CN118116837A - 基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够抑制颗粒向基片的附着的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括承载器载置台、基片载置台、单片处理部、第一输送部、基片组载置台、第二输送部、批量处理部和控制部。承载器载置台载置收纳有多个基片的承载器。基片载置台能够载置多个基片。单片处理部逐一地清洗基片。第一输送部在基片载置台与单片处理部之间逐一地输送基片。基片组载置台能够载置包含多个基片的基片组。第二输送部在承载器、基片载置台和基片组载置台之间输送多个基片。批量处理部对基片组一并进行处理。控制部在利用批量处理部处理基片组之前，利用单片处理部清洗基片，使第一输送部和第二输送部从单片处理部经由基片载置台向基片组载置台输送基片。

Description

基片处理装置和基片处理方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
现有技术中，已知有一种基片处理装置，其包括对半导体晶片等基片逐一地进行处理的单片式的处理部(单片处理部)和对多个基片一并进行处理的批量式处理部(批量处理部)这两者。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第4522295号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种能够抑制颗粒向基片的附着的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一方式的基片处理装置包括承载器载置台、基片载置台、单片处理部、第一输送部、基片组载置台、第二输送部、批量处理部和控制部。承载器载置台载置收纳有多个基片的承载器。基片载置台能够载置多个基片。单片处理部逐一地清洗基片。第一输送部在基片载置台与单片处理部之间逐一地输送基片。基片组载置台能够载置包含多个基片的基片组。第二输送部在承载器、基片载置台和基片组载置台之间输送多个基片。批量处理部对基片组一并进行处理。控制部在利用批量处理部处理基片组之前，利用单片处理部清洗基片，使第一输送部和第二输送部从单片处理部经由基片载置台向基片组载置台输送基片。
发明效果
依照本发明，能够抑制颗粒向基片的附着。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理装置的概要结构的图。
图2是表示实施方式的基片载置台的结构的示意图。
图3是表示实施方式的周缘清洗处理部的结构的示意图。
图4是表示实施方式的蚀刻用的处理槽的结构的框图。
图5是表示实施方式的基片处理装置所执行的处理的流程的流程图。
图6是表示比较例与实施例中的颗粒数的比较的一例的图。
附图标记说明
1 基片处理装置
2 承载器送入送出部
3 基片组形成部
4 单片处理部
5 基片组输送部
6 批量处理部
7 控制部
8 存储介质
20承载器台
21承载器输送机构
22承载器栈
24承载器载置台
30基片输送机构
31基片载置台
32基片组载置台
33基片组载置台
41周缘清洗处理部
42基片输送机构
50基片组输送机构
51导轨
52移动体
53基片保持体
60蚀刻处理部
61处理槽
62处理槽
63基片组升降机构
64基片组升降机构
70清洗处理部
71处理槽
72处理槽
73基片组升降机构
74基片组升降机构
80基片保持体清洗处理部
90干燥处理部
91处理槽
92基片组升降机构
C承载器
W晶片。
具体实施方式
以下，参照附图，对用于实施本发明的基片处理装置和基片处理方法的方式(以下，记载为“实施方式”)进行详细说明。另外，本发明不限定于该实施方式。此外，能够在不使处理内容矛盾的范围内将各实施方式适当组合。此外，在以下各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，省略重复的说明。
此外，在以下所示的实施方式中，存在使用“一定”、“正交”、“垂直”或“平行”这样的表达的情况，但这些表达不需要严格地为“一定”、“正交”、“垂直”或“平行”。即，上述各表达容许例如制造精度、设置精度等偏差。
此外，在以下参照的各附图中，为了使说明容易理解，有时示出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向，将Z轴正方向设为铅垂向上方向的正交坐标系。此外，有时将以铅垂轴为旋转中心的旋转方向称为θ方向。
