JP2021136422A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理装置において基板に汚れが付着することを抑制する。【解決手段】基板処理装置（１００）は、吸引保持機構（１２０）と、スクラブ処理部（１５０）と、カバー部材（１６０）と、搬送機構（１７０）とを備える。吸引保持機構（１２０）は、基板（Ｗ）の裏面（Ｗｂ）の中央部を吸引して保持する。スクラブ処理部（１５０）は、基板（Ｗ）の裏面（Ｗｂ）をスクラブ処理する。カバー部材（１６０）は、吸引保持機構（１２０）を覆う。搬送機構（１７０）は、カバー部材（１６０）を待機位置から吸引保持機構（１２０）まで搬送して吸引保持機構（１２０）の上面に載置する。【選択図】図２

Description

本発明は、基板処理装置に関する。

基板を処理する基板処理装置が知られている。典型的には、基板処理装置は、半導体基板の処理に好適に用いられる。基板処理装置では、処理液等で基板を処理した後に基板をブラシで洗浄することがある。さらに、基板は、表面だけでなく裏面をブラシで洗浄することがある。

基板の端面または裏面を保持しつつ基板の裏面の全面をブラシで洗浄するためには、保持部材とブラシとの干渉が問題となるため、基板を二種類の保持部材で持ち替えることがある（特許文献１参照）。

ここで、一方の保持部材で基板を保持している間に、他方の保持部材に基板から飛散した洗浄液が付着するという問題が生じうる。付着した洗浄液が基板に転写した場合、基板の汚染が生じる。特許文献１に記載の基板処理装置では、保持部材の上方を覆うためのカバー部材を保持部材の上方へと移動する。移動はカバー部材を支持する支持部を移動させることにより行う。これにより保持部材の汚染が防止される。

特開２０１４−１７４９９号公報

しかしながら、特許文献１の手法では、保持部材の上方を覆うためにカバー部材を基板の裏面に移動させた後に、カバー部材だけでなく、カバー部材を支持する支持部材などについても基板裏面に待機させる必要がある。基板処理装置の設計上、基板の裏面における保持機構周辺には余剰空間は限られており、現実的にはカバー部材および支持部材、ひいてはその移動機構の待機空間を基板裏面に確保することは困難である。また、それだけではなく、カバー部材を支持する支持部材が基板裏面に待機した状態で基板処理することにより、基板から支持部材に飛散する処理液が逆に基板に転移するリスクが高まる。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、保持部材の処理液汚染を簡易な構成で効果的に抑制可能な基板処理装置を提供することにある。

本発明の一局面によれば、基板処理装置は、吸引保持機構と、スクラブ処理部と、カバー部材と、搬送機構とを備える。前記吸引保持機構は、基板の裏面の中央部を吸引して保持する。前記スクラブ処理部は、前記基板の裏面をスクラブ処理する。前記カバー部材は、前記吸引保持機構を覆う。前記搬送機構は、前記カバー部材を待機位置から前記吸引保持機構まで搬送して前記吸引保持機構の上面に載置する。

ある実施形態において、前記吸引保持機構は、前記基板の前記裏面を吸引する吸引面を有し、前記カバー部材は、前記吸引保持機構の前記吸引面を覆う。

ある実施形態において、前記吸引保持機構の前記吸引面には、凸部および凹部の少なくとも一方を含む吸引係合部が設けられており、前記カバー部材には、前記吸引保持機構の前記吸引係合部と係合するカバー係合部が設けられる。

ある実施形態において、前記カバー部材は、前記吸引保持機構の前記吸引面に対して傾斜する。

ある実施形態において、前記カバー部材は、前記吸引保持機構の前記吸引面および前記吸引面から延びた側面を覆う。

ある実施形態において、前記スクラブ処理部は、ブラシと、前記ブラシを搬送する搬送部を含み、前記搬送部は、前記ブラシを保持するブラシ保持機構と、前記カバー部材を保持するカバー部材保持機構とを備える。

ある実施形態において、前記スクラブ処理部は、前記吸引保持機構によって保持されない前記基板をスクラブ処理する場合、前記吸引保持機構は、前記カバー部材を吸引する。

本発明によれば、吸引保持部材の汚染を防止し、ひいては基板に汚れが付着することを抑制できる。

本実施形態の基板処理装置を備えた基板処理システムの模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置を備えた基板処理システムのブロック図である。 （ａ）および（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置における基板処理のフロー図である。 （ａ）〜（ｉ）は、本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 （ａ）および（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置におけるカバー部材および搬送機構の模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式的な斜視図である。 本実施形態の基板処理装置の模式的な一部拡大図である。 本実施形態の基板処理装置の模式的な側面図である。 本実施形態の基板処理装置の模式的な平面図である。 本実施形態の基板処理装置の模式的な平面図である。 本実施形態の基板処理装置の模式的な平面図である。 本実施形態の基板処理装置による基板の裏面スクラブ処理のフロー図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。

以下、図面を参照して、本発明による基板処理装置の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。なお、本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載することがある。典型的には、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。

まず、図１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を備えた基板処理システム１０を説明する。図１は、本実施形態の基板処理システム１０の模式的な平面図である。

基板処理システム１０は、基板Ｗを処理する。基板処理システム１０は、複数の基板処理装置１００を備える。基板処理装置１００は、基板Ｗに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも１つを行うように基板Ｗを処理する。

基板Ｗとしては、例えば、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などの各種基板を適用可能である。以下では主として円盤状の半導体ウエハの処理に用いられる基板処理装置を例に採って図面を参照して説明するが、上に例示した各種の基板の処理にも同様に適用可能である。また基板の形状についても各種のものを適用可能である。

図１に示すように、基板処理システム１０は、複数の基板処理装置１００に加えて、流体キャビネット１２と、流体ボックス１４と、吸引機構１６と、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１１とを備える。制御装置１１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲを制御する。

ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと基板処理装置１００との間で基板Ｗを搬送する。なお、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間に、基板Ｗを一時的に載置する設置台（パス）を設けて、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で設置台を介して間接的に基板Ｗを受け渡しする装置構成としてもよい。基板処理装置１００の各々は、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。処理液は、リンス液および／または薬液を含む。または、処理液は、他の液体を含んでもよい。流体キャビネット１２は、処理液を収容する。なお、流体キャビネット１２は、気体を収容してもよい。吸引機構１６は、基板処理装置１００の少なくとも一部を吸引するために利用される。例えば、吸引機構１６は、外部の真空装置と基板処理装置１００とを接続する。なお、吸引機構１６自体が、真空ポンプを含んでもよい。

