KR100897428B1

KR100897428B1 - 기판세정장치 및 기판세정방법

Info

Publication number: KR100897428B1
Application number: KR1020020067352A
Authority: KR
Inventors: 케이조히로세; 켄지세키구치
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2001-11-01
Filing date: 2002-11-01
Publication date: 2009-05-14
Also published as: US7364626B2; KR20030036087A; US20030079764A1; TW561516B

Abstract

본 발명은 기판세정장치 및 기판세정방법에 관한 것으로, 2유체노즐(36)에서 토출된 세정액이 컵(CP) 내측에서 튀어나와, 미스트상태가 되어 웨이퍼(W)의 중심측을 향해 비산하지만, 린스노즐(35)에 의해 린스액을 웨이퍼(W)에 공급하여 수막(51)을 형성하고 있기 때문에, 수막(51) 상에 미스트가 부착되어도 웨이퍼면에 직접 미스트가 부착되는 것은 아니므로, 미스트에 포함되는 파티클이 웨이퍼(W) 상에 부착되는 것을 방지할 수 있고, 웨이퍼(W)에 대한 악영향을 방지할 수 있다. 따라서, 친수성 또는 소수성 중 어느 하나의 기판에 관계없이 기판상에의 파티클 부착을 방지할 수 있는 기판세정장치, 기판세정방법을 제공할 수 있다.

Description

기판세정장치 및 기판세정방법{SUBSTRATE CLEANING APPARATUS AND SUBSTRATE CLEANING METHOD}

도 1 은 본 발명의 하나의 실시예에 관한 도포현상처리 시스템의 평면도이다.

도 2 는 도 1에 도시하는 도포현상처리 시스템의 정면도이다.

도 3 은 도 1에 도시하는 도포현상처리 시스템의 배면도이다.

도 4 는 본 발명의 하나의 실시예에 관한 세정처리 유닛의 평면도이다.

도 5 는 도 4에 도시하는 세정처리 유닛의 X방향에서 본 단면도이다.

도 6 은 도 4에 도시하는 세정처리 유닛의 Y방향에서 본 단면도이다.

도 7 은 하나의 실시예에 관한 2유체노즐의 단면도이다.

도 8 은 하나의 실시예에 관한 세정처리공정을 도시하는 플로도이다.

도 9A, 도 9B, 도 9C, 도 9D 는 하나의 실시예에 관한 세정처리공정을 순서대로 도시하는 측면도이다.

도 10 은 린스액 공급의 유무로 친수성 웨이퍼의 파티클 제거율을 비교한 도이다.

도 11 은 린스액 공급의 유무로 소수성 웨이퍼의 파티클 제거율을 비교한 도이다.

도 12 는 린스액 공급의 유무로 친수성 웨이퍼의 파티클 증가율을 비교한 도이다.

도 13 은 린스액 공급의 유무로 소수성 웨이퍼의 파티클 증가율을 비교한 도이다.

도 14A, 도 14B, 도 14C 는 웨이퍼 중심부와 주연부에 있어서, 린스유량, 린스노즐 이동속도 또는 웨이퍼회전수를 각각 가변한 경우의 각 수치의 일례를 도시하는 도이다.

도 15 는 2유체노즐과 제 2 린스노즐을 사용한 경우의 측면도이다.

도 16A, 도 16B 는 도 15에 있어서, 2유체노즐의 이동도중부터 린스를 공급한 경우의 측면도이다.

도 17A, 도 17B 는 2유체노즐을 토출각도를 가변한 경우의 측면도이다.

도 18 은 제 1 및 제 2 린스노즐의 양쪽을 사용한 경우의 측면도이다.

도 19 는 하나의 실시예에 관한 세정처리 시스템의 전체구성을 도시한 평면도이다.

도 20 은 도 19에 도시하는 세정처리 시스템의 전체구성을 도시한 정면도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1 : 도포현상 처리시스템 10 : 카세트 스테이션

11 : 처리 스테이션 12 : 인터페이스부

20 : 카세트 재치대 20a : 돌기

21 : 웨이퍼 반송체 22 : 주웨이퍼 반송기구

23 : 주변노광장치 24 : 웨이퍼 반송체

25 : 레일 W : 웨이퍼

이 발명은, 반도체 디바이스의 제조에 있어서, 반도체 웨이퍼기판을 세정하는 기판세정장치 및 기판세정방법에 관한 것이다.

반도체 디바이스의 제조에 있어서는 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라 한다.)의 표리면, 특히 반도체 디바이스가 형성되는 웨이퍼의 표면 청정도를 높게 유지할 필요가 있고, 이 때문에 여러가지 제조프로세스 전후에 웨이퍼의 표리면 세정이 이루어지고 있다.

특히 포토리소그래피 공정에 있어서는 웨이퍼의 표리면 세정은 불가결하고, 예를 들면, 세정액의 비산을 방지하거나 사용후의 세정액을 수집하여 폐기하거나 하기 위한 컵 내에 웨이퍼를 수용하고, 이 컵 내에서 웨이퍼를 회전시키고 그 웨이퍼상면에 세정액을 공급하면서, 회전하는 브러시를 웨이퍼 상면에 직접 접촉하면서 웨이퍼의 중심부와 주연부간에서 왕복이동시키므로써, 웨이퍼 상면에 부착된 파티클 등의 오염물질을 제거하는 스크럽세정이 이루어지고 있다.

또, 최근에는 이 스크럽세정에 있어서, 회전브러시에 의한 세정뿐 아니라 예를 들면 웨이퍼상에 초음파세정수와, 불활성 가스와 순수를 혼합한 혼합유체(2 유체) 등을 노즐로 제트분사하고, 보다 미세한 파티클을 제거하게 하고 있다.

그러나, 초음파세정수와 2유체 등의 세정액을 제트분사하여 웨이퍼를 세정하는 경우, 특히 웨이퍼를 수용한 컵의 내벽면에서 제트분사의 세정수가 미스트상이 되어 튀어나오므로써, 상기 컵의 내벽면에 부착된 파티클 등을 흩뿌리고, 이렇게 흩뿌려진 파티클이 웨이퍼에 부착된다. 즉, 본래 컵은, 웨이퍼세정 중에 세정액이 주위에 비산하는 것을 방지하거나, 세정액이 컵의 내벽면을 따라 아래쪽으로 흘러 떨어지는 기능을 갖고 있지만, 초음파세정수와 2유체 등의 세정수를 사용한 경우, 이 세정수는 유량이 많고 분사력이 강하므로, 컵 내벽면에서 튀어나와버린다.