现有技术中，已知有一种基片处理装置，其包括对半导体晶片等基片逐一地进行处理的单片式的处理部(单片处理部)和对多个基片一并进行处理的批量式处理部(批量处理部)这两者。
此外，在该基片处理装置中，将由单片处理部处理后的多个基片收纳于容器，从与单片处理部相邻的工作台向与批量处理部相邻的工作台输送容器，从容器取出多个基片并将其输送到批量处理部。
然而，在上述的现有技术中，在由批量处理部处理前的基片被收纳于容器的情况下，伴随着设置于容器内的保持件与基片的接触而带来的颗粒有可能附着于基片。而且，附着于基片的颗粒作为异物残留于由批量处理部处理后的基片，成为基片的不良情况的主要原因。
因此，人们期望能够抑制颗粒向基片的附着的技术。
<基片处理系统的概要>
首先，参照图1，对实施方式的基片处理装置1的概要结构进行说明。图1是表示实施方式的基片处理装置1的概要结构的图。
如图1所示，实施方式的基片处理装置1包括承载器送入送出部2、基片组形成部3、单片处理部4、基片组输送部5、批量处理部6和控制部7。
承载器送入送出部2包括承载器台20、承载器输送机构21、承载器栈22、23和承载器载置台24。
承载器台20载置从外部输送来的多个承载器C。承载器C是将多个(例如，25个)晶片W以水平姿态上下排列地收纳的容器。承载器C在内部具有保持件，通过利用该保持件保持各晶片W的周缘部，以水平姿态支承多个晶片W。承载器输送机构21在承载器台20、承载器栈22、23和承载器载置台24之间进行承载器C的输送。
利用后述的基片输送机构30从载置于承载器载置台24的承载器C向批量处理部6侧送出处理前的多个晶片W。此外，利用基片输送机构30将处理后的多个晶片W从批量处理部6侧送入载置于承载器载置台24的承载器C。
基片组形成部3具有基片输送机构30(第二输送部的一例)、基片载置台31和基片组载置台32、33，形成基片组。基片组由将收纳于一个或多个承载器C的晶片W组合而同时被处理的多个(例如，50片)晶片W构成。形成一个基片组的多个晶片W在使彼此的板面对置的状态下隔开一定间隔地排列。
基片输送机构30在载置于承载器载置台24的承载器C、基片载置台31和基片组载置台32、33之间输送多个晶片W。基片输送机构30例如由多关节机器人构成，一并输送多个(例如，25个)晶片W。此外，基片输送机构30能够在输中送途使多个晶片W的姿态从水平姿态变更为垂直姿态。
另外，基片输送机构30具有保持晶片W的保持体，使用保持体的第一面，从承载器C取出由单片处理部4清洗前的多个晶片W，将其以水平姿态载置在基片载置台31。然后，基片输送机构30使用保持体的与第一面不同的第二面，从基片载置台31取出由单片处理部4清洗后的多个晶片W，将其以垂直姿态载置在基片组载置台32。
基片载置台31能够暂时载置由单片处理部4清洗前的多个晶片W和由单片处理部4清洗后的多个晶片W。基片载置台31能够载置25个以上150个以下的晶片W。基片输送机构30和后述的基片输送机构42这两者能够访问基片载置台31。关于基片载置台31的详细情况在后文说明。
基片组载置台32、33能够暂时载置(待机)利用基片组输送部5在基片组形成部3与批量处理部6之间输送的基片组。基片组载置台32载置由基片组形成部3形成的处理前的基片组，基片组载置台33载置由批量处理部6处理后的基片组。在基片组载置台32和基片组载置台33，能够以垂直姿态载置一个基片组的量的多个晶片W。
这里，参照图2，对基片载置台31进行说明。图2是表示实施方式的基片载置台31的结构的示意图。如图2所示，基片载置台31具有：多个搁板体311，其彼此隔开间隔地多层配置；和支承体312，其设置于多个搁板体311的每一者，从下方支承多个晶片W的每一者。
这样，通过支承体312从下方支承晶片W，避免基片载置台31与晶片W的周缘部接触，抑制伴随基片载置台31与晶片W的周缘部的接触而产生颗粒。
返回图1的说明。单片处理部4逐一地清洗晶片W。在单片处理部4配置有多个(这里为两个)周缘清洗处理部41和基片输送机构42(第一输送部)。多个周缘清洗处理部41和基片输送机构42沿着Y轴方向排列。作为一例，在基片组形成部3的Y轴方向上的一侧(这里为Y轴正方向侧)配置有基片输送机构42。此外，在隔着基片输送机构42与基片组形成部3相反的一侧，沿着X轴方向排列地配置多个周缘清洗处理部41。
