WO2024042815A1 - 基板処理装置 - Google Patents

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WO2024042815A1
WO2024042815A1 PCT/JP2023/021214 JP2023021214W WO2024042815A1 WO 2024042815 A1 WO2024042815 A1 WO 2024042815A1 JP 2023021214 W JP2023021214 W JP 2023021214W WO 2024042815 A1 WO2024042815 A1 WO 2024042815A1
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WO
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substrate
processing
substrates
batch
attitude
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PCT/JP2023/021214
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Inventor
直嗣 前川
Original Assignee
株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Definitions

  • the present invention is a substrate processing method that performs predetermined processing on various substrates such as semiconductor substrates, FPD (Flat Panel Display) substrates such as liquid crystal displays and organic EL (Electroluminescence) display devices, glass substrates for photomasks, and optical disk substrates. Regarding equipment.
  • FPD Full Panel Display
  • organic EL Electrode-EL
  • a batch type module performs predetermined processing on a plurality of substrates at once.
  • a single-wafer module performs predetermined processing on each substrate.
  • Batch-type modules and single-wafer modules each have their own unique advantages. For example, single wafer modules have higher particle performance in drying processes than batch modules. Therefore, as an apparatus equipped with a batch type module and a single wafer type module, a configuration can be considered in which liquid processing is performed in the batch type module and then drying processing is performed in the single wafer type module.
  • the substrates processed in the batch type module and the single wafer type module are returned to the cassette one by one. That is, according to the conventional structure, the substrates processed by the single-wafer module are received by a robot that transports the substrates one by one and stacked in a cassette. That is, the apparatus of Patent Document 1 has a configuration in which processed substrates are returned to a cassette one by one using a transport method similar to that of a substrate processing apparatus that does not have a batch type module and processes substrates using a single wafer type module.
  • the conventional device having such a configuration has the following problems. That is, according to the conventional configuration, high throughput cannot be obtained.
  • Some substrate processing apparatuses having a batch type module have a substrate handling mechanism that takes out a plurality of substrates arranged in a cassette at once.
  • Such a substrate handling mechanism eliminates the need to transport each substrate one by one, and greatly contributes to improving throughput.
  • the apparatus configuration having the substrate handling mechanism is advantageous in that unprocessed substrates are removed from the cassette in batches.
  • the processed substrates that are carried out from the single-wafer module are returned to the cassette one by one. Therefore, the advantage of the substrate handling mechanism is not utilized at the stage where the processed substrate is returned to the cassette.
  • a similar problem occurs with a reverse order substrate processing apparatus that processes substrates in the order of a single wafer module and a batch module.
  • the substrate transport method in the reverse order apparatus is the reverse of the substrate transport method in the above-mentioned apparatus (normal order apparatus) in which the flow of substrates is processed in the order of batch type module and single wafer type module. Therefore, a reverse order apparatus having a bulk substrate handling mechanism is advantageous in that the processed substrates are returned to the cassette in bulk.
  • unprocessed substrates are transferred one by one from a cassette to a single-wafer module. That is, in the reverse order apparatus, the advantage of the substrate handling mechanism is not utilized at the stage when unprocessed substrates are removed from the cassette.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus with improved throughput by reviewing the configuration of the apparatus equipped with a batch type module and a single wafer type module. shall be.
  • a substrate processing apparatus that continuously performs batch processing in which a plurality of substrates are processed at once and single wafer processing in which substrates are processed one by one, the apparatus comprising a stocker block and a transfer block adjacent to the stocker block. and a processing block adjacent to the transfer block, the stocker block housing at least one carrier for vertically storing a plurality of substrates in a horizontal position at predetermined intervals, and a processing block adjacent to the transfer block.
  • the transfer block includes at least one carrier mounting shelf for taking out/storing substrates on which the carrier is placed for loading and unloading the substrate, and the transfer block has a plurality of carriers placed on the carrier mounting shelf.
  • the processing block includes a substrate handling mechanism that takes out and stores a plurality of substrates at once, and a first attitude conversion mechanism that changes the attitude of a plurality of substrates at once between a horizontal attitude and a vertical attitude, and the processing block includes: a batch processing area having one end adjacent to the transfer block and the other end extending in a direction away from the transfer block; and a batch processing area having one end adjacent to the transfer block and the other end extending in a direction away from the transfer block.
  • a plurality of batch processing tanks are lined up in the direction in which the area extends, and a plurality of batch processing tanks are lined up for immersion processing a plurality of substrates at once, and furthermore, a plurality of substrates are immersed in a batch at a position farthest from the transfer block, and the plurality of substrates are immersed in vertical and horizontal positions.
  • a second attitude changing mechanism is provided for changing the attitude over the area, and the single wafer processing area is lined with a plurality of single wafer processing chambers that process substrates one by one in the direction in which the area extends;
  • a substrate mounting section for mounting a plurality of substrates vertically in a horizontal position with the same predetermined spacing as the carrier is provided at a position closest to the mounting block;
  • a two-position conversion mechanism and a single wafer substrate transport mechanism for transporting substrates between the single wafer processing chamber and the substrate platform are provided, and the batch substrate transport area has a plurality of wafers defined in the transfer block.
  • a batch substrate transport mechanism is provided that transports a plurality of substrates at once between a substrate delivery position, the batch processing tank, and a second attitude changing mechanism, and further, the substrate handling mechanism of the transfer block is configured to A substrate processing apparatus, characterized in that it is configured to be able to collectively transfer a plurality of substrates to and from the substrate platform in a single wafer processing area.
  • the substrate mounting section to which both the substrate handling mechanism and the single substrate transport mechanism can transfer substrates is provided in the single wafer processing area. Therefore, the substrate handling mechanism can collectively transfer substrates between single wafer processing areas via the substrate platform.
  • the substrate handling mechanism can collectively transfer substrates between single wafer processing areas via the substrate platform.
  • the single-wafer processed substrates which are delivered one by one by the single-wafer substrate transport mechanism, are arranged and stocked in the vertical direction on the substrate platform.
  • the substrate handling mechanism collectively stores a plurality of substrates stocked on the substrate platform into a carrier.
  • the substrate handling mechanism takes out unprocessed substrates from the carrier all at once, as in the conventional configuration.
  • the reverse order apparatus unprocessed substrates brought into the single wafer processing area by the substrate handling mechanism in batches are arranged and stocked in the vertical direction on the substrate platform.
  • the single wafer substrate transport mechanism transports a plurality of substrates stocked on the substrate platform one by one to the single wafer processing chamber.
  • the substrate handling mechanism stores processed substrates in a carrier all at once, as in the conventional configuration. Therefore, in any of the device configurations, substrates are taken in and out of the carrier all at once by the substrate handling mechanism. With this configuration, the potential of the substrate handling mechanism is brought out, and a substrate processing apparatus with high throughput can be provided.
  • one end of each of the batch processing area, single wafer processing area, single wafer substrate transport area, and batch substrate transport area is adjacent to the transfer block. Therefore, the substrate transport distances between the transfer block and the batch processing area and between the transfer block and the single wafer processing area are shortened, and the substrates can be transported smoothly between these areas.
  • the present invention also has the following features.
  • the batch processing area includes a batch chemical processing tank that accommodates a chemical solution for collectively processing a plurality of substrates with a chemical solution, and a plurality of chemically treated substrates.
  • a batch rinsing tank is provided that stores a rinsing solution for batch rinsing, and the batch chemical processing tank is located closer to the transfer block than the batch rinsing tank, and the batch chemical processing tank is located closer to the transfer block than the batch rinsing tank.
  • the region is equipped with a single-wafer liquid processing chamber for liquid-processing substrates one by one, and a single-wafer drying processing chamber for drying liquid-treated substrates one by one, and the single-wafer drying processing chamber
  • the substrate handling mechanism is located at a position closer to the transfer block than the single wafer liquid processing chamber, and in the transfer block, the substrate handling mechanism takes out a plurality of substrates from the carrier at once, and the first attitude changing mechanism includes: The plurality of substrates taken out are changed in attitude from a horizontal attitude to a vertical attitude, and in the processing block, the batch substrate transfer mechanism batches the plurality of substrates in the vertical attitude at the substrate delivery position of the transfer block.
  • the substrate is transformed into a horizontal orientation
  • the single wafer substrate transfer mechanism transports the substrates, which have been transformed into a horizontal orientation by the second orientation conversion mechanism, one by one into the single wafer liquid processing chamber, the single wafer drying processing chamber, and the single wafer drying processing chamber.
  • the substrate handling mechanism A plurality of substrates are taken out at once, and the plurality of substrates taken out are collectively stored in the carrier.
  • a plurality of substrates are chemically treated in a batch chemical treatment tank near the transfer block in the batch processing area. Thereafter, the plurality of substrates are rinsed in a batch rinsing tank that is separate from the transfer block in the batch processing area. After the rinsing process, the plurality of substrates are converted from a vertical posture to a horizontal posture by a second posture conversion mechanism that is farthest from the transfer block. The plurality of substrates in the horizontal position are in a standby state for single-wafer processing.
  • the substrates converted to the horizontal position are liquid-processed one by one in a single-wafer liquid processing chamber separated from the transfer block in the single-wafer processing area. Subsequently, the substrates that have been dried in the single-wafer drying processing chamber are stocked on a substrate platform near the transfer block in the batch processing area, and are in a standby state for bulk transport by the substrate handling mechanism. In this way, according to configuration (2), as the substrates are transported one by one toward the transfer block in the processing block, each process of liquid processing, drying processing, and batch transfer standby is executed in order. be done. Therefore, according to the present invention, it is possible to realize a substrate processing apparatus with a short substrate transport distance in a single wafer processing area and a high throughput.
  • the substrate whose attitude has been changed to a horizontal attitude in the second attitude changing mechanism is placed at a position close to the single wafer liquid processing chamber.
  • the single wafer liquid processing chamber is located further away from the transfer block than the single wafer drying processing chamber.
  • the second attitude change mechanism is also located at the farthest position from the transfer block, the single wafer liquid processing chamber is located closer to the second attitude change mechanism than the single wafer drying process chamber. It is from.
  • the distance required to transport the substrates one by one from the batch processing area to the single wafer processing area is shortened. Therefore, according to configuration (2), throughput is high and unexpected drying of the substrate is prevented.
  • the time required for the substrate to be carried out from the second attitude changing mechanism and carried into the single-wafer liquid processing chamber is shortened, and contamination of the substrate that occurs during transportation can be prevented as much as possible.
  • the single wafer processing area is provided with a single wafer liquid processing chamber for processing substrates one by one
  • the batch processing area is provided with a single wafer liquid processing chamber that processes a plurality of substrates.
  • a batch chemical processing tank that contains a chemical solution for chemically processing multiple substrates at once
  • a batch rinsing processing tank that contains a rinsing solution for rinsing multiple chemically treated substrates at once
  • a batch drying chamber for drying two substrates at once is provided, the batch drying chamber is located closer to the transfer block than the batch rinsing tank, and the batch rinsing tank is located closer to the transfer block than the batch rinsing tank.
  • the substrate handling mechanism is located closer to the transfer block than the batch chemical processing tank, and in the transfer block, the substrate handling mechanism takes out a plurality of substrates from the carrier at once and transfers them to the substrate mounting section in the processing block. and in the processing block, the single wafer substrate transport mechanism transfers the plurality of substrates placed on the substrate platform one by one to the single wafer liquid processing chamber and the second attitude changing mechanism.
  • the second attitude changing mechanism changes the attitude of the plurality of substrates in the horizontal attitude to a vertical attitude when receiving the plurality of substrates in the horizontal attitude, and the batch substrate transfer mechanism
  • a plurality of substrates in a vertical posture are collectively received in the attitude changing mechanism, and the plurality of substrates received are transferred to the substrate delivery position in the batch chemical processing tank, the batch rinsing processing tank, the batch drying chamber, and the transfer block.
  • the first attitude changing mechanism changes the attitude of the plurality of substrates received at the substrate delivery position from a vertical attitude to a horizontal attitude
  • the substrate handling mechanism changes the attitude of the plurality of substrates received at the substrate delivery position from a vertical attitude to a horizontal attitude.
  • a plurality of substrates are collectively stored in the carrier.
  • the plurality of substrates transferred from the transfer block to the processing block are first placed on the substrate platform in a horizontal position. Therefore, a plurality of substrates before single wafer processing are stocked on the side of the processing block near the transfer block. Thereafter, the plurality of substrates are subjected to liquid processing one by one in a single wafer processing chamber. At this time, the substrates are transported one by one in a direction away from the transfer block. As described above, according to configuration (3), as one substrate is transported in the processing block in the direction away from the transfer block, the liquid processing process is executed. Therefore, according to the present invention, it is possible to realize a substrate processing apparatus with a short substrate transport distance in a single wafer processing area and a high throughput.
  • each of the horizontally oriented substrates that have undergone liquid processing in the single wafer processing chamber are stocked in the second attitude changing mechanism that is farthest from the transfer block. Then, the plurality of substrates in the horizontal orientation are changed to the vertical orientation by the second orientation changing mechanism.
  • a plurality of substrates held in a vertical position are subjected to chemical liquid treatment in a batch chemical liquid processing tank separated from the transfer block in the batch processing area. Thereafter, the plurality of substrates are rinsed in a batch rinsing tank near the transfer block in the batch processing area. After the rinsing process, the plurality of substrates are dried in the batch drying chamber closest to the transfer block.
  • the single wafer drying processing chamber dries the substrate using a supercritical fluid.
  • the single wafer substrate transport mechanism includes a first hand for transporting a substrate before drying processing, and a substrate after drying processing provided above the first hand.
  • a second hand is provided for conveying the.
  • the single wafer substrate transport mechanism includes a first robot that transports the substrate before drying processing and a second robot that transports the substrate after drying processing.
  • a robot for transporting the substrate after the drying process is provided separately from a robot for transporting the substrate before the drying process. Since the substrate after the drying process can be transported at the same time, the throughput of the substrate processing apparatus is improved. In addition, the robot that transports the substrate after drying processing does not grasp a wet substrate before drying processing, so the robot that transports the substrate after drying processing does not transport the substrate after drying processing in a wet state. There is no need to worry. Therefore, with this configuration, it is possible to provide a substrate processing apparatus that reliably maintains the dry state of the substrate.
  • the substrate platform is provided in the single wafer processing area, to which both the substrate handling mechanism and the single wafer transport mechanism can transfer substrates. Therefore, the substrate handling mechanism can collectively transfer substrates to and from the single wafer processing area via the substrate platform. With this configuration, substrates can be taken in and out of the carrier all at once by the substrate handling mechanism. Therefore, the potential of the substrate handling mechanism is brought out, and a substrate processing apparatus with high throughput can be provided. Further, according to the present invention, in the batch processing area of the processing block, the second attitude changing mechanism is disposed at a position farther from the transfer block than the processing tank or the like that performs predetermined processing on the substrates.
  • the plurality of substrates subjected to batch processing are transported in a direction away from the transfer block when heading toward the second attitude changing mechanism. Then, the plurality of substrates whose postures have been changed by the second posture changing mechanism are transported in a direction approaching the transfer block when single-wafer processing is performed. In this way, in a forward order system, the substrates are transported within the processing block away from the transfer block for batch processing, and then transported closer to the transfer block for single wafer processing. , the series of processing for the substrate is completed. Furthermore, in the reverse order apparatus, a plurality of substrates subjected to single wafer processing are transported in a direction away from the transfer block when heading toward the second attitude changing mechanism.
  • the plurality of substrates whose postures have been changed by the second posture changing mechanism are transported in a direction approaching the transfer block when batch processing is performed.
  • the reverse order apparatus if the substrate is once moved away from the transfer block within the processing block and then transported closer to it, the series of processing on the substrate is completed.
  • the substrate only needs to be moved back and forth once, and a substrate processing apparatus with short substrate transport distance and high throughput can be provided.
  • FIG. 1 is a plan view illustrating the overall configuration of a substrate processing apparatus according to Example 1.
  • FIG. FIG. 3 is a perspective view specifically illustrating a posture changing section.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the operation of the posture changing section.
  • 3 is a flowchart illustrating the flow of substrate processing.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the flow of substrate processing.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the flow of substrate processing.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the flow of substrate processing.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the flow of substrate processing.
  • FIG. 2 is a plan view illustrating the overall configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment.
  • 3 is a flowchart illustrating the flow of substrate processing.
  • FIG. 1 is a plan view illustrating the overall configuration of a substrate processing apparatus according to Example 1.
  • FIG. FIG. 3 is a perspective view specifically illustrating a posture changing section.
  • FIG. 3 is a schematic diagram
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the flow of substrate processing.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the flow of substrate processing.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the flow of substrate processing.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the flow of substrate processing.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the flow of substrate processing. It is a schematic diagram explaining one modification of this invention. It is a top view explaining one modification of the present invention.
  • the substrate processing apparatus of the present invention is an apparatus that continuously performs batch processing in which a plurality of substrates W are processed at once, and single-wafer processing in which substrates W are processed one by one.
  • the substrate processing apparatus 1 has blocks partitioned by partition walls. That is, the substrate processing apparatus 1 includes a loading/unloading block 3, a stocker block 5 adjacent to the loading/unloading block 3, a transfer block 7 adjacent to the stocker block 5, and a processing block 9 adjacent to the transfer block 7. ing.
  • the stocker block 5 corresponds to the stocker block of the present invention
  • the transfer block 7 corresponds to the transfer block of the present invention
  • the processing block 9 corresponds to the processing block of the present invention.
  • the substrate processing apparatus 1 performs various treatments on the substrate W, such as chemical treatment, cleaning treatment, and drying treatment, for example.
  • the substrate processing apparatus 1 uses a processing method (a so-called hybrid method) that combines both a batch processing method in which a plurality of substrates W are processed at once and a single wafer processing method in which substrates W are processed one by one.
  • the batch processing method is a processing method in which a plurality of substrates W arranged in a vertical posture are processed at once.
  • the single-wafer processing method is a processing method in which substrates W in a horizontal position are processed one by one.
  • the direction in which the carry-in/out block 3, the stocker block 5, the transfer block 7, and the processing block 9 are arranged is referred to as the "front-back direction X.”
  • the front-rear direction X extends horizontally.
  • the direction from the stocker block 5 to the loading/unloading block 3 is referred to as the "front”.
  • the direction opposite to the front is called “backward.”
  • the direction extending horizontally orthogonally to the front-rear direction X is referred to as the "width direction Y.”
  • One direction of the "width direction Y" will be referred to as “right side” for convenience, and the other direction will be referred to as "left side” for convenience.
  • the direction (height direction) orthogonal to the front-rear direction X and the width direction Y is referred to as the "vertical direction Z.”
  • the front, rear, right, left, top, and bottom are indicated as appropriate for reference.
  • the loading/unloading block 3 has an input section 11 which is an entrance for loading a carrier C into the block for vertically storing a plurality of substrates W at predetermined intervals in a horizontal position, and a loading section 11 where the carrier C is placed outside the block.
  • a dispensing part 13 is provided as an outlet for dispensing.
  • the loading section 11 and the dispensing section 13 are provided on the outer wall of the loading/unloading block 3 extending in the width direction (Y direction).
  • the input section 11 is provided on the right side when viewed from the center of the substrate processing apparatus 1 in the width direction (Y direction), and the dispensing section 13 is provided on the right side when viewed from the center of the substrate processing apparatus 1 in the width direction (Y direction). It is located on the left side opposite to the right side.
  • a plurality of substrates W are stacked and housed in one carrier C in a horizontal position at regular intervals.
  • a carrier C containing unprocessed substrates W to be carried into the substrate processing apparatus 1 is first placed on the input section 11 .
  • the loading unit 11 includes, for example, two mounting tables 15 on which the carriers C are mounted.
  • the carrier C is formed with a plurality of grooves (not shown) extending in the horizontal direction and accommodating the substrates W with their surfaces spaced apart from each other.
  • One substrate W is inserted into each of the grooves.
  • As the carrier C for example, there is a closed type FOUP (Front Opening Unify Pod). In the present invention, an open container may be employed as the carrier C.
  • FOUP Front Opening Unify Pod
  • the dispensing unit 13 dispenses a carrier C containing processed substrates W to be carried out from the substrate processing apparatus 1.
  • the dispensing unit 13 that functions in this manner includes, like the input unit 11, two mounting tables 17 on which carriers C are placed, for example.
  • the input section 11 and the dispensing section 13 are also called a load port.
  • the stocker block 5 is arranged adjacent to the rear of the loading/unloading block 3.
  • the stocker block 5 includes a transport storage section ACB that stores and manages carriers C.
  • the transport storage unit ACB includes a transport mechanism 19 that transports the carrier C and a shelf 21 on which the carrier C is placed.
  • the number of carriers C that can be stocked by the stocker block 5 is one or more.
  • the stocker block 5 has a plurality of shelves 21 on which carriers C are placed.
  • the shelf 21 is provided on a partition wall that separates the stocker block 5 and the transfer block 7.
  • the shelf 21 includes a stock shelf 21b on which carriers C are simply temporarily placed, and a carrier mounting shelf 21a for board removal and storage accessed by the first transport mechanism HTR of the transfer block 7. be.
  • the carrier mounting shelf 21a for taking out and storing substrates corresponds to the carrier mounting shelf for taking out and storing substrates of the present invention.
  • the carrier mounting shelf 21a has a configuration on which the carrier C is placed for loading and unloading the substrate W from the carrier C.
  • one carrier mounting shelf 21a for taking out and storing substrates is provided, but a plurality of carrier mounting shelves 21a for taking out and storing substrates may be provided.
  • the transport mechanism 19 takes in a carrier C that stores unprocessed substrates W from the input section 11 and places it on a carrier mounting shelf 21a for taking out and storing the substrate. At this time, the transport mechanism 19 can also temporarily place the carrier C on the stock shelf 21b before placing the carrier C on the carrier placement shelf 21a. Further, the transport storage unit ACB receives the carrier C that stores the processed substrate W from the carrier mounting shelf 21 a and places it on the payout unit 13 . At this time, the transport mechanism 19 can temporarily place the carrier C on the stock shelf 21b before placing the carrier C on the payout section 13.
  • the number of carrier mounting shelves 21a that the stocker block 5 has is one or more.
  • the transfer block 7 is arranged adjacent to the rear of the stocker block 5.
