JP6324010B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等（以下、単に「基板」という）の表面周縁部に、処理を施す技術に関する。

基板においては、その端面ぎりぎりまでデバイスパターン（回路パターン）が形成されることはあまりなく、デバイスパターンは、基板の端面から一定幅だけ内側の表面領域に形成されることが多い。

ところが、デバイスパターンを形成するための成膜工程においては、基板の裏面や、基板の表面におけるデバイスパターンが形成される領域（以下単に「デバイス領域」という）の外側の周縁部にまで、膜が形成されることがある。裏面や表面周縁部に形成された膜は、不要であるばかりでなく、各種のトラブルの原因にもなり得る。例えば、裏面や表面周縁部に形成されている膜が、処理工程の途中で剥がれ落ちて、歩留まりの低下、基板処理装置のトラブルなどを引き起こす虞等がある。

そこで、基板の裏面および表面周縁部に形成されている膜を、エッチングにより除去する処理が行われることがある。例えば、特許文献７には、水平姿勢で回転される基板の裏面に処理液を供給し、この処理液を基板の表面周縁部にまで回り込ませることによって、裏面および表面周縁部にエッチング処理を施す装置が記載されている。

特開２００８−３００４５４号公報 特開２００９−０７０９４６号公報 特開２００６−２１０５８０号公報 特開２００６−２２９０５７号公報 特開２００３−２６４１６８号公報 特開２００１−０６０５７６号公報 特開２００４−００６６７２号公報

特許文献７の態様では、基板の裏面と表面周縁部とを一度に処理できるため、高いスループットを実現できるという利点がある一方で、表面周縁部に回り込ませる処理液の量を制御することが非常に難しく、表面周縁部を適切に処理できない可能性があった。

この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、スループットの低下を抑制しつつ、表面周縁部と裏面との両方を適切に処理できる技術を提供することを目的とする。

第１の態様は、基板処理装置であって、所定膜を有する基板を水平姿勢で保持しつつ、当該基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる基板保持部と、前記基板保持部に保持される前記基板の表面周縁部に、前記所定膜を除去する処理液を吐出する周縁部用吐出ヘッドと、前記基板保持部に保持される前記基板の裏面に、前記所定膜を除去する処理液を吐出する裏面処理部と、前記基板保持部、前記周縁部用吐出ヘッド、および、前記裏面処理部を、制御する制御部と、を備え、前記制御部が、前記周縁部用吐出ヘッドに、前記基板保持部に保持されて回転される前記基板の表面周縁部に向けて処理液を吐出させた後に、前記基板の表面に処理液を吐出せずに、前記裏面処理部に、前記基板の裏面に向けて処理液を吐出させる。

第２の態様は、基板処理装置であって、所定膜を有する基板を水平姿勢で保持しつつ、当該基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる基板保持部と、前記基板保持部に保持される前記基板の表面周縁部に、前記所定膜を除去する処理液を吐出する周縁部用吐出ヘッドと、前記基板保持部に保持される前記基板の裏面に、前記所定膜を除去する処理液を吐出する裏面処理部と、前記基板保持部、前記周縁部用吐出ヘッド、および、前記裏面処理部を、制御する制御部と、を備え、前記制御部が、前記周縁部用吐出ヘッドに、前記基板保持部に保持されて回転される前記基板の表面周縁部に向けて処理液を吐出させた後に、前記裏面処理部に、前記基板の裏面に向けて処理液を吐出させ、前記制御部が、前記周縁部用吐出ヘッドからの処理液の吐出を停止させた後であって、前記裏面処理部からの処理液の吐出を開始させる前に、前記基板保持部に、前記基板の回転速度を低下させる。
第３の態様は、第１または第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記制御部が、前記周縁部用吐出ヘッドに、前記基板保持部に保持されて回転される前記基板の表面周縁部に向けて処理液を吐出させた後に、前記基板が前記基板保持部に保持されたままの状態で、前記基板の表面に処理液を吐出せずに、前記裏面処理部に、前記基板の裏面に向けて処理液を吐出させる。
第４の態様は、第３の態様にかかる基板処理装置であって、前記基板保持部は、一群の保持部材を有し、前記一群の保持部材により、前記基板の端面と当接して前記基板を水平姿勢で保持し、前記制御部が、前記周縁部用吐出ヘッドに、前記一群の保持部材に保持されて回転される前記基板の表面周縁部に向けて処理液を吐出させた後に、前記基板が前記一群の保持部材に保持されたままの状態で、前記基板の表面に処理液を吐出せずに、前記裏面処理部に、前記基板の裏面に向けて処理液を吐出させる。

第５の態様は、第１から第４のいずれか一つの態様に係る基板処理装置であって、前記裏面処理部から吐出される処理液は、前記周縁部用吐出ヘッドから吐出される処理液と同じ処理液を含む。

第６の態様は、基板処理方法であって、ａ）基板保持部に所定膜を有する基板を水平姿勢で保持させる工程と、ｂ）前記基板保持部に保持される前記基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転開始させる工程と、ｃ）前記基板保持部に保持されて回転される前記基板の表面周縁部に向けて、前記所定膜を除去する処理液を吐出する工程と、ｄ）前記ｃ）工程の後に、前記基板の表面に処理液を吐出せずに、前記基板保持部に保持されて回転される前記基板の裏面に向けて、前記所定膜を除去する処理液を吐出する工程と、を備える。

第７の態様は、基板処理方法であって、ａ）基板保持部に所定膜を有する基板を水平姿勢で保持させる工程と、ｂ）前記基板保持部に保持される前記基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転開始させる工程と、ｃ）前記基板保持部に保持されて回転される前記基板の表面周縁部に向けて、前記所定膜を除去する処理液を吐出する工程と、ｄ）前記ｃ）工程の後に、前記基板保持部に保持されて回転される前記基板の裏面に向けて、前記所定膜を除去する処理液を吐出する工程と、を備え、ｅ）前記ｃ）工程の後であって、前記ｄ）工程の前に、前記基板保持部に保持される前記基板の回転速度を低下させる工程、を備える。
第８の態様は、第６または第７の態様にかかる基板処理方法であって、前記ｄ）工程において、前記ｃ）工程の後に、前記基板が前記基板保持部に保持されたままの状態で、前記基板の表面に処理液を吐出せずに、前記基板の裏面に向けて処理液を吐出させる。

第９の態様は、第６から第８のいずれか一つの態様に係る基板処理方法であって、前記ｄ）工程の処理液は、前記ｃ）工程の処理液と同じ処理液を含む。

第１、第３から第５、第６、第８および第９の態様によると、基板が基板保持部に保持されたままの状態で、当該基板の表面周縁部に対する処理と、当該基板の裏面に対する処理とが、連続して行われるので、スループットの低下を抑制しつつ、基板の表面周縁部と裏面との両方を処理することができる。その一方で、第１、第６の態様によると、基板の表面周縁部と、基板の裏面との各々に向けて、処理液が吐出されるので、表面周縁部と裏面との各々に保持される処理液の量を、安定してコントロールすることができる。また、第１、第６の態様によると、表面周縁部に処理液が供給された後に、裏面に向けて処理液が供給されるので、表面周縁部に供給された処理液が、基板から飛散して裏面に付着したとしても、その後に、基板の裏面に供給される処理液によって、当該付着した処理液を流し落とすことができる。したがって、表面周縁部と裏面との両方を適切に処理できる。このように、第１、第６の態様によると、スループットの低下を抑制しつつ、表面周縁部と裏面との両方を適切に処理できる。

第２、第７の態様によると、裏面に向けて処理液が吐出される前に、基板の回転速度が低下される。つまり、表面周縁部に対して処理液が供給されている間は、比較的高速で基板が回転され、裏面に対して処理液が供給されている間は、比較的低速で基板が回転されることになる。この構成によると、表面周縁部に対して供給された処理液が、デバイス領域に進入することを抑制できるとともに、裏面に供給された処理液が基板の表面に回り込んでデバイス領域に進入することも抑制される。

基板処理システムを模式的に示す概略平面図である。 処理対象となる基板の周縁部付近を示す断面図である。 基板処理装置の概略斜視図である。 基板処理装置の概略斜視図である。 基板処理装置の構成を説明するための模式図である。 周縁部用吐出ヘッドの斜視図である。 ノズルの先端付近の構成を模式的に示す側断面図である。 周縁部用吐出ヘッドが備える一群のノズルの目標吐出位置の一例を模式的に示す図である。 周縁部用吐出ヘッドを、基板の回転方向の下流側から見た図である。 周縁部用吐出ヘッドを、基板の回転方向の下流側から見た図である。 ガード部材の斜視図である。 カップ、ガード部材、および、周縁部用吐出ヘッドが各々の処理位置に配置された状態を上方から見た平面図である。 図１２を矢印Ｋから見た側断面図である。 基板処理装置で実行される動作の全体の流れを示す図である。 前処理の流れを示す図である。 前処理を説明するための図である。 表面周縁処理の流れを示す図である。 表面周縁処理を説明するための図である。 裏面処理等の流れを示す図である。 裏面処理等を説明するための図である。

以下、図面を参照しながら、実施の形態について説明する。以下の実施の形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。また、以下に参照する各図では、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。

＜１．基板処理システム１００＞
＜１−１．構成＞
基板処理システム１００の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、基板処理システム１００を模式的に示す概略平面図である。

基板処理システム１００は、複数枚の基板９を、一枚ずつ、連続して処理するシステムである。以下の説明において、基板処理システム１００で処理の対象とされる基板９は、例えば、円形の半導体ウェハであるとする。

基板処理システム１００は、並設された複数のセル（処理ブロック）（具体的には、インデクサセル１１０および処理セル１２０）と、当該複数のセル１１０，１２０が備える各動作機構等を制御する制御部１３０と、を備える。

＜インデクサセル１１０＞
インデクサセル１１０は、装置外から受け取った未処理の基板９を処理セル１２０に渡すとともに、処理セル１２０から受け取った処理済みの基板９を装置外に搬出するためのセルである。インデクサセル１１０は、複数のキャリアＣを載置するキャリアステージ１１１と、各キャリアＣに対する基板９の搬出入を行う基板搬送装置（移載ロボット）ＩＲと、を備える。

キャリアステージ１１１に対しては、未処理の基板９を収納したキャリアＣが、装置外部から、ＯＨＴ(Overhead Hoist Transfer)等によって搬入されて載置される。未処理の基板９は、キャリアＣから１枚ずつ取り出されて装置内で処理され、装置内での処理が終了した処理済みの基板９は、再びキャリアＣに収納される。処理済みの基板９を収納したキャリアＣは、ＯＨＴ等によって装置外部に搬出される。このように、キャリアステージ１１１は、未処理の基板９および処理済みの基板９を集積する基板集積部として機能する。なお、キャリアＣの形態としては、基板９を密閉空間に収納するＦＯＵＰ(Front Opening Unified Pod)であってもよいし、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや、収納された基板９を外気に曝すＯＣ(Open Cassette)であってもよい。

移載ロボットＩＲは、基板９を下方から支持することによって、基板９を水平姿勢（基板９の主面が水平な姿勢）で保持するハンド１１２と、ハンド１１２を駆動するハンド駆動機構１１３と、を備える。移載ロボットＩＲは、キャリアステージ１１１に載置されたキャリアＣから未処理の基板９を取り出して、当該取り出した基板９を、基板受渡位置Ｐにおいて搬送ロボットＣＲ（後述する）に渡す。また、移載ロボットＩＲは、基板受渡位置Ｐにおいて搬送ロボットＣＲから処理済みの基板９を受け取って、当該受け取った基板９を、キャリアステージ１１１上に載置されたキャリアＣに収納する。

＜処理セル１２０＞
処理セル１２０は、基板９に処理を行うためのセルである。処理セル１２０は、複数の基板処理装置１と、当該複数の基板処理装置１に対する基板９の搬出入を行う基板搬送装置（搬送ロボットＣＲ）と、を備える。ここでは、複数個（例えば、３個）の基板処理装置１が鉛直方向に積層されて、１個の基板処理装置群１０を構成している。そして、複数個（図示の例では、４個）の基板処理装置群１０が、搬送ロボットＣＲを取り囲むようにクラスタ状（房状）に設置される。

複数の基板処理装置１の各々は、内部に処理空間を形成する筐体１１を備える。筐体１１には、搬送ロボットＣＲのハンド１２１を筐体内部に挿入させるための搬出入口１２が形成されており、基板処理装置１は、搬送ロボットＣＲが配置されている空間に、この搬出入口１２を対向させるようにして配置される。基板処理装置１の具体的な構成については、後に説明する。

搬送ロボットＣＲは、基板９を下方から支持することによって、基板９を水平姿勢で保持するハンド１２１と、ハンド１２１を駆動するハンド駆動機構１２２と、を備える。ただし、上述したとおり、搬送ロボットＣＲ（具体的には、搬送ロボットＣＲの基台）は、複数の基板処理装置群１０に取り囲まれる空間の中央に配置される。搬送ロボットＣＲは、指定された基板処理装置１から処理済みの基板９を取り出して、当該取り出した基板９を、基板受渡位置Ｐにおいて移載ロボットＩＲに渡す。また、搬送ロボットＣＲは、基板受渡位置Ｐにおいて移載ロボットＩＲから未処理の基板９を受け取って、当該受け取った基板９を、指定された基板処理装置１に搬送する。

＜制御部１３０＞
制御部１３０は、移載ロボットＩＲ、搬送ロボットＣＲ、および、一群の基板処理装置１の各々を制御する。制御部１３０のハードウエアとしての構成は、一般的なコンピュータと同様のものを採用できる。すなわち、制御部１３０は、例えば、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク、等を備えている。制御部１３０において、プログラムに記述された手順に従って主制御部としてのＣＰＵが演算処理を行うことにより、基板処理システム１００の各部を制御する各種の機能部が実現される。もっとも、制御部１３０において実現される一部あるいは全部の機能部は、専用の論理回路などでハードウエア的に実現されてもよい。

＜１−２．動作＞
基板処理システム１００の全体動作について、引き続き図１を参照しながら説明する。基板処理システム１００においては、制御部１３０が、基板９の搬送手順および処理条件等を記述したレシピにしたがって、基板処理システム１００が備える各部を制御することによって、以下に説明する一連の動作が実行される。

