KR102478317B1 - 기판 처리 시스템 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

표면을 상향으로 한 기판과 이면을 상향으로 한 기판의 양방을 취급하는 경우에 있어서, 기판의 표리의 상태 관리의 복잡화를 억제하는 것이다. 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템은, 제 1 처리 블록과 제 2 처리 블록과 반전 기구를 구비한다. 제 1 처리 블록은, 기판에 있어서의 제 1 면을 상향으로 한 상태에서 기판의 처리를 행하는 제 1 처리 유닛과, 제 1 처리 유닛에 대하여 기판의 반입반출을 행하는 제 1 반송 장치를 포함한다. 제 2 처리 블록은, 기판에 있어서의 제 1 면과는 반대측의 면인 제 2 면을 상향으로 한 상태에서 기판의 처리를 행하는 제 2 처리 유닛과, 제 2 처리 유닛에 대하여 기판의 반입반출을 행하는 제 2 반송 장치를 포함한다. 반전 기구는 제 1 처리 블록으로부터 제 2 처리 블록으로의 기판의 반송 경로의 도중에 배치되고, 기판을 반전시킨다.

Description

기판 처리 시스템{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}
개시된 실시 형태는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
종래, 반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼 등의 기판에 대하여 에칭 처리 또는 세정 처리 혹은 성막 처리와 같은 각종의 처리가 실시된다.
기판에 대한 처리로서는, 기판의 표면을 상향으로 한 상태에서 행해지는 것과, 기판의 이면을 상향으로 한 상태에서 행해지는 것이 있다. 이 때문에 최근에는, 표면을 상향으로 한 기판에 대하여 기판 처리를 행하는 처리 유닛과, 이면을 상향으로 한 기판에 대하여 기판 처리를 행하는 처리 유닛의 양방을 구비하는 기판 처리 시스템이 제안되고 있다.
예를 들면 특허 문헌 1에는, 기판의 표면을 상향으로 한 상태에서 기판의 표면에 세정액을 공급하는 제 1 처리 장치와, 기판의 이면을 상향으로 한 상태에서 기판의 이면에 세정액을 공급하는 제 2 처리 장치와, 기판의 표리를 반전시키는 기판 반전 장치와, 제 1 처리 장치, 제 2 처리 장치 및 기판 반전 장치에 액세스하여 기판의 반입반출을 행하는 기판 반송 장치를 구비한 기판 처리 시스템이 개시되어 있다.
일본특허공개공보 2013-021026호
그러나, 특허 문헌 1에 기재된 기판 처리 시스템에서는, 표면을 상향으로 한 기판과 이면을 상향으로 한 기판이 혼재하기 때문에, 기판의 상태 관리가 복잡화될 우려가 있다.
실시 형태의 일태양은, 표면을 상향으로 한 기판과 이면을 상향으로 한 기판의 양방을 취급하는 경우에 있어서, 기판의 표리의 상태 관리의 복잡화를 억제할 수 있는 기판 처리 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시 형태의 일태양에 따른 기판 처리 시스템은, 제 1 처리 블록과 제 2 처리 블록과 반전 기구를 구비한다. 제 1 처리 블록은, 기판에 있어서의 제 1 면을 상향으로 한 상태에서 기판의 처리를 행하는 제 1 처리 유닛과, 제 1 처리 유닛에 대하여 기판의 반입반출을 행하는 제 1 반송 장치를 포함한다. 제 2 처리 블록은, 기판에 있어서의 제 1 면과는 반대측의 면인 제 2 면을 상향으로 한 상태에서 기판의 처리를 행하는 제 2 처리 유닛과, 제 2 처리 유닛에 대하여 기판의 반입반출을 행하는 제 2 반송 장치를 포함한다. 반전 기구는, 제 1 처리 블록으로부터 제 2 처리 블록으로의 기판의 반송 경로의 도중에 배치되고, 기판을 반전시킨다.
실시 형태의 일태양에 따르면, 표면을 상향으로 한 기판과 이면을 상향으로 한 기판의 양방을 취급하는 경우에 있어서, 기판의 표리의 상태 관리의 복잡화를 억제할 수 있다.
도 1은 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 모식 평면도이다.
도 2는 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 모식 측면도이다.
도 3은 제 1 처리 유닛의 모식 평면도이다.
도 4는 제 1 처리 유닛의 모식 측면도이다.
도 5는 제 2 처리 블록의 모식 평면도이다.
도 6은 제 2 처리 유닛의 모식 평면도이다.
도 7은 제 2 처리 유닛의 모식 측면도이다.
도 8은 제 1 버퍼부의 구성을 나타내는 도이다.
도 9는 제 1 버퍼부의 구성을 나타내는 도이다.
도 10은 주반송 장치, 이전 장치, 제 1 반송 장치 및 제 2 반송 장치의 배치도이다.
도 11은 제 1 반송 장치가 구비하는 웨이퍼 유지부의 모식 평면도이다.
도 12는 제 2 반송 장치가 구비하는 웨이퍼 유지부의 모식 평면도이다.
도 13은 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 반송 플로우의 설명도이다.
도 14는 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 모식 평면도이다.
도 15는 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 모식 측면도이다.
도 16은 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 반송 플로우의 설명도이다.
도 17은 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 모식 평면도이다.
도 18은 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 반송 플로우의 설명도이다.
도 19는 제 4 실시 형태에 따른 제 1 처리 유닛의 모식 측면도이다.
도 20은 제 5 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 모식 평면도이다.
도 21은 제 5 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 모식 측면도이다.
도 22는 제 5 실시 형태에 따른 제 2 처리 유닛의 모식 평면도이다.
도 23은 제 5 실시 형태에 따른 전달 블록의 모식 배면도이다.
도 24는 버퍼부의 모식 평면도이다.
도 25는 버퍼부의 모식 측면도이다.
도 26은 제 5 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 플로우의 설명도이다.
도 27은 제 5 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 플로우의 설명도이다.
도 28은 표면 세정 처리를 행하지 않은 경우에 있어서의 웨이퍼의 반송 플로우의 설명도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 시스템의 실시 형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시 형태에 의해 이 발명이 한정되는 것은 아니다.
(제 1 실시 형태)
<기판 처리 시스템(1)의 구성>
먼저, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 구성에 대하여 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 도 1은 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 모식 평면도이다. 또한, 도 2는 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 모식 측면도이다. 또한 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위하여, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향이라 한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은 반입반출 블록(2)과 처리 블록(3)과 전달 블록(4)을 구비한다. 이들은 반입반출 블록(2), 전달 블록(4) 및 처리 블록(3)의 순으로 나열되어 배치된다.
기판 처리 시스템(1)은, 반입반출 블록(2)으로부터 반입된 기판, 본 실시 형태에서는 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼(W))를 전달 블록(4) 경유로 처리 블록(3)으로 반송하고, 처리 블록(3)에서 처리한다. 또한 기판 처리 시스템(1)은, 처리 후의 웨이퍼(W)를 처리 블록(3)으로부터 전달 블록(4) 경유로 반입반출 블록(2)으로 되돌리고, 반입반출 블록(2)으로부터 외부로 내보낸다. 이하, 각 블록(2 ~ 4)의 구성에 대하여 설명한다.
<반입반출 블록(2)의 구성>
반입반출 블록(2)은 배치부(11)와 반송부(12)를 구비한다. 배치부(11)에는 복수 매의 웨이퍼(W)를 수평 상태로 수용하는 복수의 카세트(C)가 배치된다.
반송부(12)는 배치부(11)에 인접하여 배치되고, 내부에 주반송 장치(13)를 구비한다. 주반송 장치(13)는 배치부(11)와 전달 블록(4)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
<처리 블록(3)의 구성>
도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 블록(3)은 제 1 처리 블록(3U)과, 제 2 처리 블록(3L)을 구비한다. 제 1 처리 블록(3U)과 제 2 처리 블록(3L)은 격벽 또는 셔터 등에 의해 공간적으로 구획되어 있고, 높이 방향으로 나열되어 배치된다. 본 실시 형태에서는, 제 1 처리 블록(3U)이 상단측에 배치되고, 제 2 처리 블록(3L)이 하단측에 배치된다.
제 1 처리 블록(3U)에서는, 회로 형성면(이하, '표면'이라고 기재함)을 상향으로 한 상태의 웨이퍼(W)에 대하여 처리가 행해진다. 한편, 제 2 처리 블록(3L)에서는, 표면과는 반대측의 면인 이면을 상향으로 한 상태의 웨이퍼(W)에 대하여 처리가 행해진다. 이들 제 1 처리 블록(3U) 및 제 2 처리 블록(3L)의 구성에 대하여 설명한다.
<제 1 처리 블록(3U)의 구성>
제 1 처리 블록(3U)은 도 1에 나타내는 바와 같이, 반송부(16)와 제 1 반송 장치(17)와 복수의 제 1 처리 유닛(18)을 구비한다. 제 1 반송 장치(17)는 반송부(16)의 내부에 배치되고, 복수의 제 1 처리 유닛(18)은 반송부(16)의 외부에서 반송부(16)에 인접하여 배치된다.
제 1 반송 장치(17)는 전달 블록(4)과 제 1 처리 유닛(18)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 구체적으로, 제 1 반송 장치(17)는, 전달 블록(4)으로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 처리 유닛(18)으로 반송하는 처리와, 제 1 처리 유닛(18)에 의해 처리된 웨이퍼(W)를 제 1 처리 유닛(18)으로부터 취출하여 전달 블록(4)으로 반송하는 처리를 행한다.
제 1 처리 유닛(18)은, 표면을 상향으로 한 상태의 웨이퍼(W)에 대하여 베벨 세정 처리를 행한다. 베벨 세정 처리란, 회로가 형성되지 않은 웨이퍼(W)의 주연부(베벨부)에 부착된 파티클 또는 보트 자국 등을 제거하는 처리이다.
여기서, 제 1 처리 유닛(18)의 구성에 대하여 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다. 도 3은 제 1 처리 유닛(18)의 모식 평면도이다. 또한, 도 4는 제 1 처리 유닛(18)의 모식 측면도이다.
도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 제 1 처리 유닛(18)은 제 1 챔버(101)와 제 1 유지부(102)와 제 1 회수컵(103)과 베벨 세정부(104)와 제 1 토출부(105)(도 4 참조)를 구비한다.
제 1 챔버(101)는 제 1 유지부(102), 제 1 회수컵(103), 베벨 세정부(104) 및 제 1 토출부(105)를 수용한다. 제 1 챔버(101)의 천장부에는, 제 1 챔버(101) 내에 다운 플로우를 형성하는 FFU(Fun Filter Unit)(111)이 마련된다.
제 1 유지부(102)는, 웨이퍼(W)를 흡착 유지하는 흡착 유지부(121)와, 흡착 유지부(121)를 지지하는 지주(支柱) 부재(122)와, 지주 부재(122)를 회전시키는 구동부(123)를 구비한다.
흡착 유지부(121)는 진공 펌프 등의 흡기 장치(도시하지 않음)에 접속되고, 이러한 흡기 장치의 흡기에 의해 발생하는 부압을 이용하여 웨이퍼(W)의 이면을 흡착함으로써 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 이러한 흡착 유지부(121)로서는, 예를 들면 포러스 척을 이용할 수 있다. 또한, 흡착 방식은 상기의 예에 한정되지 않고, 예를 들면 정전 척 등의 다른 방식을 이용해도 된다.
흡착 유지부(121)는 웨이퍼(W)보다 소경의 흡착 영역을 가진다. 이에 의해, 후술하는 베벨 세정부(104)의 베벨 브러시(141)를 웨이퍼(W)의 주연부에 접촉시킬 수 있다.
지주 부재(122)는 흡착 유지부(121)의 하부에 마련되어 있고, 제 1 챔버(101) 및 제 1 회수컵(103)에 대하여 축받이(도시하지 않음)를 개재하여 회전 가능하게 지지된다. 구동부(123)는 지주 부재(122)의 하부에 마련되고, 지주 부재(122)를 연직축둘레로 회전시킨다. 이에 의해, 흡착 유지부(121)에 흡착 유지된 웨이퍼(W)가 회전한다.
