JP4040074B2

JP4040074B2 - 基板洗浄方法、基板洗浄装置、コンピュータプログラムおよびプログラム記憶媒体

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Publication number: JP4040074B2
Application number: JP2006519497A
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Inventors: 広基大野; 賢治関口
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Filing date: 2005-04-19
Publication date: 2008-01-30
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Description

本発明は、半導体ウエハやＦＰＤ（ＦｌａｔＰａｎｅｌＤｉｓｐｌａｙ）用ガラス基板等の被処理基板の表面でのウォーターマークの発生を抑制することができる基板洗浄方法および基板洗浄装置、この基板洗浄方法を基板洗浄装置に実行させるためのコンピュータプログラム、このコンピュータプログラムを記録したプログラム記憶媒体に関する。

例えば、半導体デバイスの製造プロセスにおいては、常時、半導体ウエハの表面を清浄に保つ必要があるために、適宜、半導体ウエハに洗浄処理が施される。半導体ウエハを１枚ずつ処理する枚葉式洗浄処理の典型例として、スピンチャックに保持された半導体ウエハに所定の薬液を供給しまたは半導体ウエハの表面に回転ブラシを当接させる等して洗浄処理を行った後、半導体ウエハに純水を供給するリンス処理を行い、続いて半導体ウエハを高速回転させて半導体ウエハから純水を振り切るという処理方法が知られている。

しかし、このような処理方法では、半導体ウエハの表面にミクロな水残りが生じ、これがウォーターマークとなって現れるという問題がある。また、完全に乾燥していない半導体ウエハの表面が空気に触れると、その部分が酸化されてウォーターマークが発生するという問題がある。

そこで、このようなウォーターマークの発生を抑制する方法として、特開２００１−５３０５１号公報には、リンス処理後の基板の中心部に不活性ガスを噴射するとともに基板の外周部に純水を供給し、これら不活性ガスの噴射位置と純水の供給位置をともに基板の中心から外側へと径方向に移動させる基板乾燥方法が開示されている。

しかしながら、前記文献に開示された方法でも、被処理基板の外周部分でのウォーターマークの低減は十分とは言えない。また、純水が被処理基板の中心から移動した後に不活性ガスが供給されるために、被処理基板の中心部でウォーターマークが発生しやすいという問題がある。このため、ウォーターマークの発生をさらに抑制することができる基板洗浄方法、基板洗浄装置が求められている。

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、ウォーターマークの発生を抑制することができる基板洗浄方法および基板洗浄装置、この基板洗浄方法を基板洗浄装置に実行させるためのコンピュータプログラム、このコンピュータプログラムを記録したプログラム記憶媒体を提供することを目的とする。

本発明の第１の観点によれば、被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、前記乾燥処理は、被処理基板を略水平姿勢で回転させ、前記被処理基板の表面の中心へリンス液の供給を開始する工程と、前記被処理基板の中心近傍において前記被処理基板の中心から適長離間した地点へ不活性ガスの供給を開始する工程と、前記被処理基板へリンス液を供給するリンス液供給ポイントを前記被処理基板の周縁に向けて移動させながら、前記被処理基板へ不活性ガスを供給するガス供給ポイントを前記被処理基板の中心へ移動させ、その後に前記リンス液供給ポイントよりも径方向内側の領域において前記被処理基板の中心から周縁に向けて移動させる工程と、を有し、前記被処理基板の中心近傍において前記被処理基板の中心から適長離間した地点への不活性ガスの供給開始を、前記被処理基板の表面の中心へのリンス液供給開始と実質的に同時とする、基板洗浄方法が提供される。

本発明の第２の観点によれば、被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、前記乾燥処理は、被処理基板を略水平姿勢で回転させ、前記被処理基板の表面の中心へリンス液の供給を開始する工程と、前記被処理基板の中心近傍において前記被処理基板の中心から適長離間した地点へ不活性ガスの供給を開始する工程と、前記被処理基板へリンス液を供給するリンス液供給ポイントを前記被処理基板の周縁に向けて移動させながら、前記被処理基板へ不活性ガスを供給するガス供給ポイントを前記被処理基板の中心へ移動させ、その後に前記リンス液供給ポイントよりも径方向内側の領域において前記被処理基板の中心から周縁に向けて移動させる工程と、を有し、前記ガス供給ポイントの移動速度を前記被処理基板の中心部よりも外周部で速くする、基板洗浄方法が提供される。

本発明の第３の観点によれば、被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、前記乾燥処理は、被処理基板を略水平姿勢で回転させ、前記被処理基板の表面の中心へリンス液の供給を開始する工程と、前記被処理基板の中心近傍において前記被処理基板の中心から適長離間した地点へ不活性ガスの供給を開始する工程と、前記被処理基板へリンス液を供給するリンス液供給ポイントを前記被処理基板の周縁に向けて移動させながら、前記被処理基板へ不活性ガスを供給するガス供給ポイントを前記被処理基板の中心へ移動させ、その後に前記リンス液供給ポイントよりも径方向内側の領域において前記被処理基板の中心から周縁に向けて移動させる工程と、を有し、前記洗浄処理と前記乾燥処理の間に、前記被処理基板を略水平姿勢で回転させながら前記被処理基板の表面の所定ポイントにリンス液を所定時間供給するリンス処理を設け、前記乾燥処理の開始前に前記被処理基板の表面にリンス液の膜が形成されている状態とする、基板洗浄方法が提供される。

本発明の第４の観点によれば、被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、前記乾燥処理は、被処理基板を略水平姿勢で回転させ、前記被処理基板の表面の中心へリンス液の供給を開始する工程と、前記被処理基板の中心近傍において前記被処理基板の中心から適長離間した地点へ不活性ガスの供給を開始する工程と、前記被処理基板へリンス液を供給するリンス液供給ポイントを前記被処理基板の周縁に向けて移動させながら、前記被処理基板へ不活性ガスを供給するガス供給ポイントを前記被処理基板の中心へ移動させ、その後に前記リンス液供給ポイントよりも径方向内側の領域において前記被処理基板の中心から周縁に向けて移動させる工程と、を有し、前記リンス液供給ポイントが前記被処理基板の周縁から外れた後に、前記ガス供給ポイントを前記被処理基板の外周部近傍で所定時間停止させることにより、前記被処理基板の外周部を乾燥させる、基板洗浄方法が提供される。

