JP2020109786A - 基板処理装置および基板搬送方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】スループットを向上させることができる基板処理装置および基板搬送方法を提供する。【解決手段】第１のＩＤブロック２には載置台１３が設けられ、第２のＩＤブロック４には載置台７４が設けられている。従来は、第１のＩＤブロック２だけにキャリア載置台が設けられていた。そのため、往路および復路の両方において、第１のＩＤブロック２と第２処理ブロック５との間で基板を搬送させていた。本発明によれば、復路において、第１のＩＤブロック２に基板を戻さずに、２つの処理ブロック３，５の間に配置された第２のＩＤブロック４に基板を戻している。そのため、復路において、第１のＩＤブロック２と第２のＩＤブロック４との間の第１処理ブロック３による搬送工程が削減される。その結果、基板処理装置１全体のスループットを向上させることができる。【選択図】図１１

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置およびこの基板搬送方法に関する。基板は、例えば、半導体基板、液晶表示装置や有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用の基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が挙げられる。
従来の基板処理装置は、インデクサブロック（以下適宜「ＩＤブロック」と呼ぶ）、第１処理ブロック、および第２処理ブロックを備えている。ＩＤブロック、第１処理ブロック、第２処理ブロックは、この順番で一列に配置されている（例えば、特許文献１参照）。
ＩＤブロックは、複数の基板が収納可能なキャリアを載置するキャリア載置台を備えている。第１処理ブロックは、裏面洗浄ユニットＳＳＲを備えている。第２処理ブロックは、端面洗浄ユニットＳＳＢおよび表面洗浄ユニットＳＳを備えている。ＩＤブロックと２つの洗浄ブロックは各々、基板搬送機構（ロボット）を備えている。
また、基板処理装置は、ストッカ装置（キャリアバッファ装置）を備えている（例えば、特許文献２参照）。ストッカ装置は、キャリアを保管するための保管棚と、キャリア搬送機構とを備えている。
特開２０１２−０６９９９２号公報 特開２０１１−１８７７９６号公報
しかしながら、上述の基板処理装置は次のような問題がある。基板処理装置は、ＩＤブロック、第１処理ブロック、第２処理ブロックの順番（往路）で基板を搬送する。往路搬送の際に、２つの洗浄ブロックは、基板に対して表面洗浄および裏面洗浄を行わない。その後、基板処理装置は、第２処理ブロック、第１処理ブロック、ＩＤブロックの順番（復路）で基板を搬送する。復路搬送の際、第２処理ブロックは、基板に対して表面洗浄を行い、第１処理ブロックは、基板に対して裏面洗浄を行う。ＩＤブロックと第２処理ブロックの間を往復させる基板搬送は、洗浄処理を行わないでブロックを単に通過させる過程を伴う。そのため、往路と復路のどちらかでスループットを低下させているおそれがある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、スループットを向上させることができる基板処理装置および基板搬送方法を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る基板処理装置は、一列に配置された複数の処理ブロックと、前記複数の処理ブロックのうちの一端の処理ブロックに連結され、複数の基板を収納することが可能なキャリアを載置するための第１キャリア載置台が設けられた第１インデクサブロックと、前記複数の処理ブロックのうち少なくとも１つの一端側の処理ブロックと少なくとも１つの他端側の処理ブロックとの間に配置され、前記キャリアを載置するための第２キャリア載置台が設けられた第２インデクサブロックと、を備え、前記第１インデクサブロックは、前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記一端側の処理ブロックに送り、前記一端側の処理ブロックは、送られた基板に対して予め設定された処理を行い、前記第２インデクサブロックは、前記一端側の処理ブロックで処理された基板を前記他端側の処理ブロックに送り、前記他端側の処理ブロックは、送られた基板に対して予め設定された処理を行い、前記第２インデクサブロックは、前記他端側の処理ブロックで処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とするものである。
本発明に係る基板処理装置によれば、第１インデクサブロックには第１キャリア載置台が設けられ、第２インデクサブロックには第２キャリア載置台が設けられている。従来は、第１インデクサブロックだけにキャリア載置台が設けられていた。そのため、往路および復路の両方において、第１インデクサブロックと他端の処理ブロックとの間で基板を搬送させていた。本発明によれば、復路において、第１インデクサブロックに基板を戻さずに、一端側の処理ブロックと他端側の処理ブロックとの間に配置された第２インデクサブロックに基板を戻している。そのため、復路において、第１インデクサブロックと第２インデクサブロックとの間の一端側の処理ブロックによる搬送工程が削減される。その結果、基板処理装置全体のスループットを向上させることができる。
また、上述の基板処理装置において、前記複数の処理ブロックは、第１処理を行う第１処理ブロックと、第２処理を行う第２処理ブロックとを有し、前記第１インデクサブロックは、前記第１処理ブロックに連結し、前記第１処理ブロックは、前記第２インデクサブロックに連結し、前記第２インデクサブロックは、前記第２処理ブロックに連結し、前記第１インデクサブロックは、前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記第１処理ブロックに送り、前記第１処理ブロックは、前記第１インデクサブロックから送られた基板に対して前記第１処理を行い、前記第１処理が行われた基板を前記第２インデクサブロックに送り、前記第２インデクサブロックは、前記第１処理が行われた基板を前記第２処理ブロックに送り、前記第２処理ブロックは、前記第２インデクサブロックから送られた基板に対して前記第２処理を行い、前記第２処理が行われた基板を前記第２インデクサブロックに戻し、前記第２インデクサブロックは、前記第２処理が行われた基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことが好ましい。
第１インデクサブロックには第１キャリア載置台が設けられ、第２インデクサブロックには第２キャリア載置台が設けられている。従来は、第１インデクサブロックだけにキャリア載置台が設けられていた。そのため、往路および復路の両方において、第１インデクサブロックと第２処理ブロックとの間で基板を搬送させていた。本発明によれば、復路において、第１インデクサブロックに基板を戻さずに、２つの処理ブロックの間に配置された第２インデクサブロックに基板を戻している。そのため、復路において、第１インデクサブロックと第２インデクサブロックとの間の第１処理ブロックによる搬送工程が削減される。その結果、基板処理装置全体のスループットを向上させることができる。
また、本発明に係る基板処理装置において、一列に配置された複数の処理ブロックと、前記複数の処理ブロックのうちの一端の処理ブロックに連結され、複数の基板を収納することが可能なキャリアを載置するための第１キャリア載置台が設けられた第１インデクサブロックと、前記複数の処理ブロックのうち少なくとも１つの一端側の処理ブロックと少なくとも１つの他端側の処理ブロックとの間に配置され、前記キャリアを載置するための第２キャリア載置台が設けられた第２インデクサブロックと、を備え、前記第２インデクサブロックは、前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記他端側の処理ブロックに送り、前記他端側の処理ブロックは、送られた基板に対して予め設定された処理を行い、前記第２インデクサブロックは、前記他端側の処理ブロックで処理された基板を前記一端側の処理ブロックに送り、前記一端側の処理ブロックは、送られた基板に対して予め設定された処理を行い、前記第１インデクサブロックは、前記一端側の処理ブロックで処理された基板を前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とするものである。
本発明に係る基板処理装置によれば、第１インデクサブロックには第１キャリア載置台が設けられ、第２インデクサブロックには第２キャリア載置台が設けられている。従来は、第１インデクサブロックだけにキャリア載置台が設けられていた。そのため、往路および復路の両方において、第１インデクサブロックと他端の処理ブロックとの間で基板を搬送させていた。本発明によれば、往路において、第１インデクサブロックから基板の搬送を開始せずに、一端側の処理ブロックと他端側の処理ブロックとの間に配置された第２インデクサブロックから基板の搬送を開始している。そのため、往路において、第１インデクサブロックと第２インデクサブロックとの間の一端側の処理ブロックによる搬送工程が削減される。その結果、基板処理装置全体のスループットを向上させることができる。
また、上述の基板処理装置において、前記複数の処理ブロックは、第１処理を行う第１処理ブロックと、第２処理を行う第２処理ブロックとを有し、前記第１インデクサブロックは、前記第１処理ブロックに連結し、前記第１処理ブロックは、前記第２インデクサブロックに連結し、前記第２インデクサブロックは、前記第２処理ブロックに連結し、前記第２インデクサブロックは、前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記第２処理ブロックに送り、前記第２処理ブロックは、前記第２インデクサブロックから送られた基板に対して前記第２処理を行い、前記第２処理が行われた基板を前記第２インデクサブロックに戻し、前記第２インデクサブロックは、前記第２処理が行われた基板を前記第１処理ブロックに送り、前記第１処理ブロックは、前記第２インデクサブロックから送られた基板に対して前記第１処理を行い、前記第１処理が行われた基板を前記第１インデクサブロックに送り、前記第１インデクサブロックは、前記第１処理が行われた基板を前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことが好ましい。
第１インデクサブロックには第１キャリア載置台が設けられ、第２インデクサブロックには第２キャリア載置台が設けられている。従来は、第１インデクサブロックだけにキャリア載置台が設けられていた。そのため、往路および復路の両方において、第１インデクサブロックと第２処理ブロックとの間で基板を搬送させていた。本発明によれば、往路において、第１インデクサブロックから基板の搬送を開始せずに、２つの処理ブロックの間に配置された第２インデクサブロックから基板の搬送を開始している。そのため、往路において、第１インデクサブロックと第２インデクサブロックとの間の第１処理ブロックによる搬送工程が削減される。その結果、基板処理装置全体のスループットを向上させることができる。
また、上述の基板処理装置において、前記第１処理ブロックおよび前記第２処理ブロックの少なくとも一方は、上下方向に配置された複数の処理層を備えていることが好ましい。これにより、並行処理数を増やすことができる。また、第１処理ブロックと第２処理ブロックの間に第２インデクサブロックが配置されている。そのため、第１処理ブロックは、第２処理ブロックの処理層の個数と異なる個数の処理層を選択できる。また、例えば、第１処理ブロックの所定の処理層から基板が送られた場合、第２インデクサブロックは、第２処理ブロックの複数の処理層のいずれかを選択しながら基板を搬送することができる。
また、上述の基板処理装置は、前記第１キャリア載置台と前記第２キャリア載置台との間で前記キャリアを搬送するキャリア搬送機構を更に備えていることが好ましい。例えば、第１キャリア載置台に載置されたキャリアから全ての基板が取り出された場合、キャリア搬送機構は、そのキャリアに基板を戻すため、第１キャリア載置台に載置されたキャリアを第２キャリア載置台に搬送することができる。
また、上述の基板処理装置において、前記キャリア搬送機構は、前記第１処理ブロックの上に搭載されていることが好ましい。従来、キャリア搬送機構は、インデクサブロックに対して水平方向に配置されていた。本発明によれば、キャリア搬送機構は、第１処理ブロックおよび第２処理ブロックの上に設けられている。そのため、インデクサブロックに対して水平方向に配置していた従来のキャリア搬送機構の設置面積を削減することができる。すなわち、基板処理装置のフットプリントを削減することができる。
