JP2009032846A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スピンチャック3により回転されるウエハWの表面の周縁領域40にブラシ21が当接されることにより、その周縁領域40に付着する汚染を掻き取ることができる。ウエハWの表面の周縁領域40には、ブラシ接触位置P1に対してウエハWの回転方向下流側に間隔L5を隔てたDIW着液位置P6に、第2表面DIWノズル57からのDIWが供給される。ブラシ21により掻き取られた汚染を、DIWにより洗い流すことができる。
【選択図】図7
Description
ウエハの周縁部の洗浄に関する先行技術として、たとえば、ウエハの表面に付着する付着物(汚染)を薬液により除去した後、ウエハを回転させつつ、そのウエハの表面の中央部に純水を供給して、ウエハの表面に残留している薬液および付着物を除去する際に、ウエハの周縁部に円筒状のブラシの外周面を当接させることにより、ウエハの周縁部に付着している付着物を除去する構成が提案されている(たとえば、特許文献1参照)。
そこで、この発明の目的は、基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の表面の周縁領域から汚染を良好に除去することができる基板処理装置を提供することである。
この発明によれば、基板回転手段により回転される基板に対して、少なくとも基板の表面の周縁領域にブラシが当接されることにより、その周縁領域に付着する汚染を掻き取ることができる。一方、基板の表面の周縁領域には、ブラシが接触する領域に対して基板の回転方向下流側に間隔を隔てた所定のリンス液吐出位置に、周縁リンス液吐出手段からのリンス液が供給される。これにより、ブラシにより掻き取られた汚染を、その掻き取られた直後にリンス液により洗い流すことができる。そのため、基板の表面の周縁領域にブラシにより掻き取られた汚染が残留してこびりつくことを防止することができる。
また、基板の表面の周縁領域上の所定のリンス液吐出位置に供給されるリンス液は、その所定のリンス液吐出位置に対して基板の回転半径方向の内側から供給されるので、基板の回転半径方向の外側に向かうベクトルを有している。そして、その供給後には、リンス液に対して基板の回転による遠心力が作用する。このため、基板の表面の周縁領域に供給されたリンス液が表面の中央部に進入することがほとんどない。したがって、基板の表面のデバイス形成領域にリンス液による影響を与えるおそれがない。
請求項2記載の発明は、前記ブラシに薬液を供給するための薬液供給手段(5,52)をさらに含むことを特徴とする、請求項1記載の基板処理装置である。
この発明によれば、薬液が供給されたブラシが、基板回転手段により回転される基板に対して、少なくとも基板の表面の周縁領域に当接される。高い洗浄力を有する薬液によって基板の表面の周縁領域に付着する汚染を良好に除去することができる
請求項3記載の発明は、前記薬液供給手段(52)は、基板の表面の周縁領域における前記ブラシが接触する領域に対して基板の回転方向上流側の所定の薬液吐出位置(P5)に向けて、その所定の薬液吐出位置よりも基板の回転半径方向の内側から薬液を吐出することを特徴とする、請求項2記載の基板処理装置である。
さらに、基板の表面の周縁領域上の所定の薬液吐出位置に供給される薬液は、その所定の薬液吐出位置に対して基板の回転半径方向の内側から供給されるので、基板の回転半径方向の外側に向かうベクトルを有している。そして、その供給後には、薬液に対して基板の回転による遠心力が作用する。このため、基板の表面の周縁領域に供給された薬液が表面の中央部に進入することがほとんどない。したがって、基板の表面のデバイス形成領域に薬液による影響を与えることなく、ブラシに対して薬液を供給することができる。
この発明によれば、基板の裏面に供給された薬液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の裏面を伝ってその周縁領域に向けて流れる。そして、基板の裏面の周縁領域に達した薬液は、基板の周縁部と接触しているブラシに供給される。このため、基板の表面のデバイス領域に薬液を供給することなく、ブラシに対して薬液を供給することができる。
この発明によれば、ブラシに対して、薬液供給手段からの薬液が供給される一方、ブラシの内部に含まれる薬液が薬液吸引手段によって吸引される。