本発明の第５の観点によれば、被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、前記乾燥処理は、被処理基板を略水平姿勢で回転させ、前記被処理基板の表面の中心へリンス液の供給を開始する工程と、前記被処理基板の中心近傍において前記被処理基板の中心から適長離間した地点へ不活性ガスの供給を開始する工程と、前記被処理基板へリンス液を供給するリンス液供給ポイントを前記被処理基板の周縁に向けて移動させながら、前記被処理基板へ不活性ガスを供給するガス供給ポイントを前記被処理基板の中心へ移動させ、その後に前記リンス液供給ポイントよりも径方向内側の領域において前記被処理基板の中心から周縁に向けて移動させる工程と、を有し、前記乾燥処理においてリンス液供給ポイントおよびガス供給ポイントを移動させる工程では、前記ガス供給ポイントが前記被処理基板の中心から周縁へ移動する向きと、前記リンス液供給ポイントが前記被処理基板の中心から周縁へ移動する向きとをずらす、基板洗浄方法が提供される。

本発明の第６の観点によれば、被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、前記乾燥処理は、被処理基板を略水平姿勢で回転させ、リンス液をその供給ポイントを前記被処理基板の表面の中心から周縁に向けて移動させながら供給する工程と、不活性ガスをそのガス供給ポイントが前記リンス液の供給ポイントよりも径方向内側の領域において前記被処理基板の中心部から周縁に向けて移動するように供給する工程と、前記リンス液の供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記リンス液の供給を停止する工程と、前記不活性ガスの供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記不活性ガスの供給を停止し、その後に前記被処理基板の回転数を前記不活性ガス供給時の前記被処理基板の回転数より高速とする工程と、を有し、前記ガス供給ポイントの移動速度を前記被処理基板の中心部よりも外周部で速くする、基板洗浄方法が提供される。

本発明の第７の観点によれば、被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、前記乾燥処理は、被処理基板を略水平姿勢で回転させ、リンス液をその供給ポイントを前記被処理基板の表面の中心から周縁に向けて移動させながら供給する工程と、不活性ガスをそのガス供給ポイントが前記リンス液の供給ポイントよりも径方向内側の領域において前記被処理基板の中心部から周縁に向けて移動するように供給する工程と、前記リンス液の供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記リンス液の供給を停止する工程と、前記不活性ガスの供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記不活性ガスの供給を停止し、その後に前記被処理基板の回転数を前記不活性ガス供給時の前記被処理基板の回転数より高速とする工程と、を有し、前記洗浄処理と前記乾燥処理の間に、前記被処理基板を略水平姿勢で回転させながら前記被処理基板の表面の所定ポイントにリンス液を所定時間供給するリンス処理を設け、前記乾燥処理の開始前に前記被処理基板の表面にリンス液の膜が形成されている状態とする、基板洗浄方法が提供される。

本発明の第８の観点によれば、被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、前記乾燥処理は、被処理基板を略水平姿勢で回転させ、リンス液をその供給ポイントを前記被処理基板の表面の中心から周縁に向けて移動させながら供給する工程と、不活性ガスをそのガス供給ポイントが前記リンス液の供給ポイントよりも径方向内側の領域において前記被処理基板の中心部から周縁に向けて移動するように供給する工程と、前記リンス液の供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記リンス液の供給を停止する工程と、前記不活性ガスの供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記不活性ガスの供給を停止し、その後に前記被処理基板の回転数を前記不活性ガス供給時の前記被処理基板の回転数より高速とする工程と、を有し、前記リンス液供給ポイントが前記被処理基板の周縁から外れた後に、前記ガス供給ポイントを前記被処理基板の外周部近傍で所定時間停止させることにより、前記被処理基板の外周部を乾燥させる、基板洗浄方法が提供される。

本発明の第９の観点によれば、被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、前記乾燥処理は、被処理基板を略水平姿勢で回転させ、リンス液をその供給ポイントを前記被処理基板の表面の中心から周縁に向けて移動させながら供給する工程と、不活性ガスをそのガス供給ポイントが前記リンス液の供給ポイントよりも径方向内側の領域において前記被処理基板の中心部から周縁に向けて移動するように供給する工程と、前記リンス液の供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記リンス液の供給を停止する工程と、前記不活性ガスの供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記不活性ガスの供給を停止し、その後に前記被処理基板の回転数を前記不活性ガス供給時の前記被処理基板の回転数より高速とする工程と、を有し、前記乾燥処理においてリンス液供給ポイントおよびガス供給ポイントを移動させる工程では、前記ガス供給ポイントが前記被処理基板の中心から周縁へ移動する向きと、前記リンス液供給ポイントが前記被処理基板の中心から周縁へ移動する向きとをずらす、基板洗浄方法が提供される。

本発明の第１０の観点によれば、被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄装置であって、被処理基板を保持し、略水平姿勢で回転させるスピンチャックと、前記スピンチャックに保持された被処理基板に所定の洗浄処理を施す洗浄処理機構と、前記スピンチャックに保持された被処理基板へリンス液を供給するリンスノズルと、前記スピンチャックに保持された被処理基板へ不活性ガスを供給するガスノズルと、前記リンスノズルからリンス液を吐出させながら前記リンスノズルを前記被処理基板の中心から周縁へとスキャンさせ、前記ガスノズルから不活性ガスを噴射させながら前記ガスノズルを前記被処理基板の中心部近傍から中心へスキャンさせた後に前記リンスノズルの位置よりも径方向内側の領域において前記被処理基板の周縁に向けてスキャンさせるノズル制御装置と、を有し、前記ノズル制御装置は、前記ガスノズルを前記被処理基板の中心部よりも外周部で速くスキャンさせる、基板洗浄装置が提供される。
本発明の第１１の観点によれば、被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄装置であって、被処理基板を保持し、略水平姿勢で回転させるスピンチャックと、前記スピンチャックに保持された被処理基板に所定の洗浄処理を施す洗浄処理機構と、前記スピンチャックに保持された被処理基板へリンス液を供給するリンスノズルと、前記スピンチャックに保持された被処理基板へ不活性ガスを供給するガスノズルと、前記リンスノズルからリンス液を吐出させながら前記リンスノズルを前記被処理基板の中心から周縁へとスキャンさせ、前記ガスノズルから不活性ガスを噴射させながら前記ガスノズルを前記被処理基板の中心部近傍から中心へスキャンさせた後に前記リンスノズルの位置よりも径方向内側の領域において前記被処理基板の周縁に向けてスキャンさせるノズル制御装置と、を有し、前記ノズル制御装置は、前記リンスノズルを前記被処理基板の中心から周縁へスキャンさせる向きと、前記ガスノズルを前記被処理基板の中心から周縁へスキャンさせる向きとをずらして、前記リンスノズルおよび前記ガスノズルをスキャンさせる、基板洗浄装置が提供される。