제 1 회수컵(103)은 제 1 유지부(102)를 둘러싸도록 배치된다. 제 1 회수컵(103)의 저부에는, 제 1 토출부(105)로부터 토출되는 약액을 제 1 챔버(101)의 외부로 배출하기 위한 배액구(131)와, 제 1 챔버(101) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기구(132)가 형성된다.
베벨 세정부(104)는, 베벨 브러시(141)와, 수평 방향(여기서는, Y축 방향)으로 연장되고, 샤프트(142)를 개재하여 베벨 브러시(141)를 상방으로부터 지지하는 암(143)과, 암(143)을 레일(144)을 따라 수평 방향(여기서는, X축 방향)으로 이동시키는 이동 기구(145)를 구비한다. 이동 기구(145)는 암(143)을 연직 방향(Z축 방향)으로도 이동시키는 것이 가능하다.
제 1 토출부(105)는 예를 들면 제 1 회수컵(103)의 저부에 마련되고, 밸브(151) 또는 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 개재하여 약액 공급원(152)에 접속된다. 이러한 제 1 토출부(105)는, 약액 공급원(152)으로부터 공급되는 약액을 웨이퍼(W)의 이면 주연부를 향해 토출한다. 또한, 약액 공급원(152)으로부터 공급되는 약액으로서는, 예를 들면 SC1(암모니아 / 과산화수소 / 물의 혼합액) 등을 이용할 수 있다.
제 1 처리 유닛(18)은 상기와 같이 구성되어 있고, 표면을 상향으로 한 웨이퍼(W)의 이면을 흡착 유지부(121)로 흡착 유지한 상태에서 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 그리고, 제 1 처리 유닛(18)은, 회전하는 웨이퍼(W)의 이면 주연부를 향해 제 1 토출부(105)로부터 약액을 토출하면서, 베벨 세정부(104)의 베벨 브러시(141)를 웨이퍼(W)의 주연부에 접촉시킨다. 이와 같이, 약액에 의한 화학적인 세정과, 베벨 브러시(141)에 의한 물리적인 세정을 조합함으로써, 파티클 또는 보트 자국 등의 제거 성능을 높일 수 있다. 이와 같이, 제 1 처리 유닛(18)은 회로 형성면에 대한 약액 공급과 물리적인 세정은 행하지 않는다. 또한, 베벨 세정 처리는 회로가 형성되지 않은 웨이퍼(W)의 주연부(베벨부)에 형성된 막의 제거에도 적용할 수 있다.
또한, 제 1 처리 유닛(18)은 베벨 세정 처리 후, 제 1 토출부(105)로부터 순수 등의 린스액을 공급함으로써, 웨이퍼(W)의 주연부에 잔존하는 약액을 세정하는 린스 처리를 행해도 된다. 또한, 제 1 처리 유닛(18)은 린스 처리 후, 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써 웨이퍼(W)의 주연부를 건조시킨다.
<제 2 처리 블록(3L)의 구성>
이어서, 제 2 처리 블록(3L)의 구성에 대하여 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는 제 2 처리 블록(3L)의 모식 평면도이다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 제 2 처리 블록(3L)은 반송부(26)와 제 2 반송 장치(27)와 복수의 제 2 처리 유닛(28)을 구비한다. 제 2 반송 장치(27)는 반송부(26)의 내부에 배치되고, 복수의 제 2 처리 유닛(28)은 반송부(26)의 외부에서 반송부(26)에 인접하여 배치된다.
제 2 반송 장치(27)는 전달 블록(4)과 제 2 처리 유닛(28)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 구체적으로, 제 2 반송 장치(27)는, 전달 블록(4)으로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 2 처리 유닛(28)으로 반송하는 처리와, 제 2 처리 유닛(28)에 의해 처리된 웨이퍼(W)를 제 2 처리 유닛(28)으로부터 취출하여 전달 블록(4)으로 반송하는 처리를 행한다.
제 2 처리 유닛(28)은, 이면을 상향으로 한 상태의 웨이퍼(W)에 대하여, 웨이퍼(W)의 이면에 부착된 파티클 등을 제거하는 이면 세정 처리를 행한다. 여기서, 제 2 처리 유닛(28)의 구성에 대하여 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한다. 도 6은 제 2 처리 유닛(28)의 모식 평면도이다. 또한, 도 7은 제 2 처리 유닛(28)의 모식 측면도이다.
도 6 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 제 2 처리 유닛(28)은 제 2 챔버(201)와 제 2 유지부(202)와 제 2 회수 컵(203)과 이면 세정부(204)와 제 2 토출부(205)를 구비한다.
제 2 챔버(201)는 제 2 유지부(202), 제 2 회수 컵(203), 이면 세정부(204) 및 제 2 토출부(205)를 수용한다. 제 2 챔버(201)의 천장부에는, 제 2 챔버(201) 내에 다운 플로우를 형성하는 FFU(211)이 마련된다.
제 2 유지부(202)는 웨이퍼(W)보다 큰 직경의 본체부(221)와, 본체부(221)의 상면에 마련된 복수의 파지부(222)와, 본체부(221)를 지지하는 지주 부재(223)와, 지주 부재(223)를 회전시키는 구동부(224)를 구비한다.
이러한 제 2 유지부(202)는, 복수의 파지부(222)를 이용하여 웨이퍼(W)의 주연부를 파지함으로써 웨이퍼(W)를 유지한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)는 본체부(221)의 상면으로부터 약간 이간된 상태로 수평으로 유지된다.
또한 제 2 처리 유닛(28)에서는, 이면이 상방을 향한 상태, 환언하면, 표면이 하방을 향한 상태의 웨이퍼(W)에 대하여 이면 세정 처리가 행해진다. 이 때문에, 제 1 유지부(102)(도 4 참조)와 같이 웨이퍼(W)를 흡착하는 타입의 것을 제 2 처리 유닛(28)에서 사용하면, 회로 형성면인 표면을 오염시킬 우려가 있다. 따라서, 기판 처리 시스템(1)에서는, 회로 형성면을 오염시키지 않도록, 웨이퍼(W)의 주연부를 파지하는 타입의 것을 제 2 유지부(202)로서 이용하는 것으로 하고 있다.
제 2 회수 컵(203)은 제 2 유지부(202)를 둘러싸도록 배치된다. 제 2 회수 컵(203)의 저부에는, 제 1 회수컵(103)과 동일한 배액구(231)와 배기구(232)가 형성된다.
이면 세정부(204)는, 이면 브러시(241)와, 수평 방향(여기서는, Y축 방향)으로 연장되고, 샤프트(242)를 개재하여 이면 브러시(241)를 상방으로부터 지지하는 암(243)과, 암(243)을 레일(244)을 따라 수평 방향(여기서는, X축 방향)으로 이동시키는 이동 기구(245)를 구비한다. 이동 기구(245)는 암(243)을 연직 방향(Z축 방향)으로도 이동시키는 것이 가능하다. 또한 이면 세정부(204)는, 도시하지 않은 회전 기구를 구비하고 있고, 이러한 회전 기구를 이용하여 이면 브러시(241)를 샤프트(242) 둘레로 회전시킬 수 있다.
제 2 토출부(205)는 제 2 회수 컵(203)의 외방에 배치된다. 제 2 토출부(205)는 노즐(251)과, 수평 방향으로 연장되고, 노즐(251)을 지지하는 암(252)과, 암(252)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(253)를 구비한다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 노즐(251)은 밸브(255) 또는 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 개재하여 세정액 공급원(256)에 접속된다. 이러한 제 2 토출부(205)는, 세정액 공급원(256)으로부터 공급되는 세정액을 웨이퍼(W)를 향해 토출한다. 또한, 세정액 공급원(256)으로부터 공급되는 세정액은 예를 들면 순수이다. 또한, 세정액으로서 약액(예를 들면 SC－1)을 이용하도록 해도 된다.
제 2 처리 유닛(28)은, 상기와 같이 구성되어 있고, 이면을 상향으로 한 웨이퍼(W)의 주연부를 제 2 유지부(202)로 유지하여 회전시킨다. 이어서, 제 2 처리 유닛(28)은, 회전하는 웨이퍼(W)의 상방에 배치된 이면 세정부(204)의 이면 브러시(241)를 웨이퍼(W)에 접촉시킨다. 또한 제 2 처리 유닛(28)은, 회전하는 웨이퍼(W)의 상방에 배치된 제 2 토출부(205)로부터 웨이퍼(W)를 향해 세정액을 토출한다. 그리고, 제 2 처리 유닛(28)은 이면 브러시(241)를 회전시키면서, 예를 들면 웨이퍼(W)의 중심부로부터 외주부로 이동시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 이면 전면에 부착된 파티클 등이 제거된다.
<전달 블록(4)의 구성>
이어서, 전달 블록(4)에 대하여 설명한다. 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 전달 블록(4)의 내부에는, 복수의 이전 장치(15a, 15b)와 제 1 버퍼부(21U)와 제 2 버퍼부(21L)와 제 1 전달부(22U)와 제 2 전달부(22L)와 제 1 반전 기구(23a)와 제 2 반전 기구(23b)가 배치된다.
제 1 버퍼부(21U), 제 2 버퍼부(21L), 제 1 전달부(22U), 제 2 전달부(22L), 제 1 반전 기구(23a) 및 제 2 반전 기구(23b)는, 높이 방향으로 나열되어 배치된다. 구체적으로, 위로부터 차례로, 제 1 전달부(22U), 제 1 버퍼부(21U), 제 2 버퍼부(21L), 제 2 전달부(22L), 제 1 반전 기구(23a) 및 제 2 반전 기구(23b)의 순서로 배치되어 있다(도 2 참조).
이전 장치(15a, 15b)는, 도시하지 않은 승강 기구를 구비하고 있고, 이러한 승강 기구를 이용하여 연직 방향으로 이동함으로써, 높이 방향으로 나열되어 배치된 제 1 전달부(22U) 등에 대하여 웨이퍼(W)의 반입반출을 행한다. 이전 장치(15a)는, 제 1 전달부(22U) 등의 Y축 정방향측으로부터 제 1 전달부(22U) 등에 대하여 액세스한다. 또한 이전 장치(15b)는, 제 1 전달부(22U) 등의 Y축 부방향측으로부터 제 1 전달부(22U) 등에 대하여 액세스한다.
제 1 버퍼부(21U), 제 2 버퍼부(21L), 제 1 전달부(22U) 및 제 2 전달부(22L)는 웨이퍼(W)를 다단으로 수용 가능한 모듈이다. 이 중, 제 1 버퍼부(21U) 및 제 2 버퍼부(21L)는 주반송 장치(13)와 이전 장치(15a, 15b)에 의해 액세스된다.
여기서, 제 1 버퍼부(21U) 및 제 2 버퍼부(21L)의 구성에 대하여 도 8 및 도 9를 참조하여 설명한다. 도 8 및 도 9는 제 1 버퍼부(21U)의 구성을 나타내는 도이다. 또한, 도 8에서는 일례로서 제 1 버퍼부(21U)의 구성을 나타내는데, 제 2 버퍼부(21L)의 구성도 제 1 버퍼부(21U)와 동일하다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 제 1 버퍼부(21U)는, 베이스부(211)와, 베이스부(211) 상에 세워 설치된 3 개의 지지부(212, 213, 214)를 구비한다. 3 개의 지지부(212, 213, 214)는 원주 방향으로 약 120 도의 간격으로 배치되어 있고, 선단에서 웨이퍼(W)의 외주부를 각각 유지한다. 또한, 각 지지부(212, 213, 214)는 높이 방향을 따라 복수 마련되어 있다(예를 들면 도 9에 나타내는 복수의 지지부(212)를 참조). 이에 의해, 제 1 버퍼부(21U)는 복수 매의 웨이퍼(W)를 다단으로 수용할 수 있다.
이러한 제 1 버퍼부(21U)에는, 주반송 장치(13)와 이전 장치(15a)가 각각 상이한 방향으로부터 액세스한다. 구체적으로, 주반송 장치(13)는, 제 1 버퍼부(21U)의 X축 부방향측으로부터 지지부(212) 및 지지부(214)의 사이를 지나 제 1 버퍼부(21U) 내로 진입한다. 또한 이전 장치(15a)는, 제 1 버퍼부(21U)의 Y축 정방향측으로부터 지지부(212) 및 지지부(213)의 사이를 지나 제 1 버퍼부(21U) 내로 진입한다.