  • the transfer block 7 includes a first transport mechanism HTR that can access a carrier C placed on a carrier mounting shelf 21a for taking out and storing substrates, and a first transport mechanism HTR that can collectively transfer a plurality of substrates W from a horizontal position to a vertical position. It includes an HVC attitude changing section 20 that changes the attitude and a pusher mechanism 22.
  • the first transport mechanism HTR corresponds to a substrate handling mechanism of the present invention
  • the HVC attitude changing section 20 corresponds to a first attitude changing mechanism of the present invention.
  • a substrate transfer position P is set for transferring a plurality of substrates W to the second transfer mechanism WTR provided in the batch substrate transfer area R4.
  • the first transport mechanism HTR, the HVC attitude converter 20, and the pusher mechanism 22 are arranged in this order in the Y direction.
  • the first transport mechanism HTR is provided on the right side of the rear of the transport storage unit ACB of the stocker block 5.
  • the first transport mechanism HTR is configured to take out a plurality of substrates W at once from a carrier C placed on a carrier mounting shelf 21a for taking out and storing substrates, or to take out a plurality of processed substrates W to the carrier C at once.
  • This is a mechanism for storing and storing items.
  • the first transport mechanism HTR includes a plurality of (for example, 25) hands 71 that transport a plurality of substrates W at once.
  • One hand 71 supports one substrate W. Therefore, the first transport mechanism HTR can also transport only one substrate W.
  • the first transport mechanism HTR takes out a plurality of substrates W (for example, 25 substrates) at once from the carrier C placed on the carrier mounting shelf 21a of the stocker block 5. Then, the first transport mechanism HTR can transport the plurality of gripped substrates W to the support table 20A of the HVC attitude changing unit 20.
  • the HVC attitude converting unit 20 converts the received plurality of substrates W in a horizontal attitude into a vertical attitude.
  • the pusher mechanism 22 is configured to hold a plurality of substrates W in a vertical posture and move them vertically and horizontally.
  • the first transport mechanism HTR receives a plurality of processed substrates W at once from a processing block 9, which will be described later. Then, the first transport mechanism HTR stores the processed substrate W in the empty carrier C placed on the carrier mounting shelf 21a for substrate removal and storage that the stocker block 5 has. The plurality of substrates W waiting at the exit of the processing block 9 are in a horizontal posture. Therefore, the first transport mechanism HTR transports the plurality of substrates W from the processing block 9 to the stocker block 5 while maintaining the horizontal posture of the substrates W. In this way, the first transport mechanism HTR is also configured to transport unprocessed substrates W from the carrier C to the transfer block 7 in a batch, and transport processed substrates W from the processing block 9 to the carrier C in a batch. It is also a configuration for transportation.
  • FIG. 2 illustrates the HVC attitude conversion unit 20 of the first embodiment.
  • the HVC attitude changing section 20 includes a pair of horizontal holding sections 20B and a pair of vertical holding sections 20C that extend in the vertical direction (Z direction).
  • the support stand 20A has a support surface extending in the XY plane that supports the horizontal holding section 20B and the vertical holding section 20C.
  • the rotational drive mechanism 20D is configured to rotate the horizontal holding part 20B and the vertical holding part 20C together with the support base 20A by 90 degrees. Due to this rotation, the horizontal holding section 20B and the vertical holding section 20C are configured to extend in the left-right direction (Y direction).
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the operation of the HVC attitude conversion unit 20. Hereinafter, the configuration of each part will be explained with reference to FIGS. 2 and 3.
  • the horizontal holding unit 20B supports a plurality of substrates W in a horizontal position from below. That is, the horizontal holding section 20B has a comb-shaped structure having a plurality of protrusions corresponding to the substrate W to be supported. Between the protrusions adjacent to each other there is an elongated recess in which the peripheral edge of the substrate W is located. When the peripheral portion of the substrate W is inserted into this recess, the lower surface of the substrate W in a horizontal position comes into contact with the upper surface of the protrusion, and the substrate W is supported in a horizontal position.
  • the vertical holding section 20C supports the plurality of substrates W in a vertical position from below. That is, the vertical holding portion 20C has a comb-shaped structure having a plurality of protrusions corresponding to the substrate W to be supported. Between the protrusions adjacent to each other there is an elongated V-groove in which the peripheral edge of the substrate W is located. When the peripheral edge of the substrate W is inserted into this V-groove, the substrate W is held between the V-grooves and supported in a vertical position. Since two vertical holding parts 20C are provided on the support base 20A, the substrate W is held between two different V-grooves on the peripheral edge.
  • a pair of horizontal holding parts 20B and a pair of vertical holding parts 20C extending in the vertical direction (Z direction) are provided along a virtual circle corresponding to the substrate W in a horizontal position so as to surround the substrate W to be held.
  • the pair of horizontal holding parts 20B are separated by the diameter of the substrate W, and hold one end of the substrate W and the other end that is farthest from the one end. In this way, the pair of horizontal holding parts 20B support the substrate W in a horizontal position.
  • the pair of vertical holding parts 20C are separated by a distance shorter than the diameter of the substrate W, and support a predetermined portion of the substrate W and a specific portion located near the predetermined portion. In this way, the pair of vertical holding parts 20C support the substrate W in a vertical position.
  • the pair of horizontal holding parts 20B are located at the same position in the left-right direction (Y direction), and the pair of vertical holding parts 20B are located at the same position in the left-right direction (Y direction).
  • the pair of vertical holding parts 20B are provided closer to the direction in which the support base 20A is rotated and falls down (leftward) than the pair of horizontal holding parts 20B.
  • the rotational drive mechanism 20D rotatably supports the support base 20A by at least 90° around a horizontal axis AX2 extending in the front-rear direction (X direction).
  • a horizontal axis AX2 extending in the front-rear direction (X direction).
  • the pusher mechanism 22 includes a pusher 22A on which a substrate W in a vertical position can be mounted, an elevating rotation unit 22B that rotates and raises and lowers the pusher 22A, and a lifter 22B that moves the pusher 22A in the left-right direction (Y direction). ), and a rail 22D extending in the left-right direction (Y direction) that guides the horizontal movement section 22C.
  • the pusher 22A is configured to support the lower part of each of a plurality of (for example, 50) substrates W in a vertical posture.
  • the lifting/lowering rotation unit 22B is configured to be provided below the pusher 22A, and includes a telescopic mechanism that moves the pusher 22A up and down in the vertical direction.
  • the lifting/lowering rotating section 22B is capable of rotating the pusher 22A by at least 180 degrees around the vertical axis.
  • the horizontal movement section 22C is configured to support the lifting/lowering rotation section 22B, and horizontally moves the pusher 22A and the lifting/lowering rotation section 22B.
  • the horizontal moving section 22C can move the pusher 22A from a pick-up position near the HVC attitude changing section 20 to a board delivery position P while being guided by the rails 22D.
  • the horizontal moving unit 22C can also shift the pusher 22A in the direction in which the substrates W are arranged in the vertical position by a distance corresponding to a half pitch in the substrate arrangement.
  • the HVC attitude changing unit 20 and the pusher mechanism 22 arrange, for example, a total of 50 substrates W housed in two carriers C at a predetermined interval (for example, 5 mm) in a face-to-back manner.
  • the 25 substrates W in the first carrier C will be described as a first substrate W1 belonging to a first substrate group.
  • the 25 substrates W in the second carrier C will be described as a second substrate W2 belonging to the second substrate group. Note that in FIGS. 3A to 3F, for convenience of drawing, the number of first substrates W1 is three, and the number of second substrates W2 is three.
  • FIG. 3(a) shows a state in which the first substrates W1 in a horizontal orientation are collectively transferred to the HVC orientation converting unit 20 by the first transport mechanism HTR.
  • the device surface (the surface on which the circuit pattern is formed) of the first substrate W1 faces upward.
  • the 25 first substrates W1 are arranged at predetermined intervals (for example, 10 mm). This 10 mm interval is called a full pitch (normal pitch).
  • the first substrate W1 in this state is held by the horizontal holding section 20B. Note that the pusher 22A at this time is at a lower picking position than the support base 20A.
  • FIG. 3(b) shows the state when the support base 20A of the HVC attitude changing unit 20 is rotated by 90° by the rotational drive mechanism 20D.
  • the attitude of the 25 first substrates W1 is converted from a horizontal attitude to a vertical attitude.
  • the first substrate W1 in this state is held by the vertical holding section 20C.
  • FIG. 3(c) shows a state in which the pusher 22A rises from the pick-up position and is moved to a position directly above the pick-up position.
  • This ascending movement is performed by the elevating and lowering rotating section 22B.
  • the pusher 22A moves from the lower side of the first substrate W1 to the upper side, the first substrate W1, which was supported by the vertical holding part 20C of the HVC attitude changing section 20, is pulled out from the vertical holding part 20C and pushed up by the pusher 22A.
  • a groove in which the substrate W is inserted is provided on the upper surface of the pusher 22A.
  • the first substrate W1 is supported by these grooves arranged at equal intervals.
  • the grooves are arranged at a half pitch, and the first substrates W1 are arranged at a full pitch in the HVC attitude changing unit 20, so the groove in which the first substrate W1 is sandwiched is on the upper surface of the pusher 22A located directly above the groove. and empty grooves that do not support the substrate W are arranged alternately.
  • FIG. 3(d) shows an operation in which the pusher 22A moves by a half-pitch width, and an operation in which the support base 20A of the HVC attitude changing unit 20 is reversely rotated by 90 degrees by the rotational drive mechanism 20D.
  • the HVC attitude changing unit 20 in this state can support the second substrate W2.
  • FIG. 3(d) a situation is shown in which the second substrate W2 has already been transferred to the HVC attitude changing unit 20. Note that in FIG. 3(d), the second substrate W2 is supported by the horizontal holding section 20B.
  • the HVC attitude converting unit 20 is able to rotate the support base 20A by 90 degrees again.
  • FIG. 3(e) shows the situation when the support stand 20A is actually rotated again.
  • the pusher 22A has been moved by the half pitch width, so when the pusher 22A is moved to the directly above position again as shown in FIG. 3(f), the second substrate W2 is moved without interfering with the first substrate W1. It fits into an empty groove sandwiched between the first substrates W1 on the upper surface of the pusher 22A. In this way, a lot is formed in which the first substrates W1 and the second substrates W2 are alternately arranged.
  • the second substrate W2 is supported by the vertical holding section 20C. Since the lot is configured by arranging the substrates W in a face-to-back manner, the device surfaces of the substrates W constituting the lot all face leftward in FIG. 3(f).
  • FIG. 3(f) shows the state when the pusher 22A has moved to the directly above position again. Then, the lot generated by the pusher 22A is transported in the left direction (Y direction) by the horizontal moving section 22C to the substrate delivery position P.
  • the configuration of the substrate array to be processed does not matter.
  • the main parts of the present invention have the same configuration whether it is a normal lot (for example, 25 substrates W arranged at full pitch) or a batch lot as described above.
  • the processing target is simply referred to as a lot or a plurality of substrates W.
  • the processing block 9 performs various processing on the plurality of substrates W.
  • the processing block 9 is divided into a batch processing region R1, a single wafer processing region R2, a single wafer substrate transport region R3, and a batch substrate transport region R4 arranged in the width direction (Y direction). Each region extends in the front-rear direction (X direction).
  • the batch processing area R1 is arranged on the left side within the processing block 9.
  • the single wafer processing area R2 is arranged on the right side within the processing block 9.
  • the single wafer substrate transport area R3 is arranged at a position sandwiched between the batch processing area R1 and the single wafer processing area R2, that is, at the center of the processing block 9.
  • the batch substrate transfer area R4 is located at the farthest left of the processing block 9.
  • the batch processing area R1 in the processing block 9 is a rectangular area extending in the front-back direction (X direction).
  • One end side (front side) of the batch processing area R1 is adjacent to the transfer block 7.
  • the other end side of the batch processing area R1 extends in a direction away from the transfer block 7 (backward side).
  • the batch processing area R1 includes a batch processing section that mainly performs batch processing. Specifically, in the batch processing region R1, a plurality of batch processing units BPU1 to BPU3 that collectively immerse a plurality of substrates W are arranged in the direction in which the batch processing region R1 extends. The arrangement of batch processing units BPU1 to BPU3 will be specifically explained.
  • the first batch processing unit BPU1 is adjacent to the transfer block 7 from the rear.
  • the second batch processing unit BPU2 is adjacent to the first batch processing unit BPU1 from the rear.
  • the third batch processing unit BPU3 is adjacent to the second batch processing unit BPU2 from the rear.
  • the first batch processing unit BPU1, the second batch processing unit BPU2, and the third batch processing unit BPU3 leave the transfer block 7 in this order.
  • an underwater attitude changing unit 25 is provided at a position farthest from the transfer block 7 than the batch processing units BPU1 to BPU3, which changes the attitude of a plurality of substrates W at once between a vertical attitude and a horizontal attitude.
  • the underwater attitude changing unit 25 is adjacent to the third batch processing unit BPU3 from the rear. Therefore, the underwater attitude changing section 25 is provided at the position farthest from the transfer block 7 in the batch processing area R1.
  • the first batch processing unit BPU1, the second batch processing unit BPU2, the third batch processing unit BPU3, and the underwater attitude conversion unit 25 are arranged in this order in the direction in which the batch processing area R1 extends (front-back direction: X direction). .
  • the first batch processing unit BPU1 includes a batch chemical liquid processing tank CHB1 that processes lots with chemical liquid all at once, and a lifter LF1 that raises and lowers the lots.
  • the batch chemical treatment tank CHB1 performs acid treatment on lots.
  • the acid treatment phosphoric acid treatment may be used, but treatment using other acids may also be used.
  • a plurality of substrates W constituting a lot are etched.
  • the etching process for example, the nitride film on the surface of the substrate W is chemically etched.
  • the batch chemical liquid processing tank CHB1 accommodates a chemical liquid such as a phosphoric acid solution.
  • a lifter LF1 is attached to the batch chemical processing tank CHB1 to move the lot up and down.
  • the batch chemical solution processing tank CHB1 supplies the chemical solution from the bottom to the top to cause convection of the chemical solution.
  • Lifter LF1 moves up and down in the vertical direction (Z direction). Specifically, the lifter LF1 moves up and down between a processing position located inside the batch chemical processing tank CHB1 and a delivery position located above the batch chemical processing tank CHB1.
  • Lifter LF1 holds a lot made up of substrates W in a vertical position. Lifter LF1 transfers the lot to and from the second transport mechanism WTR at the transfer position.
  • the entire area of the substrate W is located below the surface of the chemical solution.
  • the entire area of the substrate W is located above the liquid level of the chemical solution.
  • the second batch processing unit BPU2 specifically includes a batch chemical processing tank CHB2 and a lifter LF2 that raises and lowers the lot.
  • the batch chemical liquid processing tank CHB2 has the same configuration as the above-described batch chemical liquid processing tank CHB1. That is, the batch chemical liquid processing tank CHB2 contains the above-mentioned chemical liquid, and is provided with a lifter LF2.
  • the batch chemical processing tank CHB2 performs the same processing on lots as the batch chemical processing tank CHB1.
  • the substrate processing apparatus 1 of this example includes a plurality of processing tanks capable of performing the same chemical processing. This is because phosphoric acid treatment requires more time than other treatments. Phosphoric acid treatment requires a long time (for example, 60 minutes).
  • acid treatment can be performed in parallel using a plurality of batch chemical treatment tanks. Therefore, the lot is acid-treated in either batch chemical treatment tank CHB1 or batch chemical treatment tank CHB2. With this configuration, the throughput of the device increases.
  • the third batch processing unit BPU3 includes a batch rinsing processing tank ONB that contains a rinsing liquid, and a lifter LF3 that raises and lowers the lot.
  • the batch rinsing tank ONB has the same configuration as the batch chemical solution processing tank CHB1 described above. That is, the batch rinsing treatment tank ONB contains a rinsing liquid and is provided with a lifter LF3.
  • the batch rinsing processing tank ONB unlike other processing tanks, contains pure water and is provided for the purpose of cleaning chemical solution adhering to a plurality of substrates W. In the batch rinsing treatment tank ONB, when the resistivity of the pure water in the tank rises to a predetermined value, the cleaning process ends.
  • the batch chemical processing tank CHB1 and the batch chemical processing tank CHB2 in Example 1 are located closer to the transfer block 7 than the batch rinsing processing tank ONB.
  • the underwater attitude changing unit 25 includes an immersion tank 43 that immerses the lot in liquid, a lifter LF4 that raises and lowers the lot, and an attitude changing mechanism 45 that changes the attitude of the lot.
  • the immersion tank 43 contains pure water and prevents the substrate W in the tank from drying out.
  • the lifter LF4 receives the lot from the second transport mechanism WTR at the delivery position above the dipping tank 43, lowers the substrate W to the dipping position (corresponding to the processing position in the batch chemical processing tank CHB1), and covers the entire area of the substrate W. Immerse in pure water.
  • the attitude changing mechanism 45 converts the attitude of the substrates W constituting the lot from the vertical attitude to the horizontal attitude by rotating the lot immersed in pure water by 90 degrees.
  • the lifter LF4 can raise and lower a lot made up of substrates W in a vertical position, and can also raise and lower a lot made up of substrates W in a horizontal position.
  • the lifter LF4 can lift the horizontal substrates W one by one from the liquid onto the liquid surface by raising the lot stepwise in units of the arrangement pitch of the substrates W.
  • the underwater attitude changing section 25 corresponds to a second attitude changing mechanism of the present invention.
  • the center robot CR which will be described later, can transport the substrates W supported by the lifter LF4 one by one.
  • the lifter LF4 can be raised by, for example, the width of five substrates when the center robot CR approaches to transport the substrates. In this case, all five substrates W are exposed from the liquid surface into the air.
  • a sufficient distance in the vertical direction (Z direction) from the liquid level of the immersion tank 43 to the center robot CR can be secured. This prevents the tip of the hand 29 of the central robot CR from being immersed in the liquid contained in the immersion tank 43.
  • the lifter LF4 descends in order to prevent the four substrates W that have been sent into the air as the lifter LF4 rises from drying out. At this time, the lifter LF4 does not need to descend by a stroke corresponding to five substrates W, but only needs to descend by a stroke corresponding to four substrates W. This is because the topmost substrate W among the five substrates W fed out onto the liquid surface is not on the lifter LF4 because it is transported by the center robot CR. With this configuration, the moving time of the lifter LF4 can be shortened, and an apparatus with high throughput can be provided. Note that when the number of substrates W remaining in the lifter LF4 is less than five, the moving distance of the lifter LF4 can be shortened according to the insufficient number of substrates W.
  • the single wafer processing area R2 in the processing block 9 is a rectangular area extending in the front-back direction (X direction).
  • One end side (front side) of the single wafer processing area R2 is adjacent to the transfer block 7.
  • the other end side of the batch processing area R1 extends in a direction away from the transfer block 7 (backward side).
  • the single wafer processing region R2 in the processing block 9 mainly includes chambers related to liquid processing and chambers related to drying processing.
  • the single wafer processing region R2 includes a single wafer liquid processing chamber SWP1 and a single wafer liquid processing chamber SWP2 that liquid-process the substrates W one by one, and a single wafer liquid processing chamber SWP2 that dries the liquid-treated substrates W one by one. It is provided with a drying processing chamber SWP3 and a buffer section 31 on which a plurality of substrates W are placed in a horizontal position at the same pitch as the carrier C in the vertical direction.
  • the single-wafer liquid processing chamber SWP1 is arranged at the innermost side in the front-rear direction (X direction) in the single-wafer processing region R2.
  • the single wafer liquid processing chamber SWP1 faces the underwater posture changing section 25 from the width direction (Y direction) across the single wafer substrate transport region R3.
  • the single wafer liquid processing chamber SWP2 is adjacent to the front of the single wafer liquid processing chamber SWP1.
  • the single wafer drying processing chamber SWP3 is adjacent to the front of the single wafer liquid processing chamber SWP2.
  • the buffer section 31 is adjacent to the front of the single wafer drying processing chamber SWP3. Therefore, the buffer section 31 is provided at the position closest to the transfer block 7 in the single wafer processing area R2.
  • the buffer section 31, the single wafer drying processing chamber SWP3, the single wafer liquid processing chamber SWP2, and the single wafer liquid processing chamber SWP1 are lined up in this order in the direction in which the single wafer processing region R2 extends (front-back direction: X direction).
  • the buffer section 31 corresponds to the substrate platform of the present invention.
  • Each of the single wafer liquid processing chamber SWP1 and the single wafer liquid processing chamber SWP2 includes a rotation processing unit 33 that rotates the substrate W in a horizontal position, and a nozzle 35 that supplies processing liquid toward the substrate W.
  • the rotation processing unit 33 rotates the substrate W within the XY plane (horizontal plane).
  • the nozzle 35 is swingable between a standby position away from the rotation processing section 33 and a supply position located above the rotation processing section 33 .
  • the treatment liquid may be IPA (isopropyl alcohol), pure water, or a mixture thereof.
  • Each of the single wafer liquid processing chamber SWP1 and the single wafer liquid processing chamber SWP2 is configured to, for example, perform a cleaning process on the substrate W using pure water, and then perform a preliminary drying process using IPA.
  • the single wafer drying processing chamber SWP3 is, for example, a supercritical fluid chamber.
  • the supercritical fluid chamber performs a drying process on the substrate W using, for example, carbon dioxide that has become a supercritical fluid. Fluids other than carbon dioxide may be used as the supercritical fluid for drying.
  • a supercritical state is obtained by subjecting carbon dioxide to its own critical pressure and temperature. The specific pressure is 7.38 MPa and the temperature is 31°C. In the supercritical state, the surface tension of the fluid becomes zero, so the circuit pattern on the surface of the substrate W is not affected by the gas-liquid interface. Therefore, by drying the substrate W using a supercritical fluid, it is possible to prevent the circuit pattern from collapsing on the substrate W, that is, so-called pattern collapse.
  • the single wafer drying processing chamber SWP3 in Example 1 is located closer to the transfer block 7 than the single wafer liquid processing chamber SWP1 and the single wafer liquid processing chamber SWP2.
  • the buffer section 31 has a plurality of mounting shelves 39 arranged in the vertical direction (Z direction), and can accommodate at least one lot (for example, 25 wafers) of substrates W.
  • the mounting shelves 39 are arranged at the full pitch described above.
  • the buffer section 31 is used when transferring lots between the processing block 9 and the transfer block 7. This point will be explained below.