未処理の基板９を収容したキャリアＣがキャリアステージ１１１に載置されると、移載ロボットＩＲが、当該キャリアＣから未処理の基板９を取り出す。そして、移載ロボットＩＲは、未処理の基板９を保持したハンド１１２を基板受渡位置Ｐまで移動させて、基板受渡位置Ｐにおいて、当該未処理の基板９を、搬送ロボットＣＲに渡す。ハンド１２１上に未処理の基板９を受け取った搬送ロボットＣＲは、当該未処理の基板９を、レシピにて指定された基板処理装置１に搬入する。なお、移載ロボットＩＲと搬送ロボットＣＲとの間の基板９の受け渡しは、ハンド１１２，１２１間で直接に行われてもよいし、基板受渡位置Ｐに設けられた載置部などを介して行われてもよい。

基板９が搬入された基板処理装置１においては、基板９に対して、定められた処理が実行される。基板処理装置１にて実行される処理の流れについては、後に説明する。

基板処理装置１において基板９に対する処理が終了すると、搬送ロボットＣＲは、処理済みの基板９を基板処理装置１から取り出す。そして、搬送ロボットＣＲは、処理済みの基板９を保持したハンド１２１を基板受渡位置Ｐまで移動させて、基板受渡位置Ｐにおいて、当該処理済みの基板９を、移載ロボットＩＲに渡す。ハンド１１２上に処理済みの基板９を受け取った移載ロボットＩＲは、当該処理済みの基板９を、キャリアＣに格納する。

基板処理システム１００においては、搬送ロボットＣＲおよび移載ロボットＩＲが、レシピにしたがって、上述した搬送動作を反復して行うとともに、各基板処理装置１が、レシピにしたがって、基板９に対する処理を実行する。これによって、基板９に対する処理が次々と行われていくことになる。

＜２．基板９＞
次に、基板処理装置１にて処理対象とされる基板９について、図２を参照しながら説明する。図２は、基板９の周縁部付近を示す断面図である。

基板処理装置１にて処理対象とされる基板９は、例えば、シリコン（Ｓｉ）により構成される中心層９０１、中心層９０１の外側に成膜された下層膜９０２、および、下層膜９０２の外側に成膜された上層膜９０３、の三層構造を備える。下層膜９０２は、例えば、熱酸化膜（Ｔｈ−ＳｉＯ_２）、あるいは、絶縁膜（例えば、Ｈｆ（ハフニューム）膜、または、酸化Ｈｆ膜、等）である。また、上層膜９０３は、例えば、バリアメタル膜（例えば、ＴｉＮ膜、ＴａＮ膜、等）、あるいは、メタル膜（例えば、Ａｌ膜、Ｗ膜、ＮｉＳｉ膜、Ｃｕ膜、等）である。もっとも、基板処理装置１で処理対象とされる基板９は、例えば、中心層９０１と下層膜９０２との二層構造を備えるものであってもよいし、４層以上の構造を備えるものであってもよい。

以下において、基板９の主面のうちのデバイスパターンが形成される方の面を「表面９１」という。また、表面９１の反対側の面を「裏面９２」という。さらに、表面９１における、デバイスパターンが形成される領域を「デバイス領域９０」という。また、表面９１における、デバイス領域９０よりも外側の周縁領域（具体的には、例えば、基板９の端面９３から微小幅ｄ（例えば、ｄ＝０．５ｍｍ〜３．０ｍｍ（ミリメートル））の環状の領域）を「表面周縁部９１１」という。また、裏面９２における、端面９３から微小幅ｄの環状の領域を「裏面周縁部９２１」という。

基板処理装置１は、上述されたような多層構造を備える基板９を処理対象として、その表面周縁部９１１および裏面９２に対する処理（例えば、表面周縁部９１１および裏面９２に形成されている薄膜を除去する処理）を行うことができる。

＜３．基板処理装置１の構成＞
基板処理装置１の構成について、図３〜図５を参照しながら説明する。図３は、基板処理装置１の概略斜視図であり、ガード部材６０を構成する半円弧部材６１，６２、カップ３１、および、周縁部用吐出ヘッド５１が、各々の待避位置に配置されている状態が示されている。図４も、基板処理装置１の概略斜視図であるが、ここでは、ガード部材６０、カップ３１、および、周縁部用吐出ヘッド５１が、各々の処理位置に配置されている状態が示されている。図５は、基板処理装置１の構成を説明するための模式図である。

なお、以下の説明において、「処理液」には、薬液処理に用いられる「薬液」と、薬液をすすぎ流すリンス処理に用いられる「リンス液」と、が含まれる。

基板処理装置１は、スピンチャック２、飛散防止部３、表面保護部４、周縁処理部５、液跳ね抑制部６、加熱処理部７、および、裏面処理部８を、備える。これら各部２〜８は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０からの指示に応じて動作する。

＜スピンチャック２＞
スピンチャック２は、基板９を、その表面９１を上方に向けた状態で、略水平姿勢に保持する基板保持部であって、当該基板９を、その表面９１の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる。

スピンチャック２は、基板９より若干大きい円板状の部材であるスピンベース２１を備える。スピンベース２１の下面中央部には、回転軸部２２が連結されている。回転軸部２２は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置される。また、回転軸部２２には、これをその軸線まわりに回転駆動する回転駆動部（例えば、モータ）２３が接続される。回転軸部２２および回転駆動部２３は、筒状のケーシング２４内に収容されている。また、スピンベース２１の上面の周縁部付近には、適当な間隔をおいて複数個（例えば６個）の保持部材２５が設けられている。保持部材２５は、基板９の端面９３と当接して基板９の水平方向の位置決めを行うとともに、スピンベース２１の上面より僅かに高い位置で（すなわち、スピンベース２１の上面から定められた間隔を隔てて）、基板９を略水平姿勢で保持する。

この構成において、保持部材２５がスピンベース２１の上方で基板９を保持した状態で、回転駆動部２３が回転軸部２２を回転すると、スピンベース２１が鉛直方向に沿った軸心周りで回転され、これによって、スピンベース２１上に保持された基板９が、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで、回転される。

ただし、保持部材２５および回転駆動部２３は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、スピンベース２１上に基板９を保持するタイミング、保持された基板９を開放するタイミング、および、スピンベース２１の回転態様（具体的には、回転開始タイミング、回転終了タイミング、回転数（すなわち、回転速度）、等）は、制御部１３０によって制御される。

＜飛散防止部３＞
飛散防止部３は、スピンベース２１に保持されて回転される基板９から飛散する処理液等を受け止める。

飛散防止部３は、カップ３１を備える。カップ３１は、上端が開放された筒形状の部材であり、スピンチャック２を取り囲むように設けられる。この実施の形態では、カップ３１は、例えば、内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３の３個の部材を含んで構成されている。

内部材３１１は、上端が開放された筒形状の部材であり、円環状の底部３１１ａと、底部３１１ａの内側縁部から上方に延びる円筒状の内壁部３１１ｂと、底部３１１ａの外側縁部から上方に延びる円筒状の外壁部３１１ｃと、内壁部３１１ｂと外壁部３１１ｃとの間に立設された円筒状の案内壁３１１ｄと、を備える。案内壁３１１ｄは、底部３１１ａから上方に延び、上端部付近は、内側上方に向かって湾曲している。内壁部３１１ｂの少なくとも先端付近は、スピンチャック２のケーシング２４に設けられた鍔状部材２４１の内側空間に収容される。

底部３１１ａには、内壁部３１１ｂと案内壁３１１ｄとの間の空間と連通する排液溝（図示省略）が形成される。この排液溝は、工場の排液ラインと接続される。また、この排液溝には、溝内を強制的に排気して、内壁部３１１ｂと案内壁３１１ｄとの間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。内壁部３１１ｂと案内壁３１１ｄとの間の空間は、基板９の処理に使用された処理液を集めて排液するための空間であり、この空間に集められた処理液は、排液溝から排液される。

また、底部３１１ａには、案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間の空間と連通する第１の回収溝（図示省略）が形成される。第１の回収溝は、第１の回収タンクと接続される。また、この第１の回収溝には、溝内を強制的に排気して、案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間の空間は、基板９の処理に使用された処理液を集めて回収するための空間であり、この空間に集められた処理液は、第１の回収溝を介して、第１の回収タンクに回収される。

中部材３１２は、上端が開放された筒形状の部材であり、内部材３１１の案内壁３１１ｄの外側に設けられている。中部材３１２の上部は内側上方に向かって湾曲しており、その上端縁部は案内壁３１１ｄの上端縁部に沿って折曲されている。

中部材３１２の下部には、内周面に沿って下方に延びる内周壁部３１２ａと、外周面に沿って下方に延びる外周壁部３１２ｂとが形成される。内周壁部３１２ａは、内部材３１１と中部材３１２とが近接する状態（図５に示される状態）において、内部材３１１の案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間に収容される。また、外周壁部３１２ｂの下端は、円環状の底部３１２ｃの内側縁部に着設される。底部３１２ｃの外側縁部からは、上方に延びる円筒状の外壁部３１２ｄが立設される。

底部３１２ｃには、外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間の空間と連通する第２の回収溝（図示省略）が形成される。第２の回収溝は、第２の回収タンクと接続される。また、この第２の回収溝には、溝内を強制的に排気して、外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間の空間は、基板９の処理に使用された処理液を集めて回収するための空間であり、この空間に集められた処理液は、第２の回収溝を介して、第２の回収タンクに回収される。

外部材３１３は、上端が開放された筒形状の部材であり、中部材３１２の外側に設けられている。外部材３１３の上部は内側上方に向かって湾曲しており、その上端縁部３０１は、中部材３１２の上端縁部および内部材３１１の上端縁部より僅かに内方で下方に折曲されている。内部材３１１，中部材３１２、および、外部材３１３が近接する状態（図５に示される状態）において、中部材３１２の上端縁部および内部材３１１の上端縁部が、外部材３１３の折曲された部分によって、覆われる。

外部材３１３の下部には、内周面に沿って下方に延びるように内周壁部３１３ａが形成される。内周壁部３１３ａは、中部材３１２と外部材３１３とが近接する状態（図５に示される状態）において、中部材３１２の外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間に収容される。

カップ３１には、これを昇降移動させるカップ駆動機構３２が配設されている。カップ駆動機構３２は、例えば、ステッピングモータにより構成される。この実施の形態では、カップ駆動機構３２は、カップ３１が備える３個の部材３１１，３１２，３１３を、独立して昇降させる。

内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３の各々は、カップ駆動機構３２の駆動を受けて、上方位置と下方位置との間で移動される。ここで、各部材３１１，３１２，３１３の上方位置は、当該部材３１１，３１２，３１３の上端縁部が、スピンベース２１上に保持された基板９の側方に配置される位置である。一方、各部材３１１，３１２，３１３の下方位置は、当該部材３１１，３１２，３１３の上端縁部が、スピンベース２１の上面よりも下方に配置される位置である。ただし、カップ駆動機構３２は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、カップ３１の位置（具体的には、内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３各々の位置）は、制御部１３０によって制御される。

外部材３１３が下方位置に配置されている状態（すなわち、内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３の全てが、下方位置に配置されている状態）を指して、以下「カップ３１が待避位置にある」という。スピンベース２１上に基板９が保持されていない間は、カップ３１は、待避位置に配置される。つまり、スピンベース２１上に基板９が保持されていない間は、カップ３１は、その上端縁部（すなわち、外部材３１３の上端縁部）３０１がスピンベース２１の上面よりも下方にくるような位置に配置される。

一方、外部材３１３が上方位置に配置されている状態を指して、以下「カップ３１が処理位置にある」という。処理位置にあるカップ３１の上端縁部（すなわち、外部材３１３の上端縁部３０１）は、スピンベース２１上に保持された基板９の側方に配置されることになる。ただし、「カップ３１が処理位置にある」状態には、以下の３つの状態が含まれる。第１の状態は、内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３の全てが、上方位置に配置された状態である（図５に示される状態）。この状態では、スピンチャック２に保持されている基板９から飛散した処理液は、内部材３１１の内壁部３１１ｂと案内壁３１１ｄとの間の空間に集められて、排液溝から排液される。第２の状態は、内部材３１１が下方位置に配置されるとともに、中部材３１２および外部材３１３が上方位置に配置された状態である。この状態では、スピンチャック２に保持されている基板９から飛散した処理液は、内部材３１１の案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間の空間に集められて、第１の回収タンクに回収される。第３の状態は、内部材３１１および中部材３１２が下方位置に配置されるとともに、外部材３１３が上方位置に配置された状態である。この状態では、スピンチャック２に保持されている基板９から飛散した処理液は、中部材３１２の外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間の空間に集められて、第２の回収タンクに回収される。

＜表面保護部４＞
表面保護部４は、スピンベース２１上に保持された基板９の表面９１の中央付近に対して、ガス（カバーガス）を供給して、デバイス領域９０を、表面周縁部９１１等に供給された処理液の雰囲気等から保護する。

表面保護部４は、スピンベース２１上に保持される基板９の表面９１の中央付近に向けて、ガスを吐出するカバーガスノズル４１を備える。カバーガスノズル４１は、水平に延在するアーム４２の先端部に取り付けられている。また、アーム４２の基端部は、ノズル基台４３に連結されている。ノズル基台４３は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置されており、アーム４２の基端部はノズル基台４３の上端に連結されている。

ノズル基台４３には、カバーガスノズル４１を駆動する駆動部４４が配設されている。駆動部４４は、例えば、ノズル基台４３をその軸線まわりに回転させる回転駆動部（例えば、サーボモータ）と、ノズル基台４３をその軸線に沿って伸縮させる昇降駆動部（例えば、ステッピングモータ）と、を含んで構成される。駆動部４４がノズル基台４３を回動させると、カバーガスノズル４１が、水平面内の円弧軌道に沿って移動し、駆動部４４がノズル基台４３を伸縮させると、カバーガスノズル４１が、基板９と近接離間する方向に移動する。

カバーガスノズル４１は、駆動部４４の駆動を受けて、処理位置と待避位置との間で移動される。ここで、カバーガスノズル４１の処理位置は、スピンベース２１上に保持される基板９の上方の位置であって、表面９１の中央付近と対向しつつ、表面９１と非接触状態で近接した位置である。一方、カバーガスノズル４１の待避位置は、基板９の搬送経路と干渉しない位置であり、例えば、上方から見て、カップ３１の上端縁部３０１よりも外側の位置である。また、駆動部４４は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、カバーガスノズル４１の位置は、制御部１３０によって制御される。

カバーガスノズル４１には、これにガス（ここでは、例えば、窒素（Ｎ_２）ガス）を供給する配管系であるカバーガス供給部４５が接続されている。カバーガス供給部４５は、具体的には、例えば、窒素ガスを供給する供給源である窒素ガス供給源４５１が、開閉弁４５３が介挿された配管４５２を介して、カバーガスノズル４１に接続された構成を備えている。この構成において、開閉弁４５３が開放されると、窒素ガス供給源４５１から供給される窒素ガスが、カバーガスノズル４１から吐出される。なお、カバーガスノズル４１に供給されるガスは、窒素ガス以外の気体（例えば、窒素ガス以外の各種の不活性ガス、乾燥空気、等）であってもよい。

