TW202324530A - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

基板處理方法及基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202324530A
TW202324530A TW111132433A TW111132433A TW202324530A TW 202324530 A TW202324530 A TW 202324530A TW 111132433 A TW111132433 A TW 111132433A TW 111132433 A TW111132433 A TW 111132433A TW 202324530 A TW202324530 A TW 202324530A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrates
sulfuric acid
ozone
gas
substrate
Prior art date
Application number
TW111132433A
Other languages
English (en)
Inventor
鈴木圭
鰍場真樹
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW202324530A publication Critical patent/TW202324530A/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

基板處理方法係包含有如下步驟：硫酸浸漬步驟，其使複數片基板浸漬於硫酸槽內之含硫酸液中；搬送步驟，其自上述硫酸槽取出複數片上述基板，而將複數片上述基板搬送至臭氧氣體處理單元；及臭氧暴露步驟，其使被搬送至上述臭氧氣體處理單元之複數片上述基板暴露於含臭氧氣體中。臭氧氣體處理單元亦可包含有：氣體處理室，其收容複數片基板。臭氧暴露步驟亦可包含有如下步驟：將自上述硫酸槽取出之複數片上述基板配置在上述氣體處理室內之處理空間，藉此使複數片上述基板暴露於含臭氧氣體中的步驟。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本申請案係基於2021年9月24日提出之日本專利特願2021-155177號而主張優先權，該申請案之全部內容係藉由引用而被編入本文。
本發明係關於處理基板之基板處理方法、及處理基板之基板處理裝置。於作為處理對象之基板中，例如包含有半導體晶圓、液晶顯示裝置及有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。
US 2014/0045339 A1所揭示之基板處理裝置中，在配管內對硫酸供給臭氧氣體而使臭氧溶解於硫酸，以形成硫酸臭氧。藉由將硫酸與臭氧混合，而生成過氧二硫酸(S 2O 8 2-)，來作為活性種(etchant，蝕刻劑)。
在US 2014/0045339 A1之基板處理裝置中，硫酸臭氧係於硫酸臭氧供給配管中流通而流入水混合部與水混合，藉此形成硫酸臭氧/水混合液。硫酸臭氧/水混合液係自硫酸臭氧/水噴嘴朝向基板吐出。一面使基板旋轉，一面對基板之表面供給硫酸臭氧/水混合液，藉此將基板表面之抗蝕劑除去。
在US 2014/0045339 A1所揭示之基板處理裝置中，藉由因將水混合於硫酸臭氧所生成之稀釋熱，而使硫酸臭氧/水混合液之溫度變得較混合前之硫酸臭氧的溫度更高。因此，即便使用較低溫之硫酸臭氧來作為混合前之硫酸臭氧，仍可將除去抗蝕劑所需要之溫度的硫酸臭氧/水混合液供給至基板之表面。此外，藉由將混合前之硫酸臭氧設為較低溫，而可使臭氧氣體大量地溶解於混合前之硫酸臭氧中。
然而，在US 2014/0045339 A1之裝置中，藉由將硫酸臭氧與水混合，而使具有氧化力之過氧二硫酸的濃度降低。因此，有無法獲得充分氧化力之虞。
於此，本發明之一實施形態提供一種基板處理方法及基板處理裝置，其可迅速且充分地自基板除去抗蝕劑等有機膜。
本發明之一實施形態提供一種基板處理方法，其包含有如下步驟：硫酸浸漬步驟，其使複數片基板浸漬於硫酸槽內之含硫酸液中；搬送步驟，其自上述硫酸槽取出複數片上述基板，而將複數片上述基板搬送至臭氧氣體處理單元；及臭氧暴露步驟，其使被搬送至上述臭氧氣體處理單元之複數片上述基板暴露於含臭氧氣體中。
根據該方法，藉由臭氧氣體處理單元，而使同時被浸漬於含硫酸液的複數片基板暴露於含臭氧氣體中。藉此，使含臭氧氣體中之臭氧溶解於自含硫酸液取出之複數片基板上所附著的含硫酸液中，而可於含硫酸液中產生過氧二硫酸。
其結果，可迅速且充分地自基板除去抗蝕劑等有機膜。
含臭氧氣體係含有氣體狀之臭氧(臭氧氣體)，含硫酸液係含有硫酸。含硫酸液例如為硫酸水溶液。
在本發明之一實施形態中，上述臭氧氣體處理單元包含有：氣體處理室，其收容複數片上述基板。上述臭氧暴露步驟包含有如下步驟：將自上述硫酸槽取出之複數片上述基板配置在上述氣體處理室內之處理空間，藉此使複數片上述基板暴露於含臭氧氣體中的步驟。
根據該方法，可在處理空間內使複數片基板大致同時地暴露於含臭氧氣體中。因此，可進一步迅速且充分地自基板除去有機膜。
在本發明之一實施形態中，上述臭氧暴露步驟包含有如下步驟：從在區分上述處理空間之壁部開口的複數個供給孔對上述處理空間供給含臭氧氣體，經由在上述壁部開口的複數個排氣孔而將上述處理空間加以排氣，藉此使配置在上述處理空間之複數片上述基板暴露於含臭氧氣體中的步驟。
根據該方法，從在區分處理空間之壁部開口的複數個供給孔對處理空間供給含臭氧氣體，經由在壁部開口的複數個排氣孔而將處理空間加以排氣。因此，即便為與基板上的含硫酸液接觸之環境氣體中的臭氧溶解於含硫酸液中，藉此使該環境氣體中的臭氧被消耗之情況下，仍可藉由被供給至處理空間之含臭氧氣體，而對與附著於基板之含硫酸液接觸的環境氣體供給臭氧。因此，可將與基板上的含硫酸液接觸之環境氣體中的臭氧之濃度維持在足夠高之狀態。故而，可於基板上之含硫酸液中產生過氧二硫酸。
在本發明之一實施形態中，於上述氣體處理室中，分別由複數個上述供給孔構成之複數個供給孔列係排列於既定之排列方向上。而且，上述臭氧暴露步驟包含有如下步驟：以使複數片上述基板排列在上述排列方向上，且使各上述基板位在上述供給孔列彼此之間之方式，將複數片上述基板配置在上述處理空間的步驟。
根據該方法，來自各供給孔列之含臭氧氣體係被供給至基板彼此之間。因此，可將臭氧充分地供給至與各基板上之含硫酸液接觸的環境氣體中，而可使臭氧充分地溶解於各基板上之含硫酸液中。其結果，可減低基板間之有機膜的除去不均勻。
在本發明之一實施形態中，上述硫酸浸漬步驟包含有：鉛直浸漬步驟，其將鉛直姿勢的複數片上述基板浸漬於上述硫酸槽內之含硫酸液中。上述基板處理方法進而包含有：姿勢變更步驟，其將自上述硫酸槽取出之複數片上述基板的姿勢自鉛直姿勢變更為水平姿勢。而且，上述臭氧暴露步驟包含有：水平暴露步驟，其使水平姿勢的複數片上述基板暴露於含臭氧氣體中。
根據該方法，可將複數片基板以鉛直姿勢浸漬於含硫酸液中。因此，可使複數片基板在大致相同之時間點浸漬於含硫酸液中。此外，根據該方法，於將複數片基板之姿勢自鉛直姿勢變更為水平姿勢之後，將複數片基板暴露於含臭氧氣體中。因此，對附著於鉛直姿勢的基板上之含硫酸液因本身重量而朝下方移動之情形，可抑制因該情形而導致基板上各位置之含硫酸液的厚度不均勻。故而，可減低基板上各位置之有機膜的除去不均勻。
在本發明之一實施形態中，上述基板處理方法進而包含有：基板旋轉步驟，其係於上述姿勢變更步驟之後，且在上述臭氧暴露步驟中使複數片上述基板暴露於含臭氧氣體中之前，使複數片上述基板繞著通過水平姿勢之複數片上述基板的中心部之鉛直軸線旋轉。
因此，可自基板上除去多餘的含硫酸液，而使基板上各位置之含硫酸液的厚度均勻性提升。藉此，可提高基板上各位置之含硫酸液中之臭氧濃度的均勻性。其結果，可減低基板上各位置之有機膜的除去不均勻。
在本發明之一實施形態中，上述處理空間配置在上述硫酸槽之正上方。而且，上述搬送步驟包含有如下步驟：藉由將複數片上述基板自上述硫酸槽中拉起，而將複數片上述基板配置在上述處理空間的步驟。
根據該方法，可藉由自硫酸槽中拉起複數片基板之一方向的移動，而使複數片基板自硫酸槽朝處理空間移動。因此，可於使含硫酸液附著於複數片基板之後，使複數片基板迅速地暴露於含臭氧氣體中。故而，可迅速地自基板除去有機膜。
本發明之其他實施形態係提供一種基板處理裝置，其包含有：硫酸槽，其貯存可浸漬複數片基板之含硫酸液；臭氧氣體處理單元，其使複數片基板暴露於含臭氧氣體中；及搬送單元，其在上述硫酸槽及上述臭氧氣體處理單元之間搬送複數片基板。
根據該裝置，藉由臭氧氣體處理單元，而使一起被浸漬於含硫酸液的複數片基板暴露於含臭氧氣體中。藉此，使含臭氧氣體中之臭氧溶解於自含硫酸液取出之複數片基板上所附著的含硫酸液中，而可於附著在複數片基板之含硫酸液中產生過氧二硫酸。
其結果，可迅速且充分地自基板除去抗蝕劑等有機膜。
在本發明之其他實施形態中，上述臭氧氣體處理單元包含有：氣體處理室，其具有可收容複數片基板之處理空間，而使被收容在上述處理空間之複數片上述基板暴露於含臭氧氣體中。
根據該裝置，可在處理空間內使複數片基板大致同時地暴露於含臭氧氣體中。因此，可進一步迅速且充分地自基板除去有機膜。
在本發明之其他實施形態中，上述氣體處理室係具有：壁部，其區分上述處理空間；複數個供給孔，其在上述壁部開口，而對上述處理空間供給含臭氧氣體；及複數個排氣孔，其在上述壁部開口，而將上述處理空間加以排氣。
根據該裝置，從在區分處理空間之壁部開口的複數個供給孔對處理空間供給含臭氧氣體，經由在壁部開口的複數個排氣孔而將處理空間加以排氣。因此，即便為與基板上的含硫酸液接觸之環境氣體中的臭氧溶解於含硫酸液中，藉此使該環境氣體中的臭氧被消耗之情況下，仍可藉由被供給至處理空間之含臭氧氣體，而對與附著於基板之含硫酸液接觸的環境氣體供給臭氧。因此，可將與基板上的含硫酸液接觸之環境氣體中的臭氧之濃度維持在足夠高之狀態。故而，可於基板上之含硫酸液中充分地產生過氧二硫酸。
在本發明之其他實施形態中，上述氣體處理室係具有：複數個供給孔列，其等係分別由複數個上述供給孔構成，且其等係排列於既定之排列方向上。而且，上述搬送單元係一面以排列於上述排列方向上之方式支撐複數片上述基板，一面以使各上述基板位在上述供給孔列彼此之間之方式將複數片上述基板搬入至上述氣體處理室。
根據該裝置，搬送單元係以使各基板位在供給孔列彼此之間之方式將複數片基板搬入至處理空間。因此，可將自各供給孔列供給之含臭氧氣體供給至基板彼此之間。故而，可將臭氧充分地供給至與各基板上之含硫酸液接觸的環境氣體中，而可使臭氧充分地溶解於各基板上之含硫酸液中。其結果，可減低基板間之有機膜的除去不均勻。
在本發明之其他實施形態中，上述硫酸槽可將鉛直姿勢的複數片基板浸漬於含硫酸液中。上述處理空間可收容水平姿勢的複數片基板。而且，上述搬送單元包含有：姿勢切換機構，其將複數片基板的姿勢在鉛直姿勢及水平姿勢之間切換。
根據該裝置，可將複數片基板以鉛直姿勢浸漬於含硫酸液中。因此，可使複數片基板在大致相同之時間點浸漬於含硫酸液中。此外，藉由搬送單元之姿勢切換機構，而將複數片基板之姿勢自鉛直姿勢變更為水平姿勢之後，只要將複數片基板搬送至氣體處理室，即可使水平姿勢的複數片基板暴露於含臭氧氣體中。因此，對附著於鉛直姿勢的基板上之含硫酸液因本身重量而朝下方移動之情形，可抑制因該情形而導致基板上各位置之含硫酸液的厚度不均勻。故而，可減低基板上各位置之有機膜的除去不均勻。
在本發明之其他實施形態中，上述搬送單元包含有：搬送機器人，其具有支撐複數片基板之升降機。上述姿勢切換機構係藉由使上述升降機變形，而使複數片基板的姿勢在鉛直姿勢及水平姿勢之間切換。
