JP2920855B2 - 洗浄処理装置 - Google Patents
洗浄処理装置Info
- Publication number
- JP2920855B2 JP2920855B2 JP14893892A JP14893892A JP2920855B2 JP 2920855 B2 JP2920855 B2 JP 2920855B2 JP 14893892 A JP14893892 A JP 14893892A JP 14893892 A JP14893892 A JP 14893892A JP 2920855 B2 JP2920855 B2 JP 2920855B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluid
- processed
- cleaning
- supply
- surface side
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
等の被処理体を回転保持しつつ洗浄する洗浄処理装置に
関するものである。
等の被処理体を回転保持しつつ洗浄する洗浄処理装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の処理装置として、被処理
体例えば半導体ウエハを回路パターンを下向きして水平
に保持して回転させ、半導体ウエハの表面に処理液（洗
浄液）を供給すると共に、例えばナイロンやモヘヤ等に
て形成されるブラシを半導体ウエハの表面に押し当てて
表面の粒子汚染物を除去する処理装置が知られている。
体例えば半導体ウエハを回路パターンを下向きして水平
に保持して回転させ、半導体ウエハの表面に処理液（洗
浄液）を供給すると共に、例えばナイロンやモヘヤ等に
て形成されるブラシを半導体ウエハの表面に押し当てて
表面の粒子汚染物を除去する処理装置が知られている。
【０００３】また、この種の処理装置において、半導体
ウエハの保持手段として負圧を利用した方式のものが採
用されており、この負圧利用方式として、例えば特開昭
５７−４５２３３号公報に記載の構造のものが知られて
いる。この特開昭５７−４５２３３号公報に記載の技術
は、半導体ウエハを回転保持する保持手段の表面に開口
を有する渦室を形成すると共に、渦室の側壁に導入孔を
形成し、そして、保持手段の回転軸の供給路を通って導
入孔から圧縮気体若しくは加圧液体を渦室内に噴射させ
て渦を生成せしめ、この渦によって生じる負圧を利用し
て半導体ウエハを保持する構造となっている。
ウエハの保持手段として負圧を利用した方式のものが採
用されており、この負圧利用方式として、例えば特開昭
５７−４５２３３号公報に記載の構造のものが知られて
いる。この特開昭５７−４５２３３号公報に記載の技術
は、半導体ウエハを回転保持する保持手段の表面に開口
を有する渦室を形成すると共に、渦室の側壁に導入孔を
形成し、そして、保持手段の回転軸の供給路を通って導
入孔から圧縮気体若しくは加圧液体を渦室内に噴射させ
て渦を生成せしめ、この渦によって生じる負圧を利用し
て半導体ウエハを保持する構造となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理装置においては、流体を半導体ウエハの裏
面に供給するため、処理液が半導体ウエハの裏面側に侵
入して付着するのを防止することはできるが、流体を保
持手段の回転軸に設けられた供給路を通して渦室内に供
給させるため、回転軸受部から発生したごみが供給され
る流体と共に搬送されて半導体ウエハの裏面すなわち回
路パターン面に付着することがあり、製品歩留りの低下
をきたすという問題があった。また、保持手段の駆動源
であるモータの内部にもごみあるいは供給される液体が
侵入する虞れがあり、このごみ等の侵入によってモータ
に支障をきたすという問題もあった。更には、特に供給
される液体の使用後の排出処理について考慮する必要が
あり、そのために液体の排出系統を別途に設ける必要も
あった。
この種の処理装置においては、流体を半導体ウエハの裏
面に供給するため、処理液が半導体ウエハの裏面側に侵
入して付着するのを防止することはできるが、流体を保
持手段の回転軸に設けられた供給路を通して渦室内に供
給させるため、回転軸受部から発生したごみが供給され
る流体と共に搬送されて半導体ウエハの裏面すなわち回
路パターン面に付着することがあり、製品歩留りの低下
をきたすという問題があった。また、保持手段の駆動源
であるモータの内部にもごみあるいは供給される液体が
侵入する虞れがあり、このごみ等の侵入によってモータ
に支障をきたすという問題もあった。更には、特に供給
される液体の使用後の排出処理について考慮する必要が
あり、そのために液体の排出系統を別途に設ける必要も
あった。
【０００５】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、流体の供給により生じる負圧を利用して被処理体の
保持を行うと同時に、被処理体の裏面への処理液やごみ
等の付着を防止するようにした洗浄処理装置を提供する
ことを目的とするものである。
で、流体の供給により生じる負圧を利用して被処理体の
保持を行うと同時に、被処理体の裏面への処理液やごみ
等の付着を防止するようにした洗浄処理装置を提供する
ことを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、被処理体の下面との間に空
間が形成されるように被処理体を保持すると共に回転す
る回転保持手段と、上記被処理体の上面側に洗浄液を供
給する洗浄液供給手段と、上記被処理体の上面側を回転
可能なブラシで洗浄するブラシ洗浄手段と、上記被処理
体の下面側に流体を吹き付ける流体吹付け手段とを具備
