JP5149513B2 - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5149513B2
JP5149513B2 JP2007034200A JP2007034200A JP5149513B2 JP 5149513 B2 JP5149513 B2 JP 5149513B2 JP 2007034200 A JP2007034200 A JP 2007034200A JP 2007034200 A JP2007034200 A JP 2007034200A JP 5149513 B2 JP5149513 B2 JP 5149513B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
unit
cleaning
processing
exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007034200A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008198881A (ja
Inventor
義光 福冨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Semiconductor Solutions Co Ltd
Original Assignee
Screen Semiconductor Solutions Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Semiconductor Solutions Co Ltd filed Critical Screen Semiconductor Solutions Co Ltd
Priority to JP2007034200A priority Critical patent/JP5149513B2/ja
Priority to KR1020080013076A priority patent/KR100935990B1/ko
Priority to US12/031,677 priority patent/US7641405B2/en
Publication of JP2008198881A publication Critical patent/JP2008198881A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5149513B2 publication Critical patent/JP5149513B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Description

本発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェースブロックにより構成される。インターフェースブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
上記の基板処理装置において、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにより反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェースブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェースブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レクチルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
ところで、上記特許文献２の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、基板上に塗布されたレジストの成分の一部が液体中へ溶出する。この液体中に溶出したレジストの成分は露光装置のレンズを汚染する。
一方で、露光処理前においては、基板に対して種々の成膜処理が施されるが、この成膜処理の過程で、基板の端部が汚染する場合がある。このように、基板の端部が汚染された状態で基板の露光処理を行うと、露光装置のレンズが汚染され、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生するおそれがある。
本発明の目的は、基板処理におけるスループットの低下が抑制されつつ、露光装置内の汚染が十分に防止されるとともに、小型化が可能な基板処理装置を提供することである。
（１）本発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、露光装置による露光処理前の基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、基板の表面および端部を洗浄する表面端部洗浄ユニットと、露光装置による露光処理後の基板に現像処理を行う現像ユニットとを含み、表面端部洗浄ユニットは、基板を略水平に保持しつつ保持された基板を鉛直方向に平行な回転軸の周りで回転させる回転保持部と、回転保持部により保持されつつ回転する基板の表面に洗浄液を供給し、基板の表面を洗浄する表面洗浄用ノズルと、回転保持部により保持されつつ回転する基板の端部に洗浄液を供給し、洗浄液が供給された基板の端部をブラシを用いて洗浄する端部洗浄装置とを含むものである。
この発明に係る基板処理装置においては、処理部により基板に処理が行われる。処理が行われた基板は、受け渡し部に渡される。そして、処理部から渡された基板が受け渡し部により露光装置に搬入される。それにより、露光装置において、基板に露光処理が行われる。露光処理後の基板は、露光装置から搬出され、受け渡し部に渡される。露光装置から渡された基板が受け渡し部により処理部に搬入される。
ここで、処理部においては、露光装置による露光処理前の基板に感光性膜が形成され、露光装置による露光処理後の基板に現像処理が行われる。
また、処理部の表面端部洗浄ユニットにおいては、回転保持部により基板が略水平に保持されつつ保持された基板が鉛直方向に平行な回転軸の周りで回転される。また、回転保持部により保持されつつ回転する基板の表面に洗浄液が供給され、基板の表面が洗浄される。また、回転保持部により保持されつつ回転する基板の端部に洗浄液が供給され、洗浄液が供給された基板の端部がブラシを用いて洗浄される。したがって、露光装置による露光処理前の基板の表面および端部を洗浄することにより、露光処理前の基板の表面および端部の汚染に起因する露光装置内の汚染を防止することができ、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。また、基板の表面および端部を個別に洗浄する必要がないので、基板処理におけるスループットの低下が抑制される。
また、基板の表面を洗浄する表面洗浄処理ユニット、および基板の端部を洗浄する端部洗浄処理ユニットを個別に設ける必要がない。それにより、基板処理装置の小型化が実現される。
（２）表面端部洗浄ユニットは、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって露光装置による露光処理前に、基板の表面および端部を洗浄してもよい。
この場合、露光装置に搬入される基板の表面および端部を予め洗浄することにより、露光装置内の汚染を確実に防止するとともに、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を十分に防止することができる。
また、感光性膜が形成された基板を洗浄することにより、感光性材料の成分を予め溶出させることができる。それにより、露光装置において、液浸法による露光処理を正確に行うことができる。
（３）表面端部洗浄ユニットは、基板の表面および端部を同時に洗浄してもよい。
この場合、基板の表面および端部が同時に洗浄されるので、基板処理におけるスループットを十分に向上させることができる。
（４）処理部は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に、基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットをさらに含んでもよい。
この場合、感光性膜の形成前の基板に反射防止膜が形成される。これにより、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを低減させることができる。
（５）処理部は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって露光装置による露光処理前に、感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットをさらに含んでもよい。
この場合、感光性膜が形成された露光処理前の基板に保護膜が形成される。それにより、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置内の汚染を確実に防止することができ、基板の処理不良を十分に防止することができる。
（６）処理部は、露光装置による露光処理後であって現像ユニットによる現像処理前に、保護膜を除去する保護膜除去ユニットを含んでもよい。
この場合、露光処理後でかつ現像処理前の基板から保護膜が除去される。これにより、現像ユニットによる現像処理が確実に行われる。
（７）処理部は、基板の一面と他面とを互いに反転させる反転ユニットと、反転ユニットにより反転された基板の裏面を洗浄する裏面洗浄ユニットとをさらに含んでもよい。
この場合、処理部の反転ユニットにより、表面が上方向に向いた基板を裏面が上方向に向くように、露光処理前の基板の一面と他面とを互いに反転させることができる。そして、反転された基板の裏面を、裏面洗浄ユニットにより洗浄することができる。
これにより、基板の裏面に付着する汚染物質に起因する露光装置内の汚染が防止される。したがって、高い精度で基板の露光処理を行うことができ、基板の処理不良を十分に防止することができる。
（８）処理部は、感光性膜形成ユニットおよび基板を搬送する第１の搬送ユニットを備える第１の処理単位と、表面端部洗浄ユニットおよび基板を搬送する第２の搬送ユニットを備える第２の処理単位と、現像ユニットおよび基板を搬送する第３の搬送ユニットを備える第３の処理単位とを含み、第２の処理単位は、受け渡し部に隣接するように配置されてもよい。
この場合、第１の処理単位内では、感光性膜形成ユニットにより基板に感光性膜が形成されるとともに、感光性膜の形成前または形成後の基板が第１の搬送ユニットにより搬送される。また、第２の処理単位内では、表面端部洗浄ユニットにより基板の表面および端部が洗浄されるとともに、洗浄前または洗浄後の基板が第２の搬送ユニットにより搬送される。ここで、第２の搬送ユニットにより搬送される基板は、処理部に隣接する受け渡し部に渡される。
これにより、表面および端部が洗浄された基板が受け渡し部を通して露光装置に迅速に搬入されるので、洗浄処理後の基板の再汚染が防止される。したがって、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。
露光処理後の基板は、受け渡し部を通して処理部に搬入され、第２の処理単位の第２の搬送ユニットにより搬送される。
第３の処理単位内では、現像ユニットにより基板に現像処理が行われるとともに、現像処理前または現像処理後の基板が第３の搬送ユニットにより搬送される。
（９）受け渡し部は、露光装置による露光処理後の基板を洗浄して乾燥させる洗浄乾燥ユニットと、基板を搬送する受け渡しユニットとを備えてもよい。
この場合、受け渡し部においては、受け渡しユニットにより基板が搬送される。また、洗浄乾燥ユニットにより、露光処理後の基板の洗浄処理が行われるので、露光処理時に液体が付着した基板に露光処理後に雰囲気中の塵埃が付着しても、その付着物を取り除くことができる。
さらに、洗浄乾燥ユニットにより、露光処理後の基板の乾燥処理が行われるので、露光処理後の基板に雰囲気中の塵埃が付着することを防止することができる。
また、露光処理時に基板に付着した液体が処理部内に落下することが防止されるので、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。
これらの結果、基板の処理不良を十分に防止することができる。
本発明に係る基板処理装置によれば、基板の表面および端部を個別に洗浄する必要がないので、基板処理におけるスループットの低下が抑制される。
また、露光装置による露光処理前の基板の表面および端部が洗浄されるので、露光処理前の基板の表面および端部の汚染に起因する露光装置内の汚染が防止される。
さらに、基板の表面を洗浄する表面洗浄処理ユニット、および基板の端部を洗浄する端部洗浄処理ユニットを個別に設ける必要がない。それにより、基板処理装置の小型化が実現される。
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
また、以下の説明では、回路パターン等の各種パターンが形成される基板の面を表面と称し、その反対側の面を裏面と称する。また、下方に向けられた基板の面を下面と称し、上方に向けられた基板の面を上面と称する。
さらに、以下の図面には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
＜１＞ 第１の実施の形態
以下、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しながら説明する。
（１） 基板処理装置の構成
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を含む。基板処理装置５００においては、これらのブロック９〜１６が上記の順で並設される。
基板処理装置５００のインターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。露光装置１７においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。
インデクサブロック９は、各ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）９１、複数のキャリア載置台９２およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨ１，ＩＲＨ２が上下に設けられる。
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部３０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。反射防止膜用塗布処理部３０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、複数本の支持ピンが固定されている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１６にも同様に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部４０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。レジスト膜用塗布処理部４０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
