JP2008160021A - 基板搬送装置およびそれを備えた基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板へのパーティクルの付着を抑制しつつ、基板を搬送することができる基板搬送装置および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板搬送ロボット９は、基板Ｗの表面に純水の液膜を密着させつつ保持する接液型上ハンド３０を備えている。基板Ｗが接液型上ハンド３０に保持された状態で、第３アーム２８が進退されることで、基板Ｗの搬送が行われる。基板Ｗの搬送の際に、基板Ｗの表面が外気にさらされることが抑制される。
【選択図】図３

Description

この発明は、基板を搬送するための基板搬送装置、およびこのような基板搬送装置を備えた基板処理装置に関する。搬送対象の基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等が含まれる。

半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の表面に薬液による処理を施すために、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。この枚葉式の基板処理装置には、たとえば複数種の処理ユニットを備え、基板に対して異なる処理を連続的に施すタイプのものがある。このタイプの基板処理装置では、或る処理ユニットで処理が施された後の基板は、基板搬送装置によって、次の処理を施す他の処理ユニットへと搬送される。
特開２００５−１９１５１１号公報

ところが、処理ユニットから他の処理ユニットへ基板が搬送される過程で、基板にパーティクルが付着することがある。
そこで、この発明の目的は、基板へのパーティクルの付着を抑制しつつ、基板を搬送することができる基板搬送装置を提供することである。
また、この発明の他の目的は、基板へのパーティクルの付着を抑制できる基板処理装置を提供することである。

上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、液を吐出する複数の吐出口（４２）、およびこの吐出口から吐出される液を吸引する複数の吸引口（４３）が、基板（Ｗ）の一方面と対向する面に形成されたプレート（４１）を有し、このプレートと基板の上記一方面との間に介在する液に基板を密着させて保持する接液型ハンド（３０，３１；７１）と、上記接液型ハンドを移動させるための接液型ハンド移動手段（３２，３３，３４，３５；７２，７３，７５）とを含むことを特徴とする基板搬送装置である。

なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、基板の一方面がプレートとの間の液膜に密着して基板が保持される。そのため、基板の搬送の際に、基板の一方面は、液に覆われており、外気にさらされることがない。これにより、基板の一方面にパーティクルが付着することを抑制することができる。

また、プレートの表面では、プレートと基板の一方面との間には液が吐出される一方で、その液が吸引される。そのため、プレート上の液膜に基板が吸着されることにより、基板が接液型ハンドに所定の保持力で保持される。したがって、基板が接液型ハンドから離脱することなく、接液型ハンドを速く移動させることができる。これにより、必要な搬送速度で基板を搬送することができる。

請求項２記載の発明は、上記接液型ハンド（３０，３１）を複数備えていることを特徴とする請求項１記載の基板搬送装置である。この構成によれば、基板の一方面へのパーティクルの付着を抑制しつつ、基板をより効率的に搬送することができる。
請求項３記載の発明は、液を用いずに乾燥状態で基板を保持する乾燥型ハンド（２０，２１；７０）と、上記乾燥型ハンドを移動させるための乾燥型ハンド移動手段（２２，２３，２４，２５；７２，７３，７４）とをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板搬送装置である。この構成によれば、基板の一方面を接液させることが適当でない場合、その基板を乾燥状態で搬送することができる。

請求項４記載の発明は、上記乾燥型ハンドは、所定の洗浄処理が施された後の基板を保持するための清浄基板保持ハンド（２０）を含むことを特徴とする請求項３記載の基板搬送装置である。この構成によれば、洗浄処理が施された後の清浄基板を、その清浄状態を維持したまま搬送することができる。
請求項５記載の発明は、上記乾燥型ハンドは、所定の洗浄処理が施される前の基板を保持するための未洗浄基板保持ハンド（２１；７０）を含むことを特徴とする請求項３または４記載の基板搬送装置である。この構成によれば、洗浄処理が施される前の基板を未洗浄基板保持ハンドに保持させることで、その洗浄処理が施される前の基板に付着しているパーティクルが接液型ハンドに移ることを抑制することができる。これにより、洗浄処理後の基板にパーティクルが付着することを抑制することができる。

請求項６記載の発明は、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板搬送装置と、基板（Ｗ）に対して処理液による処理を施す液処理部（１１，１２，１３；６０，６１，６２，６３）と、この液処理部で処理液による処理が施された後の基板を乾燥する乾燥処理部（１４；６４）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。この構成によれば、処理液による処理が施された後の基板を、接液型ハンドを用いて液処理部から搬出することができる。

請求項７記載の発明は、上記液処理部による処理後の基板が、上記接液型ハンドによって上記液処理部から上記乾燥処理部に搬送されるように、上記接液型ハンド移動手段を制御する制御手段（１００）をさらに含むことを特徴とする請求項６記載の基板処理装置である。この構成によれば、基板は接液型ハンドに保持されて、液処理部から乾燥処理部へと搬送される。したがって、処理液により処理が施された後の基板にパーティクルが付着することを抑制することができる。

請求項８記載の発明は、上記液処理部は、基板に対して第１処理液による処理を施す第１液処理部（６０，６１）と、基板に対して上記第１処理液とは異なる第２処理液による処理を施す第２液処理部（６２，６３）とを備え、上記第１液処理部による処理液後の基板が、上記接液型ハンドによって第２液処理部に搬送されるように、上記接液型ハンド移動手段を制御する制御手段（１００）をさらに含むことを特徴とする請求項６または７記載の基板処理装置である。この構成によれば、基板は接液型ハンドに保持されて、第１液処理部から第２液処理部へと搬送される。したがって、第１処理液により処理が施された後の基板にパーティクルが付着することを抑制することができる。

請求項９記載の発明は、上記基板搬送装置は、液を用いずに乾燥状態で基板を保持する乾燥型ハンド（２０，２１；７０）と、上記乾燥型ハンドを移動させるための乾燥型ハンド移動手段（２２，２３，２４，２５；７２，７３，７４）とをさらに備え、上記乾燥処理部での乾燥処理後の基板が上記乾燥型ハンドによって搬出されるように、上記乾燥型ハンド移動手段を制御する制御手段（１００）をさらに含むことを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置である。この構成によれば、基板は乾燥型ハンドに保持されつつ、乾燥処理部から搬出される。したがって、乾燥状態にある基板に液が付着することを抑制できる。

