KR100217291B1 - 기판처리방법 및 기판처리장치 - Google Patents

기판처리방법 및 기판처리장치 Download PDF

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Abstract

기판처리방법은, LCD용 기판을 얹어놓는대 위에 얹어놓고, 이 얹어놓는대 위에 얹어놓인 기판의 적어도 한쪽면과의 사이에 클리어런스가 형성되도록 기판에 커버를 씌우고, 클리어런스에 처리액을 도입하여, 기판의 적어도 한쪽면에 처리액을 접촉시켜서, 처리액으로 기판을 처리하고, 커버를 기판으로 부터 떼어내고, 기판을 얹어놓는대로 부터 꺼낸다.

Description

기판처리방법 및 기판처리장치
제1도는 레지스트 처리시스템의 전체개요를 나타내는 사시도.
제2도는 본 발명의 제1실시형태에 관한 기판처리장치의 일부를 절결하여 나타내는 단면구성 블록도.
제3도는 제1실시형태의 기판처리장치의 평면도.
제4도는 제1실시형태의 기판처리장치를 나타내는 사시구성 블록도.
제5도는 제1실시형태의 기판처리장치의 주요부를 나타내는 부분확대도.
제6도는 제1실시형태의 기판처리장치에 있어서의 LCD용 기판의 반송을 설명하기 위한 사시도.
제7도는 처리액의 유로를 전환하는 유로전환밸브를 나타내는 부분확대도.
제8도는 상하 2단 겹친 타입의 기판처리장치를 나타내는 내부투시도.
제9도는 커버승강기구를 구비하는 딥방식의 기판처리장치를 나타내는 도면.
제10도는 커버개폐기구를 구비하는 딥방식의 기판처리장치를 나타내는 도면.
제11도는 커버개폐기구를 구비하는 딥방식의 기판처리장치의 평면도.
제12도는 본 발명의 제2의 실시형태에 관한 레지스트 처리방법에 이용된 장치의 개요를 나타내는 부분 단면도.
제13도는 제2실시형태에 있어서의 LCD용 기판의 얹어놓는 방법을 설명하기 위한 사시도.
제14도는 제2실시형태에 있어서의 LCD용 기판의 반송을 설명하기 위한 사시도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 레지스트 처리시스템 2 : 카셋트
3 : 카셋트 스테이션 4 : 메인아암
5 : 보조아암 6,50 : 현상장치
6a : 챔버 6b : 개구
7 : 브러시 스크러버 8 : 고압제트 세정기
9,13 : 가열장치 10 : 인터페이스 유니트
11 : 어드히젼장치 12 : 쿨링장치
14 : 레지스트막 도포장치 20 : 제 1 에어실린더
20a,30a,48a : 로드 21,52 : 얹어놓는대
21a,58 : 구멍 22,53 : 컵
23 : 컵의 상부 24 : 위끝단 개구부
25,54 : 바닥부 26 : 폐액관
27 : 배기관 28,55 : 고리형상벽
29,56 : 정류판 30 : 에어실린더
33 : 현상액 공급원 33a,34a : 연이어 통하는 통로
34 : 린스액 공급원 35 : 유로전환밸브
35A : 회전체 35b,35c,43a : 유로
36 : 드라이가스 공급원 37 : 일시 보류부
38 : 배출장치 38a : 배출통로
39 : 재생장치 39a : 재생통로
40,40A,40B : 커버 40a : 하부 커버부재
40b : 상부 커버부재 40g,40h : 상하 커버부재
40c : 오목부 40F : 플랜지
40P : 돌기 41A,41B : 클리어런스
42 : 입구 42a : 제 1 유로
42b : 제 2 유로 43 : 출구
44 : 초음파 진동자 45 : 제어부
46 : O링 47 : 힌지
48 : 제 2 에어실린더 49 : 공통부재
51 : 구동부 51a : 축
57 : 힌지부 59 : 푸셔
60,60A : 핀 61 : 화살표
62 : 공급통 63 : 받이통
64 : 현상공급장치 65 : 린스액 공급장치
70 : 가이드벽 71 : 가이드부재
89 : 기초대 S : 기판
본 발명은, LCD용 글라스기판이나 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 세정처리하거나 현상처리하는 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것이다.
LCD(액정표시장치)의 제조에 있어서는, 글라스기판의 윗면에 레지스트막 패턴을 형성시키기 위해, 이른바 리소그래피 프로세스가 이용된다. 리소그래피 프로세스는, 기판의 세정, 기판의 표면에의 레지스트막의 도포, 도포 레지스트막의 노광 및 현상 등, 여러가지의 처리공정을 포함하고 있다. 이와 같은 리소그래피 프로세스 중에서도 현상처리공정은 가장 엄밀한 제어를 필요로 하는 공정의 하나이다. 현상처리공정에 있어서는, 도포 레지스트 위에 현상액이 동일하게 얼룩없이 공급되고, 기판의 전면에 걸쳐서 도포 레지스트가 균일하게 현상되는 것이 중요하다.
통상, 현상처리공정에 있어서, 레지스트에는 노보랙계 수지가 이용되고, 현상액에는 테트라메틸암모늄 하이드로옥사이트(TMAH)를 2.38중량%만큼 물에 용해시킨 TMAH수용액이 이용된다. 이와 같은 수용성의 현상액은 발수성의 레지스트막에 대해서 잘 젖지 않으며, 레지스트막에 의해서 현상액이 겉돌게 된다. 그러므로, 레지스트막의 전체면에 걸쳐서 현상액이 균등하게 퍼지기 어렵고, 레지스트막 위에 현상액이 많은 부분과 적은 부분이 출현하여, 그 결과로서 불균일한 현상이 되어 버린다.