レジストカバー膜用処理ブロック１２は、レジストカバー膜用熱処理部１２０、現像用熱処理部１２１、レジストカバー膜用塗布処理部５０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部５０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１２０および現像用熱処理部１２１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック１１とレジストカバー膜用処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁２２が設けられる。この隔壁２２には、レジスト膜用処理ブロック１１とレジストカバー膜用処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１からレジストカバー膜用処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
現像処理ブロック１３は、現像処理部６０ａ，６０ｂおよび第５のセンターロボットＣＲ５を含む。現像処理部６０ａ，６０ｂは、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで互いに対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
レジストカバー膜用処理ブロック１２と現像処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２３が設けられる。この隔壁２３には、レジストカバー膜用処理ブロック１２と現像処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１２から現像処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗを現像処理ブロック１３からレジストカバー膜用処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
レジストカバー膜除去ブロック１４は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂおよび第６のセンターロボットＣＲ６を含む。レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂは、第６のセンターロボットＣＲ６を挟んで互いに対向して設けられる。第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
現像処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２４が設けられる。この隔壁２４には、現像処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗを現像処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４から現像処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
洗浄／乾燥処理ブロック１５は、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１、洗浄／乾燥処理部８０および第７のセンターロボットＣＲ７を含む。露光後ベーク用熱処理部１５１はインターフェースブロック１６に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４を備える。洗浄／乾燥処理部８０は、第７のセンターロボットＣＲ７を挟んで露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１に対向して設けられる。第７のセンターロボットＣＲ７には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２が上下に設けられる。
レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間には、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられる。この隔壁２５には、レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１１は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４から洗浄／乾燥処理ブロック１５へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１２は、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられる。
インターフェースブロック１６には、第８のセンターロボットＣＲ８、エッジ露光部ＥＥＷ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび露光後洗浄／乾燥処理部９５が、この順で＋Ｘ方向に沿って並ぶように設けられる。エッジ露光部ＥＥＷの下側には、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６、送りバッファ部ＳＢＦおよび戻りバッファ部ＲＢＦが設けられている。第８のセンターロボットＣＲ８には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２が上下に設けられる。
図２は、図１の基板処理装置５００の一方の側面図である。
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部３０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置される。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１およびスピンチャック３１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル３２を備える。
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部４０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置される。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１およびスピンチャック４１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル４２を備える。
レジストカバー膜用処理ブロック１２のレジストカバー膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置される。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
現像処理ブロック１３の現像処理部６０ｂ（図１参照）には、４個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置される。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル６２を備える。
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ｂ（図１参照）には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置される。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル７２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０（図１参照）には、４個の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤが上下に積層配置される。表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤの詳細については後述する。
インターフェースブロック１６の露光後洗浄／乾燥処理部９５には、３個の露光後洗浄／乾燥ユニットＤＲＹが上下に積層配置される。各露光後洗浄／乾燥ユニットＤＲＹは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに洗浄用の処理液（洗浄液およびリンス液）を供給するノズル９２を備える。
図３は、図１の基板処理装置５００の他方の側面図である。
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび４個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰが積層配置され、反射防止膜用熱処理部１０１には、６個の加熱ユニットＨＰが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１の最上部には、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０には、４個の加熱ユニットＨＰおよび４個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部１１１には、６個の加熱ユニットＨＰが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１の最上部には、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジストカバー膜用処理ブロック１２のレジストカバー膜用熱処理部１２０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、現像用熱処理部１２１には、６個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１２０および現像用熱処理部１２１の最上部には、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
現像処理ブロック１３の現像処理部６０ａには、４個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置される。
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ａには、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置される。
洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５０には、４個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１５１には６個の加熱ユニットＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１の最上部には、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
インターフェースブロック１６の略中央部（図１参照）には、２個のエッジ露光部ＥＥＷ、基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６、送りバッファ部ＳＢＦおよび戻りバッファ部ＲＢＦが上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック（図示せず）およびスピンチャック上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器（図示せず）を備える。
なお、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤ、除去ユニットＲＥＭ、露光後洗浄／乾燥ユニットＤＲＹ、エッジ露光部ＥＥＷ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの個数は、各ブロック１０〜１６における処理速度に応じて適宜変更してよい。
（２） 基板処理装置の動作
次に、第１の実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図３を参照しながら説明する。
インデクサブロック９のキャリア載置台９２上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが載置される。インデクサロボットＩＲは、上側のハンドＩＲＨ１を用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
さらに、インデクサロボットＩＲ、第２〜第８のセンターロボットＣＲ２〜ＣＲ８ならびにインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部３０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部３０では、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用塗布処理部３０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部４０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部４０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜上にレジスト膜が塗布形成される。
その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用塗布処理部４０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部５０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部５０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜上にレジストカバー膜が塗布形成される。
その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１２０に搬入する。次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１２０から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られる。
第７のセンターロボットＣＲ７は、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理部８０の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤに搬入する。表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤ内では、搬入された基板Ｗに後述の表面端部洗浄処理が施される。これにより、露光装置１７による露光処理前の基板Ｗの表面および端部が清浄に保たれる。
