JP3030796B2 - 洗浄処理方法 - Google Patents
洗浄処理方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
等の被処理体を回転させつつ洗浄処理する洗浄処理方法
に関するものである。
等の被処理体を回転させつつ洗浄処理する洗浄処理方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の洗浄処理方法として、被
処理体例えば半導体ウエハを水平に保持して回転させ、
半導体ウエハの表面に処理液例えば洗浄液を供給すると
共に、例えばナイロンやモヘヤ等にて形成されたブラシ
で半導体ウエハの表面を擦って表面の粒子汚染物を除去
する洗浄処理装置が用いられている（実開昭６３−６７
２４３号公報、実開昭５９−４１１２４号公報等）。
処理体例えば半導体ウエハを水平に保持して回転させ、
半導体ウエハの表面に処理液例えば洗浄液を供給すると
共に、例えばナイロンやモヘヤ等にて形成されたブラシ
で半導体ウエハの表面を擦って表面の粒子汚染物を除去
する洗浄処理装置が用いられている（実開昭６３−６７
２４３号公報、実開昭５９−４１１２４号公報等）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理装置においては、被処理体の表面にブラシ
を対向させて洗浄する構造であったので、被処理体の表
面しか洗浄処理することができず、被処理体のエッジ部
に付着している粒子汚染物が除去し切れない問題があっ
た。そのため、ウェット洗浄処理、特にＣＶＤ前のフッ
酸処理を行う場合、被処理体のエッジ部に付着していた
粒子汚染物が被処理体の表面に流れ出して転写され、跡
形が残る問題があった。
この種の処理装置においては、被処理体の表面にブラシ
を対向させて洗浄する構造であったので、被処理体の表
面しか洗浄処理することができず、被処理体のエッジ部
に付着している粒子汚染物が除去し切れない問題があっ
た。そのため、ウェット洗浄処理、特にＣＶＤ前のフッ
酸処理を行う場合、被処理体のエッジ部に付着していた
粒子汚染物が被処理体の表面に流れ出して転写され、跡
形が残る問題があった。
【０００４】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理体のエッジ部を確実に洗浄処理することがで
き、ウェット洗浄処理において被処理体の表面に跡形が
残らないようにすることができる洗浄処理方法を提供す
ることを目的とするものである。
で、被処理体のエッジ部を確実に洗浄処理することがで
き、ウェット洗浄処理において被処理体の表面に跡形が
残らないようにすることができる洗浄処理方法を提供す
ることを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、被処理体のエッジ部の第一
の部位を第一の複数の保持爪で保持した状態で被処理体
を回転させつつエッジ部に洗浄液を供給してエッジ部の
不要物を除去する工程と、 上記被処理体のエッジ部の
上記第一の部位とは異なる第二の部位を上記第一の複数
の保持爪とは異なる第二の複数の保持爪で保持した状態
で被処理体を回転させつつエッジ部に洗浄液を供給して
エッジ部の不要物を除去する工程と、を有し、 上記被
処理体の エッジ部に洗浄液を供給してエッジ部の不要物
を除去する工程は、上記被処理体のエッジ部を通り外方
に向かう方向に洗浄液を供給しつつ、被処理体の回転に
よる遠心力でエッジ部に供給された洗浄液を被処理体外
方に飛散させて被処理体のエッジ部の不要物を除去する
ことを特徴とする。
に、請求項１記載の発明は、被処理体のエッジ部の第一
の部位を第一の複数の保持爪で保持した状態で被処理体
を回転させつつエッジ部に洗浄液を供給してエッジ部の
不要物を除去する工程と、 上記被処理体のエッジ部の
上記第一の部位とは異なる第二の部位を上記第一の複数
の保持爪とは異なる第二の複数の保持爪で保持した状態
で被処理体を回転させつつエッジ部に洗浄液を供給して
エッジ部の不要物を除去する工程と、を有し、 上記被
処理体の エッジ部に洗浄液を供給してエッジ部の不要物
を除去する工程は、上記被処理体のエッジ部を通り外方
に向かう方向に洗浄液を供給しつつ、被処理体の回転に
よる遠心力でエッジ部に供給された洗浄液を被処理体外
方に飛散させて被処理体のエッジ部の不要物を除去する
ことを特徴とする。
【０００６】請求項２記載の発明は、被処理体のエッジ
部の第一の部位を第一の複数の保持爪で保持した状態で
被処理体を回転させつつエッジ部に洗浄液を供給すると
共に、エッジ部に対して洗浄部材を接触させてエッジ部
の不要物を除去する工程と、 上記被処理体のエッジ部
の上記第一の部位とは異なる第二の部位を上記第一の複
数の保持爪とは異なる第二の複数の保持爪で保持した状
態で被処理体を回転させつつエッジ部に洗浄液を供給す
ると共に、エッジ部に対して洗浄部材を接触させてエッ
ジ部の不要物を除去する工程と、を有し、 上記被処理
体のエッジ部に洗浄液を供給してエッジ部の不要物を除
去する工程は、上記被処理体のエッジ部を通り外方に向