乾燥処理部から搬出される基板が、処理液による処理が施された後乾燥された清浄基板であるときには、上記乾燥型ハンドは、上述の清浄基板保持ハンドであることが好ましい。この場合、清浄基板を、その清浄状態を維持したまま、乾燥処理部から搬出することができる。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態にかかる基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。この基板処理装置は、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板に代表される基板Ｗに対して処理液などによる処理を施すための枚葉式の装置である。
この基板処理装置は、基板Ｗに対して処理液による処理を施す基板処理部１と、この基板処理部１の一方側に結合されたインデクサ部２と、インデクサ部２の基板処理部１と反対側に並べて配置された複数（この実施形態では４つ）のカセット保持部３とを備えている。各カセット保持部３には、複数枚の基板Ｗを多段に積層した状態で収容して保持するカセットＣ（複数枚の基板Ｗを密閉した状態で収納するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド、ＯＣ（Open Cassette）など）が載置されている。

インデクサ部２には、カセット保持部３の配列方向に延びる直線搬送路４が形成されている。この直線搬送路４にはインデクサロボット５が配置されている。
インデクサロボット５は、直線搬送路４に沿って往復移動可能に設けられており、各カセット保持部３に載置されたカセットＣに対向することができる。また、インデクサロボット５は、基板Ｗを保持するためのハンド（図示せず）を備えており、カセットＣに対向した状態で、そのカセットＣにハンドをアクセスさせて、カセットＣから未処理の基板Ｗを取り出したり、処理済みの基板ＷをカセットＣに収納したりすることができる。さらに、インデクサロボット５は、直線搬送路４の中央部に位置した状態で、基板処理部１に対してハンドをアクセスさせて、後述する基板搬送ロボット９に未処理基板Ｗを受け渡したり、基板搬送ロボット９から処理済みの基板Ｗを受け取ったりすることができる。

基板処理部１には、インデクサ部２の直線搬送路４の中央部から当該直線搬送路４と直交する方向に延びる搬送室６が形成されている。搬送室６は、天板７（図２参照）および底板８（図２参照）によってそれぞれ上面および下面が形成されている。搬送室６の中央には、基板搬送ロボット９が配置されている。基板処理部１には、３つの薬液／リンス処理ユニット１１，１２，１３および１つのリンス／乾燥処理ユニット１４が基板搬送ロボット９を取り囲むように配置されている。基板処理部１は基板Ｗに対して、一連の基板洗浄処理（後述する薬液処理、リンス処理および乾燥処理）を施すためのものである。

薬液／リンス処理ユニット１１〜１３では、未処理基板Ｗの表面に対して、薬液を用いた薬液処理と、純水（脱イオン化された純水）を用いたリンス処理が順次に施される。各薬液／リンス処理ユニット１１〜１３では、共通した内容の薬液処理およびリンス処理が施される。基板Ｗの処理に用いられる薬液としては、ふっ酸、ＳＰＭ（硫酸過酸化水素水）、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水）またはＳＣ２（塩酸過酸化水素水）などを例示することができる。また、リンス／乾燥処理ユニット１４では、基板Ｗの表面に純水を用いたリンス処理が施されるとともに、リンス処理後の基板Ｗに対して乾燥処理が施される。

基板搬送ロボット９は、インデクサロボット５から未処理基板Ｗを受け取ることができ、かつ処理済みの基板Ｗをインデクサロボット５に受け渡すことができる。また、基板搬送ロボット９は、４つの処理ユニット１１〜１４に後述するハンド２０，２１，３０，３１をアクセスさせることができ、これらとの間で相互に基板Ｗの受け渡しを行うことができるようになっている。

図２は、基板搬送ロボット９の構成を示す図解的な斜視図である。
基板搬送ロボット９は、天板７に支持された上ユニット９ａと、底板８に支持された下ユニット９ｂとを備えている。
上ユニット９ａは、天板７の下面に固定された第１基台部１６と、この第１基台部１６に対して鉛直軸線周りに回転可能に、かつ、昇降可能に取り付けられた第１回転／昇降ベース１７と、第１回転／昇降ベース１７にそれぞれ取り付けられた第１アーム１８および第２アーム１９と、第１アーム１８の先端に取り付けられた清浄基板保持ハンド２０と、第２アーム１９の先端に取り付けられた未洗浄基板保持ハンド２１とを備えている。

第１回転／昇降ベース１７には、第１ベース回転駆動機構２２が結合されており、この第１ベース回転駆動機構２２の駆動力によって、第１回転／昇降ベース１７が鉛直軸線周りに回転されるようになっている。第１回転／昇降ベース１７には、また、第１ベース昇降駆動機構２３が結合されており、この第１ベース昇降駆動機構２３の駆動力によって、第１回転／昇降ベース１７が昇降されるようになっている。

第１アーム１８および第２アーム１９は、いずれも多関節型の屈伸式アームである。第１アーム１８には、第１アーム進退駆動機構２４が結合されており、この第１アーム進退駆動機構２４の駆動力により第１アーム１８が屈伸させられて、清浄基板保持ハンド２０が水平方向に進退できるようになっている。また、第２アーム１９には、第２アーム進退駆動機構２５が結合されており、この第２アーム進退駆動機構２５の駆動力により第２アーム１９が屈伸させられて、未洗浄基板保持ハンド２１が水平方向に進退できるようになっている。清浄基板保持ハンド２０は、未洗浄基板保持ハンド２１よりも上方で進退するようになっている。

清浄基板保持ハンド２０は、一連の基板洗浄処理（薬液処理、リンス処理および乾燥処理）が施された処理済みの基板Ｗを保持するためのハンドである。これに対し、未洗浄基板保持ハンド２１は、基板洗浄処理が施される前の未処理基板Ｗを保持するためのハンドである。清浄基板保持ハンド２０および未洗浄基板保持ハンド２１はともに、二股フォーク状を有したハンドであり、基板Ｗの周縁部を支持することにより基板Ｗを保持する。言い換えれば、清浄基板保持ハンド２０および未洗浄基板保持ハンド２１は、乾燥状態で基板Ｗを保持する乾燥型ハンドである。したがって、清浄基板保持ハンド２０および未洗浄基板保持ハンド２１に保持される基板Ｗは、乾燥状態に維持される。このように、処理済みの基板Ｗを保持するためのハンド（清浄基板保持ハンド２０）と、未処理基板Ｗを保持するためのハンド（未洗浄基板保持ハンド２１）とを個別に設けたために、未処理基板Ｗに付着しているパーティクルがハンドを介して処理済みの基板Ｗに移ることを抑制することができる。