周缘清洗处理部41对晶片W的周缘部进行周缘清洗处理。在实施方式中，周缘清洗处理部41进行清洗晶片W的边缘斜面部的边缘斜面清洗处理。边缘斜面部是指形成于晶片W的端面及其周边的倾斜部。上述倾斜部分别形成于晶片W的上表面周缘部和下表面周缘部。周缘清洗处理部41例如使用药液对晶片W的周缘部进行清洗。周缘清洗处理部41的详情在后文说明。
基片输送机构42在基片载置台31与周缘清洗处理部41之间逐一地输送晶片W。
基片输送机构42具有保持晶片W的下表面的保持体。保持体通过真空吸附来保持晶片W的下表面。基片输送机构42能够向水平方向和铅垂方向移动并且能够以铅垂轴为中心旋转，使用保持体进行晶片W的输送。
这里，参照图3，对周缘清洗处理部41进行说明。图3是表示实施方式的周缘清洗处理部41的结构的示意图。
如图3所示，周缘清洗处理部41是使用药液对晶片W的周缘部进行清洗的清洗处理部，包括腔室410、基片保持机构420、供给部430和回收杯440。
腔室410收纳基片保持机构420、供给部430和回收杯440。在腔室410的顶部设置有在腔室410内形成下降流的FFU(Fun Filter Unit：风机过滤单元)411。
基片保持机构420包括：水平地保持晶片W的保持部421；沿铅垂方向延伸并支承保持部421的支柱部件422；和使支柱部件422绕铅垂轴线旋转的驱动部423。
保持部421与真空泵等吸气装置(未图示)连接，利用由该吸气装置的吸气产生的负压来吸附晶片W的下表面，由此水平地保持晶片W。作为保持部421，例如可以使用多孔吸盘、静电吸盘等。
保持部421具有直径比晶片W小的吸附区域。由此，能够将从后述的供给部430的下侧喷嘴432释放的药液供给到晶片W的下表面周缘部。
供给部430包括上侧喷嘴431和下侧喷嘴432。上侧喷嘴431配置在由基片保持机构420保持的晶片W的上方，下侧喷嘴432配置在该晶片W的下方。
在上侧喷嘴431和下侧喷嘴432经由阀451和流量调节器452连接有药液供给源453。上侧喷嘴431向被基片保持机构420保持的晶片W的上表面周缘部释放从药液供给源453供给的药液。此外，下侧喷嘴432向被基片保持机构420保持的晶片W的下表面周缘部释放从药液供给源453供给的药液。作为药液，可以使用选自去离子水、SC1(氨、过氧化氢和水的混合液)、过氧化氢水、臭氧水、稀氢氟酸(DHF)、氟硝酸和SPM(硫酸和过氧化氢水的混合液)的至少一种药液。氟硝酸是氢氟酸(HF)与硝酸(HNO3)的混合液。
另外，供给部430包括使上侧喷嘴431移动的第一移动机构433和使下侧喷嘴432移动的第二移动机构434。通过使用这些第一移动机构433和第二移动机构434使上侧喷嘴431和下侧喷嘴432移动，能够变更药液相对于晶片W的供给位置。
回收杯440以包围基片保持机构420的方式配置。在回收杯440的底部形成有用于将从供给部430供给的药液向腔室410外部排出的排液口441和用于将腔室410内的气氛排气的排气口442。
周缘清洗处理部41如上述那样构成，在由保持部421吸附保持晶片W的下表面之后，使用驱动部423使保持部421旋转，由此使晶片W旋转。然后，周缘清洗处理部41从上侧喷嘴431朝向旋转的晶片W的上表面周缘部释放药液，并且从下侧喷嘴432朝向旋转的晶片W的下表面周缘部释放药液。由此，附着于晶片W的边缘斜面部的颗粒等污垢被除去。
另外，周缘清洗处理部41可以在进行了上述周缘清洗处理之后，从上侧喷嘴431和下侧喷嘴432释放去离子水等冲洗液，由此进行冲洗残留于晶片W的边缘斜面部的药液的冲洗处理。此外，周缘清洗处理部41可以在冲洗处理后，进行通过使晶片W旋转来使晶片W干燥的干燥处理。
另外，这里，以周缘清洗处理部41进行使用药液对晶片W的周缘部进行清洗的周缘清洗处理的情况为例进行了说明，但周缘清洗处理不一定需要使用药液。例如，周缘清洗处理部41也可以使用混合流体、刷子代替药液，来清洗晶片W的周缘部。此外，例如周缘清洗处理部41可以使用药液、混合流体和刷子中的至少一者来清洗晶片W的周缘部。作为混合流体，例如可以使用非活性气体与去离子水或碱性水溶液的混合流体。碱性水溶液例如包含TMAH(TetraMethylAmmonnium Hydroxide：四甲基氢氧化铵)、胆碱水溶液、SC1(氨、过氧化氢和水的混合液)和功能水中的至少一种即可。作为刷子，例如可以使用具有由聚乙烯醇(PVA)构成的海绵状的清洗部件的刷子。