かう方向に洗浄液を供給しつつ、被処理体の回転による
遠心力でエッジ部に供給された洗浄液を被処理体外方に
飛散させて被処理体のエッジ部の不要物を除去すること
を特徴とする。
部の第一の部位を第一の複数の保持爪で保持した状態で
被処理体を回転させつつエッジ部に洗浄液を供給すると
共に、エッジ部に対して洗浄部材を接触させてエッジ部
の不要物を除去する工程と、 上記被処理体のエッジ部
の上記第一の部位とは異なる第二の部位を上記第一の複
数の保持爪とは異なる第二の複数の保持爪で保持した状
態で被処理体を回転させつつエッジ部に洗浄液を供給す
ると共に、エッジ部に対して洗浄部材を接触させてエッ
ジ部の不要物を除去する工程と、を有し、 上記被処理
体のエッジ部に洗浄液を供給してエッジ部の不要物を除
去する工程は、上記被処理体のエッジ部を通り外方に向
かう方向に洗浄液を供給しつつ、被処理体の回転による
遠心力でエッジ部に供給された洗浄液を被処理体外方に
飛散させて被処理体のエッジ部の不要物を除去すること
を特徴とする。
【０００７】
【作用】上記のように構成されるこの発明の洗浄処理方
法によれば、被処理体のエッジ部に洗浄液が供給されつ
つ洗浄されるので、被処理体のエッジ部を確実に洗浄処
理することができ、ウェット洗浄処理において被処理体
の表面に跡形が残らない。
法によれば、被処理体のエッジ部に洗浄液が供給されつ
つ洗浄されるので、被処理体のエッジ部を確実に洗浄処
理することができ、ウェット洗浄処理において被処理体
の表面に跡形が残らない。
【０００８】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
詳細に説明する。この実施例では、この発明に係る洗浄
処理装置を半導体ウエハの洗浄処理装置に適用した場合
について説明する。
詳細に説明する。この実施例では、この発明に係る洗浄
処理装置を半導体ウエハの洗浄処理装置に適用した場合
について説明する。
【０００９】図１に示すように上記半導体ウエハの洗浄
処理装置１は、被処理体である半導体ウエハＷ（以下ウ
エハという）を水平状態に保持する回転保持手段である
スピンチャック２と、このスピンチャック２にて保持さ
れるウエハＷのエッジ部３を洗浄処理する手段として、
エッジ部３を通り外方に向かう方向に処理液すなわち洗
浄液を供給する機構例えばノズル４（図２参照）と、エ
ッジ部３に付着｛具体的には、周縁部の表面、裏面及び
側面に付着｝している粒子汚染物（不要物）を擦って洗
浄除去する洗浄部材例えば回転ブラシ５とで主要部が構
成されている。また、スピンチャック２の近傍にはスピ
ンチャック２上のウエハＷをその裏面が上面になるよう
に反転させる公知の反転装置６が配置されている。
処理装置１は、被処理体である半導体ウエハＷ（以下ウ
エハという）を水平状態に保持する回転保持手段である
スピンチャック２と、このスピンチャック２にて保持さ
れるウエハＷのエッジ部３を洗浄処理する手段として、
エッジ部３を通り外方に向かう方向に処理液すなわち洗
浄液を供給する機構例えばノズル４（図２参照）と、エ
ッジ部３に付着｛具体的には、周縁部の表面、裏面及び
側面に付着｝している粒子汚染物（不要物）を擦って洗
浄除去する洗浄部材例えば回転ブラシ５とで主要部が構
成されている。また、スピンチャック２の近傍にはスピ
ンチャック２上のウエハＷをその裏面が上面になるよう
に反転させる公知の反転装置６が配置されている。
【００１０】スピンチャック２は、図７に示すようにモ
ータ（図示省略）により回転される回転軸７の上端部に
水平に連結された回転板８と、この回転板８の周囲から
放射状に延出されてウエハＷを回転板８上に保持する複
数の保持爪９とで構成されている。この場合、保持爪９
は周方向に交互に配置された第一の複数の保持爪である
Ａ群の保持爪と、第二の複数の保持爪であるＢ群の保持
爪からなり、これらが群毎に交互に下方に退避できるよ
うに構成されている。
ータ（図示省略）により回転される回転軸７の上端部に
水平に連結された回転板８と、この回転板８の周囲から
放射状に延出されてウエハＷを回転板８上に保持する複
数の保持爪９とで構成されている。この場合、保持爪９
は周方向に交互に配置された第一の複数の保持爪である
Ａ群の保持爪と、第二の複数の保持爪であるＢ群の保持
爪からなり、これらが群毎に交互に下方に退避できるよ
うに構成されている。
【００１１】上記回転ブラシ５は、図１に示すようにス
ピンチャック２の側方に配設される操作アーム１０の先
端部の下面に設けられている。この回転ブラシ５は、図
示しない駆動手段によって駆動する操作アーム１０によ
ってスピンチャック２の回転板８上に回転（θ）移動す
ると共に、垂直方向（Ｚ）に移動するように構成されて
おり、待機中にブラシ洗浄器１１によって洗浄されるよ
うになっている。なお、回転ブラシ５は円盤１２の下面
に例えば多数本のナイロン毛あるいはモヘヤ等を植設し
てなるディスク形である場合、ウエハＷのエッジ部３だ
けでなく上面部も洗浄処理することが可能であるが、エ
ッジ部専用として図２に示すように回転軸１３の周囲に
ナイロン毛等を植設したローラ形のものであってもよ