具体的には、複数の基板処理装置１００は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の基板処理装置１００（図１では３つの基板処理装置１００）を含む。流体ボックス１４は、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。

流体キャビネット１２内の処理液は、いずれかの流体ボックス１４を介して、流体ボックス１４に対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理装置１００に供給される。また、流体キャビネット１２内の気体は、いずれかの流体ボックス１４を介して、流体ボックス１４に対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理装置１００に供給される。吸引機構１６は、流体ボックス１４を介して流体ボックス１４に対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理装置１００を吸引できる。

制御装置１１は、基板処理システム１０の各種動作を制御する。制御装置１１は、制御部１１ａおよび記憶部１１ｂを含む。制御部１１ａは、プロセッサーを有する。制御部１１ａは、例えば、中央処理演算機（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）を有する。または、制御部１１ａは、汎用演算機を有してもよい。

記憶部１１ｂは、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容および処理手順を規定する。

記憶部１１ｂは、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび／またはハードディスクドライブである。記憶部１１ｂはリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１１ａは、記憶部１１ｂの記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理動作を実行する。

次に、図１および図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図２は、基板処理装置１００の模式図である。

基板処理装置１００は、チャンバー１１０と、吸引保持機構１２０と、周縁保持機構１３０と、処理液供給部１４０と、スクラブ処理部１５０と、カバー部材１６０と、搬送機構１７０とを備える。チャンバー１１０は、基板Ｗを収容する。吸引保持機構１２０は、基板Ｗを保持する。

チャンバー１１０は、内部空間を有する略箱形状の筐体であり、チャンバー１１０の内部と外部とが区画される。チャンバー１１０には、図示しないシャッターおよびその開閉機構が設けられる。通常、シャッターは閉じてチャンバー１１０内外の雰囲気は遮断される。センターロボットＣＲにより基板Ｗがチャンバー１１０内部に搬入される際または基板Ｗがチャンバー１１０内部から搬出される際には、シャッターが開放される。チャンバー１１０の上部には図示しないＦＦＵユニット（ファンフィルタユニット）が設置され、チャンバー１１０の上部から下方に向けてダウンフローで塵埃の除去されたエアーまたは不活性ガスが供給される。

基板処理装置１００は、基板Ｗを水平に保持して１枚ずつ処理する、いわゆる枚葉型であり、基板処理装置１００には基板Ｗが１枚ずつ収容される。基板Ｗは、チャンバー１１０内に収容され、チャンバー１１０内で処理される。チャンバー１１０には、吸引保持機構１２０、周縁保持機構１３０、処理液供給部１４０、スクラブ処理部１５０、カバー部材１６０および搬送機構１７０のそれぞれの少なくとも一部が収容される。

吸引保持機構１２０は、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部を吸引することによって基板Ｗを保持する、いわゆるバキュームチャックである。

周縁保持機構１３０は、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁部に当接して基板Ｗを吸引することにより、基板Ｗを保持する。例えば、周縁保持機構１３０は、バキューム式である。典型的には、周縁保持機構１３０は、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁部の一部と当接して基板Ｗの裏面Ｗｂを吸引して保持する。この場合、周縁保持機構１３０は、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面Ｗｂを上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持する。なお、基板Ｗの上面Ｗａの周縁部または側面Ｗｃの一部が吸引されてもよい。

周縁保持機構１３０は、吸引口の設けられた吸引面ｓｆを有する。基板Ｗの裏面Ｗｂは、吸引面ｓｆに対向して配置される。

ここでは、周縁保持機構１３０は、それぞれが基板Ｗを吸引することによって基板Ｗを保持する複数の吸引部を含む。複数の吸引部は、それぞれ吸引口の設けられた吸引面ｓｆを有する。

なお、図２では、図面が過度に複雑になることを避けるために、周縁保持機構１３０の吸引機構を省略して示している。

吸引保持機構１２０は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させる。吸引保持機構１２０は、基板Ｗを保持したまま基板Ｗを回転させる。

吸引保持機構１２０は、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部と当接して基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部を吸引して保持する。この場合、吸引保持機構１２０は、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部を上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持する。

吸引保持機構１２０は、スピンベース１２１と、シャフト１２２と、電動モーター１２３とを含む。シャフト１２２は、中空軸である。シャフト１２２は回転軸ＡＸに沿って鉛直方向に延びている。シャフト１２２の上端には、スピンベース１２１が結合されている。基板Ｗの裏面Ｗｂは、スピンベース１２１に接触し、基板Ｗは、スピンベース１２１の上方に載置される。

スピンベース１２１は、円板状であり、水平な姿勢で基板Ｗを支持する。基板Ｗは、スピンベース１２１の上方に載置され、基板Ｗの裏面Ｗｂは、スピンベース１２１と当接する。スピンベース１２１は、水平方向に沿った円盤状である。スピンベース１２１の上面の直径は、基板Ｗの直径よりも小さい。

シャフト１２２は、スピンベース１２１の中央部から下方に延びる。電動モーター１２３は、シャフト１２２に回転力を与える。電動モーター１２３は、シャフト１２２を回転方向に回転させることにより、回転軸ＡＸを中心に基板Ｗおよびスピンベース１２１を回転させる。スピンベース１２１およびシャフト１２２の内部には、吸引経路１２４が通過する。

スピンベース１２１およびシャフト１２２には、吸引経路１２４が挿通する。吸引経路１２４は、スピンベース１２１の上面の中心から露出する吸引口１２４ｐを有する。吸引経路１２４は、チャンバー１１０の外部の吸引配管Ｓｐ１に連結される。吸引配管Ｓｐ１には、その経路を開閉するためのバルブＳｐ２が配置される。これにより、スピンベース１２１の上面に配置された基板Ｗは吸引され、基板Ｗはスピンベース１２１に保持される。

ここでは、シャフト１２２は、スピンベース１２１の位置を鉛直方向に沿って移動可能できる。例えば、シャフト１２２は、基部１２２ａと、基部１２２ａに対して伸縮可能な伸縮部１２２ｂとを有する。スピンベース１２１は、伸縮部１２２ｂの先端に配置される。

基部１２２ａに対して露出する伸縮部１２２ｂの長さが長くなることにより、スピンベース１２１は、鉛直方向上方に配置される。また、基部１２２ａに対して露出する伸縮部１２２ｂの長さが短くなることにより、スピンベース１２１は、鉛直方向下方に配置される。

