JP3013009B2 - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JP3013009B2 JP3013009B2 JP4018372A JP1837292A JP3013009B2 JP 3013009 B2 JP3013009 B2 JP 3013009B2 JP 4018372 A JP4018372 A JP 4018372A JP 1837292 A JP1837292 A JP 1837292A JP 3013009 B2 JP3013009 B2 JP 3013009B2
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- processing liquid
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
等の被処理体の表面にレジストや現像液等の処理液を供
給する処理装置に関するものである。
等の被処理体の表面にレジストや現像液等の処理液を供
給する処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の処理装置として、例えば
半導体ウエハ等の被処理体を回転可能なスピンチャック
上に保持し、スピンチャックの上部に、半導体ウエハと
対向するように処理液供給ノズルを配設し、そして、処
理液供給ノズルのノズル孔から半導体ウエハ表面に例え
ばレジストや現像液等の処理液を滴下供給すると共に、
スピンチャックを回転させて処理液を半導体ウエハに膜
状に被着する装置が知られている。
半導体ウエハ等の被処理体を回転可能なスピンチャック
上に保持し、スピンチャックの上部に、半導体ウエハと
対向するように処理液供給ノズルを配設し、そして、処
理液供給ノズルのノズル孔から半導体ウエハ表面に例え
ばレジストや現像液等の処理液を滴下供給すると共に、
スピンチャックを回転させて処理液を半導体ウエハに膜
状に被着する装置が知られている。
【０００３】このように構成される処理装置において、
スピンチャックの側方には、不使用時の処理液供給ノズ
ルを保持する待機手段が設けられている。この待機手段
は、一般に、ノズル孔を被接触に保持すべく開口部を有
する箱状の容器にて形成されている。
スピンチャックの側方には、不使用時の処理液供給ノズ
ルを保持する待機手段が設けられている。この待機手段
は、一般に、ノズル孔を被接触に保持すべく開口部を有
する箱状の容器にて形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理装置の待機手段においては、ノズル孔を開
口部に位置させて処理液供給ノズルを単に保持する構造
であるため、処理液供給ノズルは大気中に晒され、ノズ
ル孔に残存する処理液が炭酸ガス（ＣＯ2 ）と反応して
パーティクルを発生させ、このパーティクルをノズル孔
先端部に付着することがあった。パーティクルが処理液
供給ノズルに付着すると、半導体ウエハ表面への処理液
の被着の不均一を招くと共に、半導体ウエハを汚染し
て、被処理体の品質の低下をきたすという問題がある。
この種の処理装置の待機手段においては、ノズル孔を開
口部に位置させて処理液供給ノズルを単に保持する構造
であるため、処理液供給ノズルは大気中に晒され、ノズ
ル孔に残存する処理液が炭酸ガス（ＣＯ2 ）と反応して
パーティクルを発生させ、このパーティクルをノズル孔
先端部に付着することがあった。パーティクルが処理液
供給ノズルに付着すると、半導体ウエハ表面への処理液
の被着の不均一を招くと共に、半導体ウエハを汚染し
て、被処理体の品質の低下をきたすという問題がある。
【０００５】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、不使用時の処理液供給ノズルのノズル孔先端部のパ
ーティクルの発生を防止して、被処理体への処理液の均
一被着と被処理体の汚染防止を図ることを目的とする処
理装置を提供するものである。
で、不使用時の処理液供給ノズルのノズル孔先端部のパ
ーティクルの発生を防止して、被処理体への処理液の均
一被着と被処理体の汚染防止を図ることを目的とする処
理装置を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の処理装置は、被処理体の表面に処理液を
滴下するノズル孔を有する処理液供給ノズルと、不使用
時の上記処理液供給ノズルを保持する待機手段とを具備
する処理装置において、上記待機手段は、上記処理液供
給ノズルのノズル孔先端部を気密に保持する内方空間を
有するノズル保持体と、このノズル保持体の内方空間内