い。また、回転ブラシ５は回転するウエハＷのエッジ部
３の側面３ａに接触され、ウエハＷの回転力によって回
転されるが、図示しない駆動手段によって自転するもの
であってもよい。
ピンチャック２の側方に配設される操作アーム１０の先
端部の下面に設けられている。この回転ブラシ５は、図
示しない駆動手段によって駆動する操作アーム１０によ
ってスピンチャック２の回転板８上に回転（θ）移動す
ると共に、垂直方向（Ｚ）に移動するように構成されて
おり、待機中にブラシ洗浄器１１によって洗浄されるよ
うになっている。なお、回転ブラシ５は円盤１２の下面
に例えば多数本のナイロン毛あるいはモヘヤ等を植設し
てなるディスク形である場合、ウエハＷのエッジ部３だ
けでなく上面部も洗浄処理することが可能であるが、エ
ッジ部専用として図２に示すように回転軸１３の周囲に
ナイロン毛等を植設したローラ形のものであってもよ
い。また、回転ブラシ５は回転するウエハＷのエッジ部
３の側面３ａに接触され、ウエハＷの回転力によって回
転されるが、図示しない駆動手段によって自転するもの
であってもよい。
【００１２】一方、ノズル４は、図１に示すように、ス
ピンチャック２に関して回転ブラシ５と対向する側に配
設されており、操作機構Ｍによって垂直方向（Ｚ）及び
水平方向（Ｘ）に移動可能なアーム１４の先端部に装着
されている。このノズル４は、図２に示すようにウェハ
Ｗの上方からエッジ部３を臨む上部ノズル４ａとウエハ
Ｗの下方からエッジ部３を臨む下部ノズル４ｂとからな
り、回転ブラシ５の使用時にウエハＷのエッジ部３近傍
まで移動して図示しない洗浄液供給源から供給される洗
浄液を回転ブラシ５の近傍のエッジ部３に供給し得るよ
うになっている。
ピンチャック２に関して回転ブラシ５と対向する側に配
設されており、操作機構Ｍによって垂直方向（Ｚ）及び
水平方向（Ｘ）に移動可能なアーム１４の先端部に装着
されている。このノズル４は、図２に示すようにウェハ
Ｗの上方からエッジ部３を臨む上部ノズル４ａとウエハ
Ｗの下方からエッジ部３を臨む下部ノズル４ｂとからな
り、回転ブラシ５の使用時にウエハＷのエッジ部３近傍
まで移動して図示しない洗浄液供給源から供給される洗
浄液を回転ブラシ５の近傍のエッジ部３に供給し得るよ
うになっている。
【００１３】上記のように構成された洗浄処理装置１に
おいて、図１に示す回転ブラシ５を用いてウエハＷを洗
浄処理する場合には、先ず図示しないフォーク状のウエ
ハ搬送アームにて搬送されるウエハＷをスピンチャック
２の開放状態におかれた保持爪９の回転板８上に載置
し、ウエハ搬送アームをスピンチャック２から後退させ
る。次いで、例えばＡ群の保持爪９（第一の複数の保持
爪９）が閉じてウエハＷの周縁部の第一の部位を挟持
（保持）する。
おいて、図１に示す回転ブラシ５を用いてウエハＷを洗
浄処理する場合には、先ず図示しないフォーク状のウエ
ハ搬送アームにて搬送されるウエハＷをスピンチャック
２の開放状態におかれた保持爪９の回転板８上に載置
し、ウエハ搬送アームをスピンチャック２から後退させ
る。次いで、例えばＡ群の保持爪９（第一の複数の保持
爪９）が閉じてウエハＷの周縁部の第一の部位を挟持
（保持）する。
【００１４】このようにウエハＷの周縁部の第一の部位
を挟持（保持）した状態でスピンチャック２が回転して
ウエハＷを回転させる。回転するウエハＷのエッジ部３
に対してノズル４および回転ブラシ５を接近移動させ、
ノズル４からエッジ部３に洗浄液が供給されつつエッジ
部３が回転ブラシ５で擦られて洗浄処理される。つま
り、ウエハＷの回転による遠心力でエッジ部３供給され
た洗浄液は、ウエハＷの外方に飛散されると共に、エッ
ジ部３に回転ブラシ５が接触されるので、ウエハＷのエ
ッジ部３に付着された粒子汚染物が除去される。なお、
Ａ群の保持爪９で挟持（保持）されている部分（第一の
部位）が洗浄処理されないので、Ａ群の保持爪９とＢ群
の保持爪９を交互に下方に後退させて、例えばＢ群の保
持爪９（第二の複数の保持爪９）にてウエハＷの周縁部
の別の部位（第二の部位）すなわちＡ群の保持爪９（第
一の複数の保持爪９）の挟持（保持）位置とは異なる位
置を挾持（保持）して、第一の部位を含むエッジ部３を
洗浄処理すればよい。こうしてウエハＷの上面（表面）
のエッジ部３が確実に洗浄処理されるため、ウェット洗
浄処理においてウエハＷのエッジ部に残っている粒子汚
染物が流れ出し、被処理体の表面に跡形を残す不具合が
防止される。ウエハＷの裏面を洗浄処理する場合には、
スピンチャック２の回転を止めて保持爪９を開放状態と
し、反転装置６で回転板８上のウエハＷを反転させた
後、保持爪９を閉じ、再度スピンチャック２を回転させ
てディスク形の回転ブラシ５でウエハＷの上面部を洗浄
処理すればよい。
を挟持（保持）した状態でスピンチャック２が回転して
ウエハＷを回転させる。回転するウエハＷのエッジ部３
に対してノズル４および回転ブラシ５を接近移動させ、
ノズル４からエッジ部３に洗浄液が供給されつつエッジ
部３が回転ブラシ５で擦られて洗浄処理される。つま
り、ウエハＷの回転による遠心力でエッジ部３供給され
