JP2023013349A - 基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板処理システム、基板洗浄方法および基板処理方法 - Google Patents

基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板処理システム、基板洗浄方法および基板処理方法 Download PDF

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Nobuaki Okita
淳一 石井
Junichi Ishii
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Kazuki Nakamura
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Takashi Shinohara
吉文 岡田
Yoshifumi Okada
智之 篠原
Tomoyuki Shinohara
拓馬 ▲高▼橋
Takuma Takahashi
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Abstract

【課題】予め定められた排気能力を有する排気設備を用いてより多数の基板洗浄装置の内部空間の清浄度を高く維持することを可能にする基板洗浄装置を提供する。【解決手段】上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、基板Ｗを回転させることなく水平姿勢で保持する。下側保持装置２０は、基板Ｗを吸着保持しつつ回転させる。上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗが洗浄液を用いて洗浄され、下側保持装置２０により保持された基板Ｗが洗浄液を用いて洗浄される。処理空間２Ｓの気体は、排気系９４を通して工場の排気設備９９により排出される。上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより基板Ｗが保持されているときに処理空間２Ｓの気体が排出されないかまたは第１の流量で前記処理空間の気体が排出される。下側保持装置２０により基板Ｗが保持されているときに第１の流量よりも高い第２または第３の流量で処理空間２Ｓの気体が排出される。【選択図】図１

Description

本発明は、基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板処理システム、基板洗浄方法および基板処理方法に関する。
液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。基板を洗浄するためには、基板洗浄装置が用いられる。
例えば、特許文献１に記載された基板洗浄装置は、ウエハの裏面周縁部を保持する２つの吸着パッド、ウエハの裏面中央部を保持するスピンチャック、およびウエハの裏面を洗浄するブラシを備える。２つの吸着パッドがウエハを保持するとともに横方向に移動する。この状態で、ウエハの裏面中央部がブラシで洗浄される。その後、スピンチャックが吸着パッドからウエハを受け取り、スピンチャックがウエハの裏面中央部を保持しつつ回転する。この状態で、ウエハの裏面周縁部がブラシで洗浄される。
特許第５９０４１６９号公報
特許文献１記載の基板洗浄装置において、上記の吸着パッド、スピンチャックおよびブラシは、ボックス状のアンダーカップに取り付けられている。アンダーカップの底部には、基板洗浄装置内の雰囲気を基板洗浄装置の外部へ排出するための排気管の一端が設けられている。排気管の他端は、例えば工場の排気設備に接続される。基板洗浄装置内の雰囲気を基板洗浄装置の外部へ適切に排出することにより、基板洗浄装置内で洗浄液のミストが飛散することおよびパーティクルが飛散することを抑制することができる。それにより、基板洗浄装置内の清浄度を高く保つことができる。
工場においては、多数の基板洗浄装置を設置することにより、より多数の基板をより短時間で洗浄することが可能になる。しかしながら、工場に設置される基板洗浄装置の数が増大することにより、工場の排気設備に過剰な量の排気管が接続されると、各基板洗浄装置において必要とされる排気量が得られない可能性がある。この場合、各基板洗浄装置内の清浄度を高く保つことができない。そのため、工場内に設置可能な基板洗浄装置の数は、例えば工場の排気設備の排気能力によって制限される。
本発明の目的は、予め定められた排気能力を有する排気設備を用いてより多数の基板洗浄装置またはより多数の基板処理装置の内部空間の清浄度を高く維持することを可能にする基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板処理システム、基板洗浄方法および基板処理方法を提供することである。
（１）第１の発明に係る基板洗浄装置は、基板を洗浄する基板洗浄装置であって、基板を収容可能な処理空間を有する処理室と、基板の複数の部分に当接することにより、基板を回転させることなく水平姿勢で保持する第１の基板保持部と、基板に吸着することにより基板を水平姿勢で保持しつつ上下方向の軸の周りで回転させる第２の基板保持部と、処理空間において、第１の基板保持部により保持された基板を洗浄液を用いて洗浄し、第１の基板保持部により保持された基板の洗浄前または洗浄後に、第２の基板保持部により保持された基板を洗浄液を用いて洗浄する洗浄部と、処理空間と処理室の外部に設けられる排気設備とを接続し、処理空間の気体を排気設備により排出させる排気系と、第１の基板保持部により基板が保持されているときに処理空間の気体が排出されないかまたは第１の流量で処理空間の気体が排出され、第２の基板保持部により基板が保持されているときに第１の流量よりも高い第２の流量で処理空間の気体が排出されるように、排気系を流れる気体の流量を調整する排気量調整部とを備える。
その基板洗浄装置においては、第１の基板保持部により、基板が水平姿勢で回転することなく保持される。この状態で、基板が洗浄される。第１の基板保持部により保持された基板の洗浄時には、基板が回転しないので、基板から洗浄液が飛散しにくい。したがって、処理空間の気体が排出されない場合でも、処理空間内の清浄度は高く維持される。あるいは、比較的低い第１の流量で処理空間の気体が排出される場合でも、処理空間内の清浄度は高く維持される。
また、上記の基板洗浄装置においては、第２の基板保持部により、基板が水平姿勢で保持されつつ上下方向の軸の周りで回転する。この状態で、基板が洗浄される。第２の基板保持部により保持された基板の洗浄時には、基板が回転するので、基板から洗浄液が飛散しやすい。そこで、上記の基板洗浄装置においては、比較的高い第２の流量で処理空間の気体が排出される。この場合、基板から飛散する洗浄液が効率よく処理空間から排出される。それにより、処理空間内の清浄度が低下することが抑制される。
上記の構成によれば、一の基板洗浄装置において必要とされる排気設備の排気能力が経時的に調整される。そのため、一の排気設備について複数の基板洗浄装置を用いる場合には、第２の基板保持部により保持された基板の洗浄が同時に行われないように複数の基板洗浄装置を制御することができる。この場合、複数の基板洗浄装置に対して同時に必要とされる排気設備の排気能力のレベルが低減される。それにより、予め定められた排気能力を有する排気設備を用いてより多数の基板洗浄装置の処理空間の清浄度を高く維持することが可能になる。
（２）第２の基板保持部は、当該第２の基板保持部により保持された基板の洗浄後、当該洗浄に用いられた洗浄液が基板から振り切られるように基板を回転させてもよい。
上記の構成によれば、基板の洗浄液の振り切り時においても、比較的高い第２の流量で処理空間の気体が排出される。この場合、基板から飛散する洗浄液が効率よく処理空間から排出される。それにより、処理空間内の清浄度が低下することが抑制される。
（３）第２の流量は、第３の流量および第３の流量よりも高い第４の流量を含み、第２の基板保持部は、当該第２の基板保持部により保持された基板の洗浄時に第１の回転速度で基板を回転させ、基板の洗浄液の振り切り時に第１の回転速度よりも高い第２の回転速度で基板を回転させ、排気量調整部は、第２の基板保持部により保持された基板の洗浄時に第３の流量で処理空間の気体が排出されるように、かつ第２の基板保持部による基板の洗浄液の振り切り時に第４の流量で処理空間の気体が排出されるように、排気系を流れる気体の流量を調整してもよい。
洗浄時が付着した基板の回転速度が高くなると、基板から飛散する洗浄液のミストは処理空間内で拡散されやすい。上記の構成によれば、洗浄時における基板の第１の回転速度に比べて、洗浄液の振り切り時における基板の第２の回転速度が高い。そのため、基板の洗浄液の振り切り時には、洗浄液のミストは処理空間内で拡散されやすい。このような場合でも、基板の洗浄液の振り切り時には、基板の洗浄時の第１および第３の流量よりも高い第４の流量で、処理空間の気体が排出される。したがって、基板の洗浄液の振り切り時に、処理空間の清浄度が高く維持される。
また、上記の構成によれば、基板の回転速度の関係により、基板の洗浄時に処理空間内に飛散する洗浄液のミストの量は、基板の振り切り乾燥時に処理空間内に飛散する洗浄液のミストの量に比べて少ない。それにより、基板の洗浄時に排出される気体の第３の流量が基板の洗浄液の振り切り時に排出される気体の第４の流量より低い場合でも、基板の洗浄時には処理空間の清浄度を保つために十分な気体の排出が行われる。したがって、第２の基板保持部により基板が保持された状態で、過剰な排気能力が要求されることが防止される。
（４）基板洗浄装置は、平面視で第２の基板保持部を取り囲むように設けられた処理カップをさらに備え、排気系は、処理カップの底部から処理空間の気体が排出されるように設けられてもよい。
この場合、第２の基板保持部により保持された基板から飛散する洗浄液を処理カップで受け止めることができる。また、処理カップ内で飛散する洗浄液のミストが、処理カップの底部から処理室の外部に円滑に排出される。
（５）基板洗浄装置は、処理カップを支持するとともに、側面視で処理カップが第２の基板保持部により保持された基板に重なる第１の高さ位置と、側面視で処理カップが第２の基板保持部により保持された基板よりも下方の第２の高さ位置との間で上下方向に移動させるカップ駆動部をさらに備え、カップ駆動部は、第２の基板保持部により基板が保持されているときに基板から飛散する洗浄液を受け止めるように処理カップを第１の高さ位置に支持し、第１の基板保持部により基板が保持されているときに処理カップを第２の高さ位置に支持してもよい。
この場合、第２の基板保持部により基板が保持された状態で、基板から飛散する洗浄液が処理空間で拡散することが低減される。したがって、処理空間内の清浄度が低下することが抑制される。
（６）第２の発明に係る基板洗浄システムは、第１の発明に係る基板洗浄装置を複数有するとともに洗浄制御部を備え、排気設備は、複数の基板洗浄装置に共通に用いられ、洗浄制御部は、複数の基板洗浄装置において第２の基板保持部により基板が同時に保持されないように、複数の基板洗浄装置の動作を制御する。
この場合、複数の基板洗浄装置に対して同時に必要とされる排気設備の排気能力のレベルを低減することができる。したがって、予め定められた排気能力を有する排気設備を用いてより多数の基板洗浄装置の処理空間の清浄度を高く維持することが可能になる。
（７）第３の発明に係る基板洗浄システムは、第１の発明に係る基板洗浄装置を複数有するとともに洗浄制御部を備え、排気設備は、複数の基板洗浄装置に共通に用いられ、洗浄制御部は、複数の基板洗浄装置において基板の洗浄液の振り切りが同時に行われないように、複数の基板洗浄装置の動作を制御する。
この場合、複数の基板洗浄装置に対して同時に必要とされる排気設備の排気能力のレベルを低減することができる。したがって、予め定められた排気能力を有する排気設備を用いてより多数の基板洗浄装置の処理空間の清浄度を高く維持することが可能になる。
（８）第４の発明に係る基板処理システムは、基板に所定の処理を行う基板処理システムであって、複数の基板処理装置と、複数の基板処理装置を制御する処理制御部とを備え、複数の基板処理装置の各々は、基板を収容可能な処理空間を有する処理室と、処理空間において、基板に第１の処理を行い、第１の処理前または第１の処理後に基板に第２の処理を行う処理部と、処理空間と処理室の外部に設けられる排気設備とを接続し、処理空間の気体を排気設備により排出させる排気系と、第１の処理時に処理空間の気体が排出されないかまたは第１の流量で処理空間の気体が排出され、第２の処理時に第１の流量よりも高い第２の流量で処理空間の気体が排出されるように、排気系を流れる気体の流量を調整する排気量調整部とを備え、処理制御部は、複数の基板処理装置において複数の基板にそれぞれ第２の処理が同時に行われないように、複数の基板処理装置の動作を制御する。
