CN108335995B - 基板处理装置、基板处理方法及计算机可读取的记录介质 - Google Patents

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Abstract

提供一种一边高效地对基板进行处理一边有效地对杯内进行清洗的基板处理装置、基板处理方法及计算机可读取的记录介质。基板处理方法包括以下工序：在基板被配置在杯的内侧的状态下，一边使基板绕沿与基板的表面正交的方向延伸的旋转轴以基板的转速在第一转速与同该第一转速不同的第二转速之间变化的方式旋转，一边使安装于杯的冲洗液喷嘴向基板的背面且周缘部供给冲洗液，由此利用供给到背面的冲洗液来对杯中的冲洗液喷嘴的周边区域以及杯中的比周边区域靠外侧的区域这双方进行清洗。

Description

基板处理装置、基板处理方法及计算机可读取的记录介质
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读取的记录介质。
背景技术
当前，在对基板(例如半导体晶圆)进行微细加工时，对作为加工对象的基板进行预处理。作为该预处理之一，专利文献1公开了一种液处理装置，通过对基板的周缘部供给各种药液和冲洗液，来将附着于该周缘部的附着物(例如抗蚀膜、污染物、氧化膜等)去除(例如进行蚀刻)。该装置具备：旋转驱动部，其一边保持基板一边使该基板旋转；喷嘴，其对基板供给药液或冲洗液；以及杯，其包围由旋转驱动部保持的基板的周围，并且接收从喷嘴供给到基板后的液体。在杯的底部设置有排液孔，杯接收到的液体经过排液孔后被作为排液排出到装置的外部。
专利文献1：日本特开2013-128015号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，根据附着于基板的周缘部的附着物的种类或向基板的周缘部供给的药液的种类不同，液中包含的固形物有可能附着并堆积在杯中。在该情况下，杯中堆积的固形物成为微粒(异物)附着于基板而导致装置的污染，因此需要通过清洗来将杯内的固形物去除。然而，残留于杯内的固形物还存在于基板的背面侧，谋求一种包括该基板的背面侧的区域在内地有效且高效地对杯内进行清洗的方法。
因此，本公开对能够一边高效地对基板进行处理一边有效地对杯内进行清洗的基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读取的记录介质进行说明。
用于解决问题的方案
本公开的一个观点所涉及的基板处理装置具备：旋转保持部，其一边保持基板一边使该基板旋转；液供给部，其具有至少一个冲洗液喷嘴，该至少一个冲洗液喷嘴位于基板的背面侧，构成为向基板的背面且周缘部供给冲洗液；杯，其安装有冲洗液喷嘴，该杯用于接收向基板供给的液体；以及控制部。控制部执行第一处理，在该第一处理中，该控制部在所述基板被配置在杯的内侧的状态下对旋转保持部和液供给部进行控制，一边使由旋转保持部保持的基板的转速在第一转速与同该第一转速不同的第二转速之间变化，一边使冲洗液喷嘴向背面且周缘部供给冲洗液，由此利用供给到背面的冲洗液来对杯中的冲洗液喷嘴的周边区域以及杯中的比周边区域靠外侧的区域这双方进行清洗。
本公开的其它观点所涉及的基板处理方法包括第一工序，在该第一工序中，在基板被配置在杯的内侧的状态下，一边使基板绕沿与基板的表面正交的方向延伸的旋转轴以基板的转速在第一转速与同该第一转速不同的第二转速之间变化的方式旋转，一边使安装于杯的冲洗液喷嘴向基板的背面且周缘部供给冲洗液，由此利用供给到背面的冲洗液来对杯中的冲洗液喷嘴的周边区域以及杯中的比周边区域靠外侧的区域这双方进行清洗。
发明的效果
根据本公开所涉及的基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读取的记录介质，能够一边高效地对基板进行处理一边有效地对杯内进行清洗。
附图说明
图1是概要地示出基板处理系统的俯视图。
图2是示出处理单元的图。
图3是示出旋转保持部和杯的俯视图。
图4的(a)是示出位于杯的左侧的各喷嘴的立体图，图4的(b)是示出位于杯的右侧的各喷嘴的立体图。
图5是图3的V-V线截面图。
图6是用于说明冲洗的处理过程的流程图。
图7是用于说明冲洗的处理过程的概要图。
附图标记说明
