CN108885985B - 基片清洗装置 - Google Patents

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Abstract

实施方式的基片清洗装置为一种利用刷子清洗基片的基片清洗装置，包括基片保持部、臂和供给部。基片保持部将基片以能够使该基片旋转地方式保持。臂经由轴将刷子以能够使该刷子旋转的方式支承。供给部对基片供给处理液。另外，刷子包括主体部、清洗体和液接收部件。主体部与轴连接。清洗体设置在主体部的下部，能够被按压于基片。液接收部件设置在主体部的外周部，从主体部的外周部突出。

Description

基片清洗装置
技术领域
本发明的实施方式涉及基片清洗装置。
背景技术
在现有技术中，作为对半导体晶片等的基片进行处理的基片清洗装置之一，公知有使刷子与基片接触，从刷子的外侧对刷子供给处理液，并使基片与刷子相互旋转，由此对基片进行清洗处理的基片清洗装置(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：专利第4685914号
发明内容
发明想要解决的技术问题
但是，如上述的现有技术那样使用刷子和处理液进行基片的清洗时，与仅使用处理液的情况相比，存在处理液容易向更广的范围飞散的问题。如果处理液向较广的范围飞散，则装置可能被污染。
实施方式的一个方式的目的在于，提供能够抑制处理液的飞散的基片清洗装置。
用于解决技术问题的技术方案
实施方式的一种方式的基片清洗装置是一种利用刷子清洗基片的基片清洗装置，包括基片保持部、臂和供给部。基片保持部将基片以能够使该基片旋转地方式保持。臂经由轴将刷子以能够使该刷子旋转的方式支承。供给部对基片供给处理液。另外，刷子包括主体部、清洗体和液接收部件。主体部与轴连接。清洗体设置在主体部的下部，能够被按压于基片。液接收部件设置在主体部的外周部，从主体部的外周部突出。
发明效果
根据实施方式的一种方式，能够提供能够抑制处理液的飞散的基片清洗装置。
附图说明
图1是实施方式的基片处理系统的示意性平面图。
图2是实施方式的基片处理系统的示意性侧视图。
图3是第2处理模块的示意性平面图。
图4是第2处理单元的示意性平面图。
图5是第2处理单元的示意性侧视图。
图6是背面刷子的示意性侧视图。
图7是表示液接收部件与周壁部的关系的图。
图8是背面清洗部的示意性侧截面图。
图9是引导部件的示意性立体图。
图10是背面刷子的示意性立体图。
图11是收纳部的示意性侧视图。
图12是表示背面清洗处理的处理顺序的流程图。
图13是表示背面刷子与第1供给部的位置关系的图。
图14是第1处理单元的示意性平面图。
图15A是收纳部的示意性侧视图。
图15B是收纳部的示意性侧视图。
图15C是收纳部的示意性侧视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明公开的基片处理装置的实施方式进行详细的说明。此外，本发明并不限于以下所示的实施方式。
<基片处理系统的构成>
首先，对实施方式的基片处理系统1的构成参照图1和图2进行说明。图1是表示实施方式的基片处理系统1的示意性平面图。另外，图2是表示实施方式的基片处理系统1的示意性侧视图。此外，以下，为了明确位置关系，规定了彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，并设Z轴正方形为铅垂向上方向。
如图1所示，实施方式的基片处理系统1包括送入送出模块2、处理模块3和交接模块4。这些模块按照送入送出模块2、交接模块4和处理模块3的顺序依次排列配置。
基片处理系统1将从送入送出模块2送入的基片、在本实施方式中为半导体晶片(以下晶片W)经由交接模块4向处理模块3运送，在处理模块3中进行处理。另外，基片处理系统1将处理后的晶片W从处理模块3经由交接模块4向送入送出模块2送回，并由送入送出模块2向外部交出。以下，关于各模块2～4的构成进行说明。
<送入送出模块2的构成>
送入送出模块2包括载置部11和运送部12。在载置部11载置将多个晶片W以水平状态收纳的多个晶盒C。
运送部12与载置部11相邻地配置，在内部具有主运送装置13。主运送装置13在载置部11与交接模块4之间进行晶片W的运送。
<处理模块3的构成>
如图2所示，处理模块3包括第1处理模块3U和第2处理模块3L。第1处理模块3U与第2处理模块3L由隔壁或闸板等在空间上进行分割，在高度方向上排列配置。在本实施方式中，第1处理模块3U配置在上层侧，第2处理模块3L配置在下层侧。
在第1处理模块3U中，对电路形成面(以下也记作“正面”)向上的状态的晶片W进行处理。另一方面，在第2处理模块3L中，对与正面相反侧的面即背面朝上的状态的晶片W进行处理。对这些第1处理模块3U和第2处理模块3L的构成进行说明。
<第1处理模块3U的构成>
如图1所示，第1处理模块3U包括运送部16、第1运送装置17和多个第1处理单元18。第1运送装置17配置在运送部16的内部，多个第1处理单元18在运送部16的外部与运送部16相邻地配置。
第1运送装置17在交接模块4与第1处理单元18之间进行晶片W的运送。具体而言，第1运送装置17进行：从交接模块4取出晶片W而向第1处理单元18运送的处理；和将通过第1处理单元18处理后的晶片W从第1处理单元18取出向交接模块4运送的处理。
第1处理单元18对正面向上的状态的晶片W进行倾斜(Bevel)清洗处理。所谓倾斜清洗处理是除去附着在晶片W的周缘部(倾斜部)的颗粒或船痕等的处理。
例如，第1处理单元18包括：将晶片W可旋转地吸附保持的吸附保持部；使刷子与晶片W的周缘部抵接来对晶片W的周缘部进行物理性清洗的倾斜清洗部；向晶片W的周缘部排出药液的排出部。该第1处理单元18在由吸附保持部吸附保持着正面向上的晶片W的背面的状态下使晶片W旋转。并且，第1处理单元18一边从排出部向旋转的晶片W的背面周缘部排出药液，一边使倾斜清洗部的刷子与晶片W的周缘部抵接，由此除去附着在晶片W的周缘部的颗粒等。像这样，通过将利用药液进行的化学性清洗和利用刷子进行的物理性的清洗相组合，能够提高颗粒或船痕等的除去性能。
<第2处理模块3L的构成>
接着，参照图3对第2处理模块3L的构成进行说明。图3是第2处理模块3L的示意性平面图。