返回图1的说明。基片组输送部5具有基片组输送机构50，在基片组形成部3的基片组载置台32、33与批量处理部6之间、批量处理部6的内部进行基片组的输送。基片组输送机构50具有导轨51、移动体52和基片保持体53。
导轨51遍及基片组形成部3的基片组载置台32、33和批量处理部6地沿着X轴方向配置。移动体52构成为能够一边保持多个晶片W一边沿着导轨51移动。基片保持体53设置于移动体52，保持以垂直姿态前后排列的多个晶片W。
批量处理部6对由以垂直姿态前后排列的多个晶片W形成的基片组进行蚀刻处理、清洗处理和干燥处理等。在批量处理部6沿着导轨51并排地配置有多个(这里为两个)蚀刻处理部60、清洗处理部70、基片保持体清洗处理部80和干燥处理部90。
蚀刻处理部60进行基片组的蚀刻处理。清洗处理部70进行基片组的清洗处理。基片保持体清洗处理部80进行基片保持体53的清洗处理。干燥处理部90进行基片组的干燥处理。此外，蚀刻处理部60、清洗处理部70、基片保持体清洗处理部80和干燥处理部90的数量不限于图1的例子。
蚀刻处理部60包括蚀刻用的处理槽61、冲洗用的处理槽62和基片组升降机构63、64。
处理槽61能够收纳以垂直姿态排列的一个基片组的量的晶片W，贮存蚀刻用的处理液(以下，也称为“蚀刻液”)。关于处理槽61的详情在后文说明。
在处理槽62贮存有冲洗用的处理液(例如，去离子水)。在基片组升降机构63、64，以垂直姿态前后排列地保持形成基片组的多个晶片W。
蚀刻处理部60利用基片组升降机构63保持由基片组输送部5输送来的基片组，使其浸渍于处理槽61的蚀刻液而进行蚀刻处理。
在处理槽61中进行了蚀刻处理的基片组由基片组输送部5输送到处理槽62。然后，蚀刻处理部60利用基片组升降机构64保持输送来的基片组，使其浸渍于处理槽62的冲洗液，由此进行冲洗处理。在处理槽62中进行了冲洗处理的基片组由基片组输送部5输送到清洗处理部70的处理槽71。
清洗处理部70包括清洗用的处理槽71、冲洗用的处理槽72和基片组升降机构73、74。在清洗用的处理槽71中，作为清洗用的处理液，例如贮存有SC1(氨、过氧化氢和水的混合液)等。
在冲洗用的处理槽72中贮存有冲洗用的处理液(例如，去离子水)。在基片组升降机构73、74中，以垂直姿态前后排列地保持一个基片组的量的多个晶片W。
清洗处理部70利用基片组升降机构73保持由基片组输送部5输送来的基片组，使其浸渍于处理槽71的清洗液，由此进行清洗处理。
在处理槽71中进行了清洗处理的基片组由基片组输送部5输送到处理槽72。然后，清洗处理部70利用基片组升降机构74保持输送来的基片组，使其浸渍于处理槽72的冲洗液，由此进行冲洗处理。在处理槽72中进行了冲洗处理的基片组由基片组输送部5输送到干燥处理部90的处理槽91。
干燥处理部90具有处理槽91和基片组升降机构92。向处理槽91供给干燥用的处理气体(例如，IPA(异丙醇)等)。在基片组升降机构92中，以垂直姿态前后排列地保持一个基片组的量的多个晶片W。
干燥处理部90利用基片组升降机构92保持由基片组输送部5输送来的基片组，使用供给到处理槽91内的干燥用的处理气体进行干燥处理。在处理槽91中进行了干燥处理的基片组由基片组输送部5输送到基片组形成部3的基片组载置台33。
基片保持体清洗处理部80向基片组输送机构50的基片保持体53供给清洗用的处理液，还供给干燥气体，由此进行基片保持体53的清洗处理。
这里，参照图4，对蚀刻用的处理槽61进行说明。图4是表示实施方式的蚀刻用的处理槽61的结构的框图。
在处理槽61中，使用规定的蚀刻液，进行选择性地除去在晶片W上形成的硅氮化膜(SiN)和硅氧化膜(SiO2)中的硅氮化膜的蚀刻处理。在该蚀刻处理中，将在磷酸(H3PO4)水溶液中添加含硅(Si)化合物而调整了硅浓度的溶液用作蚀刻液。
作为调整蚀刻液中的硅浓度的方法，可以使用使仿真基片浸渍于磷酸水溶液而使硅溶解的方法(seasoning，陈化)、使胶体二氧化硅等含硅化合物溶解于磷酸水溶液的方法。此外，可以在磷酸水溶液中添加含硅化合物水溶液来调整硅浓度。
如图4所示，蚀刻用的处理槽61包括内槽101和外槽102。内槽101是上方开放的箱形的槽，在内部贮存蚀刻液。由多个晶片W形成的基片组浸渍于内槽101。外槽102上方开放，配置在内槽101的上部周围。从内槽101溢出的蚀刻液流入外槽102。
另外，处理槽61包括磷酸水溶液供给部103、硅供给部104和DIW供给部105。
磷酸水溶液供给部103具有磷酸水溶液供给源131、磷酸水溶液供给管线132和流量调节器133。