ブラシの内部に含まれる薬液は吸引手段によって吸引される。そのため、ブラシが接触する領域よりも回転方向下流側における基板の表面の周縁領域に、ブラシから染み出る薬液の量は比較的少量である。このため、基板の表面の周縁領域に供給された薬液が表面の中央部に進入することがほとんどない。
請求項6記載の発明は、基板の表面の周縁領域における前記ブラシが接触する領域に対して基板の回転方向下流側に間隔を隔てた所定の薬液吐出位置(P2)に向けて、その所定の薬液吐出位置よりも基板の回転半径方向の内側から薬液を吐出するための下流側周縁薬液吐出手段(8)をさらに含むことを特徴とする、請求項2〜5のいずれかに記載の基板処理装置である。
また、基板の表面の周縁領域上の所定の薬液吐出位置に供給される薬液は、その所定の薬液吐出位置に対して基板の回転半径方向の内側から供給されるので、基板の回転半径方向の外側に向かうベクトルを有している。そして、その供給後には、薬液に対して基板の回転による遠心力が作用する。このため、基板の表面の周縁領域に供給された薬液が表面の中央部に進入することがほとんどない。したがって、基板の表面のデバイス形成領域に薬液による影響を与えるおそれがない。
請求項7記載の発明は、前記周縁リンス液吐出手段により基板の表面の周縁領域に供給されたリンス液に対して、前記所定のリンス液吐出位置よりも基板の回転方向下流側に間隔を隔てた位置(P4)において、基板の回転半径方向の内側から不活性ガスを吹き付けるためのガス吹付け手段(10)をさらに含むことを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の基板処理装置である。
請求項8に記載のように、前記ブラシ(21)は、弾性変形可能な材料を用いて形成され、前記基板回転手段により回転される基板の表面に垂直な垂線方向の一方側に向けて狭まる形状の第1洗浄面(32)を備えていてもよい。このような形状の第1洗浄面は、その垂線方向に対して傾斜しているので基板の表面の周縁領域および周端面に跨って当接させることができる。これにより、基板の表面の周縁領域および周端面を同時に洗浄することができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す側面図である。
基板処理装置1は、基板の一例としてのウエハWを1枚ずつ処理する枚葉型の装置である。この基板処理装置1は、ウエハWを、その表面(デバイスが形成される側の面)を上方に向けてほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック3と、スピンチャック3に保持されたウエハWの裏面(表面と反対側の面)に薬液としてのSC1(アンモニア過酸化水素水)を供給するための一対の裏面SC1ノズル5(図1では一方のみ図示)と、ウエハWの裏面にリンス液としてのDIW(脱イオン化された純水)を供給するための一対の裏面DIWノズル6(図1では一方のみ図示)と、ウエハWの周縁部を洗浄するためのブラシ機構7と、ウエハWの表面の周縁領域(デバイスが形成されない領域)40にSC1を供給するための第1表面SC1ノズル8と、ウエハWの表面の周縁領域40にDIWを供給するための第1表面DIWノズル9と、ウエハWの表面の周縁領域40に不活性ガスとしてのN2ガスを供給するためのN2ガスノズル10とを備えている。
スピンチャック3は、真空吸着式チャックであって、ほぼ鉛直な方向に延びたスピン軸11と、このスピン軸11の上端に取り付けられて、ウエハWをほぼ水平な姿勢でその裏面を吸着して保持する吸着ベース12と、スピン軸11と同軸に結合された回転軸を有するスピンモータ13とを備えている。ウエハWの裏面が吸着ベース12に吸着保持された状態で、スピンモータ13が駆動されると、ウエハWがスピン軸11の中心軸線まわりに回転する。
各裏面DIWノズル6には、裏面DIWバルブ15を介して、図示しないDIW供給源からのDIWが供給されるようになっている。
第1表面SC1ノズル8には、第1表面SC1バルブ16を介して、図示しないSC1供給源からのSC1が供給されるようになっている。
N2ガスノズル10には、N2ガスバルブ18を介して、図示しないN2ガス供給源からのN2ガスが供給されるようになっている。
