KR100793173B1

KR100793173B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Info

Publication number: KR100793173B1
Application number: KR1020060137705A
Authority: KR
Inventors: 박춘희; 김희석
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2006-12-29
Filing date: 2006-12-29
Publication date: 2008-01-10

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 기판을 처리하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 공정시 세정액을 토출하는 세정노즐은 기설정된 공급량을 기준으로 하는 제1 토출방식으로 공정을 수행하고, 린스액을 토출하는 린스노즐은 노즐의 기설정된 스윙 운동횟수를 기준으로 하는 제2 토출방식으로 공정을 수행한다. 본 발명에 따르면 공정시 기판으로 토출되는 처리액의 성질 및 목적에 맞게 그 토출방식을 달리하여 처리액을 토출함으로써 기판 처리 공정의 효율을 향상시킨다.

반도체, 기판, 세정, 린스, 처리액, 처리유체, 토출, 분사, 공급, 노즐

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이다.

도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 평면도이다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 노즐의 스윙 운동을 설명하기 위한 도면이다.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 노즐의 스윙 운동을 설명하기 위한 도면이다.

도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.

*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*

10 : 기판 처리 장치

100 : 공정챔버

120 : 용기

140 : 지지부재

160 : 구동부재

200 : 세정액 공급부재

210 : 세정노즐

220 : 제1 이송부재

300 : 린스액 공급부재

310 : 린스노즐

320 : 제2 이송부재

400 : 제어부

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 기판을 처리하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.

일반적인 기판 처리 장치는 반도체 제조용 웨이퍼 및 평판 디스플레이 제조용 유리기판 등의 기판을 처리하는 장치이다. 이 중 반도체 기판을 습식으로 세정하는 장치는 세정액 및 린스액, 그리고 건조가스와 같은 처리유체들을 사용하여 웨이퍼를 세정한다.

일반적인 습식 세정 장치는 용기, 지지부재, 그리고 적어도 하나의 노즐을 포함한다. 용기는 내부에 웨이퍼를 세정하는 공정을 수행하는 공간을 제공하고, 지지부재는 공정시 용기 내부에서 웨이퍼를 지지 및 회전한다. 그리고, 노즐은 공정 시 지지부재에 의해 지지된 웨이퍼 표면으로 처리유체들을 토출시킨다. 이때, 처리액을 토출하는 노즐은 공정시 기판의 상부에서 일정한 각도로 스윙(swing) 운동하면서 처리액을 토출시킨다. 상기 스윙 운동은 노즐이 기판의 일지점과 기판의 타지점 상호간을 왕복 이동하면서 처리액을 토출시키는 노즐운동이다.

상술한 습식 세정 장치는 공정시 처리유체들을 기설정된 시간만큼 토출시킨다. 예컨대, 습식 세정 장치는 기판의 세정 공정에 사용되는 세정액 및 기판의 린스 공정에 사용되는 린스액은 공정시 기설정된 시간을 기준으로 토출된다. 따라서, 공정시 세정노즐 및 린스노즐 기설정된 시간 동안 세정액을 토출시켜 공정을 수행하여 기판을 처리한다. 그러나, 일반적인 세정액 및 린스액은 그 화학적 특성 및 공정의 목적이 상이하므로, 사용되는 처리액의 특성 및 목적에 맞는 방식으로 처리액을 토출하는 기판 처리 장치 및 방법이 요구된다.