上記の複数の基板処理装置の各々においては、基板の第１の処理時に処理空間の気体が排出されないかまたは比較的低い第１の流量で処理空間の気体が排出される。一方、基板の第２の処理時に処理空間の気体が比較的高い第２の流量で処理空間の気体が排出される。
複数の基板処理装置においては、複数の基板に対する第２の処理が同時に行われない。この場合、複数の基板処理装置に対して同時に必要とされる排気設備の排気能力のレベルが低減される。それにより、予め定められた排気能力を有する排気設備を用いてより多数の基板処理装置の処理空間の清浄度を高く維持することが可能になる。
（９）第５の発明に係る基板洗浄方法は、基板を洗浄する基板洗浄方法であって、処理室により形成された処理空間において、基板の複数の部分に当接する第１の基板保持部を用いて基板を回転させることなく水平姿勢で保持するステップと、第１の基板保持部により保持された基板を洗浄液を用いて洗浄するステップと、処理空間において、基板を吸着する第２の基板保持部を用いて基板を水平姿勢で保持しつつ上下方向の軸の周りで回転させるステップと、第２の基板保持部により保持された基板を洗浄液を用いて洗浄するステップと、処理空間の気体が排出されないかまたは処理空間の気体が第１の流量で処理室の外部に設けられる排気設備により排気系を通して処理室の外部に排出されるように、第１の基板保持部により基板が保持されているときに排気系を流れる気体の流量を調整するステップと、処理空間の気体が第１の流量よりも高い第２の流量で排気設備により排気系を通して処理室の外部に排出されるように、第２の基板保持部により基板が保持されているときに排気系を流れる気体の流量を調整するステップとを含む。
その基板洗浄方法においては、第１の基板保持部により、基板が水平姿勢で回転することなく保持される。この状態で、基板が洗浄される。第１の基板保持部により保持された基板の洗浄時には、基板が回転しないので、基板から洗浄液が飛散しにくい。したがって、処理空間の気体が排出されない場合でも、処理空間内の清浄度は高く維持される。あるいは、比較的低い第１の流量で処理空間の気体が排出される場合でも、処理空間内の清浄度は高く維持される。
また、上記の基板洗浄方法においては、第２の基板保持部により、基板が水平姿勢で保持されつつ上下方向の軸の周りで回転する。この状態で、基板が洗浄される。第２の基板保持部により保持された基板の洗浄時には、基板が回転するので、基板から洗浄液が飛散しやすい。そこで、上記の基板洗浄方法においては、比較的高い第２の流量で処理空間の気体が排出される。この場合、基板から飛散する洗浄液が効率よく処理空間から排出される。それにより、処理空間内の清浄度が低下することが抑制される。
上記の処理室、第１の基板保持部、第２の基板保持部および排気系は、例えば一の基板洗浄装置を構成する。上記の方法によれば、一の基板洗浄装置において必要とされる排気設備の排気能力が経時的に調整される。そのため、一の排気設備について複数の基板洗浄装置を用いる場合には、第２の基板保持部により保持された基板の洗浄が同時に行われないように複数の基板洗浄装置を制御することができる。この場合、複数の基板洗浄装置に対して同時に必要とされる排気設備の排気能力のレベルが低減される。それにより、予め定められた排気能力を有する排気設備を用いてより多数の基板洗浄装置の処理空間の清浄度を高く維持することが可能になる。
（１０）基板洗浄方法は、第２の基板保持部により保持された基板の洗浄後、当該洗浄に用いられた洗浄液が基板から振り切られるように基板を回転させるステップをさらに含んでもよい。
上記の構成によれば、基板の洗浄液の振り切り時においても、比較的高い第２の流量で処理空間の気体が排出される。この場合、基板から飛散する洗浄液が効率よく処理空間から排出される。それにより、処理空間内の清浄度が低下することが抑制される。
（１１）第２の流量は、第３の流量および第３の流量よりも高い第４の流量を含み、第２の基板保持部により保持された基板を洗浄液を用いて洗浄するステップは、当該洗浄時に第２の基板保持部により保持された基板を第１の回転速度で回転させることを含み、基板から洗浄液を振り切るように基板を回転させるステップは、当該基板の洗浄液の振り切り時に第２の基板保持部により保持された基板を第１の回転速度よりも高い第２の回転速度で基板を回転させることを含み、第２の基板保持部により基板が保持されているときに排気系を流れる気体の流量を調整するステップは、第２の基板保持部により保持された基板の洗浄時に第３の流量で処理空間の気体が排出されるように排気系を流れる気体の流量を調整することと、第２の基板保持部による基板の洗浄液の振り切り時に第４の流量で処理空間の気体が排出されるように、排気系を流れる気体の流量を調整することとを含んでもよい。
洗浄時が付着した基板の回転速度が高くなると、基板から飛散する洗浄液のミストは処理空間内で拡散されやすい。上記の構成によれば、洗浄時における基板の第１の回転速度に比べて、洗浄液の振り切り時における基板の第２の回転速度が高い。そのため、基板の洗浄液の振り切り時には、洗浄液のミストは処理空間内で拡散されやすい。このような場合でも、基板の洗浄液の振り切り時には、基板の洗浄時の第１および第３の流量よりも高い第４の流量で、処理空間の気体が排出される。したがって、基板の洗浄液の振り切り時に、処理空間の清浄度が高く維持される。
また、上記の構成によれば、基板の回転速度の関係により、基板の洗浄時に処理空間内に飛散する洗浄液のミストの量は、基板の振り切り乾燥時に処理空間内に飛散する洗浄液のミストの量に比べて少ない。それにより、基板の洗浄時に排出される気体の第３の流量が基板の洗浄液の振り切り時に排出される気体の第４の流量より低い場合でも、基板の洗浄時には処理空間の清浄度を保つために十分な気体の排出が行われる。したがって、第２の基板保持部により基板が保持された状態で、過剰な排気能力が要求されることが防止される。
（１２）平面視で第２の基板保持部を取り囲むように処理カップが設けられ、第１の基板保持部により基板が保持されているときに排気系を流れる気体の流量を調整するステップおよび第２の基板保持部により基板が保持されているときに排気系を流れる気体の流量を調整するステップは、処理カップの底部から処理空間の気体を排出させることを含んでもよい。
この場合、第２の基板保持部により保持された基板から飛散する洗浄液を処理カップで受け止めることができる。また、処理カップ内で飛散する洗浄液のミストが、処理カップの底部から処理室の外部に円滑に排出される。
（１３）基板洗浄方法は、処理カップを支持するとともに、処理カップを、側面視で処理カップが第２の基板保持部により保持された基板に重なる第１の高さ位置と、側面視で処理カップが第２の基板保持部により保持された基板よりも下方の第２の高さ位置との間で上下方向に移動させるステップをさらに備え、処理カップを支持するとともに上下方向に移動させるステップは、第２の基板保持部により基板が保持されているときに基板から飛散する洗浄液を受け止めるように処理カップを第１の高さ位置に支持し、第１の基板保持部により基板が保持されているときに処理カップを第２の高さ位置に支持することを含んでもよい。
この場合、第２の基板保持部により基板が保持された状態で、基板から飛散する洗浄液が処理空間で拡散することが抑制される。したがって、処理空間内の清浄度が低下することが抑制される。
（１４）第６の発明に係る基板洗浄方法は、複数の基板を洗浄する基板洗浄方法であって、複数の基板洗浄装置を制御するステップを含み、複数の基板洗浄装置の各々は、基板を収容可能な処理空間を有する処理室と、基板の複数の部分に当接することにより、基板を回転させることなく水平姿勢で保持する第１の基板保持部と、基板に吸着することにより基板を水平姿勢で保持しつつ上下方向の軸の周りで回転させる第２の基板保持部と、処理空間において、第１の基板保持部により保持された基板を洗浄液を用いて洗浄し、第１の基板保持部により保持された基板の洗浄前または洗浄後に、第２の基板保持部により保持された基板を洗浄液を用いて洗浄する洗浄部と、処理空間と処理室の外部に設けられる排気設備とを接続し、処理空間の気体を排気設備により排出させる排気系と、第１の基板保持部により基板が保持されているときに処理空間の気体が排出されないかまたは第１の流量で処理空間の気体が排出され、第２の基板保持部により基板が保持されているときに第１の流量よりも高い第２の流量で処理空間の気体が排出されるように、排気系を流れる気体の流量を調整する排気量調整部とを備え、排気設備は、複数の基板洗浄装置に共通に用いられ、複数の基板洗浄装置を制御するステップは、複数の基板洗浄装置において第２の基板保持部により基板が同時に保持されないように、複数の基板洗浄装置の動作を制御することを含む。
その基板洗浄方法によれば、複数の基板洗浄装置に対して同時に必要とされる排気設備の排気能力のレベルを低減することができる。したがって、予め定められた排気能力を有する排気設備を用いてより多数の基板洗浄装置の処理空間の清浄度を高く維持することが可能になる。
（１５）第７の発明に係る基板洗浄方法は、複数の基板を洗浄する基板洗浄方法であって、複数の基板洗浄装置を制御するステップを含み、複数の基板洗浄装置の各々は、基板を収容可能な処理空間を有する処理室と、基板の複数の部分に当接することにより、基板を回転させることなく水平姿勢で保持する第１の基板保持部と、基板に吸着することにより基板を水平姿勢で保持しつつ上下方向の軸の周りで回転させる第２の基板保持部と、処理空間において、第１の基板保持部により保持された基板を洗浄液を用いて洗浄し、第１の基板保持部により保持された基板の洗浄前または洗浄後に、第２の基板保持部により保持された基板を洗浄液を用いて洗浄する洗浄部と、処理空間と処理室の外部に設けられる排気設備とを接続し、処理空間の気体を排気設備により排出させる排気系と、第１の基板保持部により基板が保持されているときに処理空間の気体が排出されないかまたは第１の流量で処理空間の気体が排出され、第２の基板保持部により基板が保持されているときに第１の流量よりも高い第２の流量で処理空間の気体が排出されるように、排気系を流れる気体の流量を調整する排気量調整部とを備え、第２の基板保持部は、当該第２の基板保持部により保持された基板の洗浄後、当該洗浄に用いられた洗浄液が基板から振り切られるように基板を回転させ、排気量調整部は、第２の基板保持部により保持された基板の洗浄時に第３の流量で処理空間の気体が排出されるように、かつ第２の基板保持部による基板の洗浄液の振り切り時に第４の流量で処理空間の気体が排出されるように、排気系を流れる気体の流量をさらに調整し、排気設備は、複数の基板洗浄装置に共通に用いられ、複数の基板洗浄装置を制御するステップは、複数の基板洗浄装置において基板の洗浄液の振り切りが同時に行われないように、複数の基板洗浄装置の動作を制御することを含む。
その基板洗浄方法によれば、複数の基板洗浄装置に対して同時に必要とされる排気設備の排気能力のレベルを低減することができる。したがって、予め定められた排気能力を有する排気設備を用いてより多数の基板洗浄装置の処理空間の清浄度を高く維持することが可能になる。
（１６）第８の発明に係る基板処理方法は、複数の基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、複数の基板処理装置を制御するステップを含み、複数の基板処理装置の各々は、基板を収容可能な処理空間を有する処理室と、処理空間において、基板に第１の処理を行い、第１の処理前または第１の処理後に基板に第２の処理を行う処理部と、処理空間と処理室の外部に設けられる排気設備とを接続し、処理空間の気体を排気設備により排出させる排気系と、第１の処理時に処理空間の気体が排出されないかまたは第１の流量で処理空間の気体が排出され、第２の処理時に第１の流量よりも高い第２の流量で処理空間の気体が排出されるように、排気系を流れる気体の流量を調整する排気量調整部とを備え、複数の基板処理装置を制御するステップは、複数の基板処理装置において複数の基板にそれぞれ第２の処理が同時に行われないように、複数の基板処理装置の動作を制御することを含む。
上記の複数の基板処理装置の各々においては、基板の第１の処理時に処理空間の気体が排出されないかまたは比較的低い第１の流量で処理空間の気体が排出される。一方、基板の第２の処理時に処理空間の気体が比較的高い第２の流量で処理空間の気体が排出される。
複数の基板処理装置においては、複数の基板に対する第２の処理が同時に行われない。この場合、複数の基板処理装置に対して同時に必要とされる排気設備の排気能力のレベルが低減される。それにより、予め定められた排気能力を有する排気設備を用いてより多数の基板処理装置の処理空間の清浄度を高く維持することが可能になる。
本発明によれば、予め定められた排気能力を有する排気設備を用いてより多数の基板洗浄装置またはより多数の基板処理装置の内部空間の清浄度を高く維持することが可能になる。