また、本発明に係る基板搬送方法において、一列に配置された複数の処理ブロックと、前記複数の処理ブロックのうちの一端の処理ブロックに連結され、複数の基板を収納することが可能なキャリアを載置するための第１キャリア載置台が設けられた第１インデクサブロックと、前記複数の処理ブロックのうち少なくとも１つの一端側の処理ブロックと少なくとも１つの他端側の処理ブロックとの間に配置され、前記キャリアを載置するための第２キャリア載置台が設けられた第２インデクサブロックと、を備えた基板処理装置の基板搬送方法において、前記第１インデクサブロックによって、前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記一端側の処理ブロックに送る工程と、送られた基板に対して、前記一端側の処理ブロックにより予め設定された処理を行う工程と、前記第２インデクサブロックによって、前記一端側の処理ブロックで処理された基板を前記他端側の処理ブロックに送る工程と、送られた基板に対して、前記他端側の処理ブロックにより予め設定された処理を行う工程と、前記第２インデクサブロックによって、前記他端側の処理ブロックで処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻す工程と、を備えていることを特徴とするものである。
本発明に係る基板搬送方法によれば、第１インデクサブロックには第１キャリア載置台が設けられ、第２インデクサブロックには第２キャリア載置台が設けられている。従来は、第１インデクサブロックだけにキャリア載置台が設けられていた。そのため、往路および復路の両方において、第１インデクサブロックと他端の処理ブロックとの間で基板を搬送させていた。本発明によれば、復路において、第１インデクサブロックに基板を戻さずに、一端側の処理ブロックと他端側の処理ブロックとの間に配置された第２インデクサブロックに基板を戻している。そのため、復路において、第１インデクサブロックと第２インデクサブロックとの間の一端側の処理ブロックによる搬送工程が削減される。その結果、基板処理装置全体のスループットを向上させることができる。
また、本発明に係る基板搬送方法は、一列に配置された複数の処理ブロックと、前記複数の処理ブロックのうちの一端の処理ブロックに連結され、複数の基板を収納することが可能なキャリアを載置するための第１キャリア載置台が設けられた第１インデクサブロックと、前記複数の処理ブロックのうち少なくとも１つの一端側の処理ブロックと少なくとも１つの他端側の処理ブロックとの間に配置され、前記キャリアを載置するための第２キャリア載置台が設けられた第２インデクサブロックと、を備えた基板処理装置の基板搬送方法において、前記第２インデクサブロックによって、前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記他端側の処理ブロックに送る工程と、送られた基板に対して、前記他端側の処理ブロックにより予め設定された処理を行う工程と、前記第２インデクサブロックによって、前記他端側の処理ブロックで処理された基板を前記一端側の処理ブロックに送る工程と、送られた基板に対して、前記一端側の処理ブロックにより予め設定された処理を行う工程と、前記第１インデクサブロックによって、前記一端側の処理ブロックで処理された基板を前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻す工程と、を備えていることを特徴とするものである。
本発明に係る基板搬送方法によれば、第１インデクサブロックには第１キャリア載置台が設けられ、第２インデクサブロックには第２キャリア載置台が設けられている。従来は、第１インデクサブロックだけにキャリア載置台が設けられていた。そのため、往路および復路の両方において、第１インデクサブロックと他端の処理ブロックとの間で基板を搬送させていた。本発明によれば、往路において、第１インデクサブロックから基板の搬送を開始せずに、一端側の処理ブロックと他端側の処理ブロックとの間に配置された第２インデクサブロックから基板の搬送を開始している。そのため、往路において、第１インデクサブロックと第２インデクサブロックとの間の一端側の処理ブロックによる搬送工程が削減される。その結果、基板処理装置全体のスループットを向上させることができる。
また、本発明に係る基板搬送装置は、一列に配置された複数の処理ブロックと、前記複数の処理ブロックのうちの一端の処理ブロックに連結され、複数の基板を収納することが可能なキャリアを載置するための第１キャリア載置台が設けられた第１インデクサブロックと、前記複数の処理ブロックのうち少なくとも１つの一端側の処理ブロックと少なくとも１つの他端側の処理ブロックとの間に配置され、前記キャリアを載置するための複数の第２キャリア載置台が設けられた第２インデクサブロックと、を備え、前記第２インデクサブロックは、前記複数の第２キャリア載置台のうちの第１載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記他端側の処理ブロックに送り、前記他端側の処理ブロックは、送られた基板に対して予め設定された処理を行い、前記第２インデクサブロックは、前記他端側の処理ブロックで処理された基板を前記第１載置台に載置された前記キャリアに戻し、前記第２インデクサブロックは、前記複数の第２キャリア載置台のうちの第２載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記一端側の処理ブロックに送り、前記一端側の処理ブロックは、送られた基板に対して予め設定された処理を行い、前記第１インデクサブロックは、前記一端側の処理ブロックで処理された基板を前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とするものである。
本発明に係る基板搬送装置によれば、第１インデクサブロックには第１キャリア載置台が設けられ、第２インデクサブロックには複数の第２キャリア載置台が設けられている。従来は、第１インデクサブロックだけにキャリア載置台が設けられていた。そのため、往路および復路の両方において、第１インデクサブロックと他端の処理ブロックとの間で基板を搬送させていた。本発明によれば、一端側の処理ブロックに基板を送らずに他端側の処理ブロックに基板を送ることができる。そのため、一端側の処理ブロックによる基板搬送工程が削減される。その結果、基板処理装置全体のスループットを向上させることができる。
また、従来は、１つのインデクサブロックだけでキャリアからの基板の取り出しと、キャリアへの基板の収納を行っていた。本発明によれば、第２インデクサブロックは、基板を取り出して、取り出した基板を一端側の処理ブロックに送る。また、第１インデクサブロックは、一端側の処理ブロックから送られた基板を第１キャリア載置台のキャリアに収納する。すなわち、基板の取り出しと基板の収納を分担して行っている。そのため、第２インデクサブロックは基板の取り出しだけ行え、第１インデクサブロックは基板の収納だけを行える。その結果、基板処理装置全体のスループットを向上させることができる。
また、本発明に係る基板搬送方法は、一列に配置された複数の処理ブロックと、前記複数の処理ブロックのうちの一端の処理ブロックに連結され、複数の基板を収納することが可能なキャリアを載置するための第１キャリア載置台が設けられた第１インデクサブロックと、前記複数の処理ブロックのうち少なくとも１つの一端側の処理ブロックと少なくとも１つの他端側の処理ブロックとの間に配置され、前記キャリアを載置するための複数の第２キャリア載置台が設けられた第２インデクサブロックと、を備えた基板処理装置の基板搬送方法において、前記第２インデクサブロックは、前記複数の第２キャリア載置台のうちの第１載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記他端側の処理ブロックに送り、前記他端側の処理ブロックは、送られた基板に対して予め設定された処理を行い、前記第２インデクサブロックは、前記他端側の処理ブロックで処理された基板を前記第１載置台に載置された前記キャリアに戻し、前記第２インデクサブロックは、前記複数の第２キャリア載置台のうちの第２載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記一端側の処理ブロックに送り、前記一端側の処理ブロックは、送られた基板に対して予め設定された処理を行い、前記第１インデクサブロックは、前記一端側の処理ブロックで処理された基板を前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とするものである。
本発明に係る基板処理装置および基板搬送方法によれば、スループットを向上させることができる。
実施例１に係る基板処理装置の縦断面図である。 実施例１に係る基板処理装置の横断面図である。 実施例１に係る基板処理装置の右側面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、反転ユニットを説明するための図である。 裏面洗浄ユニットを示す図である。 表面洗浄ユニットを示す図である。 端面洗浄ユニットを示す図である。 キャリア搬送機構を示す図である。 キャリアバッファ装置を示す平面図である。 従来の基板処理装置の動作を説明するための図である。 実施例１に係る基板処理装置の動作を説明するための図である。 実施例２に係る基板処理装置の横断面図である。 実施例２に係る基板処理装置の右側面図である。 実施例２に係る基板処理装置の動作を説明するための図である。 実施例３に係る基板処理装置の動作を説明するための図である。 変形例に係る基板処理装置の動作を説明するための図である。 他の変形例に係る基板処理装置の横断面図である。 他の変形例にかかる処理ユニットを示す図である。 他の変形例に係る基板処理装置の基板搬送機構および載置台を示す図である。 他の変形例に係る基板処理装置の構成および動作を説明するための図である。 他の変形例に係る基板処理装置の構成および動作を説明するための図である。 他の変形例に係る基板処理装置の構成および動作を説明するための図である。 他の変形例に係る基板処理装置の構成および動作を説明するための図である。 他の変形例に係る基板処理装置の構成および動作を説明するための図である。 他の変形例に係る基板処理装置の構成および動作を説明するための図である。
以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。また、以下の説明において、回路パターン等の各種パターンが形成される基板の面を表面と呼び、その反対側の面を裏面と呼ぶ。また、下方に向けられた基板の面を下面と呼び、上方に向けられた基板の面を上面と呼ぶ。図１は、実施例に係る基板処理装置１の縦断面図である。図２は、基板処理装置１の横断面である。図３は、基板処理装置１の右側面図である。
＜基板処理装置１の構成＞
図１、図２を参照する。基板処理装置１は、第１インデクサブロック（第１のＩＤブロック）２、第１処理ブロック３、第２インデクサブロック（第２のＩＤブロック）４、第２処理ブロック５およびキャリアバッファ装置８を備えている。第１のＩＤブロック２、第１処理ブロック３、第２のＩＤブロック４、第２処理ブロック５は、直線状に一列で配置されている。
〔第１インデクサブロック２の構成〕
第１のＩＤブロック２は、２つのオープナ９，１０（図２、図９参照）と、２つの反転ユニットＲ１，Ｒ２と、２つの基板搬送機構（ロボット）ＴＭ１，ＴＭ２とを備えている。第１のＩＤブロック２に設けられた２つのオープナ（キャリア載置部）９，１０は各々、キャリアＣを載置する。
キャリアＣは、水平姿勢の複数（例えば２５枚）の基板Ｗを収納することが可能である。キャリアＣは、例えばフープ（ＦＯＵＰ：Front Open Unified Pod）が用いられるが、フープ以外の容器（例えばＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド）であってもよい。キャリアＣは、例えば、基板Ｗを出し入れするための開口部を有し、基板Ｗが収納されるキャリア本体と、開口部を塞ぐための蓋部とを有する。