次に、第７のセンターロボットＣＲ７は、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤから表面端部洗浄処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８により受け取られる。第８のセンターロボットＣＲ８は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
次に、第８のセンターロボットＣＲ８は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより露光装置１７の基板搬入部１７ａ（図１参照）に搬入される。
なお、露光装置１７が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。
露光装置１７において、基板Ｗに露光処理が施された後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗを露光装置１７の基板搬出部１７ｂ（図１参照）から取り出し、露光後洗浄／乾燥処理部９５に搬入する。
上述のように、露光後洗浄／乾燥処理部９５の露光後洗浄／乾燥ユニットＤＲＹにおいては、スピンチャック９１（図２参照）により水平姿勢で回転する基板Ｗの表面に、ノズル９２から処理液（洗浄液およびリンス液）が供給される。これにより、基板Ｗの表面が洗浄される。その後、ノズル９２から基板Ｗへの処理液の供給が停止することにより、基板Ｗに付着する洗浄液が振り切られ、基板Ｗの表面が乾燥する（振り切り乾燥）。
なお、露光後洗浄／乾燥ユニットＤＲＹには、基板Ｗの表面に不活性ガスを噴射する気体噴射ノズルが設けられてもよい。この場合、基板Ｗの振り切り乾燥中、または基板Ｗの表面にリンス液の液層を形成した後に、気体噴射ノズルから基板Ｗに不活性ガスを噴射することにより、基板Ｗの表面が確実に乾燥する。
このように、露光後洗浄／乾燥処理部９５においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗを露光後洗浄／乾燥処理部９５から取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置する。
なお、故障等により露光後洗浄／乾燥処理部９５において一時的に洗浄および乾燥処理ができないときは、インターフェースブロック１６の戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８により受け取られる。第８のセンターロボットＣＲ８は、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５１に搬入する。
露光後ベーク用熱処理部１５１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第８のセンターロボットＣＲ８は、露光後ベーク用熱処理部１５１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置する。
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１５１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１５０により露光後ベークを行ってもよい。
基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られる。第７のセンターロボットＣＲ７は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部７０ａまたはレジストカバー膜除去用処理部７０ｂに搬入する。レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂにおいては、除去ユニットＲＥＭにより基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去される。
その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａまたはレジストカバー膜除去用処理部７０ｂから除去処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを現像処理部６０ａまたは現像処理部６０ｂに搬入する。現像処理部６０ａ，６０ｂにおいては、現像処理ユニットＤＥＶにより基板Ｗの現像処理が行われる。
その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、現像処理部６０ａまたは現像処理部６０ｂから現像処理済の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットは、その基板Ｗを現像用熱処理部１２１に搬入する。現像用熱処理部１２１においては、現像処理後の基板Ｗに熱処理が施される。
そして、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像用熱処理部１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。
（３） 表面端部洗浄／乾燥ユニットについて
ここで、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤについて図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤの各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）９１により制御される。
（３−ａ） 表面端部洗浄／乾燥ユニットの構成
図４は、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤの構成を説明するための図である。この表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤにおいては、基板Ｗの表面および端部が洗浄される（表面端部洗浄処理）。
図４に示すように、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２０１を備える。
スピンチャック２０１は、チャック回転駆動機構２０４によって回転される回転軸２０３の上端に固定されている。また、スピンチャック２０１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック２０１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック２０１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
スピンチャック２０１の側方には、モータ２５０が設けられている。モータ２５０には、回動軸２５１が接続されている。また、回動軸２５１には、アーム２５２が水平方向に延びるように連結され、アーム２５２の先端に表面洗浄用ノズル２６０が設けられている。
モータ２５０により回動軸２５１が回転すると、アーム２５２が回動する。これにより、表面洗浄用ノズル２６０は、スピンチャック２０１により保持された基板Ｗの上方位置と外方位置との間で移動可能となっている。
モータ２５０、回動軸２５１およびアーム２５２の内部を通るように洗浄処理用供給管２７０が設けられている。洗浄処理用供給管２７０は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。
このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管２７０に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図４の構成においては、バルブＶａを開くことにより洗浄処理用供給管２７０に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより洗浄処理用供給管２７０にリンス液を供給することができる。
このように、バルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管２７０および表面洗浄用ノズル２６０を通して基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。これにより、基板Ｗの表面を洗浄することができる。
洗浄液としては、例えば、所定のレジスト溶媒、フッ素系薬液、アンモニア過水、および露光装置１７における液浸法に用いられる液体のいずれかが用いられる。この他、洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液、炭酸水、水素水、電解イオン水、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、フッ酸、硫酸および硫酸過水のいずれかを用いることもできる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水および電解イオン水、ＨＦＥのいずれかが用いられる。
さらに、スピンチャック２０１の側方でかつ表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤ内の上部には、端部洗浄装置移動機構２３０が設けられている。端部洗浄装置移動機構２３０には、下方に延びる棒状の支持部材２２０が取り付けられている。支持部材２２０は、端部洗浄装置移動機構２３０により上下方向および水平方向に移動する。
支持部材２２０の下端部には、略円筒形状を有する端部洗浄装置２１０が水平方向に延びるように取り付けられている。これにより、端部洗浄装置２１０は、端部洗浄装置移動機構２３０により支持部材２２０とともに移動する。それにより、端部洗浄装置２１０の一端をスピンチャック２０１に保持される基板Ｗの端部Ｒと対向させることができる。以下の説明においては、端部洗浄装置２１０の基板Ｗの端部Ｒと対向する一端を正面とする。
ここで、基板Ｗの上記端部Ｒの定義について次の図面を参照しながら説明する。図５は、基板Ｗの端部Ｒを説明するための概略的模式図である。図５に示すように、基板Ｗ上には、上述した反射防止膜、レジスト膜（共に図示せず）およびレジストカバー膜が形成される。
基板Ｗは端部を有し、この端部を概略的に図示すれば図５のようになる。この端部を、一般的にベベル部と呼ぶ。また、レジストカバー膜が形成される基板Ｗの面の端から内側へ距離ｄまでの領域を、一般的に周縁部と呼ぶ。本実施の形態では、上記のベベル部と周縁部とを総称して端部Ｒと呼ぶ。なお、上記距離ｄは例えば２〜３ｍｍである。また、端部Ｒが周縁部を含まなくてもよい。この場合には、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤは基板Ｗの端部Ｒに対してベベル部のみを洗浄する。
通常、レジストカバー膜は、基板Ｗ上の上記周縁部を覆うように形成されていない場合が多い。すなわち、基板Ｗ上の周縁部に形成された反射防止膜およびレジスト膜の一方または両方は露出した状態となっている。
図４に戻り、端部洗浄装置２１０は、表面端部洗浄処理時に端部洗浄装置移動機構２３０によりスピンチャック２０１上の基板Ｗの端部Ｒ付近の位置に移動し、表面端部洗浄処理が行われていない期間には、スピンチャック２０１の外方で待機する。
端部洗浄装置２１０は、その内部に空間を有する（後述の洗浄室２１１）。端部洗浄装置２１０には、洗浄液供給管２４１および排気管２４４が接続されている。洗浄液供給管２４１は、バルブ２４２を介して図示しない洗浄液供給系に接続されている。バルブ２４２を開くことにより、洗浄液が洗浄液供給管２４１を通じて端部洗浄装置２１０の内部空間に供給される。
また、排気管２４４は、排気部２４５に接続されている。排気部２４５は、端部洗浄装置２１０の内部空間の雰囲気を吸引し、排気管２４４を通じて排気する。
ここで、端部洗浄装置２１０の詳細を説明する。図６は、図４の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤの端部洗浄装置２１０の構造を説明するための図である。図６（ａ）に端部洗浄装置２１０の縦断面図が示され、図６（ｂ）に端部洗浄装置２１０の正面図が示されている。
図６（ａ）に示すように、端部洗浄装置２１０の略円筒形状のハウジング２１０ａの内部には、洗浄室２１１が形成されている。
また、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、ハウジング２１０ａの正面側には、洗浄室２１１と外部とを連通させる開口２１２が形成されている。開口２１２は、中央部から両側方にかけて上下幅が漸次拡大するように、円弧状の上面および下面を有する。基板Ｗの表面端部洗浄処理時には、開口２１２にスピンチャック２０１に吸着保持された基板Ｗの端部Ｒが挿入される。
洗浄室２１１内には、略円筒形状を有するブラシ２１３が鉛直方向に延びるように配置されている。ブラシ２１３は鉛直方向に延びる回転軸２１４に取り付けられている。回転軸２１４の上端および下端は、洗浄室２１１の上部および下部に形成された回転軸受に回転可能に取り付けられている。これにより、ブラシ２１３は、洗浄室２１１および回転軸２１４により回転可能に支持されている。
基板Ｗの表面端部洗浄処理時には、回転する基板Ｗの端部Ｒとブラシ２１３とが接触する。これにより、基板Ｗの端部Ｒがブラシ２１３により洗浄される。
ここで、図４の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤにおいて、ブラシ２１３が取り付けられた回転軸２１４は、スピンチャック２０１が固定される回転軸２０３と略平行となるように配置される。これにより、ブラシ２１３が回転する基板Ｗの端部Ｒに確実に接触した状態で回転する。
端部洗浄装置２１０の上部には、上述の洗浄液供給管２４１および排気管２４４が接続されている。
洗浄液供給管２４１は、ハウジング２１０ａ内に形成された洗浄液供給路２４１ａ，２４１ｂに接続されている。図６（ａ）に示すように、洗浄液供給路２４１ａは、ハウジング２１０ａの外部から洗浄室２１１の上部内面まで延びている。また、洗浄液供給路２４１ｂは、ハウジング２１０ａの外部から洗浄室２１１の下部内面まで延びている。図６（ａ）には、洗浄液供給管２４１ｂの一部のみが示されている。
このような構成により、基板Ｗの表面端部洗浄処理時には、端部洗浄装置２１０に供給される洗浄液が、洗浄室２１１内でブラシ２１３と接触する基板Ｗの端部Ｒに向かって上下方向から噴射される。それにより、基板Ｗの端部Ｒが効率よく洗浄される。
排気管２４４は、ハウジング２１０ａの上部に設けられた孔部を通じて洗浄室２１１内に挿入されている。これにより、上述のように、洗浄室２１１内の雰囲気が図４の排気部２４５により吸引され、排気管２４４を通じて排気される。
このように、洗浄室２１１においては、その内部雰囲気が排気部２４５により排気されるので、揮発した洗浄液および洗浄液のミストが効率よく排気される。
上記において、基板Ｗの端部Ｒに噴射される洗浄液としては、所定のレジスト溶媒、フッ素系薬液、アンモニア過水、および露光装置１７における液浸法に用いられる液体のいずれかが用いられる。
この他、洗浄液としては、基板Ｗの表面を洗浄する洗浄液と同様に、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液、炭酸水、水素水、電解イオン水、ＨＦＥ、フッ酸、硫酸および硫酸過水のいずれかを用いることもできる。
