JP4467367B2 - 基板反転装置、基板搬送装置、基板処理装置、基板反転方法、基板搬送方法および基板処理方法 - Google Patents

基板反転装置、基板搬送装置、基板処理装置、基板反転方法、基板搬送方法および基板処理方法 Download PDF

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Description

本発明は、基板に所定の処理を行う基板反転装置、基板搬送装置、基板処理装置、基板反転方法、基板搬送方法および基板処理方法に関する。
半導体デバイス、液晶ディスプレイ等の製造工程では、半導体ウエハ、ガラス基板等の基板に対する洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、イオン注入、レジスト剥離、層間絶縁膜の形成および熱処理等の各種処理が行われる。
洗浄処理工程は、基板に付着したパーティクル（微小塵埃）等の汚染物質を除去する工程である。そのため、洗浄処理工程は、近年におけるパターンの微細化に伴い、特に重要な工程として注目されている。
例えば、基板に各種処理を施すため各処理ユニットに基板を搬送する際には、基板の端部および裏面が搬送ロボットのハンドにより保持され搬送される。この搬送時に搬送ロボットのハンドに付着したパーティクルが基板の裏面に付着することがある。これらの各種処理工程中において、基板の裏面に付着したパーティクルが基板の表面（パターン形成面）に移動して基板のパターン形成に悪影響を与える場合がある。そのため、基板の表面のみならず、基板の裏面も洗浄する必要がある。
通常、基板の洗浄処理工程を行う洗浄処理装置においては、一度に基板の一面しか洗浄できないため、基板を反転する基板反転装置が用いられている（特許文献１参照）。
特開２００３−５９８８５号公報
図１３は、従来の基板反転装置の外観を示す模式図である。
図１３に示すように、従来の基板反転装置９００は、昇降装置（図示せず）により上下移動する基板支持部９５０を有する。基板支持部９５０には、基板Ｗの裏面および端面を支持する複数の基板支持ピン９６０が設けられる。
また、基板支持部９５０の上方には、複数の基板支持ピン９６０により保持された基板Ｗの端部を挟持する一対のチャック９７０が配設されている。一対のチャック９７０は、水平軸を中心に回転する反転機構９８０により支持されている。
次に、図１３の基板反転装置９００の動作について説明する。図１４〜図１６は図１３の基板反転装置９００の動作を示す模式図である。図１４〜図１６の（ａ１）〜（ａ８）は基板反転装置９００の模式的側面を示し、図１４〜図１６の（ｂ１）〜（ｂ８）は基板反転装置９００の模式的平面を示す。
（１）基板載置ステップ
まず、図１４（ａ１）に示すように、基板支持部９５０上に基板Ｗが搬入される。この場合、図１４（ｂ１）に示すように、一対のチャック９７０は、開いた状態である。
（２）支持台上昇ステップ
次に、図１４（ａ２）に示すように、基板支持部９５０が基板Ｗを支持した状態で、矢印ｙの方向に上昇し、一対のチャック９７０により基板Ｗの両端を狭持できる位置で停止する。この場合、図１４（ｂ２）に示すように、一対のチャック９７０は、開いた状態である。
（３）基板保持ステップ
続いて、図１４（ｂ３）に示すように、一対のチャック９７０により基板Ｗの両端を挟持する。それにより、基板支持部９５０から一対のチャック９７０に基板Ｗが移載される。
（４）支持台下降ステップ
次いで、図１５（ａ４）に示すように、基板支持部９５０が矢印−ｙの方向に一対のチャック９７０が回転しても干渉しない位置まで下降する。
（５）基板反転ステップ
続いで、図１５（ａ５），（ｂ５）に示すように、反転機構９８０が一対のチャック９７０を１８０度回転させる。
（６）支持台上昇ステップ
次に、図１５（ａ６），（ｂ６）に示すように、基板支持部９５０が、矢印ｙの方向に上昇し、一対のチャック９７０により支持された基板Ｗを基板支持ピン９６０で支持可能な位置で停止する。
（７）基板開放ステップ
次に、図１６（ｂ７）に示すように、一対のチャック９７０は、挟持されていた基板Ｗの両端を開放する。それにより、図１６（ａ７）に示すように、一対のチャック９７０により支持されていた基板Ｗが基板支持部９５０に移載される。
（８）基板搬出ステップ
最後に、図１６（ａ８），（ｂ８）に示すように、基板支持部９５０が基板Ｗを支持した状態で、矢印−ｙの方向に下降する。そして、基板支持部９５０から基板Ｗが搬出される。
以上のように、従来の基板反転装置９００による基板Ｗを反転させる工程は８ステップで終了する。
しかしながら、従来の基板反転装置９００では基板Ｗを反転させる際の工程数が多いため、長い時間が必要となる。
また、基板回転ステップの前に基板支持部９５０を一対のチャック９７０および基板Ｗと干渉しない位置まで下降させる必要があるので、基板反転装置９００が大型となる。
さらに、基板支持部９５０を昇降させる昇降装置（図示せず）、反転機構９８０および一対のチャック９７０のための基板挟持機構（図示せず）の３つの駆動系が必要となるため部品点数が増加し、消耗品の交換の回数も増加してコストも高くなる。
本発明の目的は、少ない工程数および簡易な構成で基板を確実に反転させることができ、かつ小型化が可能な基板反転装置および基板反転方法を提供することである。
第１の発明に係る基板反転装置は、基板を反転させる基板反転装置であって、互いに対向するように設けられた第１および第２の可動部材と、第１の可動部材に設けられ、基板の外周部を支持する複数の第１の支持部と、第２の可動部材に設けられ、基板の外周部を支持する複数の第２の支持部と、複数の第１の支持部と複数の第２の支持部とが互いに離間した第１の状態と、複数の第１の支持部と複数の第２の支持部とが互いに近接した第２の状態とに選択的に移行するように、第１および第２の可動部材の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動させる駆動手段と、第２の状態で、第１および第２の可動部材を反転させる反転手段とを備え、複数の第１および第２の支持部の各々は、基板の外周端部を支持する支持面と、基板の表面に沿う方向の基板ずれを規制する規制面とを有し、複数の第１の支持部と複数の第２の支持部とは、第２の状態で基板の外周に沿う方向においてずれた位置に交互かつ互いに離間するように設けられ、第２の状態で、基板の表面に垂直な方向における複数の第１の支持部の支持面と複数の第２の支持部の支持面との最短の距離が基板の厚みとクリアランスとの合計に設定されるものである。
