JP6836912B2 - 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 97
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 174
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 83
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 11
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 59
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
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- H01L21/02041—Cleaning
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- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
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- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
- H01L21/02087—Cleaning of wafer edges
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
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- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
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Description
図1は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
続いて、図2〜図5を参照して、基板処理システム1が含む基板処理装置10の構成を説明する。基板処理装置10は、表面に膜Fが形成されたウェハW(基板)を処理対象とし、ウェハWの周縁部Wc(周縁の近傍部分)から膜Fを除去する処理を行う。
制御部18は、図2に示されるように、機能モジュールとして、処理部18a及び指示部18bを含む。処理部18aは、各種データを処理する。処理部18aは、例えば、記録媒体RMから読み取られることにより記憶部19に記憶されているプログラムに基づいて、処理ユニット16(例えば、回転保持部21、液供給部22〜25、温調部26等)を動作させるための動作信号を生成する。指示部18bは、処理部18aにおいて生成された動作信号を各種装置に送信する。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体には、一時的でない有形の媒体(non-transitory computer recordingmedium)(例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置)や、伝播信号(transitory computer recording medium)(例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号)が含まれる。
続いて、上記の処理ユニット16によってウェハWを処理する方法について、図6及び図7を参照して説明する。まず、制御装置4は、回転保持部21を制御して、ウェハWを回転保持部21に保持させる(図6のステップS1参照)。
以上のような本実施形態では、ウェハWの回転数が低回転数と高回転数との間で変化している。そのため、その変化の間に裏面Wbで且つ周縁部Wcにリンス液が供給されると、リンス液に作用する遠心力の変化に伴い、ウェハWの裏面Wbに供給されたリンス液が裏面Wbからカップ27に到達する位置が変化する。例えば、ウェハWの回転数の変化に伴い、跳ね返り液、振り切り液等が到達する斜壁27e上の位置又は外周壁27c上の位置が変化する。従って、ウェハWをリンス液でリンス処理しながら、ウェハWの裏面Wbに供給されたリンス液によりカップ27内の広い範囲が洗浄される。従って、ウェハWを効率的に処理しつつカップ27内を効果的に洗浄することが可能となる。
以上、本開示に係る実施形態について詳細に説明したが、本発明の要旨の範囲内で種々の変形を上記の実施形態に加えてもよい。例えば、ウェハWの回転数は低回転数と高回転数との間で変化してもよい。すなわち、ウェハWの回転数は、例えば、低回転数から高回転数へと変化してもよいし、高回転数から低回転数へと変化してもよいし、低回転数から高回転数に至った後に再び低回転数へと変化してもよい。
Claims (11)
- 基板を保持しつつ回転させる回転保持部と、
前記基板の裏面で且つ周縁部にリンス液を供給するように構成されており前記基板の裏面側に位置する少なくとも一つのリンス液ノズルを有する液供給部と、
前記リンス液ノズルが取り付けられており、前記基板に供給される液体を受けるカップと、
制御部とを備え、
前記制御部は、前記カップの内側に前記基板が配置された状態で前記回転保持部及び前記液供給部を制御して、
前記基板を第1の回転数で且つ第1の方向に回転させつつ、前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させることにより、前記裏面の前記周縁部を洗浄する第1の処理と、
前記第1の処理の後に、前記基板の回転数が前記第1の回転数よりも低い第2の回転数から前記第2の回転数よりも高い第3の回転数まで漸次増加するように前記基板を前記第1の方向に回転させつつ、前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させることにより、前記裏面の前記周縁部から跳ね返ったリンス液で、前記カップのうち前記リンス液ノズルの周辺領域から、前記カップのうち前記周辺領域よりも外側の領域にかけてこの順に洗浄する第2の処理とを実行する、基板処理装置。 - 前記制御部は、前記カップの内側に前記基板が配置された状態で前記回転保持部及び前記液供給部を制御して、
前記第2の処理の後に、前記基板を第4の回転数で且つ前記第1の方向とは逆の第2の方向に回転させつつ、前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させることにより、前記裏面の前記周縁部を洗浄する第3の処理と、
前記第3の処理の後に、前記基板の回転数が前記第4の回転数よりも低い第5の回転数から前記第5の回転数よりも高い第6の回転数まで漸次増加するように前記基板を前記第2の方向に回転させつつ、前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させることにより、前記裏面の前記周縁部から跳ね返ったリンス液で、前記周辺領域から前記外側の領域にかけてこの順に洗浄する第4の処理とをさらに実行する、請求項1に記載の装置。 - 前記第1の回転数は、前記裏面に供給されたリンス液が前記基板から主として前記周辺領域に落下するような大きさに設定されている、請求項1又は2に記載の装置。
- 前記液供給部は、前記裏面で且つ前記周縁部に薬液を供給するように構成されており前記裏面側に位置する薬液ノズルをさらに有し、
前記リンス液ノズルは前記薬液ノズルよりも前記基板の回転中心寄りに位置する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の装置。 - 前記リンス液ノズルから供給されるリンス液が有機溶剤である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の装置。
- カップの内側に基板が配置された状態で、前記基板を第1の回転数で且つ第1の方向に回転させつつ、前記カップに取り付けられたリンス液ノズルからリンス液を前記基板の裏面で且つ周縁部に供給させることにより、前記裏面の前記周縁部を洗浄する第1の工程と、
前記第1の工程の後に、前記カップの内側に前記基板が配置された状態で、前記基板の回転数が前記第1の回転数よりも低い第2の回転数から前記第2の回転数よりも高い第3の回転数まで漸次増加するように前記基板を前記第1の方向に回転させつつ、前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させることにより、前記裏面の前記周縁部から跳ね返ったリンス液で、前記カップのうち前記リンス液ノズルの周辺領域から、前記カップのうち前記周辺領域よりも外側の領域にかけてこの順に洗浄する第2の工程とを含む、基板処理方法。 - 前記第2の工程の後に、前記カップの内側に前記基板が配置された状態で、前記基板を第4の回転数で且つ前記第1の方向とは逆の第2の方向に回転させつつ、前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させることにより、前記裏面の前記周縁部を洗浄する第3の工程と、