た洗浄液は、ウエハＷの外方に飛散されると共に、エッ
ジ部３に回転ブラシ５が接触されるので、ウエハＷのエ
ッジ部３に付着された粒子汚染物が除去される。なお、
Ａ群の保持爪９で挟持（保持）されている部分（第一の
部位）が洗浄処理されないので、Ａ群の保持爪９とＢ群
の保持爪９を交互に下方に後退させて、例えばＢ群の保
持爪９（第二の複数の保持爪９）にてウエハＷの周縁部
の別の部位（第二の部位）すなわちＡ群の保持爪９（第
一の複数の保持爪９）の挟持（保持）位置とは異なる位
置を挾持（保持）して、第一の部位を含むエッジ部３を
洗浄処理すればよい。こうしてウエハＷの上面（表面）
のエッジ部３が確実に洗浄処理されるため、ウェット洗
浄処理においてウエハＷのエッジ部に残っている粒子汚
染物が流れ出し、被処理体の表面に跡形を残す不具合が
防止される。ウエハＷの裏面を洗浄処理する場合には、
スピンチャック２の回転を止めて保持爪９を開放状態と
し、反転装置６で回転板８上のウエハＷを反転させた
後、保持爪９を閉じ、再度スピンチャック２を回転させ
てディスク形の回転ブラシ５でウエハＷの上面部を洗浄
処理すればよい。
【００１５】なお、エッジ部洗浄処理手段は前記実施例
に限定されるものでなく、例えば図３に示すようにロー
ラ形の回転ブラシ５をウエハＷのエッジ部３に対して傾
斜させたものであってもよい。また、図４に示すように
吸引管１５の入口にウエハＷのエッジ部３を上下から挟
持する一対のローラ形回転ブラシ５，５を取付けたもの
であってもよい。この場合には、ウエハＷのエッジ部３
上下面を同時に洗浄できると共に洗浄排液を吸引して回
収することができる。
に限定されるものでなく、例えば図３に示すようにロー
ラ形の回転ブラシ５をウエハＷのエッジ部３に対して傾
斜させたものであってもよい。また、図４に示すように
吸引管１５の入口にウエハＷのエッジ部３を上下から挟
持する一対のローラ形回転ブラシ５，５を取付けたもの
であってもよい。この場合には、ウエハＷのエッジ部３
上下面を同時に洗浄できると共に洗浄排液を吸引して回
収することができる。
【００１６】更に、図５に示すようにディスク形の回転
ブラシ５をウエハＷのエッジ部３上下面に傾斜させて配
置するものであってもよい。また、図６に示すように回
転ブラシ５を用いずに、洗浄液をウエハＷのエッジ部３
上下面に勢いよく噴射するジェットノズル４ａ，４ｂを
採用すると共に、洗浄排液を、図示しない吸引手段に接
続する吸引管１７（吸引機構）により回収するようにし
てもよく、いずれの場合でもウエハＷのエッジ部３を確
実に洗浄処理することができる。
ブラシ５をウエハＷのエッジ部３上下面に傾斜させて配
置するものであってもよい。また、図６に示すように回
転ブラシ５を用いずに、洗浄液をウエハＷのエッジ部３
上下面に勢いよく噴射するジェットノズル４ａ，４ｂを
採用すると共に、洗浄排液を、図示しない吸引手段に接
続する吸引管１７（吸引機構）により回収するようにし
てもよく、いずれの場合でもウエハＷのエッジ部３を確
実に洗浄処理することができる。
【００１７】上記のように構成された洗浄処理装置１
は、図１に示すような単独の半導体ウエハの洗浄装置と
して使用される他、例えばウエット洗浄処理装置等に組
込まれて使用される。ウエット洗浄処理装置に組込まれ
て使用される場合、図８に示すように搬送ライン１８に
沿って洗浄処理装置１、移替え部１９、ウェット洗浄処
理部２０，２１、乾燥処理部２２が配置される。そし
て、洗浄処理装置１で１枚ずつ枚葉処理されたウエハＷ
の多数枚が移替え部１９で図示しない洗浄用キャリアに
移替えられ、ウェット洗浄処理部２０，２１でバッチ処
理された後、乾燥処理部２２で乾燥処理されることにな
る。
は、図１に示すような単独の半導体ウエハの洗浄装置と
して使用される他、例えばウエット洗浄処理装置等に組
込まれて使用される。ウエット洗浄処理装置に組込まれ
て使用される場合、図８に示すように搬送ライン１８に
沿って洗浄処理装置１、移替え部１９、ウェット洗浄処
理部２０，２１、乾燥処理部２２が配置される。そし
て、洗浄処理装置１で１枚ずつ枚葉処理されたウエハＷ
の多数枚が移替え部１９で図示しない洗浄用キャリアに
移替えられ、ウェット洗浄処理部２０，２１でバッチ処
理された後、乾燥処理部２２で乾燥処理されることにな
る。
【００１８】また、洗浄処理装置１は、半導体ウエハの
塗布現像装置に組込まれて使用される。半導体ウエハの
塗布現像装置は、図９に示すように、ウエハＷに種々の
処理を施す処理機構が配置された処理機構ユニット２３
と、処理機構ユニット２３にウエハＷを自動的に搬入・
搬出する搬入・搬出機構２４とで主要部が構成されてい
る。
塗布現像装置に組込まれて使用される。半導体ウエハの
塗布現像装置は、図９に示すように、ウエハＷに種々の
処理を施す処理機構が配置された処理機構ユニット２３
と、処理機構ユニット２３にウエハＷを自動的に搬入・
搬出する搬入・搬出機構２４とで主要部が構成されてい
る。
【００１９】搬入・搬出機構２４は、処理前のウエハＷ
を収納するウエハキャリア２５と、処理後のウエハＷを
収納するウエハキャリア２６と、ウエハＷを吸着保持す