カバーガスノズル４１が処理位置に配置されている状態において、カバーガス供給部４５からカバーガスノズル４１にガスが供給されると、カバーガスノズル４１から、スピンベース２１上に保持される基板９の表面９１の中央付近に向けて、ガス（カバーガス）が吐出される。ただし、カバーガス供給部４５の開閉弁４５３は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、カバーガスノズル４１からのガスの吐出態様（具体的には、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。

＜周縁処理部５＞
周縁処理部５は、スピンベース２１上に保持された基板９の表面周縁部９１１に対する処理を行う。

＜i．全体構成＞
周縁処理部５は、スピンベース２１上に保持される基板９の表面周縁部９１１に向けて、流体（ここでは、処理液、および、ガス）を吐出する周縁部用吐出ヘッド５１を備える。周縁部用吐出ヘッド５１は、水平に延在するアーム５２の先端部に取り付けられている。また、アーム５２の基端部は、ノズル基台５３に連結されている。ノズル基台５３は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置されており、アーム５２の基端部はノズル基台５３の上端に連結されている。

ノズル基台５３には、周縁部用吐出ヘッド５１を駆動する駆動部５４が配設されている。駆動部５４は、例えば、ノズル基台５３をその軸線まわりに回転させる回転駆動部（例えば、サーボモータ）と、ノズル基台５３をその軸線に沿って伸縮させる昇降駆動部（例えば、ステッピングモータ）と、を含んで構成される。駆動部５４がノズル基台５３を回動させると、周縁部用吐出ヘッド５１が、水平面内の円弧軌道に沿って移動し、駆動部５４がノズル基台５３を伸縮させると、周縁部用吐出ヘッド５１が、基板９と近接離間する方向に移動する。

周縁部用吐出ヘッド５１は、駆動部５４の駆動を受けて、処理位置と待避位置との間で移動される。ここで、周縁部用吐出ヘッド５１の処理位置は、スピンベース２１上に保持される基板９の上方であって、表面周縁部９１１と対向しつつ、表面周縁部９１１と非接触状態で近接した位置である（図４に示される位置）。ただし、周縁部用吐出ヘッド５１が処理位置に配置された状態において、周縁部用吐出ヘッド５１の少なくとも一部分が、後述するガード部材６０の内周壁６０１に形成された切り欠き６０５内に収容された状態となる。一方、周縁部用吐出ヘッド５１の待避位置は、基板９の搬送経路と干渉しない位置であり、例えば、上方から見て、カップ３１の上端縁部３０１よりも外側の位置である（図３に示される位置）。また、駆動部５４は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、周縁部用吐出ヘッド５１の位置は、制御部１３０によって制御される。

周縁部用吐出ヘッド５１には、これに流体（具体的には、処理液およびガス）を供給する配管系である流体供給部５５が接続されている。流体供給部５５は、具体的には、例えば、酸系薬液供給源５５１ａ、アルカリ系薬液供給源５５１ｂ、リンス液供給源５５１ｃ、窒素ガス供給源５５１ｄ、複数の配管５５２ａ，５５２ｂ，５５２ｃ，５５２ｄ、および、複数の開閉弁５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃ，５５３ｄを、組み合わせて構成されている。

酸系薬液供給源５５１ａは、酸性の薬液を供給する供給源である。ここでは、酸系薬液供給源５５１ａは、例えば、希釈したフッ化水素酸（希フッ酸）（以下、「ＤＨＦ」と示す）と、塩酸過酸化水素水（すなわち、塩酸（ＨＣｌ）と過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）と純水（ＤＩＷ：脱イオン水）とが、定められた比率で混合された薬液であり、以下、「ＳＣ−２」と示す）とを、選択的に供給できる。酸系薬液供給源５５１ａは、開閉弁５５３ａが介挿された配管５５２ａを介して、周縁部用吐出ヘッド５１（より具体的には、後述する「第１薬液ノズル５０ａ」）に接続されている。したがって、開閉弁５５３ａが開放されると、酸系薬液供給源５５１ａから供給される酸性の薬液（ＤＨＦ、あるいは、ＳＣ−２）が、第１薬液ノズル５０ａから吐出される。もっとも、酸系薬液供給源５５１ａは、必ずしもＤＨＦおよびＳＣ−２を選択的に供給するものに限らない。例えば、酸系薬液供給源５５１ａは、ＤＨＦ、ＳＣ−２、ＢＤＨＦ（バッファードフッ酸）、ＨＦ（フッ酸）、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸、およびこれらの混合溶液、等のうちの少なくとも１つを供給するものであってもよい。

アルカリ系薬液供給源５５１ｂは、アルカリ性の薬液を供給する供給源である。ここでは、アルカリ系薬液供給源５５１ｂは、例えば、アンモニア過酸化水素水（すなわち、水酸化アンモニウム（ＮＨ_４ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）と純水とが、定められた比率で混合された薬液であり、以下、「ＳＣ−１」と示す）を供給できる。アルカリ系薬液供給源５５１ｂは、開閉弁５５３ｂが介挿された配管５５２ｂを介して、周縁部用吐出ヘッド５１（より具体的には、後述する「第２薬液ノズル５０ｂ」）に接続されている。したがって、開閉弁５５３ｂが開放されると、アルカリ系薬液供給源５５１ｂから供給されるアルカリ性の薬液（ＳＣ−１）が、第２薬液ノズル５０ｂから吐出される。なお、アルカリ系薬液供給源５５１ｂから供給されるＳＣ−１は、例えば、６０℃〜８０℃に温調されていることも好ましい。もっとも、アルカリ系薬液供給源５５１ｂは、ＳＣ−１以外の薬液（例えば、アンモニアの水溶液等）を供給するものであってもよい。

リンス液供給源５５１ｃは、リンス液を供給する供給源である。ここでは、リンス液供給源５５１ｃは、例えば、二酸化炭素（ＣＯ_２）が溶融した純水（炭酸水）を、リンス液として供給する。リンス液供給源５５１ｃは、開閉弁５５３ｃが介挿された配管５５２ｃを介して、周縁部用吐出ヘッド５１（より具体的には、後述する「リンス液ノズル５０ｃ」）に接続されている。したがって、開閉弁５５３ｃが開放されると、リンス液供給源５５１ｃから供給されるリンス液が、リンス液ノズル５０ｃから吐出される。なお、リンス液として、純水、温水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）、各種の有機溶剤（イオン水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、機能水、等が用いられてもよい。

窒素ガス供給源５５１ｄは、ガス（ここでは、例えば、窒素（Ｎ_２）ガス）を供給する供給源である。窒素ガス供給源５５１ｄは、開閉弁５５３ｄが介挿された配管５５２ｄを介して、周縁部用吐出ヘッド５１（より具体的には、後述する「ガスノズル５０ｄ」）に接続されている。したがって、開閉弁５５３ｄが開放されると、窒素ガス供給源５５１ｄから供給される窒素ガスが、ガスノズル５０ｄから吐出される。もっとも、窒素ガス供給源５５１ｄは、窒素ガス以外のガス（例えば、窒素ガス以外の各種の不活性ガス、乾燥空気、等）を供給するものであってもよい。

周縁部用吐出ヘッド５１が処理位置に配置されている状態において、流体供給部５５から周縁部用吐出ヘッド５１に処理液（酸性の薬液（ＤＨＦ、あるいは、ＳＣ−２）、アルカリ性の薬液（ＳＣ−１）、あるいは、リンス液）が供給されると、周縁部用吐出ヘッド５１から、スピンベース２１上に保持された基板９の表面周縁部９１１に向けて、当該処理液が吐出される。また、周縁部用吐出ヘッド５１が処理位置に配置されている状態において、流体供給部５５から周縁部用吐出ヘッド５１にガスが供給されると、周縁部用吐出ヘッド５１から、スピンベース２１上に保持された基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される。また、流体供給部５５が備える開閉弁５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃ，５５３ｄの各々は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、周縁部用吐出ヘッド５１からの流体の吐出態様（具体的には、吐出される流体の種類、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。

＜ii．周縁部用吐出ヘッド５１＞
ここで、周縁部用吐出ヘッド５１について図６を参照しながらより具体的に説明する。図６は、周縁部用吐出ヘッド５１の斜視図である。なお、説明の便宜上、図６においては、ガード部材６０およびカップ３１は、図示省略されている。

周縁部用吐出ヘッド５１は、複数個（ここでは、４個）のノズル５０ａ〜５０ｄと、当該複数個のノズル５０ａ〜５０ｄを一体的に支持する支持部５００とを備える。

周縁部用吐出ヘッド５１が備える一群のノズル５０ａ〜５０ｄには、表面周縁部９１１に向けて処理液を吐出する１以上（ここでは、３個）のノズル（以下「処理液ノズル」ともいう）５０ａ，５０ｂ，５０ｃと、表面周縁部９１１に向けてガス（ここでは、窒素ガス）を吐出するノズル（以下「ガスノズル」ともいう）５０ｄと、が含まれる。特に、この周縁部用吐出ヘッド５１は、処理液ノズル５０ａ，５０ｂ，５０ｃとして、薬液を吐出する２個のノズル（以下「薬液ノズル」ともいう）５０ａ，５０ｂと、リンス液を吐出するノズル（以下「リンス液ノズル」ともいう）５０ｃと、を備える。特に、この周縁部用吐出ヘッド５１は、薬液ノズル５０ａ，５０ｂとして、酸性の薬液を吐出するノズル（以下「第１薬液ノズル」ともいう）５０ａと、アルカリ性の薬液を吐出するノズル（以下「第２薬液ノズル」ともいう）５０ｂと、を備える。

一群のノズル５０ａ〜５０ｄを一体的に支持する支持部５００は、上述したアーム５２に固定される。支持部５００は、上方から見て、表面周縁部９１１に沿う弧状に湾曲した部材であり、一群のノズル５０ａ〜５０ｄは、弧状に湾曲した支持部５００の延在方向に沿って、配列されている。したがって、周縁部用吐出ヘッド５１が処理位置に配置された状態において、一群のノズル５０ａ〜５０ｄが、基板９の表面周縁部９１１に沿って並んだ状態となる。このとき、基板９の回転方向ＡＲ９に沿って、上流側から、ガスノズル５０ｄ、第１薬液ノズル５０ａ、リンス液ノズル５０ｃ、第２薬液ノズル５０ｂの順で並べられている。

つまり、この周縁部用吐出ヘッド５１では、ガスノズル５０ｄが、処理液ノズル５０ａ，５０ｂ，５０ｃよりも、基板９の回転方向ＡＲ９の上流側に配置される。したがって、回転される基板９の表面周縁部９１１内の各位置は、まず、ガスノズル５０ｄの下方を通過した後に、処理液ノズル５０ａ，５０ｂ，５０ｃの下方を通過することになる。この構成によると、回転される基板９の表面周縁部９１１内の各位置に、処理液ノズル５０ａ，５０ｂ，５０ｃから新たな処理液が供給されるのに先立って、当該位置にガスノズル５０ｄからガスを供給する（すなわち、ガスを吹き付ける）ことができる。

基板９の表面状態等によっては、周縁部用吐出ヘッド５１の下方に到達した表面周縁部９１１内の各位置に、一周前に処理液ノズル５０ａ，５０ｂ，５０ｃから供給されて、基板９が一周回転される間に振り切られなかった古い処理液が、付着している場合がある。そのような場合においても、この古い処理液を、ガスノズル５０ｄから吐出されるガスで除去した後に、処理液ノズル５０ａ，５０ｂ，５０ｃから新たな処理液を供給することができる。この構成によると、表面周縁部９１１内の各位置に新たに供給された処理液が古い処理液と衝突して跳ねる、といった事態が生じにくい。これによって、処理液がデバイス領域９０に進入することが抑制される。また、この構成によると、常に新鮮な処理液を基板９に作用させることができ、これによって処理効率を高めることができる。また、仮に、古い薬液が残存しているところに、新たな処理液がさらに供給されてしまうと、そこに保持される処理液の量が一時的に多くなるところ、古い薬液をガスで除去した後に新たな処理液を供給する構成とすれば、表面周縁部９１１内の各位置に一時的に多量の処理液が保持されるといった状況が生じにくい。その結果、処理液を作用させる領域の寸法を安定させることができる。例えば、エッチング用の薬液を作用させる領域の寸法、すなわち、端面９３から基板９の内側に向かってエッチング除去される幅（以下、単に「エッチング幅」という）を安定させて、エッチング幅の制御精度を高めることができる。

また、別の見方をすると、この周縁部用吐出ヘッド５１では、処理液ノズル５０ａ，５０ｂ，５０ｃが、ガスノズル５０ｄよりも、基板９の回転方向ＡＲ９の下流側に配置される。したがって、回転される基板９の表面周縁部９１１内の各位置は、処理液ノズル５０ａ，５０ｂ，５０ｃの下方を通過した後、基板９がほぼ一周回転された後に、ガスノズル５０ｄの下方に到達することになる。この構成によると、処理液ノズル５０ａ，５０ｂ，５０ｃから表面周縁部９１１上の各位置に供給された処理液の少なくとも一部が、基板９がほぼ一周回転される間、表面周縁部９１１上に留まり続けるので、表面周縁部９１１内の各位置に対して処理液を十分に作用させることができる。

また、周縁部用吐出ヘッド５１では、酸性の薬液を吐出する第１薬液ノズル５０ａと、アルカリ性の薬液を吐出する第２薬液ノズル５０ｂとの間に、リンス液を吐出するリンス液ノズル５０ｃが配置される。この構成によると、例えば、一方の薬液ノズルから薬液を吐出している際に発生する雰囲気が、他方の薬液ノズル内に残留する薬液と反応するといった事態の発生を抑制できる。具体的には、例えば、第１薬液ノズル５０ａが酸性の薬液を吐出している際に発生する雰囲気が、第２薬液ノズル５０ｂ内に残留するアルカリ性の薬液と反応する、あるいは、第２薬液ノズル５０ｂがアルカリ性の薬液を吐出している際に発生する雰囲気が、第１薬液ノズル５０ａ内に残留する酸性の薬液と反応する、といった事態の発生を抑制できる。

