KR100809591B1 - 매엽식 기판 세정 방법 - Google Patents

매엽식 기판 세정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100809591B1
KR100809591B1 KR1020060087645A KR20060087645A KR100809591B1 KR 100809591 B1 KR100809591 B1 KR 100809591B1 KR 1020060087645 A KR1020060087645 A KR 1020060087645A KR 20060087645 A KR20060087645 A KR 20060087645A KR 100809591 B1 KR100809591 B1 KR 100809591B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
region
cleaning
isopropyl alcohol
supplying
Prior art date
Application number
KR1020060087645A
Other languages
English (en)
Inventor
박춘희
김희석
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020060087645A priority Critical patent/KR100809591B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100809591B1 publication Critical patent/KR100809591B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 기판을 매엽식으로 세정하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 회전되는 기판의 영역별 또는 구간별로 서로 상이한 처리유체들을 연속적으로 공급하여 기판을 세정, 린스, 그리고 건조한다. 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 기판의 세정 및 린스, 그리고 건고 공정시, 기설정된 기판의 영역별 또는 구간별로 상이한 처리유체들을 연속적 및 선택적으로 분사하면서 기판을 세정, 린스, 그리고 건조한다. 또한, 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 기판의 기설정된 영역들 각각에 기설정된 공급량만큼을 정밀하게 공급할 수 있다.
반도체, 웨이퍼, 기판, 세정, 린스, 건조, 마랑고니, 이소프로필 알코올

Description

매엽식 기판 세정 방법{METHOD FOR CLEANING SUBSTRATE IN SINGLE WAFER}
도 1은 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판의 영역들을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법을 보여주는 순서도이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
100 : 매엽식 기판 세정 장치
110 : 하우징
120 : 스핀척
130 : 구동부
140 : 분사부재
150 : 이동부재
160 : 처리유체 공급부재
170 : 제어부
본 발명은 반도체 기판을 매엽식으로 세정하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 집적회로 칩은 증착, 이온 주입, 도포, 노광, 현상, 식각, 연마, 세정, 등과 같은 일련의 단위 공정들의 반복적인 수행에 의해 제조된다. 이러한 단위 공정들 중에서 세정 공정은 각각의 단위 공정들을 수행하는 동안 반도체 기판 표면에 부착되는 이물질 또는 불필요한 막을 제거하는 공정으로, 최근 반도체 기판상에 형성되는 패턴이 미세화되고 패턴의 종횡비(aspect ratio)가 커짐에 따라 점차 중요도가 높아지고 있다.
세정 공정을 수행하는 장치 중 매엽식 기판 세정 장치는 소정의 처리액을 사용하여 낱장의 기판들을 순차적으로 세정, 린스, 그리고 건조하는 장치이다. 일반적인 매엽식 기판처리장치는 공정시 스핀척(spin chuck)에 의해 지지 및 회전되는 기판의 처리면으로 처리액을 분사하는 분사부재(injection member) 및 상기 분사부재를 이동시키는 이동부재(transfer part)를 포함한다. 보통, 분사부재는 적어도 하나의 노즐(nozzle)을 구비한다. 각각의 노즐은 공정시 소정의 처리유체들, 예컨대, 다양한 종류의 약액(chemical)들 및 초순수(DIW:Deionized Water), 그리고 건조가스(dry gas)를 토출시킨다. 그리고, 이동부재는 상기 분사부재가 기설정된 기판 처리면의 영역에 처리유체를 분사하도록 상기 분사부재의 위치를 조절한다. 상술한 매엽식 기판 세정 장치는 공정시 상기 분사부재가 스핀척(spin chuck)에 의해 회전되는 기판의 중앙영역에 상기 처리유체들을 순차적으로 분사하고, 분사되는 처 리유체는 회전되는 기판의 원심력에 의해 중앙영역으로부터 가장자리영역으로 퍼져나가면서 기판을 세정, 린스, 그리고 건조한다.