根據該裝置，於使鉛直姿勢的複數片基板浸漬於硫酸槽內之含硫酸液中之後，可使搬送機器人之升降機變形而將複數片基板的姿勢自鉛直姿勢變更為水平姿勢。而且，可使水平姿勢的複數片基板在氣體處理室內暴露於含臭氧氣體中。如此，使用單一個機器人而使複數片基板的姿勢變更，可將複數片基板自硫酸槽搬送至氣體處理室。由於可省略基板在機器人間之交接，因而可迅速地自基板除去有機膜。
在本發明之其他實施形態中，上述處理空間配置在上述硫酸槽之正上方。而且，上述搬送單元係藉由一面支撐複數片上述基板一面上下移動，而在上述氣體處理室與上述硫酸槽之間搬送複數片上述基板。
根據該裝置，搬送單元係藉由一面支撐複數片上述基板一面上下移動，而在氣體處理室與硫酸槽之間搬送複數片基板。因此，可藉由自硫酸槽中拉起複數片基板之一方向的移動，而使複數片基板自硫酸槽朝處理空間移動。因此，可於使含硫酸液附著於複數片基板之後，使複數片基板迅速地暴露於含臭氧氣體中。故而，可迅速地自基板除去有機膜。
在本發明之其他實施形態中，上述基板處理裝置進而包含有：蓋構件，其將上述硫酸槽之內部及上述處理空間加以區隔，並開閉上述硫酸槽。因此，可抑制含臭氧氣體溶解於貯存在硫酸槽之含硫酸液中的情形。因此，可抑制於對接下來之複數片基板的處理中，在含臭氧氣體朝處理空間之供給開始前即自基板除去有機膜之情形。故而，可抑制過氧二硫酸所進行之處理期間之不均勻。
在本發明之其他實施形態中，上述搬送單元包含有：第一搬送機器人，其將鉛直姿勢的複數片基板搬送至上述硫酸槽；第二搬送機器人，其將水平姿勢的複數片基板搬送至上述氣體處理室；及主搬送機器人，其在上述第一搬送機器人及上述第二搬送機器人之間搬送複數片基板。上述姿勢切換機構係將由上述主搬送機器人所搬送之複數片上述基板的姿勢在水平姿勢及鉛直姿勢之間進行切換。
根據該裝置，複數片基板朝硫酸槽之搬送、複數片基板朝氣體處理室之搬送、及複數片基板之姿勢變更係分別由不同機器人進行。因此，可抑制各機器人之構成複雜化。
在本發明之其他實施形態中，上述第二搬送機器人係將水平姿勢的複數片基板搬送至上述氣體處理室，使複數片上述基板在上述氣體處理室內繞著通過水平姿勢之複數片基板的中心部之鉛直軸線旋轉。
根據該裝置，可在氣體處理室內使複數片基板旋轉，而自基板上除去多餘的含硫酸液。藉由利用基板之旋轉除去含硫酸液，而可使基板上各位置之含硫酸液的厚度均勻性提升。藉此，可提高基板上各位置之含硫酸液中之臭氧濃度的均勻性。其結果，可減低基板上各位置之有機膜的除去不均勻。
在本發明之其他實施形態中，進而包含有：加熱處理室，其加熱複數片基板。上述搬送單元進而包含有：第三搬送機器人，其將水平姿勢的複數片基板搬送至上述加熱處理室，在上述加熱處理室內使複數片上述基板繞著通過水平姿勢之複數片基板的中心部之鉛直軸線旋轉。而且，上述主搬送機器人係在上述硫酸槽、上述氣體處理室及上述加熱處理室之間搬送複數片基板。
根據該裝置，使複數片基板在加熱處理室內旋轉，而可自基板上除去多餘的含硫酸液。藉由利用基板之旋轉除去含硫酸液，而可使基板上各位置之含硫酸液的厚度均勻性提升。
由於多餘的含硫酸液自基板之除去係在加熱處理室進行，因此可一面除去含硫酸液一面加熱複數片基板。只要經由主搬送機器人及第二搬送機器人而將已加熱之複數片基板朝氣體處理室搬送，即可除去多餘的含硫酸液，且使已加熱之複數片基板暴露於含臭氧氣體中。藉此，可提高基板上各位置之含硫酸液中之臭氧濃度的均勻性，且可提高過氧二硫酸的活性。其結果，可進一步減低基板上各位置之有機膜的除去不均勻。
本發明中之上述或進而其他目的、特徵及效果係參照添附圖式而藉由如下所述之實施形態的說明即可明瞭。
＜第一實施形態之基板處理裝置的構成＞ 圖1係表示本發明之一實施形態的基板處理裝置1之配置的圖解性俯視圖。
基板處理裝置1係將複數片基板W一起加以處理之批次式裝置。基板處理裝置1包含有：裝載埠LP，其搬送收容半導體晶圓等圓板狀之基板W的載具C；複數個處理單元2，其等係以處理流體對自裝載埠LP搬送之基板W進行處理；搬送單元3，其在裝載埠LP與複數個處理單元2之間搬送基板W；及控制器4，其控制基板處理裝置1。
詳細內容如後所述，處理流體包含有處理液及處理氣體。處理液包含有藥液、沖洗液、含硫酸液、親水化液等。處理氣體包含有含臭氧氣體、置換氣體、加熱氣體等。
複數個處理單元2包含有：複數個批次式液體處理單元，其等係以處理液對複數片基板W進行處理；及批次式氣體處理單元，其係以處理氣體對複數片基板W進行處理。
複數個液體處理單元包含有：硫酸處理單元5，其係以含硫酸液對複數片基板W進行處理；第一沖洗處理單元7，其係以沖洗液對複數片基板W進行沖洗；藥液處理單元8，其係以藥液對複數片基板W進行處理；及第二沖洗處理單元9，其係以沖洗液對複數片基板W進行沖洗。氣體處理單元包含有：臭氧氣體處理單元6，其係以含臭氧氣體對複數片基板W進行處理。
含硫酸液例如為硫酸水溶液。硫酸水溶液含有硫酸(H 2SO 4)與水(H 2O)。硫酸水溶液例如為稀硫酸或濃硫酸。含硫酸液亦可含有硫酸及水以外之物質。含硫酸液亦可藉由將硫酸與DIW(去離子水)等水混合而形成。
含臭氧氣體可為臭氧氣體，亦可為臭氧氣體與臭氧氣體以外之氣體的混合氣體。臭氧氣體以外之氣體例如為惰性氣體。含臭氧氣體所含有之惰性氣體例如可為氮氣、稀有氣體、或該等氣體的混合氣體。稀有氣體例如為氬氣。置換氣體例如為惰性氣體、空氣或該等氣體的混合氣體。
沖洗液並不限於DIW，亦可為DIW、碳酸水、電解離子水、稀釋濃度(例如1ppm以上且100ppm以下)之鹽酸水、稀釋濃度(例如1ppm以上且100ppm以下)之氨水、或還原水(氫水)。第一沖洗處理單元7中使用之沖洗液及第二沖洗處理單元9中使用之沖洗液亦可互不相同。
藥液例如為氨過氧化氫混合液(APM液，Ammonia Hydrogen-peroxide mixture)、氫氟酸等。
成為基板處理裝置1之處理對象的基板W例如為自主表面露出有抗蝕劑等有機膜之基板。
搬送單元3包含有：載具搬送裝置15，其係於裝載埠LP與處理單元2之間搬送載具C，而收容複數個載具C；及姿勢切換機器人16，其係對於被載具搬送裝置15保持之載具C進行複數片基板W之搬入及搬出，而將基板W的姿勢在水平姿勢及鉛直姿勢之間進行切換。
「將複數片基板W的姿勢在鉛直姿勢與水平姿勢之間進行切換」係指，可將各基板W的姿勢自鉛直姿勢切換為水平姿勢，且可將各基板W的姿勢自水平姿勢切換為鉛直姿勢。
水平姿勢係基板W之主表面成為水平面的姿勢。鉛直姿勢係基板W之主表面成為鉛直面的姿勢。鉛直姿勢亦稱為立起姿勢。
姿勢切換機器人16係除了姿勢切換動作以外，還進行：批次組成動作，其係以自複數個載具C取出之複數片(例如50片)基板W形成一個批次；及批次解除動作，其係將一個批次所含之複數片基板W收容在複數個載具C。
搬送單元3進而包含有：主搬送機器人17，其係在姿勢切換機器人16與複數個處理單元2之間搬送一批次的基板W；及複數個副搬送機器人18，其係在主搬送機器人17與複數個處理單元2之間搬送一批次的基板W。
複數個副搬送機器人18包含有：第一副搬送機器人18A，其係在硫酸處理單元5、臭氧氣體處理單元6及第一沖洗處理單元7之間搬送一批次的基板W；及第二副搬送機器人18B，其係在藥液處理單元8及第二沖洗處理單元9之間搬送複數片基板W。
主搬送機器人17係自姿勢切換機器人16接收一批次的基板W。主搬送機器人17係將自姿勢切換機器人16接收之一批次的基板W交給第一副搬送機器人18A及第二副搬送機器人18B，並接收被第一副搬送機器人18A及第二副搬送機器人18B支撐之一批次的基板W。
複數個處理單元2進而包含有：乾燥處理單元10，其使複數片基板W乾燥；及洗淨處理單元11，其將主搬送機器人17加以洗淨。主搬送機器人17可進而將一批次的基板W搬送至乾燥處理單元10。
第一副搬送機器人18A係在硫酸處理單元5、臭氧氣體處理單元6、及第一沖洗處理單元7之間搬送自主搬送機器人17接收之一批次的基板W。同樣地，第二副搬送機器人18B係在藥液處理單元8與第二沖洗處理單元9之間搬送自主搬送機器人17接收之一批次的基板W。
圖2係用以說明基板處理裝置1之主要部分之構成例的圖解性立面圖。
硫酸處理單元5包含有：硫酸槽20，其貯存供一批次的基板W浸漬之含硫酸液；及硫酸處理腔室21，其收容硫酸槽20。硫酸槽20係向上開放，硫酸處理腔室21係具有可開閉之上端部21a。
第一沖洗處理單元7包含有：沖洗液槽30，其貯存供一批次的基板W浸漬之沖洗液；及沖洗處理腔室31，其收容沖洗液槽30。沖洗液槽30係向上開放，沖洗處理腔室31係具有可開閉之上端部31a。
臭氧氣體處理單元6包含有：氣體處理室40，其使一批次的基板W暴露於含臭氧氣體中。氣體處理室40係具有可收容一批次基板W之處理空間40a，而使被收容在處理空間40a之一批次的基板W暴露於含臭氧氣體中。
臭氧氣體處理單元6包含有：臭氧供給流路41，其對氣體處理室40供給含臭氧氣體；臭氧氣體閥42，其開閉臭氧供給流路41；置換氣體供給流路43，其對氣體處理室40供給置換氣體；置換氣體閥44，其開閉置換氣體供給流路43；排氣流路45，其將氣體處理室40內之環境氣體排出；及排氣閥46，其開閉排氣流路45。
雖未圖示，但臭氧氣體閥42包含有：閥身，其於內部設有閥座；閥體，其開閉閥座；及致動器，其使閥體在開位置與閉位置之間移動。其他閥亦具有相同構成。
臭氧供給流路41例如由配管構成。置換氣體供給流路43例如由配管構成。排氣流路45例如由配管構成。
臭氧氣體處理單元6包含有：臭氧流路加熱器47，其加熱臭氧供給流路41內之含臭氧氣體。亦可為，臭氧氣體處理單元6包含有：臭氧處理室加熱器(未圖示)，其加熱氣體處理室40。臭氧流路加熱器47及臭氧處理室加熱器係對臭氧供給流路41內之含臭氧氣體及氣體處理室40內之含臭氧氣體之至少一者進行加熱的臭氧加熱單元之一例。
氣體處理室40係具有區分處理空間40a之壁部48。壁部48係具有可開閉之上壁部48u、底壁部48b、連結上壁部48u及底壁部48b之側壁部48s。上壁部48u為可開閉。側壁部48s係於俯視下呈多角形狀或圓弧形狀。
氣體處理室40係具有：複數個供給孔49A，其在側壁部48s開口，而將自臭氧供給流路41供給之含臭氧氣體供給至處理空間40a；及複數個排氣孔49B，其在側壁部48s開口，而將處理空間40a內之環境氣體加以排出。複數個供給孔49A係於側壁部48s上設置在與複數個排氣孔49B對向之位置。複數個供給孔49A亦可將自置換氣體供給流路43供給之置換氣體供給至處理空間40a。供給孔49A係設置有與排氣孔49B相同之數量。供給孔49A及排氣孔49B例如均為圓形孔(參照後述之圖7)。
第一副搬送機器人18A搬送鉛直姿勢之一批次的基板W。第一副搬送機器人18A可將一批次的基板W搬送至硫酸處理單元5之硫酸槽20，而使一批次的基板W以鉛直姿勢浸漬於硫酸槽20內之含硫酸液中。第一副搬送機器人18A可將一批次的基板W搬送至臭氧氣體處理單元6之氣體處理室40，而將一批次的基板W以鉛直姿勢配置在氣體處理室40之處理空間40a。第一副搬送機器人18A可將一批次的基板W搬送至第一沖洗處理單元7之沖洗液槽30，而使一批次的基板W以鉛直姿勢浸漬於沖洗液槽30內之沖洗液中。
＜第一副搬送機器人之構成＞ 圖3係用以說明基板處理裝置1所具備的第一副搬送機器人18A之構成例的剖視圖。
第一副搬送機器人18A包含有：升降機50，其支撐一批次的基板W；升降機構51，其使升降機50升降；及滑動機構52，其使升降機50水平移動(滑動)。
升降機構51包含有：升降致動器(未圖示)，其產生使升降機50升降之驅動力。升降致動器例如為電動馬達或氣缸。升降機構51亦可包含有：動力傳遞機構(未圖示)，其將升降致動器之驅動力傳遞至升降機50。動力傳遞機構例如包含有滾珠螺桿機構、及齒條與齒輪機構之至少一者。
滑動機構52包含有：滑動致動器(未圖示)，其產生使升降機50於水平方向上移動之驅動力。滑動致動器例如為電動馬達或氣缸。滑動機構52亦可包含有：動力傳遞機構(未圖示)，其將滑動致動器之驅動力傳遞至升降機50。