に開口する不活性ガス供給口と、この不活性ガス供給口
に接続する不活性ガス供給源とを具備して、上記処理液
供給ノズ ルのノズル孔先端部を不活性ガス雰囲気に維持
することを特徴とする。この場合、不活性ガスとして、
例えば窒素（Ｎ2 ）ガスあるいはアルゴン（Ａｒ）等を
使用することができる。
に、この発明の処理装置は、被処理体の表面に処理液を
滴下するノズル孔を有する処理液供給ノズルと、不使用
時の上記処理液供給ノズルを保持する待機手段とを具備
する処理装置において、上記待機手段は、上記処理液供
給ノズルのノズル孔先端部を気密に保持する内方空間を
有するノズル保持体と、このノズル保持体の内方空間内
に開口する不活性ガス供給口と、この不活性ガス供給口
に接続する不活性ガス供給源とを具備して、上記処理液
供給ノズ ルのノズル孔先端部を不活性ガス雰囲気に維持
することを特徴とする。この場合、不活性ガスとして、
例えば窒素（Ｎ2 ）ガスあるいはアルゴン（Ａｒ）等を
使用することができる。
【０００７】この発明において、上記ノズル保持体は、
処理液供給ノズルを気密に保持して、内部空間に臨ませ
たノズル孔先端部を不活性ガス雰囲気に維持するもので
あれば、その構造は任意のものでよいが、好ましくはノ
ズル保持体に、内方空間に気密に保持される処理液供給
ノズルのノズル孔先端部を洗浄する洗浄機構を具備する
方がよい。また、洗浄機構は、内方空間内のノズル孔先
端部に向かって洗浄液を選択的に吐出する洗浄液供給手
段を具備する方が好ましい。この場合、洗浄液供給手段
は、洗浄液収容タンク、ポンプ及び開閉バルブにて構成
することができる。また、更に好ましくは、洗浄機構
に、内方空間の底部に洗浄液を排出する排出口を具備す
る方がよい。
処理液供給ノズルを気密に保持して、内部空間に臨ませ
たノズル孔先端部を不活性ガス雰囲気に維持するもので
あれば、その構造は任意のものでよいが、好ましくはノ
ズル保持体に、内方空間に気密に保持される処理液供給
ノズルのノズル孔先端部を洗浄する洗浄機構を具備する
方がよい。また、洗浄機構は、内方空間内のノズル孔先
端部に向かって洗浄液を選択的に吐出する洗浄液供給手
段を具備する方が好ましい。この場合、洗浄液供給手段
は、洗浄液収容タンク、ポンプ及び開閉バルブにて構成
することができる。また、更に好ましくは、洗浄機構
に、内方空間の底部に洗浄液を排出する排出口を具備す
る方がよい。
【０００８】
【作用】上記のように構成されるこの発明の処理装置に
よれば、待機手段に、処理液供給ノズルのノズル孔先端
部を気密に保持する内方空間を有するノズル保持体と、
このノズル保持体の内方空間内に開口する不活性ガス供
給口と、この不活性ガス供給口に接続する不活性ガス供
給源とを具備して、上記処理液供給ノズルのノズル孔先
端部を不活性ガス雰囲気に維持することにより、不使用
時の処理液供給ノズルを待機手段にて保持する際、処理
液供給ノズルのノズル孔先端部は密閉空間内におかれる
と共に、不活性ガス供給源から供給される不活性ガスの
雰囲気下におかれる。したがって、ノズル孔先端部は大
気に晒されることがなく、ＣＯ2 ガスと反応してパーテ
ィクルを発生することがない。
よれば、待機手段に、処理液供給ノズルのノズル孔先端
部を気密に保持する内方空間を有するノズル保持体と、
このノズル保持体の内方空間内に開口する不活性ガス供
給口と、この不活性ガス供給口に接続する不活性ガス供
給源とを具備して、上記処理液供給ノズルのノズル孔先
端部を不活性ガス雰囲気に維持することにより、不使用
時の処理液供給ノズルを待機手段にて保持する際、処理
液供給ノズルのノズル孔先端部は密閉空間内におかれる
と共に、不活性ガス供給源から供給される不活性ガスの
雰囲気下におかれる。したがって、ノズル孔先端部は大
気に晒されることがなく、ＣＯ2 ガスと反応してパーテ
ィクルを発生することがない。
【０００９】また、ノズル保持体に、処理液供給ノズル
のノズル孔先端部を洗浄する洗浄機構を設けることによ
り、処理液供給ノズルのノズル孔に残存する処理液を洗
浄除去することができ、待機手段側に付着するパーティ
クルのノズル孔先端部への付着を防止することができ
る。
のノズル孔先端部を洗浄する洗浄機構を設けることによ
り、処理液供給ノズルのノズル孔に残存する処理液を洗
浄除去することができ、待機手段側に付着するパーティ
クルのノズル孔先端部への付着を防止することができ
る。
【００１０】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基いて詳
細に説明する。この実施例はレジスト塗布現像装置に適
用したものである。
細に説明する。この実施例はレジスト塗布現像装置に適
用したものである。
