JP3240296B2 - レジスト塗布装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はレジスト塗布装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体製造工程にあっては、被
処理基板、例えば半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板上
にフォトリソグラフィー技術を用いて所定の回路パター
ンの転写を行っており、このような工程にあっては、基
板上に感光剤であるフォトレジスト液を塗布するための
レジスト塗布装置が用いられている。このような塗布装
置は、レジスト液収容部に貯留されているレジスト液を
例えばベローズポンプ等を用いて圧送し、これをノズル
から半導体ウエハ表面上に所定のレジスト液を吐出さ
せ、この後、スピンチャックによりウエハを高速回転さ
せてレジスト液をウエハ表面全面に拡散させ、均一なコ
ーティング膜を得るようになっている。この場合、コー
ティングに使用するノズルは、不使用時には例えばスピ
ンチャックの側部に設けられたソルベントバスを有する
待機部に待機されており、レジスト液は揮発性溶媒に溶
解されていることから固化を防止するためにノズル先端
は溶媒中或いは溶媒蒸気中に浸漬されている。そして、
コーティング時には、ノズル中に残留している乾燥気味
のレジスト液を廃棄するいわゆるダミーディスペンスを
直前に行って、引き続きコーティング処理を行うように
なっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、レジスト液
としては製品の多様化に対応して、例えば高粘度であっ
て溶媒に溶けにくいＰＩＱ（ポリイミド系）レジスト液
や粘度は低いが結晶化し易く一旦結晶化すると溶けにく
いＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ）レジスト液等
が使用される場合がある。しかしながらこれらのレジス
ト液は、ノズル先端をソルベントバスにて溶媒中或いは
溶媒蒸気中に浸漬させているとはいえ、一旦結晶固化す
ると非常にとれにくくなり、しかも、ダミーディスペン
スを行った際に飛ばされた結晶が待機部内ではね返って
再度ノズルに付着し、パーティクルの発生原因になると
いう改善点を有していた。また、待機部のソルベントバ
スに飛ばされたレジスト液の結晶などが推積し、これを
例えばフッ酸等により頻繁に洗浄しなければならないと
いう改善点も有していた。

【０００４】更には、レジスト液の吐出方式としてベロ
ーズポンプを採用した場合にはこの中に残留するレジス
ト液が固化する傾向となり、塗膜に悪影響を及ぼすとい
う改善点を有していた。そこでこのベローズポンプ方式
に代えてＮ₂ ガス加圧によるレジスト吐出方式が検討さ
れている。このＮ₂ ガスレジスト吐出方式は図７に示す
ように構成されている。すなわち、供給するレジスト液
を収容するレジスト液収容部は、ガラス製のレジスト収
容容器２の開口部４に例えばテフロン（登録商標）製Ｏ
リング等よりなるシール部材６を介設して蓋体８を螺合
させて内部にレジスト液１０を収容し、加圧したＮ₂ ガ
スによりレジスト液１０をノズル側へ圧送するように構
成されている。しかしながら、この場合にはシール部材
６の一部にリークが発生していると、その部分から加圧
気体（Ｎ₂ ）のみならず溶媒蒸気１２も洩出してしま
い、その結果、レジスト液の粘度が上昇してウエハ上に
塗布されるレジスト膜の膜厚が経時変化してしまうとい
う改善点を有していた。本発明は、以上のような問題点
に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものであ
る。本発明の目的は、レジスト液の粘性の変化に伴うレ
ジスト膜の膜厚が継時変化することを防止することがで
きるレジスト塗布装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】

【０００６】本発明は、上記問題点を解決するために、
揮発性溶媒に溶解されたレジスト液を貯留するレジスト
液収容部から供給されたレジスト液を液供給ノズルから
被処理基板上に供給して塗布するレジスト塗布装置にお
いて、前記レジスト液収容部の開口部に所定の間隔を隔
てて設けた複数のシール部材を介して蓋体を設け、前記
シール部材間に形成される空間部に加圧気体を供給する
加圧気体供給通路を形成すると共に前記空間部と前記レ
ジスト液収容部内とを連通する連通路を形成し、加圧気
体供給通路から供給される加圧気体により前記レジスト
液を圧送するように構成したものである。

