JP6762824B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板および基板の上方に位置する遮断部を処理する技術に関する。
従来より、基板および該基板の上方に位置する遮断部を回転させつつ、基板の上面と遮断部の下面との間の空間に処理液を供給して、基板を処理する技術が知られている。
この種の装置では、基板の上面に供給された処理液の一部が飛散し、遮断部の下面に付着する場合がある。遮断部の下面に付着した処理液を放置すると、該処理液がパーティクルになって基板を汚染する虞があるので、適宜のタイミングで遮断部の下面に洗浄処理が実行される。
例えば、特許文献１に記載の装置では、遮断部の回転軸近くに設けられた洗浄ノズルから遮断部の下面に向けて洗浄液を吐出することで、遮断部の下面が洗浄される。また、特許文献２に記載の装置では、遮断部の側方に設けられ洗浄ノズルから遮断部の下面に向けて洗浄液を吐出することで、遮断部の下面が洗浄される。
特許第２７０８３４０号公報 特開２００３−４５８３８号公報
しかしながら、これらの装置では遮断部の洗浄を行う期間中に基板に対する処理液の供給を行うことができず、スループットの向上に改善の余地があった。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、スループットを向上することができる技術を提供することを目的としている。
上記課題を解決するため、第１の態様にかかる基板処理方法は、基板および前記基板の上面と対向する下面と前記下面の内周部から中央に向けて斜め上方に伸びたテーパ面とを有する遮断部を、前記上面に直交する回転軸まわりに回転させる回転工程と、回転される前記基板の前記上面に向けて処理液を供給する１以上の第１処理を含む第１供給工程と、回転される前記遮断部の中央から前記テーパ面および前記下面に向けて水平方向にリンス液を供給する１以上の第２処理を含む第２供給工程と、を有し、前記第１供給工程を実行する第１期間と前記第２供給工程を実行する第２期間とが重複する重複期間が存在する。
第２の態様にかかる基板処理方法は、第１の態様にかかる基板処理方法であって、前記１以上の第１処理は、回転される前記基板の前記上面に向けてリンス液を供給するリンス処理を含み、前記重複期間は、前記リンス処理を実行する期間と前記第２期間とが重複する期間である。
第３の態様にかかる基板処理方法は、第２の態様にかかる基板処理方法であって、前記１以上の第１処理は、複数の前記リンス処理を含み、前記重複期間は、前記複数のリンス処理のうち少なくとも最後のリンス処理を実行する期間と前記第２期間とが重複する期間である。
第４の態様にかかる基板処理方法は、第１から第３のいずれか１つの態様にかかる基板処理方法であって、時間的に互いに重複する前記第１処理と前記第２処理とにおいて、前記第１処理の処理途中で前記第２処理が終了する。
第５の態様にかかる基板処理方法は、第１から第４のいずれか１つの態様にかかる基板処理方法であって、時間的に互いに重複する前記第１処理と前記第２処理とにおいて、前記第１処理の方が前記第２処理よりも先に開始する。
第６の態様にかかる基板処理方法は、第５の態様にかかる基板処理方法であって、先に開始された前記第１処理によって前記基板の前記上面が前記処理液で覆われている期間中に、前記第２処理が実行される。
第７の態様にかかる基板処理方法は、第１から第４のいずれか１つの態様にかかる基板処理方法であって、時間的に互いに重複する前記第１処理と前記第２処理とにおいて、前記第１処理の開始と前記第２処理の開始とが同時である。
第８の態様にかかる基板処理方法は、第１から第７のいずれか１つの態様にかかる基板処理方法であって、前記回転工程は、前記第１供給工程および前記第２供給工程の後に実行される処理として、前記第１供給工程および前記第２供給工程の際よりも速く前記基板および前記遮断部を回転する処理を有する。
第９の態様にかかる基板処理方法は、第１から第８のいずれか１つの態様にかかる基板処理方法であって、前記基板の前記上面と前記遮断部の前記下面との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給工程、をさらに有する。
第１０の態様にかかる基板処理方法は、第９の態様にかかる基板処理方法であって、前記ガス供給工程は、少なくとも、前記第２期間の後で且つ前記基板の前記上面が前記処理液で覆われている期間中に、前記空間に前記不活性ガスを供給する。
第１１の態様にかかる基板処理装置は、基板を水平に保持する基板保持部と、前記基板の上面と対向する下面と前記下面の内周部から中央に向けて斜め上方に伸びたテーパ面とを含む遮断部と、前記基板の中心を通り鉛直方向に伸びる回転軸まわりに前記基板および前記遮断部を回転させる回転部と、平面視で前記遮断部の中央に設けられた開口を通じて、回転される前記基板の前記上面に向けて処理液を供給する第１供給部と、前記遮断部の前記開口を通じて、回転される前記遮断部の中央から前記テーパ面および前記下面に向けて水平方向にリンス液を供給する第２供給部と、を有し、前記第１供給部が前記処理液を供給する第１期間と前記第２供給部が前記リンス液を供給する第２期間とが重複する重複期間が存在する。
第１２の態様にかかる基板処理装置は、第１１の態様にかかる基板処理装置であって、前記基板の前記上面と前記遮断部の前記下面との間の空間の側方部分を塞ぐ閉塞部、をさらに含む。
第１３の態様にかかる基板処理装置は、第１１または第１２の態様にかかる基板処理装置であって、前記遮断部の前記開口を通じて、前記基板の前記上面と前記遮断部の前記下面との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給部、をさらに有する。
第１から第１０の態様にかかる基板処理方法および第１１から第１３の態様にかかる基板処理装置のいずれによっても、スループットを向上することができる。
基板処理装置１を示す断面図である。 基板処理装置１を示す断面図である。 下部ノズル１８２およびその近傍を拡大して示す断面図である。 上部ノズル１８１を下から視た下面図である。 気液供給部１８を示す概略的なブロック図である。 基板処理装置１における基板９の処理の流れの一例を示す図である。 ステップＳ３におけるタイミングチャートの一例である。 時刻ｔ３〜ｔ４の期間における第１処理１１２および第２処理１２１の様子を示す断面図である。 第２処理における処理条件と処理結果との関係を示す図である。 変形例にかかる液処理（ステップＳ３）のタイミングチャートである。 変形例にかかる基板処理装置１Ａの断面図である。
