TWI569349B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種對半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用玻璃基板、太陽電池用基板等(以下，簡稱為「基板」)實施處理之技術。
自先前以來，存在對旋轉之基板供給處理液，對基板實施液體處理之基板處理裝置(例如，參照專利文獻1~3)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平7-115081號公報
[專利文獻2]日本專利特開2000-235948號公報
[專利文獻3]日本專利特開2002-359220號公報參照
在對基板實施液體處理時，存在各種各樣之問題。例如，於對基板之一部分(例如，基板之表面上之形成有器件圖案之區域(器件區域)之外側之區域(表面周緣部))供給處理液，將基板之該一部分進行液體處理之情形時，存在供給至基板之處理液之一部分附著於未成為 處理對象之區域(例如，器件區域)招致問題之情形。
該發明之目的在於提供一種於對基板實施液體處理時，可執行適當之處理之技術。
第1態樣係一種基板處理裝置，其包含：基板保持部，其係一面以水平姿勢保持基板，一面使該基板圍繞穿過其面內之中心之鉛直之旋轉軸進行旋轉；防護構件，其係沿著上述基板之表面周緣部之至少一部分之形狀，且配置於與由上述基板保持部所保持之基板之表面周緣部以非接觸狀態接近之位置；護罩，其係上端開放之筒形狀之構件，且以整體地包圍由上述基板保持部保持之基板與上述防護構件之方式設置；及噴嘴，其係配置於夾著上述防護構件之至少一部分相對於上述護罩之相反側，且對由上述基板保持部保持之上述基板之表面周緣部噴出處理液。
第2態樣係如第1態樣之基板處理裝置，其中上述防護構件之下表面之至少一部分係與上述表面周緣部對向地配置。
第3態樣係如第1或第2態樣之基板處理裝置，其中上述防護構件之下表面係配置於與上述噴嘴中之上述處理液之噴出面相同之高度位置、或低於上述噴出面之位置。
第4態樣係如第1至第3之任一態樣之基板處理裝置，其中上述防護構件之下表面係配置於與上述護罩之上端緣部之下表面相同之高度位置、或低於上述下表面之位置。
第5態樣係如第1至第4之任一態樣之基板處理裝置，其中上述防護構件係沿著上述基板之表面周緣部之整周之環狀構件。
第6態樣係如第5態樣之基板處理裝置，其中上述防護構件係藉由將相互獨立分開地構成之複數個弧狀構件設為其周向之端面彼此相互地抵接之狀態而形成，且於上述基板保持部未保持基板之期間，將 上述複數個弧狀構件之各者與其他弧狀構件相隔地配置於基板之搬出入路徑之外側之避讓位置。
第7態樣係如第6態樣之基板處理裝置，其中於上述基板保持部未保持基板之期間，將上述護罩配置於其上端緣部相較上述基板保持部之上表面來到下方之避讓位置，且上述複數個弧狀構件各自之上述避讓位置係相較上述基板保持部之上表面為下側之位置，且自上方觀察相較上述護罩之上端緣部為外側之位置。
第8態樣係如第6或第7態樣之基板處理裝置，其包括：升降驅動部，其使上述複數個弧狀構件之各者沿鉛直軸升降移動；及進退驅動部，其使上述複數個弧狀構件之各者於水平面內在與其他弧狀構件接近遠離之方向上進退移動。
第9態樣係如第1至第8之任一態樣之基板處理裝置，其中上述防護構件係包含本體部、及自上述本體部之外周壁伸出之簷部，且上述本體部之外周壁係一面與上述護罩之上端緣部以非接觸之狀態接近，一面沿著上述上端緣部之至少一部分延伸，且上述本體部之外周壁與上述護罩之上端緣部之間之間隙被上述簷部覆蓋。
第10態樣係如第1至第9之任一態樣之基板處理裝置，其中上述防護構件係包含將上述噴嘴之至少一部分收容之切口。
第11態樣係一種基板處理方法，其包含如下步驟：a)使基板保持部以水平姿勢保持基板；b)將沿著上述基板之表面周緣部之至少一部分之形狀之防護構件，配置於與上述表面周緣部以非接觸狀態接近之位置；c)將上端開放之筒形狀之護罩以整體地包圍上述基板與上述防護構件之方式配置；d)於夾著上述防護構件之至少一部分相對於上述護罩為相反側之位置，配置噴嘴；e)使由上述基板保持部保持之基板旋轉，並且自上述噴嘴使處理液噴出至上述基板之表面周緣部。
第12態樣係一種基板處理裝置，其包含：基板保持部，其係一 面以水平姿勢保持基板，一面使該基板圍繞穿過其面內之中心之鉛直之旋轉軸進行旋轉；周緣部用噴出頭，其對由上述基板保持部保持之上述基板之表面周緣部，噴出處理液；背面處理部，其對由上述基板保持部保持之上述基板之背面，噴出處理液；及控制部，其係控制上述基板保持部、上述周緣部用噴出頭、及上述背面處理部；上述控制部係於使上述周緣部用噴出頭，朝向由上述基板保持部保持著進行旋轉之上述基板之表面周緣部噴出處理液之後，使上述背面處理部朝向上述基板之背面噴出處理液。
第13態樣係如第12態樣之基板處理裝置，其中上述控制部係於停止自上述周緣部用噴出頭噴出處理液之後且開始自上述背面處理部噴出處理液之前，使上述基板保持部降低上述基板之旋轉速度。
第14態樣係如第12或第13態樣之基板處理裝置，其包括：防護構件，其係沿著上述基板之表面周緣部之至少一部分之形狀，且配置在與由上述基板保持部保持之上述基板之表面周緣部以非接觸狀態接近之位置；及護罩，其係上端開放之筒形狀之構件，且以整體地包圍由上述基板保持部保持之上述基板與上述防護構件之方式設置；上述周緣部用噴出頭係配置於夾著上述防護構件之至少一部分相對於上述護罩為相反側之位置，且朝向上述表面周緣部噴出處理液。
第15態樣係一種基板處理方法，其包括如下步驟：a)使基板保持部以水平姿勢保持基板；b)使由上述基板保持部保持之上述基板圍繞穿過其面內之中心之鉛直之旋轉軸開始旋轉；c)朝向由上述基板保持部保持著進行旋轉之上述基板之表面周緣部，噴出處理液；d)於上述c)步驟之後，朝向由上述基板保持部保持著進行旋轉之上述基板之背面，噴出處理液。
第16態樣係如第15態樣之基板處理方法，其包括e)於上述c)步驟之後且上述d)步驟之前，使由上述基板保持部保持之上述基板之旋轉 速度降低之步驟。
第17態樣係如第15或第16態樣之基板處理方法，其中於上述a)步驟之後且上述b)步驟之前，包含如下步驟：f)將沿著由上述基板保持部保持之上述基板之表面周緣部之至少一部分之形狀之防護構件，配置於與上述表面周緣部以非接觸狀態接近之位置；g)將上端開放之筒形狀之護罩，以整體地包圍由上述基板保持部保持之上述基板與上述防護構件之方式配置；h)在夾著上述防護構件之至少一部分相對於上述護罩為相反側之位置，配置上述周緣部用噴出頭。
第18態樣係一種基板處理裝置，其包含：旋轉底座，其係以旋轉軸為中心在水平面內旋轉；保持部，其係將基板保持於上述旋轉底座之上方；及下表面處理部，其係朝向由上述保持部保持之上述基板之下表面，噴出處理液；上述保持部包括：複數個第1抵接構件，其等係自基板之斜下方抵接於上述基板，以水平姿勢將上述基板保持於與上述旋轉底座之上表面相隔之位置；複數個第2抵接構件，其等係自基板之側方抵接於上述基板，以水平姿勢將上述基板保持於與上述旋轉底座之上表面相隔之位置；及切換部，其將上述複數個第1抵接構件保持基板之第1保持狀態、與上述複數個第2抵接構件保持基板之第2保持狀態進行切換；於上述第2保持狀態下，上述第1抵接構件與基板相隔，且於上述第1保持狀態下，基板之上表面位於與上述第1抵接構件之上端相比更高之位置，且，上述第2抵接構件與上述基板相隔。
第19態樣係如第18態樣之基板處理裝置，其中於基板之旋轉速度小於既定之閾值之情形時，上述複數個第1抵接構件保持上述基板，且於基板之旋轉速度為上述閾值以上之情形時，上述複數個第2抵接構件保持上述基板。
第20態樣係如第18或第19態樣之基板處理裝置，其中上述第1抵 接構件具備與底面平行地將圓錐體之上部切除所得之形狀部分，且上述第1抵接構件於上述圓錐體之傾斜之側面中，與上述基板抵接。
第21態樣係如第20態樣之基板處理裝置，其中上述圓錐體之傾斜之側面與水平面所成之角度為45°以上。
第22態樣係如第18至第21之任一態樣之基板處理裝置，其中上述第1抵接構件之表面為疏水性。
第23態樣係如第18至第22之任一態樣之基板處理裝置，其中上述切換部係藉由使上述複數個第2抵接構件之各者在與上述旋轉底座上之基板之周緣接近遠離之方向上移動，而實施上述第1保持狀態與上述第2保持狀態間之切換。
第24態樣係如第18至第23之任一態樣之基板處理裝置，其中自對上述基板處理裝置進行基板之搬出入之搬送機器人移載至上述旋轉底座上之基板係首先被上述複數個第1抵接構件保持。
第25態樣係一種基板處理方法，其包括如下步驟：a)使複數個第1抵接構件自基板之斜下方抵接於上述基板，並且使複數個第2抵接構件與上述基板相隔，以水平姿勢將上述基板保持於與旋轉底座之上表面相隔之位置；b)一面使被上述複數個第1抵接構件保持之上述基板以第1旋轉速度旋轉，一面對上述基板之下表面供給處理液；c)於上述b)步驟之後，使複數個第2抵接構件自上述基板之側方抵接於上述基板，並且使上述複數個第1抵接構件與上述基板相隔，以水平姿勢將上述基板保持於與上述旋轉底座之上表面相隔之位置；d)使被上述複數個第2抵接構件保持之上述基板以大於第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉；被上述複數個第1抵接構件保持之基板之上表面位於與上述第1抵接構件之上端相比更高之位置。
第26態樣係一種基板處理裝置，其包含：基板保持部，其係一面將基板保持為水平姿勢，一面使該基板圍繞穿過其面內之中心之鉛 直之旋轉軸進行旋轉；及周緣部用處理頭，其對由上述基板保持部保持之基板之表面周緣部進行處理；上述周緣部用處理頭包括朝向上述表面周緣部噴出處理液之處理液噴嘴、及與上述處理液噴嘴建立對應關係，吸引上述表面周緣部上之多餘之上述處理液之吸引管。
第27態樣係如第26態樣之基板處理裝置，其中上述周緣部用處理頭係包含一體地支持上述處理液噴嘴與上述吸引管之支持部。
第28態樣係如第26或第27態樣之基板處理裝置，其中於上述周緣部用處理頭，將上述吸引管配置在上述處理液噴嘴之附近且與上述處理液噴嘴相比之上述基板之旋轉方向之下游側。
第29態樣係如第26或第27態樣之基板處理裝置，其中於上述周緣部用處理頭，將上述吸引管配置在上述處理液噴嘴之附近且與上述處理液噴嘴相比之上述基板之旋轉方向之上游側。
第30態樣係如第26至第29之任一態樣之基板處理裝置，其中上述吸引管係於其前端開口之吸引口配置在與上述表面周緣部對向之吸引位置之狀態下，上述吸引口處之上述基板之中心側之端相較上述表面周緣部中之應使上述處理液進行作用之區域之內緣位置位於基板之端面側。
第31態樣係如第26至第30之任一態樣之基板處理裝置，其中上述吸引管係於其前端開口之吸引口配置在與上述表面周緣部對向之吸引位置之狀態下，上述吸引口處之上述基板之端面側之端相較上述基板之端面位於內側。
第32態樣係如第26至第31之任一態樣之基板處理裝置，其中上述處理液噴嘴係朝向上述基板上之第1位置噴出上述處理液，且上述吸引管自相較上述第1位置為基板之端面側之第2位置吸引上述處理液。
第33態樣係如第26至第32之任一態樣之基板處理裝置，其中上 述周緣部用處理頭係包括朝向上述表面周緣部噴出氣體之氣體噴嘴。
第34態樣係如第26至第33之任一態樣之基板處理裝置，其包括控制上述周緣部用處理頭之控制部，且上述控制部一面朝向旋轉之基板之表面周緣部，自上述處理液噴嘴噴出處理液，一面使上述吸引管吸引上述表面周緣部上之多餘之上述處理液。
第35態樣係一種基板處理方法，其包括如下步驟：a)一面將基板保持為水平姿勢，一面使該基板圍繞穿過其面內之中心之鉛直之旋轉軸進行旋轉；b)朝向旋轉之上述基板之表面周緣部，噴出處理液；c)與上述b)步驟並行地吸引上述表面周緣部上之多餘之上述處理液。
根據第1、第11之態樣，噴嘴與護罩之間之空間之至少一部分係被防護構件填滿。根據該構成，自基板飛散之處理液之霧等所能懸浮之空間減小了相當於被防護構件填滿之空間量，從而相應於該空間變小之量，處理液之霧等再次附著於基板之可能性降低。即，可抑制自基板飛散之處理液之一部分再次附著於基板。
根據第2態樣，防護構件之下表面之至少一部分係與由基板保持部保持之基板之表面周緣部對向地配置。根據該構成，自基板飛散之處理液沿著防護構件之下表面，被導向護罩內。因而，可充分地抑制該飛散之處理液再次附著於基板。
根據第3態樣，防護構件之下表面係配置於與噴嘴中之處理液之噴出面相同之高度位置、或低於該噴出面之位置。根據該構成，可特別有效地抑制自基板飛散之處理液再次附著於基板。
根據第4態樣，防護構件之下表面係配置於與護罩之上端緣部之下表面相同之高度位置、或低於該下表面之位置。根據該構成，可特別有效地抑制自基板飛散之處理液再次附著於基板。
根據第5態樣，防護構件係沿著基板之表面周緣部之整周的環狀 構件。根據該構成，可遍及基板之周向之整體地抑制自基板飛散之處理液再次附著於基板。
根據第6態樣，防護構件係藉由將相互獨立分開地構成之複數個弧狀構件設為其周向之端面彼此相互地抵接之狀態而形成。而且，在基板未被基板保持部保持之期間，各弧狀構件設為彼此相隔之狀態，且配置於基板之搬出入路徑之外側之避讓位置。根據該構成，可使防護構件簡易地避讓至基板之搬出入路徑之外側。
根據第7態樣，在基板未被基板保持部保持之期間，護罩及各弧狀構件係配置於相較基板保持部之上表面為下方之避讓位置。根據該構成，可藉由一面對未保持基板之基板保持部供給洗浄液，一面使基板保持部旋轉，而將基板保持部、護罩、及各弧狀構件集中地洗浄。
根據第9態樣，本體部之外周壁與護罩之上端緣部之間之間隙係被簷部所覆蓋。根據該構成，在該間隙流向上方到達基板之所謂處理液之飛散路徑被簷部所遮斷，因此，可充分地抑制自基板飛散之處理液再次附著於基板。
根據第10態樣，噴嘴之至少一部分係收容於防護構件之切口。根據該構成，可使防護構件與噴嘴不產生干涉地將噴嘴配置於基板之表面周緣部之上方。
根據第12、第15態樣，由於在基板被基板保持部保持之狀態下，連續地實施對該基板之表面周緣部之處理、及對該基板之背面之處理，因此，可一面抑制處理量之低下，一面處理基板之表面周緣部與背面之兩者。另一方面，根據第12、第15態樣，由於分別朝向基板之表面周緣部與基板之背面，噴出處理液，因此，可穩定地控制保持在表面周緣部與背面之各者之處理液之量。又，根據第12、第15態樣，由於在對表面周緣部供給處理液之後，朝向背面供給處理液，因此，即便供給至表面周緣部之處理液自基板飛散而附著於背面，亦可 於此後，藉由供給至基板之背面之處理液而使該附著之處理液流掉。因而，可適當地處理表面周緣部與背面之兩者。如此一來，根據第12、第5之態樣，可一面抑制處理量之低下，一面適當地處理表面周緣部與背面之兩者。
根據第13、第16之態樣，於朝向背面噴出處理液之前，使基板之旋轉速度下降。即，於對表面周緣部供給處理液之期間，以相對高速使基板旋轉，於對背面供給處理液之期間，以相對低速使基板旋轉。根據該構成，可抑制對表面周緣部所供給之處理液進入器件區域，並且，亦抑制供給至背面之處理液迂迴至基板之表面而進入器件區域。
根據第14、第17態樣，周緣部用噴出頭與護罩之間之空間之至少一部分係被防護構件填滿。根據該構成，自基板飛散之處理液之霧等所能懸浮之空間減小了相當於被防護構件填滿之空間量，從而相應於該空間變小之量，處理液之霧等再次附著於基板之可能性降低。即，可抑制自基板飛散之處理液之一部分再次附著於基板。
根據第18、第25態樣，於複數個第1抵接構件保持基板之第1保持狀態下，基板之上表面位於相較第1抵接構件之上端更高之位置，且，第2抵接構件與基板相隔。因而，於該第1保持狀態下，供給至基板之下表面之處理液不易順著第1抵接構件迂迴至基板之上表面，且即便順著第2抵接構件亦不易迂迴至基板之上表面。即，可抑制供給至基板之下表面之處理液迂迴至基板之上表面。
根據第19態樣，以小於閾值之旋轉速度進行旋轉之基板係由複數個第1抵接構件所保持，且以閾值以上之旋轉速度進行旋轉之基板係由複數個第2抵接構件所保持。基板之旋轉速度越小，則供給至基板之下表面之處理液越不易因離心力而被吹洩，因此，於該處理液容易迂迴至基板之上表面時，此處係使基板以相對低速進行旋轉時，被 設為複數個第1抵接構件保持基板之第1保持狀態，因此，可抑制供給至該基板之下表面之處理液迂迴至基板之上表面。另一方面，於基板之旋轉速度越大，則基板越容易在水平面內引起位置偏移時，此處係使基板以相對高速進行旋轉時，被設為複數個第2抵接構件保持基板之第2保持狀態，因此，可避免該基板在水平面內引起位置偏移。
根據第20態樣，第1抵接構件係於圓錐體之傾斜之側面，與基板抵接。根據該構成，於第1抵接構件保持基板之第1保持狀態下，被引向基板之下表面與該傾斜之側面之間隙空間之液體容易順著該傾斜之側面掉落至下方。即，在該間隙空間難以形成蓄積液體。因而，可抑制在該間隙空間產生蓄積液體從而蓄積液體迂迴至基板之上表面之類事態之產生。進而，由於形成被供給至基板之下表面之處理液順著該傾斜之側面掉落至下方之所謂處理液之液流(即，將供給至基板之下表面之處理液導向下方之處理液之液流)，因此，可將供給至基板之下表面之處理液不迂迴至上表面地快速自基板去除。
根據第21態樣，第1抵接構件之斜側之側面與水平面所成之角度為45°以上。根據該構成，於第1抵接構件保持基板之第1保持狀態下，被引向基板之下表面與該傾斜之側面之間隙空間之液體快速地順著該傾斜之側面掉落至下方。因而，可充分地抑制在該間隙空間產生蓄積液體從而蓄積液體迂迴至基板之上表面之類事態之產生，並且可將供給至基板之下表面之處理液不迂迴至上表面地自基板9尤其快速地去除。
根據第22態樣，第1抵接構件之表面為疏水性。根據該構成，處理液不易附著於第1抵接構件，從而在基板之下表面與第1抵接構件之間隙空間不易形成蓄積液體。因而，可抑制在該間隙空間產生蓄積液體從而蓄積液體迂迴至基板之上表面之類事態之產生。
根據第23態樣，藉由使複數個第2抵接構件在與基板之周緣接近 遠離之方向上移動，而進行第1保持狀態與第2保持狀態間之切換。根據該構成，可簡易且快速地進行第1保持狀態與第2保持狀態間之切換。
根據第26態樣，可藉由使吸引管吸引自處理液噴嘴供給至表面周緣部上之多餘之處理液，而將該多餘之處理液自表面周緣部去除。其結果，可抑制表面周緣部上之多餘之處理液擴散至基板之中心側。
根據第27態樣，於周緣部用處理頭中，吸引管與處理液噴嘴被一體地支持。根據該構成，自旋轉之基板之表面周緣部內之各位置觀察，可將吸引管與處理液噴嘴一體地相對移動。因而，來自處理液噴嘴之處理液之供給時序與來自吸引管之處理液之吸引時序在表面周緣部內之所有之位置變得相等。藉此，可抑制保持在表面周緣部內之各位置之處理液之量之增減態樣出現不均。甚而，可對表面周緣部內之各位置均勻地進行處理。
根據第28態樣，於周緣部用處理頭，吸引管配置在對應之處理液噴嘴之附近且與該處理液噴嘴相比之基板之旋轉方向之下游側。根據該構成，於旋轉之基板之表面周緣部內之各位置，可在剛自處理液噴嘴供給新處理液之後，自吸引管吸引供給至該位置之多餘之處理液。藉此，可將保持在表面周緣部內之各位置之處理液之量始終維持為必要且充分之量。甚而，可精度較佳地控制表面周緣部中之處理液進行作用之區域之內緣位置。
根據第29態樣，於周緣部用處理頭，吸引管配置在對應之處理液噴嘴之附近且與該處理液噴嘴相比之基板之旋轉方向之上游側。根據該構成，可將自處理液噴嘴所供給且流向基板之旋轉方向之上游側之多餘之處理液自吸引管吸引而自表面周緣部去除。其結果，可抑制表面周緣部上之多餘之處理液擴散至基板之中心側。進而，根據該構成，可將一周前自處理液噴嘴供給且基板旋轉一周之期間內未脫去之 舊處理液自吸引管吸引之後，對該位置自處理液噴嘴供給新處理液。藉此，可抑制重新供給之處理液與表面周緣部上之舊處理液碰撞，導致處理液進入器件區域之類事態之產生。
根據第30態樣，於吸引管配置在吸引位置之狀態下，吸引口處之基板之中心側之端相較表面周緣部中之應使處理液進行作用之區域之內緣位置，位於基板之端面側。根據該構成，可使吸引壓作用於與應使處理液進行作用之區域之內緣位置相比之基板之端面側。因而，可抑制處理液溢出至應使該處理液進行作用之區域之內側。
根據第31態樣，於吸引管配置在吸引位置之狀態下，吸引口處之基板之端面側之端相較基板之端面位於內側。根據該構成，可使吸引壓有效地作用於處理液。
根據第32態樣，朝向基板上之第1位置噴出處理液，且自相較該第1位置為基板之端面側之第2位置，吸引多餘之處理液。根據該構成，表面周緣部上之多餘之處理液將自基板之內側朝向外側流動，且被吸引管吸引，因此，可充分地抑制表面周緣部上之多餘之處理液擴散至基板之中心側。
根據第33態樣，可將自處理液噴嘴供給至表面周緣部之舊處理液利用自氣體噴嘴噴出之氣體而去除。藉此，可抑制重新供給之處理液與表面周緣部上之舊處理液碰撞，導致處理液進入器件區域之類事態之產生。
根據第34、第35態樣，與朝向旋轉之基板之表面周緣部噴出處理液並行地，吸引表面周緣部上之多餘之處理液。根據該構成，可一面避免處理效率之低下，一面抑制表面周緣部上之多餘之處理液擴散至基板之中心側。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧旋轉夾頭
3‧‧‧防飛散部
4‧‧‧表面保護部
5‧‧‧周緣處理部
6、6a、6b‧‧‧抑制濺液部
7‧‧‧加熱處理部
8‧‧‧背面處理部
9‧‧‧基板
10‧‧‧基板處理裝置群
11‧‧‧殼體
12‧‧‧搬出入口
21‧‧‧旋轉底座
22‧‧‧旋轉軸部
23‧‧‧旋轉驅動部
24‧‧‧外殼
25‧‧‧保持構件
31‧‧‧護罩
32‧‧‧護罩驅動機構
41‧‧‧保護氣體噴嘴
42‧‧‧支臂
43‧‧‧噴嘴基台
44‧‧‧驅動部
45‧‧‧保護氣體供給部
50‧‧‧噴嘴
50a‧‧‧第1藥液噴嘴
50b‧‧‧第2藥液噴嘴
50c‧‧‧淋洗液噴嘴
50d‧‧‧氣體噴嘴
51‧‧‧周緣部用噴出頭
52‧‧‧支臂
53‧‧‧噴嘴基台
54‧‧‧驅動部
55‧‧‧流體供給部/周緣部用流體供給部
56‧‧‧吸引壓形成部
60、60a‧‧‧防護構件
61、62‧‧‧半圓弧構件
61a、62a‧‧‧一對半圓弧構件
63‧‧‧半圓弧構件驅動部
64‧‧‧本體部
65‧‧‧簷部
66‧‧‧弧狀構件
71‧‧‧蒸汽噴嘴
72‧‧‧蒸汽供給部
81‧‧‧供給管
82‧‧‧背面側噴出口
83‧‧‧背面用處理液供給部
90‧‧‧器件區域
91‧‧‧基板之表面
92‧‧‧基板之背面
93‧‧‧基板之端面
100‧‧‧基板處理系統
110‧‧‧裝載單元
111‧‧‧載具台
112、121‧‧‧機械手
113、122‧‧‧機械手驅動機構
120‧‧‧處理單元
130‧‧‧控制部
200‧‧‧切換部
210‧‧‧第1抵接構件
211‧‧‧基體部分
212‧‧‧前端部分
220‧‧‧第2抵接構件
221‧‧‧第2抵接構件之基體部分
222‧‧‧第2抵接構件下方抵接部分
223‧‧‧第2抵接構件側方抵接部分
230‧‧‧切換部
231‧‧‧基台
232‧‧‧旋動軸部
233‧‧‧驅動部
234‧‧‧切換控制部
241‧‧‧凸緣狀構件
301‧‧‧外構件之上端緣部
311‧‧‧內構件
311a‧‧‧內構件之底部
311b‧‧‧內構件之內壁部
311c‧‧‧內構件之外壁部
311d‧‧‧內構件之引導壁
312‧‧‧中構件
312a‧‧‧中構件之內周壁部
312b‧‧‧中構件之外周壁部
312c‧‧‧中構件之底部
312d‧‧‧中構件之外壁部
313‧‧‧外構件
313a‧‧‧外構件之內周壁部
451、551d‧‧‧氮氣供給源
452、552a、552b、552c、552d、832a、832b、832c、832d‧‧‧配管
453、553a、553b、553c、553d、833a、833b、833c、833d‧‧‧開關閥
500‧‧‧周緣部用噴出頭之支持部
501‧‧‧噴嘴本體部
501‧‧‧噴出嘴
501a‧‧‧第1藥液噴嘴
501b‧‧‧第2藥液噴嘴
501c‧‧‧淋洗液噴嘴
501d‧‧‧氣體噴嘴
502‧‧‧噴出面
502‧‧‧吸引管
502a‧‧‧第1吸引管
501b‧‧‧第2吸引管
503‧‧‧導入流路部
504‧‧‧噴出流路部
505‧‧‧噴出口
511‧‧‧噴嘴本體部
512‧‧‧噴出面
513‧‧‧導入流路部
514‧‧‧噴出流路部
515‧‧‧噴出口
521‧‧‧吸引口
551a‧‧‧酸系藥液供給源
551b‧‧‧鹼系藥液供給源
551c‧‧‧淋洗液供給源
561‧‧‧吸引源
562‧‧‧配管
563‧‧‧開關閥
601‧‧‧防護構件之內周壁
602‧‧‧防護構件之下表面
603‧‧‧防護構件之外周壁
604‧‧‧防護構件之上表面
605‧‧‧防護構件之切口
631‧‧‧升降驅動部
632‧‧‧進退驅動部
643‧‧‧本體部之外周壁
651‧‧‧簷部之外周緣
652‧‧‧簷部之下表面
661‧‧‧弧狀構件之內周壁
662‧‧‧弧狀構件之下表面
663‧‧‧弧狀構件之外周壁
664‧‧‧弧狀構件之上表面
665‧‧‧弧狀構件之切口
721‧‧‧蒸汽供給源
722‧‧‧配管
723‧‧‧開關閥
831aSC-1‧‧‧供給源
831b‧‧‧DHF供給源
831cSC-2‧‧‧供給源
831d‧‧‧淋洗液供給源
901‧‧‧中心層
902‧‧‧下層膜
903‧‧‧上層膜
911‧‧‧基板之表面周緣部
921‧‧‧基板之背面周緣部
2120‧‧‧前端部分之傾斜側面
2121‧‧‧前端部分之上端面
2220‧‧‧傾斜面
2230‧‧‧鉛直側面
3011‧‧‧護罩之上端緣部之下表面
3012‧‧‧護罩之上端緣部之上表面
5041‧‧‧鉛直流路部分
5042‧‧‧傾斜流路部分
5141‧‧‧鉛直流路部分
5142‧‧‧傾斜流路部分
5211‧‧‧吸引口之內側端
5212‧‧‧吸引口之外側端
6051‧‧‧切口之與下表面相連之壁面部分
AR1‧‧‧第1方向
AR2‧‧‧第2方向
AR9‧‧‧旋轉方向
C‧‧‧載具
CR‧‧‧搬送機器人
d‧‧‧寬度
h‧‧‧分隔距離
IR‧‧‧基板搬送裝置(移載機器人)
K、K1、K2‧‧‧箭頭
m‧‧‧分隔距離
P‧‧‧基板交接位置
Qa、Qb、Qc、Qd‧‧‧目標噴出位置
Ra、Rb‧‧‧目標吸引位置
T‧‧‧閾值
V‧‧‧間隙空間
圖1係模式性表示基板處理系統之概略俯視圖。
圖2係表示成為處理對象之基板之周緣部附近之剖面圖。
圖3係基板處理裝置之概略立體圖。
圖4係基板處理裝置之概略立體圖。
圖5係用以說明基板處理裝置之構成之模式圖。
圖6係周緣部用噴出頭之立體圖。
圖7係模式性表示噴嘴之前端附近之構成之側剖面圖。
圖8係模式性表示周緣部用噴出頭所具備之一群噴嘴之目標噴出位置之一例之圖。
圖9係自基板之旋轉方向之下游側觀察周緣部用噴出頭所得之圖。
圖10係自基板之旋轉方向之下游側觀察周緣部用噴出頭所得之圖。
圖11係防護構件之立體圖。
圖12係自上方觀察護罩、防護構件、及周緣部用噴出頭配置在各個處理位置之狀態所得之俯視圖。
圖13係自箭頭K觀察圖12所得之側剖面圖。
圖14係表示利用基板處理裝置所執行之動作之整體流程之圖。
圖15係表示預處理之流程之圖。
圖16係用以說明預處理之圖。
圖17係表示表面周緣處理之流程之圖。
圖18係用以說明表面周緣處理之圖。
圖19係表示背面處理等之流程之圖。
圖20係用以說明背面處理等之圖。
圖21係第1變化例之防護構件之立體圖。
圖22係自上方觀察護罩、第1變化例之防護構件、及周緣部用噴出頭配置在各個處理位置之狀態所得之俯視圖。
圖23係自箭頭K1觀察圖22所得之側剖面圖。
圖24係自上方觀察護罩、第2變化例之抑制濺液部、及周緣部用噴出頭配置在各個處理位置之狀態所得之俯視圖。
圖25係自箭頭K2觀察圖24所得之側剖面圖。
圖26係基板處理裝置之概略立體圖。
圖27係基板處理裝置之概略立體圖。
圖28係用以說明基板處理裝置之構成之模式圖。
圖29係自斜上方觀察旋轉底座所得之立體圖。
圖30係自側方觀察第1抵接構件所得之圖。
圖31係自側方觀察第2抵接構件所得之圖。
圖32係表示第1保持狀態之俯視圖。
圖33係自箭頭K1方向觀察圖32所得之側剖面。
圖34係表示第2保持狀態之俯視圖。
圖35係自箭頭K1方向觀察圖34所得之側剖面。
圖36係表示預處理之流程之圖。
圖37係表示背面處理等之流程之圖。
圖38係用以說明基板處理裝置之構成之模式圖。
圖39係周緣部用處理頭之立體圖。
圖40係模式性表示噴出嘴之前端附近之構成之側剖面圖。
圖41係模式性表示吸引管之前端附近之構成之側剖面圖。
圖42係模式性表示目標噴出位置與目標吸引位置之配置例之圖。