1：基板处理系统；4：控制装置(控制器)；10：基板处理装置；16：处理单元；18：控制部；21：旋转保持部；22～25：液供给部；27：杯；Ar1：正转方向(第一方向)；Ar2：反转方向(第二方向)；Ax：旋转轴；N5～N7、N9、N10：喷嘴(药液喷嘴)；N8、N11、N12：喷嘴(冲洗液喷嘴)；W：晶圆(基板)；Wb：背面；Wc：周缘部。
具体实施方式
以下所说明的本公开所涉及的实施方式是用于说明本发明的例示，因此本发明不应被限定为以下内容。在以下的说明中，对同一要素或具有同一功能的要素使用同一附图标记，省略重复的说明。
[基板处理系统的结构]
图1是示出本实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。下面，为了使位置关系明确，对互相正交的X轴、Y轴及Z轴进行规定，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2和处理站3相邻地设置。
搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11上载置有多个承载件C，该多个承载件C用于将多张基板、在本实施方式中为半导体晶圆(以下称为晶圆)以水平状态收纳。
搬送部12与承载件载置部11相邻地设置，在搬送部12的内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心进行旋转，其使用晶圆保持机构在承载件C与交接部14之间搬送晶圆W。
处理站3与搬送部12相邻地设置。处理站3具备搬送部15和多个处理单元16。多个处理单元16以排列在搬送部15的两侧的方式设置。
搬送部15在内部具备基板搬送装置17。基板搬送装置17具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心进行旋转，其使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间搬送晶圆W。
处理单元16用于对由基板搬送装置17搬送的晶圆W进行规定的基板处理。
另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机，其具备控制部18和存储部19。在存储部19中保存用于对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行存储部19中存储的程序来控制基板处理系统1的动作。
此外，该程序既可以是被记录在能够由计算机读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中的程序。作为能够由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)以及存储卡等。
在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先，搬入搬出站2的基板搬送装置13将晶圆W从载置于承载件载置部11的承载件C取出，并将取出的晶圆W载置于交接部14。利用处理站3的基板搬送装置17将载置于交接部14的晶圆W从交接部14取出并将其搬入到处理单元16中。
在利用处理单元16对被搬入到处理单元16中的晶圆W进行处理之后，利用基板搬送装置17将该晶圆W从处理单元16搬出并将其载置于交接部14。然后，利用基板搬送装置13将载置于交接部14的处理完成后的晶圆W返回到承载件载置部11的承载件C。
[基板处理装置的结构]
接着，参照图2～图5来说明基板处理系统1所包含的基板处理装置10的结构。基板处理装置10将在表面形成有膜F的晶圆W(基板)作为处理对象来进行从晶圆W的周缘部Wc(周缘的附近部分)去除膜F的处理。
晶圆W既可以呈圆板状，也可以呈多边形等圆形以外的板状。晶圆W也可以具有一部分被切掉的缺口部。缺口部例如既可以是切口(notch)(U字形、V字形等的槽)，也可以是沿直线状延伸的直线部(所谓的定位平面)。晶圆W例如也可以是半导体基板、玻璃基板、掩模基板、FPD(Flat Panel Display：平板显示器)基板、其它各种基板。晶圆W的直径可以为例如200mm～450mm左右。作为膜F的具体例，例如能够列举TiN膜、Al膜、钨膜、SiN膜、SiO2膜、多晶硅膜、热氧化膜(Th-Ox)等。