또, 레지스트막 위에 현상액을 도포한 채의 상태에서 이것을 방치해 두면, 양자의 융합이 좋지 않으므로 현상액 중에 기포가 발생한다. 이 기포발생부분은 현상부족이 되어, 이른바 현상의 결함이 발생한다.
한편, 세정처리공정에 있어서는, 스핀회전 중의 기판에 순수한 물과 같은 세정액을 뿌리면서 브러시 세정하면, 세정액이 주위에 비산하여 스핀척 및 그 주변영역을 오염하여 버린다는 문제점이 있다.
본 발명이 목적으로하는 바는, 현상의 결함을 발생하지 않고 균일한 현상처리를 할 수가 있는 기판처리장치 및 방법을 제공하는 데에 있다.
또, 본 발명의 목적으로 하는 바는, 처리액이 주위에 비산하지 않고 주변영역을 오염하지 않는 청결한 기판처리장치 및 방법을 제공하는 데에 있다.
기판의 레지스트 처리에는 종래로 부터 스핀방식, 딥방식, 스프레이방식의 3가지의 방식이 알려져 있다. 스핀방식은, 컵내에서 모터로 기판을 스핀회전시키므로써 레지스트막의 현상, 린스세정, 건조를 한다. 딥방식은, 현상액 중에 기판을 침지시켜서 기판의 진동이나 현상액의 휘저음을 이용하여 균일한 현상을 하는 방식이다. 스프레이방식은, 펌프 등으로 가압한 현상액을 분무형상으로 하여 기판 위에 뿜어칠하는 방식이다. 이들의 방식중 현상태에서는 스핀방식이 주류로 되고 있다.
본 발명에 관한 기판처리방법은, 기판을 얹어놓는대 위에 얹어놓는 로우드공정과, 이 얹어놓는대 위에 얹어놓인 기판의 적어도 한쪽면과의 사이에 클리어런스가 형성되도록 기판에 커버를 씌우는 커버 장착공정과, 상기 클리어런스에 처리액을 도입하고, 기판의 적어도 한쪽면에 처리액을 접촉시키는 처리공정과, 상기 커버를 기판으로부터 떼어내는 커버해제공정과, 기판을 상기 얹어놓는대로 부터 꺼내는 언로우드공정을 구비한다.
본 발명에 관한 기판처리장치는, 챔버와, 이 챔버 내에 반입되는 기판이 얹어놓이는 얹어놓는대와, 상기 얹어놓는대 위에 얹어놓인 기판의 적어도 한쪽면과의 사이에 클리어런스가 형성되도록 기판을 덮는 커버와, 상기 클리어런스 내에 처리액을 공급하는 처리액 공급수단과, 상기 클리어런스 내의 처리액을 배출하는 처리액 배출수단을 구비한다.
본 발명에 관한 기판처리방법은, 기판을 얹어놓는대 위에 얹어놓는 로우드공정과, 상기 얹어놓는대와 함께 기판을 경사시키는 공정과, 이 경사시킨 기판이 높은 쪽으로 부터 낮은 쪽을 향하여 기판의 표면을 따라서 처리액을 흘러떨어뜨리는 공정을 구비한다.
본 발명에 관한 기판처리장치는, 컵과, 이 컵 내에 설치되고, 기판이 얹어놓이는 얹어놓는대와, 이 얹어놓는대 위의 기판을 수평면에 대해서 경사지게 하는 수단과, 경사상태의 기판의 높은 쪽으로부터 처리액을 공급하는 공급통과, 경사상태의 기판의 낮은 쪽에서 처리액을 받는 받이통을 구비한다.
기판표면에는, 레지스트막 도포장치로 레지스트막이 미리 도포형성되고, 베이킹 후 그 레지스트막에 소정의 패턴이 노광된다. 본 발명에 있어서는, 이 노광 종료 후에 있어서 기판의 윗면에 현상액을 층류상태로 흐르게 하므로써 레지스트막 위에 현상액을 균등하게 공급하는 것이 가능하다. 또 레지스트막 위에는 항상 새로운 현상액이 공급되고 있으므로, 현상시간도 단축화된다. 따라서 본 발명에 의하면 현상의 균일성이 유지되고, 결함이 없는 청정이 우수한 제품을 제공할 수 있게 되며, 수율도 향상한다.
현상액을 층류상태로 흐르게 하기 위해서는, 기판의 윗면과 일정한 간격의 틈을 형성하여 기판의 윗면전체를 덮는 커버를 장착하고, 그 틈에 현상액을 흐르게 하는 방법이 유효하다. 또, 기판을 경사시켜서, 그 경사를 이용하여 기판의 윗면에 현상액을 흘리는 방법도 유효하다. 이들중 어떤 방법을 이용하더라도, 기판 위에 현상액을 층형상으로 흐르게 할 수가 있어, 레지스트막 위에 현상액을 균등하게 공급하여 균일하면서도, 수율이 높은 현상처리가 가능하게 된다.
또, 기판 윗면을 다 흐른 현상액은, 펌프 등의 동력으로 다시 기판의 윗면에 흐르게 하여, 현상액을 리사이클 사용하도록 구성하면, 현상액량을 절약할 수 있어, 러닝코스트를 저감할 수가 있다.
또한, 기판을 덮듯이, 커버를 씌우므로, 린스액이나 현상액이 얹어놓는대의 주위에 비산하지 않게 되어, 청결한 처리환경을 실현할 수 있다.
[발명의 실시형태]
이하, 첨부한 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시형태에 관하여 설명한다.