圖43係自基板之旋轉方向之下游側觀察周緣部用處理頭所得之圖。
圖44係自基板之旋轉方向之下游側觀察周緣部用處理頭所得之圖。
圖45係用以說明表面周緣處理之圖。
圖46係變化例之周緣部用處理頭之立體圖。
以下，一面參照圖式，一面對實施形態進行說明。以下之實施形態係將本發明具體化之一例，且並非將本發明之技術性範圍進行限定之案例。又，以下所參照之各圖中，為便於理解，而存在將各部之尺寸或數量誇張或簡化地進行圖示之情形。
《第1實施形態》
<1.基板處理系統100>
<1-1.構成>
對於基板處理系統100之構成，一面參照圖1一面進行說明。圖1係模式性表示基板處理系統100之概略俯視圖。
基板處理系統100係將複數片基板9逐片地進行連續處理之系統。於以下之說明中，在基板處理系統100被作為處理對象之基板9設為例如圓形之半導體晶圓。
基板處理系統100包含：並排設置之複數個單元(處理區塊)(具體而言為裝載單元110及處理單元120)、及對該複數個單元110、120所具備之各動作機構等進行控制之控制部130。
<裝載單元110>
裝載單元110係用以將自裝置外接收之未處理之基板9轉交給處理單元120，並且將自處理單元120所接收之處理過之基板9搬出至裝置外之單元。裝載單元110係包含載置複數個載具C之載具台111、及對各載具C進行基板9之搬出入之基板搬送裝置(移載機器人)IR。
對於載具台111，將收納未處理之基板9之載具C自裝置外部利用OHT(Overhead Hoist Transfer，懸吊式自動搬運車)等搬入進行載置。未處理之基板9係自載具C逐片地取出，於裝置內進行處理，且將裝 置內處理已結束之處理過之基板9再次收納於載具C。收納處理過之基板9之載具C係藉由OHT等而搬出至裝置外部。如此般，載具台111作為將未處理之基板9及處理過之基板9進行集成之基板積體部發揮作用。再者，作為載具C之形態，既可為將基板9收納於密閉空間之FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶圓傳送盒)，亦可為SMIF(Standard Mechanical Inter Face，標準機械介面)晶圓盒、或將被收納之基板9曝露於外部大氣之OC(Open Cassette，開放式匣盒)。
移載機器人IR具備藉由自下方支持基板9而以水平姿勢(基板9之主面為水平之姿勢)保持基板9之機械手112、及將機械手112驅動之機械手驅動機構113。移載機器人IR係自載置於載具台111之載具C將未處理之基板9取出，且將該取出之基板9於基板交接位置P轉交給搬送機器人CR(下文描述)。又，移載機器人IR係於基板交接位置P自搬送機器人CR接收處理過之基板9，且將該接收之基板9收納於載置在載具台111上之載具C中。
<處理單元120>
處理單元120係用以處理基板9之單元。處理單元120係包含複數個基板處理裝置1、及對該複數個基板處理裝置1進行基板9之搬出入之基板搬送裝置(搬送機器人CR)。此處，將複數個(例如3個)基板處理裝置1在鉛直方向上進行積層，構成1個基板處理裝置群10。繼而，將複數個(圖示之例為4個)基板處理裝置群10以包圍搬送機器人CR之方式群集狀(腔室狀)地設置。
複數個基板處理裝置1之各者係包括在內部形成處理空間之殼體11。於殼體11，形成有用以使搬送機器人CR之機械手121插入至殼體內部之搬出入口12，且基板處理裝置1以使該搬出入口12對向之方式配置於配置有搬送機器人CR之空間。對於基板處理裝置1之具體構成，隨後進行說明。
搬送機器人CR係包含藉由自下方支持基板9而以水平姿勢保持基板9之機械手121、及將機械手121驅動之機械手驅動機構122。其中，如上所述，搬送機器人CR(具體而言為搬送機器人CR之基台)係配置於由複數個基板處理裝置群10所包圍之空間之中央。搬送機器人CR係自被指定之基板處理裝置1將處理過之基板9取出，且將該取出之基板9於基板交接位置P轉交給移載機器人IR。又，搬送機器人CR係於基板交接位置P自移載機器人IR接收未處理之基板9，且將該接收之基板9搬送至被指定之基板處理裝置1。
<控制部130>
控制部130係控制移載機器人IR、搬送機器人CR、及一群基板處理裝置1之各者。作為控制部130之硬體之構成，可採用與普通之電腦相同者。即，控制部130係例如包含進行各種運算處理之CPU(central processing unit，中央處理單元)、記憶基本程式之讀出專用之記憶體即ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、記憶各種資訊之自由讀寫之記憶體即RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)、及預先記憶有控制用軟體或資料等之磁碟等。於控制部130中，藉由按照程式中記載之順序，由作為主控制部之CPU進行運算處理，而實現控制基板處理系統100之各部之各種功能部。但，控制部130中所實現之一部分或者全部之功能部亦可利用專用之邏輯電路等以硬體實現。
<1-2.動作>
對於基板處理系統100之整體動作，接著一面參照圖1一面進行說明。於基板處理系統100中，控制部130按照記載著基板9之搬送順序及處理條件等之製程配方，控制基板處理系統100所具備之各部，藉此，執行以下說明之一系列動作。
若將收容有未處理之基板9之載具C載置於載具台111，則移載機器人IR自該載具C將未處理之基板9取出。繼而，移載機器人IR使保 持著未處理之基板9之機械手112移動至基板交接位置P為止，於基板交接位置P，將該未處理之基板9轉交給搬送機器人CR。在機械手121上接收到未處理之基板9之搬送機器人CR將該未處理之基板9搬入至由製程配方所指定之基板處理裝置1。再者，移載機器人IR與搬送機器人CR之間之基板9之交接既可在機械手112、121間直接進行，亦可經由設置於基板交接位置P之載置部等而進行。
於被搬入基板9之基板處理裝置1中，對基板9執行規定之處理。關於基板處理裝置1中所執行之處理之流程，隨後進行說明。
若基板處理裝置1中對基板9之處理結束，則搬送機器人CR將處理過之基板9自基板處理裝置1取出。繼而，搬送機器人CR使保持著處理過之基板9之機械手121移動至基板交接位置P為止，於基板交接位置P，將該處理過之基板9轉交給移載機器人IR。在機械手112上接收到處理過之基板9之移載機器人IR將該處理過之基板9收容於載具C。
於基板處理系統100中，搬送機器人CR及移載機器人IR按照製程配方，反覆地進行上述搬送動作，並且各基板處理裝置1按照製程配方，執行對基板9之處理。藉此，不斷地實施對基板9之處理。
<2.基板9>
其次，對基板處理裝置1中被作為處理對象之基板9，一面參照圖2一面進行說明。圖2係表示基板9之周緣部附近之剖面圖。
基板處理裝置1中被作為處理對象之基板9係具備例如包含矽(Si)之中心層901、於中心層901之外側成膜之下層膜902、及於下層膜902之外側成膜之上層膜903之三層結構。下層膜902係例如熱氧化膜(Th-SiO2)、或者絕緣膜(例如，Hf(鉿)膜或氧化Hf膜等)。又，上層膜903係例如障壁金屬膜(例如，TiN膜、TaN膜等)、或者金屬膜(例如，Al膜、W膜、NiSi膜、Cu膜等)。但，基板處理裝置1中被作為處理對象 之基板9既可為例如具備中心層901與下層膜902之二層結構者，亦可為具備4層以上之結構者。
以下，將基板9之主面中之形成器件圖案之面稱為「表面91」。又，將表面91之相反側之面稱為「背面92」。進而，將表面91中之形成器件圖案之區域稱為「器件區域90」。又，將表面91中之相較器件區域90為外側之周緣區域(具體而言，例如與基板9之端面93相距微小寬度d(例如，d=0.5mm~3.0mm(毫米))之環狀區域)稱為「表面周緣部911」。又，將背面92中之與端面93相距微小寬度d之環狀區域稱為「背面周緣部921」。
基板處理裝置1係將如上所述地具備多層結構之基板9作為處理對象，且可進行對其之表面周緣部911及背面92之處理(例如，將形成於表面周緣部911及背面92之薄膜去除之處理)。
<3.基板處理裝置1之構成>
對於基板處理裝置1之構成，一面參照圖3~圖5一面進行說明。圖3係基板處理裝置1之概略立體圖，且表示了構成防護構件60之半圓弧構件61、62、護罩31、及周緣部用噴出頭51配置於各個避讓位置之狀態。圖4亦為基板處理裝置1之概略立體圖，但於此處，表示防護構件60、護罩31、及周緣部用噴出頭51配置於各個處理位置之狀態。圖5係用以說明基板處理裝置1之構成之模式圖。
再者，於以下之說明中，「處理液」中包含用於藥液處理之「藥液」、及用於沖洗藥液之淋洗處理之「淋洗液」。
基板處理裝置1係包括旋轉夾頭2、防飛散部3、表面保護部4、周緣處理部5、抑制濺液部6、加熱處理部7、及背面處理部8。該等各部2~8係與控制部130電性連接，且根據來自控制部130之指示進行動作。
<旋轉夾頭2>
旋轉夾頭2係將基板9以使該基板9之表面91朝向上方之狀態保持為大致水平姿勢之基板保持部，且使該基板9圍繞穿過該表面91之中心之鉛直之旋轉軸進行旋轉。
旋轉夾頭2具備作為稍微大於基板9之圓板狀構件之旋轉底座21。於旋轉底座21之下表面中央部，連結有旋轉軸部22。旋轉軸部22係以使其軸線沿著鉛直方向之姿勢配置。又，於旋轉軸部22，連接有使其圍繞其軸線旋轉驅動之旋轉驅動部(例如，馬達)23。旋轉軸部22及旋轉驅動部23係收容於筒狀之外殼24內。又，於旋轉底座21之上表面之周緣部附近，隔開適當之間隔設置著複數個(例如6個)保持構件25。保持構件25係與基板9之端面93抵接，進行基板9之水平方向之定位，並且於略微高於旋轉底座21之上表面之位置(即，與旋轉底座21之上表面隔開規定之間隔)，以大致水平姿勢保持基板9。
於該構成中，若於保持構件25在旋轉底座21之上方保持著基板9之狀態下，旋轉驅動部23使旋轉軸部22旋轉，則旋轉底座21圍繞沿鉛直方向之軸心進行旋轉，藉此，使保持在旋轉底座21上之基板9圍繞穿過其面內之中心之鉛直之旋轉軸進行旋轉。
其中，保持構件25及旋轉驅動部23係與控制部130電性連接，且於控制部130之控制下動作。即，在旋轉底座21上保持基板9之時序、釋放被保持之基板9之時序、及旋轉底座21之旋轉態樣(具體而言為旋轉開始時序、旋轉結束時序、轉數(即，旋轉速度)等)係由控制部130進行控制。
<防飛散部3>
防飛散部3係接住自被旋轉底座21保持著進行旋轉之基板9飛散之處理液等。
防飛散部3具備護罩31。護罩31係上端開放之筒形狀之構件，且以包圍旋轉夾頭2之方式設置。於該實施形態中，護罩31包含例如內 構件311、中構件312、及外構件313之3個構件而構成。
內構件311係上端開放之筒形狀之構件，且包含圓環狀之底部311a、自底部311a之內側緣部延伸至上方之圓筒狀之內壁部311b、自底部311a之外側緣部延伸至上方之圓筒狀之外壁部311c、及豎立設置於內壁部311b與外壁部311c之間之圓筒狀之引導壁311d。引導壁311d係自底部311a延伸至上方，且上端部附近朝向內側上方彎曲。內壁部311b之至少前端附近收容於旋轉夾頭2之外殼24處所設置之凸緣狀構件241之內側空間。
於底部311a，形成有與內壁部311b與引導壁311d之間之空間連通之排液槽(省略圖示)。該排液槽係與工廠之排液管線連接。又，於該排液槽，連接有在槽內強制性進行排氣使內壁部311b與引導壁311d之間之空間成為負壓狀態之排氣液機構。內壁部311b與引導壁311d之間之空間係用以將用於基板9之處理之處理液集中地排出之空間，且將集中於該空間中之處理液自排液槽排出。
又，於底部311a，形成有與引導壁311d和外壁部311c之間之空間連通之第1回收槽(省略圖示)。第1回收槽係與第1回收罐連接。又，於該第1回收槽，連接有將槽內進行強制性排氣，使引導壁311d與外壁部311c之間之空間成為負壓狀態之排氣液機構。引導壁311d與外壁部311c之間之空間係用以將用於基板9之處理之處理液集中地回收之空間，且集中於該空間之處理液係經由第1回收槽，被回收至第1回收罐。
中構件312係上端開放之筒形狀之構件，且設置於內構件311之引導壁311d之外側。中構件312之上部係朝向內側上方彎曲，且其上端緣部沿著引導壁311d之上端緣部折彎。
於中構件312之下部，形成有沿著內周面延伸至下方之內周壁部312a、及沿著外周面延伸至下方之外周壁部312b。內周壁部312a係於 內構件311與中構件312接近之狀態(圖5所示之狀態)下，收容於內構件311之引導壁311d與外壁部311c之間。又，外周壁部312b之下端係附著設置於圓環狀之底部312c之內側緣部。自底部312c之外側緣部，豎立設置延伸至上方之圓筒狀之外壁部312d。
於底部312c，形成有與外周壁部312b和外壁部312d之間之空間連通之第2回收槽(省略圖示)。第2回收槽係與第2回收罐連接。又，於該第2回收槽，連接有將槽內進行強制性排氣，使外周壁部312b與外壁部312d之間之空間成為負壓狀態之排氣液機構。外周壁部312b與外壁部312d之間之空間係用以將用於基板9之處理之處理液集中地回收之空間，且集中於該空間之處理液係經由第2回收槽，被回收至第2回收罐。
外構件313係上端開放之筒形狀之構件，且設置於中構件312之外側。外構件313之上部係朝向內側上方彎曲，且其上端緣部301係於與中構件312之上端緣部及內構件311之上端緣部相比之略微內側朝向下方折彎。於內構件311、中構件312、及外構件313接近之狀態(圖5所示之狀態)下，中構件312之上端緣部及內構件311之上端緣部被外構件313之被折彎之部分所覆蓋。
於外構件313之下部，以沿著內周面延伸至下方之方式形成有內周壁部313a。內周壁部313a係於中構件312與外構件313接近之狀態(圖5所示之狀態)下，收容於中構件312之外周壁部312b與外壁部312d之間。
於護罩31，配設有使其升降移動之護罩驅動機構32。護罩驅動機構32係包含例如步進馬達。於該實施形態中，護罩驅動機構32使護罩31所具有之3個構件311、312、313獨立地升降。
內構件311、中構件312、及外構件313之各者係受到護罩驅動機構32之驅動，而於上方位置與下方位置之間移動。此處，各構件 311、312、313之上方位置係將該構件311、312、313之上端緣部配置於被保持在旋轉底座21上之基板9之側方之位置。另一方面，各構件311、312、313之下方位置係將該構件311、312、313之上端緣部相較旋轉底座21之上表面配置於下方之位置。其中，護罩驅動機構32係與控制部130電性連接，且於控制部130之控制下進行動作。即，護罩31之位置(具體而言為內構件311、中構件312、及外構件313各自之位置)係由控制部130進行控制。
將外構件313配置於下方位置之狀態(即，內構件311、中構件312、及外構件313全部配置於下方位置之狀態)，以下稱為「護罩31位於避讓位置」。在旋轉底座21上未保持基板9之期間，護罩31被配置於避讓位置。即，在旋轉底座21上未保持基板9之期間，護罩31被配置於其上端緣部(即，外構件313之上端緣部)301相較旋轉底座21之上表面來到下方之位置。
另一方面，將外構件313配置於上方位置之狀態，以下稱為「護罩31位於處理位置」。位於處理位置之護罩31之上端緣部(即，外構件313之上端緣部301)被配置於旋轉底座21上所保持之基板9之側方。其中，「護罩31位於處理位置」狀態中，包括以下3個狀態。第1狀態係內構件311、中構件312、及外構件313全部配置於上方位置之狀態(圖5所示之狀態)。於該狀態下，自被旋轉夾頭2保持之基板9飛散之處理液被集中於內構件311之內壁部311b與引導壁311d之間之空間，自排液槽排出。第2狀態係內構件311配置於下方位置，並且中構件312及外構件313配置於上方位置之狀態。於該狀態下，自被旋轉夾頭2保持之基板9飛散之處理液被集中於內構件311之引導壁311d與外壁部311c之間之空間，且被回收至第1回收罐。第3狀態係內構件311及中構件312配置於下方位置，並且外構件313配置於上方位置之狀態。於該狀態下，自被旋轉夾頭2保持之基板9飛散之處理液被集中於中構 件312之外周壁部312b與外壁部312d之間之空間，且被回收至第2回收罐。
<表面保護部4>
表面保護部4係對保持在旋轉底座21上之基板9之表面91之中央附近，供給氣體(保護氣體)，保護器件區域90不受供給至表面周緣部911等之處理液之氣氛等影響。
表面保護部4具備朝向保持在旋轉底座21上之基板9之表面91之中央附近，噴出氣體之保護氣體噴嘴41。保護氣體噴嘴41係安裝於水平地延伸之支臂42之前端部。又，支臂42之基端部係連結於噴嘴基台43。噴嘴基台43係以使其軸線沿著鉛直方向之姿勢配置，且支臂42之基端部連結於噴嘴基台43之上端。
於噴嘴基台43，配設有將保護氣體噴嘴41驅動之驅動部44。驅動部44係例如包含使噴嘴基台43圍繞其軸線進行旋轉之旋轉驅動部(例如，伺服馬達)、及使噴嘴基台43沿著其軸線伸縮之升降驅動部(例如，步進馬達)而構成。若驅動部44使噴嘴基台43旋動，則保護氣體噴嘴41沿著水平面內之圓弧軌道移動，且若驅動部44使噴嘴基台43伸縮，則保護氣體噴嘴41在與基板9接近遠離之方向上移動。
保護氣體噴嘴41係受到驅動部44之驅動，而於處理位置與避讓位置之間移動。此處，保護氣體噴嘴41之處理位置係保持在旋轉底座21上之基板9之上方之位置，且係一面與表面91之中央附近對向一面與表面91以非接觸狀態接近之位置。另一方面，保護氣體噴嘴41之避讓位置係不與基板9之搬送路徑產生干涉之位置，例如，自上方觀察相較護罩31之上端緣部301為外側之位置。又，驅動部44係與控制部130電性連接，且在控制部130之控制下進行動作。即，保護氣體噴嘴41之位置係由控制部130進行控制。
於保護氣體噴嘴41連接有作為對其供給氣體(此處為例如氮(N2) 氣)之配管系統之保護氣體供給部45。具體而言，保護氣體供給部45例如具備如下構成：使作為供給氮氣之供給源之氮氣供給源451經由被插介開關閥453之配管452，連接於保護氣體噴嘴41。於該構成中，若將開關閥453開啟，則自氮氣供給源451供給之氮氣將自保護氣體噴嘴41噴出。再者，供給至保護氣體噴嘴41之氣體亦可為除氮氣以外之氣體(例如，除氮氣以外之各種惰性氣體、乾燥空氣等)。
於保護氣體噴嘴41配置於處理位置之狀態下，若自保護氣體供給部45對保護氣體噴嘴41供給氣體，則自保護氣體噴嘴41，朝向保持在旋轉底座21上之基板9之表面91之中央附近，噴出氣體(保護氣體)。其中，保護氣體供給部45之開關閥453係事先與控制部130電性連接，且於控制部130之控制下進行開閉。即，來自保護氣體噴嘴41之氣體之噴出態樣(具體而言為噴出開始時序、噴出結束時序、噴出流量等)係受到控制部130控制。
<周緣處理部5>
周緣處理部5係對保持在旋轉底座21上之基板9之表面周緣部911進行處理。
<i.整體構成>
周緣處理部5具備朝向保持在旋轉底座21上之基板9之表面周緣部911，噴出流體(此處為處理液、及氣體)之周緣部用噴出頭51。周緣部用噴出頭51係安裝於水平地延伸之支臂52之前端部。又，支臂52之基端部係連結於噴嘴基台53。噴嘴基台53係以使其軸線沿著鉛直方向之姿勢配置，且支臂52之基端部係連結於噴嘴基台53之上端。
於噴嘴基台53，配設有將周緣部用噴出頭51驅動之驅動部54。驅動部54係包含例如使噴嘴基台53圍繞其軸線進行旋轉之旋轉驅動部(例如，伺服馬達)、及使噴嘴基台53沿其軸線進行伸縮之升降驅動部(例如，步進馬達)而構成。若驅動部54使噴嘴基台53旋動，則周緣部 用噴出頭51沿著水平面內之圓弧軌道移動，若驅動部54使噴嘴基台53伸縮，則周緣部用噴出頭51在與基板9接近遠離之方向上移動。
周緣部用噴出頭51係受到驅動部54之驅動，而於處理位置與避讓位置之間移動。此處，周緣部用噴出頭51之處理位置係保持在旋轉底座21上之基板9之上方，且一面與表面周緣部911對向一面與表面周緣部911以非接觸狀態接近之位置(圖4所示之位置)。其中，於周緣部用噴出頭51配置在處理位置之狀態下，周緣部用噴出頭51之至少一部分成為收容在下述防護構件60之內周壁601中所形成之切口605內之狀態。另一方面，周緣部用噴出頭51之避讓位置係不與基板9之搬送路徑產生干涉之位置，且例如自上方觀察，相較護罩31之上端緣部301為外側之位置(圖3所示之位置)。又，驅動部54係與控制部130電性連接，且在控制部130之控制下進行動作。即，周緣部用噴出頭51之位置受到控制部130控制。
於周緣部用噴出頭51，連接著作為對其供給流體(具體而言為處理液及氣體)之配管系統的流體供給部55。具體而言，流體供給部55係將例如酸系藥液供給源551a、鹼系藥液供給源551b、淋洗液供給源551c、氮氣供給源551d、複數個配管552a、552b、552c、552d、及複數個開關閥553a、553b、553c、553d組合而構成。
酸系藥液供給源551a係供給酸性藥液之供給源。此處，酸系藥液供給源551a可選擇性地供給例如經稀釋之氫氟酸(稀氫氟酸)(以下，表示為「DHF」(diluted hydrofluoric acid))、及鹽酸過氧化氫水(即，將鹽酸(HCl)、過氧化氫(H2O2)、及純水(DIW：去離子水)以規定之比率混合而成之藥液，以下以「SC-2」表示)。酸系藥液供給源551a係經由被插介開關閥553a之配管552a，連接於周緣部用噴出頭51(更具體而言為下述「第1藥液噴嘴50a」)。因而，若將開關閥553a開啟，則使自酸系藥液供給源551a供給之酸性藥液(DHF、或SC-2)自第1藥液 噴嘴50a噴出。但，酸系藥液供給源551a並非僅限於選擇性地供給DHF及SC-2。例如，酸系藥液供給源551a亦可供給DHF、SC-2、BDHF(緩衝氫氟酸)、HF(氫氟酸)、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、乙酸、草酸、及該等之混合溶液等中之至少一者。
鹼系藥液供給源551b係供給鹼性藥液之供給源。此處，鹼系藥液供給源551b可供給例如氨過氧化氫水(即，將氫氧化銨(NH4OH)、過氧化氫(H2O2)、純水以規定之比率混合而成之藥液，以下以「SC-1」表示)。鹼系藥液供給源551b係經由被插介開關閥553b之配管552b，連接於周緣部用噴出頭51(更具體而言為下述「第2藥液噴嘴50b」)。因而，若將開關閥553b開啟，則自鹼系藥液供給源551b供給之鹼性藥液(SC-1)自第2藥液噴嘴50b噴出。再者，自鹼系藥液供給源551b供給之SC-1，較佳為例如調溫至60℃~80℃。但，鹼系藥液供給源551b亦可為供給除SC-1以外之藥液(例如，氨之水溶液等)者。
淋洗液供給源551c係供給淋洗液之供給源。此處，淋洗液供給源551c係將例如溶解有二氧化碳(CO2)之純水(碳酸水)作為淋洗液進行供給。淋洗液供給源551c係經由被插介開關閥553c之配管552c，連接於周緣部用噴出頭51(更具體而言為下述「淋洗液噴嘴50c」)。因而，若將開關閥553c開啟，則自淋洗液供給源551c供給之淋洗液自淋洗液噴嘴50c噴出。再者，作為淋洗液，亦可使用純水、溫水、臭氧水、磁化水、還原水(氫水)、各種有機溶劑(離子水、IPA(異丙醇)、及功能水等。
氮氣供給源551d係供給氣體(此處為例如氮氣(N2))之供給源。氮氣供給源551d係經由被插介開關閥553d之配管552d，連接於周緣部用噴出頭51(更具體而言為下述「氣體噴嘴50d」)。因而，若將開關閥553d開啟，則自氮氣供給源551d供給之氮氣自氣體噴嘴50d噴出。但，氮氣供給源551d亦可為供給除氮氣以外之氣體(例如，除氮氣以 外之各種惰性氣體、乾燥空氣等)者。
於周緣部用噴出頭51配置在處理位置之狀態下，若自流體供給部55對周緣部用噴出頭51供給處理液(酸性藥液(DHF、或SC-2)、鹼性藥液(SC-1)、或淋洗液)，則自周緣部用噴出頭51，朝向保持在旋轉底座21上之基板9之表面周緣部911，噴出該處理液。又，若於周緣部用噴出頭51配置在處理位置之狀態下，自流體供給部55對周緣部用噴出頭51供給氣體，則自周緣部用噴出頭51，朝向保持在旋轉底座21上之基板9之表面周緣部911，噴出氣體。又，流體供給部55所具備之開關閥553a、553b、553c、553d之各者係與控制部130電性連接，且於控制部130之控制下進行開閉。即，來自周緣部用噴出頭51之流體之噴出態樣(具體而言為被噴出之流體之種類、噴出開始時序、噴出結束時序、及噴出流量等)受到控制部130控制。
<ii.周緣部用噴出頭51>
此處，對於周緣部用噴出頭51，一面參照圖6一面更具體地進行說明。圖6係周緣部用噴出頭51之立體圖。再者，為便於說明，而於圖6中，將防護構件60及護罩31省略圖示。
周緣部用噴出頭51包含：複數個(此處為4個)噴嘴50a~50d、及一體地支持該複數個噴嘴50a~50d之支持部500。
於周緣部用噴出頭51所具備之一群噴嘴50a~50d，包括朝向表面周緣部911噴出處理液之1個以上(此處為3個)噴嘴(以下亦稱為「處理液噴嘴」)50a、50b、50c、及朝向表面周緣部911噴出氣體(此處為氮氣)之噴嘴(以下亦稱為「氣體噴嘴」)50d。尤其，該周緣部用噴出頭51具備噴出藥液之2個噴嘴(以下亦稱為「藥液噴嘴」)50a、50b、及噴出淋洗液之噴嘴(以下亦稱為「淋洗液噴嘴」)50c，作為處理液噴嘴50a、50b、50c。尤其，該周緣部用噴出頭51具備噴出酸性藥液之噴嘴(以下亦稱為「第1藥液噴嘴」)50a、噴出鹼性藥液之噴嘴(以下亦 稱為「第2藥液噴嘴」)50b，作為藥液噴嘴50a、50b。
一體地支持一群噴嘴50a~50d之支持部500係固定於上述支臂52。支持部500係自上方觀察，沿著表面周緣部911弧狀地彎曲之構件，且一群噴嘴50a~50d係沿著弧狀地彎曲之支持部500之延伸方向排列。因而，於周緣部用噴出頭51配置在處理位置之狀態下，一群噴嘴50a~50d成為沿著基板9之表面周緣部911排列之狀態。此時，沿著基板9之旋轉方向AR9自上游側，以氣體噴嘴50d、第1藥液噴嘴50a、淋洗液噴嘴50c、第2藥液噴嘴50b之順序進行排列。
即，該周緣部用噴出頭51係氣體噴嘴50d相較處理液噴嘴50a、50b、50c配置於基板9之旋轉方向AR9之上游側。因而，旋轉之基板9之表面周緣部911內之各位置係首先通過氣體噴嘴50d之下方之後，再通過處理液噴嘴50a、50b、50c之下方。根據該構成，可於對旋轉之基板9之表面周緣部911內之各位置自處理液噴嘴50a、50b、50c供給新處理液之前，自氣體噴嘴50d對該位置供給氣體(即，噴附氣體)。
因基板9之表面狀態等，而存在於到達周緣部用噴出頭51之下方之表面周緣部911內之各位置，附著有一周前自處理液噴嘴50a、50b、50c供給且基板9旋轉一周之期間內仍未脫去之舊處理液之情形。即便於如此之情形時，仍可於將該舊處理液利用自氣體噴嘴50d噴出之氣體去除之後，自處理液噴嘴50a、50b、50c供給新處理液。根據該構成，不易產生重新供給至表面周緣部911內之各位置之處理液與舊處理液碰撞而飛濺之類事態。藉此，抑制處理液進入器件區域90。又，根據該構成，可始終使新鮮之處理液作用於基板9，藉此，可提昇處理效率。又，若假設設為對殘存舊藥液之處，進而供給新處理液，導致彼處所保持之處理液之量暫時地變多時，利用氣體將舊藥液去除之後供給新處理液之構成，則不易產生於表面周緣部911內之各位置暫時地保持大量之處理液之類狀況。其結果，可令使處理液進 行作用之區域之尺寸穩定。例如，可令使蝕刻用之藥液進行作用之區域之尺寸、即自端面93朝向基板9之內側進行蝕刻去除之寬度(以下，簡稱為「蝕刻寬度」)穩定，提昇蝕刻寬度之控制精度。
又，以其他之見解，於該周緣部用噴出頭51，將處理液噴嘴50a、50b、50c相較氣體噴嘴50d，配置於基板9之旋轉方向AR9之下游側。因而，旋轉之基板9之表面周緣部911內之各位置於通過處理液噴嘴50a、50b、50c之下方之後，當基板9大致旋轉一周後將到達氣體噴嘴50d之下方。根據該構成，自處理液噴嘴50a、50b、50c供給至表面周緣部911上之各位置之處理液之至少一部分於使基板9旋轉大致一周之期間，繼續滯留於表面周緣部911上，因此，可使處理液充分地作用於表面周緣部911內之各位置。
又，周緣部用噴出頭51係於噴出酸性藥液之第1藥液噴嘴50a與噴出鹼性藥液之第2藥液噴嘴50b之間，配置噴出淋洗液之淋洗液噴嘴50c。根據該構成，例如，可抑制自一藥液噴嘴噴出藥液時所產生之氣氛與殘留於另一藥液噴嘴內之藥液進行反應之類事態之產生。具體而言，例如，可抑制自第1藥液噴嘴50a噴出酸性藥液時所產生之氣氛與殘留於第2藥液噴嘴50b內之鹼性藥液進行反應，或者自第2藥液噴嘴50b噴出鹼性藥液時所產生之氣氛與殘留於第1藥液噴嘴50a內之酸性藥液進行反應之類事態之產生。