그러나, 상술한 매엽식 기판 세정 방법은 공정시 기판 표면에 물반점(water-mark)이 발생하였다. 이러한 물반점 현상은 기판이 외부 공기 내 산소와 접촉함으로써 발생되는 것이다. 기판 표면에 물반점이 발생하여 웨이퍼 표면을 오염시켜 후속 공정에서 공정 불량을 일으킨다. 물반점의 발생을 방지하기 위해서는 기판 표면이 외부에 노출되지 않도록 기판 표면을 외부 공기와 차단시킨 상태에서 공정을 진행하는 것이 바람직하나, 기판의 세정 공정시 기판을 외부 공기로부터 완벽하게 차단하는 것은 기술적으로 쉽지 않고, 기판 표면을 외부 공기와 차단하기 위한 장치가 추가적으로 구비되어야 하므로 장치의 제작 비용이 증가한다.
또한, 일반적인 매엽식 기판 세정 방법을 수행하는 장치는 공정시 상기 분사부재가 기판의 중앙영역에 일괄절으로 처리유체들을 분사하도록 제작된다. 따라서, 기판의 영역별로 상이한 처리유체들을 독립적 및 선택적으로 분사하고자 하는 경우에는 상술한 매엽식 기판 세정 장치로는 이를 적용하기가 어렵다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 기판의 세정 공정시 기판 표면에 물반점이 발생하는 것을 방지하는 매엽식 기판 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 세정 공정시 기판의 영역별로 상이한 처리유체들을 효과적으로 토출시킬 수 있는 매엽식 기판 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한 다.
또한, 본 발명은 기판의 영역별로 상이한 처리유체들을 분사하여 기판을 세정하는 경우에 기판의 세정 공정 시간을 단축할 수 있는 매엽식 기판 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 장치는 내부에 기판의 세정 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀척, 공정시 상기 스핀척에 의해 회전되는 기판의 처리면으로 다수의 처리유체를 토출시키는 토출부재, 공정시 상기 토출부재가 상기 기판의 기설정된 영역으로 처리유체를 분사하도록 상기 토출부재를 기판의 중앙영역 및 가장자리영역 상호간에 왕복이동시키는 이동부재, 상기 기판의 영역별로 서로 상이한 처리유체를 기설정된 공급량만큼 토출시키도록 상기 토출부재의 위치 및 상기 토출부재의 처리유체 공급을 제어하는 제어부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 처리유체는 초순수, 이소프로필 알코올 유체, 그리고 질소가스를 포함하고, 상기 제어부는 상기 토출부재가 상기 초순수, 상기 이소프로필 알코올 액체, 상기 이소프로필 알코올과 상기 질소가스의 혼합 기체, 그리고 질소가스를 순차적으로 기설정된 영역에 토출하도록 한다.
상술한 목적으로 달성하기 위한 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 회전되는 기판의 영역별 또는 구간별로 서로 상이한 처리유체들을 연속적으로 공급하여 기판을 세정, 린스, 그리고 건조한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 매엽식 기판 세정 방법은 기판상에 세정액을 공급하여 기판을 세정하는 단계, 기판상에 초순수를 공급하여 기판상의 세정액을 린스하는 단계, 기판 처리면의 중심을 기준으로 원형의 제1 영역으로 이소프로필 알코올 원액을 분사하는 단계, 기판 처리면의 상기 제1 영역을 포함하며 상기 제1 영역보다 큰 지름을 가지는 원형의 제2 영역에 이소프로필 알코올 기체를 분사하는 단계, 그리고 상기 제2 영역의 외부로부터 기판의 가장자리까지를 포함하는 환형의 제3 영역에 질소가스를 분사하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 이소프로필 알코올 원액을 공급하는 단계는 처리유체들을 토출하는 토출부재를 반복적으로 스윙 운동시켜, 상기 토출부재가 상기 제1 영역에 상기 이소프로필 알코올 원액을 복수회 반복적으로 분사하도록 하여 이루어진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제3 영역에 질소가스를 공급하는 단계는 상기 제3 영역의 시작지점으로부터 상기 제3 영역의 끝지점까지 상기 토출부재를 이동시키면서 상기 질소가스를 분사한다.