제1도에 나타내는 바와 같이, 레지스트 처리시스템(1)은, 그 한끝단쪽에 카셋트 스테이션(3)을 구비하고 있다. 이 카셋트 스테이션(3)에는 LCD용 기판(S)을 수용한 복수의 카셋트(2)가 얹어놓이게 되어 있다. 카셋트 스테이션(3)의 카셋트(2)의 정면측에는 기판(S)의 반송 및 위치결정을 함과 동시에, 기판(S)을 유지하여 메인아암(4)과의 사이에서 받아넘김을 하기 위한 보조아암(5)이 설치되어 있다. 메인아암(4)은, 처리시스템(1)의 중앙부를 길이방향으로 이동가능하게 2기 직렬로 배치되어 있고, 그 이송로의 양측에는, 현상장치(6)(50) 그 밖의 각종 처리장치가 배치되어 있다.
도시한 처리시스템(1)에 있어서는, 카셋트 스테이션(3)측의 측방에는, 기판(S)을 브러시 세정하기 위한 브러시 스크러버(7) 및 고압 제트수에 의해 세정을 하기 위한 고압제트 세정기(8) 등이 나란히 설치되어 있다. 또, 메인아암(4)의 이송로를 사이에 끼고 반대측에 현상장치(6)(50)가 2기 나란히 설치되고, 그 근처에 2기의 가열장치(9)가 중첩하여 설치되어 있다.
이들 기기의 측방에는, 접속용 인터페이스 유니트(10)를 통하여, 기판(S)에 레지스트막을 도포하기 전에 기판(S)을 소수(蔬水)처리하는 어드히젼장치(11)가 설치되고, 이 어드히젼장치(11)의 아래쪽에는 냉각용 쿨링장치(12)가 배치되어 있다. 또, 이들 어드히젼장치(11) 및 쿨링장치(12)의 측방에 가열장치(13)가 2열로 2개씩 중첩되어 배치된다. 메인아암(4)의 이송로를 사이에 두고 반대측에는 기판(S)에 레지스트액을 도포하므로써 기판(S)의 표면에 레지스트막(감광막)을 형성하는 레지스트막 도포장치(14)가 2대 나란히 설치되어 있다. 도시는 하지 않았지만, 이들 레지스트막 도포장치(14)의 측부에는, 기판(S) 위에 형성된 레지스트막에 소정의 미세패턴을 노광하기 위한 노광장치 등이 설치된다.
제2도, 제3도에 나타내는 바와 같이, 현상장치(6)의 챔버(6a)의 거의 중앙에는 컵(22)이 설치되고, 컵(22)의 안에는 얹어놓는대(21)가 설치되어 있다. 이 얹어놓는대(21)의 윗면에는 진공흡착기구(도시생략)의 흡인구멍이 개구하여 있고, 기판(S)이 윗면에 흡착유지되도록 되어 있다. 얹어놓는대(21)의 아래면은 제1에어실린더(20)의 로드(20a)에 연결되고, 얹어놓는대(21)가 승강이 가능하게 지지되어 있다. 실린더(20)의 에어공급원의 회로에는 제어부(45)가 접속되고, 센서(도시생략)로 부터 보내어진 검출신호에 의거하여 얹어놓는대(21)의 승강량이 적절하게 제어되도록 되어 있다.
이 얹어놓는대(21)에 흡착유지된 기판(S)의 둘레를 둘러싸듯이 고리형상의 컵(22)이 설치되고, 현상액이나 세정수(린스액)의 비산을 방지하도록 되어 있다. 이 컵(22)은 내식성의 수지 또는 금속으로 이루어져 있다. 컵(22)의 상부(23)는 조여져 있고, 그 위끝단 개구부(24)의 직경은, 기판(S)을 위쪽으로 부터 컵(22) 내에 삽입하기에 충분한 크기를 가지고 있다.
컵(22)의 바닥부(25)는 수평면에 대해서 약간 경사하고 있고, 바닥부(25)의 낮은 부분에는 폐액관(26)이 연이어 통하고 있다. 한편, 바닥부(25)의 높은 부분에는 컵(22) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기관(27)이 연이어 통하고 있다. 이 바닥부(25)로 부터는 고리형상벽(28)이 위쪽을 향하여 연장하고 있다. 이 고리형상벽(28)의 위끝단에는 정류판(29)이 설치되어 있다. 정류판(29)은, 얹어놓는대(21) 위의 기판(S)의 뒷면에 근접하여 설치되고, 그 둘레부는 아래쪽을 향하여 경사하여 있다. 이와 같은 정류판(29)에 의해서 기판(S)을 처리한 폐액이 컵 바닥부(25)의 쪽으로 인도되도록 되어 있다.
얹어놓는대(21)의 아래쪽에는 복수의 린스액 분사노즐(도시생략)이 설치되고, 얹어놓는대(21) 위의 기판(S)의 뒷면에 대해서 순수한 물을 분사하여 기판(S)의 뒷면을 세정하도록 되어 있다.
제2도에 나타내는 바와 같이, 커버(40)가 얹어놓는대(21)의 위쪽에 설치되어 있다. 이 커버(40)는 에어실린더(30)의 로드(30a)에 연결지지되고, Z축방향으로 승강될 수 있도록 되어 있다. 실린더(30)의 에어공급원의 회로는 제어부(45)에 접속되고, 제어부(45)에 의해 실린더(30)의 동작이 제어되도록 되어 있다.
커버(40)의 아래면 둘레부에는 복수의 돌기(40P)가 형성되어 있다.
커버(40)를 하강시키면, 얹어놓는대(21) 위의 기판(S)에 돌기(40P)가 눌러붙여지고, 이에 의해서 커버(40)의 아래면과 기판(S)의 윗면과의 사이에 클리어런스(41A)가 형성된다. 이 클리어런스(41A)는 0.5~10㎜의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 현상액을 클리어런스(41A)에 유통시키는 경우는, 클리어런스(41A)를 0.5∼2㎜의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 한편, 현상액을 클리어런스(41A)에 일시 체류시키고, 기판(S)을 현상액 중에 딥핑(dipping)하는 경우는, 클리어런스(41A)를 2∼10㎜의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 이들의 돌기(40P)는 기판(S)에 손상을 주지않도록 연질의 엔지니어링 플라스틱으로 만드는 것이 바람직하다.