また、清浄基板保持ハンド２０が未洗浄基板保持ハンド２１よりも上方で進退するために、未洗浄基板保持ハンド２１に保持されている未洗浄基板Ｗのパーティクルが、清浄基板保持ハンド２０に保持されている処理済みの基板Ｗに向けて落下することがない。
下ユニット９ｂは、底板８の上面に固定された第２基台部２６と、この第２基台部２６に対して鉛直軸線周りに回転可能に、かつ、昇降可能に取り付けられた第２回転／昇降ベース２７と、第２回転／昇降ベース２７にそれぞれ取り付けられ、第３アーム２８および第４アーム２９と、第３アーム２８の先端に取り付けられた接液型上ハンド３０と、第４アーム２９の先端に取り付けられた接液型下ハンド３１とを備えている。

第２回転／昇降ベース２７には、第２ベース回転駆動機構３２が結合されており、この第２ベース回転駆動機構３２の駆動力によって第２回転／昇降ベース２７が鉛直軸線周りに回転されるようになっている。また、第２回転／昇降ベース２７には、第２ベース昇降駆動機構３３が結合されており、この第２ベース昇降駆動機構３３の駆動力により第２回転／昇降ベース２７が昇降されるようになっている。

第３アーム２８および第４アーム２９は、いずれも多関節型の屈伸式アームである。第３アーム２８には、第３アーム進退駆動機構３４が結合されており、この第３アーム進退駆動機構３４の駆動力により第３アーム２８が屈伸させられて、接液型上ハンド３０が水平方向に進退できるようになっている。また、第４アーム２９には、第４アーム進退駆動機構３５が結合されており、この第４アーム進退駆動機構３５の駆動力により第４アーム２９が屈伸させられて、接液型下ハンド３１が水平方向に進退できるようになっている。接液型上ハンド３０は、接液型下ハンド３１よりも上方で、かつ、未洗浄基板保持ハンド２１よりも下方で進退するようになっている。

接液型上ハンド３０および接液型下ハンド３１は、それぞれ、ブロック４０と、ブロック４０の下面に固定され、ほぼ水平に設けられたプレート４１とを備えている。プレート４１は、基板Ｗよりも少し大きな径を有する円板状に形成されている。ブロック４０の上面には、第３アーム２８および第４アーム２９の先端が結合されている。
図３は、接液型上ハンド３０または接液型下ハンド３１の構成を示す図解的な断面図である。また、図４は、プレート４１の下面の一部を示す図である。

プレート４１の下面には、図４に示すように、複数の吐出口４２および吸引口４３が形成されている。吐出口４２は、円形をなし、正六角形の各頂点位置に配置されている。吐出口３８は、吐出口４２よりも大きな径を有する円形をなし、６個の吐出口４２を頂点とする正六角形の中心に配置されている。
また、プレート４１には、図３に示すように、各吐出口４２に連通する略円柱状の供給路４４と、各吸引口４３に連通する略円柱状の吸引路４５とが、その厚み方向(上下方向）に貫通して形成されている。

各供給路４４には、ブロック４０内に配設された分岐供給管４６の一端が接続されている。各分岐供給管４６の他端は、ブロック４０内において集合供給管４７に接続されている。集合供給管４７は、ブロック４０外へと延び、純水供給源に接続されている。集合供給管４７の途中部には、純水バルブ４８が介装されている。この純水バルブ４８が開成されると、純水供給源からの純水（脱イオン化された純水）が、集合供給管４７および各分岐供給管４６を介して各供給路４４に供給されるようになっている。各供給路４４に供給される純水は、各吐出口４２から吐出される。

一方、各吸引路４５には、ブロック４０内に配設された分岐吸引管４９の一端が接続されている。各分岐吸引管４９の他端は、ブロック４０内において集合吸引管５０に接続されている。集合吸引管５０は、ブロック４０外へと延び、その先端が図示しないコンバムに接続されている。集合吸引管５０の途中部には、吸引バルブ５１が介装されている。この吸引バルブ５１が開成されると、集合吸引管５０および各分岐吸引管４９を介して、各吸引路４５内が真空吸引される。この吸引により、図４に矢印で示すように、各吸引口４３の周囲に配置されている６個の吐出口４２から吐出される純水は、それらの中央に位置する吸引口４３に向けて集合するように流れる。その結果、プレート４１の下面に、吐出口４２から吸引口４３に向けて流れる純水による液膜が形成される。そして、プレート４１の下面に対して基板Ｗの表面を微少な間隔Ｓで近接配置させて、プレート４１の下面に純水の液膜を形成すると、純水の液膜に基板Ｗの表面を密着させて基板Ｗを保持することができる。

基板Ｗが接液型上ハンド３０または接液型下ハンド３１に保持された状態で、第３アーム２８または第４アーム２９が移動されることで、基板Ｗの搬送が行われる。プレート４１と基板Ｗの表面との間に介在する純水が吸引されているため、基板Ｗが接液型上ハンド３０または接液型下ハンド３１に所定の保持力で保持される。したがって、接液型ハンドをある程度の速度で移動させても、基板Ｗが接液型上ハンド３０または接液型下ハンド３１から離脱することはない。これにより、適切な搬送速度で基板Ｗを搬送することができる。

純水バルブ４８および吸引バルブ５１が閉じられると、接液型上ハンド３０または接液型下ハンド３１のプレート４１の下面に形成されていた純水の液膜が消失する。したがって、接液型上ハンド３０または接液型下ハンド３１が基板Ｗを保持するための保持力を失い、基板Ｗは自重により落下する。これにより、接液型上ハンド３０または接液型下ハンド３１から基板Ｗを離脱させることができる。

さらに、プレート４１の周縁には、プレート４１の下面に保持された基板Ｗがその下面に水平な方向に沿ってスライドすることを防止するためのスライド防止部材５２が設けられている。このスライド防止部材５２は、プレート４１の下面よりも下方に突出するものであり、図２および図３に示すようにリング状に形成されていてもよいし、複数の突片状に形成されてプレート４１の周縁に等間隔で配置されていてもよい。

基板搬送ロボット９では、上述のように、乾燥型のハンドである清浄基板保持ハンド２０および未洗浄基板保持ハンド２１は、接液型上ハンド３０および接液型下ハンド３１よりも上方位置で進退する。このため、接液型上ハンド３０および接液型下ハンド３１から、清浄基板保持ハンド２０および未洗浄基板保持ハンド２１に向けて純水が液下することがない。これにより、乾燥型ハンドである清浄基板保持ハンド２０および未洗浄基板保持ハンド２１が濡れたり、これらのハンド２０，２１に保持されている基板Ｗが濡れたりすることを防止することができる。

図５は、この基板処理装置の制御系の構成を説明するためのブロック図である。基板処理装置には、この基板処理装置の各部を制御する制御装置１００が備えられている。制御装置１００は、マイクロコンピュータなどを含んでおり、インデクサロボット５および４つの処理ユニット１１〜１４の各々と接続されている。制御装置１００は、インデクサロボット５による基板Ｗの搬送動作を制御するとともに、処理ユニット１１〜１４との間で、処理条件や進行状況等を表す各種のデータを授受する。