상술한 목적으로 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 기판의 처리면에 약액을 공급하여 기판을 세정하는 단계, 기판의 처리면에 린스액을 공급하여 기판을 린스하는 단계, 그리고 기판의 처리면에 건조유체를 공급하여 기판을 건조하는 단계를 포함하되, 상기 기판을 건조하는 단계는 (a)회전되는 기판의 180mm지점으로부터 60mm지점 사이의 제1 영역에 이소프로필 알코올 원액을 분사하는 단계, (b)회전되는 기판의 180mm지점으로부터 45mm지점 사이의 제2 영역에 이소프로필 알코올 가스를 분사하는 단계, 그리고 (c)회전되는 기판의 45mm지점으로부터 기판의 가장자리까지의 제3 영역에 질소가스를 분사하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 (a)단계는 상기 이소프로필 알코올 원액을 토출시키는 토출부재를 상기 180mm지점과 대향되는 위치 및 상기 60mm지점과 대향되는 위치를 반복적으로 왕복이동시키면서 상기 이소프로필 알코올 원액을 복수회 분사하고, 상기 (b)단계는 상기 토출부재를 상기 180mm지점과 대향되는 위치로부터 상기 45mm지저모가 대향되는 위치로 이동시키면서 상기 이소프로필 알코올 가스를 분사하고, 상기 (c)단계는 상기 토출부재를 상기 45mm지점과 대향되는 위치로부터 기판의 가장자리까지 이동시키면서 상기 질소가스를 분사한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 후술할 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
또한, 본 실시예에서는 반도체 기판을 매엽식으로 세정, 린스, 그리고 건조 공정을 수행하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 소정의 처리유체로 기판을 세정 및 린스, 그리고 건조를 수행하는 모든 반도체 및 평판 디스플레이 제조 장치에 적용될 수 있다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 장치의 구성도이고, 도 2는 본 발명에 따른 기판의 영역들을 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 장치(100)는 하우징(housing)(110), 스핀척(spin chuck)(120), 구동부(driven member)(130), 분사부재(injection member)(140), 이동부재(transfer member)(150), 처리유체 공급부재(treating-fluid supply member)(160), 그리고 제어부(controller)(170)를 포함한다.
하우징(110)은 내부에 기판의 세정 및 건조 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(110)은 상부가 개방된다. 하우징(110)의 개방된 상부는 공정시 기판(W)의 출입이 이루어지는 기판 출입구로 사용된다. 하우징(110)의 일측에는 공정시 사용된 처리유체가 배수되는 배수라인(drain line)(미도시됨)이 연결된다.
스핀척(120)은 공정 진행시 기판(W)을 하우징(110) 내부에서 지지 및 회전시킨다. 스핀척(120)은 스핀헤드(spin head)(122) 및 회전축(rotating shaft)(124)을 가진다. 스핀헤드(122)는 기판(W)의 처리면이 상부를 향하도록 기판(W)을 지지한다. 스핀헤드(122)는 공정시 기판(W)이 스핀헤드(122)로부터 이탈되지 않도록 기판(W)을 지지한다. 회전축(124)은 일측이 스핀헤드(122)와 결합되고, 타측이 구동부(130)과 결합된다. 회전축(124)은 구동부(130)의 회전력을 스핀헤드(122)로 전달한다.
구동부(130)는 스핀척(120)을 구동한다. 구동부(130)는 회전축(124)을 회전 시켜 기판(W)을 회전시킨다. 구동부(130)는 회전축(124)을 상하로 승강시켜 기판(W)의 높이를 조절할 수 있다.