各オープナ９，１０は、キャリアＣが載置される載置台１３と、基板Ｗを通すための開口部１４と、開口部１４の開閉を行うと共にキャリア本体に対して蓋部の着脱を行うシャッタ部材（図示しない）と、シャッタ部材を駆動させるシャッタ部材駆動機構（図示しない）とを備えている。シャッタ部材駆動機構は、電動モータを備えている。なお、シャッタ部材は、キャリア本体から蓋部を外した後、例えば下方向あるいは、開口部１４に沿って水平方向（Ｙ方向）に移動される。
載置台１３は、第１処理ブロック３の屋上に設けられている。図１において、載置台１３は、第１処理ブロック３よりも高い位置に、すなわち第１処理ブロック３の上方に設けられている。載置台１３は、第１処理ブロック３上、すなわち、第１処理ブロック３の上面に接して設けられていてもよい。なお、載置台１３は、本発明の第１キャリア載置台に相当する。
図４（ａ）〜図４（ｃ）は、反転ユニットＲ１，Ｒ２の構成および動作を説明するための図である。反転ユニットＲ１，Ｒ２は互いに同じ構成を有している。
図４（ａ）に示すように、各反転ユニットＲ１，Ｒ２は、２つの支持部材１６Ａ，１６Ｂ、斜め軸部１８、２つの挟持部材２０Ａ，２０Ｂおよびスライド軸部２２を備えている。支持部材１６Ａ，１６Ｂの各々には、斜め軸部１８が固定されている。各支持部材１６Ａ，１６Ｂは、電動モータの駆動により、斜め軸部１８に沿って移動される。挟持部材２０Ａ，２０Ｂの各々には、スライド軸部２２が固定されている。各支持部材１６Ａ，１６Ｂは、電動モータの駆動により、スライド軸部２２に沿って移動される。また、支持部材１６Ａ，１６Ｂは、電動モータの駆動により、水平軸ＡＸ１周りに回転される。
例えば、第１基板搬送機構ＴＭ１は、反転ユニットＲ１の２つの支持部材１６Ａ，１６Ｂ上に基板Ｗを搬送する。図４（ａ）において、２つの支持部材１６Ａ，１６Ｂは、２枚の基板Ｗを支持している。その後、図４（ｂ）に示すように、２つの挟持部材２０Ａ，２０Ｂは、水平方向に基板Ｗを挟み込む。これにより、２つの挟持部材２０Ａ，２０Ｂは２枚の基板Ｗを保持する。その後、各支持部材１６Ａ，１６Ｂは、斜め軸部１８に沿って待機位置に移動される。２つの挟持部材２０Ａ，２０Ｂによって保持された基板Ｗは、水平軸ＡＸ１周りに反転される。これにより、これにより、基板Ｗの表面が上向きから下向きになり、また、基板Ｗの表面が下向きの場合は、基板Ｗの表面が下向きから上向きになる。
反転後、各支持部材１６Ａ，１６Ｂは、斜め軸部１８に沿って基板載置位置に移動される。その後、図４（ｃ）に示すように、２つの挟持部材２０Ａ，２０Ｂが基板Ｗから離れる方向に移動される。これにより、２つの挟持部材２０Ａ，２０Ｂによる保持が解除され、基板Ｗは、２つの支持部材１６Ａ，１６Ｂに載置される。基板搬送機構ＴＭ１は、反転ユニットＲ１から基板Ｗを搬送することが可能である。
図１を参照する。２つの基板搬送機構ＴＭ１，ＴＭ２は各々、２つのハンド４１，４２、２つの多関節アーム４３，４４および昇降回転駆動部４５を備えている。昇降回転駆動部４５には、第１多関節アーム４３を介して第１ハンド４１が接続され、第２多関節アーム４４を介して第２ハンド４２が接続されている。昇降回転駆動部４５は、２つのハンド４１，４２および２つの多関節アーム４３，４４を上下方向（Ｚ方向）に昇降させるとともに、それらを垂直軸ＡＸ３周りに回転させる。また、昇降回転駆動部４５は、水平方向（特にＹ方向）に移動できないように、各処理層３Ａ，３Ｂ，５Ａ，５Ｂの床部に固定されている。多関節アーム４３，４４および昇降回転駆動部４５は各々、電動モータを備えている。
各基板搬送機構ＴＭ１，ＴＭ２は、２つのハンド４１の両方を同時にキャリアＣ内に進入することができる。また、各基板搬送機構ＴＭ１，ＴＭ２は、２つのハンド４１を個々に進退することができる。そのため、各基板搬送機構ＴＭ１，ＴＭ２は、２つのハンド４１の一方をキャリアＣ内に進入することができる。
第１のＩＤブロック２と、第１処理ブロック３の後述する上側の処理層３Ａとの間には、基板載置部ＰＳ１が設けられている。また、第１のＩＤブロック２と、第１処理ブロック３の後述する下側の処理層３Ｂとの間には、基板載置部ＰＳ２が設けられている。２つの基板載置部ＰＳ１，ＰＳ２および後述する基板載置部ＰＳ３〜ＰＳ８は各々、１枚または複数の基板Ｗを載置できるように構成されている。
第１基板搬送機構ＴＭ１は、オープナ９の載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを、反転ユニットＲ１を経由して、２つの基板載置部ＰＳ１，ＰＳ２のいずれかに搬送する。また、第２基板搬送機構ＴＭ２は、オープナ１０の載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを、反転ユニットＲ２を経由して、２つの基板載置部ＰＳ１，ＰＳ２のいずれかに搬送する。なお、第１基板搬送機構ＴＭ１は、オープナ９のキャリアＣ、および反転ユニットＲ１から基板Ｗを取り出すことができるが、オープナ１０のキャリアＣ、および反転ユニットＲ２から基板Ｗを取り出すことができない。また、第２基板搬送機構ＴＭ２は、オープナ１０のキャリアＣ、および反転ユニットＲ２から基板Ｗを取り出すことができるが、オープナ９のキャリアＣ、および反転ユニットＲ１から基板Ｗを取り出すことができない。
〔第１処理ブロック３および第２処理ブロック５の構成〕
第１処理ブロック３は、第１のＩＤブロック２に連結する。第１処理ブロック３は基板Ｗに対して裏面洗浄処理を行う。また、第２処理ブロック５は、第２のＩＤブロック４に連結する。第２処理ブロック５は、基板Ｗに対して端面および表面の洗浄処理を行う。
第１処理ブロック３は、上下方向（Ｚ方向）に配置された２つの処理層３Ａ，３Ｂを備えている。また、第２処理ブロック５は、上下方向に配置された２つの処理層５Ａ，５Ｂを備えている。４つの処理層３Ａ，３Ｂ，５Ａ，５Ｂは各々、第３基板搬送機構ＴＭ３と、搬送スペース３９と、複数の処理ユニットＵとを備えている。図２において、第３基板搬送機構ＴＭ３は、搬送スペース３９に設けられている。複数の処理ユニットＵは、第３基板搬送機構ＴＭ３を取り囲むように設けられている。
第３基板搬送機構ＴＭ３は、２つのハンド４１，４２、２つの多関節アーム４３，４４および昇降回転駆動部４５を備えている。第３基板搬送機構ＴＭ３は、第１基板搬送機構ＴＭ１と同様に構成されているので、その説明を省略する。
なお、２つの多関節アーム４３，４４によって、２つのハンド４１，４２は、例えば、基板載置部ＰＳ１から２枚の基板Ｗを同時に取り出すことができ、また、基板載置部ＰＳ１から１枚の基板Ｗを取り出すことができる。
図２において、第２基板搬送機構ＴＭ２側の処理ユニットＵおよび、第１基板搬送機構ＴＭ１側の処理ユニットＵは、搬送スペース３９を挟んで配置されている。なお、第１基板搬送機構ＴＭ１側の処理ユニットＵは、図３に示す基板処理装置１の右側面のユニットである。右側面の処理ユニットＵは、図３において、例えば「ＳＳＲ」とかっこ書きで示されていないユニットである。また、第２基板搬送機構ＴＭ２側の処理ユニットＵは、基板処理装置１の左側面のユニットである。左側面の処理ユニットＵは、図３において、例えば「（ＳＳＲ）」、「（ＳＳＢ）」とかっこ書きで示されるユニットである。
各処理層３Ａ，３Ｂ，５Ａ，５Ｂは、左側面および右側面において、水平方向に２列かつ上下方向に２段の２列×２段で処理ユニットＵを配置できるように構成されている（図３参照）。第１処理ブロックの２つの処理層３Ａ，３Ｂは各々、４つの裏面洗浄ユニットＳＳＲを備えている。第２処理ブロック５の２つの処理層５Ａ，５Ｂは各々、４つの表面洗浄ユニットＳＳと、４つの端面洗浄ユニットＳＳＢとを備えている。
図５は、裏面洗浄ユニットＳＳＲを示す図である。裏面洗浄ユニットＳＳＲは、ブラシを用いた洗浄処理（以下、スクラブ洗浄処理と呼ぶ）を行うことで、基板Ｗの裏面を洗浄する。裏面洗浄ユニットＳＳＲは、保持回転部４７、液供給部４９およびブラシ洗浄機構５１を備えている。
保持回転部４７は、水平姿勢の基板Ｗを保持し、保持した基板Ｗを回転させるものである。保持回転部４７は、複数の保持ピン５３で基板Ｗの端部を保持するスピンチャック５４Ａと、上下方向の回転軸ＡＸ４周りにスピンチャック５４Ａを回転させる回転駆動部５５とを備えている。なお、スピンチャック５４Ａは、複数の保持ピン５３を有する。回転駆動部５５は、電動モータを備えている。
液供給部４９は、基板Ｗに処理液を供給する。液供給部４９は、ノズル５６と、ノズル５６と連通接続する液供給管５７とを備えている。処理液は、例えば、洗浄液またはリンス液（純水）である。液供給管５７は、複数種類の処理液を選択的にノズル５６に供給してもよい。ノズル５６は、液供給管５７から供給された処理液を基板Ｗに吐出する。
ブラシ洗浄機構５１は、ブラシ洗浄具６０とアーム６１と駆動部６２とを備えている。ブラシ洗浄具６０は、基板Ｗと直接的に接触することによって基板Ｗを洗浄する。ブラシ洗浄具６０は、例えば略円筒形状を有する。アーム６１の一端は、ブラシ洗浄具６０を回転可能に支持する。駆動部６２は、電動モータを備える。駆動部６２は、アーム６１の他端と連結しており、アーム６１を垂直軸ＡＸ５周りに回転し、かつ、アーム６１を上下方向に移動する。
裏面洗浄ユニットＳＳＲは、次のように動作する。保持回転部４７上に、各反転ユニットＲ１，Ｒ２で反転された基板Ｗが載置されると、保持回転部４７は、基板Ｗを水平姿勢で回転させる。液供給部４９は、基板Ｗの上面に処理液を供給し、ブラシ洗浄機構５１は基板Ｗの上面にブラシ洗浄具６０を直接的に接触させる。処理液とブラシ洗浄具６０によって、基板Ｗを洗浄する。この際、ブラシ洗浄具６０を基板Ｗに直接的に接触させた状態で、ブラシ洗浄具６０を揺動させてもよい。あるいは、裏面洗浄ユニットＳＳＲは、ブラシ洗浄具６０を用いずに、処理液のみを用いた単なる洗浄処理を行うことも可能である。
図６は、表面洗浄ユニットＳＳを示す図である。表面洗浄ユニットＳＳは、基板Ｗの表面を洗浄する。表面洗浄ユニットＳＳは、保持回転部４７、液供給部４９およびスプレー洗浄機構５２を備えている。保持回転部４７は、例えば真空吸着により基板Ｗの裏面を保持するスピンチャック５４Ｂを備えている。液供給部４９の構成は、図５に示す裏面洗浄ユニットＳＳＲと基本的に同じである。スプレー洗浄機構５２は、スプレーノズル（二流体ノズル）５８と、スプレーノズル５８と連通接続する液供給管５９とを備えている。スプレーノズル５８には、液供給管５９を通じて処理液が供給されると共に、窒素ガス（不活性ガス）が供給される。保持回転部４７は、保持した基板Ｗを回転させる。回転する基板Ｗの上面にノズル５６から処理液が吐出される。回転する基板Ｗの上面にスプレーノズル５８から処理液の液滴が噴射される。なお、表面洗浄ユニットＳＳは、スピンチャック５４Ｂに代えて、図５に示すスピンチャック５４Ａを備えていてもよい。
図７は、端面洗浄ユニットＳＳＢを示す図である、端面洗浄ユニットＳＳＢは、基板Ｗを保持して、保持した基板Ｗを回転させる保持回転部４７と、基板Ｗの端面を洗浄する端面洗浄機構６４とを備えている。保持回転部４７は、図５、図６に示す保持回転部４７とほぼ同じである。端面洗浄機構６４は、洗浄位置と待避位置との間で水平移動されるように構成されている。端面洗浄機構６４は、ほぼ円筒形状を有するブラシ６６と、２つのノズル６７，６８を備えている。ブラシ６６は、垂直軸ＡＸ６周りに回転可能に支持されている。ノズル６７は、基板Ｗの上面側から洗浄液を供給し、ノズル６８は、基板Ｗの下面側から洗浄液を供給する。
基板Ｗが保持回転部４７上に載置されると、保持回転部４７は基板Ｗを保持する。その後、端部洗浄部６４は、待避位置から洗浄位置に移動される。端部洗浄部６４のブラシ６６が回転する基板Ｗの端部に接触すると、ブラシ６６により基板Ｗの端部が洗浄される。この洗浄時に、２つのノズル６７，６８から処理液が供給される。
〔第２インデクサブロック４の構成〕
図１を参照する。第２のＩＤブロック４は、第１処理ブロック３および第２処理ブロック５に連結する。すなわち、第２のＩＤブロック４は、第１処理ブロック３と第２処理ブロック５の間に配置されている。
第２のＩＤブロック４は、２つのオープナ７１，７２（図２、図９参照）、２つの反転ユニットＲ３，Ｒ４および２つの基板搬送機構ＴＭ４，ＴＭ５を備えている。第２のＩＤブロック４に設けられた２つのオープナ７１，７２は各々、複数の基板Ｗを収納することが可能なキャリアＣが載置される。
各オープナ７１，７２は、オープナ９と同様に、キャリアＣが載置される載置台７４と、基板Ｗを通すための開口部７６と、開口部７６を開閉すると共にキャリア本体に対して蓋部の着脱を行うシャッタ部材（図示しない）と、シャッタ部材を駆動させるシャッタ部材駆動機構とを備えている。シャッタ部材駆動機構は電動モータを備えている。なお、シャッタ部材は、キャリア本体から蓋部を外した後、例えば下方向あるいは、開口部７６に沿って水平方向（Ｙ方向）に移動される。