し、上記流体吹付け手段に、被処理体の下面側から流体
を供給し、その流体を下方から排出する機構を有するこ
とを特徴とする。
に、請求項１記載の発明は、被処理体の下面との間に空
間が形成されるように被処理体を保持すると共に回転す
る回転保持手段と、上記被処理体の上面側に洗浄液を供
給する洗浄液供給手段と、上記被処理体の上面側を回転
可能なブラシで洗浄するブラシ洗浄手段と、上記被処理
体の下面側に流体を吹き付ける流体吹付け手段とを具備
し、上記流体吹付け手段に、被処理体の下面側から流体
を供給し、その流体を下方から排出する機構を有するこ
とを特徴とする。
【０００７】請求項２記載の発明は、被処理体の下面と
の間に空間が形成されるように被処理体を保持すると共
に回転する回転保持手段と、上記被処理体の上面側に洗
浄液を供給する洗浄液供給手段と、上記被処理体の上面
側を回転可能なブラシで洗浄するブラシ洗浄手段と、上
記被処理体の下面側に流体を吹き付ける流体吹付け手段
とを具備し、上記回転保持手段の駆動軸に、上記被処理
体の下面側に供給される流体の供給通路と、上記流体の
排出通路を形成してなることを特徴とする。
の間に空間が形成されるように被処理体を保持すると共
に回転する回転保持手段と、上記被処理体の上面側に洗
浄液を供給する洗浄液供給手段と、上記被処理体の上面
側を回転可能なブラシで洗浄するブラシ洗浄手段と、上
記被処理体の下面側に流体を吹き付ける流体吹付け手段
とを具備し、上記回転保持手段の駆動軸に、上記被処理
体の下面側に供給される流体の供給通路と、上記流体の
排出通路を形成してなることを特徴とする。
【０００８】この発明において、上記回転保持手段の駆
動軸は被処理体の下面側に供給される流体の供給通路と
排出通路とを有するものであれば、その構造は任意でよ
いが、好ましくは回転保持手段の駆動軸を中空回転軸に
て形成し、この中空回転軸内に排出通路を残して流体供
給管体を貫通し、上記中空回転軸の下部排出口と上記流
体供給管体の下部供給口との間をシール手段にて区画す
る方がよい（請求項３）。
動軸は被処理体の下面側に供給される流体の供給通路と
排出通路とを有するものであれば、その構造は任意でよ
いが、好ましくは回転保持手段の駆動軸を中空回転軸に
て形成し、この中空回転軸内に排出通路を残して流体供
給管体を貫通し、上記中空回転軸の下部排出口と上記流
体供給管体の下部供給口との間をシール手段にて区画す
る方がよい（請求項３）。
【０００９】また、請求項４記載の発明は、被処理体の
下面との間に空間が形成されるように被処理体を保持す
ると共に回転する回転保持手段と、上記被処理体の上面
側に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、上記被処理体
の上面側を回転可能なブラシで洗浄するブラシ洗浄手段
と、上記被処理体の下面側に流体を吹き付ける流体吹付
け手段とを具備し、上記回転保持手段の駆動軸を中空回
転軸にて形成し、この中空回転軸の軸方向に沿って流体
の供給通路を設けると共に、この供給通路と同軸方向に
貫通口を設け、上記供給通路及び貫通口に関して対向す
る外部に、被処理体の有無を検出するための発光素子
と、受光素子を配設してなることを特徴とする。
下面との間に空間が形成されるように被処理体を保持す
ると共に回転する回転保持手段と、上記被処理体の上面
側に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、上記被処理体
の上面側を回転可能なブラシで洗浄するブラシ洗浄手段
と、上記被処理体の下面側に流体を吹き付ける流体吹付
け手段とを具備し、上記回転保持手段の駆動軸を中空回
転軸にて形成し、この中空回転軸の軸方向に沿って流体
の供給通路を設けると共に、この供給通路と同軸方向に
貫通口を設け、上記供給通路及び貫通口に関して対向す
る外部に、被処理体の有無を検出するための発光素子
と、受光素子を配設してなることを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記のように構成されるこの発明の洗浄処理装
置によれば、流体吹付け手段により被処理体の下面側に
吹き付けられた流体により生じる負圧を利用して被処理
体の保持を行うことができ、回転保持手段によって回転
される被処理体の上面側に洗浄液を供給すると共に、ブ
ラシを回転することにより、被処理体の上面側を洗浄す
ることができる。この際、回転保持手段の駆動軸に、被
処理体の下面側に供給される流体の供給通路と排出通路
を形成することにより、流体を供給通路を介して被処理
体の下面側に供給した後、排出通路から排出することが
できる。したがって、処理時に被処理体の上面側に供給
されて処理に供される洗浄液が被処理体の下面側へ侵入
しても、流体と共に排出通路から排出される。
置によれば、流体吹付け手段により被処理体の下面側に
吹き付けられた流体により生じる負圧を利用して被処理
体の保持を行うことができ、回転保持手段によって回転
される被処理体の上面側に洗浄液を供給すると共に、ブ
ラシを回転することにより、被処理体の上面側を洗浄す
ることができる。この際、回転保持手段の駆動軸に、被
処理体の下面側に供給される流体の供給通路と排出通路
を形成することにより、流体を供給通路を介して被処理
体の下面側に供給した後、排出通路から排出することが
できる。したがって、処理時に被処理体の上面側に供給
されて処理に供される洗浄液が被処理体の下面側へ侵入
しても、流体と共に排出通路から排出される。
【００１１】また、回転保持手段の駆動軸を中空回転軸
にて形成し、この中空回転軸内に排出通路を残して流体
供給管体を貫通し、中空回転軸の下部排出口と流体供給