磷酸水溶液供给源131供给磷酸浓度被浓缩为期望浓度的磷酸水溶液。磷酸水溶液供给管线132将磷酸水溶液供给源131和外槽102连接，从磷酸水溶液供给源131向外槽102供给磷酸水溶液。
流量调节器133设置于磷酸水溶液供给管线132，调整向外槽102供给的磷酸水溶液的供给量。流量调节器133由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
硅供给部104具有硅供给源141、硅供给管线142和流量调节器143。
硅供给源141是贮存含硅化合物水溶液的罐。硅供给管线142将硅供给源141和外槽102连接，从硅供给源141向外槽102供给含硅化合物水溶液。
流量调节器143设置于硅供给管线142，调整向外槽102供给的含硅化合物水溶液的供给量。流量调节器143由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。通过利用流量调节器143调整含硅化合物水溶液的供给量，来调整蚀刻液的硅浓度。
DIW供给部105具有DIW供给源151、DIW供给管线152和流量调节器153。DIW供给部105为了补给因加热蚀刻液而蒸发的水分，向外槽102供给DIW(DeIonized Water：去离子水)。
DIW供给管线152将DIW供给源151和外槽102连接，从DIW供给源151向外槽102供给规定温度的DIW。
流量调节器153设置于DIW供给管线152，调整向外槽102供给的DIW的供给量。流量调节器153由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。通过利用流量调节器153调整DIW的供给量，来调整蚀刻液的温度、磷酸浓度和硅浓度。
另外，处理槽61包括循环部106。循环部106使蚀刻液在内槽101与外槽102之间循环。循环部106包括循环管线161、多个处理液供给喷嘴162、过滤器163、加热器164和泵165。
循环管线161将外槽102和内槽101连接。循环管线161的一端与外槽102连接，循环管线161的另一端与配置在内槽101的内部的多个处理液供给喷嘴162连接。
过滤器163、加热器164和泵165设置于循环管线161。过滤器163从在循环管线161中流动的蚀刻液除去杂质。加热器164将在循环管线161中流动的蚀刻液加热至适合于蚀刻处理的温度。泵165将外槽102内的蚀刻液向循环管线161送出。泵165、加热器164和过滤器163从上游侧起按该顺序设置。
循环部106从外槽102经由循环管线161和多个处理液供给喷嘴162向内槽101内输送蚀刻液。输送到内槽101内的蚀刻液通过从内槽101溢出而再次向外槽102流出。像这样，蚀刻液在内槽101与外槽102之间循环。
另外，循环部106可以通过利用加热器164对蚀刻液进行加热，使蚀刻液成为沸腾状态。
返回图1的说明。控制部7控制基片处理装置1的各部分(承载器送入送出部2、基片组形成部3、单片处理部4、基片组输送部5、批量处理部6等)的工作。控制部7基于来自开关、各种传感器等的信号，控制基片处理装置1的各部分的动作。
该控制部7例如是计算机，具有计算机可读取的存储介质8。在存储介质8中存储有控制在基片处理装置1中执行的各种处理的程序。
控制部7通过读出并执行存储在存储介质8中的程序来控制基片处理装置1的动作。此外，程序也可以存储在计算机可读取的存储介质8中，从其他存储介质安装到控制部7的存储介质8。
作为计算机可读取的存储介质8，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
<基片处理装置1的具体动作>
接下来，参照图5，对基片处理装置1执行的处理的流程进行说明。图5是表示实施方式的基片处理装置1所执行的处理的流程的流程图。图5所示的各处理按照控制部7的控制来执行。
如图5所示，基片处理装置1进行从承载器C取出多个晶片W并将其载置在基片载置台31的送入处理(步骤S101)。
参照图1，对步骤S101的处理进行说明。首先，承载器输送机构21从承载器台20取出承载器C并将其载置在承载器载置台24。然后，基片输送机构30从载置于承载器载置台24的承载器C取出多个晶片W，将取出的多个晶片W的姿态从水平姿态变更为垂直姿态，将多个晶片W载置于基片载置台31。此时，基片载置台31的各搁板体311(参照图2)在支承体312(参照图2)从下方支承各晶片W。