이 경우, 예를 들면 처리대상인 웨이퍼가 친수성 웨이퍼인 경우에는 웨이퍼에 부착된 파티클을 포함하는 세정액의 웨이퍼표면에 대한 접촉각이 작고, 상기 세정액은 파티클과 함께 웨이퍼에서 흘러 떨어지기 쉬운 상태가 되므로 문제는 없다. 그러나 처리대상인 웨이퍼가 소수성 웨이퍼인 경우에는 접촉각이 크고 젖음성이 나쁘므로, 세정액의 토출도중임에도 불구하고 웨이퍼면이 노출되고, 웨이퍼면에 직접 미스트상의 파티클이 부착되어 버리고 이것을 제거할 수 없다.

이 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 친수성 또는 소수성중 기판 어느 쪽이라도 상기 기판상에의 파티클 부착을 방지할 수 있는 기판세정장치 및 기판세정방법을 제공하는 데에 있다.

상기 목적을 달성하기 위해서는 청구항 제 1 항 기재의 발명은, 기판을 회전가능하게 유지하는 회전유지부와, 회전하는 기판상을 지름방향으로 이동가능하게 설치되고, 세정액을 토출하는 세정노즐과, 상기 세정노즐에 의한 세정시에 기판상에 액체를 공급하고 기판상에 액막을 형성하는 액체공급노즐을 구비하는 것을 특징으로 한다. 이러한 구성에 따르면, 기판상에 친수성 액막을 형성시키면서 세정액을 토출하여 세정을 하고 있으므로, 예를 들면 소수성 기판을 사용한 경우에서, 이 기판을 컵 내에 수용하여 세정처리를 하는 경우에는, 이 컵에서 튀어나오는 세정액의 미스트가 상기 친수성 액막상에 부착되고, 이 미스트에 포함되는 파티클은 회전하는 기판의 원심력에 의해 액막과 함께 기판 바깥으로 배출된다. 이에 의해 직접 기판상에 파티클이 부착되는 것을 방지할 수 있다.

청구항 제 2항 기재의 발명은, 상기 액체공급 노즐에 의해 기판상에 공급되는 액체는 상기 세정노즐보다 기판의 회전중심측으로 공급되는 것을 특징으로 한다.

청구항 제 3 항 기재의 발명은, 상기 세정노즐이 상기 기판의 주연부 부근으로 이동했을 때에, 상기 액체공급 노즐에 의한 액체 공급을 개시하도록 제어하는 제어장치를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.

청구항 제 4 항 기재의 발명은, 상기 기판은 소수성 웨이퍼인 것을 특징으로 한다.

청구항 제 5 항 기재의 발명은, 상기 액체공급 노즐에 의해 기판상에 공급되는 액체는 린스액인 것을 특징으로 한다.

청구항 제 6 항 기재의 발명은, 상기 액체공급노즐에 의해 공급되는 린스액은 순수인 것을 특징으로 한다.

청구항 제 7 항 기재의 발명은, 상기 세정액은 불활성 가스와 액체의 혼합유체인 것을 특징으로 한다. 이 불활성가스로 예를 들면 질소가스를 이용하고 이 가스의 토출압과 액체에 의해 기판의 세정처리를 하게 하고 있으므로, 세정노즐에 의한 세정액의 비산량이 많고 미스트가 발생하기 쉬운 상황이 된다. 이 경우에, 본 발명의 액막형성에 의한 미스트부착 방지효과는 크다.

청구항 제 8 항 기재의 발명은, 상기 액체공급노즐은 상기 이동하는 세정노즐과 일체로 이동가능하게 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.

청구항 제 9 항 기재의 발명은, 상기 액체공급노즐은 상기 이동하는 세정노즐에 대해 기판 중심측에 배치되는 것을 특징으로 한다.

청구항 제 10 항 기재의 발명은, 상기 세정노즐과 상기 액체공급노즐의 거리는 5mm ~ 80mm인 것을 특징으로 한다.

이에 의해 이동하여 세정액을 토출하는 세정노즐의 기판 중심측에 액체공급노즐을 배치하고 세정액이 기판에 공급되는 위치보다도 기판 중심측에 액체를 공급하게 했으므로, 예를 들면, 세정노즐이 기판주연부에서 바깥쪽으로 어긋나는 경우라도, 액체공급노즐은 항상 기판주연부에 액체를 공급하고 액막을 형성하고 있다. 따라서, 특히 컵에서 튀어나온 미스트가 많은 기판주연부에 파티클이 부착하는 것을 방지할 수 있다. 또, 액체로서 린스액을 사용한 경우에도 동일한 효과를 얻을 수 있다.

청구항 제 11 항 기재의 발명은, 상기 기판의 주연부에 상기 액체공급노즐에 의해 공급되는 액체의 유량을, 상기 기판 중심부에 상기 액체공급노즐에 의해 공급 되는 액체 유량보다도 많게 하도록 제어하는 제어장치를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.

청구항 제 12 항 기재의 발명은, 상기 기판의 주연부에 상기 액체가 공급될 때의 상기 액체공급노즐 속도를 기판 중심부에 상기 액체가 공급될 때의 상기 액체공급노즐 속도보다도 작게 하도록 제어하는 제어장치를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.

기판의 회전속도는 그 중심부와 주연부에서 다르지만, 이렇게 액체의 유량 또는 액체공급노즐의 이동속도를 바꾸므로써, 기판면상의 단위시간당 공급되는 액체의 공급량을 중심부와 주연부에서 가급적 같게 할 수 있는 결과, 기판 전면에서 세정성능을 균일하게 할 수 있다.

청구항 제 13 항 기재의 발명은, 상기 기판의 주연부에 상기 액체공급노즐에 의해 상기 액체가 공급될 때의 기판 회전수를 기판중심부에 상기 액체공급노즐에 의해 상기 액체가 공급될 때의 회전수보다도 작아지도록 제어하는 제어장치를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.

이에 의해 액체의 공급위치에 대응하여 기판의 회전속도를 가변하고 있으므로, 기판면상의 단위시간당 공급되는 액체의 공급량을 중심부와 주연부에 가급적 같게 할 수 있는 결과, 기판전면에서 세정성능을 균일하게 할 수 있다.

청구항 제 14 항 기재의 발명은, 상기 세정액의 불활성가스 유량은, 10NI/min ~ 200NI/min 인 것을 특징으로 한다.

청구항 제 15 항 기재의 발명은, 상기 세정액의 불활성가스 유량은, 80NI/min 인 것을 특징으로 한다.

청구항 제 16 항 기재의 발명은, 상기 액체공급장치에 의해 공급되는 상기 액체의 유량은 0.51/min ~ 1.21/min 인 것을 특징으로 한다.

청구항 17항 기재의 발명은, 상기 액체공급노즐의 속도는, 5mm/sec ~ 30mm/sec 인 것을 특징으로 한다.