【００１１】図１に示すように、このレジスト塗布現像
装置は、被処理体例えば半導体ウエハＷ（以下、単にウ
エハという）に種々の処理を施す処理機構が配設された
処理機構ユニット１０と、処理機構ユニット１０にウエ
ハＷを自動的に搬入・搬出するための搬入・搬出機構１
とで主要部が構成されている。
装置は、被処理体例えば半導体ウエハＷ（以下、単にウ
エハという）に種々の処理を施す処理機構が配設された
処理機構ユニット１０と、処理機構ユニット１０にウエ
ハＷを自動的に搬入・搬出するための搬入・搬出機構１
とで主要部が構成されている。
【００１２】搬入・搬出機構１は、処理前のウエハＷを
収納するウエハキャリア２と、処理後のウエハＷを収納
するウエハキャリア３と、ウエハＷを吸着保持するアー
ム４と、このアーム４をＸ，Ｙ，Ｚ及びθ方向に移動さ
せる移動機構５と、ウエハＷがアライメントされかつ処
理機構ユニット１０との間でウエハＷの受け渡しがなさ
れるアライメントステージ６とを備えている。
収納するウエハキャリア２と、処理後のウエハＷを収納
するウエハキャリア３と、ウエハＷを吸着保持するアー
ム４と、このアーム４をＸ，Ｙ，Ｚ及びθ方向に移動さ
せる移動機構５と、ウエハＷがアライメントされかつ処
理機構ユニット１０との間でウエハＷの受け渡しがなさ
れるアライメントステージ６とを備えている。
【００１３】処理機構ユニット１０には、アライメント
ステージ６よりＸ方向に形成された搬送路１１に沿って
移動自在に搬送機構１２が設けられている。搬送機構１
２にはＹ，Ｚ及びθ方向に移動自在にメインアーム１３
が設けられている。搬送路１１の一方の側には、ウエハ
Ｗとレジスト液膜との密着性を向上させるためのアドヒ
ージョン処理を行うアドヒージョン処理機構１４と、ウ
エハＷに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸
発させるためのプリベーク機構１５と、加熱処理された
ウエハＷを冷却する冷却機構１６とが配設されている。
また、搬送路１１の他方の側には、ウエハＷの表面にレ
ジストを塗布する処理液塗布機構１７（処理装置）と、
露光工程時の光乱反射を防止するために、ウエハＷのレ
ジスト上にＣＥＬ膜などを塗布形成する表面被覆層塗布
機構１８とが配設されている。
ステージ６よりＸ方向に形成された搬送路１１に沿って
移動自在に搬送機構１２が設けられている。搬送機構１
２にはＹ，Ｚ及びθ方向に移動自在にメインアーム１３
が設けられている。搬送路１１の一方の側には、ウエハ
Ｗとレジスト液膜との密着性を向上させるためのアドヒ
ージョン処理を行うアドヒージョン処理機構１４と、ウ
エハＷに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸
発させるためのプリベーク機構１５と、加熱処理された
ウエハＷを冷却する冷却機構１６とが配設されている。
また、搬送路１１の他方の側には、ウエハＷの表面にレ
ジストを塗布する処理液塗布機構１７（処理装置）と、
露光工程時の光乱反射を防止するために、ウエハＷのレ
ジスト上にＣＥＬ膜などを塗布形成する表面被覆層塗布
機構１８とが配設されている。
【００１４】上記のように構成されるレジスト塗布現像
装置において、まず、処理前のウエハＷは、搬入・搬出
機構１のアーム４によってウエハキャリア２から搬出さ
れてアライメントステージ６上に載置される。次いで、
アライメントステージ６上のウエハＷは、搬送機構１２
のメインアーム１３に保持されて、各処理機構１４〜１
８へと搬送される。そして、処理後のウエハＷはメイン
アーム１３によってアライメントステージ６に戻され、
更にアーム４により搬送されてウエハキャリア３に収納
されることになる。
装置において、まず、処理前のウエハＷは、搬入・搬出
機構１のアーム４によってウエハキャリア２から搬出さ
れてアライメントステージ６上に載置される。次いで、
アライメントステージ６上のウエハＷは、搬送機構１２
のメインアーム１３に保持されて、各処理機構１４〜１
８へと搬送される。そして、処理後のウエハＷはメイン
アーム１３によってアライメントステージ６に戻され、
更にアーム４により搬送されてウエハキャリア３に収納
されることになる。
【００１５】次に、この発明の処理装置１７について、
図２ないし図４を参照して説明する。この発明の処理装
置１７は、図１及び図２に示すように、ウエハＷを吸着
保持すると共に垂直移動及び水平回転可能に保持するス
ピンチャック２０と、このスピンチャック２０の上方に
移動されてウエハＷの表面に処理液であるレジスト（以
下に処理液という）を供給する処理液供給ノズル２１
と、スピンチャック２０の一方側に配置されて不使用時