第１の発明に係る基板反転装置おいては、たとえば、複数の第１の支持部の上方に複数の第２の支持部が離間して配置されているような第１の状態において、第１の可動部材に設けられた複数の第１の支持部上に基板がほぼ水平に支持される。次に、第１の可動部材の上方にある第２の可動部材に設けられた複数の第２の支持部と複数の第１の支持部とが互いに近接するように、第１および第２の可動部材の少なくとも一方が他方に対して相対的に移動される。次に、第１の支持部と第２の支持部との間に基板が存在する状態で、第１および第２の可動部材が反転されて基板が反転されるとともに、第１の支持部で支持されていた基板が第２の支持部に支持される。そして、複数の第１の支持部と複数の第２の支持部とが互いに離間するように第１および第２の可動部材の少なくとも一方が他方に対して相対的に移動される。
このように、基板を支持する工程および基板を反転させる工程を第１および第２の可動部材により行うことができる。それにより、基板を反転させるための工程数が減少するとともに短時間で基板の反転処理を行うことができる。
また、基板の支持および基板の反転を第１および第２の可動部材で行うため、退避スペースが必要ない。その結果、基板反転装置を小型化することができる。さらに、駆動手段と反転手段の２つの駆動系により基板を反転させることができるため、部品点数が削減でき、消耗品の交換の回数も低下する。その結果、コストも低くなる。
また、第１および第２の支持部の支持面により、基板の外周端部を支持することができ、第１および第２の支持部の規制面により基板の表面に沿う方向の基板のずれを規制することができる。その結果、基板を確実に保持することができる。
さらに、複数の第１の支持部と複数の第２の支持部とが第２の状態で基板の外周に沿う方向においてずれた位置に交互かつ互いに離間するように設けられるので、複数の第１の支持部と複数の第２の支持部とが近接しても、複数の第１の支持部と複数の第２の支持部とが干渉しない。それにより、基板の反転途中であっても基板を落下させるようなことがなく、基板を確実に保持することができる。
第１の可動部材は、放射状に延びた複数の第１の棒状部材からなり、複数の第１の棒状部材の先端部に第１の支持部が設けられ、第２の可動部材は、放射状に延びた複数の第２の棒状部材からなり、複数の第２の棒状部材の先端部に第２の支持部が設けられてもよい。
この場合、第１の可動部材において、放射状に延びた複数の第１の棒状部材の先端部に第１の支持部が設けられるので、第１の可動部材自体の軽量化を図ることができる。同様に、第２の可動部材において、放射状に延びた複数の第２の棒状部材の先端部に第２の支持部が設けられるので、第２の可動部材自体の軽量化を図ることができる。その結果、駆動手段に対する負荷を削減することができる。
支持面は、凸状面であり、規制面は、前記支持面に支持された基板を含む平面から離れるにしたがって基板の中心から遠ざかる傾斜面であってもよい。
この場合、支持面は、凸状面であるので、基板の外周部を点で支持することができる。それにより、基板へのパーティクルの付着の機会を少なくすることができる。また、規制面はいわゆるテーパ形状の側面であるので、基板の表面に沿う方向に基板がずれていたとしても、基板の自重で支持面に基板を導くことが可能となる。
反転手段は、第１および第２の可動部材を１８０度回転させてもよい。この場合、反転手段は、第１および第２の可動部材とともに基板を１８０度回転させることができる。それにより、基板の搬入および搬出が容易になる。
駆動手段は、前記第１の状態と、前記第２の状態とに選択的に移行するように、第１および第２の可動部材の両方を移動させるものである。
この場合、第１および第２の可動部材の両方が互いに近接および離間するように移動するので、第１の可動部材の移動スペースと第２の可動部材の移動スペースとを基板の反転を行うスペースとして利用することができる。また、第１および第２の可動部の両方が移動するので、第１の状態から第２の状態へ、または第２の状態から第１の状態へ短時間で移行することができる。
駆動手段による第１および第２の可動部材の移動量は、ほぼ等しくてもよい。この場合、第１および第２の可動部材の両方が互いに近接するようにほぼ同じ移動量を移動するので、第１および第２の可動部材の移動スペースを基板の反転の行われるスペースとして最も有効に利用することができる。また、第１および第２の可動部の両方が同じ移動量を移動するので、第１の状態から第２の状態へ、または第２の状態から第１の状態へ最も短時間で移行することができる。
第２の状態で、基板の表面に垂直な方向において、複数の第１の支持部と複数の第２の支持部とが部分的に重なるように、前記駆動手段を制御する制御部をさらに備えてもよい。言い換えれば、第１の支持部および第２の支持部が互いに近接する際に、第１の支持部の先端部を含み、かつ第１または第２の支持部に支持された基板に平行な平面と、第２の支持部の先端部を含み、かつ第１または第２の支持部に支持された基板に平行な平面と、で挟まれる空間内に当該基板が位置するようになるまで、前記駆動手段を制御して前記第１および第２の可動部材を相対的に移動させてもよい。
この場合、第２の状態で、複数の第１の支持部と複数の第２の支持部とが部分的に重なるので、反転手段により基板が反転するときに、基板の外周部が複数の第１または第２の支持部の何れかにより支持され、特に基板が鉛直に近い状態にある時に基板が落下することが防止される。
第２の発明に係る基板搬送装置は、基板を搬送する基板搬送装置であって、第１の発明に係る基板反転装置と、基板反転装置を移動させる移動手段とを備えたものである。
第２の発明に係る基板搬送装置においては、第１の発明に係る基板反転装置により基板を反転させるとともに基板を搬送することができる。
それにより、基板反転装置を大型化することなく簡単な構成で、かつ短時間で基板の反転処理を行うとともに基板の搬送を行うことができる。
第３の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う基板処理装置であって、基板を保持して反転させる第１の発明に係る基板反転装置により保持された基板に処理を行うものである。
第３の発明に係る基板処理装置においては、第１の発明に係る基板反転装置により基板を反転させるとともに基板に処理を行うことができる。
それにより、基板反転装置を大型化することなく簡単な構成で、かつ短時間で基板の反転処理を行うとともに基板の処理を行うことができる。
第４の発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板を処理する第１の処理部と、第１の処理部により処理された基板を反転させる第１の発明に係る基板反転装置と、基板反転装置により反転された基板に処理を行う第２の処理部とを備えたものである。
第４の発明に係る基板処理装置においては、第１の処理部において基板を処理し、第１の発明に係る基板反転装置により処理した基板を反転させて第２の処理部において基板を処理することができる。
それにより、基板反転装置を大型化することなく簡単な構成で、かつ短時間で基板の反転処理を行うとともに基板の処理を行うことができる。