管体の下部供給口との間をシール手段にて区画すること
により、回転軸受から発生したごみは供給流体によって
被処理体側に搬送されることはなく、排出口から外部に
排出することができる。
にて形成し、この中空回転軸内に排出通路を残して流体
供給管体を貫通し、中空回転軸の下部排出口と流体供給
管体の下部供給口との間をシール手段にて区画すること
により、回転軸受から発生したごみは供給流体によって
被処理体側に搬送されることはなく、排出口から外部に
排出することができる。
【００１２】また、上記回転保持手段の駆動軸を中空回
転軸にて形成し、この中空回転軸の軸方向に沿って流体
の供給通路を設けると共に、この供給通路と同軸方向に
貫通口を設け、上記供給通路及び貫通口に関して対向す
る外部に、被処理体の有無を検出するための発光素子
と、受光素子を配設することにより、回転保持手段にて
保持される被処理体の有無を確認することができる。
転軸にて形成し、この中空回転軸の軸方向に沿って流体
の供給通路を設けると共に、この供給通路と同軸方向に
貫通口を設け、上記供給通路及び貫通口に関して対向す
る外部に、被処理体の有無を検出するための発光素子
と、受光素子を配設することにより、回転保持手段にて
保持される被処理体の有無を確認することができる。
【００１３】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
詳細に説明する。この実施例では、この発明の洗浄処理
装置を半導体ウエハの洗浄処理装置に適用した場合につ
いて説明する。
詳細に説明する。この実施例では、この発明の洗浄処理
装置を半導体ウエハの洗浄処理装置に適用した場合につ
いて説明する。
【００１４】上記半導体ウエハの洗浄処理装置は、図１
及び図２に示すように、被処理体である半導体ウエハＷ
（以下にウエハという）を水平状態に保持する回転保持
手段であるスピンチャック１と、このスピンチャック１
にて保持されるウエハＷの上面に洗浄液供給手段例えば
ジェットノズル３から供給される処理液すなわち洗浄液
を用いてウエハＷの表面に付着する粒子汚染物を洗浄除
去するブラシ２を有するブラシ洗浄手段とで主要部が構
成されており、スピンチャック１の下部側には、ウエハ
Ｗの下面側に流体を吹き付ける流体吹付け手段が設けら
れている。
及び図２に示すように、被処理体である半導体ウエハＷ
（以下にウエハという）を水平状態に保持する回転保持
手段であるスピンチャック１と、このスピンチャック１
にて保持されるウエハＷの上面に洗浄液供給手段例えば
ジェットノズル３から供給される処理液すなわち洗浄液
を用いてウエハＷの表面に付着する粒子汚染物を洗浄除
去するブラシ２を有するブラシ洗浄手段とで主要部が構
成されており、スピンチャック１の下部側には、ウエハ
Ｗの下面側に流体を吹き付ける流体吹付け手段が設けら
れている。
【００１５】スピンチャック１は、駆動モータ１０によ
って回転される中空円筒状の回転軸１１の上端部に水平
に連結する回転板１２と、この回転板１２の外周辺に適
宜間隔をおいて立設されてウエハＷを水平状態に保持す
る保持爪１３とで構成されている。この保持爪１３によ
りウエハＷはスピンチャック１の回転板１２との間に空
間が形成された状態で保持される。
って回転される中空円筒状の回転軸１１の上端部に水平
に連結する回転板１２と、この回転板１２の外周辺に適
宜間隔をおいて立設されてウエハＷを水平状態に保持す
る保持爪１３とで構成されている。この保持爪１３によ
りウエハＷはスピンチャック１の回転板１２との間に空
間が形成された状態で保持される。
【００１６】この場合、回転軸１１は駆動モータ１０内
を貫通した状態に配設されており、この回転軸１１の空
間内には流体例えば窒素（Ｎ2 ）ガスあるいは空気等の
気体Ａの供給管体１４が貫通されて、中空回転軸１１の
内側と供給管体１４の外側との間に気体排出通路１５が
残され形成されている。この供給管体１４の上端はスピ
ンチャック１の上面に開口し、下端は中空回転軸１１の
下端より下方に突出し、駆動モータ１０の下端部に装着
されるシール手段であるシールブロック１６に例えば溶
接等によって固定されると共に、シールブロック１６に
設けられた供給通路１６ａに連通されている。また、シ
ールブロック１６には、中空回転軸１１の下端開口部と
連通する排出通路１６ｂが設けられており、この排出通
路１６ｂの排出口１６ｄに図示しない排出管が接続され
ている。一方、シールブロック１６に設けられた供給通
路１６ａの供給口１６ｃにはＮ2 ガス又は空気等の図示
しない気体供給管を介して気体供給源が接続され、これ
ら気体供給源、気体供給管及び供給管体１４等によって
流体吹付け手段が構成されている。このように中空回転
軸１１と供給管体１４とをシールブロック１６に連結す
ることにより、シールブロック１６によって供給口１６
ｃと排出口１６ｄとが気水密に区画される。
を貫通した状態に配設されており、この回転軸１１の空
間内には流体例えば窒素（Ｎ2 ）ガスあるいは空気等の
気体Ａの供給管体１４が貫通されて、中空回転軸１１の
内側と供給管体１４の外側との間に気体排出通路１５が
残され形成されている。この供給管体１４の上端はスピ
ンチャック１の上面に開口し、下端は中空回転軸１１の
下端より下方に突出し、駆動モータ１０の下端部に装着
されるシール手段であるシールブロック１６に例えば溶
接等によって固定されると共に、シールブロック１６に
設けられた供給通路１６ａに連通されている。また、シ
ールブロック１６には、中空回転軸１１の下端開口部と
連通する排出通路１６ｂが設けられており、この排出通
路１６ｂの排出口１６ｄに図示しない排出管が接続され
ている。一方、シールブロック１６に設けられた供給通
路１６ａの供給口１６ｃにはＮ2 ガス又は空気等の図示