＜iii．ノズル５０＞
次に、周縁部用吐出ヘッド５１が備える一群のノズル５０ａ〜５０ｄの各々の構成について、図７を参照しながら説明する。一群のノズル５０ａ〜５０ｄの各々は、ほぼ同様の構成を備えており、以下、これらのノズル５０ａ〜５０ｄを区別しない場合は、単に「ノズル５０」ともいう。図７は、ノズル５０の先端付近の構成を模式的に示す側断面図である。

ノズル５０は、下端が細くなった長尺棒状の外形を呈するノズル本体部５０１を備える。ノズル本体部５０１は、その軸方向が鉛直方向に沿うとともに、その下面（以下、「吐出面」ともいう）５０２が水平姿勢となるように、支持部５００に支持されている。したがって、周縁部用吐出ヘッド５１が処理位置に配置された状態において、吐出面５０２が、スピンベース２１上に保持された基板９の表面９１と平行な姿勢で、表面周縁部９１１と非接触状態で近接する。ただし、この状態において、吐出面５０２と表面周縁部９１１との離間距離ｍは、十分小さいもの（例えば、ｍ＝１ｍｍ程度）とされる。

ノズル本体部５０１の内部には、導入流路部５０３と、その下端と連通した吐出流路部５０４とが形成される。導入流路部５０３の上端には、上述した配管５５２ａ，５５２ｂ，５５２ｃ，５５２ｄのいずれかが接続されている。また、吐出流路部５０４の下端は、吐出面５０２に開口した吐出口５０５と、連通する。吐出口５０５は、例えば円形の貫通孔であり、その直径は、図２における基板９の端面９３からの微小幅ｄよりも小さく、例えば、０．６ｍｍである。したがって、配管から供給された流体は、まずは導入流路部５０３に保持されて、吐出流路部５０４に流入し、吐出口５０５から吐出される。

吐出流路部５０４は、途中で折れ曲がった形状となっている。具体的には、吐出流路部５０４は、鉛直流路部分５０４１と、これと連なる傾斜流路部分５０４２とを備える。鉛直流路部分５０４１は、ノズル本体部５０１の軸方向と平行に延在して、下端において傾斜流路部分５０４２と連通する。傾斜流路部分５０４２は、下方に行くにつれて基板９の内側（基板９の中心側）から外側（端面９３側）に向かう斜め下向きに延在して、下端において吐出口５０５と連通する。

このノズル５０においては、斜めに延在する傾斜流路部分５０４２を介して、吐出口５０５から流体が吐出されるため、ノズル５０から基板９の表面周縁部９１１に向けて吐出された流体を、表面周縁部９１１において、基板９の外側に向かって流すことができる。したがって、例えば、ノズル５０から表面周縁部９１１に向けて処理液が吐出される場合に、当該処理液がデバイス領域９０に流入することを抑制できるとともに、処理液が作用する領域の寸法（例えば、エッチング用の薬液が作用する領域の寸法、すなわち、エッチング幅）を安定させて、その制御精度を高めることができる。また、例えば、ノズル５０から表面周縁部９１１に向けてガスが吐出される場合に、表面周縁部９１１に、基板９の外側に向かう気流を形成することができる。この気流によって、表面周縁部９１１上の処理液や処理液のミストを、基板９の外側に吹き飛ばすことができる。

特に、このノズル５０は、ノズル本体部５０１自体が傾斜姿勢で支持部５００に支持されるのではなく、ノズル本体部５０１の内部に形成される吐出流路部５０４の一部分である傾斜流路部分５０４２が、傾斜している。仮に、ノズル本体部の内部に、その軸方向に沿って真っ直ぐ延在する流路を形成しつつ、ノズル本体部自体を傾斜姿勢としたとすると、吐出面が水平面に対して傾斜した姿勢となる。この場合、吐出面の最下端の付近に液溜まりが生じやすく、この液溜まりが、基板９上に滴下（ぼた落ち）してしまう虞がある。このような処理液のぼた落ちは、基板９上の、本来、処理液が供給されるべき位置よりも内側（基板９の中心側）の位置に生じてしまうため、ガスノズル５０ｄから吐出されるガスでも除去することが難しい。これに対し、この実施の形態のように、ノズル本体部５０１ではなくその内部に形成される吐出流路部５０４の一部分を傾斜させる構成によると、吐出面５０２を水平姿勢におくことができるので、このような処理液のぼた落ちが生じにくい。

なお、処理液が作用する領域の幅（例えば、エッチング用の薬液が作用するエッチング幅）の制御精度を高めるためには、傾斜流路部分５０４２の延在方向が水平面となす角度（傾斜角度）θは、４５度以上が好ましく、６０度以上がさらに好ましい。

＜iv．目標吐出位置＞
いま、周縁部用吐出ヘッド５１が備える一群のノズル５０ａ〜５０ｄの各々から流体が吐出されて基板９上に到達する到達位置を、当該ノズルの「目標吐出位置」とよぶことにする。以下において、一群のノズル５０ａ〜５０ｄの各々の目標吐出位置Ｑａ〜Ｑｄについて、図８〜図１０を参照しながら説明する。図８は、各ノズル５０ａ〜５０ｄの目標吐出位置の一例を模式的に示す図である。図９、図１０は、周縁部用吐出ヘッド５１を、基板９の回転方向ＡＲ９の下流側から見た図である。ただし、図９では、周縁部用吐出ヘッド５１から薬液とガスとが吐出されている状態が示されており、図１０では、周縁部用吐出ヘッド５１からリンス液とガスとが吐出されている状態が示されている。

周縁部用吐出ヘッド５１が備える一群のノズル５０ａ〜５０ｄの各々の目標吐出位置Ｑａ〜Ｑｄは、基板９の径方向に互いにずれた位置とされる。すなわち、ガスノズル５０ｄの目標吐出位置Ｑｄは、処理液ノズル５０ａ，５０ｂ，５０ｃの目標吐出位置Ｑａ，Ｑｂ，Ｑｃよりも、基板９の径方向内側（中心側）とされる。さらに、リンス液ノズル５０ｃの目標吐出位置Ｑｃは、薬液ノズル５０ａ，５０ｂの目標吐出位置Ｑａ，Ｑｂよりも、基板９の径方向内側とされる。さらに、第１薬液ノズル５０ａの目標吐出位置Ｑａと、第２薬液ノズル５０ｂの目標吐出位置Ｑｂとは、径方向について同じ位置とされる。ただし、「径方向について同じ位置」とは、基板９の端面９３からの離間距離が互いに等しい位置（すなわち、基板９の中心からの離間距離が等しい位置）を指す。つまり、ここでは、基板９の端面９３から第１薬液ノズル５０ａの目標吐出位置Ｑａまでの離間距離と、基板９の端面９３から第２薬液ノズル５０ｂの目標吐出位置Ｑｂまでの離間距離とが、等しい。

一例として、第１薬液ノズル５０ａの目標吐出位置Ｑａおよび第２薬液ノズル５０ｂの目標吐出位置Ｑｂは、いずれも、基板９の端面９３から１．０ｍｍだけ内側の位置である。また、ガスノズル５０ｄの目標吐出位置Ｑｄは、薬液ノズル５０ａ，５０ｂの目標吐出位置Ｑａ，Ｑｂよりもさらに０．５ｍｍだけ基板９の内側の位置である。また、リンス液ノズル５０ｃの目標吐出位置Ｑｃは、基板９の端面９３から１．０ｍｍ〜０．５ｍｍの範囲内の位置である。

各ノズル５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄは、各々の目標吐出位置Ｑａ，Ｑｂ，Ｑｃ，Ｑｄに到達するように流体を吐出できるように、基板９の径方向に互いにずれた位置に配置されて、支持部５００に支持される。すなわち、ガスノズル５０ｄは、処理液ノズル５０ａ，５０ｂ，５０ｃよりも、基板９の径方向内側に配置されて、支持部５００に支持される。また、リンス液ノズル５０ｃは、薬液ノズル５０ａ，５０ｂよりも、基板９の径方向内側に配置されて、支持部５００に支持される。また、第１薬液ノズル５０ａと、第２薬液ノズル５０ｂとは、径方向について同じ位置に配置されて、支持部５００に支持される。なお、各ノズル５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄの配置における互いのずれ量は、前述した傾斜流路部分５０４２の角度に応じて、各々の目標吐出位置Ｑａ，Ｑｂ，Ｑｃ，Ｑｄに流体が到達するように設定されている。

この周縁部用吐出ヘッド５１では、ガスノズル５０ｄの目標吐出位置Ｑｄが、処理液ノズル５０ａ，５０ｂ，５０ｃの目標吐出位置Ｑａ，Ｑｂ，Ｑｃよりも、基板９の径方向内側とされるので、基板９の表面周縁部９１１において、処理液が吐出される位置よりも内側の位置に、ガスが供給されることになる。この構成によると、表面周縁部９１１に供給された処理液を、基板９の内側から外側に向けて、ガスによって吹き飛ばすことができる。これによって、表面周縁部９１１上の処理液がデバイス領域９０に進入することを抑制できるとともに、処理液が作用する領域の寸法（例えば、エッチング用の薬液が作用する領域の寸法、すなわち、エッチング幅）を安定させて、その制御精度を高めることができる。

また、この周縁部用吐出ヘッド５１では、リンス液ノズル５０ｃの目標吐出位置Ｑｃが、薬液ノズル５０ａ，５０ｂの目標吐出位置Ｑａ，Ｑｂよりも、基板９の径方向内側とされるので、基板９の表面周縁部９１１において、薬液が吐出される位置よりも内側の位置に、リンス液が吐出されることになる。この構成によると、表面周縁部９１１に供給された薬液を、基板９の内側から外側に向けて、リンス液によって押し流すことができる。これによって、デバイス領域９０への薬液の進入を十分に抑制しつつ、薬液残渣を残すことなく薬液を十分にすすぎ流すことができる。

また、この周縁部用吐出ヘッド５１では、第１薬液ノズル５０ａの目標吐出位置Ｑａと第２薬液ノズル５０ｂの目標吐出位置Ｑｂとが、基板９の径方向について同じ位置とされるので、基板９の表面周縁部９１１において、酸性の薬液が吐出される位置にアルカリ性の薬液を吐出できる。この構成によると、各薬液を、同じ領域に正確に作用させることができる。

＜液跳ね抑制部６＞
再び図３〜図５を参照する。基板処理装置１においては、スピンベース２１上に保持された基板９の表面周縁部９１１に向けて、周縁部用吐出ヘッド５１から処理液が吐出されるときに、表面周縁部９１１に供給された処理液の一部が基板９から飛散し、当該飛散した処理液の一部が、外部に配置された部材で跳ね返されるなどして、基板９に再付着する虞がある。液跳ね抑制部６は、基板９から飛散した処理液が、基板９に再付着することを抑制するための部材である。

＜i．ガード部材６０＞
液跳ね抑制部６は、ガード部材６０を備える。ガード部材６０について、図３〜図５に加え、図１１〜図１３を参照しながら詳細に説明する。図１１は、ガード部材６０の斜視図である。図１２は、カップ３１、ガード部材６０、および、周縁部用吐出ヘッド５１が各々の処理位置に配置された状態を上方から見た平面図である。図１３は、図１２の矢印Ｋから見た側断面図である。

ガード部材６０は、基板９の表面周縁部９１１の全周に沿うリング状の部材である。ガード部材６０は、スピンベース２１上に保持された基板９に対する処理が行われる間、上から見て、当該基板９と同心に配置され、当該基板９の表面周縁部９１１と非接触状態で近接した位置（処理位置）に配置される。ガード部材６０における周方向と直交する断面は、矩形であることが好ましく、特に、正方形であることが好ましい。

ガード部材６０の内径は、基板９の外径よりも僅かに小さい寸法とされる。したがって、処理位置に配置されているガード部材６０を上方から見ると、ガード部材６０の内周壁６０１は、基板９の端面９３よりも内側（基板９の中心側）にあり、ガード部材６０の下面６０２の少なくとも内周部分は、スピンベース２１上に保持される基板９の表面周縁部９１１と対向して配置される。つまり、ガード部材６０の内周壁６０１は、基板９の表面周縁部よりも内側（基板９の中心側）にあり、ガード部材６０の下面６０２は基板９の表面周縁部９１１と部分的に近接して対向している。このとき、ガード部材６０の下面６０２と、スピンベース２１上に保持された基板９の表面９１との離間距離ｈは、例えば、１ｍｍ以上かつ１．５ｍｍ以下である。

ガード部材６０の外径は、基板９の外径よりも大きく、かつ、カップ３１の上端縁部３０１の内径よりも僅かに小さい寸法とされる。したがって、処理位置に配置されているガード部材６０を上方から見ると、ガード部材６０の外周壁６０３は、基板９の端面９３よりも外側にあり、かつ、カップ３１の上端縁部３０１と非接触の状態で近接しつつ、上端縁部３０１の全周に沿って延在する。つまり、処理位置に配置されたカップ３１は、スピンベース２１上の基板９と、ガード部材６０とを一括して取り囲む恰好となる。

上述した周縁部用吐出ヘッド５１は、これが処理位置に配置された状態において、ガード部材６０の内周壁６０１の側（すなわち、ガード部材６０を挟んで、カップ３１に対して反対側）に配置される。つまり、この状態において、周縁部用吐出ヘッド５１が備えるノズル５０は、ガード部材６０を挟んでカップ３１に対して反対側に配置される。ただし、ガード部材６０の内周壁６０１には、周縁部用吐出ヘッド５１の少なくとも一部分を収容する切り欠き６０５が形成されており、周縁部用吐出ヘッド５１が処理位置に配置された状態において、周縁部用吐出ヘッド５１の少なくとも一部分（具体的には、例えば、周縁部用吐出ヘッド５１が備えるノズル５０の少なくとも一部分）が、この切り欠き６０５に収容された状態となる。これによって、周縁部用吐出ヘッド５１が、ガード部材６０と干渉することなく、表面周縁部９１１の上方の処理位置に配置される。ただし、切り欠き６０５における、下面６０２と連なる壁面部分６０５１は、上方から見て、基板９の端面９３と面一、あるいは、端面９３よりも内側（基板９の中心側）にあることが好ましい。

ガード部材６０、周縁部用吐出ヘッド５１、および、カップ３１が各々の処理位置に配置された状態において、ガード部材６０の下面６０２は、周縁部用吐出ヘッド５１が備えるノズル５０の吐出面５０２と、同じ高さ位置か、吐出面５０２よりも低い位置に配置されることが好ましい。また、壁面部分６０５１はノズル５０から吐出される流体経路を妨げない位置まで低い位置に配置することができる。また、ガード部材６０の下面６０２は、カップ３１の上端縁部３０１の下面３０１１と、同じ高さ位置か、下面３０１１よりも低い位置に配置されることが好ましい。この実施の形態では、ガード部材６０の下面６０２、周縁部用吐出ヘッド５１の吐出面５０２、および、カップ３１の上端縁部３０１の下面３０１１が、同じ高さ位置とされる。すなわち、３つの面６０２，５０２，３０１１が、同一の水平面上に配置される。