本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。 図１の基板洗浄装置の内部構成を示す外観斜視図である。 排気量調整部の詳細を説明するための基板洗浄装置の模式的側面図である。 排気量調整部の詳細を説明するための基板洗浄装置の模式的側面図である。 排気量調整部の詳細を説明するための基板洗浄装置の模式的側面図である。 図１の基板洗浄装置の制御系統の構成を示すブロック図である。 図１の基板洗浄装置の概略動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の概略動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の概略動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の概略動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の概略動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の概略動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の概略動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の概略動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の概略動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の概略動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の概略動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の概略動作を説明するための模式図である。 排出調整テーブルの一例を示す図である。 複数の基板洗浄装置を備える基板洗浄システムの一例を示す模式的平面図である。 図２０の基板洗浄システムの模式的側面図である。 図２１の基板洗浄システムにおける第１～第４の基板洗浄装置の一制御例を説明するための図である。 図２１の基板洗浄システムにおける第１～第４の基板洗浄装置の他の制御例を説明するための図である。
以下、本発明の実施の形態に係る基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板処理システム、基板洗浄方法および基板処理方法について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。また、本実施の形態で用いられる基板は、少なくとも一部が円形の外周部を有する。例えば、位置決め用のノッチを除く外周部が円形を有する。
１．基板洗浄装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。図２は、図１の基板洗浄装置１の内部構成を示す外観斜視図である。本実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。図１および図２以降の所定の図では、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向が適宜矢印で示される。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
図１に示すように、基板洗浄装置１は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂ、下側保持装置２０、台座装置３０、受渡装置４０、下面洗浄装置５０、カップ装置６０、上面洗浄装置７０、端部洗浄装置８０および開閉装置９０を備える。これらの構成要素は、ユニット筐体２内に設けられる。図２では、ユニット筐体２が点線で示される。
ユニット筐体２は、矩形の底面部２ａと、底面部２ａの４辺から上方に延びる４つの側壁部２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅとを有する。さらに、ユニット筐体２は、４つの側壁部２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅをつなぐ天面部２ｆ（図２）を有する。側壁部２ｂ，２ｃが互いに対向し、側壁部２ｄ，２ｅが互いに対向する。４つの側壁部２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅにより取り囲まれる空間は、基板Ｗに所定の処理（本例では洗浄処理）を行うための処理空間２Ｓとして機能する。
側壁部２ｂの中央部には、矩形の開口が形成されている。この開口は、基板Ｗの搬入搬出口２ｘであり、ユニット筐体２に対する基板Ｗの搬入時および搬出時に用いられる。図２では、搬入搬出口２ｘが太い点線で示される。以下の説明においては、Ｙ方向のうちユニット筐体２の内部から搬入搬出口２ｘを通してユニット筐体２の外方に向く方向（側壁部２ｃから側壁部２ｂを向く方向）を前方と呼び、その逆の方向（側壁部２ｂから側壁部２ｃを向く方向）を後方と呼ぶ。
側壁部２ｂにおける搬入搬出口２ｘの形成部分およびその近傍の領域には、開閉装置９０が設けられている。開閉装置９０は、搬入搬出口２ｘを開閉可能に構成されたシャッタ９１と、シャッタ９１を駆動するシャッタ駆動部９２とを含む。図２では、シャッタ９１が太い二点鎖線で示される。シャッタ駆動部９２は、基板洗浄装置１に対する基板Ｗの搬入時および搬出時に搬入搬出口２ｘを開放するようにシャッタ９１を駆動する。また、シャッタ駆動部９２は、基板洗浄装置１における基板Ｗの洗浄時に搬入搬出口２ｘを閉塞するようにシャッタ９１を駆動する。
底面部２ａの中央部には、台座装置３０が設けられている。台座装置３０は、リニアガイド３１、可動台座３２および台座駆動部３３を含む。リニアガイド３１は、２本のレールを含み、平面視で側壁部２ｂの近傍から側壁部２ｃの近傍までＹ方向に延びるように設けられている。可動台座３２は、リニアガイド３１の２本のレール上でＹ方向に移動可能に設けられている。台座駆動部３３は、例えばパルスモータを含み、リニアガイド３１上で可動台座３２をＹ方向に移動させる。
可動台座３２上には、下側保持装置２０および下面洗浄装置５０がＹ方向に並ぶように設けられている。下側保持装置２０は、吸着保持部２１および吸着保持駆動部２２を含む。吸着保持部２１は、いわゆるスピンチャックであり、基板Ｗの下面を吸着保持可能な円形の吸着面を有し、上下方向に延びる軸（Ｚ方向の軸）の周りで回転可能に構成される。以下の説明では、吸着保持部２１により基板Ｗが吸着保持される際に、基板Ｗの下面のうち吸着保持部２１の吸着面が吸着すべき領域を下面中央領域と呼ぶ。一方、基板Ｗの下面のうち下面中央領域を取り囲む領域を下面外側領域と呼ぶ。
吸着保持駆動部２２は、モータを含む。吸着保持駆動部２２のモータは、回転軸が上方に向かって突出するように可動台座３２上に設けられている。吸着保持部２１は、吸着保持駆動部２２の回転軸の上端部に取り付けられる。また、吸着保持駆動部２２の回転軸には、吸着保持部２１において基板Ｗを吸着保持するための吸引経路が形成されている。その吸引経路は、図示しない吸気装置に接続されている。吸着保持駆動部２２は、吸着保持部２１を上記の回転軸の周りで回転させる。
可動台座３２上には、下側保持装置２０の近傍にさらに受渡装置４０が設けられている。受渡装置４０は、複数（本例では３本）の支持ピン４１、ピン連結部材４２およびピン昇降駆動部４３を含む。ピン連結部材４２は、平面視で吸着保持部２１を取り囲むように形成され、複数の支持ピン４１を連結する。複数の支持ピン４１は、ピン連結部材４２により互いに連結された状態で、ピン連結部材４２から一定長さ上方に延びる。ピン昇降駆動部４３は、可動台座３２上でピン連結部材４２を昇降させる。これにより、複数の支持ピン４１が吸着保持部２１に対して相対的に昇降する。
下面洗浄装置５０は、下面ブラシ５１、２つの液ノズル５２、気体噴出部５３、昇降支持部５４、移動支持部５５、下面ブラシ回転駆動部５５ａ、下面ブラシ昇降駆動部５５ｂおよび下面ブラシ移動駆動部５５ｃを含む。移動支持部５５は、可動台座３２上の一定領域内で下側保持装置２０に対してＹ方向に移動可能に設けられている。図２に示すように、移動支持部５５上に、昇降支持部５４が昇降可能に設けられている。昇降支持部５４は、吸着保持部２１から遠ざかる方向（本例では後方）において斜め下方に傾斜する上面５４ｕを有する。
図１に示すように、下面ブラシ５１は、平面視において円形の外形を有し、本実施の形態においては比較的大型に形成される。具体的には、下面ブラシ５１の直径は、吸着保持部２１の吸着面の直径よりも大きく、例えば吸着保持部２１の吸着面の直径の１．３倍である。また、下面ブラシ５１の直径は、基板Ｗの直径の１／３よりも大きくかつ１／２よりも小さい。なお、基板Ｗの直径は、例えば３００ｍｍである。
下面ブラシ５１は、基板Ｗの下面に接触可能な洗浄面を有する。また、下面ブラシ５１は、洗浄面が上方を向くようにかつ洗浄面が当該洗浄面の中心を通って上下方向に延びる軸の周りで回転可能となるように、昇降支持部５４の上面５４ｕに取り付けられている。
２つの液ノズル５２の各々は、下面ブラシ５１の近傍に位置しかつ液体吐出口が上方を向くように、昇降支持部５４の上面５４ｕ上に取り付けられている。液ノズル５２には、下面洗浄液供給部５６（図６）が接続されている。下面洗浄液供給部５６は、液ノズル５２に洗浄液を供給する。液ノズル５２は、下面ブラシ５１による基板Ｗの洗浄時に、下面洗浄液供給部５６から供給される洗浄液を基板Ｗの下面に吐出する。本実施の形態では、液ノズル５２に供給される洗浄液として純水が用いられる。
気体噴出部５３は、一方向に延びる気体噴出口を有するスリット状の気体噴射ノズルである。気体噴出部５３は、平面視で下面ブラシ５１と吸着保持部２１との間に位置しかつ気体噴射口が上方を向くように、昇降支持部５４の上面５４ｕに取り付けられている。気体噴出部５３には、噴出気体供給部５７（図６）が接続されている。噴出気体供給部５７は、気体噴出部５３に気体を供給する。本実施の形態では、気体噴出部５３に供給される気体として窒素ガス等の不活性ガスが用いられる。気体噴出部５３は、下面ブラシ５１による基板Ｗの洗浄時および後述する基板Ｗの下面の乾燥時に、噴出気体供給部５７から供給される気体を基板Ｗの下面に噴射する。この場合、下面ブラシ５１と吸着保持部２１との間に、Ｘ方向に延びる帯状の気体カーテンが形成される。
下面ブラシ回転駆動部５５ａは、モータを含み、下面ブラシ５１による基板Ｗの洗浄時に下面ブラシ５１を回転させる。下面ブラシ昇降駆動部５５ｂは、ステッピングモータまたはエアシリンダを含み、移動支持部５５に対して昇降支持部５４を昇降させる。下面ブラシ移動駆動部５５ｃは、モータを含み、可動台座３２上で移動支持部５５をＹ方向に移動させる。ここで、可動台座３２における下側保持装置２０の位置は固定されている。そのため、下面ブラシ移動駆動部５５ｃによる移動支持部５５のＹ方向の移動時には、移動支持部５５が下側保持装置２０に対して相対的に移動する。以下の説明では、可動台座３２上で下側保持装置２０に最も近づくときの下面洗浄装置５０の位置を接近位置と呼び、可動台座３２上で下側保持装置２０から最も離れたときの下面洗浄装置５０の位置を離間位置と呼ぶ。
底面部２ａの中央部には、さらにカップ装置６０が設けられている。カップ装置６０は、カップ６１およびカップ駆動部６２を含む。カップ６１は、平面視で下側保持装置２０および台座装置３０を取り囲むようにかつ昇降可能に設けられている。図２においては、カップ６１が点線で示される。カップ駆動部６２は、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面におけるどの部分を洗浄するのかに応じてカップ６１を下カップ位置と上カップ位置との間で移動させる。下カップ位置はカップ６１の上端部が吸着保持部２１により吸着保持される基板Ｗよりも下方にある高さ位置である。すなわち、カップ６１が下カップ位置にある状態で、カップ６１は、側面視で吸着保持部２１により保持される基板Ｗよりも下方に位置する。また、上カップ位置はカップ６１の上端部が吸着保持部２１よりも上方にある高さ位置である。すなわち、カップ６１が上カップ位置にある状態で、カップ６１は、側面視で吸着保持部２１により保持される基板Ｗに重なる。
カップ６１の底部には、基板洗浄装置１の外部に延びる排気系９４の一端部が接続されている。排気系９４の他端部は、基板洗浄装置１の外部に設けられた工場の排気設備９９に接続されている。