第５の発明に係る基板反転方法は、第１の発明に係る基板反転装置に基板を搬入する工程と、第１の可動部材に設けられた複数の第１の支持部の支持面上に基板の外周端部を支持する基板支持工程と、この基板支持工程の後に、第２の可動部材に設けられた複数の第２の支持部が複数の第１の支持部に近接するように第１および第２の可動部材の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動させる近接工程と、この近接工程の後に、第１および第２の可動部材を反転させるとともに、複数の第１の支持部の支持面上に支持されていた基板を複数の第２の支持部の支持面上に支持させる反転工程と、この反転工程の後に、複数の第１の支持部と複数の第２の支持部とが互いに離間するように第１および第２の可動部材の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動させる離間工程とを備えたものである。
第５の発明に係る基板反転方法においては、第１の発明に係る基板反転装置に基板が搬入され、第１の可動部材に設けられた複数の第１の支持部の支持面上に基板の外周端部が支持される。次に、第２の可動部材に設けられた複数の第２の支持部が複数の第１の支持部に近接するように第１および第２の可動部材の少なくとも一方が他方に対して相対的に移動される。次に、第１および第２の可動部材が反転されるとともに、複数の第１の支持部の支持面上に支持されていた基板が複数の第２の支持部の支持面上に移動し支持される。そして、複数の第１の支持部と複数の第２の支持部とが互いに離間するように第１および第２の可動部材の少なくとも一方が他方に対して相対的に移動される。
この場合、近接工程、反転工程、および離間工程を第１および第２の可動部材により行うことができる。それにより、基板を反転させるための工程数が減少するとともに短時間で基板の反転処理を行うことができる。
また、基板の支持および基板の反転を第１および第２の可動部材で行うため、退避スペースが必要ない。さらに、２つの駆動系により基板を反転させることができるため、部品点数が削減でき、消耗品の交換の回数も低下する。その結果、コストも低くなる。
第６の発明に係る基板搬送方法は、基板を搬送する基板搬送方法であって、第１の発明に係る基板反転装置を用いて基板を保持して反転させる工程と、基板を保持している基板反転装置を移動させる工程とを備えたものである。
第６の発明に係る基板搬送方法においては、第１の発明に係る基板反転装置により基板を反転させるとともに基板反転装置を移動させることにより基板を搬送することができる。
それにより、基板反転装置を大型化することなく簡単な構成で、かつ短時間で基板の反転処理を行うとともに基板の搬送を行うことができる。
第７の発明に係る基板処理方法は、基板に処理を行う基板処理方法であって、第１の発明に係る基板反転装置により保持された基板に処理を行うものである。
第７の発明に係る基板処理方法においては、第１の発明に係る基板反転装置により基板を反転させるとともに基板に処理を行うことができる。
それにより、基板反転装置を大型化することなく簡単な構成で、かつ短時間で基板の反転処理を行うとともに基板の処理を行うことができる。
第８の発明に係る基板処理方法は、基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、基板を処理する第１の処理工程と、第１の発明に係る基板反転装置を用いて第１の処理工程において処理された基板を反転させる工程と、反転された基板に処理を行う第２の処理工程とを備えたものである。
第８の発明に係る基板処理方法においては、第１の処理工程において基板を処理し、第１の発明に係る基板反転装置により基板を反転させて第２の処理工程において基板を処理することができる。
それにより、基板反転装置を大型化することなく簡単な構成で、かつ短時間で基板の反転処理を行うとともに基板の処理を行うことができる。
本発明の基板反転装置および基板反転方法によれば、少ない工程数および簡易な構成で基板を確実に反転させることができ、かつ小型化を実現することができる。
以下、本発明の実施の形態に係る基板反転装置を備えた基板処理装置について図を用いて説明する。
以下の説明において、基板とは、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。
図１は第１の実施形態に係る基板処理装置の平面図である。
図１に示すように、基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。
処理領域Ａには、制御部４、流体ボックス部２ａ，２ｂおよび処理ユニット５ａ，５ｂが配置され、処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび処理ユニット５ｃ，５ｄが配置されている。
図１の流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ処理ユニット５ａ，５ｂへの薬液または純水等の供給ならびに処理ユニット５ａ，５ｂからの排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等の流体関連機器を収納し、図１の流体ボックス部２ｃ，２ｄは、それぞれ処理ユニット５ｃ，５ｄへの薬液または純水の供給ならびに処理ユニット５ｃ，５ｄからの排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。
処理ユニット５ａ〜５ｄでは、薬液による洗浄処理（以下、薬液処理と呼ぶ）および純水による洗浄処理（以下、水洗処理と呼ぶ）が行われる。水洗処理においては、薬液処理後の基板上に残留する薬液が純水により洗い流される。その後、基板Ｗを回転させて、基板Ｗの水分を振り切るスピン乾燥処理が行われる。また、薬液としては、アンモニア（ＮＨ 3 ）−過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）の混合液（ＡＰＭ）または過酸化水素水等が用いられる。
以下、処理ユニット５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを処理ユニットと総称する。搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。また、処理領域Ａと処理領域Ｂとの間の領域に基板Ｗを反転するための基板反転装置７が設けられている。基板反転装置７の詳細については後述する。
処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板の搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。