【０００７】

【作用】

【０００８】本発明によれば、レジスト液収容部の開口
部に蓋体を装着する際に設けた複数、例えば２つのシー
ル部材により区画形成される空間部に加圧気体供給通路
を介して加圧気体を供給することにより、この加圧気体
は連通路を介して収容部側へ導入される。導入された加
圧気体の圧力によりレジスト液はノズル側へ圧送される
ことになり、また、シール部材の一部に洩れが生じて
も、そこから大気中へ洩れるのは加圧気体だけであり、
溶媒蒸気が大気中へ洩れることを防止することができ
る。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るレジスト塗
布装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１
は本発明に係るレジスト塗布装置の一実施例を示す概略
全体構成図、図２は本発明の塗布装置が配置された基板
処理システムの構成を示す図、図３は図１に示す塗布装
置の塗布ユニットの平面図、図４はレジスト塗布ユニッ
トの要部を示す要部断面図、図５は本発明装置に用いる
レジスト液収容部を示す断面図である。

【００１０】まず、本発明に係るレジスト塗布装置１４
が配置される基板処理システム１６について説明する。
この基板処理システム１６は、その一側に被処理基板と
して例えば半導体ウエハＷを収容する複数のカセット１
８を載置可能に構成したキャリアステーション２０を有
し、この中央部には基板の搬入・搬出及び基板の位置決
めを行いつつこれを保持してメインアーム２２との間で
受け渡しを行う補助アーム２４が設けられている。この
メインアーム２２は、基板処理システム１６の中央部に
てその長さ方向に移動可能に２基設けられており、この
移送路の両側に各種処理装置が配置されている。具体的
には、この処理装置としてはキャリアステーション２０
側の側方には、半導体ウエハをブラシ洗浄するためのブ
ラシスクラバ２６及び高圧ジェット水により洗浄を施す
ための高圧ジェット洗浄機２８等が並設されると共に、
メインアームの移送路の反対側には現像装置３０が２基
並設され、その隣には、２基の加熱装置３２が積み重ね
て設けられている。

【００１１】更に、この機器の側方には、接続用ユニッ
ト３４を介して、半導体ウエハにフォトレジストを塗布
する前にこれを疎水化処理するアドヒージョン装置３６
が設けられ、この下方にはクーリング装置３８が配置さ
れている。この装置３６、３８の側部には加熱装置３２
が２列で２個ずつ積み重ねるように配置されている。ま
た、メインアームの移送路を挟んでこれら加熱装置３２
やアドヒージョン装置３６等の反対側には半導体ウエハ
にフォトレジスト液を塗布する本発明に係るレジスト塗
布装置１４が２台並設されている。尚、図示されてない
がこれらレジスト塗布装置１４の側部には、レジスト膜
に所定の微細パターンを露光するための露光装置等が設
けられる。

【００１２】このように構成された基板処理システム１
６に組み込まれる本発明のレジスト塗布装置１４は、図
１に示すように被処理基板として例えば半導体ウエハＷ
にレジスト液４０を実際に塗布するレジスト塗布ユニッ
ト４２とこのユニット４２にレジスト液収容部４４から
レジスト液４０を供給するレジスト供給ユニット４６と
により主に構成されている。このレジスト塗布ユニット
４２は、半導体ウエハＷを真空チャックにより吸着可能
に保持し、且つ駆動モータ４８により回転可能になされ
た上下動可能なスピンチャック５０を有しており、この
スピンチャック５０の周辺部には、レジスト液塗布時に
飛散するレジスト液やサイドリンス時に飛散するリンス
液を受け取るカップ５２が設けられている。

【００１３】このカップ５２の底部は、廃液を一側に集
めるために傾斜されており、この傾斜端部には廃液を排
出するための排液配管５４が接続されると共に他端部に
はカップ５２内の雰囲気を排出するための排気配管５６
が接続されており、その雰囲気は図示しないミストトラ
ップを経て排出される。上記カップ５２の側部には、レ
ジスト液塗布後にウエハ周縁部のレジストを溶解除去す
るサイドリンス部５８が設けられると共にスピンチャッ
ク５０を挟んでその反対側にはレジスト液を吐出する液
供給ノズル６０を待機させるノズル待機部６２とレジス
ト液のダミー吐出を行うダミー吐出部６４が並設されて
いる。