如图3所示，第2处理模块3L包括运送部26、第2运送装置27和多个第2处理单元28。第2运送装置27配置在运送部26的内部，多个第2处理单元28在运送部26的外部与运送部26相邻地配置。
第2运送装置27在交接模块4与第2处理单元28之间进行晶片W的运送。具体而言，第2运送装置27进行：从交接模块4取出晶片W并向第2处理单元28运送的处理；和将由第2处理单元28处理后的晶片W从第2处理单元28取出并向交接模块4运送的处理。
第2处理单元28对背面朝上的状态的晶片W进行除去附着在晶片W的背面的颗粒等的背面清洗处理。在此，对第2处理单元28的构成参照图4和图5进行说明。图4是第2处理单元28的示意性平面图。另外，图5是第2处理单元28的示意性侧视图。
如图4和图5所示，第2处理单元28包括腔室201、基片保持部202、回收罩203、背面清洗部204、第1供给部205、第2供给部206和周壁部207。
腔室201收纳基片保持部202、回收罩203、背面清洗部204、第1供给部205、第2供给部206和周壁部207。在腔室201的顶部，设置有在腔室201内形成下降流的FFU(Fun FilterUnit)211。
基片保持部202包括：比晶片W直径大的主体部221、在主体部221的上表面设置的多个抓持部222、支承主体部221的支柱部件223、使支柱部件223旋转的驱动部224。此外，抓持部222的数量并不限定于图示的数量。
该基片保持部202通过使用多个抓持部222保持晶片W的周缘部来保持晶片W。由此，晶片W以与主体部221的上表面稍微离开的状态被水平地保持。
此外，在第2处理单元28中对背面朝上的状态、换言之是正面向下的状态的晶片W进行背面清洗处理。因此，在第2处理单元28中使用如第1处理单元18的吸附保持部那样吸附晶片W的类型的部件时，有可能污染电路形成面即正面。因此，在基片处理系统1中，为了尽可能不污染电路形成面，将抓持晶片W的周缘部的类型的部件作为基片保持部202使用。
回收罩203以包围基片保持部202的方式配置。在回收罩203的底部形成有：用于将从第1供给部205、第2供给部206排出的药液向腔室201的外部排出的排液口231；和用于将腔室201内的气氛排气的排气口232。此外，第2处理单元28可以具有：从第1供给部205排出的药液的排出目的地；和切换从第2供给部206排出的药液的排出目的地的机构。
背面清洗部204包括：背面刷子241；在水平方向(这里为Y轴方向)上延伸的、经由轴242从上方将背面刷子241可旋转地支承的臂243；和使臂243旋转和升降的旋转升降机构244。
背面清洗部204经由闸阀244a或流量调整器(未图示)等与第1药液供给源245a连接，经由闸阀244b或流量调整器(未图示)等与第2药液供给源245b连接。另外，背面清洗部204经由闸阀244c或流量调整器(未图示)等与冲洗液供给源245c连接。
背面清洗部204能够将从第1药液供给源245a供给的第1药液、从第2药液供给源245b供给的第2药液、或者从冲洗液供给源245c供给的冲洗液(这里为纯水)自背面刷子241的内侧向晶片W排出。关于该背面清洗部204的具体的结构在后文说明。
这里，第1药液为SC-1(氨水、过氧化氢和水的混合液)，第2药液为DHF(稀氢氟酸)，但第1药液并不限定于SC-1，第2药液也不限定于DHF。
第1供给部205配置在周壁部207的外方。第1供给部205包括：喷嘴251；在水平方向延伸的、从上方支承喷嘴251的喷嘴臂252；和使喷嘴臂252旋转和升降的旋转升降机构253。
喷嘴251经由闸阀254a或流量调整器(未图示)等与第1药液供给源255a连接。另外，喷嘴251经由闸阀254b或流量调整器(未图示)等与冲洗液供给源255b连接。该第1供给部205将从第1药液供给源255a供给的第1药液向晶片W排出。另外，第1供给部205将从冲洗液供给源255b供给的纯水向晶片W排出。
第2供给部206配置在周壁部207的外方。第2供给部206包括：喷嘴261；在水平方向延伸的、从上方支承喷嘴261的喷嘴臂262；和使喷嘴臂262旋转和升降的旋转升降机构263。
喷嘴261经由闸阀264a或流量调整器(未图示)等与第2药液供给源265a连接。另外，喷嘴261经由闸阀264b或流量调整器(未图示)等与冲洗液供给源265b连接。该第2供给部206将从第2药液供给源265a供给的第2药液向晶片W排出。另外，第2供给部206将从冲洗液供给源265b供给的纯水向晶片W排出。
周壁部207在回收罩203的外方以包围基片保持部202的方式配置，接收从基片保持部202飞散的第1药液、第2药液和纯水这些处理液。周壁部207与升降机构271连接，通过升降机构271能够在铅垂方向上移动。即，周壁部207的高度能够改变。
第2处理单元28以如上所述方式构成，由基片保持部202保持背面朝上的晶片W的周缘部并使其旋转。并且，第2处理单元28使用第1供给部205与第2供给部206的任意者和背面清洗部204除去附着在晶片W的背面的颗粒等。
此外，在第2处理单元28的腔室201内，设置有使背面清洗部204的背面刷子241、第1供给部205的喷嘴251和第2供给部206的喷嘴261从主体部221上退避的退避位置。并且，在各退避位置分别设置有收纳背面刷子241、喷嘴251和喷嘴261的收纳部208a～208c。在图4中表示了，背面清洗部204、第1供给部205和第2供给部206配置在各退避位置，背面刷子241、喷嘴251和喷嘴261分别收纳在收纳部208a～208c的样子。
<交接模块4的构成>
接着，对交接模块4进行说明。如图1和图2所示，在交接模块4的内部配置有：多个转移装置15a、15b；第1缓冲部21U；第2缓冲部21L；第1交接部22U；第2交接部22L；第1反转机构23a；和第2反转机构23b。
第1缓冲部21U、第2缓冲部21L、第1交接部22U、第2交接部22L、第1反转机构23a和第2反转机构23b在高度方向上排列配置。具体而言，从上起按照第1交接部22U、第1缓冲部21U、第2缓冲部21L、第2交接部22L、第1反转机构23a和第2反转机构23b的顺序依次配置(参照图2)。
此外，缓冲部(这里为第1缓冲部21U和第2缓冲部21L)、交接部(这里为第1交接部22U和第2交接部22L)、反转机构(这里为第1反转机构23a和第2反转机构23b)的个数和在高度方向上的配置，并不限定于图中所示。例如，在交接模块4的内部也可以从上起按交接部、缓冲部、反转机构、交接部和反转机构的顺序依次配置。