本実施の形態においては、キャリア１として、基板Ｗを密閉した状態で収納するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を用いているが、これに限定されるものではなく、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド、ＯＣ（Open Cassette）等を用いてもよい。
インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。
基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された処理ユニットに搬送する。また、基板搬送ロボットＣＲは、処理ユニットから受け取った基板Ｗを他の処理ユニット、基板反転装置７またはインデクサロボットＩＲに搬送する。
制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａ，Ｂの各処理ユニットの動作、基板反転装置７の動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。
図１の基板処理装置１００は、ダウンフロー（下降流）方式のクリーンルーム内等に設けられる。
ここで、この第１の実施の形態に係る基板処理装置１００での、基板反転装置７を用いた基板Ｗの処理フローの一例を示す（図１参照）。
１）まず、キャリア１内に収容されている複数の基板Ｗのうちの所定の１枚を、インデクサロボットＩＲが取り出す。
２）次に、インデクサロボットＩＲから基板搬送ロボットＣＲへと基板が受け渡される。
３）次に、基板搬送ロボットＣＲから基板反転装置７へと基板Ｗが搬入される。
４）次に、基板反転装置７において基板Ｗが反転され、基板Ｗのデバイス形成面とは反対側の面が上面とされる。なお、この基板反転装置７における基板Ｗの反転については後に詳細を述べる。
５）次に、反転された基板Ｗが、基板搬送ロボットＣＲにより基板反転装置７から搬出される。
６）次に、処理ユニット５ａ〜５ｄのうちの１つの処理ユニット、たとえば、処理ユニット５ａに、基板搬送ロボットＣＲから基板Ｗが搬入される。この際、基板Ｗは処理ユニット５ａ内の、たとえば後述する図２のスピンチャック５０１のような基板保持手段に、基板Ｗのデバイス形成面とは反対側の面（以下、非デバイス形成面という）が上面となるように保持される。
７）次に、処理ユニット５ａにおいて、基板Ｗを保持している基板保持手段が回転されつつ基板Ｗの非デバイス形成面を上面とした状態で、前述の薬液処理、水洗処理、スピン乾燥処理等の一連の処理が行われる。
８）次に、処理ユニット５ａでの一連の処理が行われた基板Ｗを、処理ユニット５ａから基板搬送ロボットＣＲが搬出する。
９）次に、基板搬送ロボットＣＲから基板反転装置７へと基板Ｗが搬入される。
１０）次に、基板反転装置７において再び基板Ｗが反転され、基板Ｗのデバイス形成面が上面とされる。すなわち、基板Ｗはキャリア１内で収容されていた状態と同じ状態とされる。
１１）次に、反転された基板Ｗが、基板搬送ロボットＣＲにより基板反転装置７から搬出される。
１２）次に、他の処理ユニット５ｂ〜５ｄのうちの１つの処理ユニット、たとえば、処理ユニット５ｂに、基板搬送ロボットＣＲから基板Ｗが搬入される。この際、基板Ｗは処理ユニット５ｂ内の、たとえば後述する図２のスピンチャック５０１のような基板保持手段に、基板Ｗのデバイス形成面が上面となるように保持される。
１３）次に、処理ユニット５ｂにおいて、基板Ｗを保持している基板保持手段が回転されつつ、基板Ｗのデバイス形成面を上面とした状態で、前述の薬液処理、水洗処理、スピン乾燥処理等の一連の処理が行われる。
１４）次に、処理ユニット５ｂでの一連の処理が行われた基板Ｗを、処理ユニット５ｂから基板搬送ロボットＣＲが搬出する。
１５）最後に、基板搬送ロボットＣＲからインデクサロボットＩＲへと基板Ｗが受け渡され、次いでインデクサロボットＩＲからキャリア１内へと基板Ｗが受け渡されて収容される。
以上の処理フローにより、まず、基板反転装置７において基板Ｗが反転され、処理ユニット５ａにおいて基板Ｗの非デバイス形成面が上面となる状態で第１の処理が行われる。その後、基板反転装置７において基板Ｗが再度反転され、処理ユニット５ｂにおいて基板Ｗのデバイス形成面が上面となる状態で第２の処理が行われることとなる。
これにより、基板Ｗの両面（デバイス形成面および非デバイス形成面）に対して良好な処理を施すことが可能となる。
図２は図１の処理ユニットの一例を示す模式的側面図である。
図２に示すように、処理ユニット５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック５０１を備える。スピンチャック５０１は、チャック回転駆動機構５０８によって回転される回転軸５０３の上端に固定されている。基板Ｗは、薬液または純水を用いた処理後の基板Ｗの乾燥処理を行う場合に、スピンチャック５０１により水平に保持された状態で回転する。
スピンチャック５０１の外方には、回動モータ５１１が設けられている。回動モータ５１１には、回動軸５１２が接続されている。また、回動軸５１２には、アーム５１３が水平方向に延びるように連結され、アーム５１３の先端にノズル５１０が設けられている。
スピンチャック５０１の回転軸５０３は中空軸からなる。回転軸５０３の内部には、処理液供給管５０４が挿通されている。処理液供給管５０４には、基板Ｗの下面を洗浄するための処理液が供給される。処理液供給管５０４は、スピンチャック５０１に保持された基板Ｗの下面に近接する位置まで延びている。処理液供給管５０４の先端には、基板Ｗの下面中央に向けて処理液を吐出する下面ノズル５０５が設けられている。
スピンチャック５０１は、処理カップ５０２内に収容されている。処理カップ５０２の内側には、筒状の仕切壁５０９が設けられている。また、処理カップ５０２と仕切壁５０９の間に基板Ｗの処理に用いられた薬液を回収するための回収液空間５０６が形成されている。回収液空間５０６には、回収された薬液を再利用するための回収管５０７が接続されている。
ノズル５１０および下面ノズル５０５のいずれか一方または両方から薬液または純水が吐出される。それにより、基板Ｗの表面（上面）および裏面（下面）の洗浄を行うことができる。しかしながら、基板Ｗの表面側のノズル５１０は揺動可能なアーム５１３に取り付けられて基板Ｗの表面全域を隈なく洗浄できるのに比べて、基板Ｗの裏面は移動不可能なノズル５０５であるので、基板Ｗの裏面は表面に比べて付着力の強い異物の除去が困難である。このため、基板Ｗの表面を洗浄した後に、後述する基板反転装置７において基板を反転させて基板Ｗの裏面をも洗浄するのが好ましい場合が考えられる。
次に、基板反転装置７の構成について説明する。