  • a center robot CR which will be described later, in the processing block 9 places dried substrates W one by one onto the buffer section 31. In this way, one lot of substrates W is stored in the buffer section 31 at full pitch. Then, the lots stored in the buffer section 31 are gripped all at once by the first transport mechanism HTR in the transfer block 7.
  • the center robot CR in the processing block 9 can access the buffer section 31 from the width direction (Y direction), and the first transport mechanism HTR in the transfer block 7 can access the buffer section 31 from the front and back direction (X direction). accessible.
  • the center robot CR can move up and down in the vertical direction (Z direction) so that the substrates W can be transferred between the plurality of mounting shelves 39.
  • the single wafer substrate transfer area R3 in the processing block 9 is a rectangular area extending in the front-rear direction (X direction).
  • the single wafer substrate transfer region R3 is interposed between the batch processing region R1 and the single wafer processing region R2, and has one end adjacent to the transfer block 7 and the other end extending in a direction away from the transfer block 7.
  • the single wafer substrate transfer area R3 includes a central robot CR that transfers a substrate W in a horizontal position.
  • the central robot CR transports the substrate W between the underwater posture changing section 25, the single wafer liquid processing chambers SWP1 to SWP3, and the buffer section 31.
  • the center robot CR corresponds to the single wafer substrate transport mechanism of the present invention.
  • the central robot CR is equipped with a hand 29 capable of holding one substrate W in a horizontal position.
  • the center robot CR may be configured to include another hand 29 stacked in the vertical direction (Z direction).
  • the center robot CR can reciprocate in the front-rear direction (X direction).
  • the center robot CR is also capable of reciprocating in the vertical direction (Z direction).
  • the center robot CR can rotate within the XY plane (horizontal plane).
  • the hand 29 of the central robot CR can be directed toward the batch processing region R1 for batch type processing, or toward the single wafer processing region R2 for single wafer processing. You can also turn to The center robot CR corresponds to the single wafer substrate transport mechanism of the present invention.
  • the hand 29 of the central robot CR can move forward and backward within the XY plane (horizontal plane). Therefore, the hand 29 can receive the horizontally oriented substrate W from the underwater attitude changing unit 25 in the batch processing area R1, or can receive the horizontally oriented substrate W from the underwater attitude changing unit 25 in the batch processing area R1, or can receive the wafer W in the horizontal attitude between each of the single wafer liquid processing chambers SWP1 to SWP3 in the single wafer processing area R2.
  • the substrate W can also be delivered.
  • the center robot CR when the center robot CR is equipped with two hands 29, it receives two substrates W from the underwater attitude changing section 25, and transfers each substrate to a different single wafer liquid processing chamber SWP1 or a single wafer processing area R2.
  • the substrate W is delivered to the liquid processing chamber SWP2.
  • the batch substrate transfer area R4 in the processing block 9 is a rectangular area extending in the front-rear direction (X direction).
  • the batch substrate transfer region R4 is provided along the outer edge of the batch processing region R1, and one end side extends to the transfer block 7, and the other end side extends in a direction away from the transfer block 7.
  • a second transport mechanism WTR that transports a plurality of substrates W at once is provided in the batch substrate transport region R4.
  • the second transport mechanism WTR transfers a plurality of substrates W (specifically, (lots) are transported in bulk.
  • the second transport mechanism WTR is configured to be able to reciprocate in the front-rear direction (X direction) across the transfer block 7 and the processing block 9.
  • the second transport mechanism WTR is movable not only to the batch substrate transport area R4 in the processing block 9 but also to the substrate delivery position P in the transfer block 7.
  • the second transport mechanism WTR corresponds to the batch substrate transport mechanism of the present invention.
  • the second transport mechanism WTR includes a pair of hands 23 that transport the lot.
  • the pair of hands 23 includes, for example, a rotating shaft oriented in the width direction (Y direction), and swings around this rotating shaft.
  • the pair of hands 23 clamps both ends of a plurality of substrates W constituting a lot.
  • the second transport mechanism WTR transfers lots between the substrate transfer position P in the transfer block 7, each of the lifters LF1 to LF3 belonging to the batch processing units BPU1 to BPU3, and the lifter LF4 belonging to the underwater attitude changing section 25.
  • the substrate processing apparatus 1 of this example has a batch substrate transfer area R4, a batch processing area R1, and a single substrate transfer area R3 each extending in the front-rear direction (X direction) from the left to the right. , single wafer processing region R2.
  • the buffer section 31 in the processing block 9 is adjacent to the transfer block 7.
  • the first transport mechanism HTR provided in the transfer block 7 can access the buffer section 31. Therefore, the first transport mechanism HTR can collectively deliver a plurality of substrates W placed on the buffer section 31 in a horizontal position and arranged in the vertical direction at the same pitch as the carrier C.
  • a window 77 is provided in the partition wall separating the transfer block 7 and the processing block 9. This allows the first transport mechanism HTR of the transfer block 7 to access the buffer section 31 of the processing block 9.
  • the substrate processing apparatus 1 of this example includes a CPU (Central Processing Unit) 75 that controls each mechanism and each processing part, and a memory that stores various information necessary for processing processes such as programs and setting values.
  • a section 76 is provided. Note that the specific configuration of the CPU is not particularly limited. The entire device may include one CPU, or each block may include one or more CPUs. This point also applies to the storage section 76.
  • the control performed by the CPU is, for example, control related to the operations of the first transport mechanism HTR, second transport mechanism WTR, HVC attitude conversion unit 20, pusher mechanism 22, center robot CR, and the like.
  • FIG. 4 is a flowchart illustrating the flow of substrate processing in this example.
  • the substrate processing in this example is, for example, processing related to etching of the surface of the substrate W in the semiconductor device manufacturing process.
  • the flow of substrate processing will be specifically explained along the flowchart.
  • Step S11 A carrier C that stores unprocessed substrates W is set on the mounting table 15 of the input section 11. Thereafter, the carrier C is taken into the apparatus from the input section 11, and placed on the carrier mounting shelf 21a for delivery provided in the stocker block 5 by the transport mechanism 19 (see FIG. 5).
  • Step S12 The first transport mechanism HTR provided in the transfer block 7 takes out a plurality of substrates W at once from the carrier C on the carrier mounting shelf 21a.
  • the first transport mechanism HTR then transfers the plurality of substrates W in a horizontal orientation to the HVC orientation conversion unit 20.
  • the HVC attitude converting unit 20 converts the attitude of the plurality of substrates W from a horizontal attitude to a vertical attitude and passes the plurality of substrates W to the pusher mechanism 22.
  • the pusher mechanism 22 transports the vertical substrates W to the substrate delivery position P in a state where they are arranged in the width direction (Y direction) (see FIG. 5).
  • Step S13 Batch processing is executed. Specifically, the lots waiting at the substrate delivery position P are collectively lifted in the vertical direction (Z direction) by the second transport mechanism WTR, and then transported in the front-rear direction (X direction).
  • the plurality of substrates W in a vertical posture are delivered to the lifter LF1 of the first batch processing unit BPU1 or the lifter LF2 of the second batch processing unit BPU2 in a state arranged in the width direction (Y direction).
  • Lifter LF1 and lifter LF2, which receive the substrate W, are at the transfer position. In this way, the lot is positioned above the liquid level in either the batch chemical processing tank CHB1 or the batch chemical processing tank CHB2.
  • FIG. 5 illustrates how a lot is processed in the batch chemical processing tank CHB1.
  • the lifter LF1 that has received the lot descends and immerses the lot in the batch chemical treatment tank CHB1. In this way, the chemical treatment for the lot is executed.
  • the lifter LF1 exposes the lot from the batch chemical liquid processing tank CHB1 to the liquid surface. Thereafter, the lot is lifted in the vertical direction (Z direction) all at once by the second transport mechanism WTR, and then transported in the front-rear direction (X direction).
  • the substrates W in the vertical position are delivered to the lifter LF3 of the third batch processing unit BPU3 in a state where they are arranged in the width direction (Y direction).
  • the lifter LF3 is in the delivery position. In this way, the lot is positioned above the liquid level in the batch rinsing tank ONB.
  • the lifter LF3 that has received the lot descends and immerses the lot in the batch rinsing tank ONB. In this way, the cleaning process for the lot is executed (see FIG. 5).
  • the lifter LF3 exposes the lot from the batch rinsing tank ONB to the liquid surface. Thereafter, the lot is lifted in the vertical direction (Z direction) all at once by the second transport mechanism WTR, and then transported in the front-rear direction (X direction).
  • the plurality of substrates W in a vertical posture are delivered to the underwater posture changing unit 25 in a state arranged in the width direction (Y direction) (see FIG. 5).
  • the lifter LF4 of the underwater attitude changing section 25 is waiting in an attitude capable of holding the lot in the vertical attitude. Further, at this time, the lifter LF4 is at the delivery position.
  • the second transport mechanism WTR receives the plurality of substrates W in the vertical posture at once at the substrate delivery position P of the transfer block 7, and transfers the received plurality of substrates W to the chemical liquid. It is transported to the first batch processing unit BPU1 (or second batch processing unit BPU2) for processing, the third batch processing unit BPU3 for rinsing processing, and the underwater attitude changing unit 25 in that order.
  • Step S14 Attitude conversion, which is a process after batch processing, is executed here.
  • FIG. 6 explains the process related to posture change in the entire process of substrate processing.
  • the lifter LF4 at the delivery position receives the lot, and the lifter LF4 is moved to the immersion position. Then, the lot is located below the liquid level of the dipping tank 43. Then, the attitude changing mechanism 45 converts the attitude of the plurality of substrates W from the vertical attitude to the horizontal attitude by rotating the lot by 90° underwater. As the direction of rotation at this time, the direction in which the surface of the substrate W on which the circuit pattern is formed faces upward is selected. As described above, the underwater attitude changing unit 25 changes the attitude of the received plurality of substrates W in a vertical attitude into a horizontal attitude.
  • Step S15 Single wafer processing, which is a process after posture conversion processing, is performed.
  • FIG. 7 explains a process related to single wafer processing among the entire process of substrate processing.
  • the substrates W in the horizontal posture waiting in the underwater posture conversion section 25 are lifted one by one in the vertical direction (Z direction) by the center robot CR, and then transferred to the single wafer liquid processing chamber SWP1 and the single wafer liquid processing chamber SWP2. Transported to either.
  • FIG. 7 illustrates how the substrate W is placed in the single-wafer liquid processing chamber SWP1.
  • the substrate W that has been pre-dryed by the single wafer liquid processing chamber SWP1 is lifted in the vertical direction (Z direction) by the central robot CR, and then transported to the single wafer drying processing chamber SWP3.
  • the substrate W is then stored in the supercritical fluid chamber 37 and subjected to a drying process.
  • Step S16 The substrate W after single wafer processing is placed on the buffer section 31. Specifically, the substrate W that has undergone the drying process is taken out from the supercritical fluid chamber 37 by the central robot CR and placed on the buffer section 31. When such substrate transportation continues, 25 substrates W arranged in the vertical direction (Z direction) at full pitch are held in the buffer section 31 in a horizontal position. In this way, the buffer section 31 holds the lot after substrate processing (see FIG. 7). Note that, as described in step S15 and this step, the center robot CR transfers the substrates W, which have been converted to a horizontal attitude by the underwater attitude converter 25, one by one into the single wafer liquid processing chamber SWP1 and the single wafer drying processing chamber SWP3. , and transported to the buffer section 31 in that order.
  • Step S17 The plurality of substrates W placed on the buffer section 31 are stored in the carrier C.
  • FIG. 8 explains a process related to lot transportation in the entire process of substrate processing.
  • the lots held in the buffer section 31 are collectively held by the first transport mechanism HTR.
  • the lot is then returned to the empty carrier C waiting on the carrier mounting shelf 21a in the stocker block 5.
  • a carrier C and a lot inside the carrier C are associated with each other, so a lot discharged from a carrier C returns to the same carrier C after being subjected to various processes.
  • the carrier C containing the lots is moved to the payout section 13 provided on the side wall of the loading/unloading block 3. That is, when a plurality of substrates W are placed on the buffer section 31 in the processing block 9, the first transport mechanism HTR takes out the plurality of substrates W from the buffer section 31 at once, and The substrates W are stored in the carrier C all at once.
  • Step S18 The transport mechanism 19 transports the carrier C to the mounting table 17, and the carrier C is removed from the mounting table 17. In this way, the substrate processing by the substrate processing apparatus 1 according to this example is completed.
  • the buffer section 31 to which both the first transport mechanism HTR and the center robot CR can transfer substrates W is provided in the single wafer processing region R2. Therefore, the first transport mechanism HTR can receive the substrates W all at once from the single wafer processing region R2 via the buffer section 31. Further, the central robot CR can deliver the substrates W processed in the single wafer liquid processing chamber SWP1, the single wafer liquid processing chamber SWP2, and the single wafer drying processing chamber SWP3 to the buffer section 31 one by one. With this configuration, the substrates W can be taken in and out of the carrier C all at once by the first transport mechanism HTR. Therefore, the potential of the first transport mechanism HTR is brought out, and a substrate processing apparatus 1 with high throughput can be provided.
  • the underwater posture changing section 25 is arranged at a position farther from the transfer block 7 than each batch processing tank that performs a predetermined processing on the substrates W. Therefore, the plurality of substrates W subjected to batch processing are transported in a direction away from the transfer block 7 when heading toward the underwater attitude changing section 25. Then, the plurality of substrates W whose postures have been changed by the underwater posture changing section 25 are transported in a direction approaching the transfer block 7 when single wafer processing is performed.
  • the configuration is such that batch processing is performed while the substrates W are transported in the processing block 9 in a direction away from the transfer block 7, and then single wafer processing is performed while being transported closer to the transfer block 7.
  • the substrate W only needs to be moved back and forth once in the processing block 9, and the substrate processing apparatus 1 can be provided with a short conveyance distance of the substrate W and high throughput.
  • the substrate W whose attitude has been changed to a horizontal attitude in the underwater attitude changing section 25 is placed at a position close to the single wafer liquid processing chamber SWP1 and the single wafer liquid processing chamber SWP2.
  • the single wafer liquid processing chamber SWP1 and the single wafer liquid processing chamber SWP2 are located further away from the transfer block 7 than the single wafer drying processing chamber SWP3.
  • the underwater attitude changing section 25 is located at the farthest position from the transfer block 7. Considering these facts, the single wafer liquid processing chamber SWP1 and the single wafer liquid processing chamber SWP2 are located closer to the underwater attitude changing section 25 than the single wafer drying processing chamber SWP3.
  • the distance when transporting the substrates W one by one from the batch processing area R1 to the single wafer processing area R2 becomes shorter. Therefore, according to the configuration of this example, throughput is high and unexpected drying of the substrate W is prevented. Further, the time required for the substrate W to be carried out from the underwater attitude changing unit 25 and carried into the single wafer liquid processing chamber SWP1 and the single wafer liquid processing chamber SWP2 is shortened, and contamination of the substrate W that occurs during transportation can be prevented as much as possible. I can do it.
  • the substrate processing apparatus 2 according to the present example differs from the apparatus according to the first embodiment in that single wafer processing is performed before batch processing. The specific flow of substrate processing will be described later.
  • FIG. 9 describes the overall configuration of the substrate processing apparatus 2.
  • the loading/unloading block 3, stocker block 5, and transfer block 7 in the substrate processing apparatus 2 are the same as those in the apparatus of the first embodiment.
  • the center robot CR is provided in the single substrate transfer area R3 in the processing block 9
  • the second transfer mechanism WTR is provided in the batch substrate transfer area R4. It is.
  • the apparatus of this example is characterized by a batch processing area R1 and a single wafer processing area R2 in the processing block 9.
  • the first batch processing unit BPU1, the second batch processing unit BPU2, the third batch processing unit BPU3, and the underwater attitude conversion unit 25 move away from the transfer block 7 in this order. They are arranged in the direction (front-back direction: X direction).
  • the first batch processing unit BP has a batch drying chamber DC that collectively dries a plurality of substrates W constituting a lot
  • the second batch processing unit BPU2 has the above-mentioned batch rinsing tank ONB and lifter LF2.
  • the third batch processing unit BPU3 includes the above-described batch chemical processing tank CHB and lifter LF3.
  • the batch drying chamber DC is located closer to the transfer block 7 than the batch rinsing tank ONB.
  • the batch rinsing tank ONB is located closer to the transfer block 7 than the batch chemical processing tank CHB.
  • the apparatus of the second embodiment is similar to the apparatus of the first embodiment in that the underwater attitude changing section 25 is located at the farthest side with respect to the transfer block 7.
  • the batch chemical processing tank CHB is located further back with respect to the transfer block 7 than the batch rinsing processing tank ONB.
  • a feature of the second embodiment is that the batch drying chamber DC for drying the substrates W is located closer to the transfer block 7 than the batch rinsing treatment tank ONB.
  • the batch drying chamber DC has a drying chamber that accommodates lots in which vertically oriented substrates W are arranged.
  • the drying chamber has an inert gas supply nozzle that supplies inert gas into the chamber and a steam supply nozzle that supplies organic solvent vapor into the tank.
  • the batch drying chamber DC first supplies an inert gas to the lots supported within the chamber to replace the atmosphere within the chamber with the inert gas. Then, the pressure inside the chamber is started to be reduced. Organic solvent vapor is supplied into the chamber while the pressure inside the chamber is reduced. The organic solvent is discharged to the outside of the chamber together with the moisture attached to the substrate W. In this way, the batch drying chamber DC performs lot drying.
  • the inert gas at this time may be, for example, nitrogen, and the organic solvent may be, for example, IPA.
  • a buffer section 31 and single wafer liquid processing chambers SWP1 to SWP3 that process the substrates W one by one are arranged in the direction away from the transfer block 7 in this order (back and forth direction: X direction).
  • the single wafer liquid processing chambers SWP1 to SWP3 are capable of chemical liquid processing related to resist removal.
  • the nozzles 35 included in these single wafer processing units can supply a liquid in which oxygen and ozone are dissolved in pure water.
  • the resist formed on the surface is removed from the substrate W.
  • the resist may be a novolac positive type resist.
  • the single wafer liquid processing chambers SWP1 to SWP3 can also supply pure water to the substrate W. When pure water is supplied to the substrate W, the resist remaining on the substrate W can flow out from the substrate W.
  • the single wafer liquid processing chambers SWP1 to SWP3 are configured to perform pre-processing for batch-type processing, and the specific processing content is not particularly limited.
  • FIG. 10 is a flowchart illustrating the flow of substrate processing in this example.
  • the substrate processing in this example is, for example, processing related to resist removal from the surface of the substrate W in the process of manufacturing a semiconductor device.
  • the flow of substrate processing will be specifically explained along the flowchart.
  • Step S21 An unprocessed substrate W is introduced into the substrate processing apparatus 2. Specifically, a carrier C that stores unprocessed substrates W is set on a mounting table 15 in an input section 11 of the apparatus. Thereafter, the carrier C is taken into the apparatus from the input section 11 and placed on the carrier mounting shelf 21a provided in the stocker block 5 by the transport mechanism 19 (see FIG. 11).
  • Step S22 The lot is placed on the buffer section 31. Specifically, the first transport mechanism HTR provided in the transfer block 7 takes out a plurality of substrates W in a horizontal position from the carrier C at once. Then, the first transport mechanism HTR places the lot on the buffer section 31 while maintaining the postures of the plurality of substrates W (see FIG. 11).
  • Step S23 Single wafer processing is performed. Specifically, the substrates W placed in the buffer section 31 in a horizontal position are held one by one by the center robot CR and transported into one of the single wafer liquid processing chambers SWP1 to SWP3.
  • FIG. 12 explains the movement of the substrate W in this step.
  • the substrate W is transported to a single wafer liquid processing chamber SWP1, where a process related to resist removal is performed.
  • the substrate W from which the resist has been removed is transported to the underwater attitude changing section 25 by the central robot CR.
  • the underwater attitude changing unit 25 is on standby in an attitude capable of holding the substrate W in a horizontal attitude.
  • the lifter LF4 of the underwater posture changing unit 25 moves down by the full pitch width and immerses the received substrate W into the water.
  • the lifter LF4 repeats this operation every time the center robot CR carries in a substrate W.
  • the horizontally oriented substrates W are arranged vertically at full pitch.
  • the central robot CR transports the plurality of substrates W placed on the buffer section 31 one by one to any of the single wafer liquid processing chambers SWP1 to SWP3 and the underwater posture changing section 25 in that order. .
  • Step S24 The plurality of substrates W are collectively converted from a horizontal attitude to a vertical attitude.
  • FIG. 13 explains the process related to attitude change in the entire process of substrate processing.
  • the lifter LF4 at the delivery position receives the substrates W one by one, and each time the lifter LF4 descends by a distance corresponding to the full pitch. Then, the substrates W are sequentially located below the liquid level of the immersion tank 43. By repeating such operations, all of the substrates W constituting the lot are stocked in the dipping tank 43.
  • the attitude changing mechanism 45 rotates the lot by 90 degrees in water, thereby converting the attitude of the plurality of substrates W from a horizontal attitude to a vertical attitude.
  • the underwater attitude converting unit 25 collectively changes the attitude of the substrates W received one by one in the horizontal attitude to the vertical attitude.
  • the underwater attitude changing section 25 receives the substrates W in the horizontal attitude one by one.
  • the number of substrates W received reaches a predetermined number (for example, 25)
  • the postures of the plurality of substrates W in the horizontal posture are collectively changed to the vertical posture.
  • the substrates W whose postures are changed are all housed in the same carrier C.
  • Step S25 Batch processing of multiple substrates W is performed. Specifically, the lots waiting in the underwater attitude changing section 25 are lifted in the vertical direction (Z direction) all at once by the second transport mechanism WTR, and then transported in the front-rear direction (X direction). The plurality of substrates W in a vertical posture are delivered to the lifter LF3 of the third batch processing unit BPU3 in a state arranged in the width direction (Y direction). The lifter LF3 that receives the substrate W is at the transfer position. In this way, the lot is positioned above the liquid level in the batch chemical processing tank CHB. The lifter LF3 that has received the lot descends and immerses the lot in the batch chemical treatment tank CHB. In this way, the chemical treatment for the lot is executed.
  • the manner in which the cleaning process is performed on the lot in the batch rinsing tank ONB of the second batch processing unit BPU2 related to the rinsing process is similar to the apparatus of the first embodiment.