以下、実施形態を図面に基づいて説明する。図面では同様な構成および機能を有する部分に同じ符号が付され、重複説明が省略される。また、各図面は模式的に示されたものである。なお、一部の図面には、方向関係を明確にする目的で、Ｚ軸を鉛直方向の軸としＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標軸が適宜付されている。以下の説明で、単に上下と表現する場合、上とは＋Ｚ側を意味し、下とは−Ｚ側を意味する。
＜１．実施形態＞
＜１．１ 基板処理装置１の構成＞
図１および図２は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置１の構成を示す断面図である。基板処理装置１は、半導体基板９（以下、単に「基板９」という。）を１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、基板保持部３１と、基板回転機構３３と、カップ部４と、トッププレート５と、対向部材移動機構６と、上部ノズル１８１を備え、これらの構成はハウジング１１の内部に収容される。なお、図１は、対向部材移動機構６によってトッププレート５が上方に移動された状態の基板処理装置１を示し、図２は、対向部材移動機構６によってトッププレート５が下方に移動された状態の基板処理装置１を示している。
基板保持部３１は、水平状態で基板９を保持する。基板保持部３１は、保持ベース部３１１と、複数のチャック３１２と、複数の係合部３１３と、ベース支持部３１４と、下部突出部３１５と、下部ノズル１８２とを備える。基板９は、保持ベース部３１１の上方に配置される。保持ベース部３１１およびベース支持部３１４はそれぞれ、上下方向を向く中心軸Ｊ１を中心とする略円板状の部材である。保持ベース部３１１は、ベース支持部３１４の上方に配置され、ベース支持部３１４により下方から支持される。保持ベース部３１１の外径は、ベース支持部３１４の外径よりも大きい。保持ベース部３１１は、中心軸Ｊ１を中心とする周方向の全周に亘って、ベース支持部３１４よりも径方向外方に広がる。保持ベース部３１１は、例えば、比較的高い耐薬品性を有するフッ素樹脂により形成される。ベース支持部３１４は、例えば、比較的軽量かつ高強度の塩化ビニルにより形成される。
下部ノズル１８２は、略円筒状のノズルであり、保持ベース部３１１の中心部に取り付けられている。
図３は、下部ノズル１８２およびその近傍を拡大して示す断面図である。下部ノズル１８２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状のノズル本体８２１と、ノズル本体８２１の上端部から径方向外方へと拡がる略円環板状の庇部８２２とを備える。ノズル本体８２１は、保持ベース部３１１の中央部に形成された略円柱状の貫通孔に挿入される。ノズル本体８２１の側面と該貫通孔の内周面との間には不活性ガスを通過させる下部環状流路２１８が形成される。
ノズル本体８２１の上端面の中央部には、下面中央吐出口８２３が設けられる。下面中央吐出口８２３は、保持ベース部３１１の中央部の中心軸Ｊ１上に設けられる。庇部８２２は、保持ベース部３１１の上面３１１ａから上方に離間し、上面３１１ａに沿って径方向外方へと拡がる。庇部８２２の下面は、上面３１１ａに略平行である。
図１に戻って、下部突出部３１５は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環状の部材であり、ベース支持部３１４の側面から径方向外方に広がる。下部突出部３１５は、保持ベース部３１１よりも下方において、保持ベース部３１１から離間して設けられる。下部突出部３１５の外径は、保持ベース部３１１の外径よりも大きく、かつ、トッププレート５の外径以下である。図１に示す例では、下部突出部３１５は、ベース支持部３１４の下端部から径方向外方に広がる。下部突出部３１５の上面および下面はそれぞれ、径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面である。
複数のチャック３１２は、中心軸Ｊ１を中心として略等角度間隔にて、保持ベース部３１１の上面の外周部に周方向に配置される。基板保持部３１では、複数のチャック３１２により、基板９の外縁部が支持される。各チャック３１２を駆動する構造は、ベース支持部３１４の内部に設けられる。複数の係合部３１３は、中心軸Ｊ１を中心として略等角度間隔にて、保持ベース部３１１の上面の外周部に周方向に配置される。複数の係合部３１３は、複数のチャック３１２よりも径方向外側に配置される。
基板回転機構３３は、回転機構収容部３４の内部に収容される。基板回転機構３３および回転機構収容部３４は、基板保持部３１の下方に配置される。基板回転機構３３は、中心軸Ｊ１を中心として基板９を基板保持部３１と共に回転させる。
回転機構収容部３４は、基板回転機構３３の上方を覆う略円環板状の上面３４１と、基板回転機構３３の側方を覆う略円筒状の側面３４２とを備える。回転機構収容部３４の上面３４１の中央部には、基板回転機構３３の回転軸３３１が挿入される開口が設けられる。回転軸３３１は、ベース支持部３１４の下面に接続される。回転機構収容部３４の上面３４１は、回転軸３３１から径方向に離間して径方向外方へと広がる。回転機構収容部３４の上面３４１は、間隙を介してベース支持部３１４の下面と上下方向に対向する。以下の説明では、当該間隙、すなわち、回転機構収容部３４の上面３４１とベース支持部３１４の下面との間の空間を、「保持部下方間隙３１０」という。
カップ部４は、中心軸Ｊ１を中心とする環状の部材であり、基板９および基板保持部３１の径方向外側に配置される。カップ部４は、基板９および基板保持部３１の周囲の全周に亘って配置され、基板９から周囲に向かって飛散する処理液等を受ける。カップ部４は、第１ガード４１と、第２ガード４２と、ガード移動機構４３と、排出ポート４４とを備える。
第１ガード４１は、第１ガード側壁部４１１と、第１ガード天蓋部４１２とを有する。第１ガード側壁部４１１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。第１ガード天蓋部４１２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状であり、第１ガード側壁部４１１の上端部から径方向内方に広がる。第２ガード４２は、第２ガード側壁部４２１と、第２ガード天蓋部４２２とを有する。第２ガード側壁部４２１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状であり、第１ガード側壁部４１１よりも径方向外側に位置する。第２ガード天蓋部４２２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状であり、第１ガード天蓋部４１２よりも上方にて第２ガード側壁部４２１の上端部から径方向内方に広がる。