분사부재(140)는 공정 진행시 기판(W)의 처리면으로 처리유체(treating fluid)를 공급한다. 분사부재(140)는 제1 내지 제3 노즐(142, 144, 146)을 포함한다. 제1 노즐(142)은 공정시 린스액(rinse-liquid)을 분사하고, 제2 노즐(144)은 공정시 이소프로필 알코올(IPA:Isopropyl Alcohol) 유체를 분사하며, 제3 노즐(146)은 공정시 건조가스(dry gas)를 분사한다. 또한, 분사부재(140)는 공정시 세정액을 분사하는 세정액 노즐(미도시됨)이 더 구비될 수 있다. 상기 세정액은 기판(W)에 잔류하는 이물질, 예컨대, 감광액, 금속오염물질, 유기오염물질, 그리고 기타 처리액들을 제거한다. 상기 세정액으로는 불산(HF), 황산(H3SO4), 질산(HNO3), 그리고 인산(H3PO4) 등이 사용된다. 상기 린스액은 기판(W)상에 잔류하는 상기 세정액을 제거한다. 상기 세정액으로는 초순수(DIW:Deionized Water)가 사용된다. 그리고, 상기 건조가스는 기판(W)을 건조(dry)한다. 상기 건조가스로는 질소가스(N2 gas)와 같은 불활성 가스가 사용된다. 여기서, 본 실시예에서는 분사부재(140)가 세정액을 분사하는 방식을 예로 들어 설명하였으나, 세정액은 별도의 세정액 분사부재가 구비되어 세정액을 공급할 수 있다.
또한, 분사부재(140)는 기판(W)의 세정 공정시 기판(W)의 영역들 각각에 상이한 처리유체들을 분사한다. 즉, 도 2를 참조하면, 분사부재(140)는 공정시 기판(W)의 기설정된 제1 내지 제3 영역들(c1, c2, c3) 각각에 기설정된 공급량만큼의 처리유체들을 선택적 및 독립적으로 분사한다. 여기서, 본 발명의 일 실시예로서, 기판(W)은 300mm 웨이퍼(wafer)이며, 제1 내지 제3 영역(c1, c2, c3)으로 구획된다. 제1 영역(c1)은 대략 기판(W)의 60mm지점으로부터 180mm지점까지의 영역이고, 제2 영역(c2)은 대략 기판(W)의 45mm지점으로부터 180mm지점까지의 영역이다. 그리고, 제3 영역(c3)은 대략 기판(W)의 45mm지점으로부터 0mm지점까지의 영역이다. 분사부재(140)는 기판(W)의 건조 공정시 제1 영역(c1)으로 이소프로필 알코올 원액(IPA liquid:Isopropyl alcohol liquid)을 분사하고, 제2 영역(c2)으로 이소프로필 알코올 가스(IPA gas:Isopropyl alcohol gas)를 분사하며, 제3 영역(c3)으로 질소가스(dry gas)를 분사한다. 공정시 분사부재(140)가 처리유체를 분사하는 상세한 과정은 후술하겠다.
이동부재(150)는 분사부재(140)를 구동한다. 이동부재(150)는 제1 아암(152) 및 제2 아암(154), 그리고 구동기(156)를 포함한다. 제1 아암(152)은 하우징(110)의 상부에서 수평으로 설치되고, 제2 아암(154)은 제 1 아암(152)과 수직하게 설치된다. 구동기(156)는 상기 제1 및 제2 아암(152, 154)을 유기적으로 동작시켜, 공정시 분사부재(140)의 위치를 조절한다. 일 실시예로서, 이동부재(150)는 분사부재(140)를 제1 내지 제3 분사위치(a1, a2, a3) 및 대기위치(b) 상호간에 분사부재(140)를 이동시킨다. 제1 내지 제3 분사위치(a1, a2, a3)는 기설정된 기판(W)의 제1 내지 제3 영역들(c1, c2, c3) 각각에 처리유체를 분사하기 위한 분사부재(140)의 위치들이고, 상기 대기위치(b)는 기판(W)의 세정 공정이 수행되기 전에 하우징(110) 외부에서 대기하는 위치이다.