청구항 제 18 항 기재의 발명은, 상기 기판의 회전수는 300rpm ~ 500rpm 인 것을 특징으로 한다.

청구항 제 19 항 기재의 발명은, 기판을 회전가능하게 유지하는 회전유지부와, 회전하는 기판상을 지름 방향으로 이동가능하게 설치되고, 세정액을 토출하는 세정노즐과, 상기 이동하는 세정노즐과 일체로 이동가능하게 배치되고, 상기 세정노즐에 의한 세정시에, 기판상에 액체를 공급하고 기판상에 액막을 형성하는 제 1 액체공급노즐과, 상기 세정노즐에 의한 세정시에, 상기 기판의 소정위치에 액체를 공급하고 상기 제 1 액체공급노즐과 함께 기판상에 액막을 형성하는 제 2 액체공급노즐을 구비하는 것을 특징으로 한다.

이러한 구성에 따르면, 제 1 액체공급노즐을 세정노즐과 함께 일체로 이동시키고, 기판상에 친수성 액막을 형성시키면서 세정액을 토출하고 특히 세정노즐 근방의 액막형성을 확실하게 하고, 또한 제 2 액체공급노즐에 의해 예를 들면 기판중심부에 액체를 공급하고 기판전면에 확실하게 액막형성을 하므로써, 소수성 기판을 사용한 경우로, 이 기판을 컵 내에 수용하고 세정처리를 하는 경우에는 이 컵에서 튀어나오는 세정액의 미스트가 상기 친수성 액막상에 부착되고, 이 미스트에 포함 되는 파티클은 회전하는 기판의 원심력에 의해 액막과 함께 기판 바깥으로 배출된다. 이에 의해 직접 기판상에 파티클이 부착되는 것을 방지할 수 있다.

청구항 제 20 항 기재의 발명은, 상기 세정노즐과 상기 제 1 액체공급노즐이 상기 기판의 주연부 부근으로 이동했을 때에, 상기 제 2 액체공급노즐에 의한 액체의 공급을 하도록 제어하는 제어장치를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 컵의 튀어나오는 미스트의 부착을 방지할 수 있음과 동시에 액체에 린스액을 사용한 경우, 린스액의 사용량을 삭감할 수 있다.

청구항 제 21 항 기재의 발명은, 상기 제 2 액체공급노즐에 의해 공급되는 액체는 기판 중심부에 공급되는 것을 특징으로 한다.

청구항 제 22 항 기재의 발명은, 회전하는 기판상에 세정액을 토출하는 세정공정과, 상기 세정공정시, 상기 기판상에 액체를 공급하고 기판상에 액막을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다. 이러한 구성에 따르면, 기판상에 친수성 액막을 형성시키면서 세정액을 토출하여 세정을 하고 있으므로, 예를 들면, 소수성 기판을 사용한 경우라도, 직접 기판상에 파티클이 부착되는 것을 방지할 수 있다.

청구항 제 23 항 기재의 발명은, 상기 세정액은 불활성가스와 액체의 혼합유체이고, 이 세정액을 토출하는 세정노즐을 구비하는 것을 특징으로 한다.

청구항 제 24 항 기재의 발명은, 상기 세정노즐은 상기 회전하는 기판상을 지름방향으로 이동가능하게 설치되고, 상기 세정노즐의 이동시, 세저액이 토출되는 기판상의 위치보다 중심측으로 상기 액체가 공급되는 것을 특징으로 한다.

청구항 제 25 항 기재의 발명은, 상기 세정노즐이 상기 기판의 주연부 부근 으로 이동했을 때에, 상기 액체의 공급을 개시하는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 기판처리시스템은, 기판상에 레지스트를 도포하는 도포처리부와, 상기 레지스트가 도포된 기판에 현상처리를 하는 현상처리부와, 기판에 열적인 처리를 실시하는 열처리부와, 기판을 회전가능하게 유지하는 회전유지부와, 회전하는 기판상을 지름방향으로 이동가능하게 설치되고, 세정액을 토출하는 세정노즐과, 상기 세정노즐에 의한 세정시에, 기판상에 액체를 공급하고 기판상에 액막을 형성하는 액체공급노즐을 갖는 기판세정장치와, 상기 도포처리부, 현상처리부, 열처리부 및 기판세정장치간에 기판 반송을 하는 반송기구를 구비한다.

이러한 구성에 따르면, 레지스트 도포처리, 현상처리, 열처리 등을 포함하는 포토리소그래피 공정에 있어서, 상기 기판세정장치를 도포처리부, 현상처리부 및 열처리부로 일체화하고, 반송기구에 의해 기판을 각 처리부 및 처리장치로 자동 반송하므로써, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.

이하, 본 발명의 실시예를 도면에 기초하여 설명한다.

도 1 ~ 도 3은 본 발명에 관한 도포형상처리 시스템의 전체구성을 도시하는 도이고, 도 1은 그 평면도, 도 2는 정면도 및 도 3은 배면도이다.

이 도포현상처리 시스템(1)은, 피처리기판으로 반도체 웨이퍼(W)를 웨이퍼카세트(CR)에서 복수매 예를 들면 25매 단위로 외부에서 시스템으로 반입하고 또는 시스템에서 반출하거나, 웨이퍼 카세트(CR)에 대해 웨이퍼(W)를 반입 ·반출하거나 하기 위한 카세트 스테이션(10)과, 도포현상공정 중에서 1매씩 웨이퍼(W)에 소정 처리를 실시하는 매엽식 각종처리 유닛을 소정위치에 다단배치하여 이루어지는 처리스테이션(11)과, 이 처리스테이션(11)과 인접하여 설치되는 노광장치(미도시) 사이에서 웨이퍼(W)를 인수인계하기 위한 인터페이스부(12)를 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.

카세트 스테이션(10)에서는 도 1에 도시하는 것과 같이 카세트 재치대(20)상의 돌기(20a) 위치에 복수개 예를 들면 4개까지의 웨이퍼 카세트(CR)가 각각의 웨이퍼 출입구를 처리스테이션(11)측을 향해 X방향 일렬로 재치되고, 카세트 배열방향(X방향) 및 웨이퍼 카세트(CR) 내에 수납된 웨이퍼의 웨이퍼 배열방향(Z방향)으로 이동가능한 웨이퍼반송체(21)가 각 웨이퍼 카세트(CR)에 선택적으로 액세스하도록 되어 있다. 또한, 이 웨이퍼반송체(21)는 θ방향으로 회전가능하게 구성되어 있고, 뒤에서 서술하는 것과 같이 처리스테이션(11)측의 제 3 조(G3)의 다단유닛부에 속하는 얼라이먼트 유닛(ALIM) 및 익스텐션 유닛(EXT)에도 액세스할 수 있게 되어 있다.