上述したように、周縁保持機構１３０は、バキューム式のチャックであってもよい。ただし、周縁保持機構１３０は、バキューム式のチャックに限定されない。周縁保持機構１３０は、基板Ｗを裏面Ｗｂから保持する任意の機構を有してもよい。例えば、周縁保持機構１３０は、複数のチャックピンを基板Ｗの周端面に接触させる挟持式のチャックと組み合わせて用いられてもよい。

周縁保持機構１３０は、吸引保持機構１２０とは別に基板Ｗを吸引して基板Ｗを保持する。このため、基板Ｗは、ある場合には、吸引保持機構１２０によって吸引されて吸引保持機構１２０に保持され、別の場合には、周縁保持機構１３０によって吸引されて周縁保持機構１３０に保持される。

周縁保持機構１３０は、基板Ｗの裏面Ｗｂの周端と当接可能である。周縁保持機構１３０が基板Ｗの裏面Ｗｂの周端と当接した状態で周縁保持機構１３０が基板Ｗの裏面Ｗｂを吸引することにより、吸引保持機構１２０による基板Ｗの吸引を停止しても基板Ｗは周縁保持機構１３０によって保持される。

周縁保持機構１３０は、互いに分離された複数の吸引素子を含んでもよい。複数の吸引素子は、それぞれ基板Ｗの裏面Ｗｂを吸引する。複数の吸引素子の間の距離は、基板Ｗの直径よりも小さい。一例では、基板処理装置１００では、周縁保持機構１３０に含まれる少なくとも２つの吸引素子が基板Ｗの裏面Ｗｂを吸引することにより、基板Ｗを保持する。

基板Ｗは、吸引保持機構１２０および周縁保持機構１３０のいずれかによって吸引されて保持される。また、基板Ｗは、吸引保持機構１２０および周縁保持機構１３０の一方によって吸引されて保持された状態から、吸引保持機構１２０および周縁保持機構１３０の他方によって吸引されて保持された状態に変更できる。

例えば、吸引保持機構１２０が吸引する基板Ｗを周縁保持機構１３０に受け渡す場合、基板Ｗは、吸引保持機構１２０によって吸引されたまま周縁保持機構１３０まで移動してもよい。例えば、基板Ｗを保持する吸引保持機構１２０が周縁保持機構１３０よりも鉛直上方に位置する場合、吸引保持機構１２０は、基板Ｗを保持したまま鉛直下方に移動してもよい。

または、吸引保持機構１２０によって吸引された基板Ｗに対して周縁保持機構１３０が移動してもよい。例えば、周縁保持機構１３０は、吸引保持機構１２０によって保持された基板Ｗに向かって鉛直上方に移動してもよい。あるいは、吸引保持機構１２０および周縁保持機構１３０のそれぞれが相対的に近づくように移動してもよい。

同様に、周縁保持機構１３０が吸引する基板Ｗを吸引保持機構１２０に受け渡す場合、基板Ｗは、周縁保持機構１３０によって吸引されたまま吸引保持機構１２０まで移動してもよい。または、周縁保持機構１３０によって吸引された基板Ｗに対して吸引保持機構１２０が移動してもよい。あるいは、吸引保持機構１２０および周縁保持機構１３０のそれぞれが相対的に近づくように移動してもよい。

処理液供給部１４０は、基板Ｗに処理液を供給する。例えば、処理液供給部１４０は、基板Ｗにリンス液を供給する。典型的には、処理液供給部１４０は、基板Ｗの上面Ｗａにリンス液を供給する。リンス液を用いたリンス処理により、基板Ｗの上面Ｗａに付着した薬液および不純物等を洗い流すことができる。処理液供給部１４０から供給されるリンス液は、脱イオン水（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ：ＤＩＷ）、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、または、還元水（水素水）のいずれかを含んでもよい。

処理液供給部１４０は、ノズル１４１と、配管１４２と、バルブ１４３とを含む。ノズル１４１は、基板Ｗの上面Ｗａに処理液を吐出する。ノズル１４１は、配管１４２に接続される。配管１４２には、処理液供給源から処理液が供給される。配管１４２には、バルブ１４３が配置される。バルブ１４３は、配管１４２内の流路を開閉する。バルブ１４３が開くと、処理液は、ノズル１４１から基板Ｗに供給される。基板Ｗは、処理液によって処理される。なお、ノズル１４１は、基板Ｗに対して移動可能に構成されていることが好ましい。

スクラブ処理部１５０は、基板Ｗの裏面Ｗｂにブラシを当接させて基板Ｗの裏面Ｗｂをブラシで洗浄する。これにより、スクラブ処理部１５０は、基板Ｗの裏面Ｗｂをスクラブ処理する。典型的には、スクラブ処理部１５０は、基板Ｗの裏面Ｗｂにリンス液を供給してブラシで処理する。

スクラブ処理部１５０は、基板Ｗの裏面Ｗｂを領域ごとに分けてスクラブ処理してもよい。例えば、スクラブ処理部１５０は、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央を先にスクラブ処理し、その後、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁をスクラブ処理してもよい。あるいは、スクラブ処理部１５０は、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁を先にスクラブ処理し、その後、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央をスクラブ処理してもよい。

スクラブ処理部１５０は、基板Ｗの裏面Ｗｂのうち吸引保持機構１２０によって保持されていない部分をスクラブ処理する。例えば、吸引保持機構１２０が基板Ｗの裏面Ｗｂのある部分に当接して吸引する場合、スクラブ処理部１５０は、基板Ｗの裏面Ｗｂのうち吸引保持機構１２０によって当接されていない部分をスクラブ処理する。あるいは、周縁保持機構１３０が基板Ｗの裏面Ｗｂのある部分に当接して吸引する場合、スクラブ処理部１５０は、基板Ｗの裏面Ｗｂのうち周縁保持機構１３０によって当接されていない部分をスクラブ処理する。

スクラブ処理部１５０は、ブラシ１５２と、リンス液供給部１５４と、筐体１５６とを含む。ブラシ１５２およびリンス液供給部１５４は、筐体１５６に取り付けられる。

ブラシ１５２は、基板Ｗを洗浄する。ここでは、ブラシ１５２は、基板Ｗの裏面Ｗｂを洗浄する。例えば、ブラシ１５２は、多孔質物質から構成される。ブラシ１５２は、スポンジ状であってもよい。また、ブラシ１５２は、比較的固い樹脂から構成されてもよい。一例では、ブラシ１５２は、ポリビニルアルコール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ：ＰＶＡ）から構成される。または、ブラシ１５２は、複数の部材を組み合わせて構成されてもよい。あるいは、ブラシ１５２は、複数の毛を備えてもよい。

