KR20090065796A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090065796A
KR20090065796A KR1020070133287A KR20070133287A KR20090065796A KR 20090065796 A KR20090065796 A KR 20090065796A KR 1020070133287 A KR1020070133287 A KR 1020070133287A KR 20070133287 A KR20070133287 A KR 20070133287A KR 20090065796 A KR20090065796 A KR 20090065796A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
plasma
wet cleaning
processing
cleaning unit
Prior art date
Application number
KR1020070133287A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100952672B1 (ko
Inventor
김이정
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020070133287A priority Critical patent/KR100952672B1/ko
Publication of KR20090065796A publication Critical patent/KR20090065796A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100952672B1 publication Critical patent/KR100952672B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판에 처리유체를 분사하여 기판을 세정하는 습식세정유닛, 습식세정유닛으로 이동되는 기판상에 플라즈마 처리공정을 수행하는 플라즈마 처리유닛, 그리고 플라즈마 발생유닛으로부터 습식세정유닛으로 기판을 직선이동시키는 이송유닛을 가진다. 본 발명은 하나의 장치에서 건식 식각 공정과 습식 세정 공정을 효율적으로 처리할 수 있다.
반도체, 건식, 습식, 식각, 세정, 플라즈마,

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 건식 및 습식으로 반도체 기판을 처리하는 장치 및 상기 장치의 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 집적회로 칩 제조용 웨이퍼 및 평판 디스플레이 제조용 유리 기판 등의 기판을 제조 하기 위해 플라즈마를 발생시켜 웨이퍼 상의 불필요한 감광액막을 제거하는 건식 식각 장치가 널리 사용된다.
건식 식각 공정이 수행된 웨이퍼는 그 후속 공정으로 웨이퍼 표면에 잔류하는 이물질을 제거하는 세정 공정이 수행된다. 일반적으로 건식 식각 공정이 완료되면, 건식 식각 장치로부터 세정 장치로 웨이퍼를 이동시킨다. 이러한 웨이퍼의 이동으로 인해 전체 공정에 소요되는 시간이 증가한다. 또한, 건식 식각 장치와 세정 장치가 독립된 위치에 각각 설치되므로, 설비의 전체 점유 면적이 크다.
본 발명은 건식 식각 공정 및 습식 세정 공정의 효율을 향상시키는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명은 습식 처리 공정과 건식 처리 공정을 하나의 장치에서 일괄적으로 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명은 기판 처리 공정의 시간을 단축하여 장치의 기판 처리량을 향상시키는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판에 처리유체를 분사하여 기판을 세정하는 습식세정유닛, 상기 습식세정유닛의 측방향으로 일측에 설치되어 이동되는 기판상에 플라즈마 처리공정을 수행하는 플라즈마 처리유닛, 그리고 상기 플라즈마 처리유닛으로부터 상기 습식세정유닛으로 기판을 직선이동시키는 이송유닛을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 바닥벽과 상기 바닥벽과 수직하는 측벽을 가지는 베이스를 더 포함하고, 상기 습식세정유닛은 상기 바닥벽 상에 설치되고, 상기 플라즈마 처리유닛은 상기 측벽 상에 설치된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 플라즈마 처리유닛은 상기 습식세정유닛보다 높은 위치에 배치된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 플라즈마 처리유닛은 기판의 이동경로 상 에 플라즈마를 공급하는 플라즈마 공급모듈 및 상기 측벽에 상하로 수직하게 설치되어 상기 플라즈마 공급모듈의 상하방향 이동을 안내하는 수직가이드를 포함하고, 상기 이송유닛은 기판을 안착시키는 블레이드 및 상기 수평가이드보다 낮은 위치에서 상기 측벽에 수평하게 설치되어 상기 블레이드의 수평방향이동을 안내하는 수평가이드를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 플라즈마 공급모듈은 기판으로 플라즈마를 공급하는 공급부재, 상기 공급부재의 일측면에 구비되어 공정시 발생되는 반응 부산물 및 잔류가스를 기판으로부터 흡입하는 흡입부재, 그리고 상기 공급부재의 타측면에 구비되어 상기 플라즈마 처리공정이 수행되기 전 기판을 가열하는 가열부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 흡입부재는 상기 습식세정유닛을 기준으로 상기 공급부재보다 가깝도록 배치된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 플라즈마 공급모듈은 기판의 직경의 길이보다 같거나 긴 로드 형상을 