JP2007005391A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007005391A
JP2007005391A JP2005180932A JP2005180932A JP2007005391A JP 2007005391 A JP2007005391 A JP 2007005391A JP 2005180932 A JP2005180932 A JP 2005180932A JP 2005180932 A JP2005180932 A JP 2005180932A JP 2007005391 A JP2007005391 A JP 2007005391A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning liquid
substrate
chemical
rotating member
chemical solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005180932A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Araki
浩之 荒木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2005180932A priority Critical patent/JP2007005391A/ja
Publication of JP2007005391A publication Critical patent/JP2007005391A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】基板から飛散する薬液を受けるための受け部材における薬液の滞留を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】スピンチャック1のスピンベース5の側面に、洗浄液を噴射口からスプレー状に噴射する洗浄液ノズル4が設けられている。この洗浄液ノズル4は、ガード14の円筒側壁19の内面20において薬液が付着する領域に洗浄液が供給されるように、その噴射口を水平方向外方に向けた状態で取り付けられている。ウエハWに対する薬液の供給開始に先立って、洗浄液ノズル4からの洗浄液の吐出が開始される。ウエハWに対して薬液が供給されている間も、洗浄液ノズル4からの洗浄液の吐出が続けられ、その薬液の供給が停止された後に、洗浄液ノズル4からの洗浄液の吐出が停止される。
【選択図】 図1

Description

この発明は、基板を回転させつつ、その基板に薬液を供給することにより、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
半導体装置や液晶表示装置の製造工程に用いられる基板処理装置には、基板を1枚ずつ処理する枚葉型のものがある。この枚葉型の基板処理装置は、たとえば、基板を水平に保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板に薬液を供給する薬液ノズルとを備えている。そして、スピンチャックを回転させつつ、そのスピンチャックとともに回転する基板に薬液ノズルから薬液を供給することにより、基板に対する薬液を用いた処理が達成される。
スピンチャックは、たとえば、有底筒状のカップ内に配置され、そのカップの側壁によって周囲が取り囲まれている。これにより、基板の周縁から側方に飛散する薬液をカップの側壁の内面で受け止めることができ、カップより外方への薬液の飛散を防止することができる。
特開平10−172950号公報
ところが、このような構成では、カップの内面上に薬液が滞留し、その薬液が基板に汚染などの悪影響を与えるおそれがある。たとえば、カップの内面上に滞留した薬液が気化し、その気化した薬液を含む雰囲気が基板の近傍を漂うことにより、基板に悪影響を与えるおそれがある。また、カップの側壁の内面で薬液を受け止めたときに、カップの側壁の内面に滞留している薬液が飛散し、これが基板上に着地することにより、基板に悪影響を与えるおそれがある。
そこで、この発明の目的は、基板から飛散する薬液を受けるための受け部材における薬液の滞留を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板(W)を保持して、その基板とともに回転する回転部材(5)と、前記回転部材に保持された基板に薬液を供給するための薬液供給手段(2)と、前記回転部材の周囲を取り囲むように設けられ、上記回転部材とともに回転している基板から飛散する薬液を受けるための受け部材(3)と、前記回転部材に設けられ、前記受け部材の前記回転部材との対向面(20)に洗浄液を供給する洗浄液供給手段(4)と、基板に薬液が供給されている間、前記対向面に洗浄液が供給されるように、前記薬液供給手段による薬液の供給および前記洗浄液供給手段による洗浄液の供給を制御する制御手段(21)とを含むことを特徴とする、基板処理装置である。
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、基板に供給される薬液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の周縁から側方へ飛散し、受け部材の回転部材との対向面に受けられる。基板に薬液が供給されている間、受け部材の回転部材との対向面に洗浄液が供給されるので、その対向面に受けられる薬液は、洗浄液に押し流され、対向面を伝って流下する。そのため、受け部材の回転部材との対向面に薬液が滞留することを防止することができ、その薬液の滞留に起因する種々の不具合(たとえば、受け部材の回転部材との対向面に滞留した薬液が気化し、その気化した薬液を含む雰囲気が基板の近傍を漂うことにより、基板が悪影響を受けること。受け部材の回転部材との対向面で薬液を受けたときに、その対向面に滞留している薬液が飛散し、これが基板上に着地することにより、基板が悪影響を受けること。)の発生を回避することができる。