처리유체 공급부재(160)는 분사부재(140)로 처리유체를 공급한다. 처리유체 공급부재(160)는 세정액 공급라인(162), 린스액 공급라인(164), 이소프로필 알코올 유체 공급라인(166), 그리고 건조가스 공급라인(168)를 포함한다. 세정액 공급라인(162)는 분사부재(140)로 세정액을 공급하고, 린스액 공급라인(164)은 분사부재(140)로 린스액을 공급한다. 그리고, 이소프로필 알코올 유체 공급라인(166)은 이소프로필 알코올 원액 및 가스를 공급하고, 건조가스 공급라인(168)은 분사부재(140)로 건조가스를 공급한다.
제어부(170)는 구동부(130), 분사부재(140), 그리고 이동부재(150)를 제어한다. 제어부(170)는 구동부(130)를 제어하여 공정시 기판(W)의 회전속도 및 높이를 조절한다. 분사부재(140)의 처리유체 공급을 제어하고, 이동부재(150)를 제어하여 분사부재(140)의 위치를 제어한다.
이하, 상술한 구성을 가지는 매엽식 기판 세정 장치(100)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들은 참조번호를 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략하겠다.
도 3은 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법을 보여주는 순서도이고, 도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 3를 참조하면, 기판(W)의 세정 공정이 개시되면, 매엽식 기판 세정 장치(100)는 스핀척(120)에 기판(W)을 로딩(loading)한다. 스핀척(120)에 기판(W)이 로딩되면, 제어부(170)는 구동부(130)를 제어하여 스핀척(120)을 기설정된 높이에서 기설정된 회전속도로 회전시킨다. 그리고, 제어부(170)는 이동부재(150)를 제어 하여, 분사부재(140)를 대기위치(b)로부터 제1 분사위치(a1)로 이동시킨다. 분사부재(140)가 제1 분사위치(a1)에 위치되면, 세정액 공급라인(162)은 분사부재(140)로 세정액(불산용액)을 공급한다. 그리고, 분사부재(140)는 공급받은 세정액을 기판(W)의 중앙영역으로 분사한다. 기판(W)의 중앙영역으로 분사된 세정액은 회전되는 기판(W)의 원심력에 의해 기판(W)의 가장자리로 퍼져나가면서 기판(W)을 세정한다(S110).
기판(W)의 세정이 완료되면, 린스액으로 기판(W)을 린스(rinse)한다(S120). 즉, 도 4a를 참조하면, 제어부(170)는 세정액 공급라인(162)의 세정액 공급을 중단하고, 린스액 공급라인(164)이 분사부재(140)로 린스액을 공급하도록 처리유체 공급부재(160)를 제어한다. 분사부재(140)의 제1 노즐(142)은 공급받은 린스액(초순수)을 기판(W)의 중앙영역으로 분사한다. 기판(W)으로 분사된 린스액은 회전되는 기판(W)의 원심력에 의해 기판(W)의 가장자리로 퍼져나가면서 기판(W) 표면에 잔류하는 세정액을 린스(rinse)한다. 기판(W)의 린스공정이 완료되면, 기판(W)을 건조(dry)의 공정이 수행된다. 기판(W)의 건조 공정은 다음과 같다.