제 1 버퍼부(21U) 및 제 2 버퍼부(21L)에는 모두 표면을 상향으로 한 상태의 웨이퍼(W)가 수용된다.
제 1 전달부(22U)에는 제 1 반송 장치(17)와 이전 장치(15a, 15b)가 액세스 가능하며, 전달 블록(4)으로부터 제 1 처리 블록(3U)으로 반입되는 웨이퍼(W) 또는 제 1 처리 블록(3U)으로부터 전달 블록(4)으로 반출되는 웨이퍼(W)가 수용된다. 이러한 제 1 전달부(22U)에는, 표면을 상향으로 한 상태의 웨이퍼(W)가 수용된다. 이러한 제 1 전달부(22U)는, 제 1 반송 장치(17)가 액세스 가능한 위치, 구체적으로 제 1 처리 블록(3U)의 반송부(16)에 인접하는 위치에 배치된다.
제 2 전달부(22L)에는 제 2 반송 장치(27)와 이전 장치(15a, 15b)가 액세스 가능하며, 전달 블록(4)으로부터 제 2 처리 블록(3L)으로 반입되는 웨이퍼(W) 또는 제 2 처리 블록(3L)으로부터 전달 블록(4)으로 반출되는 웨이퍼(W)가 수용된다. 이러한 제 2 전달부(22L)에는 이면을 상향으로 한 상태의 웨이퍼(W)가 수용된다. 이러한 제 2 전달부(22L)는, 제 2 반송 장치(27)가 액세스 가능한 위치, 구체적으로, 제 2 처리 블록(3L)의 반송부(26)에 인접하는 위치에 배치된다.
제 1 반전 기구(23a) 및 제 2 반전 기구(23b)는 웨이퍼(W)의 표리를 반전시킨다. 본 실시 형태에서는, 제 1 반전 기구(23a)가, 표면을 상향으로 한 웨이퍼(W)를 반전시키고, 제 2 반전 기구(23b)가, 이면을 상향으로 한 웨이퍼(W)를 반전시키는 것으로 하는데, 제 1 반전 기구(23a) 및 제 2 반전 기구(23b)가 어느 표리 상태의 웨이퍼(W)를 반전시킬지에 대해서는, 상기의 예에 한정되지 않는다.
이와 같이, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 표면을 상향으로 한 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 행하는 제 1 처리 유닛(18)을 제 1 처리 블록(3U)에 배치하고, 이면을 상향으로 한 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 행하는 제 2 처리 유닛(28)을 제 1 처리 블록(3U)과 공간적으로 구획된 제 2 처리 블록(3L)에 배치하는 것으로 했다. 또한, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 웨이퍼(W)의 표리를 반전시키는 반전 기구(23a, 23b)를, 제 1 처리 블록(3U)으로부터 제 2 처리 블록(3L)으로의 웨이퍼(W)의 반송 경로인 전달 블록(4)에 배치하는 것으로 했다.
이와 같이 구성함으로써, 제 1 처리 블록(3U)에서는 표면을 상향으로 한 웨이퍼(W)만을 취급할 수 있고, 제 2 처리 블록(3L)에서는 이면을 상향으로 한 웨이퍼(W)만을 취급할 수 있다. 즉, 제 1 처리 블록(3U) 및 제 2 처리 블록(3L) 어디에서도, 표면을 상향으로 한 웨이퍼(W)와 이면을 상향으로 한 웨이퍼(W)가 혼재되는 상황이 발생하지 않는다. 이 때문에, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 의하면, 웨이퍼(W)의 표리의 상태 관리의 복잡화를 억제할 수 있다.
<제어 장치(5)의 구성>
기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(5)(도 1 참조)를 구비한다. 제어 장치(5)는 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(51)와 기억부(52)를 구비한다. 기억부(52)에는 기판 처리 시스템(1)에서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(51)는 예를 들면 CPU(Central Processing Unit)이며, 기억부(52)에 기억된 프로그램을 읽어내 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(5)의 기억부(52)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다. 또한, 제어부(51)는 프로그램을 이용하지 않고 하드웨어만으로 구성되어도 된다.
<반송 수단의 구성>
이어서, 기판 처리 시스템(1)이 구비하는 반송 수단 즉 주반송 장치(13), 이전 장치(15a, 15b), 제 1 반송 장치(17) 및 제 2 반송 장치(27)의 구성에 대하여 도 10을 참조하여 설명한다. 도 10은 주반송 장치(13), 이전 장치(15a, 15b), 제 1 반송 장치(17) 및 제 2 반송 장치(27)의 배치도이다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 주반송 장치(13)는 웨이퍼(W)를 유지하는 복수(여기서는 5 개)의 웨이퍼 유지부(130)를 구비한다. 주반송 장치(13)는 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지부(130)를 이용하여 카세트(C)와 제 1 버퍼부(21U) 및 제 2 버퍼부(21L)의 사이에서 복수 매의 웨이퍼(W)를 동시에 반송할 수 있다.
이전 장치(15a, 15b)는, 상술한 바와 같이, 도 2에 나타내는 제 1 버퍼부(21U), 제 2 버퍼부(21L), 제 1 전달부(22U), 제 2 전달부(22L), 제 1 반전 기구(23a) 및 제 2 반전 기구(23b)에 대하여 웨이퍼(W)의 반입반출을 행한다.
제 1 반송 장치(17) 및 제 2 반송 장치(27)는 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동이 가능하다. 제 1 반송 장치(17)는, 웨이퍼 유지부(170)를 이용하여 제 1 전달부(22U)와 제 1 처리 유닛(18)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행하고, 제 2 반송 장치(27)는, 웨이퍼 유지부(270)를 이용하여 제 2 전달부(22L)와 제 2 처리 유닛(28)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
여기서, 제 1 반송 장치(17) 및 제 2 반송 장치(27)가 구비하는 웨이퍼 유지부(170, 270)의 구성에 대하여 도 11 및 도 12를 참조하여 설명한다. 도 11은 제 1 반송 장치(17)가 구비하는 웨이퍼 유지부(170)의 모식 평면도이다. 또한, 도 12는 제 2 반송 장치(27)가 구비하는 웨이퍼 유지부(270)의 모식 평면도이다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 제 1 반송 장치(17)가 구비하는 웨이퍼 유지부(170)는, 선단부가 두 갈래 형상으로 분기된 형상을 가지는 본체부(171)와, 본체부(171)의 상면에 마련되고, 웨이퍼(W)를 흡착하는 복수의 흡착부(172)를 구비한다. 흡착부(172)는, 예를 들면 본체부(171)의 기단부 및 두 갈래 형상의 각 선단부에 각각 마련된다. 각 흡착부(172)는, 진공 펌프 등의 흡기 장치(도시하지 않음)에 접속되고, 이러한 흡기 장치의 흡기에 의해 발생하는 부압을 이용하여 웨이퍼(W)를 흡착한다.
이러한 웨이퍼 유지부(170)는, 흡착부(172)를 이용하여 웨이퍼(W)의 이면을 흡착함으로써 웨이퍼(W)를 유지한다. 이 때문에, 웨이퍼 유지부(170)에 의하면, 반송 중에 있어서의 웨이퍼(W)의 위치 이탈을 방지할 수 있다.
제 1 처리 유닛(18)에서는, 상술한 바와 같이 베벨 세정 처리가 행해진다. 여기서, 베벨 세정 처리를 행할 시 웨이퍼(W)의 위치가 어긋나 있으면, 웨이퍼(W)의 주연부에 대하여 베벨 브러시(141)를 적절히 접촉시키는 것이 어렵다. 이 때문에, 베벨 세정 처리를 행하는 경우에는, 웨이퍼(W)의 중심이 제 1 유지부(102)의 회전 중심과 일치되어 있는 것이 바람직하다.
웨이퍼(W)의 위치 이탈은 반송 중에 발생하는 경우가 있다. 이 때문에, 제 1 처리 유닛(18)으로 웨이퍼(W)를 반송한 후, 베벨 세정 처리의 개시 전에, 웨이퍼(W)의 위치 조정을 행하여 반송에 의한 웨이퍼(W)의 위치 이탈을 바로잡는 것이 고려된다. 그러나, 이와 같이 했을 경우, 처리 시간의 증가에 따른 스루풋의 저하, 또는 위치 조정용의 기구의 배치에 수반하는 시스템의 대형화 등이 발생할 우려가 있다.
이에 대하여, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 반송 중에 있어서의 웨이퍼(W)의 위치 이탈을 흡착부(172)에 의해 방지할 수 있기 때문에, 제 1 처리 유닛(18)의 제 1 유지부(102)에 대하여 웨이퍼(W)를 적절한 위치로 유지시킬 수 있다. 따라서, 위치 조정 처리 및 위치 조정용의 기구가 불필요하기 때문에, 스루풋의 저하 및 시스템의 대형화를 억제할 수 있다.
이어서, 제 2 반송 장치(27)가 구비하는 웨이퍼 유지부(270)의 구성에 대하여 설명한다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 제 2 반송 장치(27)가 구비하는 웨이퍼 유지부(270)는, 웨이퍼(W)보다 대경의 내주부를 가지는 본체부(271)와, 본체부(271)의 내주부로부터 이러한 내주부의 직경 방향 내측으로 돌출되는 복수의 클로부(272)를 구비한다.
이러한 웨이퍼 유지부(270)는, 웨이퍼(W)의 외주부를 클로부(272)에 배치시킴으로써 웨이퍼(W)를 유지한다. 따라서, 웨이퍼 유지부(270)에 의하면, 흡착 자국 등의 오염을 최대한 발생시키지 않고 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
기판 처리 시스템(1)에 있어서, 제 2 반송 장치(27)는, 베벨 세정 처리 및 이면 세정 처리의 양방을 종료한 세정 완료된 웨이퍼(W)를 전달 블록(4)까지 반송하게 된다. 이 때문에, 기판 처리 시스템(1)에서는, 세정 완료된 웨이퍼(W)를 최대한 오염시키지 않는 웨이퍼 유지부(270)를 구비하는 제 2 반송 장치(27)를 제 2 처리 블록(3L)의 반송부(26)에 배치하는 것으로 하고 있다.
이와 같이, 제 1 처리 유닛(18)과 제 2 처리 유닛(28)에서는, 웨이퍼(W)의 반입반출에 적합한 반송 장치가 상이하다. 이에 대하여, 기판 처리 시스템(1)에서는, 처리 블록(3)을 제 1 처리 블록(3U)과 제 2 처리 블록(3L)으로 나누었기 때문에, 제 1 처리 유닛(18)에 적합한 제 1 반송 장치(17)와 제 2 처리 유닛(28)에 적합한 제 2 반송 장치(27)의 양방을 사용하는 것이 가능하다.
또한 도 10에서는, 이전 장치(15a, 15b), 제 1 반송 장치(17) 및 제 2 반송 장치(27)가 1 개의 웨이퍼 유지부를 구비하는 경우의 예를 나타냈지만, 이전 장치(15a, 15b), 제 1 반송 장치(17) 및 제 2 반송 장치(27)는 주반송 장치(13)와 마찬가지로, 복수의 웨이퍼 유지부를 구비하고 있어도 된다.
<웨이퍼(W)의 반송 플로우>
이어서, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 플로우에 대하여 도 13을 참조하여 설명한다. 도 13은 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 플로우의 설명도이다. 또한 도 13에서는, 표면을 상향으로 한 웨이퍼(W)의 반송 플로우를 실선으로, 이면을 상향으로 한 웨이퍼(W)의 반송 플로우를 파선으로 나타내고 있다.