るア−ム２７と、このア−ム２７をＸ，Ｙ（水平），Ｚ
（垂直）及びθ（回転）方向に移動させる移動機構２８
と、ウエハＷがアライメントされかつ処理機構ユニット
２３との間でウエハＷの受け渡しがなされるアライメン
トステージ２９とを備えている。
を収納するウエハキャリア２５と、処理後のウエハＷを
収納するウエハキャリア２６と、ウエハＷを吸着保持す
るア−ム２７と、このア−ム２７をＸ，Ｙ（水平），Ｚ
（垂直）及びθ（回転）方向に移動させる移動機構２８
と、ウエハＷがアライメントされかつ処理機構ユニット
２３との間でウエハＷの受け渡しがなされるアライメン
トステージ２９とを備えている。
【００２０】処理機構ユニット２３には、アライメント
ステージ２９よりＸ方向に形成された搬送路３０に沿っ
て移動自在に搬送機構３１が設けられており、この搬送
機構３１にはＹ，Ｚ及びθ方向に移動自在にメインアー
ム３２が設けられている。搬送路３０の一方の側には、
ウエハＷとレジスト液膜との密着性を向上させるための
アドヒージョン処理を行うアドヒージョン処理機構３３
と、ウエハＷに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を
加熱蒸発させるためのプリベーク機構３４と、加熱処理
されたウエハＷを冷却する冷却機構３５とが配置されて
いる。搬送路３０の他方の側にはウエハＷの表面にレジ
ストを塗布する処理液塗布機構３６と、ウエハＷの表面
に付着する粒子汚染物等を洗浄処理する洗浄処理装置３
７（この発明に係る洗浄処理装置）とが配置されてい
る。
ステージ２９よりＸ方向に形成された搬送路３０に沿っ
て移動自在に搬送機構３１が設けられており、この搬送
機構３１にはＹ，Ｚ及びθ方向に移動自在にメインアー
ム３２が設けられている。搬送路３０の一方の側には、
ウエハＷとレジスト液膜との密着性を向上させるための
アドヒージョン処理を行うアドヒージョン処理機構３３
と、ウエハＷに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を
加熱蒸発させるためのプリベーク機構３４と、加熱処理
されたウエハＷを冷却する冷却機構３５とが配置されて
いる。搬送路３０の他方の側にはウエハＷの表面にレジ
ストを塗布する処理液塗布機構３６と、ウエハＷの表面
に付着する粒子汚染物等を洗浄処理する洗浄処理装置３
７（この発明に係る洗浄処理装置）とが配置されてい
る。
【００２１】以上のように構成される半導体ウエハ塗布
現像装置において、まず、処理前のウエハＷは、搬入・
搬出機構２４のア−ム２７によってウエハキャリア２５
から搬出されてアライメントステージ２９上に載置され
る。次いで、アライメントステージ２９上のウエハＷ
は、搬送機構３１のメインアーム３２に保持されて、各
処理機構３３〜３７へと搬送されて適宜処理後に洗浄処
理が施される。そして、処理後のウエハＷはメインアー
ム３２によってアライメントステージ２９に戻され、更
にア−ム２７により搬送されてウエハキャリア２６に収
納される。
現像装置において、まず、処理前のウエハＷは、搬入・
搬出機構２４のア−ム２７によってウエハキャリア２５
から搬出されてアライメントステージ２９上に載置され
る。次いで、アライメントステージ２９上のウエハＷ
は、搬送機構３１のメインアーム３２に保持されて、各
処理機構３３〜３７へと搬送されて適宜処理後に洗浄処
理が施される。そして、処理後のウエハＷはメインアー
ム３２によってアライメントステージ２９に戻され、更
にア−ム２７により搬送されてウエハキャリア２６に収
納される。
【００２２】上記実施例では被処理体が半導体ウエハの
場合について説明したが、被処理体は必ずしも半導体ウ
エハに限られるものではなく、例えばＬＣＤ基板あるい
はプリント基板、フォトマスク、セラミック基板、コン
パクトディスクなどについて同様に洗浄等の処理を施す
ものについても適用できるものである。また、洗浄処理
手段は、超音波洗浄手段によるものであってもよい。
場合について説明したが、被処理体は必ずしも半導体ウ
エハに限られるものではなく、例えばＬＣＤ基板あるい
はプリント基板、フォトマスク、セラミック基板、コン
パクトディスクなどについて同様に洗浄等の処理を施す
ものについても適用できるものである。また、洗浄処理
手段は、超音波洗浄手段によるものであってもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の洗浄
処理方法によれば、被処理体のエッジ部に洗浄液が供給
されつつ洗浄されるので、被処理体のエッジ部を確実に
洗浄処理することができ、ウェット洗浄処理において被
処理体の表面に跡形が残らない。
処理方法によれば、被処理体のエッジ部に洗浄液が供給
されつつ洗浄されるので、被処理体のエッジ部を確実に
洗浄処理することができ、ウェット洗浄処理において被
処理体の表面に跡形が残らない。
【図１】この発明に係る洗浄処理装置の一例を示す概略
斜視図である。
斜視図である。
【図２】上記洗浄処理装置の要部を示す図で、（ａ）は
側面図、（ｂ）は平面図である。