また、制御装置１００には、基板搬送ロボット９の第１ベース回転駆動機構２２、第１ベース昇降駆動機構２３、第１アーム進退駆動機構２４、第２アーム進退駆動機構２５、第２ベース回転駆動機構３２、第２ベース昇降駆動機構３３、第３アーム進退駆動機構３４および第４アーム進退駆動機構３５などが制御対象として接続されている。さらに、制御装置１００には、純水バルブ４８および吸引バルブ５１が制御対象として接続されている。

制御装置１００は、第１ベース回転駆動機構２２、第１ベース昇降駆動機構２３、第１アーム進退駆動機構２４、第２アーム進退駆動機構２５、第２ベース回転駆動機構３２、第２ベース昇降駆動機構３３、第３アーム進退駆動機構３４および第４アーム進退駆動機構３５の動作を制御する。制御装置１００は、また、純水バルブ４８および吸引バルブ５１の開閉を制御する。

図６は、基板処理装置において行われる処理を説明するためのフローチャートである。この基板処理装置では、未処理基板Ｗに対して、薬液／リンス処理ユニット１１，１２，１３のいずれか１つで薬液処理およびリンス処理が施され、その後、リンス／乾燥処理ユニット１４でリンス処理および乾燥処理が施される。
インデクサロボット５から基板搬送ロボット９に対して未処理基板Ｗが受け渡される（ステップＳ１）。このとき、未処理基板Ｗは、基板搬送ロボット９の未洗浄基板保持ハンド２１に受け渡され、未洗浄基板保持ハンド２１によって保持される。第２アーム進退駆動機構２５が制御されて第２アーム１９が屈伸され、また、第１ベース回転駆動機構２２が制御されて第１回転／昇降ベース１７が回転されることによって、基板Ｗを保持した未洗浄基板保持ハンド２１が薬液／リンス処理ユニット１１に進入させられる。これにより、未処理基板Ｗが薬液／リンス処理ユニット１１に搬入される（ステップＳ２）。薬液／リンス処理ユニット１１に搬入された未処理基板Ｗは、その表面（デバイス形成面）を上方に向けた状態でスピンチャック（図示しない）に受け渡される。その後、未洗浄基板保持ハンド２１は、薬液／リンス処理ユニット１１から退出させられる。

薬液／リンス処理ユニット１１では、スピンチャックにより高速で回転されている基板Ｗの表面に向けて薬液が供給される。基板Ｗの表面に供給された薬液は、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全域に行き渡る。これにより、基板Ｗの表面が薬液によって洗浄される（ステップＳ３）。
所定の薬液処理時間（３０秒間から１５分間）が経過すると、基板Ｗの表面に向けて純水（脱イオン化された純水）が供給される。基板Ｗの表面に供給された純水は、基板Ｗの回転による遠心力によって、基板Ｗの表面全域に行き渡る。これにより、基板Ｗの表面に付着している薬液を純水によって洗い流すリンス処理が施される（ステップＳ４）。

所定のリンス時間（３０秒間から６０秒間）が経過すると、基板Ｗは、基板搬送ロボット９によってリンス／乾燥処理ユニット１４へ搬送される。この搬送には、基板搬送ロボット９の接液型上ハンド３０および接液型下ハンド３１の一方（空いている方のハンド）が用いられる（ステップＳ５）。図６では、接液型上ハンド３０が用いられる場合を例にとって説明する。基板Ｗを搬送する際には、純水バルブ４８および吸引バルブ５１が開成されて、接液型上ハンド３０のフレート４１の下面に純水の液膜が形成される。第３アーム進退駆動機構３４が制御されて第３アーム２８が屈伸され、また、第２ベース回転駆動機構３２が制御されて第２回転／昇降ベース２７が回転されることによって、接液型上ハンド３０が薬液／リンス処理ユニット１１に進入させられる。接液型上ハンド３０が基板Ｗの表面上に進出されると、基板Ｗが接液型上ハンド３０に保持される。基板Ｗが接液型上ハンド３０に保持された状態では、基板Ｗの表面が純水の液膜に密着している。

第３アーム進退駆動機構３４および第２ベース回転駆動機構３２が制御されることにより、基板Ｗを保持した接液型上ハンド３０が、薬液／リンス処理ユニット１１から退出させられる。これにより、薬液／リンス処理ユニット１１から基板Ｗが搬出される（ステップＳ５）。その後、第３アーム進退駆動機構３４および第２ベース回転駆動機構３２が制御されて、基板Ｗを保持した接液型上ハンド３０がリンス／乾燥処理ユニット１４に進入させられる。これにより、基板Ｗがリンス／乾燥処理ユニット１４に搬入される（ステップＳ５）。

上述のように、薬液／リンス処理ユニット１１からリンス／乾燥処理ユニット１４への基板Ｗの搬送時には、基板Ｗが接液型上ハンド３０に保持されている。基板Ｗの保持状態では、基板Ｗの表面が純水の液膜と密着している。したがって、基板Ｗの搬送時に、基板Ｗの表面が外気にさらされることがない。
リンス／乾燥処理ユニット１４内に搬入された基板Ｗは、スピンチャック（図示しない）に保持される。その後、純水バルブ４８および吸引バルブ５１が閉じられると、接液型上ハンド３０のプレート４１の下面に形成されていた純水の液膜が消失し、基板Ｗは接液型上ハンド３０から離脱する。これにより、基板Ｗがスピンチャックに受け渡される。その後、基板搬送ロボット９の接液型上ハンド３０がリンス／乾燥処理ユニット１４から退出させられる。

リンス／乾燥処理ユニット１４では、スピンチャックにより高速で回転されている基板Ｗの表面に向けて純水（脱イオン化された純水）が供給される。基板Ｗの表面に供給された純水は、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全域に行き渡る。これにより、基板Ｗの表面に付着したパーティクルなどを洗い流すリンス処理が施される（ステップＳ６）。

所定のリンス時間（３０秒間から６０秒間）が経過すると、純水の供給が停止されて、基板Ｗがより高速で回転されて、基板Ｗの表面に付着している純水を遠心力で振り切って乾燥させる乾燥処理が行われる（ステップＳ７）。
所定のリンス時間（３０秒間から６０秒間）が経過すると、処理済みの基板Ｗが基板搬送ロボット９により搬出される。この搬出には、基板搬送ロボット９の清浄基板保持ハンド２０が用いられる。