도 4b를 참조하면, 기판(W)의 린스공정이 완료되면, 기판(W)의 제1 영역(c1)에 이소프로필 알코올 원액을 분사하여 기판(W)을 건조한다(S130). 즉, 제어부(170)는 린스액 공급라인(164)의 린스액 공급을 중단하고, 이소프로필 알코올 유체라인(166)은 분사부재(140)로 이소프로필 알코올 원액을 공급한다. 분사부재(140)의 제2 노즐(144)은 공급받은 이소프로필 알코올 원액을 기판(W)의 제1 영역(c1)에 분사한다. 이때, 제어부(170)는 이동부재(150)를 제어하여, 분사부 재(140)가 제1 영역(c1)에 이소프로필 알코올 원액이 반복하여 분사되도록 한다.
예컨대, 제어부(170)는 이동부재(150)를 제어하여, 분사부재(140)를 제1 분사위치(a1) 내에서 분사부재(140)를 제1 위치(a1')와 제2 위치(a1'') 상호간을 왕복운동시킨다. 제1 위치(a1')는 분사부재(140)의 제2 노즐(144)이 회전되는 기판(W)의 180mm지점으로 이소프로필 알코올 원액을 분사하기 위한 위치이고, 제2 위치(a1'')는 분사부재(140)의 제2 노즐(144)이 기판(W)의 60mm지점으로 이소프로필 알코올 원액을 분사하기 위한 위치이다. 따라서, 분사부재(140)는 제1 위치(a1') 및 제2 위치(a1'') 상호간을 두 번 왕복하면서 이소프로필 알코올 원액을 분사한다. 기판(W)으로 분사된 이소프로필 알코올 원액은 회전되는 기판(W)의 원심력에 의해 기판(W)의 전반에 퍼져나가면서 기판(W)을 마랑고니 건조(marangoni dry)한다. 마랑고니 건조는 물과 이소프로필 알코올 유체간의 표면 장력 차이에 의해 발생하는 마랑고니 현상을 이용해 기판을 건조하는 방법으로, 기판(W)의 건조시에 기판 표면에 물반점이 발생하는 것을 방지한다.
이소프로필 알코올 원액에 의한 기판(W)의 건조가 완료되면, 이소프로필 알코올 가스에 의한 기판(W)의 건조가 수행된다. 즉, 도 4c를 참조하면, 이소프로필 알코올 유체 공급라인(166)은 분사부재(140)로 이소프로필 알코올 가스를 분사하고, 분사부재(140)는 공급받은 이소프로필 알코올 가스를 분사한다. 이때, 제어부(170)는 이동부재(150)를 제어하여, 분사부재(140)를 제2 분사위치(a2) 내에서 제1 위치(a2')로부터 제2 위치(a2'')로 이동시킨다. 제1 위치(a2')는 분사부재(140)의 제3 노즐(146)이 회전되는 기판(W)의 180mm지점으로 이소프로필 알코올 가스를 분사하기 위한 위치이고, 제2 위치(a2'')는 분사부재(140)의 제3 노즐(146)이 기판(W)의 60mm지점으로 이소프로필 알코올 가스를 분사하기 위한 위치이다. 따라서, 분사부재(140)는 제1 위치(a2')로부터 제2 위치(a2'')로 이동하면서 이소프로필 알코올 가스를 분사하면서 기판(W)의 제2 영역(c2)을 마랑고니 건조한다. 여기서, 이소프로필 알코올 원액에 질소가스(N2 gas)를 혼합하여 생성된 혼합가스일 수 있다.
이소프로필 알코올 가스에 의한 기판(W)의 건조가 완료되면, 건조가스에 의한 기판(W)의 건조가 수행된다. 즉, 도 4d를 참조하면, 제어부(170)는 이소프로필 알코올 가스의 공급을 중단하고, 건조가스 공급라인(168)은 건조가스를 분사부재(140)로 공급하며, 분사부재(140)는 공급받은 건조가스를 기판(W)의 처리면으로 분사한다. 이때, 제어부(170)는 이동부재(150)를 제어하여, 분사부재(140)를 제3 분사위치(a3) 내에서 제1 위치(a3')로부터 제2 위치(a3'')로 이동시킨다. 제1 위치(a3')는 분사부재(140)의 제3 노즐(146)이 회전되는 기판(W)의 180mm지점으로 이소프로필 알코올 가스를 분사하기 위한 위치이고, 제2 위치(a3'')는 분사부재(140)의 제3 노즐(146)이 기판(W)의 60mm지점으로 건조가스를 분사하기 위한 위치이다. 따라서, 분사부재(140)는 제1 위치(a3')로부터 제2 위치(a3'')로 이동하면서 기판(w)의 제3 영역(c3)에 건조가스를 분사하여 기판(W) 표면을 건조한다.