처리스테이션(11)에서는 도 1에 도시하는 것과 같이 중심부에 수직반송형 주웨이퍼 반송기구(22)가 설치되고, 그 주변에 모든 처리유닛이 1조 또는 복수의 조로 나뉘어 다단으로 배치되어 있다. 이 예에서는 5조(G1, G2, G3, G4, G5)의 다단배치구성이고, 제 1 및 제 2 조(G1, G2)의 다단유닛은 시스템정면(도 1에 있어서 바로 앞)측에 병치되고, 제 3조(G3)의 다단유닛은 카세트스테이션(10)에 인접하여 배치되며, 제 4조(G4)의 다단유닛은 인터페이스부(12)에 인접하여 배치되고, 제 5 조(G5)의 다단유닛은 배부측에 배치되어 있다. 또한 제 5조(G5)는 주웨이퍼반송기구(22)의 관리를 위한 레일(25)을 따라 이동가능하게 구성되어 있다.

주웨이퍼반송기구(22)는 통형상 지지체(49)의 내측에 웨이퍼반송장치(46)를 상하방향(Z방향)으로 승강이 자유롭게 장비하고 있다. 통형상지지체(49)는 모터(미도시)의 회전축에 접속되어 있고, 이 모터의 회전구동력에 의해 상기 회전축을 중심으로 하여 웨이퍼반송장치(46)와 일체로 회전하고, 이에 의해 이 웨이퍼반송장치(46)는 θ방향으로 회전이 자유롭게 되어 있다.

도 2에 도시하는 것과 같이, 제 1조(G1)에서는 컵(CP) 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 얹고 소정의 처리를 하는 2대의 스피너형 처리유닛, 예를 들면, 레지스트도포처리유닛(COT) 및 본 발명에 관한 기판세정장치로서의 세정처리유닛(50)이 아래로부터 순서대로 2단으로 중첩되어 있다. 제 2조(G2)에서는 2대의 스피너형 처리유닛, 예를 들면 현상처리유닛(DEV) 및 제 1조(G1)와 동일한 세정처리유닛(50)이 아래로부터 순서대로 2단으로 중첩되어 있다.

도 3에 도시하는 것과 같이 제 3조(G3)에서는 웨이퍼(W)를 재치대에 얹어 소정 처리를 하는 오픈형 처리유닛, 예를 들면 아래로부터 순서대로 쿨링유닛(COL), 부착유닛(AD), 얼라이먼트유닛(ALIM), 익스텐션유닛(EXT), 리버스유닛(RVS) 및 프리베이킹 유닛(PREBAKE)이 중첩되어 있다. 제 4조(G4)에서도 오픈형 처리유닛, 예를 들면 아래로부터 순서대로 쿨링유닛(COL)이 2단, 익스텐션 ·쿨링유닛(EXTCOL), 익스텐션유닛(EXT), 프리베이킹유닛(PREBAKE) 및 포스트베이킹유닛(POBAKE)이 중첩되어 있다.

이렇게 처리온도가 낮은 쿨링유닛(COL), (EXTCOL)을 하단에 배치하고, 처리온도가 높은 베이킹유닛(PREBAKE)과 포스트베이킹유닛(POBAKE)을 상단에 배치하므로써, 유닛간의 열적인 상호간섭을 적게할 수 있다. 그러나, 무작위 다단배치로 하는 것도 가능하다.

인터페이스부(12)는 안쪽방향에서는 처리스테이션(11)과 동일 치수를 갖지만, 폭방향에서는 작은 사이즈로 만들어져 있다. 인터페이스부(12)의 정면부에는 운반가능한 픽업 카세트(CR)와 정치형 버퍼카세트(BR)가 2단으로 배치되고, 배면부에는 주변노광장치(23)가 배설되고, 중앙부에는 웨이퍼반송체(24)가 설치되어 있다. 이 웨이퍼반송체(24)는 X, Z방향으로 이동하여 양 카세트(CR, BR) 및 주변노광장치(23)에 액세스하도록 되어 있다. 또한, 웨이퍼반송체(24)는 θ방향으로 회전가능하게 구성되고, 처리스테이션(11)측 제 4조(G4)의 다단유닛에 속하는 익스텐션유닛(EXT)에도 및 인접하는 노광장치측의 웨이퍼인수인계대(미도시)에도 액세스할 수 있게 되어 있다.

도 4는, 상기 세정처리유닛(50)의 개략구조를 도시하는 평면도, 도 5는 도 4에 있어서 X방향에서 본 단면도, 도 6은 도 4에 있어 Y방향에서 본 단면도이다.

이 세정처리유닛(50)의 케이스(68)에는 주웨이퍼반송기구(22)의 반송암이 웨이퍼를 반입출하기 위한 개구부(68a)가 형성되고, 이 개구부(68a)에는 개폐기구를 갖는 셔터부재(69)가 배치되어 있다.

유닛중앙부에는 웨이퍼(W)의 주연부를 둘러싸듯이 웨이퍼(W)를 수용하는 컵(CP)이 배치되어 있고, 이 컵(CP)은 승강기구(74)에 의해 승강이 자유롭게 구성 되며, 주웨이퍼반송기구(22)간에 웨이퍼의 인수인계를 하는 경우에는 하강위치에 배치되고, 뒤에서 서술하는 세정처리 중에 있어서는 상승위치에 배치되게 되어 있다. 이에 의해, 세정처리 중에 발생한 미스트화한 세정액이 컵(CP)의 외부를 향해 확산하는 것을 방지할 수 있다.

이 컵(CP)내에는 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 스핀척(71)이 설치되어 있다. 이 스핀척(71)은, 척플레이트(71a)와, 이 척플레이트(71a)를 지지하는 추축(71b)과, 이 추축(71b)을 회전시키는 회전구동모터(71c)와, 척플레이트(71a)에 있어서 웨이퍼(W)의 탈착을 하는 탈착기구(71d)를 갖는다. 또, 척플레이트(71a)의 표면에는 지지핀(71e, 도 4에 있어서 6개소)이 배설되어 있고, 이 웨이퍼(W)는 이 지지핀(71e)의 정점에 접해 재치되게 되어 있다. 회전구동모터(71c)는 회전수가 조정가능하게 되어 있고, 예를 들면 0rpm ~ 5000rpm의 범위에서 동적으로 가변할 수 있게 되어 있다.