또, 커버(40)의 안에는 복수개의 초음파 진동자(44)가 매입되어 있다. 각 초음파 진동자(44)의 전원(도시생략)은 제어부(45)에 접속되어 있다. 이들의 진동자(44)로 부터 발진되는 초음파는, 특히 세정처리에 있어서 린스액을 통하여 기판표면에 전달되어 세정효과를 증진시킨다.
제4도에 나타내는 바와 같이, 커버(40)의 양측면부에는 슬릿트형상의 입구(42) 및 출구(43)가 각각 형성되어 있다. 입구(42) 및 출구(43)의 각각은 커버(40)의 하부중앙의 오목부(40C)에 연이어 통하고 있다. 커버(40)로 얹어놓는대(21) 위의 기판(S)을 덮으면, 오목부(40C) 안에 기판(S)이 수납되고, 또한 기판(S)의 윗면과 커버(40)와의 사이에 클리어런스(41A)가 형성되도록 되어 있다. 또한, 입구(42) 및 출구(43)의 폭은 각각 0.5∼2㎜이다.
커버(40)의 하부 둘레에는 플랜지(40F)가 전 둘레에 걸쳐서 형성되어 있다. 이 플랜지(40F)는 O링(도시생략)을 통하여 기초대(89)에 눌러붙여지고, 클리어런스(41A) 내를 통하여 흐르는 액 및 또는 일시적으로 체류하는 액이 아래쪽으로 새어나오지 않도록 시일하는 역할을 가진다. 또한, 플랜지(40F)의 윗면과 기판(S)의 윗면과는 거의 한 면으로 되어 있다.
커버(40)의 입구(42)에는, 제1유로(42a)를 통하여 현상액 공급원(33) 및 린스액 공급원(34)이 각각 연이어 통하고, 또한 제2유로(42b)를 통하여 드라이가스 공급원(36)이 연이어 통하고 있다. 현상액 공급원(33)에는 테트라메틸 암모늄 하이드로옥사이드(TMAH)용액이 수용되어 있다. 린스액 공급원(34)에는 순수한 물이 수용되어 있다. 드라이가스 공급원(36)에는 드라이에어 또는 드라이 질소가스가 수용되어 있다.
한편, 커버(40)의 출구(43)에는, 유로(43a)를 통하여 일시 보류부(37)가 연이어 통하고 있다. 일시 보류부(37)의 용적은 클리어런스(41A)의 그것보다도 충분히 크다. 그러므로, 일시 보류부(37)는 기액분리의 기능을 구비하고 있으며, 기체성분은 배출통로(38a)를 통하여 배출장치(38)로 부터 클린룸 외부로 배출되고, 액체성분은 재생통로(39a)를 통하여 재생장치(39)에서 불순물을 제거되도록 되어 있다. 또한, 재생장치(39)에서 재생된 액은 현상액 공급원(33)으로 되돌아가도록 되어 있다.
또한, 클리어런스(41A)를 0.5∼2㎜ 정도의 좁은 것으로 하므로써, 여기를 통과하는 현상액이나 린스액의 흐름을 층류로 할 수가 있고, 기판(S) 윗면의 레지스트막 위에 대해서 전체적으로 현상액이나 린스액을 적은 양으로 균등하게 공급하는 것이 가능하게 된다. 또, 처리액이 클리어런스(41A) 내를 균등하게 유통이 가능하도록, 처리액의 통류회로는 버퍼탱크부(도시생략)나 압력감소 발생부(도시생략)등을 가지는 결합부재(도시생략)에 의해 액체밀폐적으로 시일되어 있다.
제7도에 나타내는 바와 같이, 제1유로(42a)의 분기장에는 유로 전환밸브(35)가 설치되고, 유로전환밸브(35)에 의해 현상액 공급원(33)의 연이어 통하는 통로(33a)와 린스액 공급원(34)의 연이어 통하는 통로(34a)가 전환되도록 되어 있다. 즉, 유로 전환밸브(35)는 2개의 유로(35b), (35c)가 형성된 회전체(35A)를 구비하고 있으며, 이 회전체(35A)를 회전시키므로써 유로(35b)를 현상액 통로(33a)에 연이어 통과시키고, 동시에 유로(35c)를 제1유로(42a)에 연이어 통과시키거나 또는, 유로(35b)를 제1유로(42a)에 연이어 통과시키고 동시에 유로(35c)를 린스액 통로(34a)에 연이어 통과시키거나 할 수 있도록 되어 있다.
제5도, 제6도에 나타내는 바와 같이, 얹어놓는대(21)의 아래쪽에는 핀(60)을 구비한 기판밀어올림기구가 설치되고, 복수개의 밀어올림핀(60)에 의해 기판(S)이 얹어놓는대(21)로 부터 들어올려지도록 되어 있다. 이들의 밀어올림핀(60)은 판형상의 공통부재(49)를 통하여 제2의 에어실린더(48)의 로드(48a)에 연결되어 있고, 밀어올림핀(60)이 얹어놓는대(21)의 구멍(21a)을 통하여 얹어놓는대(21)의 위쪽으로 돌출하도록 되어 있다. 이들의 밀어올림핀(60)에 의해서 기판(S)은 얹어놓는대(21)로 부터 들어올려지고 메인아암(4)과 얹어놓는대(21)와의 사이에서 기판(S)이 받아넘겨지도록 되어 있다. 또한, 메인아암(4)은 X축 구동기구, Y축 구동기구, Z축 구동기구, θ회전 구동기구를 각각 구비하고 있으며, 중앙통로를 따라서 주행하고, 각 처리유니트(6)(50), (9), (11)∼(13)에 액세스할 수 있도록 되어 있다. 그리고, 메인아암(4)은, 각 처리유니트(6)(50), (9), (11)∼(13) 내로 부터 기판(S)을 반출할 수 있도록 되어 있다. 현상유니트(6) 내에 기판(S)을 반입/반출하는 경우는, 기판(S)을 유지한 메인아암(4)을 개구(6b)쪽으로 부터 유니트(6) 내에 삽입하도록 되어 있다.