第１アーム進退駆動機構２４が制御されて第１アーム１８が屈伸され、また、第１ベース回転駆動機構２２が制御されて第１回転／昇降ベース１７が回転されることによって、清浄基板保持ハンド２０がリンス／乾燥処理ユニット１４に進入させられる。そして、基板Ｗが清浄基板保持ハンド２０に保持されると、第１アーム進退駆動機構２４および第１ベース回転駆動機構２２が制御されて、基板Ｗを保持した清浄基板保持ハンド２０がリンス／乾燥処理ユニット１４から退出させられる。これにより、処理済みの基板Ｗがリンス／乾燥処理ユニット１４から搬出される（ステップＳ８）。リンス／乾燥処理ユニット１４から搬出された処理済みの基板Ｗは、清浄基板保持ハンド２０からインデクサロボット５に受け渡される（ステップＳ９）。

なお、上ユニット９ａの各アーム１８，１９の屈伸動作に併せて、第１ベース昇降駆動機構２３が制御されて、第１回転／昇降ベース１７が昇降されるようになっていてもよい。また、下ユニット９ｂの各アーム２８，２９の屈伸動作に併せて、第２ベース回転駆動機構３２が制御されて、第２回転／昇降ベース２７が昇降されるようになっていてもよい。

以上により、この実施形態によれば、薬液／リンス処理ユニット１１からリンス／乾燥処理ユニット１４への基板Ｗの搬送の際には、基板Ｗは接液型ハンド３０，３１に保持される。そのため、基板Ｗの搬送の際に、基板Ｗの表面が外気にさらされることがない。これにより、基板Ｗの表面にパーティクルが付着することを抑制または防止することができる。

また、処理済みの基板Ｗは清浄基板保持ハンド２０に保持されつつ、リンス／乾燥処理ユニット１４から搬出される。したがって、処理済みの基板Ｗに純水が付着したり、パーティクルが付着したりすることを抑制または防止することができる。
図７は、この発明の他の実施形態（第２の実施形態）にかかる基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。この第２の実施形態において、上述の図１〜図５の実施形態（第１の実施形態）に示された各部に対応する部分には、図１〜図５の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。この基板処理装置は、上述の第１の実施形態とは異なり、未処理基板Ｗに対して、互いに異なる２種類の薬液、すなわち第１薬液および第２薬液を用いた洗浄処理を施すものである。この洗浄処理に用いられる第１薬液および第２薬液としては、ふっ酸、ＳＰＭ（硫酸過酸化水素水）、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水）またはＳＣ２（塩酸過酸化水素水）などから選択した２種を例示することができる。

基板処理部１の中央には、基板搬送ロボット６５が配置されている。この基板搬送ロボット６５を取り囲むように２つの第１薬液／リンス処理ユニット６０，６１、２つの第２薬液／リンス処理ユニット６２，６３、および１つのリンス／乾燥処理ユニット６４が配置されている。リンス／乾燥処理ユニット６４は、直線搬送路４と搬送室６との間に配置されており、インデクサロボット５は、このリンス／乾燥処理ユニット６４に対してハンド（図示しない）をアクセスさせることができるようになっている。この実施形態では、インデクサロボット５と基板搬送ロボット６５との間では、基板Ｗの受け渡しは直接には行われない。インデクサロボット５と基板搬送ロボット６５との間の基板Ｗの受け渡しは、リンス／乾燥処理ユニット６４を介して行われる。

基板搬送ロボット６５は、後述するハンド７０，７１を５つの処理ユニット６０〜６４にアクセスさせることができ、これらとの間で相互に基板Ｗの受け渡しを行うことができるようになっている。
図８は、基板搬送ロボット６５の構成を示す図解的な斜視図である。
基板搬送ロボット６５は、底板８の上面に固定された第３基台部６６と、この第３基台部６６に対して鉛直軸線周りに回転可能に、かつ、昇降可能に取り付けられた第３回転／昇降ベース６７と、第３回転／昇降ベース６７にそれぞれ取り付けられた第５アーム６８および第６アーム６９と、第５アーム６８の先端に取り付けられた未洗浄基板保持ハンド７０と、第６アーム６９の先端に取り付けられた接液型ハンド７１とを備えている、
第３回転／昇降ベース６７には、第３ベース回転駆動機構７２が結合されており、この第３ベース回転駆動機構７２の駆動力によって、第３回転／昇降ベース６７が鉛直軸線周りに回転されるようになっている。第３回転／昇降ベース６７には、また、第３ベース昇降駆動機構７３が結合されており、この第３ベース昇降駆動機構７３の駆動力によって、第３回転／昇降ベース６７が昇降されるようになっている。

第５アーム６８および第６アーム６９は、いずれも多関節型の屈伸式アームである。第５アーム６８には、第５アーム進退駆動機構７４が結合されており、この第５アーム進退駆動機構７４の駆動力により第５アーム６８が屈伸させられて、未洗浄基板保持ハンド７０が水平方向に進退できるようになっている。また、第６アーム６９には、第６アーム進退駆動機構７５が結合されており、この第６アーム進退駆動機構７５の駆動力により第６アーム６９が屈伸させられて、接液型ハンド７１が水平方向に進退できるようになっている。未洗浄基板保持ハンド７０は、接液型ハンド７１よりも上方で進退するようになっている。

未洗浄基板保持ハンド７０は、第１の実施形態における未洗浄基板保持ハンド２１と同様の構成である。また、接液型ハンド７１は、第１の実施形態における接液型上ハンド３０および接液型下ハンド３１と同様の構成である。
図９は、第２の実施形態にかかる基板処理装置の制御系の構成を説明するためのブロック図である。制御装置１００は、インデクサロボット５および５つの処理ユニット６０〜６４の各々と接続されている。制御装置１００は、インデクサロボット５による基板Ｗの搬送動作を制御するとともに、処理ユニット６０〜６４との間で、処理条件や進行状況等を表す各種のデータを授受する。

また、制御装置１００は、基板搬送ロボット６５の第３ベース回転駆動機構７２、第３ベース昇降駆動機構７３、第５アーム進退駆動機構７４および第６アーム進退駆動機構７５が接続されている。
制御装置１００は、第３ベース回転駆動機構７２、第３ベース昇降駆動機構７３、第５アーム進退駆動機構７４および第６アーム進退駆動機構７５の動作を制御する。

図１０は、第２の実施形態にかかる基板処理装置において行われる処理を説明するためのフローチャートである。この実施形態にかかる基板処理装置では、第１薬液／リンス処理ユニット６０，６１のいずれか一方で、未処理基板Ｗに第１薬液処理およびリンス処理が施される。その後、第２薬液／リンス処理ユニット６２，６３のいずれか一方で、基板Ｗに第２薬液処理およびリンス処理が施される。最後に、リンス／乾燥処理ユニット６４で基板Ｗにリンス処理および乾燥処理が施される。