の処理液供給ノズル２１を保持する待機手段３０と、ス
ピンチャック２０の他方側に配置されるリンス液供給ノ
ズル２２と、処理液供給ノズル２１をスピンチャック２
０上及び待機手段３０上に選択移動するノズル搬送アー
ム２３と、このノズル搬送アーム２３を搬送移動するノ
ズル移動機構２４とで主要部が構成されている。
図２ないし図４を参照して説明する。この発明の処理装
置１７は、図１及び図２に示すように、ウエハＷを吸着
保持すると共に垂直移動及び水平回転可能に保持するス
ピンチャック２０と、このスピンチャック２０の上方に
移動されてウエハＷの表面に処理液であるレジスト（以
下に処理液という）を供給する処理液供給ノズル２１
と、スピンチャック２０の一方側に配置されて不使用時
の処理液供給ノズル２１を保持する待機手段３０と、ス
ピンチャック２０の他方側に配置されるリンス液供給ノ
ズル２２と、処理液供給ノズル２１をスピンチャック２
０上及び待機手段３０上に選択移動するノズル搬送アー
ム２３と、このノズル搬送アーム２３を搬送移動するノ
ズル移動機構２４とで主要部が構成されている。
【００１６】上記処理液供給ノズル２１は、図３及び図
４に示すように、図示しない処理液収容部を有するノズ
ル本体２５の下端部にノズル孔２６を有するノズルチッ
プ２７を突設すると共に、ノズル本体２５の上端部に処
理液供給パイプ２８を接続してなり、また、ノズル本体
２５の側部には、下方に向って位置決め用の保持筒２９
ａが突出されており、その上部には保持部２９が突出さ
れている。
４に示すように、図示しない処理液収容部を有するノズ
ル本体２５の下端部にノズル孔２６を有するノズルチッ
プ２７を突設すると共に、ノズル本体２５の上端部に処
理液供給パイプ２８を接続してなり、また、ノズル本体
２５の側部には、下方に向って位置決め用の保持筒２９
ａが突出されており、その上部には保持部２９が突出さ
れている。
【００１７】一方、待機手段３０は、図３及び図４に示
すように、処理液供給ノズル２１のノズルチップ２７を
収容する開口部３１及びこの開口部３１の周囲に気密用
のＯリング３１ａとを有するノズル保持体３２と、この
ノズル保持体３１の内方空間３３に開口する不活性ガス
供給口３４と、この不活性ガス供給口３４に開閉バルブ
３５を介して接続する不活性ガス供給源３６と、ノズル
保持体３２の側壁に設けられて内方空間３３に開口する
洗浄液供給口３７と洗浄液Ｌ（例えば純水）の収容タン
ク４０とを、洗浄液Ｌを選択的に供給する洗浄液供給手
段を構成する開閉バルブ３８及びポンプ３９を介して接
続する洗浄機構４３とを具備してなる。この場合、洗浄
液供給口３７は待機中の処理液供給ノズル２１のノズル
チップ２７の両側に設ける方が望ましい。なおこの場
合、不活性ガス供給源３６に収容される不活性ガスとし
て、例えばＮ2 ガスが使用される。
すように、処理液供給ノズル２１のノズルチップ２７を
収容する開口部３１及びこの開口部３１の周囲に気密用
のＯリング３１ａとを有するノズル保持体３２と、この
ノズル保持体３１の内方空間３３に開口する不活性ガス
供給口３４と、この不活性ガス供給口３４に開閉バルブ
３５を介して接続する不活性ガス供給源３６と、ノズル
保持体３２の側壁に設けられて内方空間３３に開口する
洗浄液供給口３７と洗浄液Ｌ（例えば純水）の収容タン
ク４０とを、洗浄液Ｌを選択的に供給する洗浄液供給手
段を構成する開閉バルブ３８及びポンプ３９を介して接
続する洗浄機構４３とを具備してなる。この場合、洗浄
液供給口３７は待機中の処理液供給ノズル２１のノズル
チップ２７の両側に設ける方が望ましい。なおこの場
合、不活性ガス供給源３６に収容される不活性ガスとし
て、例えばＮ2 ガスが使用される。
【００１８】また、待機手段３０のノズル保持体３２の
側方上面には、処理液供給ノズル２１の保持筒２９ａを
挿入して位置決めするための位置決め孔４１が設けられ
ている。このように構成される待機手段３０は、例えば
シリンダあるいはボールねじ等の直線移動機構（図示せ
ず）により図２における矢印Ａ方向に移動可能に設けら
れて、ノズル搬送アーム２３によって所望の処理液供給
ノズル２１が把持されるようになっている。この場合、
ノズル搬送アーム２３は、図３において想像線で示すよ
うに、その先端部に処理液供給ノズル２１の保持部２９
を握持するノズル握持部４２を設け、このノズル握持部
４２は図示しないシリンダ等の駆動機構によって処理液
供給ノズル２１の保持部２９を握持できるようになって
いる。また、ノズル搬送アーム２３は、シリンダあるい
はモータ駆動するボールねじ等の直線運動機構（図示せ
ず）により図２における矢印Ｂ方向に移動可能に設けら
れると共に、上下移動可能に設けられ、ノズル握持部４