載置台７４は、第１処理ブロック３の屋上に設けられている。図１において、載置台７４は、第１処理ブロック３よりも高い位置に、すなわち第１処理ブロック３の上方に設けられている。載置台７４は、第１処理ブロック３上、すなわち、第１処理ブロック３に接して設けられていてもよい。なお、載置台７４は、本発明の第２キャリア載置台に相当する。
各反転ユニットＲ３，Ｒ４は、図４（ａ）に示す反転ユニットＲ１とほぼ同じ構成を備えている。各基板搬送機構ＴＭ４，ＴＭ５は、２つのハンド４１，４２、２つの多関節アーム４３，４４および昇降回転駆動部４５を備えている。各基板搬送機構ＴＭ４，ＴＭ５は、基板搬送機構ＴＭ１（ＴＭ２）と同様に構成されている。
上側の処理層３Ａと第２のＩＤブロック４との間には、基板載置部ＰＳ３が設けられている。下側の処理層３Ｂと第２のＩＤブロック４との間には、基板載置部ＰＳ４が設けられている。第２のＩＤブロック４と上側の処理層５Ａとの間には、２つの基板載置部ＰＳ５，ＰＳ７が設けられている。また、第２のＩＤブロック４と下側の処理層５Ｂとの間には、２つの基板載置部ＰＳ６，ＰＳ８が設けられている。
第４基板搬送機構ＴＭ４は、６つの基板載置部ＰＳ３〜ＰＳ８の間で、基板Ｗを搬送する。また、第４基板搬送機構ＴＭ４は、オープナ７１（図９参照）に載置されたキャリアＣ、および反転ユニットＲ３に対して基板Ｗの受け取りおよび引き渡しを行うことができる。しかしながら、第４基板搬送機構ＴＭ４は、オープナ７２に載置されたキャリアＣ、および反転ユニットＲ４に対して基板Ｗの受け取りおよび引き渡しを行うことができない。
第５基板搬送機構ＴＭ５は、６つの基板載置部ＰＳ３〜ＰＳ８の間で、基板Ｗを搬送する。また、第５基板搬送機構ＴＭ５は、オープナ７２（図９参照）に載置されたキャリアＣ、および反転ユニットＲ４に対して基板Ｗの受け取りおよび引き渡しを行うことができる。しかしながら、第５基板搬送機構ＴＭ５は、オープナ７１に載置されたキャリアＣ、および反転ユニットＲ３に対して基板Ｗの受け取りおよび引き渡しを行うことができない。
〔キャリアバッファ装置８〕
基板処理装置１は、例えば第１のＩＤブロック２、第１処理ブロック３および第２のＩＤブロック４上、またはそれらの上方にキャリアバッファ装置８を備えている。キャリアバッファ装置８は、キャリア搬送機構７８とキャリア保管棚７９（図９参照）を備えている。
図８を参照する。図８は、キャリア搬送機構７８を示す図である。キャリア搬送機構７８は、２つの多関節アーム８１，８２を備えている。第１多関節アーム８１の一端には把持部８３が設けられ、第２多関節アーム８２の一端には把持部８４が設けられている。また、第１多関節アーム８１の他端は、支柱状の昇降駆動部８５に上下方向に移動可能に支持され、第２多関節アーム８２の他端は、昇降駆動部８５に上下方向に移動可能に支持されている。
２つの把持部８３，８４は各々、例えば、キャリアＣの上面に設けられた突起部を把持するように構成されている。２つの把持部８３，８４は各々、電動モータを備えている。
２つの多関節アーム８１，８２は各々、１つまたは２以上の電動モータを備えている。第１多関節アーム８１は、第１把持部８３を垂直軸ＡＸ７周りに３６０度回転駆動ができるように構成されている。第２多関節アーム８１は、第１多関節アーム８１と同様に構成されている。第１多関節アーム８１は、図９のオープナ１０，７２側のキャリアＣの搬送を担当し、第２多関節アーム８２は、図９のオープナ９，７１側のキャリアＣの搬送を担当する。
昇降駆動部８５は、２つの多関節アーム８１，８２を個別に昇降できるように構成されている。昇降駆動部８５は、電動モータを備えている。昇降駆動部８５は、１つの多関節アームに対して、例えばベルトと複数のプーリを備えていてもよい。
前後駆動部８７は、昇降駆動部８５を支持する支持部８７Ａと、前後方向（Ｘ方向）に長手に延びる長手部８７Ｂと、電動モータ（図示しない）とを備えている。例えば、長手部８７Ｂがレール（ガイドレール）であり、支持部８７Ａが台車であってもよい。この場合、電動モータによって台車（支持部８７Ａ）がレール（長手部８７Ｂ）に沿って移動するように構成されていてもよい。
また、例えば電動モータと複数のプーリとベルトが長手部８７Ｂに内蔵され、支持部８７Ａがベルトに固定されていてもよい。この場合、電動モータによってプーリが回転し、複数のプーリに掛けられたベルトが移動することによって、支持部８７Ａを移動させるようにしてもよい。
図９を参照する。キャリア保管棚７９は、入力ポート９１、出力ポート９２、未処理基板キャリア棚９３、空キャリア棚９４および処理済基板キャリア棚９５を備えている。入力ポート９１は、未処理の基板Ｗが収納されたキャリアＣを外部搬送機構ＯＨＴ（Overhead Hoist Transport）から受け取るための棚である。外部搬送機構ＯＨＴは、工場内でキャリアＣを搬送するものである。未処理とは、第１処理ブロック３および第２処理ブロック５の少なくとも一方による処理が行われていないことを言う。入力ポート９１は、図１、図９に示すように、ＩＤブロック２上、すなわちＩＤブロック２の屋上に設けられている。ＩＤブロック２の上方には、外部搬送機構ＯＨＴのレール９７が設けられている。外部搬送機構ＯＨＴは、２つの入力ポート９１のいずれかにキャリアＣを搬送する。
また、図９において、未処理基板キャリア棚９３、空キャリア棚９４および処理済基板キャリア棚９５は、長手部８７Ｂに沿うように、基板処理装置１の長手方向に設けられている。未処理基板キャリア棚９３は、入力ポート９１に載置されたキャリアＣであって、２つの載置台１３にいずれにも搬送できなかった未処理の基板Ｗが収納されたキャリアＣを載置する。空キャリア棚９４は、載置台１３で基板Ｗが全て取り出されたキャリアＣであって、２つの載置台７４のいずれにも搬送できなかったキャリアＣを載置する。処理済基板キャリア棚９５は、処理済の基板Ｗが収納されたキャリアＣであって、２つの出力ポート９２のいずれにも搬送できなかったキャリアＣを載置する。処理済とは、第１処理ブロック３および第２処理ブロック５による処理が行われていることを言う。
出力ポート９２は、処理済の基板Ｗが収納されたキャリアＣを外部搬送機構ＯＨＴに引き渡すための棚である。出力ポート９２は、図１、図９に示すように、ＩＤブロック２上、すなわちＩＤブロック２の屋上に設けられている。キャリア搬送機構７８は、各載置台１３，７４および各棚９１〜９５の間でキャリアＣを自在に移動することができる。
また、図１，図９に示すように、載置台１３および開口部１４（オープナ９，１０）は、第１処理ブロック３側に設けられ、載置台７４および開口部７６（オープナ７１，７２）は、第１処理ブロック３側に設けられている。すなわち、載置台１３および載置台７４が向かい合うように設けられている。これにより、載置台１３および載置台７４は、キャリア搬送機構７８に向いて設けられるので、キャリア搬送機構７８として搬送しやすくなる。また、例えば、従来のように、ＩＤブロック２を挟んで第１処理ブロック３の反対側（図９の矢印ＡＲ１参照）に載置台が設けられる場合は、載置台１３が突出する。しかし、載置台１３および載置台７４が向かい合うように設けられているので、載置台１３が突出することを抑えることができる。そのため、基板処理装置１のフットプリントを小さくすることができる。
なお、キャリア搬送機構７８は、２組の多関節アームおよび把持部を備えているが、１組または３組以上の多関節アームおよび把持部を備えていてもよい。また、昇降駆動部８５は、支持部８７Ａに対して垂直軸周りに回転駆動されるように構成されていてもよい。また、レール９７は、第１のＩＤブロック２の上方以外を通過してもよい。この場合、装置１の上方を通過する位置に入力ポート９１および出力ポート９２が設けられる。キャリア保管棚７９の個数および種類は適宜変更される。
また、基板処理装置１は、図２に示すように、１つまたは複数の制御部２００と、操作部２０１とを備えている。制御部２００は、例えば中央演算処理装置（ＣＰＵ）を備えている。制御部２００は、基板処理装置１の各構成を制御する。操作部２０１は、表示部（例えば液晶モニタ）、記憶部および入力部を備えている。記憶部は、例えば、ＲＯＭ（Read-Only Memory）、ＲＡＭ（Random-Access Memory）、およびハードディスクの少なくとも１つを備えている。入力部は、キーボード、マウス、タッチパネルおよび各種ボタンの少なくとも１つを備えている。記憶部には、基板処理の各種条件および基板処理装置１の制御に必要な動作プログラム等が記憶されている。
＜基板処理装置１の動作＞
次に、基板処理装置１の動作を説明する。図１を参照する。外部搬送機構ＯＨＴは、第１のＩＤブロック２上に設けられた入力ポート９１にキャリアＣを搬送する。キャリア搬送機構７８は、入力ポート９１から例えばオープナ９の載置台１３にキャリアＣを搬送する。オープナ９のシャッタ部は、キャリアＣの蓋部を外して蓋部を保持しつつ、開口部１４を開放する。
〔ステップＳ０１〕第１のＩＤブロック２
第１のＩＤブロック２は、２つのオープナ９，１０のいずれかの載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを第１処理ブロック３の２つの処理層３Ａ，３Ｂのいずれかに送る。具体的に説明する。
例えば第１基板搬送機構ＴＭ１は、オープナ９の載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを反転ユニットＲ１に搬送する。基板Ｗは、その表面が上向きになっている状態でキャリアＣに収納されている。そのため、反転ユニットＲ１は、基板Ｗの表面を上向きから下向きにする。すなわち、基板Ｗの裏面が上向きの状態になる。
第１基板搬送機構ＴＭ１は、反転された基板Ｗを、２つの基板載置部ＰＳ１，ＰＳ２のいずれかに搬送する。例えば、第１基板搬送機構ＴＭ１は、反転された基板Ｗを、２つの基板載置部ＰＳ１，ＰＳ２に交互に搬送する。なお、第２基板搬送機構ＴＭ２によって基板Ｗを搬送する場合、基板Ｗは、反転ユニットＲ２に搬送される。
なお、キャリアＣから全ての基板Ｗが取り出されたときは、オープナ９は、そのキャリアＣに蓋を取り付けつつ、シャッタ部で開口部１４を閉じる。その後、キャリア搬送機構７８は、基板Ｗが取り出されて空になったキャリアＣを、未処理の基板Ｗが収納された他のキャリアＣに置き換える。そして、空になったキャリアＣを例えばオープナ７１の載置台７４に搬送する。空になったキャリアＣをオープナ７１，７２のいずれにも搬送できないときは、キャリア搬送機構７８は、空になったキャリアＣを空キャリア棚９４に搬送する。
〔ステップＳ０２〕第１処理ブロック３
第１処理ブロック３は、第１のＩＤブロック２から送られた基板Ｗに対して裏面洗浄処理を行い、裏面洗浄処理が行われた基板Ｗを第２のＩＤブロック４に送る。
第１処理ブロック３の例えば処理層３Ａにおいて、第３基板搬送機構ＴＭ３は、基板載置部ＰＳ１から基板Ｗを受け取る。第３基板搬送機構ＴＭ３は、受け取った基板Ｗを、４つの裏面洗浄ユニットＳＳＲのいずれかに搬送する。裏面洗浄ユニットＳＳＲは、裏面が上向きの基板Ｗに対して裏面洗浄処理を行う。第３基板搬送機構ＴＭ３は、裏面洗浄処理が行われた基板Ｗを基板載置部ＰＳ３に搬送する。
〔ステップＳ０３〕第２のＩＤブロック４
第２のＩＤブロック４は、裏面洗浄処理が行われ、かつ第１洗浄ブロック３から送られた基板Ｗを第２処理ブロック５の２つの処理層５Ａ，５Ｂのいずれかに送る。
例えば第４基板搬送機構ＴＭ４は、基板載置部ＰＳ３から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを反転ユニットＲ３に送る。反転ユニットＲ３は、基板Ｗの表面を下向きから上向きにする。第４基板搬送機構ＴＭ４は、反転された基板Ｗを基板載置部ＰＳ５に搬送する。なお、第５基板搬送機構ＴＭ５によって基板Ｗを搬送する場合、基板Ｗは、反転ユニットＲ４に搬送される。
なお、一般的に、第２のＩＤブロック４は、基板載置部ＰＳ３から基板Ｗを受け取ったときは、受け取った基板Ｗを基板載置部ＰＳ５に搬送する。また、第２のＩＤブロック４は、基板載置部ＰＳ４から基板Ｗを受け取ったときは、受け取った基板Ｗを基板載置部ＰＳ６に搬送する。このような搬送方法について、第２のＩＤブロック４は、基板載置部ＰＳ３から基板Ｗを受け取ったときは、受け取った基板Ｗを基板載置部ＰＳ６に搬送してもよい。また、第２のＩＤブロック４は、基板載置部ＰＳ４から基板Ｗを受け取ったときは、受け取った基板Ｗを基板載置部ＰＳ５に搬送してもよい。
〔ステップＳ０４〕第２処理ブロック５
第２処理ブロック５は、第２のＩＤブロック４から送られた基板Ｗに対して端面洗浄処理および表面洗浄処理を行い、これらの洗浄処理が行われた基板Ｗを第２のＩＤブロック４に戻す。