排気系９４は、主として配管により構成される。排気系９４は、配管の他、継手またはバルブ等の流体関連機器を含んでもよい。基板洗浄装置１の内部には、排気系９４の一部に排気量調整部９５が設けられている。排気量調整部９５の詳細は後述する。排気設備９９は、例えば排気ファンを含み、排気系９４内の空気を吸引し、排気系９４の外部に排出する。排気設備９９は、予め定められた排気能力（単位時間あたりに排出可能な気体の量）を有する。排気設備９９の作動時に、排気系９４の内部空間は処理空間２Ｓよりも気圧が低くなる。このため、基板洗浄装置１の処理空間２Ｓ内の雰囲気は、排気系９４を通して吸引され、基板洗浄装置１の外部へ排出される。
図３～図５は、排気量調整部９５の詳細を説明するための基板洗浄装置１の模式的側面図である。図３に示すように、基板洗浄装置１の処理空間２Ｓにおいて、天面部２ｆの近傍には、気体供給ダクト９３が設けられている。気体供給ダクト９３には、ユニット筐体２の外部に設けられた気体供給装置９８から清浄な空気が供給される。気体供給ダクト９３は、下方に向かって開口する気体吐出口９３ａを有する。気体供給ダクト９３に供給された清浄な空気は、図３に太い点線の矢印で示すように、気体吐出口９３ａから底面部２ａに向かって供給される。それにより、処理空間２Ｓ内に清浄な空気の下降気流が発生する。
排気量調整部９５は、回転軸９５ａ、ダンパ９５ｂおよびアクチュエータ９５ｃを含み、処理空間２Ｓ内で排気系９４の一部に設けられている。より具体的には、回転軸９５ａは、排気系９４の配管内部に固定されている。回転軸９５ａには、ダンパ９５ｂが排気系９４の配管内部で回転可能に取り付けられている。
図３～図５では、排気量調整部９５の構造の理解を容易にするために、排気系９４の内部に設けられる回転軸９５ａおよびダンパ９５ｂが実線で示される。アクチュエータ９５ｃは、後述する制御部９（図６）の制御に基づいて、回転軸９５ａを基準とする予め定められた複数（本例では３つ）の回転角度位置の間でダンパ９５ｂを回転させる。また、アクチュエータ９５ｃは、予め定められた複数の回転角度位置のうちいずれか一の回転角度位置でダンパ９５ｂを保持する。本実施の形態では、予め定められた３つの回転角度位置として、第１の回転角度位置、第２の回転角度位置および第３の回転角度位置が定められているものとする。
図３の例では、第１の回転角度位置に保持されたダンパ９５ｂの状態が示される。図３に示すように、ダンパ９５ｂは、第１の回転角度位置にある状態で排気系９４内部の気体流路の大部分を閉塞する。このとき、排気系９４の内周面とダンパ９５ｂとの間にはわずかな隙間が形成される。それにより、ダンパ９５ｂが第１の回転角度位置にある場合には、図３に実線の矢印で示すように、比較的低い第１の流量で処理空間２Ｓの気体が排気系９４を通してユニット筐体２の外部に排出される。
一方、図４の例では、第２の回転角度位置に保持されたダンパ９５ｂの状態が示される。図４に示すように、ダンパ９５ｂは、第２の回転角度位置にある状態で排気系９４内部の気体流路の略半分を閉塞する。それにより、ダンパ９５ｂが第２の回転角度位置にある場合には、図４に太い実線の矢印で示すように、第１の流量よりも大きい第２の流量で処理空間２Ｓの気体が排気系９４を通してユニット筐体２の外部に排出される。
他方、図５の例では、第３の回転角度位置に保持されたダンパ９５ｂの状態が示される。図５に示すように、ダンパ９５ｂは、第３の回転角度位置にある状態で排気系９４内部の気体流路の大部分を解放する。それにより、ダンパ９５ｂが第３の回転角度位置にある場合には、図５に白抜きの矢印で示すように、第２の流量よりも大きい第３の流量で処理空間２Ｓの気体が排気系９４を通してユニット筐体２の外部に排出される。
上記のように、排気量調整部９５によれば、ダンパ９５ｂの回転角度位置を調整することにより、処理空間２Ｓから排気系９４を通して排気設備９９により排出される気体の流量を調整することができる。ここで、排気系９４を通して排出される気体の流量とは、単位時間あたりに排気系９４を流れる気体の量である。
図２に示すように、カップ６１よりも上方の高さ位置には、平面視で台座装置３０を挟んで対向するように一対の上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが設けられている。上側保持装置１０Ａは、下チャック１１Ａ、上チャック１２Ａ、下チャック駆動部１３Ａおよび上チャック駆動部１４Ａを含む。上側保持装置１０Ｂは、下チャック１１Ｂ、上チャック１２Ｂ、下チャック駆動部１３Ｂおよび上チャック駆動部１４Ｂを含む。
下チャック１１Ａ，１１Ｂは、平面視で吸着保持部２１の中心を通ってＹ方向（前後方向）に延びる鉛直面に関して対称に配置され、共通の水平面内でＸ方向に移動可能に設けられている。下チャック１１Ａ，１１Ｂの各々は、基板Ｗの下面周縁部を基板Ｗの下方から支持可能な２本の支持片を有する。下チャック駆動部１３Ａ，１３Ｂは、下チャック１１Ａ，１１Ｂが互いに近づくように、または下チャック１１Ａ，１１Ｂが互いに遠ざかるように、下チャック１１Ａ，１１Ｂを移動させる。
上チャック１２Ａ，１２Ｂは、下チャック１１Ａ，１１Ｂと同様に、平面視で吸着保持部２１の中心を通ってＹ方向（前後方向）に延びる鉛直面に関して対称に配置され、共通の水平面内でＸ方向に移動可能に設けられている。上チャック１２Ａ，１２Ｂの各々は、基板Ｗの外周端部の２つの部分に当接して基板Ｗの外周端部を保持可能に構成された２本の保持片を有する。上チャック駆動部１４Ａ，１４Ｂは、上チャック１２Ａ，１２Ｂが互いに近づくように、または上チャック１２Ａ，１２Ｂが互いに遠ざかるように、上チャック１２Ａ，１２Ｂを移動させる。
図１に示すように、カップ６１の一側方においては、平面視で上側保持装置１０Ｂの近傍に位置するように、上面洗浄装置７０が設けられている。上面洗浄装置７０は、回転支持軸７１、アーム７２、スプレーノズル７３および上面洗浄駆動部７４を含む。
回転支持軸７１は、底面部２ａ上で、上下方向に延びるようにかつ昇降可能かつ回転可能に上面洗浄駆動部７４により支持される。アーム７２は、図２に示すように、上側保持装置１０Ｂよりも上方の位置で、回転支持軸７１の上端部から水平方向に延びるように設けられている。アーム７２の先端部には、スプレーノズル７３が取り付けられている。
スプレーノズル７３には、上面洗浄流体供給部７５（図６）が接続される。上面洗浄流体供給部７５は、スプレーノズル７３に洗浄液および気体を供給する。本実施の形態では、スプレーノズル７３に供給される洗浄液として純水が用いられ、スプレーノズル７３に供給される気体として窒素ガス等の不活性ガスが用いられる。スプレーノズル７３は、基板Ｗの上面の洗浄時に、上面洗浄流体供給部７５から供給される洗浄液と気体とを混合して混合流体を生成し、生成された混合流体を下方に噴射する。
上面洗浄駆動部７４は、１または複数のパルスモータおよびエアシリンダ等を含み、回転支持軸７１を昇降させるとともに、回転支持軸７１を回転させる。上記の構成によれば、吸着保持部２１により吸着保持されて回転される基板Ｗの上面上で、スプレーノズル７３を円弧状に移動させることにより、基板Ｗの上面全体を洗浄することができる。
図１に示すように、カップ６１の他側方においては、平面視で上側保持装置１０Ａの近傍に位置するように、端部洗浄装置８０が設けられている。端部洗浄装置８０は、回転支持軸８１、アーム８２、ベベルブラシ８３およびベベルブラシ駆動部８４を含む。
回転支持軸８１は、底面部２ａ上で、上下方向に延びるようにかつ昇降可能かつ回転可能にベベルブラシ駆動部８４により支持される。アーム８２は、図２に示すように、上側保持装置１０Ａよりも上方の位置で、回転支持軸８１の上端部から水平方向に延びるように設けられている。アーム８２の先端部には、下方に向かって突出するようにかつ上下方向の軸の周りで回転可能となるようにベベルブラシ８３が設けられている。
ベベルブラシ８３は、上半部が逆円錐台形状を有するとともに下半部が円錐台形状を有する。このベベルブラシ８３によれば、外周面の上下方向における中央部分で基板Ｗの外周端部を洗浄することができる。
ベベルブラシ駆動部８４は、１または複数のパルスモータおよびエアシリンダ等を含み、回転支持軸８１を昇降させるとともに、回転支持軸８１を回転させる。上記の構成によれば、吸着保持部２１により吸着保持されて回転される基板Ｗの外周端部にベベルブラシ８３の外周面の中央部分を接触させることにより、基板Ｗの外周端部全体を洗浄することができる。
ここで、ベベルブラシ駆動部８４は、さらにアーム８２に内蔵されるモータを含む。そのモータは、アーム８２の先端部に設けられるベベルブラシ８３を上下方向の軸の周りで回転させる。したがって、基板Ｗの外周端部の洗浄時に、ベベルブラシ８３が回転することにより、基板Ｗの外周端部におけるベベルブラシ８３の洗浄力が向上する。
図６は、図１の基板洗浄装置１の制御系統の構成を示すブロック図である。図６の制御部９は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）および記憶装置を含む。ＲＡＭは、ＣＰＵの作業領域として用いられる。ＲＯＭは、システムプログラムを記憶する。記憶装置は、制御プログラムを記憶する。ＣＰＵが記憶装置に記憶された基板洗浄プログラムをＲＡＭ上で実行することにより基板洗浄装置１の各部の動作が制御される。
図６に示すように、制御部９は、主として、基板洗浄装置１に搬入される基板Ｗを受け取り、吸着保持部２１の上方の位置で保持するために、下チャック駆動部１３Ａ，１３Ｂおよび上チャック駆動部１４Ａ，１４Ｂを制御する。また、制御部９は、主として、吸着保持部２１により基板Ｗを吸着保持するとともに吸着保持された基板Ｗを回転させるために、吸着保持駆動部２２を制御する。
また、制御部９は、主として、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗに対して可動台座３２を移動させるために、台座駆動部３３を制御する。また、制御部９は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗの高さ位置と、吸着保持部２１により保持される基板Ｗの高さ位置との間で基板Ｗを移動させるために、ピン昇降駆動部４３を制御する。
また、制御部９は、基板Ｗの下面を洗浄するために、下面ブラシ回転駆動部５５ａ、下面ブラシ昇降駆動部５５ｂ、下面ブラシ移動駆動部５５ｃ、下面洗浄液供給部５６および噴出気体供給部５７を制御する。また、制御部９は、吸着保持部２１により吸着保持された基板Ｗの洗浄時に基板Ｗから飛散する洗浄液をカップ６１で受け止めるために、カップ駆動部６２を制御する。
また、制御部９は、吸着保持部２１により吸着保持された基板Ｗの上面を洗浄するために、上面洗浄駆動部７４および上面洗浄流体供給部７５を制御する。また、制御部９は、吸着保持部２１により吸着保持された基板Ｗの外周端部を洗浄するために、ベベルブラシ駆動部８４を制御する。さらに、制御部９は、基板洗浄装置１における基板Ｗの搬入時および搬出時にユニット筐体２の搬入搬出口２ｘを開閉するために、シャッタ駆動部９２を制御する。また、制御部９は、排気系９４を流れる気体の流量を調整するために、排気量調整部９５を制御する。
２．基板洗浄装置の概略動作
図７～図１８は、図１の基板洗浄装置１の概略動作を説明するための模式図である。図７～図１８の各々においては、上段に基板洗浄装置１の平面図が示される。また、中段にＹ方向に沿って見た下側保持装置２０およびその周辺部の側面図が示され、下段にＸ方向に沿って見た下側保持装置２０およびその周辺部の側面図が示される。中段の側面図は図１のＡ－Ａ線側面図に対応し、下段の側面図は図１のＢ－Ｂ線側面図に対応する。なお、基板洗浄装置１における各構成要素の形状および動作状態の理解を容易にするために、上段の平面図と中段および下段の側面図との間では、一部の構成要素の拡縮率が異なる。また、図７～図１８では、カップ６１が二点鎖線で示されるとともに、基板Ｗの外形が太い一点鎖線で示される。
基板洗浄装置１に基板Ｗが搬入される前の初期状態においては、開閉装置９０のシャッタ９１が搬入搬出口２ｘを閉塞している。また、図１に示されるように、下チャック１１Ａ，１１Ｂは、互いの距離が基板Ｗの直径よりも十分に大きくなる状態で維持されている。また、上チャック１２Ａ，１２Ｂも、互いの距離が基板Ｗの直径よりも十分に大きくなる状態で維持されている。また、台座装置３０の可動台座３２は、平面視で吸着保持部２１の中心がカップ６１の中心に位置するように配置されている。可動台座３２上で下面洗浄装置５０は、接近位置に配置されている。下面洗浄装置５０の昇降支持部５４は、下面ブラシ５１の洗浄面（上端部）が吸着保持部２１よりも下方の位置にある。
また、受渡装置４０においては、複数の支持ピン４１が吸着保持部２１よりも下方に位置する状態にある。さらに、カップ装置６０においては、カップ６１は下カップ位置にある。以下の説明では、平面視におけるカップ６１の中心位置を平面基準位置ｒｐと呼ぶ。また、平面視で吸着保持部２１の中心が平面基準位置ｒｐにあるときの底面部２ａ上の可動台座３２の位置を第１の水平位置と呼ぶ。