在送入处理结束的阶段，由承载器C内的保持件与晶片W的周缘部的接触引起的颗粒附着于晶片的周缘部(边缘斜面部)。
因此，基片处理装置1利用单片处理部4逐一地清洗晶片W。即，单片处理部4的周缘清洗处理部41对晶片W的周缘部进行周缘清洗处理(步骤S102)。
参照图1，对步骤S102的处理进行说明。首先，基片输送机构42从基片载置台31取出一个晶片W，将晶片W交送到周缘清洗处理部41内的基片保持机构420(参照图3)的保持部421(参照图3)。
周缘清洗处理部41一边使基片保持机构420的保持部421旋转，一边向晶片W的上表面周缘部和下表面周缘部供给药液。由此，附着于晶片W的边缘斜面部的颗粒被除去。
接着，基片处理装置1使基片输送机构42和基片输送机构30从单片处理部4经由基片载置台31向基片载置台32输送晶片W，形成包含清洗后的多个(例如，25片)晶片W的基片组(步骤S103)。
参照图1，对步骤S103的处理进行说明。首先，基片输送机构42从单片处理部4的周缘清洗处理部41取出一个清洗后的晶片W，将其载置在基片载置台31。通过将该动作反复25次以上，在基片载置台31载置清洗后的25个以上的晶片W。然后，基片输送机构30从基片载置台31取出多个(例如，25个)晶片W，将取出的多个晶片W的姿态从水平姿态变更为垂直姿态，将多个晶片W载置在基片组载置台32。通过将该动作反复两次，形成基片组。
像这样，实施方式的基片处理装置1在由批量处理部6(蚀刻处理部60、清洗处理部70和干燥处理部90等)处理基片组之前，利用单片处理部4对晶片W进行清洗。然后，基片处理装置1使基片输送机构42和基片输送机构30从单片处理部4经由基片载置台31向基片组载置台32输送晶片W。因此，由单片处理部4清洗后的晶片W未被收纳在承载器C而被输送至基片组载置台32。其结果，根据实施方式的基片处理装置1，能够避免承载器C内的保持件与清洗后的晶片W的周缘部接触，能够抑制颗粒向晶片W的附着。
接着，基片处理装置1对所形成的基片组进行蚀刻处理(步骤S104)。蚀刻处理不是以一个晶片W为单位而是以基片组为单位进行的。
参照图1，对步骤S104的处理进行说明。首先，基片组输送机构50从基片组载置台32接收基片组，将其交送到蚀刻处理部60的基片组升降机构63。蚀刻处理部60利用基片组升降机构63保持从基片组输送机构50交送来的基片组，使其浸渍于处理槽61的蚀刻液来进行蚀刻处理。
在处理槽61中进行了蚀刻处理的基片组由基片组输送机构50输送到处理槽62。然后，蚀刻处理部60利用基片组升降机构64保持输送来的基片组，使其浸渍于处理槽62的冲洗液，由此进行冲洗处理。
接着，基片处理装置1对由蚀刻处理部60处理后的基片组进行清洗处理(步骤S105)。
参照图1，对步骤S105的处理进行说明。首先，基片组输送机构50从基片组升降机构64接收基片组，将其交送到清洗处理部70的基片组升降机构73。然后，清洗处理部70利用基片组升降机构73保持从基片组输送机构50交送来的基片组，使其浸渍于处理槽71的清洗液，由此进行清洗处理。
在处理槽71中进行了清洗处理的基片组由基片组输送机构50输送到处理槽72。然后，清洗处理部70利用基片组升降机构74保持输送来的基片组，使其浸渍于处理槽72的冲洗液，由此进行冲洗处理。
接着，基片处理装置1对由清洗处理部70处理后的基片组进行干燥处理(步骤S106)。
参照图1，对步骤S106的处理进行说明。首先，基片组输送机构50从基片组升降机构74接收基片组，将其交送到干燥处理部90的基片组升降机构92。然后，干燥处理部90利用基片组升降机构92保持从基片组输送机构50交送来的基片组，使用供给到处理槽91内的干燥用的处理气体进行干燥处理。
接着，基片处理装置1进行将形成干燥处理后的基片组的多个晶片W收纳于承载器C的送出处理(步骤S107)。
参照图1，对步骤S107的处理进行说明。首先，基片组输送机构50从基片组升降机构92接收干燥处理后的基片组。然后，基片组输送机构50将接收到的基片组载置于基片组载置台33。然后，基片输送机构30从基片组载置台33取出形成基片组的多个晶片W，将所取出的多个晶片W的姿态从垂直姿态变更为水平姿态，将多个晶片W收纳到载置于承载器载置台24的承载器C。
<实验结果>