第２処理ブロック５の例えば処理層５Ａにおいて、第３基板搬送機構ＴＭ３は、基板載置部ＰＳ５から基板Ｗを受け取る。第３基板搬送機構ＴＭ３は、受け取った基板Ｗを、４つの端面洗浄ユニットＳＳＢのいずれかに搬送する。端面洗浄ユニットＳＳＢは、表面が上向きの基板Ｗに対して端面洗浄処理を行う。第３基板搬送機構ＴＭ３は、端面洗浄処理が行われた基板Ｗを４つの表面洗浄ユニットＳＳのいずれかに搬送する。表面洗浄ユニットＳＳは、基板に対して表面洗浄処理を行う。第３基板搬送機構ＴＭ３は、端面洗浄処理および表面洗浄処理が行われた基板Ｗを基板載置部ＰＳ７に搬送する。
〔ステップＳ０５〕第２のＩＤブロック４
第２のＩＤブロック４は、端面洗浄処理および表面洗浄処理が行われ、かつ第２処理ブロック５から送られた基板Ｗをオープナ７１の載置台７４に載置されたキャリアＣに戻す。
載置台７４のキャリアＣは、オープナ７１によって、開口部７６が開放された状態と成っている。第４基板搬送機構ＴＭ４は、戻り用の基板載置部ＰＳ７から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗをオープナ７１の載置台７４に載置されたキャリアＣに戻す。なお、基板Ｗは、裏面、端面および表面の洗浄処理が行われる前に収納されていたキャリアＣに戻される。つまり、基板Ｗは元のキャリアＣに戻される。また、オープナ７２の載置台７４に載置されたキャリアＣに基板Ｗを戻す場合は、第５基板搬送機構ＴＭ５が用いられる。
キャリアＣに処理済の基板Ｗが全て収納された後、オープナ７１は、キャリアＣに蓋部を取り付けながら、開口部７６を閉じる。キャリア搬送機構７８は、処理済の基板Ｗが収納されたキャリアＣをオープナ７１の載置台７４から出力ポート９２に搬送する。その後、外部搬送機構ＯＨＴは、出力ポート９２から次の目的地にキャリアＣを搬送する。
図１０は、従来の基板処理装置１０１の動作を説明するための図である。従来の基板処理装置１０１は、ＩＤブロック１０２、第１処理ブロック１０３、第２処理ブロック１０５の順番（往路ＦＷ）で基板Ｗを搬送する。また、基板処理装置１０１は、第２処理ブロック１０５、第１処理ブロック１０３、ＩＤブロック１０２の順番（復路ＲＴ）で基板Ｗを搬送する。この搬送の際に、第２処理ブロック１０５は第２洗浄処理を行い、第１処理ブロック１０３は第１洗浄処理を行う。
本実施例によれば、図１１に示すように、第１のＩＤブロック２、第１処理ブロック３、第２のＩＤブロック４および第２処理ブロック５がこの順番で配置されている。第１のＩＤブロック２には載置台１３が設けられ、第２のＩＤブロック４には載置台７４が設けられている。従来は、図１０に示すように、ＩＤブロック１０２だけにキャリア載置台１１３が設けられていた。そのため、往路および復路の両方において、ＩＤブロック１０２と第２処理ブロック１０５との間で基板Ｗを搬送させていた。本発明によれば、復路において、第１のＩＤブロック２に基板Ｗを戻さずに、２つの処理ブロック３，５の間に配置された第２のＩＤブロック４に基板Ｗを戻している。そのため、復路において、第１のＩＤブロック２と第２のＩＤブロック４との間の第１処理ブロック３による搬送工程が削減される（図１１の符号ＡＲ２参照）。その結果、基板処理装置１全体のスループットを向上させることができる。
また、基板処理装置１は、図１に示すように、載置台１３と載置台７４との間でキャリアＣを搬送するキャリア搬送機構８を備えている。例えば、載置台１３に載置されたキャリアＣから全ての基板Ｗが取り出された場合、キャリア搬送機構８は、そのキャリアＣに基板Ｗを戻すため、載置台１３に載置されたキャリアＣを載置台７４に搬送することができる。
また、キャリア搬送機構８は、第１処理ブロック３の上に搭載されている。従来、キャリア搬送機構は、第１のＩＤブロック２に対して水平方向に配置されていた。本発明によれば、キャリア搬送機構８は、第１処理ブロック３の上に搭載されている。そのため、第１のＩＤブロック２に対して水平方向に配置していた従来のキャリア搬送機構の設置面積を削減することができる。すなわち、基板処理装置１のフットプリントを削減することができる。
また、基板処理装置１は、第１のＩＤブロック２、第１処理ブロック３および第２のＩＤブロック４の上に搭載されたキャリア保管棚７９を備えている。キャリア搬送機構７８は、載置台１３、載置台７４およびキャリア保管棚７９の間でキャリアＣを搬送する。従来、キャリア保管棚７９は、ＩＤブロック２に対して水平方向に設けられていた。本発明によれば、キャリア保管棚７９は、例えば、第１処理ブロック３の上に搭載されている。そのため、ＩＤブロック２に対して水平方向に設けられていた従来のキャリア保管棚の設置面積を削減することができる。すなわち、基板処理装置１のフットプリントを削減することができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と重複する説明は省略する。
実施例１では、基板処理装置１は、図１の左側に示す第１のＩＤブロック２の載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、図１の右側に示す第２のＩＤブロック４の載置台７４に載置されたキャリアＣに基板Ｗを収納していた。この点、逆であってもよい。すなわち、基板処理装置１は、図１の右側に示す第２のＩＤブロック４の載置台７４に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、図１の左側に示す第１のＩＤブロック２の載置台１３に載置されたキャリアＣに基板Ｗを収納してもよい。
図１２は、実施例２に係る基板処理装置１の横断面図である。図１３は、実施例２に係る基板処理装置１の右側面図である。本実施例の基板処理装置１は、図２、図３に示す実施例１の基板処理装置１と比べて、第１処理ブロック３と第２処理ブロック５が有する処理ユニットＵの内容が逆になっている。
第１処理ブロック３の２つの処理層３Ａ，３Ｂは各々、４つの表面洗浄ユニットＳＳおよび端面洗浄ユニットＳＳＢを備えている。また、第２処理ブロック５の２つの処理層５Ａ，５Ｂは各々、４つの裏面洗浄ユニットＳＳＲを備えている。また、図１２に示すように、第１のＩＤブロック２には、２つの反転ユニットＲ１，Ｒ２が設けられていない。
＜基板処理装置１の動作＞
次に、本実施例の基板処理装置１の動作を説明する。図１４は、基板処理装置１の動作を説明するための図である。図１４に示すように、２つの処理ブロック３，５は、動作の説明を容易にするために、単一の処理層で構成されているものとする。
図１４を参照する。第２のＩＤブロック４は、２つのオープナ７１，７２のいずれかの載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを第２処理ブロック５に送る。第２処理ブロック５に基板Ｗを送るときに、２つの反転ユニットＲ３，Ｒ４のいずれかは、基板Ｗの表面の向きを上向きから下向きに変更するように、基板Ｗを反転する。すなわち、反転された基板Ｗの裏面が上向きの状態になっている。第２のＩＤブロック４は、反転された基板Ｗを第２処理ブロック５に送る。
第２処理ブロック５は、第２のＩＤブロック４から送られた基板Ｗに対して裏面洗浄処理を行い、裏面洗浄処理が行われた基板Ｗを第２のＩＤブロック４に戻す。
第２のＩＤブロック４は、第２処理ブロック５から送られた基板Ｗを第１処理ブロック３に送る。第１処理ブロック３に基板Ｗを送るときに、２つの反転ユニットＲ３，Ｒ４のいずれかは、基板の表面の向きを下向きから上向きに変更するように、基板Ｗを反転する。第２のＩＤブロック４は、反転された基板Ｗを第１処理ブロック３に送る。
第１処理ブロック３は、第２のＩＤブロック４から送られた基板Ｗに対して端面洗浄処理および表面洗浄処理を行い、端面洗浄処理および表面洗浄処理が行われた基板Ｗを第１のＩＤブロック２に送る。
第１のＩＤブロック２は、第１処理ブロック３から送られた基板Ｗを２つのオープナ７１，７２のいずれかの載置台７４に載置されたキャリアＣに戻す。
本実施例によれば、第１のＩＤブロック２には載置台１３が設けられ、第２のＩＤブロック４には載置台７４が設けられている。従来は、第１のＩＤブロック２だけにキャリア載置台が設けられていた。そのため、往路および復路の両方において、第１のＩＤブロック２と第２処理ブロック５との間で基板Ｗを搬送させていた。本発明によれば、往路において、第１のＩＤブロック２から基板Ｗの搬送を開始せずに、２つの処理ブロック３，５の間に配置された第２のＩＤブロック２から基板Ｗの搬送を開始している。そのため、往路において、第１のＩＤブロック２と第２のＩＤブロック４との間の第１処理ブロック３による搬送工程が削減される（図１４の符号ＡＲ２参照）。その結果、基板処理装置１全体のスループットを向上させることができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。なお、実施例１，２と重複する説明は省略する。
実施例１では、基板処理装置１は、図１の左側に示す第１のＩＤブロック２の載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、図１の右側に示す第２のＩＤブロック４の載置台７４に載置されたキャリアＣに基板Ｗを収納していた。このとき、第１処理ブロック３は裏面洗浄処理を行い、第２処理ブロック５は端面洗浄処理および表面洗浄処理を行っていた。この点、第１処理ブロック３は端面洗浄処理および表面洗浄処理を行い、第２処理ブロック５は裏面洗浄処理を行ってもよい。
本実施例の基板処理装置１の構成は、図１２，図１３の実施例２の基板処理装置１の構成と同じ構成を有している。
＜基板処理装置１の動作＞
図１５は、基板処理装置１の動作を説明するための図である。図１５に示すように、２つの処理ブロック３，５は、動作の説明を容易にするために、単一の処理層で構成されているものとする。
図１５を参照する。第１のＩＤブロック２は、２つのオープナ９，１０のいずれかの載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを第１処理ブロック３に送る。このとき、第１のＩＤブロック２は、表面が上向きの基板Ｗを第１処理ブロック３に送る。
第１処理ブロック３は、第１のＩＤブロック２から送られた基板Ｗに対して端面洗浄処理および表面洗浄処理を行い、端面洗浄処理および表面洗浄処理が行われた基板Ｗを第２のＩＤブロック４に送る。
第２のＩＤブロック４は、第１処理ブロック３から送られた基板Ｗを第２処理ブロック５に送る。第２処理ブロック５に基板Ｗを送るときに、２つの反転ユニットＲ３，Ｒ４のいずれかは、基板Ｗの表面の向きを上向きから下向きに変更するように、基板Ｗを反転させる。すなわち、反転された基板Ｗは、裏面が上向きの状態になっている。第２のＩＤブロック４は、反転された基板Ｗを第２処理ブロック５に送る。
第２処理ブロック５は、第２のＩＤブロック４から送られ、裏面が上向きの基板Ｗに対して裏面洗浄処理を行い、裏面洗浄処理が行われた基板Ｗを第２のＩＤブロック４に戻す。
第２のＩＤブロック４は、第２処理ブロック５から送られた基板Ｗを２つのオープナ７１，７２のいずれかの載置台７４に載置されたキャリアＣに戻す。キャリアＣに基板Ｗを戻すときに、２つの反転ユニットＲ３，Ｒ４のいずれかは、基板Ｗの表面の向きを下向きから上向きに変更するように、基板Ｗを反転する。第２のＩＤブロック４は、反転されて表面が上向きの基板ＷをキャリアＣに戻す。
本実施例の基板処理装置１は、実施例１と同じ効果を有する。復路において、第１のＩＤブロック３と第２のＩＤブロック５との間の第１処理ブロック３による搬送工程が削減される。その結果、基板処理装置１全体のスループットを向上させることができる。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した実施例２では、基板処理装置１は、図１４の右側に示す第２のＩＤブロック４の載置台７４に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、図１４の左側に示す第１のＩＤブロック２の載置台１３に載置されたキャリアＣに基板Ｗを収納していた。このとき、第１処理ブロック３は端面洗浄処理および表面洗浄処理を行い、第２処理ブロック５は裏面洗浄処理を行っていた。この点、第１処理ブロック３は裏面洗浄処理を行い、第２処理ブロック５は端面洗浄処理および表面洗浄処理を行ってもよい。