  • the lifter LF2 of the second batch processing unit BPU2 exposes the lot from the batch rinsing tank ONB to the liquid surface. Thereafter, the lot is lifted in the vertical direction (Z direction) all at once by the second transport mechanism WTR, and then transported in the front-rear direction (X direction).
  • the plurality of substrates W in a vertical posture are delivered to the batch drying chamber DC while being arranged in the width direction (Y direction), and are collectively dried (see FIG. 14).
  • the second transport mechanism WTR receives a plurality of substrates W in a vertical posture at once in the underwater attitude conversion unit 25, and transfers the received plurality of substrates W to the third batch processing unit BPU3, which processes the second batch process. It is transported to unit BPU2 and batch drying chamber DC in that order.
  • Step S26 After the drying process of the substrates W, the posture is changed from the vertical posture to the horizontal posture all at once. Specifically, the lots held in the batch drying chamber DC of the first batch processing unit BPU1 are collectively held by the second transport mechanism WTR. The lot is then transferred to the substrate transfer position P in the transfer block 7. The pusher mechanism 22 transports the lot in the vertical position, which is waiting at the board delivery position P, to the HVC attitude changing section 20.
  • the HVC attitude conversion unit 20 collectively changes the attitude of a plurality of substrates W from a vertical attitude to a horizontal attitude, as shown in FIG. That is, first, as shown in FIG. 15(a), the pusher 22A located directly above descends and transports the plurality of substrates W to the vertical holding section 20C.
  • each of the substrates W held by the pusher 22A is held between the V-grooves.
  • the plurality of substrates W are separated from the pusher 22A and held in the HVC attitude changing section 20, as shown in FIG. 15(b). From this state, when the support stand 20A of the HVC attitude changing section 20 rotates backward by 90 degrees, the plurality of substrates W are moved into the recessed part of the horizontal holding section 20B of the HVC attitude changing section 20, as shown in FIG. 15(c). It is held and transformed into a horizontal position.
  • Step S27 The plurality of substrates W converted into a horizontal posture are stored in the carrier C all at once. Specifically, a lot in which horizontally oriented substrates W held in the HVC attitude converting unit 20 are arranged is received in a batch by the first transport mechanism HTR, and is placed on standby on the carrier mounting shelf 21a in the stocker block 5. is returned to empty carrier C.
  • a carrier C and a lot inside the carrier C are associated with each other, so a lot discharged from a carrier C returns to the same carrier C after being subjected to various processes.
  • the carrier C containing the lots is moved to the payout section 13 provided on the side wall of the loading/unloading block 3.
  • Step S28 The carrier C containing the plurality of substrates W is removed from the apparatus. In this way, the substrate processing by the substrate processing apparatus 2 according to this example is completed.
  • the buffer section 31 to which both the first transport mechanism HTR and the center robot CR can transfer the substrate W is provided in the single wafer processing region R2. Therefore, the first transport mechanism HTR can collectively deliver the substrates W to the single wafer processing region R2 via the buffer section 31. Further, the central robot CR can deliver the substrates W taken out one by one from the buffer section 31 to the single wafer liquid processing chambers SWP1 to SWP3. With this configuration, the substrates W can be taken in and out of the carrier C all at once by the first transport mechanism HTR. Therefore, the potential of the first transport mechanism HTR is brought out, and a substrate processing apparatus 2 with high throughput can be provided.
  • the plurality of substrates W subjected to single wafer processing are transported in a direction away from the transfer block 7 when heading toward the underwater attitude changing section 25 . Then, the plurality of substrates W whose postures have been changed by the underwater posture changing section 25 are transported in a direction approaching the transfer block 7 when batch processing is performed. In this way, single wafer processing is performed while transporting the substrate W in the processing block 9 in a direction away from the transfer block 7, and batch processing is performed while transporting the substrate W closer to the transfer block 7. With this configuration, the substrate W only needs to be moved back and forth once, and a substrate processing apparatus with short transport distance and high throughput can be provided.
  • the present invention is not limited to the above-described configuration, but can be modified as described below.
  • the 50 substrates W arranged at a half pitch in Example 1 were arranged in a face-to-back manner in which the device surfaces face the same direction, but the present invention is not limited to this configuration.
  • W may be arranged face-to-face.
  • the advantage of arranging 50 substrates W face-to-face is that the device surface of the first substrate W in the lot can be oriented toward the second substrate W, and the device surface of the 50th substrate W in the lot can be oriented 49 It is possible to direct it to the second substrate W. In this way, by arranging the device surfaces of the substrates W at both ends of the lot to face inward, the lot is transported with the device surfaces of the substrates W protected. Therefore, by arranging the substrates W in a face-to-face manner, a desired circuit pattern can be reliably formed on the substrates W.
  • the face-to-face lot formation is performed by the HVC attitude changing unit 20 and the pusher mechanism 22 in the transfer block 7.
  • To form the lot first, for example, 25 first substrates W1, which are in a horizontal position, are brought into a vertical position by the HVC attitude converting unit 20.
  • the first substrate W1 whose posture has been changed is then picked up by the pusher 22A.
  • the first substrate W1 is laterally reversed, and the device surface of the first substrate W1 is reversed.
  • the HVC attitude converting unit 20 changes, for example, the 25 second substrates W2, which are in the horizontal attitude, into the vertical attitude.
  • the pusher 22A picks up the second substrate W2 to complete the lot.
  • the first substrate W1 is inverted and incorporated into the lot, while the second substrate W2 is incorporated into the lot without being inverted. Therefore, the orientations of the device surfaces are different between the first substrate W1 and the second substrate W2. Since the first substrates W1 and the second substrates W2 are arranged alternately, the generated lots are produced in a face-to-face manner in which the device surfaces of adjacent substrates W face each other.
  • FIG. 16 explains the subsequent operation.
  • FIG. 16(a) is a diagram corresponding to FIG. 3(d) described above, and shows how the pusher 22A does not shift in the Y direction as in the first embodiment, but instead rotates by 180 degrees. As a result of this operation, all the device surfaces of the first substrate W1 that were facing leftward are now facing rightward. Further, at this time, the phase of the arrangement of the first substrate W1 is shifted by a half pitch. In order to realize such a shift operation, the rotation center of the pusher 22A is slightly shifted in the arrangement direction from the center of the arrangement of the first substrates W1 (by a further half width of the half pitch width).
  • FIG. 16(b) is a diagram corresponding to FIG. 3(e) described above, and shows the state when the support table 20A holding the second substrate W2 is rotated by 90 degrees. At this time, since the device surface of the second substrate W2 in the horizontal position was facing upward, all of the device surfaces were facing leftward.
  • FIG. 16(c) is a diagram corresponding to FIG. 3(f) described above, and shows the state when the pusher 22A has moved to the directly above position again. Since the first substrate W1 is rotated by 180 degrees, the phase of the arrangement is shifted by a half pitch, so the second substrate W1 is held between the vertical holding parts 20C as in the case of FIG. 3(f). W2 fits into the empty groove sandwiched between the first substrates W1 on the upper surface of the pusher 22A without interfering with the first substrate W1. In this way, a face-to-face lot is formed in which the first substrate W1 with the device surface facing rightward and the second substrate W2 with the device surface facing leftward are alternately arranged.
  • the pusher mechanism 22 can transport the formed lot to the substrate delivery position P.
  • attitude changing unit 25 changes the attitude of the substrate array underwater
  • the attitude changing unit may be configured to change the attitude in the air, or may be configured to include a shower that sprays a liquid such as pure water onto the substrate W. .
  • a central robot CR having two hands may be provided instead.
  • the two hands may be arranged one above the other, and the upper hand may be used for transporting the substrate after the drying process, and the lower hand may be used for transporting the substrate before the drying process.
  • the substrate W after the drying process is not held by a wet hand, so that the dry state of the substrate W can be reliably maintained.
  • the hand involved in transporting the substrate W after the drying process above the hand involved in transporting the substrate W before the drying process, the liquid attached to the hand related to the transport of the substrate before the drying process is removed from the drying process. It does not drip onto the hand used to transport the substrate later, and the hand used to transport the substrate after the drying process can be reliably kept in a dry state.
  • the above-described apparatus has a configuration in which one central robot CR is provided, it may also be configured to include a plurality of central robots CR1 and CR2 that are movable in the front-rear direction (X direction), as shown in FIG.