또한 이하에서는, 주반송 장치(13)를 'CRA', 이전 장치(15a, 15b)를 'MPRA', 제 1 반송 장치(17)를 'PRA1', 제 2 반송 장치(27)를 'PRA2'라고 기재하는 경우가 있다. 또한, 제 1 버퍼부(21U)를 'SBU1', 제 2 버퍼부(21L)를 'SBU2', 제 1 전달부(22U)를 'TRS1', 제 2 전달부(22L)를 'TRS2', 제 1 반전 기구(23a)를 'RVS1', 제 2 반전 기구(23b)를 'RVS2'라고 기재하는 경우가 있다. 또한, 제 1 처리 유닛(18)을 'CH1', 제 2 처리 유닛(28)을 'CH2'라고 기재하는 경우가 있다. 또한 도 13에서는, 제 1 버퍼부(21U)(SBU1), 제 2 버퍼부(21L)(SBU2), 제 1 전달부(22U)(TRS1), 제 2 전달부(22L)(TRS2), 제 1 반전 기구(23a)(RVS1) 및 제 2 반전 기구(23b)(RVS2)에 대해서는 부호를 생략하여 나타내고 있다.
도 13에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 주반송 장치(13)(CRA)가 카세트(C)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 복수 매 모아 취출하여 제 1 버퍼부(21U)(SBU1)에 수용한다(단계(S101)).
이어서, 이전 장치(15a)(MPRA)가, 제 1 버퍼부(21U)(SBU1)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 전달부(22U)(TRS1)로 이전한다(단계(S102)).
이어서, 제 1 처리 블록(3U)의 제 1 반송 장치(17)(PRA1)가 제 1 전달부(22U)(TRS1)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 처리 유닛(18)(CH1)으로 반송하고(단계(S103)), 제 1 처리 유닛(18)(CH1)이 웨이퍼(W)에 대하여 베벨 세정 처리를 행한다. 또한, 베벨 세정 처리가 종료되면, 제 1 반송 장치(17)(PRA1)가 베벨 세정 처리 완료된 웨이퍼(W)를 제 1 처리 유닛(18)(CH1)으로부터 취출하여 제 1 전달부(22U)(TRS1)에 수용한다(단계(S104)).
이어서, 이전 장치(15a)(MPRA)가, 베벨 세정 처리 완료된 웨이퍼(W)를 제 1 전달부(22U)(TRS1)로부터 취출하여 제 1 반전 기구(23a)(RVS1)로 옮기고(단계(S105)), 제 1 반전 기구(23a)(RVS1)가, 이러한 웨이퍼(W)의 표리를 반전한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)는 이면이 상방을 향한 상태가 된다.
이어서, 이전 장치(15b)(MPRA)가, 제 1 반전 기구(23a)(RVS1)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 2 전달부(22L)(TRS2)로 옮긴다(단계(S106)).
이어서, 제 2 처리 블록(3L)의 제 2 반송 장치(27)(PRA2)가, 제 2 전달부(22L)(TRS2)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 2 처리 유닛(28)(CH2)으로 반송하고(단계(S107)), 제 2 처리 유닛(28)(CH2)이, 웨이퍼(W)에 대하여 이면 세정 처리를 행한다. 또한, 이면 세정 처리가 종료되면, 제 2 반송 장치(27)(PRA2)가, 이면 세정 처리 완료된 웨이퍼(W)를 제 2 처리 유닛(28)(CH2)으로부터 취출하여 제 2 전달부(22L)(TRS2)에 수용한다(단계(S108)).
또한, 제 2 반송 장치(27)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 처리(단계(S107, S108)) 및 제 2 처리 유닛(28)에 있어서의 이면 세정 처리는, 제 1 반송 장치(17)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 처리(단계(S103, S104)) 및 제 1 처리 유닛(18)에 있어서의 베벨 세정 처리와 병행하여 행해진다. 또한, 제 1 반송 장치(17)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 처리(단계(S103, S104)) 및 제 2 반송 장치(27)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 처리(단계(S107), S108)는, 이전 장치(15a, 15b)(MPRA)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 처리(단계(S102, S105, S106, S109, S110))와 병행하여 행해진다. 이에 의해, 일련의 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
이어서, 이전 장치(15b)(MPRA)가, 제 2 전달부(22L)(TRS2)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 2 반전 기구(23b)(RVS2)로 옮기고(단계(S109)), 제 2 반전 기구(23b)(RVS2)가, 이러한 웨이퍼(W)의 표리를 반전한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)는 다시 표면이 상방을 향한 상태가 된다.
이어서, 이전 장치(15a)(MPRA)가, 제 2 반전 기구(23b)(RVS2)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 2 버퍼부(21L)(SBU2)로 옮기고(단계(S110)), 주반송 장치(13)(CRA)가, 베벨 세정 처리 및 이면 세정 처리를 끝낸 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼부(21L)(SBU2)로부터 복수 매 모아 취출하여 카세트(C)에 수용한다(단계(S111)). 이에 의해, 일련의 기판 처리가 종료된다.
상술한 바와 같이, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은, 제 1 처리 블록(3U)과 제 2 처리 블록(3L)과 제 1 반전 기구(23a) 및 제 2 반전 기구(23b)(RVS1, RVS2)를 구비한다. 제 1 처리 블록(3U)은, 웨이퍼(W)에 있어서의 표면('제 1 면'의 일례에 상당)을 상향으로 한 상태에서 웨이퍼(W)의 처리를 행하는 제 1 처리 유닛(18)(CH1)과, 제 1 처리 유닛(18)(CH1)에 대하여 웨이퍼(W)의 반입반출을 행하는 제 1 반송 장치(17)(PRA1)를 포함한다. 제 2 처리 블록(3L)은, 웨이퍼(W)에 있어서의 표면과는 반대측의 면인 이면('제 2 면'의 일례에 상당)을 상향으로 한 상태에서 웨이퍼(W)의 처리를 행하는 제 2 처리 유닛(28)(CH2)과, 제 2 처리 유닛(28)(CH2)에 대하여 웨이퍼(W)의 반입반출을 행하는 제 2 반송 장치(27)(PRA2)를 포함한다. 제 1 반전 기구(23a) 및 제 2 반전 기구(23b)(RVS1, RVS2)는, 제 1 처리 블록(3U)으로부터 제 2 처리 블록(3L)으로의 웨이퍼(W)의 반송 경로의 도중에 배치되고, 웨이퍼(W)를 반전시킨다.
따라서, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 의하면, 표면을 상향으로 한 웨이퍼(W)와 이면을 상향으로 한 웨이퍼(W)의 양방을 취급하는 경우에 있어서, 웨이퍼(W)의 표리의 상태 관리의 복잡화를 억제할 수 있다.
또한, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 제 1 반전 기구(23a)(RVS1) 및 제 2 반전 기구(23b)(RVS2)에 대한 웨이퍼(W)의 반입반출을 이전 장치(15a, 15b)(MPRA)로 행하게 하도록 하고 있다. 이에 의해, 제 1 반송 장치(17)(PRA1) 및 제 2 반송 장치(27)(PRA2)에 대하여 상기 웨이퍼(W)의 반입반출을 행하게 하는 경우와 비교하여, 제 1 반송 장치(17)(PRA1) 및 제 2 반송 장치(27)(PRA2)의 처리 부하를 저감시킬 수 있다.
또한 기판 처리 시스템(1)은, 제 1 반전 기구(23a)(RVS1) 및 제 2 반전 기구(23b)(RVS2)에 대한 웨이퍼(W)의 반입 또는 반출을 제 1 반송 장치(17)(PRA1) 및 제 2 반송 장치(27)(PRA2)로 행하게 해도 된다. 이 경우에는, 제 1 반전 기구(23a)(RVS1) 및 제 2 반전 기구(23b)(RVS2)를 제 1 반송 장치(17)(PRA1) 또는 제 2 반송 장치(27)(PRA2)가 액세스 가능한 위치에 배치하면 된다.
또한 제 1 실시 형태에서는, 제 1 처리 블록(3U)이 상단측에 배치되고, 제 2 처리 블록(3L)이 하단측에 배치되는 경우의 예를 나타냈지만, 제 1 처리 블록(3U) 및 제 2 처리 블록(3L)의 배치는 반대여도 된다.
(제 2 실시 형태)
<제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)의 구성>
이어서, 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)에 대하여 설명한다. 먼저, 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)의 구성에 대하여 도 14 및 도 15를 참조하여 설명한다. 도 14는 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)의 모식 평면도이다. 또한, 도 15는 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)의 모식 측면도이다. 또한 이하의 설명에서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부분에 대해서는 이미 설명한 부분과 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명을 생략한다.
도 14에 나타내는 바와 같이, 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)은, 반입반출 블록(2)과 제 1 처리 블록(3B)과 제 2 처리 블록(3F)과 제 1 전달 블록(4F)과 제 2 전달 블록(4B)을 구비한다. 이들은 반입반출 블록(2), 제 1 전달 블록(4F), 제 2 처리 블록(3F), 제 2 전달 블록(4B) 및 제 1 처리 블록(3B)의 순으로 나열되어 배치된다.
또한, 반입반출 블록(2) 및 제 1 전달 블록(4F)에 대해서는, 제 1 실시 형태에 있어서의 반입반출 블록(2) 및 전달 블록(4)과 동일한 구성이기 때문에, 여기서의 설명은 생략한다.
<제 1 처리 블록(3B)의 구성>
제 1 처리 블록(3B)은, 제 2 전달 블록(4B)의 후방 즉 기판 처리 시스템(1A)의 최후방에 배치된다. 이러한 제 1 처리 블록(3B)은 제 1 반송 장치(17)와 복수의 제 1 처리 유닛(18)을 구비한다. 제 1 반송 장치(17)는 제 1 처리 유닛(18) 및 제 2 전달 블록(4B) 간의 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
복수의 제 1 처리 유닛(18)은, 제 1 반송 장치(17)의 Y축 정방향측 및 Y축 부방향측에 인접하여 배치된다. 도 15에 나타내는 바와 같이, 복수의 제 1 처리 유닛(18)은 높이 방향으로 나열되어 배치된다.
<제 2 처리 블록(3F)의 구성>
제 2 처리 블록(3F)은 제 1 전달 블록(4F)과 제 2 전달 블록(4B)의 사이에 배치되고, 제 2 반송 장치(27)와 복수의 제 2 처리 유닛(28)을 구비한다. 제 2 반송 장치(27)는 제 1 전달 블록(4F) 및 제 2 처리 유닛(28) 간의 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 또한, 제 2 반송 장치(27)는 제 1 전달 블록(4F) 및 제 2 전달 블록(4B) 간의 웨이퍼(W)의 반송도 행한다.
복수의 제 2 처리 유닛(28)은 제 2 반송 장치(27)의 Y축 정방향측 및 Y축 부방향측에 인접하여 배치된다. 도 15에 나타내는 바와 같이, 복수의 제 2 처리 유닛(28)은 높이 방향으로 나열되어 배치된다.
<제 2 전달 블록(4B)의 구성>
제 2 전달 블록(4B)은 제 2 처리 블록(3F)과 제 1 처리 블록(3B)의 사이에 배치된다. 이러한 제 2 전달 블록(4B)의 내부에는 이전 장치(15c)와 제 3 전달부(19)가 배치된다.
이전 장치(15c)는 상술한 이전 장치(15a, 15b)와 동일한 구성을 가지고, 제 3 전달부(19)의 Y축 정방향측에 배치된다. 또한, 제 2 전달 블록(4B)은 반드시 이전 장치(15c)를 구비하는 것을 요하지는 않는다.
제 3 전달부(19)는 복수 매의 웨이퍼(W)를 다단으로 수납 가능하다. 또한, 제 3 전달부(19)는 수평 방향(여기서는, X축 방향)을 따라 슬라이드 가능하게 구성되어 있고, X축 부방향측으로 슬라이드함으로써 제 2 처리 블록(3F)의 반송부(26)로 진입하여, 제 2 반송 장치(27)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다. 또한, 제 3 전달부(19)는 제 1 전달부(22U) 및 제 2 전달부(22L)와 동일한 구성을 가지는 것이어도 된다.
제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)은 상기와 같이 구성되어 있고, 반입반출 블록(2)으로부터 반입된 웨이퍼(W)를 제 1 전달 블록(4F), 제 2 처리 블록(3F) 및 제 2 전달 블록(4B)을 거쳐 제 1 처리 블록(3B)으로 반송하여, 제 1 처리 블록(3B)에서 베벨 세정 처리를 행한다. 이 후, 기판 처리 시스템(1A)은, 베벨 세정 처리 후의 웨이퍼(W)를 제 1 처리 블록(3B)으로부터 제 2 전달 블록(4B), 제 2 처리 블록(3F) 및 제 1 전달 블록(4F)으로 되돌린 후, 제 2 처리 블록(3F)으로 반송하여, 제 2 처리 블록(3F)에서 이면 세정 처리를 행한다. 그리고, 기판 처리 시스템(1A)은 이면 세정 처리 후의 웨이퍼(W)를 제 2 처리 블록(3F)으로부터 제 1 전달 블록(4F) 경유로 반입반출 블록(2)으로 반송하고, 반입반출 블록(2)으로부터 외부로 내보낸다.