基板处理装置10具备处理单元16和对该处理单元16进行控制的控制装置4。处理单元16具有旋转保持部21、液供给部22～25、调温部26以及杯27。另外，处理单元16具有未图示的送风机，利用该送风机在处理单元16内形成下降流。
旋转保持部21保持晶圆W，并使该晶圆W旋转。旋转保持部21具有保持部21a和旋转驱动部21b。保持部21a基于来自控制装置4的动作信号来进行动作，例如通过真空吸附等将晶圆W的中心部大致水平地保持。旋转驱动部21b例如是以电动马达等为动力源的致动器，与保持部21a连接。旋转驱动部21b基于来自控制装置4的动作信号来进行动作，使保持部21a绕沿铅垂方向延伸的旋转轴Ax旋转。即，旋转保持部21使晶圆W以晶圆W的姿势为大致水平的状态绕与晶圆W的表面Wa垂直的轴(旋转轴Ax)旋转。
在本实施方式中，旋转轴Ax通过呈圆形状的晶圆W的中心，因此旋转轴Ax还是晶圆W的中心轴。在本实施方式中，如图3所示，旋转保持部21使晶圆W在从上方观察时沿顺时针方向或逆时针方向以规定的转速旋转。晶圆W的转速例如可以为10rpm～2000rpm左右。
液供给部22构成为，在规定的处理位置(在图2中是比旋转保持部21靠左侧且在晶圆W的周缘部Wc的上方的位置)向晶圆W的表面Wa且周缘部Wc供给药液和冲洗液。液供给部22包含药液源22a、冲洗液源22b、用于保持喷嘴N1、N2的喷嘴单元22c以及驱动机构22d。
药液源22a基于来自控制装置4的动作信号来进行动作，向喷嘴N1供给用于使膜F溶解的药液。因此，从喷嘴N1向晶圆W的表面Wa侧喷出药液。药液源22a例如可以包含未图示的药液罐、用于从药液罐加压输送药液的泵以及用于对药液的流通的打开/关闭进行控制的阀。
作为药液，例如能够列举碱性的药液、酸性的药液等。作为碱性的药液，例如能够列举SC-1液(氨、过氧化氢以及纯水的混合液)、过氧化氢水等。作为酸性的药液，例如能够列举SC-2液(盐酸、过氧化氢以及纯水的混合液)、HF液(氟酸)、DHF液(稀氟酸)、HNO3+HF液(硝酸和氟酸的混合液)等。
冲洗液源22b基于来自控制装置4的动作信号来进行动作，向喷嘴N2供给用于冲掉药液和膜F的溶解成分的冲洗液。因此，从喷嘴N2向晶圆W的表面Wa侧喷出冲洗液。冲洗液源22b例如可以包含未图示的冲洗液罐、用于从冲洗液罐加压输送冲洗液的泵以及对冲洗液的流通的打开/关闭进行控制的阀。
作为冲洗液，例如能够列举纯水(DIW：deionized water)等。
驱动机构22d基于来自控制装置4的动作信号来进行动作，使喷嘴单元22c沿水平方向(晶圆W的径向)移动。
液供给部23构成为，在规定的处理位置(在图2中是比旋转保持部21靠右侧且在晶圆W的周缘部Wc的上方的位置)向晶圆W的表面Wa且周缘部Wc供给药液和冲洗液。液供给部23包含药液源23a、冲洗液源23b、用于保持喷嘴N3、N4的喷嘴单元23c以及驱动机构23d。药液源23a、冲洗液源23b、喷嘴单元23c及驱动机构23d的结构与药液源22a、冲洗液源22b、喷嘴单元22c及驱动机构22d的结构相同，因此省略对它们的说明。但是，在本实施方式中，从喷嘴N3向晶圆W的表面Wa侧喷出药液，从喷嘴N4向晶圆W的表面Wa侧喷出冲洗液。
液供给部24构成为，在规定的处理位置(在图2中是比旋转保持部21靠左侧且在晶圆W的周缘部Wc的下方的位置)向晶圆W的背面Wb且周缘部Wc供给药液和冲洗液。液供给部24包含药液源24a、冲洗液源24b以及喷嘴N5～N8。
药液源24a基于来自控制装置4的动作信号来进行动作，向喷嘴N5～N7(药液喷嘴)供给用于使膜F溶解的药液。因此，从喷嘴N5～N7向晶圆W的背面Wb侧喷出药液。药液源24a例如可以包含未图示的药液罐、用于从药液罐加压输送药液的泵以及对药液的流通的打开/关闭进行控制的阀。
冲洗液源24b基于来自控制装置4的动作信号来进行动作，向喷嘴N8(冲洗液喷嘴)供给用于冲掉药液和膜F的溶解成分的冲洗液。因此，从喷嘴N8向晶圆W的背面Wb侧喷出冲洗液。冲洗液源24b例如可以包含未图示的冲洗液罐、用于从冲洗液罐加压输送冲洗液的泵以及对冲洗液的流通的打开/关闭进行控制的阀。