  • the center robot CR1 located on the front side when viewed from the transfer block 7 can reliably access the underwater attitude changing section 25 and the single wafer liquid processing chamber SWP1.
  • the center robot CR1 can be reliably positioned up to the underwater attitude changing section 25 and the single wafer liquid processing chamber SWP1. can.
  • the center robot CR2 is located further back than the underwater posture changing section 25 and the like, so it does not interfere with the operation of the center robot CR1.
  • one of the central robots CR1 and CR2 may be used to transport the substrate before the drying process, and the other may be used to transport the substrate after the drying process.
  • the robot that transports the substrate W after the drying process is provided separately from the robot that transports the substrate W before the drying process, the substrate W before the drying process and the substrate after the drying process are Since the W and W can be transported at the same time, the throughput of the substrate processing apparatus is improved.
  • the robot that transports the substrate W after the drying process does not grip the wet substrate W before the drying process, the robot that transports the substrate W after the drying process does not grip the wet substrate W after the drying process. W will not be transported. Therefore, with this configuration, it is possible to provide a substrate processing apparatus that reliably maintains the dry state of the substrate W.
  • HVC attitude conversion unit 21a Loading shelf (carrier loading shelf) 25 Underwater attitude change unit (second attitude change mechanism) 31 Buffer section (substrate mounting section) C Carrier CHB Batch chemical processing tank (batch processing tank) CHB1 Batch chemical processing tank (batch processing tank) CHB2 Batch chemical processing tank (batch processing tank) CR center robot (single wafer substrate transfer mechanism) DC Batch drying chamber HTR 1st transport mechanism (substrate handling mechanism) ONB batch rinsing tank (batch processing tank) P Substrate delivery position R1 Batch processing area R2 Single wafer processing area R3 Single wafer substrate transport area R4 Batch substrate transport area SWP3 Single wafer drying processing chamber (single wafer processing chamber) SWP1 Single wafer liquid processing chamber (Single wafer processing chamber) SWP2 Single wafer liquid processing chamber (Single wafer processing chamber) W Substrate WTR Second transport mechanism (batch substrate transport mechanism)

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Abstract

バッチ式モジュールと枚葉式モジュールを備えた装置の構成を見直すことにより、スループットが改善された基板処理装置を提供する。本発明の処理ブロック９の枚葉処理に係る枚葉処理領域Ｒ２には、第１搬送機構ＨＴＲとセンターロボットＣＲの両方が基板を受け渡し可能なバッファ部３１が設けられている。したがって、第１搬送機構ＨＴＲは、バッファ部３１を介して処理済みの基板Ｗおよび未処理の基板を一括して受け渡しすることができる。したがって、第１搬送機構ＨＴＲの潜在力が引き出され、スループットの高い基板処理装置１が提供できる。

Description

基板処理装置
　本発明は、半導体基板、液晶表示用や有機ＥＬ(Electroluminescence)表示装置などのＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の各種基板に所定の処理を行う基板処理装置に関する。
　従来、この種の装置として、バッチ式モジュール、枚葉式モジュールを備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。バッチ式モジュールは、複数枚の基板に対して一括して所定の処理を行う。枚葉式モジュールは、１枚ずつの基板に所定の処理を行う。バッチ式モジュール、枚葉式モジュールには、それぞれ固有の長所がある。例えば、枚葉式モジュールは、バッチ式モジュールよりも、乾燥処理におけるパーティクル性能が高い。従って、バッチ式モジュール、枚葉式モジュールを備えた装置としては、バッチ式モジュールにおいて液処理を行った後、枚葉式モジュールにおいて乾燥処理を行う構成が考えられる。
　特許文献１の装置においては、バッチ式モジュール、枚葉式モジュールで処理がされた基板は、１枚ずつカセットに戻される。すなわち、従来構成によれば、枚葉式モジュールで処理された基板は、基板を１枚ずつ搬送するロボットに受け取られて、カセットに積層される構成となっている。つまり、特許文献１の装置は、バッチ式モジュールを持たず枚葉式モジュールにより基板処理を行う基板処理装置と同様な搬送方法で処理後の基板を１枚ずつカセットに戻す構成である。
特表２０１６－５０２２７５号公報
　しかしながら、この様な構成を有する従来装置は、次のような問題を有する。
　すなわち従来構成によれば、高いスループットを得ることできない。バッチ式モジュールを有する基板処理装置としては、カセットに配列された複数枚の基板を一括に取り出す基板ハンドリング機構を有しているものがある。このような基板ハンドリング機構は、１枚の基板を逐一搬送しなくてよく、スループットの向上に大きく貢献する。確かに、当該基板ハンドリング機構を有する装置構成は、未処理の基板をカセットから一括で取り出すという点が有利である。しかし、従来装置構成では、枚葉式モジュールから搬出される処理後の基板は、１枚ずつカセットに戻されている。したがって、処理後の基板がカセットに戻される段階において、基板ハンドリング機構の利点が生かされない。
　また、このような問題は、上述の基板処理装置に限って生じるものではない。枚葉式モジュール、バッチ式モジュールの順に基板処理を行う逆順の基板処理装置についても同様な問題が生じる。当該逆順の装置における基板搬送方法は、基板の流れが、バッチ式モジュール、枚葉式モジュール順に処理を行う上述の装置（正順の装置）における基板搬送方法の逆となる。したがって、一括式の基板ハンドリング機構を有する逆順の装置は、処理後の基板をカセットに一括で戻すという点が有利である。しかし、従来装置構成では、未処理の基板は、カセットから１枚ずつ枚葉式モジュールに搬送されている。つまり、逆順の装置においては、未処理の基板がカセットから取り出される段階において、基板ハンドリング機構の利点が生かされない。
　本発明はこの様な事情に鑑みてなされたものであって、バッチ式モジュールと枚葉式モジュールを備えた装置の構成を見直すことにより、スループットが改善された基板処理装置を提供することを目的とする。
　本発明は、この様な目的を達成するために、次のような構成をとる。
　複数枚の基板を一括して処理するバッチ処理と、基板を１枚ずつ処理する枚葉処理とを連続して行う基板処理装置であって、ストッカーブロックと、前記ストッカーブロックに隣接する移載ブロックと、前記移載ブロックに隣接する処理ブロックとを備え、前記ストッカーブロックは、複数枚の基板を水平姿勢で所定間隔を空けて鉛直方向に収納する少なくとも一つのキャリアを収容し、前記キャリアからの基板の出し入れのために前記キャリアが載置される少なくとも一つの基板取り出し・収納用のキャリア載置棚を備え、前記移載ブロックは、前記キャリア載置棚に載置されたキャリアに対して複数枚の基板を一括して取り出し・収納する基板ハンドリング機構と、複数枚の基板を一括して水平姿勢と鉛直姿勢とに亘って姿勢変換する第１姿勢変換機構とを備え、前記処理ブロックは、一端側が前記移載ブロックに隣接し、他端側が前記移載ブロックから離れる方向に延びるバッチ処理領域と、一端側が前記移載ブロックに隣接し、他端側が前記移載ブロックから離れる方向に延びる枚葉処理領域と、前記バッチ処理領域と前記枚葉処理領域との間に介在して、一端が前記移載ブロックに隣接し、他端側が前記移載ブロックから離れる方向に延びる枚葉基板搬送領域と、前記バッチ処理領域に沿って設けられ、一端側が前記移載ブロックにまで延び、他端側が前記移載ブロックから離れる方向に延びるバッチ基板搬送領域とを備え、前記バッチ処理領域には、その領域が延びる方向に複数枚の基板を一括して浸漬処理する複数個のバッチ処理槽が並び、更に、前記移載ブロックから最も離れた位置に複数枚の基板を一括して鉛直姿勢と水平姿勢に亘って姿勢変換する第２姿勢変換機構が設けられ、前記枚葉処理領域には、その領域が延びる方向に基板を１枚ずつ処理する複数個の枚葉処理チャンバが並び、更に、前記移載ブロックに最も近い位置に複数枚の基板を水平姿勢で前記キャリアと同じ前記所定間隔を空けて鉛直方向に載置する基板載置部が設けられ、前記枚葉基板搬送領域には、前記第２姿勢変換機構と前記枚葉処理チャンバと前記基板載置部との間で基板を搬送する枚葉基板搬送機構が設けられ、前記バッチ基板搬送領域には、前記移載ブロック内に定められた基板受け渡し位置と前記バッチ処理槽と第２姿勢変換機構との間で複数枚の基板を一括して搬送するバッチ基板搬送機構が設けられ、更に、前記移載ブロックの前記基板ハンドリング機構は、前記枚葉処理領域の前記基板載置部との間で複数枚の基板を一括して受け渡し可能に構成されていることを特徴とする基板処理装置。
　［作用・効果］上述した（１）に係る発明によれば、基板ハンドリング機構と枚葉基板搬送機構の両方が基板を受け渡し可能な基板載置部が枚葉処理領域に設けられている。したがって、基板ハンドリング機構は、基板載置部を介して枚葉処理領域間で基板を一括して受け渡しすることができる。具体的に、上述した正順の装置においては、枚葉基板搬送機構により１枚ずつ払い出される枚葉処理済みの基板が基板載置部において鉛直方向に配列されてストックされる。基板ハンドリング機構は、基板載置部にストックされた複数枚の基板を一括にキャリアに収納する。正順の装置において、基板ハンドリング機構がキャリアから未処理の基板を一括して取り出すのは従来構成と同様である。一方、逆順の装置においては、基板ハンドリング機構により一括して枚葉処理領域に持ち込まれる未処理の基板が基板載置部において鉛直方向に配列されてストックされる。枚葉基板搬送機構は、基板載置部にストックされた複数枚の基板を１枚ずつ枚葉処理チャンバに搬送する。逆順の装置において、基板ハンドリング機構がキャリアに処理済みの基板を一括して収容するのは従来構成と同様である。従って、いずれの装置構成でも、キャリアに対する基板の出し入れは基板ハンドリング機構により一括に行われる。この様に構成すれば、基板ハンドリング機構の潜在力が引き出され、スループットの高い基板処理装置が提供できる。
　また、上述した（１）に係る発明によれば、バッチ処理領域、枚葉処理領域、枚葉基板搬送領域、バッチ基板搬領域のそれぞれ一端が移載ブロックに隣接している。したがって、移載ブロックとバッチ処理領域との間、および移載ブロックと枚葉処理領域との間で、それぞれ基板の搬送距離が短くなり、これらの間の基板搬送を円滑に行うことができる。
　本発明は以下のような特徴も有している。
　（２）（１）に記載の基板処理装置において、前記バッチ処理領域には、複数枚の基板を一括して薬液処理する薬液を収容するバッチ薬液処理槽と、薬液処理された複数枚の基板を一括してリンス処理するリンス液を収容するバッチリンス処理槽が備えられており、前記バッチ薬液処理槽は、前記バッチリンス処理槽よりも前記移載ブロックに近い位置にあり、前記枚葉処理領域には、基板を１枚ずつ液処理する枚葉液処理チャンバと、液処理された基板を１枚ずつ乾燥させる枚葉乾燥処理チャンバが備えられており、前記枚葉乾燥処理チャンバは、前記枚葉液処理チャンバよりも前記移載ブロックに近い位置にあり、前記移載ブロックにおいて、前記基板ハンドリング機構は、前記キャリアから複数枚の基板を一括して取り出し、前記第１姿勢変換機構は、取り出された複数枚の基板を水平姿勢から鉛直姿勢に姿勢変換し、前記処理ブロックにおいて、前記バッチ基板搬送機構は、前記移載ブロックの前記基板受け渡し位置で鉛直姿勢の複数枚の基板を一括して受け取り、受け取った複数枚の基板を前記バッチ薬液処理槽、前記バッチリンス処理槽、前記第２姿勢変換機構へその順に搬送し、前記第２姿勢変換機構は、受け取った鉛直姿勢の複数枚の基板を水平姿勢に姿勢変換し、前記枚葉基板搬送機構は、前記第２姿勢変換機構で水平姿勢に変換された基板を１枚ずつ前記枚葉液処理チャンバ、前記枚葉乾燥処理チャンバ、前記基板載置部へその順に搬送し、前記移載ブロックにおいて、前記処理ブロックにおける前記基板載置部に複数枚の基板が載置されたときに、前記基板ハンドリング機構は、前記基板載置部から複数枚の基板を一括して取り出し、取り出した複数枚の基板を前記キャリアへ一括して収納する。
　［作用・効果］（２）のように構成すれば、複数枚の基板は、バッチ処理領域における移載ブロックに近いバッチ薬液処理槽で薬液処理される。その後、複数枚の基板は、バッチ処理領域における移載ブロックから離れたバッチリンス処理槽でリンス処理される。そして、リンス処理後、複数枚の基板は、移載ブロックから最も離れた第２姿勢変換機構により鉛直姿勢から水平姿勢へ変換される。水平姿勢とされた複数枚の基板は、枚葉処理の待機状態となる。このように、（２）の構成によれば、複数枚の基板が移載ブロックから離れる方向に搬送されるのに伴い、薬液処理、バッチリンス処理、姿勢変換の各過程が順を追って実行される。したがって、本発明によれば、バッチ処理領域における基板の搬送距離が短く、スループットの高い基板処理装置が実現できる。
　また、（２）のように構成すれば、水平姿勢に変換された基板は１枚ずつ枚葉処理領域における移載ブロックから離れた枚葉液処理チャンバで液処理される。続いて枚葉乾燥処理チャンバで乾燥処理された基板は、バッチ処理領域における移載ブロックに近い基板載置部でストックされ基板ハンドリング機構による一括搬送の待機状態となる。このように（２）の構成によれば、処理ブロックにおいて基板が１枚ずつ移載ブロックに近づく方向に搬送されるのに従い、液処理、乾燥処理、一括搬送待機の各過程が順を追って実行される。したがって、本発明によれば、枚葉処理領域における基板の搬送距離が短く、スループットの高い基板処理装置が実現できる。
　そして、（２）のように構成すれば、第２姿勢変換機構において水平姿勢に姿勢変換された基板は、枚葉液処理チャンバに近い位置に配置される。枚葉液処理チャンバは、枚葉乾燥処理チャンバよりも移載ブロックから離れた位置にある。第２姿勢変換機構も、移載ブロックから最も離れた位置にあることからすれば、枚葉液処理チャンバは、枚葉乾燥処理チャンバと比べて第２姿勢変換機構に近い位置にあることになるからである。この様に構成すれば、バッチ処理領域から枚葉処理領域まで基板を１枚ずつ搬送するときの距離が短くなる。従って、（２）の構成によれば、スループットが高く、予期しない基板の乾燥が防止される。また、基板が第２姿勢変換機構から搬出され、枚葉液処理チャンバに搬入されるまでの時間が短くなり、搬送中に生じる基板の汚染を極力防ぐことができる。
　（３）（１）に記載の基板処理装置において、前記枚葉処理領域には、基板を１枚ずつ液処理する枚葉液処理チャンバが備えられており、前記バッチ処理領域には、複数枚の基板を一括して薬液処理する薬液を収容するバッチ薬液処理槽と、薬液処理された複数枚の基板を一括してリンス処理するリンス液を収容するバッチリンス処理槽と、リンス処理された複数枚の基板を一括して乾燥処理するバッチ乾燥チャンバが備えられており、前記バッチ乾燥チャンバは、前記バッチリンス処理槽よりも前記移載ブロックに近い位置にあり、前記バッチリンス処理槽は、前記バッチ薬液処理槽よりも前記移載ブロックに近い側にあり、前記移載ブロックにおいて、前記基板ハンドリング機構は、複数枚の基板を前記キャリアから一括して取り出して前記処理ブロックにおける前記基板載置部に載置し、前記処理ブロックにおいて、前記枚葉基板搬送機構は、前記基板載置部に載置された複数枚の基板を１枚ずつ前記枚葉液処理チャンバ、第２姿勢変換機構へその順に搬送し、前記第２姿勢変換機構は、水平姿勢の複数枚の基板を受け取ったときに、水平姿勢の複数枚の基板を鉛直姿勢に姿勢変換し、前記バッチ基板搬送機構は、前記第２姿勢変換機構において鉛直姿勢の複数枚の基板を一括して受け取り、受け取った複数枚の基板を前記バッチ薬液処理槽、前記バッチリンス処理槽、前記バッチ乾燥チャンバ、前記移載ブロックにおける前記基板受け渡し位置へその順に搬送し、前記移載ブロックにおいて、前記第１姿勢変換機構は、前記基板受け渡し位置で受け取った複数枚の基板を鉛直姿勢から水平姿勢に姿勢変換し、前記基板ハンドリング機構は、水平姿勢の複数枚の基板を前記キャリアへ一括して収納する。
　［作用・効果］（３）のように構成すれば、移載ブロックから処理ブロックに渡された複数枚の基板は、水平姿勢のまま、まずは基板載置部に載置される。したがって、枚葉処理前の複数枚の基板は、処理ブロックの移載ブロックに近い側でストックされる。その後、複数枚の基板は１枚ずつ枚葉処理チャンバで液処理される。その際に、基板は、１枚ずつ移載ブロックから離れる方向に搬送される。このように（３）の構成によれば、処理ブロックにおいて１枚の基板が移載ブロックに離れる方向に搬送されるのに従い、液処理の過程が実行される。したがって、本発明によれば、枚葉処理領域における基板の搬送距離が短く、スループットの高い基板処理装置が実現できる。
　また、（３）のように構成すれば、枚葉処理チャンバによる液処理が完了した水平姿勢の基板の各々は、移載ブロックから最も離れた第２姿勢変換機構にストックされる。そして、水平姿勢となっている複数枚の基板は、第２姿勢変換機構で鉛直姿勢にされる。鉛直姿勢にされた複数枚の基板は、バッチ処理領域における移載ブロックにから離れたバッチ薬液処理槽で薬液処理される。その後、複数枚の基板は、バッチ処理領域における移載ブロックに近いバッチリンス処理槽でリンス処理される。そして、リンス処理後、複数枚の基板は、移載ブロックから最も近いバッチ乾燥チャンバで乾燥処理される。このように、（３）の構成によれば、複数枚の基板が移載ブロックから最も離れた位置から移載ブロックに近づく方向に搬送されるのに伴い、薬液処理、バッチリンス処理、バッチ乾燥処理の各過程が順を追って実行される。したがって、本発明によれば、バッチ処理領域における基板の搬送距離が短く、スループットの高い基板処理装置が実現できる。
　（４）（１）に記載の基板処理装置において、前記枚葉乾燥処理チャンバは、超臨界流体により基板を乾燥させる。
　［作用・効果］（４）のように構成すれば、基板上に生成された回路パターンが確実に保持された状態で基板処理を実行することができる。
　（５）（１）に記載の基板処理装置において、前記枚葉基板搬送機構は、乾燥処理前の基板を搬送する第１ハンドと、前記第１ハンドの上部に備えられた乾燥処理後の基板を搬送する第２ハンドを備える。
　［作用・効果］（５）のように構成すれば、乾燥処理後の基板が第１ハンドによって濡らされることなく、乾燥処理後の基板の乾燥状態を確実に保つことができる。
　（６）（１）に記載の基板処理装置において、前記枚葉基板搬送機構は、乾燥処理前の基板を搬送する第１ロボットと、乾燥処理後の基板を搬送する第２ロボットを備える。
　［作用・効果］（６）のように構成すれば、乾燥処理前の基板を搬送するロボットとは別に乾燥処理後の基板を搬送するロボットが設けられているので、乾燥処理前の基板と、乾燥処理後の基板とを同時に搬送することができるので、基板処理装置のスループットが向上する。また、乾燥処理後の基板を搬送するロボットは、乾燥処理前の濡れた基板を把持することがないので、乾燥処理後の基板を搬送するロボットが濡れた状態で乾燥処理後の基板を搬送してしまうことがない。従って、この様に構成することで、基板の乾燥状態を確実に維持する基板処理装置が提供できる。
　本発明によれば、基板ハンドリング機構と枚葉基板搬送機構の両方が基板を受け渡し可能な基板載置部が枚葉処理領域に設けられている。したがって、基板ハンドリング機構は、基板載置部を介して枚葉処理領域との間で基板を一括して受け渡しすることができる。この様に構成すれば、キャリアに対する基板の出し入れは基板ハンドリング機構により一括に行われる。したがって、基板ハンドリング機構の潜在力が引き出され、スループットの高い基板処理装置が提供できる。また、本発明によれば、処理ブロックにおけるバッチ処理領域において、第２姿勢変換機構が基板に所定の処理を行う処理槽等より移載ブロックから離れた位置に配置されているので、正順の装置においては、バッチ処理を施された複数枚の基板は、第２姿勢変換機構に向かうときに、移載ブロックから離れる方向に搬送される。そして、第２姿勢変換機構により姿勢変換された複数枚の基板は、枚葉処理が施される際に、移載ブロックに近づく方向に搬送される。この様に、正順の装置においては、処理ブロック内で基板を移載ブロックから遠ざけるように搬送してバッチ処理を施し、その後、移載ブロックに近づけるように搬送して枚葉処理を施せば、基板に対する一連の処理は完了する。また、逆順の装置においては、枚葉処理を施された複数枚の基板は、第２姿勢変換機構に向かうときに、移載ブロックから離れる方向に搬送される。そして、第２姿勢変換機構により姿勢変換された複数枚の基板は、バッチ処理が施される際に、移載ブロックに近づく方向に搬送される。この様に、逆順の装置においては、処理ブロック内で基板を移載ブロックから一度遠ざけた後に近づけるように搬送すれば、基板に対する一連の処理は完了する。いずれの装置においても、基板の往復は一度だけで済み、基板の搬送距離が短くスループットの高い基板処理装置が提供できる。