ブラシ機構7は、スピンチャック3によるウエハWの保持位置よりも上方で略水平に延びる揺動アーム19と、揺動アーム19を支持するアーム支持軸20と、揺動アーム19の先端に保持されて、ウエハWの周縁部を洗浄するためのブラシ21とを備えている。
ブラシ21は、たとえば、PVA(ポリビニルアルコール)などのスポンジ材からなる。このブラシ21は、ウエハWの表面の周縁領域40および周端面42を洗浄するための第1洗浄部30と、ウエハWの裏面の周縁領域41および周端面42を洗浄するための第2洗浄部31とを上下に一体的に備え、鉛直軸線まわりに回転対称な略鼓状に形成されている。
一対の裏面SC1ノズル5は、平面視で、スピン軸11の中心軸線を中心とする円周上に、その中心軸線を中心として対称となるように配置されている。各裏面SC1ノズル5は、その吐出口を、ウエハWの裏面に近接する位置で、鉛直方向上方に向けて配置されている。
第1表面SC1ノズル8は、スピンチャック3の上方で、その吐出口をウエハWの表面の周縁領域40上のSC1着液位置P2に向けて、SC1着液位置P2よりもウエハWの回転半径方向における内側に配置されている。これにより、第1表面SC1ノズル8の吐出口から吐出されるSC1は、平面視において、ウエハWの回転半径方向に沿ってその内側から外側に向かう。SC1着液位置P2は、ブラシ21が当接するウエハWの周縁部のブラシ接触位置P1に対して、ウエハWの回転方向(矢印35で示す方向)の下流側に間隔L1を隔てた位置に設定されている。この間隔L1として、ウエハWの直径の1/10程度のサイズを例示することができる。
基板処理装置1は、マイクロコンピュータを含む構成の制御部50を備えている。
この制御部50には、スピンモータ13、裏面SC1バルブ14、裏面DIWバルブ15、第1表面SC1バルブ16、第1表面DIWバルブ17、N2ガスバルブ18、揺動駆動機構23、昇降駆動機構24およびブラシ自転機構26が制御対象として接続されている。
基板処理装置1内に搬入されるウエハWは、その表面を上方に向けて、スピンチャック3に保持される。
次いで、制御部50によって裏面SC1バルブ14が開かれて、一対の裏面SC1ノズル5からウエハWの裏面へのSC1の供給が開始される(ステップS2)。一対の裏面SC1ノズル5から吐出されるSC1の流量は、たとえば20ml/minである。ウエハWの裏面に供給されたSC1は、ウエハWの回転による遠心力を受けて、ウエハWの裏面を伝ってその周縁領域41に向けて流れる。
また、制御部50によりブラシ自転機構26が制御されて、ブラシ21が、たとえば、100〜200rpmの回転速度で、ウエハWの回転方向と同方向に回転される。その後、制御部50により揺動駆動機構23および昇降駆動機構24が制御されて、ブラシ21の第2洗浄面33がウエハWの裏面の周縁領域41および周端面42に当接される(ステップS3)。具体的には、まず、昇降駆動機構24が制御されて、ブラシ21が予め設定された高さの位置に移動され、ブラシ21の第2洗浄面33がウエハWの周端面15に対向する。次に、揺動駆動機構23が制御されて、揺動アーム19が旋回し、ブラシ21が水平移動することにより、ブラシ21の第2洗浄面33にウエハWが食い込み、ブラシ21の第2洗浄面33がウエハWの裏面の周縁領域41および周端面42に押し付けられる。この状態において、ブラシ21には、ウエハWの裏面の周縁領域41に達するSC1が供給される。そして、SC1が供給されたブラシ21によって、ウエハWの裏面の周縁領域41および周端面42が洗浄される。
また、ウエハWの表面の周縁領域40に供給されたSC1に対して、ウエハWの回転半径方向の内側から、N2ガスノズル10からのN2ガスが吹き付けられる。これにより、SC1は、回転半径方向外側に向けて押され、ウエハWの表面の周縁領域40上に止まることなく、周縁領域40上から速やかに除去される。
このとき、N2ガスノズル10からウエハWの表面の周縁領域40へのN2ガスの供給は続行されている。これにより、DIWの表面の中央部への回り込みを防止することができる。
また、ウエハWの表面の周縁領域40上のSC1着液位置P2に供給されるSC1は、そのSC1着液位置P2に対してウエハWの回転半径方向の内側から供給されるので、ウエハWの回転半径方向の外側に向かうベクトルを有している。そして、その供給後には、SC1に対してウエハWの回転による遠心力が作用する。このため、ウエハWの表面の周縁領域40に供給されたSC1がウエハWの表面の中央部に進入することがほとんどない。したがって、ウエハWの表面のデバイス形成領域にSC1による影響を与えるおそれがない。