【００１４】本実施例にあってはノズル待機部６２は、
２個隣接されており、これらは案内レール６６上を例え
ば図示しないエアシリンダ等を駆動源として一体的に移
動し得るように構成されている。そして、それぞれのノ
ズル待機部６２には、異なる種類のレジスト液を吐出す
るための液供給ノズル６０が待機されている。尚、図１
にあっては１つのノズルのみを記す。これに対して、ダ
ミー吐出部６４はカップ５０の外側に固定的に設けられ
る。そして、この液供給ノズル６０は、搬送レール６８
に沿って移動可能になされた把持アーム７０により把持
されてダミー吐出部６４、スピンチャック５０に向けて
往復移動可能になされる。また、この把持アーム７０
は、ノズルを把持するために上下方向にも移動可能にな
されている。

【００１５】一方、上記ノズル待機部６２は、レジスト
液を溶解する溶媒７２を途中まで収容した、例えばステ
ンレスやポリプロピレン等よりなるソルベントバス７４
を有しており、このバス７４は、待機部基台７６にボル
ト７８により着脱自在に取り付けられている。このバス
７４及び基台７６の底部には、溶媒７２を導入する導入
通路８０が貫通させて設けられると共にこの導入通路８
０には、図示しない溶媒源に連結されたフレキシブルな
溶媒導入管８２が接続されている。また、バス７４の高
さ方向の中央部にはこれと基台７６を貫通させてオーバ
ーフローした溶媒を排出する排出通路８４が設けられる
と共にこの排出通路８４にはフレキシブルな溶媒排出管
８６が接続されている。

【００１６】このソルベントバス７４の上端開口部は、
液供給ノズル６０のノズル本体８８の下端部によりこれ
を被うようになされており、この時、ノズル部９０は溶
媒７２の蒸気中に浸漬されるか或いはその先端を溶媒７
２中に浸漬させる。溶媒７２中に浸漬させるか否かは、
使用するレジスト液に依存し、例えばレジスト液として
ＰＩＱを使用する場合はノズル部の下端部を溶媒中に浸
漬させ、ＳＯＧの場合にはその下端部を溶媒中には浸漬
させないで全体を溶媒蒸気中に位置させる。このノズル
本体８８には、レジスト供給ユニット４６からのフレキ
ジブルなレジスト液移送管９２が接続されると共に把持
アーム７０により把持される把持用突起９４が形成され
る。また、このノズル本体８８には、一端がノズル部９
０の外周に連結され、他端には洗浄液チューブ８９が接
続された洗浄液流路９１が形成されている。

【００１７】そして、ダミー吐出部６４は、少なくとも
ノズル部９０を収容し得る大きさの開口部を上端に備え
た肉厚中空のダミー吐出ユニット９６を有しており、こ
のユニット９６は吐出部基台１００にボルト１０２によ
り着脱自在に取り付けられている。このユニット９６は
例えばステンレスやポリプロピレン等により構成され、
その下端部には、基台１００を貫通させて排出口１０４
が形成されており、この排出口１０４には液排出管１０
６が接続されている。そして、このダミー吐出ユニット
９６の中空部の下部の内壁にはその全周方向に沿って溶
媒を流下させるための溶媒放出部１０８が形成されてい
る。具体的には、この溶媒放出部１０８は、中空ダミー
吐出ユニット９６の内壁にその周方向に沿って形成され
た溶媒貯留溝１１０より成り、この溝１１０のユニット
中心側には環状の堰１１２が設けられており、溝内に貯
留した溶媒１１４を必要に応じて堰１１２からオーバフ
ローさせて吐出ユニット９６の内壁全周から溶媒を流下
し得るように構成されている。この貯留溝１１０には、
ダミー吐出ユニット９６及び吐出部基台１００を貫通さ
せて設けた導入通路１１６が接続されると共にこの導入
通路１１６には図示しない溶媒源に連結されたフレキシ
ブルな溶媒導入管１１８が接続されている。

【００１８】一方、液供給ノズル６０のノズル部９０に
対応するダミー吐出ユニット９６の内壁部分にはノズル
部９０を乾燥させるために窒素ガス等の乾燥気体を噴出
するための気体噴出口１２０が形成されると共にこの気
体噴出口１２０からは他端にフレキシブルな気体供給管
１２２が接続された気体導入通路１２４が上記ユニット
等を貫通させて設けられている。また、ノズル部９０を
挟んで気体噴出口１２０の反対側には気体排出口１２４
が形成されており、これには気体排出通路１２６及びフ
レキシブルな気体排出管１２８が順次接続されており、
この排出管１２８に介設した図示しないエゼクタ（空気
圧式真空装置）により強制排気するように構成されてい
る。一方、レジスト供給ユニット４６は、レジスト液収
容部４４として上端部が開口されたガラス製容器１３０
を有しており、この内部には溶媒により溶解されたレジ
スト液４０が収容されている。