转移装置15a、15b具有未图示的升降机构，利用该升降机构在铅垂方向上移动，由此对在高度方向上排列配置的第1交接部22U等进行晶片W的送入送出。转移装置15a从第1交接部22U等的Y轴正方向侧对第1交接部22U等进行访问。另外，转移装置15b从第1交接部22U等的Y轴负方向侧对第1交接部22U等进行访问。
第1缓冲部21U、第2缓冲部21L、第1交接部22U和第2交接部22L是能够将晶片W多层地收纳的组件。其中，第1缓冲部21U和第2缓冲部21L通过主运送装置13和转移装置15a、15b被访问。
<控制装置的构成>
基片处理系统1具有控制装置5(参照图1)。控制装置5例如是计算机，包括控制部51和存储部52。在存储部52保存有控制在基片处理系统1中实施的各种处理的程序。控制部51例如是CPU(Central Processing Unit)，通过读取存储在存储部52中的程序并实施来控制基片处理系统1的动作。
此外，该程序可以记录在能够由计算机读取的存储介质中，也可以从该存储介质安装到控制装置5的存储部52中。作为能够由计算机读取的存储介质，例如是硬盘(HD)、软盘(FD)、磁盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。此外，控制部51也可以不使用程序而仅由硬件构成。
<晶片的运送流程>
接着，对基片处理系统1的晶片W的运送流程的一例进行简单的说明。在基片处理系统1中，首先，主运送装置13从晶盒C将多个未处理的晶片W一并取出收纳在第1缓冲部21U中。接着，转移装置15a从第1缓冲部21U取出未处理的晶片W向第1交接部22U转移，第1处理模块3U的第1运送装置17从第1交接部22U取出晶片W向第1处理单元18运送，第1处理单元18对晶片W进行倾斜清洗处理。当倾斜清洗处理结束时，第1运送装置17将倾斜清洗处理完成了的晶片W从第1处理单元18取出收纳在第1交接部22U中。
接着，转移装置15a将倾斜清洗处理完成了的晶片W从第1交接部22U取出向第1反转机构23a转移，第1反转机构23a将该晶片W的正面背面反转，转移装置15b从第1反转机构23a取出晶片W向第2交接部22L转移。接着，第2处理模块3L的第2运送装置27从第2交接部22L取出晶片W向第2处理单元28运送，第2处理单元28对晶片W进行背面清洗处理。当背面清洗处理结束时，第2运送装置27将背面清洗处理完成了的晶片W从第2处理单元28取出收纳在第2交接部22L中。
接着，转移装置15b从第2交接部22L取出晶片W向第2反转机构23b转移，第2反转机构23b将该晶片W的正面背面反转，转移装置15a从第2反转机构23b取出晶片W向第2缓冲部21L转移，主运送装置13将多个结束了倾斜清洗处理和背面清洗处理的晶片W从第2缓冲部21L一并取出收纳在晶盒C。由此，一系列的基片处理结束。
<背面清洗部的构成>
接着，参照图6～图11对背面清洗部204的具体的构成进行说明。首先，参照图6和图7对背面刷子241的构成进行说明。图6是背面刷子241的示意性侧视图。另外，图7是表示液接收部件和周壁部207的关系的图。
如图6所示，背面刷子241包括主体部101、连接部102、清洗体103和液接收部件104。
主体部101具有圆筒形状，经由连接部102与轴242(参照图4)连接。主体部101包括第1主体部111和第2主体部112。第1主体部111和第2主体部112是具有相同直径的圆筒形状的部件，通过在第1主体部111的下部安装第2主体部112形成主体部101。
连接部102具有比主体部101直径小的圆筒形状。该连接部102设置在第1主体部111，比第1主体部111向上方突出。另外，连接部102具有插入孔121，将轴242插入到该插入孔121，用螺钉等将轴242与连接部102固定，由此主体部101被固定于轴242。
清洗体103设置在第2主体部112的下部，按压于晶片W。清洗体103是由大量的毛束构成的，但不限于此，例如也可以由海绵等构成。
液接收部件104设置在主体部101的外周部，具体而言，设置在第2主体部112的外周部112a。液接收部件104具有从第2主体部112的外周部112a突出的帽形形状，由下表面141接收从清洗体103飞散的处理液，由此能够防止处理液越过周壁部207而飞散(参照图7)。液接收部件104具有在俯视时呈圆形的形状，因此能够全方位地抑制处理液的飞散。
另外，液接收部件104配置在比清洗体103的安装面、即第2主体部112的下表面112b靠上方的位置，液接收部件104的下表面141配置在比第2主体部112的下表面112b靠上方的位置。通过这样的配置，在背面清洗处理中将背面刷子241向晶片W的外周部移动时，能够防止液接收部件104与其它的部件相干扰的情况。
具体而言，如图7所示，液接收部件104的下表面141配置在比基片保持部202具有的抓持部222的上端靠上方的位置。另外，液接收部件104的下表面141配置在比回收罩203的上端靠上方的位置。通过这样配置，能够防止液接收部件104与抓持部222或回收罩203相干扰。另外，液接收部件104的下表面141在与抓持部222(参照图5)不接触的高度，在从第2主体部112的外周部112a突出的方向上，可以水平也可以向下方倾斜。当液接收部件104的下表面141向下方倾斜时，能够更加防止液残留在液接收部件104的下表面141。并且，通过将液接收部件104的下表面141形成为疏水性，能够防止液残留在液接收部件104的下表面141。另外，通过将主体部101的外周部形成为疏水性，能够防止液残留在主体部101的外周部。
在背面清洗处理中进行使用了背面刷子241的处理的情况下，周壁部207配置在周壁部207的上端成为最高的第1高度位置H1。液接收部件104具有防止从清洗体103飞散的处理液越过配置在第1高度位置H1的周壁部207的程度的直径。该直径如图7所示，至少基于能够取得从清洗体103飞散的处理液相对于晶片W的角度与周壁部207的第1高度位置H1的关系来决定。此外，能够取得飞散的处理液的速度和在晶片W上的清洗体103的位置也与直径的决定有关系。像这样，使用周壁部207能够一定程度防止处理液的飞散，并且由液接收部件104接收越过周壁部207而飞散的处理液，由此能够将周壁部207的高度抑制得较低，并且能够抑制处理液的飞散。