<iii.噴嘴50>
其次，對於周緣部用噴出頭51所具備之一群噴嘴50a~50d各自之構成，一面參照圖7一面進行說明。一群噴嘴50a~50d之各者具備大致相同之構成，以下，將該等噴嘴50a~50d於不進行區別時，亦簡稱為「噴嘴50」。圖7係模式性表示噴嘴50之前端附近之構成之側剖面圖。
噴嘴50係包括呈現下端變細之長條棒狀之外形之噴嘴本體部 501。噴嘴本體部501係以其軸方向沿著鉛直方向，並且其下表面(以下，亦稱為「噴出面」)502成為水平姿勢之方式，由支持部500支持。因而，於周緣部用噴出頭51配置在處理位置之狀態下，以噴出面502與保持在旋轉底座21上之基板9之表面91平行之姿勢，與表面周緣部911以非接觸狀態接近。其中，於該狀態下，噴出面502與表面周緣部911之分隔距離m被設為充分小(例如，m=1mm左右)。
於噴嘴本體部501之內部，形成有導入流路部503、及與該導入流路部503之下端連通之噴出流路部504。於導入流路部503之上端，連接有上述配管552a、552b、552c、552d之任一者。又，噴出流路部504之下端係與在噴出面502開口之噴出口505連通。噴出口505係例如圓形之貫通孔，且其直徑為例如0.6mm，小於圖2中之與基板9之端面93相距之微小寬度d。因而，自配管供給之流體首先被保持在導入流路部503中，流入噴出流路部504，從而自噴出口505被噴出。
噴出流路部504係成為於中途折彎之形狀。具體而言，噴出流路部504包含鉛直流路部分5041、及與該鉛直流路部分5041相連之傾斜流路部分5042。鉛直流路部分5041係與噴嘴本體部501之軸方向平行地延伸，且於下端，與傾斜流路部分5042連通。傾斜流路部分5042係於隨著朝向下方而自基板9之內側(基板9之中心側)朝向外側(端面93側)之斜下方向上延伸，且於下端，與噴出口505連通。
於該噴嘴50中，經由傾斜地延伸之傾斜流路部分5042，將流體自噴出口505噴出，因此，可使自噴嘴50朝向基板9之表面周緣部911噴出之流體於表面周緣部911朝向基板9之外側流動。因而，例如於自噴嘴50朝向表面周緣部911噴出處理液之情形時，可抑制該處理液進入器件區域90，並且可使處理液所作用之區域之尺寸(例如，蝕刻用之藥液所作用之區域之尺寸、即蝕刻寬度)穩定，從而提昇該區域尺寸之控制精度。又，例如，於自噴嘴50朝向表面周緣部911噴出氣體 之情形時，可於表面周緣部911，形成朝向基板9之外側之氣流。可藉由該氣流而將表面周緣部911上之處理液或處理液之霧吹洩至基板9之外側。
尤其，該噴嘴50係形成於噴嘴本體部501之內部之噴出流路部504之一部分即傾斜流路部分5042傾斜而並非噴嘴本體部501自身以傾斜姿勢被支持部500支持。假設於噴嘴本體部之內部，一面形成沿著該噴嘴本體部之軸方向筆直地延伸之流路，一面使噴嘴本體部自身成為傾斜姿勢，則噴出面成為相對水平面傾斜之姿勢。於該情形時，存在容易於噴出面之最下端之附近產生蓄積液體，且該蓄積液體滴下(滴落)至基板9上之虞。如此之處理液之滴落係產生於基板9上之相較原本應供給處理液之位置為內側(基板9之中心側)之位置，因此，即便自氣體噴嘴50d噴出之氣體亦難以去除。相對於此，如該實施形態所述，根據並非使噴嘴本體部501而使形成於該噴嘴本體部501之內部之噴出流路部504之一部分傾斜之構成，可使噴出面502事先成為水平姿勢，故不易產生如此之處理液之滴落。
再者，為提昇處理液所作用之區域之寬度(例如，蝕刻用之藥液進行作用之蝕刻寬度)之控制精度，傾斜流路部分5042之延伸方向與水平面所成之角度(傾斜角度)θ較佳為45度以上，更佳為60度以上。
<iv.目標噴出位置>
現在，將流體自周緣部用噴出頭51所具備之一群噴嘴50a~50d之各者噴出而到達基板9上之到達位置，稱作該噴嘴之「目標噴出位置」。以下，對於一群噴嘴50a~50d各自之目標噴出位置Qa~Qd，一面參照圖8~圖10一面進行說明。圖8係模式性表示各噴嘴50a~50d之目標噴出位置之一例之圖。圖9及圖10係自基板9之旋轉方向AR9之下游側觀察周緣部用噴出頭51所得之圖。其中，圖9係表示自周緣部用噴出頭51噴出藥液與氣體之狀態，圖10係表示自周緣部用噴出頭51 噴出淋洗液與氣體之狀態。
周緣部用噴出頭51所具備之一群噴嘴50a~50d各自之目標噴出位置Qa~Qd係設為在基板9之徑方向相互地偏移之位置。即，氣體噴嘴50d之目標噴出位置Qd係相較處理液噴嘴50a、50b、50c之目標噴出位置Qa、Qb、Qc，設於基板9之徑方向內側(中心側)。進而，淋洗液噴嘴50c之目標噴出位置Qc係相較藥液噴嘴50a、50b之目標噴出位置Qa、Qb，設於基板9之徑方向內側。進而，第1藥液噴嘴50a之目標噴出位置Qa與第2藥液噴嘴50b之目標噴出位置Qb係設於徑方向上相同之位置。其中，所謂「徑方向上相同之位置」係指與基板9之端面93相距之分隔距離彼此相等之位置(即，與基板9之中心相距之分隔距離相等之位置)。即，此處，基板9之端面93至第1藥液噴嘴50a之目標噴出位置Qa為止之分隔距離、與基板9之端面93至第2藥液噴嘴50b之目標噴出位置Qb為止之分隔距離相等。
作為一例，第1藥液噴嘴50a之目標噴出位置Qa及第2藥液噴嘴50b之目標噴出位置Qb均為比基板9之端面93靠近內側1.0mm之位置。又，氣體噴嘴50d之目標噴出位置Qd係比藥液噴嘴50a、50b之目標噴出位置Qa、Qb進而靠近基板9之內側0.5mm之位置。又，淋洗液噴嘴50c之目標噴出位置Qc係與基板9之端面93相距1.0mm~0.5mm之範圍內之位置。
各噴嘴50a、50b、50c、50d係配置於基板9之徑方向上相互偏移之位置且由支持部500支持，以便能夠將流體以到達各個目標噴出位置Qa、Qb、Qc、Qd之方式噴出。即，氣體噴嘴50d係相較處理液噴嘴50a、50b、50c，配置在基板9之徑方向內側，且由支持部500支持。又，淋洗液噴嘴50c係相較藥液噴嘴50a、50b，配置在基板9之徑方向內側，且由支持部500支持。又，第1藥液噴嘴50a與第2藥液噴嘴50b係配置於徑方向上相同之位置，且由支持部500支持。再者，各噴 嘴50a、50b、50c、50d之配置中之彼此之偏移量係根據上述傾斜流路部分5042之角度，設定為可使流體到達各個目標噴出位置Qa、Qb、Qc、Qd。
該周緣部用噴出頭51係將氣體噴嘴50d之目標噴出位置Qd相較處理液噴嘴50a、50b、50c之目標噴出位置Qa、Qb、Qc配置在基板9之徑方向內側，因此，於基板9之表面周緣部911，對相較噴出處理液之位置為內側之位置供給氣體。根據該構成，可藉由氣體而將供給至表面周緣部911之處理液自基板9之內側朝向外側吹洩。藉此，可抑制表面周緣部911上之處理液進入器件區域90，並且可使處理液所作用之區域之尺寸(例如，蝕刻用之藥液所作用之區域之尺寸、即蝕刻寬度)穩定，從而提昇該區域尺寸之控制精度。
又，該周緣部用噴出頭51係將淋洗液噴嘴50c之目標噴出位置Qc相較藥液噴嘴50a、50b之目標噴出位置Qa、Qb設於基板9之徑方向內側，因此，於基板9之表面周緣部911，對相較噴出藥液之位置為內側之位置，噴出淋洗液。根據該構成，可藉由淋洗液而將供給至表面周緣部911之藥液自基板9之內側沖向外側。藉此，可一面充分地抑制藥液進入器件區域90，一面不殘留藥液殘渣地充分沖洗藥液。
又，該周緣部用噴出頭51係將第1藥液噴嘴50a之目標噴出位置Qa與第2藥液噴嘴50b之目標噴出位置Qb設於基板9之徑方向上相同之位置，因此，於基板9之表面周緣部911，可對噴出酸性藥液之位置噴出鹼性藥液。根據該構成，可使各藥液準確地作用於相同之區域。
<抑制濺液部6>
再次參照圖3~圖5。於基板處理裝置1中，當朝向保持在旋轉底座21上之基板9之表面周緣部911，自周緣部用噴出頭51噴出處理液時，存在供給至表面周緣部911之處理液之一部分自基板9飛散，且該飛散之處理液之一部分被配置在外部之構件濺回等而再次附著於基板 9之虞。抑制濺液部6係用以抑制自基板9飛散之處理液再次附著於基板9之構件。
<i，防護構件60>
抑制濺液部6包括防護構件60。對於防護構件60，一面不僅參照圖3~圖5，而且參照圖11~圖13一面詳細地進行說明。圖11係防護構件60之立體圖。圖12係自上方觀察護罩31、防護構件60、及周緣部用噴出頭51配置在各個處理位置之狀態所得之俯視圖。圖13係自圖12之箭頭K觀察所得之側剖面圖。
防護構件60係沿著基板9之表面周緣部911之整周的環狀構件。防護構件60係於對保持在旋轉底座21上之基板9進行處理之期間，自上而下地觀察，與該基板9同心地配置，且配置於與該基板9之表面周緣部911以非接觸狀態接近之位置(處理位置)。防護構件60中之與周向正交之剖面較佳為矩形，尤佳為正方形。
防護構件60之內徑係設為比基板9之外徑略小之尺寸。因而，若自上方觀察配置於處理位置之防護構件60，則防護構件60之內周壁601相較基板9之端面93位於內側(基板9之中心側)，且防護構件60之下表面602之至少內周部分係與保持在旋轉底座21上之基板9之表面周緣部911對向地配置。即，防護構件60之內周壁601相較基板9之表面周緣部位於內側(基板9之中心側)，且防護構件60之下表面602與基板9之表面周緣部911局部地接近對向。此時，防護構件60之下表面602、與保持在旋轉底座21上之基板9之表面91之分隔距離h為例如1mm以上且1.5mm以下。
防護構件60之外徑係設為大於基板9之外徑且略小於護罩31之上端緣部301之內徑之尺寸。因而，若自上方觀察配置於處理位置之防護構件60，則防護構件60之外周壁603相較基板9之端面93位於外側，且，一面與護罩31之上端緣部301以非接觸之狀態接近，一面沿著上 端緣部301之整周延伸。即，配置於處理位置之護罩31成為將旋轉底座21上之基板9與防護構件60整體地包圍之外形。
上述周緣部用噴出頭51係於其配置在處理位置之狀態下，配置在防護構件60之內周壁601之側(即，隔著防護構件60而相對於護罩31為相反側)。即，於該狀態下，周緣部用噴出頭51所具備之噴嘴50係配置於隔著防護構件60相對於護罩31之相反側。其中，於防護構件60之內周壁601，形成有收容周緣部用噴出頭51之至少一部分之切口605，且於周緣部用噴出頭51配置在處理位置之狀態下，周緣部用噴出頭51之至少一部分(具體而言，例如周緣部用噴出頭51所具備之噴嘴50之至少一部分)成為收容在該切口605中之狀態。藉此，將周緣部用噴出頭51不與防護構件60干涉地配置在表面周緣部911之上方之處理位置。其中，切口605中之與下表面602相連之壁面部分6051較佳為自上方觀察，與基板9之端面93為同一平面，或者相較端面93位於內側(基板9之中心側)。
較佳為，於防護構件60、周緣部用噴出頭51、及護罩31配置在各個處理位置之狀態下，防護構件60之下表面602配置在與周緣部用噴出頭51所具備之噴嘴50之噴出面502相同之高度位置、或低於噴出面502之位置。又，壁面部分6051可配置於與不阻礙自噴嘴50噴出之流體路徑之位置相比更低之位置。又，較佳為，防護構件60之下表面602配置於與護罩31之上端緣部301之下表面3011相同之高度位置、或低於下表面3011之位置。於該實施形態下，防護構件60之下表面602、周緣部用噴出頭51之噴出面502、及護罩31之上端緣部301之下表面3011設為相同之高度位置。即，3個面602、502、3011係配置於同一水平面上。
又，較佳為，於防護構件60、及護罩31配置在各個處理位置之狀態下，防護構件60之上表面604配置於與護罩31之上端緣部301之上 表面3012相同之高度。
<ii.抑制處理液之再次附著之原因>
可藉由於朝向表面周緣部911自周緣部用噴出頭51噴出處理液之期間，將防護構件60配置於處理位置，而抑制自基板9飛散之處理液再次附著於基板9。以下，說明其原因。
護罩31係將其上端緣部301之內徑設為較旋轉底座21之外徑大之尺寸，以便可移動至相較旋轉底座21之上表面為下方之避讓位置。由於旋轉底座21之外徑設為較基板9之外徑大之尺寸，因此，自上而下地觀察，於保持在旋轉底座21上之基板9之端面93與護罩31之上端緣部301之間，存在環狀之間隙空間。因而，亦於配置在與基板9之表面周緣部911對向之處理位置之周緣部用噴出頭51與護罩31之上端緣部301之間，存在間隙空間V。該間隙空間V係自基板9飛散之處理液之霧等所能懸浮之空間時，此處將該間隙空間V之至少一部分利用防護構件60之一部分填滿。根據該構成，自基板9飛散之處理液之霧等所能懸浮之空間減小了相當於被防護構件60填滿之空間量，且相應於該空間變小之量，基板9之附近處之處理液之懸浮量變少。其結果，處理液之霧等再次附著於基板9之可能性降低。即，可抑制自基板9飛散之處理液之一部分再次附著於基板9。
尤其，此處因防護構件60之下表面602之至少一部分係與表面周緣部911對向地配置，故而自基板9飛散之處理液沿著防護構件60之下表面602，被導入護罩31內。藉此，可充分地抑制該飛散之處理液再次附著於基板9。
尤其，可藉由將防護構件60之下表面602配置於與周緣部用噴出頭51所具備之噴嘴50之噴出面502相同之高度位置、或低於噴出面502之位置，而尤為有效地抑制自基板9飛散之處理液附著於基板9(尤其器件區域90)之情形已由發明者等確認。
又，亦可藉由將防護構件60之下表面602配置於與護罩31之上端緣部301之下表面3011相同之高度位置、或低於該下表面3011之位置，而尤為有效地抑制自基板9飛散之處理液附著於基板9(尤其器件區域90)之情形已由發明者等確認。
進而，此處因防護構件60係沿著基板9之表面周緣部911之整周之環狀構件，故可遍及基板9之周向之整體地抑制自基板9飛散之處理液再次附著於基板9。
<iii.半圓弧構件61、62>
防護構件60係藉由將相互獨立分開地構成之複數個弧狀構件(此處為一對半圓弧構件61、62)設為其周向之端面彼此相互地抵接之狀態而形成。即，一對半圓弧構件61、62之各者係直徑彼此相等之半圓弧狀之構件，且使弦方向朝向內側，並且使周向之端面相互對向地配置。但，防護構件60亦可藉由將3個以上之弧狀構件設為其周向之端面彼此相互地抵接之狀態而形成。
一對半圓弧構件61、62之各者配設有驅動各半圓弧構件61、62之半圓弧構件驅動部63。半圓弧構件驅動部63係包含使連接其之半圓弧構件61、62沿著鉛直軸進行升降移動之升降驅動部(例如，步進馬達)631、及使該半圓弧構件61、62於水平面內在與另一半圓弧構件接近遠離之方向上進退移動之進退驅動部632而構成。
各半圓弧構件61、62係於未在旋轉底座21上保持基板9之期間，與另一半圓弧構件相隔地配置於基板9之搬出入路徑之外側之位置(避讓位置)。具體而言，各半圓弧構件61、62之避讓位置係相較旋轉底座21之上表面為下側之位置(即，各半圓弧構件61、62之上表面604相較旋轉底座21之上表面移動至下側之位置)，且係自上方觀察相較護罩31之上端緣部301為外側之位置(圖3所示之位置)。
若將基板9保持在旋轉底座21上，則升降驅動部631使配置在避 讓位置之各半圓弧構件61、62上升至相較旋轉底座21之上表面為略微上方之位置，繼而，進退驅動部632使各半圓弧構件61、62在水平面內於向另一半圓弧構件接近之方向移動，從而成為各半圓弧構件61、62之周向之端面彼此相互地抵接之狀態。藉此，作為環狀構件之防護構件60成為配置在處理位置之狀態。
<iv.洗浄處理>
如上所述，於未在旋轉底座21上保持基板9之期間，將各半圓弧構件61、62及護罩31配置在各個避讓位置。其中，如上所述，於各半圓弧構件61、62及護罩31配置在各個避讓位置之狀態下，各半圓弧構件61、62及護罩31均相較旋轉底座21之上表面配置在下側，且各半圓弧構件61、62於護罩31之上側，配置在與護罩31之上表面以非接觸狀態接近之位置。
且說，於基板處理裝置1中，於未在旋轉底座21上保持基板9之狀態下，定期地(例如，每次處理固定片數之基板9時)、或者不定期地(例如，根據來自操作員之指示)實施旋轉底座21之洗浄處理。
於旋轉底座21之洗浄處理中，一面對未保持基板9之狀態之旋轉底座21之上表面之中央附近，自洗浄用噴嘴(省略圖示)供給洗浄液，一面使旋轉底座21旋轉。如此一來，因伴隨旋轉底座21旋轉之離心力，洗浄液擴散至旋轉底座21之上表面之整體，藉此，將旋轉底座21之上表面之整體洗浄。將該洗浄液最終自旋轉底座21之周緣部甩脫至旋轉底座21之外。此處，在進行旋轉底座21之洗浄處理之期間，將各半圓弧構件61、62及護罩31之各者配置於相較旋轉底座21之上表面為下方之避讓位置，故而自旋轉底座21之周緣部被甩脫至旋轉底座21之外之洗浄液到達護罩31及位於該護罩31之上側之半圓弧構件61、62。藉此，將護罩31及半圓弧構件61、62洗浄。即，於旋轉底座21之洗浄處理中，不僅將旋轉底座21，而且亦將護罩31及半圓弧構件61、62集 中地洗浄。
<加熱處理部7>
再次參照圖3~圖5。加熱處理部7係對保持在旋轉底座21上之基板9之背面92，供給蒸汽(水蒸氣)、尤佳為過熱蒸汽(過熱水蒸氣)，將基板9加熱。
加熱處理部7係包含朝向保持在旋轉底座21上之基板9之背面92噴出蒸汽之蒸汽噴嘴71。蒸汽噴嘴71係配置於旋轉底座21上。於蒸汽噴嘴71之上表面側，形成有複數個蒸汽噴出口(省略圖示)。該複數個蒸汽噴出口中之至少1個蒸汽噴出口係形成於對保持在旋轉底座21上之基板9之背面周緣部921選擇性地供給蒸汽之位置。更佳為，形成於與背面周緣部921對向之位置。又，自該蒸汽噴出口，可相較其他蒸汽噴出口噴出大量之蒸汽。藉由該構成，蒸汽噴嘴71可朝向基板9之背面92中之尤其背面周緣部921，重點地噴出蒸汽。
於蒸汽噴嘴71，連接有作為對其供給蒸汽之配管系統之蒸汽供給部72。具體而言，蒸汽供給部72包含例如作為供給蒸汽之供給源之蒸汽供給源721經由被插介開關閥723之配管722連接於蒸汽噴嘴71之構成。於該構成中，若將開關閥723開啟，則自蒸汽供給源721供給之蒸汽自蒸汽噴嘴71被噴出。
再者，自蒸汽噴嘴71噴出之蒸汽較佳為加熱(過熱)至充分高溫(例如，100℃以上且130℃以下)之過熱蒸汽(過熱水蒸氣)。因此，例如蒸汽供給源721包含供給藉由加熱純水等而產生之蒸汽(水蒸氣)之供給源、與該供給源連接之配管、及插介於該配管之路徑中途之加熱器而構成即可(均省略圖示)。於該情形時，自供給源供給之蒸汽考慮到通過配管等時之溫度下降，而較佳為加熱器將自供給源供給之蒸汽加熱(過熱)至例如140℃~160℃左右。但，即便供給至基板9之蒸汽(過熱蒸汽)之一部分被基板9奪去熱而冷卻，而在基板9上冷凝成為水 滴，該水滴亦因伴隨基板9之旋轉之離心力而自基板9之端面93被甩脫至基板9之外。因而，於器件區域90不會附著水滴。
若自蒸汽供給部72對蒸汽噴嘴71供給蒸汽，則自蒸汽噴嘴71朝向保持在旋轉底座21上之基板9之背面92，噴出蒸汽，藉此，基板9被加熱。如上所述，由於該實施形態之蒸汽噴嘴71可朝向背面周緣部921重點地噴出蒸汽，因此，可尤其重點地加熱背面周緣部921。其中，蒸汽供給部72之開關閥723係與控制部130電性連接，且於控制部130之控制下進行開閉。即，來自蒸汽噴嘴71之蒸汽之噴出態樣(具體而言為噴出開始時序、噴出結束時序、噴出流量等)受到控制部130控制。
<背面處理部8>
背面處理部8係對保持在旋轉底座21上之基板9之背面92進行處理。具體而言，背面處理部8係對保持在旋轉底座21上之基板9之背面92供給處理液。
背面處理部8具備貫通至旋轉夾頭2之旋轉軸部22之中空部而配置之供給管81。供給管81之前端係於旋轉底座21之上表面開口，且該開口形成背面側噴出口82。
於供給管81連接有作為對其供給處理液之配管系統之處理液供給部83。具體而言，處理液供給部83係將SC-1供給源831a、DHF供給源831b、SC-2供給源831c、淋洗液供給源831d、複數個配管832a、832b、832c、832d、及複數個開關閥833a、833b、833c、833d組合而構成。
SC-1供給源831a係供給SC-1之供給源。SC-1供給源831a係經由被插介開關閥833a之配管832a連接於供給管81。因而，若將開關閥833a開啟，則自SC-1供給源831a供給之SC-1自背面側噴出口82噴出。
DHF供給源831b係供給DHF之供給源。DHF供給源831b係經由被 插介開關閥833b之配管832b連接於供給管81。因而，若將開關閥833b開啟，則自DHF供給源831b供給之DHF自背面側噴出口82噴出。
SC-2供給源831c係供給SC-2之供給源。SC-2供給源831c係經由被插介開關閥833c之配管832c連接於供給管81。因而，若將開關閥833c開啟，則自SC-2供給源831c供給之SC-2自背面側噴出口82噴出。
淋洗液供給源831d係供給淋洗液之供給源。此處，淋洗液供給源831d係供給例如溶解有二氧化碳(CO2)之純水(碳酸水)作為淋洗液。淋洗液供給源831d係經由被插介開關閥833d之配管832d連接於供給管81。因而，若將開關閥833d開啟，則自淋洗液供給源831d供給之淋洗液自背面側噴出口82噴出。再者，作為淋洗液，可使用純水、溫水、臭氧水、磁化水、還原水(氫水)、各種有機溶劑(離子水、IPA(異丙醇)、及功能水等。
若自處理液供給部83對供給管81供給處理液(SC-1、DHF、SC-2、或淋洗液)，則自背面側噴出口82，朝向保持在旋轉底座21上之基板9之背面92之中央附近噴出該處理液。其中，處理液供給部83所具備之開關閥833a、833b、833c、833d之各者係與控制部130電性連接，且於控制部130之控制下進行開閉。即，來自背面側噴出口82之處理液之噴出態樣(具體而言為被噴出之處理液之種類、噴出開始時序、噴出結束時序、噴出流量等)係受到控制部130控制。
<4.基板處理裝置1之動作>
其次，對基板處理裝置1之動作進行說明。於基板處理裝置1中，在控制部130之控制下，執行以下說明之一系列之處理。但，以下所說明者僅為基板處理裝置1中可執行之處理之一例。
基板處理裝置1係例如對1片基板9，依序地實施預處理(步驟S1)、表面周緣處理(步驟S2)、處理面切換處理(步驟S3)、背面處理(步驟S4)、及乾燥處理(步驟S5)(圖14)。以下，對各處理具體地進行 說明。
<4-1.預處理>
對於預處理(步驟S1)，一面參照圖15及圖16一面進行說明。圖15係表示預處理之流程之圖。圖16係用以說明預處理之圖，且模式性地表示正執行預處理中之各處理步驟之狀態之基板處理裝置1之一部分元件。
首先，於半圓弧構件61、62、護罩31、周緣部用噴出頭51、及保護氣體噴嘴41配置在各個避讓位置之狀態下，搬送機器人CR將基板9以該基板9之表面91朝上之姿勢配置於旋轉底座21上。配置於旋轉底座21上之基板9係由一群保持構件25所保持(步驟S101)。藉此，成為於旋轉底座21上以大致水平姿勢保持基板9之狀態。
若將基板9保持在旋轉底座21上，則防護構件60被移動至處理位置(步驟S102)。具體而言，半圓弧構件驅動部63之升降驅動部631使配置在避讓位置之各半圓弧構件61、62上升至相較旋轉底座21之上表面略微上方之位置，繼而，半圓弧構件驅動部63之進退驅動部632使各半圓弧構件61、62在水平面內於向另一半圓弧構件接近之方向上移動，成為各半圓弧構件61、62之周向之端面彼此相互地抵接之狀態。藉此，成為將作為環狀構件之防護構件60配置在處理位置之狀態。再者，即便使旋轉底座21開始旋轉，配置於處理位置之防護構件60亦不旋轉地一直保持靜止狀態。
將防護構件60配置於處理位置後，繼而，使配置在避讓位置之護罩31上升，且配置於處理位置(步驟S103)。藉此，成為將護罩31以將保持在旋轉底座21上之基板9與防護構件60整體地包圍之方式配置之狀態。
將護罩31配置於處理位置後，繼而，使保護氣體噴嘴41自避讓位置移動至處理位置。而且，自配置於處理位置之保護氣體噴嘴41， 朝向基板9之表面91之中央附近，開始噴出保護氣體(步驟S104)。此處開始對基板9之表面91之中央附近之保護氣體供給係持續進行至對該基板9之處理結束為止。藉由對基板9之表面91之中央附近持續供給保護氣體，而於對該基板9進行處理之期間，器件區域90不會曝露於供給至表面周緣部911等之處理液之氣氛等中。即，器件區域90得到持續保護不受供給至表面周緣部之處理液之氣氛等影響。
再者，此處將護罩31配置於處理位置之後，開始自保護氣體噴嘴41噴出保護氣體。假設構成為未等待護罩31上升至處理位置，便開始自保護氣體噴嘴41噴出保護氣體，而導致存在基板9之表面周緣部911附近之氣流擾動產生盤升，從而粒子等附著於基板9之虞時，在將護罩31配置於處理位置之後開始噴出保護氣體，則可避免如此事態之產生。
繼而，使旋轉底座21開始旋轉，藉此，使保持在旋轉底座21上之基板9以水平姿勢開始旋轉(步驟S105)。此時之旋轉底座21之轉數(即，基板9之轉數)為例如600rpm。該轉數係適當地設定為於進行表面周緣處理之期間，供給至表面周緣部911之處理液不進入器件區域90，又，避免移動至端部93之側之轉數(即，在應實施處理之表面周緣部911內之區域穩定地保持處理液之轉數)。
繼而，自蒸汽噴嘴71，朝向旋轉之基板9之背面92噴出蒸汽(預汽蒸)(步驟S106)。開始噴出蒸汽後，若經過特定時間(例如5秒鐘)，則停止自蒸汽噴嘴71噴出蒸汽。藉由該預汽蒸而將基板9加熱。當用於對基板9之藥液處理之藥液大多為溫度越高越促進反應之藥液時，藉由預先利用該預汽蒸加熱基板9，而促進藥液處理中之藥液與基板9之反應。其結果，藥液處理之處理時間縮短，並且藥液之使用量得到抑制。
<4-2.表面周緣處理>
預處理(步驟S1)結束後，繼而，實施表面周緣處理(步驟S2)。對於表面周緣處理，一面參照圖17及圖18一面進行說明。圖17係表示表面周緣處理之流程之圖。圖18係用以說明表面周緣處理之圖，且模式性表示正執行表面周緣處理中之各處理步驟之狀態之基板處理裝置1之一部分元件。
其中，於執行以下說明之表面周緣處理之期間，基板9係以固定之轉數(例如，600rpm)持續進行旋轉。又，如上所述，於執行表面周緣處理之期間，朝向基板9之表面91之中央附近，持續地自保護氣體噴嘴41供給保護氣體，藉此，保護器件區域90不受供給至表面周緣部911之處理液之氣氛等影響。
<鹼處理(SC-1)>
<i.藥液處理>
首先，對基板9之表面周緣部911，實施SC-1之藥液處理(步驟S201)。具體而言，首先，將周緣部用噴出頭51自避讓位置移動至處理位置。而且，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之第2藥液噴嘴50b，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911，噴出SC-1。此時之SC-1之噴出流量為例如20(mL/min)以上且50(mL/min)以下。開始噴出SC-1後，若經過特定時間(例如，20秒鐘)，則停止自周緣部用噴出頭51噴出SC-1。
藉由該藥液處理而將形成於基板9之表面周緣部911之薄膜去除(蝕刻處理)。其中，於實施該藥液處理之期間，自蒸汽噴嘴71朝向基板9之背面92，噴出蒸汽。此時之蒸汽之噴出流量為例如500(mL/min)以上且2000(mL/min)以下。又，所噴出之蒸汽之溫度為例如110℃以上且130℃以下。當SC-1為溫度越高越促進反應之藥液時，藉由SC-1進行藥液處理之基板9受到蒸汽之供給而被加熱，藉此，促進基板9之表面周緣部911與SC-1之反應(即，蝕刻速率提昇)(所謂熱輔助)。其結 果，SC-1之藥液處理之處理時間縮短，並且SC-1之使用量被抑制。尤其，此處因重點地將基板9之背面周緣部921加熱，故而可有效地促進表面周緣部911與SC-1之反應。
<ii.淋洗處理>
繼而，實施淋洗處理(步驟S202)。具體而言，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之淋洗液噴嘴50c，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911，噴出淋洗液。開始噴出淋洗液後，若經過特定時間(例如，5秒鐘)，則停止自周緣部用噴出頭51噴出淋洗液。藉由該淋洗處理而沖洗附著於表面周緣部911之處理液(此處為SC-1)。
<iii.液體脫去處理>