척플레이트(71a)의 주연 3개소에는 웨이퍼(W)의 탈착기구(71d)가 배설되어 있다. 여기에서, 도 5에 있어서 좌측 탈착기구(71d)는 웨이퍼(W)를 유지한 상태가 도시되어 있고, 도 5에 있어서 우측 탈착기구(71d)는 웨이퍼(W)를 유지하고 있지 않은 상태를 도시하고 있다. 척플레이트(71a)의 아래쪽 부분에는 승강실린더(79)에 의해 승강가능한 1매의 연결테이블(72)이 설치되고, 이 연결테이블(72) 상에 있어서 탈착기구(71d)의 배설위치에 각각 대응하는 3개소에는 당접치구(72b)가 배설되어 있다. 승강실린더(79)에 의해 당접치구(72b)를 상승시키면 당접치구(72b)가 탈착기구(71d)에 각각 직접 접촉하여 누르므로써, 도 5 중 우측의 탈착기구(71d)와 같이 웨이퍼(W)의 유지상태를 해제하고, 반대로 당접치구(72b)를 하강시키면 미도시의 탄성부재에 의해 도 5 중 좌측의 탈착기구(71d)와 같이 웨이퍼(W)를 유지하게 되어 있다.

컵(CP)의 내주측 저부에는 드레인(75)이 설치되어 있고, 컵(CP) 내의 배기 및 세정액과 린스액의 배출이 이루어지게 되어 있다. 이 배기에 관해서는 미도시의 진공장치에 의해 배기되게 되어 있고, 주웨이퍼반송기구(22) 사이에서의 웨이퍼의 인수인계시는 배기를 약하게 하든지 또는 정지하게 하므로써 인수인계시의 기계적 동작에 의해 발생하는 파티클의 컵(CP) 내로 끌어들이는 것을 방지할 수 있다.

컵(CP)의 측방부에는 노즐대기위치(67)에 대기된 제 1 액체공급노즐인 제 1 린스노즐(35) 및 세정노즐로서의 2유체노즐(36)이 일체로 연결부재(40)에 고정되어 있다. 이 제 1 린스노즐(35)과 2유체노즐(36)간 거리는 예를 들면 5mm ~ 80mm로 되어 있다.

도 6을 참조하여 제 1 린스노즐(35)에는 린스액 공급원(39)에서 공급관(43)을 통해 린스액으로서의 순수가 공급되게 되어 있고, 예를 들면 벨로즈펌프(32)에 의해 노즐(35)로부터의 상기 린스액 공급량이 동적으로 가변할 수 있게 되어 있다. 본 실시예에서는 린스액 공급량은 예를 들면 0.51/min ~ 1.21/min이 되어 있다.

2유체노즐(36)은 도 7에 도시하는 것과 같이 버퍼실(44a)을 구비한 버퍼부(44)와, 세정액을 토출하는 토출부(45)를 갖고 있다. 버퍼실(44a)에는 예를 들면 불활성가스로 질소가스를 상기 버퍼실(44a)에 공급하기 위한 질소가스유로(28)와, 순수를 공급하기 위한 액유로(27)가 형성되어 있다. 토출부(45)에는 버퍼실(44a)에 있어서 질소가스 유로(28)의 출구부근에서 순수와 혼합된 혼합유체(질소가스를 포함하는 순수)를 강하게 웨이퍼상으로 토출하기 위한 유로(45a)가 형성되어 있다.

도 6을 참조하여, 이 제 1 린스노즐(35)과 2유체노즐(36)을 고정한 연결부재(40)는 Y방향으로 연설된 가이드레일(34)을 따라 이동가능한 노즐유지암(77)에 설치되어 있다. 이 유지암(77)은 예를 들면 스테핑모터(38)에 의해 구동풀리(31)를 통해 구동하는 벨트(41)에 접속되어 있고, 스테핑모터(38)의 회전수에 의해 유지암(77)의 이동속도가 가변하여 구성되고, 이에 의해 제 1 린스노즐(35) 및 2유체노즐(36)의 이동속도가 가변되어 있다. 본 실시예에서는 이 이동속도는 5mm/sec ~ 10mm/sec가 되어 있다. 또한, 유지암(77)은 미도시의 승강기구에 의해 승강가능하게 되어 있고, 양 노즐(35, 36)의 높이위치가 조절할 수 있게 되어 있다.

상기 회전구동모터(71c)의 회전수, 벨로즈펌프(32)의 작동량 및 스테핑모터938)의 회전수는 제어계(33)에 의해 통합적으로 제어되게 되어 있고, 예를 들면 유지암(77)의 이동속도에 기초하여 제 1 린스노즐(350에서의 린스액공급량을 동적으로 가변할 수 있고, 또, 회전구동모터(71c)의 회전수에 기초하여 린스액공급량을 동적으로 가변할 수 있게 되어 있다.

컵(CP)의 외측상부에도 상기 제 1 린스노즐(35)과 동일하게 웨이퍼(W)상에 액체를 공급하는 제 2 액체공급노즐인 제 2 린스노즐(83)이 배치되어 있다. 이 제 2 린스노즐에서는 린스액으로서의 순수가 공급된다. 이 제 2 린스노즐(83)은 높이 ·방향조절기구(85)에 의해 Z방향 높이 및 린스액의 토출각도를 바꿀 수 있게 되어 있다.

여기에서 액체공급노즐로부터는 예를 들면 세정액과 동일한 액체, 본 실시예의 경우 순수가 공급된다. 세정액이 약액을 포함하는 경우, 액체공급노즐에서 동일한 약액을 공급하면 농도변화가 없는 효과가 있다. 또, 미스트의 컵에의 부착물의 약액농도를 감소시키는 효과를 구하는 경우, 순수와, 세정액보다 농도가 낮은 약액을 사용하는 것도 생각할 수 있다. 또 순수는 세정 후의 린스액으로서도 사용된다.

다음으로 이상에서 설명한 도포현상처리 시스템(1)에 있어서 일련의 처리공정에 관해 설명한다.

우선, 카세트스테이션(10)에 있어서 웨이퍼반송체(21)가 카세트재치대(20)상의 처리 전의 웨이퍼를 수용하고 있는 카세트(CR)에 액세스하고 그 카세트(CR)에서 1매의 웨이퍼(W)를 꺼내어 얼라이먼트유닛(ALIM)으로 반송된다. 이 얼라이먼트유닛(ALIM)에서 웨이퍼(W)의 위치조절이 이루어진 후, 주웨이퍼반송기구(22)에 의해 웨이퍼(W)는 리버스유닛(RVS)으로 반송되고, 웨이퍼에 있어서 디바이스가 형성되는 면인 표면이 아래가 되도록 이면을 위로 향해 반전시킨다. 그리고 세정처리유닛(50)으로 반송되고, 이면측 세정처리가 이루어진다. 그 후, 다시 웨이퍼(W)는 리버스유닛(RVS)로 반송되고, 이번에는 표면이 위가 되도록 반전시켜 다시 세정처리유닛(50)으로 반송되어 소정의 세정처리가 이루어진다. 이 웨이퍼(W)의 세정처리에 관해서는 뒤에서 서술한다. 또한, 필요에 따라 웨이퍼표면측을 먼저 세정하고, 이면측을 나중에 세정하게 해도 된다.