しない気体供給管を介して気体供給源が接続され、これ
ら気体供給源、気体供給管及び供給管体１４等によって
流体吹付け手段が構成されている。このように中空回転
軸１１と供給管体１４とをシールブロック１６に連結す
ることにより、シールブロック１６によって供給口１６
ｃと排出口１６ｄとが気水密に区画される。
【００１７】なお、シールブロック１６の供給通路１６
ａの一部には供給管体１４の通路と同軸方向に貫通口１
６ｅが設けられており、この貫通口１６ｅの開口部には
例えば石英ガラス等の透明板１７が装着されている。そ
して、供給管体１４の通路及び貫通口１６ｅに関して、
供給管体１４の上方に発光素子１８が配設され、供給管
体１４及び透明板１７の下方側には受光素子１９が配設
されて、発光素子１８からの投光が受光素子１９にて受
光されるようになっている。したがって、これら発光素
子１８と受光素子１９とによってスピンチャック１上に
載置されるウエハＷの有無の検出を行うことができる。
ａの一部には供給管体１４の通路と同軸方向に貫通口１
６ｅが設けられており、この貫通口１６ｅの開口部には
例えば石英ガラス等の透明板１７が装着されている。そ
して、供給管体１４の通路及び貫通口１６ｅに関して、
供給管体１４の上方に発光素子１８が配設され、供給管
体１４及び透明板１７の下方側には受光素子１９が配設
されて、発光素子１８からの投光が受光素子１９にて受
光されるようになっている。したがって、これら発光素
子１８と受光素子１９とによってスピンチャック１上に
載置されるウエハＷの有無の検出を行うことができる。
【００１８】ブラシ２は、スピンチャック１の側方に配
設される操作軸４の先端部に回転可能に装着される螺旋
状の例えばナイロンあるいはモヘヤ等にて形成されてい
る。このブラシ２は、図示しない駆動手段によって駆動
する操作軸４によってスピンチャック１の回転板１２上
に回転（θ）移動すると共に、垂直方向（Ｚ）に移動す
るように構成されており、待機中にブラシ洗浄器５によ
って洗浄されるようになっている。このようにブラシ２
を螺旋状に形成することにより、ディスクブラシに比較
して接触面積を大きく取ることができ、かつ、ロールブ
ラシによる直線的接触による接触圧の不均一を防止し
て、洗浄能力の向上と均一な洗浄処理が可能となる。
設される操作軸４の先端部に回転可能に装着される螺旋
状の例えばナイロンあるいはモヘヤ等にて形成されてい
る。このブラシ２は、図示しない駆動手段によって駆動
する操作軸４によってスピンチャック１の回転板１２上
に回転（θ）移動すると共に、垂直方向（Ｚ）に移動す
るように構成されており、待機中にブラシ洗浄器５によ
って洗浄されるようになっている。このようにブラシ２
を螺旋状に形成することにより、ディスクブラシに比較
して接触面積を大きく取ることができ、かつ、ロールブ
ラシによる直線的接触による接触圧の不均一を防止し
て、洗浄能力の向上と均一な洗浄処理が可能となる。
【００１９】一方、ジェットノズル３は、図１に示すよ
うに、スピンチャック１に関してブラシ２と対向する側
に配設されており、操作機構６によって垂直方向（Ｚ）
及び水平方向（Ｘ）に移動可能なアーム７の先端部に装
着されている。このジェットノズル３は洗浄液（純水）
供給管８を介して純水収容タンク９に接続されており、
洗浄液供給管８に配設されるポンプＰ及びバルブＶによ
って所定量の洗浄液である純水がウエハ上に散布される
ようになっている。このジェットノズル３は、ブラシ２
の使用時にウエハＷの上面に移動して純水収容タンク９
から供給される純水をブラシ２の近傍位置に散布し得る
ようになっている。なお、純水収容タンク９の外周側に
はヒータＨが配設されて、純水Ｌの温度を常に一定の温
度に温めている。したがって、温められた純水Ｌを用い
てウエハＷの洗浄を行うことによって、洗浄効率の向上
が図れ、また、ウエハＷ自体が温まるので、洗浄処理後
の乾燥処理の短縮化が図れる。
うに、スピンチャック１に関してブラシ２と対向する側
に配設されており、操作機構６によって垂直方向（Ｚ）
及び水平方向（Ｘ）に移動可能なアーム７の先端部に装
着されている。このジェットノズル３は洗浄液（純水）
供給管８を介して純水収容タンク９に接続されており、
洗浄液供給管８に配設されるポンプＰ及びバルブＶによ
って所定量の洗浄液である純水がウエハ上に散布される
ようになっている。このジェットノズル３は、ブラシ２
の使用時にウエハＷの上面に移動して純水収容タンク９
から供給される純水をブラシ２の近傍位置に散布し得る
ようになっている。なお、純水収容タンク９の外周側に
はヒータＨが配設されて、純水Ｌの温度を常に一定の温
度に温めている。したがって、温められた純水Ｌを用い
てウエハＷの洗浄を行うことによって、洗浄効率の向上
が図れ、また、ウエハＷ自体が温まるので、洗浄処理後
の乾燥処理の短縮化が図れる。
【００２０】上記のように構成されるこの発明の処理装
置において、ウエハＷを洗浄処理する場合には、まず、
図示しないフォーク状のウエハ搬送アームにて搬送され
るウエハＷの回路パターンを下向きにして保持爪１３の
上に仮載置した後、ウエハ搬送アームを下方に移動させ
てスピンチャック１から後退させる。次に、気体供給源
（図示せず）から供給通路１６ａ内にＮ2 ガスや空気等
の気体Ａを供給すると、この気体は供給通路１６ａから
供給管体１４内を通ってウエハＷの裏面側（下面側）に
供給された後、排出通路１５から排出される。この気体
の供給によってウエハＷの下面と回転板１２との間にベ
ルヌーイ効果によって負圧が生じ、この負圧によってウ
エハＷが回転板１２側に向って吸引され保持爪１３上に
保持される。
置において、ウエハＷを洗浄処理する場合には、まず、
図示しないフォーク状のウエハ搬送アームにて搬送され