また、薬液が高粘質のもの(たとえば、高濃度硫酸)であっても、受け部材の回転部材との対向面に受けられた薬液に洗浄液が混ざることにより、薬液の粘度が低下するので、その薬液を速やかに流下させることができる。そのため、受け部材の回転部材との対向面に薬液が滞留することを防止することができる。
請求項2記載の発明は、前記洗浄液供給手段は、前記対向面に向けて洗浄液をスプレー状に噴射するスプレーノズル(4)を備えていることを特徴とする、請求項1記載の基板処理装置である。
この構成によれば、洗浄液がスプレー状に噴射されるので、受け部材の回転部材との対向面に洗浄液をむらなく供給することができる。そのため、受け部材の回転部材との対向面における薬液の滞留を確実に防止することができる。
請求項3記載の発明は、前記制御手段は、前記薬液供給手段による薬液の供給開始前に、前記洗浄液供給手段による洗浄液の供給を開始させることを特徴とする、請求項1または2記載の基板処理装置である。
この構成によれば、薬液の供給開始に先立って、洗浄液の供給が開始されるので、基板から飛散する薬液が受け部材の回転部材との対向面に受けられる前に、その対向面に洗浄液の被膜を形成しておくことができる。これにより、受け部材の回転部材との対向面に薬液が直接付着することを防止することができ、その対向面上における薬液の滞留をより効果的に防止することができる。
請求項4記載の発明は、前記制御手段は、前記薬液供給手段による薬液の供給停止後に、前記洗浄液供給手段による洗浄液の供給を停止させることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、薬液の供給停止後も、受け部材の回転部材との対向面に対する洗浄液の供給が続けられるので、その対向面上における薬液の滞留をより確実に防止することができる。
請求項5記載の発明は、基板(W)を保持して、その基板とともに回転する回転部材(5)と、前記回転部材に保持された基板に薬液を供給するための薬液供給手段(2)と、前記回転部材の周囲を取り囲むように設けられ、上記回転部材とともに回転している基板から飛散する薬液を受けるための受け部材(3)と、前記回転部材に設けられ、前記受け部材の前記回転部材との対向面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段(4)とを備える基板処理装置における基板処理方法であって、前記回転部材に基板を保持させて、その基板を前記回転部材とともに回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程中に、前記薬液供給手段によって基板に薬液を供給する薬液供給工程と、前記薬液供給工程と並行して、前記洗浄液供給手段によって前記対向面に洗浄液を供給する受け部材洗浄工程とを含むことを特徴とする、基板処理方法である。
この方法によれば、請求項1に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。この基板処理装置は、基板の一例であるシリコン半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という。)の表面に薬液を供給して、その表面に対して薬液による処理を施すための枚葉型の装置である。この基板処理装置は、ウエハWをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック1と、スピンチャック1に保持されたウエハWの表面に薬液を供給するための薬液ノズル2と、ウエハWから飛散する薬液を受け取るための受け部材3と、受け部材3の内面(スピンチャック1との対向面)に洗浄液を供給するための複数個の洗浄液ノズル4とを備えている。
スピンチャック1は、図示しないモータの回転駆動力によりほぼ鉛直な軸線まわりに回転される円盤状のスピンベース5と、このスピンベース5の周縁部の複数箇所にほぼ等角度間隔で設けられ、ウエハWをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材6とを備えている。これにより、スピンチャック1は、複数個の挟持部材6によってウエハWを挟持した状態で、スピンベース5を回転させることにより、そのウエハWを、ほぼ水平な姿勢を保ったまま、スピンベース5とともに回転させることができる。
また、スピンチャック1の内部には、スピンチャック1の回転軸線に沿って延び、スピンベース5内で分岐して、各分岐部分が後述する洗浄液ノズル4に接続された洗浄液供給路7が形成されている。この洗浄液供給路7には、洗浄液配管8が接続されており、洗浄液供給源からの洗浄液が洗浄液配管8を通して供給されるようになっている。洗浄液配管8の途中部には、洗浄液配管8を開閉するための洗浄液バルブ9が介装されている。
薬液ノズル2には、薬液供給源からの薬液が薬液バルブ10を介して供給されるようになっている。薬液供給源から薬液ノズル2に供給される薬液としては、たとえば、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水)などのレジスト剥離液を例示することができる。