また、ガード部材６０、および、カップ３１が各々の処理位置に配置された状態において、ガード部材６０の上面６０４は、カップ３１の上端縁部３０１の上面３０１２と同じ高さに配置されることが好ましい。

＜ii．処理液の再付着が抑制される理由＞
表面周縁部９１１に向けて周縁部用吐出ヘッド５１から処理液が吐出される間、ガード部材６０が処理位置に配置されていることによって、基板９から飛散した処理液が、基板９に再付着することを抑制できる。以下において、その理由を説明する。

カップ３１は、スピンベース２１の上面よりも下方の待避位置まで移動できるように、その上端縁部３０１の内径が、スピンベース２１の外径よりも大きな寸法とされている。スピンベース２１の外径は基板９の外径よりも大きな寸法とされているため、上から見ると、スピンベース２１上に保持された基板９の端面９３と、カップ３１の上端縁部３０１との間に、リング状の隙間空間が存在する。したがって、基板９の表面周縁部９１１と対向する処理位置に配置された周縁部用吐出ヘッド５１と、カップ３１の上端縁部３０１との間にも、隙間空間Ｖが存在することになる。この隙間空間Ｖは、基板９から飛散した処理液のミスト等が浮遊し得る空間であるところ、ここでは、この隙間空間Ｖの少なくとも一部分が、ガード部材６０の一部分によって埋められる。この構成によると、基板９から飛散した処理液のミスト等が浮遊し得る空間が、ガード部材６０によって埋められる空間分だけ小さくなり、当該空間が小さくなった分だけ、基板９の付近における処理液の浮遊量が少なくなる。その結果、処理液のミスト等が基板９に再付着する可能性が低減する。すなわち、基板９から飛散した処理液の一部が、基板９に再付着することを抑制できる。

特に、ここでは、ガード部材６０の下面６０２の少なくとも一部分が、表面周縁部９１１と対向配置されるので、基板９から飛散した処理液が、ガード部材６０の下面６０２に沿って、カップ３１内へと導かれる。これによって、当該飛散した処理液が、基板９に再付着することを十分に抑制できる。

特に、ガード部材６０の下面６０２を、周縁部用吐出ヘッド５１が備えるノズル５０の吐出面５０２と、同じ高さ位置か、吐出面５０２よりも低い位置に配置することによって、基板９から飛散した処理液が、基板９（特に、デバイス領域９０）に付着することを特に有効に抑制できることが、発明者達によって確認されている。

また、ガード部材６０の下面６０２を、カップ３１の上端縁部３０１の下面３０１１と、同じ高さ位置か、当該下面３０１１よりも低い位置に配置することによっても、基板９から飛散した処理液が、基板９（特に、デバイス領域９０）に付着することを特に有効に抑制できることが、発明者達によって確認されている。

さらに、ここでは、ガード部材６０が、基板９の表面周縁部９１１の全周に沿うリング状の部材であるので、基板９から飛散した処理液が基板９に再付着することを、基板９の周方向の全体に亘って抑制できる。

＜iii．半円弧部材６１，６２＞
ガード部材６０は、互いに別体に構成されている複数の弧状部材（ここでは、一対の半円弧部材６１，６２）が、その周方向の端面同士が互いに当接し合う状態とされることによって、形成されている。すなわち、一対の半円弧部材６１，６２の各々は、互いに等しい径の半円弧状の部材であり、弦方向を内側に向けるとともに、周方向の端面を互いに対向させて配置されている。もっとも、ガード部材６０は、３個以上の弧状部材が、その周方向の端面同士が互いに当接し合う状態とされることによって、形成されてもよい。

一対の半円弧部材６１，６２の各々には、各半円弧部材６１，６２を駆動する半円弧部材駆動部６３が配設されている。半円弧部材駆動部６３は、これが接続されている半円弧部材６１，６２を、鉛直軸に沿って昇降移動させる昇降駆動部（例えば、ステッピングモータ）６３１と、当該半円弧部材６１，６２を、水平面内において他方の半円弧部材と近接離間する方向に進退移動させる進退駆動部６３２と、を含んで構成される。

各半円弧部材６１，６２は、スピンベース２１上に基板９が保持されていない間は、他方の半円弧部材から離間して、基板９の搬出入経路の外側の位置（待避位置）に配置される。各半円弧部材６１，６２の待避位置は、具体的には、スピンベース２１の上面よりも下側の位置（すなわち、各半円弧部材６１，６２の上面６０４が、スピンベース２１の上面よりも下側にくる位置）であり、かつ、上方から見てカップ３１の上端縁部３０１よりも外側の位置である（図３に示される位置）。

スピンベース２１上に基板９が保持されると、昇降駆動部６３１が、待避位置に配置されている各半円弧部材６１，６２を、スピンベース２１の上面よりも僅かに上方の位置まで上昇させ、続いて、進退駆動部６３２が、各半円弧部材６１，６２を、水平面内において他方の半円弧部材に近づける方向に移動させて、各半円弧部材６１，６２の周方向の端面同士が互いに当接し合う状態とする。これによって、リング状の部材であるガード部材６０が、処理位置に配置された状態となる。

＜iv．洗浄処理＞
上述したとおり、スピンベース２１上に基板９が保持されていない間は、各半円弧部材６１，６２およびカップ３１は、各々の待避位置に配置される。ただし、上述したとおり、各半円弧部材６１，６２およびカップ３１が各々の待避位置に配置された状態において、各半円弧部材６１，６２およびカップ３１は、いずれも、スピンベース２１の上面よりも下側に配置され、各半円弧部材６１，６２は、カップ３１の上側において、カップ３１の上面と非接触状態で近接した位置に配置される。

ところで、基板処理装置１においては、スピンベース２１上に基板９が保持されていない状態において、定期的に（例えば、一定枚数の基板９が処理される毎に）、あるいは、不定期に（例えば、オペレータからの指示に応じて）、スピンベース２１の洗浄処理が行われる。

スピンベース２１の洗浄処理においては、基板９が保持されていない状態のスピンベース２１の上面の中央付近に対して、洗浄用ノズル（図示省略）から洗浄液が供給されつつ、スピンベース２１が回転される。そうすると、スピンベース２１の回転に伴う遠心力によって、スピンベース２１の上面の全体に洗浄液が広がり、これによって、スピンベース２１の上面の全体が洗浄される。この洗浄液は、最終的には、スピンベース２１の周縁部からスピンベース２１の外に振り払われる。ここで、スピンベース２１の洗浄処理が行われる間、各半円弧部材６１，６２およびカップ３１の各々は、スピンベース２１の上面よりも下の待避位置に配置されているため、スピンベース２１の周縁部からスピンベース２１の外に振り払われた洗浄液は、カップ３１およびその上側にある半円弧部材６１，６２に到達する。これによって、カップ３１、および、半円弧部材６１，６２が洗浄される。つまり、スピンベース２１の洗浄処理において、スピンベース２１だけでなく、カップ３１、および、半円弧部材６１，６２も、まとめて洗浄される。

＜加熱処理部７＞
再び図３〜図５を参照する。加熱処理部７は、スピンベース２１上に保持された基板９の裏面９２に対して、スチーム（水蒸気）、特に好ましくは、過熱スチーム（過熱水蒸気）を供給して、基板９を加熱する。

加熱処理部７は、スピンベース２１上に保持される基板９の裏面９２に向けて、スチームを吐出するスチームノズル７１を備える。スチームノズル７１は、スピンベース２１上に配置される。スチームノズル７１の上面側には、複数個のスチーム吐出口（図示省略）が形成されている。当該複数個のスチーム吐出口のうちの少なくとも１個のスチーム吐出口は、スピンベース２１上に保持される基板９の裏面周縁部９２１に対して選択的にスチームを供給する位置に形成されている。より好ましくは、裏面周縁部９２１と対向する位置に形成されている。また、このスチーム吐出口からは、他のスチーム吐出口よりも多量のスチームを吐出できるようになっている。この構成によって、スチームノズル７１は、基板９の裏面９２のうち、特に裏面周縁部９２１に向けて、重点的に、スチームを吐出できるようになっている。

スチームノズル７１には、これにスチームを供給する配管系であるスチーム供給部７２が接続されている。スチーム供給部７２は、具体的には、例えば、スチームを供給する供給源であるスチーム供給源７２１が、開閉弁７２３が介挿された配管７２２を介して、スチームノズル７１に接続された構成を備えている。この構成において、開閉弁７２３が開放されると、スチーム供給源７２１から供給されるスチームが、スチームノズル７１から吐出される。

なお、スチームノズル７１から吐出されるスチームは、十分高温（例えば、１００℃以上かつ１３０℃以下）に加熱（過熱）された過熱スチーム（過熱水蒸気）であることが好ましい。このためには、例えば、スチーム供給源７２１を、純水などが加熱されることにより生成されたスチーム（水蒸気）を供給する供給源と、これと接続された配管と、当該配管の経路途中に介挿されたヒータと、を含んで構成すればよい（いずれも図示省略）。この場合、供給源から供給されるスチームは配管等を通過する際の温度低下を考慮して、ヒータは、供給源から供給されるスチームを、例えば、１４０℃〜１６０℃程度に加熱（過熱）することが好ましい。もっとも、基板９に供給されたスチーム（過熱スチーム）の一部が、基板９に熱を奪われて冷却され、基板９上で凝縮して水滴となったとしても、当該水滴は、基板９の回転に伴う遠心力によって、基板９の端面９３から基板９の外に振り払われることになる。したがって、デバイス領域９０に水滴が付着することはない。

スチーム供給部７２からスチームノズル７１にスチームが供給されると、スチームノズル７１から、スピンベース２１上に保持される基板９の裏面９２に向けて、スチームが吐出され、これによって基板９が加熱されることになる。上述したとおり、この実施の形態に係るスチームノズル７１は、裏面周縁部９２１に向けて重点的にスチームを吐出できるので、裏面周縁部９２１を特に重点的に加熱することができる。ただし、スチーム供給部７２の開閉弁７２３は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、スチームノズル７１からのスチームの吐出態様（具体的には、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。

＜裏面処理部８＞
裏面処理部８は、スピンベース２１上に保持された基板９の裏面９２に対する処理を行う。具体的には、裏面処理部８は、スピンベース２１上に保持された基板９の裏面９２に処理液を供給する。

裏面処理部８は、スピンチャック２の回転軸部２２の中空部に貫通して配置された供給管８１を備える。供給管８１の先端は、スピンベース２１の上面に開口しており、この開口が、裏面側吐出口８２を形成する。

供給管８１には、これに処理液を供給する配管系である処理液供給部８３が接続されている。処理液供給部８３は、具体的には、ＳＣ−１供給源８３１ａ、ＤＨＦ供給源８３１ｂ、ＳＣ−２供給源８３１ｃ、リンス液供給源８３１ｄ、複数の配管８３２ａ，８３２ｂ，８３２ｃ，８３２ｄ、および、複数の開閉弁８３３ａ，８３３ｂ，８３３ｃ，８３３ｄを、組み合わせて構成されている。

ＳＣ−１供給源８３１ａは、ＳＣ−１を供給する供給源である。ＳＣ−１供給源８３１ａは、開閉弁８３３ａが介挿された配管８３２ａを介して、供給管８１に接続されている。したがって、開閉弁８３３ａが開放されると、ＳＣ−１供給源８３１ａから供給されるＳＣ−１が、裏面側吐出口８２から吐出される。

ＤＨＦ供給源８３１ｂは、ＤＨＦを供給する供給源である。ＤＨＦ供給源８３１ｂは、開閉弁８３３ｂが介挿された配管８３２ｂを介して、供給管８１に接続されている。したがって、開閉弁８３３ｂが開放されると、ＤＨＦ供給源８３１ｂから供給されるＤＨＦが、裏面側吐出口８２から吐出される。

ＳＣ−２供給源８３１ｃは、ＳＣ−２を供給する供給源である。ＳＣ−２供給源８３１ｃは、開閉弁８３３ｃが介挿された配管８３２ｃを介して、供給管８１に接続されている。したがって、開閉弁８３３ｃが開放されると、ＳＣ−２供給源８３１ｃから供給されるＳＣ−２が、裏面側吐出口８２から吐出される。

リンス液供給源８３１ｄは、リンス液を供給する供給源である。ここでは、リンス液供給源８３１ｄは、例えば、二酸化炭素（ＣＯ_２）が溶融した純水（炭酸水）を、リンス液として供給する。リンス液供給源８３１ｄは、開閉弁８３３ｄが介挿された配管８３２ｄを介して、供給管８１に接続されている。したがって、開閉弁８３３ｄが開放されると、リンス液供給源８３１ｄから供給されるリンス液が、裏面側吐出口８２から吐出される。なお、リンス液として、純水、温水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）、各種の有機溶剤（イオン水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、機能水、などが用いられてもよい。

処理液供給部８３から供給管８１に処理液（ＳＣ−１、ＤＨＦ、ＳＣ−２、あるいは、リンス液）が供給されると、裏面側吐出口８２から、スピンベース２１上に保持された基板９の裏面９２の中央付近に向けて、当該処理液が吐出されることになる。ただし、処理液供給部８３が備える開閉弁８３３ａ，８３３ｂ，８３３ｃ，８３３ｄの各々は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、裏面側吐出口８２からの処理液の吐出態様（具体的には、吐出される処理液の種類、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。

＜４．基板処理装置１の動作＞
次に、基板処理装置１の動作について説明する。基板処理装置１においては、制御部１３０の制御下で、以下に説明する一連の処理が実行される。もっとも、以下に説明するのは、基板処理装置１にて実行可能な処理の一例に過ぎない。

基板処理装置１では、例えば、１枚の基板９に対して、前処理（ステップＳ１）、表面周縁処理（ステップＳ２）、処理面切り替え処理（ステップＳ３）、裏面処理（ステップＳ４）、および、乾燥処理（ステップＳ５）が、この順で行われる（図１４）。以下に、各処理について具体的に説明する。

＜４−１．前処理＞
前処理（ステップＳ１）について、図１５、図１６を参照しながら説明する。図１５は、前処理の流れを示す図である。図１６は、前処理を説明するための図であり、前処理における各処理工程を実行している状態の基板処理装置１の一部要素が、模式的に示されている。