るウエハＷの回路パターンを下向きにして保持爪１３の
上に仮載置した後、ウエハ搬送アームを下方に移動させ
てスピンチャック１から後退させる。次に、気体供給源
（図示せず）から供給通路１６ａ内にＮ2 ガスや空気等
の気体Ａを供給すると、この気体は供給通路１６ａから
供給管体１４内を通ってウエハＷの裏面側（下面側）に
供給された後、排出通路１５から排出される。この気体
の供給によってウエハＷの下面と回転板１２との間にベ
ルヌーイ効果によって負圧が生じ、この負圧によってウ
エハＷが回転板１２側に向って吸引され保持爪１３上に
保持される。
【００２１】上記のようにしてウエハＷの周縁部を挾持
保持した状態で、駆動モータ１０が駆動して回転軸１１
を回転してウエハＷを水平回転する。そして、ブラシ２
とジェットノズル３をウエハＷの上方に移動すると共
に、ジェットノズル３からウエハＷの表面（上面）側に
純水を散布して、ブラシ２によってウエハＷの表面に付
着する粒子汚染物を除去する。このとき、ウエハＷの下
面側にはＮ2 ガス等の気体Ａが供給されており、しかも
気体Ａは排出通路１５，１６ｂを通って排出口１６ｄか
ら排出されるので、洗浄液はウエハＷの下面に回り込ん
だ後にウエハＷの下面に付着する虞れはない。すなわ
ち、供給管体１４の下端はシールブロック１６に溶接等
によってシールされた状態で固定されており可動部分が
無いため、クリーンな気体Ａを供給することができる。
また、回転軸１１部分で発生したごみなどの汚染物は排
出口１６ｄから排出される。したがって、ウエハＷの下
面が汚染されることを防止できる。
保持した状態で、駆動モータ１０が駆動して回転軸１１
を回転してウエハＷを水平回転する。そして、ブラシ２
とジェットノズル３をウエハＷの上方に移動すると共
に、ジェットノズル３からウエハＷの表面（上面）側に
純水を散布して、ブラシ２によってウエハＷの表面に付
着する粒子汚染物を除去する。このとき、ウエハＷの下
面側にはＮ2 ガス等の気体Ａが供給されており、しかも
気体Ａは排出通路１５，１６ｂを通って排出口１６ｄか
ら排出されるので、洗浄液はウエハＷの下面に回り込ん
だ後にウエハＷの下面に付着する虞れはない。すなわ
ち、供給管体１４の下端はシールブロック１６に溶接等
によってシールされた状態で固定されており可動部分が
無いため、クリーンな気体Ａを供給することができる。
また、回転軸１１部分で発生したごみなどの汚染物は排
出口１６ｄから排出される。したがって、ウエハＷの下
面が汚染されることを防止できる。
【００２２】上記実施例では、ウエハＷの下面側に供給
される流体が例えばＮ2 ガスあるいは空気等の気体Ａで
ある場合について説明したが、必ずしも供給される流体
は気体Ａである必要はなく、例えば純水等の液体であっ
てもよい。純水等の液体を使用する場合には、図３に示
すように、洗浄液供給管８に三方弁Ｖa を介して分岐さ
れた純水供給管８ａをシールブロック１６の供給口１６
ｃに接続して、純水Ｌを供給管体１４を通してウエハＷ
の下面側に供給した後、排出通路１５，１６ｂ及び排出
口１６ｄから排出することができる。したがって、ウエ
ハＷの保持及びウエハＷの下面への洗浄後の洗浄液（純
水）の付着を防止する純水の供給と、洗浄用純水の供給
とを同一の純水収容タンク９から供給することができ、
洗浄処理の効率化と装置の小型化を図ることができる。
される流体が例えばＮ2 ガスあるいは空気等の気体Ａで
ある場合について説明したが、必ずしも供給される流体
は気体Ａである必要はなく、例えば純水等の液体であっ
てもよい。純水等の液体を使用する場合には、図３に示
すように、洗浄液供給管８に三方弁Ｖa を介して分岐さ
れた純水供給管８ａをシールブロック１６の供給口１６
ｃに接続して、純水Ｌを供給管体１４を通してウエハＷ
の下面側に供給した後、排出通路１５，１６ｂ及び排出
口１６ｄから排出することができる。したがって、ウエ
ハＷの保持及びウエハＷの下面への洗浄後の洗浄液（純
水）の付着を防止する純水の供給と、洗浄用純水の供給
とを同一の純水収容タンク９から供給することができ、
洗浄処理の効率化と装置の小型化を図ることができる。
【００２３】なお、上記第二実施例において、その他の
部分は上記第一実施例と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。
部分は上記第一実施例と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。
【００２４】上記のように構成されるこの発明の処理装
置は、図１に示すような単独の半導体ウエハの洗浄装置
として使用される他、後述する半導体ウエハの塗布現像
装置等に組込まれて使用される。
置は、図１に示すような単独の半導体ウエハの洗浄装置
として使用される他、後述する半導体ウエハの塗布現像
装置等に組込まれて使用される。
【００２５】上記半導体ウエハの塗布現像装置は、図４
に示すように、ウエハＷに種々の処理を施す処理機構が
配置された処理機構ユニット３０と、処理機構ユニット
３０にウエハＷを自動的に搬入・搬出する搬入・搬出機
構２０とで主要部が構成されている。
に示すように、ウエハＷに種々の処理を施す処理機構が
配置された処理機構ユニット３０と、処理機構ユニット
３０にウエハＷを自動的に搬入・搬出する搬入・搬出機
構２０とで主要部が構成されている。
【００２６】搬入・搬出機構２０は、処理前のウエハＷ
を収納するウエハキャリア２１と、処理後のウエハＷを
収納するウエハキャリア２２と、ウエハＷを吸着保持す
るア−ム２３と、このア−ム２３をＸ，Ｙ（水平），Ｚ
（垂直）及びθ（回転）方向に移動させる移動機構２４
と、ウエハＷがアライメントされかつ処理機構ユニット