升降機50並未特別限定，但例如具有以下之構成。升降機50包含有：複數個(例如三個)支撐部53(亦參照圖2)，其等係自下方支撐一批次的基板W；及連結部54，其連結於複數個支撐部53之一端。
各支撐部53係具有與基板W相同數量之支撐溝55。於圖3中僅圖示有三個支撐部53中之中央的支撐部53之支撐溝55。於各支撐部53中，複數個支撐溝55係以等間隔沿著一批次的基板W之排列方向(水平方向)設置。各基板W之周緣部係被收容於，在排列方向上位在相同位置之複數個支撐溝55。因此，升降機50可一面將一批次基板W的姿勢維持為鉛直姿勢，一面使一批次的基板W升降。
參照圖2，第一副搬送機器人18A之升降機50可在較氣體處理室40、硫酸處理腔室21及沖洗處理腔室31更上方於水平方向上移動。第一副搬送機器人18A之升降機50可藉由滑動機構52，而於位在硫酸處理腔室21正上方的第一上位置、位在氣體處理室40正上方的第二上位置、及位在沖洗處理腔室31正上方的第三上位置之間水平移動。
第一副搬送機器人18A之升降機50可藉由升降機構51，而於將一批次的基板W浸漬在硫酸槽20內之含硫酸液中的硫酸處理位置、及第一上位置之間升降。第一副搬送機器人18A之升降機50可藉由升降機構51，而於將一批次的基板W收容在處理空間40a之氣體處理位置、及第二上位置之間升降。第一副搬送機器人18A之升降機50可藉由升降機構51，而於將一批次的基板W浸漬在沖洗液槽30內之沖洗液中的沖洗處理位置、及第三上位置之間升降。
硫酸處理位置係鉛直姿勢之基板W的上端部位在較硫酸槽20內之含硫酸液的液面更下方之位置。沖洗處理位置係鉛直姿勢之基板W的上端部位在較沖洗液槽30內之沖洗液的液面更下方之位置。
＜基板處理裝置之電性構成＞ 圖4係用以說明基板處理裝置1之電性構成例的方塊圖。
控制器4具備有微電腦，且依據既定之程式而控制基板處理裝置1所具備的控制對象。更具體而言，控制器4係包含有處理器(CPU)4A、及存放有程式之記憶體4B，而構成為，藉由處理器4A執行程式而執行用在基板處理之各種控制處理。
特別是，控制器4控制載具搬送裝置15、姿勢切換機器人16、主搬送機器人17、及複數個副搬送機器人18、複數個處理單元2等之動作。各處理單元2所具備之閥及加熱器係由控制器4控制。
＜基板處理之一例＞ 圖5係用以說明由基板處理裝置1執行之基板處理之一例的流程圖。圖6A~圖6C係用以說明基板處理之執行中之基板處理裝置1之情況的示意圖。
在基板處理裝置1之基板處理中，例如，如圖5所示，執行硫酸浸漬步驟(步驟S1)、臭氧暴露步驟(步驟S2)、沖洗步驟(步驟S3)、及乾燥步驟(步驟S4)。以下，主要參照圖1、圖2及圖5，對於基板處理之詳細內容進行說明。並適宜地參照圖6A~圖6C。
主搬送機器人17係自姿勢切換機器人16接收由複數片基板W構成之一批次的基板W。主搬送機器人17係將自姿勢切換機器人16接收之一批次的基板W交給第一副搬送機器人18A。一批次的基板W係由第一副搬送機器人18A之升降機50所支撐。
於第一副搬送機器人18A自主搬送機器人17接收一批次的基板W之後，升降機50朝第一上位置移動(於圖6A中以兩點鏈線表示之位置)。亦可為，升降機50係於位在第一上位置時，自主搬送機器人17接收一批次的基板W。
升降機50係在支撐鉛直姿勢之一批次的基板W之狀態下，自第一上位置(圖6A中以兩點鏈線表示之位置)朝向硫酸處理位置(圖6A中以實線表示之位置)下降。藉此，如圖6A所示，一批次的基板W係以鉛直姿勢被浸漬在硫酸槽20內之含硫酸液中(硫酸浸漬步驟：步驟S1)。
其後，升降機50朝向第一上位置上升，藉此自硫酸槽20內之含硫酸液中取出一批次的基板W。升降機50係經由第一上位置而朝第二上位置(圖6B中以兩點鏈線表示之位置)移動。接著，升降機50係自第二上位置下降至氣體處理位置(圖6B中以實線表示之位置)。如此，執行第一搬送步驟(搬送步驟)，其係自硫酸槽20取出一批次的基板W，而將其搬送至氣體處理室40。
於升降機50位在氣體處理位置之狀態下，開啟臭氧氣體閥42及排氣閥46。藉此，排出氣體處理室40之處理空間40a內的環境氣體，並對處理空間40a供給含臭氧氣體。藉由將含臭氧氣體供給至處理空間40a，而使附著有含硫酸液之一批次的基板W暴露於含臭氧氣體中(臭氧暴露步驟：步驟S2，鉛直暴露步驟)。
藉由使附著有含硫酸液之基板W暴露於含臭氧氣體中，而使含臭氧氣體中之臭氧溶解於含硫酸液，以於含硫酸液中產生過氧二硫酸。藉由過氧二硫酸而可使自基板W露出之有機膜溶解於含硫酸液中。亦存在有該有機膜未完全地溶解於含硫酸液，而是自基板W上表面剝離的情形。
較佳為，藉由朝處理空間40a供給含臭氧氣體，而將處理空間40a內之環境氣體置換為含臭氧氣體，而使含臭氧氣體充滿於處理空間40a(含臭氧氣體充滿步驟)。只要含臭氧氣體充滿於處理空間40a，即可迅速且充分地於含硫酸液中產生過氧二硫酸。
含臭氧氣體之溫度例如在50℃以上且270℃以下之範圍為佳。含臭氧氣體之溫度在50℃以上且270℃以下之範圍為佳，在80℃以上且170℃以下之範圍為更佳。藉此，可提高過氧二硫酸之活性，而可迅速地除去有機膜。
如圖7所示，於氣體處理室40中，分別由複數個供給孔49A構成之複數個供給孔列49AL係於第一排列方向D1(水平方向)上並排。更具體而言，各供給孔列49AL係由在既定之列方向(在本例中為鉛直方向)上並排的複數個供給孔49A所構成。第一排列方向D1係與該列方向交叉(在本例中為正交)。被升降機50支撐之一批次的基板W係於水平方向上排列。一批次的基板W之排列間距P1係與複數個供給孔列49AL的排列間距P2一致。升降機50係於支撐鉛直姿勢之一批次的基板W之狀態下位在氣體處理位置，此時，自平行於基板W主表面之水平方向觀察，於相鄰之供給孔列49AL彼此之間存在有一片基板W。
於圖7中，為了方便說明，將供給孔之符號「49A」及排氣孔之符號「49B」一併記載。複數個排氣孔49B亦成為與複數個供給孔49A相同之配置。於氣體處理室40中，分別由複數個排氣孔49B構成之複數個排氣孔列49BL亦以與複數個供給孔列49AL相同之排列間距P2而於第一排列方向D1(水平方向)上並排。各排氣孔列49BL係由在既定之列方向(在本例中為鉛直方向)上並排的複數個排氣孔49B所構成。第一排列方向D1係與該列方向交叉(在本例中為正交)。升降機50係於支撐鉛直姿勢之一批次的基板W之狀態下位在氣體處理位置，此時，自平行於基板W主表面之水平方向觀察，於相鄰之排氣孔列49BL彼此之間存在有一片基板W。
其後，升降機50朝向第二上位置上升，藉此自氣體處理室40取出一批次的基板W。升降機50係經由第二上位置而移動至第三上位置(圖6C中以兩點鏈線表示之位置)。接著，升降機50係自第三上位置朝向沖洗處理位置(圖6C中以實線表示之位置)下降。藉此，如圖6C所示，將一批次的基板W浸漬於沖洗液槽30內之沖洗液中(沖洗步驟：步驟S3)。如此，執行第二搬送步驟，其係自氣體處理室40取出一批次的基板W，而將其搬送至沖洗液槽30。
藉由將一批次的基板W浸漬於沖洗液槽30內之沖洗液中，而對一批次的基板W進行沖洗。詳細而言為，將溶解有機膜之含硫酸液與自基板W剝離的有機膜從基板W上除去。
於自氣體處理室40取出一批次的基板W後，關閉臭氧氣體閥42，取而代之地，開啟置換氣體閥44。藉此，對氣體處理室40之處理空間40a供給置換氣體，藉由置換氣體來置換處理空間40a內之環境氣體。藉此，自處理空間40a排除含臭氧氣體(臭氧排除步驟)。
其後，升降機50朝向第三上位置上升。藉此，自沖洗液槽30內之沖洗液中取出一批次的基板W。於升降機50配置在第三上位置之狀態下，第一副搬送機器人18A係將一批次的基板W交給主搬送機器人17。主搬送機器人17係將自第一副搬送機器人18A接收之一批次的基板W搬送至乾燥處理單元10。
在乾燥處理單元10中，藉由減壓乾燥等方法而使一批次的基板W乾燥(乾燥步驟：步驟S4)。其後，主搬送機器人17係將一批次的基板W交給姿勢切換機器人16。姿勢切換機器人16係將自主搬送機器人17接收之一批次的基板W的姿勢從鉛直姿勢變更為水平姿勢，其後，將一批次的基板W收容在被載具搬送裝置15保持之複數個載具C中。藉由重複進行該等一連串之動作，而對被搬送至基板處理裝置1之複數片基板W進行處理。
根據第一實施形態，可將一批次的基板W以鉛直姿勢浸漬於含硫酸液中。因此，可使複數片基板W在大致相同之時間點浸漬於含硫酸液中。藉由臭氧氣體處理單元6，而使一起被浸漬於含硫酸液之一批次的基板W暴露於含臭氧氣體中。藉此，使含臭氧氣體中之臭氧溶解於自含硫酸液取出之一批次的基板W上所附著的含硫酸液中，而可於含硫酸液中產生過氧二硫酸。其結果，可迅速且充分地自一批次的基板W之主表面除去有機膜。
此外，根據第一實施形態，自硫酸槽20取出之一批次的基板W配置在氣體處理室40之處理空間40a。因此，可使一批次的基板W大致同時地暴露於含臭氧氣體中。因此，可進一步迅速且充分地自一批次的基板W之主表面除去有機膜。
根據第一實施形態，自複數個供給孔49A對處理空間40a供給含臭氧氣體，並經由複數個排氣孔49B而將處理空間40a加以排氣，藉此可使一批次的基板W暴露於含臭氧氣體中。因此，即便為與基板W上的含硫酸液接觸之環境氣體中的臭氧溶解於含硫酸液中，藉此使該環境氣體中的臭氧被消耗之情況下，仍可藉由被供給至處理空間40a之含臭氧氣體，而對與附著於基板W之含硫酸液接觸的環境氣體供給臭氧。因此，可將與基板W上的含硫酸液接觸之環境氣體中的臭氧之濃度維持在足夠高之狀態。故而，可於基板W上之含硫酸液中產生過氧二硫酸。
於氣體處理室40中，複數個供給孔列49AL係於第一排列方向D1上並排。一批次的基板W係以於第一排列方向D1上並排的方式被升降機50支撐。一批次的基板W係以使各基板W位在供給孔列49AL彼此之間的方式被配置在處理空間40a。因此，可將來自各供給孔列49AL之含臭氧氣體供給至基板W彼此之間。故而，可將臭氧充分地供給至與各基板W上之含硫酸液接觸的環境氣體中，而可使臭氧充分地溶解於各基板W上之含硫酸液中。其結果，可減低基板W間之有機膜的除去不均勻。
於硫酸浸漬步驟(步驟S1)之前，將一批次的基板W搬入至氣體處理室40，只要使一批次的基板W暴露於含臭氧氣體中，即可使一批次的基板W親水化。即，亦可為，如圖8所示之基板處理般，於硫酸浸漬步驟(步驟S1)之前執行親水化步驟(步驟S5)。在該基板處理中，一批次的基板W係於浸漬在含硫酸液之前後被暴露於含臭氧氣體中。藉由執行圖8所示之基板處理，而可使一批次的基板W在被浸漬於含硫酸液之前進行親水化。
因此，基板W之濕潤性提升，而使含硫酸液變得易於附著在基板W。故而，可使含硫酸液於基板W主表面全體上薄薄地擴展。因此，於臭氧暴露步驟中，可使臭氧容易地到達基板W之主表面，而可迅速且充分地自基板W主表面除去有機膜。
＜第一實施形態之第一變形例＞ 其次，對於基板處理裝置1之第一變形例進行說明。
圖9係第一實施形態之第一變形例的基板處理裝置1之主要部分的立面圖。
在第一變形例中，未設置硫酸處理腔室21，而於氣體處理室40內配置有硫酸槽20。氣體處理室40之處理空間40a配置在硫酸槽20之正上方。
第一副搬送機器人18A係一面支撐複數片基板W一面上下移動，藉此在處理空間40a與硫酸槽20之間搬送複數片基板W。硫酸處理單元5不具有硫酸處理腔室21，而是含有蓋構件22，蓋構件22係將硫酸槽20之內部及處理空間40a加以區隔，而開閉硫酸槽20。在第一變形例中，處理空間40a係由側壁部48s、上壁部48u及蓋構件22所區分。蓋構件22係藉由馬達等蓋驅動機構(未圖示)而被驅動，以開閉硫酸槽20。
第一副搬送機器人18A之升降機50可在較氣體處理室40及沖洗處理腔室31更上方進行水平移動。升降機50可藉由滑動機構52，而水平移動至位在氣體處理室40正上方之第二上位置、及位在沖洗處理腔室31正上方之第三上位置。升降機50可藉由升降機構51而在硫酸處理位置、氣體處理位置、及第二上位置之間升降。升降機50可藉由升降機構51而在沖洗處理位置及第三上位置之間升降。