図３は、基板反転装置７の外観を示す斜視図であり、図４は、基板反転装置７の一部の外観を示す斜視図である。
図３および図４に示すように、基板反転装置７は、第１の支持部材７１、第２の支持部材７２、複数の基板支持ピン７３ａ，７３ｂ、第１の可動部材７４、第２の可動部材７５、固定板７６、リンク機構７７および回転機構７８を含む。
図４に示すように、第２の支持部材７２は、放射状に延びた６本の棒状部材から構成される。その６本の棒状部材の各先端部には、それぞれ基板支持ピン７３ｂが設けられている。
同様に、図３に示すように、第１の支持部材７１も、放射状に延びた６本の棒状部材から構成される。６本の棒状部材の各先端部には、それぞれ基板支持ピン７３ａが設けられている。
なお、本実施の形態において、第１および第２の支持部材７１，７２が６本の棒状部材からなるが、これに限定されず、第１および第２の支持部材７１，７２が他の任意の数の棒状部材または他の任意の形状部材、たとえば、複数の第１および第２の支持部７３ａ，７３ｂに沿う外周を有する円板や多角形などの形状により構成されてもよい。図４に示す基板支持ピン７３ｂの間隔Ｈｃおよび基板支持ピン７３ａ，７３ｂの形状の詳細については後述する。
第１の可動部材７４はコ字状からなる。第１の支持部材７１は、第１の可動部材７４の一端に固定されている。第１の可動部材７４の他端は、リンク機構７７に接続されている。同様に、第２の可動部材７５はコ字状からなる。第２の支持部材７２は、第２の可動部材７５の一端に固定されている。第２の可動部材７５の他端は、リンク機構７７に接続されている。リンク機構７７は回転機構７８の回転軸に取り付けられている。このリンク機構７７および回転機構７８は、固定板７６に取り付けられている。
図３のリンク機構７７には、エアシリンダ等が内蔵されており、第１の可動部材７４および第２の可動部材７５を相対的に離間させた状態と近接させた状態とに選択的に移行させることができる。また、図３の回転機構７８には、モータ等が内蔵されており、リンク機構７７を介して第１の可動部材７４および第２の可動部材７５を、水平方向の軸の周りで例えば１８０度回転させることができる。
次に、図５は、基板支持ピン７３ａ，７３ｂの形状の詳細を説明するための斜視図である。
図５に示す基板支持ピン７３ａ，７３ｂは、載置部７３１およびガイド部７３２を含む。
図５に示す載置部７３１は、略円筒状に形成される。載置部７３１の上面７３１ａは、凸状の曲面を有する。また、載置部７３１の上面７３１ａには、ガイド部７３２が設けられる。ガイド部７３２は基板Ｗを支持した際に、基板Ｗの外方に向かって斜め上方に傾斜したテーパ形状の傾斜面７３２ａを有する。本実施の形態において、傾斜面７３２ａのテーパ角θ（水平面とのなす角）は、例えば６０度である。また、ガイド部７３２の先端部は、基板Ｗの表面とほぼ平行な平面７３２ｂとなっている。
基板支持ピン７３ａ，７３ｂの載置部７３１は、凸状の曲面７３１ａを有するので、基板Ｗの外周部を小さい面積で支持することができる。また、傾斜面７３２ａはテーパ形状を有するので、基板Ｗの自重で基板Ｗを載置部７３１の凸状の曲面７３１ａ上へ導くことができるとともに、傾斜面７３２ａは基板Ｗの表面に沿う方向に関して、基板Ｗのずれを規制することもできる。
次に、図６は、第１の可動部材７４および第２の可動部材７５が近接した状態で基板Ｗが基板支持ピン７３ａ，７３ｂにより支持される状態を示す模式的拡大図である。
図６においては、第１の支持部材７１に設けられた複数の基板支持ピン７３ａを白丸で示し、第２の支持部材７２に設けられた複数の基板支持ピン７３ｂを黒丸で示す。
図６に示すように基板支持ピン７３ａと基板支持ピン７３ｂとの各々は、互いに基板Ｗの外周に沿った方向にずれた位置で基板Ｗを支持している。それにより、第１の可動部材７４および第２の可動部材７５が互いに近接した場合でも、基板支持ピン７３ａ，７３ｂ間の干渉が生じない。
また、基板支持ピン７３ａおよび基板支持ピン７３ｂは、基板Ｗの外周端面に対してほぼ均等に配置されている。それにより、複数の基板支持ピン７３ａ，７３ｂにより基板Ｗを確実に安定して保持することが可能となる。
さらに、基板Ｗを１８０度回転させた場合に、基板Ｗを支持する複数の基板支持ピン７３ａと基板支持ピン７３ｂとの配置が変化しない。その結果、基板Ｗの搬入または搬出時に複数の基板支持ピン７３ａ，７３ｂを回避して挿入される基板搬送ロボットＣＲのハンドの搬入動作および搬出動作が容易になる。
次いで、図７は、複数の基板支持ピン７３ａ，７３ｂと基板Ｗとの関係を示す模式的拡大図である。
図７に示すように、第１の可動部材７４および第２の可動部材７５が近接した場合、第２の支持部材７２の基板支持ピン７３ｂの載置部７３１に形成された凸状の曲面７３１ａにより基板Ｗの外周部が支持される。この場合、図７に示すように基板支持ピン７３ａのガイド部７３２の先端部７３２ｂが基板支持ピン７３ｂのガイド部７３２の先端部７３２ｂよりも下方に位置する。そして、基板支持ピン７３ａの先端部７３２ｂを含み、基板Ｗに平行な平面と、基板支持ピン７３ｂの先端部７３２ｂを含み、基板Ｗに平行な平面とで挟まれる空間内に基板Ｗが位置している。それにより、基板Ｗが１８０度反転される場合にも、第１および第２の支持部材７１，７２から基板Ｗが落下することを防止できる。
図７に示すように、第１の可動部材７４および第２の可動部材７５が近接した場合、第１の支持部材７１の載置部７３１の凸状の曲面７３１ａと第２の支持部材７２の載置部７３１の凸状の曲面７３１ａとの距離は、基板Ｗの厚みとクリアランス量ｔ１との合計となる。本実施の形態においては、基板Ｗの厚みが０．７ｍｍ〜０．８ｍｍであり、クリアランス量ｔ１は約２．０ｍｍである。なお、反転機構７８により基板Ｗが１８０度反転された場合に、基板Ｗが自重により基板支持ピン７３ｂから基板支持ピン７３ａに移動するので、このクリアランス量ｔ１は、この移動の際に基板Ｗに加わる衝撃が少なくなるように決定される。
また、図７に示すように、複数の基板支持ピン７３ｂのガイド部７３２の内側により形成される円周の直径Ｈｃ（図４参照）は、基板Ｗの直径Ｈｗよりもクリアランス量ｔ２の２倍だけ大きく設定される。本実施の形態においては、基板Ｗの直径Ｈｗが３００ｍｍであり、上記の円周の直径Ｈｃは３０１ｍｍであり、クリアランス量ｔ２は、０．５ｍｍ、すなわち基板Ｗの直径に対して合計１．０ｍｍの余裕がある。
次に、図８は、図３の基板反転装置７の他の例を示す斜視図である。
図８の基板反転装置７ａは、図３の基板反転装置７にさらに水平回転機構７８ａを含む。
水平回転機構７８ａは、基板Ｗの略中心を通り基板Ｗに対する垂直軸の周りで第１の支持部材７１を回転させる。この場合、第２の支持部材７２も、基板の略中心を通る基板Ｗに対する垂直な軸の周りで回転可能に設けられる。それにより、ノッチ（切り欠き）を有する基板Ｗの場合でも、ノッチの位置が最適となるように基板Ｗを回転させて基板搬送ロボットＣＲのハンドに受け渡すことができる。