제8도에 나타내는 바와 같이, 2개의 유니트(6)를 상하 2단으로 겹치도록 하여도 좋다. 이와 같은 유니트(6)에서는 상하의 두께 사이즈를 작게 할 필요가 있기 때문에, 커버(40)를 XY면 내에서 슬라이드 가능하게 하고, Z축방향에는 승강시키지 않도록 하고 있다. 즉, 커버(40)는, 챔버(60a) 내에서 수평방향으로 평행이동되도록 X축 구동기구(도시생략) 또는 Y축 구동기구(도시생략)에 의해 지지되고 있다.
다음에, 상기 현상장치(6)를 이용하여 기판(S)을 현상처리하는 경우에 관하여 설명한다.
우선, 카셋트 스테이션(3)의 카셋트(2) 내로 부터 보조아암(5)에 의해서 기판(S)을 꺼내고, 이것을 메인아암(4)으로 받아넘긴다. 메인아암(4)에 의해서 기판(S)을 브러시 스크러버(7)에 반입하고, 브러시 세정처리한다. 또한, 기판(S)을 가열유니트(9) 내에서 건조한다. 또한, 프로세스에 따라서 고압제트 세정기(8) 내에서 고압제트수에 의해 기판(S)을 세정하도록 해도 좋다.
이어서, 어드히젼 유니트(11)에서 기판(S)을 어드히젼처리한다. 또한, 쿨링 유니트(12)에서 기판(S)을 냉각한 후에, 코팅 유니트(14)에서 레지스트를 기판(S)의 표면에 도포한다. 그리고, 기판(S)을 가열 유니트(13)에서 베이킹 처리한 후에, 노광장치(도시생략)에서 레지스트막을 노광처리한다. 그리고, 노광 후의 기판(S)을 현상장치(6) 내로 반입한다.
현상장치(6) 내에서는, 우선, 얹어놓는대(21)가 상승하고, 메인아암(4)으로 부터 기판(S)을 받아들여서, 기판(S)을 흡착유지하여 얹어놓는대(21)를 하강시킨다. 다음에, 커버(40)를 기판(S)의 위에 씌운다. 기판(S)의 윗면과 커버(40)와의 간격이 0.5∼1㎜정도의 좁은 클리어런스(41A)가 형성된다.
커버(40)의 장착 완료 후에, 현상액을 클리어런스(41A) 내에 순환공급하고, 기판(S)의 레지스트막을 현상처리한다. 현상액은 현상액 공급원(33)으로 부터 입구(42)를 통하여 클리어런스(41A)내에 들어가고, 기판(S)의 윗면과 접촉하면서 흘러서, 출구(43)로 부터 배출되어 다시 현상액 공급원(33)으로 되돌아간다. 현상액은 클리어런스(41A) 내에서는 층류가 되며, 적은 유량으로 동시에 균등하게 공급되어 양호한 현상처리가 이루어진다. 레지스트막 위에는 항상 새로운 현상액이 계속 공급되므로, 현상시간도 단축된다.
현상처리가 종료하면, 전환밸브(35)의 유로를 전환하고, 린스액 공급원(34)으로 부터 린스액을 클리어런스(41A) 내에 공급한다. 이에 의해 기판(S) 위에 잔류하는 현상액이 씻겨내린다. 또, 이 린스액의 공급과 동시에 아래쪽에 배치된 노즐(도시생략)으로 부터 기판(S)의 뒷면을 향하여 세정수를 뿜어내어, 기판(S)의 뒷면을 세정한다.
린스처리가 종료하면, 드라이가스 공급원(36)으로 부터 드라이가스를 클리어런스(41A) 내에 공급하고, 기판(S)을 건조시킨다. 건조 후, 커버(40)를 기판(S)으로 부터 떼어낸다. 또한, 커버(40)를 떼어낼 때에, 미리 클리어런스(41A) 내에 드라이가스 등을 불어 들어가도록 하면, 커버(40)의 제거가 용이하게 된다. 그 후, 기판(S)은 가열 유니트(9)에서 가열하고, 또한 카셋트 스테이션(3)의 카셋트(2) 내에 수납된다.
상기의 현상장치에 의하면 기판(S)의 윗면에 현상액을 층형상으로 흐르게 하므로써 레지스트막 위에 현상액을 균등하게 공급할 수가 있다. 또, 레지스트막에 항상 새로운 현상액을 공급하고 있으므로, 현상시간을 단축할 수가 있어, 수율이 향상된다. 또한, 상기 장치에서는 스핀회전기구가 불필요하게 되므로 장치를 전체적으로 소형화할 수가 있다.
다음에, 상기 실시형태의 여러가지의 변형예에 관하여 설명한다.
제9도에 나타내는 바와 같이, 커버(40A) 내에서 기판(S)의 양면을 처리액과 접촉시키도록 해도 좋다. 커버(40A)는 하부 커버부재(40a) 및 상부 커버부재(40b)를 구비하고 있다. 하부 커버부재(40a)의 내측중앙은 오목하게 되어 있다. 하부 커버부재(40a)의 위에 기판(S)을 얹어놓으면, 하부 커버부재(40b)와 기판(S)과의 사이에 하부 클리어런스(41B)가 형성되도록 되어 있다. 상부 커버부재(40b)는 실린더(30)의 로드(30a)에 의해서 승강가능하게 지지되어 있다. 상부 커버부재(40b)를 하부 커버부재(40a)에 씌우면, 상부 커버부재(40b)와 기판(S)과의 사이에 상부 클리어런스(41A)가 형성되도록 되어 있다. 하부 커버부재(40a) 및 상부 커버부재(40b)는 둘레부에서 서로 맞닿도록 형성되며, 이 맞닿는면에는 시일용의 O링(46)이 설치되어 있다. 이에 의해 상하 클리어런스(41A),(41B) 내에 도입된 처리액이 외부로 새어나가지 않도록 되어 있다.