本発明の第１２の観点によれば、コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御するプログラムであって、実行時に、上記第１〜第９の観点のいずれかの基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させることを特徴とするプログラムが提供される。
本発明の第１３の観点によれば、コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御するプログラムであって、実行時に、上記第１〜第９の観点のいずれかの基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させることを特徴とするプログラムが提供される。

本発明によれば、乾燥処理時にリンス液の膜がなくなった部分にリアルタイムに不活性ガスが供給されるために、基板表面の酸化が抑制され、これによってウォーターマークの発生が抑制される。なお、本発明によれば１枚の被処理基板の洗浄処理に要する時間を短縮することができるという効果も得られる。

［図１］洗浄処理装置の概略構造を示す平面図。
［図２］図１に示す洗浄処理装置のＺ−Ｘ断面図。
［図３］図１に示す洗浄処理装置のＹ−Ｚ断面図。
［図４］洗浄処理装置におけるウエハＷの処理工程を示すフローチャート。
［図５Ａ］ウエハＷの処理工程を模式的に示す図。
［図５Ｂ］ウエハＷの処理工程を模式的に示す図。
［図５Ｃ］ウエハＷの処理工程を模式的に示す図。
［図５Ｄ］ウエハＷの処理工程を模式的に示す図。
［図５Ｅ］ウエハＷの処理工程を模式的に示す図。
［図５Ｆ］ウエハＷの処理工程を模式的に示す図。
［図５Ｇ］ウエハＷの処理工程を模式的に示す図。
［図５Ｈ］ウエハＷの処理工程を模式的に示す図。
［図６Ａ］比較例１の洗浄方法によるウエハのウォーターマーク観察結果を示す図。
［図６Ｂ］比較例２の洗浄方法によるウエハのウォーターマーク観察結果を示す図。
［図６Ｃ］実施例の洗浄方法によるウエハのウォーターマーク観察結果を示す図。
［図７Ａ］ウエハＷの別の処理工程を模式的に示す図。
［図７Ｂ］ウエハＷの別の処理工程を模式的に示す図。
［図７Ｃ］ウエハＷの別の処理工程を模式的に示す図。
［図７Ｄ］ウエハＷの別の処理工程を模式的に示す図。
［図７Ｅ］ウエハＷの別の処理工程を模式的に示す図。
［図７Ｆ］ウエハＷの別の処理工程を模式的に示す図。
［図７Ｇ］ウエハＷの別の処理工程を模式的に示す図。
［図７Ｈ］ウエハＷの別の処理工程を模式的に示す図。
［図７１］ウエハＷの別の処理工程を模式的に示す図。

以下、本発明の実施の形態について、半導体ウエハの洗浄処理を行う洗浄処理装置を例に挙げて図面を参照しながら、詳細に説明する。図１に洗浄処理装置１０の概略構造を示す平面図を示し、図２に洗浄処理装置１０のＺ−Ｘ断面図を示し、図３に洗浄処理装置１０のＹ−Ｚ断面図を示す。

洗浄処理装置１０は、ハウジング９０内に各部材が配設された構成となっている。このハウジング９０の一側面には窓９１が形成されており、この窓９１はシャッタ９２によって開閉自在となっている。この窓９１を通してウエハＷの搬入出が行われる。ハウジング９０の内部は、隔壁９３によって２室に仕切られており、後に詳細に説明するように、一方は洗浄液や純水等を扱う液処理室となっており、他方は洗浄処理のために各種ノズル等を移動させるための駆動機構を配設するための機構配設室となっている。

洗浄処理装置１０は、ハウジング９０内に、ウエハＷを略水平姿勢に保持するスピンチャック１１と、スピンチャック１１に保持されたウエハＷの周囲を囲繞するカップ１２と、ウエハＷの表面にリンス液（純水（ＤＩＷ））を供給するためにカップ１２の外側の所定位置に固定された２本のサイドリンスノズル１３・１４と、ウエハＷの表面に洗浄液を供給する洗浄液ノズル１５と、ウエハＷの表面に純水（ＤＩＷ）を供給する純水ノズル１７と、ウエハＷの表面に不活性ガス、例えば、窒素ガスを供給するガスノズル１６と、を備えている。

スピンチャック１１は、チャックプレート７１と、チャックプレート７１を支持する枢軸７２と、枢軸７２を回転させるモータ７３と、チャックプレート７１に載置されたウエハＷの保持／解除を行う脱着機構７４と、を備えている。チャックプレート７１の表面には、図示しない支持ピンが複数配設されており、ウエハＷはこれら支持ピンに支持される。

脱着機構７４は、チャックプレート７１の周縁の３箇所に設けられた保持部材７５と、チャックプレート７１の下方に設けられたプレート部材７６と、プレート部材７６を昇降させる昇降機構７７と、保持部材７５の配設位置に対応してプレート部材７６に設けられた当接治具７８と、を有している。図２の左側には保持部材７５がウエハＷを保持した状態が示されており、図２の右側には保持部材７５がウエハＷを保持していない状態が示されている。

この脱着機構７４は保持部材７５をテコの原理を利用して動かすことにより、ウエハＷの保持状態と解除状態とを切り替えるものである。すなわち、昇降機構７７を上昇させると３箇所に配設された当接治具７８が保持部材７５の内周端をそれぞれチャックプレート７１の裏面に押し付け、これにより保持部材７５の外周端部が外側下方へ動いてウエハＷの保持状態が解除されるようになっている。反対に、昇降機構７７を降下させて当接治具７８を保持部材７５から離隔させると、保持部材７５の外周端部が内側上方に動いてウエハＷの縁に当接することにより、ウエハＷに外周から中心へ向かう力が加わり、ウエハＷが保持部材７５に保持される。

カップ１２は昇降機構８５により昇降自在となっている。図２では下段位置（実線）および上段位置（点線）が同時に示され、図３では上段位置のみが示されている。ウエハＷの搬入出時にはカップ１２は下段位置に保持され、洗浄処理中は上段位置に保持される。カップ１２には内周上側から外周下側に傾斜したテーパー部８６・８７が上下２段で形成されている。カップ１２の底部には排気ダクト８９が設けられている。

サイドリンスノズル１３はウエハＷのほぼ中心に向けて純水を吐出し、サイドリンスノズル１４はウエハＷの中心よりも外側のポイントに向けて純水を吐出する。これにより、少ない純水量でウエハＷ全体に均一な液膜を形成することができる。なお、サイドリンスノズル１３・１４は、各サイドリンスノズル１３・１４から洗浄液が略平行に吐出されるように配置することが好ましく、これにより均一な液膜を形成することが容易となる。