インデクサロボット５がリンス／乾燥処理ユニット６４にハンドをアクセスさせて、リンス／乾燥処理ユニット６４の内部に未処理基板Ｗが載置される（ステップＴ１）。第５アーム進退駆動機構７４が制御されて第５アーム６８が屈伸され、また、第３ベース回転駆動機構７２が制御されて第３回転／昇降ベース６７が回転されることによって、未洗浄基板保持ハンド２１がリンス／乾燥処理ユニット６４内に進入させられる。そして、リンス／乾燥処理ユニット６４の内部に載置された未処理基板Ｗが、未洗浄基板保持ハンド７０によって保持される（ステップＴ２）。その後、第５アーム進退駆動機構７４が制御されて第５アーム６８が屈伸され、また、第３ベース回転駆動機構７２が制御されて第３回転／昇降ベース６７が回転されることによって、未処理基板Ｗを保持した未洗浄基板保持ハンド７０がリンス／乾燥処理ユニット６４から退出させられる。これにより、未洗浄基板Ｗがリンス／乾燥処理ユニット６４から搬出される。その後、第３ベース回転駆動機構７２が制御されて第３回転／昇降ベース６７が回転されることによって、未処理基板Ｗを保持した未洗浄基板保持ハンド７０が第１薬液／リンス処理ユニット６０，６１に進入させられる。これにより、第１薬液／リンス処理ユニット６０，６１に未処理基板Ｗが搬入される（ステップＴ３）。第１薬液／リンス処理ユニット６０，６１に搬入された未処理基板Ｗは、その表面を上方に向けた状態で図示しないスピンチャック（図示しない）に受け渡される。その後、未洗浄基板保持ハンド７０は、第１薬液／リンス処理ユニット６０，６１から退出させられる。

第１薬液／リンス処理ユニット６０，６１では、スピンチャックにより高速で回転されている基板Ｗの表面に向けて第１薬液が供給される。基板Ｗの表面に供給された第１薬液は、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全域に行き渡る。これにより、基板Ｗの表面が第１薬液によって洗浄される（ステップＴ４）。
所定の薬液処理時間（３０秒間から１５分間）が経過すると、基板Ｗの表面に対して、上述のステップＳ４と同様のリンス処理が施される（ステップＴ５）。

所定のリンス時間（３０秒間から６０秒間）が経過すると、基板Ｗは、基板搬送ロボット６５によって第２薬液／リンス処理ユニット６２，６３へ搬送される。この搬送には、基板搬送ロボット６５の接液型ハンド７１が用いられる（ステップＴ６）。基板Ｗを搬送する際には、純水バルブ４８および吸引バルブ５１が開成されて、接液型ハンド７１のフレート４１の下面に純水の液膜が形成される。第６アーム進退駆動機構７５が制御されて第６アーム６９が屈伸され、また、第３ベース回転駆動機構７２が制御されて第３回転／昇降ベース６７が回転されることによって、第１薬液／リンス処理ユニット６０，６１に接液型ハンド７１が進入させられる。接液型ハンド７１が基板Ｗの表面上に進出されると、基板Ｗが接液型ハンド７１に保持される。基板Ｗが接液型ハンド７１に保持された状態では、基板Ｗの表面が純水の液膜に密着している。

第６アーム進退駆動機構７５および第３ベース回転駆動機構７２が制御されることにより、基板Ｗを保持した接液型ハンド７１が、第１薬液／リンス処理ユニット６０，６１から退出させられる。これにより、基板Ｗが第１薬液／リンス処理ユニット６０，６１から搬出される（ステップＴ６）。その後、第６アーム進退駆動機構７５および第３ベース回転駆動機構７２が制御されて、基板Ｗを保持した接液型ハンド７１が第２薬液／リンス処理ユニット６２，６３に進入させられる。これにより、第２薬液／リンス処理ユニット６２，６３に基板Ｗが搬入される（ステップＴ６）。

第２薬液／リンス処理ユニット６２，６３内に搬入された基板Ｗは、スピンチャック（図示しない）に保持される。純水バルブ４８および吸引バルブ５１が閉じられると、接液型ハンド７１のプレート４１の下面に形成されていた純水の液膜が消失し、基板Ｗは接液型ハンド７１から離脱する。これにより、基板Ｗがスピンチャック（図示しない）に受け渡される。その後、基板搬送ロボット６５の接液型ハンド７１が第２薬液／リンス処理ユニット６２，６３から退出させられる。

第２薬液／リンス処理ユニット６２，６３では、スピンチャックにより高速で回転されている基板Ｗの表面に向けて第２薬液が供給される。基板Ｗの表面に供給された第２薬液は、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全域に行き渡る。これにより、基板Ｗの表面が第２薬液によって洗浄される（ステップＴ７）。
所定の薬液処理時間（３０秒間から１５分間）が経過すると、次に、基板Ｗの表面に対して、上述のステップＳ４と同様のリンス処理が施される（ステップＴ８）。

所定のリンス時間（３０秒間から６０秒間）が経過すると、基板Ｗは、基板搬送ロボット６５によってリンス／乾燥処理ユニット６４へ搬送される（ステップＴ９）。この搬送にも、基板搬送ロボット６５の接液型ハンド７１が用いられる。上記のステップＴ６で説明した方法と同様の方法で、第２薬液／リンス処理ユニット６２，６３における処理が終了した基板Ｗが接液型ハンド７１に保持される。この状態で、基板Ｗが接液型ハンド７１に保持された状態では、基板Ｗの表面が純水の液膜に密着している。

そして、第６アーム進退駆動機構７５および第３ベース回転駆動機構７２が制御されることにより、基板Ｗを保持した接液型ハンド７１が、第２薬液／リンス処理ユニット６２，６３から退出させられる。これにより、基板Ｗが第２薬液／リンス処理ユニット６２，６３から搬出される（ステップＴ９）。その後、ステップＴ６で説明した方法と同様の方法で、基板Ｗを保持した接液型ハンド７１がリンス／乾燥処理ユニット６４に進入させられる。これにより、リンス／乾燥処理ユニット６４に基板Ｗが搬入される（ステップＴ９）。リンス／乾燥処理ユニット６４に搬入された基板Ｗは、接液型ハンド７１から離脱して、スピンチャック（図示しない）に受け渡される。