例えば、ブラシ１５２は、疎水性であってもよい。または、ブラシ１５２は、半疎水性であってもよい。あるいは、ブラシ１５２は、親水性であってもよい。なお、ブラシ１５２が疎水性または半疎水性であることにより、ブラシ処理をリンス液の供給とともに行っても、ブラシ１５２が大きく変形することを抑制できる。

ブラシ１５２の全体形状は、任意の形状であってもよい。例えば、ブラシ１５２は、円柱形状であってもよい。または、ブラシ１５２は、円筒形状であってもよい。あるいは、ブラシ１５２は、薄型の十字形状であってもよい。

スクラブ処理部１５０は、基板Ｗをブラシ１５２で洗浄する。スクラブ処理部１５０のブラシ１５２によって行われる洗浄処理は、スクラブ処理とも呼ばれる。スクラブ処理部１５０は、基板Ｗの裏面Ｗｂに当接して基板Ｗをブラシでスクラブ処理する。典型的には、スクラブ処理部１５０が基板Ｗをブラシでスクラブ処理する期間において、リンス液供給部１５４が基板Ｗの裏面Ｗｂにリンス液を供給する。

カバー部材１６０は、吸引保持機構１２０をカバーする。ここでは、カバー部材１６０は、薄板形状である。

なお、カバー部材１６０が吸引保持機構１２０をカバーする場合、吸引保持機構１２０はカバー部材１６０を吸引する。これにより、吸引保持機構１２０が基板Ｗを吸引しない場合でも、吸引保持機構１２０は、吸引するカバー部材１６０によってカバーされるため、基板Ｗのスクラブ処理時に吸引保持機構１２０にリンス液等が付着することを抑制できる。

なお、カバー部材１６０は、使用されない場合、待機位置で待機する。カバー部材１６０は、吸引保持機構１２０をカバーする場合、待機位置から吸引保持機構１２０まで搬送される。

搬送機構１７０は、カバー部材１６０を搬送する。搬送機構１７０は、カバー部材１６０を使用する際に、待機位置のカバー部材１６０を待機位置から吸引保持機構１２０まで搬送する。また、基板Ｗの裏面Ｗｂのスクラブ処理が完了した後、搬送機構１７０は、カバー部材１６０を吸引保持機構１２０から待機位置まで搬送する。

なお、カバー部材１６０は、待機位置において、搬送機構１７０によって保持されてもよい。あるいは、カバー部材１６０は、待機位置において、搬送機構１７０とは異なる部材に保持されてもよい。この場合、搬送機構１７０は、カバー部材１６０とは別の部材を搬送するために使用できる。

基板処理装置１００は、カップ１９０をさらに備える。カップ１９０は、基板Ｗから飛散した処理液を回収する。カップ１９０は昇降する。例えば、カップ１９０は、処理液供給部１４０が基板Ｗに処理液を供給する期間にわたって基板Ｗの側方まで鉛直上方に上昇する。この場合、カップ１９０は、基板Ｗの回転によって基板Ｗから飛散する処理液を回収する。

また、カップ１９０は、処理液供給部１４０が基板Ｗに処理液を供給する期間が終了すると、基板Ｗの側方から鉛直下方に下降する。あるいは、カップ１９０は、処理液供給部１４０が基板Ｗに処理液を供給した後のスピンドライの期間が終了すると、基板Ｗの側方から鉛直下方に下降する。

制御装置１１（図１）の制御部１１ａは、吸引保持機構１２０、周縁保持機構１３０、処理液供給部１４０、スクラブ処理部１５０、搬送機構１７０および／またはカップ１９０を制御する。一例では、制御部１１ａは、シャフト１２２、電動モーター１２３、バルブ１４３、バルブＳｐ２、搬送機構１７０およびカップ１９０を制御する。

なお、処理液供給部１４０のノズル１４１は移動可能であってもよい。ノズル１４１は、制御部１１ａによって制御される移動機構にしたがって水平方向および／または鉛直方向に移動できる。なお、本明細書において、図面が過度に複雑になることを避けるために移動機構を省略することがあることに留意されたい。

本実施形態の基板処理装置１００は、半導体の設けられた半導体装置の作製に好適に用いられる。基板処理装置１００は、半導体装置の製造時に、半導体装置の洗浄および／または加工（例えば、エッチング、特性変化等）に好適に用いられる。

次に、図１〜図３を参照して、本実施形態の基板処理システム１０を説明する。図３は、基板処理システム１０のブロック図である。

図３に示すように、制御装置１１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。制御装置１１は、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、吸引保持機構１２０、周縁保持機構１３０、処理液供給部１４０、スクラブ処理部１５０、搬送機構１７０およびカップ１９０を制御する。具体的には、制御装置１１は、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、吸引保持機構１２０、周縁保持機構１３０、処理液供給部１４０、スクラブ処理部１５０および搬送機構１７０に制御信号を送信することによって、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、吸引保持機構１２０、周縁保持機構１３０、処理液供給部１４０、スクラブ処理部１５０、搬送機構１７０およびカップ１９０を制御する。

具体的には、制御部１１ａは、インデクサーロボットＩＲを制御して、インデクサーロボットＩＲによって基板Ｗを受け渡しする。詳細には、インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰから処理前の基板Ｗを受け取り、センターロボットＣＲへと受け渡す。逆に、センターロボットＣＲから処理済の基板Ｗを受け取り、ロードポートＬＰへと受け渡す。インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間に基板Ｗの載置部（パス）を設ける装置構成とした場合においては、当該載置部を介してインデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとが間接的に基板Ｗの受け渡しを行う。

制御部１１ａは、センターロボットＣＲを制御して、センターロボットＣＲによって基板Ｗを受け渡しする。例えば、センターロボットＣＲは、未処理の基板Ｗを受け取って、複数のチャンバー１１０のうちのいずれかに基板Ｗを搬入する。また、センターロボットＣＲは、処理された基板Ｗをチャンバー１１０から受け取って、基板Ｗを搬出する。処理後の基板Ｗは、センターロボットＣＲが基板ＷをインデクサーロボットＩＲへと受け渡すことで行われる。インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間に基板Ｗの載置部（パス）を設ける装置構成とした場合においては、当該載置部を介して、センターロボットＣＲからインデクサーロボットＩＲへと処理後の基板Ｗが受け渡される。

制御部１１ａは、吸引保持機構１２０を制御して、吸引保持機構１２０および周縁保持機構１３０の位置および移動を制御する。これにより、制御部１１ａは、基板Ｗの受渡しおよび基板Ｗの吸引を制御する。