図6は、本発明の他の実施形態(第2の実施形態)に係る基板処理装置の構成を模式的に示す側面図である。この第2の実施形態において、前述の図1〜図5の実施形態(第1の実施形態)に示された各部に対応する部分には、図1〜図5の場合と同一の参照符号を付して示し、特に説明が必要な場合を除き、その説明を省略する。
第2表面SC1ノズル52には、第2表面SC1バルブ53を介して、図示しないSC1供給源からのSC1が供給されるようになっている。
さらに、基板処理装置51は、ブラシ21の内部に含まれるSC1を吸引するための吸引ノズル54を備えている。吸引ノズル54には、吸引管55の一端が接続されている。吸引管55の他端は、吸引管55の内部を真空吸引するための吸引装置(図示せず)に接続されている。吸引管55の途中部には、吸引ノズル54からの吸引/吸引停止を切り換えるための吸引バルブ56が介装されている。この吸引ノズル54は、ブラシホルダ28に係止された保持金具(図示せず)によって、ブラシ21と一体的に昇降可能に構成にされている。
第2表面SC1ノズル52は、スピンチャック3の上方で、その吐出口をウエハWの表面の周縁領域40上のSC1着液位置P5に向けて、SC1着液位置P5よりもウエハWの回転半径方向における内側に配置されている。これにより、第2表面SC1ノズル52の吐出口から吐出されるSC1は、平面視において、ウエハWの回転半径方向に沿ってその内側から外側に向かう。SC1着液位置P5は、ブラシ21が当接するウエハWの周縁部のブラシ接触位置P1に対して、ウエハWの回転方向(矢印35で示す方向)の上流側に間隔L4を隔てた位置に設定されている。この間隔L4として、ウエハWの直径の1/30程度のサイズを例示することができる。
吸引ノズル54は、その先端が、ブラシ21の周面(図6および図7では、たとえば、第2洗浄面33)に微小な間隔(たとえば、3mm)を隔てて配置されている。そのため、ブラシ21にSC1が含まれている状態で、吸引バルブ56が開かれて、吸引管55の内部が吸引装置(図示せず)によって吸引されると、ブラシ21の内部に含まれるSC1が、吸引ノズル54に吸引される。したがって、ブラシ21の回転を妨げることなく、ブラシ21の内部に含まれるSC1を、吸引ノズル54により吸引することができる。
制御部50には、スピンモータ13、第2表面SC1バルブ53、第2表面DIWバルブ58、N2ガスバルブ18、吸引バルブ56、揺動駆動機構23、昇降駆動機構24およびブラシ自転機構26が制御対象として接続されている。
基板処理装置51内に搬入されるウエハWは、その表面を上方に向けて、スピンチャック3に保持される。
次いで、制御部50によって第2表面SC1バルブ53が開かれる(ステップS12)。これにより、第2表面SC1ノズル52からウエハWの表面の周縁領域40のSC1着液位置P5に向けてSC1が吐出される(ステップS12)。第2表面SC1ノズル52から吐出されるSC1の流量は、たとえば20ml/minである。ウエハWの表面の周縁領域40に供給されるSC1は、平面視において、ウエハWの回転半径方向に沿ってその内側から外側に向かうベクトルを有している。
さらにまた、制御部50によってN2ガスバルブ18が開かれて、N2ガスノズル10からウエハWの表面の周縁領域40のN2ガス吹付け位置P4に向けてN2ガスが吹き付けられる(ステップS12)。N2ガスノズル10から吹き出されるN2ガスの流量は、たとえば5L/minである。
ブラシ21の内部に含まれるSC1が吸引ノズル54によって吸引されているとともに、ブラシ21へSC1が供給されているので、ブラシ21に含まれるSC1は必要十分で適切な量に保たれている。そのため、ブラシ21が当接するウエハWの周縁部のブラシ接触位置P1では、適切な濡れ幅(たとえば、2mm)のSC1の液膜を形成することができる。
ブラシ21の第1洗浄面32がウエハWに当接してから所定時間が経過すると、制御部50によって第2表面SC1バルブ53が閉じられて、第2表面SC1ノズル52からのSC1の供給が停止される(ステップS16)。また、制御部50によって吸引バルブ56は開いた状態が維持されて、吸引ノズル54からのSC1の吸引は継続される(ステップS16)。
