TW202221767A - 下表面刷、刷基座及基板洗淨裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之下表面刷具備基台部、第1洗淨部及第2洗淨部。第1洗淨部自基台部之上表面朝上方突出,且以俯視時通過基台部之幾何中心向一方向延伸之方式,設置於基台部之上表面。第2洗淨部自基台部之上表面朝上方突出,且以沿基台部之外緣之方式,設置於基台部之上表面。或者,一對或複數對第2洗淨部亦可自基台部之上表面朝上方突出,且以隔著第1洗淨部對向之方式,設置於基台部之上表面。

Description

下表面刷、刷基座及基板洗淨裝置
本發明係關於一種將基板之下表面洗淨之下表面刷、刷基座及基板洗淨裝置。
為了對用於液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence:電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display:平板顯示器)用基板、半導體基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等各種基板進行各種處理,可使用基板處理裝置。為了將基板洗淨,可使用基板洗淨裝置。
例如,日本專利特開2017-139442號公報所記載之基板洗淨裝置中,藉由設置於旋轉板之複數根夾盤銷保持基板之外周端部抵接之狀態,使旋轉板繞旋轉軸旋轉。又,具有大致圓柱形狀之洗淨刷之上表面與旋轉之基板之背面接觸。於該狀態下,使洗淨刷於基板之背面之中心部與周緣部之間移動,藉此將整個基板背面洗淨,去除附著於基板背面之污染物。
基板洗淨裝置中,若洗淨刷之直徑較小,則產能降低。然而,若增大洗淨刷之直徑,則洗淨刷與基板之接觸面積變大。該情形時,由於每單位面積之洗淨刷之荷重變小,故污染物之去除效率降低。另一方面,增大洗淨刷之荷重之情形時,由於基板會發生翹曲,故污染物之去除效率降低。又,若增大洗淨刷之荷重,則基板會自夾盤銷等保持部脫落。
本發明之目的在於提供一種可效率良好地將基板之下表面洗淨之下表面刷、刷基座及基板洗淨裝置。
(1)依照本發明之一態樣之下表面刷可用以將基板之下表面洗淨,且具備:基台部,具有第1上表面;第1洗淨部,自基台部之第1上表面朝上方突出,且以俯視時通過基台部之幾何中心向一方向延伸之方式,設置於基台部之第1上表面;及第2洗淨部,自基台部之第1上表面朝上方突出,且以沿基台部之外緣之方式,設置於基台部之第1上表面。
該下表面刷中,將可洗淨之區域維持較大,且減少基板之下表面與下表面刷之接觸面積。因此,即使施加於下表面刷之荷重相對較小之情形時,基板之下表面與下表面刷亦以足夠之荷重接觸。藉此,可效率良好地將基板之下表面洗淨。
(2)依照本發明之另一態樣之下表面刷可用以將基板之下表面洗淨,且具備:基台部,具有第1上表面;第1洗淨部,自基台部之第1上表面朝上方突出,且以俯視時通過基台部之幾何中心向一方向延伸之方式,設置於基台部之第1上表面;及一對或複數對第2洗淨部,自基台部之第1上表面朝上方突出,且以隔著第1洗淨部對向之方式,設置於基台部之第1上表面。
該下表面刷中,將可洗淨之區域維持較大,且減少基板之下表面與下表面刷之接觸面積。因此,即使施加於下表面刷之荷重相對較小之情形時,基板之下表面與下表面刷亦以足夠之荷重接觸。藉此,可效率良好地將基板之下表面洗淨。
(3)亦可為,於基台部以於上下方向延伸之方式形成可排出液體之貫通孔。根據該構成,於將基板之下表面洗淨時可使用洗淨液之情形時,洗淨液不會滯留於下表面刷而通過貫通孔排出。藉此,可使用洗淨液,更效率良好地將基板之下表面洗淨。
(4)亦可為,構成為可通過第1洗淨部與第2洗淨部之間,自基台部之周緣將液體排出至外側。根據該構成,於將基板之下表面洗淨可使用洗淨液之情形時,洗淨液不會滯留於下表面刷上,而通過第1洗淨部與第2洗淨部之間排出。藉此,可使用洗淨液,效率更好地將基板之下表面洗淨。
(5)亦可為,基台部於俯視時具有圓形狀、長圓形狀或橢圓形狀之外形,第1洗淨部以俯視時於基台部之外緣中離得最遠之2點之間延伸之方式設置。該情形時,可更容易將能洗淨之區域維持較大。
(6)亦可為,俯視時,基台部之2點間之長度大於基板直徑之1/3且小於1/2。該情形時,可不過度增大下表面刷,而效率良好地將基板之整個下表面洗淨。
(7)依照本發明之進而另一態樣之刷基座具有可供依照第1或本發明之其他態樣之下表面刷之基台部連接之第2上表面、及第2上表面之相反側之下表面,於下表面之周緣區域,形成朝外下方傾斜之傾斜部。該刷基座中,於由上述下表面刷將基板之下表面洗淨時可使用洗淨液之情形時,不將洗淨液朝刷基座之下表面之內側引導,而沿傾斜部排出至外側。藉此,可效率良好地將基板之下表面洗淨。
(8)依照本發明之進而另一態樣之基板洗淨裝置具備:基板保持部,其保持基板;及依照第1或本發明之其他態樣之下表面刷,其將由基板保持部保持之基板之下表面洗淨。該基板洗淨裝置中,由上述下表面刷,將由基板保持部保持之基板之下表面洗淨。藉此,可效率良好地將基板之下表面洗淨。
(9)亦可為,基板洗淨裝置進而具備移動裝置,使下表面刷於可將包圍基板之下表面中央區域之下表面外側區洗淨之第1水平位置、與可將基板之下表面洗淨中央區域洗淨之第2水平位置之間移動。該情形時,可效率良好地將基板之整個下表面洗淨。
(10)亦可為,基板保持部至少於由下表面刷將基板之下表面外側區域洗淨時,使基板旋轉。該情形時,效率更好地將基板之下表面外側區域洗淨。藉此,可效率更好地將基板之整個下表面洗淨。
(11)亦可為,基板洗淨裝置進而具備旋轉驅動裝置,可使下表面刷繞通過基台部之幾何中心之垂直軸旋轉。該情形時,可更容易將下表面刷能洗淨之區域維持較大。
以下,針對本發明之實施形態之下表面刷、刷基座及基板洗淨裝置,使用圖式進行說明。以下之說明中,基板是指半導體基板、液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等。
[1]第1實施形態
(1)刷單元之構成