また、薬液ノズル2は、スピンチャック1の上方に設けられたアーム11の先端に取り付けられている。アーム11は、受け部材3の側方でほぼ鉛直に延びた支持軸12に支持されており、この支持軸12の上端部からほぼ水平に延びている。支持軸12は、その中心軸線まわりに回転可能に設けられていて、支持軸12を回転させることにより、薬液ノズル2をスピンチャック1に保持されたウエハWの上方に配置したり、受け部材3の外側に設定された待機位置に配置したりすることができる。また、支持軸12を所定の角度範囲内で往復回転させることにより、スピンチャック1に保持されたウエハWの上方でアーム11を揺動させることができ、これに伴って、スピンチャック1に保持されたウエハWの表面上で、薬液ノズル2からの薬液の供給位置をスキャン(移動)させることができる。
受け部材3は、スピンチャック1を収容する有底円筒形状のカップ13と、このカップ13に対して昇降可能に設けられたガード14とを備えている。
カップ13には、スピンチャック1の周囲を取り囲むように、円環状の集液溝15が形成されている。すなわち、カップ13の側壁は、スピンチャック1を取り囲む円筒状の内側壁16とこの内側壁16を取り囲む円筒状の外側壁17とを有する2重同心円筒状に形成されており、その内側壁16と外側壁17との間に、円環状の集液溝15が形成されている。
ガード14は、カップ13の中心軸線(ウエハWの回転軸線)に対してほぼ回転対称な形状に形成されている。このガード14は、平面視円環状の円環板部18と、この円環板部18の外周縁から下方に延びる円筒状の円筒側壁19とを一体的に備えている。円筒側壁19の内面20は、下方ほどカップ13の中心軸線から遠ざかるように傾斜する傾斜面に形成されている。そして、このガード14は、円筒側壁19の内面20がスピンチャック1に保持されたウエハWの端面に対向する処理時位置(図1に実線で示す位置)と、円環板部18がスピンチャック1によるウエハWの保持位置よりも下方に配置される搬入出位置(図1に仮想線で示す位置)との間で昇降可能に設けられている。
洗浄液ノズル4は、洗浄液を噴射口からスプレー状に噴射(吐出)するスプレーノズルであり、ガード14の円筒側壁19の内面20において薬液が付着する領域に洗浄液が供給されるように、その噴射口を水平方向外方に向けた状態で、スピンベース5の側面に取り付けられている。この洗浄液ノズル4には、洗浄液配管8から洗浄液供給路7に流入する洗浄液が洗浄液供給路7を通して供給される。洗浄液ノズル4に供給される洗浄液としては、たとえば、純水を例示することができる。
また、この基板処理装置には、マイクロコンピュータを含む制御部21が備えられている。制御部21は、予め定められたプログラムに従って、洗浄液バルブ9および薬液バルブ10の開閉を制御するとともに、スピンチャック1に備えられるモータやガード14を昇降させるための駆動源などを制御する。
図2は、薬液ノズル2からの薬液の吐出およびその停止のタイミングと、洗浄液ノズル4からの洗浄液の吐出およびその停止のタイミングを示す図である。ウエハWの処理に際しては、図示しない搬送ロボットによって、ウエハWがスピンチャック1に受け渡される。このとき、スピンチャック1(スピンベース5)は、静止している。また、搬送ロボットからスピンチャック1へのウエハWの受け渡しが阻害されないように、ガード14は、円環板部18がスピンチャック1によるウエハWの保持位置よりも下方に配置される搬入出位置に下げられている。
スピンチャック1にウエハWが受け渡されると、搬入出位置に下げられているガード14が、その搬入出位置から円筒側壁19の内面20がスピンチャック1に保持されたウエハWの端面に対向する処理時位置に上昇される。また、スピンベース5の回転が開始されて、ウエハWの回転が開始される。
ウエハWの回転開始後、まず、洗浄液バルブ9が開かれて、洗浄液ノズル4からの洗浄液の吐出が開始される。洗浄液ノズル4から吐出される洗浄液は、ガード14の円筒側壁19の内面20に供給される。洗浄液ノズル4は、スピンベース5に設けられているので、そのスピンベース5の回転に伴って、スピンベース5およびウエハWの回転軸線を中心に回転する。これにより、ガード14の円筒側壁19の内面20における洗浄液の供給位置が周方向に移動し、その内面20の全周にわたって洗浄液が供給される。
洗浄液の供給開始から予め定める時間(T1−T2)が経過すると、次に、ウエハWの上方に薬液ノズル2が移動されて、薬液バルブ10が開かれることにより、薬液ノズル2からウエハWの表面への薬液の供給(吐出)が開始される。ウエハWの表面に供給された薬液は、ウエハWの回転による遠心力を受けて、ウエハWの表面上を流れ、ウエハWの周縁から側方へと飛散する。これにより、ウエハWの表面全域に薬液が行き渡り、ウエハWの表面に対して薬液による処理が施されていく。
ウエハWの周縁から振り切られて側方に飛散する薬液は、ガード14の円筒側壁19の内面20に受け止められる。この薬液の供給中も、洗浄液ノズル4からガード14の円筒側壁19の内面20への洗浄液の供給が続けられている。これにより、ガード14の円筒側壁19の内面20に受け止められる薬液は、洗浄液に押し流されて、その内面20を伝って流下する。そして、ガード14の円筒側壁19の内面20の下端縁からカップ13の集液溝15内に流れ落ち、集液溝15に接続された排出配管(図示せず)を通して排出される。
なお、ウエハWに対する薬液の供給が行われている間、薬液ノズル2を静止させていてもよいし、ウエハWの上方でアーム11を揺動させることにより、薬液ノズル2を往復移動させて、ウエハWの表面における薬液の供給位置をスキャンさせてもよい。