液供给部25构成为，在规定的处理位置(在图2中是比旋转保持部21靠右侧且在晶圆W的周缘部Wc的下方的位置)向晶圆W的背面Wb且周缘部Wc供给药液和冲洗液。液供给部25包含药液源25a、冲洗液源25b以及喷嘴N9～N12。药液源25a、冲洗液源25b及N9～N12的结构与药液源24a、冲洗液源24b及喷嘴N5～N8的结构相同，因此省略对它们的说明。但是，在本实施方式中，从喷嘴N9、N10(药液喷嘴)向晶圆W的背面Wb侧喷出药液，从喷嘴N11、N12(冲洗液喷嘴)向晶圆W的背面Wb侧喷出冲洗液。
调温部26构成为，基于来自控制装置4的动作信号来进行动作，对晶圆W进行加热。调温部26包含主体26a和气体源26b。在主体26a中埋设有电阻加热加热器等加热源。主体26a呈环状，将旋转保持部21包围。因此，在晶圆W被保持于旋转保持部21的状态下，主体26a位于晶圆W的背面Wb侧。
气体源26b向主体26a供给氮等非活性气体。从气体源26b供给到主体26a内的非活性气体在被主体26a内的加热源加热之后从主体26a的喷出口朝向晶圆W的背面Wb吹送。由此，晶圆W维持在规定温度(例如50℃～80℃左右)。因而，能够促进利用供给到晶圆W的药液去除膜F的处理。
杯27具有接收从液供给部22～25(喷嘴N1～N12)供给的药液和冲洗液的功能。如图2、图3和图5所示，杯27由底壁27a、内周壁27b、外周壁27c、分隔壁27d以及斜壁27e构成。
底壁27a呈将旋转保持部21包围的圆环状。底壁27a位于调温部26的下方。内周壁27b呈将调温部26包围的带台阶的圆筒状。内周壁27b从底壁27a的上表面朝向上方延伸。
外周壁27c呈将内周壁27b和保持于旋转保持部21的晶圆W包围的圆筒状。外周壁27c从底壁27a的外周缘朝向上方延伸。外周壁27c的上端侧的内壁面随着朝向上方而向内侧(旋转保持部21侧)倾斜。
分隔壁27d呈圆筒状，从底壁27a的上表面朝向上方延伸。分隔壁27d的高度比内周壁27b的高度低。分隔壁27d位于内周壁27b与外周壁27c之间且比被保持于旋转保持部21的晶圆W的周缘部Wc靠外侧的位置。在分隔壁27d设置有沿周向排列的多个贯通孔27f。
在底壁27a中的外周壁27c与分隔壁27d之间的区域连接有未图示的排液管。从该排液管向外部排出从液供给部22～25(喷嘴N1～N12)供给的药液和冲洗液。在底壁27a中的内周壁27b与分隔壁27d之间的区域连接有未图示的排气管。利用送风机形成的下降流经过分隔壁27d的贯通孔27f后流入到由底壁27a、内周壁27b、分隔壁27d以及斜壁27e包围的空间内，并从该排气管排出到外部。
斜壁27e将内周壁27b的上端部与分隔壁27d的上端部连接。因此，斜壁27e随着朝向外侧而向下方倾斜。斜壁27e中的靠旋转保持部21侧的区域与被保持于旋转保持部21的晶圆W的背面Wb中的靠周缘部Wc的区域相向。斜壁27e中的靠外周壁27c侧的区域位于比被保持于旋转保持部21的晶圆W靠外侧的位置。
在斜壁27e上安装有喷嘴N5～N12。具体地说，喷嘴N5～N8位于斜壁27e上的在图3中比旋转保持部21靠左下侧的位置。喷嘴N5～N8是在从上方观察时晶圆W向顺时针方向即正转方向Ar1(第一方向)旋转的情况下使用的喷嘴。如图3和图4的(a)所示，喷嘴N5、N6的喷出口相对于正转方向Ar1而言朝向下游侧(图3的左上侧)向斜上方(图4的(a)的箭头Ar3方向)开口。喷嘴N7、N8的喷出口朝向铅垂上方(图4的(a)的箭头Ar4方向)开口。
喷嘴N5～N8相对于正转方向Ar1而言从下游侧至上游侧依次排列。因此，喷嘴N8在喷嘴N5～N7的附近且相对于正转方向Ar1而言位于比喷嘴N5～N7靠上游侧的位置。喷嘴N7、N8位于在晶圆W的径向上比喷嘴N5、N6靠旋转轴Ax的位置。
喷嘴N9～N12位于斜壁27e上的在图3中比旋转保持部21靠右下侧的位置。如图3和图4的(b)所示，喷嘴N9～N12是在从上方观察时晶圆W向逆时针方向即反转方向Ar2(第二方向)旋转的情况下使用的喷嘴。喷嘴N9～N11的喷出口相对于反转方向Ar2而言朝向下游侧(图3的右上侧)向斜上方(图4的(b)的箭头Ar5方向)开口。喷嘴N12的喷出口朝向铅垂上方(图4的(b)的箭头Ar6方向)开口。
喷嘴N9～N12相对于反转方向Ar2(第二方向)而言从下游侧至上游侧依次排列。因此，喷嘴N11、N12在喷嘴N9、N10的附近且相对于反转方向Ar2而言位于比喷嘴N9、N10靠上游侧的位置。喷嘴N12位于在晶圆W的径向上比喷嘴N9～N11靠旋转轴Ax的位置。