이와 같은 커버(40A)에 있어서는, 상하 클리어런스(41A),(41B) 내에 처리액을 유통시킬 뿐아니라, 이 중에 처리액을 체류시킬 수가 있다. 즉, 커버(40A)에 의하면 기판(S)을 처리액 중에 일정시간 침지시킬 수가 있으므로, 현상처리에 적합하다.
제10도에 나타내는 바와 같이, 개폐식의 커버(40B)에 의하면 기판(S)의 양면에 처리액을 접촉시키도록 해도 좋다. 커버(40B)는, 힌지(47)로 한 변이 연결된 상하 커버부재(40g),(40h)를 구비하고 있다.
제11도에 나타내는 바와 같이, 처리액을 기판(S)의 단변을 따른 방향으로 유통시키면, 처리액의 통과거리가 짧아지고, 처리액의 열화가 적어지므로, 처리효율이 더 향상된다.
또한, 기판(S)의 린스처리에 있어서는, 클리어런스(41A),(41B) 내의 린스액에 초음파 진동자(44)에 의해서 초음파를 인가하면, 기판의 표면으로 부터 파티클이 이탈하기 쉬워지므로, 세정의 처리효율이 대폭으로 향상된다.
다음에, 제12∼제14도를 참조하면서 본 발명의 제2의 실시형태에 관하여 설명한다.
제12도에 나타내는 바와 같이, 현상장치(50)의 챔버 중앙에는 정류판(56)을 가지는 얹어놓는대(52)가 설치되고, 정류판(56) 및 얹어놓는대(52)의 위에 기판(S)이 얹어놓여지고, 또한 진공흡착기구(도시생략)에 의해서 얹어놓는대(52)의 윗면에 기판(S)이 흡착유지되도록 되어 있다. 얹어놓는대(52)의 아래면은 축(51a)을 통하여 구동부(51)의 내부기구에 연결되어 있다. 이 구동부(51)는, 얹어놓는대(52)를 승강시키는 Z실린더(도시생략) 및 얹어놓는대(52)를 스핀회전시키는 θ모터(도시생략)를 내장하고 있다.
얹어놓는대(52)에 흡착유지된 기판(S)의 주위를 둘러싸도록 하여 컵(53)이 설치되어 있다. 컵(53)의 바닥부(54)에는 고리형상벽(55)이 세워 설치되어 있다. 고리형상벽(55)의 위끝단 근방에는 정류판(56)이 설치되어 있다.
정류판(56)은 힌지부(57)를 중심으로 하여 컵(53) 내에 있어서 요동가능하게 지지되어 있다. 컵(53)의 바닥부(54)에는 구멍(58)이 형성되고, 이 구멍(58)을 통하여 핀(60A)이 위쪽으로 돌출되면, 정류판(56)의 한쪽측이 핀(60A)에 의하여 들어올려지도록 되어 있다. 핀(60A)은 제어부(45)에 의해 동작제어되는 푸셔(59)에 의해 지지되고 있다.
핀(60A)으로 정류판(56)을 밀어올리면, 정류판(56)과 함께 기판(S)은 화살표(61)의 방향으로 들어올려지고, 기판(S)은 약 10˚기울어지도록 되어 있다. 경사상태의 기판(S)의 높은 쪽에는 공급통(62)이 배치되고, 기판(S)의 낮은 쪽에는 받이통(63)이 배치되어 있다. 공급통(62)은 슬릿트형상의 공급구를 구비하고 있다. 현상액 공급장치(64) 또는 린스액 공급장치(65)가, 공급통(62) 및 받이통(63)의 액통류회로에 설치되어 있다.
현상액은, 현상액 공급장치(64)로 부터 공급되고, 공급통(62)을 통하여 경사상태의 기판(S)의 높은 쪽으로 부터 기판전체에 걸쳐서 균일하게 흘러떨어진다. 또한, 현상액은, 기판(S)의 낮은 쪽에 도달하여, 받이통(63)으로 흘러들어가고, 다시 현상액 공급장치(64)로 되돌아온다. 또, 마찬가지로 린스액 공급장치(65)를 이용하여 경사상태의 기판(S)을 린스 처리하는 것도 가능하다.
제13도에 나타내는 바와 같이, 기판(S)의 윗면에 현상액을 흐르게 하는 경우는, 양끝단에 가이드벽(70)을 구비한 가이드부재(71)를 이용하는 것이 바람직하다. 즉, 이 가이드부재(71)와 함께 기판(S)을 얹어놓는대(52) 위에 얹어놓으면, 현상액이 가이드벽(70)에서 안내되어 기판(S)의 윗면으로 부터 측방으로 새어떨어지지 않고, 받이통(63)에 흘러들어가게 된다. 또한, 제14도에 나타내는 바와 같이, 기판(S)은 메인아암(4)에 의해 얹어놓는대(52) 위에 얹어놓인다.
상기 실시형태의 장치에 의하면, 처리액이 주위에 비산하지 않으므로, 컵(22)(53)의 내면 및 그 주변이 잘 더러워지지 않으므로, 청결한 환경을 유지할 수 있어, 기판(S)에의 파티클의 부착을 실질적으로 없앨 수가 있다. 또, 장치의 관리유지의 점에서도 종래방식의 장치보다도 유효해진다. 또, 레지스트막 위에 항상 새로운 현상액을 공급하므로써 현상시간을 단축할 수 있어, 수율이 향상된다. 또한, 현상액을 리사이클사용할 수 있으므로, 러닝코스트도 저감할 수 있어, 경제적이다.