２で握持した処理液供給ノズル２１をスピンチャック２
０上のウエハＷの上方に移動させることができるように
なっている。また、ノズル保持体３２の内方空間３３の
底部には洗浄後の洗浄液を外部へ排出する排出口４５が
設けられている。なお、排出口４５には、開閉バルブ４
６を介設した排液管４７が接続されている（図３及び図
４参照）。
側方上面には、処理液供給ノズル２１の保持筒２９ａを
挿入して位置決めするための位置決め孔４１が設けられ
ている。このように構成される待機手段３０は、例えば
シリンダあるいはボールねじ等の直線移動機構（図示せ
ず）により図２における矢印Ａ方向に移動可能に設けら
れて、ノズル搬送アーム２３によって所望の処理液供給
ノズル２１が把持されるようになっている。この場合、
ノズル搬送アーム２３は、図３において想像線で示すよ
うに、その先端部に処理液供給ノズル２１の保持部２９
を握持するノズル握持部４２を設け、このノズル握持部
４２は図示しないシリンダ等の駆動機構によって処理液
供給ノズル２１の保持部２９を握持できるようになって
いる。また、ノズル搬送アーム２３は、シリンダあるい
はモータ駆動するボールねじ等の直線運動機構（図示せ
ず）により図２における矢印Ｂ方向に移動可能に設けら
れると共に、上下移動可能に設けられ、ノズル握持部４
２で握持した処理液供給ノズル２１をスピンチャック２
０上のウエハＷの上方に移動させることができるように
なっている。また、ノズル保持体３２の内方空間３３の
底部には洗浄後の洗浄液を外部へ排出する排出口４５が
設けられている。なお、排出口４５には、開閉バルブ４
６を介設した排液管４７が接続されている（図３及び図
４参照）。
【００１９】なお、スピンチャック２０は駆動機構２０
ａによって回転及び昇降可能に駆動されると共に、開閉
バルブ２０ｂを介して図示しない真空ポンプに接続され
ており、また処理液供給ノズル２１は、処理液供給パイ
プ２８を介して処理液収容タンク５０に接続されている
（図５参照）。なおこの場合、処理液供給パイプ２８に
は開閉バルブ５１、流量制御バルブ５２が配設され、処
理液収容タンク５０には、処理液を圧送供給するための
加圧手段であるＮ2 ガスボンベ５３が接続されている。
なお、図５において、符号５４はスピンチャック２０の
外周を包囲してスピンチャック２０の回転により処理液
が周囲に飛散するのを防止するカップである。
ａによって回転及び昇降可能に駆動されると共に、開閉
バルブ２０ｂを介して図示しない真空ポンプに接続され
ており、また処理液供給ノズル２１は、処理液供給パイ
プ２８を介して処理液収容タンク５０に接続されている
（図５参照）。なおこの場合、処理液供給パイプ２８に
は開閉バルブ５１、流量制御バルブ５２が配設され、処
理液収容タンク５０には、処理液を圧送供給するための
加圧手段であるＮ2 ガスボンベ５３が接続されている。
なお、図５において、符号５４はスピンチャック２０の
外周を包囲してスピンチャック２０の回転により処理液
が周囲に飛散するのを防止するカップである。
【００２０】上記のように構成されるこの発明の処理装
置において、ウエハＷの表面に処理液を被着するには、
予め処理液収容タンク５０内の処理液を圧送して処理液
供給ノズル２１に供給して処理液収容部内を処理液で満
たした状態としておき、待機手段３０に待機させてお
く。そして、メインアーム１３によってスピンチャック
２０上にウエハＷを載置する。
置において、ウエハＷの表面に処理液を被着するには、
予め処理液収容タンク５０内の処理液を圧送して処理液
供給ノズル２１に供給して処理液収容部内を処理液で満
たした状態としておき、待機手段３０に待機させてお
く。そして、メインアーム１３によってスピンチャック
２０上にウエハＷを載置する。
【００２１】次に、ノズル搬送アーム２３によって所望
の処理液供給ノズル２１を握持して上方へ移動し、ノズ
ル移動機構２４によってノズル搬送アーム２３をウエハ
Ｗの中央位置まで移動させ後、スピンチャック２０と処
理液供給ノズル２１とを相対的に上下移動させ、処理液
供給ノズル２１のノズル孔先端部とウエハＷとの間を所
定間隔に設定する（図２及び図５参照）。その位置にお
いて処理液をウエハＷ上に滴下すると共に、スピンチャ
ック２０の駆動によってウエハＷを高速回転させると、
ウエハＷ表面に供給された処理液はウエハＷの表面に均
一に処理液を被着することができる。
の処理液供給ノズル２１を握持して上方へ移動し、ノズ
ル移動機構２４によってノズル搬送アーム２３をウエハ
Ｗの中央位置まで移動させ後、スピンチャック２０と処
理液供給ノズル２１とを相対的に上下移動させ、処理液
供給ノズル２１のノズル孔先端部とウエハＷとの間を所