【００１９】そして、図５に示すように、容器１３０の
開口部は溶媒に対して耐腐食性の大きな材料、例えばテ
フロンよりなる蓋体１３２が螺合させて取り付けられて
いる。この場合、開口部の周縁部上端と蓋体８の下面
（周縁部上端と対向する面）及び開口部の周縁部内側面
と蓋体８の内側凸部１３４の側面（周縁部内側面と対向
する面）との間には所定の間隔を隔てて例えばテフロン
製のＯリングよりなる２つのシール部材１３６、１３８
が介設されており、これらシール部材１３６、１３８間
には空間部１４０が形成されている。これらシール部材
１３６、１３８により開口部が完全に密閉されて溶媒蒸
気が容器外へ洩出しなければ何ら問題は生じないが、実
際においてはシール部材の不備等により溶媒蒸気の洩出
の可能性が必ず存在する。そのため、本実施例にあって
は、上記蓋体１３２を貫通させて上記リング状の空間部
１４０に連通する例えば配管を使用した加圧気体供給通
路１４２が形成されており、この通路１４２を介して図
示しない窒素ガス源より所定の圧力、例えば１．５気圧
程度の加圧気体を供給するように構成されている。

【００２０】更に、蓋体１３２の凸部１３４には、上記
空間部１４０とレジスト液収容部すなわちガラス製容器
１３０内の上部とを連通するための連通路１４４が形成
されており、空間部１４０内へ導入した加圧気体Ｇを容
器１３０内へ導入し、この圧力により、容器内の底部ま
で挿入したレジスト液移送管９２を介してレジスト液４
０を圧送し得るように構成されている。従って、加圧気
体Ｇの流れの上流側である空間部１４０内へは溶媒蒸気
が流入せず、上側のシール部材１３６から大気中へ洩出
するガスは窒素ガスだけとなり溶媒蒸気が大気中へ洩出
することがない。このレジスト液移送管９２には、途中
に開閉弁１４６が介設されると共に液を供給側に引き戻
すためのサックバック部１４８が分岐させて接続されて
いる。また、加圧気体供給通路１４２には、フィルタ１
５０及び開閉弁１５２が順次介設されてＮ₂ ガス源に接
続されている。

【００２１】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、被処理基板としての半導
体ウエハＷはキャリアステーション２０のカセット１８
から補助アーム２４を介して搬送されてメインアーム２
２に受け渡され、これをブラシスクラバ２６内に搬送す
る。このスクラバ２６内にてブラシ洗浄されたウエハＷ
は引続いて乾燥される。尚、ブラシ洗浄の代わりに必要
に応じて高圧ジェット洗浄機２８内にて高圧ジェット水
により洗浄される。この後、ウエハＷは、アドヒージョ
ン処理装置３６にて疎水化処理が施され、クーリング装
置３８にて冷却された後、本発明のレジスト塗布装置１
４にてレジスト液すなわち感光膜が塗布形成される。そ
して、このフォトレジストが加熱装置３２にて加熱され
てベーキング処理が施された後、図示しない露光装置に
て所定のパターンが露光される。そして、露光後フォト
レジスト現像装置３０内へ収容し、ここで現像液により
現像処理した後にリンス液により現像液を洗い流し、現
像処理を完了する。

【００２２】その後、処理済みのウエハＷはキャリアス
テーション２０のカセット１８内に収納されたのち搬出
されて次の処理工程に向けて移送されることになる。こ
こで、上記レジスト塗布装置１４内におけるレジスト液
４０のコーティング操作を詳述すると、まず、メインア
ーム２２により半導体ウエハＷをスピンチャック５０上
に載置してこれを吸引保持する。コーティング操作を行
わない場合には、液供給ノズル６０をノズル待機部６２
へ載置してノズル部９０をソルベントバス７４内の溶媒
７２中または溶媒蒸気中に浸漬させておき、このノズル
部９０にレジスト液が結晶化して付着することを極力回
避する。