上記のように、ブラシ２１３により基板Ｗの端部Ｒを洗浄する場合には、基板Ｗの端部Ｒに直接ブラシ２１３が接触するので、基板Ｗの端部Ｒの汚染物質を物理的に剥離させることができる。それにより、端部Ｒに強固に付着した汚染物質をより確実に取り除くことができる。
（３−ｂ） 表面端部洗浄／乾燥ユニットの動作
上記の構成を有する表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤの処理動作について説明する。
表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤへの基板Ｗの搬入時には、図１の第７のセンターロボットＣＲ７が基板Ｗをスピンチャック２０１上に載置する。スピンチャック２０１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック２０１により吸着保持される。
次に、表面洗浄用ノズル２６０が基板Ｗの中心部上方に移動し、端部洗浄装置２１０がスピンチャック２０１上の基板Ｗの端部Ｒ付近の位置に移動する。そして、回転軸２０３が回転することにより基板Ｗが回転する。
この状態で、表面洗浄用ノズル２６０から基板Ｗの表面に洗浄液が吐出される。これにより、基板Ｗの表面が洗浄される。これと同時に、端部洗浄装置２１０に洗浄液が供給される。これにより、基板Ｗの端部Ｒが洗浄される。
所定時間経過後、表面洗浄用ノズル２６０は、基板Ｗの表面に、洗浄液に代えてリンス液を吐出する。これにより、基板Ｗ上に供給された洗浄液が洗い流される。また、このとき、端部洗浄装置２１０への洗浄液の供給が停止される。それにより、基板Ｗの表面に吐出されたリンス液が基板Ｗの端部Ｒに流れ込み、基板Ｗの端部Ｒに付着する洗浄液が洗い流される。
さらに所定時間経過後、表面洗浄用ノズル２６０は、基板Ｗへのリンス液の吐出を停止し、スピンチャック２０１により保持された基板Ｗの外方に移動する。また、端部洗浄装置２１０も基板Ｗの外方に移動する。
そして、回転軸２０３の回転数が上昇する。これにより、基板Ｗ上に残留するリンス液に大きな遠心力が作用する。それにより、基板Ｗの表面および端部Ｒに付着する液体が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。
なお、洗浄／乾燥処理部８０において、上記の表面端部洗浄処理時には、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。これにより、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。なお、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより上記のレジストカバー膜の成分を純水中に溶出させてもよい。
基板Ｗ上への洗浄液およびリンス液の供給は、気体および液体からなる混合流体を吐出する二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。
図４の表面洗浄用ノズル２６０として二流体ノズルを用いる場合には、混合流体を噴射する二流体ノズルを回転する基板Ｗの外方から基板Ｗの中心を通るように移動させる。これにより、洗浄液またはリンス液を含む混合流体を基板Ｗの表面全体に渡って効率よく噴射することができる。
なお、このように二流体ノズルを用いる場合、図４の点線で示すように、表面洗浄用ノズル２６０には、窒素ガス（Ｎ２）、アルゴンガスまたはヘリウムガス等の不活性ガスを供給する必要がある。
（３−ｃ） 表面端部洗浄／乾燥ユニットの他の構成例
表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤは、以下の構成を有してもよい。図７は表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤの他の構成例を説明するための図である。図７の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤについて、図４の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤと異なる点を説明する。
図７に示すように、本例の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤにおいては、図４の端部洗浄装置２１０に代えて、基板Ｗの端部Ｒを洗浄するための構成要素として二流体ノズル３１０が設けられている。
具体的には、スピンチャック２０１の外方に、モータ３０１が設けられている。モータ３０１には、回動軸３０２が接続されている。また、回動軸３０２には、アーム３０３が水平方向に延びるように連結され、アーム３０３の先端に二流体ノズル３１０が設けられている。この二流体ノズル３１０は、気体および液体からなる混合流体を吐出する。
なお、アーム３０３の先端部において、二流体ノズル３１０は、スピンチャック２０１により保持される基板Ｗの表面に対して傾斜するように取り付けられている。
基板Ｗの表面端部洗浄処理の開始時には、モータ３０１により回動軸３０２が回転するとともにアーム３０３が回動する。これにより、二流体ノズル３１０がスピンチャック２０１により保持された基板Ｗの端部Ｒの上方に移動する。その結果、二流体ノズル３１０の混合流体の吐出部３１０ａが基板Ｗの端部Ｒに対向する。
モータ３０１、回動軸３０２およびアーム３０３の内部を通るように洗浄液供給管３３１が設けられている。洗浄液供給管３３１は、一端が二流体ノズル３１０に接続されるとともに、他端がバルブ３３２を介して図示しない洗浄液供給系に接続されている。バルブ３３２を開くことにより、洗浄液が洗浄液供給管３３１を通じて二流体ノズル３１０に供給される。
また、二流体ノズル３１０には、洗浄液供給管３３１とともに、気体供給管３４１の一端が接続されている。気体供給管３４１の他端は、バルブ３４２を介して図示しない気体供給系に接続されている。バルブ３４２を開くことにより気体が二流体ノズル３１０に供給される。二流体ノズル３１０に供給される気体としては、窒素ガス（Ｎ２）、アルゴンガスまたはヘリウムガス等の不活性ガスを用いることができる。
基板Ｗの表面端部洗浄処理時には、洗浄液および気体が二流体ノズル３１０に供給される。これにより、上述のように表面洗浄用ノズル２６０から基板Ｗの表面に洗浄液およびリンス液が吐出されるとともに、回転する基板Ｗの端部Ｒに二流体ノズル３１０から混合流体が吐出される。
このように、混合流体を用いることにより高い洗浄効果を得ることができる。それにより、基板Ｗの端部Ｒが良好に洗浄される。また、気体と液体との混合流体が基板Ｗの端部Ｒに吐出されることにより、非接触で基板Ｗの端部Ｒが洗浄されるので、洗浄時における基板Ｗの端部Ｒの損傷が防止される。さらに、混合流体の吐出圧および混合流体における気体と液体との比率を制御することにより基板Ｗの端部Ｒの洗浄条件を容易に制御することも可能である。
また、二流体ノズル３１０によれば、均一な混合流体を基板Ｗの端部Ｒに吐出することができるので、洗浄ムラが発生しない。
（３−ｄ） 表面端部洗浄／乾燥ユニットのさらに他の構成例
表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤは、さらに以下の構成を有してもよい。図８は、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤのさらに他の構成例を説明するための図である。図８の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤについて、図７の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤと異なる点を説明する。
図８に示すように、本例の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤにおいては、アーム３０３の先端に二流体ノズル３１０に代えて超音波ノズル４１０が設けられている。
なお、本例においても、超音波ノズル４１０は、スピンチャック２０１により保持される基板Ｗの面に対して傾斜してアーム３０３の先端部に取り付けられている。
超音波ノズル４１０には、洗浄液供給管３３１が接続されている。これにより、図７の例と同様に、バルブ３３２を開くことにより、洗浄液が洗浄液供給管３３１を通じて超音波ノズル４１０に供給される。
超音波ノズル４１０内には、高周波振動子４１１が内蔵されている。この高周波振動子４１１は、高周波発生装置４２０と電気的に接続されている。
基板Ｗの端部洗浄処理時においては、純水が超音波ノズル４１０から基板Ｗの端部Ｒに向かって吐出される。ここで、超音波ノズル４１０から純水が吐出される際には、高周波発生装置４２０から高周波振動子４１１に高周波電流が供給される。
それにより、高周波振動子４１１が超音波振動し、超音波ノズル４１０内を通る純水に高周波電流の値に応じた高周波出力が印加される。その結果、超音波振動状態となった純水が基板Ｗの端部Ｒに吐出され、基板Ｗの端部Ｒが洗浄される。
（４） 第１の実施の形態における効果
（４−ａ） 表面端部洗浄処理による第１の効果
第１の実施の形態に係る基板処理装置５００においては、洗浄／乾燥処理部８０の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤにより露光処理前の基板Ｗに表面端部洗浄処理が施される。これにより、露光装置１７に搬入される基板Ｗの表面および端部Ｒが清浄に保たれる。その結果、露光処理前の基板Ｗの表面および端部Ｒの汚染に起因する露光装置１７内の汚染が十分に防止され、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生が十分に防止される。
（４−ｂ） 表面端部洗浄処理による第２の効果
上述のように、第１の実施の形態に係る基板処理装置５００においては、基板Ｗの表面および端部Ｒを表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤ内で同時に洗浄することができる。これにより、露光処理前に、基板Ｗの表面および端部Ｒを個別に洗浄する必要がないので、基板処理におけるスループットの低下が抑制される。
また、基板Ｗの表面を洗浄する表面洗浄ユニット、および基板Ｗの端部Ｒを洗浄する端部洗浄ユニットを個別に設ける必要がない。それにより、洗浄／乾燥処理ブロック１５の小型化が実現される。
さらに、洗浄／乾燥処理ブロック１５内に設ける表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤの数を増加させることにより、基板処理におけるスループットをより向上させることも可能である。また、洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０内に他の処理ユニットを設けることも可能となる。
（４−ｃ） 現像処理ブロックによる効果
一般に、複数のブロックが並設される基板処理装置において、基板に現像処理を行う現像処理ブロックには、基板に現像処理を施す現像処理部と、現像処理後の基板を加熱処理するための熱処理部とが設けられる。
さらに、この現像処理ブロックに基板を搬送するセンターロボットが設けられる場合には、センターロボットを挟んで対向するように現像処理部と現像用熱処理部とを設けることが一般的である。
これに対して、第１の実施の形態に係る基板処理装置５００の現像処理ブロック１３においては、現像処理部６０ａ，６０ｂが第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで互いに対向して設けられている。
すなわち、この現像処理ブロック１３においては、一般に設けられるべき現像用熱処理部の位置に、現像処理部６０ａが設けられている。これにより、現像処理ブロック１３は、従来の基板処理装置に比べて多数（本例では８個）の現像処理ユニットＤＥＶを含む。
それにより、現像処理の時間が長くなる場合であっても、多数の現像処理ユニットＤＥＶで多数の基板Ｗに現像処理を施すことができるので、基板処理装置全体の基板処理におけるスループットを十分に向上させることができる。
（５） その他
上記の表面端部洗浄処理に用いられる洗浄液は、基板Ｗ上の膜の成分を予め溶出または析出させるために、露光装置１７における液浸法に用いられる液体（液浸液）を用いることが好ましい。液浸液の例としては、純水、高屈折率を有するグリセロール、高屈折率の微粒子（例えば、アルミニウム酸化物）と純水とを混合した混合液、および有機系の液体等が挙げられる。
また、液浸液の他の例としては、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液、炭酸水、水素水、電解イオン水、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、フッ酸、硫酸および硫酸過水等が挙げられる。
本実施の形態では、露光装置１７において基板Ｗに露光処理が行われる前に、レジストカバー膜用処理ブロック１２において、レジスト膜上にレジストカバー膜が形成される。この場合、露光装置１７において基板Ｗが液体と接触しても、レジストカバー膜によってレジスト膜が液体と接触することが防止されるので、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。
＜２＞ 第２の実施の形態
以下、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置について第１の実施の形態に係る基板処理装置５００と異なる点を説明する。
（１） 基板処理装置の構成
図９は第２の実施の形態に係る基板処理装置の平面図であり、図１０は図９の基板処理装置５００の一方の側面図であり、図１１は図９の基板処理装置５００の他方の側面図である。
図９〜図１１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、レジストカバー膜用処理ブロック１２の構成が第１の実施の形態に係る基板処理装置５００と異なる。
このレジストカバー膜用処理ブロック１２は、レジストカバー膜用熱処理部１２０，１２２、レジストカバー膜用塗布処理部５０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部５０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１２０，１２２に対向して設けられる。図１１に示すように、レジストカバー膜用熱処理部１２２には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。
また、本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、現像処理ブロック１３の構成が第１の実施の形態に係る基板処理装置５００と異なる。
この現像処理ブロック１３は、現像処理部６０ｃ，６０ｄ、現像用熱処理部１３０，１３１および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。ここで、図１１に示すように、現像処理部６０ｃは現像用熱処理部１３０，１３１上に積層配置されている。これにより、現像処理ブロック１３において、現像処理部６０ｄは、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで現像処理部６０ｃおよび現像用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。