リンス／乾燥処理ユニット６４では、基板Ｗの表面に対して、上述のステップＳ６と同様のリンス処理が施される（ステップＴ１０）。
所定のリンス時間（３０秒間から６０秒間）が経過すると、次に上述のステップＳ７と同様の乾燥処理が行われる（ステップＴ１１）。
所定のリンス時間（３０秒間から６０秒間）が経過すると、インデクサロボット５により、処理済みの基板Ｗがリンス／乾燥処理ユニット６４から搬出される（ステップＴ１２）。

なお、基板搬送ロボット６５の各アーム６８，６９の屈伸動作に併せて、第３ベース昇降駆動機構７３が制御されて、第３回転／昇降ベース６７が昇降されるようになっていてもよい。
以上により、この実施形態によれば、第１薬液／リンス処理ユニット６０，６１から第２薬液／リンス処理ユニット６２，６３への基板Ｗの搬送の際、および第２薬液／リンス処理ユニット６２，６３からリンス／乾燥処理ユニット６４への基板Ｗの搬送の際の双方において、基板Ｗは接液型ハンド７１に保持される。これにより、基板Ｗの搬送の際に、基板Ｗの表面が外気にさらされることを防ぐことができ、これにより、第１薬液処理または第２薬液処理が施された後の基板Ｗの表面にパーティクルが付着することを抑制または防止することができる。

なお、接液型ハンド７１に基板Ｗを保持させるには、純水の供給や吸引が必要なので、未処理基板保持ハンド７０などの乾燥型ハンドと比較して、接液型ハンド７１で基板Ｗを保持するために必要な時間は長いと考えられる。この基板処理装置における基板処理のスループットが低下しないように、基板処理装置のレイアウトに工夫を施して、基板搬送タクトを短縮化することが好ましい。

図１１は、この発明の他の実施形態（第３の実施形態）にかかる基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。この第３の実施形態において、上述の第２の実施形態）に示された各部に対応する部分には、図７〜図９の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この基板処理装置では、基板処理部１とインデクサ部２との間に、インデクサロボット５とリンス／乾燥処理ユニット６４との間の基板Ｗの搬送を補助する基板搬送補助ロボット８１を備えた基板搬送補助部８０が形成されている。

図１２は、基板搬送補助ロボット８１の構成を示す図解的な斜視図である。
基板搬送補助ロボット８１は、底板８の上面に固定された第４基台部８６と、この第４基台部８６に対して鉛直軸線周りに回転可能に、かつ、昇降可能に取り付けられた第４回転／昇降ベース８７と、第４回転／昇降ベース８７にそれぞれ取り付けられた第７アーム８８および第８アーム８９と、第８アーム８９の先端に取り付けられた清浄基板保持ハンド９０と、第８アーム８９の先端に取り付けられた未洗浄基板保持ハンド９１とを備えている。

第４回転／昇降ベース８７には、第４ベース回転駆動機構９２が結合されており、この第４ベース回転駆動機構９２の駆動力によって、第４回転／昇降ベース８７が鉛直軸線周りに回転されるようになっている。また、第４回転／昇降ベース８７には、第４ベース昇降駆動機構９３が結合されており、この第４ベース昇降駆動機構９３の駆動力によって、第４回転／昇降ベース８７が昇降されるようになっている。

第７アーム８８および第８アーム８９は、いずれも多関節型の屈伸式アームである。第７アーム８８には、第７アーム進退駆動機構９４が結合されており、この第７アーム進退駆動機構９４の駆動力により第７アーム８８が屈伸させられて、清浄基板保持ハンド９０が水平方向に進退できるようになっている。また、第８アーム８９には、第８アーム進退駆動機構９５が結合されており、この第８アーム進退駆動機構９５の駆動力により第８アーム８９が屈伸させられて、未洗浄基板保持ハンド９１が水平方向に進退できるようになっている。清浄基板保持ハンド９０は、未洗浄基板保持ハンド９１よりも上方で進退するようになっている。

清浄基板保持ハンド９０は、第１の実施形態における清浄基板保持ハンド２０と同様の構成である。また、未洗浄基板保持ハンド９１は、第１の実施形態における未洗浄基板保持ハンド２１と同様の構成である。
図９を再び参照して、制御装置１００には、破線で示すように、基板搬送補助ロボット８１の第４ベース回転駆動機構９２、第４ベース昇降駆動機構９３、第７アーム進退駆動機構９４および第８アーム進退駆動機構９５が接続されている。

制御装置１００は、第４ベース回転駆動機構９２、第４ベース昇降駆動機構９３、第７アーム進退駆動機構９４および第８アーム進退駆動機構９５の動作を制御する。
図１３は、第３の実施形態にかかる基板処理装置において行われる処理を説明するためのフローチャートである。この図１３では、図１０に示す第２の実施形態にかかる基板処理装置の制御と同一の工程は、図１０の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。

この第３の実施形態では、リンス／乾燥処理ユニット６４内への未処理基板Ｗの載置は、インデクサロボット５によって行われるのではなく、インデクサロボット５から未処理基板Ｗが受け渡された基板搬送補助ロボット８１によって行われる（ステップＴ１３，Ｔ１４）。インデクサロボット５からの未処理基板Ｗの受け取り、およびリンス／乾燥処理ユニット６４内への未処理基板Ｗの載置には、基板搬送補助ロボット８１の未洗浄基板ハンド９１が用いられる。

また、この第３の実施形態では、リンス／乾燥処理ユニット６４からの処理済みの基板Ｗの搬出は、インデクサロボット５ではなく、基板搬送補助ロボット８１を用いて行われる（ステップＴ１５）。基板搬送補助ロボット８１によって搬出された処理済みの基板Ｗは、インデクサロボット５に受け渡される（ステップＴ１６）。リンス／乾燥処理ユニット６４内からの処理済みの基板Ｗの搬出、およびインデクサロボット５への処理済の基板Ｗの受け渡しには、基板搬送補助ロボット８１の清浄基板保持ハンド９０が用いられる。

以上により、この実施形態によれば、インデクサロボット５とリンス／乾燥処理ユニット６４との間の基板Ｗの受け渡しが基板搬送補助ロボット８１によって行われる。これにより、基板搬送タクトを短縮化することができるとともに、インデクサロボット５の負担を軽減することができる。
以上、この発明の３つの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。

第２の実施形態および第３の実施形態において、リンス／乾燥処理ユニット６４を、複数の処理チャンバが積層された多段式のユニットとし、基板搬送ロボット９およびインデクサロボット５（基板搬送補助ロボット８１）が個別にハンドを各処理チャンバにアクセスさせる構成とすることもできる。この場合、基板搬送ロボット９への未処理基板Ｗの受け渡し、および、インデクサロボット５（基板搬送補助ロボット８１）への処理済みの基板Ｗの受け渡しをスムーズに行うことができる。これにより、基板搬送タクトを短縮化することができる。