定間隔に設定する（図２及び図５参照）。その位置にお
いて処理液をウエハＷ上に滴下すると共に、スピンチャ
ック２０の駆動によってウエハＷを高速回転させると、
ウエハＷ表面に供給された処理液はウエハＷの表面に均
一に処理液を被着することができる。
【００２２】その後、処理液供給ノズル２１はノズル移
動機構２４によってウエハＷ表面から退避された後、待
機手段３０のノズル保持体３１の上方まで水平移動さ
れ、そして、下降されてノズル保持体３１上に載置保持
される。このとき、処理液供給ノズル２１とＯリング３
１ａとが密接することにより、ノズル孔先端部すなわち
ノズルチップ２７が内方空間３３に位置した状態で外気
から遮断された密閉状態となる。この状態において、不
活性ガス供給口３４に接続するバルブ３５が開放される
と、不活性ガス供給源３６からＮ2 ガスが内方空間３３
内に供給されて、内方空間３３内がＮ2 ガスで充満され
る。したがって、ノズル孔先端部はＮ2 ガス雰囲気下に
おかれるため、ＣＯ2 ガスと反応することがなく、パー
ティクルの発生が防止される。また、ポンプ３９が作動
することによって洗浄液収容タンク４０から供給される
洗浄液Ｌが洗浄液供給口３７からノズルチップ２７に向
って噴射されることにより、ノズル孔先端部に付着した
処理液が洗い流される。
動機構２４によってウエハＷ表面から退避された後、待
機手段３０のノズル保持体３１の上方まで水平移動さ
れ、そして、下降されてノズル保持体３１上に載置保持
される。このとき、処理液供給ノズル２１とＯリング３
１ａとが密接することにより、ノズル孔先端部すなわち
ノズルチップ２７が内方空間３３に位置した状態で外気
から遮断された密閉状態となる。この状態において、不
活性ガス供給口３４に接続するバルブ３５が開放される
と、不活性ガス供給源３６からＮ2 ガスが内方空間３３
内に供給されて、内方空間３３内がＮ2 ガスで充満され
る。したがって、ノズル孔先端部はＮ2 ガス雰囲気下に
おかれるため、ＣＯ2 ガスと反応することがなく、パー
ティクルの発生が防止される。また、ポンプ３９が作動
することによって洗浄液収容タンク４０から供給される
洗浄液Ｌが洗浄液供給口３７からノズルチップ２７に向
って噴射されることにより、ノズル孔先端部に付着した
処理液が洗い流される。
【００２３】したがって、処理液供給ノズル２１にはパ
ーティクルの付着がなく、次の処理液被着工程におい
て、ウエハＷの表面に均一に処理液を被着することがで
きると共に、ウエハＷの汚染を防止することができる。
また、処理液供給ノズル２１の待機中にノズル孔先端部
の洗浄がなされるので、ウエハＷの処理を効率良く行う
ことができる。
ーティクルの付着がなく、次の処理液被着工程におい
て、ウエハＷの表面に均一に処理液を被着することがで
きると共に、ウエハＷの汚染を防止することができる。
また、処理液供給ノズル２１の待機中にノズル孔先端部
の洗浄がなされるので、ウエハＷの処理を効率良く行う
ことができる。
【００２４】なお、処理液供給ノズル２１が待機手段３
０にて保持されて待機している間、処理液が被着された
ウエハＷはリンス液供給ノズル２２から供給されるリン
ス液（例えば純水）によってリンスが行われた後、リン
ス液の振り切りを行って処理は終了する。
０にて保持されて待機している間、処理液が被着された
ウエハＷはリンス液供給ノズル２２から供給されるリン
ス液（例えば純水）によってリンスが行われた後、リン
ス液の振り切りを行って処理は終了する。
【００２５】上記実施例では、洗浄機構４３の洗浄液供
給口３７がノズル保持体３２の側壁に設けて、ノズルチ
ップ２７の側方から洗浄液Ｌを噴射させる場合について
説明したが、必ずしも洗浄液をノズルチップ２７の側方
から噴射させる必要はなく、例えば図６に示すように、
ノズル保持体３２の開口部側に配設されてノズルチップ
２７を包囲する樋状液受部４４を設け、この液受部４４
内に洗浄液Ｌを溢流させてノズルチップ２７に付着する
処理液を洗浄する洗浄機構４３を設けることも可能であ
る。また、この場合、洗浄液Ｌに代えて処理液供給ノズ
ル２１から処理液を液受部４４内に供給して、上述と同
様に溢流させてノズルチップ２７に付着する処理液の劣
化によるパーティクルの発生を防止することも可能であ
る。なお、樋状液受部４４の底部には長手方向に沿って
適宜間隔をおいて排液用小孔４４ａが穿設されている。
この排液用小孔４４ａは洗浄後に液受部４４に残った洗
浄液Ｌあるいは処理液をノズル保持体３２の底部へ排出
するものである。
給口３７がノズル保持体３２の側壁に設けて、ノズルチ
ップ２７の側方から洗浄液Ｌを噴射させる場合について
説明したが、必ずしも洗浄液をノズルチップ２７の側方