まず、半円弧部材６１，６２、カップ３１、周縁部用吐出ヘッド５１、および、カバーガスノズル４１が、各々の待避位置に配置されている状態において、搬送ロボットＣＲが、基板９を、その表面９１が上を向く姿勢で、スピンベース２１上に配置する。スピンベース２１上に配置された基板９は、一群の保持部材２５によって保持される（ステップＳ１０１）。これによって、スピンベース２１上に、基板９が、略水平姿勢で保持された状態となる。

基板９がスピンベース２１上に保持されると、ガード部材６０が処理位置まで移動される（ステップＳ１０２）。具体的には、半円弧部材駆動部６３の昇降駆動部６３１が、待避位置に配置されている各半円弧部材６１，６２を、スピンベース２１の上面よりも僅かに上方の位置まで上昇させ、続いて、半円弧部材駆動部６３の進退駆動部６３２が、各半円弧部材６１，６２を、水平面内において他方の半円弧部材に近づける方向に移動させて、各半円弧部材６１，６２の周方向の端面同士が互いに当接し合う状態とする。これによって、リング状の部材であるガード部材６０が、処理位置に配置された状態となる。なお、処理位置に配置されたガード部材６０は、スピンベース２１が回転開始されても、回転されることなく静止状態のままとされる。

ガード部材６０が処理位置に配置されると、続いて、待避位置に配置されているカップ３１が上昇されて、処理位置に配置される（ステップＳ１０３）。これによって、カップ３１が、スピンベース２１上に保持された基板９とガード部材６０とを一括して取り囲むように配置された状態となる。

カップ３１が処理位置に配置されると、続いて、カバーガスノズル４１が、待避位置から処理位置に移動される。そして、処理位置に配置されたカバーガスノズル４１から、基板９の表面９１の中央付近に向けて、カバーガスが吐出開始される（ステップＳ１０４）。ここで開始された、基板９の表面９１の中央付近へのカバーガスの供給は、当該基板９に対する処理が終了するまで続行される。基板９の表面９１の中央付近にカバーガスが供給され続けることによって、当該基板９に対する処理が行われる間、デバイス領域９０が、表面周縁部９１１等に供給された処理液の雰囲気等に曝されることがない。つまり、デバイス領域９０が、表面周縁部に供給された処理液の雰囲気等から保護され続ける。

なお、ここでは、カップ３１が処理位置に配置された後に、カバーガスノズル４１からのカバーガスの吐出を開始している。仮に、カップ３１が処理位置まで上昇されるのを待たずに、カバーガスノズル４１からのカバーガスの吐出を開始してしまうと、基板９の表面周縁部９１１付近の気流が乱れて巻き上がりが生じて、基板９にパーティクル等が付着する虞があるところ、カップ３１が処理位置に配置された後にカバーガスの吐出を開始する構成とすれば、このような事態の発生を回避できる。

続いて、スピンベース２１の回転が開始され、これによって、スピンベース２１上に保持される基板９が、水平姿勢で回転開始される（ステップＳ１０５）。このときのスピンベース２１の回転数（すなわち、基板９の回転数）は、例えば、６００ｒｐｍである。この回転数は、表面周縁処理が行われる間、表面周縁部９１１に供給された処理液がデバイス領域９０に進入することがなく、また、端部９３の側に移動することもないような回転数（つまり、処理を施すべき表面周縁部９１１内の領域に、処理液が安定的に保持されるような回転数）に、適宜設定される。

続いて、スチームノズル７１から、回転される基板９の裏面９２に向けて、スチームが吐出される（プレスチーム）（ステップＳ１０６）。スチームが吐出開始されてから、所定時間（例えば、５秒）が経過すると、スチームノズル７１からのスチームの吐出が停止される。このプレスチームによって、基板９が加熱される。基板９に対する薬液処理に用いられる薬液の多くは、温度が上がるほど反応が促進される薬液であるところ、基板９が、予めこのプレスチームにより加熱されることによって、薬液処理における、薬液と基板９との反応が促進される。その結果、薬液処理の処理時間が短縮されるとともに、薬液の使用量が抑えられる。

＜４−２．表面周縁処理＞
前処理（ステップＳ１）が終了すると、続いて、表面周縁処理（ステップＳ２）が行われる。表面周縁処理について、図１７、図１８を参照しながら説明する。図１７は、表面周縁処理の流れを示す図である。図１８は、表面周縁処理を説明するための図であり、表面周縁処理における各処理工程を実行している状態の基板処理装置１の一部要素が、模式的に示されている。

ただし、以下に説明する表面周縁処理が実行されている間、基板９は、一定の回転数（例えば、６００ｒｐｍ）で、回転され続けている。また、上述したとおり、表面周縁処理が実行されている間、基板９の表面９１の中央付近に向けて、カバーガスノズル４１からカバーガスが供給され続けており、これによって、デバイス領域９０が、表面周縁部９１１に供給される処理液の雰囲気等から保護されている。

＜アルカリ処理（ＳＣ−１）＞
＜i．薬液処理＞
まず、基板９の表面周縁部９１１に対して、ＳＣ−１による薬液処理が行われる（ステップＳ２０１）。具体的には、まず、周縁部用吐出ヘッド５１が、待避位置から処理位置に移動される。そして、処理位置に配置された周縁部用吐出ヘッド５１の第２薬液ノズル５０ｂから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ＳＣ−１が吐出される。このときのＳＣ−１の吐出流量は、例えば、２０（ｍＬ/ｍｉｎ）以上かつ５０（ｍＬ/ｍｉｎ）以下である。ＳＣ−１が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのＳＣ−１の吐出が停止される。

この薬液処理によって、基板９の表面周縁部９１１に形成されている薄膜が除去される（エッチング処理）。ただし、この薬液処理が行われている間、スチームノズル７１から、基板９の裏面９２に向けて、スチームが吐出される。このときのスチームの吐出流量は、例えば、５００（ｍＬ/ｍｉｎ）以上かつ２０００（ｍＬ/ｍｉｎ）以下である。また、吐出されるスチームの温度は、例えば、１１０℃以上かつ１３０℃以下である。ＳＣ−１は、温度が上がるほど反応が促進される薬液であるところ、ＳＣ−１により薬液処理される基板９が、スチームの供給を受けて加熱されることによって、基板９の表面周縁部９１１とＳＣ−１との反応が促進される（すなわち、エッチングレートが高まる）（所謂、ヒートアシスト）。その結果、ＳＣ−１による薬液処理の処理時間が短縮されるとともに、ＳＣ−１の使用量が抑えられる。特に、ここでは、基板９の裏面周縁部９２１が重点的に加熱されるので、表面周縁部９１１とＳＣ−１との反応を効果的に促進させることができる。

＜ii．リンス処理＞
続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ２０２）。具体的には、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のリンス液ノズル５０ｃから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、リンス液が吐出される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのリンス液の吐出が停止される。このリンス処理によって、表面周縁部９１１に付着している処理液（ここでは、ＳＣ−１）が、すすぎ流される。

＜iii．液振り切り処理＞
続いて、液振り切り処理が行われる（ステップＳ２０３）。液振り切り処理は、表面周縁部９１１に残存している処理液（ここでは、ステップＳ２０２のリンス処理において基板９から振り切られずに、表面周縁部９１１に残存しているリンス液）を、基板９の端面９３側に寄せて、端面９３から基板９の外に振り切る処理である。端面９３側に寄せられた処理液は、端面９３およびその付近の非水平な面領域部分に保持された状態となるところ、非水平な面領域部分に保持された処理液は液切れを起こしにくいため、このような処理液は、まとまって、基板９の外に振り切られる。つまり、表面周縁部９１１に残存している処理液を、基板９の端面９３側に寄せてから基板９の外に振り切ることによって、表面周縁部９１１に液残りをほとんど生じさせることなく、当該残存している処理液の大部分を基板９から除去することができる。

液振り切り処理は、具体的には、例えば、次のように行われる。まず、周縁部用吐出ヘッド５１からの表面周縁部９１１に向けての流体（処理液およびガス）の吐出が停止された状態で、基板９が定められた時間だけ回転される（液寄せ工程）（ステップＳ２０３１）。これによって、表面周縁部９１１に残存している処理液が、基板９の回転に伴う遠心力を受けて、基板９の端面９３に近づく方向に移動して、端面９３およびその付近の非水平な面領域部分に保持された状態となる。続いて、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のガスノズル５０ｄから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される（吹き飛ばし工程）（ステップＳ２０３２）。このときのガスの吐出流量は、例えば、１４（Ｌ/ｍｉｎ）である。これによって、非水平な面領域部分に保持されている処理液が、ガスの風圧と基板９の回転に伴う遠心力とを受けて、まとまって、基板９の外に振り切られる。周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が開始されてから所定時間（例えば、１５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が停止される。

この液振り切り処理によって、表面周縁部９１１に残存している処理液（すなわち、ステップＳ２０２のリンス処理において基板９から振り切られずに表面周縁部９１１に残存しているリンス液）の大部分が、基板９から振り切られる。

＜第１の酸処理（ＳＣ−２）＞
＜i．薬液処理＞
次に、基板９の表面周縁部９１１に対して、ＳＣ−２による薬液処理が行われる（ステップＳ２０４）。具体的には、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１の第１薬液ノズル５０ａから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ＳＣ−２が吐出される。ＳＣ−２が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのＳＣ−２の吐出が停止される。

この薬液処理によって、基板９の表面周縁部９１１に付着しているメタル成分（例えば、Ｍｏ、Ｃｏ、等）等が除去される（洗浄処理）。ただし、ここでは、この薬液処理に先立って、液振り切り処理が行われている（ステップＳ２０３）。このため、ＳＣ−２は、リンス液がほとんど残存しない表面周縁部９１１に向けて、吐出されることになる。仮に、ステップＳ２０３の液振り切り処理が行われていないとすると、リンス液が残存している表面周縁部９１１に向けてＳＣ−２が吐出されることになり、当該吐出されたＳＣ−２が、残存しているリンス液と衝突して跳ねて、デバイス領域９０に進入する虞がある。しかしながら、ここでは、液振り切り処理によって、表面周縁部９１１は、リンス液がほとんど残存しない状態となっているので、このような処理液の衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入が生じにくい。また、仮に、ステップＳ２０３の液振り切り処理が行われていないとすると、表面周縁部９１１上で、残存しているリンス液と、供給されたＳＣ−２とが混じり合う虞があるが、液振り切り処理が行われている場合は、このような事態が生じにくい。その結果、所期の濃度のＳＣ−２を表面周縁部９１１に適切に作用させることができる。また、アルカリ性の薬液であるＳＣ−１をすすぎ流したリンス液と酸性の薬液であるＳＣ−２との混触も回避できる。

＜ii．液振り切り処理＞
続いて、液振り切り処理が行われる（ステップＳ２０５）。液振り切り処理の具体的な流れは、ステップＳ２０３にて説明したとおりである。すなわち、まず、表面周縁部９１１に向けての流体の吐出が停止された状態で、基板９が定められた時間だけ回転され（液寄せ工程）、その後、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のガスノズル５０ｄから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される（吹き飛ばし工程）。周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が開始されてから所定時間（例えば、１５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が停止される。

この液振り切り処理によって、表面周縁部９１１に残存している処理液（すなわち、ステップＳ２０４の洗浄処理において基板９から振り切られずに、表面周縁部９１１に残存しているＳＣ−２）の大部分が、基板９から振り切られる。ステップＳ２０４の洗浄処理において基板９から振り切られずに表面周縁部９１１に残存しているＳＣ−２には、洗浄処理で基板９から除去されたメタル成分等の不純物が含まれているところ、洗浄処理の後に液振り切り処理が行われることによって、この不純物が、早い段階で、基板９から振り切られることになる。したがって、ＳＣ−２による薬液処理で基板９から除去された不純物が、基板９に再付着するリスクが低減される。

＜iii．リンス処理＞
続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ２０６）。リンス処理の具体的な流れは、ステップＳ２０２の処理と同様である。すなわち、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のリンス液ノズル５０ｃから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、リンス液が吐出される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのリンス液の吐出が停止される。

このリンス処理によって、表面周縁部９１１に付着している処理液（ここでは、ＳＣ−２）が、すすぎ流される。ただし、ここでは、このリンス処理に先立って、液振り切り処理が行われている（ステップＳ２０５）ため、表面周縁部９１１は、ＳＣ−２がほとんど残存しない状態となっている。したがって、このリンス処理の処理時間は、液振り切り処理が行われない場合よりも短くてすむ。また、このリンス処理においては、リンス液は、ＳＣ−２がほとんど残存しない表面周縁部９１１に向けて、吐出されることになるため、処理液の衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入が生じにくい。

＜iv．液振り切り処理＞
続いて、液振り切り処理が行われる（ステップＳ２０７）。液振り切り処理の具体的な流れは、ステップＳ２０３にて説明したとおりである。すなわち、まず、表面周縁部９１１に向けての流体の吐出が停止された状態で、基板９が定められた時間だけ回転され（液寄せ工程）、その後、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のガスノズル５０ｄから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される（吹き飛ばし工程）。周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が開始されてから所定時間（例えば、１５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が停止される。

この液振り切り処理によって、表面周縁部９１１に残存している処理液（すなわち、ステップＳ２０６のリンス処理において基板９から振り切られずに、表面周縁部９１１に残存しているリンス液）の大部分が、基板９から振り切られる。

＜第２の酸処理（ＤＨＦ）＞
＜i．薬液処理＞
次に、基板９の表面周縁部９１１に対して、ＤＨＦによる薬液処理が行われる（ステップＳ２０８）。具体的には、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１の第１薬液ノズル５０ａから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ＤＨＦが吐出される。このときのＤＨＦの吐出流量は、例えば、２０（ｍＬ/ｍｉｎ）以上かつ５０（ｍＬ/ｍｉｎ）以下である。ＤＨＦが吐出開始されてから所定時間（例えば、１０秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのＤＨＦの吐出が停止される。

この薬液処理によって、基板９の表面周縁部９１１に形成されている薄膜が除去される（エッチング処理）。ただし、ここでは、この薬液処理に先立って、液振り切り処理が行われている（ステップＳ２０７）ため、ＤＨＦは、リンス液がほとんど残存しない表面周縁部９１１に向けて、吐出されることになる。したがって、処理液の衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入が生じにくい。また、表面周縁部９１１上で、ＤＨＦとリンス液とが混じり合うことがないので、所期の濃度のＤＨＦを、表面周縁部９１１に適切に作用させることができる。