また、上述の３つの実施形態では、基板搬送ロボット９，６５に未洗浄基板保持ハンド２１，９１を設けた構成について説明したが、この未洗浄基板保持ハンド２１，９１を省略することもできる。この場合、第１の実施形態では、インデクサロボット５からの未処理基板Ｗの受け取り、および薬液／リンス処理ユニット１１〜１３への未処理基板Ｗの搬入は、接液型上ハンド３０または接液型下ハンド３１を用いて行われる。また、第２および第３の実施形態では、リンス／乾燥処理ユニット６４から未洗浄基板Ｗの搬出や、第１薬液／リンス処理ユニット６０，６１への未処理基板Ｗの搬入は、接液型ハンド７１を用いて行われる。

さらに、上述の３つの実施形態では、リンス／乾燥処理ユニット１４，６４において、リンス処理と乾燥処理との双方を基板Ｗに施す場合を例にとって説明したが、リンス処理を省略して乾燥処理だけを基板Ｗに施す構成とすることもできる。リンス／乾燥処理ユニット１４，６４へと搬入される基板Ｗは、接液型ハンド３０，３１，７１によって保持されているため、基板Ｗの表面に接液する純水によって基板Ｗの表面が洗われている。このため、リンス／乾燥処理ユニット１４，６４への搬入後に、基板Ｗにリンス処理を再度施さなくても、基板Ｗの表面を清浄に保つことができる。

さらにまた、上述の３つの実施形態では、接液型ハンド３０，３１，６１のプレート４１の下面に純水の液膜を形成させ、この純水の液膜に基板Ｗの表面を密着させつつ、基板Ｗを保持する構成したが、純水でなく、他の液の液膜を基板Ｗに密着させる構成であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

この発明の一実施形態にかかる基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。 基板搬送ロボットの構成を示す図解的な斜視図である。 接液型上ハンドまたは接液型下ハンドの構成を示す図解的な断面図である。 接液型上ハンドまたは接液型下ハンドのプレートの下面の一部を示す図である。 この基板処理装置の制御系の構成を説明するためのブロック図である。 基板処理装置において行われる処理を説明するためのフローチャートである。 第２の実施形態にかかる基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。 第２の実施形態にかかる基板処理装置の基板搬送ロボットの構成を示す図解的な斜視図である。 第２の実施形態にかかる基板処理装置の制御系の構成を説明するためのブロック図である。 第２の実施形態にかかる基板処理装置において行われる処理を説明するためのフローチャートである。 第３の実施形態にかかる基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。 基板搬送補助ロボットの構成を示す図解的な斜視図である。 第３の実施形態にかかる基板処理装置において行われる処理を説明するためのフローチャートである。

符号の説明

９，６５ 基板搬送ロボット
１１，１２，１３ 薬液／リンス処理ユニット（液処理部）
１４，６４ リンス／乾燥処理ユニット（乾燥処理部）
２０ 清浄基板保持ハンド
２１，７０ 未洗浄基板保持ハンド
２２ 第１ベース回転駆動機構（乾燥型ハンド移動手段）
２３ 第１ベース昇降駆動機構（乾燥型ハンド移動手段）
２４ 第１アーム進退駆動機構（乾燥型ハンド移動手段）
２５ 第２アーム進退駆動機構（乾燥型ハンド移動手段）
３０ 接液型上ハンド
３１ 接液型下ハンド
３２ 第２ベース回転駆動機構（接液型ハンド移動手段）
３３ 第２ベース昇降駆動機構（接液型ハンド移動手段）
３４ 第３アーム進退駆動機構（接液型ハンド移動手段）
３５ 第４アーム進退駆動機構（接液型ハンド移動手段）
４１ プレート
４２ 吐出口
４３ 吸引口
６０，６１ 第１薬液／リンス処理ユニット（第１液処理部）
６２，６３ 第２薬液／リンス処理ユニット（第２液処理部）
７１ 接液型ハンド
７２ 第３ベース回転駆動機構（接液型ハンド移動手段、乾燥型ハンド移動手段）
７３ 第３ベース昇降駆動機構（接液型ハンド移動手段、乾燥型ハンド移動手段）
７４ 第５アーム進退駆動機構（乾燥型ハンド移動手段）
７５ 第６アーム進退駆動機構（接液型ハンド移動手段）
１００ 制御装置（制御手段）
Ｗ 基板

Claims (9)

1. 液を吐出する複数の吐出口、およびこの吐出口から吐出される液を吸引する複数の吸引口が、基板の一方面と対向する面に形成されたプレートを有し、このプレートと基板の上記一方面との間に介在する液に基板を密着させて保持する接液型ハンドと、
   上記接液型ハンドを移動させるための接液型ハンド移動手段と
   を含むことを特徴とする基板搬送装置。
2. 上記接液型ハンドを複数備えていることを特徴とする請求項１記載の基板搬送装置。
3. 液を用いずに乾燥状態で基板を保持する乾燥型ハンドと、上記乾燥型ハンドを移動させるための乾燥型ハンド移動手段とをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板搬送装置。
4. 上記乾燥型ハンドは、所定の洗浄処理が施された後の基板を保持するための清浄基板保持ハンドを含むことを特徴とする請求項３記載の基板搬送装置。
5. 上記乾燥型ハンドは、所定の洗浄処理が施される前の基板を保持するための未洗浄基板保持ハンドを含むことを特徴とする請求項３または４記載の基板搬送装置。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板搬送装置と、
   基板に対して処理液による処理を施す液処理部と、
   この液処理部で処理液による処理が施された後の基板を乾燥する乾燥処理部とを含むことを特徴とする基板処理装置。
7. 上記液処理部による処理後の基板が、上記接液型ハンドによって上記液処理部から上記乾燥処理部に搬送されるように、上記接液型ハンド移動手段を制御する制御手段をさらに含むことを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
8. 上記液処理部は、基板に対して第１処理液による処理を施す第１液処理部と、基板に対して上記第１処理液とは異なる第２処理液による処理を施す第２液処理部とを備え、
   上記第１液処理部による処理液後の基板が、上記接液型ハンドによって第２液処理部に搬送されるように、上記接液型ハンド移動手段を制御する制御手段をさらに含むことを特徴とする請求項６または７記載の基板処理装置。
9. 上記基板搬送装置は、液を用いずに乾燥状態で基板を保持する乾燥型ハンドと、上記乾燥型ハンドを移動させるための乾燥型ハンド移動手段とをさらに備え、
   上記乾燥処理部での乾燥処理後の基板が上記乾燥型ハンドによって搬出されるように、上記乾燥型ハンド移動手段を制御する制御手段をさらに含むことを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。

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