圖10A~圖10C係用以說明基板處理之執行中之第一變形例的基板處理裝置1之情況的示意圖。
根據第一變形例的基板處理裝置1，可執行圖5所示之基板處理。以下，以第一變形例的基板處理裝置1所進行之基板處理與圖6A~圖6C所示之基板處理的不同點為中心而進行說明。
在第一變形例的基板處理中，升降機50自主搬送機器人17接收一批次的基板W後，移動至第二上位置(圖10A中以兩點鏈線表示之位置)。升降機50係在支撐一批次的基板W之狀態下，朝向硫酸處理位置(圖10A中以實線表示之位置)下降。藉此，如圖10A所示，一批次的基板W被浸漬於硫酸槽20內之含硫酸液中(硫酸浸漬步驟：圖5所示之步驟S1)。於升降機50進入至硫酸槽20之前，開啟蓋構件22。
其後，藉由使升降機50上升，而自硫酸槽20內之含硫酸液中取出一批次的基板W。升降機50係自硫酸處理位置(圖10B中以兩點鏈線表示之位置)上升而移動至氣體處理位置(圖10B中以實線表示之位置)。如此，藉由將一批次的基板W自硫酸槽20拉起，­而將一批次的基板W配置在處理空間40a(第一搬送步驟)。於升降機50自硫酸槽20退避之後，關閉蓋構件22。
於升降機50位在氣體處理位置之狀態下，開啟臭氧氣體閥42及排氣閥46。藉此，排出氣體處理室40之處理空間40a內的環境氣體，並對處理空間40a供給含臭氧氣體。因此，藉由將含臭氧氣體供給至處理空間40a，而使附著有含硫酸液之一批次的基板W暴露於含臭氧氣體中(臭氧暴露步驟：圖5所示之步驟S2)。
藉由使附著有含硫酸液之基板W暴露於含臭氧氣體中，而使含臭氧氣體中之臭氧溶解於附著在基板W之含硫酸液中。藉此，可於附著在一批次的基板W上之含硫酸液中產生過氧二硫酸。藉由過氧二硫酸而可使自基板W露出之有機膜溶解於含硫酸液中。亦存在有該有機膜未完全地溶解於含硫酸液，而是自基板W上表面剝離的情形。
較佳為，藉由朝處理空間40a供給含臭氧氣體，而將處理空間40a內之環境氣體置換為含臭氧氣體，而使含臭氧氣體充滿於處理空間40a(含臭氧氣體充滿步驟)。於第一變形例中亦為，在升降機50位於氣體處理位置時，於供給孔列49AL彼此之間存在有基板W(參照圖7)。
其後，升降機50朝向第二上位置上升，藉此自氣體處理室40取出一批次的基板W。升降機50係經由第二上位置而朝第三上位置(圖10C中以兩點鏈線表示之位置)移動。接著，升降機50係自第三上位置朝向沖洗處理位置(圖10C中以實線表示之位置)下降。藉此，如圖10C所示，將一批次的基板W浸漬於沖洗液槽30內之沖洗液中(沖洗步驟：圖5所示之步驟S3)。如此，執行第二搬送步驟，其係自氣體處理室40取出一批次的基板W，而將其搬送至沖洗液槽30。
藉由將一批次的基板W浸漬於沖洗液槽30內之沖洗液中，而對一批次的基板W進行沖洗。詳細而言為，將溶解有機膜之含硫酸液與自基板W剝離的有機膜從基板W上除去。
於自氣體處理室40取出一批次的基板W後，關閉臭氧氣體閥42，取而代之地，開啟置換氣體閥44。藉此，對氣體處理室40之處理空間40a供給置換氣體，藉由置換氣體來置換處理空間40a內之環境氣體。藉此，自處理空間40a排除含臭氧氣體。
其後，與圖6A~圖6C所示之基板處理同樣地執行乾燥步驟(步驟S4)。
根據第一實施形態之第一變形例，可藉由自硫酸槽20中拉起一批次的基板W之一方向的移動，而使一批次的基板W自硫酸槽20朝處理空間40a移動。因此，可於使含硫酸液附著於一批次的基板W之後，使一批次的基板W迅速地暴露於含臭氧氣體中。故而，可迅速地自一批次的基板W之主表面除去有機膜。
藉由開閉硫酸槽20之蓋構件22，而將硫酸槽20之內部及處理空間40a加以區隔。因此，可抑制含臭氧氣體溶解於貯存在硫酸槽20之含硫酸液中的情形。因此，可抑制於對下一批次之基板W的基板處理中，在朝處理空間40a之含臭氧氣體供給開始前即自基板W除去有機膜之情形。故而，可抑制每批次過氧二硫酸所進行之處理的期間之不均勻。
＜第一實施形態之第二變形例＞ 其次，對於基板處理裝置1之第二變形例進行說明。
圖11係第一實施形態之第二變形例的基板處理裝置1之主要部分的立面圖。
在第二變形例中，基板處理裝置1進而包含有：親水處理單元12，其係以親水化液對一批次的基板W進行處理。親水化液例如為臭氧水。
親水處理單元12包含有：親水化液槽60，其貯存供一批次的基板W浸漬之親水化液；及親水處理腔室61，其收容親水化液槽60。親水化液槽60係向上開放，親水處理腔室61係具有可開閉之上端部61a。
第一副搬送機器人18A之升降機50可在較氣體處理室40、硫酸處理腔室21、沖洗處理腔室31及親水處理腔室61更上方於水平方向上移動。升降機50可藉由滑動機構52，而除了移動至第一上位置、第二上位置及第三上位置以外，還可移動至位在親水處理腔室61正上方之第四上位置。
根據第二變形例的基板處理裝置1，可執行圖5所示之基板處理。根據第二變形例的基板處理裝置1，亦可執行圖8所示之基板處理。
於執行圖8所示之基板處理時，在第一副搬送機器人18A自主搬送機器人17接收一批次的基板W之後，升降機50移動至第四上位置。升降機50係在支撐一批次的基板W之狀態下，朝向親水處理位置下降。藉此，將一批次的基板W浸漬於親水化液槽60內之親水化液中(親水化步驟：步驟S5)。
其後，自親水化液槽60取出一批次的基板W，而與圖6A~圖6C所示之基板處理相同地，執行硫酸浸漬步驟(步驟S1)~乾燥步驟(步驟S4)。
根據第一實施形態之第二變形例，可於將一批次的基板W浸漬於含硫酸液之前進行親水化。因此，基板W之濕潤性提升，而使含硫酸液變得易於附著在基板W。故而，可使含硫酸液於基板W主表面全體上薄薄地擴展。因此，於臭氧暴露步驟中，可使臭氧容易地到達基板W之主表面，而可迅速且充分地自基板除去有機膜。
＜第二實施形態之基板處理裝置的構成＞ 其次，對於第二實施形態之基板處理裝置1A的構成例進行說明。圖12A及圖12B係表示第二實施形態的基板處理裝置1A所具備的第一副搬送機器人18A之構成例的示意圖。於圖12A及圖12B中，對於與前述之圖1~圖11所示之構成相同的構成，附加與圖1等相同之參照符號而省略其說明。對於後述之圖13A~圖15亦相同。
第二實施形態之基板處理裝置1A與第一實施形態之基板處理裝置1主要的不同點為，第一副搬送機器人18A之升降機50可藉由變形而將一批次的基板W的姿勢在鉛直姿勢及水平姿勢之間進行切換。
第二實施形態的第一副搬送機器人18A之升降機50包含有：夾持部56，其夾住並支撐一批次的基板W之周緣；旋轉支撐軸57，其使夾持部56旋轉；及連結部58，其係經由旋轉支撐軸57而連結於夾持部56，並被傳遞有升降機構51及滑動機構52之動力。
第一副搬送機器人18A包含有：姿勢切換機構70，其係將一批次的基板W的姿勢在鉛直姿勢及水平姿勢之間進行切換。姿勢切換機構70係藉由使夾持部56繞著沿水平方向之旋轉支撐軸57旋轉，而使升降機50變形。旋轉支撐軸57及夾持部56係構成為，使被保持之一批次的基板W的姿勢在鉛直姿勢與水平姿勢之間轉換的姿勢轉換構造。該姿勢轉換構造係由姿勢切換機構70所驅動。圖12A係表示升降機50支撐鉛直姿勢之一批次的基板W之第一支撐狀態，圖12B係表示升降機50支撐水平姿勢之一批次的基板W之第二支撐狀態。
姿勢切換機構70例如包含有使旋轉支撐軸57繞其中心軸線A1旋轉之電動馬達等致動器。
＜第二實施形態之基板處理的一例＞ 圖13A~圖13C係用以說明基板處理之執行中之第二實施形態的基板處理裝置1A之情況的示意圖。
根據第二實施形態之基板處理裝置1A，可執行圖5所示之基板處理。以下，以基板處理裝置1A所進行之基板處理與圖6A~圖6C所示之基板處理的不同點為中心，而進行說明。
於第一副搬送機器人18A自主搬送機器人17接收一批次的基板W之後，升降機50朝第一上位置移動(圖13A中以兩點鏈線表示之位置)。亦可為，第一副搬送機器人18A係於升降機50位在第一上位置時，自主搬送機器人17接收一批次的基板W。
升降機50係在第一支撐狀態下，自第一上位置朝向硫酸處理位置(圖13A中以實線表示之位置)下降。藉此，如圖13A所示，鉛直姿勢之一批次的基板W係以鉛直姿勢被浸漬於硫酸槽20內之含硫酸液中(硫酸浸漬步驟：圖5所示之步驟S1)。
其後，升降機50朝向第一上位置上升，藉此自硫酸槽20內之含硫酸液中取出一批次的基板W。升降機50係經由第一上位置而移動至第二上位置(圖13B中以兩點鏈線表示之位置)。接著，姿勢切換機構70係使升降機50之狀態自第一支撐狀態變化成第二支撐狀態。藉此，一批次的基板W的姿勢係自鉛直姿勢變更為水平姿勢(第一姿勢變更步驟)。
接著，升降機50係自第二上位置朝向氣體處理位置(圖13B中以實線表示之位置)下降，而被配置在氣體處理位置。於升降機50位在氣體處理位置之狀態下，開啟臭氧氣體閥42及排氣閥46。藉此，排出氣體處理室40之處理空間40a內的環境氣體，並對處理空間40a供給含臭氧氣體。藉由將含臭氧氣體供給至處理空間40a，而使附著有含硫酸液之水平姿勢之一批次的基板W暴露於含臭氧氣體中(臭氧暴露步驟：圖5所示之步驟S2，水平暴露步驟)。
再者，亦可為，第一姿勢變更步驟係於升降機50被配置在氣體處理位置之後，且於含臭氧氣體朝處理空間40a供給開始之前執行。
較佳為，藉由朝處理空間40a供給含臭氧氣體，而將處理空間40a內之環境氣體置換為含臭氧氣體，而使含臭氧氣體充滿於處理空間40a(含臭氧氣體充滿步驟)。只要含臭氧氣體充滿於處理空間40a，即可迅速且充分地於含硫酸液中產生過氧二硫酸。
如圖14所示，於氣體處理室40中，分別由複數個供給孔49A構成之複數個供給孔列49AL係於第二排列方向D2(鉛直方向)上並排。各供給孔列49AL係由在既定之列方向(在本例中為水平方向)上成列的複數個供給孔49A所構成，第二排列方向D2係與該列方向交叉(在本例中為正交)。被升降機50支撐之一批次的基板W係於鉛直方向上排列。升降機50係於支撐水平姿勢之一批次的基板W之狀態下位在氣體處理位置，此時，自平行於基板W主表面之水平方向觀察，於相鄰之供給孔列49AL彼此之間存在有一片基板W。
於圖14中，為了方便說明，將供給孔之符號「49A」及排氣孔之符號「49B」一併記載。複數個排氣孔49B亦成為與複數個供給孔49A相同之配置。於氣體處理室40中，分別由複數個排氣孔49B構成之複數個排氣孔列49BL亦於第二排列方向D2(鉛直方向)上並排。各排氣孔列49BL係由在既定之列方向(在本例中為水平方向)上並排的複數個排氣孔49B所構成。第二排列方向D2係與該列方向交叉(在本例中為正交)。升降機50係於支撐水平姿勢之一批次的基板W之狀態下位在氣體處理位置，此時，自平行於基板W主表面之水平方向觀察，於相鄰之排氣孔列49BL彼此之間存在有一片基板W。
其後，升降機50朝向第二上位置上升，藉此自氣體處理室40取出一批次的基板W。升降機50係經由第二上位置而朝第三上位置(圖13C中以兩點鏈線表示之位置)移動。接著，姿勢切換機構70使升降機50之狀態自第二支撐狀態變化為第一支撐狀態。藉此，一批次的基板W的姿勢係自水平姿勢變更為鉛直姿勢(第二姿勢變更步驟)。
接著，升降機50係自第三上位置朝向沖洗處理位置(圖13C中以實線表示之位置)下降。藉此，如圖13C所示，將鉛直姿勢之一批次的基板W浸漬於沖洗液槽30內之沖洗液中(沖洗步驟：步驟S3)。如此，執行第二搬送步驟，其係自氣體處理室40取出一批次的基板W，而將其搬送至沖洗液槽30。
藉由將一批次的基板W浸漬於沖洗液槽30內之沖洗液中，而對一批次的基板W進行沖洗。詳細而言，將溶解有機膜之含硫酸液與自基板W剝離的有機膜從基板W上除去。
於自氣體處理室40取出一批次的基板W後，關閉臭氧氣體閥42，取而代之地，開啟置換氣體閥44。藉此，對氣體處理室40之處理空間40a供給置換氣體，藉由置換氣體來置換處理空間40a內之環境氣體。藉此，自處理空間40a排除含臭氧氣體(臭氧排除步驟)。