[控制部的结构]
在控制部18中，如图2所示，作为功能模块，包含处理部18a和指示部18b。处理部18a对各种数据进行处理。处理部18a例如基于通过从记录介质RM读取而存储于存储部19中的程序，来生成用于使处理单元16(例如旋转保持部21、液供给部22～25、调温部26等)进行动作的动作信号。指示部18b将在处理部18a中生成的动作信号发送到各种装置。在本说明书中，计算机可读取的记录介质包含非暂时性的有形的介质(non-transitory computerrecordingmedium：非暂时性的计算机存储介质)(例如各种主存储装置或辅助存储装置)、传播信号(transitory computer recording medium：暂时性的计算机存储介质)(例如能够经由网络提供的数据信号)。
在本实施方式中，基板处理装置10具备一个控制装置4，但也可以具备由多个控制装置4构成的控制器组(控制部)。在基板处理装置10具备控制器组的情况下，上述的功能模块既可以分别由一个控制装置4来实现，也可以由两个以上的控制装置4的组合来实现。在控制装置4由多个计算机(电路4A)构成的情况下，上述的功能模块既可以分别由一个计算机(电路4A)来实现，也可以由两个以上的计算机(电路4A)的组合来实现。控制装置4也可以具有多个处理器4B。在该情况下，上述的功能模块既可以分别由一个处理器4B来实现，也可以由两个以上的处理器4B的组合来实现。
[晶圆处理方法]
接着，参照图6和图7来说明利用上述的处理单元16对晶圆W进行处理的方法。首先，控制装置4对旋转保持部21进行控制，来使旋转保持部21保持晶圆W(参照图6的步骤S1)。
接着，控制装置4对旋转保持部21进行控制，使晶圆W以规定的转速且反转方向Ar2进行旋转。此时的转速例如可以为几10rpm(例如10rpm左右)～3000rpm左右，也可以为1000rpm左右。在该状态下，控制装置4对液供给部23和液供给部25进行控制，使喷嘴N3向晶圆W的表面Wa供给药液，并且使喷嘴N9、N10中的一方向晶圆W的背面Wb供给药液(参照图6的步骤S2)。药液的流量例如可以为10ml/sec～50ml/sec左右，也可以为10ml/sec左右。药液的供给时间能够根据膜F的厚度设定为各种值，例如既可以为5秒～300秒左右，也可以为30秒左右。由此，从晶圆W的表面Wa及背面Wb中的周缘部Wc附近的区域和周缘部Wc去除膜F。此时，从喷嘴N9、N10既可以供给相同种类的药液，也可以供给不同种类的药液。
接着，控制装置4对旋转保持部21进行控制，使晶圆W以规定的转速且反转方向Ar2进行旋转。此时的转速例如既可以为几10rpm(例如10rpm左右)～3000rpm左右，也可以为1000rpm左右。在该状态下，控制装置4对液供给部23和液供给部25进行控制，使喷嘴N4向晶圆W的表面Wa供给冲洗液，并且使喷嘴N11、N12中的至少一方向晶圆W的背面Wb供给冲洗液(参照图6的步骤S3)。冲洗液的流量例如既可以为10ml/sec～100ml/sec左右，也可以为10ml/sec左右。冲洗液的供给时间例如既可以为5秒～60秒左右，也可以为30秒左右。由此，对晶圆W进行冲洗。
接着，控制装置4对旋转保持部21进行控制，使晶圆W以规定的转速且反转方向Ar2进行旋转。在该状态下，控制装置4对液供给部23和液供给部25进行控制，使喷嘴N4向晶圆W的表面Wa供给冲洗液，并且使喷嘴N11、N12中的至少一方向晶圆W的背面Wb供给冲洗液(参照图6的步骤S4)。冲洗液的流量例如可以为10ml/sec～100ml/sec左右。冲洗液的供给时间例如既可以为5秒～60秒左右，也可以为30秒左右。
此时，控制装置4对旋转保持部21进行控制，在从开始供给冲洗液时起至供给结束时为止的期间内，使晶圆W的转速变化。开始供给冲洗液时的晶圆W的转速例如可以为10rpm～100rpm左右。结束供给冲洗液时的晶圆W的转速例如可以为1000rpm～3000rpm左右，也可以为2000rpm左右。在从开始供给冲洗液时起至供给结束时为止的期间，晶圆W的旋转加速度例如可以为10rpm/sec～100rpm/sec左右，也可以为50rpm/sec左右。