본 발명은 기판 처리 공정의 효율을 향상시키는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 특히, 본 발명은 처리유체의 종류에 따라 그 토출방식을 달리하여 기판의 세정 효율을 향상시키는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 공정을 수행하는 공간을 제공하는 용기, 공정시 상기 용기 내부에서 기판을 지지하는 지지부재, 공정시 상기 지지부재에 지지된 기판으로 제1 처리액 및 제2 처리액을 토출시키는 노즐, 공정시 상기 노즐을 기판의 상부에서 스윙운동시키는 이송부재, 그리고 공정시 상기 제1 처리액의 공급시에는 기설정된 공급량을 기준으로 제1 처리액이 공급되도록 상기 노즐을 제어하고, 상기 제2 처리액의 공급시에는 상기 노즐의 기설정된 스윙운동 횟수를 기준으로 상기 노즐을 제어하는 제어부를 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 처리액은 기판 표면에 잔류하는 이물질을 제거하는 세정액이고, 상기 제2 처리액은 기판 표면에 잔류하는 상기 세정액을 린스하는 린스액이다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 처리유체의 종류에 따라 서로 상이한 토출방식을 사용하여 처리유체를 토출하여 기판을 세정하되, 상기 토출방식은 상기 처리액의 종류에 따라 기설정된 공급량만큼 처리액을 토출하는 제1 토출방식 및 기설정된 노즐의 스윙운동 횟수만큼 처리액을 토출하는 제2 토출방식을 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2 토출방식은 상기 노즐이 기판의 중심과 기판의 가장자리 상호간에 상기 횟수만큼 스윙 운동하는 동안 처리액을 토출한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 토출방식은 기판 표면에 잔류하는 이물질을 세정하기 위한 세정액의 토출시 이루어지고, 상기 제2 토출방식은 기판 표면에 잔류하는 상기 세정액을 린스하기 위한 린스액의 토출시 이루어진다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 처리유체들 을 토출시키는 노즐을 사용하여 기판을 세정하는 방법에 있어서, (a)지지부재에 기판을 로딩하는 단계, (b)기판에 사용될 처리유체의 종류를 판단하여, 기설정된 유량을 기준으로 처리유체를 토출하는 제1 토출방식 및 상기 노즐의 기설정된 스윙운동 횟수를 기준으로 처리유체를 토출하는 제2 토출방식 중 어느 하나를 선택하는 단계, 그리고 (c)상기 제1 토출방식 및 상기 제2 토출방식 중 어느 하나를 사용하여, 기판 표면으로 처리유체를 분사하는 단계를 포함한다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 (b)단계는 상기 기설정된 토출시간 동안 처리유체를 토출하는 제3 토출방식을 더 포함하되, 상기 제2 토출방식은 상기 처리유체가 가스인 경우에 이루어진다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 일 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해지도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달되도록 하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 본 실시예에서는 평판 디스플레이 제조용 유리 기판 표면에 이물질을 식각하는 습식 식각 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 처리액을 사용하여 기판을 처리하는 모든 기판 처리 장치에 적용이 가능하다.

(실시예)

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 평면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(10)는 공정 챔버(process chamber)(100), 세정액 공급부제(cleaning liquid supply member)(200), 그리고 린스액 공급부재(rinse liquid supply member)(300), 그리고 제어부(control member)(400)를 포함한다.

공정 챔버(100)는 반도체 웨이퍼(W)(이하, '웨이퍼'라 함)을 처리하는 공정을 수행한다. 공정 챔버(100)는 용기(vessel)(120), 지지부재(support member)(140), 그리고 구동부재(driving member)(160)를 포함한다. 용기(120)는 내부에 웨이퍼(W)를 세정하는 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 용기(120)는 상부가 개방된 원통형상을 가진다. 용기(120)의 개방된 상부는 공정시 웨이퍼(W)의 출입을 위한 통로로 사용된다. 지지부재(140)는 공정시 용기(120) 내부에서 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지부재(140)에는 공정시 웨이퍼(W)가 지지부재(140)로부터 이탈되는 것을 방지하도록 웨이퍼(W)를 고정시키는 수단이 제공된다. 지지부재(140)로는 스핀척(spin chuck)이 사용된다. 그리고, 구동부재(160)는 지지부재(140)를 구동한다. 구동부재(160)는 공정시 지지부재(140)를 회전시켜 웨이퍼(W)를 기설정된 공정속도로 회전시킨다. 또한, 구동부재(160)는 공정시 웨이퍼(W)의 높이가 조절되도록 지지부재(140)를 승강 및 하강 운동할 수 있다.

세정액 공급부재(200)는 공정시 웨이퍼(W)의 처리면으로 세정액을 공급한다. 세정액 공급부재(200)는 세정노즐(cleaning nozzle)(210) 및 제1 이송부재(first transfer member)(220)를 포함한다. 세정노즐(210)는 공정시 세정액을 토출한다. 제1 이송부재(220)는 제1 아암(222), 제2 아암(224), 그리고 제1 구동기(226)를 포함한다. 제1 아암(222)은 공정챔버(100) 상부에서 수평으로 설치되고, 제2 아암(224)은 공정챔버(110)의 측부에서 수직하게 설치된다. 제1 아암(222)의 일단에는 세정노즐(210)이 설치되고, 제1 아암(222)의 타단은 제2 아암(224)의 일단과 축결합된다. 따라서, 제1 아암(222)은 제2 아암(224)을 기준으로 일정한 각도로 회전운동된다. 그리고, 제1 구동기(226)는 제1 및 제2 아암(222, 224)을 유기적으로 동작시켜 세정노즐(210)을 이동시킨다. 상술한 제1 이송부재(220)는 세정노즐(210)을 공정 위치(a) 및 대기 위치(b) 상호간에 이동시킨다. 공정 위치(a)는 공정시 세정노즐(210)이 웨이퍼(W)의 처리면으로 세정액을 토출하기 위한 위치이고, 대기 위치(b)는 세정노즐(210)이 공정 위치(a)로 이동되기 전에 공정챔버(100) 외부에서 대기하는 위치이다.