第１ガード天蓋部４１２の内径および第２ガード天蓋部４２２の内径は、基板保持部３１の保持ベース部３１１の外径およびトッププレート５の外径よりも僅かに大きい。第１ガード天蓋部４１２の上面および下面はそれぞれ、径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面である。第２ガード天蓋部４２２の上面および下面もそれぞれ、径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面である。
ガード移動機構４３は、第１ガード４１および第２ガード４２を上下方向に移動することにより、基板９からの処理液等を受けるガードを第１ガード４１と第２ガード４２との間で切り替える。カップ部４の第１ガード４１および第２ガード４２にて受けられた処理液等は、排出ポート４４を介してハウジング１１の外部へと排出される。また、第１ガード４１内および第２ガード４２内のガスも排出ポート４４を介してハウジング１１の外部へと排出される。
トッププレート５は、平面視において略円形の部材である。トッププレート５は、基板９の上面９１に対向する対向部材であり、基板９の上方を遮蔽する遮蔽板である。トッププレート５の外径は、基板９の外径、および、保持ベース部３１１の外径よりも大きい。トッププレート５は、対向部材本体５１と、被保持部５２と、複数の係合部５３とを備える。対向部材本体５１は、対向部材天蓋部５１１と、対向部材側壁部５１２とを備える。対向部材天蓋部５１１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状の部材であり、対向部材天蓋部５１１の下面５１３が基板９の上面９１に対向する。対向部材天蓋部５１１の中央部には、対向部材開口５４が設けられる。対向部材開口５４は、例えば、平面視において略円形である。対向部材開口５４の直径は、基板９の直径に比べて十分に小さい。また、下面５１３の内周部から中央の開口５４に向けて斜め上方に伸びたテーパ面１５４を有する。対向部材側壁部５１２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の部材であり、対向部材天蓋部５１１の外周部から下方に広がる。図２に示す状態では、トッププレート５が基板９と一体的に中心軸Ｊ１まわりに回転されて、トッププレート５の下面５１３と基板９の上面９１との間の空間がチャンバ内の他の空間とは遮断される。このため、この状態では、トッププレート５は遮断部として機能する。
複数の係合部５３は、中心軸Ｊ１を中心として略等角度間隔にて、対向部材天蓋部５１１の下面５１３の外周部に周方向に配置される。複数の係合部５３は、対向部材側壁部５１２の径方向内側に配置される。
被保持部５２は、対向部材本体５１の上面に接続される。被保持部５２は、対向部材筒部５２１と、対向部材フランジ部５２２とを備える。対向部材筒部５２１は、対向部材本体５１の対向部材開口５４の周囲から上方に突出する略筒状の部位である。対向部材筒部５２１は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。対向部材フランジ部５２２は、対向部材筒部５２１の上端部から径方向外方に環状に広がる。対向部材フランジ部５２２は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状である。
対向部材移動機構６は、対向部材保持部６１と、対向部材昇降機構６２とを備える。対向部材保持部６１は、トッププレート５の被保持部５２を保持する。対向部材保持部６１は、保持部本体６１１と、本体支持部６１２と、フランジ支持部６１３と、支持部接続部６１４とを備える。保持部本体６１１は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円板状である。保持部本体６１１は、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２の上方を覆う。本体支持部６１２は、略水平に延びる棒状のアームである。本体支持部６１２の一方の端部は保持部本体６１１に接続され、他方の端部は対向部材昇降機構６２に接続される。
保持部本体６１１の中央部からは上部ノズル１８１が下方に突出する。上部ノズル１８１は、対向部材筒部５２１に非接触状態で挿入される。以下の説明では、上部ノズル１８１と対向部材筒部５２１との間の空間を「ノズル間隙５６」と呼ぶ。
フランジ支持部６１３は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状である。フランジ支持部６１３は、対向部材フランジ部５２２の下方に位置する。フランジ支持部６１３の内径は、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２の外径よりも小さい。フランジ支持部６１３の外径は、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２の外径よりも大きい。支持部接続部６１４は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。支持部接続部６１４は、フランジ支持部６１３と保持部本体６１１とを対向部材フランジ部５２２の周囲にて接続する。対向部材保持部６１では、保持部本体６１１は対向部材フランジ部５２２の上面と上下方向に対向する保持部上部であり、フランジ支持部６１３は対向部材フランジ部５２２の下面と上下方向に対向する保持部下部である。
図１に示す位置にトッププレート５が位置する状態では、フランジ支持部６１３は、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２の外周部に下側から接して支持する。換言すれば、対向部材フランジ部５２２が、対向部材移動機構６の対向部材保持部６１により保持される。これにより、トッププレート５が、基板９および基板保持部３１の上方にて、対向部材保持部６１により吊り下げられる。以下の説明では、図１に示すトッププレート５の上下方向の位置を「第１の位置」という。第１の位置とは、トッププレート５が対向部材移動機構６により保持されて基板保持部３１から上方に離間した位置である。
フランジ支持部６１３には、トッププレート５の位置ずれ（すなわち、トッププレート５の移動および回転）を制限する移動制限部６１６が設けられる。図１に示す例では、移動制限部６１６は、フランジ支持部６１３の上面から上方に突出する突起部である。移動制限部６１６が、対向部材フランジ部５２２に設けられた孔部に挿入されることにより、トッププレート５の位置ずれが制限される。