本変形例の基板処理装置１の構成は、図１〜図３の実施例１の基板処理装置１の構成と同じ構成を有している。本変形例の基板処理装置１は、図１６の第２のＩＤブロック４は、載置台７４に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出す。取り出された基板Ｗは、第２処理ブロック５で表面洗浄処理が行われ、第１処理ブロック３で端面洗浄処理および裏面洗浄処理が行われ、その後、第１のＩＤブロック２に搬送される。第１のＩＤブロック２は、第１処理ブロック３から搬送された基板Ｗを載置台７４のキャリアＣに戻す。
（２）上述した各実施例および変形例（１）では、例えば第１処理ブロック３の２つの処理層３Ａ，３Ｂは各々、図３に示すように、Ｘ方向に２列の処理ユニットＵを有していた。この点、図１７に示すように１列であってもよく、３列以上であってもよい。また、２つの処理層３Ａ，３Ｂは各々、図３に示すように、Ｚ方向に２段の処理ユニットＵを有していた。この点、１段であってもよく、３段以上であってもよい。また、第３基板搬送機構ＴＭ３の昇降回転駆動部４５は、各処理層３Ａ，３Ｂ，５Ａ，５Ｂの床部に固定されていた。この点、第３基板搬送機構ＴＭ３の昇降回転駆動部４５は、電動モータによる駆動でＸ方向に移動されるように構成されていてもよい。
（３）上述した各実施例および各変形例では、第１処理ブロック３および第２処理ブロック５の一方には、端面洗浄ユニットＳＳＢが設けられていた。この点、必要により、端面洗浄ユニットＳＳＢが設けられていなくてもよい。また、必要により、第１処理ブロック３および第２処理ブロック５の一方は、表面洗浄ユニットＳＳを備え、他方が端面洗浄ユニットＳＳＢを備えていてもよい。また、第１処理ブロック３および第２処理ブロック５の一方は、裏面洗浄ユニットＳＳＲを備え、他方が端面洗浄ユニットＳＳＢを備えていてもよい。
（４）上述した各実施例および各変形例では、第１処理ブロック３および第２処理ブロック５は、裏面洗浄ユニットＳＳＲ、表面洗浄ユニットＳＳおよび端面洗浄ユニットＳＳＢを備えていたが、処理ユニットＵはこれらに限定されない。例えば、一方の処理ブロックがベベル洗浄（エッチング）処理を行う処理ユニットＵを備え、他方の処理ブロックが裏面洗浄（エッチング）処理を行う処理ユニットＵを備えていてもよい。ベベル洗浄を行う処理ユニットＵは、図１８のように、例えば、図９に示す基板Ｗの裏面を例えば真空吸着して保持する保持回転部４７と、基板Ｗの周縁部に処理液（例えばリン酸加水Ｈ３ＰＯ４＋Ｈ２Ｏ２）を吐出するノズル２０３とを備えていてもよい。
また、処理ユニットＵは、必要な処理に応じて、例えば図５〜図７、図１８の装置の構成や、既知の構成を組み合わせたものであってもよい。また、処理液は、例えば、ＡＰＭ（アンモニア過酸化水素水混合溶液）、純水（ＤＩＷ）、炭酸水、水素水、アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）、ＳＣ１、ＳＣ２、クエン酸水溶液、ＦＯＭ（フッ化水素酸／オゾンの混合薬液）、ＦＰＭ（フッ化水素酸／過酸化水素水／純水の混合薬液）、フッ化水素酸（ＨＦ）、ＨＣｌ、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、トリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液（ＣＨＯＬＩＮＥ）が用いられてもよい。
（５）上述した各実施例および各変形例では、図２においては、２つのＩＤブロック２，４は、合計で４つの反転ユニットＲ１〜Ｒ４を備えていた。また、図１２においては、第２のＩＤブロック４は、２つの反転ユニットＲ３，Ｒ４を備えていた。これらの反転ユニットＲ３，Ｒ４は、第２のＩＤブロック４と第２処理ブロック５との間に設けられる反転パス（基板載置部に相当する構成）であってもよい。例えば、図１２において、第４基板搬送機構ＴＭ４が裏面洗浄処理を行う第２処理ブロック５に基板Ｗを搬送する場合、第４基板搬送機構ＴＭ４によって反転パスに搬送された基板は、反転パスによって反転され、第２処理ブロック５の第３基板搬送機構ＴＭ３は、反転された基板を反転パスから受け取ることになる。なお、８つの基板載置部ＰＳ１〜ＰＳ８の少なくとも１つが反転パスであってもよい。
（６）上述した各実施例および各変形例では、例えば図１、図１５に示すように、２つの処理ブロック３，５は各々、単一の処理層または２つの処理層を備えていた。この点、２つの処理ブロック３，５は各々、上下方向に配置された３以上の処理層を備えていてもよい。また、第１処理ブロック３の処理層の個数は、第２処理ブロック５の処理層の個数と異なっていてもよい。例えば、図３において、第１処理ブロック３は、単一の処理層を備え、第２処理ブロック５は、２つの処理層を備えていてもよい。
（７）上述した各実施例および各変形例では、第１のＩＤブロック２は、２つの基板搬送機構ＴＭ１，ＴＭ２を備えていた。図１９に示すように、第１のＩＤブロック２は、単一の基板搬送機構ＴＭ１を備えていてもよい。この場合、複数（例えば４つ）の載置台１３がＹ方向に並んで第１のＩＤブロック２の壁部２０６に設けられてもよい。これらの載置台１３に載置されたキャリアＣに対して基板Ｗの取り出しおよび収納を行うために、基板搬送機構ＴＭ１は、電動モータの駆動によりＹ方向に移動されるように構成されていてもよい。
また、単一の基板搬送機構ＴＭ１は、実施例１のように、水平方向（特にＹ方向）に移動しないように第１のＩＤブロック２の床部に固定されていてもよい。また、第１のＩＤブロック２は、３つ以上の基板搬送機構を備えていてもよい。
（８）上述した各実施例および各変形例では、第２のＩＤブロック４は、２つの基板搬送機構ＴＭ４，ＴＭ５を備えていた。図１９に示すように、第２のＩＤブロック４は、単一の基板搬送機構ＴＭ４を備えていてもよい。この場合も、複数（例えば４つ）の載置台７４がＹ方向に並んで第２のＩＤブロック４の壁部２０８に設けられてもよい。これらの載置台７４に載置されたキャリアＣに対して基板Ｗの取り出しおよび収納を行うために、基板搬送機構ＴＭ４は、電動モータの駆動によりＹ方向に移動されるように構成されていてもよい。
また、単一の基板搬送機構ＴＭ４は、実施例１のように、水平方向（特にＹ方向）に移動しないように第２のＩＤブロック４の床部に固定されていてもよい。また、第２のＩＤブロック４は、３つ以上の基板搬送機構を備えていてもよい。
（９）上述した各実施例および各変形例では、図１に示すように、第２のＩＤブロック４の第４基板搬送機構ＴＭ４は、６つの基板載置部ＰＳ３〜ＰＳ８、反転ユニットＲ３および、オープナ７１に載置されたキャリアＣの間で基板Ｗを搬送していた。また、第５基板搬送機構ＴＭ５は、６つの基板載置部ＰＳ３〜ＰＳ８、反転ユニットＲ４および、オープナ７２に載置されたキャリアＣの間で基板Ｗを搬送していた。
例えば、第４基板搬送機構ＴＭ４は、４つの基板載置部ＰＳ３〜ＰＳ６の間（すなわち第１処理ブロック３と第２処理ブロック５との間）で基板Ｗを搬送してもよい。また、第５基板搬送機構ＴＭ５は、２つの基板載置部ＰＳ７，ＰＳ８および、オープナ７２のキャリアＣの間で基板Ｗを搬送してもよい。この役割は、第４基板搬送機構ＴＭ４と第５基板搬送機構ＴＭ５との間で逆にしてもよい。なお、更に、第４基板搬送機構ＴＭ４は反転ユニットＲ３に基板Ｗを搬送し、第５基板搬送機構ＴＭ５は反転ユニットＲ４に基板Ｗを搬送してもよい。
（１０）上述した各実施例および各変形例では、基板処理装置１は、２つの処理ブロック３，５を備えていた。この点、基板処理装置１は、３つ以上の処理ブロックを備えていてもよい。
まず、図２０に示す基板処理装置１を説明する。図２０に示すように、例えば、基板処理装置１は、予め設定された処理を各々行う３つ（複数）の処理ブロック２１３〜２１５を備えているとする。３つの処理ブロック２１３〜２１５は、一列に配置されている。また、３つの処理ブロック２１３〜２１５は、第１処理ブロック２１３、第２処理ブロック２１４、および第３処理ブロック２１５である。また、３つの処理ブロック２１３〜２１５は各々、単一の処理層を備えているものとする。
第１処理ブロック２１３は、裏面洗浄処理を行うために、裏面洗浄ユニットＳＳＲを備えている。第２処理ブロック２１４は、端面洗浄処理を行うために、端面洗浄ユニットＳＳＢを備えている。第３処理ブロック２１５は、表面洗浄処理を行うために、表面洗浄ユニットＳＳを備えている。また、３つの処理ブロック２１３〜２１５は各々、第３基板搬送機構ＴＭ３を備えている。
第１のＩＤブロック２は、３つの処理ブロック２１３〜２１５のうちの一端の第１処理ブロック２１３に連結されている。また、第２のＩＤブロック４は、３つの処理ブロック２１３〜２１５のうちの第１処理ブロック２１３と第２処理ブロック２１４の間に配置されている。すなわち、第２のＩＤブロック４は、１つの一端側の第１処理ブロック２１３と、２つの他端側の処理ブロック２１４，２１５との間に配置されている。
次に、本変形例に係る基板処理装置１の動作を説明する。
図２０を参照する。第１のＩＤブロック２は、載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを一端側の処理ブロック２１３に送る。一端側の処理ブロック２１３は、裏面が上向きでかつ、送られた基板Ｗに対して裏面洗浄処理を行う。一端側の処理ブロック２１３は、基板Ｗを第２のＩＤブロック４に搬送する。
第２のＩＤブロック４は、一端側の処理ブロック２１３で裏面洗浄処理された基板Ｗを他端側の処理ブロック２１４，２１５に送る。他端側の第２処理ブロック２１４は、表面が上向きでかつ、送られた基板Ｗに対して端面洗浄処理を行う。また、他端側の第３処理ブロック２１５は、表面が上向きでかつ、送られた基板Ｗに対して表面洗浄処理を行う。
なお、第２処理ブロック２１４は、基板Ｗを第３処理ブロック２１５に送り、第３処理ブロック２１５は、表面洗浄処理が行われた基板Ｗを第２処理ブロック２１４に戻す。その後、第２処理ブロック２１４は、基板Ｗを第２のＩＤブロック４に送る。図２０では、第２処理ブロック２１４は、第３処理ブロック２１５に基板Ｗを送る前に端面洗浄処理を行っているが、第２のＩＤブロック４に基板Ｗを送る前に端面洗浄処理を行ってもよい。
第２のＩＤブロック４は、他端側の処理ブロック２１４，２１５で処理された基板Ｗを載置台７４に載置されたキャリアＣに戻す。
本変形例によれば、第１のＩＤブロック２には載置台１３が設けられ、第２のＩＤブロック４には載置台７４が設けられている。従来は、第１のＩＤブロック２だけにキャリア載置台が設けられていた。そのため、往路および復路の両方において、第１のＩＤブロック２と他端の第３処理ブロック２１５との間で基板Ｗを搬送させていた。本発明によれば、復路において、第１のＩＤブロック２に基板Ｗを戻さずに、一端側の処理ブロック２１３と他端側の処理ブロック２１４，２１５との間に配置された第２のＩＤブロック４に基板Ｗを戻している。そのため、復路において、第１のＩＤブロック２と第２のＩＤブロック４との間の一端側の処理ブロック２１３による搬送工程が削減される。その結果、基板処理装置１全体のスループットを向上させることができる。
（１１）次に、図２１に示す基板処理装置１を説明する。図２１に示す基板処理装置１において、第２のＩＤブロック４は、２つの一端側の処理ブロック２１３，２１４と、１つの他端側の処理ブロック２１５との間に配置されている。
第１処理ブロック２１３は、表面洗浄処理を行うために、表面洗浄ユニットＳＳを備えている。第２処理ブロック２１４は、端面洗浄処理を行うために、端面洗浄ユニットＳＳＢを備えている。第３処理ブロック２１５は、裏面洗浄処理を行うために、裏面洗浄ユニットＳＳＲを備えている。また、３つの処理ブロック２１３〜２１５は各々、第３基板搬送機構ＴＭ３を備えている。また、３つの処理ブロック２１３〜２１５は各々、単一の処理層を備えているものとする。
本変形例に係る基板処理装置１の動作を説明する。図２１を参照する。第２のＩＤブロック４は、載置台７４に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを他端側の第３処理ブロック２１５に送る。
他端側の処理ブロック２１５は、裏面が上向きでかつ、送られた基板Ｗに対して裏面洗浄処理を行う。処理ブロック２１５は、裏面洗浄処理が行われた基板Ｗを第２のＩＤブロック４に戻す。
第２のＩＤブロック４は、他端側の処理ブロック２１５で裏面洗浄処理が行われた基板Ｗを一端側の処理ブロック２１３，２１４に送る。一端側の第２処理ブロック２１４は、表面が上向きでかつ、送られた基板Ｗに対して端面洗浄処理を行う。一端側の第１処理ブロック２１３は、送られた基板Ｗに対して表面洗浄処理を行う。第２処理ブロック２１４は、端面洗浄処理が行われた基板Ｗを第１処理ブロック２１３に送り、第１処理ブロック２１３は、表面洗浄処理が行われた基板Ｗを第１のＩＤブロック２に送る。
第１のＩＤブロック２は、一端側の処理ブロック２１３，２１４で端面洗浄処理および表面洗浄処理が行われた基板Ｗを載置台１３に載置されたキャリアＣに戻す。