【００２３】次に、コーティング操作を行う場合には、
まず、把持アーム７０（図３参照）を操作することによ
ってノズル待機部６２に位置する液供給ノズル６０を図
４中の実線にて示すようにダミー吐出部６４のダミー吐
出ユニット９６の上端部に設置する。この状態で前記レ
ジスト供給ユニット４６側からレジスト液移送管９２を
介して一時的にレジスト液４０を供給し、液供給ノズル
６０内に存在する乾燥気味のレジスト液を吐出させ、ダ
ミーディスペンスを行う。この時、同時に洗浄液チュー
ブ８９を介して溶媒よりなる洗浄液を供給してノズル部
９０の外面の洗浄を行い、これに付着して結晶化してい
るレジストを除去する。この場合、溶媒放出部１０８の
溶媒貯留溝１１０に満たした溶媒１１４をオーバフロー
させ、液排出管１０６の内壁に付着しているレジスト液
及びこの結晶を洗い流す。

【００２４】本実施例にあっては、内壁全周に渡って溶
媒１１４を流下させるようにしているので粘性の高い或
いは低いレジスト液にあってもレジスト液等を確実に洗
い流すことができ、また、ダミーディスペンスにより吹
き飛ばされた結晶が再度ノズル部９０に付着することも
ない。更には、上記した理由により、液排出管１０６の
内壁に付着するレジスト液は全周に沿って洗い流される
ので、これが残留結晶化して管を閉塞することも防止で
きる。このような溶媒のオーバフローによる洗浄は、ダ
ミーディスペンス時のみならず、定期的或いは不定期的
に行うようにしてもよい。

【００２５】また、このダミーディスペンス時にノズル
部９０の洗浄が終了したならば、気体噴出口１２０から
窒素ガス等をノズル部９０の外周に吹き付け、この部分
の溶媒を乾燥させた後、コーティングへ移行する。これ
により、ウエハ上にて溶媒がボタ落ちすることを防止す
ることが可能となる。また、この時の排気は、エジェク
タ等を有する気体排気管１２８により強制的に行うので
飛散したパーティクルも効率的に排除することができ
る。特に、レジスト液としてＰＩＱを使用する場合には
ノズル部先端５ｍｍ程度を待機中に溶媒中に浸漬させて
おくが、この溶媒を乾燥させる時に上記窒素ブローは大
きな効果を発揮する。

【００２６】このようにして、ダミーディスペンス操作
が終了したならば、液供給ノズル６０をウエハＷの中心
部上方に位置させ、この上に所定量のレジスト液を供給
し、ウエハＷを例えば２０００ｒｐｍで高速回転させる
ことによりレジスト液を遠心力で分散させてコーティン
グを施す。このようにコーティングを終了したならば、
液供給ノズル６０をノズル待機部６２に戻すのである
が、好ましくはその前にダミー吐出部６４にてノズル部
９０の外周を洗浄し、その後ノズル待機部６２に戻す。
これによれば、ノズル部９０を常に清浄な状態にでき、
レジスト液の結晶化に伴うパーティクルの付着を一層確
実に防止することができる。また、ダミー吐出ユニット
９６やソルベントバス７４にレジスト液の結晶が付着し
た場合には、それぞれを取り付けているボルト７８、１
０２を緩めることにより容易に取り外して洗浄すること
ができ、メンテナンス性も良好となる。

【００２７】一方、上記レジスト塗布ユニット４２へレ
ジスト液を供給する場合（ダミーディスペンス時も含
む）には、レジスト供給ユニット４６の加圧気体供給通
路１４２から、例えば１．５気圧程度の加圧気体、例え
ば窒素ガスを供給するのであるが、この供給された窒素
ガスはまず２つのシール部材１３６、１３８間に形成さ
れる空間部１４０に流入し、これより連通路１４４を介
してガラス容器１３０内に入り、このガス圧によりレジ
スト液４０が圧送されることになる。この場合、両シー
ル部材１３６、１３８のシール性が不完全であってもガ
ラス容器１３０外の大気と接する側のシール部材１３６
がシール部材１３８に対して窒素ガス流の上流側である
ためにシール部材１３６からは主に窒素ガスのみが大気
側へ洩出することになり、しかも、ガラス製容器１３０
内の溶媒蒸気が空間部１４０に洩出することがない。従
って、溶媒蒸気が大気中へ洩出することを阻止すること
ができるので、容器内のレジスト液の粘性が経時変化す
ることを確実に防止することができる。特に、大気側の
シール部材１３６に供給通路１４２の導入口を近づけ、
容器内部側のシール部材１３８に連通路１４４のガス流
通口を近付けることにより、上記した溶媒蒸気の外気中
への洩出防止効果を一層向上させることができる。