此外，液接收部件104的帽形形状的上表面142随着向外方去而向下倾斜。因此，能够防止处理液残留在上表面142。此外，上面142的形状也可以不需要如图6所示那样随着向外方向去具有一定的倾斜角，例如，也可以形成为在向外方向去的途中阶段性地增大倾斜角的多段的倾斜形状、或者可以形成为随着向外方向去逐渐地增大倾斜角的圆弧形状。
周壁部207在一系列的基片处理中，能够以第1高度位置H1、第2高度位置H2和第3高度位置H3至少3阶段地变更高度位置。第1高度位置H1是在背面清洗处理中进行使用背面刷子241的处理的情况下配置周壁部207的高度位置。第2高度位置H2是在进行例如仅使用第2供给部206的处理那样、与使用背面刷子241的情况相比较处理液的飞散少的处理的情况下，配置周壁部207的高度位置，设定为比第1高度位置H1低。第3高度位置H3是周壁部207的初始位置，比第2高度位置H2低，例如，设定为与回收罩203同程度的高度位置。
此外，第3高度位置H3是与背面清洗部204、第1供给部205和第2供给部206相干扰的高度位置，第1高度位置H1和第2高度位置H2是与背面清洗部204、第1供给部205和第2供给部206不相互干扰的高度位置。
图8是背面清洗部204的示意性侧截面图。如图8所示，臂243包括：在水平方向延伸的第1臂体246；和设置在第1臂体246的下部的第2臂体247。
第1臂体246具有使轴242旋转的电动机等的驱动部246a、和收纳轴242的一部分的第1内部空间R1。驱动部246a和轴242例如通过滑轮246b、246c和传送带246d连接。此外，在第1内部空间R1中配置有将轴242可旋转地支承的轴承部246e或装载单元等的未图示的器件。
在第1臂体246的下部形成有用于插通轴242的插通口246f。因此，第1内部空间R1不是完全密闭空间。
第2臂体247经由第1臂体246的插通口246f将第1内部空间R1和外部连通，并具有从第1内部空间R1经由插通口246f覆盖露出的轴242的一部分的第2内部空间R2。
第2内部空间R2具有：与第1臂体246的插通口246f连通的上侧内部空间R2a；和在上部与上侧内部空间R2a连通、且在下部与外部连通的下侧内部空间R2b。上侧内部空间R2a与下侧内部空间R2b由从形成第2内部空间R2的第2臂体247的内周面向第2内部空间R2侧突出的环状的第1突出部247a缓缓地分隔。
轴242在配置在第2内部空间R2内的部分，具有从外周面向径向外方突出的环状的第2突出部242a、242b。第2突出部242a配置在第1突出部247a的上方。另外，第2突出部242b配置在第1突出部247a的下方。
像这样，在背面清洗部204中，通过设置在第2臂体247的第2内部空间R2中的第1突出部247a和设置在轴242的第2突出部242a、242b，在第2内部空间R2内形成所谓的蜂窝状构造。由此，背面清洗部204能够防止第1药液或第2药液等的气氛侵入第1内部空间R1中而使第1内部空间R1内的驱动部246a等劣化。
并且，臂243具有气体供给部247b。气体供给部247b由形成在第1臂体246和第2臂体247的通路孔或配管等构成，其一端与第2内部空间R2中的下侧内部空间R2b连接，另一端经由闸阀244d或流量调整器(未图示)等与气体供给源245d连接。该气体供给部247b将从气体供给源245d供给的N2气体等的不活泼气体供给到下侧内部空间R2b中。由此，通过不活泼气体阻碍外部气氛向下侧内部空间R2b的侵入，由此能够更可靠地防止第1药液或第2药液等的气氛侵入到第1内部空间R1中。
另外，臂243具有吸气部247c。吸气部247c由形成在第1臂体246和第2臂体247的通路孔或配管等构成，其一端与第2内部空间R2中的上侧内部空间R2a连接，另一端与吸气机构247d连接。该吸气部247c使用吸气机构247d对上侧内部空间R2a中的气氛进行吸气。由此，来自收纳在第1内部空间R1中的驱动部246a和轴承部246e的灰尘流出到外部，能够防止对晶片W等的污染。
另外，臂243包括排出部247e。排出部247e由形成在第1臂体246和第2臂体247的通路孔或配管等构成，其一端露出于第2臂体247的下表面。另外，排出部247e的另一端经由闸阀244a或流量调整器(未图示)等与第1药液供给源245a连接，经由闸阀244b或流量调整器(未图示)等与第2药液供给源245b连接，经由闸阀244c或流量调整器(未图示)等与冲洗液供给源245c连接。
该排出部247e为了将从第1药液供给源245a供给的第1药液、从第2药液供给源245b供给的第2药液或者从冲洗液供给源245c供给的纯水向形成在背面刷子241的主体部101的中空部113供给，从第2臂体247的下表面铅垂向下地排出。
在此，由于在第2臂体247如上所述形成有第2内部空间R2，将排出部247e靠第2臂体247的中央地配置是较为困难的。因此，排出部247e配置在比背面刷子241的中空部113远离轴242的位置。具体而言，排出部247e配置在比背面刷子241的主体部101的外周部远离轴242的位置。在该情况下，从排出部247e只不过排出处理液，不能向中空部113供给处理液。
因此，背面清洗部204包括引导部件248。引导部件248配置在排出部247e与背面刷子241之间，一旦接收了从排出部247e排出的处理液就向背面刷子241的中空部113引导。
具体而言，引导部件248具有在俯视时呈圆形的托盘形状，在第2臂体247的下方与第2臂体247隔开间隔地配置。另外，引导部件248在中央部具有插通口248e，轴242被插通在该插通口248e中，并且由形成在轴242的台阶部和背面刷子241的连接部102从上下方向夹着而被固定，与轴242一起旋转。
在此，参照图9对引导部件248的构成进行具体的说明。图9是引导部件248的示意性立体图。
如图9所示，引导部件248包括接收面248a和排出部248b。接收面248a配置在排出部247e的下方，是从比排出部247e远离轴242的位置随着向轴242去而向下倾斜的斜面。