린스액 공급부재(300)는 공정시 웨이퍼(W)의 처리면으로 린스액을 공급한다. 린스액 공급부재(300)는 린스노즐(rinse nozzle)(310), 제2 이송부재(second transfer member)(320)를 포함한다. 린스노즐(310)은 공정시 웨이퍼(W)의 처리면으로 린스액을 토출한다. 제2 이송부재(320)의 구성은 상술한 제1 이송부재(22)의 구성과 동일한 구성을 가진다. 즉, 제2 이송부재(320)는 제2 이송부재(320)의 제1 및 제2 아암(222, 224), 그리고 제1 구동기(226)와 동일한 구성의 제1 및 제2 아암(322, 324), 그리고 제2 구동기(326)을 구비한다. 상술한 제2 이송부재(320)는 린스노즐(310)을 공정위치(a') 및 대기위치(c') 상호간에 이동시킨다. 공정위치(a')는 공정시 린스노즐(310)이 웨이퍼(W)의 처리면으로 린스액을 토출하기 위한 위치이고, 대기위치(b')는 린스노즐(310)이 공정위치(a')로 이동되기 전에 공정챔버(100) 외부에서 대기하는 위치이다.

또한, 제2 이송부재(320)는 공정시 공정위치(a')에 위치된 린스노즐(310)을 스윙(swing) 운동시킨다. 스윙 운동은 공정시 웨이퍼(W)의 상부에서 린스노즐(310)이 동일 수평면상에서 일정 거리를 반복적으로 왕복 이동하면서 처리액을 토출시키는 동작이다. 일 실시예로서, 도 2를 참조하면, 린스노즐(310)은 제1 지점(P1) 및 제2 지점(P2) 상호간을 왕복 이동한다. 제1 지점(P1)은 웨이퍼(W)의 중심(W1)이고, 제2 지점(P2)은 웨이퍼(W)의 가장자리 일 끝단이다. 린스노즐(310)은 공정시 제2 이송부재(320)의 제2 아암(324)을 기준으로 제1 지점(P1)과 제2 지점(P2)을 연결하는 이동경로(R1)를 따라 일정한 각도로 회전되면서 린스액을 토출한다. 이때, 상기 스윙 운동 횟수는 린스노즐(310)이 제1 지점(P1)에서 시작되어 제2 지점(P2)으로 이동된 후 다시 제1 지점(P1)에 위치될 때를 1회로 한다. 이러한 린스노즐(310)의 스윙 운동 횟수는 공정이 수행되기 전에 작업자에 의해 기설정될 수 있다.

여기서, 공정시 세정노즐(210)은 제1 토출방식으로 세정액을 토출하고, 린스노즐(310)은 제2 토출방식으로 린스액을 토출한다. 상기 제1 토출방식은 공정시 기설정된 처리액의 공급량을 기준으로 처리액을 토출하는 방식이고, 상기 제2 토출방식은 공정시 노즐의 기설정된 스윙 운동 횟수만큼 노즐이 스윙 운동하는 동안 처리액을 토출하는 방식이다. 따라서, 공정시 세정노즐(210)은 기설정된 공급량만큼 세 정액을 토출하고, 린스노즐(310)은 기설정된 횟수만큼 스윙 운동이 진행되는 동안 린스액을 토출한다. 여기서, 세정노즐(210)의 세정액 공급량은 기설정되며, 세정노즐(210)의 공급량 조절은 세정노즐(210)의 개폐시간을 조절하여 이루어진다. 또한, 린스노즐(310)는 공정상 요구되는 노즐의 스윙 운동 횟수가 기설정되며, 공정시 린스노즐(310)의 린스액 공급은 상기 기설정된 스윙 운동 횟수가 완료되는 동안에 이루어진다.