洗浄液ノズル１５へは、窒素ガス供給源と純水供給源とからそれぞれ窒素ガスと純水が供給され、これらが洗浄液ノズル１５の内部において混合され、こうして生成された純水に窒素ガスを混入させた洗浄液（以下「２流体洗浄液」という）をウエハＷの表面に吹き付ける。勿論、洗浄液はこれに限定されるものではなく、各種薬液を吐出する構成としてもよい。なお、洗浄液ノズル１５は、窒素ガスの供給を停止すれば純水のみを吐出することができ、逆に純水の供給を停止すれば窒素ガスのみを噴射することができる。

洗浄液ノズル１５は第１ノズルアーム５１に保持されており、この第１ノズルアーム５１は第１アーム昇降機構５６によって昇降自在である。また、第１アーム昇降機構５６は、機構配設室においてＸ方向に延在して設けられたガイド５４に移動自在に嵌合されたスライダ６１に取り付けられており、このスライダ６１のＸ方向の位置制御は第１ノズルスライド機構６６によって行われるようになっている。例えば、第１ノズルスライド機構６６としては、電磁式リニアモータやボールネジ機構等が用いられる。このような構成により、洗浄液ノズル１５をウエハＷ上でＸ方向にスキャンさせ、またカップ１２の上端を越えてカップ１２外へ退避させることができるようになっている。

ウエハＷの表面に窒素ガスを供給するガスノズル１６は、第２ノズルアーム５２に保持されており、この第２ノズルアーム５２は第２アーム昇降機構５７によって昇降自在となっている。また、第２アーム昇降機構５７は、機構配設室においてＸ方向に延在して設けられたガイド５４に移動自在に嵌合されたスライダ６２に取り付けられており、このスライダ６２のＸ方向の位置制御は第２ノズルスライド機構６７によって行われるようになっている。第２ノズルスライド機構６７としては第１ノズルスライド機構６６と同じ駆動方式のものが好適に用いられる。このような構成により、ガスノズル１６もまた、ウエハＷ上でＸ方向にスキャンさせ、またカップ１２の上端を越えてカップ１２外へ退避させることができるようになっている。

ウエハＷの表面に純水を供給する純水ノズル１７は、第３ノズルアーム５３に保持されており、この第３ノズルアーム５３は第３アーム昇降機構５８によって昇降自在となっている。また、第３アーム昇降機構５８は、ガイド５４に移動自在に嵌合されたスライダ６３に取り付けられており、このスライダ６３のＸ方向の位置制御は第３ノズルスライド機構６８によって行われるようになっている。第３ノズルスライド機構６８としては第１ノズルスライド機構６６と同じ駆動方式のものが好適に用いられる。このような構成により、純水ノズル１７もまた、ウエハＷ上でＸ方向にスキャンさせ、またカップ１２の上端を越えてカップ１２外へ退避させることができるようになっている。

このように構成された洗浄処理装置１０に設けられた各種機構の駆動制御と、窒素ガスや純水の供給源から各種ノズルへの流体供給を制御するバルブの制御は、制御部９５により行われる。すなわち、洗浄処理装置１０の各構成部は、制御部（プロセスコントローラ）９５に接続されて制御される構成となっている。また、制御部９５には、工程管理者が洗浄処理装置１０を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、洗浄処理装置１０の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース９６が接続されている。

また、制御部９５には、洗浄処理装置１０で実行される各種処理を制御部９５の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて洗浄処理装置１０の各構成部に処理を実行させるためのプログラム（すなわち、レシピ）が格納された記憶部９７が接続されている。レシピはハードディスクや半導体メモリー等に記憶されていてもよいし、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ等のコンピュータにより読み取り可能な可搬性の記憶媒体に格納された状態で、記憶部９７の所定位置にセットするようになっていてもよい。

そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース９６からの指示等にて任意のレシピを記憶部９７から呼び出して制御部９５に実行させることで、制御部９５の制御下で、洗浄処理装置１０での所望の処理が行われる。

次に上記の通り構成された洗浄処理装置１０におけるウエハＷの処理工程について、図４に示すフローチャートおよび図５Ａ〜５Ｈに示すウエハＷの処理工程を模式的に示す図を参照しながら説明する。なお、サイドリンスノズル１３・１４は図５Ｃ，図５Ｄにのみ示し、ガスノズル１６と純水ノズル１７は図５Ｃでは省略している。

最初にカップ１２を下段位置に配置し、昇降機構７７によりプレート部材７６を上昇させて当接治具７８を保持部材７５に押し付け、保持部材７５の外周端部を外側下方に移動させた状態とする。また、シャッタ９２を開いて窓９１を開く。ウエハＷを保持した図示しないウエハ搬送アームを、窓９１を通してハウジング９０内に進入させて、チャックプレート７１にウエハＷを受け渡す。ウエハ搬送アームをハウジング９０から退出させた後に、プレート部材７６を降下させて当接治具７８を保持部材７５から離隔させ、保持部材７５にウエハＷを保持させる（ステップ１）。その後、カップ１２を上段位置へと移動させる。

図５Ａに示すように、洗浄液ノズル１５の待避位置側（図１参照）のウエハＷの端をＳ点、ガスノズル１６および純水ノズル１７の待避位置側のウエハＷの端をＴ点とする。洗浄液ノズル１５をカップ１２外の待避位置からスピンチャック１１に保持されたウエハＷ上の所定の高さ位置に移動させる（ステップ２）。次に、図５Ｂに示すように、ウエハＷを所定の速度で回転させて、洗浄液ノズル１５をＸ方向でウエハＷの端（Ｓ点）と端（Ｔ点）との間で、または中心（Ｏ点）と端（Ｓ点）との間で所定の速度でスキャンさせながら、洗浄液ノズル１５から２流体洗浄液をウエハＷの表面に所定時間吹き付けることにより、ウエハＷの表面を洗浄する（ステップ３）。

次に、図５Ｃに示すように、洗浄液ノズル１５からの２流体洗浄液の吐出を停止させ（このとき、洗浄液ノズルはＳ点側にあることが好ましい）、洗浄液ノズル１５をカップ１２外の待避位置へ移動させる。また、ウエハＷの回転数を洗浄処理時（洗浄液ノズル１５による処理時）より下げて、サイドリンスノズル１３・１４からウエハＷの表面にリンス液を供給し、ウエハＷの表面をリンス処理する（ステップ４）。このリンス処理では、所定時間経過後にサイドリンスノズル１３・１４からの純水供給を停止した際に、ウエハＷの表面全体に液膜が残るように、ウエハＷの回転数を設定することが好ましい。