図１０に示すように、現像処理部６０ｄには５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置される。また、図１１に示すように、現像処理部６０ｃには２個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置される。現像用熱処理部１３０，１３１にはそれぞれ２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。現像用熱処理部１３０，１３１の最上部には、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
（２） 基板処理装置の動作
上記構成により、本実施の形態に係る基板処理装置５００では、第１の実施の形態と異なる動作が行われる。
初めに、第２の実施の形態においてもインデクサブロック９のキャリア載置台９２上にキャリアＣが載置される。そして、キャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗは、インデクサロボットＩＲにより受け取られ、第１の実施の形態と同様にして搬送されることにより、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部５０に搬入する。これにより、レジスト膜上にレジストカバー膜が塗布形成される。
その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１２０，１２２に搬入する。次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１２０，１２２から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られ、第１の実施の形態と同様にして露光装置１７に搬送される。
露光装置１７による露光処理後の基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより取り出され、第１の実施の形態と同様にして搬送されることにより、基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを現像処理部６０ｃまたは現像処理部６０ｄに搬入する。現像処理部６０ｃ，６０ｄにおいては、現像処理ユニットＤＥＶにより基板Ｗの現像処理が行われる。
その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、現像処理部６０ｃまたは現像処理部６０ｄから現像処理済の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１３０，１３１に搬入する。次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、現像用熱処理部１３０，１３１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットは、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、第１の実施の形態と同様にしてインデクサブロック９に搬送され、キャリアＣ内に収納される。
（３） 第２の実施の形態における効果
一般に、複数のブロックが並設される基板処理装置において、基板Ｗに現像処理を行う現像処理ブロックには、基板Ｗに現像処理を施す現像処理部と、現像処理後の基板Ｗを加熱処理するための熱処理部とが設けられる。
さらに、この現像処理ブロックに基板Ｗを搬送するセンターロボットが設けられる場合には、センターロボットを挟んで対向するように現像処理部と現像用熱処理部とを設けることが一般的である。
これに対して、第２の実施の形態に係る基板処理装置５００の現像処理ブロック１３においては、現像処理部６０ｃ，６０ｄが第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで互いに対向して設けられている。これにより、現像処理ブロック１３は、従来の基板処理装置に比べて多数（本例では７個）の現像処理ユニットＤＥＶを含む。
それにより、現像処理の時間が長くなる場合であっても、多数の現像処理ユニットＤＥＶで多数の基板Ｗに現像処理を施すことができるので、基板処理装置全体の基板処理におけるスループットを十分に向上させることができる。
加えて、本実施の形態では、現像処理ブロック１３が現像処理部６０ｃ，６０ｄとともに現像用熱処理部１３０，１３１を含むので、現像処理後の基板Ｗの熱処理を迅速に行うことができる。
＜３＞ 第３の実施の形態
以下、本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置について第１の実施の形態に係る基板処理装置５００と異なる点を説明する。
（１） 基板処理装置の構成
図１２は第３の実施の形態に係る基板処理装置の平面図であり、図１３は図１２の基板処理装置５００の一方の側面図であり、図１４は図１２の基板処理装置５００の他方の側面図である。
図１２〜図１４に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、洗浄／乾燥処理ブロック１５の構成が第１の実施の形態に係る基板処理装置５００と異なる。
この洗浄／乾燥処理ブロック１５は、基板反転部１５０ａ、露光後ベーク用熱処理部１５０ｂ，１５１、第１の洗浄／乾燥処理部８０ａ、第２の洗浄／乾燥処理部８０ｂおよび第７のセンターロボットＣＲ７を含む。
第１の洗浄／乾燥処理部８０ａおよび第２の洗浄／乾燥処理部８０ｂは、この順で上下に積層配置されている。第１および第２の洗浄／乾燥処理部８０ａ，８０ｂは、第７のセンターロボットＣＲ７を挟んで基板反転部１５０ａ、露光後ベーク用熱処理部１５０ｂ，１５１に対向して設けられる。
図１３に示すように、第１の洗浄／乾燥処理部８０ａには２個の裏面洗浄ユニットＳＤＲが上下に積層配置され、第２の洗浄／乾燥処理部８０ｂには２個の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤが上下に積層配置される。
ここで、裏面洗浄ユニットＳＤＲは、基板Ｗの裏面を洗浄するために用いられる。裏面洗浄ユニットＳＤＲには、基板Ｗの裏面が上方に向いた状態で基板Ｗが搬入される。裏面洗浄ユニットＳＤＲの詳細は後述する。
図１４に示すように、洗浄／乾燥処理ブロック１５において、露光後ベーク用熱処理部１５１はインターフェースブロック１６に隣接するように設けられている。露光後ベーク用熱処理部１５１には６個の加熱ユニットＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３，１４が上下に積層配置される。露光後ベーク用熱処理部１５１の最上部にはローカルコントローラＬＣが配置される。
この露光後ベーク用熱処理部１５１に隣接するように、基板反転部１５０ａおよび露光後ベーク用熱処理部１５０ｂがこの順で上下に積層配置される。
基板反転部１５０ａには２個の反転ユニットＲＴが上下に積層配置される。露光後ベーク用熱処理部１５０ｂには４個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、基板反転部１５０ａの最上部には、反転ユニットＲＴの動作および後述する露光後ベーク用熱処理部１５０ｂの冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが配置される。
ここで、反転ユニットＲＴは、基板Ｗの一面（表面）と他面(裏面)とを互いに反転させるために用いられる。例えば、基板Ｗの表面が上方に向いている場合に、反転ユニットＲＴは基板Ｗの裏面が上方に向くように基板Ｗを反転させる。反転ユニットＲＴの詳細は後述する。
（２） 基板処理装置の動作
上記構成により、本実施の形態に係る基板処理装置５００では、第１の実施の形態と異なる動作が行われる。
初めに、第３の実施の形態においてもインデクサブロック９のキャリア載置台９２上にキャリアＣが載置される。
ここで、本実施の形態において、キャリアＣに収納される複数の基板Ｗは、その表面が上方に向いた状態で保持されている。そして、キャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗは、インデクサロボットＩＲにより受け取られ、第１の実施の形態と同様にして搬送されることにより、基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られる。第７のセンターロボットＣＲ７は、その基板Ｗを第２の洗浄／乾燥処理部８０ｂの表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤに搬入する。
表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤでは、第１の実施の形態と同様に、基板Ｗに表面端部洗浄処理が施される。これにより、露光装置１７による露光処理前の基板Ｗの表面および端部が清浄に保たれる。
その後、第７のセンターロボットＣＲ７は、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤから表面端部洗浄処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板反転部１５０ａの反転ユニットＲＴに搬入する。
反転ユニットＲＴは、上述のように基板Ｗの一面と他面とを互いに反転する。すなわち、反転ユニットＲＴは、表面が上方に向いた基板Ｗを、裏面が上方に向くように反転する。
続いて、第７のセンターロボットＣＲ７は、裏面が上方に向いた基板Ｗを反転ユニットＲＴから取り出し、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理部８０ａの裏面洗浄ユニットＳＤＲに搬入する。裏面洗浄ユニットＳＤＲは、上述のように基板Ｗの裏面を洗浄する。
次に、第７のセンターロボットＣＲ７は、裏面洗浄ユニットＳＤＲから裏面が洗浄された基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを再び基板反転部１５０ａの反転ユニットＲＴに搬入する。
そこで、反転ユニットＲＴは、裏面が上方に向いた基板Ｗを表面が上方に向くように反転する。そして、第７のセンターロボットＣＲ７は、表面が上方に向いた基板Ｗを反転ユニットＲＴから取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第１の実施の形態と同様にして露光装置１７に搬送される。これにより、露光装置１７により基板Ｗに露光処理が施される。露光処理後の基板Ｗは、第１の実施の形態と同様にしてインデクサブロック９に搬送され、キャリアＣ内に収納される。
（３） 裏面洗浄ユニットについて
ここで、裏面洗浄ユニットＳＤＲについて図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する裏面洗浄ユニットＳＤＲの各構成要素の動作は、図１２のメインコントロ−ラ（制御部）９１により制御される。
（３−ａ） 裏面洗浄ユニットの構成
図１５は、裏面洗浄ユニットＳＤＲの構成を説明するための図である。この裏面洗浄ユニットＳＤＲでは、基板Ｗの裏面が洗浄される（裏面洗浄処理）。
図１５に示すように、裏面洗浄ユニットＳＤＲは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直軸の周りで基板Ｗを回転させる機械式のスピンチャック２０１Ｒを備える。このスピンチャック２０１Ｒは、基板Ｗの外周端部を保持する。スピンチャック２０１Ｒは、チャック回転駆動機構２０４によって回転される回転軸２０３の上端に固定されている。
上述のように、裏面洗浄ユニットＳＤＲには、裏面が上方に向けられた状態の基板Ｗが搬入される。そのため、基板Ｗは裏面が上方に向けられた状態でスピンチャック２０１Ｒにより保持される。裏面洗浄処理時に、基板Ｗはスピンチャック２０１Ｒ上の回転式保持ピンＰＩＮによりその下面の周縁部および外周端部が保持された状態で水平姿勢を維持しつつ回転される。
表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤと同様に、スピンチャック２０１Ｒの外方には、モータ２５０が設けられている。モータ２５０には、回動軸２５１が接続されている。回動軸２５１には、アーム２５２が水平方向に延びるように連結され、アーム２５２の先端に裏面洗浄用ノズル２６０Ｒが設けられている。
モータ２５０により回動軸２５１が回転すると、アーム２５２が回動する。これにより、裏面洗浄用ノズル２６０Ｒは、スピンチャック２０１Ｒにより保持された基板Ｗの上方位置と外方位置との間で移動可能となっている。
モータ２５０、回動軸２５１およびアーム２５２の内部を通るように洗浄処理用供給管２７０が設けられている。洗浄処理用供給管２７０は、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤと同様に、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。
バルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管２７０および裏面洗浄用ノズル２６０Ｒを通して基板Ｗの裏面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。これにより、基板Ｗの裏面を洗浄することができる。
（３−ｂ） 裏面洗浄ユニットの動作
裏面洗浄ユニットＳＤＲへの基板Ｗの搬入時には、図１２の第７のセンターロボットＣＲ７が基板Ｗをスピンチャック２０１Ｒ上に載置する。スピンチャック２０１Ｒ上に載置された基板Ｗは、スピンチャック２０１Ｒにより保持される。
次に、裏面洗浄用ノズル２６０Ｒが基板Ｗの中心部上方に移動する。そして、回転軸２０３が回転することにより基板Ｗが回転する。
この状態で、裏面洗浄用ノズル２６０Ｒから基板Ｗの裏面に洗浄液が吐出される。これにより、基板Ｗの裏面が洗浄される。
所定時間経過後、裏面洗浄用ノズル２６０Ｒは、基板Ｗの裏面に、洗浄液に代えてリンス液を吐出する。これにより、基板Ｗ上に供給された洗浄液が洗い流される。
さらに所定時間経過後、裏面洗浄用ノズル２６０Ｒは、基板Ｗへのリンス液の吐出を停止し、スピンチャック２０１Ｒにより保持された基板Ｗの外方に移動する。
そして、回転軸２０３の回転数が上昇する。これにより、基板Ｗ上に残留するリンス液に大きな遠心力が作用する。それにより、基板Ｗの裏面および端部に付着する液体が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。
裏面洗浄ユニットＳＤＲにおいても、基板Ｗ上への洗浄液およびリンス液の供給は、気体および液体からなる混合流体を吐出する二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。二流体ノズルを用いる場合、裏面洗浄用ノズル２６０Ｒには、図１５の点線で示すように、窒素ガス（Ｎ２）、アルゴンガスまたはヘリウムガス等の不活性ガスを供給する必要がある。