ただし、この薬液処理が行われている間は、周縁部用吐出ヘッド５１のガスノズル５０ｄから、表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される。このときのガスの吐出流量は、例えば、１４（Ｌ/ｍｉｎ）である。つまり、表面周縁部９１１内の各位置において、古いＤＨＦ（すなわち、一周前に第１薬液ノズル５０ａから供給されて、基板９が一周回転される間に振り切られなかった古いＤＨＦ）が、ガスノズル５０ｄから吐出されるガスで除去された後に、当該位置に第１薬液ノズル５０ａから新たなＤＨＦが供給される。この構成によると、上述したとおり、基板９が一周回転される間に振り切られなかった古い処理液と新しく供給された処理液との衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入を抑制できる。また、この構成によると、常に新鮮なＤＨＦを基板９に作用させて、処理効率を高めることができる。また、この構成によると、表面周縁部９１１内の各位置に一時的に多量のＤＨＦが保持されるといった状況を回避することができる。その結果、エッチング幅を安定させて、エッチング幅の制御精度を高めることができる。また、ＤＨＦが供給されると、表面周縁部９１１は撥水性となるため、表面周縁部９１１に保持される古い処理液が部分的に厚くなる場合がある。この状態で新しい処理液が供給されると、処理液が弾かれて跳ねやすい状態となる。そのため、古い処理液をガスノズル５０ｄから吐出されるガスにより基板９の外側に向けて吹き飛ばすことによって、当該液滴等がデバイス領域９０へ進入することが十分に抑制される。

＜ii．リンス処理＞
続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ２０９）。リンス処理の具体的な流れは、ステップＳ２０２の処理と同様である。すなわち、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のリンス液ノズル５０ｃから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、リンス液が吐出される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのリンス液の吐出が停止される。

このリンス処理によって、表面周縁部９１１に付着している処理液（ここでは、ＤＨＦ）が、すすぎ流される。ただし、このリンス処理が行われている間も、周縁部用吐出ヘッド５１のガスノズル５０ｄから、基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される。このときのガスの吐出流量は、例えば、１４（Ｌ/ｍｉｎ）である。つまり、表面周縁部９１１内の各位置において、古いリンス液（すなわち、一周前にリンス液ノズル５０ｃから供給されて、基板９が一周回転される間に振り切られなかった古いリンス液）が、ガスノズル５０ｄから吐出されるガスで除去された後に、当該位置にリンス液ノズル５０ｃから新たなリンス液が供給される。この構成によると、上述したとおり、基板９が一周回転される間に振り切られなかった古い処理液と新しく供給された処理液との衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入を抑制できる。また、この構成によると、ＤＨＦを含む古いリンス液を、速やかに表面周縁部９１１から除去するとともに、ＤＨＦを含まない新たなリンス液を基板９に作用させることができるので、リンス処理の処理効率が高まる。また、この構成によると、上述したとおり、表面周縁部９１１で弾かれた処理液の液滴等が、ガスノズル５０ｄから吐出されるガスによって形成される気流によって、基板９の外側に向けて吹き飛ばされるので、当該液滴等がデバイス領域９０へ進入することが十分に抑制される。

＜iii．液振り切り処理＞
続いて、液振り切り処理が行われる（ステップＳ２１０）。液振り切り処理の具体的な流れは、ステップＳ２０３にて説明したとおりである。すなわち、まず、表面周縁部９１１に向けての流体の吐出が停止された状態で、基板９が定められた時間だけ回転され（液寄せ工程）、その後、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のガスノズル５０ｄから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される（吹き飛ばし工程）。周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が開始されてから所定時間（例えば、５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が停止される。

この液振り切り処理によって、表面周縁部９１１に残存している処理液（すなわち、ステップＳ２０９のリンス処理において基板９から振り切られずに、表面周縁部９１１に残存しているリンス液）の大部分が、基板９から振り切られる。

＜４−３．処理面切り替え処理＞
表面周縁処理（ステップＳ２）が終了すると、続いて、処理面切り替え処理（ステップＳ３）が行われる。処理面切り替え処理では、裏面処理（ステップＳ４）に備えて、スピンベース２１の回転速度（すなわち、基板９の回転速度）が低減（低下）される（図１９、図２０参照）。すなわち、スピンベース２１の回転速度が、表面周縁処理時の回転速度から、これより小さい回転速度（低速の回転速度）に切り替えられる。具体的には、スピンベース２１の回転数が、表面周縁処理時の回転数である６００ｒｐｍから、これより十分小さい低速の回転数（例えば、２０ｒｐｍ）に切り替えられる。

ただし、上述したとおり、処理面切り替え処理が実行されている間も、基板９の表面９１の中央付近に向けて、カバーガスノズル４１からカバーガスが供給され続けている。

＜４−４．裏面処理＞
処理面切り替え処理（ステップＳ３）が終了すると、続いて、裏面処理（ステップＳ４）が行われる。裏面処理について、図１９、図２０を参照しながら説明する。図１９は、裏面処理の流れを示す図である。図２０は、裏面処理を説明するための図であり、裏面処理における各処理工程を実行している状態の基板処理装置１の一部要素が、模式的に示されている。

ただし、上述したとおり、裏面処理が実行されている間も、基板９の表面９１の中央付近に向けて、カバーガスノズル４１からカバーガスが供給され続けており、これによって、デバイス領域９０が、裏面９２に供給される処理液の雰囲気等から保護されている。

裏面９２に対する処理液の供給に先立って、スピンベース２１の回転速度は、低速の回転数である２０ｒｐｍに切り替えられている。ここでいう「低速の回転速度」とは、基板９が当該回転速度で回転されている状態において、基板９の裏面９２に供給された処理液が、裏面９２の全体に広がり、かつ、基板９の表面９１まで回り込むことがないような速度であり、具体的には、例えば、２０ｒｐｍ以下の回転数に相当する回転速度である。

まず、基板９の裏面９２に対して、ＳＣ−１による薬液処理が行われる（ステップＳ４０１）。具体的には、裏面側吐出口８２から、低速の回転速度で回転される基板９の裏面９２の中央付近に向けて、ＳＣ−１が吐出される。このときのＳＣ−１の吐出流量は、例えば、５００（ｍＬ/ｍｉｎ）以上かつ２０００（ｍＬ/ｍｉｎ）以下である。裏面９２の中央付近に供給されたＳＣ−１は、基板９の回転に伴う遠心力によって裏面９２の全体に広がり、これによって、基板９の裏面９２に対して、ＳＣ−１による薬液処理が進行する。ここでは、ＳＣ−１による薬液処理によって、基板９の裏面９２に形成されている薄膜が除去される（エッチング処理）。ＳＣ−１が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、裏面側吐出口８２からのＳＣ−１の吐出が停止される。

続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ４０２）。具体的には、基板９が低速の回転速度で回転された状態のままで、裏面側吐出口８２から、基板９の裏面９２の中央付近に向けて、リンス液が吐出される。裏面９２の中央付近に供給されたリンス液は、基板９の回転に伴う遠心力によって裏面９２の全体に広がり、これによって、裏面９２に付着している処理液（ここでは、ＳＣ−１）が、すすぎ流される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、裏面側吐出口８２からのリンス液の吐出が停止される。

続いて、基板９の裏面９２に対して、ＳＣ−２による薬液処理が行われる（ステップＳ４０３）。具体的には、基板９が低速の回転速度で回転された状態のままで、裏面側吐出口８２から、基板９の裏面９２の中央付近に向けて、ＳＣ−２が吐出される。裏面９２の中央付近に供給されたＳＣ−２は、基板９の回転に伴う遠心力によって裏面９２の全体に広がり、これによって、裏面９２に対して、ＳＣ−２による薬液処理が進行する。ここでは、ＳＣ−２による薬液処理によって、基板９の裏面９２に付着しているメタル成分（例えば、Ｍｏ、Ｃｏ、等）等が除去される（洗浄処理）。ＳＣ−２が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、裏面側吐出口８２からのＳＣ−２の吐出が停止される。

続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ４０４）。リンス処理の具体的な流れは、ステップＳ４０２の処理と同様である。すなわち、基板９が低速の回転速度で回転された状態のままで、裏面側吐出口８２から、基板９の裏面９２の中央付近に向けて、リンス液が吐出される。裏面９２の中央付近に供給されたリンス液は、基板９の回転に伴う遠心力によって裏面９２の全体に広がり、これによって、裏面９２に付着している処理液（ここでは、ＳＣ−２）が、すすぎ流される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、裏面側吐出口８２からのリンス液の吐出が停止される。

続いて、基板９の裏面９２に対して、ＤＨＦによる薬液処理が行われる（ステップＳ４０５）。具体的には、基板９が低速の回転速度で回転された状態のままで、裏面側吐出口８２から、基板９の裏面９２の中央付近に向けて、ＤＨＦが吐出される。このときのＤＨＦの吐出流量は、例えば、５００（ｍＬ/ｍｉｎ）以上かつ２０００（ｍＬ/ｍｉｎ）以下である。裏面９２の中央付近に供給されたＤＨＦは、基板９の回転に伴う遠心力によって裏面９２の全体に広がり、これによって、裏面９２に対して、ＤＨＦによる薬液処理が進行する。ここでは、ＤＨＦによる薬液処理によって、基板９の裏面９２に形成されている薄膜が除去される（エッチング処理）。ＤＨＦが吐出開始されてから所定時間（例えば、１０秒）が経過すると、裏面側吐出口８２からのＤＨＦの吐出が停止される。

続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ４０６）。リンス処理の具体的な流れは、ステップＳ４０２の処理と同様である。すなわち、基板９が低速の回転速度で回転された状態のままで、裏面側吐出口８２から、基板９の裏面９２の中央付近に向けて、リンス液が吐出される。裏面９２の中央付近に供給されたリンス液は、基板９の回転に伴う遠心力によって裏面９２の全体に広がり、これによって、裏面９２に付着している処理液（ここでは、ＤＨＦ）が、すすぎ流される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、２２．５秒）が経過すると、裏面側吐出口８２からのリンス液の吐出が停止される。以上で、裏面処理が終了する。

＜４−５．乾燥処理＞
裏面処理（ステップＳ４）が終了すると、続いて、乾燥処理（ステップＳ５）が行われる。乾燥処理においては、基板９に向けての処理液の吐出が停止された状態で、スピンベース２１の回転速度（すなわち、基板９の回転速度）が、裏面処理の実行時の低速の回転速度から、比較的高速の、乾燥時の回転速度に上げられる（図１９、図２０参照）。これによって、基板９の裏面９２に付着しているリンス液が徐々に振り切られてゆき、最終的に、基板９が乾燥される。ただし、上述したとおり、乾燥処理が実行されている間も、基板９の表面９１には、カバーガスノズル４１からカバーガスが供給され続けており、これによって、デバイス領域９０が処理液の雰囲気等から保護されている。

基板９が乾燥時の回転速度で回転開始されてから所定時間が経過すると、スピンベース２１の回転が停止される。その後、カバーガスノズル４１からのガスの吐出が停止されて、カバーガスノズル４１が待避位置に移動される。また、周縁部用吐出ヘッド５１、カップ３１、および、半円弧部材６１，６２が、各々の待避位置に移動される。そして、一群の保持部材２５が基板９を開放するとともに、搬送ロボットＣＲが、当該基板９を基板処理装置１から搬出する。以上で、当該基板９に対する一連の処理が終了する。

＜５．効果＞
上記の実施の形態によると、基板９がスピンベース２１上に保持されたままの状態で、当該基板９の表面周縁部９１１に対する処理と、当該基板９の裏面９２に対する処理とが、連続して行われるので、スループットの低下を抑制しつつ、基板９の表面周縁部９１１と裏面９２との両方を処理することができる。その一方で、上記の実施の形態によると、基板９の表面周縁部９１１と、基板９の裏面９２との各々に向けて、処理液が吐出されるので、表面周縁部９１１と裏面９２との各々に保持される処理液の量を、安定してコントロールすることができる。また、上記の実施の形態によるとによると、表面周縁部９１１に処理液が供給された後に、裏面９２に向けて処理液が供給されるので、表面周縁部９１１に供給された処理液が、基板９から飛散して裏面９２に付着したとしても、その後に、基板９の裏面９２に供給される処理液によって、当該付着した処理液を流し落とすことができる。したがって、表面周縁部９１１と裏面９２との両方を適切に処理できる。このように、上記の実施の形態によるとによると、スループットの低下を抑制しつつ、表面周縁部９１１と裏面９２との両方を適切に処理できる。

また、上記の実施の形態によると、裏面９２に向けて処理液が吐出される前に、基板９の回転速度が低下される。つまり、表面周縁部９１１に対して処理液が供給されている間は、比較的高速で基板９が回転され、裏面９２に対して処理液が供給されている間は、比較的低速で基板９が回転されることになる。この構成によると、表面周縁部９１１に対して供給された処理液が、デバイス領域９０に進入することを抑制できるとともに、裏面９２に供給された処理液が基板９の表面９１に回り込んでデバイス領域９０に進入することも抑制される。

また、上記の実施の形態によると、周縁部用吐出ヘッド５１とカップ３１との間の隙間空間Ｖの少なくとも一部分が、ガード部材６０によって埋められる。この構成によると、基板９から飛散した処理液のミスト等が浮遊し得る空間が、ガード部材６０によって埋められる空間分だけ小さくなり、当該空間が小さくなった分だけ、処理液のミスト等が基板９に再付着する可能性が低減する。すなわち、基板９から飛散した処理液の一部が、基板９に再付着することを抑制できる。

＜６．変形例＞
上記の実施の形態においては、ＳＣ−２による薬液処理（ステップＳ２０１）、および、ＤＨＦによる薬液処理（ステップＳ２０８）の際には、基板９の裏面９２に対するスチームの供給（ヒートアシスト）は行われていない。すなわち、上記の実施の形態においては、ＳＣ−２による薬液処理は、エッチング処理ではなく洗浄処理を進行させる薬液処理であるため、ヒートアシストは省略されている。また、ＤＨＦは、ヒートアシストなしでも、比較的高いエッチングレートでエッチングが進行するため、ＤＨＦによる薬液処理時にもヒートアシストは省略されている。しかしながら、処理対象等によっては、ＳＣ−２による薬液処理、あるいは、ＤＨＦによる薬液処理が行われる間、基板９の裏面９２に対するスチームの供給が行われてもよい。