가진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가열부재는 상기 습식세정유닛을 기준으로 상기 공급부재보다 멀도록 배치된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 습식세정유닛은 상기 플라즈마 처리공정이 수행된 후 상기 이동경로를 따라 이동된 기판이 놓여지는 스핀척 및 상기 스핀척에 놓여진 웨이퍼의 처리면으로 처리유체를 분사하는 분사노즐을 포함한다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법은 기판을 습식세정유닛으로 이송시키는 동안에 기판상에 플라즈마 처리공정을 수행한 후 상기 습식세정유닛에서 기판을 세정한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 플라즈마 처리공정이 수행되는 동안에는 기판은 수평상태로 직선이동된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 플라즈마 처리공정은 상기 플라즈마 처리가 수행되기 전 기판을 가열하는 단계, 상기 가열된 기판에 플라즈마를 공급하는 단계, 그리고 공정시 발생되는 반응부산물 및 잔류가스를 기판으로부터 흡입하는 흡입하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판의 세정은 상기 이동경로 상의 기판을 수평상태로 스핀척에 안착시키는 단계 및 상기 스핀척에 놓여진 기판의 처리면으로 처리유체를 분사하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 하나의 장치에서 건식 식각 공정과 습식 세정 공정을 효율적으로 수행한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 기판의 이송 시간을 단축하여 장치의 기판 처리량을 향상시킨다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 장치의 점유 면적을 감소시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 방법을 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되는 것은 아니다. 본 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자, 즉 당업자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공된 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상은 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 발생시켜 반도체 기판상의 불필요한 감광액막을 제거하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 발명은 기판을 처리하는 모든 장치에 적용이 가능할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 내부 구성들을 보여주는 측면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(10)는 반도체 기판(이하, '웨이퍼')(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 기판 처리 장치(10)는 바닥벽(12)과 측벽(14)을 가지는 베이스(base), 플라즈마 처리유닛(plasma treating unit)(100), 습식세정유닛(wet cleaning unit)(200), 그리고 이송유닛(transfer unit)(300)을 가진다.
세정유닛(200)은 바닥벽(12)에 설치되고, 플라즈마 처리유닛(100)와 이송유닛(300)은 바닥벽(12)과 수직하는 측벽(14)에 설치된다. 플라즈마 처리유닛(100)은 습식세정유닛(200)보다 높은 위치에 배치되된다. 또한, 플라즈마 처리유닛(100)과 습식세정유닛(200)은 상하로 대향되지 않도록 배치된다. 예컨대, 플라즈마 처리유닛(100)은 습식세정유닛(200)을 기준으로 습식세정유닛(200)의 측방향으로 제공되는 측벽(14)에 설치된다. 그리고, 이송유닛(300)은 플라즈마 처리유닛(100)과 습식세정유닛(200) 사이에서 웨이퍼(W)를 수평상태로 직선이동시킨다.
플라즈마 처리유닛(100)은 플라즈마를 발생시켜 웨이퍼(W) 표면의 감광액막을 식각한다. 플라즈마 처리유닛(100)은 플라즈마 공급모듈(102) 및 승강기(140)를 가진다. 플라즈마 공급모듈(102)은 대체로 긴 바(bar) 형상을 가진다. 플라즈마 공급모듈(102)은 공급부재(supply member)(110), 흡입부재(suction member)(120), 그리고 가열부재(heating member)(130)를 가진다.
공급부재(110)는 플라즈마 처리 공정시 웨이퍼(W)의 처리면으로 플라즈마를 공급한다. 공급부재(110)는 적어도 하나의 전극(electrode)(미도시됨) 및 반응가스를 공급하는 반응가스 공급라인(112)을 가진다. 전극은 공급부재(110) 내부에 설치된다. 반응가스 공급라인(112)은 공급부재(110)로 반응가스를 공급한다. 공정시 공급부재(110)로 공급되는 반응가스는 전극(112)에 의해 플라즈마 상태로 활성화 된 후 웨이퍼(W) 상으로 공급된다.
흡입부재(120)는 플라즈마 처리 공정시 발생된 반응 부산물 및 잔류가스를 흡입한다. 흡입부재(120)는 공급부재(110)의 일측면(111a)에 인접하게 배치된다. 흡입부재(120)에는 흡입라인(122)이 연결된다. 흡입라인(122)은 반응부산물 및 잔류가스를 흡입시킨 후 장치(1) 외부로 배출한다.
가열부재(130)는 플라즈마 처리 공정시 웨이퍼(W) 표면을 기설정된 온도로 가열한다. 가열부재(130)는 공급부재(110)의 타측면(111b)에 인접하게 배치된다.