排出部248b设置在接收面248a中位于背面刷子241的中空部113的正上方的区域，将由接收面248a所接收的处理液向中空部113排出。具体而言，排出部248b具有相对于接收面248a呈圆周状地排列配置的多个排出口248b1。由此，与例如设置有单一的排出口的情况相比，能够使由接收面248a所接收的处理液向中空部113均匀地落下。
另外，引导部件248具有从接收面248a的外周部向上方竖立设置的周状的第1壁部248c。由此，能够防止由接收面248a所接收的处理液从接收面248a的外周部落下。另外，引导部件248在排出部248b与轴242之间具有向上方竖立设置的周状的第2壁部248d。由此，能够防止由接收面248a所接收的处理液在轴242上传递而侵入到连接部102的插入孔121中。另外，能够防止该处理液导致轴242和连接部102的劣化。
接着，参照图8和图10对背面刷子241的中空部113的构成进行说明。图10是背面刷子241的示意性立体图。
如图8所示，背面刷子241的主体部101具有上下两端开口的中空部113。中空部113中的上部开口113a设置在第1主体部111。上部开口113a的内周面设置在比引导部件248的排出部248b远离轴242的位置。
在中空部113的下部开口113b设置有第2主体部112。下部开口113b具有比上部开口113a小的直径。具体而言，下部开口113b的内周面设置在比引导部件248的排出部248b靠近轴242的位置。因此，从引导部件248的排出部248b排出的处理液从上部开口113a向中空部113中侵入之后，汇集在轴242侧能够从下部开口113b向晶片W被排出。
如图10所示，在中空部113的中途部设置与多个开口部113c。多个开口部113c设置在第1主体部111。另外，在各开口部113c之间，设置有第1主体部111与连接部102的连结部113d。
<背面刷子的收纳部的构成>
接着，参照图11对背面刷子241的收纳部208a的构成进行说明。图11是收纳部208a的示意性侧视图。
如图11所示，在背面刷子241的退避位置即收纳部208a的底面281，设置有对配置在了退避位置的背面刷子241进行清洗的刷子清洗部282。刷子清洗部282具有向铅垂上方排出清洗液的排出口，经由闸阀283或流量调整器(未图示)等与清洗液供给源284连接。该刷子清洗部282将从清洗液供给源284供给的清洗液(这里采用纯水)从收纳部208a的底面281上的排出口朝向背面刷子241向铅垂上方排出，由此利用清洗液对背面刷子241进行清洗。
刷子清洗部282的排出口配置在包括配置在退避位置的清洗体103的外周部和液接收部件104的基端部的区域的铅垂下方，对该区域供给作为清洗液的纯水。由此，不仅能够清洗清洗体103而且能够清洗液接收部件104。
另外，在该刷子清洗处理中，背面清洗部204从背面刷子241的中空部113排出纯水。由此，不仅能够清洗清洗体103的外侧，而且也能够清洗内侧。
此外，在收纳部208a的底面281设置有用于将在刷子清洗处理中从刷子清洗部282和中空部113所排出的纯水向外部排出的排出部285。收纳部208a的底面281向排出部285去地向下倾斜。
<背面清洗处理的处理顺序>
接着，参照图12对在第2处理单元28中实施的背面清洗处理的具体的处理顺序进行说明。图12是表示背面清洗处理的处理顺序的流程图。此外，图12所示的各处理顺序，通过控制部51控制第2处理单元28的基片保持部202、背面清洗部204、第1供给部205和第2供给部206等而实施。
如图12所示，在第2处理单元28中，将送入到腔室201中的晶片W保持于基片保持部202之后，进行第1药液处理(步骤S101)。关于第1药液处理，首先，使用第1供给部205的旋转升降机构253使喷嘴臂252旋转而使得喷嘴251位于晶片W的上方之后，利用背面清洗部204的旋转升降机构244使臂243旋转，而使得背面刷子241位于晶片W的上方。之后，利用升降机构271使周壁部207上升，使的周壁部207的高度位置从第3高度位置H3(参照图7)向第1高度位置H1变化。
接着，利用基片保持部202的驱动部224使晶片W旋转，利用背面清洗部204的驱动部246a使背面刷子241旋转。另外，从第1供给部205的喷嘴251对晶片W供给作为第1药液的SC-1，并也从背面刷子241的中空部113对晶片W供给SC-1。然后，利用背面清洗部204的旋转升降机构244使背面刷子241下降来将清洗体103向晶片W按压之后，使背面刷子241和喷嘴251从晶片W的中心部向外周部移动。由此，能够通过由清洗体103产生的物理性的清洗力和由SC-1产生的化学性的清洗力将颗粒从晶片W除去。
这里，参照图13对第1药液处理中的背面刷子241与第1供给部205的位置关系进行具体的说明。图13是表示背面刷子241与第1供给部205的位置关系的图。
从背面刷子241的外方对晶片W排出处理液的情况下，对晶片W供给处理液的供给位置尽可能地靠近背面刷子241比较好。这是由于处理液的供给位置越靠近背面刷子241，越容易将处理液的液膜形成在背面刷子241的周围。
但是，当使喷嘴251过于靠近背面刷子241时，存在第1供给部205与背面清洗部204接触的可能性。
因此，如图13所示，第1供给部205的喷嘴251从背面刷子241的外方向比背面刷子241靠跟前的晶片W上的位置倾斜地排出SC-1。像这样，通过倾斜地排出SC-1，能够避免第1供给部205与背面清洗部204的碰撞，并且能够在背面刷子241的周围形成SC-1的液膜。此外，“比背面刷子241靠跟前的晶片W上的位置”是指形成在晶片W上的SC-1的液膜能够达到背面刷子241的晶片W上的位置。
当倾斜地排出处理液时，与将处理液在铅垂方向上排出的情况相比，存在处理液与晶片W接触之后的反弹变大的可能性。当处理液的反弹变大时，反弹的处理液例如有可能越过周壁部207(参照图5)而飞散。
因此，第1供给部205的喷嘴251从背面刷子241的外方向比背面刷子241靠跟前的晶片W上的位置倾斜地排出SC-1，上述位置是在晶片W上反弹的SC-1能够被液接收部件104的下表面141接收的位置。换言之，喷嘴251的倾斜角度和在晶片W上的高度位置以及水平位置，设定为在晶片W上反弹的SC-1能够由液接收部件104的下表面141接收的倾斜角度和高度位置以及水平位置。
由此，由于在晶片W上反弹的SC-1能够由液接收部件104的下表面141接收，所以能够抑制SC-1的飞散。另外，通过抑制SC-1的飞散，能够抑制在晶片W上反弹的SC-1附着在背面刷子241的主体部101或连接部102等。