그리고, 다음으로 부착유닛(AD)으로 반송되어 소수화처리가 이루어지고, 이어서 쿨링유닛(COL)에서 소정 냉각처리가 이루어진다. 그 후, 레지스트 도포처리유닛(COL)으로 반송되고, 레지스트 회전도포가 이루어진다. 그리고 프리 베이킹유닛(PREBAKE)에서 소정 가열처리가 이루어지고, 쿨링유닛(COL)에 있어서 냉각처리되고, 그 후 웨이퍼반송체(24)에 의해 인터페이스부(12)를 통해 미도시의 노광장치에 의해 노광처리가 이루어진다. 노광처리가 종료된 후는, 웨이퍼(W)는 현상처리유닛(DEV)으로 반송되어 현상처리가 이루어지고, 익스텐션유닛(EXT)을 통해 카세트(CR)로 돌려보내진다. 또한, 현상처리 후에 포스트 베이킹유닛(POBAKE)에 의해 가열처리가 이루어지는 경우도 있다.

다음으로 세정처리유닛(50)에 있어서 세정처리에 관해 도 8에 도시하는 플로를 참조하면서 설명한다.

우선, 스핀척(71)에 웨이퍼(W)가 인수인계되고, 이 웨이퍼(W)의 주연부를 덮듯이 컵(CP)이 상승한다. 다음으로 2유체노즐(36)이 웨이퍼(W)의 중심위에 위치하도록 2유체노즐(36) 및 린스노즐(35)이 이동하고(스텝 1), 도 9A에 도시하는 것과 같이 이 양 노즐의 위치로부터 세정액 및 린스액의 토출을 개시함과 동시에 웨이퍼(W) 주연부로 지름 방향으로 양 노즐의 이동이 개시된다.(스텝 2) 또, 이것과 동시에 웨이퍼(W)의 회전을 개시한다. 또한, 이 웨이퍼(W)의 회전개시는 세정액 및 린스액의 토출개시와 동시가 아니라 이보다 전에 회전을 개시시키도록 해도 좋다.

다음으로, 도 9B에 도시하는 것과 같이 2유체노즐(36)이 웨이퍼(W) 주연부 부근으로 이동해온 경우에, 이 2유체노즐(36)에서 토출된 세정액이 컵(CP) 내측에서 튀어나오고, 미스트상태가 되어 웨이퍼(W)의 중심측을 향해 비산한다. 그러나, 여기에서 린스노즐(35)에 의해 린스액을 웨이퍼(W)에 공급하고 친수성 액막, 즉 수막(51)을 형성하고 있기 때문에, 컵(CP)에 부착된 파티클을 포함하는 미스트가 수막(51)상에 부착하게 된다. 그러나, 수막(51)상에 미스트가 부착되어도 웨이퍼면에 직접 미스트가 부착되는 것은 아니므로, 웨이퍼(W)에 악영향을 미칠 우려가 없고, 또, 이 수막(51)상에 부착된 미스트는 회전하는 웨이퍼(W)의 원심력에 의해 린스액과 함께 컵(CP)의 아래쪽으로 배출되므로 문제는 없다.

이후, 도 9C에 도시한 것과 같이 2유체노즐(36)이 웨이퍼(W) 주연부보다 외측에 위치하면, 세정액 및 린스액의 토출을 정지하고(스텝 3) 양 노즐(35, 36)을 컵(CP) 외측에 배치시키고, 다음으로 도 9D에 도시한 것과 같이 예를 들면 웨이퍼(W)를 4000rpm의 회전수로 회전시켜서 웨이퍼상의 액을 털어내고 건조처리를 한다.(스텝 4)

여기에서 본 실시예에 있어서는 린스액이 유량, 양 노즐(35 및 36)의 이동속도, 웨이퍼(W)의 회전수는 각각 이하에 도시하는 대로이고, 각각 일정한 수치로 했다.

린스액의 유량 1.0 I/min

양 노즐의 이동속도 6 mm/sec

웨이퍼의 회전수 1300 rpm

앞에서 서술한 것과 같이 본 실시예에서는 웨이퍼(W)의 회전수는 1300rpm으 로 했지만, 이보다 작아도 커도 괜찮다. 그러나, 웨이퍼회전수를 300rpm보다 작게 하면, 웨이퍼가 소수성인 경우에는 웨이퍼 상 전면에 액막을 형성할 수 없고, 다수의 물방울이 웨이퍼면 상에 산재하는 상태가 되어 버리므로, 300rpm 이상으로 하는 것이 필요하다.

이상과 같이 본 실시예에 따르면, 웨이퍼 상에 친수성 액막(51)을 형성시키면서 세정액을 토출하여 세정을 하고 있으므로, 소수성 웨이퍼여도 파티클의 부착을 방지할 수 있다.

또, 이동하여 세정액을 토출하는 2유체노즐(36)의 웨이퍼 중심측에 린스노즐(35)을 배치하고, 세정액이 웨이퍼에 공급되는 위치보다도 웨이퍼 중심측에 린스액을 공급하도록 했으므로, 예를 들면 도 9B ~ 도 9C에 도시하는 것과 같이 2유체노즐(36)이 웨이퍼 주연부에서 외측으로 빗겨나가는 경우라도, 2유체노즐(36)에 근접한 린스노즐(35)은 항상 웨이퍼주연부에 린스액을 공급하여 액막을 형성하고 있다. 따라서, 특히 컵(CP)으로부터 튀어나오는 미스트가 많은 웨이퍼주연부에 파티클이 부착되는 것을 방지할 수 있다.

여기에서, 도 10 ~ 도 13을 참조하여 종래와 같이 2유체세정액의 토출에만 의존하는 세정처리와, 본 실시예와 같이 린스액을 공급하여 액막을 형성한 경우의 세정처리에 있어서, 각각 웨이퍼면상의 파티클의 제거율(도 10, 11) 및 증가량(도 12, 13)을 비교하여 본다. 웨이퍼의 종류는 친수성과 소수성에 관해 실험을 행했다. 또, 도 10 ~ 도 14에 있어서 횡축은 2유체노즐에 있어서 질소가스의 유량이고, 「N1」의 「N」은, 표준상태를 나타낸다.