여기서, 흡입부재(120)는 공급부재(110)보다 습식세정유닛(200)으로부터 가깝도록 배치되고, 가열부재(130)는 공급부재(110)보다 습식세정유닛(200)으로부터 멀도록 배치된다.
승강기(140)는 플라즈마 공급모듈(102)을 상하로 승강 및 하강시킨다. 승강기(140)는 수직가이드(142) 및 승강축(144)을 가진다. 수직가이드(142)는 측벽(14)에 대체로 상하 수직하게 배치되어, 승강축(114)의 상하 이동을 안내한다. 승강축(144)의 일단은 플라즈마 공급모듈(102)과 연결되고, 승강축(144)의 타단은 수직가이드(142)에 연결된다. 승강축(144)은 수직가이드(142)에 형성되는 가이드홈(142a)을 따라 상하로 이동된다. 여기서, 승강기(140)는 공정위치(a) 및 대기위치(b) 상호간에 플라즈마 공급모듈(102)을 이동시킨다. 공정위치(a)는 플라즈마 공급모듈(102)이 웨이퍼(W) 상에 플라즈마를 공급하기 위한 플라즈마 공급모듈(102)의 위치이고, 대기위치(b)는 플라즈마 공급모듈(102)이 공정위치(a)로 이동되기 전 대기하기 위한 플라즈마 공급모듈(102)의 위치이다.
습식세정유닛(200)은 웨이퍼(W) 표면의 이물질을 제거하는 공정을 수행한다. 예컨대, 습식세정유닛(200)은 웨이퍼(W) 상의 반응부산물 및 기타 이물질을 제거하는 공정을 수행한다. 습식세정유닛(200)은 용기(bowl)(210), 스핀척(spin chuck)(220), 그리고 분사노즐(injection nozzle)(230)을 가진다.
용기(210)는 내부에 세정 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 용기(210)는 상부가 개방된 컵(cup) 형상을 가진다. 용기(210)의 개방된 상부(212)는 공정시 웨이퍼(W)가 용기(210) 내 공간으로 이동되기 위한 통로로 사용된다.
스핀척(220)은 세정 공정시 용기(210) 내부에서 웨이퍼(W)를 지지 및 회전시킨다. 스핀척(220)은 스핀헤드(222), 회전축(224), 그리고 구동기(226)를 가진다. 스핀헤드(222)는 대체로 원통형상을 가진다. 회전축(224)은 하우징(210)의 하부벽을 상하로 관통하도록 설치된다. 회전축(224)의 상단은 스핀헤드(222)의 하부와 연결되고, 회전축(224)의 하단은 구동기(226)와 연결된다. 따라서, 구동기(226)가 회전축(224)을 회전시키면, 세정 공정시 스핀헤드(222)에 놓여진 웨이퍼(W)는 기설정된 회전속도로 회전된다.
분사노즐(230)은 세정 공정시 스핀척(220)에 놓여진 웨이퍼(W)의 처리면으로 처리유체를 분사한다. 분사노즐(230)은 제1 노즐(232) 및 제2 노즐(234)을 가진다. 제1 노즐(232)은 세정액을 분사하고, 제2 노즐(234)은 건조가스를 분사한다. 세정액은 웨이퍼(W) 표면의 불필요한 감광액막 및 기타 이물질을 제거하는 처리액이고, 건조가스는 웨이퍼(W)를 건조하기 위한 가스이다. 세정액으로는 다양한 종류의 산성 또는 알칼리성 약액, 또는 초순수가 사용될 수 있고, 건조가스로는 이소프로필 알코올가스(IPA:Isopropyl alcohol gas) 또는 질소가스(N₂gas)가 사용될 수 있다.
이송유닛(300)은 플라즈마 발생유닛(100)과 습식세정유닛(200) 상호간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 이때, 이송유닛(300)은 플라즈마 발생유닛(100)과 습식세정유 닛(200) 사이에서 웨이퍼(W)를 수평상태로 이동시킨다. 이송유닛(300)은 블레이드(blade)(310) 및 블레이드 구동기(blade driving part)(320)를 가진다.
블레이드(310)는 웨이퍼(W)를 지지한다. 블레이드(310)는 웨이퍼(W)가 놓여지는 상부면(312)을 가진다. 블레이드(310)의 상부면(312)에는 블레이드(310) 상에 놓여진 웨이퍼(W)를 지지하는 지지핀(미도시됨)들이 설치될 수 있다.