次に、図９および図１０は、本実施の形態に係る基板反転装置７の動作を示す模式的構成図である。
（１）基板載置ステップ
まず、図９（ａ）に示すように、基板反転装置７に図１の基板搬送ロボットＣＲのハンドＴＨにより基板Ｗが搬入される。この場合、リンク機構７７の働きにより第１の可動部材７４および第２の可動部材７５は垂直方向に離間した状態で保持されている。ハンドＴＨは、第２の支持部材７２の複数の基板支持ピン７３ｂ上に基板Ｗを移載する。この場合、第２の支持部材７２に設けられた複数の基板支持ピン７３ｂのガイド部７３２のテーパ形状の傾斜面７３２ａに沿って基板Ｗが自重で移動することにより、載置部７３１上に基板Ｗの外周部が支持される。基板Ｗを移載後、基板搬送ロボットＣＲのハンドＴＨは、基板反転装置７から退出する。
（２）可動部材近接ステップ
次に、図９（ｂ）に示すように、リンク機構７７の働きにより第１の可動部材７４および第２の可動部材７５が垂直方向に近接した状態に移行される。この場合、第１の可動部材７４および第２の可動部材７５の両方は、ほぼ等しい量を移動する。
（３）基板反転ステップ
続いて、図１０（ｃ）に示すように、回転機構７８の働きにより第１の可動部材７４および第２の可動部材７５が水平軸の周りで矢印θ７の方向に１８０度回転する。
この場合、基板Ｗは、第１の可動部材７４および第２の可動部材７５とともに、第１の支持部材７１および第２の支持部材７２に設けられた複数の基板支持ピン７３ａ，７３ｂに保持されつつ１８０度回転する。また、上述したように、複数の基板支持ピン７３ａ，７３ｂのガイド部７３２が部分的に重なっているので、基板Ｗが垂直になったときに基板Ｗの端面がいずれかのガイド部７３２により、基板Ｗの表面と平行な方向（この状態では鉛直方向）に関して規制される。それにより、基板Ｗが落下しない。
（４）可動部材離間ステップ
最後に、リンク機構７７の働きにより第１の可動部材７４および第２の可動部材７５が垂直方向に離間した状態に移行される。この場合、第１の可動部材７４および第２の可動部材７５の両方は、ほぼ等しい量を移動する。また、複数の基板支持ピン７３ａの支持部７３１により基板Ｗが支持されている。
そして、基板搬送ロボットＣＲのハンドＴＨが基板反転装置７内に進入し、図１０（ｄ）に示すように、基板Ｗを移載して退出する。
このように、本実施の形態に係る基板反転装置７による基板Ｗを反転する工程は４ステップで終了することから、従来の基板反転装置９００の工程（８ステップ）の半分の工程で基板Ｗを反転させることができる。その結果、短時間で基板の反転処理を行うことができる。従来の基板支持部９５０が昇降するための退避スペースが不要となるため、基板反転装置７を小型化することができる。また、駆動系を従来の３つからリンク機構７７および回転機構７８の２つに減らすことができるので、部品点数を削減でき、消耗品の交換の回数も低下する。その結果、コストを低くすることができる。
その結果、本実施の形態に係る基板反転装置７では、少ない工程数および簡易な構成で基板を確実に反転させることができ、かつ小型化が可能となる。
本実施の形態においては、基板支持ピン７３ａが複数の第１の支持部に相当し、基板支持ピン７３ｂが複数の第２の支持部に相当し、第１の可動部材７４および第２の可動部材７５が互いに離間した場合が第１の状態に相当し、第１の可動部材７４および第２の可動部材７５が互いに近接した場合が第２の状態に相当し、リンク機構７７が駆動手段に相当し、回転機構７８が反転手段に相当し、凸状の曲面７３１ａが支持面に相当し、傾斜面７３２ａが規制面に相当する。
なお、本実施の形態においては、第１の可動部材７４および第２の可動部材７５を近接させる場合および離間させる場合において、第１の可動部材７４および第２の可動部材７５の両方をほぼ等しい量を移動させることとしたが、これに限定されず、第１の可動部材７４および第２の可動部材７５のそれぞれの移動量が異なっていてもよく、あるいは、第１の可動部材７４および第２の可動部材７５のいずれか一方のみを移動させることとしてもよい。また、基板反転装置７を基板処理装置１００内に設けた場合について説明したが、これに限定されず、洗浄処理ユニット５ａ〜５ｄ内に設けてもよく、または、基板搬送ロボットＣＲ内に設けてもよい。
例えば、図１１は、処理ユニットに基板反転装置７の構成を適用した場合の第２の実施形態を示す模式的断面図である。ここで、この第２の実施形態に係る基板処理装置全体の構成としては、たとえば第１の実施形態において、処理ユニット５ａ〜５ｄに代えて４つの処理ユニット５ｅを配置し、さらに基板反転装置７を省略したものとする。
図１１に示すように、処理ユニット５ｅは、基板Ｗを水平に保持するための第１の支持部材５７１および複数の基板支持ピン５７３ａを備え、第１の支持部材５７１の上方に第２の支持部材５７２および複数の基板支持ピン５７３ｂを備える。なお、第１および第２の支持部材５７１，５７２および複数の基板支持ピン５７３ａ，５７３ｂの構造は、図３〜図１０に渡って説明した上述の実施形態のものと同等であるものとする。第１の支持部材５７１の下方には、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのモータ５０１ａが設けられる。同様に、第２の支持部材５７２の上方には、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのモータ５０１ｂが設けられる。モータ５０１ａ，５０１ｂは、モータ回転駆動機構５０８ａによって制御される。基板Ｗは、薬液または純水を用いた洗浄処理時または洗浄処理後の基板Ｗの乾燥処理時に水平に保持された状態で回転されてもよい。
モータ５０１ａには、第１の可動部材５７４の一端が接続され、第１の可動部材５７４の他端はリンク機構５７７に接続される。同様に、モータ５０１ｂには、第２の可動部材５７５の一端が接続され、第２の可動部材５７５の他端はリンク機構５７７に接続される。
リンク機構５７７は、第１の可動部材５７４および第２の可動部材５７５を垂直方向に離間させた状態と近接させた状態に移行させることができる。また、リンク機構５７７は、回転機構５７８が接続される。回転機構５７８によりリンク機構５７７、第１および第２の可動部材５７４，５７５ならびに第１および第２の支持部材５７１，５７２を一体として回転させることができる。
第１の支持部材５７１は、処理カップ５０２内に収容されている。処理カップ５０２の内側には、筒状の仕切壁５０９が設けられている。また、処理カップ５０２と仕切壁５０９との間に基板Ｗの処理に用いられた薬液を回収するための回収液空間５０６が形成されている。回収液空間５０６には、余分な薬液を再利用するための回収管５０７が接続されている。