対向部材昇降機構６２は、トッププレート５を対向部材保持部６１と共に上下方向に移動させる。図２は、トッププレート５が図１に示す第１の位置から下降した状態を示す断面図である。以下の説明では、図２に示すトッププレート５の上下方向の位置を「第２の位置」という。すなわち、対向部材昇降機構６２は、トッププレート５を第１の位置と第２の位置との間で基板保持部３１に対して相対的に上下方向に移動する。第２の位置は、第１の位置よりも下方の位置である。換言すれば、第２の位置とは、トッププレート５が第１の位置よりも上下方向において基板保持部３１に近接する位置である。
トッププレート５が第２の位置に位置する状態では、トッププレート５の複数の係合部５３がそれぞれ、基板保持部３１の複数の係合部３１３と係合する。複数の係合部５３は、複数の係合部３１３により下方から支持される。換言すれば、複数の係合部３１３はトッププレート５を支持する対向部材支持部である。例えば、係合部３１３は、上下方向に略平行なピンであり、係合部３１３の上端部が、係合部５３の下端部に上向きに形成された凹部に嵌合する。また、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２は、対向部材保持部６１のフランジ支持部６１３から上方に離間する。これにより、トッププレート５は、第２の位置にて、基板保持部３１により保持されて対向部材移動機構６から離間する（すなわち、対向部材移動機構６と非接触状態となる。）。
トッププレート５が基板保持部３１により保持された状態では、トッププレート５の対向部材側壁部５１２の下端が、基板保持部３１の保持ベース部３１１の上面よりも下方、または、保持ベース部３１１の上面と上下方向に関して同じ位置に位置する。トッププレート５が第２の位置に位置する状態で基板回転機構３３が駆動されると、トッププレート５は、基板９および基板保持部３１と共に回転する。このように、トッププレート５が第２の位置に位置する状態では、基板回転機構３３が、中心軸Ｊ１まわりに基板９およびトッププレート５を回転させる回転部として機能する。
図４は、上部ノズル１８１を下から視た下面図である。図５は、基板処理装置１が備える気液供給部１８を示す概略的なブロック図である。図４および図５に示すように、気液供給部１８の各吐出口８１２ａ〜８１６ａは上部ノズル１８１の下面に開口し、気液供給部１８の吐出口８１４ｂは上部ノズル１８１の下方の側面に開口している。
気液供給部１８は、上述の上部ノズル１８１および下部ノズル１８２を備える。また、気液供給部１８は、上部ノズル１８１、ノズル間隙５６、下部ノズル１８２および下部環状流路２１８に向けて気液を供給する部分として、薬液供給部８１２、８１３と、純水供給部８１４と、ＩＰＡ供給部８１５と、ガス供給部８１６とを備える。なお、図５では、気液供給部１８の各構成のうち、薬液供給部８１２、８１３、純水供給部８１４、およびガス供給部８１６については２つずつ示し、ＩＰＡ供給部８１５については１つ示している。
薬液供給部８１２、８１３は、弁を介して上部ノズル１８１に接続される。薬液供給部８１２から供給された薬液（例えば、ＤＨＦ（ｄｉｌｕｔｅｄ ｈｙｄｒｏｆｌｕｏｒｉｃ ａｃｉｄ：希フッ酸））は、上部ノズル１８１内を貫く流路を通り、上部ノズル１８１の下面に設けられた吐出口８１２ａから基板９の上面９１に向けて吐出される。また、薬液供給部８１３から供給された薬液（例えば、過酸化水素水およびアンモニアを混合したＳＣ１液）は、上部ノズル１８１内を貫く流路を通り、上部ノズル１８１の下面に設けられた吐出口８１３ａから基板９の上面９１に向けて吐出される。
また、純水供給部８１４は、弁を介して上部ノズル１８１に接続される。純水供給部８１４から上部ノズル１８１の一方の流路に供給された純水（ＤＩＷ：ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ）は、上部ノズル１８１内を貫く該流路を通り、上部ノズル１８１の下面に設けられた吐出口８１４ａから基板９の上面９１に向けて吐出される。また、純水供給部８１４から上部ノズル１８１の他方の流路に供給された純水は、上部ノズル１８１内を貫く該流路を通り、上部ノズル１８１の下方の側面に設けられた吐出口８１４ｂから水平方向に向けて吐出される。
薬液供給部８１２、８１３および純水供給部８１４は、各弁を介して下部ノズル１８２にも接続される。各弁を選択的に開閉することにより、薬液供給部８１２、８１３および純水供給部８１４から下部ノズル１８２に向けて薬液および純水を選択的に供給することができる。薬液供給部８１２、８１３および純水供給部８１４から下部ノズル１８２に供給された薬液および純水は、下部ノズル１８２内を貫く流路を通り、下部ノズル１８２の上面に設けられた下面中央吐出口８２３から基板９の下面９２に向けて吐出される。
ＩＰＡ供給部８１５は、弁を介して上部ノズル１８１に接続される。ＩＰＡ供給部８１５から供給されたＩＰＡ（isopropyl alcohol：イソプロピルアルコール）は、上部ノズル１８１内を貫く流路を通り、上部ノズル１８１の下面に設けられた吐出口８１５ａから基板９の上面９１に向けて吐出される。
ガス供給部８１６は、弁を介して上部ノズル１８１およびノズル間隙５６に接続される。ガス供給部８１６から供給された不活性ガス（例えば、窒素ガス）は、上部ノズル１８１内を貫く流路およびノズル間隙５６を通り、上部ノズル１８１の下面に設けられた吐出口８１６ａおよびノズル間隙５６からチャンバの内部に向けて吐出される。
また、ガス供給部８１６は、弁を介して下部環状流路２１８にも接続される。ガス供給部８１６から下部環状流路２１８に供給された不活性ガスは、下部環状流路２１８内を貫く流路を通り、環状吐出口８３１から保持ベース部３１１の上面３１６の中央部に向けて吐出される。
気液供給部１８の各構成は、制御部１０により制御される。同様に、基板処理装置１の他の各部（基板回転機構３３、および、ガード移動機構４３等）も制御部１０により制御される。
本明細書では、薬液、純水およびＩＰＡをまとめて処理液と呼ぶ場合がある。また、パーティクルや薬液の洗い流しを目的として用いられる液（典型的には、純水）をリンス液と呼ぶ場合がある。また、平面視でトッププレート５の中央に設けられた開口５４を通じて回転される基板９の上面９１に向けて処理液を供給する部分を第１供給部と呼び、トッププレート５の開口５４を通じて回転されるトッププレート５（対向部材天蓋部５１１）の下面の下面５１３に向けて純水（リンス液）を供給する部分を第２供給部と呼ぶ場合がある。
＜１．２ 基板処理装置１の処理例＞
図６は、基板処理装置１における基板９の処理の流れの一例を示す図である。図１、図２および図６を用いて基板処理装置１における基板処理の流れを説明する。