繼而，實施液體脫去處理(步驟S203)。液體脫去處理係將殘存於表面周緣部911之處理液(此處係於步驟S202之淋洗處理中未自基板9脫去而殘存於表面周緣部911之淋洗液)引向基板9之端面93側，從而自端面93向基板9之外脫去之處理。被引向端面93側之處理液成為保持於端面93及其附近之非水平之面區域部分之狀態時，保持在非水平之面區域部分之處理液不易引起脫液，因此，將如此之處理液集中地向基板9之外脫去。即，可藉由將殘存於表面周緣部911之處理液引向基板9之端面93側後向基板9之外脫去，而使表面周緣部911幾乎不產生殘留液體地將該殘存之處理液之大部分自基板9去除。
具體而言，液體脫去處理係例如以如下方式實施。首先，於停止自周緣部用噴出頭51朝向表面周緣部911噴出流體(處理液及氣體)之狀態下，使基板9旋轉規定之時間(引液步驟)(步驟S2031)。藉此，殘存於表面周緣部911之處理液受到伴隨基板9之旋轉之離心力而在向基板9之端面93接近之方向上移動，成為保持於端面93及其附近之非水平之面區域部分之狀態。繼而，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之氣體噴嘴50d，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911，噴出氣體 (吹洩步驟)(步驟S2032)。此時之氣體之噴出流量為例如14(L/min)。藉此，保持在非水平之面區域部分之處理液受到氣體之風壓與伴隨基板9之旋轉之離心力而被集中地向基板9之外脫去。自周緣部用噴出頭51開始噴出氣體後，若經過特定時間(例如，15秒鐘)，則停止自周緣部用噴出頭51噴出氣體。
藉由該液體脫去處理而將殘存於表面周緣部911之處理液(即，步驟S202之淋洗處理中未自基板9脫去而殘存於表面周緣部911之淋洗液)之大部分自基板9脫去。
<第1酸處理(SC-2)>
<i.藥液處理>
其次，對基板9之表面周緣部911，實施SC-2之藥液處理(步驟S204)。具體而言，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之第1藥液噴嘴50a，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911，噴出SC-2。開始噴出SC-2後，若經過特定時間(例如，20秒鐘)，則停止自周緣部用噴出頭51噴出SC-2。
藉由該藥液處理而將附著於基板9之表面周緣部911之金屬成分(例如，Mo、Co等)等去除(洗浄處理)。其中，此處先於該藥液處理地實施液體脫去處理(步驟S203)。因此，SC-2將朝向幾乎未殘存淋洗液之表面周緣部911被噴出。假設未實施步驟S203之液體脫去處理，則SC-2將朝向殘存淋洗液之表面周緣部911噴出，從而存在該被噴出之SC-2與殘存之淋洗液碰撞而飛濺，進入器件區域90之虞。然而，此處由於藉由液體脫去處理而使表面周緣部911成為幾乎不殘存淋洗液之狀態，因此，難以因如此之處理液碰撞造成處理液進入器件區域90。又，假設未實施步驟S203之液體脫去處理，則存在於表面周緣部911上，殘存之淋洗液與所供給之SC-2相互混合之虞，但於實施液體脫去處理之情形時，難以產生如此之事態。其結果，可使所期望之濃度之 SC-2適當地作用於表面周緣部911。又，可沖洗作為鹼性藥液之SC-1，或者亦避免淋洗液與作為酸性藥液之SC-2之污染。
<ii.液體脫去處理>
繼而，實施液體脫去處理(步驟S205)。液體脫去處理之具體流程係如步驟S203中所說明。即，首先，於停止朝向表面周緣部911噴出流體之狀態下，使基板9旋轉規定之時間(引液步驟)，此後，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之氣體噴嘴50d，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911，噴出氣體(吹洩步驟)。自周緣部用噴出頭51開始噴出氣體後，若經過特定時間(例如，15秒鐘)，則停止自周緣部用噴出頭51噴出氣體。
藉由該液體脫去處理而將殘存於表面周緣部911之處理液(即，步驟S204之洗浄處理中未自基板9脫去而殘存於表面周緣部911之SC-2)之大部分自基板9脫去。於步驟S204之洗浄處理中未自基板9脫去而殘存於表面周緣部911之SC-2中，包含洗浄處理中自基板9去除之金屬成分等雜質時，藉由於洗浄處理後實施液體脫去處理，而將該雜質於較早之階段自基板9脫去。因而，使利用SC-2之藥液處理自基板9去除之雜質再次附著於基板9之風險降低。
<iii.淋洗處理>
繼而，實施淋洗處理(步驟S206)。淋洗處理之具體流程係與步驟S202之處理相同。即，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之淋洗液噴嘴50c，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911，噴出淋洗液。開始噴出淋洗液後，若經過特定時間(例如，5秒鐘)，則停止自周緣部用噴出頭51噴出淋洗液。
藉由該淋洗處理而沖洗附著於表面周緣部911之處理液(此處為SC-2)。其中，此處先於該淋洗處理地實施液體脫去處理(步驟S205)，因此，表面周緣部911成為幾乎不殘存SC-2之狀態。因而，該 淋洗處理之處理時間可短於未實施液體脫去處理之情形。又，於該淋洗處理中，由於將淋洗液朝向幾乎不殘存SC-2之表面周緣部911噴出，因此，難以產生因處理液之碰撞造成處理液進入器件區域90之情形。
<iv.液體脫去處理>
繼而，實施液體脫去處理(步驟S207)。液體脫去處理之具體流程係如步驟S203中所說明。即，首先，於停止朝向表面周緣部911噴出流體之狀態下，使基板9旋轉規定之時間(引液步驟)，此後，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之氣體噴嘴50d，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911，噴出氣體(吹洩步驟)。自周緣部用噴出頭51開始噴出氣體後，若經過特定時間(例如，15秒鐘)，則停止自周緣部用噴出頭51噴出氣體。
藉由該液體脫去處理而將殘存於表面周緣部911之處理液(即，步驟S206之淋洗處理中未自基板9脫去而殘存於表面周緣部911之淋洗液)之大部分自基板9脫去。
<第2酸處理(DHF)>
<i.藥液處理>
其次，對基板9之表面周緣部911，實施DHF之藥液處理(步驟S208)。具體而言，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之第1藥液噴嘴50a，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911，噴出DHF。此時之DHF之噴出流量為例如20(mL/min)以上且50(mL/min)以下。開始噴出DHF後，若經過特定時間(例如，10秒鐘)，則停止自周緣部用噴出頭51噴出DHF。
藉由該藥液處理而將形成於基板9之表面周緣部911之薄膜去除(蝕刻處理)。其中，此處，先於該藥液處理地實施液體脫去處理(步驟S207)，因此，DHF朝向幾乎未殘存淋洗液之表面周緣部911噴出。因 而，不易產生因處理液碰撞造成處理液進入器件區域90之情形。又，由於在表面周緣部911上，DHF與淋洗液不相互混合，故而，可使所期望濃度之DHF適當地作用於表面周緣部911。
其中，於實施該藥液處理之期間，自周緣部用噴出頭51之氣體噴嘴50d，朝向表面周緣部911噴出氣體。此時之氣體之噴出流量為例如14(L/min)。即，於表面周緣部911內之各位置上，將舊DHF(即，一周前自第1藥液噴嘴50a供給且基板9旋轉一周之期間內仍未脫去之舊DHF)利用自氣體噴嘴50d噴出之氣體去除之後，對該位置自第1藥液噴嘴50a供給新DHF。根據該構成，如上所述，可抑制因基板9旋轉一周之期間內仍未脫去之舊處理液與重新供給之處理液之碰撞造成處理液進入器件區域90之情形。又，根據該構成，可始終使新鮮之DHF作用於基板9，從而提昇處理效率。又，根據該構成，可避免在表面周緣部911內之各位置暫時地保持大量之DHF之類狀況。其結果，可使蝕刻寬度穩定，提昇蝕刻寬度之控制精度。又，若供給DHF，則表面周緣部911成為撥水性，因此，存在保持於表面周緣部911之舊處理液局部變厚之情形。若於該狀態下供給新處理液，則成為處理液容易被排斥而飛濺之狀態。因此，藉由利用自氣體噴嘴50d噴出之氣體將舊處理液朝向基板9之外側吹洩，而充分地抑制該液滴等進入器件區域90之情形。
<ii.淋洗處理>
繼而，實施淋洗處理(步驟S209)。淋洗處理之具體流程係與步驟S202之處理相同。即，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之淋洗液噴嘴50c，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出淋洗液。開始噴出淋洗液後，若經過特定時間(例如，5秒鐘)，則停止自周緣部用噴出頭51噴出淋洗液。
藉由該淋洗處理而沖洗附著於表面周緣部911之處理液(此處為 DHF)。其中，亦於進行該淋洗處理之期間，自周緣部用噴出頭51之氣體噴嘴50d，朝向基板9之表面周緣部911噴出氣體。此時之氣體之噴出流量為例如14(L/min)。即，於表面周緣部911內之各位置，將舊淋洗液(即，一周前自淋洗液噴嘴50c供給且基板9旋轉一周之期間內仍未脫去之舊淋洗液)利用自氣體噴嘴50d噴出之氣體去除之後，對該位置自淋洗液噴嘴50c供給新淋洗液。根據該構成，可如上所述地抑制因基板9旋轉一周之期間內仍未脫去之舊處理液與重新供給之處理液之碰撞造成處理液進入器件區域90之情形。又，根據該構成，由於可將包含DHF之舊淋洗液快速地自表面周緣部911去除，並且使不含DHF之新淋洗液作用於基板9，因此，淋洗處理之處理效率提昇。 又，根據該構成，由於如上所述地利用由自氣體噴嘴50d噴出之氣體所形成之氣流，將在表面周緣部911被排斥之處理液之液滴等朝向基板9之外側吹洩，因此，該液滴等進入器件區域90之情形得到充分地抑制。
<iii.液體脫去處理>
繼而，實施液體脫去處理(步驟S210)。液體脫去處理之具體流程係如步驟S203中所說明。即，首先，於停止朝向表面周緣部911噴出流體之狀態下，使基板9旋轉規定之時間(引液步驟)，此後，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之氣體噴嘴50d，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911，噴出氣體(吹洩步驟)。自周緣部用噴出頭51開始噴出氣體後，若經過特定時間(例如，5秒鐘)，則停止自周緣部用噴出頭51噴出氣體。
藉由該液體脫去處理而將殘存於表面周緣部911之處理液(即，步驟S209之淋洗處理中未自基板9脫去而殘存於表面周緣部911之淋洗液)之大部分自基板9脫去。
<4-3.處理面切換處理>
表面周緣處理(步驟S2)結束後，繼而，實施處理面切換處理(步驟S3)。處理面切換處理係包含於背面處理(步驟S4)，且使旋轉底座21之旋轉速度(即，基板9之旋轉速度)降低(下降)(參照圖19、圖20)。即，將旋轉底座21之旋轉速度自表面周緣處理時之旋轉速度，切換為小於該速度之旋轉速度(低速之旋轉速度)。具體而言，將旋轉底座21之轉數自表面周緣處理時之轉數即600rpm，切換為充分小於此速度之低速之轉數(例如，20rpm)。
其中，如上所述，亦於執行處理面切換處理之期間，朝向基板9之表面91之中央附近，持續地自保護氣體噴嘴41供給保護氣體。
<4-4.背面處理>
處理面切換處理(步驟S3)結束後，繼而，進行背面處理(步驟S4)。對於背面處理，一面參照圖19及圖20一面進行說明。圖19係表示背面處理之流程之圖。圖20係用以說明背面處理之圖，且模式性地表示執行背面處理中之各處理步驟之狀態之基板處理裝置1之一部分元件。
其中，如上所述，亦於執行背面處理之期間，朝向基板9之表面91之中央附近，持續地自保護氣體噴嘴41供給保護氣體，藉此，保護器件區域90不受供給至背面92之處理液之氣氛等影響。
先於對背面92之處理液供給，而將旋轉底座21之旋轉速度切換為作為低速轉數之20rpm。此處所謂之「低速之旋轉速度」係指於基板9以該旋轉速度旋轉之狀態下，供給至基板9之背面92之處理液不擴散至背面92之整體且不迂迴至基板9之表面91之速度，具體而言，例如相當於20rpm以下之轉數之旋轉速度。
首先，對基板9之背面92，實施SC-1之藥液處理(步驟S401)。具體而言，自背面側噴出口82，朝向以低速之旋轉速度旋轉之基板9之背面92之中央附近，噴出SC-1。此時之SC-1之噴出流量為例如 500(mL/min)以上且2000(mL/min)以下。供給至背面92之中央附近之SC-1係因伴隨基板9之旋轉之離心力而擴散至背面92之整體，藉此，對基板9之背面92，進行SC-1之藥液處理。此處，藉由SC-1之藥液處理而將形成於基板9之背面92之薄膜去除(蝕刻處理)。開始噴出SC-1後，若經過特定時間(例如，20秒鐘)，則停止自背面側噴出口82噴出SC-1。
繼而，實施淋洗處理(步驟S402)。具體而言，保持著基板9以低速之旋轉速度旋轉之狀態，自背面側噴出口82，朝向基板9之背面92之中央附近，噴出淋洗液。供給至背面92之中央附近之淋洗液因伴隨基板9之旋轉之離心力而擴散至背面92之整體，藉此，沖洗附著於背面92之處理液(此處為SC-1)。開始噴出淋洗液後，若經過特定時間(例如，20秒鐘)，則停止自背面側噴出口82噴出淋洗液。
繼而，對基板9之背面92，實施SC-2之藥液處理(步驟S403)。具體而言，保持著基板9以低速之旋轉速度旋轉之狀態，自背面側噴出口82，朝向基板9之背面92之中央附近，噴出SC-2。供給至背面92之中央附近之SC-2係因伴隨基板9之旋轉之離心力而擴散至背面92之整體，藉此，對背面92進行SC-2之藥液處理。此處，藉由SC-2之藥液處理而將附著於基板9之背面92之金屬成分(例如，Mo、Co等)等去除(洗浄處理)。開始噴出SC-2後，若經過特定時間(例如，20秒鐘)，則停止自背面側噴出口82噴出SC-2。
繼而，實施淋洗處理(步驟S404)。淋洗處理之具體流程係與步驟S402之處理相同。即，保持著基板9以低速之旋轉速度旋轉之狀態，自背面側噴出口82，朝向基板9之背面92之中央附近，噴出淋洗液。供給至背面92之中央附近之淋洗液因伴隨基板9之旋轉之離心力而擴散至背面92之整體，藉此，沖洗附著於背面92之處理液(此處為SC-2)。開始噴出淋洗液後，若經過特定時間(例如，20秒鐘)，則停止自 背面側噴出口82噴出淋洗液。
繼而，對基板9之背面92，實施DHF之藥液處理(步驟S405)。具體而言，保持著基板9以低速之旋轉速度旋轉之狀態，自背面側噴出口82，朝向基板9之背面92之中央附近，噴出DHF。此時之DHF之噴出流量為例如500(mL/min)以上且2000(mL/min)以下。供給至背面92之中央附近之DHF因伴隨基板9之旋轉之離心力而擴散至背面92之整體，藉此，對背面92進行DHF之藥液處理。此處，藉由DHF之藥液處理而將形成於基板9之背面92之薄膜去除(蝕刻處理)。開始噴出DHF後，若經過特定時間(例如，10秒鐘)，則停止自背面側噴出口82噴出DHF。
繼而，實施淋洗處理(步驟S406)。淋洗處理之具體流程係與步驟S402之處理相同。即，保持著基板9以低速之旋轉速度旋轉之狀態，自背面側噴出口82，朝向基板9之背面92之中央附近，噴出淋洗液。供給至背面92之中央附近之淋洗液因伴隨基板9之旋轉之離心力而擴散至背面92之整體，藉此，沖洗附著於背面92之處理液(此處為DHF)。開始噴出淋洗液後，若經過特定時間(例如，22.5秒鐘)，則停止自背面側噴出口82噴出淋洗液。以上，背面處理結束。
<4-5.乾燥處理>
背面處理(步驟S4)結束後，繼而，實施乾燥處理(步驟S5)。於乾燥處理中，在停止朝向基板9噴出處理液之狀態下，將旋轉底座21之旋轉速度(即，基板9之旋轉速度)自執行背面處理時之低速之旋轉速度，提昇至相對高速之乾燥時之旋轉速度(參照圖19、圖20)。藉此，將附著於基板9之背面92上之淋洗液不斷地緩慢脫去，最終，將基板9乾燥。其中，如上所述亦於執行乾燥處理之期間，對基板9之表面91，持續地自保護氣體噴嘴41供給保護氣體，藉此，保護器件區域90不受處理液之氣氛等影響。
基板9以乾燥時之旋轉速度開始旋轉後，若經過特定時間，則停止旋轉底座21之旋轉。此後，停止自保護氣體噴嘴41噴出氣體，將保護氣體噴嘴41移動至避讓位置。又，將周緣部用噴出頭51、護罩31、及半圓弧構件61、62移動至各個避讓位置。繼而，一群保持構件25將基板9釋放，並且搬送機器人CR將該基板9自基板處理裝置1搬出。以上，對該基板9之一系列處理結束。
<5.第1效果>
且說，先前以來存在對於旋轉之基板供給處理液，且對基板進行液體處理之基板處理裝置(例如，參照日本專利特開平11-260780號公報、日本專利特開平9-260277號公報、日本專利特開2006-060252號公報、日本專利特開2011-238967號公報、及日本專利特開平8-1064號公報等)。
於對旋轉之基板供給處理液且對基板進行液體處理之種類之基板處理裝置中，存在供給至基板之處理液之一部分自基板飛散，且該飛散之處理液之一部分被配置於外部之構件(例如，用以接住自基板飛散之處理液之護罩)濺回等而再次附著於基板，從而其成為基板之污染原因之虞。
例如，於對基板之表面上之形成有器件圖案之區域(器件區域)之外側之區域(表面周緣部)供給處理液之情形時，若供給至該表面周緣部之處理液之一部分自表面周緣部飛散，且該飛散之處理液之一部分再次附著於器件區域，則存在器件圖案中產生異常，招致良率下降之虞。
因此，尋求可抑制自基板飛散之處理液之一部分再次附著於基板之技術。
根據上述實施形態，周緣部用噴出頭51所具備之噴嘴50與護罩31之間之間隙空間V之至少一部分被防護構件60填滿。根據該構成， 自基板9飛散之處理液之霧等所能懸浮之空間減小了相當於被防護構件60填滿之空間量，且相應於該空間變小之量，處理液之霧等再次附著於基板9之可能性降低。即，可抑制自基板9飛散之處理液之一部分再次附著於基板9。
又，根據上述實施形態，防護構件60之下表面602之至少一部分係與保持在旋轉底座21上之基板9之表面周緣部911對向地配置。根據該構成，自基板9飛散之處理液沿著防護構件60之下表面602，被導向護罩31內。因而，可充分地抑制該飛散之處理液再次附著於基板9。
又，於上述實施形態中，若設為防護構件60之下表面602配置在與噴嘴50中之處理液之噴出面502相同之高度位置、或低於該噴出面502之位置之構成，則可尤其有效地抑制自基板9飛散之處理液再次附著於基板9。
又，於上述實施形態中，若設為防護構件60之下表面602配置在與護罩31之上端緣部301之下表面3011相同之高度位置、或低於該下表面3011之位置之構成，則可尤其有效地抑制自基板9飛散之處理液再次附著於基板9。
又，根據上述實施形態，防護構件60係沿著基板9之表面周緣部911之整周之環狀構件。根據該構成，可遍及基板9之周向之整體地抑制自基板9飛散之處理液再次附著於基板9。
又，根據上述實施形態，防護構件60係藉由將相互獨立分開地構成之一對半圓弧構件61、62設為其周向之端面彼此相互地抵接之狀態而形成。而且，於旋轉底座21上未保持基板9之期間，將一對半圓弧構件61、62設為相互相隔之狀態，且配置在基板9之搬出入路徑之外側之避讓位置。根據該構成，可使防護構件60簡易地避讓至基板9之搬出入路徑之外側。
又，根據上述實施形態，於旋轉底座21上未保持基板9之期間， 將護罩31及半圓弧構件61、62配置於相較旋轉底座21之上表面為下方之避讓位置。根據該構成，可藉由一面對未保持基板9之旋轉底座21供給洗浄液，一面使旋轉底座21旋轉，而將旋轉底座21、護罩31、及各半圓弧構件61、62集中地洗浄。
又，根據上述實施形態，周緣部用噴出頭51所具備之噴嘴50之至少一部分係收容於防護構件60之切口605。根據該構成，可不使防護構件60與噴嘴50干涉地將噴嘴50配置於基板9之表面周緣部911之上方。
<6.第2效果>
且說，於基板中，器件圖案(迴路圖案)幾乎並非最大限度地形成於該基板之端面，器件圖案大多自基板之端面以固定寬度形成於內側之表面區域。
然而，於用以形成器件圖案之成膜步驟中，存在將膜形成至基板之背面、或基板之表面中之形成有器件圖案之區域(器件區域)之外側之周緣部之情形。形成於背面或表面周緣部之膜不僅多餘，而且亦可能成為各種故障之原因。例如，存在形成於背面或表面周緣部之膜於處理步驟之中途剝落，招致良率下降、基板處理裝置之故障等之虞等。
因此，存在實施藉由蝕刻而將形成於基板之背面及表面周緣部之膜去除之處理之情形。例如，於日本專利特開2004-006672號公報中，記載有如下裝置：對以水平姿勢旋轉之基板之背面供給處理液，且使該處理液迂迴至基板之表面周緣部，藉此對背面及表面周緣部實施蝕刻處理。作為與之關聯之技術，存在有例如日本專利特開2008-300454號公報、日本專利特開2009-070946號公報、日本專利特開2006-210580號公報、日本專利特開2006-229057號公報、日本專利特開2003-264168號公報、及日本專利特開2001-060576號公報等。
日本專利特開2004-006672號公報之態樣因可一次性處理基板之背面與表面周緣部，故具有可實現高處理量之類優點，但另一方面，存在極其難以控制迂迴至表面周緣部之處理液之量，從而無法適當地處理表面周緣部之可能性。
因此，尋求一面抑制處理量之低下，一面可適當地處理表面周緣部與背面兩者之技術。
根據上述實施形態，由於在將基板9保持在旋轉底座21上之狀態下，連續地實施對於該基板9之表面周緣部911之處理與對於該基板9之背面92之處理，因此，可一面抑制處理量之低下，一面處理基板9之表面周緣部911與背面92兩者。另一方面，根據上述實施形態，由於分別朝向基板9之表面周緣部911、及基板9之背面92噴出處理液，因此，可穩定地控制保持在表面周緣部911與背面92各者之處理液之量。又，根據上述實施形態，由於對表面周緣部911供給處理液之後，朝向背面92供給處理液，因此，即便供給至表面周緣部911之處理液自基板9飛散而附著於背面92，此後，亦可藉由供給至基板9之背面92之處理液而使該附著之處理液流掉。因而，可適當地處理表面周緣部911與背面92兩者。如上所述，根據上述實施形態，可一面抑制處理量之低下，一面適當地處理表面周緣部911與背面92兩者。
又，根據上述實施形態，於朝向背面92噴出處理液之前，使基板9之旋轉速度降低。即，於對表面周緣部911供給處理液之期間，以相對高速使基板9旋轉，且於對背面92供給處理液之期間，以相對低速使基板9旋轉。根據該構成，可抑制對表面周緣部911供給之處理液進入器件區域90，並且亦可抑制供給至背面92之處理液迂迴至基板9之表面91進入器件區域90。
又，根據上述實施形態，周緣部用噴出頭51與護罩31之間之間隙空間V之至少一部分係被防護構件60填滿。根據該構成，自基板9 飛散之處理液之霧等所能懸浮之空間減小了相當於被防護構件60填滿之空間量，且相應於該空間變小之量，處理液之霧等再次附著於基板9之可能性降低。即，可抑制自基板9飛散之處理液之一部分再次附著於基板9。
<7.抑制濺液部6之變化例>
<7-1.第1變化例之抑制濺液部6a>
第1變化例之抑制濺液部6a係於防護構件之構成中不同於上述實施形態之抑制濺液部6，且除此以外之構成並無不同。對於抑制濺液部6a所具備之防護構件60a，一面參照圖21~圖23一面詳細地進行說明。圖21係防護構件60a之立體圖。圖22係自上方觀察護罩31、防護構件60a、及周緣部用噴出頭51配置在各個處理位置之狀態所得之俯視圖。圖23係自圖22之箭頭K1觀察所得之側剖面圖。再者，以下之說明中，對於與上述實施形態中所說明之構成相同之構成，省略說明，並且標註相同之符號進行表示。
防護構件60a係包括沿著基板9之表面周緣部911之整周之環狀構件即本體部64、及自本體部64之外周壁643伸出之簷部65。再者，防護構件60a係與上述實施形態之防護構件60相同地藉由將相互獨立分開地構成之複數個弧狀構件(圖示之例為一對半圓弧構件61a、62a)設為其周向之端面彼此相互地抵接之狀態而形成。
本體部64係與上述實施形態之防護構件60相同之構件。
簷部65係平板環狀構件，且將其內徑設為與本體部64之內徑相等之尺寸，將其外徑設為大於本體部64之外徑之尺寸。簷部65之下表面652之至少內周部分係附著設置於本體部64之上表面，藉此，使簷部65與本體部64一體地形成。
簷部65之外徑係設為大於護罩31之上端緣部301之內徑之尺寸。因而，若自上方觀察配置於處理位置之防護構件60a，則自本體部64 之外周壁643(即，相較基板9之端面93位於外側，且一面與護罩31之上端緣部301以非接觸之狀態接近，一面沿著上端緣部301之整周延伸之外周壁643)伸出之簷部65之外周緣651於護罩31之上端緣部301之外側，沿著上端緣部301之整周延伸。
於防護構件60a配置在處理位置之狀態下，簷部65之下表面652中之伸出至本體部64之外側之部分係遍及簷部65之整周地抵接於護罩31(配置於處理位置之護罩31)之上端緣部301之上表面3012。即，簷部65之下表面652與護罩31之上表面3012係未隔開間隙地相互抵接。藉此，成為本體部64與護罩31之上端緣部301之間之間隙(即，自上而下地觀察，環狀之間隙)被簷部65覆蓋(較佳為阻塞)之外形。
根據該變化例之防護構件60a，護罩31之上端緣部301與本體部64之外周壁643之間之間隙係被簷部65覆蓋。根據該構成，於該間隙流向上方且到達基板9之處理液之飛散路徑係被簷部65遮斷。因而，可充分地抑制自基板9飛散之處理液再次附著於基板9。
<7-2.第2變化例之抑制濺液部6b>
對於第2變化例之抑制濺液部6b，一面參照圖24及圖25，一面進行說明。圖24係自上方觀察護罩31、抑制濺液部6b、及周緣部用噴出頭51配置在各個處理位置之狀態所得之俯視圖。圖25係自圖24之箭頭K2觀察所得之側剖面圖。再者，亦於以下之說明中，對於與上述實施形態中所說明之構成相同之構成，省略說明，並且標註相同之符號進行表示。
抑制濺液部6b具備沿著基板9之表面周緣部911之一部分之弧狀地彎曲之弧狀構件66。該弧狀構件66係藉由將上述實施形態之防護構件60(或者第1變化例之防護構件60a)於周向之中途切斷且弧狀地切取所得之構件。弧狀構件66之沿周向之長度較佳為與周緣部用噴出頭51之長度(沿噴嘴50之排列方向之長度)同等程度之長度、或相較周緣部用 噴出頭51之長度略長者。
弧狀構件66係固定於周緣部用噴出頭51。具體而言，例如，弧狀構件66係藉由將其上表面664附著設置於周緣部用噴出頭51之支持部500之下表面而固定於周緣部用噴出頭51。其中，於弧狀構件66之內周壁661，形成有收容周緣部用噴出頭51之至少一部分之切口665，且於周緣部用噴出頭51配置在處理位置之狀態下，成為將周緣部用噴出頭51之至少一部分收容於該切口665中之狀態。又，較佳為，弧狀構件66之下表面662配置於與周緣部用噴出頭51之噴出面502相同之高度位置、或低於該噴出面502之位置。
由於弧狀構件66固定於周緣部用噴出頭51，因此，若將周緣部用噴出頭51配置於處理位置，則固定於該周緣部用噴出頭51之弧狀構件66被配置在與保持在旋轉底座21上之基板9之表面周緣部911以非接觸狀態接近之位置(處理位置)。
若自上方觀察配置於處理位置之弧狀構件66，則弧狀構件66之外周壁663相較基板9之端面93位於外側，且於護罩31之上端緣部301，一面與該護罩31之上端緣部30以非接觸之狀態接近，一面沿著上端緣部301延伸。又，若自上方觀察配置於處理位置之弧狀構件66，則弧狀構件66之內周壁661相較基板9之端面93位於內側，且弧狀構件66之下表面662之至少內周部分與保持在旋轉底座21上之基板9之表面周緣部911對向地配置。此時，弧狀構件66之下表面662與保持在旋轉底座21上之基板9之表面91之分隔距離為例如1mm以上且1.5mm以下。又，此時，下表面662較佳為配置在與配置於處理位置之護罩31之上端緣部301之下表面3011相同之高度位置、或低於下表面3011之位置。