圖1係本發明之第1實施形態之包含下表面刷及刷基座之刷單元之外觀立體圖。如圖1所示,刷單元300藉由於刷基座200上安裝下表面刷100而構成。下表面刷100例如可由PVA(polyvinyl alcohol:聚乙烯醇)或PTFE(Poly tetra fluoroethylene:聚四氟乙烯)等相對軟質之樹脂材料形成。刷基座200例如亦可由PVC(Polyvinyl chloride:聚氯乙烯)或PP(Polypropylene,聚丙烯)等相對硬質之樹脂構成。
圖2係圖1之下表面刷100之外觀立體圖。圖3係圖1之下表面刷100之俯視圖。如圖2及圖3所示,下表面刷100包含基台部110及洗淨部120、130。基台部110具有圓板形狀。俯視時,定義基台部110之幾何中心101(圖3)。
洗淨部120、洗淨部130以自基台部110之上表面朝上方突出之方式,形成於基台部110之上表面。洗淨部120以通過基台部110之幾何中心101,於基台部110之徑向延伸之方式配置。洗淨部130以沿基台部110之外緣之方式配置。洗淨部130可與洗淨部120之兩端接觸。洗淨部120、130相對於基台部110之上表面之突出量例如為5 mm~6 mm。洗淨部120之寬度與洗淨部130之寬度可相等,亦可不等。
於基台部110形成複數個貫通孔111、複數個貫通孔112及複數個貫通孔113。各貫通孔111~113於上下方向延伸。貫通孔111可用以連接基台部110與圖1之刷基座200,本例中設置10個。具體而言,8個貫通孔111以大致等角度間隔配置於基台部110之周緣區域。2個貫通孔111以隔著洗淨部120對向之方式配置於基台部110之中央區域。
貫通孔112可用以連接刷基座200與使刷單元300旋轉之馬達等,本例中設置4個。4個貫通孔112以包圍基台部110之幾何中心101之方式,以大致等角度間隔配置於基台部110之中央區域。貫通孔113可用以排出基板洗淨時之洗淨液,本例中設置10個。10個貫通孔113以沿洗淨部130之方式,沿基台部110之周緣區域規則配置。
刷基座200係具有與下表面刷100之基台部110相同外形之板狀構件。圖4係圖1之刷單元300之縱剖視圖。如圖4所示,於刷基座200之下表面之中央區域,形成朝上方凹陷之凹部210。又,於刷基座200之下表面之周緣區域,形成朝外下方傾斜之傾斜部220。再者,於刷基座200,形成複數個螺孔201、複數個貫通孔202及複數個貫通孔203。
複數個螺孔201以分別與下表面刷100之複數個貫通孔111對應之方式,設置於刷基座200之上表面。複數個貫通孔202以上下延伸且分別與下表面刷100之複數個貫通孔112對應之方式配置。複數個貫通孔203以上下延伸且分別與下表面刷100之複數個貫通孔113對應之方式配置。
複數個螺紋構件310(圖1)自上方分別插通下表面刷100之複數個貫通孔111。各螺紋構件310之下端部與刷基座200中對應之螺孔201螺合。藉此,將下表面刷100與刷基座200連接,刷單元300完成。刷單元300中,下表面刷100之複數個貫通孔113分別與刷基座200之複數個貫通孔203連通。
刷單元300安裝於馬達等之旋轉軸400。具體而言,旋轉軸400自下方嵌入刷基座200之凹部210。於旋轉軸400,形成分別與刷基座200之貫通孔202對應之複數個螺孔401。複數個螺紋構件320(圖1)自上方分別插通下表面刷100之複數個貫通孔112。各螺紋構件320之下端部通過刷基座200中對應之貫通孔202,與旋轉軸400中對應之螺孔401螺合。
(2)刷單元之動作
刷單元300可用以將基板之下表面洗淨。以下,將基板之下表面中之中央部分稱為下表面中央區域。將基板之下表面中包圍下表面中央區域之區域稱為下表面外側區域。另,基板之下表面是指朝向下方之基板之面。因此,基板之電路形成面(正面)朝向下方之情形時,基板之正面為下表面,於與正面為相反側之面(背面)朝向下方之情形時,基板之背面為下表面。
圖5係用以說明刷單元300之動作之圖。將基板W之下表面中央區域洗淨時,如圖5之上層所示,刷單元300移動至基板W之下表面中央區域之下方。接著,刷單元300之上端部與基板W之下表面接觸。其後,刷單元300繞通過基台部110之幾何中心101之垂直軸旋轉,藉此將附著於基板W之下表面中央區域之污染物去除。本例中,將基板W之下表面中央區域洗淨時,基板W未旋轉,但基板W亦可旋轉。
將基板W之下表面外側區域洗淨時,如圖5之下層所示,刷單元300移動至基板W之下表面外側區域之下方。此時,刷單元300之一部分亦可較基板W略朝外側突出。接著,刷單元300之上端部與基板W之下表面接觸。其後,藉由使基板W旋轉,將附著於基板W之下表面外側區域之污染物去除。本例中,將基板W之下表面外側區域洗淨時,刷單元300未旋轉,但刷單元300亦可旋轉。
本例中,下表面刷100之直徑大於基板W直徑之1/3且小於1/2。該情形時,藉由使刷單元300於基板W之下表面中央區域之下方與下表面外側區域之下方之間移動,而效率良好地將基板W之整個下表面洗淨。因此,無須過度增大下表面刷100。另,基板W之直徑例如為300 mm。如圖5中一點鏈線所示,刷單元300移動至基板W之下表面中央區域之下方時可洗淨之區域,與刷單元300移動至基板W之下表面外側區域之下方時可洗淨之區域可略微重疊。
將基板W之下表面洗淨時,可對基板W之下表面供給洗淨液。該情形時,可效率更好地去除附著於基板W之下表面之污染物。供給至基板W之下表面之洗淨液通過形成於圖4之下表面刷100之複數個貫通孔113、及形成於刷基座200之複數個貫通孔203,排出至刷基座200之下表面。因此,防止洗淨液滯留於下表面刷100上。
此處,如圖4所示,於刷基座200之下表面之周緣區域,形成朝外下方傾斜之傾斜部220。因此,排出至刷基座200之下表面之洗淨液不會被引導至刷基座200之內側,而沿著傾斜部220被引導至外側,自刷基座200排出。藉此,防止洗淨液附著於旋轉軸400或馬達等。
(3)變化例
本實施形態中,俯視時下表面刷100之外形為圓形狀,但實施形態不限定於此。俯視時下表面刷100之外形亦可為其他形狀。該情形時,洗淨部120以俯視時,於基台部110之外緣中離得最遠之2點之間延伸之方式設置。藉此,可將能洗淨之區域維持較大。以下,針對變化例之下表面刷100,說明與圖2之下表面刷100不同之點。