（４） 反転ユニットについて
ここで、反転ユニットＲＴについて図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する反転ユニットＲＴの各構成要素の動作は、図１２のメインコントロ−ラ（制御部）９１により制御される。
（４−ａ） 反転ユニットの構成
図１６は、反転ユニットＲＴに設けられる基板反転装置７の外観を示す斜視図であり、図１７は、基板反転装置７の一部の外観を示す斜視図である。
図１６および図１７に示すように、基板反転装置７は、第１の支持部材７７１、第２の支持部材７７２、複数の基板支持ピン７７３ａ，７７３ｂ、第１の可動部材７７４、第２の可動部材７７５、固定板７７６、リンク機構７７７および回転機構７７８を含む。
図１７に示すように、第２の支持部材７７２は、放射状に延びた６本の棒状部材から構成される。その６本の棒状部材の各先端部には、それぞれ基板支持ピン７７３ｂが設けられている。
同様に、図１６に示すように、第１の支持部材７７１も、放射状に延びた６本の棒状部材から構成される。６本の棒状部材の各先端部には、それぞれ基板支持ピン７７３ａが設けられている。
なお、本実施の形態において、第１および第２の支持部材７７１，７７２が６本の棒状部材からなるが、これに限定されず、第１および第２の支持部材７７１，７７２が他の任意の数の棒状部材または他の任意の形状部材からなってもよい。例えば、第１および第２の支持部材７７１，７７２が複数の基板支持ピン７７３ａ，７７３ｂに沿う外周を有する円板または多角形等の他の形状に形成されてもよい。
第１の可動部材７７４はコ字状からなる。第１の支持部材７７１は、第１の可動部材７７４の一端に固定されている。第１の可動部材７７４の他端は、リンク機構７７７に接続されている。同様に、第２の可動部材７７５はコ字状からなる。第２の支持部材７７２は、第２の可動部材７７５の一端に固定されている。第２の可動部材７７５の他端は、リンク機構７７７に接続されている。リンク機構７７７は回転機構７７８の回転軸に取り付けられている。このリンク機構７７７および回転機構７７８は、固定板７７６に取り付けられている。
図１６のリンク機構７７７には、エアシリンダ等が内蔵されており、第１の可動部材７７４および第２の可動部材７７５を相対的に離間させた状態と近接させた状態とに選択的に移行させることができる。また、図１６の回転機構７７８には、モータ等が内蔵されており、リンク機構７７７を介して第１の可動部材７７４および第２の可動部材７７５を、水平方向の軸の周りで例えば１８０度回転させることができる。
（４−ｂ） 反転ユニットの動作
次に、図１８および図１９は、図１６の基板反転装置７の動作を示す模式的構成図である。
まず、図１８（ａ）に示すように、基板反転装置７に図１２の第７のセンターロボットＣＲ７により基板Ｗが搬入される。この場合、リンク機構７７７の働きにより第１の可動部材７７４および第２の可動部材７７５は垂直方向に離間した状態で保持されている。
第７のセンターロボットＣＲ７のハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２は、第２の支持部材７７２の複数の基板支持ピン７７３ｂ上に基板Ｗを移載する。基板Ｗを移載後、第７のセンターロボットＣＲ７のハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２は、基板反転装置７から退出する。
次に、図１８（ｂ）に示すように、リンク機構７７７の働きにより第１の可動部材７７４および第２の可動部材７７５が垂直方向に近接した状態に移行される。
続いて、図１９（ｃ）に示すように、回転機構７７８の働きにより第１の可動部材７７４および第２の可動部材７７５が水平軸の周りで矢印θ７の方向に１８０度回転する。
この場合、基板Ｗは、第１の可動部材７７４および第２の可動部材７７５とともに、第１の支持部材７７１および第２の支持部材７７２に設けられた複数の基板支持ピン７７３ａ，７７３ｂに保持されつつ１８０度回転する。
最後に、リンク機構７７７の働きにより第１の可動部材７７４および第２の可動部材７７５が垂直方向に離間した状態に移行される。
そして、第７のセンターロボットＣＲ７のハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２が基板反転装置７内に進入し、図１９（ｄ）に示すように、基板Ｗを保持して退出する。
（５） 第３の実施の形態における効果
第３の実施の形態に係る基板処理装置５００においては、第２の洗浄／乾燥処理部８０ｂの表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤにより露光処理前の基板Ｗに表面端部洗浄処理が施されるとともに、第１の洗浄／乾燥処理部８０ａの裏面洗浄ユニットＳＤＲにより露光処理前の基板Ｗに裏面洗浄処理が施される。
これにより、露光装置１７による露光処理前の基板Ｗの表面、裏面および端部が洗浄される。それにより、露光装置１７に搬入される基板Ｗの表面、裏面および端部が清浄に保たれる。
その結果、露光処理前の基板Ｗの表面、裏面および端部の汚染に起因する露光装置１７内の汚染がより十分に防止でき、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生をより十分に防止することができる。
なお、表面端部洗浄処理時には基板Ｗの裏面がスピンチャック２０１（図４）により吸着保持されるが、表面端部洗浄処理後に迅速に裏面洗浄処理が行われるので、基板Ｗの裏面の吸着跡が容易に取り除かれる。
＜４＞ 第４の実施の形態
以下、本発明の第４の実施の形態に係る基板処理装置について第１の実施の形態に係る基板処理装置５００と異なる点を説明する。
（１） 基板処理装置の構成
図２０は第４の実施の形態に係る基板処理装置の平面図であり、図２１は図２０の基板処理装置５００の一方の側面図であり、図２２は図２０の基板処理装置５００の他方の側面図である。
本実施の形態に係る基板処理装置５００には、図１の反射防止膜用処理ブロック１０、レジストカバー膜用処理ブロック１２、レジストカバー膜除去ブロック１４および洗浄／乾燥処理ブロック１５が設けられていない。
この基板処理装置５００は、インデクサブロック９、レジスト膜用処理ブロック１１、洗浄／乾燥処理ブロック１８、現像処理ブロック１３およびインターフェースブロック１６を含む。この基板処理装置５００においては、これらのブロック９，１１，１８，１３，１６が上記の順で並設される。
インデクサブロック９およびレジスト膜用処理ブロック１１の構成は第１の実施の形態におけるインデクサブロック９およびレジスト膜用処理ブロック１１の構成とほぼ同じである。なお、本例のレジスト膜用処理ブロック１１においては、レジスト膜用塗布処理部４０に４個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置される（図２１参照）。
図２０に示すように、洗浄／乾燥処理ブロック１８は、第１の洗浄／乾燥処理部１８１、第２の洗浄／乾燥処理部１８２および第９のセンターロボットＣＲ９を含む。第１の洗浄／乾燥処理部１８１は、第９のセンターロボットＣＲ９を挟んで第２の洗浄／乾燥処理部１８２に対向して設けられる。第９のセンターロボットＣＲ９には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ２１，ＣＲＨ２２が上下に設けられる。
図２１および図２２に示すように、第１の洗浄／乾燥処理部１８１には４個の裏面洗浄ユニットＳＤＲが上下に積層配置され、第２の洗浄／乾燥処理部１８２には４個の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤが上下に積層配置される。
表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤの構成は第１の実施の形態で用いられる図４の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤの構成と同じであり、裏面洗浄ユニットＳＤＲの構成は第３の実施の形態で用いられる図１５の裏面洗浄ユニットＳＤＲの構成と同じである。
図２０に戻り、レジスト膜用処理ブロック１１と洗浄／乾燥処理ブロック１８との間には、雰囲気遮断用の隔壁２２が設けられる。この隔壁２２には、レジスト膜用処理ブロック１１と洗浄／乾燥処理ブロック１８との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。
上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から洗浄／乾燥処理ブロック１８へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１８からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
現像処理ブロック１３は、現像処理部６０、熱処理部１３２，１３３および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。現像処理部６０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで熱処理部１３２，１３３に対向して設けられる。
洗浄／乾燥処理ブロック１８と現像処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の２枚の隔壁２３ａ，２３ｂが設けられる。これらの隔壁２３ａ，２３ｂには、現像処理ブロック１３と洗浄／乾燥処理ブロック１８との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。
上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１８から現像処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗを現像処理ブロック１３から洗浄／乾燥処理ブロック１８へ搬送する際に用いられる。
さらに、基板載置部ＰＡＳＳ７の上側および基板載置部ＰＡＳＳ８の下側に、反転ユニットＲＴが積層配置される。これら２個の反転ユニットＲＴの構成は、第３の実施の形態において説明した反転ユニットＲＴと同じである。
図２１および図２２に示すように、現像処理部６０には４個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置される。また、熱処理部１３２には４個の加熱ユニットＨＰおよび４個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、熱処理部１３３には６個の加熱ユニットＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４が上下に積層配置される。また、熱処理部１３２，１３３の最上部には、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
インターフェースブロック１６の構成は、露光後洗浄／乾燥処理部９５が設けられない点を除き、第１の実施の形態におけるインターフェースブロック１６の構成と同じである。なお、図２０の点線で示すように、第１の実施の形態と同様に、インターフェースブロック１６に露光後洗浄／乾燥処理部９５を設けてもよい。
（２） 基板処理装置の動作
（２−ａ） 第１の動作例
上記構成により、本実施の形態に係る基板処理装置５００では、第１の実施の形態と異なる動作が行われる。
初めに、第４の実施の形態においてもインデクサブロック９のキャリア載置台９２上にキャリアＣが載置される。
第３の実施の形態と同様に、キャリアＣに収納される複数の基板Ｗは、その表面が上方に向いた状態で保持されている。そして、キャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗは、インデクサロボットＩＲにより受け取られ、第１の実施の形態と同様にして搬送されることにより、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１８の第９のセンターロボットＣＲ９により受け取られる。第９のセンターロボットＣＲ９は、その基板Ｗを第２の洗浄／乾燥処理部１８２の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤに搬入する。これにより、基板Ｗに表面端部洗浄処理が施され、露光装置１７による露光処理前の基板Ｗの表面および端部が清浄に保たれる。
その後、第９のセンターロボットＣＲ９は、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤから表面端部洗浄処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８の上下に積層配置された反転ユニットＲＴに搬入する。これにより、表面が上方に向いた基板Ｗが、反転ユニットＲＴにより裏面が上方に向くように反転される。
続いて、第９のセンターロボットＣＲ９は、裏面が上方に向いた基板Ｗを反転ユニットＲＴから取り出し、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理部１８１の裏面洗浄ユニットＳＤＲに搬入する。これにより、基板Ｗに裏面洗浄処理が施され、露光装置１７による露光処理前の基板Ｗの裏面が清浄に保たれる。
次に、第９のセンターロボットＣＲ９は、裏面洗浄ユニットＳＤＲから裏面が洗浄された基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを再び反転ユニットＲＴに搬入する。これにより、裏面が上方に向いた基板Ｗが、反転ユニットＲＴにより表面が上方に向くように反転される。
そして、第９のセンターロボットＣＲ９は、表面が上方に向いた基板Ｗを反転ユニットＲＴから取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを熱処理部１３３の基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８により受け取られる。この基板Ｗは、第１の実施の形態と同様にして露光装置１７に搬送される。
露光処理後の基板Ｗは、露光後洗浄／乾燥処理部９５に搬入されないことを除き第１の実施の形態と同様にして基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置され、第８のセンターロボットＣＲ８により受け取られる。
第８のセンターロボットＣＲ８は、受け取った基板Ｗを現像処理ブロック１３の熱処理部１３３に搬入する。熱処理部１３３においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第８のセンターロボットＣＲ８は、熱処理部１３３から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置する。
なお、インターフェースブロック１６に露光後洗浄／乾燥処理部９５が設けられている場合、露光処理後の基板Ｗには露光後洗浄／乾燥処理部９５による洗浄および乾燥処理が行われる。