제어부(400)는 구동 부재(160), 제1 이송부재(220), 그리고 제2 이송부재(320)를 제어한다. 즉, 제어부(400)는 구동 부재(160)를 제어하여, 공정시 웨이퍼(W)의 높이 및 회전속도를 제어한다. 그리고, 제어부(400)는 제1 이송부재(220)를 제어하여 세정노즐(210)의 세정액 공급을 제어하고, 제2 이송부재(320)를 제어하여 린스노즐(310)의 린스액 공급 및 린스노즐(310)의 스윙 운동을 제어한다.

본 실시예에서는 린스노즐(310)이 웨이퍼(W)의 중심(W1)과 웨이퍼(W)의 가장자리 일 끝단 상호간에 스윙 운동하면서 린스액을 토출하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 린스노즐(310)의 스윙 운동은 다양하게 변경이 가능하다. 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 린스노즐(310)은 웨이퍼(W)의 양 가장자리 끝단 상호간에 왕복 운동할 수 있다. 즉, 린스노즐(310)은 제2 지점(P2) 및 제3 지점(P3) 상호간을 왕복 이동한다. 제2 지점(P2)은 웨이퍼(W)의 가장자리 일 끝단이고 제3 지점(P3)은 웨이퍼(W)의 가장자리 타 끝단이다. 이때, 린스노즐(310)은 제2 지점(P2) 및 제2 지점(P3) 상호간에 스윙 운동할 때 상술한 제1 지점(P1)(기판의 중심(W1))을 경유하도록 한다. 이러한 린스노즐(310)은 공정시 제2 이송부재(320)의 제2 아암(324) 을 기준으로 제1 지점(P1)과 제3 지점(P3)을 연결하는 이동경로(R2)를 따라 일정한 각도로 회전되면서 린스액을 토출한다. 또는, 도 4에 도시된 바와 같이, 린스노즐(310)은 직선방향으로 왕복 운동하면서 린스액을 토출할 수 있다. 즉, 린스노즐(310)은 제1 지점(P1) 및 제4 지점(P4) 상호간에 직선 왕복 이동한다. 제1 지점(P1)은 웨이퍼(W)의 중심(W1)이고, 제4 지점(P4)은 웨이퍼(W)의 가장자리 일 끝단이다. 린스노즐(310)은 공정시 제1 지점(P1)과 제4 지점(P4)을 연결하는 이동경로(R3)를 따라 직선 왕복 이동하면서 린스액을 토출한다.

또한, 본 실시예에서는 공정시 세정노즐(210)이 고정된 위치에서 세정액을 토출하고, 린스노즐(310)은 스윙 운동하면서 린스액을 토출하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 공정시 세정노즐(210) 및 린스노즐(310)의 토출 방식은 다양하게 적용이 가능하다. 예컨대, 공정시 세정노즐(210)은 린스노즐(310)과 동일한 방식으로 스윙 운동하면서 세정액을 분사할 수 있다.

또한, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 세정액 및 린스액을 사용하여 웨이퍼(W)를 세정 및 린스하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 기판 처리 장치(1)는 웨이퍼(W)으로 건조가스를 분사하여 웨이퍼(W)를 건조하는 공정을 더 수행할 수 있다. 이 경우 기판 처리 장치(1)는 건조가스 공급부재(미도시됨)를 더 포함한다. 건조가스 공급부재는 건조노즐 및 상기 건조노즐을 공정위치 및 대기위치 상호간에 이동시키는 제3 이송부재를 포함한다. 건조가스 공급부재는 공정시 상술한 린스 공정 이후에 웨이퍼(W)의 표면으로 건조가스를 분사하여 웨이퍼(W)를 건조시킨다.

이하, 상술한 구성을 가지는 기판 처리 장치(1)의 공정 과정을 상세히 설명 한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성에 대한 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.

도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다. 기판 처리 공정이 개시되면, 공정챔버(100)의 지지부재(140)에 웨이퍼(W)가 로딩(loading)된다(S110). 즉, 도 5를 참조하면, 로봇암(robot arm)과 같은 기판 이송 장치(미도시됨)는 공정챔버(100)로 웨이퍼(W)를 이송한 후 지지부재(140)의 상부에 웨이퍼(W)를 안착시킨다. 웨이퍼(W)가 지지부재(140)에 안착되면, 구동부재(160)는 지지부재(140)의 높이를 조절한 후 지지부재(140)를 회전시켜 웨이퍼(W)를 기설정된 회전속로 회전시킨다.