ウエハWに対する薬液の供給が予め定める時間(T2−T3)にわたって続けられると、薬液バルブ10が閉じられて、薬液ノズル2からの薬液の吐出が停止される。その後、予め定める時間(T3−T4)が経過すると、洗浄液バルブ9が閉じられて、洗浄液ノズル4からの洗浄液の吐出が停止される。
また、薬液ノズル2からの薬液の吐出が停止され、ウエハWに対する薬液による処理が終了された後も、ウエハWの回転は継続される。そして、その回転しているウエハWに対して、図示しないリンス液ノズルからリンス液(たとえば、純水)が供給されて、ウエハWに付着した薬液を洗い流すためのリンス処理が行われる。このリンス処理は、たとえば、薬液バルブ10が閉じられた後であって、洗浄液バルブ9が閉じられる前に開始される。リンス処理の後は、ウエハWが高速回転されて、ウエハWに付着している純水を振り切って乾燥させるスピンドライ処理が行われる。スピンドライ処理が終了すると、ウエハW(スピンチャック1)の回転が停止されて、搬送ロボットにより、スピンチャック1から処理済みのウエハWが搬出されていく。これに先立って、ガード14は、搬入出位置に下げられている。
以上のように、ウエハWに薬液が供給されている間、ガード14の円筒側壁19の内面20に洗浄液が供給されるので、その内面20に受けられる薬液は、洗浄液に押し流されて、内面20を伝って流下する。そのため、ガード14の円筒側壁19の内面20に薬液が滞留することを防止することができ、その薬液の滞留に起因する種々の不具合(たとえば、ガード14の円筒側壁19の内面20に滞留した薬液が気化し、その気化した薬液を含む雰囲気がウエハWの近傍を漂うことにより、ウエハWが悪影響を受けること。ガード14の円筒側壁19の内面20で薬液を受けたときに、その内面20に滞留している薬液が飛散し、これがウエハW上に着地することにより、ウエハWが悪影響を受けること。)の発生を回避することができる。
また、薬液が高粘質のもの(たとえば、高濃度硫酸)であっても、ガード14の円筒側壁19の内面20に受けられた薬液に洗浄液が混ざることにより、薬液の粘度が低下するので、その薬液をガード14の円筒側壁19の内面20上から速やかに流下させることができる。
さらにまた、洗浄液ノズル4として、洗浄液をスプレー状に噴射するスプレーノズルが用いられているので、ガード14の円筒側壁19の内面20に洗浄液をむらなく供給することができる。そのため、ガード14の円筒側壁19の内面20における薬液の滞留を確実に防止することができる。
また、薬液の供給開始に先立って、洗浄液の供給が開始されるので、ウエハWから飛散する薬液がガード14の円筒側壁19の内面20に受けられる前に、その内面20に洗浄液の被膜を形成しておくことができる。これにより、ガード14の円筒側壁19の内面20に薬液が直接付着することを防止することができ、その内面20上における薬液の滞留をより効果的に防止することができる。
さらに、薬液の供給停止後も、ガード14の円筒側壁19の内面20に対する洗浄液の供給が続けられるので、その内面20上における薬液の滞留をより確実に防止することができる。
以上、この発明の一実施形態を説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。たとえば、スピンチャック1としては、ウエハWの下面を真空吸着する吸着ベースを備え、その吸着ベースにウエハWの裏面を吸着させて、ウエハWをほぼ水平な姿勢で保持した状態で、吸着ベースをほぼ鉛直な軸線まわりに回転させることにより、ウエハWをほぼ水平な姿勢を保ったまま回転させることができる真空吸着式のもの(バキュームチャック)が採用されてもよい。この場合、洗浄液ノズル4は、吸着ベースに設けられるとよい。
また、複数個の洗浄液ノズル4が備えられているとしたが、1個の洗浄液ノズル4によって、ガード14の円筒側壁19の内面20において薬液が付着する領域に洗浄液をむらなく供給することができれば、洗浄液ノズル4の個数は1個であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。 薬液ノズルからの薬液の吐出およびその停止のタイミングと、洗浄液ノズルからの洗浄液の吐出およびその停止のタイミングを示す図である。
符号の説明
1 スピンチャック
2 薬液ノズル
3 受け部材
4 洗浄液ノズル
5 スピンベース
21 制御部
W ウエハ

Claims (5)

  1. 基板を保持して、その基板とともに回転する回転部材と、
    前記回転部材に保持された基板に薬液を供給するための薬液供給手段と、
    前記回転部材の周囲を取り囲むように設けられ、上記回転部材とともに回転している基板から飛散する薬液を受けるための受け部材と、
    前記回転部材に設けられ、前記受け部材の前記回転部材との対向面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
    基板に薬液が供給されている間、前記対向面に洗浄液が供給されるように、前記薬液供給手段による薬液の供給および前記洗浄液供給手段による洗浄液の供給を制御する制御手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。
  2. 前記洗浄液供給手段は、前記対向面に向けて洗浄液をスプレー状に噴射するスプレーノズルを備えていることを特徴とする、請求項1記載の基板処理装置。
  3. 前記制御手段は、前記薬液供給手段による薬液の供給開始前に、前記洗浄液供給手段による洗浄液の供給を開始させることを特徴とする、請求項1または2記載の基板処理装置。