控制部51控制背面清洗部204的旋转升降机构244和第1供给部205的旋转升降机构253，一边维持上述的背面刷子241与喷嘴251的位置关系一边使背面刷子241和喷嘴251从晶片W的中心部向外周部移动。由此，能够抑制SC-1的飞散，并且能够对晶片W的整个面进行处理。
当背面刷子241到达晶片W的外周部时，停止从喷嘴251和中空部113供给SC-1，使背面刷子241上升，停止背面刷子241的旋转。另外，使背面刷子241和喷嘴251向晶片W的中心部移动。
接着，在第2处理单元28中进行第1冲洗处理(步骤S102)。在第1冲洗处理中，将向晶片W排出的处理液从第1药液替代为作为冲洗液的纯水，使背面清洗部204和第1供给部205与上述的第1药液处理同样地动作。由此，利用纯水冲洗晶片W上的SC-1。
在第1冲洗处理中的背面刷子241与喷嘴251的位置关系，与上述的第1药液处理中的背面刷子241与喷嘴251的位置关系相同。即，第1供给部205的喷嘴251从背面刷子241的外方向比背面刷子241靠跟前的晶片W上的位置倾斜地排出纯水，上述位置是在晶片W上反弹的纯水能够被液接收部件104的下表面141接收的位置。
基于第1冲洗处理，在晶片W上反弹的纯水被供给到液接收部件104的下表面141，由此能够冲洗残留在液接收部件104的下表面141的SC-1。另外，基于第1冲洗处理，能够利用纯水清洗清洗体103的外周部。
此外，也可以在第1冲洗处理结束后，利用从喷嘴251排出的纯水进行清洗清洗体103的处理。这时，控制部51可以调整喷嘴251的位置，使得从喷嘴251排出的纯水能够直接供给到清洗体103。由此，能够提高清洗效果。
当背面刷子241到达晶片W的外周部时，停止从喷嘴251和中空部113供给纯水，使背面刷子241上升，停止背面刷子241的旋转。之后，使周壁部207从第3高度位置H3向第2高度位置H2移位，使背面刷子241和第1供给部205从晶片W上退避。
接着，在第2处理单元28中，进行第2药液处理(步骤S103)。在第2药液处理中，首先，将第2供给部206的喷嘴261配置在晶片W上之后，将背面刷子241配置在晶片W上，之后，使周壁部207从第2高度位置H2向第3高度位置H3移位。
接着，使背面刷子241旋转，从第2供给部206的喷嘴261对晶片W供给作为第2药液的DHF，并从背面刷子241的中空部113也对晶片W供给DHF。并且，使背面刷子241下降将清洗体103按压在晶片W之后，使背面刷子241和喷嘴261从晶片W的中心部向外周部移动。由此，通过由清洗体103产生的物理性的清洗力和由DHF产生的化学性的清洗力将颗粒从晶片W除去。
在第2药液处理中的背面刷子241与喷嘴261的位置关系与上述的第1药液处理中的背面刷子241与喷嘴251的位置关系相同。即，第2供给部206的喷嘴261从背面刷子241的外方向比背面刷子241靠跟前的晶片W上的位置倾斜地排出纯水，上述位置是在晶片W上反弹的DHF能够被液接收部件104接收的位置。另外，控制部51一边维持上述的背面刷子241与喷嘴261的位置关系，一边使背面刷子241和喷嘴261从晶片W的中心部向外周部移动。
当背面刷子241到达晶片W的外周部时，停止从喷嘴261和中空部113供给DHF，使背面刷子241上升，停止背面刷子241的旋转。之后，使周壁部207从第3高度位置H3向第2高度位置H2移位，使背面刷子241从晶片W上退避。
接着，在第2处理单元28中进行第2冲洗处理(步骤S104)。在第2冲洗处理中，从第2供给部206的喷嘴261对晶片W供给作为冲洗液的纯水。由此，能够利用纯水冲洗晶片W上的DHF。之后，停止从喷嘴261供给纯水，使第2供给部206从晶片W上退避。
第2冲洗处理中的背面刷子241与喷嘴261的位置关系，与上述的第2药液处理中的背面刷子241与喷嘴261的位置关系相同。
接着，在第2处理单元28中进行刷子清洗处理(步骤S105)。在刷子清洗处理中，在退避位置即收纳部208a中使背面刷子241旋转，从底面281对包括清洗体103的外周部和液接收部件104的基端部的区域供给纯水。另外，从旋转的背面刷子241的中空部113排出纯水。由此，能够清洗清洗体103的外侧和内侧，并且能够清洗液接收部件104。
接着，在第2处理单元28中进行干燥处理(步骤S106)。在干燥处理中，使晶片W以比第2冲洗处理时快的转速旋转。由此，能够除去晶片W上的纯水来干燥晶片W。之后，使晶片W的旋转停止，使周壁部207从第2高度位置H2向第1高度位置H1移位。
此外，刷子清洗处理也可以与第2冲洗处理或干燥处理并行地进行。另外，刷子清洗处理也可以于处理完成的晶片W的送出处理或未处理的晶片W的送出处理并行地进行。
像这样，在背面清洗部204，在第1药液处理、第1冲洗处理和第2药液处理中，不仅从背面刷子241的外侧而且从背面刷子241的内侧排出处理液，因此，能够使从晶片W除去了的颗粒等难以残留在清洗体103的内侧。
另外，背面清洗部204的排出部247e(参照图8)，在排出多种处理液中的第1处理液即第1药液之后，接着排出第2处理液即纯水，然后排出第3处理液即第2药液。像这样，在第1药液处理之后且在第2药液处理之前的第1冲洗处理中，通过从背面刷子241的中空部113即清洗体103的内侧排出纯水，能够更可靠地从清洗体103除去SC-1。因此，能够防止在第2药液处理中DHF与SC-1发生反应而产生盐类。
但是，第2处理单元28例如在投入电源之后，进行使背面清洗部204、第1供给部205和第2供给部206返回到各自的初期位置即退避位置的初始化处理。在该初始化处理中，第2处理单元28使背面清洗部204的臂243、第1供给部205的喷嘴臂252和第2供给部206的喷嘴臂262同时地以相同速度向退避位置旋转。
背面清洗部204的臂243以与第1供给部205的喷嘴臂252的旋转轨迹和第2供给部206的喷嘴臂262的旋转轨迹相交的轨迹使背面刷子241旋转，但如果如上所述使臂243和喷嘴臂252、262同时地以相同速度移动，则即使在不供给电源时由操作员等手动地使臂243等运动等，臂243等从正规的位置发生了偏移，也能够不彼此干扰地向初始位置即退避位置返回。