【００２８】尚、上記した実施例にあっては蓋体１３２
の凸部１３４に連通路１４４を設けたが、図６に示すよ
うにこれを設けずに、蓋体１３２を貫通させてガス製容
器１３０内に延びる第１の加圧気体供給通路１５４を形
成するようにしてもよい。この実施例では図５に示す加
圧気体供給通路１４２は上記第１の加圧気体供給通路１
５４となる。また、空間部１４０への気体の供給は第２
の加圧気体供給通路１５５により行う。このような場合
においては、第１の加圧気体供給通路１５４から供給さ
れる加圧気体、例えば１．５気圧の窒素ガスのガス圧に
よりレジスト液４０は塗布ユニット４２に向けて圧送さ
れることになる。この場合、第２の加圧気体供給通路１
５５に供給する加圧気体の圧力が第１の加圧気体供給通
路１５４に供給する加圧気体の圧力よりも過度に大き過
ぎると容器内側のシール部材１３８のシール性が不備な
場合にはガラス容器１３０内に窒素ガスが漏れ溶媒蒸気
が第１の加圧気体供給通路１５４を逆流してしまう。そ
のため、これらの加圧気体の圧力を等しくするか或い
は、第２の加圧気体供給通路１５５への加圧気体の圧力
の方を僅かに高く設定しておく。これにより、大気側シ
ール部材１３６のシール性が不備な場合には、大気中へ
洩出するガスは窒素ガスだけとなり、前述と同様に溶媒
蒸気が大気中へ洩出することを確実に防止することがで
きる。以上の実施例にあっては、被処理基板として半導
体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、
例えばＬＣＤ用ガラス基板の塗布装置にも本発明を適用
し得るのは勿論である。

【００２９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のように優れた作用効果を発揮することができる。レジ
スト液収容部のシール部材間に形成した空間部へ加圧気
体を供給し、この圧力を収容部内へ導いてレジスト液を
圧送するようにしたので、シール不備が生じてもシール
部材から大気中に洩出するのは加圧気体だけで溶媒蒸気
が大気中へ洩出することを防止でき、従って、レジスト
液の粘度が経時変化するのを阻止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るレジスト塗布装置の一実施例を示
す概略全体構成図である。

【図２】本発明の塗布装置が配置された基板処理システ
ムの構成を示す図である。

【図３】図１に示す塗布装置の塗布ユニットの平面図で
ある。

【図４】レジスト塗布ユニットの要部を示す要部断面図
である。

【図５】本発明装置に用いるレジスト液収容部を示す図
である。

【図６】本発明装置に用いるレジスト液収容部の変形例
を示す断面図である。

【図７】レジスト塗布装置の従来のレジスト液収容部を
示す断面図である。

【符号の説明】

１４ レジスト塗布装置 ４０ レジスト液 ４２ レジスト塗布ユニット ４４ レジスト液収容部 ４６ レジスト供給ユニット ５０ スピンチャック ５２ カップ ６０ 液供給ノズル ６２ ノズル待機部 ６４ ダミー吐出部 ７２、１１４ 溶媒 ７４ ソルベントバス ９０ ノズル部 ９６ ダミー吐出ユニット １０８ 溶媒放出部 １１０ 溶媒貯留溝 １１２ 堰 １３２ 蓋体 １３６、１３８ シール部材 １４０ 空間部 １４２ 加圧気体供給通路 １４４ 連通路 １５４ 第１の加圧気体供給通路 １５５ 第２の加圧気体供給通路 Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−232127（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 B05C 5/00 101 B05C 11/10

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 揮発性溶媒に溶解されたレジスト液を貯
   留するレジスト液収容部から供給されたレジスト液を液
   供給ノズルから被処理基板上に供給して塗布するレジス
   ト塗布装置において、前記レジスト液収容部の開口部に
   所定の間隔を隔てて設けた複数のシール部材を介して蓋
   体を設け、前記シール部材間に形成される空間部に加圧
   気体を供給する加圧気体供給通路を形成すると共に前記
   空間部と前記レジスト液収容部内とを連通する連通路を
   形成し、加圧気体供給通路から供給される加圧気体によ
   り前記レジスト液を圧送するように構成したことを特徴
   とするレジスト塗布装置。