実施例１に係る基板処理装置の全体構成を説明する平面図である。 姿勢変換部を具体的に説明する斜視図である。 姿勢変換部の動作を説明する模式図である。 基板処理の流れを説明するフローチャートである。 基板処理の流れを説明する模式図である。 基板処理の流れを説明する模式図である。 基板処理の流れを説明する模式図である。 基板処理の流れを説明する模式図である。 実施例２に係る基板処理装置の全体構成を説明する平面図である。 基板処理の流れを説明するフローチャートである。 基板処理の流れを説明する模式図である。 基板処理の流れを説明する模式図である。 基板処理の流れを説明する模式図である。 基板処理の流れを説明する模式図である。 基板処理の流れを説明する模式図である。 本発明の１変形例を説明する模式図である。 本発明の１変形例を説明する平面図である。
　以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明する。本発明の基板処理装置は、複数枚の基板Ｗを一括して処理するバッチ処理と、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉処理とを連続して行う装置である。
　＜１．全体構成＞
　基板処理装置１は、図１に示すように、隔壁により区画された各ブロックを有している。すなわち、基板処理装置１は、搬入出ブロック３と、搬入出ブロック３に隣接するストッカーブロック５と、ストッカーブロック５に隣接する移載ブロック７と、移載ブロック７に隣接する処理ブロック９を備えている。ストッカーブロック５は本発明のストッカーブロックに、移載ブロック７は本発明の移載ブロックに、処理ブロック９は本発明の処理ブロックに、それぞれ相当する。
　基板処理装置１は、例えば、基板Ｗに対して薬液処理、洗浄処理、乾燥処理などの各処理を行う。基板処理装置１は、複数枚の基板Ｗを一括に処理するバッチ式の処理方式と、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理方式の両方を併用した処理方式（いわゆるハイブリッド方式）を採用している。バッチ式の処理方法は、鉛直姿勢で配列された複数枚の基板Ｗを一括で処理する処理方法である。枚葉式の処理方法は、水平姿勢となっている基板Ｗを１枚ずつ処理する処理方法である。
　本明細書では、便宜上、搬入出ブロック３と、ストッカーブロック５と、移載ブロック７と、処理ブロック９とが配列する方向を「前後方向Ｘ」とよぶ。当該前後方向Ｘは、水平に延びる。前後方向Ｘのうち、ストッカーブロック５から搬入出ブロック３に向かう方向を「前方」とよぶ。前方と反対側の方向を「後方」とよぶ。前後方向Ｘと直交する水平に延びる方向を「幅方向Ｙ」とよぶ。「幅方向Ｙ」の一方向を便宜上「右方」とよび、他方向を便宜上「左方」とよぶ。前後方向Ｘおよび幅方向Ｙと直交する方向（高さ方向）を便宜上「鉛直方向Ｚ」とよぶ。各図では、参考として、前、後、右、左、上、下を適宜に示す。
　＜２．搬入出ブロック＞
　搬入出ブロック３は、複数枚の基板Ｗを水平姿勢で所定間隔を空けて鉛直方向に収納するキャリアＣがブロック内に投入されるときの入口である投入部１１と、キャリアＣがブロック外に払い出されるときの出口である払出部１３を備える。投入部１１および払出部１３は、幅方向（Ｙ方向）に延びる搬入出ブロック３の外壁に設けられている。投入部１１は、基板処理装置１における幅方向（Ｙ方向）の中央部から見て右方に設けられ、払出部１３は、基板処理装置１における幅方向（Ｙ方向）の中央部から見て右方と反対側の左方に設けられている。
　基板Ｗは、複数枚（例えば２５枚）が１つのキャリアＣ内に水平姿勢で一定の間隔を空けて積層収納されている。基板処理装置１に搬入される未処理の基板Ｗを収納したキャリアＣは、まず投入部１１に載置される。投入部１１は、例えば、キャリアＣが載置される載置台１５を２つ備える。キャリアＣは、基板Ｗの面同士を離間させた状態で収容する水平方向に延びる複数の溝（図示省略）が形成されている。当該溝の各々に基板Ｗが１枚ずつ挿入される。キャリアＣとしては、例えば、密閉型のＦＯＵＰ(Front Opening Unify Pod)がある。本発明においては、キャリアＣとして開放型容器を採用してもよい。
　払出部１３は、基板処理装置１から搬出される処理済みの基板Ｗを収納したキャリアＣを払い出す。この様に機能する払出部１３は、投入部１１と同様に、例えばキャリアＣを載置するための２つの載置台１７を備える。投入部１１，払出部１３は、ロードポートともよばれる。
　＜３．ストッカーブロック＞
　ストッカーブロック５は、搬入出ブロック３の後方に隣接して配置される。ストッカーブロック５は、キャリアＣをストックして管理する搬送収納部ＡＣＢを備えている。搬送収納部ＡＣＢは、キャリアＣを搬送する搬送機構１９とキャリアＣを載置する棚２１とを備えている。ストッカーブロック５がストックできるキャリアＣの個数は、１以上である。
　ストッカーブロック５は、キャリアＣを載置する複数の棚２１を有する。棚２１は、ストッカーブロック５と移載ブロック７とを隔てる隔壁に設けられている。当該棚２１には、キャリアＣを単に一時的に載置するストック用の棚２１ｂと、移載ブロック７が有する第１搬送機構ＨＴＲがアクセスする基板取り出しおよび収納用のキャリア載置棚２１ａとがある。基板取り出しおよび収納用のキャリア載置棚２１ａは、本発明の基板取り出しおよび収納用のキャリア載置棚に相当する。キャリア載置棚２１ａは、キャリアＣからの基板Ｗの出し入れのためにキャリアＣが載置される構成である。本実施例では１つの基板取り出しおよび収納用のキャリア載置棚２１ａが設けられているが複数個の基板取り出しおよび収納用のキャリア載置棚２１ａが設けられてもよい。搬送機構１９は、未処理の基板Ｗを収納するキャリアＣを投入部１１から取り込んで基板取り出しおよび収納用のキャリア載置棚２１ａに載置する。この際、搬送機構１９は、キャリアＣをキャリア載置棚２１ａに載置する前に一時的にストック用の棚２１ｂに載置することもできる。また、搬送収納部ＡＣＢは、処理済みの基板Ｗを収納するキャリアＣをキャリア載置棚２１ａから受け入れて、払出部１３に載置する。この際、搬送機構１９は、キャリアＣを払出部１３に載置する前に一時的にストック用の棚２１ｂに載置することもできる。ストッカーブロック５が有するキャリア載置棚２１ａの個数は、１以上である。
　＜４．移載ブロック＞
　移載ブロック７は、ストッカーブロック５の後方に隣接して配置される。移載ブロック７は、基板取り出しおよび収納用のキャリア載置棚２１ａに載置されたキャリアＣにアクセス可能な第１搬送機構ＨＴＲと、複数枚の基板Ｗを一括して水平姿勢から垂直姿勢に姿勢変換するＨＶＣ姿勢変換部２０とプッシャ機構２２とを備えている。第１搬送機構ＨＴＲは本発明の基板ハンドリング機構に、ＨＶＣ姿勢変換部２０は本発明の第１姿勢変換機構に、それぞれ相当する。更に、移載ブロック７には、バッチ基板搬送領域Ｒ４に設けられる第２搬送機構ＷＴＲに複数枚の基板Ｗを受け渡すための基板受け渡し位置Ｐが設定されている。第１搬送機構ＨＴＲ，ＨＶＣ姿勢変換部２０，プッシャ機構２２はこの順にＹ方向に配列されている。
　第１搬送機構ＨＴＲは、ストッカーブロック５が有する搬送収納部ＡＣＢの後方のうち右方に設けられている。第１搬送機構ＨＴＲは、基板取り出しおよび収納用のキャリア載置棚２１ａに置かれたキャリアＣから複数枚の基板Ｗを一括して取り出したり、処理済みの複数枚の基板ＷをキャリアＣに一括して収納したりするための機構である。第１搬送機構ＨＴＲは、複数枚の基板Ｗを一括して搬送する複数（例えば、２５個）のハンド７１を備えている。１つのハンド７１は、１枚の基板Ｗを支持する。したがって、第１搬送機構ＨＴＲは、基板Ｗを１枚だけ搬送することもできる。第１搬送機構ＨＴＲは、ストッカーブロック５のキャリア載置棚２１ａに載置されたキャリアＣから複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗを一括して取り出す。そして、第１搬送機構ＨＴＲは、把持した複数枚の基板ＷをＨＶＣ姿勢変換部２０の支持台２０Ａまで搬送することができる。ＨＶＣ姿勢変換部２０は受け取った水平姿勢の複数枚の基板Ｗを鉛直姿勢に変換する。プッシャ機構２２は、鉛直姿勢の複数枚の基板Ｗを保持して上下左右に移動させる構成である。
　また、第１搬送機構ＨＴＲは、後述する処理ブロック９から処理済みの複数枚の基板Ｗを一括して受け取る。そして、第１搬送機構ＨＴＲは、ストッカーブロック５が有する基板取り出しおよび収納用のキャリア載置棚２１ａに載置されている空のキャリアＣに処理済みの基板Ｗを収納する。処理ブロック９の出口において待機している複数枚の基板Ｗは、水平姿勢である。したがって、第１搬送機構ＨＴＲは、基板Ｗの水平姿勢を保った状態で複数枚の基板Ｗを処理ブロック９からストッカーブロック５に搬送する。この様に、第１搬送機構ＨＴＲは、未処理の基板ＷをキャリアＣから一括して移載ブロック７へ搬送する構成でもあり、処理済みの基板Ｗを処理ブロック９から一括してキャリアＣへ搬送する構成でもある。
　図２は、実施例１のＨＶＣ姿勢変換部２０を説明している。ＨＶＣ姿勢変換部２０は、縦方向（Ｚ方向）に延びる一対の水平保持部２０Ｂと一対の垂直保持部２０Ｃを備えている。支持台２０Ａは、水平保持部２０Ｂ，垂直保持部２０Ｃを支持するＸＹ平面に広がる支持面を有している。回転駆動機構２０Ｄは、水平保持部２０Ｂ，垂直保持部２０Ｃを支持台２０Ａごと９０°回転させる構成である。この回転によって、水平保持部２０Ｂ，垂直保持部２０Ｃは、左右方向（Ｙ方向）に延びる構成となる。なお、図３は、ＨＶＣ姿勢変換部２０の動作を説明する模式図である。以降、図２および図３を参照しながら各部の構成について説明する。
　水平保持部２０Ｂは、水平姿勢となっている複数枚の基板Ｗを下側から支持する。すなわち、水平保持部２０Ｂは、支持対象の基板Ｗに対応した複数の突起を有する櫛形の構造となっている。互いに隣接する突起の間には基板Ｗの周縁部が位置する細長状の凹部がある。この凹部に基板Ｗの周縁部を挿入すると、突起の上面に水平姿勢の基板Ｗの下面が接触して基板Ｗは水平姿勢で支持される。
　垂直保持部２０Ｃは、鉛直姿勢となっている複数枚の基板Ｗを下側から支持する。すなわち、垂直保持部２０Ｃは、支持対象の基板Ｗに対応した複数の突起を有する櫛形の構造となっている。互いに隣接する突起の間には基板Ｗの周縁部が位置する細長状のＶ溝がある。このＶ溝に基板Ｗの周縁部を挿入すると、基板ＷはＶ溝に挟持されて垂直姿勢で支持される。垂直保持部２０Ｃは、支持台２０Ａに２つ設けられているので、基板Ｗは、周縁部の２箇所のそれぞれが異なるＶ溝によって挟持される。
　縦方向（Ｚ方向）に延びる一対の水平保持部２０Ｂおよび一対の垂直保持部２０Ｃは、保持対象の基板Ｗを囲むように水平姿勢の基板Ｗに相当する仮想円に沿って設けられている。一対の水平保持部２０Ｂは、基板Ｗの直径だけ離れており、基板Ｗの一端と当該一端から最も遠い位置に当たる他端を保持する。このようにして一対の水平保持部２０Ｂは、水平姿勢の基板Ｗを支持する。一方、一対の垂直保持部２０Ｃは、基板Ｗの直径よりも短い距離だけ離れており、基板Ｗの所定部と当該所定部の近傍に位置する特定部を支持する。このようにして一対の垂直保持部２０Ｃは、鉛直姿勢の基板Ｗを支持する。一対の水平保持部２０Ｂは、左右方向（Ｙ方向）について同じ位置にあり、一対の垂直保持部２０Ｂは、左右方向（Ｙ方向）について同じ位置にある。一対の垂直保持部２０Ｂは、一対の水平保持部２０Ｂよりも支持台２０Ａが回転されて倒れる方向（左方向）の側に設けられている。
　回転駆動機構２０Ｄは、前後方向（Ｘ方向）に延びる水平軸ＡＸ２周りに支持台２０Ａを少なくとも９０°だけ回転可能に支持する。水平状態の支持台２０Ａが９０°回転すると、支持台２０Ａは垂直状態となり、垂直保持部２０Ｂ，２０Ｃに保持された複数枚の基板Ｗの姿勢は、水平姿勢から鉛直姿勢に変換される。
　図３（ｆ）に示すように、プッシャ機構２２は、鉛直姿勢の基板Ｗが搭載可能なプッシャ２２Ａと、このプッシャ２２Ａを回転および昇降させる昇降回転部２２Ｂと、プッシャ２２Ａを左右方向（Ｙ方向）に移動させる水平移動部２２Ｃと、水平移動部２２Ｃを案内する左右方向（Ｙ方向）に延びるレール２２Ｄを備える。プッシャ２２Ａは、鉛直姿勢の複数（例えば５０枚）の基板Ｗの各々の下部を支持する構成である。昇降回転部２２Ｂは、プッシャ２２Ａの下方に設けられる構成であり、プッシャ２２Ａを上下方向に昇降させる伸縮自在な機構を備えている。昇降回転部２２Ｂはその他、鉛直軸周りにプッシャ２２Ａを少なくとも１８０°回転させることが可能である。水平移動部２２Ｃは、昇降回転部２２Ｂを支持する構成であり、プッシャ２２Ａおよび昇降回転部２２Ｂを水平移動させる。水平移動部２２Ｃは、レール２２Ｄに案内されて、ＨＶＣ姿勢変換部２０に近い取り上げ位置から基板受け渡し位置Ｐまでプッシャ２２Ａを移動させる事ができる。また、水平移動部２２Ｃは、プッシャ２２Ａを基板配列におけるハーフピッチに対応する距離だけ鉛直姿勢の基板Ｗを、基板Ｗの配列方向にシフトさせることもできる。
　ここで、ＨＶＣ姿勢変換部２０とプッシャ機構２２の動作を説明する。ＨＶＣ姿勢変換部２０とプッシャ機構２２は、２個のキャリアＣに収容されていた例えば合計５０枚の基板Ｗをフェイストゥバック方式で所定の間隔（例えば５ｍｍ）を空けて配列させる。第１のキャリアＣ内の２５枚の基板Ｗは、第１基板群に属する第１基板Ｗ１として説明される。同様に、第２のキャリアＣ内の２５枚の基板Ｗは、第２基板群に属する第２基板Ｗ２として説明される。なお、図３（ａ）～図３（ｆ）において、作図の都合上、第１基板Ｗ１の枚数は３枚であり、第２基板Ｗ２の枚数は３枚である。
　図３（ａ）は、水平姿勢となっている第１基板Ｗ１が第１搬送機構ＨＴＲによりＨＶＣ姿勢変換部２０へと一括的に渡された状態を示している。この時の第１基板Ｗ１のデバイス面（回路パターンの形成面）は上向きとなっている。２５枚の第１基板Ｗ１は、所定の間隔（例えば１０ｍｍ）で配置されている。この１０ｍｍの間隔は、フルピッチ（ノーマルピッチ）とよばれる。この状態の第１基板Ｗ１は、水平保持部２０Ｂにより保持される。なお、この時のプッシャ２２Ａは支持台２０Ａよりも下方の取り上げ位置にある。
　図３（ｂ）は、回転駆動機構２０ＤによりＨＶＣ姿勢変換部２０の支持台２０Ａが９０°回転されたときの様子を示している。このように、ＨＶＣ姿勢変換部２０においては、２５枚の第１基板Ｗ１の姿勢が水平姿勢から鉛直姿勢に変換される。この状態の第１基板Ｗ１は、垂直保持部２０Ｃにより保持される。
　図３（ｃ）は、プッシャ２２Ａが取り上げ位置から上昇して取り上げ位置よりも上方に設定された直上位置まで移動された状態を示している。この上昇運動は、昇降回転部２２Ｂが行う。この様に、プッシャ２２Ａが第１基板Ｗ１の下側から上側に移動すると、ＨＶＣ姿勢変換部２０の垂直保持部２０Ｃにより支持されていた第１基板Ｗ１は、垂直保持部２０Ｃから引き抜かれてプッシャ２２Ａ上に移動する。プッシャ２２Ａの上面には、基板Ｗが挟まる溝が設けられている。第１基板Ｗ１は、等間隔に配列されたこれら溝に支持される。当該溝は、ハーフピッチで配列され、ＨＶＣ姿勢変換部２０には第１基板Ｗ１がフルピッチで配列されているので、直上位置にあるプッシャ２２Ａの上面には、第１基板Ｗ１が挟まっている溝と、基板Ｗを支持しない空の溝とが交互に配列する。
　図３（ｄ）は、プッシャ２２Ａがハーフピッチ幅だけ移動する動作と、回転駆動機構２０ＤによりＨＶＣ姿勢変換部２０の支持台２０Ａが９０°逆回転されたときの動作とを示している。この状態のＨＶＣ姿勢変換部２０は、第２基板Ｗ２を支持することが可能となる。図３（ｄ）においては、ＨＶＣ姿勢変換部２０に既に第２基板Ｗ２が搬送されたときの様子が示されている。なお、図３（ｄ）においては、第２基板Ｗ２は、水平保持部２０Ｂに支持される。
　図３（ｄ）の状態において直上位置にあるプッシャ２２Ａが元の取り上げ位置にまで戻ると、ＨＶＣ姿勢変換部２０は、支持台２０Ａを再び９０°回転させることが可能となる。
　図３（ｅ）は支持台２０Ａが実際に再度回転されたときの様子を示している。このとき、プッシャ２２Ａはハーフピッチ幅だけ移動されているので、図３（ｆ）に示すようにプッシャ２２Ａを再び直上位置に移動させると、第２基板Ｗ２は、第１基板Ｗ１と干渉しないでプッシャ２２Ａの上面の第１基板Ｗ１同士に挟まれた空の溝に収まる。このようにして、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２が交互に配列されたロットが形成される。なお、図３（ｅ）においては、第２基板Ｗ２は、垂直保持部２０Ｃに支持される。当該ロットは、フェイストゥバック方式で基板Ｗが配列されて構成されるので、ロットを構成する基板Ｗのデバイス面は、全て図３（ｆ）における左方に向いている。
　図３（ｆ）は、プッシャ２２Ａが再度直上位置まで移動したときの様子を示している。そして、プッシャ２２Ａにおいて生成されたロットは、水平移動部２２Ｃにより左方向（Ｙ方向）に搬送されて基板受け渡し位置Ｐまで移動される。
　なお、以下の説明では、処理対象の基板配列の構成については問わない。つまり、通常のロット（フルピッチで例えば２５枚が配列されている基板Ｗ）であっても、上述のバッチロットであっても本発明の要部は同様の構成となる。以下の説明においては、処理対象を単にロット、または複数枚の基板Ｗと称する。
　＜５．処理ブロック＞
　処理ブロック９は、複数枚の基板Ｗに対して種々の処理を行う。処理ブロック９は、幅方向（Ｙ方向）に配列されるバッチ処理領域Ｒ１，枚葉処理領域Ｒ２，枚葉基板搬送領域Ｒ３およびバッチ基板搬送領域Ｒ４に分けられる。各領域は、前後方向（Ｘ方向）に延びている。詳細には、バッチ処理領域Ｒ１は、処理ブロック９内の左方に配置されている。枚葉処理領域Ｒ２は、処理ブロック９内の右方に配列されている。枚葉基板搬送領域Ｒ３は、バッチ処理領域Ｒ１と枚葉処理領域Ｒ２とに挟まれた位置、つまり処理ブロック９内の中央部に配置されている。バッチ基板搬送領域Ｒ４は、処理ブロック９の最も左方に配置されている。
　＜５．１．バッチ処理領域＞
　処理ブロック９におけるバッチ処理領域Ｒ１は、前後方向（Ｘ方向）に延びた矩形の領域となっている。バッチ処理領域Ｒ１の一端側（前方側）は、移載ブロック７に隣接している。バッチ処理領域Ｒ１の他端側は、移載ブロック７から離れる方向（後方側）に延びている。
　バッチ処理領域Ｒ１は、主としてバッチ式の処理を行うバッチ式処理部を備えている。具体的には、バッチ処理領域Ｒ１は、バッチ処理領域Ｒ１が延びる方向に複数枚の基板Ｗを一括して浸漬処理する複数個のバッチ処理ユニットＢＰＵ１～ＢＰＵ３が配列されている。バッチ処理ユニットＢＰＵ１～ＢＰＵ３の配置について具体的に説明する。第１バッチ処理ユニットＢＰＵ１は、移載ブロック７に後方から隣接する。第２バッチ処理ユニットＢＰＵ２は、第１バッチ処理ユニットＢＰＵ１の後方から隣接する。第３バッチ処理ユニットＢＰＵ３は、第２バッチ処理ユニットＢＰＵ２の後方から隣接する。従って、第１バッチ処理ユニットＢＰＵ１，第２バッチ処理ユニットＢＰＵ２，第３バッチ処理ユニットＢＰＵ３の順に移載ブロック７から離れる。そして、バッチ処理ユニットＢＰＵ１～ＢＰＵ３よりも移載ブロック７から最も離れた位置に複数枚の基板Ｗを一括して鉛直姿勢と水平姿勢に亘って姿勢変換する水中姿勢変換部２５が設けられている。水中姿勢変換部２５は、第３バッチ処理ユニットＢＰＵ３の後方から隣接する。したがって、バッチ処理領域Ｒ１における移載ブロック７から最も離れた位置に水中姿勢変換部２５が設けられている。この様に、第１バッチ処理ユニットＢＰＵ１，第２バッチ処理ユニットＢＰＵ２，第３バッチ処理ユニットＢＰＵ３および水中姿勢変換部２５は、この順にバッチ処理領域Ｒ１の延びる方向（前後方向：Ｘ方向）に並ぶ。
　第１バッチ処理ユニットＢＰＵ１は、具体的には、ロットを一括して薬液処理するバッチ薬液処理槽ＣＨＢ１と、ロットを昇降させるリフタＬＦ１とを備える。バッチ薬液処理槽ＣＨＢ１は、ロットに対して酸処理を行う。酸処理としては、リン酸処理でよいが、他の酸を用いた処理であってもよい。リン酸処理は、ロットを構成する複数枚の基板Ｗに対してエッチング処理を行う。エッチング処理は、例えば、基板Ｗの表面上の窒化膜を化学的に食刻する。
　バッチ薬液処理槽ＣＨＢ１は、リン酸溶液などの薬液を収容する。バッチ薬液処理槽ＣＨＢ１には、ロットを上下動させるリフタＬＦ１が付設されている。バッチ薬液処理槽ＣＨＢ１は、例えば薬液を下方から上方に向けて供給して薬液を対流させる。リフタＬＦ１は、鉛直方向（Ｚ方向）に昇降する。具体的には、リフタＬＦ１は、バッチ薬液処理槽ＣＨＢ１の内部に当たる処理位置と、バッチ薬液処理槽ＣＨＢ１の上方に当たる受け渡し位置に亘って昇降する。リフタＬＦ１は、鉛直姿勢の基板Ｗで構成されるロットを保持する。リフタＬＦ１は、受け渡し位置において、ロットを第２搬送機構ＷＴＲとの間で受け渡しする。リフタＬＦ１がロットを保持した状態で受け渡し位置から処理位置まで下降すると、基板Ｗの全域は、薬液の液面下に位置する。リフタＬＦ１がロットを保持した状態で処理位置から受け渡し位置まで上昇すると、基板Ｗの全域は、薬液の液面上に位置する。
　第２バッチ処理ユニットＢＰＵ２は、具体的には、バッチ薬液処理槽ＣＨＢ２と、ロットを昇降させるリフタＬＦ２とを備える。バッチ薬液処理槽ＣＨＢ２は、上述のバッチ薬液処理槽ＣＨＢ１と同様の構成である。つまり、バッチ薬液処理槽ＣＨＢ２には上述した薬液が収容され、リフタＬＦ２が付設されている。バッチ薬液処理槽ＣＨＢ２は、ロットに対しバッチ薬液処理槽ＣＨＢ１と同様の処理を行う。本例の基板処理装置１は、同じ薬液処理が可能な処理槽を複数備える。これは、リン酸処理が他の処理よりも時間を要することによる。リン酸処理には長時間（例えば、６０分）の時間を要する。そこで、本例の装置は複数のバッチ薬液処理槽により酸処理を平行して行える様にしている。従って、ロットは、バッチ薬液処理槽ＣＨＢ１，バッチ薬液処理槽ＣＨＢ２のいずれかで酸処理される。この様に構成すれば、装置のスループットが高まる。
　第３バッチ処理ユニットＢＰＵ３は、具体的には、リンス液を収容するバッチリンス処理槽ＯＮＢと、ロットを昇降させるリフタＬＦ３とを備える。バッチリンス処理槽ＯＮＢは、上述のバッチ薬液処理槽ＣＨＢ１と同様の構成である。つまり、バッチリンス処理槽ＯＮＢは、リンス液を収容しリフタＬＦ３が付設されている。バッチリンス処理槽ＯＮＢは、他の処理槽とは異なり、純水を収容しており、複数枚の基板Ｗに付着する薬液を洗浄する目的で設けられている。バッチリンス処理槽ＯＮＢにおいて、槽内の純水の比抵抗が所定の値に上昇すれば、洗浄処理は終了となる。
　このように、実施例１におけるバッチ薬液処理槽ＣＨＢ１，バッチ薬液処理槽ＣＨＢ２は、バッチリンス処理槽ＯＮＢよりも移載ブロック７に近い位置にある。
　水中姿勢変換部２５は、ロットを液中に浸漬させる浸漬槽４３，ロットを昇降させるリフタＬＦ４，およびロットの姿勢を変換する姿勢変換機構４５を備えている。浸漬槽４３は純水を収容し、槽内の基板Ｗの乾燥を防止する。浸漬槽４３の上方にある受け渡し位置においてロットを第２搬送機構ＷＴＲから受け取ったリフタＬＦ４は、浸漬位置（バッチ薬液処理槽ＣＨＢ１における処理位置に相当）まで基板Ｗを降下させ、基板Ｗの全域を純水に浸漬させる。そして、姿勢変換機構４５は、純水に浸漬したロットを９０度回転させることにより、ロットを構成する基板Ｗの姿勢を鉛直姿勢から水平姿勢に変換する。リフタＬＦ４は、鉛直姿勢の基板Ｗから構成されるロットを昇降させることも、水平姿勢の基板Ｗから構成されるロットを昇降させることもできる。リフタＬＦ４は、基板Ｗの配列ピッチ単位で段階的にロットを上昇させることにより水平姿勢の基板Ｗを１枚ずつ液中から液面上に繰り出すことができる。水中姿勢変換部２５は、本発明の第２姿勢変換機構に相当する。