このリンス処理の間に、図５Ｄに示すように、ガスノズル１６をウエハＷの中心部において中心（Ｏ点）から適長離間した地点、例えばウエハＷの中心Ｏ点からＳ点側に１０〜５０ｍｍ離れたＰ点の上の所定の高さ位置へ移動させ、かつ、純水ノズル１７をウエハＷの中心（Ｏ点）上の所定の高さ位置に移動させる（ステップ５）。

このＰ点は、ガスノズル１６から噴射される窒素ガスが純水ノズル１７から吐出される純水を跳ね上げない地点に設定する。このＰ点の位置を設定することは、ガスノズル１６と純水ノズル１７との間の距離を設定することでもある。後述するように純水ノズル１７から純水を吐出させながら純水ノズル１７をウエハＷの中心から周縁に向かってスキャンさせた際に、ウエハＷ上の純水が遠心力によって振り切られることによって乾燥が始まる部分に窒素ガスが供給されるように、ガスノズル１６と純水ノズル１７との間の距離を設定する。

次に、サイドリンスノズル１３・１４からのウエハＷの表面への純水供給を停止し、それに続いてウエハＷの乾燥処理を行う。この乾燥処理では、最初に図５Ｅに示すように、ウエハＷの回転数を好ましくはリンス処理時と同等またはそれよりも大きくして（但し、洗浄処理時よりは遅いことが望ましい）、純水ノズル１７からの純水の吐出を開始し、実質的にこれと同時にガスノズル１６からの窒素ガスの噴射を開始する（ステップ６）。ここで、純水ノズル１７の位置よりも外側で液膜が形成されていればよいために、純水ノズル１７からの純水吐出量はサイドリンスノズル１３・１４からの純水吐出量よりも少なくすることが好ましい。

次いで図５Ｆに示すように、純水ノズル１７から純水を吐出させながら、純水ノズル１７を純水ノズル１７の待避位置側のＴ点に向けて所定速度でスキャンさせる。これと並行して、ガスノズル１６から窒素ガスを噴射させながら、ガスノズル１６を、純水ノズル１７を追うようにウエハＷの中心（Ｏ点）を通ってＴ点に向けてスキャンさせる（ステップ７）。このステップ７は、換言すると、ウエハＷに純水を供給する純水供給ポイントをウエハＷの周縁に向けて移動させながら、ウエハＷに窒素ガスを供給するガス供給ポイントをウエハＷの中心（Ｏ点）へ移動させた後に純水供給ポイントよりも径方向内側の領域においてウエハＷの中心（Ｏ点）から周縁に向けて移動させるステップ、である。

純水ノズル１７のウエハＷの中心から周縁へのスキャンを開始すると、純水が供給されなくなったウエハＷの中心から遠心力によって徐々に液膜がなくなり、ウエハＷの乾燥が始まる。ここで、ウエハＷの中心部では液膜に加わる遠心力が弱いために乾燥速度が遅い。しかし、ウエハＷの中心近傍に窒素ガスが供給されているために、最初に乾燥し始めるウエハＷの中心部は空気にさらされ難い。こうしてウエハＷの表面酸化によるウォーターマークの発生が抑制される。また、ステップ７では、純水ノズル１７をスキャンさせることによって乾燥が始まる部分に窒素ガスが供給されるようにガスノズル１６をスキャンさせるので、ウエハＷ全体でウォーターマークの発生を抑制することができる。

ウエハＷに供給された純水が遠心力によりウエハＷから振り切られる速さ（純水がウエハＷ上を移動する速さ）は、ウエハＷの中心部よりも外周部で速くなる。このため、純水ノズル１７と衝突しないように、ガスノズル１６のスキャン速度をウエハＷの中心部よりもその外周部で速くすることが好ましい。これによりウエハＷ表面の乾燥し始める部分が速やかに窒素ガスにさらされるため、ウォーターマークの発生を抑制することができる。

こうして純水ノズル１７がウエハＷの周縁から外れたら、純水ノズル１７からの純水の吐出を停止する（ステップ８）。一方、図５Ｇに示すように、ガスノズル１６がウエハＷの周縁近傍に到達したら、その位置でガスノズル１６を所定時間、例えば数秒、停止させて、ウエハＷの外周部を乾燥させることが好ましい（ステップ９）。これにより、ウエハＷの外周部を遠心力による液滴の振り切り乾燥よりも窒素ガスによる乾燥を支配的とすることができ、ウエハＷの周縁部近傍におけるウォーターマークの発生を抑制することができる。

続いて図５Ｈに示すように、ガスノズル１６がウエハＷの周縁から外れたら、ガスノズル１６からの窒素ガス噴射を停止して、所定時間、ウエハＷを不活性ガス供給時よりも高速で回転させて、最終的なスピン乾燥を行う（ステップ１０）。その後ウエハＷの回転を停止させる（ステップ１１）。これによりウエハＷに対する一連の洗浄、リンス、乾燥処理が終了する。

上述したウエハＷの洗浄方法によれば、後に実施例に示すように、従来の洗浄方法と比較してトータルの処理時間を短縮することができる。また、洗浄処理装置１０のスループットを向上させることができるという効果も得られる。

このスピン乾燥が終了したら、純水ノズル１７およびガスノズル１６をカップ１２外へ待避させる。また、その後、先にウエハＷをハウジング９０に搬入してチャックプレート７１に支持させた手順と逆の手順によって、ウエハＷをハウジング９０から搬出する（ステップ１２）。

このような洗浄方法の中で用いた乾燥方法は、特に、純水が主に遠心力によって外側に振り切られることによってウエハＷの乾燥が進む場合、つまり、ウエハＷの表面が疎水性である場合に好適に用いられる。その具体例としては、ウエハＷがベアウエハである場合が挙げられる。また、ウエハＷの表面に各種の膜や回路が構成されており、疎水性の部分と親水性の部分を有するウエハＷにも適用することができる。

次に、ベアウエハを２流体洗浄液により処理した場合の実施例および比較例について説明する。表１、表２、表３に各種洗浄処理のレシピを示す。表１に示すレシピは、ステップ１でウエハの回転開始を、ステップ２で洗浄液ノズル１５からの２流体洗浄液の吐出による洗浄処理を、ステップ３でサイドリンスノズル１３・１４からウエハに純水を供給することによるリンス処理を、ステップ４で高速回転によるスピン乾燥を、ステップ５でウエハの回転停止を、それぞれ行う従来から広く知られた洗浄方法（比較例１）である。