また、ウエハWの表面の周縁領域40上のDIW着液位置P6に供給されるDIWは、そのDIW着液位置P6に対してウエハWの回転半径方向の内側から供給されるので、ウエハWの回転半径方向の外側に向かうベクトルを有している。そして、その供給後には、DIWに対してウエハWの回転による遠心力が作用する。このため、ウエハWの表面の周縁領域40に供給されたDIWがウエハWの表面の中央部に進入することがほとんどない。したがって、ウエハWの表面のデバイス形成領域にDIWによる影響を与えるおそれがない。
また、スピンチャック3により回転されるウエハWの表面の周縁領域40には、ブラシ接触位置P1に対してウエハWの回転方向上流側のSC1着液位置P5に向けて、第2表面SC1ノズル52からのSC1が供給される。ウエハWの表面の周縁領域40に供給されたSC1は、ウエハWの回転による遠心力を受けて、ウエハWの周縁部に接触しているブラシ21に付与される。このため、ブラシ21に対してSC1を良好に供給することができる。
さらにまた、ブラシ21へのSC1の供給により、ブラシ21の内部には十分な量のSC1が含まれている。そのため、ウエハWの表面の周縁領域40には、ブラシ接触位置P1に、所定の濡れ幅を有するSC1の液膜を形成することができる。これにより、SC1 の洗浄力によってウエハWの表面の周縁領域40に付着する汚染を良好に掻き取ることができる。一方、ブラシ21の内部に含まれるSC1は吸引ノズル54によって吸引される。そのため、ブラシ接触位置P1よりも回転方向下流側におけるウエハWの表面の周縁領域40に、ブラシ21から染み出るSC1の量は比較的少量である。このため、ウエハWの表面の周縁領域40に供給されたSC1がウエハWの表面の中央部に進入することがほとんどない。
また、前記の2つの実施形態では、基板処理装置1,51を用いて、ウエハWの表面の中央部にLow−k膜(疎水性膜)が形成されたウエハWを洗浄する場合を例にとって説明したが、基板処理装置1,51を用いた洗浄処理は、その表面の中央部に銅配線が形成されたウエハWを洗浄対象とすることもできるし、それ以外のウエハWを洗浄対象とすることもできる。
さらに、第1の実施形態の処理工程では、ステップS8のリンス処理時にブラシ21がホームポジションに退避されているが、このリンス処理時のブラシ21がウエハWの周縁部に接触させられていてもよい。この場合、リンス処理では、ステップS2〜S7のSC1処理のように、まず、ブラシ21の第2洗浄面33がウエハWの裏面の周縁領域41および周端面42に当接されて、その後に、ブラシ21の第1洗浄面32がウエハWの表面の周縁領域40および周端面42に当接されることが好ましい。
したがって、ステップS17〜S22のリンス処理において、N2ガスノズル10からN2ガスを吐出させることもできる。このとき、ウエハWの表面の周縁領域40に供給されたDIWに対して、ウエハWの回転半径方向の内側から、N2ガスノズル10からのN2ガスが吹き付けられる。これにより、DIWは、回転半径方向外側に向けて押され、ウエハWの表面の周縁領域40上に止まることなく、周縁領域40上から速やかに除去される。
また、前記の2つの実施形態では、SC1処理後にリンス処理を施す構成を例に挙げて説明したが、SC1(薬液)を用いずにDIW(リンス液)だけを用いて、ウエハWの表面の周縁領域40を洗浄することもできる。かかる場合、第2の実施形態では、ステップS12〜S16のSC1処理に関する工程を削除することができる。
また、リンス液としては、DIWに限られず、たとえば、炭酸水、イオン水、オゾン水、還元水(水素水)または磁気水などの機能水を用いることもできる。
さらにまた、前記の2つの実施形態では、スピンチャック3として真空吸着式のチャックを用いたが、スピンチャック3は、このような真空吸着式のチャックに限られない。たとえば、ウエハWの周端面42を複数個の回転ローラを用いて挟持することにより、ウエハWをほぼ水平な姿勢で保持することができるローラ式のチャックが採用されていてもよい。この場合、ウエハWの裏面に薬液またはリンス液を供給する構成を採用する場合には、ウエハWの裏面の回転中心近傍に薬液またはリンス液が供給されることにより、ブラシ21への薬液またはリンス液の供給が達成されることが好ましい。また、ウエハWの裏面に薬液またはリンス液を供給する構成を採用しない場合には、ウエハWの周端面42を複数個のチャックピンを用いて挟持することにより、ウエハWをほぼ水平な姿勢で保持することができる端面挟持型のチャックが採用されていてもよい。