から噴射させる必要はなく、例えば図６に示すように、
ノズル保持体３２の開口部側に配設されてノズルチップ
２７を包囲する樋状液受部４４を設け、この液受部４４
内に洗浄液Ｌを溢流させてノズルチップ２７に付着する
処理液を洗浄する洗浄機構４３を設けることも可能であ
る。また、この場合、洗浄液Ｌに代えて処理液供給ノズ
ル２１から処理液を液受部４４内に供給して、上述と同
様に溢流させてノズルチップ２７に付着する処理液の劣
化によるパーティクルの発生を防止することも可能であ
る。なお、樋状液受部４４の底部には長手方向に沿って
適宜間隔をおいて排液用小孔４４ａが穿設されている。
この排液用小孔４４ａは洗浄後に液受部４４に残った洗
浄液Ｌあるいは処理液をノズル保持体３２の底部へ排出
するものである。
【００２６】なお、図６において、その他の部分は上記
実施例と同じであるので、同一部分には同一符号を付し
てその説明は省略する。
実施例と同じであるので、同一部分には同一符号を付し
てその説明は省略する。
【００２７】上記実施例では被処理体が半導体ウエハの
場合について説明したが、必ずしも被処理体は半導体ウ
エハに限られるものではなく、例えばＬＣＤ基板あるい
はプリント基板等について同様に処理液を被着するもの
にも適用できるものである。また、上記実施例では処理
装置をレジスト塗布現像装置に適用した場合について説
明したが、レジスト塗布現像装置以外にも、例えばエッ
チング液塗布処理や磁性液塗布処理等を行う装置にも適
用できることは勿論である。
場合について説明したが、必ずしも被処理体は半導体ウ
エハに限られるものではなく、例えばＬＣＤ基板あるい
はプリント基板等について同様に処理液を被着するもの
にも適用できるものである。また、上記実施例では処理
装置をレジスト塗布現像装置に適用した場合について説
明したが、レジスト塗布現像装置以外にも、例えばエッ
チング液塗布処理や磁性液塗布処理等を行う装置にも適
用できることは勿論である。
【００２８】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置は上記のように構成されているので、以下のような
効果が得られる。
装置は上記のように構成されているので、以下のような
効果が得られる。
【００２９】１）請求項１記載の処理装置によれば、待
機手段に、処理液供給ノズルのノズル孔先端部を気密に
保持する内方空間を有するノズル保持体と、このノズル
保持体の内方空間内に開口する不活性ガス供給口と、こ
の不活性ガス供給口に接続する不活性ガス供給源とを具
備して、処理液供給ノズルのノズル孔先端部を不活性ガ
ス雰囲気に維持するので、処理工程を終えた処理液供給
ノズルのノズル孔先端部を不活性ガス雰囲気下におい
て、処理液とＣＯ2 ガスとの反応によるパーティクルの
発生を防止することができ、以後の処理工程における処
理液供給の均一化が図れると共に、被処理体の汚染を防
止することができる。
機手段に、処理液供給ノズルのノズル孔先端部を気密に
保持する内方空間を有するノズル保持体と、このノズル
保持体の内方空間内に開口する不活性ガス供給口と、こ
の不活性ガス供給口に接続する不活性ガス供給源とを具
備して、処理液供給ノズルのノズル孔先端部を不活性ガ
ス雰囲気に維持するので、処理工程を終えた処理液供給
ノズルのノズル孔先端部を不活性ガス雰囲気下におい
て、処理液とＣＯ2 ガスとの反応によるパーティクルの
発生を防止することができ、以後の処理工程における処
理液供給の均一化が図れると共に、被処理体の汚染を防
止することができる。
【００３０】２）請求項２〜４記載の処理装置によれ
ば、ノズル保持体に、処理液供給ノズルのノズル孔先端
部を洗浄する洗浄機構を具備するので、ノズル孔先端部
に付着する処理液あるいはパーティクルを洗浄により除
去することができ、上記１）に加えて更に処理液供給の
均一化が図れると共に、被処理体の汚染を防止すること
ができる。
ば、ノズル保持体に、処理液供給ノズルのノズル孔先端
部を洗浄する洗浄機構を具備するので、ノズル孔先端部
に付着する処理液あるいはパーティクルを洗浄により除
去することができ、上記１）に加えて更に処理液供給の
均一化が図れると共に、被処理体の汚染を防止すること
ができる。
【図１】この発明の処理装置をレジスト塗布現像装置に
適用した一実施例を示す概略平面図である。
適用した一実施例を示す概略平面図である。
【図２】この発明の処理装置の概略平面図である。
【図３】この発明の処理装置の要部を示す断面図であ
る。
る。
【図４】図３の III−III 線に沿う断面図である。
【図５】処理液供給ノズルの使用状態を示す概略縦断面
図である。
図である。