블레이드 구동기(320)는 블레이드(310)를 구동한다. 블레이드 구동기(320)는 이동축(322) 및 수평가이드(324)를 포함한다. 이동축(322)의 일단은 블레이드(310)와 결합된다. 수평가이드(324)는 측벽(14)에 대체로 수평하게 설치된다. 이때, 수평가이드(324)는 수직가이드(142)보다 낮은 위치에 설치된다. 이동축(322)은 수평가이드(324)에 형성된 가이드홈(324a)을 따라 제1 방향(X1) 및 제2 방향(X2)으로 이동된다. 공정시 수평가이드(324)는 블레이드(310)를 제1 방향(X1)으로 이동시켜, 블레이드(310)에 놓여진 웨이퍼(W)가 플라즈마 처리유닛(100)으로부터 세정유닛(200)으로 순차적으로 이동되도록 한다.
여기서, 블레이드 구동기(320)는 공정시 블레이드(310)를 제1 내지 제3 위치(c, d, e) 상호간에 이동시킨다. 제1 위치(c)는 장치(10) 외부에 구비되는 로봇암(미도시됨)이 블레이드(310)로/로부터 웨이퍼(W)를 로딩/언로딩하기 위한 위치이다. 제2 위치(d)는 블레이드(310)에 놓여진 웨이퍼(W) 상에 플라즈마 처리 공정이 수행되기 위한 블레이드(310)의 위치이다. 그리고, 제3 위치(e)는 플라즈마 처리 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 스핀헤드(222)에 로딩시키기 위한 위치이다.
이하, 도 3을 참조하여 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다. 그리고, 도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
기판 처리 공정이 개시되면, 블레이드(310)에 웨이퍼(W)가 안착된다(S110). 즉, 도 4a를 참조하면, 블레이드 구동기(320)는 블레이드(310)를 제1 위치(c)에 위치시킨다. 그리고, 장치(10) 외부에 구비되는 로봇암(미도시됨)은 제1 위치(c)에 위치된 블레이드(310)의 상부면(312)에 웨이퍼(W)를 안착시킨다.
블레이드(310)에 웨이퍼(W)가 놓여지면, 플라즈마 처리 공정이 수행된다(S120). 즉, 도 4b를 참조하면, 승강기(140)는 대기위치(b)로부터 공급위치(a)로 플라즈마 공급모듈(102)을 하강시킨다. 그리고, 블레이드 구동기(320)는 블레이드(310)를 제1 방향(X1)으로 이동시킨다.
블레이드(310)에 의해 웨이퍼(W)가 제1 방향(X1)으로 이동되는 과정에서 플라즈마 공급모듈(102)은 웨이퍼(W) 상에 플라즈마 처리 공정을 수행한다. 즉, 플라즈마 공급모듈(102)이 공급위치(a)에 위치되면, 공급부재(110)는 플라즈마를 생성한 후 웨이퍼(W)의 이동경로 상에 생성된 플라즈마를 공급한다. 그리고, 가열기(130)는 블레이드(310) 상에 놓여진 웨이퍼(W)를 가열한다. 따라서, 블레이드(310)에 의해 제1 방향(X1)으로 이동되는 웨이퍼(W)는 먼저 가열기(130)에 의해 기설정된 온도로 가열되고, 공급부재(110)가 공급하는 플라즈마에 의해 웨이퍼(W) 상의 감광액막은 제거된다. 이때, 감광액막을 제거한 플라즈마는 흡입부재(120)에 의해 웨이퍼(W) 상으로부터 흡입된 후 장치(10) 외부로 배출된다.
플라즈마 처리 공정이 완료되면, 웨이퍼(W)의 세정 공정이 수행된다(S130). 즉, 도 4c 및 도 4d를 참조하면, 블레이드 구동기(320)에 의해 제1 방향(X1)으로 이동된 블레이드(310)는 제3 위치(e)에 위치된다. 블레이드(310)가 제3 위치(e)에 위치되면, 블레이드(310)는 습식세정유닛(200)의 스핀헤드(222)에 웨이퍼(W)를 안착시킨다. 블레이드(310)가 스핀헤드(222) 상에 웨이퍼(W)를 안착시키면, 블레이드 구동기(320)는 블레이드(310)를 제1 방향(X1)으로 더 이동하여 세정유닛(200)의 상부로부터 벗어난다. 그리고, 스핀척(220)은 스핀헤드(222)에 안착된 웨이퍼(W)를 용기(210) 내부에 위치시키고, 블레이드 구동기(320)는 블레이드(320)를 제2 방향(X2)으로 이동시켜 제1 위치(a)로 이동시킨다.