表２に示すレシピは、ステップ１でウエハの回転開始を、ステップ２で洗浄液ノズル１５からの２流体洗浄液の吐出による洗浄処理を、ステップ３でウエハの回転数を落とし、サイドリンスノズル１３・１４から純水を吐出することによるリンス処理を、ステップ４で中速回転によるスピン乾燥を、ステップ５で高速回転によるスピン乾燥を、ステップ６でウエハの回転停止を、それぞれ行う洗浄方法（比較例２）である。

表３に示すレシピは、本発明に係る洗浄方法であり、ステップ１でウエハの回転開始を、ステップ２で洗浄液ノズル１５からの２流体洗浄液の吐出による洗浄処理を、ステップ３でウエハの回転数を落とし、サイドリンスノズル１３・１４からウエハに純水を供給することによるリンス処理を、ステップ４でウエハを中速回転させ、純水ノズル１７およびガスノズル１６による純水と窒素ガスを供給しながらのスピン乾燥を、ステップ５で窒素ガス供給時の回転数より高速でウエハを回転させることよるスピン乾燥を、ステップ６でウエハの回転停止を、それぞれ行う洗浄方法（実施例）である。

図６Ａ〜６Ｃにこれらの洗浄方法によるウエハのウォーターマーク観察結果を示す。図６Ａに示されるように、比較例１の洗浄方法では、ウエハ全体にウォーターマーク（図６Ａ〜６Ｃの各図における黒点部分）が発生していることが確認された。また図６Ｂに示されるように、比較例２の洗浄方法でも、特にウエハの周縁部に多くのウォーターマークの発生が確認された。しかし、図６Ｃに示されるように、実施例の洗浄方法によれば、ウォーターマークは殆ど観察されず、良好な洗浄面が得られていることが確認された。実施例では、ステップ４でウエハＷの回転加速度を下げている。このように緩やかに加速することによって純水の振り切りを遅くし、乾燥が始まる部分に有効に窒素ガスを供給することができる。このことも、実施例におけるウォーターマークの発生防止に寄与している。

また、表１〜表３から、処理時間は、比較例１で４４秒、比較例２で４６秒、実施例で３９秒である。このように、本発明に係る洗浄処理方法を用いることにより、洗浄処理装置１０のスループットを高めることができるという効果も得られることが確認された。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、上記説明においては、ガスノズル１６と純水ノズル１７とをそれぞれ独立して駆動可能な構成としたが、第２ノズルアーム５２の先端に、ガスノズル１６と純水ノズル１７を適長（例えば、前述したように、１０〜５０ｍｍ）離間させてＸ方向に並べて取り付けることにより、ガスノズル１６と純水ノズル１７を一体的にスキャンさせる構成としてもよい。これにより、第３ノズルアーム５３とこれに関わる駆動機構が不要となるために、洗浄処理装置の構造を簡単にすることができる。

さらに、洗浄液ノズル１５では、洗浄液ノズル１５に窒素ガスを供給しなければ、純水のみを吐出させることができるために、洗浄液ノズル１５を純水ノズル１７の代わりに用いてもよい。その場合には、純水ノズル１７を設けなくともよい。また、この場合において、さらに洗浄液ノズル１５を保持している第１ノズルアーム５１に洗浄液ノズル１５とガスノズル１６を一定の間隔でＸ方向に並べて取り付けてもよい。これにより洗浄処理装置の構造をさらに簡単にすることができる。

さらにまた、上記説明においては、洗浄液ノズル１５、ガスノズル１６、純水ノズル１７をＸ方向で直線的にスキャンさせたが、これらのノズルがウエハＷの中心を通ってウエハＷ上で円弧を描くように回動自在な構成としてもよい。

上記説明においては、純水ノズル１７を追うようにガスノズル１６をスキャンさせたが、ガスノズル１６のスキャン方法はこれに限定されるものではない。図７Ａ〜７Ｉにガスノズル１６の別のスキャン方法を模式的示す説明図を示す。図７Ａ〜７Ｉにおける純水ノズル１７の動作は図５Ａ〜５Ｈで説明した動作と同じであるので、ここでは純水ノズル１７の動作の説明は省略する。また、図７Ａ〜図７Ｅはそれぞれ図５Ａ〜図５Ｅと同じであるので、これら図７Ａ〜図７Ｅでのガスノズル１６の動作についても、ここでの説明は省略する。すなわち、ここでのスキャン方法の特徴は、図７Ｆ〜７Ｉのガスノズル１６の動作にある。

図７Ｅの状態から図７Ｆの状態へ移行する際には、ガスノズル１６から窒素ガスを噴射させながらガスノズルをＰ点からＯ点へスキャンさせた後に、図７Ｇに示すように、ガスノズル１６をＯ点からＰ点へ戻り、さらにＰ点を通過して洗浄液ノズル１５の待避位置側のウエハＷの周縁のＳ点側へスキャンさせる。このとき、ガスノズル１６が純水ノズル１７よりもウエハＷの径方向において内側に位置するようにする。次いで、図７Ｈに示すように、ウエハＷの周縁部でガスノズル１６を所定時間停止させてウエハＷの外周部を乾燥させた後に、図７Ｉに示すように、ガスノズル１６を所定の待避位置へ移動させる。

このような方法によっても、ウエハＷにおけるウォーターマークの発生を抑制することができる。また、純水ノズル１７をウエハＷの中心から周縁へスキャンさせる向きとガスノズル１６をウエハＷの中心から周縁へスキャンさせる向きとをずらす（図７Ｆ〜７Ｉは逆向きの場合に相当する）ことにより、純水ノズル１７とガスノズル１６の衝突を回避しながら、それぞれの速度制御の自由度を増やすことができるために、ガスノズル１６からの窒素ガス噴射を停止した後にガスノズル１６をＳ点からＴ点側へ戻す必要があることを考慮しても、洗浄処理全体のスループットを向上させることができる。

以上説明した実施の形態は、あくまでも本発明の技術的内容を明らかにすることを意図するものであって、本発明はこのような具体例にのみ限定して解釈されるものではなく、本発明の精神とクレームに述べる範囲で、種々に変更して実施することができるものである。