基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを現像処理部６０に搬入する。これにより、基板Ｗに現像処理が行われる。その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、現像処理部６０から現像処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを熱処理部１３２に搬入する。
熱処理部１３２においては、現像処理後の基板Ｗに熱処理が施される。そして、第５のセンターロボットＣＲ５は、熱処理部１３２から熱処理後の基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、第９のセンターロボットＣＲ９、第３のセンターロボットＣＲ３およびインデクサロボットＩＲにより搬送され、キャリアＣ内に収納される。
（２−ｂ） 第２の動作例
本実施の形態において、洗浄／乾燥処理ブロック１８の第１および第２の洗浄／乾燥処理部１８１，１８２は露光処理後かつ現像処理後の基板Ｗをさらに洗浄してもよい。
この場合、洗浄／乾燥処理ブロック１８の第９のセンターロボットＣＲ９は、露光処理後かつ現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８から受け取ると、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理部１８１、第２の洗浄／乾燥処理部１８２および反転ユニットＲＴとの間で搬送する。これにより、現像処理後の基板Ｗの全面が洗浄される。その後、第９のセンターロボットＣＲ９は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
（３） 第４の実施の形態における効果
上述のように、洗浄／乾燥処理ブロック１８には、第９のセンターロボットＣＲ９を挟んで対向するように、複数の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤおよび複数の裏面洗浄ユニットＳＤＲが設けられる。また、洗浄／乾燥処理ブロック１８に配置される基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８の上下には、２個の反転ユニットＲＴが積層配置される。
このように、洗浄／乾燥処理ブロック１８においては、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤ、裏面洗浄ユニットＳＤＲおよび反転ユニットＲＴが第９のセンターロボットＣＲ９を取り囲むように設けられる。
それにより、複数のブロックに個別に表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤ、裏面洗浄ユニットＳＤＲおよび反転ユニットＲＴを設ける場合に比べて、各ユニットＳＤ，ＳＤＲ，ＲＴ間の基板Ｗの搬送距離が短くなっている。したがって、第９のセンターロボットＣＲ９による各ユニットＳＤ，ＳＤＲ，ＲＴ間の基板Ｗの搬送時間が短縮される。その結果、基板処理装置全体の基板処理におけるスループットを十分に向上させることができる。
＜５＞ 第５の実施の形態
以下、本発明の第５の実施の形態に係る基板処理装置について第４の実施の形態に係る基板処理装置５００と異なる点を説明する。
（１） 基板処理装置の構成
図２３は第５の実施の形態に係る基板処理装置の平面図であり、図２４は図２３の基板処理装置５００の一方の側面図であり、図２５は図２３の基板処理装置５００の他方の側面図である。
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、洗浄／乾燥処理ブロック１８の構成が、第４の実施の形態における洗浄／乾燥処理ブロック１８の構成と異なる。
この洗浄／乾燥処理ブロック１８は、基板反転部１８３、第１の洗浄／乾燥処理部８０ａ、第２の洗浄／乾燥処理部８０ｂおよび第９のセンターロボットＣＲ９を含む。
第１の洗浄／乾燥処理部８０ａおよび第２の洗浄／乾燥処理部８０ｂは、この順で上下に積層配置されている。第１および第２の洗浄／乾燥処理部８０ａ，８０ｂは、第９のセンターロボットＣＲ９を挟んで基板反転部１８３に対向して設けられる。
図２４に示すように、第１の洗浄／乾燥処理部８０ａおよび第２の洗浄／乾燥処理部８０ｂは、上下に積層配置されている。第１の洗浄／乾燥処理部８０ａには２個の裏面洗浄ユニットＳＤＲが上下に積層配置され、第２の洗浄／乾燥処理部８０ｂには２個の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤが上下に積層配置される。また、図２５に示すように、基板反転部１８３には２個の反転ユニットＲＴが上下に積層配置されている。
（２） 基板処理装置の動作
第５の実施の形態に係る基板処理装置５００の動作を説明する。
本実施の形態においても、第４の実施の形態と同様に、キャリアＣに収納された未処理の基板Ｗが、インデクサロボットＩＲおよび第３のセンターロボットＣＲ３により搬送され、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１８の第９のセンターロボットＣＲ９により受け取られる。第９のセンターロボットＣＲ９は、その基板Ｗを第２の洗浄／乾燥処理部８０ｂの表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤに搬入する。これにより、基板Ｗに表面端部洗浄処理が施され、露光装置１７による露光処理前の基板Ｗの表面および端部が清浄に保たれる。
その後、第９のセンターロボットＣＲ９は、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤから表面端部洗浄処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板反転部１８３の反転ユニットＲＴに搬入する。これにより、表面が上方に向いた基板Ｗが、反転ユニットＲＴにより裏面が上方に向くように反転される。
続いて、第９のセンターロボットＣＲ９は、裏面が上方に向いた基板Ｗを反転ユニットＲＴから取り出し、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理部８０ａの裏面洗浄ユニットＳＤＲに搬入する。これにより、基板Ｗに裏面洗浄処理が施され、露光装置１７による露光処理前の基板Ｗの裏面が清浄に保たれる。
次に、第９のセンターロボットＣＲ９は、裏面洗浄ユニットＳＤＲから裏面が洗浄された基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを再び反転ユニットＲＴに搬入する。これにより、裏面が上方に向いた基板Ｗが、反転ユニットＲＴにより表面が上方に向くように反転される。
そして、第９のセンターロボットＣＲ９は、表面が上方に向いた基板Ｗを反転ユニットＲＴから取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、第４の実施の形態と同様にして、露光装置１７に搬送され、露光処理が施される。その後、第４の実施の形態と同様に、インデクサブロック９に搬送される。
（３） 第５の実施の形態における効果
上記のように、この基板処理装置５００においては、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤおよび裏面洗浄ユニットＳＤＲと反転ユニットＲＴとが、洗浄／乾燥処理ブロック１８内で第９のセンターロボットＣＲ９を挟んで対向するように配置されている。
これにより、複数のブロックに渡って表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤ、裏面洗浄ユニットＳＤＲおよび反転ユニットＲＴを設ける場合に比べて、各ユニットＳＤ，ＳＤＲ，ＲＴ間の基板Ｗの搬送距離が短くなっている。したがって、第９のセンターロボットＣＲ９による各ユニットＳＤ，ＳＤＲ，ＲＴ間の基板Ｗの搬送時間が短縮される。その結果、基板処理装置全体の基板処理におけるスループットを十分に向上させることができる。
＜６＞ 他の実施の形態およびその効果
（１）レジストカバー膜について
第１〜第３の実施の形態に係る基板処理装置５００において、基板Ｗの表面に形成されるレジスト膜と露光装置１７において用いられる液体とが接触してもレジストの成分が液体中に溶出しないのであれば、レジストカバー膜用処理ブロック１２およびレジストカバー膜除去ブロック１４を基板処理装置５００に設けなくてもよい。この場合、各ブロック１２，１４を取り除くことにより、基板処理装置５００の小型化およびフットプリントの低減が実現されるとともに、基板処理におけるスループットがさらに向上する。
（２） 他の配置例について
第１〜第３の実施の形態において、レジストカバー膜除去ブロック１４は２つのレジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂを含むが、レジストカバー膜除去ブロック１４が２つのレジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂの一方に代えて基板Ｗに熱処理を行う熱処理部を含んでもよい。この場合、複数の基板Ｗに対する熱処理が効率的に行われるので、基板処理におけるスループットが向上する。
（３） 露光装置について
上記各実施の形態において、露光装置１７は、液浸法を用いることなく基板Ｗの露光処理を行ってもよい。この場合でも、基板処理装置５００に表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤを設けることにより本願発明の目的を達成することが可能である。
＜７＞ 請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
上記各実施の形態においては、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、および洗浄／乾燥処理ブロック１５，１８が処理部の例であり、インターフェースブロック１６が受け渡し部の例である。
また、レジスト膜が感光性膜の例であり、塗布ユニットＲＥＳが感光性膜形成ユニットの例であり、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤが表面端部洗浄ユニットの例であり、現像処理ユニットＤＥＶが現像ユニットの例であり、塗布ユニットＢＡＲＣが反射防止膜形成ユニットの例である。
さらに、レジストカバー膜が保護膜の例であり、塗布ユニットＣＯＶが保護膜形成ユニットの例であり、除去ユニットＲＥＭが保護膜除去ユニットの例であり、第３のセンターロボットＣＲ３が第１の搬送ユニットの例であり、レジスト膜用処理ブロック１１が第１の処理単位の例であり、第７および第９のセンターロボットＣＲ７，ＣＲ９が第２の搬送ユニットの例であり、洗浄／乾燥処理ブロック１５，１８が第２の処理単位の例である。
また、第５のセンターロボットＣＲ５が第３の搬送ユニットの例であり、現像処理ブロック１３が第３の処理単位の例であり、露光後洗浄／乾燥処理部９５が洗浄乾燥ユニットの例であり、第８のセンターロボットＣＲ８およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが受け渡しユニットの例である。
さらに、スピンチャック２０１、回転軸２０３およびチャック回転駆動機構２０４が回転保持部の例であり、表面洗浄用ノズル２６０が表面洗浄用ノズルの例であり、端部洗浄装置２１０が端部洗浄装置の例である。
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置の一方の側面図である。 図１の基板処理装置の他方の側面図である。 表面端部洗浄／乾燥ユニットの構成を説明するための図である。 基板の端部を説明するための概略的模式図である。 図４の表面端部洗浄／乾燥ユニットの端部洗浄装置の構造を説明するための図である。 表面端部洗浄／乾燥ユニットの他の構成例を説明するための図である。 表面端部洗浄／乾燥ユニットのさらに他の構成例を説明するための図である。 第２の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図９の基板処理装置の一方の側面図である。 図９の基板処理装置の他方の側面図である。 第３の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１２の基板処理装置の一方の側面図である。 図１２の基板処理装置の他方の側面図である。 裏面洗浄ユニットの構成を説明するための図である。 反転ユニットに設けられる基板反転装置の外観を示す斜視図である。 基板反転装置の一部の外観を示す斜視図である。 図１６の基板反転装置の動作を示す模式的構成図である。 図１６の基板反転装置の動作を示す模式的構成図である。 第４の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図２０の基板処理装置の一方の側面図である。 図２０の基板処理装置の他方の側面図である。 第５の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図２３の基板処理装置の一方の側面図である。 図２３の基板処理装置の他方の側面図である。
符号の説明
９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ レジストカバー膜用処理ブロック
１３ 現像処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５，１８ 洗浄／乾燥処理ブロック
１６ インターフェースブロック
１７ 露光装置
９５ 露光後洗浄／乾燥処理部
５００ 基板処理装置
ＢＡＲＣ，ＣＯＶ，ＲＥＳ 塗布ユニット
ＣＲ２，ＣＲ３，ＣＲ４，ＣＲ５，ＣＲ６，ＣＲ７，ＣＲ８，ＣＲ９ センターロボット
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＩＦＲ インターフェース用搬送機構
Ｒ 端部
ＲＥＭ 除去ユニット
ＲＴ 反転ユニット
ＳＤ 表面端部洗浄／乾燥ユニット
ＳＤＲ 裏面洗浄ユニット
Ｗ 基板

Claims (9)

  1. 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
    基板に処理を行うための処理部と、
    前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
    前記処理部は、
    前記露光装置による露光処理前の基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、
    基板の表面および端部を洗浄する表面端部洗浄ユニットと、
    前記露光装置による露光処理後の基板に現像処理を行う現像ユニットとを含み、
    前記表面端部洗浄ユニットは、
    基板を略水平に保持しつつ保持された基板を鉛直方向に平行な回転軸の周りで回転させる回転保持部と、
    前記回転保持部により保持されつつ回転する基板の表面に洗浄液を供給し、基板の表面を洗浄する表面洗浄用ノズルと、