処理カップ５０２の外方には、回動モータ５１１が設けられている。回動モータ５１１には、回動軸５１２が接続されている。また、回動軸５１２には、アーム５１３が水平方向に延びるように連結され、アーム５１３の先端にノズル５１０が設けられている。
続いて、アーム５１３が回動してノズル５１０が基板Ｗの上方に移動し、ノズル５１０から薬液または純水が吐出されるとともに、モータ５０１ｂにより基板Ｗが回転される。それにより、基板Ｗの表面の洗浄を行うことができる。そして、基板Ｗの裏面を洗浄する場合、リンク機構５７７により第１および第２の可動部材５７４，５７５が近接する。
続いて、回転機構５７８により第１および第２の可動部材５７４，５７５が１８０度回転される。それにより、基板Ｗが１８０度回転する。リンク機構５７７により第１および第２の可動部材５７４，５７５が垂直方向に離間される。続いて、アーム５１３が回動してノズル５１０が基板Ｗの上方に移動し、ノズル５１０から薬液または純水が吐出されるとともに、モータ５０１ｂにより基板Ｗが回転される。それにより、基板Ｗの裏面の洗浄を行うことができる。
以上のように、処理ユニットに基板反転装置７の構成を適用した場合、基板Ｗを支持する工程および基板Ｗを反転させる工程を第１および第２の可動部材５７４，５７５により行うことができる。その結果、基板Ｗを容易に反転させることができ、短時間で基板Ｗの反転処理を行うことができる。
また、基板Ｗの支持および基板Ｗの反転を第１および第２の可動部材５７４，５７５で行うため、退避スペースが必要ない。その結果、本実施の形態に係る基板反転装置７の構成を適用した処理ユニットでは、少ない工程数および簡易な構成で基板を確実に反転させることができ、かつ小型化が可能となる。
同様に、図１２は、基板搬送ロボットＣＲに基板反転装置７の構成を適用した場合の第３の実施形態を示す図である。ここで、この第３の実施形態に係る基板処理装置全体の構成としては、たとえば第１の実施形態において、基板搬送ロボットＣＲを図１２の基板搬送ロボットＣＲに置き換え、さらに基板反転装置７を省略したものとする。
図１２に示すように、基板搬送ロボットＣＲは、胴体部６８０、第１の可動部材６７４ａ，６７４ｂ，６７４ｃ、第２の可動部材６７５ａ，６７５ｂ，６７５ｃ、ハンドＴＨ１，ＴＨ２、固定板６７６、リンク機構６７７、回転機構６７８および複数の回転軸６７９を備える。ハンドＴＨ１，ＴＨ２には、複数の基板支持ピン６７３ａ，６７３ｂがそれぞれ設けられる。なお、ハンド（第１および第２の支持部材）ＴＨ１，ＴＨ２および複数の基板支持ピン６７３ａ，６７３ｂの構造は、図３〜図１０に渡って説明した上述の実施形態のものと同等であるものとする。
ハンドＴＨ１は、第１の可動部材６７４ａに取り付けられる。第１の可動部材６７４ａは、回転軸６７９を介して第１の可動部材６７４ｂに接続される。第１の可動部材６７４ｂは、回転軸６７９を介して第１の可動部材６７４ｃに接続される。第１の可動部材６７４ｃは、リンク機構６７７に取り付けられる。
同様に、ハンドＴＨ２は、第２の可動部材６７５ａに取り付けられる。第２の可動部材６７５ａは、回転軸６７９を介して第２の可動部材６７５ｂに接続される。第２の可動部材６７５ｂは、回転軸６７９を介して第２の可動部材６７５ｃに接続される。第２の可動部材６７５ｃは、リンク機構６７７に取り付けられる。
ここで、各回転軸６７９は、ハンドＴＨ１，ＴＨ２に支持される基板Ｗを含む平面に対して垂直方向の軸の周りで回転可能となっている。それにより、ハンドＴＨ１およびハンドＴＨ２を水平面と平行に移動（以下、伸縮と呼ぶ。）させることができる。
リンク機構６７７は、第１の可動部材６７４ａ〜６７４ｃおよび第２の可動部材６７５ａ〜６７５ｃを、ハンドＴＨ１，ＴＨ２に支持される基板Ｗを含む平面に対して垂直方向に離間させた状態と近接させた状態とに移行させることができる。
回転機構６７８は、リンク機構６７７、第１の可動部材６７４ａ〜６７４ｃ、第２の可動部材６７５ａ〜６７５ｃおよびハンドＴＨ１，ＴＨ２を１８０度回転させることができる。
図１２に示す基板搬送ロボットＣＲにおいては、第１の可動部材６７４ａ〜６７４ｃによりハンドＴＨ１を伸縮させることによりインデクサロボットＩＲまたは処理ユニット５ａ〜５ｅとの間で基板Ｗの受け渡しが行われる。
そして、基板Ｗを１８０度反転させる場合、ハンドＴＨ１およびＴＨ２が互いに対向した状態で、リンク機構６７７により第１の可動部材６７４ａ〜６７４ｃおよび第２の可動部材６７５ａ〜６７５ｃを垂直方向に近接させる。
続いて、回転機構６７８により第１の可動部材６７４ａ〜６７４ｃおよび第２の可動部材６７５ａ〜６７５ｃが１８０度回転され、基板Ｗが１８０度回転する。この場合、基板ＷがハンドＴＨ１からハンドＴＨ２に受け渡される。
続いて、第１の可動部材６７４ａ〜６７４ｃと第２の可動部材６７５ａ〜６７５ｃとを垂直方向に離間させる。続いて、第２の可動部材６７５ａ〜６７５ｃによりハンドＴＨ２を伸縮させることによりインデクサロボットＩＲまたは処理ユニットとの間で基板Ｗの受け渡しが行われる。
以上のように、基板搬送ロボットＣＲに基板反転装置７の構成を適用した場合、基板Ｗを支持する工程および基板Ｗを反転させる工程を第１および第２の可動部材６７４ａ〜６７４ｃ，６７５ａ〜６７５ｃにより行うことができる。その結果、基板Ｗを容易に反転させることができ、短時間で基板Ｗの反転処理を行うことができる。その結果、本実施の形態に係る基板反転装置７の構成を適用した基板搬送ロボットＣＲでは、少ない工程数および簡易な構成で基板を確実に反転させることができ、かつ小型化が可能となる。特に、基板搬送ロボットＣＲ自体が基板Ｗの反転機能を有するため、基板Ｗの搬送途中に基板Ｗを反転させた場合、さらに基板Ｗの処理全体にかかる時間を短くすることができる。
この発明は、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、ＤＮＡチップ基板等の基板を反転する基板反転装置や基板反転方法において利用することができる。
本実施の形態の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の処理ユニットの一例を示す模式的側面図である。 基板反転装置の外観を示す斜視図である。 基板反転装置の一部の外観を示す斜視図である。 基板支持ピンの形状の詳細を説明するための斜視図である。 第１の可動部材および第２の可動部材が近接した状態において基板が基板支持ピンにより支持される状態を示す模式的拡大図である。 複数の基板支持ピンと基板との関係を示す模式的拡大図である。 図３の基板反転装置の他の例を示す斜視図である。 本実施の形態に係る基板反転装置の動作を示す模式的構成図である。 本実施の形態に係る基板反転装置の動作を示す模式的構成図である。 処理ユニットに基板反転装置を設けた場合の第２の実施形態を示す模式的断面図である。 基板搬送ロボットに基板反転装置を設けた場合の第３の実施形態を示す図である。 従来の基板反転装置の構造を示す模式図である。 従来の基板反転装置の動作を示す模式図である。 従来の基板反転装置の動作を示す模式図である。 従来の基板反転装置の動作を示す模式図である。