側面図、（ｂ）は平面図である。
【図３】上記洗浄処理装置の変形例を示す側面図であ
る。
る。
【図４】上記洗浄処理装置の変形例を示す図で、（ａ）
は側面断面図（ｂ）は平面断面図である。
は側面断面図（ｂ）は平面断面図である。
【図５】上記洗浄処理装置の変形例を示す側面図であ
る。
る。
【図６】上記洗浄処理装置の変形例を示す側面断面図で
ある。
ある。
【図７】上記洗浄処理装置に用いられる被処理体の回転
保持手段を示す図で、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図
である。
保持手段を示す図で、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図
である。
【図８】上記洗浄処理装置をウェット洗浄処理装置に適
用した状態の全体を示す平面図である。
用した状態の全体を示す平面図である。
【図９】上記洗浄処理装置を半導体ウエハ塗布現像装置
に適用した状態の全体を示す平面図である。
に適用した状態の全体を示す平面図である。
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） ３ エッジ部 ４ ノズル ５ 回転ブラシ（洗浄部材） ９ 保持爪
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−7984（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−345029（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−311034（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−186626（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−84442（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−132941（ＪＰ，Ｕ) 実開 平５−36831（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 B08B 1/04,3/02
Claims (2)
- 【請求項１】 被処理体のエッジ部の第一の部位を第一
の複数の保持爪で保持した状態で被処理体を回転させつ
つエッジ部に洗浄液を供給してエッジ部の不要物を除去
する工程と、 上記被処理体のエッジ部の上記第一の部位とは異なる第
二の部位を上記第一の複数の保持爪とは異なる第二の複
数の保持爪で保持した状態で被処理体を回転させつつエ
ッジ部に洗浄液を供給してエッジ部の不要物を除去する
工程と、を有し、 上記被処理体のエッジ部に洗浄液を供給してエッジ部の
不要物を除去する工程は、上記被処理体のエッジ部を通
り外方に向かう方向に洗浄液を供給しつつ、被処理体の
回転による遠心力でエッジ部に供給された洗浄液を被処
理体外方に飛散させて被処理体のエッジ部の不要物を除
去 することを特徴とする洗浄処理方法。 - 【請求項２】 被処理体のエッジ部の第一の部位を第一
の複数の保持爪で保持した状態で被処理体を回転させつ
つエッジ部に洗浄液を供給すると共に、エッジ部に対し
て洗浄部材を接触させてエッジ部の不要物を除去する工
程と、 上記被処理体のエッジ部の上記第一の部位とは異なる第
二の部位を上記第一の複数の保持爪とは異なる第二の複
数の保持爪で保持した状態で被処理体を回転させつつエ
ッジ部に洗浄液を供給すると共に、エッジ部に対して洗
浄部材を接触させてエッジ部の不要物を除去する工程
と、を有し、 上記被処理体のエッジ部に洗浄液を供給してエッジ部の
不要物を除去する工程は、上記被処理体のエッジ部を通
り外方に向かう方向に洗浄液を供給しつつ、被処理体の
回転による遠心力でエッジ部に供給された洗浄液を被処
理体外方に飛散させて被処理体のエッジ部の不要物を除
去 することを特徴とする洗浄処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4217462A JP3030796B2 (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 洗浄処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4217462A JP3030796B2 (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 洗浄処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645302A JPH0645302A (ja) | 1994-02-18 |