Claims (18)

  1. 기판을 얹어놓는대 위에 얹어놓는 로우드공정과, 이 얹어놓는대 위에 얹어놓인 기판의 적어도 한쪽면과의 사이에 0.5∼10㎜ 범위의 클리어런스가 형성되도록 기판에 커버를 씌우는 커버장착공정과, 상기 클리어런스에 처리액을 도입하고, 기판의 적어도 한쪽면에 처리액을 접촉시키는 처리공정과, 상기 커버를 기판으로 부터 떼어내는 커버해제공정과, 기판을 상기 얹어놓는대로부터 꺼내는 언로우드공정을 구비하는 기판처리방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 처리공정에서는, 처리액을 커버의 한쪽측으로 부터 클리어런스에 도입하고, 클리어런스 내를 유통시키고, 클리어런스로 부터 커버의 다른쪽측으로 배출하는 기판처리방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 처리공정에서는, 기판에 접촉시킨 처리액을 재생처리하고, 이 재생처리한 처리액을 상기 클리어런스 내에 다시 유통시키는 기판처리방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 처리공정에서는, 처리액은 0.5∼2㎜ 범위의 클리어런스 내를 실질적으로 층류(層流)가 되도록 유통되는 기판처리방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 처리공정에서는, 처리액은 2∼10㎜ 범위의 클리어런스 내에서 일시적으로 체류되고, 기판의 적어도 한쪽면이 처리액과 일정시간 계속해서 접촉하는 기판처리방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 처리공정에서는, 처리액을 기판에 접촉시킨 후에 드라이가스를 클리어런스에 유통시키고, 드라이가스에 의해서 기판을 건조시키는 공정을 더욱 포함하는 기판처리방법.
  7. 제1항에 있어서, 기판의 표면에는 레지스트막이 형성되어 있고, 이 레지스트막을 상기 처리액을 이용하여 현상하는 기판처리방법.
  8. 기판을 얹어놓는대 위에 얹어놓는 로우드공정과, 상기 얹어놓는대와 함께 기판을 경사시키는 공정과, 이 경사시킨 기판의 높은 쪽으로 부터 낮은 쪽을 향하여 기판의 표면을 따라서 처리액을 흐르게하여 떨어뜨리는 공정을 구비하는 기판처리방법.
  9. 제8항에 있어서, 기판의 표면에는 레지스트막이 형성되어 있고, 이 레지스트막을 상기 처리액을 이용하여 현상하는 기판처리방법.
  10. 챔버와, 이 챔버 내에 반입되는 기판이 얹어놓여지는 얹어놓는대와, 상기 얹어놓는대 위에 얹어놓여진 기판의 적어도 한쪽면과의 사이에 0.5∼10㎜ 범위의 클리어런스가 형성되도록 기판을 덮는 커버와, 상기 클리어런스 내에 처리액을 공급하는 처리액 공급수단과, 상기 클리어런스 내에 처리액을 배출하는 처리액 배출수단을 구비하는 기판처리장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 커버를 승강시키는 승강수단을 더욱 포함하는 기판처리장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 얹어놓는대를 승강시키는 승강수단을 더욱 포함하는 기판처리장치.
  13. 제10항에 있어서, 상기 커버는, 아래면 둘레부에 기판을 눌러붙이는 복수의 돌기를 가지는 기판처리장치.
  14. 제10항에 있어서, 상기 커버는, 초음파 진동자를 구비하고 있는 기판처리장치.
  15. 제10항에 있어서, 상기 커버는, 직사각형 형상을 이루고 있는 기판처리장치.
  16. 제10항에 있어서, 상기 처리액 공급수단은, 현상액을 클리어런스 내에 공급하는 현상액 공급원과, 린스액을 클리어런스 내에 공급하는 린스액 공급원과, 이들 현상액 공급원의 유로와 린스액 공급원의 유로를 전환하는 유로전환밸브를 가지는 기판처리장치.
  17. 제10항에 있어서, 상기 커버는, 기판의 윗면과의 사이에 상부 클리어런스를 형성하는 상부 커버부재와, 기판의 아래면과의 사이에 하부 클리어런스를 형성하는 하부 커버부재와, 이들의 상하 커버부재의 맞닿는부에 끼워 설치하는 시일부재를 가지는 기판처리장치.