また、制御部１１ａは、吸引保持機構１２０を制御して、基板Ｗの回転の開始、回転速度の変更および基板Ｗの回転の停止を制御する。例えば、制御部１１ａは、吸引保持機構１２０を制御して、吸引保持機構１２０の回転数を変更することができる。具体的には、制御部１１ａは、吸引保持機構１２０の電動モーター１２３の回転数を変更することによって、基板Ｗの回転数を変更できる。

制御部１１ａは、処理液供給部１４０のバルブ１４３を制御して、バルブ１４３の状態を開状態と閉状態とに切り替えることができる。具体的には、制御部１１ａは、処理液供給部１４０のバルブ１４３を制御して、バルブ１４３を開状態にすることによって、ノズル１４１に向かって配管１４２内を流れるリンス液を通過させることができる。また、制御部１１ａは、処理液供給部１４０のバルブ１４３を制御して、バルブ１４３を閉状態にすることによって、ノズル１４１に向かって配管１４２内を流れるリンス液の供給を停止させることができる。

また、制御部１１ａは、カップ１９０を移動できる。具体的には、制御部１１ａは、カップ１９０を制御して、カップ１９０を鉛直方向に上昇させることによって、カップ１９０の位置を吸引保持機構１２０の側方に移動できる。一方、制御部１１ａは、カップ１９０を制御して、カップ１９０を鉛直方向に下降させることによって、カップ１９０の位置を退避位置に移動することができる。

本実施形態の基板処理装置１００は、半導体装置を作製するために好適に用いられる。例えば、基板処理装置１００は、半導体装置として用いられる基板Ｗを処理するために好適に利用される。

次に、図１〜図４を参照して本実施形態の基板処理装置１００における基板Ｗの裏面Ｗｂのスクラブ処理について説明する。図４（ａ）は、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁をスクラブ処理する場合の基板処理装置１００の模式図であり、図４（ｂ）は、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央をスクラブ処理する場合の基板処理装置１００の模式図である。

図４（ａ）に示すように、基板Ｗは、吸引保持機構１２０によって保持される。吸引保持機構１２０は、基板Ｗの裏面Ｗｂを吸引して基板Ｗを保持する。ここでは、周縁保持機構１３０は、吸引保持機構１２０によって支持される基板Ｗに対して鉛直下方に離れて位置する。

スピンベース１２１の幅（水平方向の長さ）は、基板Ｗの幅（水平方向の長さ）よりも短い。このため、基板Ｗの裏面Ｗｂには、スピンベース１２１と対向しない領域がある。したがって、基板Ｗの裏面Ｗｂの一部は、吸引保持機構１２０に覆われる一方で、基板Ｗの裏面Ｗｂの別の一部は、吸引保持機構１２０に覆われない。

スクラブ処理部１５０は、基板Ｗのうち吸引保持機構１２０によって覆われない領域の下方に移動できる。このため、スクラブ処理部１５０は、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁をスクラブ処理できる。このようにして、スクラブ処理部１５０は、吸引保持機構１２０が基板Ｗを支持する場合に基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁をスクラブ処理できる。

なお、基板Ｗの裏面Ｗｂは、周辺だけでなく中央もスクラブ処理される。

図４（ｂ）に示すように、基板Ｗは、周縁保持機構１３０によって保持される。周縁保持機構１３０は、基板Ｗの裏面Ｗｂを吸引して基板Ｗを保持する。ここでは、吸引保持機構１２０が鉛直方向に下降することにより、吸引保持機構１２０によって支持された基板Ｗは、周縁保持機構１３０に支持されるように移動できる。あるいは、周縁保持機構１３０が鉛直方向に上昇することにより、吸引保持機構１２０によって支持された基板Ｗは、周縁保持機構１３０に支持されるように移動してもよい。

吸引保持機構１２０はカバー部材１６０によって覆われる。ここでは、カバー部材１６０は、吸引保持機構１２０の上面を覆う。この状態で、スクラブ処理部１５０は、基板Ｗの裏面Ｗｂをスクラブ処理する。

次に、図１〜図５を参照して本実施形態の基板処理装置１００による基板Ｗの裏面スクラブ処理のフローを説明する。

ステップＳ１０２において、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央をスクラブ処理する。例えば、周縁保持機構１３０が基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁と当接して基板Ｗの裏面Ｗｂを保持する。この場合、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央は、露出されている。スクラブ処理部１５０は、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央をスクラブ処理する。

ステップＳ１０４において、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁をスクラブ処理する。例えば、吸引保持機構１２０が基板Ｗの裏面Ｗｂの中央と当接して基板Ｗの裏面Ｗｂを保持する。この場合、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁は、露出されている。スクラブ処理部１５０は、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁をスクラブ処理する。

基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁をスクラブ処理する際に、吸引保持機構１２０は、カバー部材１６０によってカバーされる。これにより、基板Ｗの裏面Ｗｂを吸引していない吸引保持機構１２０にリンス液が付着することを抑制できるため、吸引保持機構１２０が次に基板Ｗを保持する際に基板Ｗが汚れることを抑制できる。

次に、図６を参照して本実施形態の基板処理装置１００による基板Ｗの裏面スクラブ処理について説明する。図６（ａ）〜図６（ｉ）は、基板処理装置１００の模式的な一部拡大図である。

図６（ａ）に示すように、基板Ｗは、吸引保持機構１２０によって吸着されて保持される。

図６（ｂ）に示すように、基板Ｗは、吸引保持機構１２０から周縁保持機構１３０に受け渡される。吸引保持機構１２０は、周縁保持機構１３０によって支持される基板Ｗから離れて、基板Ｗの下方に位置する。

例えば、スピンベース１２１が下降して吸引保持機構１２０が下方に移動する。これにより、基板Ｗは、吸引保持機構１２０から周縁保持機構１３０に受け渡される。

図６（ｃ）に示すように、搬送機構１７０がカバー部材１６０を吸引保持機構１２０まで搬送する。その後、搬送機構１７０はカバー部材１６０を吸引保持機構１２０の上に載置し、搬送機構１７０は吸引保持機構１２０から離れる。

図６（ｄ）に示すように、吸引保持機構１２０は、カバー部材１６０によってカバーされる。ここでは、吸引保持機構１２０の上端が、カバー部材１６０によってカバーされる。吸引保持機構１２０は、カバー部材１６０を吸引する。

図６（ｅ）に示すように、スクラブ処理部１５０が吸引保持機構１２０と基板Ｗとの間まで移動し、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央をスクラブ処理する。