根據該變化例，於周緣部用噴出頭51配置在處理位置之狀態下，周緣部用噴出頭51與護罩31之上端緣部301之間之間隙空間V之 至少一部分被弧狀構件66填滿。根據該構成，自基板9飛散之處理液之霧等所能懸浮之空間減小了相當於被弧狀構件66填滿之空間量，且相應於該空間變小之量，基板9之附近處之處理液之懸浮量變少。其結果，處理液之霧等再次附著於基板9之可能性降低。即，可抑制自基板9飛散之處理液之一部分再次附著於基板9。
尤其，此處因弧狀構件66之下表面662之至少一部分係與表面周緣部911對向地配置，因此，自基板9飛散之處理液沿著弧狀構件66之下表面662，被導向護罩31內。因而，可充分地抑制該飛散之處理液再次附著於基板9。
尤其，可藉由將弧狀構件66之下表面662配置於與周緣部用噴出頭51之噴出面502相同之高度位置、或者低於噴出面502之位置，而尤其有效地抑制自基板9飛散之處理液附著於基板9(尤其，器件區域90)之情況已被發明者等確認。又，亦可藉由將弧狀構件66之下表面662配置在與護罩31之上端緣部301之下表面3011相同之高度位置、或者低於該下表面3011之位置，而尤其有效地抑制自基板9飛散之處理液附著於基板9(尤其，器件區域90)之情況已被發明者等確認。
又，根據該變化例，由於弧狀構件66固定於周緣部用噴出頭51，因此，可使弧狀構件66與周緣部用噴出頭51一同地移動。因而，無需分別地設置用以使弧狀構件66移動之驅動機構、及用以使周緣部用噴出頭51移動之驅動機構，從而可使裝置構成簡易化。
《第2實施形態》
<1.基板處理裝置1之構成>
對於第2實施形態之基板處理裝置1之構成，一面參照圖26~圖28，一面進行說明。圖26係基板處理裝置1之概略立體圖，且表示構成防護構件60之半圓弧構件61、62、護罩31、及周緣部用噴出頭51配置在各個避讓位置之狀態。圖27亦為基板處理裝置1之概略立體圖， 但此處表示防護構件60、護罩31、及周緣部用噴出頭51配置在各個處理位置之狀態。圖28係用以說明基板處理裝置1之構成之模式圖。基板處理裝置1係裝載於例如上述基板處理系統100。又，基板處理裝置1係將上述基板9作為處理對象。
再者，於以下之說明中，「處理液」中，包含用於藥液處理之「藥液」、及用於沖洗藥液之淋洗處理之「淋洗液」。
基板處理裝置1係包括旋轉夾頭2、防飛散部3、表面保護部4、周緣處理部5、抑制濺液部6、加熱處理部7、及下表面處理部8。該等各部2~8係與控制部130電性連接，且根據來自控制部130之指示而動作。防飛散部3、表面保護部4、周緣處理部5、抑制濺液部6、及加熱處理部7之構成係如第1實施形態中說明所述。又，下表面處理部8係朝向藉由保持部25而保持在旋轉底座21上之基板9之下表面噴出處理液，對該下表面進行處理之元件，且其具體構成與例如第1實施形態中說明之背面處理部8相同。再者，此處，基板9係設為使表面91朝上，利用下述保持部25而保持在旋轉底座21上者。但，於該實施形態中，旋轉底座21上之基板9無需一定使表面91朝上，亦可使背面92朝上。
<旋轉夾頭2>
旋轉夾頭2係將基板9以例如使表面91朝上之狀態保持為大致水平姿勢之基板保持部，且使該基板9圍繞穿過該表面91之中心之鉛直之旋轉軸A進行旋轉。
旋轉夾頭2具備作為略微大於基板9之圓板狀之構件之旋轉底座21。於旋轉底座21之下表面中央部，連結有旋轉軸部22。旋轉軸部22係以使其軸線沿著鉛直方向之姿勢配置。又，於旋轉軸部22，連接有將該旋轉軸部22圍繞該軸線旋轉驅動之旋轉驅動部(例如，馬達)23。旋轉軸部22及旋轉驅動部23係收容於筒狀之外殼24內。又，旋轉夾頭 2係包括將基板9以水平姿勢保持於與旋轉底座21之上表面略微相隔之位置之保持部25。對於保持部25，隨後詳細地進行說明。
於該構成中，若在保持部25於旋轉底座21之上方保持著基板9之狀態下，旋轉驅動部23使旋轉軸部22進行旋轉，則旋轉底座21圍繞沿鉛直方向之軸心進行旋轉，藉此，使保持在旋轉底座21上之基板9圍繞穿過其面內之中心之鉛直之旋轉軸A進行旋轉。
其中，保持部25及旋轉驅動部23係與控制部130電性連接，且於控制部130之控制下進行動作。即，將基板9保持於旋轉底座21上之時序、將被保持之基板9釋放之時序、及旋轉底座21之旋轉態樣(具體而言為旋轉開始時序、旋轉結束時序、轉數(即，旋轉速度)等)係由控制部130進行控制。
<2.保持部25>
<2-1.整體構成>
對於保持部25之整體構成，一面參照圖29等，一面進行說明。圖29係自斜上方觀察旋轉底座21所得之立體圖。
保持部25係包括隔開適當之間隔(例如，以等間隔)排列於旋轉底座21之上表面之周緣部附近之複數個(例如6個)第1抵接構件210。複數個第1抵接構件210係自上而下地觀察，排列於大致沿著基板9之周緣之圓周上。
又，保持部25係包括隔開適當之間隔(例如，以等間隔)排列於旋轉底座21之上表面之周緣部附近之複數個(例如6個)第2抵接構件220。複數個第2抵接構件220亦為自上而下地觀察，排列於大致沿著基板9之周緣之圓周上。其中，第2抵接構件220與第1抵接構件210係沿著旋轉底座21之周向，隔開間隔地交替設置。例如，自旋轉底座21之旋轉軸A觀察，各第2抵接構件220配置在其兩側所配置之第1抵接構件210之大致正中間之位置。
保持部25更包含將複數個第1抵接構件210保持基板9之第1保持狀態與複數個第2抵接構件220保持基板9之第2保持狀態進行切換之切換部230。
以下，對保持部25所具備之各元件210、220、230具體地進行說明。
<2-2.第1抵接構件210>
對於第1抵接構件210，不僅參照圖29，而且同時參照圖30進行說明。圖30係自側方觀察第1抵接構件210所得之圖。
複數個第1抵接構件210分別具備相同之構成。即，各第1抵接構件210具備豎立設置於旋轉底座21之上表面之基體部分211、及與該基體部分211之上側相連之前端部分212。基體部分211係其下端相對於旋轉底座21固定且沿鉛直方向延伸之例如圓柱形狀之部分。另一方面，前端部分212係與底面平行地切除圓錐體之上部所得之形狀之部分。前端部分212之上端面2121成為水平面，且前端部分212之側面2120成為相對水平面傾斜之面(以下亦稱為「傾斜側面」)。前端部分212之傾斜側面2120較佳為其與水平面所成之角度θ為45°以上。
第1抵接構件210之表面較佳為疏水性。因此，例如，第1抵接構件210自身既可以疏水性之樹脂(例如，PTFE(polytetrafluorethylene)：聚四氟乙烯)形成，亦可對第1抵接構件210之表面，實施使其成為疏水性之類的表面加工。
各第1抵接構件210係自基板9之斜下方抵接於該基板9。具體而言，各第1抵接構件210係於該傾斜側面2120，與基板9之下側邊緣部(即，將基板9之下表面(圖示之例為背面92)與端面93相連之非平坦之面區域部分)抵接。即，第1抵接構件210係僅自基板9之斜下方抵接於基板9，而並非自基板9之側方抵接於基板9。又，於各第1抵接構件210抵接於基板9之狀態下，該基板9之上表面(圖示之例為表面91)位 於高於第1抵接構件210之上端面2121之位置。
藉由複數個第1抵接構件210全部自基板9之斜下方抵接於該基板9，而成為將該基板9於水平面內定位，並且於與旋轉底座21之上表面相隔之位置(即，與旋轉底座21之上表面隔開規定之間隔h1)以大致水平姿勢進行保持之狀態(圖29、圖32、圖33所示之狀態)。其中，由複數個第1抵接構件210保持之基板9之上表面位於高於各第1抵接構件210之上端(具體而言為上端面2121)之位置。再者，該間隔h1係設為比搬送機器人CR之機械手121之厚度大之尺寸°以下，將複數個第1抵接構件210保持基板9之狀態亦稱為「第1保持狀態」。
如上所述，於第1保持狀態下，基板9之上表面位於與各第1抵接構件210之上端面2121相比更高之位置。根據該構成，於下述背面處理中，供給至基板9之下表面之處理液不易順著第1抵接構件210迂迴至基板9之上表面。
又，於第1保持狀態下，各第1抵接構件210於傾斜側面2120，與基板9抵接。根據該構成，被引向基板9之下表面與傾斜側面2120之間隙空間之液體容易順著傾斜側面2120掉落至下方。即，不易於該間隙空間形成蓄積液體。因而，可抑制在該間隙空間產生蓄積液體，從而蓄積液體迂迴至基板9之上表面之類事態之產生。進而，由於形成供給至基板9之下表面之處理液順著傾斜側面2120掉落至下方之類的處理液之液流(即，將供給至基板9之下表面之處理液導向下方之處理液之液流)，故而，可將供給至基板9之下表面之處理液避免迂迴至上表面地自基板9快速去除。
尤其，若傾斜側面2120與水平面所成之角度θ達到45°以上，則被引向基板9之下表面與傾斜側面2120之間隙空間之液體將快速地順著傾斜側面2120掉落至下方。因而，可充分地抑制在該間隙空間產生蓄積液體，從而蓄積液體迂迴至基板9之上表面之類事態之產生，並且 可將供給至基板9之下表面之處理液避免迂迴至上表面地自基板9尤其快速地去除。又，若傾斜側面2120與水平面所成之角度θ達到45°以上，則基板9與傾斜側面2120之間之接觸面積變小，因此，亦可藉由毛細管現象而抑制處理液迂迴至基板9之上表面。
尤其，若第1抵接構件210之表面成為疏水性，則處理液不易附著於第1抵接構件210，從而在基板9之下表面與第1抵接構件210(具體而言為例如傾斜側面2120)之間隙空間不易形成蓄積液體。因而，可抑制於該間隙空間產生產生蓄積液體，從而蓄積液體迂迴至基板9之上表面之類事態之產生。
<2-3.第2抵接構件220>
對於第2抵接構件220，不僅參照圖29，而且同時參照圖31進行說明。圖31係自側方觀察第2抵接構件220所得之圖。
複數個第2抵接構件220分別具有相同之構成。即，各第2抵接構件220包含：在配設於旋轉底座21上之基台231(下述)之上表面豎立設置之基體部分221、與該基體部分221之上側相連之下方抵接部分222、及與該下方抵接部分222之上側相連之側方抵接部分223。基體部分221係其下端相對於基台231固定之柱狀之部分。又，下方抵接部分222係自上方觀察為例如扁圓形狀之部分，且其長條方向與朝向旋轉底座21之旋轉軸A之方向大致一致(參照圖32)。下方抵接部分222之上表面成為於隨著趨向上方而與旋轉軸A分離之方向上傾斜之面(傾斜面)2220。又，側方抵接部分223係自上方觀察，於下方抵接部分222中之遠離旋轉軸A之側之端部附近處，與傾斜面2220之上端緣相連，且於鉛直方向延伸之例如圓柱形狀之部分。即，第2抵接構件220係包括相對於水平面傾斜之傾斜面2220、及與該傾斜面2220之上端相連且鉛直地延伸之鉛直側面2230。
各第2抵接構件220係自基板9之側方及基板9之斜下方抵接於該 基板9。具體而言，各第2抵接構件220係於該傾斜面2220中，與基板9之下側邊緣部抵接，且於該鉛直側面2230中，與基板9之端面93抵接。於各第2抵接構件220抵接於基板9之狀態下，該基板9之上表面(圖示之例為表面91)位於與第2抵接構件220之上端相比更低之位置。
藉由複數個第2抵接構件220均自基板9之側方及斜下方抵接於該基板9，而成為該基板9於水平面內定位，並且於與旋轉底座21之上表面相隔之位置(即，與旋轉底座21之上表面隔開規定之間隔h2)以大致水平姿勢被保持之狀態(圖34及圖35所示之狀態)。其中，如隨後所明確，該間隔h2大於由複數個第1抵接構件210保持之基板9與旋轉底座21之間隔h1。以下，將複數個第2抵接構件220保持基板9之狀態亦稱為「第2保持狀態」。
如上所述，於第2保持狀態下，複數個第2抵接構件220各自之鉛直側面2230抵接於基板9之端面93。即，複數個第2抵接構件220係自端面93側挾入地抓持基板9。根據該構成，例如，即便使基板9以相對高速進行旋轉，該基板9亦不易在水平面內引起位置偏移。
<2-4.切換部230>
<i.構成>
切換部230係如上所述地將複數個第1抵接構件210保持基板9之第1保持狀態、與複數個第2抵接構件220保持基板9之第2保持狀態進行切換。對於切換部230之構成，接著一面參照圖29及圖31，一面進行說明。
切換部230包括：支持複數個第2抵接構件220之各者之基台231、於旋轉底座21之上方軸支複數個基台231之各者之旋動軸部232、使複數個旋動軸部232一同地旋動之驅動部233、及控制驅動部233之切換控制部234。切換控制部234係於例如控制部130中得以實現。
旋動軸部232係將旋轉底座21之上板上下貫通地設置，且於其上端(即，旋轉底座21之上表面之上側)，軸支基台231，於其下端(即，旋轉底座21之上板之下側)，與驅動部233連結。其中，旋動軸部232係自上方觀察，於與第2抵接構件220偏心之位置處，與基台231連結。於該構成中，若驅動部233在切換控制部234之控制下使旋動軸部232旋動，則基台231以旋動軸部232為中心旋動，第2抵接構件220於與旋轉底座21之旋轉軸A接近遠離之方向(即，與旋轉底座21上之基板9之端面93接近遠離之方向)上移動。其中，此時第2抵接構件220所移動之方向與傾斜面2220之長條方向(即，將傾斜面2220之上端緣與下端緣連結之方向)大致一致。
<ii.切換之態樣>
切換部230係藉由使複數個第2抵接構件220之各者於與旋轉底座21上之基板9之周緣接近遠離之方向上移動，而進行第1保持狀態與第2保持狀態間之切換。對於該切換之態樣，一面參照圖32~圖35一面進行說明。圖32係表示第1保持狀態之俯視圖。圖33係自箭頭K1方向觀察圖32所得之側剖面。圖34係表示第2保持狀態之俯視圖。圖35係自箭頭K1方向觀察圖34所得之側剖面。
a.自第1保持狀態向第2保持狀態之切換
若於複數個第1抵接構件210保持基板9之第1保持狀態(圖32及圖33所示之狀態)下，切換控制部234對驅動部233進行控制，使複數個旋動軸部232於第2抵接構件220向基板9之端面93接近之方向(第1方向AR1)上一同地旋動，則各第1抵接構件210自基板9遠離，並且各第2抵接構件222抵接於基板9，成為複數個第2抵接構件220保持基板9之第2保持狀態(圖34及圖35所示之狀態)。即，自第1保持狀態切換為第2保持狀態。
對於自第1保持狀態向第2保持狀態之切換態樣，具體地進行說 明。若自基板9被複數個第1抵接構件210保持之狀態(圖32及圖33所示之狀態)，使複數個旋動軸部232於第1方向AR1上一同地旋動，則各第2抵接構件220不斷接近基板9，成為各第2抵接構件220於該傾斜面2220之下端緣附近處自斜下方抵接於基板9之下側邊緣部之狀態。而且，隨著進行旋動，各傾斜面2220中之與基板9之抵接位置不斷朝向傾斜面2220之上端緣側移動，與此同時地，基板9保持著水平姿勢不斷被頂向上方。藉此，基板9自各第1抵接構件210遠離。若成為各傾斜面2220中之與基板9之抵接位置到達傾斜面2220之上端緣，且基板9之端面93觸碰各第2抵接構件220之鉛直側面2230之狀態，則將複數個旋動軸部232之旋動停止。藉此，成為複數個第2抵接構件220保持基板9之第2保持狀態(圖34及圖35所示之狀態)。
亦如根據上述說明所明確，於第2保持狀態下，複數個第1抵接構件210係與基板9相隔。根據該構成，供給至該基板9之下表面之處理液不易順著第1抵接構件210迂迴至基板9之上表面。
再者，第1抵接構件210之高度尺寸(即，旋轉底座21之上表面與第1抵接構件210之上端面2121之分隔距離)較佳為小於由複數個第2抵接構件220保持之基板9與旋轉底座21之間隔h2。根據該構成，由於由複數個第2抵接構件220保持之基板9與各第1抵接構件210充分地相隔，因此，可充分地抑制供給至基板9之下表面之處理液順著第1抵接構件210迂迴至基板9之上表面。
b.自第2保持狀態向第1保持狀態之切換
於複數個第2抵接構件220保持基板9之第2保持狀態(圖34及圖35所示之狀態)下，若切換控制部234控制驅動部233，使複數個旋動軸部232於第2抵接構件220自基板9之端面93遠離之方向(第2方向AR2)上一同地旋動，則各第2抵接構件220自基板9遠離，並且各第1抵接構件210抵接於基板9，成為複數個第1抵接構件210保持基板9之第1保持狀 態(圖32及圖33所示之狀態)。即，自第2保持狀態切換為第1保持狀態。
對於自第2保持狀態向第1保持狀態之切換態樣，具體地進行說明。若自基板9被複數個第2抵接構件220保持之狀態(圖34及圖35所示之狀態)，使複數個旋動軸部232在與第1方向AR1相反之第2方向AR2上一同地旋動，則各第2抵接構件220之鉛直側面2230自基板9之端面93遠離。繼而，隨著進行旋動，各傾斜面2220中之與基板9抵接之抵接位置不斷地移動至傾斜面2220之下端緣側，隨之，基板9保持著水平姿勢不斷地下降。若基板9到達與旋轉底座21之上表面隔開規定之間隔h1之水平位置，則各第1抵接構件210之傾斜側面2120自斜下方抵接於基板9之下側邊緣部。藉此，將基板9自複數個第2抵接構件220交接至複數個第1抵接構件210。若進而進行旋動，則各第2抵接構件220之傾斜面2220與基板9完全地相隔。若各第2抵接構件220與基板9充分地相隔，則停止複數個旋動軸部232之旋動。藉此，成為複數個第1抵接構件210保持基板9之第1保持狀態(圖32及圖33所示之狀態)。
亦如根據上述說明所明確，於第1保持狀態下，複數個第2抵接構件220與基板9相隔。根據該構成，供給至該基板9之下表面之處理液不易順著第2抵接構件220迂迴至基板9之上表面。再者，如上所述，於第1保持狀態下，基板9之上表面位於與第1抵接構件210之上端相比更高之位置，因此，供給至該基板9之下表面之處理液即便順著第1抵接構件210流動亦無法容易地迂迴至基板9之上表面。即，於第1保持狀態下，可充分地抑制處理液迂迴至基板9之上表面。
<iii.切換之時序>
如上所述，該實施形態係藉由切換部230使第2抵接構件220於旋轉底座21上之與基板9之周緣接近遠離之方向上移動，而實施第1保持狀態與第2保持狀態間之切換。切換部230(具體而言為切換控制部 234)係於基板9之旋轉速度小於規定之閾值T之情形時，使複數個第1抵接構件210保持基板9，且於基板9之旋轉速度為閾值T以上之情形時，使複數個第2抵接構件220保持基板9。
例如，於實施對基板9之一系列處理之過程中，由複數個第1抵接構件210保持之基板9之旋轉速度上升至閾值T以上之旋轉速度之情形時，切換部230實施自第1保持狀態向第2保持狀態之切換。
又，例如於實施對基板9之一系列處理之過程中，由複數個第2抵接構件220保持之基板9之旋轉速度下降至比預先規定之閾值T小之旋轉速度之情形時，切換部230根據需要，實施自第2保持狀態向第1保持狀態之切換。
其中，保持狀態之切換(自第1保持狀態向第2保持狀態之切換、及自第2保持狀態向第1保持狀態之切換)較佳為於基板9以小於閾值T之低速之旋轉速度進行旋轉之期間、或者基板9未進行旋轉之期間實施。又，保持狀態之切換亦較佳為於附著於基板9之處理液之量相對較少之狀態(例如，處理液大致完全自基板9脫去之狀態)下實施。
如此，於該實施形態中，以小於閾值T之旋轉速度旋轉之基板9被複數個第1抵接構件210所保持，且以閾值T以上之旋轉速度旋轉之基板9被複數個第2抵接構件220所保持。即，複數個第1抵接構件210係用以保持以相對低速進行旋轉之基板9之保持部(低速用保持部)，且複數個第2抵接構件220係用以保持以相對高速進行旋轉之基板9之保持部(高速用保持部)。
基板9之旋轉速度越小，則供給至基板9之下表面之處理液越不易因離心力而被吹洩，因此，於該處理液變得容易迂迴至基板9之上表面之時，當基板9以相對低速進行旋轉時，藉由設為複數個第1抵接構件210保持基板9之第1保持狀態，而抑制供給至該基板9之下表面之處理液迂迴至基板9之上表面。再者，若基板9之旋轉速度較小，則不 易造成基板9於水平面內產生位置偏移之事態。因而，若基板9以相對低速進行旋轉，則即便設為第1保持狀態(即，即便未將基板9自端面93側挾入地抓持)，亦可使基板9持續保持於水平面內之特定之位置。
另一方面，於基板9之旋轉速度越大，基板9越容易在水平面內產生位置偏移之時，當基板9以相對高速進行旋轉時，藉由設為複數個第2抵接構件220保持基板9之第2保持狀態，而避免該基板9在水平面內產生位置偏移。再者，基板9之旋轉速度越大，則供給至基板9之下表面之處理液越容易因離心力而被吹洩，從而該處理液不易迂迴至基板9之上表面。因而，若基板9以相對高速進行旋轉，則即便設為第2保持狀態(即，即便第2抵接構件220抵接於基板9之端面93)，供給至該基板9之下表面之處理液順著第2抵接構件220迂迴至基板9之表面之可能性亦較低。
再者，閾值T之具體值設為例如操作員可經由控制部130任意地進行設定之構成即可。以下之說明中，將該閾值T設定為例如100rpm，對具體之切換時序之一例進行說明。
<3.基板處理裝置1之動作>
其次，對基板處理裝置1之動作進行說明。於基板處理裝置1中，在控制部130之控制下，執行以下說明之一系列處理。但，以下所說明者僅為基板處理裝置1中可執行之處理之一例。
基板處理裝置1係例如對1片基板9，依序地實施預處理(步驟S1)、表面周緣處理(步驟S2)、處理面切換處理(步驟S3)、背面處理(步驟S4)、及乾燥處理(步驟S5)(圖14)。以下，對各處理具體地進行說明。
<3-1.預處理>
對於預處理(步驟S1)，一面參照圖36及圖16，一面進行說明。圖36係表示預處理之流程之圖。圖16係用以說明預處理之圖，且模式性 表示執行預處理中之各處理步驟之狀態之基板處理裝置1之一部分元件。
首先，於半圓弧構件61、62、護罩31、周緣部用噴出頭51、及保護氣體噴嘴41配置在各個避讓位置之狀態下，搬送機器人CR將基板9移載至旋轉底座21上，且保持部25將該基板9保持在旋轉底座21上(步驟S101)。
具體而言，步驟S101之處理係以如下之方式實施。首先，搬送機器人CR將基板9以其表面91朝上之姿勢移載至旋轉底座21上。其中，此時，複數個第2抵接構件220係配置於與基板9之周緣相隔之位置，且自搬送機器人CR移載至旋轉底座21上之基板9首先被複數個第1抵接構件210保持(步驟S1011)。
複數個第1抵接構件210保持基板9之後，繼而，切換部230實施自第1保持狀態向第2保持狀態之切換，使複數個第2抵接構件220保持該基板9(步驟S1012)。藉此，將旋轉底座21上之基板9之位置偏移或姿勢之傾斜修正。即，假設即便移載至旋轉底座21上且被複數個第1抵接構件210保持之基板9於水平面內配置在與所期望之位置偏移之位置，或者成為自水平姿勢略微傾斜之姿勢，亦成為藉由暫時先使複數個第2抵接構件220保持該基板9，而使該基板9與所期望之位置準確地對位之狀態，並且使該基板9之姿勢成為水平姿勢。
此後，切換部230根據需要，實施自第2保持狀態向第1保持狀態之切換。具體而言，於基板9開始旋轉後首先進行之處理中之基板9之旋轉速度小於閾值T之情形時，切換部230於該階段進行自第2保持狀態向第1保持狀態之切換。於該實施形態中，基板9開始旋轉後首先進行之處理(步驟S106)中之基板9之旋轉速度為閾值T以上。因而，於該實施形態，切換部230在該階段不進行自第2保持狀態向第1保持狀態之切換。即，一直設為複數個第2抵接構件220保持基板9之第2保持狀 態。
若將基板9保持在旋轉底座21上，則防護構件60被移動至處理位置(步驟S102)。具體而言，半圓弧構件驅動部63之升降驅動部631使配置在避讓位置之各半圓弧構件61、62上升至相較旋轉底座21之上表面為略微上方之位置，繼而，半圓弧構件驅動部63之進退驅動部632使各半圓弧構件61、62於水平面內在向另一半圓弧構件接近之方向上移動，設為各半圓弧構件61、62之周向之端面彼此相互地抵接之狀態。藉此，作為環狀構件之防護構件60成為配置在處理位置之狀態。再者，配置於處理位置之防護構件60即便旋轉底座21開始旋轉，亦不旋轉地一直保持靜止狀態。
將防護構件60配置於處理位置之後，繼而，使配置在避讓位置之護罩31上升，配置於處理位置(步驟S103)。藉此，護罩31成為以整體地包圍保持在旋轉底座21上之基板9與防護構件60之方式配置之狀態。
將護罩31配置於處理位置之後，繼而，將保護氣體噴嘴41自避讓位置移動至處理位置。繼而，自配置於處理位置之保護氣體噴嘴41，朝向基板9之表面91之中央附近，開始噴出保護氣體(步驟S104)。此處所開始之保護氣體朝向基板9之表面91之中央附近之供給係持續實施至對該基板9之處理結束為止。藉由對基板9之表面91之中央附近持續地供給保護氣體，而在對該基板9實施處理之期間，不使器件區域90曝露於供給至表面周緣部911等之處理液之氣氛等中。即，持續保護器件區域90不受供給至表面周緣部之處理液之氣氛等影響。
再者，此處係將護罩31配置於處理位置之後，自保護氣體噴嘴41開始噴出保護氣體。假設構成為未等待護罩31上升至處理位置，便開始自保護氣體噴嘴41噴出保護氣體，而導致存在基板9之表面周緣 部911附近之氣流擾動產生盤升，粒子等附著於基板9之虞時，在將護罩31配置於處理位置之後開始噴出保護氣體，則可避免如此事態之產生。
繼而，使旋轉底座21開始旋轉，藉此，使保持在旋轉底座21上之基板9(其中，如上所述，此時基板9由複數個第2抵接構件220保持)以水平姿勢開始旋轉(步驟S105)。此時之旋轉底座21之轉數(即，基板9之轉數)為例如600rpm。該轉數係適當地設定為於進行表面周緣處理之期間，供給至表面周緣部911之處理液不進入器件區域90，又，亦避免移動至端部93之側之轉數(即，在應實施處理之表面周緣部911內之區域穩定地保持處理液之轉數)。
繼而，自蒸汽噴嘴71，朝向旋轉之基板9之背面92噴出蒸汽(預汽蒸)(步驟S106)。開始噴出蒸汽後，若經過特定時間(例如5秒鐘)，則停止自蒸汽噴嘴71噴出蒸汽。藉由該預汽蒸而將基板9加熱。當用於對基板9之藥液處理之藥液大多為溫度越高越促進反應之藥液時，藉由預先利用該預汽蒸加熱基板9，而促進藥液處理中之藥液與基板9之反應。其結果，藥液處理之處理時間縮短，並且藥液之使用量得到抑制。以上，預處理結束。
<3-2.表面周緣處理>
預處理(步驟S1)結束後，繼而，實施表面周緣處理(步驟S2)。對於表面周緣處理，一面參照圖17及圖18一面進行說明。圖17係表示表面周緣處理之流程之圖。圖18係用以說明表面周緣處理之圖，且模式性表示正執行表面周緣處理中之各處理步驟之狀態之基板處理裝置1之一部分元件。
其中，該實施形態係於進行以下說明之表面周緣處理之期間，使基板9以閾值T以上之固定之旋轉速度(例如，600rpm)持續旋轉。因而，於該實施形態中，切換部230在開始進行表面周緣處理之時序 中，不實施自第2保持狀態向第1保持狀態之切換。即，一直以複數個第2抵接構件220保持基板9之第2保持狀態，實施表面周緣處理。
表面周緣處理之具體態樣係如第1實施形態中所說明。即，首先，對基板9之表面周緣部911，實施SC-1之藥液處理(步驟S201)，繼而，實施淋洗處理(步驟S202)，繼而，實施液體脫去處理(步驟S203)。其次，對基板9之表面周緣部911，實施SC-2之藥液處理(步驟S204)，繼而，實施液體脫去處理(步驟S205)，繼而，實施淋洗處理(步驟S206)，繼而，實施液體脫去處理(步驟S207)。其次，對基板9之表面周緣部911，實施DHF之藥液處理(步驟S208)，繼而，實施淋洗處理(步驟S209)，繼而，實施液體脫去處理(步驟S210)。以上，表面周緣處理結束。再者，如上所述，即便此處，亦於實施表面周緣處理之期間，朝向基板9之表面91之中央附近，自保護氣體噴嘴41持續地供給保護氣體，藉此，保護器件區域90不受供給至表面周緣部911之處理液之氣氛等影響。
<3-3.處理面切換處理>
表面周緣處理(步驟S2)結束後，繼而，實施處理面切換處理(步驟S3)。其中，如上所述，亦於實施處理面切換處理之期間，朝向基板9之表面91之中央附近，自保護氣體噴嘴41持續地供給保護氣體。
於處理面切換處理中，首先，使旋轉底座21之旋轉速度(即，基板9之旋轉速度)下降(步驟S31)。即，將旋轉底座21之旋轉速度自表面周緣處理時之旋轉速度(例如，600rpm)，切換為比該旋轉速度小之旋轉速度(低速之旋轉速度)(例如，20rpm)。
因實施步驟S31而基板9之旋轉速度變得小於閾值T。因此，切換部230於實施步驟S31之後，實施自第2保持狀態向第1保持狀態之切換(步驟S32)。
<3-4.背面處理>
處理面切換處理(步驟S3)結束後，繼而，實施背面處理(步驟S4)。對於背面處理，一面參照圖37及圖20，一面進行說明。圖37係表示步驟S2~步驟S4之流程之圖。圖20係用以說明背面處理等之圖，且模式性表示執行背面處理中之各處理步驟之狀態之基板處理裝置1之一部分元件。