符号の説明
７３ａ，７３ｂ 基板支持ピン
７４ 第１の可動部材
７５ 第２の可動部材
７７ リンク機構
７８ 反転手段

Claims (14)

  1. 基板を反転させる基板反転装置であって、
    互いに対向するように設けられた第１および第２の可動部材と、
    前記第１の可動部材に設けられ、基板の外周部を支持する複数の第１の支持部と、
    前記第２の可動部材に設けられ、基板の外周部を支持する複数の第２の支持部と、
    前記複数の第１の支持部と前記複数の第２の支持部とが互いに離間した第１の状態と、前記複数の第１の支持部と前記複数の第２の支持部とが互いに近接した第２の状態とに選択的に移行するように、前記第１および第２の可動部材の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動させる駆動手段と、
    前記第２の状態で、前記第１および第２の可動部材を反転させる反転手段とを備え、
    前記複数の第１および第２の支持部の各々は、
    基板の外周端部を支持する支持面と、
    基板の表面に沿う方向の基板ずれを規制する規制面とを有し、
    前記複数の第１の支持部と前記複数の第２の支持部とは、前記第２の状態で基板の外周に沿う方向においてずれた位置に交互かつ互いに離間するように設けられ、
    前記第２の状態で、基板の表面に垂直な方向における前記複数の第１の支持部の支持面と前記複数の第２の支持部の支持面との最短の距離が基板の厚みとクリアランスとの合計に設定されることを特徴とする基板反転装置。
  2. 前記第１の可動部材は、放射状に延びた複数の第１の棒状部材からなり、前記複数の第１の棒状部材の先端部に前記第１の支持部が設けられ、
    前記第２の可動部材は、放射状に延びた複数の第２の棒状部材からなり、前記複数の第２の棒状部材の先端部に前記第２の支持部が設けられたことを特徴とする請求項１記載の基板反転装置。
  3. 前記支持面は、凸状面であり、
    前記規制面は、前記支持面に支持された基板を含む平面から離れるにしたがって基板の中心から遠ざかる傾斜面であることを特徴とする請求項１または２記載の基板反転装置。
  4. 前記反転手段は、
    前記第１および第２の可動部材を１８０度回転させることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板反転装置。
  5. 前記駆動手段は、
    前記第１の状態と、前記第２の状態とに選択的に移行するように、前記第１および前記第２の可動部材の両方を移動させることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板反転装置。
  6. 前記駆動手段による前記第１および前記第２の可動部材の移動量は、ほぼ等しいことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板反転装置。
  7. 第２の状態で、基板の表面に垂直な方向において、複数の第１の支持部と複数の第２の支持部とが部分的に重なるように、前記駆動手段を制御する制御部をさらに備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板反転装置。
  8. 基板を搬送する基板搬送装置であって、
    請求項１〜７のいずれかに記載の基板反転装置と、
    前記基板反転装置を移動させる移動手段とを備えたことを特徴とする基板搬送装置。
  9. 基板に処理を行う基板処理装置であって、
    基板を保持して反転させる請求項１〜７のいずれかに記載の基板反転装置により保持された基板に処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
  10. 基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
    基板を処理する第１の処理部と、
    前記第１の処理部により処理された基板を反転させる請求項１〜７のいずれかに記載の基板反転装置と、
    前記基板反転装置により反転された基板に処理を行う第２の処理部とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
  11. 請求項１〜７のいずれかに記載の基板反転装置に基板を搬入する工程と、
    第１の可動部材に設けられた複数の第１の支持部の支持面上に基板の外周端部を支持する基板支持工程と、
    この基板支持工程の後に、第２の可動部材に設けられた複数の第２の支持部が前記複数の第１の支持部に近接するように前記第１および第２の可動部材の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動させる近接工程と、
    この近接工程の後に、前記第１および第２の可動部材を反転させるとともに、前記複数の第１の支持部の支持面上に支持されていた基板を前記複数の第２の支持部の支持面上に支持させる反転工程と、
    この反転工程の後に、前記複数の第１の支持部と前記複数の第２の支持部とが互いに離間するように前記第１および第２の可動部材の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動させる離間工程とを備えたことを特徴とする基板反転方法。
  12. 基板を搬送する搬送方法であって、
    請求項１〜７のいずれかに記載の基板反転装置を用いて基板を保持して反転させる工程と、
    基板を保持している前記基板反転装置を移動させる工程とを備えたことを特徴とする基板搬送方法。
  13. 基板に処理を行う基板処理方法であって、
    請求項１〜７のいずれかに記載の基板反転装置により保持された基板に処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
  14. 基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、
    基板を処理する第１の処理工程と、
    請求項１〜７のいずれかに記載の基板反転装置を用いて前記第１の処理工程において処理された基板を反転させる工程と、
    前記反転された基板に処理を行う第２の処理工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。
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