接下来，使用图6，对不进行利用单片处理部4的清洗的比较例和本实施方式的实施例的实验结果进行说明。图6是表示比较例与实施例中的颗粒数的比较的一例的图。图6所示的比较例是不进行图5的步骤S102的处理，即不进行利用单片处理部4的清洗的情况。此外，关于比较例，在图5的步骤S103中，利用基片输送机构30从两个承载器C分别取出多个晶片W，由收纳于各承载器C的多个晶片W形成基片组。此外，在图6中，黑色的点表示对多个晶片W测量颗粒数而得到的结果。
如图6所示，在比较例中，颗粒数的分布的中央值和最大值大于85个。与此相对，在实施例中，颗粒数的分布的中央值和最大值小于85个。如上所述，在实施例中，与比较例相比能够减少颗粒数。
<其他变形例>
在上述实施方式中，作为批量处理部6的处理，例示了使用包含磷酸等的蚀刻液来除去晶片W的硅氧化膜的蚀刻处理等，但利用批量处理部6的处理不限于例示的蚀刻处理等。例如，批量处理部6只要是除去膜的蚀刻处理或形成图案的蚀刻处理，则可以进行任何蚀刻处理。例如，批量处理部6的处理可以是使用包含磷酸/醋酸/硝酸等的蚀刻液来除去晶片W的W(钨)膜或Mo(钼)膜的蚀刻处理。此外，例如，利用批量处理部6的处理可以是使用包含SC1(氨、过氧化氢和水的混合液)等的蚀刻液来除去晶片W的多晶硅膜的蚀刻处理。
如上所述，实施方式的基片处理装置(作为一例，基片处理装置1)具有承载器载置台(作为一例，承载器载置台24)、基片载置台(作为一例，基片载置台31)、单片处理部(作为一例，周缘清洗处理部41)、第一输送部(作为一例，基片输送机构42)、基片组载置台(作为一例，基片组载置台32)、第二输送部(作为一例，基片输送机构30)、批量处理部(作为一例，蚀刻处理部60、清洗处理部70、干燥处理部90)和控制部(例如，控制部7)。承载器载置台载置收纳有多个基片(作为一例，晶片W)的承载器(作为一例，承载器C)。基片载置台能够载置多个基片。单片处理部逐一地清洗基片。第一输送部在基片载置台与单片处理部之间逐一地输送基片。基片组载置台能够载置包含多个基片的基片组。第二输送部在承载器、基片载置台和基片组载置台之间输送多个基片。批量处理部对基片组一并进行处理。控制部在利用批量处理部处理基片组之前，利用单片处理部清洗基片，使第一输送部和第二输送部从单片处理部经由基片载置台向基片组载置台输送基片。因此，根据实施方式的基片处理装置，能够抑制颗粒向基片的附着。
另外，也可以为，基片载置台具有彼此隔开间隔地多层配置的多个搁板体(作为一例，搁板体311)、和设置于多个搁板体的每一者并从下方支承多个基片的每一者的支承体(作为一例，支承体312)。因此，根据实施方式的基片处理装置，抑制伴随基片载置台与基片的周缘部接触而产生颗粒。
另外，也可以为，基片载置台能够载置25个以上150个以下的上述基片。因此，根据实施方式的基片处理装置，能够使基片从单片处理部经由基片载置台向基片组载置台的输送高效化。
另外，也可以为，第一输送部具有保持基片的下表面的保持体。此外，也可以为，保持体通过真空吸附来保持基片的下表面。因此，根据实施方式的基片处理装置，能够高效地进行利用第一输送部的基片的输送。
另外，也可以为，第二输送部具有保持基片的保持体。此外，也可以为，第二输送部使用保持体的第一面，从承载器取出由单片处理部清洗前的多个基并将其载置于基片载置台。此外，也可以为，第二输送部使用保持体的与上述第一面不同的第二面，从基片载置台取出由单片处理部清洗后的多个基片并将其载置于基片组载置台。因此，根据实施方式的基片处理装置，能够抑制由单片处理部清洗后的多个基片的污染。
另外，也可以为，单片处理部具有清洗基片的周缘部的周缘清洗处理部(作为一例，周缘清洗处理部41)。此外，也可以为，周缘清洗处理部使用药液、混合流体和刷子中的至少一者来清洗上述基片的周缘部。因此，根据实施方式的基片处理装置，能够从基片的周缘部除去颗粒。
另外，也可以为，药液是选自去离子水、SC1(氨、过氧化氢和水的混合液)、过氧化氢水、臭氧水、稀氢氟酸(DHF)、氟硝酸和SPM(硫酸、过氧化氢水和水的混合液)的至少一种药液。此外，也可以为，混合流体是非活性气体与去离子水或碱性水溶液的混合流体。此外，也可以为，刷子具有由聚乙烯醇(PVA)构成的海绵状的清洗部件。因此，根据实施方式的基片处理装置，能够高效地从基片的周缘部除去颗粒。
另外，也可以为，批量处理部进行除去膜的蚀刻处理或形成图案的蚀刻处理。因此，根据实施方式的基片处理装置，能够适用于蚀刻处理的多样化。
应当认为本次公开的实施方式在所有方面是例示性的，而并非限制性的。实际上，上述实施方式能够以多种方式实现。此外，上述实施方式在不脱离发明范围(所附的权利要求书)及其主旨的情况下，可以以各种方式进行省略、替换、变更。