其中，如隨後所明確，於實施以下說明之背面處理之期間，使基板9以小於閾值T之固定之旋轉速度(低速之旋轉速度，具體而言為例如20rpm)持續地進行旋轉。因而，於該實施形態中，切換部230在開始進行背面處理之時序，不進行自第1保持狀態向第2保持狀態之切換。即，一直以複數個第1抵接構件210保持基板9之第1保持狀態，實施背面處理。
於對背面92供給處理液之前，將旋轉底座21之旋轉速度切換為低速之轉數即20rpm。此處所謂之「低速之旋轉速度」係於基板9以該旋轉速度進行旋轉之狀態下，供給至基板9之背面92之處理液不擴散至背面92之整體，且不迂迴至基板9之表面91之速度，具體而言，例如相當於20rpm以下之轉數之旋轉速度。
背面處理之具體態樣係如第1實施形態中所說明。即，首先，對基板9之背面92，實施SC-1之藥液處理(步驟S401)。繼而，實施淋洗處理(步驟S402)。繼而，對基板9之背面92，實施SC-2之藥液處理(步驟S403)。繼而，實施淋洗處理(步驟S404)。繼而，對基板9之背面92，實施DHF之藥液處理(步驟S405)。繼而，實施淋洗處理(步驟S406)。以上，背面處理結束。如上所述，於實施該背面處理之期間，成為複數個第1抵接構件210保持基板9之第1保持狀態。因而，可抑制供給至基板9之背面92之處理液迂迴至基板9之表面。再者，如上所述，即便此處，亦於實施背面處理之期間，朝向基板9之表面91之中央附近，持續地自保護氣體噴嘴41供給保護氣體，藉此，保護器件 區域90不受供給至背面92之處理液之氣氛等影響。
<3-5.乾燥處理>
背面處理(步驟S4)結束後，繼而，實施乾燥處理(步驟S5)。其中，如上所述，亦於實施乾燥處理之期間，朝向基板9之表面91之中央附近，持續地自保護氣體噴嘴41供給保護氣體。
於乾燥處理中，在停止朝向基板9噴出處理液之狀態下，旋轉底座21之旋轉速度(即，基板9之旋轉速度)自低速之旋轉速度不斷地提昇至相對高速之乾燥時之旋轉速度。此處，基板9之旋轉速度開始上升後(步驟S51)，較短期間內，基板9便以小於閾值T之轉數進行旋轉。於基板9以小於閾值T之相對低速之旋轉速度進行旋轉之期間，切換部230不實施自第1保持狀態向第2保持狀態之切換。即，於基板9以相對低速之旋轉速度進行旋轉之期間，一直設為複數個第1抵接構件210保持基板9之第1保持狀態。在此期間，附著於基板9之淋洗液被粗略地脫去。
基板9之旋轉速度開始上升後，若經過規定之時間，則基板9之旋轉速達到閾值T。切換部230於基板9之旋轉速度達到閾值T之前，實施自第1保持狀態向第2保持狀態之切換(步驟S52)。
於基板9之旋轉速度達到閾值T之後，使基板9之旋轉速度進而上升，最終，設為乾燥時之旋轉速度(步驟S53)。於基板9以閾值T以上之相對高速之旋轉速度進行旋轉之期間，設為複數個第2抵接構件220保持基板9之第2保持狀態。在此期間，附著於基板9之淋洗液被完全地去除，最終，將基板9乾燥。基板9以乾燥時之旋轉速度開始旋轉後，若經過特定時間，則停止旋轉底座21之旋轉。以上，乾燥處理結束。
如上所述，開始進行乾燥處理後之較短期間內(乾燥處理之初期階段)，使基板9以較低速進行旋轉，將附著於該基板9之淋洗液粗略 地脫去。此期間成為複數個第1抵接構件210保持基板9之第1保持狀態。因而，於將淋洗液粗略地脫去時，可抑制該淋洗液迂迴至基板9之表面。再者，於乾燥處理之初期階段，因基板9之旋轉速度為較低速，故可藉由複數個第1抵接構件210而將基板9持續地保持於水平面內之特定之位置。
另一方面，開始進行乾燥處理之較短期間之後(乾燥處理之最後階段)，使基板9以較高速進行旋轉，將附著於該基板9之淋洗液完全地脫去。此期間成為複數個第2抵接構件220保持基板9之第2保持狀態。因而，無論基板9之旋轉速度如何地大，亦可不產生基板9之位置偏移地將基板9持續地保持於所期望之位置。再者，由於在乾燥處理之初期階段，已將基板9之下表面之淋洗液粗略地甩脫，因此，在乾燥處理之最後階段，附著於基板9之淋洗液之量並非極其多。又，由於在乾燥處理之最後階段，基板9以較高速進行旋轉，因此，殘存於基板9之淋洗液受到較強之離心力而被吹洩至基板9之外。因而，在乾燥處理之最後階段，淋洗液順著第2抵接構件220迂迴至基板9之表面之可能性較低。
乾燥處理結束後，停止自保護氣體噴嘴41噴出氣體，且將保護氣體噴嘴41移動至避讓位置。又，將周緣部用噴出頭51、護罩31、及半圓弧構件61、62移動至各個避讓位置。繼而，切換部230實施自第2保持狀態向第1保持狀態之切換。藉此，將複數個第2抵接構件220對於基板9之抓持狀態解除。此後，搬送機器人CR將由複數個第1抵接構件210保持之基板9移載至機械手121上，且將該基板9自基板處理裝置1搬出。以上，對該基板9之一系列處理結束。
<4.效果>
先前，存在對旋轉之基板供給處理液，且對基板進行液體處理之基板處理裝置(例如，參照日本專利特開平7-115081號公報、日本 專利特開2000-235948號公報、日本專利特開2002-359220號公報)。例如，於日本專利特開2000-235948號公報中揭示有如下構成：利用設置於旋轉底座之3個以上保持構件，保持晶圓之外周端部，藉此，以與旋轉底座之表面相隔之狀態支持晶圓，且一面使該晶圓旋轉，一面對該晶圓之下表面供給處理液。
且說，於對旋轉之基板之下表面供給處理液，且對該基板之下表面實施液體處理之情形時，存在供給至基板之下表面之處理液之一部分迂迴至基板之上表面之可能性。例如專利文獻2所述，於藉由利用設置於旋轉底座之保持構件保持基板之外周端部，而以與旋轉底座之表面相隔之狀態支持該基板之情形時，存在供給至基板之下表面之處理液順著保持構件，迂迴至基板之上表面之可能性。
一般而言，處理液迂迴至基板之上表面之情形係為欠佳。例如，於對表面以朝上之方式得到支持而進行旋轉之基板之下表面(即，基板之背面)供給處理液，且對該基板之背面實施液體處理之情形時，若供給至背面之處理液之一部分迂迴至基板之表面，導致處理液附著於基板之表面上之形成有器件圖案之區域(器件區域)，則存在成為器件圖案之異常、甚而良率下降之原因之虞。
因此，尋求可抑制供給至基板之下表面之處理液迂迴至基板之上表面之技術。
根據上述實施形態，於複數個第1抵接構件210保持基板9之第1保持狀態下，基板9之上表面位於與第1抵接構件210之上端(具體而言為上端面2121)相比更高之位置，且，第2抵接構件220與基板9相隔。因而，在該第1保持狀態下，供給至基板9之下表面之處理液不易順著第1抵接構件210迂迴至基板9之上表面，且即便順著第2抵接構件220流動，亦難以迂迴至基板9之上表面。即，可抑制供給至基板9之下表面之處理液迂迴至基板9之上表面。
又，根據上述實施形態，以小於閾值T之旋轉速度旋轉之基板9係由複數個第1抵接構件210保持，且以閾值T以上之旋轉速度旋轉之基板9係由複數個第2抵接構件220保持。基板9之旋轉速度越小，則供給至基板9之下表面之處理液越不易因離心力而被吹洩，因此，於該處理液容易迂迴至基板9之上表面時，此處，由於當基板9以相對低速進行旋轉時，設為複數個第1抵接構件210保持基板9之第1保持狀態，因此，可抑制供給至該基板9之下表面之處理液迂迴至基板9之上表面。另一方面，於基板9之旋轉速度越大，則基板9越容易在水平面內引起位置偏移時，此處，由於當基板9以相對高速進行旋轉時，設為複數個第2抵接構件220保持基板9之第2保持狀態，因此，可避免該基板9在水平面內引起位置偏移。
又，根據上述實施形態，第1抵接構件210係於傾斜側面2120內，與基板9抵接。根據該構成，於第1抵接構件210保持基板9之第1保持狀態下，被引向基板9之下表面與傾斜側面2120之間隙空間之液體容易順著傾斜側面2120掉落至下方。即，於該間隙空間中不易形成蓄積液體。因而，可抑制於該間隙空間產生蓄積液體從而蓄積液體迂迴至基板9之上表面之類事態之產生。進而，由於形成供給至基板9之下表面之處理液順著傾斜側面2120掉落至下方之處理液之液流(即，將供給至基板9之下表面之處理液導向下方之處理液之液流)，因此，可使供給至基板9之下表面之處理液不迂迴至上表面而自基板9快速地去除。
尤其，若傾斜側面2120與水平面所成之角度θ為45°以上，則於第1抵接構件210保持基板9之第1保持狀態下，被引向基板9之下表面與傾斜側面2120之間隙空間之液體快速地順著傾斜側面2120掉落至下方。因而，可充分地抑制於該間隙空間產生蓄積液體從而蓄積液體迂迴至基板9之上表面之類事態之產生，並且使供給至基板9之下表面之 處理液不迂迴至上表面而自基板9尤其快速地去除。又，若傾斜側面2120與水平面所成之角度θ為45°以上，則基板9與傾斜側面2120之間之接觸面積變小，因此，亦可藉由毛細管現象而抑制處理液迂迴至基板9之上表面之類事態之產生。
尤其，若第1抵接構件210之表面成為疏水性，則於第1抵接構件210不易附著處理液，從而不易在基板9之下表面與第1抵接構件210之間隙空間形成蓄積液體。因而，可抑制在該間隙空間產生蓄積液體從而蓄積液體迂迴至基板之上表面之類事態之產生。
又，於上述實施形態中，藉由使第2抵接構件220在與基板9之周緣接近遠離之方向上移動，而實施第1保持狀態與第2保持狀態間之切換。根據該構成，可簡易且快速地實施第1保持狀態與第2保持狀態間之切換。
<5.變化例>
於上述實施形態中，對基板9依序地實施表面周緣處理及背面處理，但例如亦可跳過表面周緣處理而實施背面處理。於該情形時，由於基板9開始旋轉後首先進行之處理中之基板9之旋轉速度變得小於閾值T，因此，如上所述，於步驟S1012之處理後，切換部230實施自第2保持狀態向第1保持狀態之切換。
《第3實施形態》
<1.基板處理裝置1之構成>
對於第3實施形態之基板處理裝置1之構成，一面參照圖3、圖4、及圖38，一面進行說明。圖3係基板處理裝置1之概略立體圖，且表示構成防護構件60之半圓弧構件61、62、護罩31、及周緣部用處理頭51配置在各個避讓位置之狀態。圖4亦為基板處理裝置1之概略立體圖，但此處表示防護構件60、護罩31、及周緣部用處理頭51配置在各個處理位置之狀態。圖38係用以說明基板處理裝置1之構成之模式 圖。基板處理裝置1係裝載於例如上述基板處理系統100。又，基板處理裝置1係將上述基板9作為處理對象。
再者，於以下之說明中，「處理液」中包含用於藥液處理之「藥液」、及用於沖洗藥液之淋洗處理之「淋洗液」。
基板處理裝置1係包括旋轉夾頭2、防飛散部3、表面保護部4、周緣處理部5、抑制濺液部6、加熱處理部7、及背面處理部8。該等各部2~8係與控制部130電性連接，且按照來自控制部130之指示進行動作。旋轉夾頭2、防飛散部3、表面保護部4、抑制濺液部6、加熱處理部7、及背面處理部8之構成係如第1實施形態中所說明。
<2.周緣處理部5>
<2-1.整體構成>
周緣處理部5係對保持在旋轉底座21上之基板9之表面周緣部911進行處理。對於周緣處理部5之整體構成，接著一面參照圖3、圖4、及圖38，一面進行說明。
周緣處理部5具備對保持在旋轉底座21上之基板9之表面周緣部911進行處理之周緣部用處理頭51。周緣部用處理頭51係安裝於水平延伸之支臂52之前端部。又，支臂52之基端部係連結於噴嘴基台53。噴嘴基台53係以使其軸線沿著鉛直方向之姿勢配置，且支臂52之基端部係連結於噴嘴基台53之上端。
於噴嘴基台53，配設有用以將周緣部用處理頭51驅動之驅動部54。驅動部54係包含例如使噴嘴基台53圍繞其軸線進行旋轉之旋轉驅動部(例如，伺服馬達)、及使噴嘴基台53沿其軸線進行伸縮之升降驅動部(例如，步進馬達)而構成。若驅動部54使噴嘴基台53旋動，則周緣部用處理頭51沿著水平面內之圓弧軌道移動，若驅動部54使噴嘴基台53進行伸縮，則周緣部用處理頭51於與基板9接近遠離之方向上進行移動。
周緣部用處理頭51係受到驅動部54之驅動，而於處理位置與避讓位置之間移動。此處，周緣部用處理頭51之處理位置係保持在旋轉底座21上之基板9之上方且一面與表面周緣部911對向，一面與表面周緣部911以非接觸狀態接近之位置(圖4所示之位置)。其中，在周緣部用處理頭51配置於處理位置之狀態下，周緣部用處理頭51之至少一部分成為收容於形成在下述防護構件60之內周壁之切口605內之狀態。另一方面，周緣部用處理頭51之避讓位置係不與基板9之搬送路徑產生干涉之位置，例如，自上方觀察相較護罩31之上端緣部301為外側之位置(圖3所示之位置)。又，驅動部54係與控制部130電性連接，且於控制部130之控制下進行動作。即，周緣部用處理頭51之位置係由控制部130進行控制。
<2-2.周緣部用處理頭51>
其次，對於周緣部用處理頭51，一面參照圖38及圖39，一面進行說明。圖39係周緣部用處理頭51之立體圖。再者，為便於說明，而於圖39中，將防護構件60及護罩31省略圖示。
周緣部用處理頭51係包括朝向表面周緣部911噴出流體(處理液及氣體)之構成、及吸引表面周緣部911上之處理液之構成。
<2-2-1.與流體噴出相關之構成>
<i.噴出嘴501a~501d>
周緣部用處理頭51係包含朝向表面周緣部911噴出流體之複數個(此處為4個)噴出嘴501a~501d。於周緣部用處理頭51所具備之一群噴出嘴501a~501d，包含朝向表面周緣部911噴出處理液之1個以上(此處為3個)噴出嘴(以下亦稱為「處理液噴嘴」)501a、501b、501c、及朝向表面周緣部911噴出氣體(此處為氮氣)之噴出嘴(以下亦稱為「氣體噴嘴」)501d。尤其，該周緣部用處理頭51具備噴出藥液之2個噴出嘴(以下亦稱為「藥液噴嘴」)501a、501b、及噴出淋洗液之噴出 嘴(以下亦稱為「淋洗液噴嘴」)501c，作為處理液噴嘴501a、501b、501c。尤其，該周緣部用處理頭51具備噴出酸性藥液之噴出嘴(以下亦稱為「第1藥液噴嘴」)501a、及噴出鹼性藥液之噴出嘴(以下亦稱為「第2藥液噴嘴」)501b，作為藥液噴嘴501a、501b。
<ii.流體供給部55>
於周緣部用處理頭51，連接有對該周緣部用處理頭51所具備之一群噴出嘴501a~501d分別供給規定之流體(具體而言為規定之處理液、或氣體)之配管系統即流體供給部55。
具體而言，流體供給部55係將例如酸系藥液供給源551a、鹼系藥液供給源551b、淋洗液供給源551c、氮氣供給源551d、複數個配管552a、552b、552c、552d、及複數個開關閥553a、553b、553c、553d組合而構成。
酸系藥液供給源551a係供給酸性藥液之供給源。此處，酸系藥液供給源551a可選擇性地供給例如經稀釋之氫氟酸(稀氫氟酸)(以下，表示為「DHF」)、及鹽酸過氧化氫水(即，將鹽酸(HCl)、過氧化氫(H2O2)、及純水(DIW：去離子水)以規定之比率混合而成之藥液，且以下表示為「SC-2」)。酸系藥液供給源551a係經由被插介開關閥553a之配管552a，連接於第1藥液噴嘴501a。因而，若將開關閥553a開啟，則自酸系藥液供給源551a供給之酸性藥液(DHF、或SC-2)自第1藥液噴嘴501a噴出。但，酸系藥液供給源551a並非一定僅限於選擇性地供給DHF及SC-2者。例如，酸系藥液供給源551a亦可供給DHF、SC-2、BDHF(緩衝氫氟酸)、HF(氫氟酸)、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、乙酸、草酸、及該等之混合溶液等中之至少一者。
鹼系藥液供給源551b係供給鹼性藥液之供給源。此處，鹼系藥液供給源551b可供給例如氨過氧化氫水(即，將氫氧化銨(NH4OH)、過氧化氫(H2O2)、及純水以規定之比率混合而成之藥液，且以下表示 為「SC-1」)。鹼系藥液供給源551b係經由被插介開關閥553b之配管552b，連接於第2藥液噴嘴501b。因而，若將開關閥553b開啟，則自鹼系藥液供給源551b供給之鹼性藥液(SC-1)自第2藥液噴嘴501b噴出。再者，較佳為，亦將自鹼系藥液供給源551b供給之SC-1調溫為例如60℃~80℃。但，鹼系藥液供給源551b亦可供給除SC-1以外之藥液(例如，氨之水溶液等)。
淋洗液供給源551c係供給淋洗液之供給源。此處，淋洗液供給源551c係例如供給溶解有二氧化碳(CO2)之純水(碳酸水)作為淋洗液。淋洗液供給源551c係經由被插介開關閥553c之配管552c，連接於淋洗液噴嘴501c。因而，若將開關閥553c開啟，則自淋洗液供給源551c供給之淋洗液自淋洗液噴嘴501c噴出。再者，作為淋洗液，亦可使用純水、溫水、臭氧水、磁化水、還原水(氫水)、各種有機溶劑(離子水、IPA(異丙醇)、及功能水等。
氮氣供給源551d係供給氣體(此處為例如氮氣(N2))之供給源。氮氣供給源551d係經由被插介開關閥553d之配管552d，連接於氣體噴嘴501d。因而，若將開關閥553d開啟，則自氮氣供給源551d供給之氮氣自氣體噴嘴501d噴出。但，氮氣供給源551d亦可供給除氮氣以外之氣體(例如，除氮氣以外之各種惰性氣體、乾燥空氣等)。
於周緣部用處理頭51配置在處理位置之狀態下，各噴出嘴501a~501d配置在形成於其前端之噴出口515(下述)與保持在旋轉底座21上之基板9之表面周緣部911一面以非接觸之狀態接近，一面對向之位置(噴出位置)。於該狀態下，若流體供給部55對噴出嘴501a~501d供給流體，則朝向表面周緣部911噴出該流體。例如，若流體供給部55對第1藥液噴嘴501a供給酸性藥液(DHF、或SC-2)，則自第1藥液噴嘴501a，朝向表面周緣部911噴出酸性藥液。又，若流體供給部55對第2藥液噴嘴501b供給鹼性藥液(SC-1)，則自第2藥液噴嘴501b，朝向表 面周緣部911噴出鹼性藥液。又，若流體供給部55對淋洗液噴嘴501c供給淋洗液，則自淋洗液噴嘴501c，朝向表面周緣部911噴出淋洗液。又，若流體供給部55對氣體噴嘴501d供給氣體，則自氣體噴嘴501d，朝向表面周緣部911噴出氣體。
又，流體供給部55所具備之開關閥553a、553b、553c、553d之各者係與控制部130電性連接，且於控制部130之控制下進行開閉。即，來自各噴出嘴501a~501d之流體之噴出態樣(具體而言為噴出開始時序、噴出結束時序、噴出流量等)係由控制部130進行控制。
<iii.噴出嘴501>
其次，對於周緣部用處理頭51所具備之一群噴出嘴501a~501d各自之具體之構成，一面參照圖40一面進行說明。一群噴出嘴501a~501d之各者係具備大致同樣之構成，且以下，將該等噴出嘴501a~501d於不進行區別之情形時，簡稱為「噴出嘴501」。圖40係模式性表示噴出嘴501之前端附近之構成之側剖面圖。
噴出嘴501係包括呈現下端變細之長條棒狀之外形之噴嘴本體部511。噴嘴本體部511係以其軸方向沿著鉛直方向，並且其下表面(以下，亦稱為「噴出面」)512成為水平姿勢之方式，由支持部500(下述)支持。因而，於周緣部用處理頭51配置在處理位置之狀態下，噴出面512以與保持在旋轉底座21上之基板9之表面91平行之姿勢，與表面周緣部911以非接觸狀態接近。其中，於該狀態下，噴出面512與表面周緣部911之分隔距離m被設為充分小(例如，m=1mm左右)。
於噴嘴本體部511之內部，形成有導入流路部513、及與該導入流路部513之下端連通之噴出流路部514。於導入流路部513之上端，連接有上述配管552a、552b、552c、552d之任一者。又，噴出流路部514之下端係與在噴出面512開口之噴出口515連通。噴出口515係例如圓形之貫通孔，且其直徑為例如0.6mm，小於圖2中之與基板9之端面 93相距之微小寬度d。因而，自配管供給之流體首先被保持在導入流路部513中，流入噴出流路部514，從而自噴出口515被噴出。
噴出流路部514係成為於中途折彎之形狀。具體而言，噴出流路部514包含鉛直流路部分5141、及與該鉛直流路部分5141相連之傾斜流路部分5142。鉛直流路部分5141係與噴嘴本體部511之軸方向平行地延伸，且於下端，與傾斜流路部分5142連通。傾斜流路部分5142係於隨著朝向下方而自基板9之內側(基板9之中心側)朝向外側(端面93側)之斜下方向上延伸，且於下端，與噴出口515連通。
於該噴出嘴501中，經由傾斜地延伸之傾斜流路部分5142，將流體自噴出口515噴出，因此，可使自噴出嘴501朝向基板9之表面周緣部911噴出之流體於表面周緣部911中，朝向基板9之外側流動。因而，例如於自處理液噴嘴501a、501b、501c朝向表面周緣部911噴出處理液之情形時，可抑制該處理液流入器件區域90，並且可精度良好地控制表面周緣部911中之處理液所作用之區域之內緣位置。又，例如，於自氣體噴嘴501d朝向表面周緣部911噴出氣體之情形時，可於表面周緣部911，形成朝向基板9之外側之氣流。可藉由該氣流而將表面周緣部911上之處理液或處理液之霧吹洩至基板9之外側。
尤其，該噴出嘴501並非噴嘴本體部511自身以傾斜姿勢由支持部500支持，且形成於噴嘴本體部511之內部之噴出流路部514之一部分即傾斜流路部分5142傾斜。假設於噴嘴本體部之內部，一面形成沿著該噴嘴本體部之軸方向筆直地延伸之流路，一面使噴嘴本體部自身成為傾斜姿勢，則噴出面成為相對水平面傾斜之姿勢。於該情形時，存在容易於噴出面之最下端之附近產生蓄積液體，且該蓄積液體滴下(滴落)至基板9上之虞。如此之處理液之滴落係產生於基板9上之相較原本應被供給處理液之位置為內側(基板9之中心側)之位置，因此，即便利用自氣體噴嘴501d噴出之氣體亦難以去除。相對於此，如該實 施形態所述，根據並非使噴嘴本體部511而使形成於該噴嘴本體部511之內部之噴出流路部514之一部分傾斜而成之構成，可使噴出面512事先成為水平姿勢，故不易產生如此之處理液之滴落。
再者，為提昇處理液所作用之區域之寬度(例如，蝕刻用之藥液所作用之蝕刻寬度)之控制精度，傾斜流路部分5142之延伸方向與水平面所成之角度(傾斜角度)θ較佳為45度以上，更佳為60度以上。
<2-2-2.與處理液之吸引相關之構成>
<i.吸引管502a、502b>
再次參照圖38、圖39。周緣部用處理頭51具備吸引表面周緣部911上之多餘之處理液之吸引管502a、502b。其中，此處所謂之「多餘之處理液」係指供給至表面周緣部911之處理液中，將對所期望之區域實施所期望之處理所必要且充分之量之處理液減去所得之剩餘之處理液。即，吸引管502a、502b係一面保留表面周緣部911上之處理液中之進行處理所必要且充分之量之處理液，一面僅吸引多餘之處理液。
各吸引管502a、502b係與處理液噴嘴501a、501b、501c之任一者建立對應關係，且吸引自對應之處理液噴嘴供給至表面周緣部911上之處理液。該實施形態中，周緣部用處理頭51具備2個吸引管502a、502b時，將一吸引管(以下亦稱為「第1吸引管」)502a與第1藥液噴嘴501a建立對應關係，且吸引自第1藥液噴嘴501a噴出之藥液。又，將另一吸引管(以下亦稱為「第2吸引管」)502b與第2藥液噴嘴501b建立對應關係，且吸引自第2藥液噴嘴501b噴出之藥液。
<ii.吸引壓形成部56>
於周緣部用處理頭51，連接有在該周緣部用處理頭51所具備之複數個吸引管502a、502b各自之中空空間形成負壓(吸引壓)之配管系統即吸引壓形成部56。
具體而言，吸引壓形成部56具備例如吸引源561經由被插介開關閥563之配管562，連接於各吸引管502a、502b而成之構成。具體而言，吸引源561係包含例如將液體進行吸引排出之泵(例如，容量泵、非容量泵等)、及將自該泵排出之液體回收之回收罐而構成。於該構成中，若將開關閥563開啟，則於吸引管502a、502b之中空空間形成負壓(吸引壓)，從而經由在吸引管502a、502b之下端開口之吸引口521(下述)，吸引處理液等。被吸引之處理液係回收至回收罐。但，吸引壓形成部56亦可構成為使被吸引之處理液不回收至回收罐而直接排出至外部之排液管線、或者於流體供給部55所具備之該處理液之供給源中進行循環。
於周緣部用處理頭51配置在處理位置之狀態下，各吸引管502a、502b配置於形成在其前端之吸引口521與保持在旋轉底座21上之基板9之表面周緣部911一面以非接觸之狀態接近一面對向之位置(吸引位置)。於該狀態下，若吸引壓形成部56於吸引管502a、502b之中空空間形成負壓(吸引壓)，則表面周緣部911上之處理液經由吸引口521被吸引管502a、502b吸引。
其中，吸引源561及開關閥563係與控制部130電性連接，且於控制部130之控制下進行驅動(或開閉)。即，來自吸引管502a、502b之處理液之吸引態樣(具體而言為吸引開始時序、吸引結束時序、吸引壓(即，吸引量)等)係由控制部130進行控制。其中，控制部130係以一面保留表面周緣部911上進行處理所必要且充分之量之處理液，一面由吸引管502a、502b吸引僅超出該量之多餘之處理液之方式，調整吸引管502a、502b之吸引壓(具體而言為吸引源561之泵之壓力等)。
於該基板處理裝置1中，藉由自上述處理液噴嘴501a、501b、501c朝向表面周緣部911噴出處理液，而對表面周緣部911實施規定之處理時，表面周緣部911中之處理液進行作用之區域之內緣位置必須 精度較佳地進行控制。尤其，表面周緣部911中之藥液(例如，蝕刻用之藥液)進行作用之區域之內緣位置必須特別高精度地進行控制。且說，若自處理液噴嘴501a、501b、501c，對表面周緣部911，供給與處理所必要且充分之量相比更大量之處理液，則存在表面周緣部911上之多餘之處理液擴散至基板9之中心側，導致該內緣位置相較所期望之位置，偏移至基板9之中心側之虞。最差之情形時，亦存在擴散至基板9之中心側之處理液進入器件區域90，從而於器件圖案產生異常之虞。
於該基板處理裝置1中，可藉由使設置於周緣部用處理頭51之吸引管502a、502b吸引表面周緣部911上之多餘之處理液，而將該多餘之處理液自表面周緣部911上去除。藉此，可抑制表面周緣部911上之多餘之處理液擴散至基板9之中心側。即，可抑制表面周緣部911中之處理液進行作用之區域之內緣位置相較所期望之位置偏移至基板9之中心側。又，亦可避免擴散至基板9之中心側之處理液進入器件區域90，導致器件圖案中產生異常之類事態。
進而，若於表面周緣部911上存在多餘之處理液，則於存在重新供給至彼處之處理液與該多餘之處理液碰撞產生飛濺，從而進入器件區域90之虞時，亦可藉由預先自表面周緣部911將多餘之處理液去除，而抑制如此事態之產生。
<iii.吸引管502a、502b>
其次，對於周緣部用處理頭51所具備之各吸引管502a、502b之具體之構成，一面參照圖41，一面進行說明。各吸引管502a、502b具備大致相同之構成，以下，將各吸引管502a、502b於不進行區別之情形時，簡單地表示為「吸引管502」。圖41係模式性表示吸引管502之前端附近之構成之側剖面圖。
吸引管502係呈現細長之圓筒形狀之外形，且內部成為中空。吸 引管502之內部之中空空間係與吸引管502之下端開口之吸引口521連通。但，吸引管502既可為圖示之直線形狀，亦可為隨著朝向前端而直徑縮小之噴嘴形狀。
此處，吸引管502所具備之吸引口521之直徑係小於表面周緣部911中之應使處理液作用之區域(具體而言為應使自與該吸引管502建立對應關係之處理液噴嘴501a、501b噴出之處理液進行作用之區域，且以下稱為「目標處理區域」)之寬度T。
而且，於吸引管502配置在吸引位置之狀態下，吸引口521處之基板9之中心側之端(內側端)5211係相較目標處理區域之內緣位置(以下稱為「目標內緣位置」)t位於基板9之端面93側。根據該構成，可使吸引壓作用於與目標內緣位置t相比之外側(基板9之端面93側)，因此，可抑制多餘之處理液擴散至基板9之中心側而自目標處理區域溢出。
又，於吸引管502配置在吸引位置之狀態下，吸引口521處之基板9之端面93側之端(外側端)5212係相較基板9之端面93位於內側(基板9之中心側)。根據該構成，可有效地使吸引壓對處理液進行作用。
<2-2-3.佈局>
周緣部用處理頭51具備固定於上述支臂52之支持部500。支持部500係一體地支持複數個噴出嘴501a~501d與複數個吸引管502a、502b。對於該等被一體地支持之複數個噴出嘴501a~501d及複數個吸引管502a、502b之佈局，一面參照圖39一面進行說明。
再者，如上所述，周緣處理部5所具備之周緣部用處理頭51係於其配置在處理位置之狀態下，配置於防護構件60之內周壁之側(即，隔著防護構件60，與護罩31為相反側)。即，於該狀態下，周緣部用處理頭51所具備之噴出嘴501~501d及吸引管502a、502b係配置於隔著防護構件60相對於護罩31之相反側。其中，於防護構件60之內周 壁，形成有收容周緣部用處理頭51之至少一部分之切口605，且於周緣部用處理頭51配置在處理位置之狀態下，周緣部用處理頭51之至少一部分(具體而言為例如周緣部用處理頭51所具備之噴出嘴501a~501d及吸引管502a、502b之至少一部分)成為收容於該切口605中之狀態。藉此，周緣部用處理頭51不與防護構件60產生干涉地配置在表面周緣部911之上方之處理位置。