前記第3の工程の後に、前記カップの内側に前記基板が配置された状態で、前記基板の回転数が前記第4の回転数よりも低い第5の回転数から前記第5の回転数よりも高い第6の回転数まで漸次増加するように前記基板を前記第2の方向に回転させつつ、前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させることにより、前記裏面の前記周縁部から跳ね返ったリンス液で、前記周辺領域から前記外側の領域にかけてこの順に洗浄する第4の工程とをさらに含む、請求項6に記載の方法。 - 前記第1の回転数は、前記裏面に供給されたリンス液が前記基板から主として前記周辺領域に落下するような大きさに設定されている、請求項6又は7に記載の方法。
- 前記リンス液ノズルによる前記裏面で且つ前記周縁部へのリンス液の供給位置が、薬液ノズルによる前記裏面で且つ前記周縁部への薬液の供給位置よりも前記基板の回転中心寄りに位置する、請求項6〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記リンス液ノズルから供給されるリンス液が有機溶剤である、請求項6〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項6〜10のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017005771A JP6836912B2 (ja) | 2017-01-17 | 2017-01-17 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
KR1020180002801A KR102465644B1 (ko) | 2017-01-17 | 2018-01-09 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
TW107101013A TWI757403B (zh) | 2017-01-17 | 2018-01-11 | 基板處理裝置、基板處理方法及電腦可讀取之記錄媒體 |
CN201810035925.8A CN108335995B (zh) | 2017-01-17 | 2018-01-15 | 基板处理装置、基板处理方法及计算机可读取的记录介质 |
US15/873,091 US11024519B2 (en) | 2017-01-17 | 2018-01-17 | Substrate processing apparatus, substrate processing method and computer readable recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017005771A JP6836912B2 (ja) | 2017-01-17 | 2017-01-17 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018117006A JP2018117006A (ja) | 2018-07-26 |
JP6836912B2 true JP6836912B2 (ja) | 2021-03-03 |
Family
ID=62841528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017005771A Active JP6836912B2 (ja) | 2017-01-17 | 2017-01-17 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11024519B2 (ja) |
JP (1) | JP6836912B2 (ja) |
KR (1) | KR102465644B1 (ja) |
CN (1) | CN108335995B (ja) |
TW (1) | TWI757403B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI622091B (zh) * | 2015-06-18 | 2018-04-21 | 思可林集團股份有限公司 | 基板處理裝置 |
JP7093703B2 (ja) * | 2018-09-07 | 2022-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7232737B2 (ja) * | 2019-08-07 | 2023-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
CN110473818A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-11-19 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 一种晶片自动腐蚀喷淋设备 |
TWI756850B (zh) * | 2019-09-30 | 2022-03-01 | 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 | 基板處理裝置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2886382B2 (ja) * | 1992-03-16 | 1999-04-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置 |
TWI246124B (en) * | 2001-11-27 | 2005-12-21 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus and method |
JP4723001B2 (ja) * | 2006-10-05 | 2011-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、および排液カップの洗浄方法 |
JP2008251806A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Sumco Corp | ウェーハの枚葉式エッチング方法及びそのエッチング装置 |
JP5693438B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2015-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
JP5693439B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2015-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
JP5975563B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-08-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5894897B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-03-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6069134B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2017-02-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP6392035B2 (ja) * | 2014-09-02 | 2018-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
-
2017
- 2017-01-17 JP JP2017005771A patent/JP6836912B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-09 KR KR1020180002801A patent/KR102465644B1/ko active IP Right Grant
- 2018-01-11 TW TW107101013A patent/TWI757403B/zh active
- 2018-01-15 CN CN201810035925.8A patent/CN108335995B/zh active Active
- 2018-01-17 US US15/873,091 patent/US11024519B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108335995A (zh) | 2018-07-27 |
US11024519B2 (en) | 2021-06-01 |
TWI757403B (zh) | 2022-03-11 |
CN108335995B (zh) | 2023-05-26 |
JP2018117006A (ja) | 2018-07-26 |
KR20180084640A (ko) | 2018-07-25 |
US20180204745A1 (en) | 2018-07-19 |
KR102465644B1 (ko) | 2022-11-09 |
TW201841212A (zh) | 2018-11-16 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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