3 スピンチャック(基板回転手段)
5 裏面SC1ノズル(薬液供給手段)
6 裏面DIWノズル
8 第1表面SC1ノズル(下流側周縁薬液吐出手段)
9 第1表面DIWノズル(周縁リンス液吐出手段)
10 N2ガスノズル(ガス吹付け手段)
21 ブラシ
23 揺動駆動機構
24 昇降駆動機構
32 第1洗浄面
33 第2洗浄面
52 第2表面SC1ノズル(薬液供給手段)
54 吸引ノズル(薬液吸引手段)
55 吸引管(薬液吸引手段)
57 第2表面DIWノズル(周縁リンス液吐出手段)
L1,L2,L3,L4,L5,L6 間隔
P1 ブラシ接触位置
P2 SC1着液位置(所定の薬液吐出位置)
P3 DIW着液位置(所定のリンス液吐出位置)
P4 N2ガス吹付け位置
P5 SC1着液位置(所定の薬液吐出位置)
P6 DIW着液位置(所定のリンス液吐出位置)
W ウエハ(基板)
Claims (10)
- 基板を回転させるための基板回転手段と、
前記基板回転手段により回転される基板に対して、少なくとも基板の表面の周縁領域において当接するブラシと、
基板の表面の周縁領域における前記ブラシが接触する領域に対して基板の回転方向下流側に間隔を隔てた所定のリンス液吐出位置に向けて、その所定のリンス液吐出位置よりも基板の回転半径方向の内側からリンス液を吐出する周縁リンス液吐出手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。 - 前記ブラシに薬液を供給するための薬液供給手段をさらに含むことを特徴とする、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記薬液供給手段は、基板の表面の周縁領域における前記ブラシが接触する領域に対して基板の回転方向上流側に位置する所定の薬液吐出位置に向けて、その所定の薬液吐出位置よりも基板の回転半径方向の内側から薬液を吐出することを特徴とする、請求項2記載の基板処理装置。
- 前記基板回転手段は、基板を、その表面が上方に向いたほぼ水平な姿勢に保持しつつ鉛直軸線周りに回転させるものであり、
前記薬液供給手段は、前記基板回転手段により回転される基板の裏面に薬液を供給することを特徴とする、請求項2記載の基板処理装置。 - 前記ブラシの内部に含まれる薬液を吸引するための薬液吸引手段をさらに含むことを特徴とする、請求項2〜4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 基板の表面の周縁領域における前記ブラシが接触する領域に対して基板の回転方向下流側に間隔を隔てた所定の薬液吐出位置に向けて、その所定の薬液吐出位置よりも基板の回転半径方向の内側から薬液を吐出するための下流側周縁薬液吐出手段をさらに含むことを特徴とする、請求項2〜5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記周縁リンス液吐出手段により基板の表面の周縁領域に供給されたリンス液に対して、前記所定のリンス液吐出位置よりも基板の回転方向下流側に間隔を隔てた位置において、基板の回転半径方向の内側から不活性ガスを吹き付けるためのガス吹付け手段をさらに含むことを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記ブラシは、弾性変形可能な材料を用いて形成され、前記基板回転手段により回転される基板の表面に垂直な垂線方向の一方側に向けて狭まる形状の第1洗浄面を備えていることを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記ブラシは、前記第1洗浄面の前記一方側の端縁から前記垂線方向の前記一方側に向けて拡がる形状の第2洗浄面を備えていることを特徴とする請求項8記載の基板処理装置。
- 前記薬液は、アンモニア過酸化水素水混合液であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の基板処理装置。
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