<웨이퍼(W)의 반송 플로우>
상기한 웨이퍼(W)의 반송 플로우에 대하여 도 16을 참조하여 구체적으로 설명한다. 도 16은 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 플로우의 설명도이다. 또한 도 16에서는, 제 3 전달부(19)를 'TRS3'라고 기재한다. 또한 도 16에서는, 제 1 버퍼부(21U)(SBU1), 제 2 버퍼부(21L)(SBU2), 제 1 전달부(22U)(TRS1), 제 2 전달부(22L)(TRS2), 제 3 전달부(19)(TRS3), 제 1 반전 기구(23a)(RVS1), 제 2 반전 기구(23b)(RVS2), 제 1 처리 유닛(18)(CH1) 및 제 2 처리 유닛(28)(CH2)에 대해서는 부호를 생략한다.
도 16에 나타내는 단계(S201, S202)의 처리는, 도 13에 나타내는 단계(S101, S102)의 처리와 동일하다. 즉, 기판 처리 시스템(1A)에서는, 먼저 주반송 장치(13)(CRA)가, 카세트(C)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 복수 매 모아 취출하여 제 1 버퍼부(21U)(SBU1)에 수용(단계(S201))하고, 이전 장치(15a)(MPRA)가 제 1 버퍼부(21U)(SBU1)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 전달부(22U)(TRS1)로 옮긴다(단계(S202)).
이어서, 제 2 반송 장치(27)(PRA2)가 제 1 전달부(22U)(TRS1)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 3 전달부(19)(TRS3)로 반송한다(단계(S203)). 그리고, 제 1 반송 장치(17)(PRA1)가 제 3 전달부(19)(TRS3)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 처리 유닛(18)(CH1)으로 반송하고(단계(S204)), 제 1 처리 유닛(18)(CH1)이 웨이퍼(W)에 대하여 베벨 세정 처리를 행한다.
이어서, 베벨 세정 처리가 종료되면, 제 1 반송 장치(17)(PRA1)가 베벨 세정 처리 완료된 웨이퍼(W)를 제 1 처리 유닛(18)(CH1)으로부터 취출하여 제 3 전달부(19)(TRS3)에 수용한다(단계(S205)). 그리고, 제 2 반송 장치(27)(PRA2)가 제 3 전달부(19)(TRS3)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 전달부(22U)(TRS1)에 수납한다(단계(S206)). 그 후의 처리(단계(S207 ~ S213))는 도 13에 나타내는 단계(S105 ~ S111)와 동일하므로, 여기서의 설명은 생략한다.
이와 같이, 제 1 처리 유닛(18)을 구비하는 제 1 처리 블록(3B)과, 제 2 처리 유닛(28)을 구비하는 제 2 처리 블록(3F)은, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)과 같이 높이 방향으로 나열되어 배치되는 경우에 한정되지 않고, 수평 방향으로 나열되어 배치되어도 된다.
또한, 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)에서는, 제 2 처리 블록(3F)이 제 1 처리 블록(3B)보다 전단측에, 환언하면, 반입반출 블록(2)에 가까운 위치에 배치된다. 이러한 배치로 함으로써, 웨이퍼(W)를 흡착 유지하는 제 1 반송 장치(17)가, 베벨 세정 처리 및 이면 세정 처리를 끝낸 세정 완료된 웨이퍼(W)를 유지하지 않도록 할 수 있다. 이 때문에, 세정 완료된 웨이퍼(W)에 흡착 자국 등의 오염이 부착되는 것을 억제하는 것이 가능하다.
또한, 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)에서는, 제 2 처리 블록(3F)에서 표면을 상향으로 한 상태의 웨이퍼(W)와, 이면을 상향으로 한 상태의 웨이퍼(W)의 양방이 반송되게 된다. 그러나, 표면을 상향으로 한 상태의 웨이퍼(W)는, 단순히 제 2 처리 블록(3F)을 통과하는 것 뿐이므로, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)과 비교하여 웨이퍼(W)의 표리의 상태 관리가 크게 복잡화되지 않는다.
(제 3 실시 형태)
상술한 제 2 실시 형태에서는, 제 1 반전 기구(23a) 및 제 2 반전 기구(23b)가 제 1 전달 블록(4F)에 배치되는 경우의 예에 대하여 설명했지만, 제 1 반전 기구(23a) 및 제 2 반전 기구(23b)의 배치는 상기의 예에 한정되지 않는다. 따라서 제 3 실시 형태에서는, 제 1 반전 기구(23a) 및 제 2 반전 기구(23b)의 배치의 변형예에 대하여 설명한다.
도 17은 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1B)의 모식 평면도이다. 도 17에 나타내는 바와 같이, 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1B)에서는, 제 2 전달 블록(4B)에 제 1 반전 기구(23a)가 배치되고, 제 1 전달 블록(4F)에는 제 2 반전 기구(23b)가 배치된다.
이어서, 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1B)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 플로우에 대하여 도 18을 참조하여 설명한다. 도 18은 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1B)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 플로우의 설명도이다.
또한 이하에서는, 제 1 전달 블록(4F)에 배치되는 이전 장치(15a, 15b)를 '제 1 이전 장치(15a, 15b)'라고 기재하고, 제 2 전달 블록(4B)에 배치되는 이전 장치(15c)를 '제 2 이전 장치(15c)'라고 기재하는 것으로 한다. 또한 도 18에서는, 제 1 이전 장치(15a, 15b)를 'MPRA1', 제 2 이전 장치(15c)를 'MPRA2'라고 각각 기재한다.
또한 도 16과 마찬가지로, 도 18에서는, 제 1 버퍼부(21U)(SBU1), 제 2 버퍼부(21L)(SBU2), 제 1 전달부(22U)(TRS1), 제 2 전달부(22L)(TRS2), 제 3 전달부(19)(TRS3), 제 1 반전 기구(23a)(RVS1), 제 2 반전 기구(23b)(RVS2), 제 1 처리 유닛(18)(CH1) 및 제 2 처리 유닛(28)(CH2)에 대해서는 부호를 생략한다.
도 18에 나타내는 단계(S301 ~ S305)의 처리는, 도 16에 나타내는 단계(S201 ~ S205)의 처리와 동일하다. 단계(S305)의 처리 후, 제 2 이전 장치(15c)(MPRA2)는 제 3 전달부(19)(TRS3)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 반전 기구(23a)(RVS1)로 옮기고(단계(S306)), 제 1 반전 기구(23a)(RVS1)가 웨이퍼(W)의 표리를 반전한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)는 이면이 상방을 향한 상태가 된다.
이어서, 제 2 이전 장치(15c)(MPRA2)가, 제 1 반전 기구(23a)(RVS1)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 3 전달부(19)(TRS3)로 옮기고(단계(S307)), 제 2 반송 장치(27)(PRA2)가 제 3 전달부(19)(TRS3)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 2 처리 유닛(28) (CH2)으로 반송하고(단계(S308)), 제 2 처리 유닛(28)(CH2)이 웨이퍼(W)에 대하여 이면 세정 처리를 행한다.
이어서, 이면 세정 처리가 종료되면, 제 2 반송 장치(27)(PRA2)가 이면 세정 처리 완료된 웨이퍼(W)를 제 2 처리 유닛(28)(CH2)으로부터 취출하여 제 2 전달부(22L)(TRS2)에 수용한다(단계(S309)). 이 후의 처리(단계(S310 ~ S312))는 도 16에 나타내는 단계(S211 ~ S213)와 동일하므로, 여기서의 설명은 생략한다.
이와 같이, 제 1 반전 기구(23a) 및 제 2 반전 기구(23b)는 제 1 전달 블록(4F)과 제 2 전달 블록(4B)에 각각 배치되어도 된다.
(제 4 실시 형태)
상술한 각 실시 형태에서는, 제 1 처리 블록(3U, 3B)에서 베벨 세정 처리를 행하는 경우의 예에 대하여 설명했다. 그러나, 제 1 처리 블록(3U, 3B)에서 행해지는 기판 처리는 베벨 세정 처리에 한정되지 않는다. 따라서 제 4 실시 형태에서는, 제 1 처리 블록(3U, 3B)에서 행해지는 기판 처리의 변형예에 대하여 도 19를 참조하여 설명한다. 도 19는 제 4 실시 형태에 따른 제 1 처리 유닛(18A)의 모식 측면도이다.
도 19에 나타내는 바와 같이, 제 4 실시 형태에 따른 제 1 처리 유닛(18A)은 제 3 토출부(106)를 더 구비한다. 제 3 토출부(106)는 밸브(161) 또는 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 개재하여 에칭액 공급원(162)에 접속된다. 이러한 제 3 토출부(106)는, 에칭액 공급원(162)으로부터 공급되는 에칭액을 웨이퍼(W)의 상방으로부터 웨이퍼(W)의 표면측의 외주부를 향해 토출한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 외주부에 형성되어 있던 막이 제거된다.
제 1 처리 유닛(18A)은 상기와 같이 구성되어 있고, 회전하는 웨이퍼(W)에 대하여, 베벨 세정부(104) 및 제 1 토출부(105)를 이용한 베벨 세정 처리를 행한 후, 제 3 토출부(106)를 이용한 엣지 컷 처리를 행한다.
이와 같이, 제 1 처리 블록(3U, 3B)에서 베벨 세정 처리 및 엣지 컷 처리를 행한 후에, 제 2 처리 블록(3L, 3F)에서 이면 세정 처리를 행하도록 해도 된다.
또한 여기서는, 제 1 처리 유닛(18A)이, 베벨 세정 처리 및 엣지 컷 처리의 양방을 행하는 경우의 예에 대하여 설명했지만, 베벨 세정 처리를 행하는 처리 유닛과 엣지 컷 처리를 행하는 처리 유닛을 나누어 제 1 처리 블록(3U, 3B)에 배치해도 된다.
(제 5 실시 형태)
<기판 처리 시스템(1C)의 구성>
이어서, 제 5 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1C)에 대하여 설명한다. 도 20은 제 5 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1C)의 모식 평면도이며, 도 21은 기판 처리 시스템(1C)의 모식 측면도이다.
도 20 및 도 21에 나타내는 바와 같이, 제 5 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1C)은, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)과 대략 동일한 구성을 가지지만, 처리 블록(3C) 및 전달 블록(4C)을 구비하는 점에서, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)과 상이하다.
도 21에 나타내는 바와 같이, 처리 블록(3C)은 제 2 처리 유닛(28C)을 구비한다. 제 2 처리 유닛(28C)은 제 2 처리 유닛(28)과 상이하며, 이면을 상향으로 한 상태의 웨이퍼(W)에 대한 처리와, 이면을 하향으로 한 상태(즉, 표면을 상향으로 한 상태)의 웨이퍼(W)에 대한 처리를 행한다.
<제 2 처리 유닛(28C)의 구성>
여기서, 제 2 처리 유닛(28C)의 구성에 대하여 도 22를 참조하여 설명한다. 도 22는 제 5 실시 형태에 따른 제 2 처리 유닛(28C)의 모식 평면도이다.
도 22에 나타내는 바와 같이, 제 2 처리 유닛(28C)은 제 2 챔버(201)와 제 2 유지부(202)와 제 2 회수 컵(203)과 이면 세정부(204C)와 제 2 토출부(205)와 제 4 토출부(206)를 구비한다. 또한, 이면 세정부(204C) 및 제 4 토출부(206) 이외의 구성은 제 2 처리 유닛(28)과 동일하므로, 여기서의 설명은 생략한다.