<i.噴出嘴501a~501d之佈局>
支持部500係自上方觀察沿著表面周緣部911弧狀地彎曲之構件，且一群噴出嘴501a~501d係沿著弧狀地彎曲之支持部500之延伸方向而排列。因而，於周緣部用處理頭51配置在處理位置之狀態下，一群噴出嘴501a~501d成為沿著基板9之表面周緣部911排列之狀態。此時，沿著基板9之旋轉方向AR9，自上游側依序地排列氣體噴嘴501d、第1藥液噴嘴501a、淋洗液噴嘴501c、及第2藥液噴嘴501b。
如此，於周緣部用處理頭51中，將氣體噴嘴501d相較處理液噴嘴501a、501b、501c，配置於基板9之旋轉方向AR9之上游側。因而，旋轉之基板9之表面周緣部911內之各位置於首先通過氣體噴嘴501d之下方之後，再通過處理液噴嘴501a、501b、501c之下方。根據該構成，於對旋轉之基板9之表面周緣部911內之各位置，自處理液噴嘴501a、501b、501c供給新處理液之前，對該位置自氣體噴嘴501d供給氣體(即，噴附氣體)。
因基板9之表面狀態等，而存在於到達周緣部用處理頭51之下方之表面周緣部911內之各位置，附著有一周前自處理液噴嘴501a、501b、501c供給且基板9旋轉一周之期間內仍未脫去之舊處理液之情形。即便於如此之情形時，該周緣部用處理頭51仍可利用自氣體噴嘴501d噴出之氣體將該舊處理液去除之後，自處理液噴嘴501a、501b、501c供給新處理液。根據該構成，不易產生重新供給至表面周緣部 911內之各位置之處理液與舊處理液碰撞而飛濺之類事態。藉此，抑制處理液進入器件區域90。又，根據該構成，可始終使新鮮之處理液作用於基板9，藉此可提昇處理效率。又，若假設設為對殘留舊藥液之處，進而供給新處理液，導致彼處所保持之處理液之量暫時地變多時，利用氣體將舊藥液去除之後供給新處理液之構成，則不易產生於表面周緣部911內之各位置處暫時地保持大量之處理液之類狀況。藉此，可抑制保持於表面周緣部911內之各位置處之處理液之量與時間一同地變動。甚而，精度較佳地控制表面周緣部911中之處理液進行作用之區域之內緣位置。
又，以其他之見解，於該周緣部用噴出頭51，將處理液噴嘴501a、501b、501c相較氣體噴嘴501d，配置於基板9之旋轉方向AR9之下游側。因而，旋轉之基板9之表面周緣部911內之各位置於通過處理液噴嘴501a、501b、501c之下方之後，當基板9大致旋轉一周後將到達氣體噴嘴501d之下方。根據該構成，自處理液噴嘴501a、501b、501c供給至表面周緣部911上之各位置之處理液之至少一部分於基板9大致旋轉一周之期間，繼續滯留於表面周緣部911上，因此，可使處理液充分地作用於表面周緣部911內之各位置。
又，周緣部用噴出頭51係於噴出酸性藥液之第1藥液噴嘴501a與噴出鹼性藥液之第2藥液噴嘴501b之間，配置噴出淋洗液之淋洗液噴嘴501c。根據該構成，例如，可抑制自一藥液噴嘴噴出藥液時所產生之氣氛與殘留於另一藥液噴嘴內之藥液進行反應之類事態之產生。具體而言，例如，可抑制自第1藥液噴嘴501a噴出酸性藥液時所產生之氣氛與殘留於第2藥液噴嘴501b內之鹼性藥液進行反應，或者自第2藥液噴嘴501b噴出鹼性藥液時所產生之氣氛與殘留於第1藥液噴嘴501a內之酸性藥液進行反應之類事態之產生。
<ii.吸引管502a、502b之佈局>
第1吸引管502a係配置於作為其所對應之處理液噴嘴之第1藥液噴嘴501a之附近且與第1藥液噴嘴501a相比之基板9之旋轉方向AR9之下游側。又，第2吸引管502b係配置於作為其所對應之處理液噴嘴之第2藥液噴嘴501b之附近且與第2藥液噴嘴501b相比之基板9之旋轉方向AR9之下游側。其中，此處所謂之「附近」係指自基板9之中心(即，旋轉底座21之旋轉軸A)觀察，第1吸引管502a與第1藥液噴嘴501a所成之角度(或者，第2吸引管502b與第2藥液噴嘴501b所成之角度)為10°以下，尤佳為5°以下。
其中，較佳為，第1吸引管502a配置於與第1藥液噴嘴501a相比在基板9之旋轉方向AR9之下游側，且與淋洗液噴嘴501c相比在基板9之旋轉方向AR9之上游側(即，自基板9之中心觀察，配置於第1藥液噴嘴501a與淋洗液噴嘴501c之間)。
如此，周緣部用處理頭51係各吸引管502a、502b配置於其所對應之處理液噴嘴之附近且與該處理液噴嘴相比在基板9之旋轉方向AR9之下游側。因而，旋轉之基板9之表面周緣部911內之各位置於剛通過各藥液噴嘴501a、501b之下方之後，立即通過與該藥液噴嘴501a、501b對應之吸引管502a、502b之下方。根據該構成，可於剛對旋轉之基板9之表面周緣部911內之各位置，自各藥液噴嘴501a、501b供給新藥液之後，立即自與該藥液噴嘴501a、501b對應之吸引管502a、502b吸引供給至該位置之多餘之藥液。藉此，可將保持於表面周緣部911內之各位置處之藥液之量，始終維持為必要且充分之量。甚而，可精度較佳地控制表面周緣部911中之處理液進行作用之區域之內緣位置。
<2-2-4.噴出位置與吸引位置>
現在，將自周緣部用處理頭51所具備之複數個噴出嘴501a~501d之各者噴出流體且該流體到達基板9上之到達位置，稱作該噴出嘴 501a~501d之「目標噴出位置」。又，將周緣部用處理頭51所具備之複數個吸引管502a、502b之各者吸引處理液(具體而言，自與該吸引管502a、502b建立對應關係之處理液噴嘴501a、501b噴出之處理液)之基板9上之位置，稱作該吸引管502a、502b之「目標吸引位置」。 以下，對於複數個噴出嘴501a~501d各自之目標噴出位置Qa~Qd及複數個吸引管502a、502b各自之目標吸引位置Ra、Rb，一面參照圖42~圖44，一面進行說明。圖42係模式性表示目標噴出位置Qa~Qd及目標吸引位置Ra、Rb之配置例之圖。圖43及圖44係自基板9之旋轉方向AR9之下游側觀察周緣部用處理頭51所得之圖。其中，圖43係表示自周緣部用處理頭51噴出藥液與氣體之狀態，圖44係表示自周緣部用處理頭51噴出淋洗液與氣體之狀態。
複數個噴出嘴501a~501d各自之目標噴出位置Qa~Qd係設為在基板9之徑方向上相互地偏移之位置。即，氣體噴嘴501d之目標噴出位置Qd係設為相較處理液噴嘴501a、501b、501c之目標噴出位置Qa、Qb、Qc為基板9之徑方向內側(中心側)。進而，淋洗液噴嘴501c之目標噴出位置Qc係設為相較藥液噴嘴501a、501b之目標噴出位置Qa、Qb為基板9之徑方向內側。進而，第1藥液噴嘴501a之目標噴出位置Qa與第2藥液噴嘴501b之目標噴出位置Qb係設為徑方向上相同之位置。其中，所謂「徑方向上相同之位置」係指與基板9之端面93相距之分隔距離彼此相等之位置(即，與基板9之中心相距之分隔距離相等之位置)。即，此處，基板9之端面93至第1藥液噴嘴501a之目標噴出位置Qa之分隔距離、與基板9之端面93至第2藥液噴嘴501b之目標噴出位置Qb之分隔距離相等。
另一方面，第1吸引管502a吸引自第1藥液噴嘴501a噴出之藥液之基板9上之位置(目標吸引位置)Ra係設為相較第1藥液噴嘴501a之目標噴出位置Qa為基板9之徑方向外側(端面93側)。即，第1藥液噴嘴501a 朝向基板9上之第1位置(目標噴出位置Qa)噴出藥液，第1吸引管502a自相較該目標噴出位置Qa為基板9之端面93側之第2位置(目標吸引位置Ra)吸引該藥液。
同樣地，第2吸引管502b吸引自第2藥液噴嘴501b噴出之藥液之基板9上之位置(目標吸引位置)Rb係設為相較第2藥液噴嘴501b之目標噴出位置Qb為基板9之徑方向外側(端面93側)。即，第2藥液噴嘴501b朝向基板9上之第1位置(目標噴出位置Qb)噴出藥液，第2吸引管502b自相較該目標噴出位置Qb為基板9之端面93側之第2位置(目標吸引位置Rb)吸引該藥液。
再者，如上所述，各吸引管502a、502b係配置於與其所對應之處理液噴嘴相比之基板9之旋轉方向AR9之下游側。因而，第1吸引管502a之目標吸引位置Ra相較第1藥液噴嘴501a之目標噴出位置Qa位於基板9之旋轉方向AR9之下游側，第2吸引管502b之目標吸引位置Rb相較第2藥液噴嘴501b之目標噴出位置Qb位於基板9之旋轉方向AR9之下游側。
作為一例，第1藥液噴嘴501a之目標噴出位置Qa及第2藥液噴嘴501b之目標噴出位置Qb均為與基板9之端面93相距1.0mm之內側之位置。又，第1吸引管502a之目標吸引位置Ra及第2吸引管502b之目標吸引位置Rb均為與基板9之端面93相距0mm~1.0mm之範圍內之位置。又，氣體噴嘴501d之目標噴出位置Qd係與藥液噴嘴501a、501b之目標噴出位置Qa、Qb(或者，吸引管502a、502b之目標吸引位置Ra、Rb)進而相距0.5mm之基板9之內側之位置。又，淋洗液噴嘴501c之目標噴出位置Qc係與基板9之端面93相距1.0mm~0.5mm之範圍內之位置。
各噴出嘴501a~501d及各吸引管502a、502b係配置於基板9之徑方向上相互地偏移之位置，且由支持部500支持，以便能夠以到達各 個目標噴出位置Qa、Qb、Qc、Qd之方式噴出流體，又，以便可自各個目標吸引位置Ra、Rb吸引處理液。即，氣體噴嘴501d係配置於與處理液噴嘴501a、501b、501c相比之基板9之徑方向內側(中心側)，且由支持部500支持。又，淋洗液噴嘴501c係配置於與藥液噴嘴501a、501b相比之基板9之徑方向內側，且由支持部500支持。又，第1藥液噴嘴501a與第2藥液噴嘴501b係配置於徑方向上相同之位置，且由支持部500支持。再者，各噴嘴501a、501b、501c、501d之配置中之彼此之偏移量係設定為相應於上述傾斜流路部分5042之角度，使流體到達各個目標噴出位置Qa、Qb、Qc、Qd。又，各吸引管502a、502b係配置於與其所對應之藥液噴嘴501a、501b相比之基板9之徑方向外側(端面93側)，且由支持部500支持。
該周緣部用處理頭51係將氣體噴嘴501d之目標噴出位置Qd設定為與處理液噴嘴501a、501b、501c之目標噴出位置Qa、Qb、Qc相比之基板9之徑方向內側，因此，於基板9之表面周緣部911中，對相較噴出處理液之位置為內側之位置供給氣體。根據該構成，可藉由氣體而將供給至表面周緣部911之處理液自基板9之內側朝向外側去除。藉此，可抑制表面周緣部911上之處理液進入器件區域90，並且可使處理液所作用之區域之寬度(例如，蝕刻用之藥液進行作用之區域之寬度(蝕刻寬度))穩定，從而提昇該區域寬度之控制精度。
又，該周緣部用處理頭51係將淋洗液噴嘴501c之目標噴出位置Qc設為與藥液噴嘴501a、501b之目標噴出位置Qa、Qb相比之基板9之徑方向內側，因此，於基板9之表面周緣部911中，對相較噴出藥液之位置為內側之位置噴出淋洗液。根據該構成，可藉由淋洗液而將供給至表面周緣部911之藥液自基板9之內側沖向外側。藉此，可一面充分地抑制藥液進入器件區域90，一面不殘留藥液殘渣地充分沖洗藥液。
又，該周緣部用噴出頭51係將第1藥液噴嘴501a之目標噴出位置 Qa與第2藥液噴嘴501b之目標噴出位置Qb設於基板9之徑方向上相同之位置，因此，於基板9之表面周緣部911，可對噴出酸性藥液之位置噴出鹼性藥液。根據該構成，可使各藥液準確地作用於相同之區域。
又，該周緣部用處理頭51係將各吸引管502a、502b之目標吸引位置Ra、Rb設為與和該吸引管502a、502b對應之處理液噴嘴501a、501b之目標噴出位置Qa、Qb相比之基板9之端面93側。即，於基板9之表面周緣部911中，在相較噴出處理液之位置為基板9之端面93側之位置，吸引多餘之處理液。根據該構成，由吸引管502a、502b將表面周緣部911上之多餘之處理液自基板9之內側朝向外側吸引，因此，可充分地抑制表面周緣部911上之多餘之處理液擴散至基板9之中心側。
<3.基板處理裝置1之動作>
其次，對基板處理裝置1之動作進行說明。於基板處理裝置1中，在控制部130之控制下，執行以下說明之一系列之處理。但，以下所說明者僅為基板處理裝置1中可執行之處理之一例。
基板處理裝置1係例如對1片基板9依序地實施預處理(步驟S1)、表面周緣處理(步驟S2)、處理面切換處理(步驟S3)、背面處理(步驟S4)、及乾燥處理(步驟S5)(圖14)。以下，對於各處理具體地進行說明。
<3-1.預處理>
首先，實施預處理(步驟S1)。預處理之具體態樣係如第1實施形態中所說明。
<3-2.表面周緣處理>
預處理(步驟S1)結束後，繼而，實施表面周緣處理(步驟S2)。對於表面周緣處理，一面參照圖17及圖45，一面進行說明。圖17係表示表面周緣處理之流程之圖。圖45係用以說明表面周緣處理之圖，且模式性表示執行表面周緣處理中之各處理步驟之狀態之基板處理裝置1 之一部分元件。
其中，於實施以下所說明之表面周緣處理之期間，基板9係以固定之轉數(例如，600rpm)持續地旋轉。又，如上所述，亦於實施表面周緣處理之期間，朝向基板9之表面91之中央附近，自保護氣體噴嘴41持續地供給保護氣體，藉此，保護器件區域90不受供給至表面周緣部911之處理液之氣氛等影響。
<鹼處理(SC-1)>
<i.藥液處理>
首先，對基板9之表面周緣部911，實施SC-1之藥液處理(步驟S201)。具體而言，首先，將周緣部用處理頭51自避讓位置移動至處理位置。而且，自配置於處理位置之周緣部用處理頭51之第2藥液噴嘴501b，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出SC-1。此時之SC-1之噴出流量為例如20(mL/min)以上且50(mL/min)以下。開始噴出SC-1後，若經過特定時間(例如，20秒鐘)，則停止自周緣部用處理頭51噴出SC-1。
藉由該藥液處理而將形成於基板9之表面周緣部911之薄膜去除(蝕刻處理)。其中，於實施該藥液處理之期間，與第2藥液噴嘴501b朝向表面周緣部911噴出SC-1並行地，第2吸引管502b吸引表面周緣部911上之多餘之SC-1。即，與自第2藥液噴嘴501b朝向表面周緣部911開始噴出SC-1同時地，自第2吸引管502b開始進行吸引，且與停止自第2藥液噴嘴501b朝向表面周緣部911噴出SC-1同時地，停止自第2吸引管502b進行吸引。藉此，可抑制供給至表面周緣部911之多餘之SC-1擴散至基板9之中心側。
又，於實施該藥液處理之期間，自蒸汽噴嘴71，朝向基板9之背面92噴出蒸汽。此時之蒸汽之噴出流量為例如500(mL/min)以上且2000(mL/min)以下。又，噴出之蒸汽之溫度為例如110℃以上且130℃ 以下。於SC-1為溫度越高越促進反應之藥液時，利用SC-1進行藥液處理之基板9受到蒸汽之供給而被加熱，藉此，促進基板9之表面周緣部911與SC-1之反應(即，蝕刻速率提昇)(所謂熱輔助)。其結果，將SC-1之藥液處理之處理時間縮短，並且SC-1之使用量被抑制。尤其，此處係重點地將基板9之背面周緣部921進行加熱，因此，可有效地促進表面周緣部911與SC-1之反應。
<ii.淋洗處理>
繼而，實施淋洗處理(步驟S202)。具體而言，自配置於處理位置之周緣部用處理頭51之淋洗液噴嘴501c，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出淋洗液。開始噴出淋洗液後，若經過特定時間(例如，5秒鐘)，則停止自周緣部用處理頭51噴出淋洗液。藉由該淋洗處理而沖洗附著於表面周緣部911之處理液(此處為SC-1)。
<iii.液體脫去處理>
繼而，實施液體脫去處理(步驟S203)。液體脫去處理係將殘存於表面周緣部911之處理液(此處係於步驟S202之淋洗處理中未自基板9脫去而殘存於表面周緣部911之淋洗液)引向基板9之端面93側，而自端面93朝向基板9之外脫去之處理。被引向端面93側之處理液成為保持於端面93及其附近之非水平之面區域部分之狀態時，保持於非水平之面區域部分之處理液不易引起脫液，因此，如此之處理液被集中地朝向基板9之外脫去。即，可藉由將殘存於表面周緣部911之處理液引向基板9之端面93側後朝向基板9之外脫去，而於表面周緣部911中幾乎不產生殘留液體地將該殘存之處理液之大部分自基板9去除。
具體而言，液體脫去處理係例如以如下方式實施。首先，於停止自周緣部用處理頭51朝向表面周緣部911噴出流體(處理液及氣體)之狀態下，使基板9旋轉規定之時間(引液步驟)(步驟S2031)。藉此，殘存於表面周緣部911之處理液受到伴隨基板9旋轉之離心力，而於向 基板9之端面93接近之方向上移動，成為保持於端面93及其附近之非水平之面區域部分之狀態。繼而，自配置於處理位置之周緣部用處理頭51之氣體噴嘴501d，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出氣體(吹洩步驟)(步驟S2032)。此時之氣體之噴出流量為例如14(L/min)。藉此，保持於非水平之面區域部分之處理液受到氣體之風壓與伴隨基板9旋轉之離心力而被集中地朝向基板9之外脫去。自周緣部用處理頭51開始噴出氣體後，若經過特定時間(例如，15秒鐘)，則停止自周緣部用處理頭51噴出氣體。
藉由該液體脫去處理而將殘存於表面周緣部911之處理液(即，步驟S202之淋洗處理中未自基板9脫去而殘存於表面周緣部911之淋洗液)之大部分自基板9脫去。
<第1酸處理(SC-2)>
<i.藥液處理>
其次，對於基板9之表面周緣部911，實施SC-2之藥液處理(步驟S204)。具體而言，自配置於處理位置之周緣部用處理頭51之第1藥液噴嘴501a，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出SC-2。開始噴出SC-2後，若經過特定時間(例如，20秒鐘)，則停止自周緣部用處理頭51噴出SC-2。
藉由該藥液處理而將附著於基板9之表面周緣部911之金屬成分(例如Mo、Co等)等去除(洗浄處理)。其中，此處係先於該藥液處理地實施液體脫去處理(步驟S203)。因此，SC-2朝向幾乎未殘存淋洗液之表面周緣部911噴出。假設未實施步驟S203之液體脫去處理，則存在SC-2朝向殘存淋洗液之表面周緣部911噴出，且該噴出之SC-2與殘存之淋洗液碰撞而飛濺，從而進入器件區域90之虞。然而，此處因液體脫去處理而成為表面周緣部911幾乎不殘存淋洗液之狀態，因此，不易產生因如此之處理液碰撞造成處理液進入器件區域90之情形。又， 假設未進行步驟S203之液體脫去處理，則於表面周緣部911上，存在殘存之淋洗液與被供給之SC-2相互混合之虞，但於實施液體脫去處理之情形時，不易產生如此之事態。其結果，可使所期望之濃度之SC-2適當地作用於表面周緣部911。又，亦可沖洗作為鹼性藥液之SC-1，或者避免淋洗液與作為酸性藥液之SC-2之污染。
又，於實施該藥液處理之期間，與第1藥液噴嘴501a朝向表面周緣部911噴出SC-2並行地，第1吸引管502a吸引表面周緣部911上之多餘之SC-2。即，與自第1藥液噴嘴501a朝向表面周緣部911開始噴出SC-1同時地，自第1吸引管502a開始進行吸引，且與停止自第1藥液噴嘴501a朝向表面周緣部911噴出SC-2同時地，停止自第1吸引管502a進行吸引。藉此，可抑制供給至表面周緣部911之多餘之SC-2擴散至基板9之中心側。
<ii.液體脫去處理>
繼而，實施液體脫去處理(步驟S205)。液體脫去處理之具體流程係如步驟S203中所說明。即，首先，於停止朝向表面周緣部911噴出流體之狀態下，使基板9旋轉規定之時間(引液步驟)，此後，自配置於處理位置之周緣部用處理頭51之氣體噴嘴501d，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出氣體(吹洩步驟)。自周緣部用處理頭51開始噴出氣體後，若經過特定時間(例如，15秒鐘)，則停止自周緣部用處理頭51噴出氣體。
藉由該液體脫去處理而將殘存於表面周緣部911之處理液(即，步驟S204之洗浄處理中未自基板9脫去而殘存於表面周緣部911之SC-2)之大部分自基板9脫去。於步驟S204之洗浄處理中未自基板9脫去而殘存於表面周緣部911之SC-2中，包含藉由洗浄處理而自基板9去除之金屬成分等雜質時，藉由於洗浄處理之後實施液體脫去處理，而將該雜質於較早之階段自基板9脫去。因而，將藉由SC-2之藥液處理而自基 板9去除之雜質再次附著於基板9之風險降低。
<iii.淋洗處理>
繼而，實施淋洗處理(步驟S206)。淋洗處理之具體流程係與步驟S202之處理相同。即，自配置於處理位置之周緣部用處理頭51之淋洗液噴嘴501c，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出淋洗液。開始噴出淋洗液後，若經過特定時間(例如，5秒鐘)，則停止自周緣部用處理頭51噴出淋洗液。
藉由該淋洗處理而沖洗附著於表面周緣部911之處理液(此處為SC-2)。其中，此處因先於該淋洗處理地實施液體脫去處理(步驟S205)，故而表面周緣部911成為幾乎不殘存SC-2之狀態。因而，該淋洗處理之處理時間可短於未實施液體脫去處理之情形。又，於該淋洗處理中，淋洗液係朝向幾乎不殘存SC-2之表面周緣部911噴出，因此，不易產生因處理液之碰撞造成處理液進入器件區域90之情形。
<iv.液體脫去處理>
繼而，實施液體脫去處理(步驟S207)。液體脫去處理之具體流程係如步驟S203中所說明。即，首先於停止朝向表面周緣部911噴出流體之狀態下，使基板9旋轉規定之時間(引液步驟)，此後，自配置於處理位置之周緣部用處理頭51之氣體噴嘴501d，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出氣體(吹洩步驟)。自周緣部用處理頭51開始噴出氣體後，若經過特定時間(例如，15秒鐘)，則停止自周緣部用處理頭51噴出氣體。
藉由該液體脫去處理而將殘存於表面周緣部911之處理液(即，步驟S206之淋洗處理中未自基板9脫去而殘存於表面周緣部911之淋洗液)之大部分自基板9脫去。
<第2酸處理(DHF)>
<i.藥液處理>
其次，對基板9之表面周緣部911，實施DHF之藥液處理(步驟S208)。具體而言，自配置於處理位置之周緣部用處理頭51之第1藥液噴嘴501a，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出DHF。此時之DHF之噴出流量為例如20(mL/min)以上且50(mL/min)以下。開始噴出DHF後，若經過特定時間(例如，10秒鐘)，則停止自周緣部用處理頭51噴出DHF。
藉由該藥液處理而將形成於基板9之表面周緣部911之薄膜去除(蝕刻處理)。其中，此處因先於該藥液處理地實施液體脫去處理(步驟S207)，故而，DHF係朝向幾乎未殘存淋洗液之表面周緣部911噴出。因而，不易產生因處理液之碰撞造成處理液進入器件區域90之情形。又，因表面周緣部911上未相互混合DHF與淋洗液，故可使所期望之濃度之DHF適當地作用於表面周緣部911。
又，於實施該藥液處理之期間，與第1藥液噴嘴501a朝向表面周緣部911噴出DHF並行地，第1吸引管502a吸引表面周緣部911上之多餘之DHF。即，與自第1藥液噴嘴501a朝向表面周緣部911開始噴出DHF同時地，自第1吸引管502a開始進行吸引，且與停止自第1藥液噴嘴501a朝向表面周緣部911噴出DHF同時地，停止自第1吸引管502a進行吸引。藉此，可抑制供給至表面周緣部911之多餘之DHF擴散至基板9之中心側。
又，於實施該藥液處理之期間，自周緣部用處理頭51之氣體噴嘴501d，朝向表面周緣部911噴出氣體。此時之氣體之噴出流量為例如14(L/min)。即，於表面周緣部911內之各位置處，舊DHF(即，一周前自第1藥液噴嘴501a供給且基板9旋轉一周之期間內仍未脫去之舊DHF)被自氣體噴嘴501d噴出之氣體去除之後，對該位置自第1藥液噴嘴501a供給新DHF。根據該構成，如上所述，可抑制因基板9旋轉一周之期間內仍未脫去之舊處理液與重新供給之處理液之碰撞造成處理 液進入器件區域90之情形。又，根據該構成，可始終使新鮮之DHF作用於基板9，從而提昇處理效率。又，根據該構成，可避免於表面周緣部911內之各位置處暫時地保持大量之DHF之類的狀況。其結果，可使蝕刻寬度穩定，從而提昇蝕刻寬度之控制精度。又，若供給DHF，則表面周緣部911成為撥水性，因此，存在保持於表面周緣部911之舊處理液局部地變厚之情形。若於該狀態下供給新處理液，則成為處理液容易被排斥而飛濺之狀態。因此，可藉由利用自氣體噴嘴501d噴出之氣體將舊處理液朝向基板9之外側吹洩，而充分地抑制該液滴等進入器件區域90。
<ii.淋洗處理>
繼而，實施淋洗處理(步驟S209)。淋洗處理之具體流程係與步驟S202之處理相同。即，自配置於處理位置之周緣部用處理頭51之淋洗液噴嘴501c，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出淋洗液。開始噴出淋洗液後，若經過特定時間(例如，5秒鐘)，則停止自周緣部用處理頭51噴出淋洗液。
藉由該淋洗處理而沖洗附著於表面周緣部911之處理液(此處為DHF)。其中，亦於實施該淋洗處理之期間，自周緣部用處理頭51之氣體噴嘴501d，朝向基板9之表面周緣部911噴出氣體。此時之氣體之噴出流量為例如14(L/min)。即，於表面周緣部911內之各位置處，舊淋洗液(即，一周前自淋洗液噴嘴501c供給且基板9旋轉一周之期間內仍未脫去之舊淋洗液)被自氣體噴嘴501d噴出之氣體去除之後，對該位置自淋洗液噴嘴501c供給新淋洗液。根據該構成，如上所述，可抑制因基板9旋轉一周之期間內仍未脫去之舊處理液與重新供給之處理液之碰撞造成處理液進入器件區域90之情形。又，根據該構成，可將包含DHF之舊淋洗液快速地自表面周緣部911去除，並且使不包含DHF之新淋洗液作用於基板9，因此，淋洗處理之處理效率提昇。 又，根據該構成，如上所述，被表面周緣部911排斥之處理液之液滴等被由自氣體噴嘴501d噴出之氣體形成之氣流朝向基板9之外側吹洩，因此，可充分地抑制該液滴等進入器件區域90。
<iii.液體脫去處理>
繼而，實施液體脫去處理(步驟S210)。液體脫去處理之具體流程係如步驟S203中所說明。即，首先，於停止朝向表面周緣部911噴出流體之狀態下，使基板9旋轉規定之時間(引液步驟)，此後，自配置於處理位置之周緣部用處理頭51之氣體噴嘴501d，朝向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出氣體(吹洩步驟)。自周緣部用處理頭51開始噴出氣體之後，若經過特定時間(例如，5秒鐘)，則停止自周緣部用處理頭51噴出氣體。
藉由該液體脫去處理而將殘存於表面周緣部911之處理液(即，步驟S209之淋洗處理中未自基板9脫去而殘存於表面周緣部911之淋洗液)之大部分自基板9脫去。
<3-3.處理面切換處理>
表面周緣處理(步驟S2)結束後，繼而，實施處理面切換處理(步驟S3)。處理面切換處理之具體態樣係如第1實施形態中所說明。
<3-4.背面處理>
處理面切換處理(步驟S3)結束後，繼而，實施背面處理(步驟S4)。背面處理之具體態樣係如第1實施形態中所說明。
<3-5.乾燥處理>
背面處理(步驟S4)結束後，繼而，實施乾燥處理(步驟S5)。乾燥處理之具體態樣係如第1實施形態中所說明。
<4.效果>
於基板中，器件圖案(迴路圖案)幾乎並非最大限度地形成於該基板之端面，器件圖案大多自基板之端面以固定寬度形成於內側之表面 區域。
然而，於用以形成器件圖案之成膜步驟中，存在將膜形成至形成有器件圖案之區域(器件區域)之外側之情形。形成於器件區域之外側之膜不僅多餘，而且亦可能成為各種故障之原因。例如，存在形成於器件區域之外側之膜於處理步驟之中途剝落，招致良率下降、及基板處理裝置之故障等之虞等。
因此，存在實施將形成於器件區域之外側之薄膜利用蝕刻去除之處理(所謂，晶邊蝕刻處理)之情形，且已提議如此之處理之裝置(例如，參照日本專利特開2006-229057號公報、日本專利特開2003-264168號公報、日本專利特開2007-258274號公報、日本專利特開2003-286597號公報)。