３０との間でウエハＷの受け渡しがなされるアライメン
トステージ２５とを備えている。
を収納するウエハキャリア２１と、処理後のウエハＷを
収納するウエハキャリア２２と、ウエハＷを吸着保持す
るア−ム２３と、このア−ム２３をＸ，Ｙ（水平），Ｚ
（垂直）及びθ（回転）方向に移動させる移動機構２４
と、ウエハＷがアライメントされかつ処理機構ユニット
３０との間でウエハＷの受け渡しがなされるアライメン
トステージ２５とを備えている。
【００２７】処理機構ユニット３０には、アライメント
ステージ２５よりＸ方向に形成された搬送路３１に沿っ
て移動自在に搬送機構３２が設けられており、この搬送
機構３２にはＹ，Ｚ及びθ方向に移動自在にメインアー
ム３３が設けられている。搬送路３１の一方の側には、
ウエハＷとレジスト液膜との密着性を向上させるための
アドヒージョン処理を行うアドヒージョン処理機構３４
と、ウエハＷに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を
加熱蒸発させるためのプリベーク機構３５と、加熱処理
されたウエハＷを冷却する冷却機構３６とが配置されて
いる。搬送路３１の他方の側にはウエハＷの表面すなわ
ち回路パターン面にレジストを塗布する処理液塗布機構
３７と、ウエハＷの回路パターン面と反対の面に付着す
る粒子汚染物を洗浄処理する洗浄処理装置３８（この発
明の洗浄処理装置）とが配置されている。
ステージ２５よりＸ方向に形成された搬送路３１に沿っ
て移動自在に搬送機構３２が設けられており、この搬送
機構３２にはＹ，Ｚ及びθ方向に移動自在にメインアー
ム３３が設けられている。搬送路３１の一方の側には、
ウエハＷとレジスト液膜との密着性を向上させるための
アドヒージョン処理を行うアドヒージョン処理機構３４
と、ウエハＷに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を
加熱蒸発させるためのプリベーク機構３５と、加熱処理
されたウエハＷを冷却する冷却機構３６とが配置されて
いる。搬送路３１の他方の側にはウエハＷの表面すなわ
ち回路パターン面にレジストを塗布する処理液塗布機構
３７と、ウエハＷの回路パターン面と反対の面に付着す
る粒子汚染物を洗浄処理する洗浄処理装置３８（この発
明の洗浄処理装置）とが配置されている。
【００２８】以上のように構成される半導体ウエハ塗布
現像装置において、まず、処理前のウエハＷは、搬入・
搬出機構２０のア−ム２３によってウエハキャリア２１
から搬出されてアライメントステージ２５上に載置され
る。次いで、アライメントステージ２５上のウエハＷ
は、搬送機構３２のメインアーム３３に保持されて、各
処理機構３４〜３８へと搬送されて適宜処理後に洗浄処
理が施される。そして、処理後のウエハＷはメインアー
ム３３によってアライメントステージ２５に戻され、更
にア−ム２３により搬送されてウエハキャリア２２に収
納される。
現像装置において、まず、処理前のウエハＷは、搬入・
搬出機構２０のア−ム２３によってウエハキャリア２１
から搬出されてアライメントステージ２５上に載置され
る。次いで、アライメントステージ２５上のウエハＷ
は、搬送機構３２のメインアーム３３に保持されて、各
処理機構３４〜３８へと搬送されて適宜処理後に洗浄処
理が施される。そして、処理後のウエハＷはメインアー
ム３３によってアライメントステージ２５に戻され、更
にア−ム２３により搬送されてウエハキャリア２２に収
納される。
【００２９】上記実施例ではＮ2 ガスや空気等の気体や
純水等の液体等の流体の供給により生じる負圧を利用し
てウエハＷの保持を行う機構について説明したが、必ず
しも流体の負圧によってウエハＷを保持する機構にのみ
適用できるものではなく、別途にリンク機構等を用いた
ウエハ保持機構を設けた処理装置においても適用できる
ことは勿論である。また、上記実施例では被処理体が半
導体ウエハの場合について説明したが、被処理体は必ず
しも半導体ウエハに限られるものではなく、例えばＬＣ
Ｄ基板、フォトマスク、セラミック基板、コンパクトデ
ィスク、あるいはプリント基板について同様に洗浄等の
処理を施すものについても適用できるものである。
純水等の液体等の流体の供給により生じる負圧を利用し
てウエハＷの保持を行う機構について説明したが、必ず
しも流体の負圧によってウエハＷを保持する機構にのみ
適用できるものではなく、別途にリンク機構等を用いた
ウエハ保持機構を設けた処理装置においても適用できる
ことは勿論である。また、上記実施例では被処理体が半
導体ウエハの場合について説明したが、被処理体は必ず
しも半導体ウエハに限られるものではなく、例えばＬＣ
Ｄ基板、フォトマスク、セラミック基板、コンパクトデ
ィスク、あるいはプリント基板について同様に洗浄等の
処理を施すものについても適用できるものである。
【００３０】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の洗浄
処理装置によれば、上記のように構成されているので、
以下のような効果が得られる。
処理装置によれば、上記のように構成されているので、
以下のような効果が得られる。
【００３１】１）請求項１、２記載の洗浄処理装置によ
れば、流体により生じる負圧を利用して被処理体の保持
を行うことができると共に、処理時に被処理体の処理に
供される洗浄液の被処理体の下面側への付着を防止し、
製品歩留りの向上及び処理作業の向上を図ることができ
る。
れば、流体により生じる負圧を利用して被処理体の保持
を行うことができると共に、処理時に被処理体の処理に
供される洗浄液の被処理体の下面側への付着を防止し、
製品歩留りの向上及び処理作業の向上を図ることができ
る。