　後述のセンターロボットＣＲは、リフタＬＦ４が支持する基板Ｗを１枚ずつ搬送することができる。このときのリフタＬＦ４は、センターロボットＣＲが基板搬送のため接近してきたときに、例えば、基板５枚分の幅だけ上昇することが可能である。この場合、５枚の基板Ｗが一括に液面から空中に露出することになる。リフタＬＦ４が基板Ｗの配列ピッチよりも長いストロークだけ移動することにより、浸漬槽４３の液面からセンターロボットＣＲまでの鉛直方向（Ｚ方向）についての距離を十分に確保することができる。これにより、センターロボットＣＲのハンド２９の先端が浸漬槽４３に収容される液体に没入してしまうことがない。基板Ｗを取得したセンターロボットＣＲがリフタＬＦ４から離反した後においては、リフタＬＦ４の上昇に伴い空中に繰り出された４枚の基板Ｗの乾燥を防ぐ目的で、リフタＬＦ４が下降することになる。このとき、リフタＬＦ４は、５枚の基板Ｗに相当するストロークだけ下降する必要はなく、４枚の基板Ｗに相当するストロークだけ下降すればよい。液面上に繰り出された５枚の基板Ｗのうち、最上部の基板Ｗは、センターロボットＣＲに搬送されてリフタＬＦ４上にないからである。この様に構成することにより、リフタＬＦ４の移動時間を短縮することができ、スループットの高い装置が提供できる。なお、リフタＬＦ４に残存する基板Ｗの枚数が５枚に満たないときは、不足する基板Ｗの枚数に応じてリフタＬＦ４の移動距離を短くすることができる。
　＜５．２．枚葉処理領域＞
　処理ブロック９における枚葉処理領域Ｒ２は、前後方向（Ｘ方向）に延びた矩形の領域となっている。枚葉処理領域Ｒ２の一端側（前方側）は、移載ブロック７に隣接している。バッチ処理領域Ｒ１の他端側は、移載ブロック７から離れる方向（後方側）に延びている。
　処理ブロック９における枚葉処理領域Ｒ２は、主に液処理に係る各チャンバと乾燥処理に係る各チャンバを備えている。具体的には、枚葉処理領域Ｒ２は、基板Ｗを１枚ずつ液処理する枚葉液処理チャンバＳＷＰ１および枚葉液処理チャンバＳＷＰ２と、液処理された基板Ｗを１枚ずつ乾燥させる枚葉乾燥処理チャンバＳＷＰ３と、複数枚の基板Ｗを水平姿勢でキャリアＣと同じピッチで鉛直方向に載置するバッファ部３１を備えている。枚葉液処理チャンバＳＷＰ１は、枚葉処理領域Ｒ２のうち前後方向（Ｘ方向）の最も奥側に配置されている。換言すると、枚葉液処理チャンバＳＷＰ１は、枚葉基板搬送領域Ｒ３を挟んで水中姿勢変換部２５と幅方向（Ｙ方向）から対向している。枚葉液処理チャンバＳＷＰ２は、枚葉液処理チャンバＳＷＰ１の前方と隣接する。枚葉乾燥処理チャンバＳＷＰ３は、枚葉液処理チャンバＳＷＰ２の前方と隣接する。バッファ部３１は、枚葉乾燥処理チャンバＳＷＰ３の前方と隣接する。したがって、枚葉処理領域Ｒ２における移載ブロック７から最も近い位置にバッファ部３１が設けられている。この様に、バッファ部３１，枚葉乾燥処理チャンバＳＷＰ３，枚葉液処理チャンバＳＷＰ２および枚葉液処理チャンバＳＷＰ１は、この順に枚葉処理領域Ｒ２の延びる方向（前後方向：Ｘ方向）に並ぶ。バッファ部３１は、本発明の基板載置部に相当する。
　枚葉液処理チャンバＳＷＰ１，枚葉液処理チャンバＳＷＰ２の各々は、水平姿勢の基板Ｗを回転させる回転処理部３３と、処理液を基板Ｗに向けて供給するノズル３５を備えている。回転処理部３３は、基板ＷをＸＹ平面（水平面）内で回転駆動する。ノズル３５は、回転処理部３３から離れた待機位置と回転処理部３３の上方に位置する供給位置との間にわたって揺動可能である。処理液としては、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）や純水、またはこれらの混合液でもよい。枚葉液処理チャンバＳＷＰ１，枚葉液処理チャンバＳＷＰ２の各々は、例えば、基板Ｗに対して純水で洗浄処理を行った後、ＩＰＡで予備的な乾燥処理を行う構成である。
　枚葉乾燥処理チャンバＳＷＰ３は、例えば、超臨界流体チャンバである。超臨界流体チャンバは、例えば、超臨界流体となった二酸化炭素により基板Ｗの乾燥処理を行う。超臨界流体として二酸化炭素以外の流体を乾燥に用いてもよい。超臨界状態は、二酸化炭素を固有の臨界圧力と臨界温度下に置くことで得られる。具体的な圧力は、７．３８ＭＰａであり、温度は３１°Ｃである。超臨界状態においては、流体の表面張力がゼロになるので、基板Ｗ表面の回路パターンに気液界面の影響が生じない。従って、超臨界流体により基板Ｗの乾燥処理を行えば、基板Ｗ上で回路パターンが崩壊する、いわゆるパターン倒れの発生が防止できる。
　このように実施例１における枚葉乾燥処理チャンバＳＷＰ３は、枚葉液処理チャンバＳＷＰ１，枚葉液処理チャンバＳＷＰ２よりも移載ブロック７に近い位置にある。
　バッファ部３１は、鉛直方向（Ｚ方向）に配列された複数の載置棚３９を有し、少なくとも１ロット分（例えば、２５枚）の基板Ｗを収容可能である。載置棚３９は、上述したフルピッチで配列されている。バッファ部３１は、処理ブロック９と移載ブロック７との間でロットを受け渡すときに用いられる。以下、この点について説明する。処理ブロック９から移載ブロック７へロットを払い出すときには、まず、処理ブロック９における後述のセンターロボットＣＲが乾燥処理済みの基板Ｗを１枚ずつバッファ部３１に載置する。この様にして、１ロット分の基板Ｗがフルピッチでバッファ部３１に収納される。そして、バッファ部３１に収納されたロットは、移載ブロック７における第１搬送機構ＨＴＲによって一括に把持される。つまり、処理ブロック９におけるセンターロボットＣＲは、幅方向（Ｙ方向）からバッファ部３１にアクセス可能であり、移載ブロック７における第１搬送機構ＨＴＲは、前後方向（Ｘ方向）からバッファ部３１にアクセス可能である。なお、センターロボットＣＲは、複数の載置棚３９の間で基板Ｗを受け渡しできるように、鉛直方向（Ｚ方向）に昇降可能である。
　＜５．３．枚葉基板搬送領域＞
　処理ブロック９における枚葉基板搬送領域Ｒ３は、前後方向（Ｘ方向）に延びた矩形の領域となっている。枚葉基板搬送領域Ｒ３は、バッチ処理領域Ｒ１と枚葉処理領域Ｒ２との間に介在して、一端が移載ブロック７に隣接し、他端側が移載ブロック７から離れる方向に延びる。
　枚葉基板搬送領域Ｒ３は、水平姿勢の基板Ｗを搬送するセンターロボットＣＲを備えている。センターロボットＣＲは、水中姿勢変換部２５と、枚葉液処理チャンバＳＷＰ１～ＳＷＰ３，バッファ部３１との間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは本発明の枚葉基板搬送機構に相当する。センターロボットＣＲは、水平姿勢の基板Ｗを１枚保持することが可能なハンド２９を備えている。センターロボットＣＲは、鉛直方向（Ｚ方向）に重ねてもう１つのハンド２９を備える構成としてもよい。センターロボットＣＲは、前後方向（Ｘ方向）に往復移動することが可能である。そして、センターロボットＣＲは、鉛直方向（Ｚ方向）に往復移動することも可能である。センターロボットＣＲは、ＸＹ平面（水平面）内で旋回可能である。従って、センターロボットＣＲのハンド２９は、Ｚ方向に延びる回転軸周りに回転することで、バッチ式処理に係るバッチ処理領域Ｒ１側に向くこともできれば、枚葉処理に係る枚葉処理領域Ｒ２側に向くこともできる。センターロボットＣＲは、本発明の枚葉基板搬送機構に相当する。
　センターロボットＣＲのハンド２９は、ＸＹ平面（水平面）内で進退可能である。従って、ハンド２９は、バッチ処理領域Ｒ１の水中姿勢変換部２５から水平姿勢の基板Ｗを受け取ることもできれば、枚葉処理領域Ｒ２の各枚葉液処理チャンバＳＷＰ１～ＳＷＰ３との間で水平姿勢の基板Ｗを受け渡しすることもできる。なお、センターロボットＣＲが２つのハンド２９を備える場合は、水中姿勢変換部２５から２枚の基板Ｗを受け取り、枚葉処理領域Ｒ２に対して１枚ずつ異なる枚葉液処理チャンバＳＷＰ１または枚葉液処理チャンバＳＷＰ２に基板Ｗを受け渡す。
　＜５．４．バッチ基板搬送領域＞
　処理ブロック９におけるバッチ基板搬送領域Ｒ４は、前後方向（Ｘ方向）に延びた矩形の領域となっている。バッチ基板搬送領域Ｒ４は、バッチ処理領域Ｒ１の外縁に沿って設けられ、一端側が移載ブロック７にまで延び、他端側が移載ブロック７から離れる方向に延びる。
　バッチ基板搬送領域Ｒ４には、複数枚の基板Ｗを一括して搬送する第２搬送機構ＷＴＲが設けられている。第２搬送機構ＷＴＲは、移載ブロック７内に定められた基板受け渡し位置Ｐと、各バッチ処理ユニットＢＰＵ１～ＢＰＵ３と、水中姿勢変換部２５との間で複数枚の基板Ｗ（具体的にはロット）を一括して搬送する。第２搬送機構ＷＴＲは、移載ブロック７と処理ブロック９に亘って前後方向（Ｘ方向）に往復可能に構成されている。第２搬送機構ＷＴＲは、処理ブロック９におけるバッチ基板搬送領域Ｒ４に加えて、移載ブロック７内の基板受け渡し位置Ｐにも移動可能である。第２搬送機構ＷＴＲは、本発明のバッチ基板搬送機構に相当する。
　第２搬送機構ＷＴＲは、ロットを搬送する一対のハンド２３を備えている。一対のハンド２３は、例えば、幅方向（Ｙ方向）に向けられた回転軸を備えており、この回転軸周りに揺動する。一対のハンド２３は、ロットを構成する複数枚の基板Ｗの両端部を挟持する。第２搬送機構ＷＴＲは、移載ブロック７における基板受け渡し位置Ｐ，バッチ処理ユニットＢＰＵ１～ＢＰＵ３に属する各リフタＬＦ１～ＬＦ３，水中姿勢変換部２５に属するリフタＬＦ４との間でロットを受け渡す。
　この様に、本例の基板処理装置１は、左方から右方にかけて、それぞれ前後方向（Ｘ方向）に延びた細長状のバッチ基板搬送領域Ｒ４，バッチ処理領域Ｒ１，枚葉基板搬送領域Ｒ３，枚葉処理領域Ｒ２の順に各領域が配列されている。
　＜５．５．窓部＞
　上述したように、処理ブロック９におけるバッファ部３１は、移載ブロック７に隣接している。この移載ブロック７に設けられた第１搬送機構ＨＴＲは、バッファ部３１にアクセス可能である。したがって、第１搬送機構ＨＴＲは、水平姿勢でキャリアＣと同じピッチで鉛直方向に配列した状態でバッファ部３１に載置されている複数枚の基板Ｗを一括して受け渡し可能である。移載ブロック７と処理ブロック９を隔てる隔壁には、窓部７７が設けられている。これにより、移載ブロック７の第１搬送機構ＨＴＲは、処理ブロック９のバッファ部３１にアクセス可能となる。
　本例の基板処理装置１は、上述した各部の他、各機構および各処理部を制御するＣＰＵ(Central Processing Unit)７５と、プログラムや設定値など処理過程に必要な種々の情報を記憶する記憶部７６を備えている。なお、ＣＰＵの具体的構成は特に限定されない。装置全体で１つのＣＰＵを備えるようにしてもよいし、各ブロックに１つまたは複数のＣＰＵを備えるようにしてもよい。この点は、記憶部７６についても同様である。ＣＰＵが行う制御としては、例えば、第１搬送機構ＨＴＲ，第２搬送機構ＷＴＲ，ＨＶＣ姿勢変換部２０，プッシャ機構２２，センターロボットＣＲ等の動作に関する制御である。
　＜基板処理の流れ＞
　図４は、本例の基板処理の流れを説明するフローチャートである。本例の基板処理は、例えば、半導体デバイス製造過程における基板Ｗ表面のエッチングに関する各処理を行うものである。以下、当該フローチャートに沿って基板処理の流れを具体的に説明する。
　ステップＳ１１：未処理の基板Ｗを収納するキャリアＣが投入部１１の載置台１５にセットされる。その後、キャリアＣは、投入部１１から装置内に取り入れられて、搬送機構１９によりストッカーブロック５に設けられた受け渡し用のキャリア載置棚２１ａに載置される（図５参照）。
　ステップＳ１２：移載ブロック７に設けられた第１搬送機構ＨＴＲがキャリア載置棚２１ａのキャリアＣから複数枚の基板Ｗを一括に取り出す。そして、第１搬送機構ＨＴＲは、水平姿勢となっている複数枚の基板ＷをＨＶＣ姿勢変換部２０に渡す。ＨＶＣ姿勢変換部２０は、複数枚の基板Ｗの姿勢を水平姿勢から鉛直姿勢に変換して複数枚の基板Ｗをプッシャ機構２２に渡す。プッシャ機構２２は、鉛直姿勢の基板Ｗを、幅方向（Ｙ方向）に配列された状態で基板受け渡し位置Ｐまで搬送する（図５参照）。
　ステップＳ１３：バッチ式処理が実行される。具体的には基板受け渡し位置Ｐで待機しているロットは、第２搬送機構ＷＴＲにより一括に鉛直方向（Ｚ方向）に持ち上げられた後、前後方向（Ｘ方向）に搬送される。鉛直姿勢の複数枚の基板Ｗは、幅方向（Ｙ方向）に配列された状態で第１バッチ処理ユニットＢＰＵ１のリフタＬＦ１または第２バッチ処理ユニットＢＰＵ２のリフタＬＦ２に渡される。基板Ｗを受け取るリフタＬＦ１，リフタＬＦ２は、受け渡し位置にある。この様にして、ロットは、バッチ薬液処理槽ＣＨＢ１，バッチ薬液処理槽ＣＨＢ２のいずれかにおける液面上に位置される。図５は、ロットがバッチ薬液処理槽ＣＨＢ１で処理される様子を例示している。ロットを受け取ったリフタＬＦ１は、降下してバッチ薬液処理槽ＣＨＢ１にロットを浸漬させる。この様にしてロットに対する薬液処理が実行される。
　薬液処理が終了すると、リフタＬＦ１は、バッチ薬液処理槽ＣＨＢ１からロットを液面上に露出させる。ロットは、その後、第２搬送機構ＷＴＲにより一括に鉛直方向（Ｚ方向）に持ち上げられた後、前後方向（Ｘ方向）に搬送される。鉛直姿勢の基板Ｗは、幅方向（Ｙ方向）に配列された状態で第３バッチ処理ユニットＢＰＵ３のリフタＬＦ３に渡される。この時のリフタＬＦ３は、受け渡し位置にある。この様にして、ロットは、バッチリンス処理槽ＯＮＢにおける液面上に位置される。ロットを受け取ったリフタＬＦ３は、降下してバッチリンス処理槽ＯＮＢにロットを浸漬させる。この様にしてロットに対する洗浄処理が実行される（図５参照）。
　洗浄処理が終了すると、リフタＬＦ３は、バッチリンス処理槽ＯＮＢからロットを液面上に露出させる。ロットは、その後、第２搬送機構ＷＴＲにより一括に鉛直方向（Ｚ方向）に持ち上げられた後、前後方向（Ｘ方向）に搬送される。鉛直姿勢となっている複数枚の基板Ｗは、幅方向（Ｙ方向）に配列された状態で水中姿勢変換部２５に渡される（図５参照）。このときの水中姿勢変換部２５のリフタＬＦ４は、鉛直姿勢のロットを保持可能な姿勢で待機している。また、この時のリフタＬＦ４は受け渡し位置にある。
　以上のように、ステップ１３においては、第２搬送機構ＷＴＲは、移載ブロック７の基板受け渡し位置Ｐで鉛直姿勢の複数枚の基板Ｗを一括して受け取り、受け取った複数枚の基板Ｗを薬液処理に係る第１バッチ処理ユニットＢＰＵ１（または、第２バッチ処理ユニットＢＰＵ２），リンス処理に係る第３バッチ処理ユニットＢＰＵ３，水中姿勢変換部２５へその順に搬送する。
　ステップＳ１４：ここではバッチ式処理後の過程である姿勢変換が実行される。図６は、基板処理の全過程の中の姿勢変換に関係する過程について説明している。水中姿勢変換部２５は、受け渡し位置にあるリフタＬＦ４がロットを受け取り、リフタＬＦ４が浸漬位置まで移動される。すると、ロットは、浸漬槽４３の液面下に位置する。そして、姿勢変換機構４５がロットを水中で９０°回転させることにより、複数枚の基板Ｗの姿勢を鉛直姿勢から水平姿勢に変換する。このときの回転方向としては、基板Ｗにおける回路パターンが形成されている面が上向きとなる方向が選ばれる。以上のように、水中姿勢変換部２５は、受け取った鉛直姿勢の複数枚の基板Ｗを水平姿勢に姿勢変換する。
　ステップＳ１５：姿勢変換処理後の過程である枚葉処理が実行される。図７は、基板処理の全過程の中の枚葉処理に関係する過程について説明している。水中姿勢変換部２５において待機している水平姿勢の基板Ｗは、センターロボットＣＲにより１枚ずつ鉛直方向（Ｚ方向）に持ち上げられた後、枚葉液処理チャンバＳＷＰ１，枚葉液処理チャンバＳＷＰ２のいずれかに搬送される。図７は、基板Ｗが枚葉液処理チャンバＳＷＰ１に載置される様子を例示している。枚葉液処理チャンバＳＷＰ１によって予備乾燥処理をされた基板Ｗは、センターロボットＣＲにより鉛直方向（Ｚ方向）に持ち上げられた後、枚葉乾燥処理チャンバＳＷＰ３に搬送される。そして、基板Ｗは、超臨界流体チャンバ３７に収納され、乾燥処理を受ける。
　ステップＳ１６：枚葉処理後の基板Ｗがバッファ部３１に載置される。具体的には、乾燥処理を終えた基板Ｗは、センターロボットＣＲにより超臨界流体チャンバ３７から取り出されて、バッファ部３１に載置される。この様な基板搬送を続けると、バッファ部３１には、フルピッチで鉛直方向（Ｚ方向）に配列した２５枚の基板Ｗが水平姿勢で保持される。この様にして、バッファ部３１は、基板処理後のロットを保持する（図７参照）。なお、ステップＳ１５，および本ステップで説明したように、センターロボットＣＲは、水中姿勢変換部２５で水平姿勢に変換された基板Ｗを１枚ずつ枚葉液処理チャンバＳＷＰ１，枚葉乾燥処理チャンバＳＷＰ３，バッファ部３１へその順に搬送する。
　ステップＳ１７：バッファ部３１に載置された複数枚の基板ＷがキャリアＣに収納される。図８は、基板処理の全過程の中のロット搬送に関係する過程について説明している。バッファ部３１に保持されたロットは、一括に第１搬送機構ＨＴＲで把持される。そして、ロットはストッカーブロック５におけるキャリア載置棚２１ａに待機している空のキャリアＣに戻される。本例の基板処理は、キャリアＣと当該キャリアＣの内部のロットが対応づけられているので、キャリアＣから出庫したロットは、種々の処理をされた後、同じキャリアＣに戻る。ロットを収納したキャリアＣは、搬入出ブロック３の側壁に設けられている払出部１３まで移動される。つまり、処理ブロック９におけるバッファ部３１に複数枚の基板Ｗが載置されたときに、第１搬送機構ＨＴＲは、バッファ部３１から複数枚の基板Ｗを一括して取り出し、取り出した複数枚の基板ＷをキャリアＣへ一括して収納する。
　ステップＳ１８：搬送機構１９は、キャリアＣを載置台１７まで搬送し、キャリアＣが載置台１７から取り外される。この様にして、本例に係る基板処理装置１による基板処理は終了となる。
　以上のように、本例によれば、第１搬送機構ＨＴＲとセンターロボットＣＲの両方が基板Ｗを受け渡し可能なバッファ部３１が枚葉処理領域Ｒ２に設けられている。したがって、第１搬送機構ＨＴＲは、バッファ部３１を介して枚葉処理領域Ｒ２から基板Ｗを一括して受け取ることができる。また、センターロボットＣＲは、枚葉液処理チャンバＳＷＰ１，枚葉液処理チャンバＳＷＰ２，　枚葉乾燥処理チャンバＳＷＰ３で処理された基板Ｗを１枚ずつバッファ部３１へ受け渡しすることができる。この様に構成すれば、キャリアＣに対する基板Ｗの出し入れは第１搬送機構ＨＴＲにより一括に行われる。したがって、第１搬送機構ＨＴＲの潜在力が引き出され、スループットの高い基板処理装置１が提供できる。また、本発明によれば、処理ブロック９におけるバッチ処理領域Ｒ１において、水中姿勢変換部２５が基板Ｗに所定の処理を行う各バッチ処理槽より移載ブロック７から離れた位置に配置されているので、バッチ処理を施された複数枚の基板Ｗは、水中姿勢変換部２５に向かうときに、移載ブロック７から離れる方向に搬送される。そして、水中姿勢変換部２５により姿勢変換された複数枚の基板Ｗは、枚葉処理が施される際に、移載ブロック７に近づく方向に搬送される。この様に、処理ブロック９内で基板Ｗを移載ブロック７から遠ざかる方向に搬送しながらバッチ処理を行い、その後、移載ブロック７に近づけるように搬送しながら枚葉処理を行うように構成すれば、処理ブロック９における基板Ｗの往復は一度だけで済み、基板Ｗの搬送距離が短くスループットの高い基板処理装置１が提供できる。
　また、水中姿勢変換部２５において水平姿勢に姿勢変換された基板Ｗは、枚葉液処理チャンバＳＷＰ１，枚葉液処理チャンバＳＷＰ２に近い位置に配置される。枚葉液処理チャンバＳＷＰ１，枚葉液処理チャンバＳＷＰ２は、枚葉乾燥処理チャンバＳＷＰ３よりも移載ブロック７よりも離れた位置にある。一方、水中姿勢変換部２５は、移載ブロック７から最も離れた位置にある。これらのことからすれば、枚葉液処理チャンバＳＷＰ１，枚葉液処理チャンバＳＷＰ２は、枚葉乾燥処理チャンバＳＷＰ３と比べて水中姿勢変換部２５に近い位置にあることになる。この様に構成すれば、バッチ処理領域Ｒ１から枚葉処理領域Ｒ２まで基板Ｗを１枚ずつ搬送するときの距離が短くなる。従って、本例の構成によれば、スループットが高く、予期しない基板Ｗの乾燥が防止される。また、基板Ｗが水中姿勢変換部２５から搬出され、枚葉液処理チャンバＳＷＰ１，枚葉液処理チャンバＳＷＰ２に搬入されるまでの時間が短くなり、搬送中に生じる基板Ｗの汚染を極力防ぐことができる。
　続いて実施例２に係る基板処理装置２について説明する。本例に係る基板処理装置２は、枚葉処理をバッチ式処理よりも先に行う点で実施例１の装置と異なる。具体的な基板処理の流れについては後述する。
　図９は、基板処理装置２の全体構成について説明している。基板処理装置２における搬入出ブロック３と、ストッカーブロック５と、移載ブロック７については実施例１の装置と同様である。また、処理ブロック９における枚葉基板搬送領域Ｒ３にセンターロボットＣＲが設けられている点、バッチ基板搬送領域Ｒ４に第２搬送機構ＷＴＲが設けられている点についても、実施例１の装置と同様である。本例の装置は、処理ブロック９におけるバッチ処理領域Ｒ１，枚葉処理領域Ｒ２に特徴がある。
　＜バッチ処理領域＞
　本例の処理ブロック９が有するバッチ処理領域Ｒ１には、第１バッチ処理ユニットＢＰＵ１，第２バッチ処理ユニットＢＰＵ２，第３バッチ処理ユニットＢＰＵ３，水中姿勢変換部２５がこの順に移載ブロック７から遠ざかる方向（前後方向：Ｘ方向）に配列されている。第１バッチ処理ユニットＢＰは、ロットを構成する複数枚の基板Ｗを一括して乾燥させるバッチ乾燥チャンバＤＣを有し、第２バッチ処理ユニットＢＰＵ２は、上述のバッチリンス処理槽ＯＮＢおよびリフタＬＦ２を有し、第３バッチ処理ユニットＢＰＵ３は、上述のバッチ薬液処理槽ＣＨＢおよびリフタＬＦ３を有する。バッチ乾燥チャンバＤＣは、バッチリンス処理槽ＯＮＢよりも移載ブロック７に近い位置にある。バッチリンス処理槽ＯＮＢは、バッチ薬液処理槽ＣＨＢよりも移載ブロック７に近い側にある。このように、実施例２の装置は、水中姿勢変換部２５が移載ブロック７に対し最も奥側に位置することについては実施例１の装置と共通する。しかし、実施例２の装置は、実施例１の装置と異なり、バッチ薬液処理槽ＣＨＢがバッチリンス処理槽ＯＮＢよりも移載ブロック７に対して奥側に位置している。基板Ｗの乾燥に関するバッチ乾燥チャンバＤＣがバッチリンス処理槽ＯＮＢよりも移載ブロック７に対して手前側に位置しているもの実施例２の特徴である。
　バッチ乾燥チャンバＤＣは、鉛直姿勢の基板Ｗが配列してなるロットを収容する乾燥チャンバを有する。乾燥チャンバには、不活性ガスをチャンバ内に供給する不活性ガス供給ノズルと、有機溶剤の蒸気を槽内に供給する蒸気供給ノズルを有する。バッチ乾燥チャンバＤＣは、チャンバ内に支持されているロットに対してまず不活性ガスを供給して、チャンバ内の雰囲気を不活性ガスに置き換える。そして、チャンバ内の減圧が開始される。チャンバ内が減圧されている状態で、有機溶剤の蒸気がチャンバ内に供給される。有機溶剤は、基板Ｗに付着した水分を伴ってチャンバ外に排出される。この様にして、バッチ乾燥チャンバＤＣは、ロットの乾燥を実行する。この時の不活性ガスは、例えば窒素でよく、有機溶剤は、例えばＩＰＡでよい。
　＜枚葉処理領域＞
　本例の処理ブロック９が有する枚葉処理領域Ｒ２には、バッファ部３１，基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉液処理チャンバＳＷＰ１～ＳＷＰ３がこの順に移載ブロック７から遠ざかる方向（前後方向：Ｘ方向）に配列されている。