其後，第一副搬送機器人18A係將一批次的基板W交給主搬送機器人17。主搬送機器人17係將自第一副搬送機器人18A接收之一批次的基板W搬送至乾燥處理單元10。其後，一批次的基板W被乾燥，最終被收容於複數個載具C。
根據第二實施形態，可將一批次的基板W以鉛直姿勢浸漬於含硫酸液中。因此，可使一批次的基板W在大致相同之時間點浸漬於含硫酸液中。藉由將自硫酸槽20取出之一批次的基板W配置在處理空間40a，而可使一批次的基板W同時地暴露於含臭氧氣體中。因此，可進一步迅速且充分地自基板W除去有機膜。
此外，於暴露在含臭氧氣體之前，一批次的基板W的姿勢係自鉛直姿勢變更為水平姿勢。因此，對基板W上之含硫酸液因本身重量而朝下方移動之情形，可抑制因該情形而導致基板W上各位置之含硫酸液的厚度不均勻。故而，可減低基板W主表面上各位置之有機膜的除去不均勻。
根據第二實施形態，姿勢切換機構70係藉由使升降機50變形，而使一批次的基板W的姿勢在鉛直姿勢及水平姿勢之間切換。更具體而言，升降機50係具備有可使所保持之一批次的基板W的姿勢在鉛直姿勢與水平姿勢之間轉換的姿勢轉換構造，而該姿勢轉換構造係由姿勢切換機構70驅動。
因此，於使鉛直姿勢之一批次的基板W浸漬於硫酸槽20內之含硫酸液中之後，可使第一副搬送機器人18A(搬送機器人)之升降機50變形而將一批次的基板W的姿勢自鉛直姿勢變更為水平姿勢。而且，可使水平姿勢之一批次的基板W在氣體處理室40內暴露於含臭氧氣體中。如此，使用單一個機器人(第一副搬送機器人18A)而使一批次的基板W的姿勢變更，可將一批次的基板W自硫酸槽20搬送至氣體處理室40。由於可省略基板W在機器人間之交接，因而可迅速地自基板W除去有機膜。
此外，根據第二實施形態，自複數個供給孔49A對處理空間40a供給含臭氧氣體，並經由複數個排氣孔49B而將處理空間40a加以排氣，藉此可使一批次的基板W暴露於含臭氧氣體中。因此，即便為與基板W上的含硫酸液接觸之環境氣體中的臭氧溶解於含硫酸液中，藉此使該環境氣體中的臭氧被消耗之情況下，仍可藉由被供給至處理空間40a之含臭氧氣體，而對與附著於基板W之含硫酸液接觸的環境氣體供給臭氧。因此，可將與基板W上的含硫酸液接觸之環境氣體中的臭氧之濃度維持在足夠高之狀態。故而，可於基板W上之含硫酸液中產生過氧二硫酸。
於氣體處理室40中，複數個供給孔列49AL係於第二排列方向D2上並排。一批次的基板W係以於第二排列方向D2上並排的方式被升降機50支撐。一批次的基板W係以使各基板W位在供給孔列49AL彼此之間的方式被配置在處理空間40a。因此，可將來自各供給孔列49AL之含臭氧氣體供給至基板W彼此之間。故而，可將臭氧充分地供給至與各基板W上之含硫酸液接觸的環境氣體中，而可使臭氧充分地溶解於各基板W上之含硫酸液中。其結果，可減低基板W間之有機膜的除去不均勻。
＜第二實施形態之變形例的基板處理裝置＞ 圖15係用以說明第二實施形態之變形例的基板處理裝置1A的示意圖。
在第二實施形態之變形例的基板處理裝置1A中，與第一實施形態之第一變形例的基板處理裝置1(參照圖9)同樣地，未設置硫酸處理腔室21，而配置有氣體處理室40內之硫酸槽20。氣體處理室40之處理空間40a配置在硫酸槽20之正上方。
在第二實施形態之變形例的基板處理裝置1A中，可執行與第一實施形態之變形例的基板處理裝置1相同的基板處理(參照圖10A~圖10C)。即，於將鉛直姿勢之一批次的基板W浸漬在硫酸槽20內之含硫酸液之後，藉由自硫酸槽20拉起一批次的基板W，而將一批次的基板W配置在處理空間40a(第一搬送步驟)。
然而，於自硫酸槽20取出一批次的基板W之後，且於使一批次的基板W暴露在含臭氧氣體中之前，藉由姿勢切換機構70，而使升降機50之狀態自第一支撐狀態變化為第二支撐狀態。藉此，一批次的基板W的姿勢係自鉛直姿勢變更為水平姿勢(第一姿勢變更步驟)。
亦可為，第一姿勢變更步驟係於自硫酸槽20取出一批次的基板W之後，而在至被配置於處理空間40a為止之期間執行。此外，亦可為，第一姿勢變更步驟係於升降機50被配置在氣體處理位置之後，且於含臭氧氣體朝處理空間40a之供給開始之前執行。
根據第二實施形態之變形例，可藉由自硫酸槽20中拉起一批次的基板W之一方向的移動，而使一批次的基板W自硫酸槽20朝處理空間40a移動。因此，可於使含硫酸液附著於一批次的基板W之後，使一批次的基板W迅速地暴露於含臭氧氣體中。故而，可迅速地自基板W除去有機膜。
藉由開閉硫酸槽20之蓋構件22，而將硫酸槽20之內部及處理空間40a加以區隔。因此，可抑制含臭氧氣體溶解於貯存在硫酸槽20之含硫酸液中的情形。因此，可抑制於對接下來之一批次的基板W之處理中，在含臭氧氣體朝處理空間40a之供給開始前即開始自基板W除去有機膜之情形。故而，可抑制每批次過氧二硫酸所進行之處理的期間之不均勻。
＜第三實施形態之基板處理裝置的構成＞ 其次，對於第三實施形態之基板處理裝置1B的構成例進行說明。圖16係第三實施形態的基板處理裝置1B之主要部分的立面圖。於圖16中，對於與前述之圖1~圖15所示之構成相同的構成，附加與圖1等相同之參照符號而省略其說明。對於後述之圖17A~圖22亦相同。
第三實施形態之基板處理裝置1B與第一實施形態之基板處理裝置1主要的不同點為，主搬送機器人17之機械手80可藉由變形而將一批次的基板W的姿勢在鉛直姿勢及水平姿勢之間進行切換。此外，設置有與複數個處理單元2各者對應之複數個升降搬送機器人19，以取代複數個副搬送機器人18。
詳細而言，複數個升降搬送機器人19包含有：第一升降搬送機器人19A，其係在主搬送機器人17及硫酸處理單元5之間搬送一批次的基板W；第二升降搬送機器人19B，其係在主搬送機器人17及臭氧氣體處理單元6之間搬送一批次的基板W；及第三升降搬送機器人19C，其係在主搬送機器人17及第一沖洗處理單元7之間搬送一批次的基板W。第一升降搬送機器人19A係第一搬送機器人之一例，第二升降搬送機器人19B係第二搬送機器人之一例。
雖未圖示，但亦可為，複數個升降搬送機器人19包含有：其他升降搬送機器人，其係在主搬送機器人17及藥液處理單元8之間搬送一批次的基板W；及進而其他升降搬送機器人，其係在主搬送機器人17及第二沖洗處理單元9之間搬送一批次的基板W。
各升降搬送機器人19之構成例如與圖3所示之第一副搬送機器人18A相同。然而，於升降搬送機器人19未設置有滑動機構52(參照圖3)。
此外，第二升降搬送機器人19B之升降機50係構成為支撐水平姿勢之一批次的基板W。第二升降搬送機器人19B之升降機50並未特別限定，但例如具有以下之構成。升降機50例如包含有：複數個(例如與基板W相同數量)周緣支撐部88(亦參照後述之圖18A等)，其等係自下方支撐各基板W；及連結部89，其連結複數個周緣支撐部88。
以下，將第一升降搬送機器人19A之升降機50稱為第一升降機50A，將第二升降搬送機器人19B之升降機50稱為第二升降機50B，將第三升降搬送機器人19C之升降機50稱為第三升降機50C。第一升降機50A及第三升降機50C係構成為支撐鉛直姿勢之一批次的基板W。
第一升降機50A可藉由第一升降搬送機器人19A之升降機構51而在硫酸處理位置及第一上位置之間升降。第二升降機50B可藉由第二升降搬送機器人19B之升降機構51而在氣體處理位置及第二上位置之間升降。第三升降機50C可藉由第三升降搬送機器人19C之升降機構51而在沖洗處理位置及第三上位置之間升降。
＜第三實施形態之主搬送機器人的構成＞ 圖17A係表示第三實施形態的主搬送機器人17之構成例的示意圖。圖17B係沿著圖17A之XVIIB-XVIIB線的剖視圖。
主搬送機器人17並未特別限定，但例如具有以下之構成。
主搬送機器人17包含有：機械手80，其可保持(支撐)一批次的基板W；及滑動軌道83，其係可滑動地支撐著機械手80。
主搬送機器人17進而包含有：機械手驅動機構84，其使機械手80沿著滑動軌道83而水平移動(滑動)。機械手80係於第一交接位置(後述之圖18A及圖18B中以實線表示之位置)、第二交接位置(後述之圖18C及圖18D中以實線表示之位置)、及第三交接位置(後述之圖18E中以實線表示之位置)之間水平移動，其中，第一交接位置係可在與位於第一上位置的第一升降機50A之間交接一批次的基板W之位置，第二交接位置係可在與位於第二上位置的第二升降機50B之間交接一批次的基板W之位置，第三交接位置係可在與位於第三上位置的第三升降機50C之間交接一批次的基板W之位置。
機械手80係具有：保持部85，其保持一批次的基板W；一對握持部86，其握持被保持部85保持之基板W；第一連結軸81，其係連結於保持部85而於水平方向上延伸；及第二連結軸82，其係連結於第一連結軸81而於鉛直方向上延伸。
一對握持部86係相互對向，一握持部86係接觸於基板W之周緣，另一握持部86係在與一握持部86相反側的位置接觸於周緣，藉而握持基板W。一對握持部86係以相互靠近之方式移動，藉此握持一批次的基板W，而以相互離開之方式移動，藉此解除一批次的基板W之握持。
如圖17B所示，於保持部85設置有複數個保持基板W之保持溝87，保持部85可保持與保持溝87相同數量之基板W。亦可為，於各握持部86設置有用以易於夾持基板W周緣之凹凸(未圖示)。
主搬送機器人17包含有：姿勢切換機構71，其使機械手80變形而切換一批次的基板W的姿勢。姿勢切換機構71包含有：第一旋轉機構72，其使第一連結軸81繞其中心軸線A2旋轉；及第二旋轉機構73，其使第二連結軸82繞其中心軸線A3旋轉。
在機械手80保持一批次的基板W之狀態下，藉由第一旋轉機構72及第二旋轉機構73而使機械手80變形，藉此將機械手80之狀態在保持鉛直姿勢之一批次的基板W之第一保持狀態(參照後述之圖18A)、及保持水平姿勢之一批次的基板W之第二保持狀態(參照後述之圖18D)之間進行切換。藉此，可將一批次的基板W的姿勢在水平姿勢與鉛直姿勢之間切換。
＜第三實施形態之基板處理的一例＞ 圖18A~圖18E係用以說明基板處理之執行中之第三實施形態的基板處理裝置1B之情況的示意圖。
根據第三實施形態之基板處理裝置1B，可執行圖5所示之基板處理。以下，以基板處理裝置1B所進行之基板處理與圖6A~圖6C所示之基板處理的不同點為中心進行說明。
主搬送機器人17係自姿勢切換機器人16接收由複數片基板W構成之一批次的基板W，而移動至第一交接位置。主搬送機器人17係在第一保持狀態下，將一批次的基板W交給第一升降搬送機器人19A。交給第一升降搬送機器人19A之基板W的姿勢為鉛直姿勢。
第一升降搬送機器人19A之第一升降機50A係於位在第一上位置(圖18A中以兩點鏈線表示之位置)之狀態下，接收一批次的基板W。一批次的基板W係由第一升降搬送機器人19A之第一升降機50A所支撐。
第一升降機50A係在支撐一批次的基板W之狀態下，自第一上位置朝向硫酸處理位置下降。藉此，如圖18A所示，一批次的基板W係以鉛直姿勢被浸漬在硫酸槽20內之含硫酸液中(硫酸浸漬步驟：步驟S1)。
其後，第一升降機50A朝向第一上位置上升，藉此自硫酸槽20內之含硫酸液中取出一批次的基板W。如圖18B所示，主搬送機器人17之機械手80係自位在第一上位置之第一升降機50A接收一批次的基板W。
主搬送機器人17之機械手80係於自第一升降機50A接收一批次的基板W後，移動至第二交接位置。如圖18C所示，主搬送機器人17之機械手80的狀態係藉由姿勢切換機構71而變更為第二保持狀態，被機械手80保持之一批次的基板W的姿勢係自鉛直姿勢變更為水平姿勢(第一姿勢變更步驟)。
一批次的基板W的姿勢可於機械手80位在第一交接位置時變更，亦可於機械手80位在第二交接位置時變更。或是，亦可為，在機械手80自第一交接位置通往第二交接位置之期間的既定時間點，變更一批次的基板W的姿勢。
圖18C所示，位在第二上位置之第二升降機50B係自位在第二交接位置之主搬送機器人17接收水平姿勢之一批次的基板W。其後，第二升降機50B係自第二上位置(圖18D中以兩點鏈線表示之位置)朝向氣體處理位置(圖18D中以實線表示之位置)移動。