基板処理装置１では、トッププレート５が第１の位置（図１）にある状態にて、基板９が外部の搬送機構により保持ベース部３１１のチャック３１２上に載置される。その結果、該基板９がチャック３１２により下側から支持される（ステップＳ１）。
基板９が搬入されると、対向部材昇降機構６２はトッププレート５を第１の位置から第２の位置まで下降させる。これにより、保持ベース部３１１の上面３１１ａ、対向部材天蓋部５１１の下面５１３、および対向部材側壁部５１２の内周面により囲まれた半密閉空間（以下、半密閉空間１００と呼ぶ。）が形成される。このように、対向部材側壁部５１２は、基板９の上面９１と対向部材天蓋部５１１の下面５１３との間の空間の側方部分を塞ぐ閉塞部として機能する。
続いて、基板回転機構３３により基板９の回転が開始される（回転工程）。さらに、ガス供給部８１６が、吐出口８１６ａおよびノズル間隙５６から基板９の上面９１に不活性ガス（ここでは、窒素ガス）を供給する。ガス供給部８１６は、同時に、環状吐出口８３１から基板９の下面に向けて不活性ガスを供給する（ガス供給工程）。これにより、所定時間経過後に、半密閉空間１００が、不活性ガスが充填された雰囲気（すなわち、不活性ガスが充填される前に比べて酸素濃度および湿度が低い雰囲気）となる（ステップＳ２）。
不活性ガスが充填された雰囲気が形成されると、各種の液処理が実行される（ステップＳ３）。図７は、ステップＳ３におけるタイミングチャートの一例である。
ここでは、回転される基板９の上面９１に向けて処理液を供給することを第１処理と呼び、回転されるトッププレート５（対向部材天蓋部５１１）の下面５１３に向けてリンス液を供給することを第２処理と呼び、回転される基板９の下面９２に向けて処理液を供給することを第３処理と呼ぶ。
まず、時刻ｔ１〜ｔ２の期間において、第１処理１１１が実行される。第１処理１１１では、第１ガード４１が基板９から飛散する処理液を受け止めることができる高さに位置している。第１処理１１１では、薬液供給部８１２が、上部ノズル１８１の下面に設けられた吐出口８１２ａから回転される基板９の上面９１に、薬液（例えば、ＤＨＦ）を連続的に供給する。上面９１に着液した薬液は該基板９の回転により基板９の外周部へと拡がり、上面９１の全体が薬液により被覆される。その結果、上面９１の全体で第１処理１１１（ＤＨＦを用いた薬液処理）が進行する。時刻ｔ１〜ｔ２の期間は、例えば３０秒間である。また、この期間中の基板９およびトッププレート５の回転速度は、例えば８００ｒｐｍである。
時刻ｔ２に薬液供給部８１２による薬液の供給が停止された後、時刻ｔ２〜ｔ３の期間において、基板９およびトッププレート５の回転速度が速くなるよう制御される。これにより、基板９の上面９１に供給されていた薬液（例えば、ＤＨＦ）は、基板９の外周縁から径方向外側へと飛散する。基板９から飛散する薬液は、第１ガード４１にて受けられ、排出ポート４４を介して廃棄される。時刻ｔ２〜ｔ３の期間は、例えば３秒間である。また、この期間中の基板９およびトッププレート５の回転速度は、例えば１２００ｒｐｍとなる。
次に、時刻ｔ３〜ｔ５の期間において、第１処理１１２が実行される。第１処理１１２では、純水供給部８１４が、上部ノズル１８１の下面に設けられた吐出口８１４ａから回転される基板９の上面９１に、純水（すなわち、リンス液）を連続的に供給する。上面９１に着液した純水は該基板９の回転により基板９の外周部へと拡がり、上面９１上に残存していた薬液（例えば、ＤＨＦ）とともに基板９の外周縁から径方向外側へと飛散する。基板９から飛散する薬液および純水は、第１ガード４１の内壁にて受けられ、排出ポート４４を介して廃棄される。これにより、基板９の上面９１のリンス処理とともに、第１ガード４１の洗浄も実質的に行われる。時刻ｔ３〜ｔ５の期間は、例えば３０秒間である。また、この期間中の基板９およびトッププレート５の回転速度は、例えば１２００ｒｐｍとなる。
また、時刻ｔ３〜ｔ４の期間において、第２処理１２１が実行される。第２処理１２１では、純水供給部８１４が、上部ノズル１８１の側面に設けられた吐出口８１４ｂから回転されるトッププレート５（対向部材天蓋部５１１）の下面５１３およびテーパ面１５４に向けて、純水（すなわち、リンス液）を連続的に供給する。下面５１３およびテーパ面１５４に着液した純水は該トッププレート５の回転によりトッププレート５の外周部へと拡がり、下面５１３およびテーパ面１５４に付着していた薬液（例えば、第１処理１１１で意図せずに付着したＤＨＦ）とともにトッププレート５の外周縁から径方向外側へと飛散する。トッププレート５から飛散する薬液および純水は、第１ガード４１にて受けられ、排出ポート４４を介して廃棄される。これにより、トッププレート５の下面５１３およびテーパ面１５４のリンス処理とともに、第１ガード４１の内壁の洗浄も実質的に行われる。時刻ｔ３〜ｔ４の期間は、例えば４秒間である。また、吐出口８１４ｂから吐出される純水の流量は、例えば、５００［ｍＬ／ｍｉｎ］である。図８は、時刻ｔ３〜ｔ４の期間における第１処理１１２および第２処理１２１の様子を示す断面図である。
また、時刻ｔ３〜ｔ５の期間において、第３処理１３１が実行される。第３処理１３１では、純水供給部８１４が、下部ノズル１８２の上面に設けられた下面中央吐出口８２３から回転される基板９の下面９２に、純水（すなわち、リンス液）を連続的に供給する。下面９２に着液した純水は該基板９の回転により基板９の外周部へと拡がり、基板９の外周縁から径方向外側へと飛散する。基板９から飛散する薬液および純水は、第１ガード４１の内壁にて受けられ、排出ポート４４を介して廃棄される。これにより、基板９の下面９２のリンス処理とともに、第１ガード４１内の洗浄も実質的に行われる。
時刻ｔ５に純水供給部８１４による純水の供給が停止された後、時刻ｔ５〜ｔ６の期間において、基板９およびトッププレート５がそれまでと同じ回転速度（例えば、１２００ｒｐｍ）で回転するよう制御される。これにより、トッププレート５（対向部材天蓋部５１１）の下面５１３、基板９の上面９１、基板９の下面９２、保持ベース部３１１の上面３１６等に供給されていた純水は、外周縁から径方向外側へと飛散する。飛散した純水は、第１ガード４１の内壁にて受けられ排出ポート４４を介して廃棄される。時刻ｔ５〜ｔ６の期間は、例えば３秒間である。
次に、時刻ｔ６〜ｔ７の期間において、第１処理１１３が実行される。第１処理１１３では第１ガード４１が下降し、第２ガード４２が回転する基板９などから飛散する処理液を受け止めることができるようになる。第１処理１１３では、ＩＰＡ供給部８１５が、上部ノズル１８１の下面に設けられた吐出口８１５ａから回転される基板９の上面９１に、ＩＰＡを連続的に供給する。上面９１に着液したＩＰＡは該基板９の回転により基板９の外周部へと拡がり、上面９１の全体がＩＰＡにより被覆される。その結果、上面９１の全体で純水がＩＰＡに置換される第１処理１１３が進行する。時刻ｔ６〜ｔ７の期間は、例えば３０秒間である。また、この期間中の基板９およびトッププレート５の回転速度は、例えば８００ｒｐｍである。
また、時刻ｔ６〜ｔ７の期間は、第２処理１２１が行われた期間（時刻ｔ３〜ｔ４の期間）の後で且つ基板９の上面９１が処理液（具体的には、ＩＰＡ液）の液膜で覆われている期間である。該期間においてもガス供給工程が継続されて、半密閉空間１００において、不活性ガスが充填された雰囲気（すなわち、不活性ガスが充填される前に比べて酸素濃度および湿度が低い雰囲気）が形成される。このように、基板９の上面９１に処理液の液膜が存在する状態でトッププレート５（対向部材天蓋部５１１）の下面５１３の乾燥が促されるので、仮に乾燥の過程で下面５１３に付着していた異物（例えば、パーティクル等の基板の汚染源）が落下したとしても、該異物は基板９の上面９１の液膜に受け止められ、上面９１には付着し難い。
時刻ｔ７にＩＰＡ供給部８１５よるＩＰＡの供給が停止され、各種の液処理（ステップＳ３）が終了すると、次に、乾燥処理が実行される（ステップＳ４）。乾燥処理の回転工程では、第１処理１１１〜１１３および第２処理１２１の際よりも速く基板９およびトッププレート５が回転される。この期間中の基板９およびトッププレート５の回転速度は、例えば２０００ｒｐｍである。これにより、基板９およびトッププレート５に付着した各種の液体は、外周縁から径方向外側へと飛散し、第２ガード４２の内壁にて受けられ、排出ポート４４を介して廃棄される。
乾燥処理が終了すると、対向部材昇降機構６２によりトッププレート５が上昇されて図１に示す状態となり、基板９が外部の搬送機構により基板保持部３１から搬出される（ステップＳ５）。本実施形態では、予め第２処理１２１および乾燥処理（ステップＳ４）が実行されているため、搬出処理（ステップＳ５）の際にトッププレート５（対向部材天蓋部５１１）の下面５１３に付着物はほとんど残存せず、トッププレート５の上昇時に付着物が基板９上に落下することが防止される。
＜１．３ 効果＞
以下、本実施形態の基板処理装置１および処理例の効果について説明する。ここでは、第１処理１１１〜１１３を含む工程を第１供給工程と呼び、第２処理１２１を含む工程を第２供給工程と呼び、第３処理１３１を含む工程を第３供給工程と呼ぶ。さらに、第１供給工程を実行する期間を第１期間と呼び、第２供給工程を実行する期間を第２期間と呼び、第３供給工程を実行する期間を第３期間と呼ぶ。
本実施形態では、時刻ｔ３〜ｔ４の期間が、第１期間（時刻ｔ１〜ｔ２、ｔ３〜ｔ５、ｔ６〜ｔ７）と第２期間（時刻ｔ３〜ｔ４）とが重複する重複期間である。このように、本実施形態の態様では、第１処理１１２および第２処理１２１を並行して行うため、第１期間と第２期間とを別個に設ける他の態様に比べて、スループットを向上することができる。また、本実施形態では、時刻ｔ３〜ｔ４の期間が、第１期間（時刻ｔ１〜ｔ２、ｔ３〜ｔ５、ｔ６〜ｔ７）と第３期間（時刻ｔ３〜ｔ４）とが重複する重複期間である。このように、本実施形態の態様では、第１処理１１２および第３処理１３１を並行して行うため、第１期間と第３期間とを別個に設ける他の態様に比べて、スループットを向上することができる。
また、重複期間においては、第２処理１２１により下面５１３に付着していた異物（例えば、パーティクル等の基板の汚染源）が落下したとしても、該異物は基板９の上面９１を流れる処理液に押し流され、上面９１に付着し難い。
また、第１処理１１１〜１１３には回転される基板９の上面９１に向けてリンス液を供給する第１処理１１２（リンス処理）が含まれており、重複期間は、該リンス処理を実行する期間と第２期間とが重複する期間である。すなわち、重複期間においては、基板９の上面９１およびトッププレート５（対向部材天蓋部５１１）の下面５１３の双方に純水（リンス液）が供給される。このため、第２処理１２１により下面５１３に付着していた異物（例えば、パーティクル等の基板の汚染源）や純水が落下し、基板９上の処理液（具体的には純水）に混入したとしても、基板９上の処理液が薬液である場合に比べて基板処理への悪影響が小さい。
また、時間的に互いに重複する第１処理１１２と第２処理１２１とにおいて、第１処理１１２の処理途中（具体的には、時刻ｔ４）に第２処理１２１が終了する。このため、第２処理１２１により下面５１３に付着していた異物が落下したとしても、重複期間の後も継続される第１処理１１２によって、該異物は基板９の上面９１を流れる純水に押し流されやすく、上面９１に特に付着し難い。
特に、時間的に互いに重複する第１処理１１２と第２処理１２１とにおいて、第１処理１１２の開始と第２処理１２１の開始が時刻ｔ３で同時である。このため、本実施形態の態様では、第１処理１１２よりも後に第２処理１２１を開始する態様に比べて、重複期間の後も継続される第１処理１１２の期間を長く確保することができる。その結果、第２処理１２１により下面５１３に付着していた異物が落下したとしても、重複期間の後も継続される長期間の第１処理１１２によって、該異物は基板９の上面９１を流れる純水に押し流されやすく、上面９１に特に付着し難い。
また、本実施形態では、第２供給部が、トッププレート５の開口よりも下方で水平方向に開口する吐出口８１４ｂを有し、該吐出口８１４ｂから回転されるトッププレート５（対向部材天蓋部５１１）の下面５１３に向けて純水を供給する（図８）。例えば、本実施形態とは別の一例として、斜め上方向に開口する吐出口を有する第２供給部では、該吐出口から吐出される純水が上向きの成分を持つことに起因して、純水がトッププレート５のテーパ面１５４に衝突して跳ね返って上部ノズル１８１の周囲に付着する事態や、純水がトッププレート５（対向部材天蓋部５１１）の下面５１３に衝突して跳ね返って基板９の上面９１に付着する事態が生じうる。また別の例として、斜め下方向に開口する吐出口を有する第２供給部では、該吐出口から吐出される純水が下向きの成分を持つことに起因して、純水が下面５１３に適切に供給されない事態が生じうる。これに対して、本実施形態では、第２供給部が水平方向に開口する吐出口８１４ｂを有するので、吐出口８１４ｂから水平に吐出された純水が適切に下面５１３に供給されやすく、下面５１３の下面に付着物を適切に除去することができる。
特に、トッププレート５は下面５１３の内周部から中央に向けて斜め上方に伸びたテーパ面１５４を含み、第２供給部の吐出口８１４ｂはテーパ面１５４に対向する。そして、吐出口８１４ｂから水平に吐出された純水は、まずテーパ面１５４に着液し、テーパ面１５４に沿って斜め下方に進行して下面５１３に導かれる。このように本実施形態では、トッププレート５がテーパ面１５４を有さない他の態様に比べて、トッププレート５（対向部材天蓋部５１１）の下面５１３の付着物を適切に除去しやすい。
図９は、第２処理における処理条件と処理結果との関係を示す図である。ここで、純水の流量とは、吐出口８１４ｂから吐出される純水の流量を意味する。回転数とは、基板９およびトッププレート５の回転数を意味する。吐出時間とは、吐出口８１４ｂから純水が吐出される時間（すなわち、時刻ｔ３〜ｔ４の時間）を意味する。ＴＳ−Ｎ２とは、ノズル間隙５６から吐出する不活性ガスの流量を意味する。ＢＢ−Ｎ２とは、吐出口８１６ａから吐出する不活性ガスの流量を意味する。ＢＳ−Ｎ２とは、環状吐出口８３１から吐出される不活性ガスの流量を意味する。また、結果の欄において、ＯＫとは、予めトッププレート５（対向部材天蓋部５１１）の下面５１３の複数箇所（例えば、中央側から外周側にかけての４箇所）に塗布しておいた処理液が、第２処理によって除去されたことを意味する。結果の欄において、ＮＧとは、上記複数箇所のうち少なくとも１ヵ所（例えば、外周側の１箇所）に塗布しておいた処理液が、第２処理によっても除去されなかったことを意味する。ＯＫかＮＧかの判断は、例えば、第２処理後に上記複数箇所にペーハー紙を接触させて、該ペーハー紙の色の変化を基準に決定される。
図９に示すように、基板処理装置１では、純水の流量が３００［ｍＬ／ｍｉｎ］の場合、吐出時間が３秒以上あれば、第２処理によって下面５１３が適切に洗浄される。また、純水の流量が４００［ｍＬ／ｍｉｎ］や５００［ｍＬ／ｍｉｎ］の場合、吐出時間が２秒以上あれば、第２処理によって下面５１３が適切に洗浄される。本実施形態では、流量５００［ｍＬ／ｍｉｎ］で４秒間の第２処理１２１が実行されるので、下面５１３が適切に洗浄される。
＜２ 変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。
上記実施形態では、３つの第１処理１１１〜１１３と、１つの第２処理１２１と、１つの第３処理１３１が実行される態様について説明したが、これに限られるものではない。１以上の第１処理および１以上の第２処理が実行されてこれらの重複期間が設定されていれば、本発明は実施可能である。また、１以上の第３処理が実行されてもよいし、該第３処理は実行されなくても構わない。また、複数の基板を連続して１枚ずつ処理する場合において、このような重複期間は各基板の処理について設定されてもよいし、何枚かに１枚の基板の処理について設定されてもよい。
図１０は、変形例にかかる液処理（ステップＳ３）のタイミングチャートである。この液処理では、基板９の上面９１に対して、第１処理１１１Ａ〜１１５Ａが実行される。このうち、第１処理１１１Ａは、上述した第１処理１１１と同様、上面９１に薬液（例えば、ＤＨＦ）を供給する処理である。また、第１処理１１２Ａは、上述した第１処理１１２と同様、上面９１に純水を供給する処理である。また、第１処理１１５Ａは、上述した第１処理１１３と同様、上面９１にＩＰＡを供給する処理である。したがって、この変形例にかかる処理例が上記実施形態に係る処理例と異なるのは、第１処理１１２Ａと第１処理１１５Ａとの間に、第１処理１１３Ａ、１１４Ａが実行される点である。なお、本変形例では、個別に昇降可能な４枚のガード４１Ａ、４２Ａ、４３Ａ、および４４Ａを有する基板処理装置１Ａ（図１１）が使用される。
ここで、第１処理１１３Ａでは、薬液供給部８１３が、上部ノズル１８１の下面に設けられた吐出口８１３ａから回転される基板９の上面９１に、薬液（例えば、ＳＣ１液）を連続的に供給する。上面９１に着液した薬液は該基板９の回転により基板９の外周部へと拡がり、上面９１の全体が薬液により被覆される。その結果、上面９１の全体で第１処理１１１Ａ（ＳＣ１液を用いた薬液処理）が進行する。時刻ｔ１６〜ｔ１７の期間は、例えば３０秒間である。また、この期間中の基板９およびトッププレート５の回転速度は、例えば８００ｒｐｍである。基板９から飛散する薬液は第２ガード４２Ａの内壁に受けられ、排出ポート４４から廃棄される。
次に、時刻ｔ１８〜ｔ２０の期間において、第１処理１１４Ａが実行される。第１処理１１４Ａでは、第１処理１１２と同様に、純水供給部８１４が、上部ノズル１８１の下面に設けられた吐出口８１４ａから回転される基板９の上面９１に、純水（すなわち、リンス液）を連続的に供給する。上面９１に着液した純水は該基板９の回転により基板９の外周部へと拡がり、上面９１上に残存していた薬液（例えば、ＳＣ１液）とともに基板９の外周縁から径方向外側へと飛散する。基板９から飛散する薬液および純水は、第１ガード４１Ａの内壁にて受けられ、排出ポート４４から廃棄される。これにより、基板９の上面９１のリンス処理とともに、第１ガード４１Ａの内壁の洗浄も実質的に行われる。時刻ｔ１８〜ｔ２０の期間は、例えば３０秒間である。また、この期間中の基板９およびトッププレート５の回転速度は、例えば１２００ｒｐｍとなる。
また、この変形例では、時刻ｔ１３〜ｔ１４の期間に上述した第２処理１２１と同様の第２処理１２１Ａが実行されて、時刻ｔ１８〜ｔ１９の期間に上述した第２処理１２１と同様の第２処理１２２Ａが実行される。すなわち、該変形例では、時刻ｔ１３〜ｔ１４および時刻ｔ１８〜ｔ１９の両方の期間（重複期間）で第１期間と第２期間とが重複し、スループットに悪影響を与えることなく、トッププレート５（対向部材天蓋部５１１）の下面５１３を洗浄することができる。
本変形例のように第１供給工程が基板９の上面９１にリンス液を供給する複数のリンス処理を含む場合、該複数のリンス処理のうち少なくとも一方のリンス処理を実行する期間と第２期間とが重複すればよい。特に、最後のリンス処理を実行する期間（図１０の例では、時刻ｔ１８〜ｔ２０の期間）と第２期間とが重複する態様では、該基板９に対する液処理が完了する際にトッププレート５（対向部材天蓋部５１１）の下面５１３に異物が付着している可能性が低減され、該基板９を搬出する際や次の基板９を搬入する際にトッププレート５（対向部材天蓋部５１１）の下面５１３から基板９の上面９１に異物が落下することを抑制できる。
また、上記実施形態では、基板９の上面９１に純水を供給する第１処理１１２とトッププレート５の下面５１３に純水を供給する第２処理１２１とが時間的に重複する態様について説明したが、これに限られるものではない。例えば、基板９の上面９１に薬液を供給する第１処理１１１、１１３とトッププレート５の下面５１３に純水を供給する第２処理１２１とが時間的に重複する態様でも構わない。
また、上記実施形態では、時間的に互いに重複する第１処理１１２と第２処理１２１とが時刻ｔ３において同時に開始する態様について説明したが、これに限られるものではない。例えば、第１処理１１２の方が第２処理１２１より先に開始されてもよいし、第２処理１２１の方が第１処理１１２より先に開始されてもよい。第１処理１１２の方が第２処理１２１より先に開始される場合、先に開始された第１処理１１２によって基板９の上面９１が処理液で覆われている期間中に第２処理１２１が実行されることで、第２処理１２１によって下面５１３から落下する異物等が直接的に基板９の上面９１に付着する可能性が低減される。
上記実施形態では、リンス液として純水を利用する態様について説明したが、リンス液として純水以外の液体（例えば、炭酸水）が利用されてもよい。
基板処理装置１では、半導体基板以外に、液晶表示装置、プラズマディスプレイ、ＦＥＤ（field emission display）等の表示装置に使用されるガラス基板の処理に利用されてもよい。あるいは、基板処理装置１は、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板等の処理に利用されてもよい。
また、基板処理装置１では、上記薬液、純水およびＩＰＡ以外の処理液を供給する他の供給部が設けられてもよい。また、ガス供給部８１６から供給されるガスは、窒素ガス以外のガスであってもよい。
以上、実施形態およびその変形例に係る基板処理方法、および基板処理装置について説明したが、これらは本発明に好ましい実施形態の例であって、本発明の実施の範囲を限定するものではない。本発明は、その発明の範囲内において、各実施形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施形態において任意の構成要素の省略が可能である。
１ 基板処理装置
９ 基板
３３ 基板回転機構
９１ 上面
９２ 下面
５ トッププレート
５１３ 下面
１５４ テーパ面
３１２ チャック
１８１ 上部ノズル
１１１〜１１３、１１１Ａ〜１１５Ａ 第１処理
１２１、１２１Ａ、１２２Ａ 第２処理
１３１、１３１Ａ、１３２Ａ 第３処理
８１２ａ〜８１６ａ、８１４ｂ 吐出口
Ｊ１ 中心軸
Ｓ１〜Ｓ５ ステップ
ｔ１〜ｔ７、ｔ１１〜ｔ２２ 時刻

Claims (13)

  1. 基板および前記基板の上面と対向する下面と前記下面の内周部から中央に向けて斜め上方に伸びたテーパ面とを有する遮断部を、前記上面に直交する回転軸まわりに回転させる回転工程と、
    回転される前記基板の前記上面に向けて処理液を供給する１以上の第１処理を含む第１供給工程と、
    回転される前記遮断部の中央から前記テーパ面および前記下面に向けて水平方向にリンス液を供給する１以上の第２処理を含む第２供給工程と、
    を有し、
    前記第１供給工程を実行する第１期間と前記第２供給工程を実行する第２期間とが重複する重複期間が存在する、基板処理方法。
  2. 請求項１に記載の基板処理方法であって、
    前記１以上の第１処理は、回転される前記基板の前記上面に向けてリンス液を供給するリンス処理を含み、
    前記重複期間は、前記リンス処理を実行する期間と前記第２期間とが重複する期間である、基板処理方法。
  3. 請求項２に記載の基板処理方法であって、
    前記１以上の第１処理は、複数の前記リンス処理を含み、
    前記重複期間は、前記複数のリンス処理のうち少なくとも最後のリンス処理を実行する期間と前記第２期間とが重複する期間である、基板処理方法。
  4. 請求項１から請求項３のいずれか１つの請求項に記載の基板処理方法であって、
    時間的に互いに重複する前記第１処理と前記第２処理とにおいて、前記第１処理の処理途中で前記第２処理が終了する、基板処理方法。
  5. 請求項１から請求項４のいずれか１つの請求項に記載の基板処理方法であって、
    時間的に互いに重複する前記第１処理と前記第２処理とにおいて、前記第１処理の方が前記第２処理よりも先に開始する、基板処理方法。
  6. 請求項５に記載の基板処理方法であって、
    先に開始された前記第１処理によって前記基板の前記上面が前記処理液で覆われている期間中に、前記第２処理が実行される、基板処理方法。
  7. 請求項１から請求項４のいずれか１つの請求項に記載の基板処理方法であって、
    時間的に互いに重複する前記第１処理と前記第２処理とにおいて、前記第１処理の開始と前記第２処理の開始とが同時である、基板処理方法。
  8. 請求項１から請求項７のいずれか１つの請求項に記載の基板処理方法であって、
    前記回転工程は、前記第１供給工程および前記第２供給工程の後に実行される処理として、前記第１供給工程および前記第２供給工程の際よりも速く前記基板および前記遮断部を回転する処理を有する、基板処理方法。
  9. 請求項１から請求項８のいずれか１つの請求項に記載の基板処理方法であって、
    前記基板の前記上面と前記遮断部の前記下面との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給工程、
    をさらに有する、基板処理方法。
  10. 請求項９に記載の基板処理方法であって、
    前記ガス供給工程は、少なくとも、前記第２期間の後で且つ前記基板の前記上面が前記処理液で覆われている期間中に、前記空間に前記不活性ガスを供給する、基板処理方法。
  11. 基板を水平に保持する基板保持部と、
    前記基板の上面と対向する下面と前記下面の内周部から中央に向けて斜め上方に伸びたテーパ面とを含む遮断部と、
    前記基板の中心を通り鉛直方向に伸びる回転軸まわりに前記基板および前記遮断部を回転させる回転部と、
    平面視で前記遮断部の中央に設けられた開口を通じて、回転される前記基板の前記上面に向けて処理液を供給する第１供給部と、
    前記遮断部の前記開口を通じて、回転される前記遮断部の中央から前記テーパ面および前記下面に向けて水平方向にリンス液を供給する第２供給部と、
    を有し、
    前記第１供給部が前記処理液を供給する第１期間と前記第２供給部が前記リンス液を供給する第２期間とが重複する重複期間が存在する、基板処理装置。
  12. 請求項１１に記載の基板処理装置であって、
    前記基板の前記上面と前記遮断部の前記下面との間の空間の側方部分を塞ぐ閉塞部、をさらに含む、基板処理装置。
  13. 請求項１１または請求項１２に記載の基板処理装置であって、
    前記遮断部の前記開口を通じて、前記基板の前記上面と前記遮断部の前記下面との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給部、
    をさらに有する、基板処理装置。
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