如以上所述，本实施方式的第2处理单元28(基片清洗装置的一例)包括：基片保持部202、背面刷子241(刷子的一例)、臂243、第1供给部205和第2供给部206(供给部的一例)。基片保持部202将晶片W(基片的一例)可旋转地保持。臂243通过轴242将背面刷子241可旋转地支承。第1供给部205和第2供给部206对晶片W供给处理液。另外，背面刷子241包括主体部101、清洗体103和液接收部件104。主体部101与轴242连接。清洗体103设置在主体部101的下部，能够被按压在晶片W。液接收部件104设置在主体部101的外周部，用于接收从清洗体103飞散的处理液。
因此，本实施方式的第2处理单元28能够抑制处理液的飞散。
另外，本实施方式的第2处理单元28(基片清洗装置的一例)包括基片保持部202、背面刷子241(刷子的一例)、臂243、排出部247e、引导部件248。基片保持部202使晶片W(基片的一例)可旋转地保持该晶片W。背面刷子241是上下两端开口的中空状的刷子。臂243通过轴242使背面刷子241能够旋转地支承该背面刷子241。排出部247e设置在臂243，能够切换地排出多种处理液。引导部件248配置在排出部247e与背面刷子241之间，一旦接收到从排出部247e排出的处理液，将其导向所述刷子的中空部113。
因此，依据本实施方式的第2处理单元28，即使在将多个不同种类的清洗液向背面刷子241供给的情况下也能够进行良好的清洗处理。另外，能够使被从晶片W除去的颗粒等难以残留在背面清洗部204的清洗体103。
在上述的实施方式中，以引导部件248与背面刷子241一体化地进行旋转的情况为例进行了说明，引导部件248也可以不与第2臂体247一体地旋转。
另外，在上述的实施方式中，以液接收部件104设置在主体部101的第2主体部112的情况为例进行了说明，但液接收部件104也可以设置在第1主体部111。
另外，在上述的实施方式中，以用于清洗基片的背面的背面刷子为例进行了说明，但并不限定于此，也可以对用于清洗正面或用于清洗基片的周缘部的刷子应用同样的构成。
另外，在上述的实施方式中，对第2内部空间R2(参照图8)的下侧内部空间R2b供给不活泼气体、并且对上侧内部空间R2a的气氛进行吸气，但是也可以对上侧内部空间R2a供给不活泼气体、并且对下侧内部空间R2b的气氛进行吸气。另外，背面清洗部204不一定需要具有吸气部247c。
另外，在上述的实施方式中，说明了第1供给部205和第2供给部206这两者构成为能够供给作为冲洗液的纯水的情况的例子，但也可以构成为第1供给部205和第2供给部206的仅任一者能够供给作为冲洗液的纯水。另外，背面清洗部204也可以另外具有供给冲洗液的第3供给部。
(其它实施方式)
接着，参照图14对第1处理单元18的构成进行说明。图14是第1处理单元18的示意性侧视图。
如图14所示，第1腔室301收纳有第1保持部302、第1回收罩303、倾斜清洗部304和第1排出部305。在第1腔室301的顶部，设置有在第1腔室301中形成下降流的FFU311。
第1保持部302包括吸附保持部321、支柱部件322和驱动部323。吸附保持部321例如是真空吸盘，吸附保持晶片W。支柱部件322设置在吸附保持部321的下部，通过轴承(未图示)将第1腔室301和第1回收罩303可旋转地支承。驱动部323设置在支柱部件322的下部，使支柱部件322绕铅垂轴旋转。
第1回收罩303以包围第1保持部302的方式配置。在第1回收罩303的底部形成有：用于将从第1排出部305排出的药液向第1腔室301的外部排出的排液口331；和用于将第1腔室301中的气氛排气的排气口332。
倾斜清洗部304包括：倾斜刷子341；在水平方向(这里为Y轴方向)延伸的、经由第1轴342从上方支承倾斜刷子341的臂345；和使臂345在水平方向(这里为X轴方向)上移动的移动机构(未图示)。该移动机构也能够使臂345在铅垂方向(Z轴方向)上移动。
在本实施方式中，臂345能够切换经由第1轴342从上方支承倾斜刷子341的动作与经由第2轴343从上方支承倾斜刷子344的动作。图14表示了倾斜刷子344被移除、仅使用倾斜刷子341对晶片W进行倾斜清洗的状态。此外，也能够实施支承倾斜刷子341和倾斜刷子344两者用2个刷子进行晶片W的倾斜清洗的动作，但在本实施方式中省略说明。
收纳部308收纳被移除了的倾斜刷子341或者倾斜刷子344。臂345通过在水平方向(X轴方向)和铅垂方向(Z轴方向)上移动，而能够在晶片W的处理位置与收纳部308之间进行移动。第1排出部305设置在例如第1回收罩303的底部。经由闸阀351或流量调整器(未图示)等与例如供给SC1(氨水/过氧化氢/水的混合液)等的药液供给源352连接。
第1处理单元18按如上所述方式构成，在由吸附保持部321吸附保持正面朝上的晶片W的背面的状态下使晶片W旋转。并且，第1处理单元18通过一边从第1排出部305向旋转的晶片W的背面周缘部排出药液一边使倾斜清洗部304的倾斜刷子341与晶片W的周缘部抵接，由此进行基于药液的化学性的清洗和基于倾斜刷子341的物理性的清洗。此外，第1处理单元18在倾斜清洗处理之后，进行从第1排出部305供给纯水等的冲洗液而实施的冲洗处理和使晶片W旋转而实施的晶片W的干燥处理。
图15A～图15C是收纳部308的示意性侧视图。如图15C所示，在收纳部308设置有用于对配置在退避位置的倾斜刷子341和倾斜刷子344进行清洗的刷子清洗部386，经由闸阀384或流量调整器(未图示)等与清洗液供给源383连接。该刷子清洗部386将从清洗液供给源383供给的清洗液(这里为纯水)从收纳部308的上方向刷子排出。此外，在收纳部308的底面381，设置有在刷子清洗处理中用于将从刷子清洗部386排出的纯水向外部排出的排出部385。
在进行刷子清洗期间，保持部387将刷子水平地保持。保持部387具有未图示的旋转驱动机构，保持着倾斜刷子344使其旋转。在本实施方式中水平地旋转，但也可以具有倾斜地保持倾斜刷子344而使其旋转。在该情况下，相比于水平地保持，更容易将从刷子清洗部386供给的清洗液从倾斜刷子344的上表面甩开，提高清洗效率。