於第二升降機50B位在氣體處理位置之狀態下，開啟臭氧氣體閥42及排氣閥46。藉此，排出氣體處理室40之處理空間40a內的環境氣體，並對處理空間40a供給含臭氧氣體。如圖18D所示，藉由將含臭氧氣體供給至處理空間40a，而使水平姿勢之一批次的基板W暴露於含臭氧氣體中(臭氧暴露步驟：圖5所示之步驟S2，水平暴露步驟)。
藉由使附著有含硫酸液之基板W暴露於含臭氧氣體中，而使含臭氧氣體中之臭氧溶解於附著在基板W之含硫酸液中，以於附著在一批次的基板W上之含硫酸液中產生過氧二硫酸。藉由過氧二硫酸而可使自基板W露出之有機膜溶解於含硫酸液中。亦存在有該有機膜未完全地溶解於含硫酸液，而是自基板W上表面剝離的情形。
較佳為，藉由朝處理空間40a供給含臭氧氣體，而將處理空間40a內之環境氣體置換為含臭氧氣體，而使含臭氧氣體充滿於處理空間40a(含臭氧氣體充滿步驟)。只要含臭氧氣體充滿於處理空間40a，即可迅速且充分地於含硫酸液中產生過氧二硫酸。
在第二升降機50B支撐水平姿勢之一批次的基板W之狀態下，位於氣體處理位置時之一批次的基板W與複數個供給孔列49AL及複數個排氣孔列49BL之位置關係為與第二實施形態相同(參照圖14)。
其後，第二升降機50B朝向第二上位置上升，藉此自氣體處理室40取出一批次的基板W。主搬送機器人17之機械手80係自位在第二上位置之第二升降機50B接收一批次的基板W。
主搬送機器人17之機械手80係於自第二升降機50B接收一批次的基板W後，移動至第三交接位置。如圖18E所示，主搬送機器人17之機械手80的狀態係藉由姿勢切換機構71而變更為第一保持狀態，被機械手80保持之一批次的基板W的姿勢係自水平姿勢變更為鉛直姿勢(第二姿勢變更步驟)。
一批次的基板W的姿勢可於機械手80位在第二交接位置時變更，亦可於機械手80位在第三交接位置時變更。或是，亦可為，在機械手80自第二交接位置通往第三交接位置之期間的既定時間點，變更一批次的基板W的姿勢。
如圖18E所示，位在第三上位置之第三升降機50C係自位在第三交接位置之主搬送機器人17接收鉛直姿勢之一批次的基板W。其後，第三升降機50C係自第三上位置朝向沖洗處理位置下降。藉此，將鉛直姿勢之一批次的基板W浸漬於沖洗液槽30內之沖洗液中(沖洗步驟：步驟S3)。
藉由將一批次的基板W浸漬於沖洗液槽30內之沖洗液中，而對一批次的基板W進行沖洗。詳細而言為，將溶解有機膜之含硫酸液與自基板W剝離的有機膜從基板W上除去。
於自氣體處理室40取出一批次的基板W後，關閉臭氧氣體閥42，取而代之地，開啟置換氣體閥44。藉此，對氣體處理室40之處理空間40a供給置換氣體，藉由置換氣體來置換處理空間40a內之環境氣體。藉此，自處理空間40a排除含臭氧氣體。
其後，第三升降搬送機器人19C係將一批次的基板W交給主搬送機器人17。主搬送機器人17係將自第三升降搬送機器人19C接收之一批次的基板W搬送至乾燥處理單元10。
根據第三實施形態，可實現與第二實施形態相同之效果。
根據第三實施形態，搬送單元3包含有第一升降搬送機器人19A(第一搬送機器人)、第二升降搬送機器人19B(第二搬送機器人)、及在第一升降搬送機器人19A及第二升降搬送機器人19B之間搬送一批次的基板W之主搬送機器人17。而且，姿勢切換機構71係將由主搬送機器人17搬送之一批次的基板W的姿勢在水平姿勢及鉛直姿勢之間進行切換。
因此，一批次的基板W朝硫酸槽20之搬送、一批次的基板W朝氣體處理室40之搬送、及一批次的基板W的姿勢變更係分別由不同的機器人執行。故而，可抑制各機器人之構成的複雜化。
＜第三實施形態之第一變形例的基板處理裝置＞ 圖19係第三實施形態之第一變形例的基板處理裝置1B之主要部分的立面圖。在第三實施形態之第一變形例中，第二升降搬送機器人19B係將水平姿勢之一批次的基板W搬送至氣體處理室40，而在氣體處理室40內使複數片基板W繞著通過水平姿勢之一批次的基板W之中心部的鉛直軸線A4而旋轉。
詳細而言，第二升降搬送機器人19B包含有：基板旋轉機構90，其使第二升降機50B繞著鉛直軸線A4旋轉；升降軌道91，其可升降地支撐著基板旋轉機構90及第二升降機50B；及升降驅動機構92，其使第二升降機50B及基板旋轉機構90沿著升降軌道91升降。
第三實施形態之第一變形例中之第二升降搬送機器人19B的第二升降機50B並未特別限定，但例如具有以下之構成。第二升降機50B例如包含有：周緣保持部96，其保持各基板W之周緣；及連結部97，其連結升降軌道91及周緣保持部96。
此外，臭氧氣體處理單元6包含有：置換氣體流路加熱器93，其加熱置換氣體供給流路43內之置換氣體。
置換氣體之溫度例如在50℃以上且270℃以下之範圍為佳。置換氣體之溫度在50℃以上且270℃以下之範圍為佳，在80℃以上且170℃以下之範圍為更佳。
圖20A及圖20B係用以說明基板處理之執行中之第三實施形態之第一變形例的基板處理裝置1B之情況的示意圖。圖21係用以說明由第三實施形態之第一變形例的基板處理裝置1B所執行之基板處理之一例的流程圖。
根據第三實施形態之第一變形例的基板處理裝置1B，可進行與圖18A~圖18E所示之第三實施形態的基板處理相同之基板處理。以下，以與圖18A~圖18E所示之基板處理的不同點為中心而進行說明。
如圖21所示，根據第三實施形態之第一變形例的基板處理裝置1B，於硫酸浸漬步驟(步驟S1)之後，且於臭氧暴露步驟(步驟S2)之開始前，執行基板旋轉步驟(步驟S6)。詳細內容如下。
在第三實施形態之第一變形例的基板處理中，與第三實施形態之基板處理同樣地，一批次的基板W係於被浸漬在含硫酸液中之後，自第一升降機50A被交接給主搬送機器人17。其後，如圖20A所示，位在第二上位置之第二升降機50B係自位在第二交接位置之呈第二保持狀態的主搬送機器人17接收水平姿勢之一批次的基板W。其後，第二升降機50B係自第二上位置(參照圖20A)朝向氣體處理位置(圖20B中以實線表示之位置)移動。
於第二升降機50B位在氣體處理位置之狀態下，第二升降機50B繞著鉛直軸線A4旋轉。藉此，一批次的基板W係與第二升降機50B一起旋轉(基板旋轉步驟：圖21所示之步驟S6)。藉此，含硫酸液係自基板W飛散，而使附著在各基板W主表面之含硫酸液的液膜薄膜化(硫酸薄膜化步驟)。
至少於一批次的基板W之旋轉開始後，才開啟臭氧氣體閥42及排氣閥46。藉此，排出氣體處理室40之處理空間40a內的環境氣體，並對處理空間40a供給含臭氧氣體。如圖20B所示，藉由將含臭氧氣體供給至處理空間40a，而使水平姿勢之一批次的基板W暴露於含臭氧氣體中(臭氧暴露步驟：圖21所示之步驟S2)。再者，於含臭氧氣體之供給中，一批次的基板W可進行旋轉，亦可停止一批次的基板W之旋轉。
於一批次的基板W暴露在含臭氧氣體中之後，在第二升降機50B之旋轉停止之狀態下，第二升降機50B移動至第二上位置。其後，一批次的基板W被交接給主搬送機器人17，而執行沖洗步驟(圖21所示之步驟S3)及乾燥步驟(圖21所示之步驟S4)。
根據第三實施形態之第一變形例，於姿勢變更步驟之後，且在臭氧暴露步驟中將一批次的基板W暴露於含臭氧氣體之前，使一批次的基板W繞鉛直軸線A4旋轉。
因此，自基板W上除去多餘的含硫酸液，而可使基板W上各位置之含硫酸液的厚度均勻性提升。藉此，可提高基板W上各位置之含硫酸液中之臭氧濃度的均勻性。其結果，可減低基板W上各位置之有機膜的除去不均勻。
亦可為，與第一變形例不同地，於一批次的基板W之旋轉開始之後，且於對處理空間40a供給含臭氧氣體之前，將置換氣體供給至處理空間40a，而加熱一批次的基板W。藉由於含臭氧氣體之供給前以置換氣體預先對一批次的基板W全體加熱，而可容易且無遺漏地提升過氧二硫酸之活性。藉此，可減低基板W間之有機膜的除去不均勻。
＜第三實施形態之第二變形例的基板處理裝置＞ 圖22係第三實施形態之第二變形例的基板處理裝置1B之主要部分的立面圖。
在第三實施形態之第二變形例的基板處理裝置1B中，與圖16所示之基板處理裝置1B不同地，進而包含有：加熱處理單元13，其一面使一批次的基板W旋轉，一面將其加熱。
加熱處理單元13包含有：加熱處理室100，其具有可收容一批次的基板W之加熱處理空間100a。加熱處理室100係具有可開閉之上端部100b。加熱處理單元13包含有：加熱氣體供給流路101，其對加熱處理室100供給加熱氣體；加熱氣體閥102，其開閉加熱氣體供給流路101；加熱氣體排出流路103，其將加熱處理室100內之環境氣體加以排出；及加熱氣體排出閥104，其開閉加熱氣體排出流路103。
加熱氣體例如為惰性氣體。加熱氣體之溫度例如在50℃以上且270℃以下之範圍為佳。加熱氣體之溫度在50℃以上且270℃以下之範圍為佳，在80℃以上且170℃以下之範圍為更佳。
基板處理裝置1B進而包含有：第四升降搬送機器人19D，其在主搬送機器人17及加熱處理單元13之間搬送一批次的基板W。第四升降搬送機器人19D係第三搬送機器人之一例。第四升降搬送機器人19D之構成例如與圖3所示之第一副搬送機器人18A相同。
然而，於第四升降搬送機器人19D未設置有滑動機構52。此外，第四升降搬送機器人19D係構成為支撐水平姿勢之一批次的基板W。
第四升降搬送機器人19D包含有：第四升降機50D；基板旋轉機構105，其使第四升降機50D繞著鉛直軸線A5旋轉；升降軌道106，其可升降地支撐著基板旋轉機構105及第四升降機50D；及升降驅動機構107，其使第四升降機50D及基板旋轉機構105沿著升降軌道106升降。
第四升降搬送機器人19D之第四升降機50D並未特別限定，但例如具有以下之構成。第四升降機50D例如包含有：周緣保持部108，其保持各基板W之周緣；及連結部109，其連結升降軌道106及周緣保持部108。第四升降搬送機器人19D之第四升降機50D可在第五上位置與加熱處理位置之間升降，其中，第五上位置係位在加熱處理單元13之正上方，加熱處理位置係一批次的基板W被收容於加熱處理空間100a之位置。
第四升降搬送機器人19D係將水平姿勢之複數片基板W搬送至加熱處理室100，而在加熱處理室100內使複數片基板W繞著通過水平姿勢之複數片基板W之中心部的鉛直軸線A5而旋轉。
在第三實施形態之第二變形例中，主搬送機器人17之機械手80可移動至第四交接位置，該第四交接位置係可於與位在第五上位置之第四升降機50D之間交接一批次的基板W。
於第三實施形態之第二變形例中，亦可執行圖21所示之基板處理。即，根據第三實施形態之第二變形例的基板處理裝置1B，於硫酸浸漬步驟(步驟S1)之後，且於臭氧暴露步驟(步驟S2)之開始前，執行基板旋轉步驟(步驟S6)。詳細內容如下。
在第三實施形態之第二變形例的基板處理中，與第三實施形態之基板處理同樣地，一批次的基板W係於被浸漬在含硫酸液中之後，自第一升降機50A被交接給主搬送機器人17。其後，位在第五上位置之第四升降機50D係自位在第四交接位置之主搬送機器人17接收水平姿勢之一批次的基板W。其後，第四升降機50D係自第四上位置朝向加熱處理位置移動。
於第四升降機50D位在加熱處理位置之狀態下，第四升降機50D繞著鉛直軸線A5旋轉。藉此，一批次的基板W係與第四升降機50D一起旋轉(基板旋轉步驟：步驟S6)。藉此，含硫酸液係自基板W飛散，而使附著在各基板W主表面之含硫酸液的液膜薄膜化(硫酸薄膜化步驟)。
與一批次的基板W之旋轉開始同時地，或是在一批次的基板W之旋轉開始後，開啟加熱氣體閥102及加熱氣體排出閥104。藉此，排出加熱處理室100之加熱處理空間100a內的環境氣體，並對加熱處理空間100a供給加熱氣體。藉由將加熱氣體供給至加熱處理空間100a，而加熱水平姿勢之一批次的基板W(加熱旋轉步驟)。
其後，一批次的基板W係自第四升降機50D被交接給主搬送機器人17，而執行臭氧暴露步驟(圖21之步驟S2)、沖洗步驟(圖21之步驟S3)及乾燥步驟(圖21之步驟S4)。