基板洗浄装置１のユニット筐体２内に基板Ｗが搬入される。具体的には、基板Ｗの搬入の直前にシャッタ９１が搬入搬出口２ｘを開放する。その後、図７に太い実線の矢印ａ１で示すように、図示しない基板搬送ロボットのハンド（基板保持部）ＲＨが搬入搬出口２ｘを通してユニット筐体２内の略中央の位置に基板Ｗを搬入する。このとき、ハンドＲＨにより保持される基板Ｗは、図７に示すように、下チャック１１Ａおよび上チャック１２Ａと下チャック１１Ｂおよび上チャック１２Ｂとの間に位置する。
次に、図８に太い実線の矢印ａ２で示すように、下チャック１１Ａ，１１Ｂの複数の支持片が基板Ｗの下面周縁部の下方に位置するように、下チャック１１Ａ，１１Ｂが互いに近づく。この状態で、ハンドＲＨが下降し、搬入搬出口２ｘから退出する。それにより、ハンドＲＨに保持された基板Ｗの下面周縁部の複数の部分が、下チャック１１Ａ，１１Ｂの複数の支持片により支持される。ハンドＲＨの退出後、シャッタ９１は搬入搬出口２ｘを閉塞する。
次に、図９に太い実線の矢印ａ３で示すように、上チャック１２Ａ，１２Ｂの複数の保持片が基板Ｗの外周端部に当接するように、上チャック１２Ａ，１２Ｂが互いに近づく。上チャック１２Ａ，１２Ｂの複数の保持片が基板Ｗの外周端部の複数の部分に当接することにより、下チャック１１Ａ，１１Ｂにより支持された基板Ｗが上チャック１２Ａ，１２Ｂによりさらに保持される。また、図９に太い実線の矢印ａ４で示すように、吸着保持部２１が平面基準位置ｒｐから所定距離ずれるとともに下面ブラシ５１の中心が平面基準位置ｒｐに位置するように、可動台座３２が第１の水平位置から前方に移動する。このとき、底面部２ａ上に位置する可動台座３２の位置を第２の水平位置と呼ぶ。
次に、図１０に太い実線の矢印ａ５で示すように、下面ブラシ５１の洗浄面が基板Ｗの下面中央領域に接触するように、昇降支持部５４が上昇する。また、図１０に太い実線の矢印ａ６で示すように、下面ブラシ５１が上下方向の軸の周りで回転（自転）する。それにより、基板Ｗの下面中央領域に付着する汚染物質が下面ブラシ５１により物理的に剥離される。
図１０の下段には、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面に接触する部分の拡大側面図が吹き出し内に示される。その吹き出し内に示されるように、下面ブラシ５１が基板Ｗに接触する状態で、液ノズル５２および気体噴出部５３は、基板Ｗの下面に近接する位置に保持される。このとき、液ノズル５２は、白抜きの矢印ａ５１で示すように、下面ブラシ５１の近傍の位置で基板Ｗの下面に向かって洗浄液を吐出する。これにより、液ノズル５２から基板Ｗの下面に供給された洗浄液が下面ブラシ５１と基板Ｗとの接触部に導かれることにより、下面ブラシ５１により基板Ｗの裏面から除去された汚染物質が洗浄液により洗い流される。このように、下面洗浄装置５０においては、液ノズル５２が下面ブラシ５１とともに昇降支持部５４に取り付けられている。それにより、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面の洗浄部分に効率よく洗浄液を供給することができる。したがって、洗浄液の消費量が低減されるとともに洗浄液の過剰な飛散が抑制される。
ここで、昇降支持部５４の上面５４ｕは、吸着保持部２１から遠ざかる方向において斜め下方に傾斜している。この場合、基板Ｗの下面から汚染物質を含む洗浄液が昇降支持部５４上に落下する場合に、上面５４ｕによって受け止められた洗浄液が吸着保持部２１から遠ざかる方向に導かれる。
また、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面の洗浄時には、気体噴出部５３が、図１０の吹き出し内に白抜きの矢印ａ５２で示すように、下面ブラシ５１と吸着保持部２１との間の位置で基板Ｗの下面に向かって気体を噴射する。本実施の形態においては、気体噴出部５３は、気体噴射口がＸ方向に延びるように昇降支持部５４上に取り付けられている。この場合、気体噴出部５３から基板Ｗの下面に気体が噴射される際には、下面ブラシ５１と吸着保持部２１との間でＸ方向に延びる帯状の気体カーテンが形成される。それにより、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面の洗浄時に、汚染物質を含む洗浄液が吸着保持部２１に向かって飛散することが防止される。したがって、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面の洗浄時に、汚染物質を含む洗浄液が吸着保持部２１に付着することが防止され、吸着保持部２１の吸着面が清浄に保たれる。
なお、図１０の例においては、気体噴出部５３は、白抜きの矢印ａ５２で示すように、気体噴出部５３から下面ブラシ５１に向かって斜め上方に気体を噴射するが、本発明はこれに限定されない。気体噴出部５３は、気体噴出部５３から基板Ｗの下面に向かってＺ方向に沿うように気体を噴射してもよい。
次に、図１０の状態で、基板Ｗの下面中央領域の洗浄が完了すると、下面ブラシ５１の回転が停止され、下面ブラシ５１の洗浄面が基板Ｗから所定距離離間するように、昇降支持部５４が下降する。また、液ノズル５２から基板Ｗへの洗浄液の吐出が停止される。このとき、気体噴出部５３から基板Ｗへの気体の噴射は継続される。
その後、図１１に太い実線の矢印ａ７で示すように、吸着保持部２１が平面基準位置ｒｐに位置するように、可動台座３２が後方に移動する。すなわち、可動台座３２は、第２の水平位置から第１の水平位置に移動する。このとき、気体噴出部５３から基板Ｗへの気体の噴射が継続されることにより、基板Ｗの下面中央領域が気体カーテンにより順次乾燥される。
次に、図１２に太い実線の矢印ａ８で示すように、下面ブラシ５１の洗浄面が吸着保持部２１の吸着面（上端部）よりも下方に位置するように、昇降支持部５４が下降する。また、図１２に太い実線の矢印ａ９で示すように、上チャック１２Ａ，１２Ｂの複数の保持片が基板Ｗの外周端部から離間するように、上チャック１２Ａ，１２Ｂが互いに遠ざかる。このとき、基板Ｗは、下チャック１１Ａ，１１Ｂにより支持された状態となる。
その後、図１２に太い実線の矢印ａ１０で示すように、複数の支持ピン４１の上端部が下チャック１１Ａ，１１Ｂよりもわずかに上方に位置するように、ピン連結部材４２が上昇する。それにより、下チャック１１Ａ，１１Ｂにより支持された基板Ｗが、複数の支持ピン４１により受け取られる。
次に、図１３に太い実線の矢印ａ１１で示すように、下チャック１１Ａ，１１Ｂが互いに遠ざかる。このとき、下チャック１１Ａ，１１Ｂは、平面視で複数の支持ピン４１により支持される基板Ｗに重ならない位置まで移動する。それにより、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、ともに初期状態に戻る。
次に、図１４に太い実線の矢印ａ１２で示すように、複数の支持ピン４１の上端部が吸着保持部２１よりも下方に位置するように、ピン連結部材４２が下降する。それにより、複数の支持ピン４１上に支持された基板Ｗが、吸着保持部２１により受け取られる。この状態で、吸着保持部２１は、基板Ｗの下面中央領域を吸着保持する。ピン連結部材４２の下降と同時かまたはピン連結部材４２の下降完了後、図１４に太い実線の矢印ａ１３で示すように、カップ６１が下カップ位置から上カップ位置まで上昇する。
次に、図１５に太い実線の矢印ａ１４で示すように、吸着保持部２１が上下方向の軸（吸着保持駆動部２２の回転軸の軸心）の周りで回転する。それにより、吸着保持部２１に吸着保持された基板Ｗが水平姿勢で回転する。
次に、上面洗浄装置７０の回転支持軸７１が回転し、下降する。それにより、図１５に太い実線の矢印ａ１５で示すように、スプレーノズル７３が基板Ｗの中心の上方の位置まで移動し、スプレーノズル７３と基板Ｗとの間の距離が予め定められた距離となるように下降する。この状態で、スプレーノズル７３は、基板Ｗの上面に洗浄液と気体との混合流体を噴射する。また、回転支持軸７１が回転する。それにより、図１５に太い実線の矢印ａ１６で示すように、スプレーノズル７３が回転する基板Ｗの中心から外方に向かって移動する。基板Ｗの上面全体に混合流体が噴射されることにより、基板Ｗの上面全体が洗浄される。
また、スプレーノズル７３による基板Ｗの上面の洗浄時には、端部洗浄装置８０の回転支持軸８１も回転し、下降する。それにより、図１５に太い実線の矢印ａ１７で示すように、ベベルブラシ８３が基板Ｗの外周端部の上方の位置まで移動する。また、ベベルブラシ８３の外周面の中央部分が基板Ｗの外周端部に接触するように下降する。この状態で、ベベルブラシ８３が上下方向の軸の周りで回転（自転）する。それにより、基板Ｗの外周端部に付着する汚染物質がベベルブラシ８３により物理的に剥離される。基板Ｗの外周端部から剥離された汚染物質は、スプレーノズル７３から基板Ｗに噴射される混合流体の洗浄液により洗い流される。
さらに、スプレーノズル７３による基板Ｗの上面の洗浄時には、下面ブラシ５１の洗浄面が基板Ｗの下面外側領域に接触するように、昇降支持部５４が上昇する。また、図１５に太い実線の矢印ａ１８で示すように、下面ブラシ５１が上下方向の軸の周りで回転（自転）する。さらに、液ノズル５２は基板Ｗの下面に向かって洗浄液を吐出し、気体噴出部５３は基板Ｗの下面に向かって気体を噴射する。これにより、吸着保持部２１により吸着保持されて回転される基板Ｗの下面外側領域を全体に渡って下面ブラシ５１により洗浄することができる。
下面ブラシ５１の回転方向は、吸着保持部２１の回転方向とは逆であってもよい。この場合、基板Ｗの下面外側領域を効率よく洗浄することができる。なお、下面ブラシ５１が比較的大型でない場合、図１５に太い実線の矢印ａ１９で示すように、移動支持部５５が可動台座３２上で接近位置と離間位置との間を進退動作されてもよい。この場合でも、吸着保持部２１により吸着保持されて回転される基板Ｗの下面外側領域を全体に渡って下面ブラシ５１により洗浄することができる。基板Ｗの上面、外周端部および下面外側領域の洗浄時（洗浄処理時）において、基板Ｗの回転速度は、第１の回転速度として例えば、２００ｒｐｍから５００ｒｐｍ程度に設定される。
次に、基板Ｗの上面、外周端部および下面外側領域の洗浄が完了すると、スプレーノズル７３から基板Ｗへの混合流体の噴射が停止される。また、図１６に太い実線の矢印ａ２０で示すように、スプレーノズル７３がカップ６１の一側方の位置（初期状態の位置）まで移動する。また、図１６に太い実線の矢印ａ２１で示すように、ベベルブラシ８３がカップ６１の他側方の位置（初期状態の位置）まで移動する。さらに、下面ブラシ５１の回転が停止され、下面ブラシ５１の洗浄面が基板Ｗから所定距離離間するように、昇降支持部５４が下降する。また、液ノズル５２から基板Ｗへの洗浄液の吐出、および気体噴出部５３から基板Ｗへの気体の噴射が停止される。この状態で、吸着保持部２１が高速で回転することにより、基板Ｗに付着する洗浄液が振り切られ、基板Ｗの全体が乾燥する（乾燥処理）。基板Ｗの洗浄液の振り切り時（乾燥処理時）において、基板Ｗの回転速度は、第１の回転速度よりも高い第２の回転速度として例えば、２０００ｒｐｍから４０００ｒｐｍ程度に設定される。
次に、図１７に太い実線の矢印ａ２２で示すように、カップ６１が上カップ位置から下カップ位置まで下降する。また、新たな基板Ｗがユニット筐体２内に搬入されることに備えて、図１７に太い実線の矢印ａ２３で示すように、新たな基板Ｗを支持可能な位置まで下チャック１１Ａ，１１Ｂが互いに近づく。
最後に、基板洗浄装置１のユニット筐体２内から基板Ｗが搬出される。具体的には、基板Ｗの搬出の直前にシャッタ９１が搬入搬出口２ｘを開放する。その後、図１８に太い実線の矢印ａ２４で示すように、図示しない基板搬送ロボットのハンド（基板保持部）ＲＨが搬入搬出口２ｘを通してユニット筐体２内に進入する。続いて、ハンドＲＨは、吸着保持部２１上の基板Ｗを受け取り、搬入搬出口２ｘから退出する。ハンドＲＨの退出後、シャッタ９１は搬入搬出口２ｘを閉塞する。
３．排気量調整部９５の制御例
本実施の形態に係る制御部９においては、記憶装置に、予め基板Ｗの保持状態と、基板Ｗの処理状態と、処理空間２Ｓから排出されるべき気体の流量との関係を示すテーブルが、排出調整テーブルとして記憶されている。以下、処理空間２Ｓから排気系９４を通して排出されるべき気体の流量を目標流量と呼ぶ。図１９は、排出調整テーブルの一例を示す図である。
図１９の排出調整テーブルでは、基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂおよび吸着保持部２１のいずれにも保持されていない状態に対して目標流量が第１の流量に設定されている。また、基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持されかつ当該基板Ｗに処理が行われていない状態に対して目標流量が第１の流量に設定されている。さらに、基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持されかつ当該基板Ｗに洗浄処理または乾燥処理が行われている状態に対して目標流量が第１の流量に設定されている。基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持されている状態においては、基板Ｗは回転しておらず、図２のカップ６１は下カップ位置にある。