图15A和图15B是用于说明在进行图15C的清洗动作前，直至收纳部308收纳倾斜刷子344为止的动作的图。首先，如图15A所示，臂345在X轴方向上移动至收纳部308的上方，之后在Z轴方向上下降。保持部387为可动式，在该状态下，倾斜刷子344为了能够进入收纳部308之中而处于退避位置。之后，倾斜刷子344下降至成为规定的高度，或者保持部387开始在由箭头所示的X轴方向上移动。然后，移动至从侧方抓持倾斜刷子344的上部的位置，由此固定倾斜刷子344的位置。保持部387的俯视的形状没有被限定，如图15C所示构成为能够确保即使刷子清洗部386排出清洗液、清洗液不发生冲撞地穿过而到达倾斜刷子344的开口或区域的形状。
如图15B所示，当倾斜刷子344被固定在收纳部308中时，臂345上升。第2轴343的安装部348为凸形状，倾斜刷子344与设置在其上方的未图示的凹部卡合，由此被安装在第2轴343。如图所示，通过使臂345上升，能够将倾斜刷子344从第2轴343移除。
在倾斜刷子344被移除之后，臂345能够移动至晶片W的位置，因此，如图15C所示在倾斜刷子344被清洗期间，能够并行地进行如图14所示的利用倾斜刷子341进行的晶片W的倾斜清洗处理。同样地，在倾斜刷子341被清洗期间，能够并行地进行利用倾斜刷子344进行的晶片W的倾斜清洗处理。因此，与使用1个倾斜刷子、每当被污染时在收纳部308中清洗刷子的方式相比，能够削减倾斜清洗处理的休止时间，能够提高第1处理单元18的利用效率。
在上述的实施方式中，以从背面刷子241的内侧和外侧两方、即从背面刷子241的中空部113和第1供给部205或第2供给部206对晶片W供给处理液的情况为例进行了说明。但是，并不限定于此，也可以仅从背面刷子241的内侧、即背面刷子241的中空部113排出处理液。在该情况下，从清洗体103飞散的处理液由液接收部件104的下表面141接收，能够防止处理液越过周壁部207而飞散。另外，也可以仅从背面刷子241的外侧、即第1供给部205或第2供给部206供给处理液。在该情况下，从清洗体103飞散的处理液由液接收部件104的下表面141接收，由此能够防止处理液越过周壁部207而飞散。另外，能够防止在晶片W上反弹的处理液附着于背面刷子241的主体部101或连接部102等。
另外，在上述的实施方式中，构成为通过旋转升降机构244(第1移动机构的一例)使臂243旋转移动，但第1移动机构例如也可以是沿着导轨使臂243直线移动的机构。同样地，在上述的实施方式中，构成为通过旋转升降机构253(第2移动机构的一例)使喷嘴臂252旋转移动，但第2移动机构例如也可以是沿着导轨使喷嘴臂252直线移动的机构。使喷嘴臂262旋转移动的旋转升降机构263(第2移动机构的一例)也是同样的。
其它的效果和变形例，对于本领域技术人员来说是容易想到的。因此，本发明的更广泛的方式，并不限定于如上所述的表述以及所记载的特定的详细内容和代表性的实施方式。因此，只要不脱离由附记的请求保护范围及其等效范围所定义的、总的发明概念的精神和范围，能够进行各种变更。
附图标记说明
W晶片
28第2处理单元
101 主体部
102 连接部
103 清洗体
104 液接收部件
111第1主体部
112第2主体部
113 中空部
202 基片保持部
203 回收罩
204 背面清洗部
205第1供给部
206第2供给部
207 周壁部
241 背面刷子
242 轴
243 臂
244 旋转升降机构。

Claims (10)

1.一种使用刷子清洗基片的基片清洗装置，其特征在于，包括：
以能够使所述基片旋转的方式保持所述基片的基片保持部；
以能够通过轴使所述刷子旋转的方式支承所述刷子的臂；和
对所述基片供给处理液的供给部，
所述刷子包括：
与所述轴连接的主体部，该主体部具有疏水性的外周部；
设置在所述主体部的下部的、能够被按压于所述基片的清洗体；和
设置在所述主体部的所述外周部的、从所述主体部的所述外周部突出的液接收部件，该液接收部件能够利用疏水性的下表面接收从所述清洗体飞散的所述处理液，
所述基片保持部包括抓持所述基片的周缘部的抓持部，
所述液接收部件的下表面在所述清洗体被按压于所述基片的状态下位于比所述抓持部的上端靠上方的位置。
2.如权利要求1所述的基片清洗装置，其特征在于：
所述液接收部件具有上表面倾斜的帽形形状。
3.如权利要求1或2所述的基片清洗装置，其特征在于：
所述液接收部件配置在比所述主体部中的所述清洗体的安装面靠上方的位置。
4.如权利要求1所述的基片清洗装置，其特征在于：
包括周壁部，该周壁部包围所述基片保持部的周围，接收从所述基片保持部飞散的处理液，
所述液接收部件的直径至少基于从所述清洗体飞散的处理液相对于所述基片的角度和所述周壁部的高度的关系来决定。
5.如权利要求1所述的基片清洗装置，其特征在于：
包括刷子清洗部，其具有设置在所述刷子的退避位置的、向铅垂上方排出清洗液的排出口，利用从所述排出口排出的清洗液清洗配置在所述退避位置的所述刷子，
所述刷子清洗部的排出口配置在包含配置在所述退避位置的所述清洗体的外周部和所述液接收部件的基端部的区域的铅垂下方。
6.如权利要求1所述的基片清洗装置，其特征在于：
所述臂包括：
收纳使所述轴旋转的驱动部和所述轴的一部分的第1内部空间；
将所述第1内部空间与外部连通，覆盖从所述第1内部空间露出的所述轴的一部分的第2内部空间；和
对所述第2内部空间供给不活泼气体的气体供给部。
7.如权利要求6所述的基片清洗装置，其特征在于：
所述臂包括对所述第2内部空间进行吸气的吸气部。
8.如权利要求7所述的基片清洗装置，其特征在于：
所述吸气部设置在比所述气体供给部靠所述第1内部空间的位置。
9.如权利要求1所述的基片清洗装置，其特征在于：
所述供给部从所述刷子的外方对比所述刷子靠跟前的所述基片上的位置倾斜地排出所述处理液，其中，所述位置是在所述基片上反弹的所述处理液能够被所述液接收部件接收的位置。
10.如权利要求9所述的基片清洗装置，其特征在于：
所述供给部包括：
排出所述处理液的喷嘴；
支承所述喷嘴的喷嘴臂；
使所述臂移动的第1移动机构；
使所述喷嘴臂移动的第2移动机构；和
控制部，控制所述第1移动机构和所述第2移动机构，以使得一边所述供给部维持从所述刷子的外方对比所述刷子靠跟前的所述基片上的位置倾斜地排出所述处理液的状态，一边使所述刷子和所述喷嘴移动，其中，所述位置是在所述基片上反弹的所述处理液能够被所述液接收部件接收的位置。
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