이면 세정부(204C)는 이면 브러시(241)와 수평 방향(여기서는, Y축 방향)으로 연장되고, 샤프트(242)를 개재하여 이면 브러시(241)를 상방으로부터 지지하는 암(246)과, 암(246)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(247)를 구비한다. 또한, 이면 세정부(204C)는 도시하지 않은 회전 기구를 구비하고 있고, 이러한 회전 기구를 이용하여 이면 브러시(241)를 샤프트(242) 둘레로 회전시킬 수 있다.
이면 세정부(204C) 및 제 2 토출부(205)는, 기판에 있어서의 제 2 면을 상향으로 한 상태에서 기판의 처리를 행하는 제 1 처리부의 일례에 상당한다. 또한 제 2 처리 유닛(28C)은, 이면 세정부(204C) 대신에, 제 2 처리 유닛(28)이 구비하는 이면 세정부(204)를 구비해도 된다.
제 4 토출부(206)는 제 2 회수 컵(203)의 외방에 배치된다. 제 4 토출부(206)는 노즐(261)과 수평 방향으로 연장되고, 노즐(261)을 지지하는 암(262)과, 암(262)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(263)를 구비한다.
노즐(261)은 예를 들면 2 유체 노즐이며, 밸브(264) 및 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 개재하여 세정액 공급원(265)에 접속되고, 또한 밸브(266) 및 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 개재하여 기체 공급원(267)에 접속된다.
제 4 토출부(206)는, 세정액 공급원(265)으로부터 공급되는 세정액(예를 들면, 순수)과 기체 공급원(267)으로부터 공급되는 기체(예를 들면, 질소 등의 불활성 가스)를 노즐(261) 내에서 혼합하고, 이에 의해 액적 형상의 또는 미스트화된 세정액을 노즐(261)로부터 기판에 공급한다.
제 4 토출부(206)는, 기판에 있어서의 제 1 면을 상향으로 한 상태에서 기판의 처리를 행하는 제 2 처리부의 일례에 상당한다. 또한 여기서는, 제 4 토출부(206)가 구비하는 노즐(261)이 2 유체 노즐인 경우의 예를 나타냈지만, 노즐(261)은 통상의 노즐이어도 된다.
제 2 처리 유닛(28C)은 이면을 상향으로 한 웨이퍼(W)가 반입된 경우에는, 이면 세정부(204C) 및 제 2 토출부(205)를 이용하여 웨이퍼(W)를 처리한다.
구체적으로, 제 2 처리 유닛(28C)은 이면을 상향으로 한 웨이퍼(W)의 주연부를 제 2 유지부(202)로 유지하여 회전시킨다. 이어서, 제 2 처리 유닛(28C)은, 회전하는 웨이퍼(W)의 상방에 배치된 이면 세정부(204C)의 이면 브러시(241)를 웨이퍼(W)에 접촉시킨다. 또한 제 2 처리 유닛(28C)은, 회전하는 웨이퍼(W)의 상방에 배치된 제 2 토출부(205)로부터 웨이퍼(W)를 향해 세정액을 토출한다. 그리고, 제 2 처리 유닛(28C)은 이면 브러시(241)를 회전시키면서, 예를 들면 웨이퍼(W)의 중심부로부터 외주부로 이동시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 이면에 부착된 파티클 등이 제거된다.
또한, 제 2 처리 유닛(28C)은 표면을 상향으로 한 웨이퍼(W)가 반입된 경우에는, 제 4 토출부(206)를 이용하여 웨이퍼(W)를 처리한다.
구체적으로, 제 2 처리 유닛(28C)은, 표면을 상향으로 한 웨이퍼(W)의 주연부를 제 2 유지부(202)로 유지하여 회전시킨다. 이어서, 제 2 처리 유닛(28C)은, 회전하는 웨이퍼(W)의 상방에 제 4 토출부(206)의 노즐(261)을 배치시켜, 노즐(261)로부터 웨이퍼(W)의 표면을 향해 액적 형상의 또는 미스트화된 세정액을 공급한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면이 세정되고, 당초부터 표면에 부착되어 있던 파티클 등을 제거할 수 있다. 또한, 당초에는 부착되어 있지 않았더라도, 예를 들면 제 1 처리 유닛(18)에서의 처리, 제 2 처리 유닛(28C)에서의 이면 처리, 및 웨이퍼(W)의 반송의 과정에서 부착된 파티클 등도 제거할 수 있다.
<전달 블록(4C)의 구성>
이어서, 전달 블록(4C)의 구성에 대하여 도 20, 도 21 및 도 23을 참조하여 설명한다. 도 23은 제 5 실시 형태에 따른 전달 블록(4C)의 모식 배면도이다.
도 21 및 도 23에 나타내는 바와 같이, 전달 블록(4C)의 내부에는, 제 1 전달부(22U)와 버퍼부(21)와 제 1 반전 기구(23a)와 제 2 전달부(22L)와 제 2 반전 기구(23b)가, 위로부터 차례로 상기의 순서로 높이 방향으로 나열되어 배치된다. 또한 도 20 및 도 23에 나타내는 바와 같이, 전달 블록(4C)의 내부에는 제 1 이전 장치(15Ca)와 제 2 이전 장치(15Cb)가 배치된다.
제 1 이전 장치(15Ca) 및 제 2 이전 장치(15Cb)는 도시하지 않은 승강 기구를 구비하고 있고, 이러한 승강 기구를 이용하여 연직 방향으로 이동함으로써, 높이 방향으로 나열되어 배치된 제 1 전달부(22U) 등에 대하여 웨이퍼(W)의 반입반출을 행한다. 또한, 제 1 이전 장치(15Ca)는 제 1 전달부(22U) 등의 Y축 정방향측에 배치되고, 제 2 이전 장치(15Cb)는 제 1 전달부(22U) 등의 Y축 부방향측에 배치된다.
도 23에 나타내는 바와 같이, 제 1 이전 장치(15Ca)는 제 1 전달부(22U) 및 버퍼부(21)에 대하여 액세스 가능하다. 이에 반하여, 제 2 이전 장치(15Cb)는 버퍼부(21), 제 1 반전 기구(23a), 제 2 전달부(22L) 및 제 2 반전 기구(23b)에 대하여 액세스 가능하다.
이와 같이, 전달 블록(4C)에서는, 제 1 이전 장치(15Ca) 및 제 2 이전 장치(15Cb)의 양방이 액세스 가능한 위치에 버퍼부(21)가 배치된다.
<버퍼부(21)의 구성>
버퍼부(21)는 상술한 제 1 버퍼부(21U) 및 제 2 버퍼부(21L)와 대략 동일한 구성을 가지지만, 수용 가능한 웨이퍼(W)의 단수를 제 1 버퍼부(21U) 및 제 2 버퍼부(21L)보다 많게 한 점에서, 제 1 버퍼부(21U) 및 제 2 버퍼부(21L)와 상이하다.
여기서, 버퍼부(21)의 구성에 대하여 도 24 및 도 25를 참조하여 설명한다. 도 24는 버퍼부(21)의 모식 평면도이며, 도 25는 버퍼부(21)의 모식 측면도이다.
도 24에 나타내는 바와 같이, 버퍼부(21)에는 주반송 장치(13)와 제 1 이전 장치(15Ca)와 제 2 이전 장치(15Cb)가 각각 상이한 방향으로부터 액세스 가능하다. 구체적으로, 주반송 장치(13)는, 버퍼부(21)의 X축 부방향측으로부터 지지부(212) 및 지지부(213)의 사이를 지나 버퍼부(21) 내로 진입한다. 또한 제 1 이전 장치(15Ca)는, 버퍼부(21)의 Y축 정방향측으로부터 지지부(213) 및 지지부(214)의 사이를 지나 버퍼부(21) 내로 진입한다.
그리고 제 2 이전 장치(15Cb)는, 버퍼부(21)의 Y축 부방향측으로부터 지지부(212) 및 지지부(214)의 사이를 지나 버퍼부(21) 내로 진입한다. 또한, 버퍼부(21)에는 표면을 상향으로 한 상태의 웨이퍼(W)가 수용된다.
도 25에 나타내는 바와 같이, 버퍼부(21)는 하방으로부터 차례로, 하단 에어리어(210L), 중앙 에어리어(210M) 및 상단 에어리어(210U)의 3 개의 에어리어로 구분되어 있다. 하단 에어리어(210L)에는 미처리의 웨이퍼(W)가 수용된다. 또한, 중앙 에어리어(210M)에는 제 1 처리 유닛(18)에 의해 처리 완료된 웨이퍼(W)가 수용되고, 상단 에어리어(210U)에는 제 1 처리 유닛(18) 및 제 2 처리 유닛(28C)에 의해 처리 완료된 웨이퍼(W)가 수용된다.
<웨이퍼(W)의 반송 플로우>
이어서, 제 5 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1C)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 플로우에 대하여 도 26 및 도 27을 참조하여 설명한다. 도 26 및 도 27은 제 5 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1C)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 플로우의 설명도이다.
또한 도 26에는, 제 1 이전 장치(15Ca)로부터 제 2 이전 장치(15Cb)로 웨이퍼(W)가 전달되기 전까지의 반송 플로우를 나타내고, 도 27에는 제 2 이전 장치(15Cb)로 웨이퍼(W)가 전달된 후의 반송 플로우를 나타내고 있다.
또한 도 26 및 도 27에서는, 표면을 상향으로 한 웨이퍼(W)의 반송 플로우를 실선으로, 이면을 상향으로 한 웨이퍼(W)의 반송 플로우를 파선으로 나타내고 있다. 또한 이하에서는, 제 1 이전 장치(15Ca)를 'MPRA1', 제 2 이전 장치(15Cb)를 'MPRA2'라고 기재하는 경우가 있다. 또한 도 26 및 도 27에서는, 버퍼부(21)(SBU), 제 1 전달부(22U)(TRS1), 제 2 전달부(22L)(TRS2), 제 1 반전 기구(23a)(RVS1) 및 제 2 반전 기구(23b)(RVS2)에 대해서는 부호를 생략하여 나타내고 있다.
제 5 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1C)에서는, 제 1 이전 장치(15Ca)로부터 제 2 이전 장치(15Cb)로의 웨이퍼(W)의 전달을 버퍼부(21)를 경유하여 행한다. 또한 기판 처리 시스템(1C)에서는, 제 2 처리 유닛(28C)이, 이면을 상향으로 한 웨이퍼(W)에 대한 처리(이면 세정 처리)에 더하여, 표면을 상향으로 한 웨이퍼(W)에 대한 처리(표면 세정 처리)도 행한다.
도 26에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1C)에서는, 먼저, 주반송 장치(13)(CRA)가 카세트(C)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 복수 매 모아 취출하여 버퍼부(21)(SBU)에 수용한다(단계(S401)). 이 때, 주반송 장치(13)(CRA)는 버퍼부(21)(SBU)의 하단 에어리어(210L)에 웨이퍼(W)를 수용한다.
이어서, 제 1 이전 장치(15Ca)(MPRA1)가, 버퍼부(21)(SBU)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 전달부(22U)(TRS1)로 옮긴다(단계(S402)).
이어서, 제 1 처리 블록(3U)의 제 1 반송 장치(17)(PRA1)가 제 1 전달부(22U)(TRS1)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 처리 유닛(18)(CH1)으로 반송하고(단계(S403)), 제 1 처리 유닛(18)(CH1)이 웨이퍼(W)에 대하여 베벨 세정 처리를 행한다. 또한, 베벨 세정 처리가 종료되면, 제 1 반송 장치(17)(PRA1)가 베벨 세정 처리 완료된 웨이퍼(W)를 제 1 처리 유닛(18)(CH1)으로부터 취출하여 제 1 전달부(22U)(TRS1)에 수용한다(단계(S404)).
이어서, 제 1 이전 장치(15Ca)(MPRA1)가 베벨 세정 처리 완료된 웨이퍼(W)를 제 1 전달부(22U)(TRS1)로부터 취출하여 버퍼부(21)(SBU)로 옮긴다(단계(S405)). 이 때, 제 1 이전 장치(15Ca)(MPRA1)는 버퍼부(21)(SBU)의 중앙 에어리어(210M)에 웨이퍼(W)를 수용한다.
이어서 도 27에 나타내는 바와 같이, 제 2 이전 장치(15Cb)(MPRA2)가 버퍼부(21)(SBU)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 2 반전 기구(23b)(RVS2)로 옮기고(단계(S406)), 제 2 반전 기구(23b)(RVS2)가 이러한 웨이퍼(W)의 표리를 반전한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)는 이면이 상방을 향한 상태가 된다.