웨이퍼(W)가 회전되면, 세정액 공급부재(200)의 세정노즐(210)은 제1 토출방식으로 세정액을 토출하여 세정 공정을 수행한다(S120). 즉, 제1 이송부재(220)는 세정노즐(210)을 대기위치(b)로부터 공정위치(a)로 이동시킨다. 세정노즐(210)이 공정위치(a)에 위치되면, 세정노즐(210)은 회전되는 웨이퍼(W)의 처리면으로 기설정된 공급량만큼 세정액을 토출시킨다. 토출된 세정액은 회전되는 웨이퍼(W)의 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 중앙영역으로부터 가장자리로 이동되면서, 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 불필요한 박막, 금속 오염물질, 유기 오염물질, 그리고 파티클과 같은 이물질을 제거한다.

웨이퍼(W)의 세정 공정이 완료되면, 린스액 공급부재(300)의 린스노즐(310)은 제2 토출방식으로 린스액을 토출하여 린스 공정을 수행한다(S130). 즉, 웨이퍼(W)의 린스 공정이 개시되면, 제1 이송부재(220)는 세정노즐(210)을 공정위치(a) 로부터 대기위치(b)로 이동시키고, 제2 이송부재(320)는 린스노즐(310)을 대기위치(b')로부터 공정위치(a')로 이동시킨다. 린스노즐(310)이 공정위치(a)에 위치되면, 제2 이송부재(320)는 린스노즐(310)을 스윙 운동시키고, 린스노즐(310)은 기설정된 스윙 운동 횟수가 완료되는 동안 린스액을 토출한다. 토출된 린스액은 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 상기 세정액을 린스(rinse)한다.

웨이퍼(W)의 린스 공정이 완료되면, 기판 이송 장치(미도시됨)는 웨이퍼(W)를 언로딩(unloading)한다(S140). 즉, 린스 공정이 완료되면, 구동부재(160)는 지지부재(140)의 회전을 중지하고, 제2 이송부재(320)는 린스노즐(310)을 공정위치(a')로부터 대기위치(b')로 이동한다. 그리고, 기판 이송 장치는 지지부재(140)로부터 웨이퍼(W)를 언로딩(unloding)한 후 후속 공정이 수행되는 설비로 반출한다.

상술한 기판 처리 장치(1) 및 기판 처리 방법은 공정시 처리액의 종류에 따라 그 토출방식을 다르게 제어하여 기판 처리 효율을 향상시킨다. 즉, 본 발명은 웨이퍼(W) 표면의 세정을 위한 세정액을 토출하는 경우에는 기설정된 공급량을 기준으로 하는 제1 토출방식으로 세정액을 공급하도록 하고, 웨이퍼(W)의 표면의 린스를 위한 린스액을 토출하는 경우에는 기설정된 노즐의 스윙운동 횟수를 기준으로 하는 제2 토출방식으로 린스액을 토출한다. 따라서, 종래의 세정액 및 린스액을 기설정된 시간 동안 토출시켜 공정을 진행하는 방식에 비해, 각각의 처리액의 특성 및 목적에 맞게 처리액을 토출시켜 기판을 처리하므로, 기판의 세정 효율을 향상시킨다. 특히, 웨이퍼(W)의 린스 공정시 노즐의 스윙 운동을 기준으로 린스액을 토출 하므로, 종래에 스윙 운동이 완료되지 않은 상황에서 공정이 완료됨으로써, 웨이퍼(W) 전반에 린스액이 균일하게 분사되지 않는 현상을 방지한다.

상술한 실시예에 따른 기판 처리 장치(1) 및 기판 처리 방법은 세정액 및 린스액을 사용하여 기판을 세정하는 공정을 수행하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 기판을 세정하는 공정은 다양하게 응용될 수 있다. 예컨대, 기판의 세정 공정은 건조가스를 사용한 건조 공정을 더 포함할 수 있다. 즉, 도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법은 지지부재(140)에 웨이퍼를 로딩하고(S210), 사용될 처리유체의 종류를 판단하여(S220), 기설정된 토출방식에 맞게 처리유체를 토출한다. 이때, 기판 처리 장치는 사용될 처리유체가 세정액이면(S230), 세정노즐(210)은 제1 토출방식으로 세정액을 토출하여 세정 공정을 수행한다(S240). 그리고, 기판 처리 장치는 사용될 처리유체가 린스액이면(S260), 린스노즐(310)은 제2 토출방식으로 린스액을 토출하여 린스 공정을 수행한다(S270). 또한, 사용될 처리유체가 건조가스이면(S260), 건조노즐(미도시됨)은 제3 토출방식으로 건조가스를 토출하여 건조 공정을 수행한다(S280). 상기 건조노즐은 공정시 웨이퍼(W) 표면으로 건조가스를 분사하는 노즐이다. 상기 건조가스로는 이소프로필 알코올 가스(Isopropyl Alcohol gas)가 사용될 수 있다. 그리고, 상기 제3 토출방식은 상기 건조노즐이 기설정된 토출시간을 기준으로 건조가스를 토출하는 방식이다. 이러한 제3 토출방식은 건조가스와 같은 처리가스의 경우 공정시 웨이퍼(W) 표면으로 공급되는 시간이 공정 효율에 중요한 요소로 작용하므로, 처리가스의 토출시에는 기설정된 토출시간을 동안 가스가 토출되도록 하기 위해 사용된다.