在该情况下，在最初开始供给冲洗液时，晶圆W以低转速旋转，因此并不对从喷嘴N11、N12中的一方供给到晶圆W的背面Wb而反弹的冲洗液(反弹液)作用很大的离心力。因此，反弹液如图7的(a)所示的那样落到喷嘴N11、N12的附近。因而，利用冲洗液主要对斜壁27e中的靠旋转保持部21侧的区域进行清洗。
之后，当晶圆W的转速变高时，作用于供给到晶圆W的背面Wb的冲洗液的离心力变大。因此，该冲洗液如图7的(b)所示的那样落到在晶圆W的径向上远离喷嘴N11、N12的位置。因而，利用冲洗液主要对斜壁27e中的靠外周壁27c侧的区域以及外周壁27c的内壁面中的靠下侧的区域进行清洗。
之后，当晶圆W的转速进一步变高而接近冲洗液的供给结束时，晶圆W以高转速旋转，因此对供给到晶圆W的背面Wb的冲洗液作用较大的离心力。因此，该冲洗液被从晶圆W的外周缘附近甩出而如图7的(c)所示那样到达外周壁27c的内壁面。因而，利用从晶圆W甩出的冲洗液(甩出液)主要对外周壁27c的内壁面中的靠上侧的区域进行清洗。由此，利用冲洗液清洗杯27内的广的范围。
接着，控制装置4对旋转保持部21进行控制，使晶圆W以规定的转速且正转方向Ar1进行旋转。此时的转速例如既可以为几10rpm(例如10rpm左右)～3000rpm左右，也可以为1000rpm左右。在该状态下，控制装置4对液供给部23和液供给部25进行控制，使喷嘴N4向晶圆W的表面Wa供给冲洗液，并且使喷嘴N11、N12中的至少一方向晶圆W的背面Wb供给冲洗液(参照图6的步骤S5)。冲洗液的流量例如既可以为10ml/sec～50ml/sec左右，也可以为10ml/sec左右。冲洗液的供给时间例如既可以为5秒～60秒左右，也可以为30秒左右。由此，再次对晶圆W进行冲洗。
接着，控制装置4对旋转保持部21进行控制，使晶圆W以规定的转速且正转方向Ar1进行旋转。在该状态下，控制装置4对液供给部23和液供给部25进行控制，使喷嘴N4向晶圆W的表面Wa供给冲洗液，并且使喷嘴N11、N12中的至少一方向晶圆W的背面Wb供给冲洗液(参照图6的步骤S6)。冲洗液的流量例如可以为10ml/sec～100ml/sec左右。冲洗液的供给时间例如既可以为5秒～60秒左右，也可以为30秒左右。
此时，控制装置4也对旋转保持部21进行控制，在从开始供给冲洗液时起至供给结束时为止的期间，使晶圆W的转速变化。开始供给冲洗液时的晶圆W的转速例如既可以为几10rpm～3000rpm左右，也可以为10rpm左右。结束供给冲洗液时的晶圆W的转速例如既可以为1000rpm～3000rpm左右，也可以为2000rpm左右。在从开始供给冲洗液时起至供给结束时为止的期间，晶圆W的旋转加速度例如既可以为10rpm/sec～100rpm/sec左右，也可以为50rpm/sec左右。由此，利用冲洗液再次清洗杯27内的广的范围。
此外，也可以是，通过与上述的步骤S2～S6相同的过程，一边使晶圆W以正转方向Ar1进行旋转，一边使液供给部22、24向晶圆W供给药液和冲洗液W。关于晶圆W以正转方向Ar1进行旋转的情况下的向晶圆W供给药液和冲洗液的处理以及晶圆W以反转方向Ar2进行旋转的情况下的向晶圆W供给药液和冲洗液的处理，先进行哪个处理都可以。
接着，控制装置4对旋转保持部21进行控制，使晶圆W以规定的转速进行旋转(参照图6的步骤S7)。此时的转速例如既可以为几10rpm(例如10rpm左右)～3000rpm左右，也可以为2000rpm左右。此时的旋转方向既可以为正转方向Ar1，也可以为反转方向Ar2。由此，进行晶圆W的干燥。通过以上内容，晶圆W的处理结束。
[作用]
在以上这样的本实施方式中，晶圆W的转速在低转速与高转速之间变化。因此，当在该变化的期间向背面Wb且周缘部Wc供给冲洗液时，供给到晶圆W的背面Wb的冲洗液从背面Wb到达杯27的位置随着作用于冲洗液的离心力的变化而发生变化。例如，反弹液、甩出液等所到达的斜壁27e上的位置或外周壁27c上的位置随着晶圆W的转速的变化而发生变化。因而，一边用冲洗液对晶圆W进行冲洗处理，一边利用供给到晶圆W的背面Wb的冲洗液对杯27内的广范围进行清洗。因而，能够一边高效地对晶圆W进行处理一边有效地对杯27内进行清洗。
具体地说，在晶圆W以低转速进行旋转时，供给到晶圆W的背面Wb后反弹的冲洗液(反弹液)落到冲洗液喷嘴的周边区域。该周边区域例如是斜壁27e的在俯视时被晶圆W挡住的区域(参照图3)，是以往冲洗液不易到达而难以清洗的区域。因此，根据本实施方式，对以往难以清洗的该周边区域也能够有效地进行清洗。