스핀헤드(222)에 웨이퍼(W)가 놓여지면, 구동기(226)는 스핀헤드(222)를 구동시켜 용기(210) 내부에 웨이퍼(W)가 위치되도록 한 후 웨이퍼(W)를 기설정된 회전속도로 회전시킨다. 그리고, 제1 노즐(232)은 회전되는 웨이퍼(W)를 향해 세정액을 분사한다. 분사된 세정액은 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 이물질을 제거한다. 웨이퍼(W)의 세정 처리가 완료되면, 제2 노즐(234)은 웨이퍼(W)를 향해 건조가스를 분사한다. 분사된 건조가스는 웨이퍼(W)를 건조시킨다.
웨이퍼(W)의 세정 공정이 완료되면, 웨이퍼(W)는 습식세정유닛(200)으로부터 언로딩된 후 후속 공정이 수행되는 설비로 반출된다(S140). 즉, 세정공정이 완료되면, 구동기(226)는 스핀헤드(222)를 상승시켜, 스핀헤드(222)에 놓여진 웨이퍼(W)를 용기(210)의 개방된 상부(212)를 통해 용기(210) 외부로 노출시킨다. 그리고, 장치(10)의 외부에 설치되는 로봇암(미도시됨)은 스핀헤드(222) 상으로부터 웨이퍼(W)를 언로딩시킨 후 후속 공정이 수행되는 설비로 이송한다. 또는, 다른 실시예로서, 웨이퍼(W)의 언로딩은 블레이드(310)에 의해 수행될 수 있다.
본 실시예에서는 플라즈마 공급모듈(102)이 정지되어 있는 상태에서 웨이퍼(W)의 이동경로상에 플라즈마를 공급하고, 웨이퍼(W)를 플라즈마가 공급되는 이동경로를 통과하도록 하여 플라즈마 처리 공정이 수행되는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 플라즈마 처리 공정을 수행하는 방식은 다양하게 응용이 가능하다. 예를 들면, 본 발명의 다른 실시예로서, 웨이퍼(W)가 정지되어 있는 상태에서, 플라즈마 공급모듈(102)이 웨이퍼(W)의 일측으로부터 타측으로 웨이퍼(W)의 처리면을 스캐(scanning)하는 방식으로 이동되면서 플라즈마 처리 공정을 수행할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 이송유닛(300)이 블레이드(310)를 제1 또는 제2 방향(X1, X2)으로 이동시켜, 습식세정유닛(200)의 스핀헤드(222)에 웨이퍼(W)를 로딩시키는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 블레이드(310)의 웨이퍼(W) 로딩은 다양한 방식으로 수행될 수 있다. 예컨대, 블레이드(310)는 제1 및 제2 방향(X1, X2)과 수직하는 방향으로 이동가능하도록 설치되어, 스핀척(220)에 웨이퍼(W)를 로딩시킬 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 블레이드(310)가 스핀척(220)에 웨이퍼(W)를 로딩하고, 별도의 로봇암(미도시됨)이 스핀척(220)으로부터 웨이퍼(W)를 언로딩하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 스핀척(220)으로부터의 웨이퍼(W) 언로딩은 블레이드(310)에 의해 수행될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 하나의 장치에서 건식 식각 공정과 습식 세정 공정을 수행할 수 있어, 기판의 이송 시간을 단축하여 장치의 기판 처리량을 향상시키고, 장치의 점유 면적을 감소시킬 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 내부 구성들을 보여주는 측면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
10 : 기판 처리 장치
100 : 플라즈마 처리유닛
110 : 공급부재
120 : 흡입부재
130 : 가열부재
200 : 습식세정유닛
210 : 용기
220 : 스핀척
230 : 분사노즐
300 : 이송유닛
310 : 블레이드
320 : 블레이드 구동부

Claims (13)

  1. 기판에 처리유체를 분사하여 기판을 세정하는 습식세정유닛과,
    상기 습식세정유닛의 측방향으로 일측에 설치되어 기판상에 플라즈마 처리공정을 수행하는 플라즈마 처리유닛, 그리고
    상기 플라즈마 처리유닛으로부터 상기 습식세정유닛으로 기판을 직선이동시키는 이송유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    바닥벽과 상기 바닥벽과 수직하는 측벽을 가지는 베이스를 더 포함하고,
    상기 습식세정유닛은,
    상기 바닥벽 상에 설치되고,
    상기 플라즈마 처리유닛은,
    상기 측벽 상에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리유닛은,
    상기 습식세정유닛보다 높은 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리유닛은,
    기판의 이동경로 상에 플라즈마를 공급하는 플라즈마 공급모듈과,
    상기 측벽에 상하로 수직하게 설치되어 상기 플라즈마 공급모듈의 상하방향 이동을 안내하는 수직가이드를 포함하고,
    상기 이송유닛은,
    기판을 안착시키는 블레이드와,
    상기 수평가이드보다 낮은 위치에서 상기 측벽에 수평하게 설치되어 상기 블레이드의 수평방향이동을 안내하는 수평가이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 플라즈마 공급모듈은,
    기판으로 플라즈마를 공급하는 공급부재와,
    상기 공급부재의 일측면에 구비되어 공정시 발생되는 반응 부산물 및 잔류가스를 기판으로부터 흡입하는 흡입부재, 그리고
    상기 공급부재의 타측면에 구비되어 상기 플라즈마 처리공정이 수행되기 전 기판을 가열하는 가열부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 흡입부재는,
    상기 습식세정유닛을 기준으로 상기 공급부재보다 가깝도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 플라즈마 공급모듈은,
    기판의 직경의 길이보다 같거나 긴 로드 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 가열부재는,
    상기 습식세정유닛을 기준으로 상기 공급부재보다 멀도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 습식세정유닛은,
    상기 플라즈마 처리공정이 수행된 후 상기 이동경로를 따라 이동된 기판이 놓여지는 스핀척과,