圖6係變化例之下表面刷100之外觀立體圖。如圖6所示,變化例之下表面刷100中,基台部110具有長圓板形狀。洗淨部120係以俯視時通過基台部110之幾何中心101,且與基台部110之長邊平行地延伸之方式配置。刷基座200與下表面刷100之基台部110同樣,具有長圓形狀之外形。該例中,俯視時下表面刷100之外形為長圓形狀。
或者,基台部110亦可具有橢圓板形狀。該情形時,洗淨部120係以俯視時通過基台部110之幾何中心101,且與基台部110之長徑重合地延伸之方式配置。另,俯視時基台部110之幾何中心101為基台部110之長徑與短徑之交點。刷基座200與下表面刷100之基台部110同樣,具有橢圓形狀之外形。該例中,俯視時下表面刷100之外形為橢圓形狀。
(4)效果
本實施形態之下表面刷100中,洗淨部120以自基台部110之上表面朝上方突出,且俯視時通過基台部110之幾何中心101向一方向延伸之方式,設置於基台部110之上表面。又,洗淨部130以自基台部110之上表面朝上方突出,且沿基台部110之外緣之方式,設置於基台部110之上表面。
根據該構成,可將能洗淨之區域維持較大,且減少基板W之下表面與下表面刷100之接觸面積。因此,即使施加於下表面刷100之荷重相對較小之情形時,基板W之下表面與下表面刷100亦以足夠之荷重接觸。藉此,可效率良好地將基板W之下表面洗淨。
(5)參考例
圖7係參考例之下表面刷之外觀立體圖。如圖7所示,參考例之下表面刷100A除不包含洗淨部130之點及未於基台部110形成貫通孔113之點外,具有與圖6之變化例之下表面刷100相同之構成。又,亦可不於與下表面刷100A對應之刷基座,形成貫通孔203。
藉由包含參考例之下表面刷100A之刷單元進行基板W之下表面外側區域之洗淨之情形時,較佳為使刷單元旋轉。或者,較佳為藉由編碼器等檢測下表面刷100A之方向。且,進行基板W之下表面外側區域之洗淨之情形時,較佳為於基板W之下表面外側區域之下方,以洗淨部120朝向與基板W之外緣之切線正交之方向(法線方向)之方式,控制下表面刷100A之方向。
[2]第2實施形態
(1)刷單元之構成
針對第2實施形態之下表面刷100及刷基座200,說明與第1實施形態之下表面刷100及刷基座200之不同點。圖8係本發明之第2實施形態之下表面刷100之外觀立體圖。如圖8所示,本實施形態中,下表面刷100包含以隔著洗淨部120對向之方式配置之一對或複數對洗淨部140,來取代圖1之洗淨部130。
本例中,下表面刷100包含三對洗淨部140。各洗淨部140以自基台部110之外側朝向基台部110之幾何中心101延伸,且自基台部110之上表面朝上方突出之方式,形成於基台部110之上表面。洗淨部140相對於基台部110之上表面之突出量例如為5 mm~6 mm。洗淨部120之寬度與洗淨部140之寬度可相等,亦可不等。又,各洗淨部140之內端部亦可與洗淨部120接觸。
藉由將圖8之下表面刷100連接於圖1之刷基座200,構成刷單元300。本實施形態之刷單元300之動作與第1實施形態之刷單元300之動作相同。
基板洗淨時可使用洗淨液之情形時,供給至基板W之下表面之洗淨液通過洗淨部120、140之間,自基台部110之周緣排出至外側。因此,防止洗淨液滯留於下表面刷100上。因此,本實施形態中,亦可不於下表面刷100之基台部110形成圖4之貫通孔113。同樣地,亦可不於刷基座200形成圖4之貫通孔203。然而,實施形態不限定於此,亦可於下表面刷100之基台部110形成貫通孔113,亦可於刷基座200形成貫通孔203。
又,進行基板W之下表面外側區域之洗淨之情形時,可使刷單元300旋轉。或者,亦可藉由編碼器等檢測下表面刷100之方向。且,進行基板W之下表面外側區域之洗淨時,亦可於基板W之下表面外側區域之下方,以洗淨部120朝向與基板W之外緣之切線正交之方向(法線方向)之方式,控制下表面刷100之方向。
(2)變化例
本實施形態中,各洗淨部140自基台部110之外側朝向基台部110之幾何中心101延伸,但實施形態不限定於此。各洗淨部140亦可不自基台部110之外側朝向基台部110之幾何中心101延伸。又,與第1實施形態之變化例同樣,俯視時下表面刷100之外形亦可為長圓形狀或橢圓形狀等其他形狀。以下,針對變化例之下表面刷100,說明與圖8之下表面刷100不同之點。
圖9係第1變化例之下表面刷100之外觀立體圖。如圖9所示,第1變化例之下表面刷100中,一部分洗淨部140自基台部110之外側彎折且朝基台部110之幾何中心101延伸。一部分洗淨部140可自基台部110之外側弯曲且朝基台部110之幾何中心101延伸。
圖10係第2變化例之下表面刷100之外觀立體圖。如圖10所示,第2變化例之下表面刷100包含一對洗淨部140。又,基台部110具有長圓板形狀。洗淨部120以俯視時通過基台部110之幾何中心101且與基台部110之長邊平行延伸之方式配置。一對洗淨部140以分別沿基台部110之一對長邊之方式配置。
(3)效果
本實施形態之下表面刷100中,洗淨部120以自基台部110之上表面朝上方突出,且俯視時通過基台部110之幾何中心101向一方向延伸之方式,設置於基台部110之上表面。此外,一對或複數對洗淨部140以自基台部110之上表面朝上方突出,且隔著洗淨部120對向之方式,設置於基台部110之上表面。
根據該構成,可將能洗淨之區域維持較大,且減少基板W之下表面與下表面刷100之接觸面積。因此,即使施加於下表面刷100之荷重比較小之情形時,基板W之下表面與下表面刷100亦以足夠之荷重接觸。藉此,可效率良好地將基板W之下表面洗淨。
[3]第3實施形態
(1)基板洗淨裝置之構成
作為第3實施形態,說明包含第1或第2實施形態之下表面刷100之基板洗淨裝置之詳細構成。圖11係本發明之第3實施形態之基板洗淨裝置之模式性俯視圖。圖12係顯示圖11之基板洗淨裝置1之內部構成之外觀立體圖。本實施形態之基板洗淨裝置1中,為明確位置關係,定義互相正交之X方向、Y方向及Z方向。於圖11及圖12以後之特定圖式中,適當地以箭頭表示X方向、Y方向及Z方向。X方向及Y方向於水平面內互相正交,Z方向相當於鉛直方向。
如圖11所示,基板洗淨裝置1具備上側保持裝置10A、10B、下側保持裝置20、台座裝置30、交接裝置40、下表面洗淨裝置50、杯裝置60、上表面洗淨裝置70、端部洗淨裝置80及開閉裝置90。該等構成要件設置於單元殼體2內。圖12中,單元殼體2以虛線表示。
單元殼體2具有矩形之底面部2a、與自底面部2a之4條邊朝上方延伸之4個側壁部2b、2c、2d、2e。側壁部2b、2c互相對向,側壁部2d、2e互相對向。於側壁部2b之中央部,形成有矩形開口。該開口為基板W之搬入搬出口2x,於對單元殼體2搬入及搬出基板W時使用。圖12中,搬入搬出口2x以粗虛線表示。以下之說明中,將Y方向中自單元殼體2之內部通過搬入搬出口2x朝向單元殼體2之外側之方向(自側壁部2c朝向側壁部2b之方向)稱為前方,將其相反方向(自側壁部2b朝向側壁部2c之方向)稱為後方。
於側壁部2b中搬入搬出口2x之形成部分及其附近區域,設置有開閉裝置90。開閉裝置90包含可開閉搬入搬出口2x而構成之擋板91、及驅動擋板91之擋板驅動部92。圖12中,擋板91以粗二點鏈線表示。擋板驅動部92以對基板洗淨裝置1搬入及搬出基板W時,打開搬入搬出口2x之方式驅動擋板91。又,擋板驅動部92以基板洗淨裝置1中之基板W之洗淨處理時,關閉搬入搬出口2x之方式驅動擋板91。
於底面部2a之中央部,設置有台座裝置30。台座裝置30包含線性導件31、可動台座32及台座驅動部33。線性導件31包含2條導軌,以俯視時自側壁部2b附近於Y方向延伸至側壁部2c附近之方式設置。可動台座32設置成可於線性導件31之2條導軌上於Y方向移動。台座驅動部33包含例如脈衝馬達,使可動台座32於線性導件31上於Y方向移動。
於可動台座32上,以於Y方向排列之方式設置有下側保持裝置20及下表面洗淨裝置50。下側保持裝置20包含吸附保持部21及吸附保持驅動部22。吸附保持部21係所謂之旋轉夾盤,具有可吸附保持基板W之下表面之圓形吸附面,構成為可繞於上下方向延伸之軸(Z方向之軸)旋轉。圖11中,由下側保持裝置20吸附保持之基板W之外形以二點鏈線表示。
吸附保持驅動部22包含馬達。吸附保持驅動部22之馬達以旋轉軸朝上方突出之方式,設置於可動台座32上。吸附保持部21安裝於吸附保持驅動部22之旋轉軸之上端部。又,於吸附保持驅動部22之旋轉軸,形成有吸附保持部21中用以吸附保持基板W之吸引路徑。該吸引路徑連接於未圖示之吸氣裝置。吸附保持驅動部22使吸附保持部21繞上述旋轉軸旋轉。
於可動台座32上,於下側保持裝置20附近進而設置有交接裝置40。交接裝置40包含複數根(本例中為3根)支持銷41、銷連結構件42及銷升降驅動部43。銷連結構件42以俯視時包圍吸附保持部21之方式形成,連結複數根支持銷41。複數根支持銷41以由銷連結構件42互相連結之狀態,自銷連結構件42朝上方延伸一定長度。銷升降驅動部43使銷連結構件42於可動台座32上升降。藉此,複數根支持銷41相對於吸附保持部21相對升降。
下表面洗淨裝置50包含刷單元300、2個液體噴嘴52、氣體噴出部53、升降支持部54、移動支持部55、下表面刷旋轉驅動部55a、下表面刷升降驅動部55b及下表面刷移動驅動部55c。移動支持部55設置成於可動台座32上之一定區域內可相對於下側保持裝置20於Y方向移動。如圖12所示,於移動支持部55上,可升降地設置有升降支持部54。升降支持部54具有於遠離吸附保持部21之方向(本例中為後方)朝斜下方傾斜之上表面54u。
刷單元300包含第1或第2實施形態之下表面刷100與刷基座200。另,刷單元300亦可包含未於下表面形成傾斜部220(圖4)之刷基座,來取代第1或第2實施形態之刷基座200。如圖11所示,刷單元300以下表面刷100朝向上方,且可繞通過基台部110之幾何中心101(圖3)於上下方向延伸之軸旋轉之方式,安裝於升降支持部54之上表面54u。下表面刷100之基台部110之面積大於吸附保持部21之吸附面之面積。
2個液體噴嘴52分別位於刷單元300附近且以液體噴出口朝向上方之方式,安裝於升降支持部54之上表面54u上。於液體噴嘴52,連接有下表面洗淨液供給部56(圖13)。下表面洗淨液供給部56對液體噴嘴52供給洗淨液。液體噴嘴52於利用刷單元300將基板W洗淨時,將自下表面洗淨液供給部56供給之洗淨液供給至基板W之下表面。本實施形態中,可使用純水(去離子水)作為供給至液體噴嘴52之洗淨液。另,作為供給至液體噴嘴52之洗淨液,亦可使用碳酸水、臭氧水、氫水、電解離子水、SC1(氨水與過氧化氫水之混合溶液)或TMAH(tetramethylammonium hydroxide:四甲基氫氧化銨)等來取代純水。
氣體噴出部53係具有於一方向延伸之氣體噴出口之縫隙狀氣體噴射噴嘴。氣體噴出部53以俯視時位於刷單元300與吸附保持部21之間,且氣體噴射口朝向上方之方式,安裝於升降支持部54之上表面54u。於氣體噴出部53,連接有噴出氣體供給部57(圖13)。噴出氣體供給部57對氣體噴出部53供給氣體。本實施形態中,可使用氮氣作為供給至氣體噴出部53之氣體。氣體噴出部53於由刷單元300將基板W洗淨時及後述之基板W之下表面之乾燥時,將自噴出氣體供給部57供給之氣體噴射至基板W之下表面。該情形時,於刷單元300與吸附保持部21之間,形成於X方向延伸之帶狀之氣簾。作為供給至氣體噴出部53之氣體,亦可使用氬氣或氦氣等惰性氣體取代氮氣。
下表面刷旋轉驅動部55a包含具有旋轉軸400(圖4)之馬達,於由刷單元300將基板W洗淨時,使刷單元300旋轉。藉此,可將刷單元300能洗淨之區域維持較大。
下表面刷升降驅動部55b包含步進馬達或氣缸,使升降支持部54相對於移動支持部55升降。下表面刷移動驅動部55c包含馬達,使移動支持部55於可動台座32上於Y方向移動。此處,可動台座32中下側保持裝置20之位置固定。因此,由下表面刷移動驅動部55c使移動支持部55於Y方向移動時,移動支持部55相對於下側保持裝置20相對移動。以下之說明中,將可動台座32上最接近下側保持裝置20時之下表面洗淨裝置50之位置稱為接近位置,將可動台座32上離下側保持裝置20最遠時之下表面洗淨裝置50之位置稱為離開位置。
於底面部2a之中央部,進而設置有杯裝置60。杯裝置60包含杯61及杯驅動部62。杯61以俯視時包圍下側保持裝置20及台座裝置30之方式可升降地設置。圖12中,杯61以虛線表示。杯驅動部62根據刷單元300要將基板W之下表面中之哪個部分洗淨,使杯61於下杯位置與上杯位置之間移動。下杯位置為杯61之上端部位於較由吸附保持部21吸附保持之基板W下方之高度位置。又,上杯位置為杯61之上端部位於較吸附保持部21上方之高度位置。
於較杯61上方之高度位置,以俯視時隔著台座裝置30對向之方式,設置有一對上側保持裝置10A、10B。上側保持裝置10A包含下夾盤11A、上夾盤12A、下夾盤驅動部13A及上夾盤驅動部14A。上側保持裝置10B包含下夾盤11B、上夾盤12B、下夾盤驅動部13B及上夾盤驅動部14B。
下夾盤11A、11B相對於俯視時通過吸附保持部21之中心於Y方向(前後方向)延伸之鉛直面對稱配置,且設置成於共通之水平面內可於X方向移動。下夾盤11A、11B各自具有可自基板W之下方支持基板W之下表面周緣部之2塊支持片。下夾盤驅動部13A、13B使下夾盤11A、11B以下夾盤11A、11B互相靠近之方式,或以下夾盤11A、11B互相遠離之方式移動。
上夾盤12A、12B與下夾盤11A、11B同樣,相對於俯視時通過吸附保持部21之中心於Y方向(前後方向)延伸之鉛直面對稱配置,且設置成於共通之水平面內可於X方向移動。上夾盤12A、12B各自具有構成為與基板W之外周端部之2個部分抵接,而可保持基板W之外周端部之2塊保持片。上夾盤驅動部14A、14B使上夾盤12A、12B以上夾盤12A、12B互相靠近之方式,或以上夾盤12A、12B互相遠離之方式移動。
如圖11所示,於杯61之一側,以俯視時位於上側保持裝置10B附近之方式,設置有上表面洗淨裝置70。上表面洗淨裝置70包含旋轉支持軸71、臂72、噴霧噴嘴73及上表面洗淨驅動部74。
旋轉支持軸71於底面部2a上以於上下方向延伸之方式,且可升降、可旋轉地由上表面洗淨驅動部74支持。臂72如圖12所示,於較上側保持裝置10B上方之位置,以自旋轉支持軸71之上端部於水平方向延伸之方式設置。於臂72之前端部,安裝有噴霧噴嘴73。
於噴霧噴嘴73,連接上表面洗淨流體供給部75(圖13)。上表面洗淨流體供給部75對噴霧噴嘴73供給洗淨液及氣體。本實施形態中,使用純水作為供給至噴霧噴嘴73之洗淨液,使用氮氣作為供給至噴霧噴嘴73之氣體。噴霧噴嘴73於將基板W之上表面洗淨時,將自上表面洗淨流體供給部75供給之洗淨液與氣體混合,產生混合流體,將產生之混合流體朝下方噴射。
另,作為供給至噴霧噴嘴73之洗淨液,亦可使用碳酸水、臭氧水、氫水、電解離子水、SC1(氨水與過氧化氫水之混合溶液)或TMAH(四甲基氫氧化銨)等來取代純水。又,作為供給至噴霧噴嘴73之氣體,亦可使用氬氣或氦氣等惰性氣體來取代氮氣。
上表面洗淨驅動部74包含1個或複數個脈衝馬達及氣缸等,使旋轉支持軸71升降,且使旋轉支持軸71旋轉。根據上述構成,藉由於由吸附保持部21吸附保持並旋轉之基板W之上表面上,使噴霧噴嘴73圓弧狀移動,可將基板W之整個上表面洗淨。
如圖11所示,於杯61之另一側,以俯視時位於上側保持裝置10A附近之方式,設置有端部洗淨裝置80。端部洗淨裝置80包含旋轉支持軸81、臂82、斜面刷83及斜面刷驅動部84。
旋轉支持軸81於底面部2a上,以於上下方向延伸之方式,可升降並可旋轉地由斜面刷驅動部84支持。臂82如圖12所示,於較上側保持裝置10A上方之位置,以自旋轉支持軸81之上端部於水平方向延伸之方式設置。於臂82之前端部,以朝下方突出且可繞上下方向之軸旋轉之方式,設置有斜面刷83。
斜面刷83係藉由例如PVA海綿或分散有研磨粒之PVA海綿形成,上半部具有倒圓錐梯形形狀,且下半部具有圓錐梯形形狀。根據該斜面刷83,可以外周面之上下方向之中央部分,將基板W之外周端部洗淨。
斜面刷驅動部84包含1個或複數個脈衝馬達及氣缸等,使旋轉支持軸81升降,且使旋轉支持軸81旋轉。根據該構成,使斜面刷83之外周面之中央部分與由吸附保持部21吸附保持並旋轉之基板W之外周端部接觸,藉此可將基板W之整個外周端部洗淨。
此處,斜面刷驅動部84進而包含內置於臂82內之馬達。該馬達使設置於臂82之前端部之斜面刷83繞上下方向之軸旋轉。因此,於將基板W之外周端部洗淨時,藉由使斜面刷83旋轉,提高斜面刷83於基板W之外周端部之洗淨力。
圖13係顯示圖11之基板洗淨裝置1之控制系統之構成之方塊圖。圖13之控制部9包含CPU(Central Processing Unit:中央處理單元)、RAM(Random Access Memory:隨機存取記憶體)、ROM(Read Only Memory:唯讀記憶體)及記憶裝置。RAM可作為CPU之作業區域使用。ROM記憶系統程式。記憶裝置記憶控制程式。藉由使CPU於RAM上執行存儲於記憶裝置之基板洗淨程式,而控制基板洗淨裝置1之各部之動作。
如圖13所示,控制部9為了接收搬入至基板洗淨裝置1之基板W,並於吸附保持部21之上方位置加以保持,主要控制下夾盤驅動部13A、13B及上夾盤驅動部14A、14B。又,控制部9為了由吸附保持部21吸附保持基板W,且使吸附保持之基板W旋轉,主要控制吸附保持驅動部22。
又,控制部9為了使可動台座32相對於由上側保持裝置10A、10B保持之基板W移動,主要控制台座驅動部33。又,控制部9為了使基板W於由上側保持裝置10A、10B保持之基板W之高度位置、與由吸附保持部21保持之基板W之高度位置之間移動,而控制銷升降驅動部43。
又,控制部9為了將基板W之下表面洗淨,而控制下表面刷旋轉驅動部55a、下表面刷升降驅動部55b、下表面刷移動驅動部55c、下表面洗淨液供給部56及噴出氣體供給部57。又,控制部9為了由杯61接住將由吸附保持部21吸附保持之基板W洗淨時自基板W飛散之洗淨液,而控制杯驅動部62。
又,控制部9為了將由吸附保持部21吸附保持之基板W之上表面洗淨,而控制上表面洗淨驅動部74及上表面洗淨流體供給部75。又,控制部9為了將由吸附保持部21吸附保持之基板W之外周端部洗淨,而控制斜面刷驅動部84。此外,控制部9為了於基板洗淨裝置1中搬入及搬出基板W時開閉單元殼體2之搬入搬出口2x,而控制擋板驅動部92。
(2)基板洗淨裝置之動作
圖14~圖25係用以說明圖11之基板洗淨裝置1之動作之一例之模式圖。圖14~圖25之各圖中,上層顯示基板洗淨裝置1之俯視圖。又,中層顯示沿Y方向觀察之下側保持裝置20及其周邊部之側視圖,下層顯示沿X方向觀察之下側保持裝置20及其周邊部之側視圖。中層之側視圖與圖11之A-A線側視圖對應,下層之側視圖與圖11之B-B線側視圖對應。另,為了容易理解基板洗淨裝置1中各構成要件之形狀及動作狀態,上層之俯視圖與中層及下層之側視圖之間,一部分構成要件之縮放比率不同。又,圖14~圖25中,以二點鏈線表示杯61,且以粗一點鏈線表示基板W之外形。
於對基板洗淨裝置1搬入基板W前之初始狀態下,開閉裝置90之擋板91將搬入搬出口2x關閉。又,如圖11所示,下夾盤11A、11B維持下夾盤11A、11B之間之距離充分大於基板W之直徑之狀態。又,上夾盤12A、12B亦維持上夾盤12A、12B之間之距離充分大於基板W之直徑之狀態。又,台座裝置30之可動台座32以俯視時吸附保持部21之中心位於杯61之中心之方式配置。又,於可動台座32上,下表面洗淨裝置50配置於接近位置。又,下表面洗淨裝置50之升降支持部54處於使刷單元300之上端部位於較吸附保持部21下方之位置之狀態。又,交接裝置40處於使複數個支持銷41位於較吸附保持部21下方之狀態。此外,杯裝置60中,杯61位於下杯位置。以下之說明中,將俯視時杯61之中心位置稱為平面基準位置rp。又,將俯視時吸附保持部21之中心位於平面基準位置rp時之底面部2a上之可動台座32之位置稱為第1水平位置。
對基板洗淨裝置1之單元殼體2內搬入基板W。具體而言,於即將搬入基板W前,擋板91將搬入搬出口2x打開。其後,如圖14中以粗實線箭頭a1所示,未圖示之基板搬送機器人之機械手(基板保持部)RH通過搬入搬出口2x,將基板W搬入至單元殼體2內之大致中央位置。此時,由機械手RH保持之基板W如圖14所示,位於下夾盤11A及上夾盤12A與下夾盤11B及上夾盤12B之間。
接著,如圖15中以粗實線箭頭a2所示,以下夾盤11A、11B之複數塊支持片位於基板W之下表面周緣部之下方之方式,使下夾盤11A、11B互相靠近。於該狀態下,使機械手RH下降,自搬入搬出口2x退出。藉此,保持於機械手RH之基板W之下表面周緣部之複數個部分由下夾盤11A、11B之複數塊支持片支持。機械手RH退出後,擋板91將搬入搬出口2x關閉。
接著,如圖16中以粗實線箭頭a3所示,以上夾盤12A、12B之複數塊保持片與基板W之外周端部抵接之方式,使上夾盤12A、12B互相靠近。藉由使上夾盤12A、12B之複數塊保持片與基板W之外周端部之複數個部分抵接,由下夾盤11A、11B支持之基板W進而由上夾盤12A、12B保持。如此,由上側保持裝置10A、10B保持之基板W之中心於俯視時與平面基準位置rp重合或幾乎重合。又,如圖16中以粗實線箭頭a4所示,以吸附保持部21與平面基準位置rp偏移特定距離,且刷單元300之幾何中心101(圖3)位於平面基準位置rp之方式,使可動台座32自第1水平位置朝前方移動。此時,將位於底面部2a上之可動台座32之位置稱為第2水平位置。
接著,如圖17中以粗實線箭頭a5所示,以刷單元300與基板W之下表面中央區域接觸之方式,使升降支持部54上升。又,如圖17中以粗實線箭頭a6所示,使刷單元300繞上下方向之軸旋轉(自轉)。藉此,附著於基板W之下表面中央區域之污染物質由刷單元300物理性剝離。
圖17之下層,於對白框內顯示刷單元300與基板W之下表面接觸之部分之放大側視圖。如該對白框內所示,於刷單元300與基板W接觸之狀態下,液體噴嘴52及氣體噴出部53保持於接近基板W之下表面之位置。此時,液體噴嘴52如白色箭頭a51所示,於刷單元300附近之位置朝基板W之下表面噴出洗淨液。藉此,藉由將自液體噴嘴52供給至基板W之下表面之洗淨液引導至刷單元300與基板W之接觸部,而由洗淨液沖洗由刷單元300自基板W之下表面去除之污染物質。如此,下表面洗淨裝置50中,液體噴嘴52與刷單元300一起安裝於升降支持部54。藉此,可對由刷單元300將基板W之下表面洗淨部分效率良好地供給洗淨液。因此,減少洗淨液之消耗量,且抑制洗淨液之過度飛散。
另,將基板W之下表面洗淨時之刷單元300之旋轉速度維持於自液體噴嘴52供給至基板W之下表面之洗淨液不會飛散至刷單元300之側方之程度之速度。
此處,升降支持部54之上表面54u於遠離吸附保持部21之方向上朝斜下方傾斜。該情形時,含有污染物質之洗淨液自基板W之下表面落下至升降支持部54上之情形時,將由上表面54u接住之洗淨液朝遠離吸附保持部21之方向引導。
又,由刷單元300將基板W之下表面洗淨時,氣體噴出部53如圖17之對白框內之白色箭頭a52所示,於刷單元300與吸附保持部21之間之位置,朝基板W之下表面噴射氣體。本實施形態中,氣體噴出部53以氣體噴射口於X方向延伸之方式,安裝於升降支持部54上。該情形時,自氣體噴出部53對基板W之下表面噴射氣體時,於刷單元300與吸附保持部21之間,形成於X方向延伸之帶狀氣簾。藉此,防止由刷單元300將基板W之下表面洗淨時,含有污染物質之洗淨液朝吸附保持部21飛散。因此,防止由刷單元300將基板W之下表面洗淨時,含有污染物質之洗淨液附著於吸附保持部21,而將吸附保持部21之吸附面保持清潔。
另,圖17之例中,氣體噴出部53如白色箭頭a52所示,自氣體噴出部53朝刷單元300朝斜上方噴射氣體,但本發明不限定於此。氣體噴出部53亦可以自氣體噴出部53朝基板W之下表面沿Z方向之方式噴射氣體。