本変形例によれば、第１のＩＤブロック２には載置台１３が設けられ、第２のＩＤブロック４には載置台７４が設けられている。従来は、第１のＩＤブロック２だけにキャリア載置台が設けられていた。そのため、往路および復路の両方において、第１のＩＤブロック２と他端の第３処理ブロック２１５との間で基板Ｗを搬送させていた。本発明によれば、往路において、第１のＩＤブロック２から基板Ｗの搬送を開始せずに、一端側の処理ブロック２１３，２１４と他端側の処理ブロック２１５との間に配置された第２のＩＤブロック２から基板Ｗの搬送を開始している。そのため、往路において、第１のＩＤブロック２と第２のＩＤブロック４との間の一端側の処理ブロック２１３，２１４による搬送工程が削減される。その結果、基板処理装置１全体のスループットを向上させることができる。
（１２）また、基板処理装置１は、次のように構成および動作されてもよい。第２のＩＤブロック４には、２つのオープナ７１，７２が設けられており、２つのオープナ７１，７２は各々、載置台７４を備えている。図２２において、２つの載置台７４は、上下に配置されていてもよいが、図９のように、水平方向に配置されている。
図２２を参照する。第２のＩＤブロック４（図２に示す第４基板搬送機構ＴＭ４）は、オープナ７１の載置台７４（第１載置台）に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出して、取り出した基板を第２処理ブロック５に送る。第２処理ブロック５は、第２のＩＤブロック４から送られた基板Ｗに対して裏面洗浄処理を行い、第２のＩＤブロック４に搬送する。第２のＩＤブロック４は、裏面洗浄処理が行われた基板Ｗをオープナ７１の載置台７４に載置されたキャリアＣに戻す。
なお、オープナ７１の載置台７４に載置されたキャリアＣは、そのキャリアＣから基板Ｗを取り出してから処理済の基板Ｗを戻すまでの間、オープナ７１の載置台７４に載置されたままである。また、裏面洗浄処理を行う場合、任意のタイミングで基板Ｗの反転動作が行われる。
また、第２のＩＤブロック４（図２に示す第５基板搬送機構ＴＭ５）は、オープナ７２の載置台７４に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを第１処理ブロック３に送る。第１処理ブロック３は、第２のＩＤブロック４から送られた基板Ｗに対して端面洗浄処理および表面洗浄処理を行い、それらの処理が行われた基板Ｗを第１のＩＤブロック２に送る。第１のＩＤブロック２は、第１処理ブロック３で端面洗浄処理および表面洗浄処理が行われた基板Ｗを載置台１３に載置されたキャリアＣに戻す。
なお、オープナ７２の載置台７４に載置されたキャリアＣから全ての基板Ｗを取り出した後、空になったキャリアＣは、キャリア搬送機構７８により、オープナ７２の載置台７４から載置台１３に搬送される。
図２３は、第１処理ブロック３が裏面洗浄処理を行い、第２処理ブロック５が端面洗浄処理および表面洗浄処理を行う。図２３に示す基板処理装置１は、図２２に示す基板処理装置１の基板搬送動作とほぼ同じである。
本変形例によれば、第１のＩＤブロック２には載置台１３が設けられ、第２のＩＤブロック４には２つの載置台７４が設けられている。従来は、第１のＩＤブロック２だけにキャリア載置台が設けられていた。そのため、往路および復路の両方において、第１のＩＤブロックと第２処理ブロック５との間で基板Ｗを搬送させていた。本発明によれば、第１処理ブロック３に基板Ｗを送らずに第２処理ブロック５に基板Ｗを送ることができる。そのため、第１処理ブロック３による基板搬送工程が削減される。その結果、基板処理装置１全体のスループットを向上させることができる。
また、従来は、１つのＩＤブロックだけでキャリアＣからの基板Ｗの取り出しと、キャリアＣへの基板の収納を行っていた。本発明によれば、第２のＩＤブロック４は、基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを第１処理ブロック３に送る。また、第１のＩＤブロック２は、第１処理ブロック３から送られた基板Ｗを載置台１３のキャリアＣに収納する。すなわち、基板Ｗの取り出しと基板Ｗの収納を分担して行っている。そのため、第２のＩＤブロック４は基板Ｗの取り出しだけ行え、第１のＩＤブロック２は基板Ｗの収納だけを行える。その結果、基板処理装置１全体のスループットを向上させることができる。
この変形例では、基板処理装置１は、１つのキャリアＣに収納された基板Ｗに対して裏面洗浄処理を行い、もう１つのキャリアＣに収納された基板Ｗに対して端面洗浄処理および表面洗浄処理を行った。この点、基板処理装置１は、１つのキャリアＣに収納された基板Ｗを２組に分けて、一方の組の基板Ｗに対して裏面洗浄処理を行い、他方の組の基板Ｗに対して端面洗浄処理および表面洗浄処理を行ってもよい。
具体的に説明する。図２２に示す基板処理装置１の第２のＩＤブロック４は、オープナ７２のキャリアＣから基板Ｗを取り出す。なお、オープナ７２のキャリアＣから基板Ｗを全て取り出してもよい。第２のＩＤブロック４は、取り出された基板Ｗのうちの一方の組の基板Ｗを第２処理ブロック５に送る。第２処理ブロック５は、送られた基板Ｗに対して裏面洗浄処理を行い、第２のＩＤブロック４に送る。また、第２のＩＤブロック４は、オープナ７２のキャリアから取り出した基板Ｗのうち他方の組の基板Ｗを第１処理ブロック３に送る。第１処理ブロック３は、送られた基板Ｗに対して端面洗浄処理および表面洗浄処理を行う。
端面洗浄処理および表面洗浄処理の２つの洗浄処理を行っている間に、第２処理ブロック５で裏面洗浄処理が行われた基板Ｗは順次、第２のＩＤブロック４に送られる。第２のＩＤブロック４は、裏面洗浄処理が行われた基板Ｗをオープナ７２のキャリアＣに戻す。裏面洗浄処理を行う一方の組の全ての基板ＷがキャリアＣに戻されると、キャリア搬送機構７８は、オープナ７２の載置台７４から載置台１３にキャリアＣを搬送する。そして、第１のＩＤブロック２は、第１処理ブロック３で端面洗浄処理および表面洗浄処理が行われた基板Ｗを、一方の組の基板Ｗが収納されたキャリアＣに戻す。
第１処理ブロック３は１つの洗浄処理（裏面洗浄処理）を行うのに対して、第２処理ブロック５は、２つの洗浄処理（端面洗浄処理および表面洗浄処理）を行う。そのため、第２処理ブロック５による処理を行っている間に、キャリアＣに裏面洗浄処理が行われた基板Ｗを回収することができる。そのため、効果よく洗浄処理を行うことができる。
（１３）上述の（１２）に記載された基板処理装置１は、３つ以上の処理ブロックを備えていてもよい。図２４は、２つの処理ブロック２１３，２１４の間に第２のＩＤブロック４が配置されたものである。図２５は、２つの処理ブロック２１４，２１５の間に第２のＩＤブロック４が配置されたものである。図２４、図２５に示す基板処理装置１の基板搬送動作は、図２２に示す基板処理装置１の基板搬送動作とほぼ同様に行われる。
１ … 基板処理装置
２ … 第１インデクサブロック（第１のＩＤブロック）
３ … 第１処理ブロック
３Ａ，３Ｂ … 処理層
４ … 第２インデクサブロック（第２のＩＤブロック）
５ … 第２処理ブロック
５Ａ，５Ｂ … 処理層
８ … キャリアバッファ装置
１３，７４ … 載置台

Claims (11)

  1. 一列に配置された複数の処理ブロックと、
    前記複数の処理ブロックのうちの一端の処理ブロックに連結され、複数の基板を収納することが可能なキャリアを載置するための第１キャリア載置台が設けられた第１インデクサブロックと、
    前記複数の処理ブロックのうち少なくとも１つの一端側の処理ブロックと少なくとも１つの他端側の処理ブロックとの間に配置され、前記キャリアを載置するための第２キャリア載置台が設けられた第２インデクサブロックと、
    を備え、
    前記第１インデクサブロックは、前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記一端側の処理ブロックに送り、
    前記一端側の処理ブロックは、送られた基板に対して予め設定された処理を行い、
    前記第２インデクサブロックは、前記一端側の処理ブロックで処理された基板を前記他端側の処理ブロックに送り、
    前記他端側の処理ブロックは、送られた基板に対して予め設定された処理を行い、
    前記第２インデクサブロックは、前記他端側の処理ブロックで処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記複数の処理ブロックは、第１処理を行う第１処理ブロックと、第２処理を行う第２処理ブロックとを有し、
    前記第１インデクサブロックは、前記第１処理ブロックに連結し、
    前記第１処理ブロックは、前記第２インデクサブロックに連結し、
    前記第２インデクサブロックは、前記第２処理ブロックに連結し、
    前記第１インデクサブロックは、前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記第１処理ブロックに送り、
    前記第１処理ブロックは、前記第１インデクサブロックから送られた基板に対して前記第１処理を行い、前記第１処理が行われた基板を前記第２インデクサブロックに送り、
    前記第２インデクサブロックは、前記第１処理が行われた基板を前記第２処理ブロックに送り、
    前記第２処理ブロックは、前記第２インデクサブロックから送られた基板に対して前記第２処理を行い、前記第２処理が行われた基板を前記第２インデクサブロックに戻し、
    前記第２インデクサブロックは、前記第２処理が行われた基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板処理装置。
  3. 一列に配置された複数の処理ブロックと、
    前記複数の処理ブロックのうちの一端の処理ブロックに連結され、複数の基板を収納することが可能なキャリアを載置するための第１キャリア載置台が設けられた第１インデクサブロックと、
    前記複数の処理ブロックのうち少なくとも１つの一端側の処理ブロックと少なくとも１つの他端側の処理ブロックとの間に配置され、前記キャリアを載置するための第２キャリア載置台が設けられた第２インデクサブロックと、
    を備え、
    前記第２インデクサブロックは、前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記他端側の処理ブロックに送り、
    前記他端側の処理ブロックは、送られた基板に対して予め設定された処理を行い、
    前記第２インデクサブロックは、前記他端側の処理ブロックで処理された基板を前記一端側の処理ブロックに送り、
    前記一端側の処理ブロックは、送られた基板に対して予め設定された処理を行い、
    前記第１インデクサブロックは、前記一端側の処理ブロックで処理された基板を前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項３に記載の基板処理装置において、
    前記複数の処理ブロックは、第１処理を行う第１処理ブロックと、第２処理を行う第２処理ブロックとを有し、
    前記第１インデクサブロックは、前記第１処理ブロックに連結し、
    前記第１処理ブロックは、前記第２インデクサブロックに連結し、
    前記第２インデクサブロックは、前記第２処理ブロックに連結し、
    前記第２インデクサブロックは、前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記第２処理ブロックに送り、
    前記第２処理ブロックは、前記第２インデクサブロックから送られた基板に対して前記第２処理を行い、前記第２処理が行われた基板を前記第２インデクサブロックに戻し、
    前記第２インデクサブロックは、前記第２処理が行われた基板を前記第１処理ブロックに送り、
    前記第１処理ブロックは、前記第２インデクサブロックから送られた基板に対して前記第１処理を行い、前記第１処理が行われた基板を前記第１インデクサブロックに送り、
    前記第１インデクサブロックは、前記第１処理が行われた基板を前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板処理装置。
  5. 請求項２または４に記載の基板処理装置において、
    前記第１処理ブロックおよび前記第２処理ブロックの少なくとも一方は、上下方向に配置された複数の処理層を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  6. 請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１キャリア載置台と前記第２キャリア載置台との間で前記キャリアを搬送するキャリア搬送機構を更に備えていることを特徴とする基板処理装置。
