.0E10[atoms/㎠] 이상 1.0E20[atoms/㎠] 이하의 범위 내의 부착량으로 금속을 부착시킨다. 이 때문에, 실시 형태에 따르면, 실리콘막을 적절하게 결정화 및 확대시킬 수 있다.
또한, 부착 공정은, 기판에 대하여 금속을 포함하는 용액을 공급하기 전에, 용액을 희석액에 의해 희석하여 용액에 포함되는 금속의 농도를 조정해도 된다. 이에 의해, 실시 형태에 따르면, 실리콘막의 표면에 대한 금속의 부착량을 조정하여 실리콘막의 결정 사이즈를 원하는 사이즈로 조정할 수 있다.
또한, 부착 공정은, 용액을 복수의 희석액에 의해 단계적으로 희석하여 상기 용액에 포함되는 금속의 농도를 조정해도 된다. 이에 의해, 실시 형태에 따르면, 실리콘막의 표면에 대한 금속의 부착량을 보다 치밀하게 조정하여 실리콘막의 결정 사이즈의 조정 정밀도를 향상시킬 수 있다.
또한, 용액에 포함되는 금속의 농도는, 10[ppm] 이상 10000[ppm] 이하의 범위 내여도 된다. 이에 의해, 실시 형태에 따르면, 실리콘막의 표면에 대한 금속의 부착량을 최적화하여, 실리콘막의 결정 사이즈를 원하는 사이즈로 조정할 수 있다.
또한, 실시 형태에 따른 기판 처리 방법은, 친수화 공정을 더 포함해도 된다. 친수화 공정은, 실리콘막의 표면을 친수화한다. 그리고, 부착 공정은, 친수화 공정에 있어서 실리콘막의 표면이 친수화된 상태에서, 기판에 대하여 금속을 포함하는 용액을 공급해도 된다. 이 때문에, 실시 형태에 따르면, 기판에 대한 용액의 밀착성을 높여서 실리콘막의 표면에 대한 금속의 부착을 촉진할 수 있다.
또한, 부착 공정은, 기판 상에 금속을 포함하는 용액의 층을 액막 형성하고, 그 후, 상기 금속을 포함하는 용액을 원심 탈수하게 해도 된다. 이 때문에, 실시 형태에 따르면, 기판에 대한 금속 용액의 공급량을 삭감 가능하다.
또한, 부착 공정은, 기판에 대하여 금속을 포함하는 용액에 유기 용제를 혼합한 혼합액을 공급해도 된다. 또한, 부착 공정은, 기판에 대하여 금속을 포함하는 용액에 유기 용제를 혼합한 혼합액을 100nm 이상의 두께로 되도록 공급해도 된다. 이 때문에, 실시 형태에 따르면, 기판에 대한 용액의 접촉각을 저하시켜서 실리콘막의 표면에 대한 금속의 부착을 촉진할 수 있다.
또한, 용액에 포함되는 금속은, Ni, Pd, Ag, Au, Sn, Sb, Cu, Cd, Al, Co, Pt, Mo, Ti, W 및 Cr의 적어도 하나를 포함해도 된다. 이 때문에, 실시 형태에 따르면, 여러가지 금속 실리사이드를 기점으로 하여 실리콘막을 적절하게 결정화 및 확대시킬 수 있다.
또한, 실시 형태에 따른 기판 처리 방법은, 조정 공정을 더 포함해도 된다. 조정 공정은, 부착 공정 후에, 기판에 대하여 세정액을 공급함으로써, 실리콘막의 표면에 있어서의 금속의 부착량을 조정한다. 이 때문에, 실시 형태에 따르면, 실리콘막의 표면에 대한 금속의 부착량을 조정하여 실리콘막의 결정 사이즈를 원하는 사이즈로 조정할 수 있다.
또한, 실시 형태에 따른 기판 처리 방법은, 베벨 세정 공정을 더 포함해도 된다. 베벨 세정 공정은, 기판의 베벨부를 세정한다. 이 때문에, 실시 형태에 따르면, 후처리인 열처리를 행하는 장치(일례로서, 어닐 장치)에 기판을 반송할 때에, 금속에 의한 반송계의 오염을 억제할 수 있다.
또한, 실시 형태에 따른 기판 처리 방법은, 이면 세정 공정을 더 포함해도 된다. 이면 세정 공정은, 기판의 이면을 세정한다. 이 때문에, 실시 형태에 따르면, 후처리인 열처리를 행하는 장치(일례로서, 어닐 장치)에 기판을 반송할 때에, 금속에 의한 반송계의 오염을 억제할 수 있다.