接著,於圖17之狀態下,當基板W之下表面中央區域之洗淨完成時,停止刷單元300之旋轉,以刷單元300之上端部與基板W離開特定距離之方式,使升降支持部54下降。又,停止自液體噴嘴52朝基板W噴出洗淨液。此時,繼續自氣體噴出部53朝基板W噴射氣體。
其後,如圖18中以粗實線箭頭a7所示,以吸附保持部21位於平面基準位置rp之方式,使可動台座32朝後方移動。即,可動台座32自第2水平位置移動至第1水平位置。此時,藉由繼續自氣體噴出部53對基板W噴射氣體,而由氣簾將基板W之下表面中央區域依序乾燥。
接著,如圖19中以粗實線箭頭a8所示,以刷單元300位於較吸附保持部21之吸附面(上端部)下方之方式,使升降支持部54下降。又,如圖19中以粗實線箭頭a9所示,以上夾盤12A、12B之複數塊保持片離開基板W之外周端部之方式,使上夾盤12A、12B互相遠離。此時,基板W成為由下夾盤11A、11B支持之狀態。
其後,如圖19中粗實線箭頭a10所示,以複數根支持銷41之上端部位於較下夾盤11A、11B略上方之方式,使銷連結構件42上升。藉此,由下夾盤11A、11B支持之基板W由複數個支持銷41接收。
接著,如圖20中以粗實線箭頭a11所示,使下夾盤11A、11B互相遠離。此時,下夾盤11A、11B移動至俯視時不與由複數個支持銷41支持之基板W重合之位置。藉此,上側保持裝置10A、10B皆恢復至初始狀態。
接著,如圖21中以粗實線箭頭a12所示,以複數根支持銷41之上端部位於較吸附保持部21下方之方式,使銷連結構件42下降。藉此,支持於複數個支持銷41上之基板W由吸附保持部21接收。於該狀態下,吸附保持部21吸附保持基板W之下表面中央區域。如此,由下側保持裝置20吸附保持之基板W之中心於俯視時與平面基準位置rp重合或幾乎重合。與銷連結構件42下降之同時或於銷連結構件42之下降完成後,如圖21中以粗實線箭頭a13所示,使杯61自下杯位置上升至上杯位置。
接著,如圖22中以粗實線箭頭a14所示,吸附保持部21繞上下方向之軸(吸附保持驅動部22之旋轉軸之軸心)旋轉。藉此,吸附保持於吸附保持部21之基板W以水平姿勢旋轉。
接著,使上表面洗淨裝置70之旋轉支持軸71旋轉、下降。藉此,如圖22中以粗實線箭頭a15所示,使噴霧噴嘴73移動至基板W上方之位置,並以噴霧噴嘴73與基板W間之距離成為預先確定之距離之方式下降。於該狀態下,噴霧噴嘴73對基板W之上表面噴射洗淨液與氣體之混合流體。又,使旋轉支持軸71旋轉。藉此,如圖22中以粗實線箭頭a16所示,噴霧噴嘴73於旋轉之基板W上方之位置移動。藉由對基板W之整個上表面射噴混合流體,而將基板W之整個上表面洗淨。
又,由噴霧噴嘴73將基板W之上表面洗淨時,端部洗淨裝置80之旋轉支持部81亦旋轉、下降。藉此,如圖22中以粗實線箭頭a17所示,使斜面刷83移動至基板W之外周端部上方之位置。又,以斜面刷83之外周面之中央部分與基板W之外周端部接觸之方式下降。於該狀態下,使斜面刷83繞上下方向之軸旋轉(自轉)。藉此,附著於基板W之外周端部之污染物質由斜面刷83物理性剝離。自基板W之外周端部剝離之污染物質由自噴霧噴嘴73噴射至基板W之混合流體之洗淨液沖洗。
此外,由噴霧噴嘴73將基板W之上表面洗淨時,以刷單元300與基板W之下表面外側區域接觸之方式,使升降支持部54上升。又,如圖22中以粗實線箭頭a18所示,刷單元300可繞上下方向之軸旋轉(自轉)。再者,液體噴嘴52朝基板W之下表面噴出洗淨液,氣體噴出部53朝基板W之下表面噴射氣體。於該狀態下,如圖22中以粗實線箭頭a19所示,進而使移動支持部55於可動台座32上,於接近位置與離開位置之間進行進退動作。藉此,由刷單元300遍及由吸附保持部21吸附保持並旋轉之基板W之整個下表面外側區域洗淨。
接著,當基板W之上表面、外周端部及下表面外側區域之洗淨完成時,停止自噴霧噴嘴73對基板W噴射混合流體。又,如圖23中以粗實線箭頭a20所示,噴霧噴嘴73移動至杯61之一側位置(初始狀態之位置)。又,如圖23中以粗實線箭頭a21所示,斜面刷83移動至杯61之另一側位置(初始狀態之位置)。再者,停止刷單元300之旋轉,以刷單元300之上端部與基板W離開特定距離之方式,使升降支持部54下降。又,停止自液體噴嘴52對基板W噴出洗淨液、及自氣體噴出部53對基板W噴射氣體。於該狀態下,吸附保持部21高速旋轉,藉此甩掉附著於基板W之洗淨液,而將整個基板W乾燥。
接著,如圖24中以粗實線箭頭a22所示,使杯61自上杯位置下降至下杯位置。又,以備將新的基板W搬入至單元殼體2內,如圖24中以粗實線箭頭a23所示,使下夾盤11A、11B互相靠近至可支持新的基板W之位置。
最後,將基板W自基板洗淨裝置1之單元殼體2內搬出。具體而言,於即將搬出基板W之前,擋板91打開搬入搬出口2x。其後,如圖25中以粗實線箭頭a24所示,未圖示之基板搬送機械人之機械手(基板保持部)RH通過搬入搬出口2x進入單元殼體2內。接著,機械手RH接收吸附保持部21上之基板W,自搬入搬出口2x退出。機械手RH退出後,擋板91將搬入搬出口2x關閉。
(3)效果
本實施形態之基板洗淨裝置1中,由上側保持裝置10A、10B或下側保持裝置20保持之基板W之下表面由第1或第2實施形態之下表面刷100洗淨。此處,將基板W之下表面外側區域洗淨時及將下表面中央區域洗淨時,下表面刷100分別移動至第1及第2水平位置。將基板W之下表面外側區域洗淨時,使基板W旋轉。藉此,可將基板W之整個下表面效率良好地洗淨。
[4]技術方案之各構成要件與實施形態之各部之對應關係
以下,針對技術方案之各構成要件與實施形態之各構成要件之對應例進行說明,但本發明不限定於下述例。作為技術方案之各構成要件,亦可使用具有技術方案所記載之構成或功能之其他各種要件。
上述實施形態中,基板W為基板之例,下表面刷100為下表面刷之例,基台部110為基台部之例,幾何中心101為幾何中心之例。洗淨部120為第1洗淨部之例,洗淨部130或洗淨部140為第2洗淨部之例,貫通孔113為貫通孔之例,傾斜部220為傾斜部之例,刷基座200為刷基座之例。上側保持裝置10A、10B或下側保持裝置20為基板保持部之例,基板洗淨裝置1為基板洗淨裝置之例,台座驅動部33為移動裝置之例,下表面刷旋轉驅動部55a為旋轉驅動裝置之例。