另一方面，在晶圆W以高转速进行旋转时，供给到晶圆W的背面Wb后被甩出的冲洗液(甩出液)落到或冲撞到比上述周边区域靠外侧的区域。该外侧区域例如为斜壁27e的在俯视时未被晶圆W挡住的区域(参照图3)以及外周壁27c的内壁面中的靠下侧的区域(参照图5)。对以比较高的转速进行旋转的晶圆W供给冲洗液，因此对甩出液作用相对大的离心力。因此，甩出液具有比较大的动能地到达该外侧区域，因此能够在该外侧区域得到高的清洗效果。
在本实施方式中，使晶圆W的转速以规定的加速度从低转速逐渐向高转速变化。因此，反弹液到达杯27的位置向固定方向移动。因而，易于将供给到晶圆W的背面Wb的冲洗液均匀地供给到杯27内。其结果，能够更有效地对杯27内进行清洗。
在本实施方式中，首先以规定的转速对晶圆W的周缘部Wc进行冲洗处理(步骤S2、S5)，之后使晶圆W的转速从比晶圆W的冲洗处理时的转速低的低转速向高转速变化。因此，首先，在利用冲洗液清洗晶圆W的背面Wb之后，在晶圆W的转速从低转速向高转速变化的过程中清洗杯27。因而，能够在一系列的清洗处理中对晶圆W和杯27这双方进行清洗。其结果，能够一边更高效地对晶圆W进行处理一边有效地对杯27内进行清洗。
在本实施方式中，使晶圆W的转速在低转速与高转速之间变化，并且，使晶圆W的旋转方向在正转方向Ar1与反转方向Ar2之间变化。因此，晶圆W的旋转方向发生变化，因此供给到晶圆W的背面Wb的冲洗液易于在晶圆W的周向上遍及杯27内。因而，能够进一步有效地对杯27内进行清洗。
在本实施方式中，作为冲洗液喷嘴发挥功能的喷嘴N8在作为药液喷嘴发挥功能的喷嘴N5～N7的附近且相对于正转方向Ar1而言位于比喷嘴N5～N7靠上游侧的位置。同样地，作为冲洗液喷嘴发挥功能的喷嘴N11、N12在作为药液喷嘴发挥功能的喷嘴N9、N10的附近且相对于反转方向Ar2而言位于比喷嘴N9、N10靠上游侧的位置。因此，即使晶圆W上附着有药液，也能够利用冲洗液将该药液从其上游侧冲掉。因而，能够有效地对晶圆W进行清洗。
在本实施方式中，作为冲洗液喷嘴发挥功能的喷嘴N8位于比作为药液喷嘴发挥功能的喷嘴N5、N6靠旋转保持部21的位置。同样地，作为冲洗液喷嘴发挥功能的喷嘴N11、N12位于比作为药液喷嘴发挥功能的喷嘴N9、N10靠旋转保持部21的位置。因此，晶圆W中的靠旋转保持部21的区域也能够被从喷嘴N8、N11、N12喷出的冲洗液清洗。因而，能够更有效地对晶圆W进行清洗。
[其它实施方式]
以上，详细地说明了本公开所涉及的实施方式，但是也可以在本发明的主旨的范围内对上述的实施方式施加各种变形。例如，晶圆W的转速也可以在低转速与高转速之间变化。即，晶圆W的转速例如既可以从低转速向高转速变化，也可以从高转速向低转速变化，还可以在从低转速达到高转速之后再次向低转速变化。
晶圆W的转速既可以以规定的加速度逐渐变化，也可以阶段性(阶梯状)地变化，还可以不规则地变化。
晶圆W的旋转方向也可以仅为正转方向Ar1和反转方向Ar2中的任一方向。
也可以不进行步骤S3、S5中的晶圆W的清洗处理。
喷嘴N5～N12的位置不限定为上述的本实施方式中说明的位置。
也可以从作为冲洗液喷嘴发挥功能的喷嘴N2、N4、N8、N11、N12喷出有机溶剂来作为冲洗液。在该情况下，即使药液具有不溶于水的成分，也能够对晶圆W和杯27内进行清洗。
在进行步骤S7的晶圆W的干燥处理时，也可以从作为冲洗液喷嘴发挥功能的喷嘴N2、N4、N8、N11、N12喷出有机溶剂(例如异丙醇)。在该情况下，由于IPA的挥发而促进晶圆W的干燥，因此能够抑制水痕的产生。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，具备：
旋转保持部，其一边保持基板一边使所述基板旋转；
液供给部，其具有至少一个冲洗液喷嘴，所述至少一个冲洗液喷嘴位于所述基板的背面侧，构成为向所述基板的背面且周缘部供给冲洗液；
杯，其安装有所述冲洗液喷嘴，该杯用于接收向所述基板供给的液体；以及
控制部，
其中，所述控制部在所述基板被配置在所述杯的内侧的状态下对所述旋转保持部和所述液供给部进行控制，来执行第一处理并在所述第一处理之后执行第二处理，