기판(W)의 건조공정이 완료되면, 제어부(170)는 구동부(130)를 제어하여, 스핀척(120)의 회전을 중지한다. 그리고, 기판(W)은 스핀척(120)으로부터 언로딩(unloading)된 후 하우징(110)으로부터 반출되어 후속공정이 수행되는 설비(미도 시됨)으로 반송된다.
상술한 매엽식 기판 세정 방법은 기판(W)의 세정 공정시, 기설정된 기판(W)의 영역별 또는 구간별로 상이한 처리유체들 연속적 및 선택적으로 분사하여 기판(W)을 세정, 린스, 그리고 건조할 수 있다. 따라서, 기판(W)의 세분화된 영역별로 기판(W)의 세정 처리가 가능함으로써 기판(W)의 세정 효율을 향상시키고, 기판(W)의 건조 공정시 물반점(water-mark)의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 기판(W)의 기설정된 영역들 각각에 기설정된 공급량만큼을 정밀하게 공급할 수 있어 기판(W)의 세정 효율을 향상시킨다.
또한, 본 발명에 따른 기판 세정 방법은 연속적인 분사부재(140)의 동작으로 복수의 처리유체들을 기판(W)의 영역별 또는 구간별로 순차적 및 독립적으로 분사함으로써, 기판(W)의 영역별로 상이한 처리유체들의 분사가 요구되는 경우에 세정 공정 시간을 단축한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용 도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 기판 표면에 물반점이 발생하는 것을 방지하여 기판의 세정 효율을 향상시킨다.
또한, 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 기판의 영역별 또는 구간별로 상이한 처리유체들을 독립적으로 분사시켜 기판을 세정한다.
또한, 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 한번의 분사부재의 동작으로 인해 복수의 처리유체들을 기판의 요구되는 영역들에 분사할 수 있어, 기판을 영역별로 상이한 처리유체들을 분사하여 세정하는 경우에 기판의 세정 공정 시간을 단축할 수 있다.

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 매엽식으로 기판을 세정하는 방법에 있어서,
    회전되는 기판의 영역별 또는 구간별로 서로 상이한 처리유체들을 연속적으로 공급하여 기판을 세정, 린스, 그리고 건조하되,
    상기 매엽식 기판 세정 방법은,
    기판상에 세정액을 공급하여 기판을 세정하는 단계와,
    기판상에 초순수를 공급하여 기판상의 세정액을 린스하는 단계와,
    기판 처리면의 중심을 기준으로 원형의 제1 영역으로 이소프로필 알코올 원액을 분사하는 단계와,
    기판 처리면의 상기 제1 영역을 포함하며 상기 제1 영역보다 큰 지름을 가지는 원형의 제2 영역에 이소프로필 알코올 기체를 분사하는 단계와,
    상기 제2 영역의 외부로부터 기판의 가장자리까지를 포함하는 환형의 제3 영역에 질소가스를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 이소프로필 알코올 원액을 공급하는 단계는,
    처리유체들을 토출하는 토출부재를 반복적으로 스윙 운동시켜, 상기 토출부재가 상기 제1 영역에 상기 이소프로필 알코올 원액을 복수회 반복적으로 분사하도록 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제3 영역에 질소가스를 공급하는 단계는,
    상기 제3 영역의 시작지점으로부터 상기 제3 영역의 끝지점까지 상기 토출부재를 이동시키면서 상기 질소가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정 방법.