また、上記の実施の形態においては、ＳＣ−１による薬液処理（ステップＳ２０１）、および、その後のリンス処理（ステップＳ２０２）、ＳＣ−２による薬液処理（ステップＳ２０４）、および、その後のリンス処理（ステップＳ２０６）の各処理においては、ガスノズル５０ｄから表面周縁部９１１へのガスの供給は行われていない。ＳＣ−１あるいはＳＣ−２が供給されると、表面周縁部９１１は親水性となるため、ここに供給された処理液の液膜が、基板の回転による遠心力のみで比較的安定的に周縁部に保持されるところ、このような状態の表面周縁部９１１にガスが供給されると、逆に液跳ねを生じさせてしまう虞があるからである。しかしながら、処理対象等によっては、上記の各処理が行われる間、表面周縁部９１１へのガスの供給が行われてもよい。

また、上記の実施の形態においては、ＳＣ−１による薬液処理後は、液振り切り処理は行われていない。上記の実施の形態では、ＳＣ−１による薬液処理で、基板９に対するエッチング処理が施されるところ、エッチング処理後に、液振り切り処理を行わずにリンス処理を行って、エッチングに供された薬液を速やかにすすぎ流すことによって、エッチング幅およびエッチング深さを良好に制御することができるからである。なお、ＳＣ−１が供給されると表面周縁部９１１は親水性となるため、ＳＣ−１による薬液処理が終了した時点で表面周縁部９１１に残存しているＳＣ−１は、表面周縁部９１１上に薄く広がった状態となっている。このような状態の表面周縁部９１１に、次の処理液であるリンス液が供給されても液跳ねは比較的生じにくい。すなわち、ＳＣ−１による薬液処理後の液振り切り処理が省略されても、深刻な問題にはなりにくい。もっとも、処理対象等によっては、ＳＣ−１による薬液処理後が行われた後に、液振り切り処理が行われてもよい。例えば、ＳＣ−１による薬液処理で、エッチング処理ではなく洗浄処理（例えば、基板９の表面周縁部９１１に付着している有機物等を除去する洗浄処理）が基板９に施される場合、ＳＣ−１による薬液処理後に、液振り切り処理を行うことはむしろ好ましい。

また、上記の実施の形態においては、ＤＨＦによる薬液処理後も、液振り切り処理は行われていない。上記の実施の形態では、ＤＨＦによる薬液処理で、基板９に対するエッチング処理が施されるところ、上述したとおり、エッチング処理後に、液振り切り処理を行わずにリンス処理を行って、エッチングに供された薬液を速やかにすすぎ流すことによって、エッチング幅およびエッチング深さを良好に制御することができるからである。なお、ＤＨＦが供給されると表面周縁部９１１は撥水性となるため、表面周縁部９１１は処理液が残存しにくい状態となる。その上、上記の実施の形態においては、ＤＨＦによる薬液処理が行われる間、表面周縁部９１１に対してガスノズル５０ｄからガスが供給されているために、表面周縁部９１１に供給された不要なＤＨＦのほとんどが、基板９の端面９３から除去されている。したがって、ＤＨＦによる薬液処理が完了した時点で（液振り切り処理を行うまでもなく）、基板９の表面周縁部９１１に、ＤＨＦがほとんど残存しない状態となっている。したがって、ＤＨＦによる薬液処理後に液振り切り処理を行う必要性は、特に乏しい。もっとも、処理対象等によっては、ＤＨＦによる薬液処理後が行われた後に、液振り切り処理が行われてもよい。

また、上記の実施の形態においては、表面周縁処理（ステップＳ２）および裏面処理（ステップＳ４）の各々において、３種類の薬液（ＳＣ−１、ＳＣ−２、および、ＤＨＦ）を用いた薬液処理が、リンス処理等を挟みながら、順番に行われていたが、必ずしもこれら３種類の薬液を用いた薬液処理を行う必要はない。例えば、ＳＣ−１、ＳＣ−２、ＤＨＦ、ＢＤＨＦ（バッファードフッ酸）、ＨＦ（フッ酸）、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸もしくはアンモニアなどの水溶液、または、それらの混合溶液、等のうちから選択された１以上の薬液を用いて、表面周縁部９１１あるいは裏面９２に対する薬液処理が行われてもよい。

また、上記の実施の形態に係る流体供給部５５は、フッ酸（例えば、４９％のフッ酸）を供給するフッ酸供給源、塩酸を供給する塩酸供給源、過酸化水素を供給する過酸化水素供給源、水酸化アンモニウムを供給する水酸化アンモニウム供給源、純水を供給する純水供給源、二酸化炭素ガスを供給する二酸化炭素ガス供給源、窒素ガスを供給する窒素ガス供給源、配管、開閉弁、および、ミキシングバルブ等を組み合わせて構成されてもよい。この構成においては、例えば、フッ酸供給源からのフッ酸と純水供給源からの純水とが、ミキシングバルブ内において定められた比率で混合されることによりＤＨＦが生成されて、これが周縁部用吐出ヘッド５１（具体的には、第１薬液ノズル５０ａ）に供給される。また、塩酸供給源からの塩酸と、過酸化水素供給源からの過酸化水素とが、ミキシングバルブ内において定められた比率で混合されることによりＳＣ−２が生成されて、これが周縁部用吐出ヘッド５１（具体的には、第１薬液ノズル５０ａ）に供給される。また、水酸化アンモニウム供給源からの水酸化アンモニウムと、過酸化水素供給源からの過酸化水素と、純水供給源からの純水とが、ミキシングバルブ内において定められた比率で混合されることによりＳＣ−１が生成されて、これが周縁部用吐出ヘッド５１（具体的には、第２薬液ノズル５０ｂ）に供給される。また、純水供給源からの純水に、二酸化炭素が溶融されることによりリンス液が生成されて、これが周縁部用吐出ヘッド５１（具体的には、リンス液ノズル５０ｃ）に供給される。

また、上記の実施の形態においては、加熱処理部７が、スチームを用いて基板９を加熱する構成としていたが、加熱処理部７は、他の加熱源（例えば、電熱線ヒータ、ランプヒータ、等）を用いて基板９を加熱してもよい。もっとも、スチームを用いて基板９を加熱する態様は、電熱線ヒータ、あるいは、ランプヒータで基板９を加熱する態様と比べて、基板９を局所的に短時間で加熱することができる（ひいては、良好なスループットを実現できる）ため、特に好ましい。

また、上記の実施の形態においては、液振り切り処理において、液寄せ工程（ステップＳ２０３１）と吹き飛ばし工程（ステップＳ２０３２）とが、順次に行われるものとしたが、液寄せ工程（ステップＳ２０３１）と吹き飛ばし工程（ステップＳ２０３２）とは、並行して行われてもよい。

また、液振り切り処理を行うタイミングは、上記の実施の形態において例示されタイミングに限られるものではない。例えば、ＳＣ−２による薬液処理の後の液振り切り処理が省略されてもよく、各リンス処理の後の液振り切り処理のうちの少なくとも１つが省略されてもよい。また、上述したとおり、ＳＣ−１による薬液処理の後に液振り切り処理が行われてもよく、ＤＨＦによる薬液処理の後に液振り切り処理が行われてもよい。

また、上記の実施の形態に係る周縁部用吐出ヘッド５１においては、リンスノズル５０ｃに対して、基板９の回転方向ＡＲ９の上流側に第１薬液ノズル５０ａが、下流側に第２薬液ノズル５０ｂが、それぞれ配置されていたが、リンスノズル５０ｃに対して、基板９の回転方向ＡＲ９の上流側に第２薬液ノズル５０ｂが、下流側に第１薬液ノズル５０ａが、それぞれ配置されてもよい。

また、上記の実施の形態においては、周縁部用吐出ヘッド５１が処理位置に配置された状態において、周縁部用吐出ヘッド５１の少なくとも一部分が、ガード部材６０の内周壁６０１に形成された切り欠き６０５内に収容された状態とされていたが、周縁部用吐出ヘッド５１が処理位置に配置された状態において、周縁部用吐出ヘッド５１の少なくとも一部分（具体的には、例えば、周縁部用吐出ヘッド５１が備えるノズル５０の少なくとも一部分）が、例えば、ガード部材６０の上面６０４から下面６０２に貫通する貫通孔内に収容された状態とされてもよい。つまり、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１が備えるノズル５０は、ガード部材６０の一部を挟んで、カップ３１に対して反対側に配置されてもよい。

また、上記の実施の形態に係る基板処理装置１において、表面周縁部９１１および裏面９２の少なくとも一方に対して、エッチング処理、洗浄処理以外の処理（例えば、成膜処理）が行われてもよい。

また、上記の実施の形態において、基板９は、半導体ウェハであるとしたが、基板９は、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等であってもよい。

以上のとおり、本発明は詳細に示され記述されたが、上記の記述は全ての態様において例示であって限定的ではない。したがって、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

１００ 基板処理システム
１３０ 制御部
１ 基板処理装置
２ スピンチャック
２１ スピンベース
２５ 保持部材
３ 飛散防止部
３１ カップ
３２ カップ駆動機構
４ 表面保護部
４１ カバーガスノズル
４５ カバーガス供給部
５ 周縁処理部
５１ 周縁部用吐出ヘッド
５５ 周縁部用流体供給部
５０ ノズル
５０ａ 第１薬液ノズル
５０ｂ 第２薬液ノズル
５０ｃ リンス液ノズル
５０ｄ ガスノズル
５０１ ノズル本体部
５０２ 吐出面
５０３ 導入流路部
５０４ 吐出流路部
５０４１ 鉛直流路部分
５０４２ 傾斜流路部分
５０５ 吐出口
６ 液跳ね抑制部
６０ ガード部材
６０１ ガード部材の内周壁
６０２ ガード部材の下面
６０３ ガード部材の外周壁
６０４ ガード部材の上面
６０５ 切り欠き
６１，６２ 半円弧部材
６３ 半円弧部材駆動部
７ 加熱処理部
７１ スチームノズル
７２ スチーム供給部
８ 裏面処理部
８１ 供給管
８２ 裏面側吐出口
８３ 裏面用処理液供給部
９ 基板
９０ デバイス領域
９１ 基板の表面
９１１ 基板の表面周縁部
９２ 基板の裏面
９３ 基板の端面

Claims (9)

1. 所定膜を有する基板を水平姿勢で保持しつつ、当該基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる基板保持部と、
   前記基板保持部に保持される前記基板の表面周縁部に、前記所定膜を除去する処理液を吐出する周縁部用吐出ヘッドと、
   前記基板保持部に保持される前記基板の裏面に、前記所定膜を除去する処理液を吐出する裏面処理部と、
   前記基板保持部、前記周縁部用吐出ヘッド、および、前記裏面処理部を、制御する制御部と、
   を備え、
   前記制御部が、
   前記周縁部用吐出ヘッドに、前記基板保持部に保持されて回転される前記基板の表面周縁部に向けて処理液を吐出させた後に、前記基板の表面に処理液を吐出せずに、前記裏面処理部に、前記基板の裏面に向けて処理液を吐出させる、
   基板処理装置。
2. 所定膜を有する基板を水平姿勢で保持しつつ、当該基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる基板保持部と、
   前記基板保持部に保持される前記基板の表面周縁部に、前記所定膜を除去する処理液を吐出する周縁部用吐出ヘッドと、
   前記基板保持部に保持される前記基板の裏面に、前記所定膜を除去する処理液を吐出する裏面処理部と、
   前記基板保持部、前記周縁部用吐出ヘッド、および、前記裏面処理部を、制御する制御部と、
   を備え、
   前記制御部が、
   前記周縁部用吐出ヘッドに、前記基板保持部に保持されて回転される前記基板の表面周縁部に向けて処理液を吐出させた後に、前記裏面処理部に、前記基板の裏面に向けて処理液を吐出させ、
   前記制御部が、
   前記周縁部用吐出ヘッドからの処理液の吐出を停止させた後であって、前記裏面処理部からの処理液の吐出を開始させる前に、前記基板保持部に、前記基板の回転速度を低下させる、
   基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
   前記制御部が、前記周縁部用吐出ヘッドに、前記基板保持部に保持されて回転される前記基板の表面周縁部に向けて処理液を吐出させた後に、前記基板が前記基板保持部に保持されたままの状態で、前記基板の表面に処理液を吐出せずに、前記裏面処理部に、前記基板の裏面に向けて処理液を吐出させる、
   基板処理装置。
4. 請求項３に記載の基板処理装置であって、
   前記基板保持部は、一群の保持部材を有し、前記一群の保持部材により、前記基板の端面と当接して前記基板を水平姿勢で保持し、
   前記制御部が、
   前記周縁部用吐出ヘッドに、前記一群の保持部材に保持されて回転される前記基板の表面周縁部に向けて処理液を吐出させた後に、前記基板が前記一群の保持部材に保持されたままの状態で、前記基板の表面に処理液を吐出せずに、前記裏面処理部に、前記基板の裏面に向けて処理液を吐出させる、
   基板処理装置。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
   前記裏面処理部から吐出される処理液は、前記周縁部用吐出ヘッドから吐出される処理液と同じ処理液を含む、
   基板処理装置。
6. ａ）基板保持部に所定膜を有する基板を水平姿勢で保持させる工程と、
   ｂ）前記基板保持部に保持される前記基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転開始させる工程と、
   ｃ）前記基板保持部に保持されて回転される前記基板の表面周縁部に向けて、前記所定膜を除去する処理液を吐出する工程と、
   ｄ）前記ｃ）工程の後に、前記基板の表面に処理液を吐出せずに、前記基板保持部に保持されて回転される前記基板の裏面に向けて、前記所定膜を除去する処理液を吐出する工程と、
   を備える、基板処理方法。
7. ａ）基板保持部に所定膜を有する基板を水平姿勢で保持させる工程と、
   ｂ）前記基板保持部に保持される前記基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転開始させる工程と、
   ｃ）前記基板保持部に保持されて回転される前記基板の表面周縁部に向けて、前記所定膜を除去する処理液を吐出する工程と、
   ｄ）前記ｃ）工程の後に、前記基板保持部に保持されて回転される前記基板の裏面に向けて、前記所定膜を除去する処理液を吐出する工程と、
   を備え、
   ｅ）前記ｃ）工程の後であって、前記ｄ）工程の前に、前記基板保持部に保持される前記基板の回転速度を低下させる工程、
   を備える、基板処理方法。
8. 請求項６または７に記載の基板処理方法であって、
   前記ｄ）工程において、前記ｃ）工程の後に、前記基板が前記基板保持部に保持されたままの状態で、前記基板の表面に処理液を吐出せずに、前記基板の裏面に向けて処理液を吐出させる、
   基板処理方法。
9. 請求項６から８のいずれか１項に記載の基板処理方法であって、
   前記ｄ）工程の処理液は、前記ｃ）工程の処理液と同じ処理液を含む、
   基板処理方法。

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