  18. 컵과, 이 컵내에 설치되고, 기판이 얹어놓여지는 얹어놓는대와, 이 얹어놓는대 위의 기판을 수평면에 대해서 경사시키는 수단과, 경사상태의 기판의 높은 쪽으로 부터 처리액을 공급하는 공급통과, 경사상태의 기판의 낮은 쪽에서 처리액을 받는 받이통을 구비하는 기판처리장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100626350B1 (ko) * 1999-07-02 2006-09-20 삼성전자주식회사 마스크 현상 장치

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6413436B1 (en) * 1999-01-27 2002-07-02 Semitool, Inc. Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece
US6355397B1 (en) * 1997-04-11 2002-03-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method and apparatus for improving resist pattern developing
TW402737B (en) * 1997-05-27 2000-08-21 Tokyo Electron Ltd Cleaning/drying device and method
JP3039467B2 (ja) * 1997-07-31 2000-05-08 日本電気株式会社 レジスト現像方法
JP3265238B2 (ja) * 1997-08-01 2002-03-11 東京エレクトロン株式会社 液膜形成装置及びその方法
TW386256B (en) * 1997-12-24 2000-04-01 United Microelectronics Corp Method for removing photoresistor
US20050217707A1 (en) * 1998-03-13 2005-10-06 Aegerter Brian K Selective processing of microelectronic workpiece surfaces
US6423642B1 (en) * 1998-03-13 2002-07-23 Semitool, Inc. Reactor for processing a semiconductor wafer
US6248171B1 (en) * 1998-09-17 2001-06-19 Silicon Valley Group, Inc. Yield and line width performance for liquid polymers and other materials
TW406322B (en) * 1999-08-20 2000-09-21 Mosel Vitelic Inc Base tilting apparatus
US6372389B1 (en) * 1999-11-19 2002-04-16 Oki Electric Industry Co, Ltd. Method and apparatus for forming resist pattern
US6497241B1 (en) * 1999-12-23 2002-12-24 Lam Research Corporation Hollow core spindle and spin, rinse, and dry module including the same
US7171973B2 (en) * 2001-07-16 2007-02-06 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US7138014B2 (en) * 2002-01-28 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Electroless deposition apparatus
JP2004000921A (ja) * 2002-04-26 2004-01-08 Seiko Epson Corp 膜体形成装置、レンズの製造方法、カラーフィルタの製造方法および有機ｅｌ装置の製造方法
JP2004055722A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Renesas Technology Corp 洗浄装置、基板の洗浄方法および半導体装置の製造方法
JP3894104B2 (ja) * 2002-11-15 2007-03-14 東京エレクトロン株式会社 現像方法及び現像装置及び現像液再生装置
AU2003289199A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
WO2006107550A2 (en) * 2005-04-01 2006-10-12 Fsi International, Inc. Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
JP4652959B2 (ja) * 2005-11-30 2011-03-16 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置
DE102006007446B3 (de) * 2006-02-17 2007-08-02 Stangl Semiconductor Equipment Ag Vorrichtung und Verfahren zum gleichmäßigen Beschichten von Substraten
DE102006033372B4 (de) * 2006-02-17 2010-04-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Ultraschallaktor zur Reinigung von Objekten
CN104319249B (zh) 2006-07-07 2017-11-07 Tel Fsi股份有限公司 用于处理微电子工件的设备
KR100900628B1 (ko) * 2006-09-15 2009-06-02 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5063138B2 (ja) * 2007-02-23 2012-10-31 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板現像方法および現像装置
CN101802975B (zh) * 2007-08-07 2012-10-03 Fsi国际公司 在用于通过一种或多种处理流体来处理微电子工件的工具中的阻挡板和文氏管容纳系统的漂洗方法以及相关装置
US8051863B2 (en) * 2007-10-18 2011-11-08 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for correlating gap value to meniscus stability in processing of a wafer surface by a recipe-controlled meniscus
KR101652270B1 (ko) * 2008-05-09 2016-08-30 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 장치 및 방법
JP5003773B2 (ja) * 2010-02-15 2012-08-15 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び記憶媒体
US8539969B2 (en) * 2010-07-30 2013-09-24 Sematech, Inc. Gigasonic brush for cleaning surfaces
US8518634B2 (en) 2011-02-08 2013-08-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cleaning process for semiconductor device fabrication
US9299593B2 (en) 2011-08-16 2016-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device cleaning method and apparatus
US8657963B2 (en) 2011-09-22 2014-02-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. In-situ backside cleaning of semiconductor substrate
DE102013001457A1 (de) 2013-01-28 2014-07-31 Blum-Novotest Gmbh In einer Werkstückbearbeitungsmaschine aufzunehmender temperaturkompensierter Messtaster und Verfahren zur Temperaturkompensation eines Messtasters
US9529265B2 (en) 2014-05-05 2016-12-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of preparing and using photosensitive material
TWI564952B (zh) * 2015-01-30 2017-01-01 Ventilation process equipment
CN111906077B (zh) * 2020-06-29 2022-03-25 广州国显科技有限公司 清洗装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3601029A (en) * 1969-05-21 1971-08-24 Samuel Needleman Photographic film and paper processing apparatus
US3721175A (en) * 1969-05-21 1973-03-20 S Needleman Photographic processing apparatus
US4696885A (en) * 1983-09-06 1987-09-29 Energy Conversion Devices, Inc. Method of forming a large surface area integrated circuit
JPH0236276Y2 (ko) * 1985-01-10 1990-10-03
JPS61251135A (ja) * 1985-04-30 1986-11-08 Toshiba Corp 自動現像装置
JPS6354725A (ja) * 1986-08-25 1988-03-09 Fuji Photo Film Co Ltd スピンコ−テイング方法及びその装置
US4788992A (en) * 1987-04-28 1988-12-06 Lewis Corporation Ultrasonic strip cleaning apparatus
US4886012A (en) * 1987-06-30 1989-12-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Spin coating apparatus
KR970011644B1 (ko) * 1988-04-08 1997-07-12 고다까 토시오 도포 처리 장치
JPH0666255B2 (ja) * 1989-05-02 1994-08-24 三菱電機株式会社 スピン塗布装置及び方法
JP2957035B2 (ja) * 1991-10-08 1999-10-04 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP3360365B2 (ja) * 1993-07-29 2002-12-24 クロリンエンジニアズ株式会社 水酸化テトラアルキルアンモニムの再生方法
US5429912A (en) * 1993-08-02 1995-07-04 Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Method of dispensing fluid onto a wafer
KR0164007B1 (ko) * 1994-04-06 1999-02-01 이시다 아키라 미세 패턴화된 레지스트막을 가지는 기판의 건조처리방법 및 장치
US5689749A (en) * 1994-08-31 1997-11-18 Tokyo Electron Limited Apparatus for developing a resist-coated substrate
US5716673A (en) * 1994-11-07 1998-02-10 Macronix Internationalco., Ltd. Spin-on-glass process with controlled environment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100626350B1 (ko) * 1999-07-02 2006-09-20 삼성전자주식회사 마스크 현상 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW494714B (en) 2002-07-11
KR960039176A (ko) 1996-11-21
US5853961A (en) 1998-12-29
US6090205A (en) 2000-07-18

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