また、基板Ｗが吸着保持部２１により保持されかつ当該基板Ｗに処理が行われていない状態に対して目標流量が第２の流量に設定されている。また、基板Ｗが吸着保持部２１により保持されかつ当該基板Ｗに洗浄処理が行われている状態に対して目標流量が第２の流量に設定されている。さらに、基板Ｗが吸着保持部２１により保持されかつ当該基板Ｗに乾燥処理が行われている状態に対して目標流量が第３の流量に設定されている。基板Ｗが吸着保持部２１により保持されかつ処理が行われていない状態においては、基板Ｗは回転しておらず、図２のカップ６１は下カップ位置にある。基板Ｗが吸着保持部２１により保持されかつ洗浄処理または乾燥処理が行われている状態においては、基板Ｗは回転し、図２のカップ６１は上カップ位置にある。
制御部９は、図７～図１８の基板洗浄装置１の一連の動作時に、図１９の排出調整テーブルに基づいて排気量調整部９５を制御する。具体的には、制御部９は、基板洗浄装置１が、図７、図８、図９、図１０、図１１、図１２および図１３で示される状態にあるときに、目標流量を第１の流量として排気量調整部９５を制御する。また、制御部９は、基板洗浄装置１が、図１４、図１５、図１７および図１８で示される状態にあるときに、目標流量を第２の流量として排気量調整部９５を制御する。さらに、制御部９は、基板洗浄装置１が図１６で示される状態にあるとき、すなわち基板Ｗの洗浄液の振り切り時（乾燥処理時）に、目標流量を第３の流量として排気量調整部９５を制御する。
４．基板洗浄装置１についての効果
（１）上記の基板洗浄装置１においては、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより、基板Ｗが水平姿勢で回転することなく保持される。この状態で、基板Ｗが洗浄される。上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗの洗浄時には、基板Ｗが回転しないので、基板Ｗから洗浄液が飛散しにくい。したがって、比較的低い第１の流量で処理空間２Ｓの気体が排出される場合でも、処理空間２Ｓ内の清浄度は高く維持される。
また、上記の基板洗浄装置１においては、下側保持装置２０により、基板Ｗが水平姿勢で保持されつつ上下方向の軸の周りで回転する。この状態で、基板Ｗが洗浄される。下側保持装置２０により保持された基板Ｗの洗浄時および基板Ｗの乾燥時には、基板Ｗが回転するので、基板Ｗから洗浄液が飛散しやすい。そこで、下側保持装置２０により基板Ｗが保持される場合には、比較的高い第２または第３の流量で処理空間２Ｓの気体が排出される。この場合、基板Ｗから飛散する洗浄液が効率よく処理空間２Ｓから排出される。それにより、処理空間２Ｓ内の清浄度が低下することが抑制される。
上記の構成によれば、一の基板洗浄装置１において必要とされる排気設備９９の排気能力が経時的に調整される。そのため、一の排気設備９９について複数の基板洗浄装置１を用いる場合には、下側保持装置２０により保持された基板Ｗの洗浄および乾燥が同時に行われないように複数の基板洗浄装置１を制御することができる。この場合、複数の基板洗浄装置１に対して同時に必要とされる排気設備９９の排気能力のレベルが低減される。それにより、予め定められた排気能力を有する排気設備９９を用いてより多数の基板洗浄装置１の処理空間２Ｓの清浄度を高く維持することが可能になる。
（２）洗浄時が付着した基板Ｗが回転する場合、回転速度が高くなるほど、基板Ｗから飛散する洗浄液のミストは処理空間２Ｓ内で拡散されやすい。上記の構成によれば、洗浄時における基板Ｗの第２の回転速度に比べて、洗浄液の振り切り時における基板Ｗの第３の回転速度が高い。そのため、基板Ｗの洗浄液の振り切り時には、洗浄液のミストは処理空間２Ｓ内で拡散されやすい。このような場合でも、基板Ｗの洗浄液の振り切り時には、基板Ｗの洗浄時の第１および第２の流量よりも高い第３の流量で、処理空間２Ｓの気体が排出される。したがって、基板Ｗの洗浄液の振り切り時に、処理空間２Ｓの清浄度が高く維持される。
また、上記の構成によれば、基板Ｗの回転速度の関係により、基板Ｗの洗浄時に処理空間２Ｓ内に飛散する洗浄液のミストの量は、基板Ｗの振り切り乾燥時に処理空間２Ｓ内に飛散する洗浄液のミストの量に比べて少ない。それにより、基板Ｗの洗浄時に排出される気体の第２の流量が基板Ｗの洗浄液の振り切り時に排出される気体の第３の流量より低い場合でも、基板Ｗの洗浄時には処理空間２Ｓの清浄度を保つために十分な気体の排出が行われる。したがって、下側保持装置２０により基板Ｗが保持された状態で、排気設備９９に過剰な排気能力が要求されることが防止される。
（３）上記の基板洗浄装置１においては、平面視で下側保持装置２０を取り囲むようにカップ６１が設けられている。排気系９４は、カップ６１の底部から処理空間２Ｓの気体が排出されるように設けられている。この場合、下側保持装置２０により保持された基板Ｗから飛散する洗浄液をカップ６１で受け止めることができる。また、カップ６１内で飛散する洗浄液のミストが、カップ６１の底部からユニット筐体２の外部に円滑に排出される。
５．複数の基板洗浄装置１を備える基板洗浄システム
（１）基板洗浄システムの基本構成
図２０は、複数の基板洗浄装置１を備える基板洗浄システムの一例を示す模式的平面図である。図２０に示すように、本実施の形態に係る基板洗浄システム１００は、インデクサブロック１１０および処理ブロック１２０を有する。インデクサブロック１１０および処理ブロック１２０は、互いに隣り合うように設けられている。
インデクサブロック１１０は、複数（本例では４つ）のキャリア載置台１４０および搬送部１５０を含む。複数のキャリア載置台１４０は、搬送部１５０に接続されている。各キャリア載置台１４０上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが載置される。搬送部１５０には、インデクサロボットＩＲおよび制御装置１１１が設けられている。インデクサロボットＩＲは、搬送部１５０内で移動可能に構成されるとともに、鉛直軸の周りで回転可能かつ昇降可能に構成されている。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを受け渡すための２つのハンドを有する。制御装置１１１は、ＣＰＵ、ＲＯＭおよびＲＡＭを含むコンピュータ等からなり、基板洗浄システム１００内の各構成部を制御する。
処理ブロック１２０は、洗浄部１６１および搬送部１６２を含む。洗浄部１６１および搬送部１６２は、搬送部１５０に隣り合うとともにこの順で並ぶように配置されている。洗浄部１６１においては、複数（本例では４つ）の基板洗浄装置１が上下に積層配置されている。
搬送部１６３には、メインロボットＭＲが設けられている。メインロボットＭＲは、鉛直軸の周りで回転可能かつ昇降可能に構成されている。メインロボットＭＲは、基板Ｗを受け渡すための２つのハンドを有する。このメインロボットＭＲのハンドは、上記のハンドＲＨに相当する。
インデクサブロック１１０と処理ブロック１２０との間には、インデクサロボットＩＲとメインロボットＭＲとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための複数の基板載置部ＰＡＳＳが上下に積層配置されている。
その基板洗浄システム１００においては、インデクサロボットＩＲは、複数のキャリア載置台１４０上に載置された複数のキャリアＣのうち一のキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出す。また、インデクサロボットＩＲは、取り出した未処理の基板Ｗを複数の基板載置部ＰＡＳＳのいずれか一の基板載置部ＰＡＳＳに載置する。さらに、インデクサロボットＩＲは、複数の基板載置部ＰＡＳＳのいずれかに載置されている処理済みの基板Ｗを受け取り、一のキャリアＣ内に収容する。
また、メインロボットＭＲは、複数の基板載置部ＰＡＳＳのいずれかに載置されている未処理の基板Ｗを受け取り、洗浄部１６１の複数の基板洗浄装置１のうちいずれかに搬入する。さらに、メインロボットＭＲは、複数の基板洗浄装置１のいずれかにおいて洗浄処理が終了すると、処理済みの基板Ｗを当該基板洗浄装置１から搬出し、複数の基板載置部ＰＡＳＳのいずれかに載置する。
上記のように、図２０の基板洗浄システム１００は、図１の基板洗浄装置１を複数有する。それにより、基板Ｗを反転させることなく基板Ｗの上面および下面を一の基板洗浄装置１内で洗浄することができる。したがって、基板Ｗの洗浄処理のスループットが向上する。また、複数の基板洗浄装置１が積層配置されることにより、フットプリントの増加が十分に低減される。
図２１は、図２０の基板洗浄システム１００の模式的側面図である。図２１の模式的側面図では、主として搬送部１５０の内部構成とともに洗浄部１６１の内部構成が示される。図２１に示すように、洗浄部１６１においては、４つの基板洗浄装置１が積層配置されている。以下の説明においては、図２１の４つの基板洗浄装置１をそれぞれ区別する場合に、最下部に位置する基板洗浄装置１を第１の基板洗浄装置１Ａと呼び、下から２段目に位置する基板洗浄装置１を第２の基板洗浄装置１Ｂと呼ぶ。また、下から３段目に位置する基板洗浄装置１を第３の基板洗浄装置１Ｃと呼び、最上部に位置する基板洗浄装置１を第４の基板洗浄装置１Ｄと呼ぶ。
第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄの各々が備える気体供給ダクト９３には、洗浄部１６１の外部に設けられる気体供給装置９８から清浄な空気が供給される。それにより、第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄの処理空間２Ｓ内に、清浄な空気の下降気流が形成される。
本実施の形態においては、基板洗浄システム１００が設置される工場に設けられた一の排気設備９９は、基板洗浄システム１００が備える第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄに共通に用いられる。第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄがそれぞれ備える４つの排気系９４は、第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄの４つのカップ６１の底部と排気設備９９とを接続する。
排気設備９９は、一定の排気能力で当該排気設備９９に導かれる気体を基板洗浄システム１００の外部に排出する。第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄの各々の処理空間２Ｓの気体は、当該基板洗浄装置１の排気系９４に設けられた排気量調整部９５の状態に応じて、第１～第３の流量のいずれかの流量で基板洗浄システム１００の外部に排出される。
（２）基板洗浄システムの一制御例
ここで、図１９の排出量製テーブルに記載された基板Ｗの処理状態のうち、基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂおよび吸着保持部２１のいずれにも保持されていない状態と、基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持されかつ当該基板Ｗに洗浄処理または乾燥処理が行われている状態とを、第１の処理状態と呼ぶ（図１９の太い点線枠参照）。また、基板Ｗが吸着保持部２１により保持されて当該基板Ｗに処理が行われていない状態と、基板Ｗが吸着保持部２１により保持されかつ当該基板Ｗに洗浄処理が行われている状態とを、第２の処理状態と呼ぶ（図１９の太い一点鎖線枠参照）。さらに、基板Ｗが吸着保持部２１により保持されて当該基板Ｗに乾燥処理が行われている状態を、第３の処理状態と呼ぶ（図１９の太い二点鎖線枠参照）。
基板洗浄システム１００の制御装置１１１は、例えば第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄの全てについて、第３の流量で同時に処理空間２Ｓの気体が排出されないように、第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄの動作を制御する。この場合の第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄの制御について、具体例を説明する。