이어서, 제 2 처리 블록(3L)의 제 2 반송 장치(27)(PRA2)가 제 2 반전 기구(23b)(RVS2)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 2 처리 유닛(28C)(CH2)으로 반송한다(단계(S407)). 이 때, 웨이퍼(W)는 이면이 상방을 향한 상태이기 때문에, 제 2 처리 유닛(28C)(CH2)에서는, 웨이퍼(W)에 대하여 이면 세정부(204C) 및 제 2 토출부(205)를 이용한 이면 세정 처리가 행해진다. 여기서, 복수의 제 2 처리 유닛(28C)의 처리 상황은, 예를 들면 제어 장치(5)에 의해 실시간으로 관리되고 있고, 비어 있는 유닛부터 차례로 웨이퍼(W)가 반송되어 간다.
이어서, 이면 세정 처리가 종료되면, 제 2 반송 장치(27)(PRA2)가 이면 세정 처리 완료된 웨이퍼(W)를 제 2 처리 유닛(28C)(CH2)으로부터 취출하여 제 1 반전 기구(23a)(RVS1)로 반송하고(단계(S408)), 제 1 반전 기구(23a)(RVS1)가 이러한 웨이퍼(W)의 표리를 반전한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)는 표면이 상방을 향한 상태가 된다.
이어서 제 2 반송 장치(27)(PRA2)가, 제 1 반전 기구(23a)(RVS1)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 재차 제 2 처리 유닛(28C)(CH2)으로 반송한다(단계(S409)). 이 때, 웨이퍼(W)는 표면이 상방을 향한 상태이기 때문에, 제 2 처리 유닛(28C)(CH2)에서는, 웨이퍼(W)에 대하여 제 4 토출부(206)를 이용한 표면 세정 처리가 행해진다. 여기서, 복수의 제 2 처리 유닛(28C)의 처리 상황은, 예를 들면 제어 장치(5)에 의해 실시간으로 관리되고 있고, 이전의 이면 세정 처리가 완료되어 비어 있는 유닛부터 차례로 웨이퍼(W)가 반송되어 간다.
이어서, 표면 세정 처리가 종료되면, 제 2 반송 장치(27)(PRA2)가 표면 세정 처리 완료된 웨이퍼(W)를 제 2 처리 유닛(28C)(CH2)으로부터 취출하여 제 2 전달부(22L)(TRS2)로 반송한다(단계(S410)). 이어서, 제 2 이전 장치(15Cb)(MPRA2)가 제 2 전달부(22L)(TRS2)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 버퍼부(21)(SBU)로 옮긴다(단계(S411)). 이 때, 제 2 이전 장치(15Cb)(MPRA2)는 버퍼부(21)(SBU)의 상단 에어리어(210U)에 웨이퍼(W)를 수용한다.
그리고, 주반송 장치(13)(CRA)가 처리 완료된 웨이퍼(W)를 버퍼부(21)(SBU)로부터 복수 매 모아 취출하여 카세트(C)에 수용한다(단계(S412)). 이에 의해, 일련의 기판 처리가 종료된다.
이상의 구성에 의해, 제 1 이전 장치(15Ca) 및 제 2 이전 장치(15Cb)가, 표면이 상방을 향한 웨이퍼(W)만을 취급하게 되기 때문에, 웨이퍼(W)의 상태 관리의 복잡화를 더 억제할 수 있다.
또한, 제 2 이전 장치(15Cb)로부터 제 2 반송 장치(27)로의 웨이퍼(W)의 전달을 제 2 전달부(22L) 경유가 아닌 제 2 반전 기구(23b) 경유로 행함으로써, 제 2 반전 기구(23b)로부터 제 2 전달부(22L)로의 웨이퍼(W)의 반송이 생략되기 때문에, 일련의 기판 처리의 효율을 높일 수 있다.
또한, 제 1 전달부(22U) 및 버퍼부(21)로의 액세스를 제 1 이전 장치(15Ca)에 담당시키고, 버퍼부(21), 제 1 반전 기구(23a), 제 2 전달부(22L) 및 제 2 반전 기구(23b)로의 액세스를 제 2 이전 장치(15Cb)에 담당시킴으로써, 제 1 이전 장치(15Ca) 및 제 2 이전 장치(15Cb)의 이동 거리를 짧게 억제할 수 있다. 이 때문에, 이에 의해서도, 일련의 기판 처리의 효율을 높일 수 있다.
또한 여기서는, 복수의 제 2 처리 유닛(28C)이, 이면을 상향으로 한 웨이퍼(W)에 대한 처리(이면 세정 처리)에 더하여, 표면을 상향으로 한 웨이퍼(W)에 대한 처리(표면 세정 처리)도 행하는 것으로 했지만, 어느 일방의 처리를 행하도록 미리 기능이 할당되어 있어도 된다. 즉, 예를 들면 10 대의 제 2 처리 유닛(28C) 중 5 대를 이면 세정 처리 전용에 할당하고, 5 대를 표면 세정 처리 전용에 할당하여, 전자를 단계(S407)에서의 반송처로 하고, 후자를 단계(S409)의 반송처로 하도록 해도 된다. 또한, 표면 세정 처리는 반드시 실행되는 것을 요하지는 않는다. 여기서, 표면 세정 처리를 행하지 않는 경우에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 플로우에 대하여 도 28을 참조하여 설명한다. 도 28은 표면 세정 처리를 행하지 않는 경우에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 플로우의 설명도이다.
도 26에 나타내는 단계(S401 ~ S405)의 처리를 종료한 후, 기판 처리 시스템(1C)에서는, 도 28에 나타내는 바와 같이, 제 2 이전 장치(15Cb)가 버퍼부(21)(SBU)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 2 반전 기구(23b)(RVS2)로 옮기고(단계(S501)), 제 2 반전 기구(23b)(RVS2)가 이러한 웨이퍼(W)의 표리를 반전한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)는 이면이 상방을 향한 상태가 된다.
이어서, 제 2 처리 블록(3L)의 제 2 반송 장치(27)(PRA2)가 제 2 반전 기구(23b)(RVS2)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 2 처리 유닛(28C)(CH2)으로 반송한다(단계(S502)). 제 2 처리 유닛(28C)(CH2)에서는, 웨이퍼(W)에 대하여 이면 세정부(204C) 및 제 2 토출부(205)를 이용한 이면 세정 처리가 행해진다.
이어서, 이면 세정 처리가 종료되면, 제 2 반송 장치(27)(PRA2)가 이면 세정 처리 완료된 웨이퍼(W)를 제 2 처리 유닛(28C)(CH2)으로부터 취출하여 제 1 반전 기구(23a)(RVS1)로 반송하고(단계(S503)), 제 1 반전 기구(23a)(RVS1)가 이러한 웨이퍼(W)의 표리를 반전한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)는 표면이 상방을 향한 상태가 된다.
이어서, 제 2 이전 장치(15Cb)(MPRA2)가 이면 세정 처리 완료된 웨이퍼(W)를 제 1 반전 기구(23a)(RVS1)로부터 취출하여 버퍼부(21)(SBU)로 옮긴다(단계(S504)). 제 2 이전 장치(15Cb)(MPRA2)는 버퍼부(21)(SBU)의 상단 에어리어(210U)에 웨이퍼(W)를 수용한다. 그리고, 주반송 장치(13)(CRA)가 처리 완료된 웨이퍼(W)를 버퍼부(21)(SBU)로부터 복수 매 모아 취출하여 카세트(C)에 수용한다(단계(S505)). 이에 의해, 일련의 기판 처리가 종료된다.
이와 같이, 기판 처리 시스템(1C)은 이면 세정 처리 후의 표면 세정 처리를 행하지 않고, 이면 세정 처리 완료된 웨이퍼(W)를 내보내는 것으로 해도 된다. 이 경우, 기판 처리 시스템(1C)은 반드시 제 2 전달부(22L)를 구비하는 것을 요하지는 않는다. 또한, 기판 처리 시스템(1C)은 제 2 처리 유닛(28C) 대신에 제 2 처리 유닛(28)(도 6 및 도 7 참조)을 구비하는 것으로 해도 된다.
또한 여기서는, 제 2 이전 장치(15Cb)가 제 2 반전 기구(23b)로 웨이퍼(W)를 반입하고(단계(S406)), 제 2 반송 장치(27)가 제 1 반전 기구(23a)로 웨이퍼(W)를 반입하는(단계(S408)) 것으로 했다. 그러나 이 예에 한정되지 않고, 제 2 이전 장치(15Cb)가 제 1 반전 기구(23a)로 웨이퍼(W)를 반입하고, 제 2 반송 장치(27)가 제 2 반전 기구(23b)로 웨이퍼(W)를 반입해도 된다. 또한, 제 2 이전 장치(15Cb) 및 제 2 반송 장치(27)의 쌍방이 제 1 반전 기구(23a) 및 제 2 반전 기구(23b) 중 어느 일방에만 액세스하도록 해도 된다. 이 경우, 전달 블록(4C)은 반드시 반전 기구를 2 개 구비하는 것을 요하지는 않는다.
새로운 효과 또는 변형예는 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 태양은, 이상과 같이 나타내고 또한 기술한 특정의 상세 및 대표적인 실시 형태에 한정되지 않는다. 따라서, 첨부한 특허 청구의 범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위로부터 일탈하지 않고, 다양한 변경이 가능하다.