| JP3030796B2 true JP3030796B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=16704615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4217462A Expired - Fee Related JP3030796B2 (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 洗浄処理方法 |
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| JP (1) | JP3030796B2 (ja) |
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| US6413436B1 (en) | 1999-01-27 | 2002-07-02 | Semitool, Inc. | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece |
| US6264752B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-07-24 | Gary L. Curtis | Reactor for processing a microelectronic workpiece |
| JPH10321572A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハの両面洗浄装置及び半導体ウェーハのポリッシング方法 |
| US6318385B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-11-20 | Semitool, Inc. | Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece |
| US6423642B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-07-23 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a semiconductor wafer |
| US6632292B1 (en) | 1998-03-13 | 2003-10-14 | Semitool, Inc. | Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces |
| TW452828B (en) * | 1998-03-13 | 2001-09-01 | Semitool Inc | Micro-environment reactor for processing a microelectronic workpiece |
| US6492284B2 (en) | 1999-01-22 | 2002-12-10 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
| US7217325B2 (en) | 1999-01-22 | 2007-05-15 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
| US6680253B2 (en) | 1999-01-22 | 2004-01-20 | Semitool, Inc. | Apparatus for processing a workpiece |
| US6548411B2 (en) | 1999-01-22 | 2003-04-15 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for processing a workpiece |
| US6511914B2 (en) | 1999-01-22 | 2003-01-28 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
| ATE211855T1 (de) * | 1999-04-28 | 2002-01-15 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung und verfahren zur flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen gegenständen |
| US7780867B1 (en) | 1999-10-01 | 2010-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Edge bevel removal of copper from silicon wafers |
| US6286231B1 (en) | 2000-01-12 | 2001-09-11 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying |
| US6186873B1 (en) * | 2000-04-14 | 2001-02-13 | International Business Machines Corporation | Wafer edge cleaning |