  4. 前記制御手段は、前記薬液供給手段による薬液の供給停止後に、前記洗浄液供給手段による洗浄液の供給を停止させることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。
  5. 基板を保持して、その基板とともに回転する回転部材と、前記回転部材に保持された基板に薬液を供給するための薬液供給手段と、前記回転部材の周囲を取り囲むように設けられ、上記回転部材とともに回転している基板から飛散する薬液を受けるための受け部材と、前記回転部材に設けられ、前記受け部材の前記回転部材との対向面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備える基板処理装置における基板処理方法であって、
    前記回転部材に基板を保持させて、その基板を前記回転部材とともに回転させる基板回転工程と、
    前記基板回転工程中に、前記薬液供給手段によって基板に薬液を供給する薬液供給工程と、
    前記薬液供給工程と並行して、前記洗浄液供給手段によって前記対向面に洗浄液を供給する受け部材洗浄工程とを含むことを特徴とする、基板処理方法。
JP2005180932A 2005-06-21 2005-06-21 基板処理装置および基板処理方法 Pending JP2007005391A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005180932A JP2007005391A (ja) 2005-06-21 2005-06-21 基板処理装置および基板処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005180932A JP2007005391A (ja) 2005-06-21 2005-06-21 基板処理装置および基板処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007005391A true JP2007005391A (ja) 2007-01-11

Family

ID=37690744

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005180932A Pending JP2007005391A (ja) 2005-06-21 2005-06-21 基板処理装置および基板処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007005391A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI283020B (en) Single wafer type substrate cleaning method and apparatus
JP4976949B2 (ja) 基板処理装置
KR101280768B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
WO2013145371A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US10615026B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2004119717A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US7300598B2 (en) Substrate processing method and apparatus
US11443960B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2009135396A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US20180061631A1 (en) Substrate processing method
TW201843730A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2013172080A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI617367B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
US10699895B2 (en) Substrate processing method
JPH11102882A (ja) 基板洗浄装置
JP4236109B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JPH11145099A (ja) 基板処理装置
JP2018157129A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5031654B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6762824B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR102159929B1 (ko) 기판 처리 방법
JP2007005391A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2009105145A (ja) 基板処理装置
JP3194071B2 (ja) 塗布膜形成方法及びその装置
JP6405259B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法