図２２は、図２１の基板洗浄システム１００における第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄの一制御例を説明するための図である。図２２には、第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄの一制御例が基板Ｗの複数の処理状態を用いてタイムチャートで示される。
図２２の例では、第１の基板洗浄装置１Ａは、時点ｔ１から時点ｔ２にかけて基板Ｗが第１の処理状態で維持され、時点ｔ２から時点ｔ３にかけて基板Ｗが第２の処理状態で維持され、時点ｔ３から時点ｔ４にかけて基板Ｗが第３の処理状態で維持されるように、各部の動作が制御される。その後、時点ｔ４以降については、時点ｔ１から時点ｔ４までの動作が繰り返される。第２の基板洗浄装置１Ｂについては、第１の基板洗浄装置１Ａと同じタイミングで同じ動作が行われるように、各部の動作が制御される。
これに対して、第３の基板洗浄装置１Ｃは、時点ｔ２から時点ｔ３にかけて基板Ｗが第１の処理状態で維持され、時点ｔ３から時点ｔ４にかけて基板Ｗが第２の処理状態で維持され、時点ｔ４から時点ｔ５にかけて基板Ｗが第３の処理状態で維持されるように、各部の動作が制御される。その後、時点ｔ５以降については、時点ｔ２から時点ｔ５までの動作が繰り返される。第４の基板洗浄装置１Ｄについては、第３の基板洗浄装置１Ｃと同じタイミングで同じ動作が行われるように、各部の動作が制御される。
図２２の制御例によれば、基板洗浄システム１００内では、第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄにより処理される基板Ｗが、同時に第３の処理状態で維持されない。それにより、第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄの全てについて同時に第３の流量で処理空間２Ｓの気体が排出されることが防止される。この場合、複数の基板洗浄装置１に対して同時に必要とされる排気設備９９の排気能力のレベルが低減される。それにより、予め定められた排気能力を有する排気設備９９を用いてより多数の基板洗浄装置１の処理空間２Ｓの清浄度を高く維持することが可能になる。
（３）基板洗浄システムの他の制御例
図２２の例に限らず、基板洗浄システム１００の制御装置１１１は、例えば第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄの全てについて、第２および第３の流量のうち少なくとも一方の流量で同時に処理空間２Ｓの気体が排出されないように、第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄの動作を制御してもよい。この場合の第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄの制御について、具体例を説明する。
図２３は、図２１の基板洗浄システム１００における第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄの他の制御例を説明するための図である。図２３には、図２２の例と同様に、第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄの他の制御例が基板Ｗの複数の処理状態を用いてタイムチャートで示される。
図２３の例では、第１の基板洗浄装置１Ａは、時点ｔ１１から時点ｔ１２にかけて基板Ｗが第１の処理状態で維持され、時点ｔ１２から時点ｔ１３にかけて基板Ｗが第２の処理状態で維持され、時点ｔ１３から時点ｔ１４にかけて基板Ｗが第３の処理状態で維持されるように、各部の動作が制御される。その後、時点ｔ１４以降については、一定の間隔（第３の基板洗浄装置１Ｃにおいて基板Ｗを第２の処理状態で維持するために要する時間）をおいて、時点ｔ１１から時点ｔ１４までの動作が繰り返される。第２の基板洗浄装置１Ｂは、第１の基板洗浄装置１Ａと同じタイミングで同じ動作が行われるように、各部の動作が制御される。
これに対して、第３の基板洗浄装置１Ｃは、時点ｔ１３から時点ｔ１４にかけて基板Ｗが第１の処理状態で維持され、時点ｔ１４から時点ｔ１５にかけて基板Ｗが第２の処理状態で維持され、時点ｔ１５から時点ｔ１６にかけて基板Ｗが第３の処理状態で維持されるように、各部の動作が制御される。その後、時点ｔ１６以降については、一定の間隔（第１の基板洗浄装置１Ａにおいて基板Ｗを第２の処理状態で維持するために要する時間）をおいて時点ｔ１３から時点ｔ１６までの動作が繰り返される。第４の基板洗浄装置１Ｄは、第３の基板洗浄装置１Ｃと同じタイミングで同じ動作が行われるように、各部の動作が制御される。
図２３の制御例によれば、基板洗浄システム１００内では、第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄにより処理される基板Ｗが、同時に第２および第３の処理状態のうち少なくとも一方の処理状態で維持されない。それにより、第１～第４の基板洗浄装置１Ａ～１Ｄの全てについて同時に第２および第３の流量のうち少なくとも一方の流量で処理空間２Ｓの気体が排出されることが防止される。
この場合、複数の基板洗浄装置１に対して同時に必要とされる排気設備９９の排気能力のレベルが低減される。それにより、予め定められた排気能力を有する排気設備９９を用いてより多数の基板洗浄装置１の処理空間２Ｓの清浄度を高く維持することが可能になる。
６．他の実施の形態
（１）上記実施の形態においては、排気量調整部９５のダンパ９５ｂが第１の回転角度位置にある状態で、排気系９４の内周面とダンパ９５ｂとの間に隙間が形成されるが、本発明はこれに限定されない。排気量調整部９５のダンパ９５ｂが第１の回転角度位置にある状態で、排気系９４の内周面とダンパ９５ｂとの間に隙間が形成されなくてもよい。すなわち、ダンパ９５ｂは、第１の回転角度位置にある状態で排気系９４内部の気体流路を完全に閉塞してもよい。この場合、基板洗浄装置１においては、基板Ｗが基板Ｗが第１の処理状態にあるときに処理空間２Ｓの気体が基板洗浄装置１の外部に排出されない。
（２）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、ユニット筐体２の底面部２ａには、図示しない排気用の開口が形成されていてもよい。この場合、処理空間２Ｓ内に清浄な空気の下降気流が形成された状態で、排気系９４から気体が排出されない場合でも、処理空間２Ｓ内の気体の一部が図示しない排気口の開口からユニット筐体２の外部に排出される。
（３）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、下側保持装置２０により基板Ｗの下面中央領域が吸着保持されるが、本発明はこれに限定されない。基板洗浄装置１は、下側保持装置２０に代えて基板Ｗの上面中央部を吸着保持する保持装置を備えてもよい。この場合、基板Ｗの上面中央部を吸着保持する保持装置は、例えば上側保持装置１０Ａ，１０Ｂよりも上方に設けられてもよい。
（４）上記実施の形態では、基板Ｗを回転させることなく保持しつつ第１の処理を行い、基板Ｗを保持して回転させつつ第２の処理を行う基板処理装置の一例として基板洗浄装置１を説明した。また、複数の基板洗浄装置１を備える基板洗浄システム１００について説明した。なお、上記実施の形態においては、基板Ｗの下面中央領域の洗浄処理が第１の処理に相当し、基板Ｗの下面外側領域、外出Ｕ端部および上面の洗浄処理が第２の処理に相当する。しかしながら、本発明は上記の例に限定されない。
本発明に係る基板処理システムは、上記の基板洗浄装置１の例に限らず、互いに異なる第１および第２の処理として基板Ｗの洗浄処理以外の処理（塗布処理、熱処理または膜除去処理等）を行う複数の基板処理装置を有してもよい。
（５）上記実施の形態において、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにおいて基板Ｗの下面中央領域の洗浄が実行された後に、下側保持装置２０において基板Ｗの下面外側領域の洗浄が実行されるが、実施の形態はこれに限定されない。下側保持装置２０において基板Ｗの下面外側領域の洗浄が実行された後に、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにおいて基板Ｗの下面中央領域の洗浄が実行されてもよい。
（６）上記実施の形態において、基板洗浄装置１は制御部９を含むが、実施の形態はこれに限定されない。基板洗浄装置１が外部の情報処理装置により制御可能に構成されている場合には、基板洗浄装置１は制御部９を含まなくてもよい。また、上記実施の形態において、基板洗浄システム１００は、制御装置１１１を含むが実施の形態はこれに限定されない。基板洗浄システム１００が外部の情報処理装置により制御可能に構成されている場合には、基板洗浄システム１００は制御装置１１１を含まなくてもよい。
７．請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
上記実施の形態においては、基板Ｗが基板の例であり、基板洗浄装置１が基板洗浄装置および基板処理装置の例であり、処理空間２Ｓが処理空間の例であり、ユニット筐体２が処理室の例であり、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが第１の基板保持部の例であり、下側保持装置２０が第２の基板保持部の例である。
また、下面洗浄装置５０、上面洗浄装置７０および端部洗浄装置８０が洗浄部および処理部の例であり、排気設備９９が排気設備の例であり、排気系９４が排気系の例であり、排気量調整部９５が排気量調整部の例である。
また、上記実施の形態における第１の流量が第１の流量の例であり、上記実施の形態における第２および第３の流量が第２の流量の例であり、上記実施の形態における第２の流量が第３の流量の例であり、上記実施の形態における第３の流量が第４の流量の例である。
また、カップ６１が処理カップの例であり、上カップ位置が第１の高さ位置の例であり、下カップ位置が第２の高さ位置の例であり、カップ駆動部６２がカップ駆動部の例であり、制御装置１１１が洗浄制御部および処理制御部の例であり、基板洗浄システム１００が基板洗浄システムおよび基板処理システムの例である。
１…基板洗浄装置，２…ユニット筐体，２ａ…底面部，２ｂ～２ｅ…側壁部，２ｆ…天面部，２Ｓ…処理空間，２ｘ…搬入搬出口，９…制御部，１０Ａ，１０Ｂ…上側保持装置，１１Ａ，１１Ｂ…下チャック，１２Ａ，１２Ｂ…上チャック，１３Ａ，１３Ｂ…下チャック駆動部，１４Ａ，１４Ｂ…上チャック駆動部，２０…下側保持装置，２１…吸着保持部，２２…吸着保持駆動部，３０…台座装置，３１…リニアガイド，３２…可動台座，３３…台座駆動部，４０…受渡装置，４１…支持ピン，４２…ピン連結部材，４３…ピン昇降駆動部，５０…下面洗浄装置，５１…下面ブラシ，５２…液ノズル，５３…気体噴出部，５４…昇降支持部，５４ｕ…上面，５５…移動支持部，５５ａ…下面ブラシ回転駆動部，５５ｂ…下面ブラシ昇降駆動部，５５ｃ…下面ブラシ移動駆動部，５６…下面洗浄液供給部，５７…噴出気体供給部，６０…カップ装置，６１…カップ，６２…カップ駆動部，７０…上面洗浄装置，７１，８１…回転支持軸，７２，８２…アーム，７３…スプレーノズル，７４…上面洗浄駆動部，７５…上面洗浄流体供給部，８０…端部洗浄装置，８３…ベベルブラシ，８４…ベベルブラシ駆動部，９０…開閉装置，９１…シャッタ，９２…シャッタ駆動部，９３…気体供給ダクト，９３ａ…気体吐出口，９４…排気系，９５…排気量調整部，９５ａ…回転軸，９５ｂ…ダンパ，９５ｃ…アクチュエータ，９８…気体供給装置，９９…排気設備，１００…基板洗浄システム，１１０…インデクサブロック，１１１…制御装置，１２０…処理ブロック，１４０…キャリア載置台，１５０…搬送部，１６１…洗浄部，１６２…搬送部，Ｃ…キャリア，ＩＲ…インデクサロボット，ｍｒ…メインロボット，ＰＡＳＳ…基板載置部，ＲＨ…ハンド，ｒｐ…平面基準位置，Ｗ…基板

Claims (16)

  1. 基板を洗浄する基板洗浄装置であって、
    基板を収容可能な処理空間を有する処理室と、
    基板の複数の部分に当接することにより、基板を回転させることなく水平姿勢で保持する第１の基板保持部と、
    基板に吸着することにより基板を水平姿勢で保持しつつ上下方向の軸の周りで回転させる第２の基板保持部と、
    前記処理空間において、前記第１の基板保持部により保持された基板を洗浄液を用いて洗浄し、前記第１の基板保持部により保持された基板の洗浄前または洗浄後に、前記第２の基板保持部により保持された基板を洗浄液を用いて洗浄する洗浄部と、
    前記処理空間と前記処理室の外部に設けられる排気設備とを接続し、前記処理空間の気体を前記排気設備により排出させる排気系と、