根據第三實施形態之第二變形例，可使一批次的基板W在加熱處理室100內旋轉，而自基板W上除去多餘的含硫酸液。藉由利用基板W之旋轉除去含硫酸液，而可使基板W上各位置之含硫酸液的厚度均勻性提升。
由於自基板W除去多餘的含硫酸液係在加熱處理室100進行，因此可一面除去含硫酸液，一面加熱一批次的基板W。只要將已加熱之一批次的基板W經由主搬送機器人17及第二升降搬送機器人19B而朝氣體處理室40搬入，即可除去多餘的含硫酸液，且可使已加熱之一批次的基板W暴露於含臭氧氣體中。藉此，可提高基板W上各位置之含硫酸液中之臭氧濃度的均勻性，且可提高過氧二硫酸之活性。其結果，可進一步減低基板W上各位置之有機膜的除去不均勻。
亦可為，與第二變形例不同地，於一批次的基板W之旋轉開始前，開啟加熱氣體閥102及加熱氣體排出閥104，而充分地對加熱處理室100進行加熱。
＜其他實施形態＞ 本發明不限定於以上所說明之實施形態，其可進而以如下例示性地列舉之其他形態實施。
(1) 例如，亦可為，如圖23所示，複數個處理單元2包含有一片片地處理基板W之單片處理單元110。詳細而言，單片處理單元110包含有旋轉卡盤111、處理杯112、加熱器113、含臭氧氣體噴嘴114、沖洗液噴嘴115、及腔室116。
旋轉卡盤111係一面將基板W保持為水平姿勢，一面使基板W繞著通過基板W中心部之鉛直軸線A6旋轉。處理杯112包圍旋轉卡盤111，而承接自基板W飛散之處理液。加熱器113係對被旋轉卡盤111保持之基板W進行加熱。含臭氧氣體噴嘴114係朝向基板W供給含臭氧氣體。沖洗液噴嘴115係朝向基板W供給沖洗液。
於一批次的基板W被浸漬在硫酸槽20內之含硫酸液中之後，一批次的基板W中之一片基板W被搬送至單片處理單元110(搬送步驟)。被搬入至單片處理單元110之基板W係藉由旋轉卡盤111而旋轉，且藉由加熱器113而被加熱(基板旋轉步驟)。其後，藉由自含臭氧氣體噴嘴114吐出含臭氧氣體，而將附著有含硫酸液之基板W暴露在含臭氧氣體中(臭氧暴露步驟)。單片處理單元110係臭氧氣體處理單元之一例。
其後，藉由自沖洗液噴嘴115吐出沖洗液，而沖洗基板W。其後，進而藉由利用旋轉卡盤111使基板W高速旋轉，而使基板W乾燥(乾燥步驟)。
若設置有複數個單片處理單元110，即可於將一批次的基板W浸漬於含硫酸液中之後，迅速地將全部的基板W暴露於含臭氧氣體中。
(2) 亦可為，設置有加熱器120(參照圖2之兩點鏈線)，其對貯存在硫酸槽20之含硫酸液進行加熱。例如，含硫酸液之溫度為150℃以上為佳。藉由以加熱器120加熱含硫酸液，而可提高過氧二硫酸之活性，且可迅速地除去有機膜。亦可為，取代加熱器120，而設置對將含硫酸液供給至硫酸槽20之配管內的含硫酸液進行加熱之加熱器。此外，亦可為，將在硫酸槽20使用之含硫酸液自硫酸槽20排出，而再利用。
(3) 在第一實施形態之第一變形例及第二實施形態之變形例中，於氣體處理室40內配置硫酸槽20。然而，亦可為，將硫酸槽20收容在硫酸處理腔室21，而於硫酸處理腔室21之正上方配置氣體處理室40。
(4) 在升降機50及機械手80未設置有切換基板W的姿勢之機構之情況下，亦可為，於硫酸浸漬步驟之後，藉由姿勢切換機器人16而將一批次的基板W的姿勢自鉛直姿勢變更為水平姿勢。同樣地，亦可為，於臭氧暴露步驟之後，藉由姿勢切換機器人16而將一批次的基板W的姿勢自水平姿勢變更為鉛直姿勢。
此外，若使用上述之基板處理裝置1A，亦可一面將一批次的基板W的姿勢維持為水平姿勢，一面執行硫酸浸漬步驟、臭氧暴露步驟、及沖洗步驟。
(5) 亦可為，於一批次的基板W被搬送至臭氧氣體處理單元6之前，使含臭氧氣體充滿於處理空間40a。於此情況下，可藉由將一批次的基板W搬送至臭氧氣體處理單元6，而將一批次的基板W暴露於含臭氧氣體中。總之，只要使被搬送至臭氧氣體處理單元6之一批次的基板W暴露於含臭氧氣體中即可。即，含臭氧氣體朝處理空間40a之供給可於將一批次的基板W配置在處理空間40a之前開始，亦可於將一批次的基板W配置在處理空間40a之後開始。
(6) 在上述之各實施形態中，控制器4係對基板處理裝置1全體進行控制。然而，亦可為，將控制基板處理裝置1之各構件的控制器分散在複數個部位。此外，亦可為，無須使控制器4直接控制各構件，而是使自控制器4輸出之信號被控制基板處理裝置1之各構件的從屬控制器所接收。
(7) 再者，在上述之實施形態中，使用「水平」、「鉛直」等表現，但該等表現無須嚴格地呈「水平」、「鉛直」。即，該等表現可容許製造精度、設置精度等偏差。
(8) 此外，有時係示意性地以方塊表示各構成，但各方塊之形狀、大小及位置關係並非表示各構成之形狀、大小及位置關係。
已對於本發明之實施形態詳細地進行說明，但該等僅係為了使本發明之技術內容明瞭而使用的具體例，而不應將本發明解釋為受該等具體例所限定，本發明之範圍僅由添附之申請專利範圍所限定。
1:基板處理裝置 1A:基板處理裝置 1B:基板處理裝置 2:處理單元 3:搬送單元 4:控制器 4A:處理器 4B:記憶體 5:硫酸處理單元 6:臭氧氣體處理單元 7:第一沖洗處理單元 8:藥液處理單元 9:第二沖洗處理單元 10:乾燥處理單元 11:洗淨處理單元 12:親水處理單元 13:加熱處理單元 15:載具搬送裝置 16:姿勢切換機器人 17:主搬送機器人 18:副搬送機器人 18A:第一副搬送機器人 18B:第二副搬送機器人 19:升降搬送機器人 19A:第一升降搬送機器人 19B:第二升降搬送機器人 19C:第三升降搬送機器人 19D:第四升降搬送機器人 20:硫酸槽 21:硫酸處理腔室 21a:上端部 22:蓋構件 30:沖洗液槽 31:沖洗處理腔室 31a:上端部 40:氣體處理室 40a:處理空間 41:臭氧供給流路 42:臭氧氣體閥 43:置換氣體供給流路 44:置換氣體閥 45:排氣流路 46:排氣閥 47:臭氧流路加熱器 48:壁部 48b:底壁部 48s:側壁部 48u:上壁部 49A:供給孔 49AL:供給孔列 49B:排氣孔 49BL:排氣孔列 50:升降機 50A:第一升降機 50B:第二升降機 50C:第三升降機 50D:第四升降機 51:升降機構 52:滑動機構 53:支撐部 54:連結部 55:支撐溝 56:夾持部 57:旋轉支撐軸 58:連結部 60:親水化液槽 61:親水處理腔室 61a:上端部 70:姿勢切換機構 71:姿勢切換機構 72:第一旋轉機構 73:第二旋轉機構 80:機械手 81:第一連結軸 82:第二連結軸 83:滑動軌道 84:機械手驅動機構 85:保持部 86:握持部 87:保持溝 88:周緣支撐部 89:連結部 90:基板旋轉機構 91:升降軌道 92:升降驅動機構 93:置換氣體流路加熱器 95:周緣保持部 96:周緣保持部 97:連結部 100:加熱處理室 100a:加熱處理空間 100b:上端部 101:加熱氣體供給流路 102:加熱氣體閥 103:加熱氣體排出流路 104:加熱氣體排出閥 105:基板旋轉機構 106:升降軌道 107:升降驅動機構 108:周緣保持部 109:連結部 110:單片處理單元 111:旋轉卡盤 112:處理杯 113:加熱器 114:含臭氧氣體噴嘴 115:沖洗液噴嘴 116:腔室 120:加熱器 A1:中心軸線 A2:中心軸線 A3:中心軸線 A4:鉛直軸線 A5:鉛直軸線 A6:鉛直軸線 C:載具 D1:第一排列方向 D2:第二排列方向 LP:裝載埠 P1:排列間距 P2:排列間距 S1~S6:步驟 W:基板
圖1係表示本發明之一實施形態的基板處理裝置之配置的圖解性俯視圖。
圖2係表示上述基板處理裝置之主要部分之構成例的圖解性立面圖。
圖3係用以說明上述基板處理裝置所具備的副搬送機器人之構成例的剖視圖。
圖4係用以說明上述基板處理裝置之電性構成例的方塊圖。
圖5係用以說明由上述基板處理裝置執行之基板處理之一例的流程圖。
圖6A至圖6C係用以說明上述基板處理之執行中之上述基板處理裝置之情況的示意圖。
圖7係於升降機位在氣體處理位置時，自上述氣體處理室之處理空間觀察上述氣體處理室之側壁部的圖。
圖8係用以說明上述基板處理之另一例的流程圖。
圖9係第一實施形態之第一變形例的基板處理裝置之主要部分的立面圖。
圖10A至圖10C係用以說明基板處理之執行中之上述第一變形例的基板處理裝置之情況的示意圖。
圖11係第一實施形態之第二變形例的基板處理裝置之主要部分的立面圖。
圖12A及圖12B係表示第二實施形態的基板處理裝置所具備的第一副搬送機器人之構成例的示意圖，而分別表示升降機以鉛直姿勢支撐一批量基板的狀態、及升降機以水平姿勢支撐一批量基板的狀態。
圖13A至圖13C係用以說明基板處理之執行中之第二實施形態的基板處理裝置之情況的示意圖。
圖14係在第二實施形態的基板處理中，於升降機位在氣體處理位置時，自上述氣體處理室之處理空間觀察上述氣體處理室之側壁部的圖。
圖15係用以說明第二實施形態之變形例的基板處理裝置的示意圖。
圖16係表示第三實施形態的基板處理裝置之主要部分之構成例的立面圖。
圖17A係表示第三實施形態的基板處理裝置所具備的主搬送機器人之構成例的示意圖。圖17B係沿著圖17A之XVIIB-XVIIB線的剖視圖。
圖18A至圖18E係用以說明基板處理之執行中之第三實施形態的基板處理裝置之情況的示意圖。
圖19係第三實施形態之第一變形例的基板處理裝置之主要部分的立面圖。
圖20A及圖20B係用以說明基板處理之執行中之第三實施形態之第一變形例的基板處理裝置之情況的示意圖。
圖21係用以說明由第三實施形態之第一變形例的基板處理裝置所執行之基板處理之一例的流程圖。
圖22係第三實施形態之第二變形例的基板處理裝置之主要部分的立面圖。
圖23係用以說明基板處理裝置所具備的單片式處理單元之構成例的示意圖。
1:基板處理裝置
2:處理單元
5:硫酸處理單元
6:臭氧氣體處理單元
7:第一沖洗處理單元
18:副搬送機器人
18A:第一副搬送機器人
20:硫酸槽
21:硫酸處理腔室
21a:上端部
30:沖洗液槽
31:沖洗處理腔室
31a:上端部
40:氣體處理室
40a:處理空間
41:臭氧供給流路
42:臭氧氣體閥
43:置換氣體供給流路
44:置換氣體閥
45:排氣流路
46:排氣閥
47:臭氧流路加熱器
48:壁部
48b:底壁部
48s:側壁部
48u:上壁部
49A:供給孔
49B:排氣孔
50:升降機
53:支撐部
54:連結部
120:加熱器
W:基板

Claims (18)

  1. 一種基板處理方法，其包含有如下步驟： 硫酸浸漬步驟，其使複數片基板浸漬於硫酸槽內之含硫酸液中； 搬送步驟，其自上述硫酸槽取出複數片上述基板，而將複數片上述基板搬送至臭氧氣體處理單元；及 臭氧暴露步驟，其使被搬送至上述臭氧氣體處理單元之複數片上述基板暴露於含臭氧氣體中。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中， 上述臭氧氣體處理單元包含有：氣體處理室，其收容複數片上述基板； 上述臭氧暴露步驟包含有如下步驟：將自上述硫酸槽取出之複數片上述基板配置在上述氣體處理室內之處理空間，藉此使複數片上述基板暴露於含臭氧氣體中的步驟。
  3. 如請求項2之基板處理方法，其中， 上述臭氧暴露步驟包含有如下步驟：從在區分上述處理空間之壁部開口的複數個供給孔對上述處理空間供給含臭氧氣體，經由在上述壁部開口的複數個排氣孔而將上述處理空間加以排氣，藉此使配置在上述處理空間之複數片上述基板暴露於含臭氧氣體中的步驟。
  4. 如請求項3之基板處理方法，其中， 於上述氣體處理室中，分別由複數個上述供給孔構成之複數個供給孔列係排列於既定之排列方向上， 上述臭氧暴露步驟包含有如下步驟：以使複數片上述基板排列在上述排列方向上，且使各上述基板位在上述供給孔列彼此之間之方式，將複數片上述基板配置在上述處理空間的步驟。