상술한 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 공정시 세정 공정시 세정액을 제1 토출방식으로 토출하고, 린스 공정시 린스액을 제2 토출방식으로 토출하며, 건조 공정시 건조가스를 제3 토출방식으로 토출한다. 따라서, 공정시 사용되는 처리유체의 종류에 따라 그 특성 및 목적에 맞게 그 토출방식을 다르게 함으로써 기판 처리 공정의 효율을 향상시킨다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 공정시 사용되는 처리유체의 특성 및 목적에 맞게 그 토출방식을 달리하여 기판을 처리함으로써 기판의 세정 효율을 향상시킨다.

Claims

기판을 처리하는 장치에 있어서,

내부에 공정을 수행하는 공간을 제공하는 용기와,

공정시 상기 용기 내부에서 기판을 지지하는 지지부재와,

공정시 상기 지지부재에 지지된 기판으로 제1 처리액 및 제2 처리액을 토출시키는 노즐과,

공정시 상기 노즐을 기판의 상부에서 스윙운동시키는 이송부재, 그리고

공정시 상기 제1 처리액의 공급시에는 기설정된 공급량을 기준으로 제1 처리액이 공급되도록 상기 노즐을 제어하고, 상기 제2 처리액의 공급시에는 상기 노즐의 기설정된 스윙운동 횟수를 기준으로 상기 노즐을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 제1 처리액은,

기판 표면에 잔류하는 이물질을 제거하는 세정액이고,

상기 제2 처리액은,

기판 표면에 잔류하는 상기 세정액을 린스하는 린스액인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
처리유체의 종류에 따라 서로 상이한 토출방식을 사용하여 처리유체를 토출하여 기판을 세정하되,

상기 토출방식은,

상기 처리액의 종류에 따라 기설정된 공급량만큼 처리액을 토출하는 제1 토출방식 및 기설정된 노즐의 스윙운동 횟수만큼 처리액을 토출하는 제2 토출방식을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
제 3 항에 있어서,

상기 제2 토출방식은,

상기 노즐이 기판의 중심과 기판의 가장자리 상호간에 상기 횟수만큼 스윙 운동하는 동안 처리액을 토출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
제 4 항에 있어서,

상기 제1 토출방식은,

기판 표면에 잔류하는 이물질을 세정하기 위한 세정액의 토출시 이루어지고,

상기 제2 토출방식은,

기판 표면에 잔류하는 상기 세정액을 린스하기 위한 린스액의 토출시 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
처리유체들을 토출시키는 노즐을 사용하여 기판을 세정하는 방법에 있어서,

(a)지지부재에 기판을 로딩하는 단계와,

(b)기판에 사용될 처리유체의 종류를 판단하여, 기설정된 유량을 기준으로 처리유체를 토출하는 제1 토출방식 및 상기 노즐의 기설정된 스윙운동 횟수를 기준으로 처리유체를 토출하는 제2 토출방식 중 어느 하나를 선택하는 단계와,

(c)상기 제1 토출방식 및 상기 제2 토출방식 중 어느 하나를 사용하여, 기판 표면으로 처리유체를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
제 6 항에 있어서,

상기 제1 토출방식은,

기판 표면에 잔류하는 이물질을 세정하기 위한 세정액의 토출시 이루어지고,

상기 제2 토출방식은,

기판 표면에 잔류하는 상기 세정액을 린스하기 위한 린스액의 토출시 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
제 7 항에 있어서,

상기 (b)단계는,

상기 기설정된 토출시간 동안 처리유체를 토출하는 제3 토출방식을 더 포함하되,

상기 제2 토출방식은,

상기 처리유체가 가스인 경우에 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.