도 10은, 친수성 웨이퍼에 관해 도시하고 있고, 린스액공급 유무로 파티클의 제거율은 거의 동일하고, 친수성 웨이퍼에 관해서는 세정성능에 변화는 없다. 그런데, 도 11에 도시하는 것과 같이 소수성 웨이퍼에 있어서는 린스액의 공급 유무로, 특히 질소가스의 유량이 60N1/min 이상에 있어서 파티클의 제거율에 현저한 차가 생겼다. 이 결과로부터 질소가스의 유량은 60Nl/min ~ 100Nl/min으로 하는 것이 바람직하고, 특히 80Nl/min의 경우에 가장 파티클의 제거율이 높은 것을 알 수 있다.

또, 도 12 및 도 13은 질소가스 유량에 대한 웨이퍼 1매상 파티클의 증가율을 도시하고 있고, 실질적인 내용은 각각 도 10 및 도 11이 동일하다.

다음으로, 도 14를 참조하여, 린스노즐(35)의 웨이퍼상의 이동도중에 있어서 린스액의 유량, 린스노즐(35)의 이동속도(= 2유체노즐의 이동속도) 또는 웨이퍼(W)의 회전수를 동적으로 가변하는 경우에 관해 설명한다.

예를 들면, 린스액의 유량을 가변으로 하고, 린스노즐(35)의 이동속도 및 웨이퍼회전수를 일정하게 하는 경우, 웨이퍼(W)의 주연부에 공급되는 린스액의 유량을 웨이퍼 중심부에 공급되는 린스액의 유량보다도 많게 한다. 하나의 실시예로 도 14A에 도시하는 것과 같이 예를 들면 중심부에서 0.5l/min으로 하고, 주연부에서 1.2l/min으로 하고 있다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 주속도가 그 중심부와 주연부에서 다르지만, 이렇게 린스액의 유량을 바꾸므로써, 웨이퍼면 상의 단위시간당 공급되는 린스액의 공급량을 중심부와 주연부로 가급적 동일하게 할 수 있다. 또한, 이 경우, 린스노즐(35)의 이동도중에 있어서 예를 들면 2단계로 공급량을 가변해도 좋고 3단계 이상으로 서서히 0.51/min에서 1.21/min까지 가변해도 좋다.

다음으로, 린스노즐(35)의 이동속도를 가변으로 하고, 린스액의 공급량 및 웨이퍼 회전속도를 일정하게 하는 경우, 웨이퍼(W)의 주연부에 린스액이 공급될 때의 린스노즐(35)의 속도를 웨이퍼 중심부에 공급될 때의 린스노즐(35)의 속도보다도 작게 한다. 하나의 실시예로 도 14B에 도시하는 것과 같이 중심부에서 7mm/sec으로 하고, 주연부에서 5mm/sec으로 하고 있다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 주속도가 그 중심부와 주연부에서 다르지만, 이렇게 린스노즐(35)의 이동속도를 바꾸므로써, 웨이퍼면 상의 단위시간당 공급되는 린스액의 공급량을 중심부와 주연부로 가급적 동일하게 할 수 있다. 또한, 이 린스노즐(35)의 이동도중에 있어서 예를 들면 2단계로 이동속도를 가변해도 좋고, 3단계 이상으로 서서히 7mm/sec 에서 5mm/sec까지 가변해도 좋다.

다음으로, 웨이퍼(W)의 회전수를 가변으로 하고, 린스노즐(35)의 이동속도 및 린스액의 공급량을 일정하게 하는 경우, 웨이퍼(W) 주연부에 린스액이 공급될 때의 웨이퍼 회전수를 웨이퍼 중심부에 린스액이 공급될 때의 회전수보다도 작게 한다. 하나의 실시예로 도 14C에 도시하는 것과 같이 예를 들면 중심부에서 1500rpm으로 하고, 주연부에서 1000rpm으로 하고 있다. 이 경우, 웨이퍼면상의 단위시간당 공급되는 린스액의 공급량을 중심부와 주연부로 가급적 동일하게 할 수 있다. 또한, 이 린스노즐(35)의 이동도중에 있어서 예를 들면 2단계에서 회전수를 가변해도 좋고, 3단계 이상에서 서서히 1500rpm에서 1000rpm까지 가변해도 좋다.

이상과 같이 린스노즐(35)의 웨이퍼 상의 이동도중에 있어서 린스액의 유량, 린스노즐(35)의 이동속도 또는 웨이퍼(W)의 회전수를 동적으로 가변하므로써, 웨이 퍼의 전면에 관해 세정성능을 균일하게 할 수 있다.

다음으로, 도 15 ~ 도 18을 참조하여 제 2 린스노즐(83)을 사용한 경우의 세정처리에 관해 설명한다.

도 15에 있어서는 제 1 린스노즐(35)을 사용하지 않고, 2유체노즐(36)만을 웨이퍼(W)의 지름방향으로 중심부에서 주연부까지 이동시키므로 세정액을 토출하고, 제 2 린스노즐(83)에 의해 린스액을 소정 위치, 예를 들면 웨이퍼(W)의 중심부에 공급하고, 액막(51)을 형성하고 있다. 이에 의해 2유체노즐(36)이 웨이퍼주연부까지 이동했을 때에 발생하는 컵에서 튀어나오는 미스트가 웨이퍼(W)에 직접 부착되는 것을 방지할 수 있다.

도 16에 있어서도 제 1 린스노즐(35)을 사용하고 있지 않다. 우선, 도 16A에 도시하는 것과 같이 웨이퍼 중심부에 2유체노즐(36)에서 세정액을 토출하고 중심부에서 주연부로 이동시켜가지만, 이 시점에서 제 2 린스토즐(83)에서 린스액을 토출하고 있지 않다. 이것은, 도 16A에 도시하는 것과 같이 2유체노즐(36)이 웨이퍼(W)의 중심위치에서 세정액으 토출을 개시한 시점에서는, 세정액이 컵(CP)에서 튀어나오는 일이 적게 때문이다. 그리고, 도 16B에 도시하는 것과 같이 2유체노즐(36)이 웨이퍼(W)의 주연부 부근까지 이동했을 때에, 컵에서 튀어나오는 미스트가 증가하므로, 이 때에 린스액을 공급하고 액막(51)을 형성하므로써, 튀어나오는 미스트의 부착을 방지할 수 있으며, 도 15에 있어서의 경우에 비해 린스액의 사용량도 삭감할 수 있다.

도 17A 및 도 17B에 있어서도 제 1 린스노즐(35)을 사용하고 있지 않다. 우 선 도 17A에 도시하는 것과 같이 2유체노즐(36)에서 세정액을 토출하면서 중심부에서 주연부로 이동시키면서 린스액공급에 의해 액막(51)을 형성한다. 그리고, 도 17B에 도시하는 것과 같이 2유체노즐(36)이 주연부에 왔을 때에, 제 2 린스노즐(83)의 린스액의 토출각도를 바꾸므로써, 세정액이 토출되는 위치에 맞추어 린스액의 공급위치를 웨이퍼주연부 부근으로 하므로써, 보다 확실하게 웨이퍼주연부에서의 미스트 부착을 방지할 수 있다.