Claims (13)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
承载器载置台，载置收纳有多个基片的承载器；
能够载置多个所述基片的基片载置台；
逐一地清洗所述基片的单片处理部；
第一输送部，在所述基片载置台与所述单片处理部之间逐一地输送所述基片；
基片组载置台，能够载置包含多个所述基片的基片组；
第二输送部，在所述承载器、所述基片载置台和所述基片组载置台之间输送多个所述基片；
对所述基片组一并进行处理的批量处理部；和
控制各部的控制部，
所述控制部在由所述批量处理部处理所述基片组之前，利用所述单片处理部清洗所述基片，
所述控制部使所述第一输送部和所述第二输送部从所述单片处理部经由所述基片载置台向所述基片组载置台输送所述基片。
2.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述基片载置台具有：
彼此隔开间隔地多层配置的多个搁板体；和
支承体，设置于所述多个搁板体的每一者，从下方支承多个所述基片的每一者。
3.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述基片载置台能够载置25个以上150个以下的所述基片。
4.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第一输送部具有保持基片的下表面的保持体。
5.根据权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：
所述保持体通过真空吸附来保持基片的下表面。
6.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第二输送部具有保持基片的保持体，
所述第二输送部使用所述保持体的第一面，从所述承载器取出由所述单片处理部清洗前的多个所述基片并将其载置于所述基片载置台，使用所述保持体的与所述第一面不同的第二面，从所述基片载置台取出由所述单片处理部清洗后的多个所述基片并将其载置于所述基片组载置台。
7.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述单片处理部具有清洗所述基片的周缘部的周缘清洗处理部。
8.根据权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：
所述周缘清洗处理部使用药液、混合流体和刷子中的至少一者来清洗所述基片的周缘部。
9.根据权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：
所述药液是选自去离子水、SC1(氨、过氧化氢和水的混合液)、过氧化氢水、臭氧水、稀氢氟酸(DHF)、氟硝酸(氢氟酸与硝酸的混合液)和SPM(硫酸与过氧化氢水的混合液)的至少一种药液。
10.根据权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：
所述混合流体是非活性气体与去离子水或碱性水溶液的混合流体。
11.根据权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：
所述刷子具有由聚乙烯醇(PVA)构成的海绵状的清洗部件。
12.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述批量处理部进行除去膜的蚀刻处理或形成图案的蚀刻处理。
13.一种利用基片处理装置的基片处理方法，其特征在于：
所述基片处理装置包括：
承载器载置台，载置收纳有多个基片的承载器；
能够载置多个所述基片的基片载置台；
逐一地清洗所述基片的单片处理部；
第一输送部，在所述基片载置台与所述单片处理部之间逐一地输送所述基片；
基片组载置台，能够载置包含多个所述基片的基片组；
第二输送部，在所述承载器、所述基片载置台和所述基片组载置台之间输送多个所述基片；和
对所述基片组一并进行处理的批量处理部，
所述基片处理方法包括以下步骤：
在利用所述批量处理部处理所述基片组之前，利用所述单片处理部清洗所述基片，
使所述第一输送部和所述第二输送部从所述单片处理部经由所述基片载置台向所述基片组载置台输送所述基片。
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