  5. 세정액을 공급하여 기판을 세정하는 세정단계와,
    린스액을 공급하여 상기 기판을 린스하는 린스단계와,
    복수의 건조유체들을 분사하여 상기 기판을 건조 건조단계를 포함하되,
    상기 건조단계는,
    상기 건조유체들 각각이 분사되는 기판의 영역은 서로 상이한 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 건조단계는,
    기판 처리면의 제1 영역으로 이소프로필 알코올 원액을 분사하는 단계와,
    상기 제1 영역을 포함하는 기판 처리면의 제2 영역에 이소프로필 알코올 기체를 분사하는 단계와,
    상기 제2 영역과 상이한 기판 처리면의 제3 영역에 질소가스를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1 영역 및 상기 제2 영역은,
    상기 기판의 중심을 포함하는 영역이고,
    상기 제3 영역은,
    상기 제2 영역과 중첩되지 않는 영역인 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정 방법.
KR1020060087645A 2006-09-11 2006-09-11 매엽식 기판 세정 방법 KR100809591B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060087645A KR100809591B1 (ko) 2006-09-11 2006-09-11 매엽식 기판 세정 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060087645A KR100809591B1 (ko) 2006-09-11 2006-09-11 매엽식 기판 세정 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100809591B1 true KR100809591B1 (ko) 2008-03-04

Family

ID=39397494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060087645A KR100809591B1 (ko) 2006-09-11 2006-09-11 매엽식 기판 세정 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100809591B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140101947A (ko) 2013-02-13 2014-08-21 세메스 주식회사 기판처리장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980087401A (ko) * 1997-05-27 1998-12-05 히가시 데쓰로 세정건조처리장치 및 세정건조처리방법
KR20030020059A (ko) * 2001-08-29 2003-03-08 삼성전자주식회사 세정건조방법 및 장치
KR20060037276A (ko) * 2004-04-23 2006-05-03 동경 엘렉트론 주식회사 기판 세정 방법, 기판 세정 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR20060090006A (ko) * 2005-02-04 2006-08-10 삼성전자주식회사 세정건조장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980087401A (ko) * 1997-05-27 1998-12-05 히가시 데쓰로 세정건조처리장치 및 세정건조처리방법
KR20030020059A (ko) * 2001-08-29 2003-03-08 삼성전자주식회사 세정건조방법 및 장치
KR20060037276A (ko) * 2004-04-23 2006-05-03 동경 엘렉트론 주식회사 기판 세정 방법, 기판 세정 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR20060090006A (ko) * 2005-02-04 2006-08-10 삼성전자주식회사 세정건조장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140101947A (ko) 2013-02-13 2014-08-21 세메스 주식회사 기판처리장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20080308131A1 (en) Method and apparatus for cleaning and driving wafers
US8371318B2 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
KR102629289B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체
KR100923268B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법
KR20090012703A (ko) 기판 세정 장치 및 방법
KR100766343B1 (ko) 기판 세정 건조 방법
KR100749544B1 (ko) 기판세정장치 및 기판세정방법
KR20110116471A (ko) 기판 세정 방법
WO2023136200A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR100809591B1 (ko) 매엽식 기판 세정 방법
KR101021544B1 (ko) 기판 처리 장치 및 그의 기판 처리 방법
JP6560373B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR20080009838A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101486331B1 (ko) 기판 건조장치
KR100794588B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
KR100797082B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20100060094A (ko) 기판 이면 세정 방법
KR101100277B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20080009833A (ko) 기판 세정 및 건조 방법
KR100749549B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR100739478B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
KR100776282B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
KR100687504B1 (ko) 매엽식 기판 세정 방법
KR20090065796A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR100895319B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130219

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140227

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150216

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160217

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180220

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190227

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200219

Year of fee payment: 13