図６（ｆ）に示すように、搬送機構１７０は吸引保持機構１２０まで移動して、カバー部材１６０を持ち去る。例えば、搬送機構１７０は、吸引保持機構１２０の上部まで移動して、カバー部材１６０を保持する。

図６（ｇ）に示すように、搬送機構１７０は、カバー部材１６０を保持してカバー部材１６０とともに、吸引保持機構１２０から離れる。

図６（ｈ）に示すように、スピンベース１２１が上昇し、吸引保持機構１２０が長くなる。これにより、基板Ｗは、周縁保持機構１３０から吸引保持機構１２０に受け渡される。吸引保持機構１２０は、周縁保持機構１３０によって支持された基板Ｗを引き取り、基板Ｗを周縁保持機構１３０の上方まで移動させる。

図６（ｉ）に示すように、周縁保持機構１３０が平面視において基板Ｗの下方から退避する。スクラブ処理部１５０が基板Ｗのうちの吸引保持機構１２０によって覆われていない領域の下方まで移動し、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁をスクラブ処理する。

以上のようにして、基板Ｗの裏面Ｗｂを充分にスクラブ処理できる。また、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央をスクラブ処理する際に、吸引保持機構１２０はカバー部材１６０によってカバーされるため、吸引保持機構１２０がスクラブ処理時にリンス液で汚れることを抑制できる。

なお、図６を参照した説明では、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央をスクラブ処理した後で、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁をスクラブ処理したが、本実施形態はこれに限定されない。基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁をスクラブ処理した後で、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央をスクラブ処理してもよい。

また、図６を参照した説明では、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央をスクラブ処理した後で、すぐに、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁をスクラブ処理したが、本実施形態はこれに限定されない。基板Ｗの裏面Ｗｂの中央をスクラブ処理した後に別の処理を行い、その後で基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁をスクラブ処理してもよい。例えば、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央をスクラブ処理した後、処理液で基板Ｗの上面Ｗａを処理し、その後、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁をスクラブ処理してもよい。

なお、図１〜図６では、カバー部材１６０は薄板形状であったが、本実施形態はこれに限定されない。カバー部材１６０およびカバー部材１６０で覆われる吸引保持機構１２０は凹部および凸部を有してもよい。

次に、図７を参照して本実施形態の基板処理装置１００における吸引保持機構１２０およびカバー部材１６０を説明する。図７は、基板処理装置１００における吸引保持機構１２０およびカバー部材１６０の模式図である。

図７に示すように、カバー部材１６０は、本体部１６０ｐと、カバー係合部１６０ｑとを有する。本体部１６０ｐは、薄板形状であり、カバー係合部１６０ｑは、本体部１６０ｐのうちの吸引保持機構１２０と対向する面に設けられる。ここでは、カバー係合部１６０ｑは、凸部である。カバー係合部１６０ｑは、本体部１６０ｐの鉛直方向下方側の面から鉛直方向に円柱状に突出する。

また、吸引保持機構１２０は、本体部１２０ｐと、吸引係合部１２０ｑとを有する。本体部１２０ｐは、薄型の略直方体形状であり、吸引係合部１２０ｑは、本体部１２０ｐのうちのカバー部材１６０と対向する面に設けられる。ここでは、吸引係合部１２０ｑは、凹部である。吸引係合部１２０ｑは、本体部１２０ｐの鉛直方向上方側の面から鉛直方向に窪む。吸引係合部１２０ｑのＸＹ平面のサイズは、カバー係合部１６０ｑのＸＹ平面の長さとほぼ同じか、若干大きい。

この場合、カバー部材１６０が吸引保持機構１２０を覆うと、カバー部材１６０は吸引保持機構１２０と係合する。このため、カバー部材１６０を吸引保持機構１２０に対して配置する際に、カバー部材１６０を厳密に配置しなくても、吸引保持機構１２０に対してカバー部材１６０を適切な位置に装着できる。

なお、図７では、吸引係合部１２０ｑは凹部であり、カバー係合部１６０ｑは凸部であったが、本実施形態はこれに限定されない。吸引係合部１２０ｑは凸部であり、カバー係合部１６０ｑは凹部であってもよい。

なお、図１〜図７に示したカバー部材１６０は、吸引保持機構１２０の上面を覆ったが、本実施形態はこれに限定されない。カバー部材１６０は、吸引保持機構１２０の側部を覆ってもよい。

次に、図８を参照して本実施形態の基板処理装置１００における吸引保持機構１２０およびカバー部材１６０を説明する。図８（ａ）および図８（ｂ）は、基板処理装置１００における吸引保持機構１２０およびカバー部材１６０の模式図である。

図８（ａ）に示すように、吸引保持機構１２０の上面には吸引面ｓｆが設けられる。吸引面ｓｆは、ＸＹ平面に広がる。

カバー部材１６０は、本体部１６０ｐと、突起部１６０ｒとを含む。本体部１６０ｐは、薄板形状であり、突起部１６０ｒは、本体部１６０ｐの外周端部から鉛直下方に延びる。このように、カバー部材１６０は、吸引保持機構１２０の上面および側面を覆ってもよい。

あるいは、図８（ｂ）に示すように、吸引保持機構１２０の上面には吸引面ｓｆが設けられる。吸引面ｓｆは、ＸＹ平面に広がる。

カバー部材１６０は、吸引面ｓｆに対して傾斜した面を有する。例えば、カバー部材１６０は、略円錐形状の面を有する。この場合、カバー部材１６０に液体が付着しても、液体は滑らかに下方に流れる。したがって、吸引保持機構１２０だけでなくカバー部材１６０にリンス液が付着し続けることを抑制できる。

なお、図１〜図８を参照した説明では、スクラブ処理部１５０およびカバー部材１６０は、別個に移動されたが、本実施形態はこれに限定されない。カバー部材１６０は、スクラブ処理部１５０とともに搬送されてもよい。

次に、図９を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図９の基板処理装置１００は、スクラブ処理部１５０が搬送部１５８を含むとともに搬送部１５８によってカバー部材１６０が搬送される点を除いて、図２を参照して上述した基板処理装置１００と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。

スクラブ処理部１５０は、ブラシ１５２、リンス液供給部１５４および筐体１５６に加えて、搬送部１５８をさらに含む。搬送部１５８は、ブラシ１５２およびリンス液供給部１５４の設けられた筐体１５６を搬送する。搬送部１５８は、水平方向および／または鉛直方向に移動する。