在所述第一处理中，一边使所述基板以第一转速向第一方向旋转，一边使所述冲洗液喷嘴向所述背面且所述周缘部供给冲洗液，由此清洗所述背面的所述周缘部，
在所述第二处理中，一边以使所述基板的转速从比所述第一转速低的第二转速逐渐增加至比所述第二转速高的第三转速的方式使所述基板向所述第一方向旋转，一边使所述冲洗液喷嘴向所述背面且所述周缘部供给冲洗液，由此利用从所述背面的所述周缘部反弹的冲洗液来对从所述杯中的所述冲洗液喷嘴的周边区域至所述杯中的比所述周边区域靠外侧的区域依序进行清洗。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部在所述基板被配置在所述杯的内侧的状态下对所述旋转保持部和所述液供给部进行控制，来在所述第二处理之后执行第三处理并在所述第三处理之后执行第四处理，
在所述第三处理中，一边使所述基板以第四转速向与所述第一方向相反的第二方向旋转，一边使所述冲洗液喷嘴向所述背面且所述周缘部供给冲洗液，由此清洗所述背面的所述周缘部，
在所述第四处理中，一边以使所述基板的转速从比所述第四转速低的第五转速逐渐增加至比所述第五转速高的第六转速的方式使所述基板向所述第二方向旋转，一边使所述冲洗液喷嘴向所述背面且所述周缘部供给冲洗液，由此利用从所述背面的所述周缘部反弹的冲洗液来对从所述周边区域至所述外侧的区域依序进行清洗。
3.根据权利要求1或2的基板处理装置，其特征在于，
所述第一转速的大小被设定为，使得供给到所述背面的冲洗液从所述基板主要落到所述周边区域。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述液供给部还具有药液喷嘴，所述药液喷嘴位于所述背面侧，构成为向所述背面且所述周缘部供给药液，
所述冲洗液喷嘴位于比所述药液喷嘴靠所述基板的旋转中心的位置。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
从所述冲洗液喷嘴供给的冲洗液是有机溶剂。
6.一种基板处理方法，包括第一工序和在第一工序之后执行的第二工序，
在所述第一工序中，在基板被配置在杯的内侧的状态下，一边使所述基板以第一转速向第一方向旋转，一边使安装于所述杯的冲洗液喷嘴向所述基板的背面且周缘部供给冲洗液，由此清洗所述背面的所述周缘部，
在所述第二工序中，在所述基板被配置在所述杯的内侧的状态下，一边以使所述基板的转速从比所述第一转速低的第二转速逐渐增加至比所述第二转速高的第三转速的方式使所述基板向所述第一方向旋转，一边使所述冲洗液喷嘴向所述背面且所述周缘部供给冲洗液，由此利用从所述背面的所述周缘部反弹的冲洗液来对从所述杯中的所述冲洗液喷嘴的周边区域至所述杯中的比所述周边区域靠外侧的区域依序进行清洗。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括在所述第二工序之后执行的第三工序以及在所述第三工序之后执行的第四工序，
在所述第三工序中，在所述基板被配置在所述杯的内侧的状态下，一边使所述基板以第四转速向与所述第一方向相反的第二方向旋转，一边使所述冲洗液喷嘴向所述背面且所述周缘部供给冲洗液，由此清洗所述背面的所述周缘部，
在所述第四工序中，在所述基板被配置在所述杯的内侧的状态下，一边以使所述基板的转速从比所述第四转速低的第五转速逐渐增加至比所述第五转速高的第六转速的方式使所述基板向所述第二方向旋转，一边使所述冲洗液喷嘴向所述背面且所述周缘部供给冲洗液，由此利用从所述背面的所述周缘部反弹的冲洗液来对从所述周边区域至所述外侧的区域依序进行清洗。
8.根据权利要求6或7所述的基板处理方法，其特征在于，
所述第一转速的大小被设定为，使得供给到所述背面的冲洗液从所述基板主要落到所述周边区域。
9.根据权利要求6或7所述的基板处理方法，其特征在于，
由所述冲洗液喷嘴向所述背面且所述周缘部供给冲洗液的供给位置位于比由药液喷嘴向所述背面且所述周缘部供给药液的供给位置靠所述基板的旋转中心的位置。
10.根据权利要求6或7所述的基板处理方法，其特征在于，
从所述冲洗液喷嘴供给的冲洗液是有机溶剂。
11.一种计算机可读取的记录介质，
记录有用于使基板处理装置执行根据权利要求6至10中的任一项所述的基板处理方法的程序。
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