本発明は、半導体ウエハの洗浄処理に好適であり、特に疎水性の面を備えたベアウエハの洗浄処理に好適である。

Claims

被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、
前記乾燥処理は、
被処理基板を略水平姿勢で回転させ、前記被処理基板の表面の中心へリンス液の供給を開始する工程と、
前記被処理基板の中心近傍において前記被処理基板の中心から適長離間した地点へ不活性ガスの供給を開始する工程と、
前記被処理基板へリンス液を供給するリンス液供給ポイントを前記被処理基板の周縁に向けて移動させながら、前記被処理基板へ不活性ガスを供給するガス供給ポイントを前記被処理基板の中心へ移動させ、その後に前記リンス液供給ポイントよりも径方向内側の領域において前記被処理基板の中心から周縁に向けて移動させる工程と、
を有し、
前記被処理基板の中心近傍において前記被処理基板の中心から適長離間した地点への不活性ガスの供給開始を、前記被処理基板の表面の中心へのリンス液供給開始と実質的に同時とする、基板洗浄方法。
被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、
前記乾燥処理は、
被処理基板を略水平姿勢で回転させ、前記被処理基板の表面の中心へリンス液の供給を開始する工程と、
前記被処理基板の中心近傍において前記被処理基板の中心から適長離間した地点へ不活性ガスの供給を開始する工程と、
前記被処理基板へリンス液を供給するリンス液供給ポイントを前記被処理基板の周縁に向けて移動させながら、前記被処理基板へ不活性ガスを供給するガス供給ポイントを前記被処理基板の中心へ移動させ、その後に前記リンス液供給ポイントよりも径方向内側の領域において前記被処理基板の中心から周縁に向けて移動させる工程と、
を有し、
前記ガス供給ポイントの移動速度を前記被処理基板の中心部よりも外周部で速くする、基板洗浄方法。
被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、
前記乾燥処理は、
被処理基板を略水平姿勢で回転させ、前記被処理基板の表面の中心へリンス液の供給を開始する工程と、
前記被処理基板の中心近傍において前記被処理基板の中心から適長離間した地点へ不活性ガスの供給を開始する工程と、
前記被処理基板へリンス液を供給するリンス液供給ポイントを前記被処理基板の周縁に向けて移動させながら、前記被処理基板へ不活性ガスを供給するガス供給ポイントを前記被処理基板の中心へ移動させ、その後に前記リンス液供給ポイントよりも径方向内側の領域において前記被処理基板の中心から周縁に向けて移動させる工程と、
を有し、
前記洗浄処理と前記乾燥処理の間に、前記被処理基板を略水平姿勢で回転させながら前記被処理基板の表面の所定ポイントにリンス液を所定時間供給するリンス処理を設け、前記乾燥処理の開始前に前記被処理基板の表面にリンス液の膜が形成されている状態とする、基板洗浄方法。
前記被処理基板の中心近傍において前記被処理基板の中心から適長離間した地点への不活性ガスの供給開始を、前記被処理基板の表面の中心へのリンス液供給開始と実質的に同時とする、請求項３に記載の基板洗浄方法。
前記ガス供給ポイントの移動速度を前記被処理基板の中心部よりも外周部で速くする、請求項３または請求項４に記載の基板洗浄方法。
前記リンス液供給ポイントが前記被処理基板の周縁から外れた後に、前記ガス供給ポイントを前記被処理基板の外周部近傍で所定時間停止させることにより、前記被処理基板の外周部を乾燥させる、請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の基板洗浄方法。
前記乾燥処理においてリンス液供給ポイントおよびガス供給ポイントを移動させる工程では、前記ガス供給ポイントが前記被処理基板の中心から周縁へ移動する向きと、前記リンス液供給ポイントが前記被処理基板の中心から周縁へ移動する向きとをずらす、請求項３から請求項６に記載の基板洗浄方法。
被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、
前記乾燥処理は、
被処理基板を略水平姿勢で回転させ、前記被処理基板の表面の中心へリンス液の供給を開始する工程と、
前記被処理基板の中心近傍において前記被処理基板の中心から適長離間した地点へ不活性ガスの供給を開始する工程と、
前記被処理基板へリンス液を供給するリンス液供給ポイントを前記被処理基板の周縁に向けて移動させながら、前記被処理基板へ不活性ガスを供給するガス供給ポイントを前記被処理基板の中心へ移動させ、その後に前記リンス液供給ポイントよりも径方向内側の領域において前記被処理基板の中心から周縁に向けて移動させる工程と、
を有し、
前記リンス液供給ポイントが前記被処理基板の周縁から外れた後に、前記ガス供給ポイントを前記被処理基板の外周部近傍で所定時間停止させることにより、前記被処理基板の外周部を乾燥させる、基板洗浄方法。
被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、
前記乾燥処理は、
被処理基板を略水平姿勢で回転させ、前記被処理基板の表面の中心へリンス液の供給を開始する工程と、
前記被処理基板の中心近傍において前記被処理基板の中心から適長離間した地点へ不活性ガスの供給を開始する工程と、
前記被処理基板へリンス液を供給するリンス液供給ポイントを前記被処理基板の周縁に向けて移動させながら、前記被処理基板へ不活性ガスを供給するガス供給ポイントを前記被処理基板の中心へ移動させ、その後に前記リンス液供給ポイントよりも径方向内側の領域において前記被処理基板の中心から周縁に向けて移動させる工程と、
を有し、
前記乾燥処理においてリンス液供給ポイントおよびガス供給ポイントを移動させる工程では、前記ガス供給ポイントが前記被処理基板の中心から周縁へ移動する向きと、前記リンス液供給ポイントが前記被処理基板の中心から周縁へ移動する向きとをずらす、基板洗浄方法。
被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、
前記乾燥処理は、
被処理基板を略水平姿勢で回転させ、リンス液をその供給ポイントを前記被処理基板の表面の中心から周縁に向けて移動させながら供給する工程と、
不活性ガスをそのガス供給ポイントが前記リンス液の供給ポイントよりも径方向内側の領域において前記被処理基板の中心部から周縁に向けて移動するように供給する工程と、
前記リンス液の供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記リンス液の供給を停止する工程と、
前記不活性ガスの供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記不活性ガスの供給を停止し、その後に前記被処理基板の回転数を前記不活性ガス供給時の前記被処理基板の回転数より高速とする工程と、
を有し、
前記ガス供給ポイントの移動速度を前記被処理基板の中心部よりも外周部で速くする、基板洗浄方法。
被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、
前記乾燥処理は、
被処理基板を略水平姿勢で回転させ、リンス液をその供給ポイントを前記被処理基板の表面の中心から周縁に向けて移動させながら供給する工程と、
不活性ガスをそのガス供給ポイントが前記リンス液の供給ポイントよりも径方向内側の領域において前記被処理基板の中心部から周縁に向けて移動するように供給する工程と、