1:基板洗淨裝置 2:單元殼體 2a:底面部 2b:側壁部 2c:側壁部 2d:側壁部 2e:側壁部 2x:搬入搬出口 9:控制部 10A:上側保持裝置 10B:上側保持裝置 11A:下夾盤 11B:下夾盤 12A:上夾盤 12B:上夾盤 13A:下夾盤驅動部 13B:下夾盤驅動部 14A:上夾盤驅動部 14B:上夾盤驅動部 20:下側保持裝置 21:吸附保持部 22:吸附保持驅動部 30:台座裝置 31:線性導件 32:可動台座 33:台座驅動部 40:交接裝置 41:支持銷 42:銷連結構件 43:銷升降驅動部 50:下表面洗淨裝置 52:液體噴嘴 53:氣體噴出部 54:升降支持部 54u:上表面 55:移動支持部 55a:下表面刷旋轉驅動部 55b:下表面刷升降驅動部 55c:下表面刷移動驅動部 56:下表面洗淨液供給部 57:噴出氣體供給部 60:杯裝置 61:杯 62:杯驅動部 70:上表面洗淨裝置 71:旋轉支持軸 72:臂 73:噴霧噴嘴 74:上表面洗淨驅動部 75:上表面洗淨流體供給部 80:端部洗淨裝置 81:旋轉支持軸 82:臂 83:斜面刷 84:斜面刷驅動部 90:開閉裝置 91:擋板 92:擋板驅動部 100:下表面刷 100A:下表面刷 101:幾何中心 110:基台部 111:貫通孔 112:貫通孔 113:貫通孔 120:洗淨部 130:洗淨部 140:洗淨部 200:刷基座 201:螺孔 202:貫通孔 203:貫通孔 210:凹部 220:傾斜部 300:刷單元 310:螺紋構件 320:螺紋構件 400:旋轉軸 401:螺孔 a1~a24:箭頭 a51:箭頭 a52:箭頭 RH:機械手 rp:平面基準位置 W:基板
圖1係本發明之第1實施形態之包含下表面刷及刷基座之刷單元之外觀立體圖。 圖2係圖1之下表面刷之外觀立體圖。 圖3係圖1之下表面刷之俯視圖。 圖4係圖1之刷單元之縱剖視圖。 圖5係用以說明刷單元之動作之圖。 圖6係變化例之下表面刷之外觀立體圖。 圖7係參考例之下表面刷之外觀立體圖。 圖8係本發明之第2實施形態之下表面刷之外觀立體圖。 圖9係第1變化例之下表面刷之外觀立體圖。 圖10係第2變化例之下表面刷之外觀立體圖。 圖11係本發明之第3實施形態之基板洗淨裝置之模式性俯視圖。 圖12係顯示圖11之基板洗淨裝置之內部構成之外觀立體圖。 圖13係顯示圖11之基板洗淨裝置之控制系統之構成之方塊圖。 圖14係用以說明圖11之基板洗淨裝置之動作之一例之模式圖。 圖15係用以說明圖11之基板洗淨裝置之動作之一例之模式圖。 圖16係用以說明圖11之基板洗淨裝置之動作之一例之模式圖。 圖17係用以說明圖11之基板洗淨裝置之動作之一例之模式圖。 圖18係用以說明圖11之基板洗淨裝置之動作之一例之模式圖。 圖19係用以說明圖11之基板洗淨裝置之動作之一例之模式圖。 圖20係用以說明圖11之基板洗淨裝置之動作之一例之模式圖。 圖21係用以說明圖11之基板洗淨裝置之動作之一例之模式圖。 圖22係用以說明圖11之基板洗淨裝置之動作之一例之模式圖。 圖23係用以說明圖11之基板洗淨裝置之動作之一例之模式圖。 圖24係用以說明圖11之基板洗淨裝置之動作之一例之模式圖。 圖25係用以說明圖11之基板洗淨裝置之動作之一例之模式圖。
100:下表面刷
101:幾何中心
110:基台部
111:貫通孔
112:貫通孔
113:貫通孔
120:洗淨部
130:洗淨部

Claims (11)

  1. 一種下表面刷,其係可用於將基板之下表面洗淨者,且包含: 基台部,其具有第1上表面; 第1洗淨部,其自上述基台部之上述第1上表面朝上方突出,且以俯視時通過上述基台部之方向幾何中心向一方向延伸之方式,設置於上述基台部之上述第1上表面;及 第2洗淨部,其自上述基台部之上述第1上表面朝上方突出,且以沿上述基台部之外緣之方式,設置於上述基台部之上述第1上表面。
  2. 一種下表面刷,其係可用於將基板之下表面洗淨者,且包含: 基台部,其具有第1上表面; 第1洗淨部,其自上述基台部之上述第1上表面朝上方突出,且以俯視時通過上述基台部之幾何中心向一方向延伸之方式,設置於上述基台部之上述第1上表面;及 一對或複數對第2洗淨部,其等自上述基台部之上述第1上表面朝上方突出,且以隔著上述第1洗淨部對向之方式,設置於上述基台部之上述第1上表面。
  3. 如請求項1或2之下表面刷,其中於上述基台部,以於上下方向延伸之方式形成可排出液體之貫通孔。
  4. 如請求項2之下表面刷,其構成為可通過上述第1洗淨部與上述第2洗淨部之間,自上述基台部之周緣將液體排出至外側。
  5. 如請求項1至2中任一項之下表面刷,其中上述基台部俯視時具有圓形狀、長圓形狀或橢圓形狀之外形,且 上述第1洗淨部以俯視時於上述基台部之外緣中離得最遠之2點之間延伸之方式設置。
  6. 如請求項5之下表面刷,其中於俯視時,上述基台部之上述2點之間之長度,大於基板直徑之1/3且小於1/2。
  7. 一種刷基座,其包含:可供如請求項1至6中任一項之下表面刷之上述基台部連接之第2上表面;及 上述第2上表面之相反側之下表面;且 於上述下表面之周緣區域,形成朝外下方傾斜之傾斜部。
  8. 一種基板洗淨裝置,其包含: 基板保持部,其保持基板;及 如請求項1至6中任一項之下表面刷,其將由上述基板保持部保持之基板之下表面洗淨。
  9. 如請求項8之基板洗淨裝置,其進而包含移動裝置,其使上述下表面刷於可將包圍基板之下表面中央區域之下表面外側區域洗淨之第1水平位置、與可將基板之上述下表面中央區域洗淨之第2水平位置之間移動。
  10. 如請求項9之基板洗淨裝置,其中上述基板保持部至少於上述下表面刷將基板之上述下表面外側區域洗淨時,使基板旋轉。
  11. 如請求項8中任一項之基板洗淨裝置,其進而包含旋轉驅動裝置,其可使上述下表面刷繞通過上述基台部之上述幾何中心之垂直軸旋轉。
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