또한, 실시 형태에 따른 기판 처리 방법은, 제거 공정을 더 포함해도 된다. 제거 공정은, 열처리를 행한 후에, 실리콘막의 표면 상에 잔존하는 금속을 제거한다. 이 때문에, 실시 형태에 따르면, 실리콘막의 표면으로부터 실리사이드화된 금속을 적절하게 제거할 수 있다.
(변형예)
상기한 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 배치된 어닐 장치에 있어서 열처리를 행했지만, 개시 기술은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 기판 처리 시스템(1)의 내부에 어닐 장치를 배치하고, 이러한 어닐 장치에 있어서 열처리를 행하여도 된다.
또한, 변형예에 관한 기판 처리 시스템(1)에서는, 반출 처리(스텝 S112)를 행한 후에, 도시하지 않은 공급부로부터 세정액을 회수 컵(70)의 내벽에 토출함으로써, 회수 컵(70)의 내벽에 잔존하는 금속 등을 세정하는 컵 세정 처리를 행하여도 된다.
금회 개시된 각 실시 형태는, 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 여러가지 형체로 생략, 치환, 변경되어도 된다.

Claims (14)

  1. 실리콘막을 열처리에 의해 결정화 및 확대시키는 기판 처리 방법이며,
    상기 열처리를 행하기 전에, 상기 실리콘막이 형성된 기판을 보유 지지하는 보유 지지 공정과,
    상기 보유 지지 공정에 있어서 보유 지지된 상기 기판에 대하여 금속을 포함하는 용액을 공급함으로써, 상기 실리콘막의 표면에 1.0E10[atoms/㎠] 이상 1.0E20[atoms/㎠] 이하의 범위 내의 부착량으로 상기 금속을 부착시키는 부착 공정을
    포함하는, 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 부착 공정은,
    상기 기판에 대하여 상기 금속을 포함하는 용액을 공급하기 전에, 상기 용액을 희석액에 의해 희석하여 상기 용액에 포함되는 금속의 농도를 조정하는, 기판 처리 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 부착 공정은,
    상기 용액을 복수의 희석액에 의해 단계적으로 희석하여 상기 용액에 포함되는 금속의 농도를 조정하는, 기판 처리 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 용액에 포함되는 금속의 농도는, 10[ppm] 이상 10000[ppm] 이하의 범위 내인, 기판 처리 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 실리콘막의 표면을 친수화하는 친수화 공정을 더 포함하고,
    상기 부착 공정은,
    상기 친수화 공정에 있어서 상기 실리콘막의 표면이 친수화된 상태에서, 상기 기판에 대하여 상기 금속을 포함하는 용액을 공급하는, 기판 처리 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 부착 공정은,
    상기 기판 상에 상기 금속을 포함하는 용액을 액막 형성하고, 그 후, 상기 금속을 포함하는 용액을 원심 탈수하는, 기판 처리 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 부착 공정은,
    상기 기판에 대하여 상기 금속을 포함하는 용액에 유기 용제를 혼합한 혼합액을 공급하는, 기판 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 부착 공정은,
    상기 기판에 대하여 상기 금속을 포함하는 용액에 유기 용제를 혼합한 혼합액을 100nm 이상의 막 두께가 되도록 공급하는, 기판 처리 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 용액에 포함되는 금속은, Ni, Pd, Ag, Au, Sn, Sb, Cu, Cd, Al, Co, Pt, Mo, Ti, W 및 Cr의 적어도 하나를 포함하는, 기판 처리 방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 부착 공정 후에, 상기 기판에 대하여 세정액을 공급함으로써, 상기 실리콘막의 표면에 있어서의 상기 금속의 부착량을 조정하는 조정 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 부착 공정 후에, 상기 기판의 베벨부를 세정하는 베벨 세정 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 부착 공정 후에, 상기 기판의 이면을 세정하는 이면 세정 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열처리를 행한 후에, 상기 실리콘막의 표면 상에 잔존하는 금속을 제거하는 제거 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  14. 실리콘막을 열처리에 의해 결정화 및 확대시키는 기판 처리 방법에 사용되는 기판 처리 장치이며,
    기판을 보유 지지하기 위한 보유 지지부와,
    기판에 대하여 금속을 포함하는 용액을 공급하기 위한 공급부와,
    상기 보유 지지부의 동작과 상기 공급부의 동작을 제어하는 제어부를
    구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 열처리를 행하기 전에, 상기 실리콘막이 형성된 기판을 보유 지지하는 보유 지지 공정과,
    상기 보유 지지 공정에 있어서 보유 지지된 상기 기판에 대하여 금속을 포함하는 용액을 공급함으로써, 상기 실리콘막의 표면에 1.0E10[atoms/㎠] 이상 1.0E20[atoms/㎠] 이하의 범위 내의 부착량으로 상기 금속을 부착시키는 부착 공정을
    실행하는, 기판 처리 장치.
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