  7. 請求項６に記載の基板処理装置において、
    前記キャリア搬送機構は、前記第１処理ブロックの上に搭載されていることを特徴とする基板処理装置。
  8. 一列に配置された複数の処理ブロックと、
    前記複数の処理ブロックのうちの一端の処理ブロックに連結され、複数の基板を収納することが可能なキャリアを載置するための第１キャリア載置台が設けられた第１インデクサブロックと、
    前記複数の処理ブロックのうち少なくとも１つの一端側の処理ブロックと少なくとも１つの他端側の処理ブロックとの間に配置され、前記キャリアを載置するための第２キャリア載置台が設けられた第２インデクサブロックと、
    を備えた基板処理装置の基板搬送方法において、
    前記第１インデクサブロックによって、前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記一端側の処理ブロックに送る工程と、
    送られた基板に対して、前記一端側の処理ブロックにより予め設定された処理を行う工程と、
    前記第２インデクサブロックによって、前記一端側の処理ブロックで処理された基板を前記他端側の処理ブロックに送る工程と、
    送られた基板に対して、前記他端側の処理ブロックにより予め設定された処理を行う工程と、
    前記第２インデクサブロックによって、前記他端側の処理ブロックで処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻す工程と、
    を備えていることを特徴とする基板搬送方法。
  9. 一列に配置された複数の処理ブロックと、
    前記複数の処理ブロックのうちの一端の処理ブロックに連結され、複数の基板を収納することが可能なキャリアを載置するための第１キャリア載置台が設けられた第１インデクサブロックと、
    前記複数の処理ブロックのうち少なくとも１つの一端側の処理ブロックと少なくとも１つの他端側の処理ブロックとの間に配置され、前記キャリアを載置するための第２キャリア載置台が設けられた第２インデクサブロックと、
    を備えた基板処理装置の基板搬送方法において、
    前記第２インデクサブロックによって、前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記他端側の処理ブロックに送る工程と、
    送られた基板に対して、前記他端側の処理ブロックにより予め設定された処理を行う工程と、
    前記第２インデクサブロックによって、前記他端側の処理ブロックで処理された基板を前記一端側の処理ブロックに送る工程と、
    送られた基板に対して、前記一端側の処理ブロックにより予め設定された処理を行う工程と、
    前記第１インデクサブロックによって、前記一端側の処理ブロックで処理された基板を前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻す工程と、
    を備えていることを特徴とする基板搬送方法。
  10. 一列に配置された複数の処理ブロックと、
    前記複数の処理ブロックのうちの一端の処理ブロックに連結され、複数の基板を収納することが可能なキャリアを載置するための第１キャリア載置台が設けられた第１インデクサブロックと、
    前記複数の処理ブロックのうち少なくとも１つの一端側の処理ブロックと少なくとも１つの他端側の処理ブロックとの間に配置され、前記キャリアを載置するための複数の第２キャリア載置台が設けられた第２インデクサブロックと、
    を備え、
    前記第２インデクサブロックは、前記複数の第２キャリア載置台のうちの第１載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記他端側の処理ブロックに送り、
    前記他端側の処理ブロックは、送られた基板に対して予め設定された処理を行い、
    前記第２インデクサブロックは、前記他端側の処理ブロックで処理された基板を前記第１載置台に載置された前記キャリアに戻し、
    前記第２インデクサブロックは、前記複数の第２キャリア載置台のうちの第２載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記一端側の処理ブロックに送り、
    前記一端側の処理ブロックは、送られた基板に対して予め設定された処理を行い、
    前記第１インデクサブロックは、前記一端側の処理ブロックで処理された基板を前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板処理装置。
  11. 一列に配置された複数の処理ブロックと、
    前記複数の処理ブロックのうちの一端の処理ブロックに連結され、複数の基板を収納することが可能なキャリアを載置するための第１キャリア載置台が設けられた第１インデクサブロックと、
    前記複数の処理ブロックのうち少なくとも１つの一端側の処理ブロックと少なくとも１つの他端側の処理ブロックとの間に配置され、前記キャリアを載置するための複数の第２キャリア載置台が設けられた第２インデクサブロックと、
    を備えた基板処理装置の基板搬送方法において、
    前記第２インデクサブロックは、前記複数の第２キャリア載置台のうちの第１載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記他端側の処理ブロックに送り、
    前記他端側の処理ブロックは、送られた基板に対して予め設定された処理を行い、
    前記第２インデクサブロックは、前記他端側の処理ブロックで処理された基板を前記第１載置台に載置された前記キャリアに戻し、
    前記第２インデクサブロックは、前記複数の第２キャリア載置台のうちの第２載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記一端側の処理ブロックに送り、
    前記一端側の処理ブロックは、送られた基板に対して予め設定された処理を行い、
    前記第１インデクサブロックは、前記一端側の処理ブロックで処理された基板を前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板搬送方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7195841B2 (ja) * 2018-09-21 2022-12-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7190900B2 (ja) * 2018-12-28 2022-12-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、キャリア搬送方法およびキャリアバッファ装置
JP2022083842A (ja) * 2020-11-25 2022-06-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08274143A (ja) * 1995-02-02 1996-10-18 Tokyo Electron Ltd 搬送装置及び搬送方法
JP2007189138A (ja) * 2006-01-16 2007-07-26 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP2011187796A (ja) * 2010-03-10 2011-09-22 Sokudo Co Ltd 基板処理装置、ストッカー装置および基板収納容器の搬送方法
JP2014003164A (ja) * 2012-06-19 2014-01-09 Tokyo Electron Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置並びに半導体装置の製造システム

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW297910B (ja) 1995-02-02 1997-02-11 Tokyo Electron Co Ltd
TW333658B (en) * 1996-05-30 1998-06-11 Tokyo Electron Co Ltd The substrate processing method and substrate processing system
JP4021118B2 (ja) * 1999-04-28 2007-12-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
TW511169B (en) * 2000-02-01 2002-11-21 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100542630B1 (ko) * 2004-04-28 2006-01-11 세메스 주식회사 반도체 제조 설비
KR20070023191A (ko) * 2005-08-23 2007-02-28 삼성전자주식회사 멀티챔버시스템 및 이를 사용한 공정제어방법
JP2007191235A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Murata Mach Ltd 天井走行車システム
CN101855717B (zh) 2007-11-09 2011-10-19 佳能安内华股份有限公司 在线型晶圆输送装置
KR100921638B1 (ko) * 2007-12-26 2009-10-14 주식회사 케이씨텍 습식 세정 장치
JP5385965B2 (ja) 2011-12-05 2014-01-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP6741594B2 (ja) 2014-02-04 2020-08-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ キャリアによって支持された基板上に一又は複数の層を堆積させるためのシステム、及び当該システムを使用する方法
JP6803701B2 (ja) * 2016-08-23 2020-12-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体
JP7175191B2 (ja) * 2018-12-28 2022-11-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板搬送方法
JP7221048B2 (ja) * 2018-12-28 2023-02-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板搬送方法
JP7190900B2 (ja) * 2018-12-28 2022-12-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、キャリア搬送方法およびキャリアバッファ装置
JP7181081B2 (ja) * 2018-12-28 2022-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板搬送方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08274143A (ja) * 1995-02-02 1996-10-18 Tokyo Electron Ltd 搬送装置及び搬送方法
JP2007189138A (ja) * 2006-01-16 2007-07-26 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP2011187796A (ja) * 2010-03-10 2011-09-22 Sokudo Co Ltd 基板処理装置、ストッカー装置および基板収納容器の搬送方法
JP2014003164A (ja) * 2012-06-19 2014-01-09 Tokyo Electron Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置並びに半導体装置の製造システム

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