【００３２】２）請求項３記載の洗浄処理装置によれ
ば、回転保持手段を中空回転軸にて形成し、この中空回
転軸内に排出通路を残して流体供給管体を貫通し、中空
回転軸の下部排出口と流体供給管体の下部供給口との間
をシール手段にて区画するので、回転軸受から発生した
ごみ等の被処理体への付着を防止することができると共
に、装置の小型化を図ることができる。
ば、回転保持手段を中空回転軸にて形成し、この中空回
転軸内に排出通路を残して流体供給管体を貫通し、中空
回転軸の下部排出口と流体供給管体の下部供給口との間
をシール手段にて区画するので、回転軸受から発生した
ごみ等の被処理体への付着を防止することができると共
に、装置の小型化を図ることができる。
【００３３】３）請求項４記載の洗浄処理装置によれ
ば、上記１）に加えて回転保持手段に て保持される被処
理体の有無を確認することができる。
ば、上記１）に加えて回転保持手段に て保持される被処
理体の有無を確認することができる。
【図１】この発明の処理装置の一例を示す概略斜視図で
ある。
ある。
【図２】この発明の処理装置の要部を示す断面図であ
る。
る。
【図３】この発明の処理装置の別の実施例の要部を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】この発明の処理装置を半導体ウエハ塗布現像装
置に適用した状態の全体を示す平面図である。
置に適用した状態の全体を示す平面図である。
１ スピンチャック（回転保持手段） ２ ブラシ ３ ジェットノズル（洗浄液供給手段） １０ 駆動モータ １１ 中空回転軸（駆動軸） １２ 回転板 １３ 保持爪 １４ 流体供給管体 １５ 排出通路 １６ シールブロック（シール手段） １６ａ 供給通路 １６ｂ 排出通路 １６ｃ 供給口 １６ｄ 排出口１６ｅ 貫通口 １８ 発光素子 １９ 受光素子 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
Claims (4)
- 【請求項１】 被処理体の下面との間に空間が形成され
るように被処理体を保持すると共に回転する回転保持手
段と、 上記被処理体の上面側に洗浄液を供給する洗浄液供給手
段と、 上記被処理体の上面側を回転可能なブラシで洗浄するブ
ラシ洗浄手段と、 上記被処理体の下面側に流体を吹き付ける流体吹付け手
段とを具備し、 上記流体吹付け手段が、被処理体の下面側から流体を供
給し、その流体を下方から排出する機構を有することを
特徴とする洗浄処理装置。 - 【請求項２】 被処理体の下面との間に空間が形成され
るように被処理体を保持すると共に回転する回転保持手
段と、 上記被処理体の上面側に洗浄液を供給する洗浄液供給手
段と、 上記被処理体の上面側を回転可能なブラシで洗浄するブ
ラシ洗浄手段と、 上記被処理体の下面側に流体を吹き付ける流体吹付け手
段とを具備し、 上記回転保持手段の駆動軸に、被処理体の下面側に供給
される流体の供給通路と、上記流体の排出通路を形成し
てなることを特徴とする洗浄処理装置。 - 【請求項３】 上記回転保持手段の駆動軸を中空回転軸
にて形成し、この中空回転軸内に排出通路を残して流体
供給管体を貫通し、上記中空回転軸の下部排出口と上記
流体供給管体の下部供給口との間をシール手段にて区画
してなることを特徴とする請求項２記載の洗浄処理装
置。 - 【請求項４】 被処理体の下面との間に空間が形成され
るように被処理体を保持すると共に回転する回転保持手
段と、 上記被処理体の上面側に洗浄液を供給する洗浄液供給手
段と、 上記被処理体の上面側を回転可能なブラシで洗浄するブ
ラシ洗浄手段と、 上記被処理体の下面側に流体を吹き付ける流体吹付け手
段とを具備し、 上記回転保持手段の駆動軸を中空回転軸にて形成し、こ
の中空回転軸の軸方向に沿って流体の供給通路を設ける
と共に、この供給通路と同軸方向に貫通口を設け、上記
供給通路及び貫通口に関して対向する外部に、被処理体
の有無を検出す るための発光素子と、受光素子を配設し
てなることを特徴とする洗浄処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14893892A JP2920855B2 (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 洗浄処理装置 |
| KR1019930008470A KR100230694B1 (ko) | 1992-05-18 | 1993-05-18 | 기판세정처리장치 |
| US08/062,536 US5375291A (en) | 1992-05-18 | 1993-05-18 | Device having brush for scrubbing substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14893892A JP2920855B2 (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 洗浄処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326472A JPH05326472A (ja) | 1993-12-10 |