前記リンス液の供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記リンス液の供給を停止する工程と、
前記不活性ガスの供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記不活性ガスの供給を停止し、その後に前記被処理基板の回転数を前記不活性ガス供給時の前記被処理基板の回転数より高速とする工程と、
を有し、
前記洗浄処理と前記乾燥処理の間に、前記被処理基板を略水平姿勢で回転させながら前記被処理基板の表面の所定ポイントにリンス液を所定時間供給するリンス処理を設け、前記乾燥処理の開始前に前記被処理基板の表面にリンス液の膜が形成されている状態とする、基板洗浄方法。
前記ガス供給ポイントの移動速度を前記被処理基板の中心部よりも外周部で速くする、請求項１１に記載の基板洗浄方法。
前記リンス液供給ポイントが前記被処理基板の周縁から外れた後に、前記ガス供給ポイントを前記被処理基板の外周部近傍で所定時間停止させることにより、前記被処理基板の外周部を乾燥させる、請求項１１または請求項１２に記載の基板洗浄方法。
前記乾燥処理においてリンス液供給ポイントおよびガス供給ポイントを移動させる工程では、前記ガス供給ポイントが前記被処理基板の中心から周縁へ移動する向きと、前記リンス液供給ポイントが前記被処理基板の中心から周縁へ移動する向きとをずらす、請求項１１から請求項１３のいずれか１項に記載の基板洗浄方法。
被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、
前記乾燥処理は、
被処理基板を略水平姿勢で回転させ、リンス液をその供給ポイントを前記被処理基板の表面の中心から周縁に向けて移動させながら供給する工程と、
不活性ガスをそのガス供給ポイントが前記リンス液の供給ポイントよりも径方向内側の領域において前記被処理基板の中心部から周縁に向けて移動するように供給する工程と、
前記リンス液の供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記リンス液の供給を停止する工程と、
前記不活性ガスの供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記不活性ガスの供給を停止し、その後に前記被処理基板の回転数を前記不活性ガス供給時の前記被処理基板の回転数より高速とする工程と、
を有し、
前記リンス液供給ポイントが前記被処理基板の周縁から外れた後に、前記ガス供給ポイントを前記被処理基板の外周部近傍で所定時間停止させることにより、前記被処理基板の外周部を乾燥させる、基板洗浄方法。
被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、
前記乾燥処理は、
被処理基板を略水平姿勢で回転させ、リンス液をその供給ポイントを前記被処理基板の表面の中心から周縁に向けて移動させながら供給する工程と、
不活性ガスをそのガス供給ポイントが前記リンス液の供給ポイントよりも径方向内側の領域において前記被処理基板の中心部から周縁に向けて移動するように供給する工程と、
前記リンス液の供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記リンス液の供給を停止する工程と、
前記不活性ガスの供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記不活性ガスの供給を停止し、その後に前記被処理基板の回転数を前記不活性ガス供給時の前記被処理基板の回転数より高速とする工程と、
を有し、
前記乾燥処理においてリンス液供給ポイントおよびガス供給ポイントを移動させる工程では、前記ガス供給ポイントが前記被処理基板の中心から周縁へ移動する向きと、前記リンス液供給ポイントが前記被処理基板の中心から周縁へ移動する向きとをずらす、基板洗浄方法。
前記洗浄処理と前記乾燥処理の間に、前記被処理基板を略水平姿勢で回転させながら前記被処理基板の表面の所定ポイントにリンス液を所定時間供給するリンス処理を設け、前記不活性ガス供給時の前記被処理基板の回転数を前記リンス処理時の前記被処理基板の回転数よりも上げる、請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の基板洗浄方法。
前記洗浄処理と前記乾燥処理の間に、前記被処理基板を略水平姿勢で回転させながら前記被処理基板の表面の所定ポイントにリンス液を所定時間供給するリンス処理を設け、前記乾燥処理時に前記被処理基板の表面に供給するリンス液の量を前記リンス処理時よりも少なくする、請求項１から請求項１７のいずれか１項に記載の基板洗浄方法。
前記被処理基板の表面は疎水性である、請求項１から請求項１８のいずれか１項に記載の基板洗浄方法。
被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄装置であって、
被処理基板を保持し、略水平姿勢で回転させるスピンチャックと、
前記スピンチャックに保持された被処理基板に所定の洗浄処理を施す洗浄処理機構と、
前記スピンチャックに保持された被処理基板へリンス液を供給するリンスノズルと、
前記スピンチャックに保持された被処理基板へ不活性ガスを供給するガスノズルと、
前記リンスノズルからリンス液を吐出させながら前記リンスノズルを前記被処理基板の中心から周縁へとスキャンさせ、前記ガスノズルから不活性ガスを噴射させながら前記ガスノズルを前記被処理基板の中心部近傍から中心へスキャンさせた後に前記リンスノズルの位置よりも径方向内側の領域において前記被処理基板の周縁に向けてスキャンさせるノズル制御装置と、
を有し、
前記ノズル制御装置は、前記ガスノズルを前記被処理基板の中心部よりも外周部で速くスキャンさせる、基板洗浄装置。
被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄装置であって、
被処理基板を保持し、略水平姿勢で回転させるスピンチャックと、
前記スピンチャックに保持された被処理基板に所定の洗浄処理を施す洗浄処理機構と、
前記スピンチャックに保持された被処理基板へリンス液を供給するリンスノズルと、
前記スピンチャックに保持された被処理基板へ不活性ガスを供給するガスノズルと、
前記リンスノズルからリンス液を吐出させながら前記リンスノズルを前記被処理基板の中心から周縁へとスキャンさせ、前記ガスノズルから不活性ガスを噴射させながら前記ガスノズルを前記被処理基板の中心部近傍から中心へスキャンさせた後に前記リンスノズルの位置よりも径方向内側の領域において前記被処理基板の周縁に向けてスキャンさせるノズル制御装置と、
を有し、
前記ノズル制御装置は、前記リンスノズルを前記被処理基板の中心から周縁へスキャンさせる向きと、前記ガスノズルを前記被処理基板の中心から周縁へスキャンさせる向きとをずらして、前記リンスノズルおよび前記ガスノズルをスキャンさせる、基板洗浄装置。
コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御するプログラムであって、実行時に、請求項１から請求項１９のいずれかの基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させることを特徴とするプログラム。
コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項１から請求項１９のいずれかの基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。