| JP4507365B2 (ja) * | 2000-08-07 | 2010-07-21 | 凸版印刷株式会社 | 基板端面洗浄装置 |
| JP2002052370A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-19 | Ebara Corp | 基板洗浄装置 |
| KR100850698B1 (ko) * | 2006-01-10 | 2008-08-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 세정 장치, 기판 세정 방법, 기판 처리 시스템, 및기록 매체 |
| CN100592468C (zh) * | 2006-02-02 | 2010-02-24 | 株式会社迅动 | 基板处理装置 |
| JP5132108B2 (ja) | 2006-02-02 | 2013-01-30 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
| KR100916687B1 (ko) | 2006-03-30 | 2009-09-11 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| JP2007273609A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US8100081B1 (en) | 2006-06-30 | 2012-01-24 | Novellus Systems, Inc. | Edge removal of films using externally generated plasma species |
| JP4858042B2 (ja) * | 2006-09-26 | 2012-01-18 | ミツミ電機株式会社 | 半導体基板の洗浄方法 |
| JP5149513B2 (ja) * | 2007-02-15 | 2013-02-20 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
| US9732416B1 (en) | 2007-04-18 | 2017-08-15 | Novellus Systems, Inc. | Wafer chuck with aerodynamic design for turbulence reduction |
| JP4889120B2 (ja) * | 2007-06-18 | 2012-03-07 | 富士機械製造株式会社 | ノズル清掃システム及びノズル清掃ユニット並びにノズル清掃方法 |
| JP5039468B2 (ja) | 2007-07-26 | 2012-10-03 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置 |
| JP4976949B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2012-07-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| US8419964B2 (en) | 2008-08-27 | 2013-04-16 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for edge bevel removal of copper from silicon wafers |
| US8172646B2 (en) | 2009-02-27 | 2012-05-08 | Novellus Systems, Inc. | Magnetically actuated chuck for edge bevel removal |
| JP2012216709A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Ulvac Japan Ltd | 処理装置および処理方法 |
| JP6461748B2 (ja) | 2015-08-25 | 2019-01-30 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP7265858B2 (ja) * | 2018-11-16 | 2023-04-27 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄モジュール、洗浄モジュールを備える基板処理装置と洗浄方法 |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP4217462A patent/JP3030796B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH0645302A (ja) | 1994-02-18 |
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