W : 웨이퍼
1 : 기판 처리 시스템
2 : 반입반출 블록
3 : 처리 블록
3U : 제 1 처리 블록
3L : 제 2 처리 블록
4 : 전달 블록
5 : 제어 장치
13 : 주반송 장치(CRA)
15a, 15b : 이전 장치(MPRA)
17 : 제 1 반송 장치(PRA1)
18 : 제 1 처리 유닛(CH1)
27 : 제 2 반송 장치(PRA2)
28 : 제 2 처리 유닛(CH2)
21U : 제 1 버퍼부(SBU1)
21L : 제 2 버퍼부(SBU2)
22U : 제 1 전달부(TRS1)
22L 제 2 전달부(TRS2)
23a : 제 1 반전 기구(RVS1)
23b : 제 2 반전 기구(RVS2)

Claims (17)

  1. 기판에 있어서의 제 1 면을 상향으로 한 상태에서 상기 기판의 처리를 행하는 제 1 처리 유닛과, 상기 제 1 처리 유닛에 대하여 상기 기판의 반입반출을 행하는 제 1 반송 장치를 포함하는 제 1 처리 블록과,
    상기 기판에 있어서의 상기 제 1 면과는 반대측의 면인 제 2 면을 상향으로 한 상태에서 상기 기판의 처리를 행하는 제 2 처리 유닛과, 상기 제 2 처리 유닛에 대하여 상기 기판의 반입반출을 행하는 제 2 반송 장치를 포함하는 제 2 처리 블록과,
    상기 제 1 처리 블록으로부터 상기 제 2 처리 블록으로의 상기 기판의 반송 경로의 도중에 배치되고, 상기 기판을 반전시키는 반전 기구와,
    상기 제 1 반송 장치에 의해 액세스 가능한 위치에 배치되어 상기 제 1 면을 상향으로 한 상태의 상기 기판을 수용하는 제 1 전달부와, 상기 제 2 반송 장치에 의해 액세스 가능한 위치에 배치되어 상기 제 2 면을 상향으로 한 상태의 상기 기판을 수용하는 제 2 전달부와, 상기 제 1 전달부 및 상기 제 2 전달부에 대하여 상기 기판의 반입반출을 행하는 이전 장치를 포함하는 전달 블록
    을 구비하고,
    상기 제 1 처리 블록 및 상기 제 2 처리 블록은, 높이 방향으로 나열되어 배치되고,
    상기 반전 기구는,
    상기 전달 블록에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 처리 유닛은,
    회로 형성면인 상기 제 1 면을 상향으로 한 상기 기판의 상기 제 2 면을 흡착 유지한 상태에서, 상기 기판의 주연부를 처리하고,
    상기 제 2 처리 유닛은,
    상기 제 2 면을 상향으로 한 상기 기판의 주연부를 유지한 상태에서, 상기 기판의 상기 제 2 면을 처리하는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 반송 장치는,
    상기 기판을 흡착하는 흡착부를 구비하고, 상기 흡착부를 이용하여 상기 제 2 면을 흡착 유지한 상태에서 상기 기판을 반송하고,
    상기 제 2 반송 장치는,
    상기 기판보다 대경의 내주부와, 상기 내주부로부터 상기 내주부의 직경 방향 내측으로 돌출되는 복수의 클로부를 구비하고, 상기 기판의 외주부를 상기 클로부에 배치시킨 상태에서 상기 기판을 반송하는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 이전 장치가 상기 제 1 면을 상향으로 한 상태의 상기 기판을 상기 제 1 전달부로 반송하고, 상기 제 1 반송 장치가 상기 제 1 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 제 1 처리 유닛으로 반송하고, 또한 상기 제 1 처리 유닛에 의해 처리된 상기 기판을 상기 제 1 처리 유닛으로부터 취출하여 상기 제 1 전달부로 반송하고, 상기 이전 장치가 상기 제 1 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 반전 기구로 반송하고, 또한 상기 반전 기구에 의해 반전된 상기 기판을 상기 반전 기구로부터 취출하여 상기 제 2 전달부로 반송하고, 상기 제 2 반송 장치가 상기 제 2 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 제 2 처리 유닛으로 반송하는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  6. 기판에 있어서의 제 1 면을 상향으로 한 상태에서 상기 기판의 처리를 행하는 제 1 처리 유닛과, 상기 제 1 처리 유닛에 대하여 상기 기판의 반입반출을 행하는 제 1 반송 장치를 포함하는 제 1 처리 블록과,
    상기 기판에 있어서의 상기 제 1 면과는 반대측의 면인 제 2 면을 상향으로 한 상태에서 상기 기판의 처리를 행하는 제 2 처리 유닛과, 상기 제 2 처리 유닛에 대하여 상기 기판의 반입반출을 행하는 제 2 반송 장치를 포함하는 제 2 처리 블록과,
    상기 제 1 처리 블록으로부터 상기 제 2 처리 블록으로의 상기 기판의 반송 경로의 도중에 배치되고, 상기 기판을 반전시키는 반전 기구와,
    상기 제 2 반송 장치에 의해 액세스 가능한 위치에 배치되어 상기 제 1 면을 상향으로 한 상태의 상기 기판을 수용하는 제 1 전달부와, 상기 제 2 반송 장치에 의해 액세스 가능한 위치에 배치되어 상기 제 2 면을 상향으로 한 상태의 상기 기판을 수용하는 제 2 전달부와, 상기 제 1 전달부 및 상기 제 2 전달부에 대하여 상기 기판의 반입반출을 행하는 이전 장치를 포함하고, 상기 제 2 처리 블록에 인접하여 배치되는 제 1 전달 블록과,
    상기 제 1 반송 장치 및 상기 제 2 반송 장치에 의해 액세스 가능한 위치에 배치되어 상기 제 1 면 또는 상기 제 2 면을 상향으로 한 상태의 상기 기판을 수용하는 제 3 전달부를 포함하고, 상기 제 1 처리 블록과 상기 제 2 처리 블록의 사이에 배치되는 제 2 전달 블록
    을 구비하고,
    상기 반전 기구는,
    상기 제 1 전달 블록에 배치되는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서
    상기 이전 장치가 상기 제 1 면을 상향으로 한 상태의 상기 기판을 상기 제 1 전달부로 반송하고, 상기 제 2 반송 장치가 상기 제 1 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 제 3 전달부로 반송하고, 상기 제 1 반송 장치가 상기 제 3 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 제 1 처리 유닛으로 반송하고, 또한 상기 제 1 처리 유닛에 의해 처리된 상기 기판을 상기 제 1 처리 유닛으로부터 취출하여 상기 제 3 전달부로 반송하고, 상기 제 2 반송 장치가 상기 제 3 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 제 1 전달부로 반송하고, 상기 이전 장치가 상기 제 1 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 반전 기구로 반송하고, 또한 상기 반전 기구에 의해 반전된 상기 기판을 상기 반전 기구로부터 취출하여 상기 제 2 전달부로 반송하고, 상기 제 2 반송 장치가 상기 제 2 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 제 2 처리 유닛으로 반송하는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 반송 장치, 상기 제 2 반송 장치 및 상기 이전 장치에 의한 상기 기판의 반송이 병행하여 행해지는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  9. 기판에 있어서의 제 1 면을 상향으로 한 상태에서 상기 기판의 처리를 행하는 제 1 처리 유닛과, 상기 제 1 처리 유닛에 대하여 상기 기판의 반입반출을 행하는 제 1 반송 장치를 포함하는 제 1 처리 블록과,
    상기 기판에 있어서의 상기 제 1 면과는 반대측의 면인 제 2 면을 상향으로 한 상태에서 상기 기판의 처리를 행하는 제 2 처리 유닛과, 상기 제 2 처리 유닛에 대하여 상기 기판의 반입반출을 행하는 제 2 반송 장치를 포함하는 제 2 처리 블록과,
    상기 제 1 처리 블록으로부터 상기 제 2 처리 블록으로의 상기 기판의 반송 경로의 도중에 배치되고, 상기 기판을 반전시키는 반전 기구와,
    상기 제 2 반송 장치에 의해 액세스 가능한 위치에 배치되어 상기 제 1 면을 상향으로 한 상태의 상기 기판을 수용하는 제 1 전달부와, 상기 제 2 반송 장치에 의해 액세스 가능한 위치에 배치되어 상기 제 2 면을 상향으로 한 상태의 상기 기판을 수용하는 제 2 전달부와, 상기 제 1 전달부 및 상기 제 2 전달부에 대하여 상기 기판의 반입반출을 행하는 제 1 이전 장치를 포함하고, 상기 제 2 처리 블록에 인접하여 배치되는 제 1 전달 블록과,
    상기 제 1 반송 장치 및 상기 제 2 반송 장치에 의해 액세스 가능한 위치에 배치되어 상기 제 1 면 또는 상기 제 2 면을 상향으로 한 상태의 상기 기판을 수용하는 제 3 전달부와, 상기 제 3 전달부에 대하여 상기 기판의 반입반출을 행하는 제 2 이전 장치를 포함하고, 상기 제 1 처리 블록과 상기 제 2 처리 블록의 사이에 배치되는 제 2 전달 블록
    을 구비하고,
    상기 반전 기구는,
    상기 제 2 전달 블록에 배치되는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 이전 장치가 상기 제 1 면을 상향으로 한 상태의 상기 기판을 상기 제 1 전달부로 반송하고, 상기 제 2 반송 장치가 상기 제 1 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 제 3 전달부로 반송하고, 상기 제 1 반송 장치가 상기 제 3 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 제 1 처리 유닛으로 반송하고, 또한 상기 제 1 처리 유닛에 의해 처리된 상기 기판을 상기 제 1 처리 유닛으로부터 취출하여 상기 제 3 전달부로 반송하고, 상기 제 2 이전 장치가 상기 제 3 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 반전 기구로 반송하고, 또한 상기 반전 기구에 의해 반전된 상기 기판을 상기 반전 기구로부터 취출하여 상기 제 3 전달부로 반송하고, 상기 제 2 반송 장치가 상기 제 3 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 제 2 처리 유닛으로 반송하는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 반송 장치, 상기 제 2 반송 장치, 상기 제 1 이전 장치 및 상기 제 2 이전 장치에 의한 상기 기판의 반송이 병행하여 행해지는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전달부, 상기 제 2 전달부 및 상기 반전 기구는,
    높이 방향으로 나열되어 배치되는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  13. 기판에 있어서의 제 1 면을 상향으로 한 상태에서 상기 기판의 처리를 행하는 제 1 처리 유닛과, 상기 제 1 처리 유닛에 대하여 상기 기판의 반입반출을 행하는 제 1 반송 장치를 포함하는 제 1 처리 블록과,
    상기 기판에 있어서의 상기 제 1 면과는 반대측의 면인 제 2 면을 상향으로 한 상태에서 상기 기판의 처리를 행하는 제 2 처리 유닛과, 상기 제 2 처리 유닛에 대하여 상기 기판의 반입반출을 행하는 제 2 반송 장치를 포함하는 제 2 처리 블록과,
    상기 제 1 처리 블록으로부터 상기 제 2 처리 블록으로의 상기 기판의 반송 경로의 도중에 배치되고, 상기 기판을 반전시키는 반전 기구와,
    상기 제 1 반송 장치에 의해 액세스 가능한 위치에 배치되어 상기 제 1 면을 상향으로 한 상태의 상기 기판을 수용하는 제 1 전달부와, 상기 제 1 전달부에 대하여 상기 기판의 반입반출을 행하는 제 1 이전 장치와, 상기 반전 기구에 대하여 상기 기판의 반입을 행하는 제 2 이전 장치와, 상기 제 1 이전 장치 및 상기 제 2 이전 장치에 의해 액세스 가능한 위치에 배치되어 상기 기판을 일시적으로 수용하는 버퍼부를 포함하는 전달 블록
    을 구비하고,
    상기 제 1 처리 블록 및 상기 제 2 처리 블록은, 높이 방향으로 나열되어 배치되고,
    상기 반전 기구는,
    상기 전달 블록에 배치되는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 이전 장치가 상기 제 1 면을 상향으로 한 상태의 상기 기판을 상기 제 1 전달부로 반송하고, 상기 제 1 반송 장치가 상기 제 1 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 제 1 처리 유닛으로 반송하고, 또한 상기 제 1 처리 유닛에 의해 처리된 상기 기판을 상기 제 1 처리 유닛으로부터 취출하여 상기 제 1 전달부로 반송하고, 상기 제 1 이전 장치가 상기 제 1 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 버퍼부로 반송하고, 상기 제 2 이전 장치가 상기 버퍼부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 반전 기구로 반송하고, 상기 반전 기구가 상기 기판을 반전하고, 상기 제 2 반송 장치가 상기 반전 기구로부터 상기 기판을 취출하여 상기 제 2 처리 유닛으로 반송하는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 전달 블록은,
    상기 제 2 반송 장치에 의해 액세스 가능한 위치에 배치되어 상기 제 1 면을 상향으로 한 상태의 상기 기판을 수용하는 제 2 전달부
    를 더 포함하고,
    상기 제 2 처리 유닛은,
    상기 기판에 있어서의 상기 제 2 면을 상향으로 한 상태에서 상기 기판의 처리를 행하는 제 1 처리부와,
    상기 기판에 있어서의 상기 제 1 면을 상향으로 한 상태에서 상기 기판의 처리를 행하는 제 2 처리부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 이전 장치가 상기 제 1 면을 상향으로 한 상태의 상기 기판을 상기 제 1 전달부로 반송하고, 상기 제 1 반송 장치가 상기 제 1 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 제 1 처리 유닛으로 반송하고, 또한 상기 제 1 처리 유닛에 의해 처리된 상기 기판을 상기 제 1 처리 유닛으로부터 취출하여 상기 제 1 전달부로 반송하고, 상기 제 1 이전 장치가 상기 제 1 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 버퍼부로 반송하고, 상기 제 2 이전 장치가, 상기 버퍼부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 반전 기구로 반송하고, 상기 반전 기구가 상기 기판을 반전하고, 상기 제 2 반송 장치가 상기 반전 기구로부터 상기 기판을 취출하여 상기 제 2 처리 유닛으로 반송하고, 상기 제 2 처리 유닛이 상기 제 1 처리부를 이용하여 상기 기판의 처리를 행하고, 상기 제 2 반송 장치가 상기 제 2 처리 유닛으로부터 상기 기판을 취출하여 상기 반전 기구로 반송하고, 상기 반전 기구가 상기 기판을 반전하고, 상기 제 2 반송 장치가 상기 반전 기구로부터 상기 기판을 취출하여 상기 제 2 처리 유닛으로 반송하고, 상기 제 2 처리 유닛이 상기 제 2 처리부를 이용하여 상기 기판의 처리를 행하는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  17. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 처리 유닛에 의한 처리와 상기 제 2 처리 유닛에 의한 처리가 병행하여 행해지는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
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