    前記回転保持部により保持されつつ回転する基板の端部に洗浄液を供給し、洗浄液が供給された基板の端部をブラシを用いて洗浄する端部洗浄装置とを含むことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記表面端部洗浄ユニットは、前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって前記露光装置による露光処理前に、基板の表面および端部を洗浄することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記表面端部洗浄ユニットは、基板の表面および端部を同時に洗浄することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
  4. 前記処理部は、前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に、基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
  5. 前記処理部は、前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって前記露光装置による露光処理前に、前記感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
  6. 前記処理部は、前記露光装置による露光処理後であって前記現像ユニットによる現像処理前に、前記保護膜を除去する保護膜除去ユニットを含むことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
  7. 前記処理部は、基板の一面と他面とを互いに反転させる反転ユニットと、前記反転ユニットにより反転された基板の裏面を洗浄する裏面洗浄ユニットとをさらに含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
  8. 前記処理部は、前記感光性膜形成ユニットおよび基板を搬送する第１の搬送ユニットを備える第１の処理単位と、
    前記表面端部洗浄ユニットおよび基板を搬送する第２の搬送ユニットを備える第２の処理単位と、
    前記現像ユニットおよび基板を搬送する第３の搬送ユニットを備える第３の処理単位とを含み、
    前記第２の処理単位は、前記受け渡し部に隣接するように配置されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
  9. 前記受け渡し部は、前記露光装置による露光処理後の基板を洗浄して乾燥させる洗浄乾燥ユニットと、基板を搬送する受け渡しユニットとを備えたことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
JP2007034200A 2007-02-15 2007-02-15 基板処理装置 Active JP5149513B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007034200A JP5149513B2 (ja) 2007-02-15 2007-02-15 基板処理装置
KR1020080013076A KR100935990B1 (ko) 2007-02-15 2008-02-13 기판처리장치
US12/031,677 US7641405B2 (en) 2007-02-15 2008-02-14 Substrate processing apparatus with integrated top and edge cleaning unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007034200A JP5149513B2 (ja) 2007-02-15 2007-02-15 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008198881A JP2008198881A (ja) 2008-08-28
JP5149513B2 true JP5149513B2 (ja) 2013-02-20

Family

ID=39706348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007034200A Active JP5149513B2 (ja) 2007-02-15 2007-02-15 基板処理装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7641405B2 (ja)
JP (1) JP5149513B2 (ja)
KR (1) KR100935990B1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4884180B2 (ja) * 2006-11-21 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5004611B2 (ja) * 2007-02-15 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5318403B2 (ja) * 2007-11-30 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5160204B2 (ja) * 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) * 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5417186B2 (ja) * 2010-01-08 2014-02-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2011205015A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Kurita Water Ind Ltd 電子材料の洗浄方法
JP5955601B2 (ja) * 2012-03-27 2016-07-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102351253B1 (ko) * 2020-05-08 2022-01-14 (주)에이피텍 클리닝 공정 모듈화 인라인 시스템
KR20230029443A (ko) * 2021-08-24 2023-03-03 주식회사 케이씨텍 기판 세정 라인 및 이를 포함하는 기판 세정 시스템

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3030796B2 (ja) * 1992-07-24 2000-04-10 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理方法
KR0175278B1 (ko) * 1996-02-13 1999-04-01 김광호 웨이퍼 세정장치
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JPH11297652A (ja) * 1998-04-14 1999-10-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4086398B2 (ja) 1999-01-28 2008-05-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
JP3888608B2 (ja) 2001-04-25 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板両面処理装置
JP2003045788A (ja) * 2001-08-02 2003-02-14 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP2003197592A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板端面洗浄装置および基板処理装置
JP3902027B2 (ja) * 2002-03-01 2007-04-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4342147B2 (ja) 2002-05-01 2009-10-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2005093745A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4535489B2 (ja) 2004-03-31 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置
JP4467367B2 (ja) 2004-06-22 2010-05-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板反転装置、基板搬送装置、基板処理装置、基板反転方法、基板搬送方法および基板処理方法
JP4250573B2 (ja) 2004-07-16 2009-04-08 キヤノン株式会社 素子
JP4271109B2 (ja) 2004-09-10 2009-06-03 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置
JP4343069B2 (ja) 2004-09-10 2009-10-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、露光装置及びレジストパターン形成方法。
JP2006147911A (ja) 2004-11-22 2006-06-08 Renesas Technology Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子装置
JP4926433B2 (ja) 2004-12-06 2012-05-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4955977B2 (ja) * 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4410119B2 (ja) * 2005-02-03 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、塗布、現像装置及び洗浄方法
JP4566035B2 (ja) * 2005-03-11 2010-10-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4579029B2 (ja) * 2005-03-30 2010-11-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP2006332185A (ja) * 2005-05-24 2006-12-07 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、及び基板処理方法
JP4522329B2 (ja) 2005-06-24 2010-08-11 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5132108B2 (ja) 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP2007214365A (ja) 2006-02-09 2007-08-23 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP5004611B2 (ja) * 2007-02-15 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100935990B1 (ko) 2010-01-08
KR20080076776A (ko) 2008-08-20
US7641405B2 (en) 2010-01-05
US20080198342A1 (en) 2008-08-21
JP2008198881A (ja) 2008-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5149513B2 (ja) 基板処理装置
JP4522329B2 (ja) 基板処理装置
JP2008198879A (ja) 基板処理装置
JP5039468B2 (ja) 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
JP5154008B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4926433B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5008280B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5008268B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5154006B2 (ja) 基板処理装置
JP2006310724A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4794232B2 (ja) 基板処理装置
JP2007189138A (ja) 基板処理装置
JP5004611B2 (ja) 基板処理装置
JP4949064B2 (ja) 基板処理装置
JP2007214365A (ja) 基板処理装置
JP2007201078A (ja) 基板処理装置
JP2007189139A (ja) 基板処理装置
JP2007012998A (ja) 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理システム
JP2009231553A (ja) 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
JP2007208021A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2006278824A (ja) 基板処理装置
JP2009032888A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091225

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120515

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120713

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121113

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121130

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5149513

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151207

Year of fee payment: 3

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250