    상기 스핀척에 놓여진 웨이퍼의 처리면으로 처리유체를 분사하는 분사노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 기판을 습식세정유닛으로 이송시키는 동안에 기판상에 플라즈마 처리공정을 수행한 후 상기 습식세정유닛에서 기판을 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리공정이 수행되는 동안에는,
    기판은 수평상태로 직선이동되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리공정은,
    상기 플라즈마 처리가 수행되기 전 기판을 가열하는 단계와,
    상기 가열된 기판에 플라즈마를 공급하는 단계, 그리고
    공정시 발생되는 반응부산물 및 잔류가스를 기판으로부터 흡입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  13. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 세정은,
    상기 이동경로 상의 기판을 수평상태로 스핀척에 안착시키는 단계와,
    상기 스핀척에 놓여진 기판의 처리면으로 처리유체를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
KR1020070133287A 2007-12-18 2007-12-18 기판 처리 장치 및 방법 KR100952672B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070133287A KR100952672B1 (ko) 2007-12-18 2007-12-18 기판 처리 장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070133287A KR100952672B1 (ko) 2007-12-18 2007-12-18 기판 처리 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090065796A true KR20090065796A (ko) 2009-06-23
KR100952672B1 KR100952672B1 (ko) 2010-04-13

Family

ID=40994003

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070133287A KR100952672B1 (ko) 2007-12-18 2007-12-18 기판 처리 장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100952672B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210031578A (ko) * 2019-09-11 2021-03-22 삼성전자주식회사 기판 처리 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180016064A (ko) * 2016-08-05 2018-02-14 무진전자 주식회사 반도체 웨이퍼 세정 방법 및 장치

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62264622A (ja) * 1986-05-12 1987-11-17 Nec Kyushu Ltd 半導体製造装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210031578A (ko) * 2019-09-11 2021-03-22 삼성전자주식회사 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR100952672B1 (ko) 2010-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20080308131A1 (en) Method and apparatus for cleaning and driving wafers
JP4118659B2 (ja) 基板用トレイ
JP2010153888A (ja) 基板洗浄乾燥装置
TWI547765B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
KR102454444B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20090012703A (ko) 기판 세정 장치 및 방법
KR101329319B1 (ko) 노즐 및 이를 갖는 기판처리장치
KR100952672B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101979604B1 (ko) 기판 처리 방법
KR100862703B1 (ko) 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및방법
CN107564837B (zh) 用于处理基板的装置和方法
KR100794588B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
KR100749549B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR100793173B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2007324610A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR100809591B1 (ko) 매엽식 기판 세정 방법
JP7336967B2 (ja) 基板処理装置、および基板処理方法
KR100776282B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
KR20060025836A (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
WO2022220037A1 (ja) 基板処理方法、基板処理装置および乾燥処理液
KR101100277B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100687504B1 (ko) 매엽식 기판 세정 방법
KR20080009833A (ko) 기판 세정 및 건조 방법
KR101885563B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2023019211A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130325

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee