KR20180034231A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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노리유키 기쿠모토
슈이치 야스다
가즈히로 후지타
미치노리 이와오
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

(과제) 차단부의 세정에 관하여, 스루풋을 향상시킬 수 있는 기술을 제공한다.
(해결 수단) 회전되는 기판의 상면을 향하여 처리액을 공급하는 1 이상의 제 1 처리를 포함하는 제 1 공급 공정과, 회전되는 차단부의 하면을 향하여 린스액을 공급하는 1 이상의 제 2 처리를 포함하는 제 2 공급 공정이 있다. 그리고, 제 1 공급 공정을 실행하는 제 1 기간과 제 2 공급 공정을 실행하는 제 2 기간이 중복되는 중복 기간이 존재한다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATMENT METHOD AND SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS}
본 발명은, 기판 및 기판의 상방에 위치하는 차단부를 처리하는 기술에 관한 것이다.
종래부터, 기판 및 그 기판의 상방에 위치하는 차단부를 회전시키면서, 기판의 상면과 차단부의 하면 사이의 공간에 처리액을 공급하여, 기판을 처리하는 기술이 알려져 있다.
이 종류의 장치에서는, 기판의 상면에 공급된 처리액의 일부가 비산되고, 차단부의 하면에 부착되는 경우가 있다. 차단부의 하면에 부착된 처리액을 방치하면, 그 처리액이 파티클이 되어 기판을 오염시킬 우려가 있으므로, 적당한 타이밍으로 차단부의 하면에 세정 처리가 실행된다.
예를 들어, 특허문헌 1 에 기재된 장치에서는, 차단부의 회전축 근처에 형성된 세정 노즐로부터 차단부의 하면을 향하여 세정액을 토출함으로써, 차단부의 하면이 세정된다. 또, 특허문헌 2 에 기재된 장치에서는, 차단부의 측방에 형성된 세정 노즐로부터 차단부의 하면을 향하여 세정액을 토출함으로써, 차단부의 하면이 세정된다.
일본특허공보 제2708340호 일본 공개특허공보 2003-45838호
그러나, 이들 장치에서는 차단부의 세정을 실시하는 기간 중에 기판에 대한 처리액의 공급을 실시하지 못하여, 스루풋의 향상에 개선의 여지가 있었다.
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 스루풋을 향상시킬 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 제 1 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 기판 및 상기 기판의 상면과 대향하는 하면을 갖는 차단부를, 상기 상면에 직교하는 회전축 둘레로 회전시키는 회전 공정과, 회전되는 상기 기판의 상기 상면을 향하여 처리액을 공급하는 1 이상의 제 1 처리를 포함하는 제 1 공급 공정과, 회전되는 상기 차단부의 상기 하면을 향하여 린스액을 공급하는 1 이상의 제 2 처리를 포함하는 제 2 공급 공정을 가지며, 상기 제 1 공급 공정을 실행하는 제 1 기간과 상기 제 2 공급 공정을 실행하는 제 2 기간이 중복되는 중복 기간이 존재한다.
제 2 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 제 1 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 1 이상의 제 1 처리는, 회전되는 상기 기판의 상기 상면을 향하여 린스액을 공급하는 린스 처리를 포함하고, 상기 중복 기간은, 상기 린스 처리를 실행하는 기간과 상기 제 2 기간이 중복되는 기간이다.
제 3 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 제 2 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 1 이상의 제 1 처리는, 복수의 상기 린스 처리를 포함하고, 상기 중복 기간은, 상기 복수의 린스 처리 중 적어도 최후의 린스 처리를 실행하는 기간과 상기 제 2 기간이 중복되는 기간이다.
제 4 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 제 1 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 시간적으로 서로 중복되는 상기 제 1 처리와 상기 제 2 처리에 있어서, 상기 제 1 처리의 처리 도중에서 상기 제 2 처리가 종료된다.
제 5 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 제 1 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 시간적으로 서로 중복되는 상기 제 1 처리와 상기 제 2 처리에 있어서, 상기 제 1 처리가 상기 제 2 처리보다 먼저 개시된다.
제 6 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 제 5 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 먼저 개시된 상기 제 1 처리에 의해 상기 기판의 상기 상면이 상기 처리액으로 덮여 있는 기간 중에, 상기 제 2 처리가 실행된다.
제 7 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 제 1 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 시간적으로 서로 중복되는 상기 제 1 처리와 상기 제 2 처리에 있어서, 상기 제 1 처리의 개시와 상기 제 2 처리의 개시가 동시이다.
제 8 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 제 1 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 회전 공정은, 상기 제 1 공급 공정 및 상기 제 2 공급 공정 후에 실행되는 처리로서, 상기 제 1 공급 공정 및 상기 제 2 공급 공정시보다 빠르게 상기 기판 및 상기 차단부를 회전시키는 처리를 갖는다.
제 9 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 제 1 내지 제 8 중 어느 하나의 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 기판의 상기 상면과 상기 차단부의 상기 하면 사이의 공간에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급 공정을 추가로 갖는다.
제 10 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 제 9 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 가스 공급 공정은, 적어도 상기 제 2 기간 후에 또한 상기 기판의 상기 상면이 상기 처리액으로 덮여 있는 기간 중에, 상기 공간에 상기 불활성 가스를 공급한다.
제 11 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판의 상면과 대향하는 하면을 포함하는 차단부와, 상기 기판의 중심을 통과하고 연직 방향으로 신장되는 회전축 둘레로 상기 기판 및 상기 차단부를 회전시키는 회전부와, 평면에서 보아 상기 차단부의 중앙에 형성된 개구를 통해서, 회전되는 상기 기판의 상기 상면을 향하여 처리액을 공급하는 제 1 공급부와, 상기 차단부의 상기 개구를 통해서, 회전되는 상기 차단부의 상기 하면을 향하여 린스액을 공급하는 제 2 공급부를 가지며, 상기 제 1 공급부가 상기 처리액을 공급하는 제 1 기간과 상기 제 2 공급부가 상기 린스액을 공급하는 제 2 기간이 중복되는 중복 기간이 존재한다.
제 12 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 11 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 제 2 공급부는, 상기 개구보다 하방에서 수평 방향으로 개구되는 토출구를 가지며, 그 토출구로부터 회전되는 상기 차단부의 상기 하면을 향하여 린스액을 공급한다.
제 13 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 12 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 차단부는, 상기 하면의 내주부로부터 중앙을 향하여 경사 상방으로 신장된 테이퍼면을 추가로 포함하고, 상기 제 2 공급부의 토출구는 상기 테이퍼면에 대향한다.
제 14 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 11 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 차단부는, 상기 기판의 상기 상면과 상기 차단부의 상기 하면 사이의 공간의 측방 부분을 막는 폐색부를 추가로 포함한다.
제 15 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 11 내지 제 14 중 어느 하나의 양태에 관련된 기판 처리 장치로서, 상기 차단부의 상기 개구를 통해서, 상기 기판의 상기 상면과 상기 차단부의 상기 하면 사이의 공간에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부를 추가로 갖는다.
제 1 내지 제 10 양태에 관련된 기판 처리 방법 및 제 11 내지 제 15 양태에 관련된 기판 처리 장치의 어느 것에 의해서도, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
도 1 은 기판 처리 장치 (1) 를 나타내는 단면도이다.
도 2 는 기판 처리 장치 (1) 를 나타내는 단면도이다.
도 3 은 하부 노즐 (182) 및 그 근방을 확대하여 나타내는 단면도이다.
도 4 는 상부 노즐 (181) 을 아래로부터 본 하면도이다.
도 5 는 기액 공급부 (18) 를 나타내는 개략적인 블록도이다.
도 6 은 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 기판 (9) 의 처리의 흐름의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7 은 스텝 S3 에 있어서의 타이밍 차트의 일례이다.
도 8 은 시각 t3 ∼ t4 의 기간에 있어서의 제 1 처리 (112) 및 제 2 처리 (121) 의 모습을 나타내는 단면도이다.
도 9 는 제 2 처리에 있어서의 처리 조건과 처리 결과의 관계를 나타내는 도면이다.
도 10 은 변형예에 관련된 액 처리 (스텝 S3) 의 타이밍 차트이다.
도 11 은 변형예에 관련된 기판 처리 장치 (1A) 의 단면도이다.
이하, 실시형태를 도면에 기초하여 설명한다. 도면에서는 동일한 구성 및 기능을 갖는 부분에 동일한 부호가 부여되고, 중복 설명이 생략된다. 또, 각 도면은 모식적으로 나타낸 것이다. 또한, 일부의 도면에는, 방향 관계를 명확하게 하는 목적으로, Z 축을 연직 방향의 축으로 하고 XY 평면을 수평면으로 하는 XYZ 직교 좌표축이 적절히 부여되어 있다. 이하의 설명에서, 단순히 상하라고 표현하는 경우, 상 (上) 이란 +Z 측을 의미하고, 하 (下) 란 -Z 측을 의미한다.
<1. 실시형태>
<1.1 기판 처리 장치 (1) 의 구성>
도 1 및 도 2 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 구성을 나타내는 단면도이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 반도체 기판 (9) (이하, 단순히 「기판 (9)」이라고 한다.) 을 1 장씩 처리하는 매엽식 장치이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 기판 유지부 (31) 와, 기판 회전 기구 (33) 와, 컵부 (4) 와, 탑 플레이트 (5) 와, 대향 부재 이동 기구 (6) 와, 상부 노즐 (181) 을 구비하고, 이들 구성은 하우징 (11) 의 내부에 수용된다. 또한, 도 1 은, 대향 부재 이동 기구 (6) 에 의해 탑 플레이트 (5) 가 상방으로 이동된 상태의 기판 처리 장치 (1) 를 나타내고, 도 2 는, 대향 부재 이동 기구 (6) 에 의해 탑 플레이트 (5) 가 하방으로 이동된 상태의 기판 처리 장치 (1) 를 나타내고 있다.
기판 유지부 (31) 는, 수평 상태에서 기판 (9) 을 유지한다. 기판 유지부 (31) 는, 유지 베이스부 (311) 와, 복수의 척 (312) 과, 복수의 걸어맞춤부 (313) 와, 베이스 지지부 (314) 와, 하부 돌출부 (315) 와, 하부 노즐 (182) 을 구비한다. 기판 (9) 은, 유지 베이스부 (311) 의 상방에 배치된다. 유지 베이스부 (311) 및 베이스 지지부 (314) 는 각각, 상하 방향을 향하는 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원판상의 부재이다. 유지 베이스부 (311) 는, 베이스 지지부 (314) 의 상방에 배치되고, 베이스 지지부 (314) 에 의해 하방으로부터 지지된다. 유지 베이스부 (311) 의 외경은, 베이스 지지부 (314) 의 외경보다 크다. 유지 베이스부 (311) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 둘레 방향의 전체 둘레에 걸쳐, 베이스 지지부 (314) 보다 직경 방향 외방으로 넓어진다. 유지 베이스부 (311) 는, 예를 들어, 비교적 높은 내약품성을 갖는 불소 수지에 의해 형성된다. 베이스 지지부 (314) 는, 예를 들어, 비교적 경량 또한 고강도의 염화비닐에 의해 형성된다.
하부 노즐 (182) 은, 대략 원통상의 노즐이고, 유지 베이스부 (311) 의 중심부에 장착되어 있다.
도 3 은, 하부 노즐 (182) 및 그 근방을 확대하여 나타내는 단면도이다. 하부 노즐 (182) 은, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상의 노즐 본체 (821) 와, 노즐 본체 (821) 의 상단부로부터 직경 방향 외방으로 넓어지는 대략 원환판상의 차양부 (822) 를 구비한다. 노즐 본체 (821) 는, 유지 베이스부 (311) 의 중앙부에 형성된 대략 원주상의 관통공에 삽입된다. 노즐 본체 (821) 의 측면과 그 관통공의 내주면 사이에는 불활성 가스를 통과시키는 하부 환상 유로 (218) 가 형성된다.
노즐 본체 (821) 의 상단면의 중앙부에는, 하면 중앙 토출구 (823) 가 형성된다. 하면 중앙 토출구 (823) 는, 유지 베이스부 (311) 의 중앙부의 중심축 (J1) 상에 형성된다. 차양부 (822) 는, 유지 베이스부 (311) 의 상면 (311a) 으로부터 상방으로 이간되고, 상면 (311a) 을 따라 직경 방향 외방으로 넓어진다. 차양부 (822) 의 하면은, 상면 (311a) 에 대략 평행이다.
도 1 로 돌아와, 하부 돌출부 (315) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환상의 부재이며, 베이스 지지부 (314) 의 측면으로부터 직경 방향 외방으로 넓어진다. 하부 돌출부 (315) 는, 유지 베이스부 (311) 보다 하방에 있어서, 유지 베이스부 (311) 로부터 이간되어 형성된다. 하부 돌출부 (315) 의 외경은, 유지 베이스부 (311) 의 외경보다 크고, 또한, 탑 플레이트 (5) 의 외경 이하이다. 도 1 에 나타내는 예에서는, 하부 돌출부 (315) 는, 베이스 지지부 (314) 의 하단부로부터 직경 방향 외방으로 넓어진다. 하부 돌출부 (315) 의 상면 및 하면은 각각, 직경 방향 외방을 향함에 따라 하방을 향하는 경사면이다.
복수의 척 (312) 은, 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 대략 등각도 간격으로, 유지 베이스부 (311) 의 상면의 외주부에 둘레 방향에 배치된다. 기판 유지부 (31) 에서는, 복수의 척 (312) 에 의해, 기판 (9) 의 외연부가 지지된다. 각 척 (312) 을 구동하는 구조는, 베이스 지지부 (314) 의 내부에 형성된다. 복수의 걸어맞춤부 (313) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 대략 등각도 간격으로, 유지 베이스부 (311) 의 상면의 외주부에 둘레 방향에 배치된다. 복수의 걸어맞춤부 (313) 는, 복수의 척 (312) 보다 직경 방향 외측에 배치된다.
기판 회전 기구 (33) 는, 회전 기구 수용부 (34) 의 내부에 수용된다. 기판 회전 기구 (33) 및 회전 기구 수용부 (34) 는, 기판 유지부 (31) 의 하방에 배치된다. 기판 회전 기구 (33) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 기판 (9) 을 기판 유지부 (31) 와 함께 회전시킨다.
회전 기구 수용부 (34) 는, 기판 회전 기구 (33) 의 상방을 덮는 대략 원환판상의 상면 (341) 과, 기판 회전 기구 (33) 의 측방을 덮는 대략 원통상의 측면 (342) 을 구비한다. 회전 기구 수용부 (34) 의 상면 (341) 의 중앙부에는, 기판 회전 기구 (33) 의 회전축 (331) 이 삽입되는 개구가 형성된다. 회전축 (331) 은, 베이스 지지부 (314) 의 하면에 접속된다. 회전 기구 수용부 (34) 의 상면 (341) 은, 회전축 (331) 으로부터 직경 방향으로 이간되어 직경 방향 외방으로 넓어진다. 회전 기구 수용부 (34) 의 상면 (341) 은, 간극을 개재하여 베이스 지지부 (314) 의 하면과 상하 방향으로 대향한다. 이하의 설명에서는, 당해 간극, 즉, 회전 기구 수용부 (34) 의 상면 (341) 과 베이스 지지부 (314) 의 하면 사이의 공간을, 「유지부 하방 간극 (310)」이라고 한다.
컵부 (4) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 환상의 부재이며, 기판 (9) 및 기판 유지부 (31) 의 직경 방향 외측에 배치된다. 컵부 (4) 는, 기판 (9) 및 기판 유지부 (31) 의 주위의 전체 둘레에 걸쳐 배치되고, 기판 (9) 으로부터 주위를 향하여 비산되는 처리액 등을 받는다. 컵부 (4) 는, 제 1 가드 (41) 와, 제 2 가드 (42) 와, 가드 이동 기구 (43) 와, 배출 포트 (44) 를 구비한다.
제 1 가드 (41) 는, 제 1 가드 측벽부 (411) 와, 제 1 가드 천개부 (天蓋部) (412) 를 갖는다. 제 1 가드 측벽부 (411) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상이다. 제 1 가드 천개부 (412) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환판상이고, 제 1 가드 측벽부 (411) 의 상단부로부터 직경 방향 내방으로 넓어진다. 제 2 가드 (42) 는, 제 2 가드 측벽부 (421) 와, 제 2 가드 천개부 (422) 를 갖는다. 제 2 가드 측벽부 (421) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상이고, 제 1 가드 측벽부 (411) 보다 직경 방향 외측에 위치한다. 제 2 가드 천개부 (422) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환판상이고, 제 1 가드 천개부 (412) 보다 상방에서 제 2 가드 측벽부 (421) 의 상단부로부터 직경 방향 내방으로 넓어진다.
제 1 가드 천개부 (412) 의 내경 및 제 2 가드 천개부 (422) 의 내경은, 기판 유지부 (31) 의 유지 베이스부 (311) 의 외경 및 탑 플레이트 (5) 의 외경보다 약간 크다. 제 1 가드 천개부 (412) 의 상면 및 하면은 각각, 직경 방향 외방을 향함에 따라 하방을 향하는 경사면이다. 제 2 가드 천개부 (422) 의 상면 및 하면도 각각, 직경 방향 외방을 향함에 따라 하방을 향하는 경사면이다.
가드 이동 기구 (43) 는, 제 1 가드 (41) 및 제 2 가드 (42) 를 상하 방향으로 이동함으로써, 기판 (9) 으로부터의 처리액 등을 받는 가드를 제 1 가드 (41) 와 제 2 가드 (42) 사이에서 전환한다. 컵부 (4) 의 제 1 가드 (41) 및 제 2 가드 (42) 에서 받은 처리액 등은, 배출 포트 (44) 를 통하여 하우징 (11) 의 외부로 배출된다. 또, 제 1 가드 (41) 내 및 제 2 가드 (42) 내의 가스도 배출 포트 (44) 를 통하여 하우징 (11) 의 외부로 배출된다.
탑 플레이트 (5) 는, 평면에서 보아 대략 원형의 부재이다. 탑 플레이트 (5) 는, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 대향하는 대향 부재이며, 기판 (9) 의 상방을 차폐하는 차폐판이다. 탑 플레이트 (5) 의 외경은, 기판 (9) 의 외경, 및 유지 베이스부 (311) 의 외경보다 크다. 탑 플레이트 (5) 는, 대향 부재 본체 (51) 와, 피유지부 (52) 와, 복수의 걸어맞춤부 (53) 를 구비한다. 대향 부재 본체 (51) 는, 대향 부재 천개부 (511) 와, 대향 부재 측벽부 (512) 를 구비한다. 대향 부재 천개부 (511) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환판상의 부재이며, 대향 부재 천개부 (511) 의 하면 (513) 이 기판 (9) 의 상면 (91) 에 대향한다. 대향 부재 천개부 (511) 의 중앙부에는, 대향 부재 개구 (54) 가 형성된다. 대향 부재 개구 (54) 는, 예를 들어, 평면에서 보아 대략 원형이다. 대향 부재 개구 (54) 의 직경은, 기판 (9) 의 직경에 비해 충분히 작다. 또, 하면 (513) 의 내주부로부터 중앙의 개구 (54) 를 향하여 경사 상방으로 신장된 테이퍼면 (154) 을 갖는다. 대향 부재 측벽부 (512) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상의 부재이며, 대향 부재 천개부 (511) 의 외주부로부터 하방으로 넓어진다. 도 2 에 나타내는 상태에서는, 탑 플레이트 (5) 가 기판 (9) 과 일체적으로 중심축 (J1) 둘레로 회전되어, 탑 플레이트 (5) 의 하면 (513) 과 기판 (9) 의 상면 (91) 사이의 공간이 챔버 내의 다른 공간과는 차단된다. 이 때문에, 이 상태에서는, 탑 플레이트 (5) 는 차단부로서 기능한다.
복수의 걸어맞춤부 (53) 는, 중심축 (J1) 을 중심으로 하여 대략 등각도 간격으로, 대향 부재 천개부 (511) 의 하면 (513) 의 외주부에 둘레 방향에 배치된다. 복수의 걸어맞춤부 (53) 는, 대향 부재 측벽부 (512) 의 직경 방향 내측에 배치된다.
피유지부 (52) 는, 대향 부재 본체 (51) 의 상면에 접속된다. 피유지부 (52) 는, 대향 부재 통부 (521) 와, 대향 부재 플랜지부 (522) 를 구비한다. 대향 부재 통부 (521) 는, 대향 부재 본체 (51) 의 대향 부재 개구 (54) 의 주위로부터 상방으로 돌출하는 대략 통상 (筒狀) 의 부위이다. 대향 부재 통부 (521) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상이다. 대향 부재 플랜지부 (522) 는, 대향 부재 통부 (521) 의 상단부로부터 직경 방향 외방으로 환상으로 넓어진다. 대향 부재 플랜지부 (522) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환판상이다.
대향 부재 이동 기구 (6) 는, 대향 부재 유지부 (61) 와, 대향 부재 승강 기구 (62) 를 구비한다. 대향 부재 유지부 (61) 는, 탑 플레이트 (5) 의 피유지부 (52) 를 유지한다. 대향 부재 유지부 (61) 는, 유지부 본체 (611) 와, 본체 지지부 (612) 와, 플랜지 지지부 (613) 와, 지지부 접속부 (614) 를 구비한다. 유지부 본체 (611) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원판상이다. 유지부 본체 (611) 는, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 플랜지부 (522) 의 상방을 덮는다. 본체 지지부 (612) 는, 대략 수평으로 연장되는 봉상의 아암이다. 본체 지지부 (612) 의 일방의 단부 (端部) 는 유지부 본체 (611) 에 접속되고, 타방의 단부는 대향 부재 승강 기구 (62) 에 접속된다.
유지부 본체 (611) 의 중앙부로부터는 상부 노즐 (181) 이 하방로 돌출된다. 상부 노즐 (181) 은, 대향 부재 통부 (521) 에 비접촉 상태로 삽입된다. 이하의 설명에서는, 상부 노즐 (181) 과 대향 부재 통부 (521) 사이의 공간을 「노즐 간극 (56)」이라고 한다.
플랜지 지지부 (613) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원환판상이다. 플랜지 지지부 (613) 는, 대향 부재 플랜지부 (522) 의 하방에 위치한다. 플랜지 지지부 (613) 의 내경은, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 플랜지부 (522) 의 외경보다 작다. 플랜지 지지부 (613) 의 외경은, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 플랜지부 (522) 의 외경보다 크다. 지지부 접속부 (614) 는, 예를 들어, 중심축 (J1) 을 중심으로 하는 대략 원통상이다. 지지부 접속부 (614) 는, 플랜지 지지부 (613) 와 유지부 본체 (611) 를 대향 부재 플랜지부 (522) 의 주위에서 접속한다. 대향 부재 유지부 (61) 에서는, 유지부 본체 (611) 는 대향 부재 플랜지부 (522) 의 상면과 상하 방향으로 대향하는 유지부 상부이고, 플랜지 지지부 (613) 는 대향 부재 플랜지부 (522) 의 하면과 상하 방향으로 대향하는 유지부 하부이다.
도 1 에 나타내는 위치에 탑 플레이트 (5) 가 위치하는 상태에서는, 플랜지 지지부 (613) 는, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 플랜지부 (522) 의 외주부에 하측으로부터 접하여 지지한다. 바꾸어 말하면, 대향 부재 플랜지부 (522) 가, 대향 부재 이동 기구 (6) 의 대향 부재 유지부 (61) 에 의해 유지된다. 이로써, 탑 플레이트 (5) 가, 기판 (9) 및 기판 유지부 (31) 의 상방에서, 대향 부재 유지부 (61) 에 의해 매달린다. 이하의 설명에서는, 도 1 에 나타내는 탑 플레이트 (5) 의 상하 방향의 위치를 「제 1 위치」라고 한다. 제 1 위치란, 탑 플레이트 (5) 가 대향 부재 이동 기구 (6) 에 의해 유지되어 기판 유지부 (31) 로부터 상방으로 이간된 위치이다.
플랜지 지지부 (613) 에는, 탑 플레이트 (5) 의 위치 어긋남 (즉, 탑 플레이트 (5) 의 이동 및 회전) 을 제한하는 이동 제한부 (616) 가 형성된다. 도 1 에 나타내는 예에서는, 이동 제한부 (616) 는, 플랜지 지지부 (613) 의 상면으로부터 상방으로 돌출되는 돌기부이다. 이동 제한부 (616) 가, 대향 부재 플랜지부 (522) 에 형성된 구멍부에 삽입됨으로써, 탑 플레이트 (5) 의 위치 어긋남이 제한된다.
대향 부재 승강 기구 (62) 는, 탑 플레이트 (5) 를 대향 부재 유지부 (61) 와 함께 상하 방향으로 이동시킨다. 도 2 는, 탑 플레이트 (5) 가 도 1 에 나타내는 제 1 위치로부터 하강한 상태를 나타내는 단면도이다. 이하의 설명에서는, 도 2 에 나타내는 탑 플레이트 (5) 의 상하 방향의 위치를 「제 2 위치」라고 한다. 즉, 대향 부재 승강 기구 (62) 는, 탑 플레이트 (5) 를 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 기판 유지부 (31) 에 대해 상대적으로 상하 방향으로 이동한다. 제 2 위치는, 제 1 위치보다 하방의 위치이다. 바꾸어 말하면, 제 2 위치란, 탑 플레이트 (5) 가 제 1 위치보다 상하 방향에 있어서 기판 유지부 (31) 에 근접하는 위치이다.
탑 플레이트 (5) 가 제 2 위치에 위치하는 상태에서는, 탑 플레이트 (5) 의 복수의 걸어맞춤부 (53) 가 각각, 기판 유지부 (31) 의 복수의 걸어맞춤부 (313) 와 걸어 맞춰진다. 복수의 걸어맞춤부 (53) 는, 복수의 걸어맞춤부 (313) 에 의해 하방으로부터 지지된다. 바꾸어 말하면, 복수의 걸어맞춤부 (313) 는 탑 플레이트 (5) 를 지지하는 대향 부재 지지부이다. 예를 들어, 걸어맞춤부 (313) 는, 상하 방향으로 대략 평행한 핀이고, 걸어맞춤부 (313) 의 상단부가, 걸어맞춤부 (53) 의 하단부에 상방향으로 형성된 오목부에 끼워 맞춰진다. 또, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 플랜지부 (522) 는, 대향 부재 유지부 (61) 의 플랜지 지지부 (613) 로부터 상방으로 이간된다. 이로써, 탑 플레이트 (5) 는, 제 2 위치에서, 기판 유지부 (31) 에 의해 유지되어 대향 부재 이동 기구 (6) 로부터 이간된다 (즉, 대향 부재 이동 기구 (6) 와 비접촉 상태가 된다.).
탑 플레이트 (5) 가 기판 유지부 (31) 에 의해 유지된 상태에서는, 탑 플레이트 (5) 의 대향 부재 측벽부 (512) 의 하단이, 기판 유지부 (31) 의 유지 베이스부 (311) 의 상면보다 하방, 또는 유지 베이스부 (311) 의 상면과 상하 방향에 관해서 동일한 위치에 위치한다. 탑 플레이트 (5) 가 제 2 위치에 위치하는 상태에서 기판 회전 기구 (33) 가 구동되면, 탑 플레이트 (5) 는, 기판 (9) 및 기판 유지부 (31) 와 함께 회전한다. 이와 같이, 탑 플레이트 (5) 가 제 2 위치에 위치하는 상태에서는, 기판 회전 기구 (33) 가, 중심축 (J1) 둘레에 기판 (9) 및 탑 플레이트 (5) 를 회전시키는 회전부로서 기능한다.
도 4 는, 상부 노즐 (181) 을 아래로부터 본 하면도이다. 도 5 는, 기판 처리 장치 (1) 가 구비하는 기액 공급부 (18) 를 나타내는 개략적인 블록도이다. 도 4 및 도 5 에 나타내는 바와 같이, 기액 공급부 (18) 의 각 토출구 (812a ∼ 816a) 는 상부 노즐 (181) 의 하면에 개구되고, 기액 공급부 (18) 의 토출구 (814b) 는 상부 노즐 (181) 의 하방의 측면에 개구되어 있다.
기액 공급부 (18) 는, 상기 서술한 상부 노즐 (181) 및 하부 노즐 (182) 을 구비한다. 또, 기액 공급부 (18) 는, 상부 노즐 (181), 노즐 간극 (56), 하부 노즐 (182) 및 하부 환상 유로 (218) 를 향하여 기액을 공급하는 부분으로서, 약액 공급부 (812, 813) 와, 순수 공급부 (814) 와, IPA 공급부 (815) 와, 가스 공급부 (816) 를 구비한다. 또한, 도 5 에서는, 기액 공급부 (18) 의 각 구성 중, 약액 공급부 (812, 813), 순수 공급부 (814), 및 가스 공급부 (816) 에 대해서는 2 개씩 나타내고, IPA 공급부 (815) 에 대해서는 1 개 나타내고 있다.
약액 공급부 (812, 813) 는, 밸브를 개재하여 상부 노즐 (181) 에 접속된다. 약액 공급부 (812) 로부터 공급된 약액 (예를 들어, DHF (diluted hydrofluoric acid : 희불산)) 은, 상부 노즐 (181) 내를 관통하는 유로를 통과하고, 상부 노즐 (181) 의 하면에 형성된 토출구 (812a) 로부터 기판 (9) 의 상면 (91) 을 향하여 토출된다. 또, 약액 공급부 (813) 로부터 공급된 약액 (예를 들어, 과산화수소수 및 암모니아를 혼합한 SC1 액) 은, 상부 노즐 (181) 내를 관통하는 유로를 통과하고, 상부 노즐 (181) 의 하면에 형성된 토출구 (813a) 로부터 기판 (9) 의 상면 (91) 을 향하여 토출된다.
또, 순수 공급부 (814) 는, 밸브를 개재하여 상부 노즐 (181) 에 접속된다. 순수 공급부 (814) 로부터 상부 노즐 (181) 의 일방의 유로에 공급된 순수 (DIW : deionized water) 는, 상부 노즐 (181) 내를 관통하는 그 유로를 통과하고, 상부 노즐 (181) 의 하면에 형성된 토출구 (814a) 로부터 기판 (9) 의 상면 (91) 을 향하여 토출된다. 또, 순수 공급부 (814) 로부터 상부 노즐 (181) 의 타방의 유로에 공급된 순수는, 상부 노즐 (181) 내를 관통하는 그 유로를 통과하고, 상부 노즐 (181) 의 하방의 측면에 형성된 토출구 (814b) 로부터 수평 방향을 향하여 토출된다.
약액 공급부 (812, 813) 및 순수 공급부 (814) 는, 각 밸브를 개재하여 하부 노즐 (182) 에도 접속된다. 각 밸브를 선택적으로 개폐함으로써, 약액 공급부 (812, 813) 및 순수 공급부 (814) 로부터 하부 노즐 (182) 을 향하여 약액 및 순수를 선택적으로 공급할 수 있다. 약액 공급부 (812, 813) 및 순수 공급부 (814) 로부터 하부 노즐 (182) 에 공급된 약액 및 순수는, 하부 노즐 (182) 내를 관통하는 유로를 통과하고, 하부 노즐 (182) 의 상면에 형성된 하면 중앙 토출구 (823) 로부터 기판 (9) 의 하면 (92) 을 향하여 토출된다.
IPA 공급부 (815) 는, 밸브를 개재하여 상부 노즐 (181) 에 접속된다. IPA 공급부 (815) 로부터 공급된 IPA (isopropyl alcohol : 이소프로필알코올) 는, 상부 노즐 (181) 내를 관통하는 유로를 통과하고, 상부 노즐 (181) 의 하면에 형성된 토출구 (815a) 로부터 기판 (9) 의 상면 (91) 을 향하여 토출된다.
가스 공급부 (816) 는, 밸브를 개재하여 상부 노즐 (181) 및 노즐 간극 (56) 에 접속된다. 가스 공급부 (816) 로부터 공급된 불활성 가스 (예를 들어, 질소 가스) 는, 상부 노즐 (181) 내를 관통하는 유로 및 노즐 간극 (56) 을 통과하고, 상부 노즐 (181) 의 하면에 형성된 토출구 (816a) 및 노즐 간극 (56) 으로부터 챔버의 내부를 향하여 토출된다.
또, 가스 공급부 (816) 는, 밸브를 개재하여 하부 환상 유로 (218) 에도 접속된다. 가스 공급부 (816) 로부터 하부 환상 유로 (218) 에 공급된 불활성 가스는, 하부 환상 유로 (218) 내를 관통하는 유로를 통과하고, 환상 토출구 (831) 로부터 유지 베이스부 (311) 의 상면 (316) 의 중앙부를 향하여 토출된다.
기액 공급부 (18) 의 각 구성은, 제어부 (10) 에 의해 제어된다. 동일하게, 기판 처리 장치 (1) 의 다른 각 부 (기판 회전 기구 (33), 및 가드 이동 기구 (43) 등) 도 제어부 (10) 에 의해 제어된다.
본 명세서에서는, 약액, 순수 및 IPA 를 합쳐 처리액이라고 부르는 경우가 있다. 또, 파티클이나 약액의 씻겨내기를 목적으로 하여 사용되는 액 (전형적으로는, 순수) 을 린스액이라고 부르는 경우가 있다. 또, 평면에서 보아 탑 플레이트 (5) 의 중앙에 형성된 개구 (54) 를 통해서 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 을 향하여 처리액을 공급하는 부분을 제 1 공급부라고 부르고, 탑 플레이트 (5) 의 개구 (54) 를 통해서 회전되는 탑 플레이트 (5) (대향 부재 천개부 (511)) 의 하면 (513) 을 향하여 순수 (린스액) 를 공급하는 부분을 제 2 공급부라고 부르는 경우가 있다.
<1.2 기판 처리 장치 (1) 의 처리예>
도 6 은, 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 기판 (9) 의 처리의 흐름의 일례를 나타내는 도면이다. 도 1, 도 2 및 도 6 을 사용하여 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 기판 처리의 흐름을 설명한다.
기판 처리 장치 (1) 에서는, 탑 플레이트 (5) 가 제 1 위치 (도 1) 에 있는 상태에서, 기판 (9) 이 외부의 반송 기구에 의해 유지 베이스부 (311) 의 척 (312) 상에 재치 (載置) 된다. 그 결과, 그 기판 (9) 이 척 (312) 에 의해 하측으로부터 지지된다 (스텝 S1).
기판 (9) 이 반입되면, 대향 부재 승강 기구 (62) 는 탑 플레이트 (5) 를 제 1 위치로부터 제 2 위치까지 하강시킨다. 이로써, 유지 베이스부 (311) 의 상면 (311a), 대향 부재 천개부 (511) 의 하면 (513), 및 대향 부재 측벽부 (512) 의 내주면에 의해 둘러싸인 반밀폐 공간 (이하, 반밀폐 공간 (100) 이라고 부른다.) 이 형성된다. 이와 같이, 대향 부재 측벽부 (512) 는, 기판 (9) 의 상면 (91) 과 대향 부재 천개부 (511) 의 하면 (513) 사이의 공간의 측방 부분을 막는 폐색부로서 기능한다.
계속해서, 기판 회전 기구 (33) 에 의해 기판 (9) 의 회전이 개시된다 (회전 공정). 또한, 가스 공급부 (816) 가, 토출구 (816a) 및 노즐 간극 (56) 으로부터 기판 (9) 의 상면 (91) 에 불활성 가스 (여기서는, 질소 가스) 를 공급한다. 가스 공급부 (816) 는, 동시에, 환상 토출구 (831) 로부터 기판 (9) 의 하면을 향하여 불활성 가스를 공급한다 (가스 공급 공정). 이로써, 소정 시간 경과 후에, 반밀폐 공간 (100) 이, 불활성 가스가 충전된 분위기 (즉, 불활성 가스가 충전되기 전에 비해 산소 농도 및 습도가 낮은 분위기) 가 된다 (스텝 S2).
불활성 가스가 충전된 분위기가 형성되면, 각종 액 처리가 실행된다 (스텝 S3). 도 7 은, 스텝 S3 에 있어서의 타이밍 차트의 일례이다.
여기서는, 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 을 향하여 처리액을 공급하는 것을 제 1 처리라고 부르고, 회전되는 탑 플레이트 (5) (대향 부재 천개부 (511)) 의 하면 (513) 을 향하여 린스액을 공급하는 것을 제 2 처리라고 부르고, 회전되는 기판 (9) 의 하면 (92) 을 향하여 처리액을 공급하는 것을 제 3 처리라고 부른다.
먼저, 시각 t1 ∼ t2 의 기간에 있어서, 제 1 처리 (111) 가 실행된다. 제 1 처리 (111) 에서는, 제 1 가드 (41) 가 기판 (9) 으로부터 비산되는 처리액을 받아낼 수 있는 높이에 위치하고 있다. 제 1 처리 (111) 에서는, 약액 공급부 (812) 가, 상부 노즐 (181) 의 하면에 형성된 토출구 (812a) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에, 약액 (예를 들어, DHF) 을 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액한 약액은 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 넓어지고, 상면 (91) 의 전체가 약액에 의해 피복된다. 그 결과, 상면 (91) 의 전체에서 제 1 처리 (111) (DHF 를 사용한 약액 처리) 가 진행된다. 시각 t1 ∼ t2 의 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 탑 플레이트 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 800 rpm 이다.
시각 t2 에 약액 공급부 (812) 에 의한 약액의 공급이 정지된 후, 시각 t2 ∼ t3 의 기간에 있어서, 기판 (9) 및 탑 플레이트 (5) 의 회전 속도가 빨라지도록 제어된다. 이로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 공급되고 있던 약액 (예를 들어, DHF) 은, 기판 (9) 의 외주연으로부터 직경 방향 외측으로 비산된다. 기판 (9) 으로부터 비산되는 약액은, 제 1 가드 (41) 에서 받아지고, 배출 포트 (44) 를 통하여 폐기된다. 시각 t2 ∼ t3 의 기간은, 예를 들어 3 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 탑 플레이트 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 1200 rpm 이 된다.
다음으로, 시각 t3 ∼ t5 의 기간에 있어서, 제 1 처리 (112) 가 실행된다. 제 1 처리 (112) 에서는, 순수 공급부 (814) 가, 상부 노즐 (181) 의 하면에 형성된 토출구 (814a) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에, 순수 (즉, 린스액) 를 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액한 순수는 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 넓어지고, 상면 (91) 상에 잔존하고 있던 약액 (예를 들어, DHF) 과 함께 기판 (9) 의 외주연으로부터 직경 방향 외측으로 비산된다. 기판 (9) 으로부터 비산되는 약액 및 순수는, 제 1 가드 (41) 의 내벽에서 받아지고, 배출 포트 (44) 를 통하여 폐기된다. 이로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 의 린스 처리와 함께, 제 1 가드 (41) 의 세정도 실질적으로 실시된다. 시각 t3 ∼ t5 의 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 탑 플레이트 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 1200 rpm 이 된다.
또, 시각 t3 ∼ t4 의 기간에 있어서, 제 2 처리 (121) 가 실행된다. 제 2 처리 (121) 에서는, 순수 공급부 (814) 가, 상부 노즐 (181) 의 측면에 형성된 토출구 (814b) 로부터 회전되는 탑 플레이트 (5) (대향 부재 천개부 (511)) 의 하면 (513) 및 테이퍼면 (154) 을 향하여, 순수 (즉, 린스액) 를 연속적으로 공급한다. 하면 (513) 및 테이퍼면 (154) 에 착액한 순수는 그 탑 플레이트 (5) 의 회전에 의해 탑 플레이트 (5) 의 외주부로 넓어지고, 하면 (513) 및 테이퍼면 (154) 에 부착되어 있던 약액 (예를 들어, 제 1 처리 (111) 에서 의도하지 않고 부착된 DHF) 과 함께 탑 플레이트 (5) 의 외주연으로부터 직경 방향 외측으로 비산된다. 탑 플레이트 (5) 로부터 비산되는 약액 및 순수는, 제 1 가드 (41) 에서 받아지고, 배출 포트 (44) 를 통하여 폐기된다. 이로써, 탑 플레이트 (5) 의 하면 (513) 및 테이퍼면 (154) 의 린스 처리와 함께, 제 1 가드 (41) 의 내벽의 세정도 실질적으로 실시된다. 시각 t3 ∼ t4 의 기간은, 예를 들어 4 초간이다. 또, 토출구 (814b) 로부터 토출되는 순수의 유량은, 예를 들어, 500[㎖/min]이다. 도 8 은, 시각 t3 ∼ t4 의 기간에 있어서의 제 1 처리 (112) 및 제 2 처리 (121) 의 모습을 나타내는 단면도이다.
또, 시각 t3 ∼ t5 의 기간에 있어서, 제 3 처리 (131) 가 실행된다. 제 3 처리 (131) 에서는, 순수 공급부 (814) 가, 하부 노즐 (182) 의 상면에 형성된 하면 중앙 토출구 (823) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 하면 (92) 에, 순수 (즉, 린스액) 를 연속적으로 공급한다. 하면 (92) 에 착액한 순수는 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 넓어지고, 기판 (9) 의 외주연으로부터 직경 방향 외측으로 비산된다. 기판 (9) 으로부터 비산되는 약액 및 순수는, 제 1 가드 (41) 의 내벽에서 받아지고, 배출 포트 (44) 를 통하여 폐기된다. 이로써, 기판 (9) 의 하면 (92) 의 린스 처리와 함께, 제 1 가드 (41) 내의 세정도 실질적으로 실시된다.
시각 t5 에 순수 공급부 (814) 에 의한 순수의 공급이 정지된 후, 시각 t5 ∼ t6 의 기간에 있어서, 기판 (9) 및 탑 플레이트 (5) 가 그때까지와 동일한 회전 속도 (예를 들어, 1200 rpm) 로 회전하도록 제어된다. 이로써, 탑 플레이트 (5) (대향 부재 천개부 (511)) 의 하면 (513), 기판 (9) 의 상면 (91), 기판 (9) 의 하면 (92), 유지 베이스부 (311) 의 상면 (316) 등에 공급되고 있던 순수는, 외주연으로부터 직경 방향 외측으로 비산된다. 비산된 순수는, 제 1 가드 (41) 의 내벽에서 받아지고 배출 포트 (44) 를 통하여 폐기된다. 시각 t5 ∼ t6 의 기간은, 예를 들어 3 초간이다.
다음으로, 시각 t6 ∼ t7 의 기간에 있어서, 제 1 처리 (113) 가 실행된다. 제 1 처리 (113) 에서는 제 1 가드 (41) 가 하강하고, 제 2 가드 (42) 가 회전하는 기판 (9) 등으로부터 비산되는 처리액을 받아낼 수 있게 된다. 제 1 처리 (113) 에서는, IPA 공급부 (815) 가, 상부 노즐 (181) 의 하면에 형성된 토출구 (815a) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에, IPA 를 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액한 IPA 는 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 넓어지고, 상면 (91) 의 전체가 IPA 에 의해 피복된다. 그 결과, 상면 (91) 의 전체에서 순수가 IPA 로 치환되는 제 1 처리 (113) 가 진행된다. 시각 t6 ∼ t7 의 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 탑 플레이트 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 800 rpm 이다.
또, 시각 t6 ∼ t7 의 기간은, 제 2 처리 (121) 가 실시된 기간 (시각 t3 ∼ t4 의 기간) 후이고 또한 기판 (9) 의 상면 (91) 이 처리액 (구체적으로는, IPA 액) 의 액막으로 덮여 있는 기간이다. 그 기간에 있어서도 가스 공급 공정이 계속되어, 반밀폐 공간 (100) 에 있어서, 불활성 가스가 충전된 분위기 (즉, 불활성 가스가 충전되기 전에 비해 산소 농도 및 습도가 낮은 분위기) 가 형성된다. 이와 같이, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 처리액의 액막이 존재하는 상태에서 탑 플레이트 (5) (대향 부재 천개부 (511)) 의 하면 (513) 의 건조가 촉진되므로, 만일 건조 과정에서 하면 (513) 에 부착되어 있던 이물질 (예를 들어, 파티클 등의 기판의 오염원) 이 낙하했다고 해도, 그 이물질은 기판 (9) 의 상면 (91) 의 액막에 받아내지고, 상면 (91) 에는 부착되기 어렵다.
시각 t7 에 IPA 공급부 (815) 에 의한 IPA 의 공급이 정지되고, 각종 액 처리 (스텝 S3) 가 종료되면, 다음으로, 건조 처리가 실행된다 (스텝 S4). 건조 처리의 회전 공정에서는, 제 1 처리 (111 ∼ 113) 및 제 2 처리 (121) 시보다 빠르게 기판 (9) 및 탑 플레이트 (5) 가 회전된다. 이 기간 중의 기판 (9) 및 탑 플레이트 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 2000 rpm 이다. 이로써, 기판 (9) 및 탑 플레이트 (5) 에 부착된 각종 액체는, 외주연으로부터 직경 방향 외측으로 비산되고, 제 2 가드 (42) 의 내벽에서 받아지고, 배출 포트 (44) 를 통하여 폐기된다.
건조 처리가 종료되면, 대향 부재 승강 기구 (62) 에 의해 탑 플레이트 (5) 가 상승되어 도 1 에 나타내는 상태가 되고, 기판 (9) 이 외부의 반송 기구에 의해 기판 유지부 (31) 로부터 반출된다 (스텝 S5). 본 실시형태에서는, 미리 제 2 처리 (121) 및 건조 처리 (스텝 S4) 가 실행되고 있기 때문에, 반출 처리 (스텝 S5) 시에 탑 플레이트 (5) (대향 부재 천개부 (511)) 의 하면 (513) 에 부착물은 거의 잔존하지 않고, 탑 플레이트 (5) 의 상승시에 부착물이 기판 (9) 상에 낙하하는 것이 방지된다.
<1.3 효과>
이하, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (1) 및 처리예의 효과에 대해 설명한다. 여기서는, 제 1 처리 (111 ∼ 113) 를 포함하는 공정을 제 1 공급 공정이라고 부르고, 제 2 처리 (121) 를 포함하는 공정을 제 2 공급 공정이라고 부르고, 제 3 처리 (131) 를 포함하는 공정을 제 3 공급 공정이라고 부른다. 또한, 제 1 공급 공정을 실행하는 기간을 제 1 기간이라고 부르고, 제 2 공급 공정을 실행하는 기간을 제 2 기간이라고 부르고, 제 3 공급 공정을 실행하는 기간을 제 3 기간이라고 부른다.
본 실시형태에서는, 시각 t3 ∼ t4 의 기간이, 제 1 기간 (시각 t1 ∼ t2, t3 ∼ t5, t6 ∼ t7) 과 제 2 기간 (시각 t3 ∼ t4) 이 중복되는 중복 기간이다. 이와 같이, 본 실시형태의 양태에서는, 제 1 처리 (112) 및 제 2 처리 (121) 를 병행하여 실시하기 때문에, 제 1 기간과 제 2 기간을 별개로 형성하는 다른 양태에 비해, 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또, 본 실시형태에서는, 시각 t3 ∼ t4 의 기간이, 제 1 기간 (시각 t1 ∼ t2, t3 ∼ t5, t6 ∼ t7) 과 제 3 기간 (시각 t3 ∼ t4) 이 중복되는 중복 기간이다. 이와 같이, 본 실시형태의 양태에서는, 제 1 처리 (112) 및 제 3 처리 (131) 를 병행하여 실시하기 때문에, 제 1 기간과 제 3 기간을 별개로 형성하는 다른 양태에 비해, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또, 중복 기간에 있어서는, 제 2 처리 (121) 에 의해 하면 (513) 에 부착되어 있던 이물질 (예를 들어, 파티클 등의 기판의 오염원) 이 낙하했다고 해도, 그 이물질은 기판 (9) 의 상면 (91) 을 흐르는 처리액에 떠밀려 가고, 상면 (91) 에 부착되기 어렵다.
또, 제 1 처리 (111 ∼ 113) 에는 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 을 향하여 린스액을 공급하는 제 1 처리 (112) (린스 처리) 가 포함되어 있고, 중복 기간은, 그 린스 처리를 실행하는 기간과 제 2 기간이 중복되는 기간이다. 즉, 중복 기간에 있어서는, 기판 (9) 의 상면 (91) 및 탑 플레이트 (5) (대향 부재 천개부 (511)) 의 하면 (513) 의 쌍방에 순수 (린스액) 가 공급된다. 이 때문에, 제 2 처리 (121) 에 의해 하면 (513) 에 부착되어 있던 이물질 (예를 들어, 파티클 등의 기판의 오염원) 이나 순수가 낙하하고, 기판 (9) 상의 처리액 (구체적으로는 순수) 에 혼입되었다고 해도, 기판 (9) 상의 처리액이 약액인 경우에 비해 기판 처리에 대한 악영향이 작다.
또, 시간적으로 서로 중복되는 제 1 처리 (112) 와 제 2 처리 (121) 에 있어서, 제 1 처리 (112) 의 처리 도중 (구체적으로는, 시각 t4) 에 제 2 처리 (121) 가 종료한다. 이 때문에, 제 2 처리 (121) 에 의해 하면 (513) 에 부착되어 있던 이물질이 낙하했다고 해도, 중복 기간 후에도 계속되는 제 1 처리 (112) 에 의해, 그 이물질은 기판 (9) 의 상면 (91) 을 흐르는 순수에 떠밀려 가기 쉽고, 상면 (91) 에 특히 부착되기 어렵다.
특히, 시간적으로 서로 중복되는 제 1 처리 (112) 와 제 2 처리 (121) 에 있어서, 제 1 처리 (112) 의 개시와 제 2 처리 (121) 의 개시가 시각 t3 에서 동시이다. 이 때문에, 본 실시형태의 양태에서는, 제 1 처리 (112) 보다 후에 제 2 처리 (121) 를 개시하는 양태에 비해, 중복 기간 후에도 계속되는 제 1 처리 (112) 의 기간을 길게 확보할 수 있다. 그 결과, 제 2 처리 (121) 에 의해 하면 (513) 에 부착되어 있던 이물질이 낙하했다고 해도, 중복 기간 후에도 계속되는 장기간의 제 1 처리 (112) 에 의해, 그 이물질은 기판 (9) 의 상면 (91) 을 흐르는 순수에 떠밀려 가기 쉽고, 상면 (91) 에 특히 부착되기 어렵다.
또, 본 실시형태에서는, 제 2 공급부가, 탑 플레이트 (5) 의 개구보다 하방에서 수평 방향으로 개구되는 토출구 (814b) 를 가지며, 그 토출구 (814b) 로부터 회전되는 탑 플레이트 (5) (대향 부재 천개부 (511)) 의 하면 (513) 을 향하여 순수를 공급한다 (도 8). 예를 들어, 본 실시형태와는 다른 일례로서, 경사 상방향에 개구되는 토출구를 갖는 제 2 공급부에서는, 그 토출구로부터 토출되는 순수가 상방향의 성분을 가지는 것에 기인하여, 순수가 탑 플레이트 (5) 의 테이퍼면 (154) 에 충돌하여 튀어 돌아와 상부 노즐 (181) 의 주위에 부착하는 사태나, 순수가 탑 플레이트 (5) (대향 부재 천개부 (511)) 의 하면 (513) 에 충돌하여 튀어 돌아와 기판 (9) 의 상면 (91) 에 부착하는 사태가 발생할 수 있다. 또 다른 예로서, 경사 하방향에 개구되는 토출구를 갖는 제 2 공급부에서는, 그 토출구로부터 토출되는 순수가 하방향의 성분을 가지는 것에 기인하여, 순수가 하면 (513) 에 적절히 공급되지 않는 사태가 발생할 수 있다. 이에 대하여, 본 실시형태에서는, 제 2 공급부가 수평 방향으로 개구되는 토출구 (814b) 를 가지므로, 토출구 (814b) 로부터 수평으로 토출된 순수가 적절히 하면 (513) 에 공급되기 쉽고, 하면 (513) 의 하면에 부착물을 적절히 제거할 수 있다.
특히, 탑 플레이트 (5) 는 하면 (513) 의 내주부로부터 중앙을 향하여 경사 상방으로 신장된 테이퍼면 (154) 을 포함하고, 제 2 공급부의 토출구 (814b) 는 테이퍼면 (154) 에 대향한다. 그리고, 토출구 (814b) 로부터 수평으로 토출된 순수는, 먼저 테이퍼면 (154) 에 착액하고, 테이퍼면 (154) 을 따라 경사 하방으로 진행하여 하면 (513) 에 안내된다. 이와 같이 본 실시형태에서는, 탑 플레이트 (5) 가 테이퍼면 (154) 을 갖지 않는 다른 양태에 비해, 탑 플레이트 (5) (대향 부재 천개부 (511)) 의 하면 (513) 의 부착물을 적절히 제거하기 쉽다.
도 9 는, 제 2 처리에 있어서의 처리 조건과 처리 결과의 관계를 나타내는 도면이다. 여기서, 순수의 유량이란, 토출구 (814b) 로부터 토출되는 순수의 유량을 의미한다. 회전수란, 기판 (9) 및 탑 플레이트 (5) 의 회전수를 의미한다. 토출 시간이란, 토출구 (814b) 로부터 순수가 토출되는 시간 (즉, 시각 t3 ∼ t4 의 시간) 을 의미한다. TS-N2 란, 노즐 간극 (56) 으로부터 토출되는 불활성 가스의 유량을 의미한다. BB-N2 란, 토출구 (816a) 로부터 토출되는 불활성 가스의 유량을 의미한다. BS-N2 란, 환상 토출구 (831) 로부터 토출되는 불활성 가스의 유량을 의미한다. 또, 결과의 란에 있어서, OK 란, 미리 탑 플레이트 (5) (대향 부재 천개부 (511)) 의 하면 (513) 의 복수 지점 (예를 들어, 중앙측으로부터 외주측에 걸친 4 지점) 에 도포해 둔 처리액이, 제 2 처리에 의해 제거된 것을 의미한다. 결과의 란에 있어서, NG 란, 상기 복수 지점 중 적어도 1 지점 (예를 들어, 외주측의 1 지점) 에 도포해 둔 처리액이, 제 2 처리에 의해서도 제거되지 않았던 것을 의미한다. OK 인지 NG 인지의 판단은, 예를 들어, 제 2 처리 후에 상기 복수 지점에 pH 지를 접촉시켜, 그 pH 지의 색의 변화를 기준으로 결정된다.
도 9 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (1) 에서는, 순수의 유량이 300 [㎖/min] 인 경우, 토출 시간이 3 초 이상 있으면, 제 2 처리에 의해 하면 (513) 이 적절히 세정된다. 또, 순수의 유량이 400 [㎖/min] 이나 500 [㎖/min] 인 경우, 토출 시간이 2 초 이상 있으면, 제 2 처리에 의해 하면 (513) 이 적절히 세정된다. 본 실시형태에서는, 유량 500 [㎖/min] 이고 4 초간의 제 2 처리 (121) 가 실행되므로, 하면 (513) 이 적절히 세정된다.
<2 변형예>
이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명했지만, 이 발명은 그 취지를 일탈하지 않는 한 상기 서술한 것 이외에 여러 가지 변경을 실시하는 것이 가능하다.
상기 실시형태에서는, 3 개의 제 1 처리 (111 ∼ 113) 와, 1 개의 제 2 처리 (121) 와, 1 개의 제 3 처리 (131) 가 실행되는 양태에 대해 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 1 이상의 제 1 처리 및 1 이상의 제 2 처리가 실행되어 이들의 중복 기간이 설정되어 있으면, 본 발명은 실시 가능하다. 또, 1 이상의 제 3 처리가 실행되어도 되고, 그 제 3 처리는 실행되지 않아도 된다. 또, 복수의 기판을 연속하여 1 장씩 처리하는 경우에 있어서, 이와 같은 중복 기간은 각 기판의 처리에 대해 설정되어도 되고, 몇 장에 1 장의 기판의 처리에 대해 설정되어도 된다.
도 10 은, 변형예에 관련된 액 처리 (스텝 S3) 의 타이밍 차트이다. 이 액 처리에서는, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 대해, 제 1 처리 (111A ∼ 115A) 가 실행된다. 이 중, 제 1 처리 (111A) 는, 상기 서술한 제 1 처리 (111) 와 동일하게, 상면 (91) 에 약액 (예를 들어, DHF) 을 공급하는 처리이다. 또, 제 1 처리 (112A) 는, 상기 서술한 제 1 처리 (112) 와 동일하게, 상면 (91) 에 순수를 공급하는 처리이다. 또, 제 1 처리 (115A) 는, 상기 서술한 제 1 처리 (113) 와 동일하게, 상면 (91) 에 IPA 를 공급하는 처리이다. 따라서, 이 변형예에 관련된 처리예가 상기 실시형태에 관련된 처리예와 상이한 것은, 제 1 처리 (112A) 와 제 1 처리 (115A) 사이에, 제 1 처리 (113A, 114A) 가 실행되는 점이다. 또한, 본 변형예에서는, 개별적으로 승강 가능한 4 장의 가드 (41A, 42A, 43A 및 44A) 를 갖는 기판 처리 장치 (1A) (도 11) 가 사용된다.
여기서, 제 1 처리 (113A) 에서는, 약액 공급부 (813) 가, 상부 노즐 (181) 의 하면에 형성된 토출구 (813a) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에, 약액 (예를 들어, SC1 액) 을 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액한 약액은 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 넓어지고, 상면 (91) 의 전체가 약액에 의해 피복된다. 그 결과, 상면 (91) 의 전체에서 제 1 처리 (111A) (SC1 액을 사용한 약액 처리) 가 진행된다. 시각 t16 ∼ t17 의 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 탑 플레이트 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 800 rpm 이다. 기판 (9) 으로부터 비산되는 약액은 제 2 가드 (42A) 의 내벽에 받아지고, 배출 포트 (44) 로부터 폐기된다.
다음으로, 시각 t18 ∼ t20 의 기간에 있어서, 제 1 처리 (114A) 가 실행된다. 제 1 처리 (114A) 에서는, 제 1 처리 (112) 와 동일하게, 순수 공급부 (814) 가, 상부 노즐 (181) 의 하면에 형성된 토출구 (814a) 로부터 회전되는 기판 (9) 의 상면 (91) 에, 순수 (즉, 린스액) 를 연속적으로 공급한다. 상면 (91) 에 착액한 순수는 그 기판 (9) 의 회전에 의해 기판 (9) 의 외주부로 넓어지고, 상면 (91) 상에 잔존하고 있던 약액 (예를 들어, SC1 액) 과 함께 기판 (9) 의 외주연으로부터 직경 방향 외측으로 비산된다. 기판 (9) 으로부터 비산되는 약액 및 순수는, 제 1 가드 (41A) 의 내벽에서 받아지고, 배출 포트 (44) 로부터 폐기된다. 이로써, 기판 (9) 의 상면 (91) 의 린스 처리와 함께, 제 1 가드 (41A) 의 내벽의 세정도 실질적으로 실시된다. 시각 t18 ∼ t20 의 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (9) 및 탑 플레이트 (5) 의 회전 속도는, 예를 들어 1200 rpm 이 된다.
또, 이 변형예에서는, 시각 t13 ∼ t14 의 기간에 상기 서술한 제 2 처리 (121) 와 동일한 제 2 처리 (121A) 가 실행되어, 시각 t18 ∼ t19 의 기간에 상기 서술한 제 2 처리 (121) 와 동일한 제 2 처리 (122A) 가 실행된다. 즉, 그 변형예에서는, 시각 t13 ∼ t14 및 시각 t18 ∼ t19 의 양방의 기간 (중복 기간) 에서 제 1 기간과 제 2 기간이 중복되고, 스루풋에 악영향을 주지 않고, 탑 플레이트 (5) (대향 부재 천개부 (511)) 의 하면 (513) 을 세정할 수 있다.
본 변형예와 같이 제 1 공급 공정이 기판 (9) 의 상면 (91) 에 린스액을 공급하는 복수의 린스 처리를 포함하는 경우, 그 복수의 린스 처리 중 적어도 일방의 린스 처리를 실행하는 기간과 제 2 기간이 중복하면 된다. 특히, 최후의 린스 처리를 실행하는 기간 (도 10 의 예에서는, 시각 t18 ∼ t20 의 기간) 과 제 2 기간이 중복되는 양태에서는, 그 기판 (9) 에 대한 액 처리가 완료될 때에 탑 플레이트 (5) (대향 부재 천개부 (511)) 의 하면 (513) 에 이물질이 부착되어 있을 가능성이 저감되고, 그 기판 (9) 을 반출할 때나 다음의 기판 (9) 을 반입할 때에 탑 플레이트 (5) (대향 부재 천개부 (511)) 의 하면 (513) 으로부터 기판 (9) 의 상면 (91) 에 이물질이 낙하하는 것을 억제할 수 있다.
또, 상기 실시형태에서는, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 순수를 공급하는 제 1 처리 (112) 와 탑 플레이트 (5) 의 하면 (513) 에 순수를 공급하는 제 2 처리 (121) 가 시간적으로 중복되는 양태에 대해 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 기판 (9) 의 상면 (91) 에 약액을 공급하는 제 1 처리 (111, 113) 와 탑 플레이트 (5) 의 하면 (513) 에 순수를 공급하는 제 2 처리 (121) 가 시간적으로 중복되는 양태이어도 된다.
또, 상기 실시형태에서는, 시간적으로 서로 중복되는 제 1 처리 (112) 와 제 2 처리 (121) 가 시각 t3 에 있어서 동시에 개시하는 양태에 대해 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제 1 처리 (112) 가 제 2 처리 (121) 보다 먼저 개시되어도 되고, 제 2 처리 (121) 가 제 1 처리 (112) 보다 먼저 개시되어도 된다. 제 1 처리 (112) 가 제 2 처리 (121) 보다 먼저 개시되는 경우, 먼저 개시된 제 1 처리 (112) 에 의해 기판 (9) 의 상면 (91) 이 처리액으로 덮여 있는 기간 중에 제 2 처리 (121) 가 실행됨으로써, 제 2 처리 (121) 에 의해 하면 (513) 으로부터 낙하하는 이물질 등이 직접적으로 기판 (9) 의 상면 (91) 에 부착할 가능성이 저감된다.
상기 실시형태에서는, 린스액으로서 순수를 이용하는 양태에 대해 설명했지만, 린스액으로서 순수 이외의 액체 (예를 들어, 탄산수) 가 이용되어도 된다.
기판 처리 장치 (1) 에서는, 반도체 기판 이외에, 액정 표시 장치, 플라즈마 디스플레이, FED (field emission display) 등의 표시 장치에 사용되는 유리 기판의 처리에 이용되어도 된다. 혹은, 기판 처리 장치 (1) 는, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판 및 태양 전지용 기판 등의 처리에 이용되어도 된다.
또, 기판 처리 장치 (1) 에서는, 상기 약액, 순수 및 IPA 이외의 처리액을 공급하는 다른 공급부가 형성되어도 된다. 또, 가스 공급부 (816) 로부터 공급되는 가스는, 질소 가스 이외의 가스이어도 된다.
이상, 실시형태 및 그 변형예에 관련된 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치에 대해 설명했지만, 이들은 본 발명의 바람직한 실시형태의 예로서, 본 발명의 실시의 범위를 한정하는 것은 아니다. 본 발명은, 그 발명의 범위 내에 있어서, 각 실시형태의 자유로운 조합, 혹은 각 실시형태의 임의의 구성 요소의 변형, 혹은 각 실시형태에 있어서 임의의 구성 요소의 생략이 가능하다.
1 : 기판 처리 장치
9 : 기판
33 : 기판 회전 기구
91 : 상면
92 : 하면
5 : 탑 플레이트
513 : 하면
154 : 테이퍼면
312 : 척
181 : 상부 노즐
111 ∼ 113, 111A ∼ 115A : 제 1 처리
121, 121A, 122A : 제 2 처리
131, 131A, 132A : 제 3 처리
812a ∼ 816a, 814b : 토출구
J1 : 중심축
S1 ∼ S5 : 스텝
t1 ∼ t7, t11 ∼ t22 : 시각

Claims (15)

  1. 기판 및 상기 기판의 상면과 대향하는 하면을 갖는 차단부를, 상기 상면에 직교하는 회전축 둘레로 회전시키는 회전 공정과,
    회전되는 상기 기판의 상기 상면을 향하여 처리액을 공급하는 1 이상의 제 1 처리를 포함하는 제 1 공급 공정과,
    회전되는 상기 차단부의 상기 하면을 향하여 린스액을 공급하는 1 이상의 제 2 처리를 포함하는 제 2 공급 공정을 가지며,
    상기 제 1 공급 공정을 실행하는 제 1 기간과 상기 제 2 공급 공정을 실행하는 제 2 기간이 중복되는 중복 기간이 존재하는, 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 1 이상의 제 1 처리는, 회전되는 상기 기판의 상기 상면을 향하여 린스액을 공급하는 린스 처리를 포함하고,
    상기 중복 기간은, 상기 린스 처리를 실행하는 기간과 상기 제 2 기간이 중복되는 기간인, 기판 처리 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 1 이상의 제 1 처리는, 복수의 상기 린스 처리를 포함하고,
    상기 중복 기간은, 상기 복수의 린스 처리 중 적어도 최후의 린스 처리를 실행하는 기간과 상기 제 2 기간이 중복되는 기간인, 기판 처리 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    시간적으로 서로 중복되는 상기 제 1 처리와 상기 제 2 처리에 있어서, 상기 제 1 처리의 처리 도중에서 상기 제 2 처리가 종료되는, 기판 처리 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    시간적으로 서로 중복되는 상기 제 1 처리와 상기 제 2 처리에 있어서, 상기 제 1 처리가 상기 제 2 처리보다 먼저 개시되는, 기판 처리 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    먼저 개시된 상기 제 1 처리에 의해 상기 기판의 상기 상면이 상기 처리액으로 덮여 있는 기간 중에, 상기 제 2 처리가 실행되는, 기판 처리 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    시간적으로 서로 중복되는 상기 제 1 처리와 상기 제 2 처리에 있어서, 상기 제 1 처리의 개시와 상기 제 2 처리의 개시가 동시인, 기판 처리 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 회전 공정은, 상기 제 1 공급 공정 및 상기 제 2 공급 공정 후에 실행되는 처리로서, 상기 제 1 공급 공정 및 상기 제 2 공급 공정시보다 빠르게 상기 기판 및 상기 차단부를 회전시키는 처리를 갖는, 기판 처리 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 상면과 상기 차단부의 상기 하면 사이의 공간에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급 공정을 추가로 갖는, 기판 처리 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 가스 공급 공정은, 적어도 상기 제 2 기간 후에 또한 상기 기판의 상기 상면이 상기 처리액으로 덮여 있는 기간 중에, 상기 공간에 상기 불활성 가스를 공급하는, 기판 처리 방법.
  11. 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부와,
    상기 기판의 상면과 대향하는 하면을 포함하는 차단부와,
    상기 기판의 중심을 통과하고 연직 방향으로 신장되는 회전축 둘레로 상기 기판 및 상기 차단부를 회전시키는 회전부와,
    평면에서 보아 상기 차단부의 중앙에 형성된 개구를 통해서, 회전되는 상기 기판의 상기 상면을 향하여 처리액을 공급하는 제 1 공급부와,
    상기 차단부의 상기 개구를 통해서, 회전되는 상기 차단부의 상기 하면을 향하여 린스액을 공급하는 제 2 공급부를 가지며,
    상기 제 1 공급부가 상기 처리액을 공급하는 제 1 기간과 상기 제 2 공급부가 상기 린스액을 공급하는 제 2 기간이 중복되는 중복 기간이 존재하는, 기판 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 공급부는, 상기 개구보다 하방에서 수평 방향으로 개구되는 토출구를 가지며, 그 토출구로부터 회전되는 상기 차단부의 상기 하면을 향하여 린스액을 공급하는, 기판 처리 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 차단부는, 상기 하면의 내주부로부터 중앙을 향하여 경사 상방으로 신장된 테이퍼면을 추가로 포함하고,
    상기 제 2 공급부의 토출구는 상기 테이퍼면에 대향하는, 기판 처리 장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 차단부는, 상기 기판의 상기 상면과 상기 차단부의 상기 하면 사이의 공간의 측방 부분을 막는 폐색부를 추가로 포함하는, 기판 처리 장치.
  15. 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 차단부의 상기 개구를 통해서, 상기 기판의 상기 상면과 상기 차단부의 상기 하면 사이의 공간에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부를 추가로 갖는, 기판 처리 장치.
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