    前記第１の基板保持部により基板が保持されているときに前記処理空間の気体が排出されないかまたは第１の流量で前記処理空間の気体が排出され、前記第２の基板保持部により基板が保持されているときに前記第１の流量よりも高い第２の流量で前記処理空間の気体が排出されるように、前記排気系を流れる気体の流量を調整する排気量調整部とを備える、基板洗浄装置。
  2. 前記第２の基板保持部は、当該第２の基板保持部により保持された基板の洗浄後、当該洗浄に用いられた洗浄液が基板から振り切られるように基板を回転させる、請求項１記載の基板洗浄装置。
  3. 前記第２の流量は、第３の流量および前記第３の流量よりも高い第４の流量を含み、
    前記第２の基板保持部は、当該第２の基板保持部により保持された基板の洗浄時に第１の回転速度で基板を回転させ、基板の洗浄液の振り切り時に前記第１の回転速度よりも高い第２の回転速度で基板を回転させ、
    前記排気量調整部は、前記第２の基板保持部により保持された基板の洗浄時に前記第３の流量で前記処理空間の気体が排出されるように、かつ前記第２の基板保持部による基板の洗浄液の振り切り時に前記第４の流量で前記処理空間の気体が排出されるように、前記排気系を流れる気体の流量を調整する、請求項２記載の基板洗浄装置。
  4. 平面視で前記第２の基板保持部を取り囲むように設けられた処理カップをさらに備え、
    前記排気系は、前記処理カップの底部から前記処理空間の気体が排出されるように設けられた、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
  5. 前記処理カップを支持するとともに、側面視で前記処理カップが前記第２の基板保持部により保持された基板に重なる第１の高さ位置と、側面視で前記処理カップが前記第２の基板保持部により保持された基板よりも下方の第２の高さ位置との間で上下方向に移動させるカップ駆動部をさらに備え、
    前記カップ駆動部は、前記第２の基板保持部により基板が保持されているときに基板から飛散する洗浄液を受け止めるように前記処理カップを前記第１の高さ位置に支持し、前記第１の基板保持部により基板が保持されているときに前記処理カップを前記第２の高さ位置に支持する、請求項４記載の基板洗浄装置。
  6. 請求項１～５のいずれか一項に記載の基板洗浄装置を複数有するとともに洗浄制御部を備え、
    前記排気設備は、前記複数の基板洗浄装置に共通に用いられ、
    前記洗浄制御部は、前記複数の基板洗浄装置において前記第２の基板保持部により基板が同時に保持されないように、前記複数の基板洗浄装置の動作を制御する、基板洗浄システム。
  7. 請求項２または３記載の基板洗浄装置を複数有するとともに洗浄制御部を備え、
    前記排気設備は、前記複数の基板洗浄装置に共通に用いられ、
    前記洗浄制御部は、前記複数の基板洗浄装置において基板の洗浄液の振り切りが同時に行われないように、前記複数の基板洗浄装置の動作を制御する、基板洗浄システム。
  8. 基板に所定の処理を行う基板処理システムであって、
    複数の基板処理装置と、
    前記複数の基板処理装置を制御する処理制御部とを備え、
    前記複数の基板処理装置の各々は、
    基板を収容可能な処理空間を有する処理室と、
    前記処理空間において、基板に第１の処理を行い、前記第１の処理前または前記第１の処理後に基板に第２の処理を行う処理部と、
    前記処理空間と前記処理室の外部に設けられる排気設備とを接続し、前記処理空間の気体を前記排気設備により排出させる排気系と、
    前記第１の処理時に前記処理空間の気体が排出されないかまたは第１の流量で前記処理空間の気体が排出され、前記第２の処理時に前記第１の流量よりも高い第２の流量で前記処理空間の気体が排出されるように、前記排気系を流れる気体の流量を調整する排気量調整部とを備え、
    前記処理制御部は、前記複数の基板処理装置において複数の基板にそれぞれ前記第２の処理が同時に行われないように、前記複数の基板処理装置の動作を制御する、基板処理システム。
  9. 基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
    処理室により形成された処理空間において、基板の複数の部分に当接する第１の基板保持部を用いて基板を回転させることなく水平姿勢で保持するステップと、
    前記第１の基板保持部により保持された基板を洗浄液を用いて洗浄するステップと、
    前記処理空間において、基板を吸着する第２の基板保持部を用いて基板を水平姿勢で保持しつつ上下方向の軸の周りで回転させるステップと、
    前記第２の基板保持部により保持された基板を洗浄液を用いて洗浄するステップと、
    前記処理空間の気体が排出されないかまたは前記処理空間の気体が第１の流量で前記処理室の外部に設けられる排気設備により排気系を通して前記処理室の外部に排出されるように、前記第１の基板保持部により基板が保持されているときに前記排気系を流れる気体の流量を調整するステップと、
    前記処理空間の気体が前記第１の流量よりも高い第２の流量で前記排気設備により排気系を通して前記処理室の外部に排出されるように、前記第２の基板保持部により基板が保持されているときに前記排気系を流れる気体の流量を調整するステップとを含む、基板洗浄方法。
  10. 前記第２の基板保持部により保持された基板の洗浄後、当該洗浄に用いられた洗浄液が基板から振り切られるように基板を回転させるステップをさらに含む、請求項９記載の基板洗浄方法。
  11. 前記第２の流量は、第３の流量および前記第３の流量よりも高い第４の流量を含み、
    前記第２の基板保持部により保持された基板を洗浄液を用いて洗浄するステップは、当該洗浄時に前記第２の基板保持部により保持された基板を第１の回転速度で回転させることを含み、
    前記基板から洗浄液を振り切るように基板を回転させるステップは、当該基板の洗浄液の振り切り時に前記第２の基板保持部により保持された基板を前記第１の回転速度よりも高い第２の回転速度で基板を回転させることを含み、
    前記第２の基板保持部により基板が保持されているときに前記排気系を流れる気体の流量を調整するステップは、
    前記第２の基板保持部により保持された基板の洗浄時に前記第３の流量で前記処理空間の気体が排出されるように前記排気系を流れる気体の流量を調整することと、
    前記第２の基板保持部による基板の洗浄液の振り切り時に前記第４の流量で前記処理空間の気体が排出されるように、前記排気系を流れる気体の流量を調整することとを含む、請求項１０記載の基板洗浄方法。
  12. 平面視で前記第２の基板保持部を取り囲むように処理カップが設けられ、
    前記第１の基板保持部により基板が保持されているときに前記排気系を流れる気体の流量を調整するステップおよび前記第２の基板保持部により基板が保持されているときに前記排気系を流れる気体の流量を調整するステップは、前記処理カップの底部から前記処理空間の気体を排出させることを含む、請求項９～１１のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。
  13. 前記処理カップを支持するとともに、前記処理カップを、側面視で前記処理カップが前記第２の基板保持部により保持された基板に重なる第１の高さ位置と、側面視で前記処理カップが前記第２の基板保持部により保持された基板よりも下方の第２の高さ位置との間で上下方向に移動させるステップをさらに備え、
    前記処理カップを支持するとともに上下方向に移動させるステップは、
    前記第２の基板保持部により基板が保持されているときに基板から飛散する洗浄液を受け止めるように前記処理カップを前記第１の高さ位置に支持し、前記第１の基板保持部により基板が保持されているときに前記処理カップを前記第２の高さ位置に支持することを含む、請求項１２記載の基板洗浄方法。
  14. 複数の基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
    複数の基板洗浄装置を制御するステップを含み、
    前記複数の基板洗浄装置の各々は、
    基板を収容可能な処理空間を有する処理室と、
    基板の複数の部分に当接することにより、基板を回転させることなく水平姿勢で保持する第１の基板保持部と、
    基板に吸着することにより基板を水平姿勢で保持しつつ上下方向の軸の周りで回転させる第２の基板保持部と、
    前記処理空間において、前記第１の基板保持部により保持された基板を洗浄液を用いて洗浄し、前記第１の基板保持部により保持された基板の洗浄前または洗浄後に、前記第２の基板保持部により保持された基板を洗浄液を用いて洗浄する洗浄部と、
    前記処理空間と前記処理室の外部に設けられる排気設備とを接続し、前記処理空間の気体を前記排気設備により排出させる排気系と、
    前記第１の基板保持部により基板が保持されているときに前記処理空間の気体が排出されないかまたは第１の流量で前記処理空間の気体が排出され、前記第２の基板保持部により基板が保持されているときに前記第１の流量よりも高い第２の流量で前記処理空間の気体が排出されるように、前記排気系を流れる気体の流量を調整する排気量調整部とを備え、
    前記排気設備は、前記複数の基板洗浄装置に共通に用いられ、
    前記複数の基板洗浄装置を制御するステップは、前記複数の基板洗浄装置において前記第２の基板保持部により基板が同時に保持されないように、前記複数の基板洗浄装置の動作を制御することを含む、基板洗浄方法。
  15. 複数の基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
    複数の基板洗浄装置を制御するステップを含み、
    前記複数の基板洗浄装置の各々は、
    基板を収容可能な処理空間を有する処理室と、
    基板の複数の部分に当接することにより、基板を回転させることなく水平姿勢で保持する第１の基板保持部と、
    基板に吸着することにより基板を水平姿勢で保持しつつ上下方向の軸の周りで回転させる第２の基板保持部と、
    前記処理空間において、前記第１の基板保持部により保持された基板を洗浄液を用いて洗浄し、前記第１の基板保持部により保持された基板の洗浄前または洗浄後に、前記第２の基板保持部により保持された基板を洗浄液を用いて洗浄する洗浄部と、
    前記処理空間と前記処理室の外部に設けられる排気設備とを接続し、前記処理空間の気体を前記排気設備により排出させる排気系と、
    前記第１の基板保持部により基板が保持されているときに前記処理空間の気体が排出されないかまたは第１の流量で前記処理空間の気体が排出され、前記第２の基板保持部により基板が保持されているときに前記第１の流量よりも高い第２の流量で前記処理空間の気体が排出されるように、前記排気系を流れる気体の流量を調整する排気量調整部とを備え、
    前記第２の基板保持部は、当該第２の基板保持部により保持された基板の洗浄後、当該洗浄に用いられた洗浄液が基板から振り切られるように基板を回転させ、
    前記排気量調整部は、前記第２の基板保持部により保持された基板の洗浄時に前記第３の流量で前記処理空間の気体が排出されるように、かつ前記第２の基板保持部による基板の洗浄液の振り切り時に前記第４の流量で前記処理空間の気体が排出されるように、前記排気系を流れる気体の流量をさらに調整し、
    前記排気設備は、前記複数の基板洗浄装置に共通に用いられ、
    前記複数の基板洗浄装置を制御するステップは、
    前記複数の基板洗浄装置において基板の洗浄液の振り切りが同時に行われないように、前記複数の基板洗浄装置の動作を制御することを含む、基板洗浄方法。
  16. 複数の基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、
    複数の基板処理装置を制御するステップを含み、
    前記複数の基板処理装置の各々は、
    基板を収容可能な処理空間を有する処理室と、
    前記処理空間において、基板に第１の処理を行い、前記第１の処理前または前記第１の処理後に基板に第２の処理を行う処理部と、
    前記処理空間と前記処理室の外部に設けられる排気設備とを接続し、前記処理空間の気体を前記排気設備により排出させる排気系と、
    前記第１の処理時に前記処理空間の気体が排出されないかまたは第１の流量で前記処理空間の気体が排出され、前記第２の処理時に前記第１の流量よりも高い第２の流量で前記処理空間の気体が排出されるように、前記排気系を流れる気体の流量を調整する排気量調整部とを備え、
    前記複数の基板処理装置を制御するステップは、前記複数の基板処理装置において複数の基板にそれぞれ前記第２の処理が同時に行われないように、前記複数の基板処理装置の動作を制御することを含む、基板処理方法。
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