於對器件區域之外側之表面周緣部實施使用處理液之處理之情形時，若對表面周緣部上，供給相比處理所必要且充分之量為大量之處理液，則存在多餘之處理液擴散至基板之中心側之虞。如此一來，導致表面周緣部中之處理液進行作用之區域之內緣位置相較所期望之位置偏移至基板之中心側。於最差之情形時，亦存在擴散至中心側之處理液進入器件區域，導致器件圖案中產生異常之虞。
因此，尋求可抑制供給至基板之表面周緣部之多餘之處理液擴散至基板之中心側之技術。
於上述實施形態中，可藉由使各吸引管502a、502b吸引自處理液噴嘴(具體而言為與該吸引管502a、502b建立對應關係之處理液噴嘴，且於上述實施形態中為各藥液噴嘴501a、501b)供給至表面周緣部911上之多餘之處理液，而將該多餘之處理液自表面周緣部去除。其結果，可抑制表面周緣部911上之多餘之處理液擴散至基板9之中心側。即，可抑制表面周緣部911中之處理液進行作用之區域之內緣位置相較所期望之位置偏移至基板9之中心側。又，亦可避免擴散至基 板9之中心側之處理液進入器件區域90而導致器件圖案中產生異常之類事態。
又，根據上述實施形態，於周緣部用處理頭51中，一體地支持各吸引管502a、502b、及與之對應之處理液噴嘴。根據該構成，自旋轉之基板9之表面周緣部911內之各位置觀察，使吸引管502a、502b及與之對應之處理液噴嘴一體地相對移動。因而，來自處理液噴嘴之處理液之供給時序與來自吸引管502a、502b之該處理液之吸引時序在表面周緣部911內之所有之位置處變得相等。藉此，可抑制保持於表面周緣部911內之各位置處之處理液之量之增減態樣中出現不均。甚而，可對表面周緣部911內之各位置均勻地進行處理。
又，根據上述實施形態，於周緣部用處理頭51中，將各吸引管502a、502b配置於與之對應之處理液噴嘴之附近且與該處理液噴嘴相比之基板9之旋轉方向之下游側。根據該構成，可於對旋轉之基板9之表面周緣部911內之各位置，剛自處理液噴嘴供給新處理液後，立即自與該處理液噴嘴對應之吸引管502a、502b吸引供給至該位置之多餘之處理液。藉此，可將保持於表面周緣部911內之各位置處之處理液之量始終維持為必要且充分之量。甚而，可精度較佳地控制表面周緣部911中之處理液進行作用之區域之內緣位置。
又，根據上述實施形態，於各吸引管502a、502b配置在吸引位置之狀態下，吸引口521之內側端5211相較表面周緣部911中之應使處理液所作用之區域(即，應使自與該吸引管502a、502b建立對應關係之處理液噴嘴噴出之處理液進行作用之區域之目標處理區域)之內緣位置(目標內緣位置t)，位於基板9之端面93側。根據該構成，可使吸引壓作用於與目標內緣位置t相比之基板9之端面93側。因而，可抑制處理液溢出至應使該處理液進行作用之區域之內側。
又，根據上述實施形態，於各吸引管502a、502b配置在吸引位置 之狀態下，吸引口521之外側端5212相較基板9之端面93位於內側。根據該構成，可使吸引壓有效地作用於處理液。
又，根據上述實施形態，朝向基板9上之第1位置噴出處理液，且自相較該第1位置為基板9之端面93側之第2位置，吸引多餘之處理液。根據該構成，表面周緣部911上之多餘之處理液係自基板9之內側朝向外側流動，且被吸引管502a、502b吸引，因此，可充分地抑制表面周緣部911上之多餘之處理液擴散至基板9之中心側。
又，根據上述實施形態，周緣部用處理頭51具備朝向表面周緣部911噴出氣體之氣體噴嘴501d。根據該構成，可利用自氣體噴嘴501d噴出之氣體，將自處理液噴嘴501a、501b、501c供給至表面周緣部911之舊處理液去除。藉此，不易產生重新供給之處理液與表面周緣部911上之舊處理液碰撞而飛濺之類事態。藉此，可抑制處理液進入器件區域90。
又，根據上述實施形態，與朝向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出處理液並行地，吸引表面周緣部911上之多餘之處理液。根據該構成，可一面避免處理效率之下降，一面抑制表面周緣部911上之多餘之處理液擴散至基板9之中心側。
<5.周緣部用處理頭之變化例>
對於其他形態之周緣部用處理頭51a，一面參照圖46一面進行說明。圖46係周緣部用處理頭51a之立體圖。再者，於圖中，對於與上述實施形態中所說明之構成相同之構成標註相同之符號。又，於以下之說明中，對於與上述實施形態中所說明之構成相同之構成，省略說明，並且標註相同之符號進行表示。
周緣部用處理頭51a係與上述實施形態之周緣部用處理頭51同樣地包含複數個噴出嘴501a~501d、及複數個吸引管502a、502b。進而，周緣部用處理頭51a具備一體地支持複數個噴出嘴501a~501d及 複數個吸引管502a、502b之支持部500。
周緣部用處理頭51a係各吸引管502a、502b之佈局不同於上述實施形態之周緣部用處理頭51。即，周緣部用處理頭51a係將第1吸引管502a配置於其所對應之處理液噴嘴即第1藥液噴嘴501a之附近且與第1藥液噴嘴501a相比之基板9之旋轉方向AR9之上游側。又，第2吸引管502b係配置於其所對應之處理液噴嘴即第2藥液噴嘴501b之附近且與第2藥液噴嘴501b相比之基板9之旋轉方向AR9之上游側。其中，此處所謂「附近」亦與上述實施形態同樣地表示自基板9之中心觀察，第1吸引管502a與第1藥液噴嘴501a所成之角度(或者第2吸引管502b與第2藥液噴嘴501b所成之角度)為10°以下，尤佳為5°以下。
如此，周緣部用處理頭51a係將各吸引管502a、502b配置於其所對應之處理液噴嘴之附近且與該處理液噴嘴相比之基板9之旋轉方向AR9之上游側。根據該構成，自處理液噴嘴供給且流向基板9之旋轉方向之上游側之多餘之處理液被與該處理液噴嘴對應之吸引管502a、502b吸引而自表面周緣部911去除。其結果，可抑制表面周緣部911上之多餘之處理液擴散至基板9之中心側。
又，根據該構成，旋轉之基板9之表面周緣部911內之各位置係於即將通過各藥液噴嘴501a、501b之下方之前，通過與該藥液噴嘴501a、501b對應之吸引管502a、502b之下方。因而，一周前自處理液噴嘴供給且基板9旋轉一周之期間內仍未脫去之舊處理液被與該處理液噴嘴對應之吸引管502a、502b吸引之後，可對該位置自該處理液噴嘴供給新處理液。藉此，可抑制重新供給之處理液與表面周緣部911上之舊處理液碰撞造成處理液進入器件區域90之類事態之產生。
<6.變化例>
又，於上述實施形態中，周緣部用處理頭51係具備2個吸引管502a、502b，且各吸引管502a、502b係與各藥液噴嘴501a、501b建立 對應關係，但周緣部用處理頭51亦可更具備與淋洗液噴嘴501c建立對應關係之吸引管。但，周緣部用處理頭51可不必具備2個以上之吸引管，且分別具備與任一處理液噴嘴501a、501b、501b對應之至少1個吸引管即可。又，亦可設置複數個與1個處理液噴嘴對應之吸引管。
又，於上述實施形態之周緣部用處理頭51中，對於淋洗液噴嘴501c，在基板9之旋轉方向AR9之上游側配置第1藥液噴嘴501a，且在下游側配置第2藥液噴嘴501b，但亦可對於淋洗液噴嘴501c，在基板9之旋轉方向AR9之上游側配置第2藥液噴嘴501b，且在下游側配置第1藥液噴嘴501a。
又，於上述實施形態中，構成為在實施SC-2之藥液處理(步驟S201)、SC-2之藥液處理(步驟S204)、DHF之藥液處理(步驟S208)之各者之期間，吸引管502a、502b吸引供給至基板9之表面周緣部911之多餘之藥液，但無需構成為在所有之藥液處理中，由吸引管502a、502b進行吸引。例如，於以洗浄為目的之藥液處理中，亦可構成為不進行吸引管502a、502b之吸引。
又，於上述實施形態中，與自藥液噴嘴501a、501b朝向表面周緣部911開始噴出藥液同時地，自吸引管502a、502b開始進行吸引，但開始噴出藥液之後、或者開始噴出藥液之前，亦可自吸引管502a、502b開始進行吸引。
又，於上述實施形態中，與停止自藥液噴嘴501a、501b朝向表面周緣部911噴出藥液同時地，停止自吸引管502a、502b進行吸引，但亦可於停止噴出藥液之後、或者停止噴出藥液之前，停止自吸引管502a、502b進行吸引。
《其他實施形態》
於上述各實施形態中，於實施SC-2之藥液處理(步驟S201)、及DHF之藥液處理(步驟S208)時，未對基板9之背面92實施蒸汽之供給 (熱輔助)。即，於上述實施形態中，SC-2之藥液處理係進行洗浄處理而非進行蝕刻處理之藥液處理，因此，將熱輔助省略。又，DHF即便無熱輔助，亦可以相對較高之蝕刻速率進行蝕刻，因此，亦於DHF之藥液處理時將熱輔助省略。然而，視處理對象等情況，亦可於實施SC-2之藥液處理、或者DHF之藥液處理之期間，對基板9之背面92供給蒸汽。
又，於上述各實施形態中，在SC-1之藥液處理(步驟S201)及其後之淋洗處理(步驟S202)、以及SC-2之藥液處理(步驟S204)及其後之淋洗處理(步驟S206)之各處理中，未自氣體噴嘴50d朝向表面周緣部911實施氣體之供給。其原因在於：若供給SC-1或者SC-2，則表面周緣部911成為親水性，故而於此處被供給之處理液之液膜僅藉由基板旋轉之離心力而相對穩定地保持於周緣部時，若對如此狀態之表面周緣部911供給氣體，則相反地存在產生濺液之虞。然而，亦可視處理對象等情況，於實施上述各處理之期間，對表面周緣部911實施氣體之供給。
又，於上述各實施形態中，在SC-1之藥液處理後，未實施液體脫去處理。其原因在於：上述實施形態係於利用SC-1之藥液處理，對基板9實施蝕刻處理時，在蝕刻處理後，不經液體脫去處理而進行淋洗處理，將用於蝕刻之藥液快速地沖洗，藉此，可良好地控制蝕刻寬度及蝕刻深度。再者，若供給SC-1則表面周緣部911成為親水性，因此，在SC-1之藥液處理結束之時間點，成為殘存於表面周緣部911之SC-1較薄地擴散於表面周緣部911上之狀態。對如此狀態之表面周緣部911，即便供給作為接下來之處理液之淋洗液，亦相對不易產生濺液。即，即便將SC-1之藥液處理後之液體脫去處理省去，亦不易成為深刻之問題。但，視處理對象等情況，於實施SC-1之藥液處理之後，亦可實施液體脫去處理。例如，於利用SC-1之藥液處理，對基板9實 施洗浄處理(例如，將附著於基板9之表面周緣部911之有機物等去除之洗浄處理)而非實施蝕刻處理之情形時，反而較佳為於SC-1之藥液處理後，實施液體脫去處理。
又，於上述各實施形態中，亦於DHF之藥液處理後，未實施液體脫去處理。其原因在於：上述實施形態係於利用DHF之藥液處理，對基板9實施蝕刻處理時，如上所述，在蝕刻處理後，未實施液體脫去處理而實施淋洗處理，將用於蝕刻之藥液快速地沖洗，藉此，良好地控制蝕刻寬度及蝕刻深度。再者，若供給DHF則表面周緣部911成為撥水性，因此，表面周緣部911成為不易殘存處理液之狀態。進而其原因在於：在上述實施形態中，於實施DHF之藥液處理之期間，對表面周緣部911自氣體噴嘴50d供給氣體，故供給至表面周緣部911之多餘之DHF大多自基板9之端面93被去除。因而，在DHF之藥液處理結束之時間點(甚而未實施液體脫去處理)，成為於基板9之表面周緣部911幾乎未殘存DHF之狀態。因而，DHF之藥液處理後並無特別實施液體脫去處理之必要性。但，亦可視處理對象等情況，在實施DHF之藥液處理之後，實施液體脫去處理。
又，於上述各實施形態中，在表面周緣處理(步驟S2)及背面處理(步驟S4)之各者中，一面隔著淋洗處理等一面依序地實施使用有3種藥液(SC-1、SC-2及DHF)之藥液處理，但並非必須實施使用有該等3種藥液之藥液處理。例如，亦可使用選自SC-1、SC-2、DHF、BDHF(緩衝氫氟酸)、HF(氫氟酸)、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、乙酸、草酸或氨等之水溶液、或該等之混合溶液等中之1種以上藥液，對表面周緣部911或者背面92實施藥液處理。
又，上述各實施形態之流體供給部55亦可將供給氫氟酸(例如49%之氫氟酸)之氫氟酸供給源、供給鹽酸之鹽酸供給源、供給過氧化氫之過氧化氫供給源、供給氫氧化銨之氫氧化銨供給源、供給純水 之純水供給源、供給二氧化碳氣體之二氧化碳氣體供給源、供給氮氣之氮氣供給源、配管、開關閥、及混合閥等組合而構成。於該構成中，例如，藉由將來自氫氟酸供給源之氫氟酸與來自純水供給源之純水在混合閥內以規定之比率進行混合而產生DHF，且將該DHF供給至周緣部用噴出頭51(具體而言為第1藥液噴嘴50a、501a)。又，藉由將來自鹽酸供給源之鹽酸與來自過氧化氫供給源之過氧化氫在混合閥內以規定之比率進行混合而產生SC-2，且將該SC-2供給至周緣部用噴出頭51(具體而言為第1藥液噴嘴50a、501a)。又，藉由將來自氫氧化銨供給源之氫氧化銨、來自過氧化氫供給源之過氧化氫、及來自純水供給源之純水在混合閥內以規定之比率進行混合而產生SC-1，且將該SC-1供給至周緣部用噴出頭51(具體而言為第2藥液噴嘴50b、501b)。又，在來自純水供給源之純水中，藉由溶解二氧化碳而產生淋洗液，且將該淋洗液供給至周緣部用噴出頭51(具體而言為淋洗液噴嘴50c、501c)。
又，於上述各實施形態中，加熱處理部7係設為使用蒸汽加熱基板9之構成，但加熱處理部7亦可使用其他加熱源(例如，電熱線加熱器、燈加熱器等)，將基板9加熱。但，使用蒸汽加熱基板9之態樣與使用電熱線加熱器、或燈加熱器加熱基板9之態樣相比，可以短時間內將基板9局部地加熱(甚而，可實現良好之處理量)，故而尤佳。
又，於上述各實施形態，在液體脫去處理中，設為依序地實施引液步驟(步驟S2031)及吹洩步驟(步驟S2032)，但引液步驟(步驟S2031)與吹洩步驟(步驟S2032)亦可並行地實施。
又，實施液體脫去處理之時序並非僅限於上述實施形態中所例示之時序。例如，亦可將SC-2之藥液處理後之液體脫去處理省略，亦可將各淋洗處理後之液體脫去處理中之至少一者省略。又，如上所述，既可於SC-1之藥液處理之後實施液體脫去處理，亦可於DHF之藥 液處理之後實施液體脫去處理。
又，於上述各實施形態，在基板處理裝置1中，對基板9之表面周緣部911及背面92實施處理，但於基板處理裝置1中，亦可僅對表面周緣部911、或者僅對背面92實施處理。又，在基板處理裝置1中，亦可對表面周緣部911及背面92之至少一者，實施除蝕刻處理及洗浄處理以外之處理(例如，成膜處理)。
又，於上述各實施形態之周緣部用噴出頭51中，對於淋洗噴嘴50c，在基板9之旋轉方向AR9之上游側配置有第1藥液噴嘴50a，在下游側配置有第2藥液噴嘴50b，但亦可對於淋洗噴嘴50c，在基板9之旋轉方向AR9之上游側配置第2藥液噴嘴50b，且在下游側配置第1藥液噴嘴50a。
又，於上述各實施形態，在周緣部用噴出頭51配置在處理位置之狀態下，將周緣部用噴出頭51之至少一部分設為收容於防護構件60之內周壁601中所形成之切口605內之狀態，但亦可於周緣部用噴出頭51配置在處理位置之狀態下，將周緣部用噴出頭51之至少一部分(具體而言為例如周緣部用噴出頭51所具備之噴嘴50之至少一部分)設為例如收容於自防護構件60之上表面604貫通至下表面602之貫通孔內之狀態。即，配置於處理位置之周緣部用噴出頭51所具備之噴嘴50亦可配置於隔著防護構件60之一部分相對於護罩31之相反側。
又，於上述各實施形態之基板處理裝置1中，亦可對於表面周緣部911及背面92之至少一者，實施除蝕刻處理及洗浄處理以外之處理(例如，成膜處理)。
又，於上述各實施形態，在基板處理裝置1中，對基板9之表面周緣部911實施處理之後，對背面92實施處理，但亦可並行地實施對表面周緣部911之處理與對背面92之處理。
又，於上述各實施形態，基板9係設為半導體晶圓，但基板9亦 可為液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用玻璃基板、及太陽電池用基板等。
如以上所述，本發明已詳細地表示記載，但上述記載於所有之態樣中僅為例示而無限定性。因而，本發明可於其發明範圍內，將實施形態適當變化、省略。
1‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板
11‧‧‧殼體
12‧‧‧搬出入口
21‧‧‧旋轉底座
25‧‧‧保持構件
31‧‧‧護罩
51‧‧‧周緣部用噴出頭
52‧‧‧支臂
53‧‧‧噴嘴基台
60‧‧‧防護構件
63‧‧‧半圓弧構件驅動部
301‧‧‧外構件之上端緣部

Claims (31)

  1. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持部，其係一面以水平姿勢保持基板，一面使該基板繞穿過其面內之中心之鉛直之旋轉軸進行旋轉；防護構件，其係沿著上述基板之表面周緣部之至少一部分之形狀，且配置於以非接觸狀態接近於由上述基板保持部所保持之基板之表面周緣部的位置；護罩，其係上端開放之筒形狀之構件，且以整體地包圍由上述基板保持部保持之基板與上述防護構件之方式設置；及噴嘴，其係配置於夾著上述防護構件之至少一部分而與上述護罩為相反側的位置，且對由上述基板保持部保持之上述基板之表面周緣部噴出處理液；上述防護構件係沿著上述基板之表面周緣部之整周之環狀構件；環狀之上述防護構件之內徑係設為比上述基板之外徑小，上述防護構件之外徑係設為大於上述基板之外徑。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述防護構件之下表面之至少一部分係與上述表面周緣部對向地配置。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述防護構件之下表面係配置於與上述噴嘴中之上述處理液之噴出面相同之高度位置、或低於上述噴出面之位置。
  4. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述防護構件之下表面係配置於與上述護罩之上端緣部之下表面相同之高度位置、或低於上述下表面之位置。
  5. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持部，其係一面以水平姿勢保持基板，一面使該基板繞穿過其面內之中心之鉛直之旋轉軸進行旋轉；防護構件，其係沿著上述基板之表面周緣部之至少一部分之形狀，且配置於以非接觸狀態接近於由上述基板保持部所保持之基板之表面周緣部的位置；護罩，其係上端開放之筒形狀之構件，且以整體地包圍由上述基板保持部保持之基板與上述防護構件之方式設置；及噴嘴，其係配置於夾著上述防護構件之至少一部分而與上述護罩為相反側的位置，且對由上述基板保持部保持之上述基板之表面周緣部噴出處理液；上述防護構件係沿著上述基板之表面周緣部之整周之環狀構件；上述防護構件係藉由將相互獨立分開地構成之複數個弧狀構件設為其周向之端面彼此相互地抵接之狀態而形成，且於上述基板保持部未保持基板之期間，使上述複數個弧狀構件之各者離開其他弧狀構件而配置於基板之搬出入路徑之外側之避讓位置。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中於上述基板保持部未保持基板之期間，上述護罩係配置於其上端緣部相較上述基板保持部之上表面來到下方之避讓位置，且上述複數個弧狀構件各自之上述避讓位置係相較上述基板保持部之上表面為下側之位置，且自上方觀察相較上述護罩之上端緣部為外側之位置。
  7. 如請求項5之基板處理裝置，其包括： 升降驅動部，其使上述複數個弧狀構件之各者沿鉛直軸升降移動；及進退驅動部，其使上述複數個弧狀構件之各者於水平面內在與其他弧狀構件接近遠離之方向上進退移動。
  8. 如請求項6之基板處理裝置，其包括：升降驅動部，其使上述複數個弧狀構件之各者沿鉛直軸升降移動；及進退驅動部，其使上述複數個弧狀構件之各者於水平面內在與其他弧狀構件接近遠離之方向上進退移動。
  9. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持部，其係一面以水平姿勢保持基板，一面使該基板繞穿過其面內之中心之鉛直之旋轉軸進行旋轉；防護構件，其係沿著上述基板之表面周緣部之至少一部分之形狀，且配置於以非接觸狀態接近於由上述基板保持部所保持之基板之表面周緣部的位置；護罩，其係上端開放之筒形狀之構件，且以整體地包圍由上述基板保持部保持之基板與上述防護構件之方式設置；及噴嘴，其係配置於夾著上述防護構件之至少一部分而與上述護罩為相反側的位置，且對由上述基板保持部保持之上述基板之表面周緣部噴出處理液；上述防護構件係包含本體部、及自上述本體部之外周壁伸出之簷部，上述本體部之外周壁係一面與上述護罩之上端緣部以非接觸之狀態接近，一面沿著上述上端緣部之至少一部分延伸，且上述本體部之外周壁與上述護罩之上端緣部之間之間隙被上 述簷部覆蓋。
  10. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述防護構件包含將上述噴嘴之至少一部分收容之切口。
  11. 一種基板處理方法，其包含如下步驟：a)使基板保持部以水平姿勢保持基板；b)將沿著上述基板之表面周緣部之整周之環狀之防護構件，配置於以非接觸狀態接近於上述表面周緣部的位置；c)將上端開放之筒形狀之護罩以整體地包圍上述基板與上述防護構件之方式配置；d)於夾著上述防護構件之至少一部分而與上述護罩為相反側之位置，配置噴嘴；及e)使由上述基板保持部保持之基板旋轉，並且自上述噴嘴使處理液噴出至上述基板之表面周緣部。
  12. 一種基板處理方法，其包括如下步驟：a)使基板保持部以水平姿勢保持基板；b)使由上述基板保持部保持之上述基板繞穿過其面內之中心之鉛直之旋轉軸開始旋轉；c)朝向由上述基板保持部保持而進行旋轉之上述基板之表面周緣部，噴出處理液；及d)於上述c)步驟之後，朝向由上述基板保持部保持而進行旋轉之上述基板之背面，噴出處理液；且於上述a)步驟之後且上述b)步驟之前，包含如下步驟：f)將沿著由上述基板保持部保持之上述基板之表面周緣部之至少一部分之形狀之防護構件，配置於以非接觸狀態接近於上述表面周緣部的位置；g)將上端開放之筒形狀之護罩，以整體地包圍由上述基板保持 部保持之上述基板與上述防護構件之方式配置；及h)於夾著上述防護構件之至少一部分而與上述護罩為相反側之位置，配置周緣部用噴出頭；由上方觀察時，上述防護構件之外周壁與內周壁之雙方相對於上述基板之中心朝向上述基板之徑方向之外側突出而彎曲，上述防護構件之下表面之至少內周側部分係與上述基板之表面周緣部對向而配置。
  13. 如請求項12之基板處理方法，其包括：e)於上述c)步驟之後且上述d)步驟之前，使由上述基板保持部保持之上述基板之旋轉速度降低之步驟。
  14. 一種基板處理裝置，其包含：旋轉底座，其係以旋轉軸為中心在水平面內旋轉；保持部，其係將基板保持於上述旋轉底座之上方；及下表面處理部，其係朝向由上述保持部保持之上述基板之下表面，噴出處理液；上述保持部包括：複數個第1抵接構件，其等係自基板之斜下方抵接於上述基板，以水平姿勢將上述基板保持於離開上述旋轉底座之上表面之位置；複數個第2抵接構件，其等係自基板之側方抵接於上述基板，以水平姿勢將上述基板保持於離開上述旋轉底座之上表面之位置；及切換部，其進行上述複數個第1抵接構件保持基板之第1保持狀態、與上述複數個第2抵接構件保持基板之第2保持狀態間之切換；於上述第2保持狀態下，上述第1抵接構件離開基板，且 於上述第1保持狀態下，基板之上表面位於較上述第1抵接構件之上端更高之位置，且上述第2抵接構件離開上述基板。
  15. 如請求項14之基板處理裝置，其中於基板之旋轉速度小於既定之閾值之情形時，上述複數個第1抵接構件保持上述基板，且於基板之旋轉速度為上述閾值以上之情形時，上述複數個第2抵接構件保持上述基板。
  16. 如請求項14或15之基板處理裝置，其中上述第1抵接構件具備與底面平行地將圓錐體之上部切除所得之形狀部分，上述第1抵接構件係於上述圓錐體之傾斜之側面，與上述基板抵接。
  17. 如請求項16之基板處理裝置，其中上述圓錐體之傾斜之側面與水平面所成之角度為45°以上。
  18. 如請求項14或15之基板處理裝置，其中上述第1抵接構件之表面為疏水性。
  19. 如請求項14或15之基板處理裝置，其中上述切換部係藉由使上述複數個第2抵接構件之各者在與上述旋轉底座上之基板之周緣接近遠離之方向上移動，而實施上述第1保持狀態與上述第2保持狀態之間之切換。
  20. 如請求項14或15之基板處理裝置，其中自對上述基板處理裝置進行基板之搬出入之搬送機器人移載至上述旋轉底座上之基板係首先被上述複數個第1抵接構件保持。
  21. 一種基板處理方法，其包括如下步驟：a)使複數個第1抵接構件自基板之斜下方抵接於上述基板，並 且使複數個第2抵接構件離開上述基板，而將上述基板以水平姿勢保持於離開旋轉底座之上表面之位置；b)一面使被上述複數個第1抵接構件保持之上述基板以第1旋轉速度旋轉，一面對上述基板之下表面供給處理液；c)於上述b)步驟之後，使複數個第2抵接構件自上述基板之側方抵接於上述基板，並且使上述複數個第1抵接構件離開上述基板，而將上述基板以水平姿勢保持於離開上述旋轉底座之上表面之位置；d)將被上述複數個第2抵接構件保持之上述基板以大於第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉；被上述複數個第1抵接構件保持之基板之上表面位於與上述第1抵接構件之上端相比更高之位置。
  22. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持部，其係一面將基板保持為水平姿勢，一面使該基板繞穿過其面內之中心之鉛直之旋轉軸進行旋轉；及周緣部用處理頭，其對由上述基板保持部保持之基板之表面周緣部進行處理；上述周緣部用處理頭包括：處理液噴嘴，其朝向上述表面周緣部噴出處理液、及吸引管，其具有與上述處理液噴嘴對應的關係，吸引上述表面周緣部上之多餘之上述處理液。
  23. 如請求項22之基板處理裝置，其中上述周緣部用處理頭包含：一體地支持上述處理液噴嘴與上述吸引管之支持部。
  24. 如請求項22或23之基板處理裝置，其中於上述周緣部用處理頭， 將上述吸引管配置在上述處理液噴嘴之附近且與上述處理液噴嘴相比在上述基板之旋轉方向之下游側。
  25. 如請求項22或23之基板處理裝置，其中於上述周緣部用處理頭，將上述吸引管配置在上述處理液噴嘴之附近且與上述處理液噴嘴相比在上述基板之旋轉方向之上游側。
  26. 如請求項22或23之基板處理裝置，其中上述吸引管係於其前端開口之吸引口配置在與上述表面周緣部對向之吸引位置之狀態下，上述吸引口處之上述基板之中心側之端相較上述表面周緣部中之應使上述處理液進行作用之區域之內緣位置位於基板之端面側。
  27. 如請求項22或23之基板處理裝置，其中上述吸引管係於其前端開口之吸引口配置在與上述表面周緣部對向之吸引位置之狀態下，上述吸引口處之上述基板之端面側之端相較上述基板之端面位於內側。
  28. 如請求項22或23之基板處理裝置，其中上述處理液噴嘴係朝向上述基板上之第1位置噴出上述處理液，且上述吸引管係自相較上述第1位置為基板之端面側之第2位置吸引上述處理液。
  29. 如請求項22或23之基板處理裝置，其中上述周緣部用處理頭包括：朝向上述表面周緣部噴出氣體之氣體噴嘴。
  30. 如請求項22或23之基板處理裝置，其包括：控制上述周緣部用處理頭之控制部，上述控制部係 一面朝向旋轉之基板之表面周緣部，自上述處理液噴嘴噴出處理液，一面使上述吸引管吸引上述表面周緣部上之多餘之上述處理液。
  31. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持部，其係一面以水平姿勢保持基板，一面使該基板繞穿過其面內之中心之鉛直之旋轉軸進行旋轉；防護構件，其係沿著上述基板之表面周緣部之至少一部分之形狀，且配置於以非接觸狀態接近於由上述基板保持部所保持之基板之表面周緣部的位置；護罩，其係上端開放之筒形狀之構件，且以整體地包圍由上述基板保持部保持之基板與上述防護構件之方式設置；及噴嘴，其係配置於夾著上述防護構件之至少一部分而與上述護罩為相反側的位置，且對由上述基板保持部保持之上述基板之表面周緣部噴出處理液；由上方觀察時，上述防護構件之外周壁與內周壁之雙方相對於上述基板之中心朝向上述基板之徑方向之外側突出而彎曲，上述防護構件之下表面之至少內周側部分係與上述基板之表面周緣部對向而配置。
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