| JP2920855B2 true JP2920855B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=15464021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14893892A Expired - Lifetime JP2920855B2 (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 洗浄処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2920855B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150125576A (ko) | 2014-04-30 | 2015-11-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 기판 검출 방법 및 기억 매체 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6823880B2 (en) | 2001-04-25 | 2004-11-30 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | High pressure processing apparatus and high pressure processing method |
| CN107497730A (zh) * | 2017-08-31 | 2017-12-22 | 联维创科技(天津)有限公司 | 一种礼帽自动清洗机 |
-
1992
- 1992-05-18 JP JP14893892A patent/JP2920855B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150125576A (ko) | 2014-04-30 | 2015-11-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 기판 검출 방법 및 기억 매체 |
| US9691646B2 (en) | 2014-04-30 | 2017-06-27 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate detection method of substrate processing apparatus and storage medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05326472A (ja) | 1993-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6357457B1 (en) | Substrate cleaning apparatus and method | |
| KR100284559B1 (ko) | 처리방법 및 처리장치 | |
| KR100307721B1 (ko) | 기판양면세정장치및이것을사용하는세정방법 | |
| KR100340234B1 (ko) | 현상처리방법 | |
| US7712806B2 (en) | Thin film forming apparatus, film supplier, film cassette, transport mechanism and transport method | |
| JP3030796B2 (ja) | 洗浄処理方法 | |
| KR100217291B1 (ko) | 기판처리방법 및 기판처리장치 | |
| KR102297377B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JP2001232250A (ja) | 膜形成装置 | |
| KR100414775B1 (ko) | 피처리기판용처리장치및세정장치 | |
| JP3066422B2 (ja) | 枚葉式両面洗浄装置 | |
| JP2003297901A (ja) | 基板処理システムおよびその処理方法 | |
| JP2920855B2 (ja) | 洗浄処理装置 | |
| JP2004507102A (ja) | 半導体ウェハコンテナ洗浄装置 | |
| JP3961749B2 (ja) | 基板洗浄装置及び基板処理装置、基板処理方法 | |
| JP3155147B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| US20080029123A1 (en) | Sonic and chemical wafer processor | |
| JP2543007B2 (ja) | ウエ−ハ枚葉洗浄装置 | |
| JPH10223593A (ja) | 枚葉式ウェハ洗浄装置 | |
| JP2835479B2 (ja) | 処理装置 | |
| US20040025901A1 (en) | Stationary wafer spin/spray processor | |
| JPH07326571A (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
| JP3289208B2 (ja) | 洗浄処理方法及び洗浄処理装置 | |
| JPH06236843A (ja) | 処理液供給装置 | |
| US6869486B2 (en) | Methods for removing metallic contamination from wafer containers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990405 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110430 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430 Year of fee payment: 14 |