搬送部１５８は、筐体１５６を搬送するとともにカバー部材１６０を搬送する。例えば、搬送部１５８は、鉛直上方側で筐体１５６を保持するための保持機構１５８Ａと、鉛直下方側でカバー部材１６０を保持するための保持機構１５８Ｂとを有する。このため、搬送部１５８は、搬送機構１７０としても機能することができる。

例えば、搬送部１５８における保持機構１５８Ｂは、磁力によってカバー部材１６０を保持する。搬送部１５８は、カバー部材１６０を待機位置から吸引保持機構１２０まで搬送し、吸引保持機構１２０において磁力の強度を切り換えて、吸引保持機構１２０上にカバー部材１６０を載置する。以上のようにして、カバー部材１６０を搬送してもよい。

なお、図１〜図９に示した基板処理装置では、カバー部材１６０は、搬送機構１７０と別個に移動可能であったが、本実施形態はこれに限定されない。カバー部材１６０は、搬送機構１７０と一体的に形成されてもよい。

なお、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央をスクラブ処理する場合、周縁保持機構１３０は、吸引保持機構１２０に保持されていた基板Ｗをスクラブ処理部１５０側に引き出すことが好ましい。

次に、図１０〜図１５を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。まず、図１０〜図１３を参照して本実施形態の基板処理装置１００の構成を説明する。図１０は、基板処理装置１００の模式的な斜視図であり、図１１は、図１０の一部拡大斜視図である。また、図１２は、基板処理装置１００の模式的な側面図であり、図１３は、基板処理装置１００の模式的な上面図である。なお、ここでは、図面が過度に複雑になることを避ける目的で、処理液供給部を省略して示している。

図１０に示すように、周縁保持機構１３０は、吸引部１３０ｐと、吸引部１３０ｑとを含む。吸引部１３０ｐ、１３０ｑの各々は、アーム１３２および１対の吸着パッド１３４を含む。各吸着パッド１３４の中央部には、吸引孔が形成されている。それにより、２対の吸着パッド１３４は、気体の吸引力により基板Ｗの下面周縁部の互いに対向する領域を吸着保持できる。吸引部１３０ｐおよび吸引部１３０ｑは、Ｙ方向に沿って平行移動可能である。

図１０において、カバー部材１６０は、待機位置に配置される。カバー部材１６０の待機位置は、平面視において、吸引保持機構１２０とは異なる位置である。

スクラブ処理部１５０は、ブラシ１５２と、リンス液供給部１５４と、筐体１５６と、搬送部１５８とを有する。搬送部１５８は、搬送アーム１５８ａおよび移動機構１５９を有する。搬送アーム１５８ａは、水平方向に延びる。搬送アーム１５８ａの先端には、ブラシ１５２、リンス液供給部１５４の設けられた筐体１５６が取り付けられる。搬送アーム１５８ａは、移動機構１５９によって移動する。

移動機構１５９は、基部１５９ａと、回転部１５９ｂとを含む。回転部１５９ｂは、基部１５９ａに対して鉛直方向の回転軸ＲＣの周りで回転可能および鉛直方向に上下動可能に設けられる。搬送アーム１５８ａは、回転部１５９ｂから水平方向に突出するように形成される。搬送アーム１５８ａは、回転部１５９ｂとともに水平面内で旋回可能かつ上下動可能である。

搬送アーム１５８ａの先端部の上面には、ブラシ１５２が鉛直方向の回転軸の周りで回転可能（自転可能）に設けられる。搬送アーム１５８ａの先端部でかつブラシ１５２の両側に１対のリンス液供給部１５４が設けられる。本実施の形態では、１対のリンス液供給部１５４は、鉛直方向に延びる。

図１０〜図１３に示すように、搬送アーム１５８ａの先端部がＸ方向に沿って向く位置を待機位置と呼ぶ。基板Ｗは、周縁保持機構１３０に吸引される。このとき、吸引保持機構１２０は、カバー部材１６０によってカバーされてもよい。

次に、図１４を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１４は、基板処理装置１００の模式的な平面図である。ここでは、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央がスクラブ処理される。基板Ｗは、吸引部１３０ｐおよび吸引部１３０ｑの移動に伴って移動する。

図１４に示すように、基板Ｗは、吸引部１３０ｐおよび吸引部１３０ｑに吸引される。このとき、吸引保持機構１２０は、カバー部材１６０によってカバーされる。ここでは、スクラブ処理部１５０は、待機位置からスクラブ処理位置に移動する。移動機構１５９により、スクラブ処理部１５０のブラシ１５２が基板Ｗの裏面Ｗｂに当接するまで移動する。

図１４に示すように、基板Ｗは、吸引部１３０ｐおよび吸引部１３０ｑに吸引されたたまま吸引部１３０ｐおよび吸引部１３０ｑの移動に伴って移動する。吸引部１３０ｐおよび吸引部１３０ｑがＹ方向に移動することに伴い、吸引部１３０ｐおよび吸引部１３０ｑによって支持された基板ＷもＹ方向に移動する。このとき、スクラブ処理部１５０は、移動機構１５９が時計回りおよび／または反時計回りに回転することにより、所定の角度範囲で回動する。これにより、基板Ｗの裏面Ｗｂの中心を含む中央がスクラブ処理部１５０によってスクラブ処理される。

その後、基板Ｗの裏面Ｗｂ中央のスクラブ処理が終了すると、搬送機構１７０は、吸引保持機構１２０を覆うカバー部材１６０を持ち去り、基板Ｗは、吸引部１３０ｐおよび吸引部１３０ｑから吸引保持機構１２０に受け渡される。

次に、図１５を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１５は、基板処理装置１００の模式的な平面図である。ここでは、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁がスクラブ処理される。

図１５に示すように、吸引保持機構１２０は、基板Ｗの裏面Ｗｂを吸引して基板Ｗとともに回転する。スクラブ処理部１５０は、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁に当接しており、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁をスクラブ処理する。このとき、搬送機構１７０は、カバー部材１６０を保持する。

以上、図１０〜図１５を参照して上述したように、本実施形態の基板処理装置１００によれば、基板Ｗの裏面Ｗｂ全体を充分にスクラブ処理できる。

次に、図１から図１６を参照して、本実施形態の基板処理装置１００による基板Ｗの裏面スクラブ処理について説明する。図１６は、基板処理装置１００による基板Ｗの裏面スクラブ処理のフロー図である。図１６には、吸引保持機構１２０、周縁保持機構１３０、スクラブ処理部１５０、カバー部材１６０および搬送機構１７０の動作の変化を併せて示す。