　枚葉液処理チャンバＳＷＰ１～ＳＷＰ３は、レジスト除去に関する薬液処理が可能である。つまり、これら枚葉処理部が有するノズル３５は、純水に酸素およびオゾンが溶け込んだ液体を供給することができる。回転処理部３３により回転されている基板Ｗの表面に当該液体が供給されると、表面に成膜されたレジストが基板Ｗから除去される。レジストとしては、具体的には、ノボラック系ポジ型レジストでよい。枚葉液処理チャンバＳＷＰ１～ＳＷＰ３は、純水を基板Ｗに供給することもできる。純水が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに残留したレジストを基板Ｗから流出させることができる。なお、枚葉液処理チャンバＳＷＰ１～ＳＷＰ３は、バッチ式処理の前処理を行う構成であり、具体的な処理内容については特に限定されない。
　＜基板処理の流れ＞
　図１０は、本例の基板処理の流れを説明するフローチャートである。本例の基板処理は、例えば、半導体デバイス製造過程における基板Ｗ表面のレジスト除去に関する各処理を行うものである。以下、当該フローチャートに沿って基板処理の流れを具体的に説明する。
　ステップＳ２１：基板処理装置２に未処理の基板Ｗが導入される。具体的には、未処理の基板Ｗを収納するキャリアＣが装置の投入部１１における載置台１５にセットされる。その後、キャリアＣは、投入部１１から装置内に取り入れられて、搬送機構１９によりストッカーブロック５に設けられたキャリア載置棚２１ａに載置される（図１１参照）。
　ステップＳ２２：ロットがバッファ部３１に載置される。具体的には、移載ブロック７に設けられた第１搬送機構ＨＴＲがキャリアＣから水平姿勢となっている複数枚の基板Ｗを一括に取り出す。そして、第１搬送機構ＨＴＲは、複数枚の基板Ｗの姿勢を維持した状態でロットをバッファ部３１に載置する（図１１参照）。
　ステップＳ２３：枚葉式処理が行われる。具体的には、バッファ部３１に載置された水平姿勢の基板Ｗは、１枚ずつセンターロボットＣＲに把持されて、枚葉液処理チャンバＳＷＰ１～ＳＷＰ３のいずれかに搬入される。図１２は、当該ステップにおける基板Ｗの動きを説明している。図１２においては、基板Ｗは、枚葉液処理チャンバＳＷＰ１に搬送され、そこでレジスト除去に関する処理が行われる。レジストが除去された基板Ｗは、センターロボットＣＲにより水中姿勢変換部２５に搬送される。このときの水中姿勢変換部２５は、水平姿勢の基板Ｗを保持可能な姿勢で待機している。水中姿勢変換部２５のリフタＬＦ４は、基板Ｗを受け取ると、フルピッチ幅だけ下降して、受け取った基板Ｗを水中に没入させる。リフタＬＦ４は、センターロボットＣＲが基板Ｗを搬入する度にこの動作を繰り返す。その結果、リフタＬＦ４には、水平姿勢の基板Ｗがフルピッチで鉛直方向に配列される。以上のように、センターロボットＣＲは、バッファ部３１に載置された複数枚の基板Ｗを１枚ずつ、いずれかの枚葉液処理チャンバＳＷＰ１～ＳＷＰ３と水中姿勢変換部２５へその順に搬送する。
　ステップＳ２４：複数枚の基板Ｗが水平姿勢から鉛直姿勢へ一括して変換される。図１３は、基板処理の全過程の中の姿勢変換に関係する過程について説明している。水中姿勢変換部２５は、受け渡し位置にあるリフタＬＦ４が基板Ｗを１枚ずつ受け取り、その度にリフタＬＦ４がフルピッチに対応する距離だけ降下する。すると、基板Ｗは、順次、浸漬槽４３の液面下に位置する。このような動作を繰り返すと、ロットを構成する基板Ｗの全てが浸漬槽４３内にストックされる。１ロット分の基板Ｗが浸漬槽４３にストックされた後、姿勢変換機構４５がロットを水中で９０°回転させることにより、複数枚の基板Ｗの姿勢を水平姿勢から鉛直姿勢に変換する。このように、水中姿勢変換部２５は、１枚ずつ受け取った水平姿勢の基板Ｗを一括して鉛直姿勢に姿勢変換する。以上のように水中姿勢変換部２５は、水平姿勢の基板Ｗを１枚ずつ受け取る。受け取った基板Ｗが所定の枚数（例えば２５枚）になったときに、水平姿勢の複数枚の基板Ｗを鉛直姿勢に一括して姿勢変換する。姿勢変換される基板Ｗは、全て同じキャリアＣに収納されていたものである。
　ステップＳ２５：複数枚の基板Ｗのバッチ処理が行われる。具体的には、水中姿勢変換部２５で待機しているロットは、第２搬送機構ＷＴＲにより一括に鉛直方向（Ｚ方向）に持ち上げられた後、前後方向（Ｘ方向）に搬送される。鉛直姿勢の複数枚の基板Ｗは、幅方向（Ｙ方向）に配列された状態で第３バッチ処理ユニットＢＰＵ３のリフタＬＦ３に渡される。基板Ｗを受け取るリフタＬＦ３は、受け渡し位置にある。この様にして、ロットは、バッチ薬液処理槽ＣＨＢにおける液面上に位置される。ロットを受け取ったリフタＬＦ３は、降下してバッチ薬液処理槽ＣＨＢにロットを浸漬させる。この様にしてロットに対する薬液処理が実行される。
　薬液処理後、リンス処理に係る第２バッチ処理ユニットＢＰＵ２のバッチリンス処理槽ＯＮＢで洗浄処理がロットに対して実行される様子は、実施例１の装置と同様である。
　洗浄処理が終了すると、第２バッチ処理ユニットＢＰＵ２のリフタＬＦ２は、バッチリンス処理槽ＯＮＢからロットを液面上に露出させる。ロットは、その後、第２搬送機構ＷＴＲにより一括に鉛直方向（Ｚ方向）に持ち上げられた後、前後方向（Ｘ方向）に搬送される。鉛直姿勢となっている複数枚の基板Ｗは、幅方向（Ｙ方向）に配列された状態でバッチ乾燥チャンバＤＣに渡され、一括に乾燥処理される（図１４参照）。以上のように第２搬送機構ＷＴＲは、水中姿勢変換部２５において鉛直姿勢の複数枚の基板Ｗを一括して受け取り、受け取った複数枚の基板Ｗを第３バッチ処理ユニットＢＰＵ３，第２バッチ処理ユニットＢＰＵ２，バッチ乾燥チャンバＤＣへその順に搬送する。
　ステップＳ２６：基板Ｗの乾燥処理後に鉛直姿勢から水平姿勢に一括して姿勢変換される。具体的には、第１バッチ処理ユニットＢＰＵ１のバッチ乾燥チャンバＤＣに保持されたロットは、一括に第２搬送機構ＷＴＲで把持される。そして、ロットは、移載ブロック７における基板受け渡し位置Ｐに渡される。プッシャ機構２２は、基板受け渡し位置Ｐで待機している鉛直姿勢のロットをＨＶＣ姿勢変換部２０まで搬送する。ＨＶＣ姿勢変換部２０は、図１５に示すように複数枚の基板Ｗを鉛直姿勢から水平姿勢へ一括して姿勢変換する。すなわち、まず、図１５（ａ）に示すように、直上位置にあるプッシャ２２Ａが降下し、複数枚の基板Ｗを垂直保持部２０Ｃまで搬送する。垂直保持部２０Ｃには、Ｖ溝が設けられているので、プッシャ２２Ａに保持されている基板Ｗの各々は、Ｖ溝に挟持されて、保持される。そこからプッシャ２２Ａが更に下降すると、図１５（ｂ）に示すように、複数枚の基板Ｗは、プッシャ２２Ａから離れてＨＶＣ姿勢変換部２０に保持される。この状態から、ＨＶＣ姿勢変換部２０の支持台２０Ａが９０°逆回転すると、図１５（ｃ）に示すように、複数枚の基板ＷはＨＶＣ姿勢変換部２０が有する水平保持部２０Ｂの凹部に保持されて水平姿勢に変換される。
　ステップＳ２７：水平姿勢に変換された複数枚の基板ＷがキャリアＣに一括して収納される。具体的には、ＨＶＣ姿勢変換部２０に保持された水平姿勢の基板Ｗが配列されてなるロットは、第１搬送機構ＨＴＲに一括に受け取られ、ストッカーブロック５におけるキャリア載置棚２１ａに待機している空のキャリアＣに戻される。本例の基板処理は、キャリアＣと当該キャリアＣの内部のロットが対応づけられているので、キャリアＣから出庫したロットは、種々の処理をされた後、同じキャリアＣに戻る。ロットを収納したキャリアＣは、搬入出ブロック３の側壁に設けられている払出部１３まで移動される。
　ステップＳ２８：複数枚の基板Ｗが収納されたキャリアＣが装置から取り外される。この様にして、本例に係る基板処理装置２による基板処理は終了となる。
　以上のように本例によれば、第１搬送機構ＨＴＲとセンターロボットＣＲの両方が基板Ｗを受け渡し可能なバッファ部３１が枚葉処理領域Ｒ２に設けられている。したがって、第１搬送機構ＨＴＲは、バッファ部３１を介して枚葉処理領域Ｒ２へ基板Ｗを一括して受け渡しすることができる。また、センターロボットＣＲは、バッファ部３１から１枚ずつ取り出した基板Ｗを枚葉液処理チャンバＳＷＰ１～ＳＷＰ３に対して受け渡しすることができる。この様に構成すれば、キャリアＣに対する基板Ｗの出し入れは第１搬送機構ＨＴＲにより一括に行われる。したがって、第１搬送機構ＨＴＲの潜在力が引き出され、スループットの高い基板処理装置２が提供できる。また、本例において、枚葉処理を施された複数枚の基板Ｗは、水中姿勢変換部２５に向かうときに、移載ブロック７から離れる方向に搬送される。そして、水中姿勢変換部２５により姿勢変換された複数枚の基板Ｗは、バッチ処理が施される際に、移載ブロック７に近づく方向に搬送される。この様に、処理ブロック９内で基板Ｗを移載ブロック７から遠ざける方向に搬送しながら枚葉処理を行い、さらに、基板Ｗを移載ブロック７に近づけるように搬送しながらバッチ処理を行うように構成すれば、基板Ｗの往復は一度だけで済み、搬送距離が短くスループットの高い基板処理装置が提供できる。
　本発明は上述の構成に限られず下記の様な変形実施が可能である。
　＜変形例１＞
　実施例１におけるハーフピッチで配列された例えば５０枚の基板Ｗは、デバイス面が同じ方向を向くフェイストゥバック方式で配列されていたが、本発明はこの構成に限られず、例えば５０枚の基板Ｗをフェイストゥフェイスで配列される構成としてもよい。フェイストゥフェイスで５０枚の基板Ｗを配列させる利点としては、ロットにおける１番目の基板Ｗのデバイス面を２番目の基板Ｗに向けることができ、ロットにおける５０番目の基板Ｗのデバイス面を４９番目の基板Ｗに向けることができることである。こうして、ロット両端の基板Ｗのデバイス面が内側を向くようにすれば、基板Ｗのデバイス面が保護された状態でロットが搬送されることになる。従って、フェイストゥフェイス方式で基板Ｗを配列させれば、基板Ｗ上において所望の回路パターンを確実に形成できる。
　フェイストゥフェイス方式のロットの形成は、移載ブロック７におけるＨＶＣ姿勢変換部２０およびプッシャ機構２２が行う。当該ロットを形成するには、まず、水平姿勢となっている例えば２５枚の第１基板Ｗ１がＨＶＣ姿勢変換部２０により鉛直姿勢とされる。そして、姿勢変換された第１基板Ｗ１はプッシャ２２Ａにより取り上げられる。その後、第１基板Ｗ１が左右反転され、第１基板Ｗ１におけるデバイス面の反転が行われる。すると、ＨＶＣ姿勢変換部２０が水平姿勢となっている例えば２５枚の第２基板Ｗ２を鉛直姿勢とする。最後に、プッシャ２２Ａが第２基板Ｗ２を取り上げてロットを完成させる。このように、第１基板Ｗ１は反転されてロットに組み込まれる一方、第２基板Ｗ２は反転されずにロットに組み込まれる。従って、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との間でデバイス面の向きが異なっている。第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とは交互に配列されるから、生成されるロットは、隣り合う基板Ｗのデバイス面が向かい合わせとなったフェイストゥフェイス方式になる。
　以下、図１６を参照してロット形成に係る各過程について具体的に説明する。ロット形成過程のうち、プッシャ２２Ａが第１基板Ｗ１を取り上げる動作までは、実施例１における図３（ａ）～（ｃ）と同様であるので説明を省略する。図１６は、その後の動作について説明している。図１６（ａ）は、上述した図３（ｄ）に対応する図であり、プッシャ２２Ａが実施例１のようにＹ方向にシフトせず、その代わり、１８０°回転する様子を示している。この動作により、左方向を向いていた第１基板Ｗ１が有するデバイス面は、全て右方向を向く。また、このとき、第１基板Ｗ１の配列の位相がハーフピッチだけシフトする。このようなシフト動作を実現するために、プッシャ２２Ａの回転中心は、第１基板Ｗ１の配列における中心から配列方向にわずかに（ハーフピッチ幅の更に半分の幅だけ）ずらされている。
　図１６（ｂ）は、上述した図３（ｅ）に対応する図であり、第２基板Ｗ２を保持した支持台２０Ａが９０°回転されたときの様子を示している。このとき、水平姿勢となっている第２基板Ｗ２のデバイス面は上方向を向いていたので、当該デバイス面は、全て左方向を向くことになる。
　図１６（ｃ）は、上述した図３（ｆ）に対応する図であり、プッシャ２２Ａが再度直上位置まで移動したときの様子を示している。第１基板Ｗ１は、１８０°回転されることにより、配列の位相がハーフピッチだけシフトしているので、図３（ｆ）の場合と同様に、垂直保持部２０Ｃにより挟持されている第２基板Ｗ２は、第１基板Ｗ１と干渉しないでプッシャ２２Ａの上面の第１基板Ｗ１同士に挟まれた空の溝に収まる。こうして、デバイス面が右方向を向く第１基板Ｗ１と、デバイス面が左方向を向く第２基板Ｗ２とが交互に配列されたフェイストゥフェイス方式のロットが形成される。プッシャ機構２２は、形成されたロットを基板受け渡し位置Ｐまで搬送することができる。
　実施例１の場合、センターロボットＣＲが水中姿勢変換部２５へアクセスするときには、その度に水中姿勢変換部２５が基板Ｗを一括して１８０度回転させる。これにより、枚葉式処理を行うときに、いずれの基板Ｗについても回路パターンが形成されている面が上向きとなる。
　＜変形例２＞
　本発明に係る水中姿勢変換部２５は、水中で基板列の姿勢を変換していたが、本発明はこの構成に限られない。姿勢変換を空中で行うように姿勢変換部を構成するようにしてもよいし、基板Ｗに対して純水などの液を噴霧するシャワーを備えるように姿勢変換部を構成するようにしてもよい。
　＜変形例３＞
　本発明の装置は、一対のアームから構成されるハンドを有するセンターロボットＣＲが設けられていたが、これに代えて、２つのハンドを有するセンターロボットＣＲを設けるようにしてもよい。２つのハンドは、それぞれ上下に配列され、上側のハンドを乾燥処理後の基板搬送用としてよく、下側のハンドを乾燥処理前の基板搬送用としてよい。この様に構成することで、乾燥処理後の基板Ｗが濡れたハンドで把持されることがないので、基板Ｗの乾燥状態を確実に保つことができる。また、乾燥処理後の基板Ｗの搬送に係るハンドを乾燥処理前の基板Ｗの搬送に係るハンドよりも上側に配置することで、乾燥処理前の基板搬送に係るハンドに付着する液が乾燥処理後の基板搬送に係るハンドに垂れ落ちることがなく、乾燥処理後の基板搬送に係るハンドの乾燥状態を確実に保つことができる。
　＜変形例４＞
　上述の装置は、１つのセンターロボットＣＲを設ける構成となっていたが、図１７に示すように前後方向（Ｘ方向）に移動可能な複数のセンターロボットＣＲ１，ＣＲ２を備える構成としてもよい。この場合、センターロボットのうち、移載ブロック７から見て奥側に位置するセンターロボットＣＲ２を待避させるための待避領域ＥＳを処理ブロック９における枚葉基板搬送領域Ｒ３の奥側に設けるとよい。この様に構成することで、移載ブロック７から見て手前側に位置するセンターロボットＣＲ１を水中姿勢変換部２５や枚葉液処理チャンバＳＷＰ１に確実にアクセスさせることができる。すなわち、移載ブロック７から見て奥側に位置するセンターロボットＣＲ２を待避領域ＥＳに待避させれば、センターロボットＣＲ１を水中姿勢変換部２５や枚葉液処理チャンバＳＷＰ１まで確実に位置させることができる。このときのセンターロボットＣＲ２は、水中姿勢変換部２５等よりも更に奥側にあるから、センターロボットＣＲ１の動作の妨げとならない。また、センターロボットＣＲ１，ＣＲ２の一方を乾燥処理前の基板搬送用としてよく、他方を乾燥処理後の基板搬送用としてよい。このように構成すれば、乾燥処理前の基板Ｗを搬送するロボットとは別に乾燥処理後の基板Ｗを搬送するロボットが設けられているので、乾燥処理前の基板Ｗと、乾燥処理後の基板Ｗとを同時に搬送することができるので、基板処理装置のスループットが向上する。また、乾燥処理後の基板Ｗを搬送するロボットは、乾燥処理前の濡れた基板Ｗを把持することがないので、乾燥処理後の基板Ｗを搬送するロボットが濡れた状態で乾燥処理後の基板Ｗを搬送してしまうことがない。従って、この様に構成することで、基板Ｗの乾燥状態を確実に維持する基板処理装置が提供できる。
５　　　　ストッカーブロック
７　　　　移載ブロック
９　　　　処理ブロック
２０　　　ＨＶＣ姿勢変換部（第１姿勢変換機構）
２１ａ　　載置棚（キャリア載置棚）
２５　　　水中姿勢変換部（第２姿勢変換機構）
３１　　　バッファ部（基板載置部）
Ｃ　　　　キャリア
ＣＨＢ　　バッチ薬液処理槽（バッチ処理槽）
ＣＨＢ１　バッチ薬液処理槽（バッチ処理槽）
ＣＨＢ２　バッチ薬液処理槽（バッチ処理槽）
ＣＲ　　　センターロボット（枚葉基板搬送機構）
ＤＣ　　　バッチ乾燥チャンバ
ＨＴＲ　　第１搬送機構（基板ハンドリング機構）
ＯＮＢ　　バッチリンス処理槽（バッチ処理槽）
Ｐ　　　　基板受け渡し位置
Ｒ１　　　バッチ処理領域
Ｒ２　　　枚葉処理領域
Ｒ３　　　枚葉基板搬送領域
Ｒ４　　　バッチ基板搬送領域
ＳＷＰ３　枚葉乾燥処理チャンバ（枚葉処理チャンバ）
ＳＷＰ１　枚葉液処理チャンバ（枚葉処理チャンバ）
ＳＷＰ２　枚葉液処理チャンバ（枚葉処理チャンバ）
Ｗ　　　　基板
ＷＴＲ　　第２搬送機構（バッチ基板搬送機構）
 

Claims (6)

  1. 　複数枚の基板を一括して処理するバッチ処理と、基板を１枚ずつ処理する枚葉処理とを連続して行う基板処理装置であって、
    　ストッカーブロックと、前記ストッカーブロックに隣接する移載ブロックと、前記移載ブロックに隣接する処理ブロックとを備え、
    　前記ストッカーブロックは、複数枚の基板を水平姿勢で所定間隔を空けて鉛直方向に収納する少なくとも一つのキャリアを収容し、前記キャリアからの基板の出し入れのために前記キャリアが載置される少なくとも一つの基板取り出しおよび収納用のキャリア載置棚を備え、
    　前記移載ブロックは、前記キャリア載置棚に載置されたキャリアに対して複数枚の基板を一括して取り出しおよび収納する基板ハンドリング機構と、
    　複数枚の基板を一括して水平姿勢と鉛直姿勢とに亘って姿勢変換する第１姿勢変換機構とを備え、
    　前記処理ブロックは、
    　一端側が前記移載ブロックに隣接し、他端側が前記移載ブロックから離れる方向に延びるバッチ処理領域と、
    　一端側が前記移載ブロックに隣接し、他端側が前記移載ブロックから離れる方向に延びる枚葉処理領域と、
    　前記バッチ処理領域と前記枚葉処理領域との間に介在して、一端が前記移載ブロックに隣接し、他端側が前記移載ブロックから離れる方向に延びる枚葉基板搬送領域と、
    　前記バッチ処理領域に沿って設けられ、一端側が前記移載ブロックにまで延び、他端側が前記移載ブロックから離れる方向に延びるバッチ基板搬送領域とを備え、
    　前記バッチ処理領域には、その領域が延びる方向に複数枚の基板を一括して浸漬処理する複数個のバッチ処理槽が並び、更に、前記移載ブロックから最も離れた位置に複数枚の基板を一括して鉛直姿勢と水平姿勢に亘って姿勢変換する第２姿勢変換機構が設けられ、
    　前記枚葉処理領域には、その領域が延びる方向に基板を１枚ずつ処理する複数個の枚葉処理チャンバが並び、更に、前記移載ブロックに最も近い位置に複数枚の基板を水平姿勢で前記キャリアと同じ前記所定間隔を空けて鉛直方向に載置する基板載置部が設けられ、
    　前記枚葉基板搬送領域には、前記第２姿勢変換機構と前記枚葉処理チャンバと前記基板載置部との間で基板を搬送する枚葉基板搬送機構が設けられ、
    　前記バッチ基板搬送領域には、前記移載ブロック内に定められた基板受け渡し位置と前記バッチ処理槽と第２姿勢変換機構との間で複数枚の基板を一括して搬送するバッチ基板搬送機構が設けられ、
    　更に、前記移載ブロックの前記基板ハンドリング機構は、前記枚葉処理領域の前記基板載置部との間で複数枚の基板を一括して受け渡し可能に構成されていること
    　を特徴とする基板処理装置。
  2. 　請求項１に記載の基板処理装置において、
    　前記バッチ処理領域には、複数枚の基板を一括して薬液処理する薬液を収容するバッチ薬液処理槽と、薬液処理された複数枚の基板を一括してリンス処理するリンス液を収容するバッチリンス処理槽が備えられており、
    　前記バッチ薬液処理槽は、前記バッチリンス処理槽よりも前記移載ブロックに近い位置にあり、
    　前記枚葉処理領域には、基板を１枚ずつ液処理する枚葉液処理チャンバと、液処理された基板を１枚ずつ乾燥させる枚葉乾燥処理チャンバが備えられており、
    　前記枚葉乾燥処理チャンバは、前記枚葉液処理チャンバよりも前記移載ブロックに近い位置にあり、
    　前記移載ブロックにおいて、
    　　前記基板ハンドリング機構は、前記キャリアから複数枚の基板を一括して取り出し、
    　前記第１姿勢変換機構は、取り出された複数枚の基板を水平姿勢から鉛直姿勢に姿勢変換し、
    　前記処理ブロックにおいて、
    　前記バッチ基板搬送機構は、前記移載ブロックの前記基板受け渡し位置で鉛直姿勢の複数枚の基板を一括して受け取り、受け取った複数枚の基板を前記バッチ薬液処理槽、前記バッチリンス処理槽、前記第２姿勢変換機構へその順に搬送し、
    　前記第２姿勢変換機構は、受け取った鉛直姿勢の複数枚の基板を水平姿勢に姿勢変換し、
    　前記枚葉基板搬送機構は、前記第２姿勢変換機構で水平姿勢に変換された基板を１枚ずつ前記枚葉液処理チャンバ、前記枚葉乾燥処理チャンバ、前記基板載置部へその順に搬送し、
    　前記移載ブロックにおいて、
    　前記処理ブロックにおける前記基板載置部に複数枚の基板が載置されたときに、前記基板ハンドリング機構は、前記基板載置部から複数枚の基板を一括して取り出し、取り出した複数枚の基板を前記キャリアへ一括して収納する
    　ことを特徴とする基板処理装置。
  3. 　請求項１に記載の基板処理装置において、
    　前記枚葉処理領域には、基板を１枚ずつ液処理する枚葉液処理チャンバが備えられており、
    　前記バッチ処理領域には、複数枚の基板を一括して薬液処理する薬液を収容するバッチ薬液処理槽と、薬液処理された複数枚の基板を一括してリンス処理するリンス液を収容するバッチリンス処理槽と、リンス処理された複数枚の基板を一括して乾燥処理するバッチ乾燥チャンバが備えられており、
    　前記バッチ乾燥チャンバは、前記バッチリンス処理槽よりも前記移載ブロックに近い位置にあり、
    　前記バッチリンス処理槽は、前記バッチ薬液処理槽よりも前記移載ブロックに近い側にあり、
    　前記移載ブロックにおいて、
    　　前記基板ハンドリング機構は、複数枚の基板を前記キャリアから一括して取り出して前記処理ブロックにおける前記基板載置部に載置し、
    　前記処理ブロックにおいて、
    　前記枚葉基板搬送機構は、前記基板載置部に載置された複数枚の基板を１枚ずつ前記枚葉液処理チャンバ、第２姿勢変換機構へその順に搬送し、
    　前記第２姿勢変換機構は、水平姿勢の複数枚の基板を受け取ったときに、水平姿勢の複数枚の基板を鉛直姿勢に姿勢変換し、
    　前記バッチ基板搬送機構は、前記第２姿勢変換機構において鉛直姿勢の複数枚の基板を一括して受け取り、受け取った複数枚の基板を前記バッチ薬液処理槽、前記バッチリンス処理槽、前記バッチ乾燥チャンバ、前記移載ブロックにおける前記基板受け渡し位置へその順に搬送し、
    　前記移載ブロックにおいて、
    　前記第１姿勢変換機構は、前記基板受け渡し位置で受け取った複数枚の基板を鉛直姿勢から水平姿勢に姿勢変換し、
    　前記基板ハンドリング機構は、水平姿勢の複数枚の基板を前記キャリアへ一括して収納する
    　ことを特徴とする基板処理装置。
  4. 　請求項２に記載の基板処理装置において、
    　前記枚葉乾燥処理チャンバは、超臨界流体により基板を乾燥させる
    　ことを特徴とする基板処理装置。
  5. 　請求項１に記載の基板処理装置において、
    　前記枚葉基板搬送機構は、乾燥処理前の基板を搬送する第１ハンドと、前記第１ハンドの上部に備えられた乾燥処理後の基板を搬送する第２ハンドを備える
    　ことを特徴とする基板処理装置。
  6. 　請求項１に記載の基板処理装置において、
    　前記枚葉基板搬送機構は、乾燥処理前の基板を搬送する第１ロボットと、乾燥処理後の基板を搬送する第２ロボットを備える
    　ことを特徴とする基板処理装置。
     
     
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