  5. 如請求項1之基板處理方法，其中， 上述硫酸浸漬步驟包含有：鉛直浸漬步驟，其將鉛直姿勢的複數片上述基板浸漬於上述硫酸槽內之含硫酸液中； 上述基板處理方法進而包含有：姿勢變更步驟，其將自上述硫酸槽取出之複數片上述基板的姿勢自鉛直姿勢變更為水平姿勢； 上述臭氧暴露步驟包含有：水平暴露步驟，其使水平姿勢的複數片上述基板暴露於含臭氧氣體中。
  6. 如請求項5之基板處理方法，其中，進而包含有： 基板旋轉步驟，其係於上述姿勢變更步驟之後，且在上述臭氧暴露步驟中使複數片上述基板暴露於含臭氧氣體中之前，使複數片上述基板繞著通過水平姿勢之複數片上述基板的中心部之鉛直軸線旋轉。
  7. 如請求項2至6中任一項之基板處理方法，其中， 上述處理空間配置在上述硫酸槽之正上方， 上述搬送步驟包含有如下步驟：藉由將複數片上述基板自上述硫酸槽中拉起，而將複數片上述基板配置在上述處理空間的步驟。
  8. 一種基板處理裝置，其包含有： 硫酸槽，其貯存可浸漬複數片基板之含硫酸液； 臭氧氣體處理單元，其使複數片基板暴露於含臭氧氣體中；及 搬送單元，其在上述硫酸槽及上述臭氧氣體處理單元之間搬送複數片基板。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其中， 上述臭氧氣體處理單元包含有：氣體處理室，其具有可收容複數片基板之處理空間，而使被收容在上述處理空間之複數片上述基板暴露於含臭氧氣體中。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中， 上述氣體處理室係具有：壁部，其區分上述處理空間；複數個供給孔，其在上述壁部開口，而對上述處理空間供給含臭氧氣體；及複數個排氣孔，其在上述壁部開口，而將上述處理空間加以排氣。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其中， 上述氣體處理室係具有：複數個供給孔列，其等係分別由複數個上述供給孔構成，且其等係排列於既定之排列方向上； 上述搬送單元係一面以排列於上述排列方向上之方式支撐複數片上述基板，一面以使各上述基板位在上述供給孔列彼此之間之方式將複數片上述基板搬入至上述氣體處理室。
  12. 如請求項9之基板處理裝置，其中， 上述硫酸槽可將鉛直姿勢的複數片基板浸漬於含硫酸液中， 上述處理空間可收容水平姿勢的複數片基板， 上述搬送單元包含有：姿勢切換機構，其將複數片基板的姿勢在鉛直姿勢及水平姿勢之間切換。
  13. 如請求項12之基板處理裝置，其中， 上述搬送單元包含有：搬送機器人，其具有支撐複數片基板之升降機，而在上述硫酸槽及上述氣體處理室之間搬送複數片基板； 上述姿勢切換機構係藉由使上述升降機變形，而使複數片基板的姿勢在鉛直姿勢及水平姿勢之間切換。
  14. 如請求項9至13中任一項之基板處理裝置，其中， 上述處理空間配置在上述硫酸槽之正上方， 上述搬送單元係藉由一面支撐複數片上述基板一面上下移動，而在上述氣體處理室與上述硫酸槽之間搬送複數片上述基板。
  15. 如請求項14之基板處理裝置，其中，進而包含有： 蓋構件，其將上述硫酸槽之內部及上述處理空間加以區隔，並開閉上述硫酸槽。
  16. 如請求項12之基板處理裝置，其中， 上述搬送單元包含有：第一搬送機器人，其將鉛直姿勢的複數片基板搬送至上述硫酸槽；第二搬送機器人，其將水平姿勢的複數片基板搬送至上述氣體處理室；及主搬送機器人，其在上述第一搬送機器人及上述第二搬送機器人之間搬送複數片基板； 上述姿勢切換機構係將由上述主搬送機器人所搬送之複數片上述基板的姿勢在水平姿勢及鉛直姿勢之間進行切換。
  17. 如請求項16之基板處理裝置，其中， 上述第二搬送機器人係將水平姿勢的複數片基板搬送至上述氣體處理室，使複數片上述基板在上述氣體處理室內繞著通過水平姿勢之複數片基板的中心部之鉛直軸線旋轉。
  18. 如請求項16之基板處理裝置，其中，進而包含有： 加熱處理室，其加熱複數片基板； 上述搬送單元進而包含有：第三搬送機器人，其將水平姿勢的複數片基板搬送至上述加熱處理室，在上述加熱處理室內使複數片上述基板繞著通過水平姿勢之複數片基板的中心部之鉛直軸線旋轉； 上述主搬送機器人係在上述硫酸槽、上述氣體處理室及上述加熱處理室之間搬送複數片基板。
TW111132433A 2021-09-24 2022-08-29 基板處理方法及基板處理裝置 TW202324530A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021155177A JP2023046537A (ja) 2021-09-24 2021-09-24 基板処理方法、および、基板処理装置
JP2021-155177 2021-09-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202324530A true TW202324530A (zh) 2023-06-16

Family

ID=85661056

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111132433A TW202324530A (zh) 2021-09-24 2022-08-29 基板處理方法及基板處理裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11958087B2 (zh)
JP (1) JP2023046537A (zh)
KR (1) KR20230043675A (zh)
CN (1) CN115863143A (zh)
TW (1) TW202324530A (zh)

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152203A (ja) * 1991-11-29 1993-06-18 Chlorine Eng Corp Ltd 基板処理方法および処理装置
US6231775B1 (en) 1998-01-28 2001-05-15 Anon, Inc. Process for ashing organic materials from substrates
JP2001176833A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP3953361B2 (ja) * 2002-05-08 2007-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4526374B2 (ja) 2004-03-30 2010-08-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4429106B2 (ja) 2004-07-28 2010-03-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板エッチング装置
JP5122265B2 (ja) 2007-10-01 2013-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US20110130009A1 (en) 2009-11-30 2011-06-02 Lam Research Ag Method and apparatus for surface treatment using a mixture of acid and oxidizing gas
JP5424848B2 (ja) * 2009-12-15 2014-02-26 株式会社東芝 半導体基板の表面処理装置及び方法
WO2012133583A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 大日本印刷株式会社 超臨界乾燥装置及び超臨界乾燥方法
US9075318B2 (en) 2012-03-07 2015-07-07 Tokyo Electron Limited Sequential stage mixing for a resist batch strip process
JP6168271B2 (ja) 2012-08-08 2017-07-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP5916567B2 (ja) 2012-08-29 2016-05-11 東邦化成株式会社 レジスト除去装置およびレジスト除去方法
CN104813438B (zh) 2012-11-28 2017-07-25 盛美半导体设备（上海）有限公司 半导体硅片的清洗方法和装置
US20170018423A1 (en) * 2015-07-15 2017-01-19 Oem Group, Inc. Apparatus and Method for Processing the Surface of a Workpiece Comprised of Sensitive Materials with an Ozone and Carbon Dioxide Treating Fluid
KR102584510B1 (ko) * 2021-07-29 2023-10-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN115863143A (zh) 2023-03-28
KR20230043675A (ko) 2023-03-31
JP2023046537A (ja) 2023-04-05
US11958087B2 (en) 2024-04-16
US20230098810A1 (en) 2023-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7175191B2 (ja) 基板処理装置および基板搬送方法
US11590540B2 (en) Substrate treating apparatus and substrate transporting method
JP7190900B2 (ja) 基板処理装置、キャリア搬送方法およびキャリアバッファ装置
TW202324530A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
WO2022254485A1 (ja) プリウェットモジュール、およびプリウェット方法
US20240216960A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US20240105486A1 (en) Substrate treating apparatus
US20240066715A1 (en) Substrate treating apparatus
US20240105482A1 (en) Substrate treating apparatus
US20240105483A1 (en) Substrate treating apparatus
WO2024042815A1 (ja) 基板処理装置
US20240105484A1 (en) Substrate treating apparatus
JPH06342783A (ja) 基板ウェット処理装置
WO2024062695A1 (ja) 基板処理装置
TWI748765B (zh) 基板處理裝置及基板搬送方法
KR102550896B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2024046366A (ja) 基板処理装置
CN117015848A (zh) 基板处理方法及基板处理装置
JP2008160021A (ja) 基板搬送装置およびそれを備えた基板処理装置