ここでは、基板Ｗの裏面スクラブ処理を開始する時点において、基板Ｗは、吸引保持機構１２０によって吸引されて保持される。また、周縁保持機構１３０の吸引は駆動しておらず、スクラブ処理部１５０、カバー部材１６０および搬送機構１７０はそれぞれ待機位置に位置する。

ステップＳ２０２において、基板Ｗの移動を開始する。例えば、吸引保持機構１２０は基板Ｗを吸引したまま周縁保持機構１３０に向かって移動する。一例では、吸引保持機構１２０のスピンベース１２１は、下方に移動する。

ステップＳ２０４において、基板Ｗを吸引保持機構１２０から周縁保持機構１３０に受け渡す。基板Ｗの受け渡しの前後において、吸引保持機構１２０の吸引は停止し、周縁保持機構１３０の吸引を開始する。

ステップＳ２０６において、カバー部材１６０の搬送を開始する。搬送機構１７０は、カバー部材１６０を待機位置から吸引保持機構１２０に搬送する。

ステップＳ２０８において、カバー部材１６０を吸引保持機構１２０に装着する。カバー部材１６０の装着の前後において、吸引保持機構１２０は吸引を開始する。その後、搬送機構１７０は、カバー部材１６０を吸引保持機構１２０に残したまま待機位置に戻る。

ステップＳ２１０において、スクラブ処理部１５０は、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央をスクラブ処理する。詳細には、スクラブ処理部１５０は、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央の下方位置まで移動して、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央をスクラブ処理する。このとき、周縁保持機構１３０は、Ｙ方向に移動してもよい。

ステップＳ２１２において、カバー部材１６０を吸引保持機構１２０から脱離する。搬送機構１７０は、吸引保持機構１２０まで移動して、カバー部材１６０を吸引保持機構１２０から脱離する。その後、搬送機構１７０は、カバー部材１６０を保持したまま待機位置に戻る。なお、カバー部材１６０の脱離の前後において、吸引保持機構１２０の吸引を停止する。

ステップＳ２１４において、基板Ｗの移動を開始する。例えば、吸引保持機構１２０は基板Ｗを吸引する周縁保持機構１３０に向かって移動する。一例では、吸引保持機構１２０のスピンベース１２１は、上方に移動する。

ステップＳ２１６において、基板Ｗを周縁保持機構１３０から吸引保持機構１２０に受け渡す。基板Ｗの受け渡しの前後において、周縁保持機構１３０の吸引は停止し、吸引保持機構１２０の吸引を開始する。その後、周縁保持機構１３０は、退避位置に移動してもよい。

ステップＳ２１８において、スクラブ処理部１５０は、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁をスクラブ処理する。詳細には、スクラブ処理部１５０は、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁の下方位置に移動して、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁をスクラブ処理する。

以上のようにして、基板Ｗの裏面Ｗｂをスクラブ処理する。本実施形態により、基板Ｗの裏面Ｗｂ全体を充分にスクラブ処理できる。

なお、図１〜図１６を参照した説明では、基板Ｗは、吸引保持機構１２０および周縁保持機構１３０のいずれかかによって保持されたが、本実施形態はこれに限定されない。基板Ｗは、周縁保持機構１３０とは別の部材に保持されてもよい。

次に、図１７を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１７は、基板処理装置１００の模式図である。図１７の基板処理装置１００は、周縁保持機構１３０の代わりに遮蔽部材１８０をさらに備える点を除いて図２を参照して上述した基板処理装置１００と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。

基板処理装置１００は、遮蔽部材１８０をさらに備える。遮蔽部材１８０は、鉛直方向に移動可能である。遮蔽部材１８０は、基板Ｗを保持する。例えば、遮蔽部材１８０は、基板Ｗの側面Ｗｃを保持する。

遮蔽部材１８０は、遮蔽板１８２と、支軸１８４と、ノズル１８６と、チャック部１８８とを含む。例えば、遮蔽板１８２は、略円板状である。支軸１８４は、シャフト１２２の回転軸ＡＸの線上に位置する。遮蔽板１８２は、支軸１８４から水平方向に延びる。ここでは、遮蔽板１８２は、水平方向に延びた形状を有している。

ノズル１８６は、基板Ｗに向けて不活性ガス吐出する。チャック部１８８は、遮蔽板１８２の外周端部から鉛直下方に延びている。チャック部１８８は、基板Ｗの側面Ｗｃを保持する。

本実施形態の基板処理装置１００でも、遮蔽部材１８０が基板Ｗを保持する際に、カバー部材１６０は、吸引保持機構１２０を覆う。これにより、遮蔽部材１８０によって保持された基板Ｗをスクラブ処理する際に、吸引保持機構１２０にリンス液が付着することを抑制できる。

以上、図面を参照して本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

本発明は、基板処理装置に好適に用いられる。

１０ 基板処理システム
１００ 基板処理装置
１１０ チャンバー
１２０ 吸引保持機構
１３０ 周縁保持機構
１４０ 処理液供給部
１５０ スクラブ処理部
１６０ カバー部材
１７０ 搬送機構

Claims (7)

1. 基板の裏面の中央部を吸引して保持する吸引保持機構と、
   前記基板の裏面をスクラブ処理するスクラブ処理部と、
   前記吸引保持機構を覆うカバー部材と、
   前記カバー部材を待機位置から前記吸引保持機構まで搬送して前記吸引保持機構の上面に載置する搬送機構と
   を備える、基板処理装置。
2. 前記吸引保持機構は、前記基板の前記裏面を吸引する吸引面を有し、
   前記カバー部材は、前記吸引保持機構の前記吸引面を覆う、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記吸引保持機構の前記吸引面には、凸部および凹部の少なくとも一方を含む吸引係合部が設けられており、
   前記カバー部材には、前記吸引保持機構の前記吸引係合部と係合するカバー係合部が設けられる、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記カバー部材は、前記吸引保持機構の前記吸引面に対して傾斜する、請求項２または３に記載の基板処理装置。
5. 前記カバー部材は、前記吸引保持機構の前記吸引面および前記吸引面から延びた側面を覆う、請求項３または４に記載の基板処理装置。
6. 前記スクラブ処理部は、ブラシと、前記ブラシを搬送する搬送部を含み、
   前記搬送部は、前記ブラシを保持するブラシ保持機構と、前記カバー部材を保持するカバー部材保持機構とを備える、請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 前記スクラブ処理部は、前記吸引保持機構によって保持されない前記基板をスクラブ処理する場合、前記吸引保持機構は、前記カバー部材を吸引する、請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置。

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