도 18은 제 1, 제 2의 린스노즐(35), (83)의 양쪽을 사용하고 있다. 이 경우, 2유체노즐(36) 및 제 1 린스노즐(35)이 중심부에서 주연부로 이동하면서 세정액 및 린스액을 토출하고, 또한 이에 추가로 제 2 린스노즐(83)에서도 린스액을 공급하고 있다. 이에 의해 웨이퍼(W) 전면에 확실히 액막(51)을 형성할 수 있고, 미스트의 부착을 확실히 방지할 수 있다.

도 19 및 도 20은 하나의 실시예에 관한 세정처리시스템의 전체 구성을 도시하는 평면도 및 정면도이다. 또, 도 19 및 도 20에 있어서 도 1 및 도 2에 있어서 구성요소와 동일한 것에 관해서는 동일 부호를 붙이기로 하고 그 설명을 생략한다.

처리스테이션(11)의 정면측에는 웨이퍼(W)의 세정을 위한 세정처리유닛(50)이 4대, 중앙부에 주웨이퍼 반송기구(22)가 배설되어 있다. 이 주웨이퍼 반송기구(22)에 인접하고, 세정 후의 건조에 필요한 열처리유닛(HP) 및 냉각처리유닛(COL, 91), 웨이퍼(W)를 카세트스테이션(10)과 처리스테이션(11) 사이에 인수인계하는 트랜지션유닛(TRS) 및 웨이퍼(W)의 표리를 반전시키는 리버스유닛(RVS, 90)이 배설되어 있다. 또 처리스테이션(11)의 배면측에는 세정처리시스템(2) 전체의 동작 ·제어를 하기 위한 전장 유닛(EB, 93)과 기계제어유닛(MB, 94), 세정처리유닛(50)에서 사용되는 소정의 세정액을 저장하는 약액저장유닛(CTB,92)이 배설되어 있다. 또한, 처리스테이션(11)에는 그 천정부에서 청정한 공기를 다운플로하기 위한 팬필터유닛(FFU, 95)이 배설되어 있다.

이러한 세정처리시스템(2)은, 상기 도포현상처리시스템(1) 이외의 공정에 있어서 세정전용 시스템으로 이용할 수 있다. 예를 들면, 도포현상공정 이외의 공정으로서는 특정가스, 또는 수종의 화합물가스를 웨이퍼(W) 상에 공급하고, 웨이퍼(W) 표면에서의 화학반응에 의해 원하는 박막을 형성시키는 CVD공정, 웨이퍼(W) 표면상에 형성된 박막의 전면 또는 특정부분을 필요한 두께만큼 식각하는 에칭공정 등이 있지만, 이 CVD공정 또는 에칭공정의 처리중에 오염된 웨이퍼를 세정하기 위한 전용처리시스템으로서 이용할 수 있다.

또한, 본 실시예에서는 세정처리시스템(2)을 단체(單體)의 시스템으로 설명했지만, 상기 CVD공정에서 사용하는 CVD장치와, 에칭공정에서 사용하는 에칭장치 등과, 세정처리시스템(2)을 인터페이스장치 등을 통해 접속하고, 인라인화된 복합장치로 사용할 수 있다.

본 발명은 이상에서 설명한 실시예에는 한정되지 않고, 여러가지 변형이 가능하다.

예를 들면, 도 9A, 도 9B에 도시하는 세정처리공정에 있어서, 2유체노즐(36)이 웨이퍼(W)의 중심위치에서 세정액의 토출을 개시할 때에, 린스노즐(35)로부터의 린스액의 토출은 하지 않고 예를 들면 도 9B에 도시하는 것과 같이 2유체노즐(36) 이 웨이퍼주연부에 왔을 때에 컵에서 튀어나오는 미스트가 증가하기 때문에 도 16A, 도 16B에 도시하는 것과 같이 린스액을 공급하게 해도 좋다. 이것은 2유체노즐(36)이 웨이퍼(W)의 중심위치에서 세정액의 토출을 개시한 시점에서는 세정액이 컵(CP)에서 튀어나오는 일은 없고, 2유체노즐(36)이 웨이퍼(W)의 주연부 부근까지 이동했을 때에, 튀어나오는 미스트가 발생하기 쉬운 상태가 되기 때문이다. 이에 의해 린스액의 사용량을 삭감할 수 있다.

또, 도 15, 도 16A, 도 16B 및 도 18에 있어서, 린스노즐(83)로부터의 린스액은, 웨이퍼 중심부에 공급하도록 했지만, 2유체노즐(36)에 의한 세정액과 간섭하지 않는 공급위치라면 웨이퍼 중심부에 한정되지 않는다.

또한, 상기 실시예에서는 기판으로 반도체 웨이퍼를 사용했지만, 이에 한정되지 않고, 액정디스플레이 등에 사용되는 유리기판에 관해서도 본 발명은 적용가능하다.

이상, 설명한 것과 같이 본 발명에 따르면, 기판의 친수성 또는 소수성에 관계없이, 미스트 발생에 기인하는 파티클의 부착을 방지하고, 세정성능을 향상시킬 수 있다.

Claims

기판을 회전가능하게 보지하는 회전보지부와,

회전하는 기판상을 기판 중심부로부터 지름방향으로 이동가능하게 설치되어 세정액을 토출하는 세정노즐과,

상기 이동하는 세정노즐과 일체적으로 이동가능하게 배치되어 상기 세정노즐에 의한 세정시에, 기판상에 있어서 상기 세정노즐로부터 토출되는 세정액보다도 기판의 중심측에 액체를 공급하고 기판상에 액막을 형성하는 제1 액체공급노즐과,

상기 세정노즐에 의한 세정시에 상기 기판의 중심 위치에 액체를 공급하고 상기 제1 액체공급노즐과 함께 기판상에 액막을 형성하는 제2 액체공급노즐을 포함하는 기판세정장치.
청구항 제 1에 있어서,

상기 세정액은 불활성가스와 액체와의 혼합유체인 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
회전하는 기판상에 세정액을 기판의 중심으로부터 외주를 향해서 이동하면서 토출하는 공정과,

상기 세정공정시, 기판 중심부에 액체를 공급해서 기판상에 액막을 형성하는 공정과,

상기 세정공정시, 세정액의 공급 위치보다 기판 중심 방향측에 액체를 기판의 중심으로부터 외주를 행해서 이동하면서 공급하여 기판상에 액막을 형성하는 공정을 포함하는 기판세정방법.
청구항 3에 있어서,

상기 세정액은 불활성가스와 소정의 액체와의 혼합유체이고, 상기 세정액을 토출하는 세정노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
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