【図６】この発明の処理装置の別の実施例の要部を示す
断面図である。
断面図である。
２１ 処理液供給ノズル ２６ ノズル孔 ２７ ノズルチップ ３０ 待機手段 ３２ ノズル保持体 ３３ 内方空間 ３４ 不活性ガス供給口 ３６ 不活性ガス供給源 ３７ 洗浄液供給口３８ 開閉バルブ ３９ ポンプ ４０ 洗浄液収容タンク ４３ 洗浄機構 ４４ 液受部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥村 勝弥 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式 会社東芝多摩川工場内 (56)参考文献 特開 平５−6854（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 B05C 5/00 B05C 11/08
Claims (4)
- 【請求項１】 被処理体の表面に処理液を滴下するノズ
ル孔を有する処理液供給ノズルと、不使用時の上記処理
液供給ノズルを保持する待機手段とを具備する処理装置
において、 上記待機手段は、上記処理液供給ノズルのノズル孔先端
部を気密に保持する内方空間を有するノズル保持体と、
このノズル保持体の内方空間内に開口する不活性ガス供
給口と、この不活性ガス供給口に接続する不活性ガス供
給源とを具備して、上記処理液供給ノズルのノズル孔先
端部を不活性ガス雰囲気に維持することを特徴とする処
理装置。 - 【請求項２】 ノズル保持体に、内方空間に気密に保持
される処理液供給ノズルのノズル孔先端部を洗浄する洗
浄機構を具備してなることを特徴とする請求項１記載の
処理装置。 - 【請求項３】 洗浄機構は、内方空間内のノズル孔先端
部に向かって洗浄液を選択的に吐出する洗浄液供給手段
を具備することを特徴とする請求項２記載の処理装置。 - 【請求項４】 洗浄機構は、内方空間の底部に洗浄液を
排出する排出口を具備することを特徴とする請求項２又
は３記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4018372A JP3013009B2 (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4018372A JP3013009B2 (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06318543A JPH06318543A (ja) | 1994-11-15 |
| JP3013009B2 true JP3013009B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=11969880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4018372A Expired - Fee Related JP3013009B2 (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3013009B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3391963B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2003-03-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | ノズル待機装置 |
| JPH1199354A (ja) | 1997-09-27 | 1999-04-13 | Tdk Corp | 回転式塗布方法及び塗布装置 |
| JP5442232B2 (ja) * | 2008-10-01 | 2014-03-12 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 薬液吐出用ノズルの待機ポット及び薬液塗布装置並びに薬液塗布方法 |
| KR102493572B1 (ko) * | 2015-12-14 | 2023-02-01 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 위치 안내 방법 |
-
1992
- 1992-01-08 JP JP4018372A patent/JP3013009B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06318543A (ja) | 1994-11-15 |
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