CN104992912B - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种在对基板实施液体处理时能够执行恰当的处理的基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置(1)具有：基板保持部，将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转；挡板构件(60)，其呈沿着基板(9)的表面周缘部的至少一部分形成的形状，并配置在与被基板保持部保持的基板(9)的表面周缘部以非接触状态接近的位置；杯(31)，其为上端开放的筒形状构件，同时包围被基板保持部保持的基板(9)和挡板构件(60)；喷嘴(50)，隔着挡板构件(60)的至少一部分配置在与杯(31)的一侧相反的一侧，向被基板保持部保持的基板(9)的表面周缘部喷出处理液。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种对半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子体显示器用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用玻璃基板、太阳电池用基板等(以下仅称为“基板”)实施处理的技术。
背景技术
以往，存在向旋转的基板供给处理液来对基板进行液体处理的基板处理装置(例如参照专利文献1～3)。
专利文献1：日本特开平7-115081号公报
专利文献2：日本特开2000-235948号公报
专利文献3：日本特开2002-359220号公报
在对基板进行液体处理时，存在各种各样的问题。例如在向基板的一部分(例如基板的表面上的形成器件图案的区域(器件区域)的外侧的区域(表面周缘部))供给处理液来对基板的该一部分进行液体处理的情况下，有时存在供给到基板上的处理液的一部分附着到未成为处理对象的区域(例如器件区域)的问题。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种在对基板实施液体处理时能够执行恰当的处理的技术。
第一方式为一种基板处理装置，具有：
基板保持部，其将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转；
挡板构件，其呈沿着所述基板的表面周缘部的至少一部分形成的形状，并配置在与被所述基板保持部保持的基板的表面周缘部以非接触状态接近的位置；
杯，其为上端开放的筒形状构件，同时包围所述挡板构件和被所述基板保持部保持的基板；
喷嘴，隔着所述挡板构件的至少一部分配置在与所述杯的一侧相反的一侧，向被所述基板保持部保持的所述基板的表面周缘部喷出处理液。
第二方式是如第一方式所述的基板处理装置，所述挡板构件的下表面的至少一部分与所述表面周缘部相向配置。
第三方式是如第一或第二方式所述的基板处理装置，所述挡板构件的下表面配置在与所述喷嘴中的所述处理液的喷出面相同的高度位置或比所述喷出面低的位置。
第四方式是如第一至第三方式中任一方式所述的基板处理装置，所述挡板构件的下表面配置在与所述杯的上端缘部的下表面相同的高度位置或比所述下表面低的位置。
第五方式是如第一至第四方式中任一方式所述的基板处理装置，所述挡板构件是沿着所述基板的表面周缘部的整周形成的环状构件。
第六方式是如第五方式所述基板处理装置，所述挡板构件由相互独立的多个弧状构件形成，所述多个弧状构件处于各所述弧状构件的周向的端面彼此相互抵接的状态，
在所述基板保持部未保持基板的期间，所述多个弧状构件分别与其他弧状构件分离，并配置在基板的搬入搬出路径的外侧的待避位置。
第七方式是如第六方式所述逇基板处理装置，在所述基板保持部未保持基板的期间，所述杯配置在所述杯的上端缘部比所述基板保持部的上表面更靠下方的待避位置，
所述多个弧状构件各自的所述待避位置是如下位置：比所述基板保持部的上表面更靠下侧，且在从上方观察时比所述杯的上端缘部更靠外侧。
第八方式是如第六或第七方式所述的基板处理装置，该基板处理装置具有：
升降驱动部，其使所述多个弧状构件分别沿着铅垂轴升降移动；
进退驱动部，其使所述多个弧状构件分别在水平面内在与其他弧状构件接近或分离的方向上进退移动。
第九方式是如第一至第八方式中任一方式所述的基板处理装置，所述挡板构件具有：
主体部，
檐部，其从所述主体部的外周壁突出；
所述主体部的外周壁与所述杯的上端缘部以非接触状态接近，并沿着所述上端缘部的至少一部分延伸，
所述主体部的外周壁和所述杯的上端缘部之间的间隙被所述檐部覆盖。
第十方式是如第一至第九方式中任一方式所述的基板处理装置，所述挡板构件具有用于容纳所述喷嘴的至少一部分的切口。
第十一方式是一种基板处理方法，包括：
工序a，使基板保持部将基板保持为水平姿势；
工序b，将呈沿着所述基板的表面周缘部的至少一部分形成的形状的挡板构件配置在与所述表面周缘部以非接触状态接近的位置；
工序c，将上端开放的筒形状的杯配置为同时包围所述基板和所述挡板构件；
工序d，在隔着所述挡板构件的至少一部分而与所述杯的一侧相反一的侧的位置配置喷嘴；
工序e，使被所述基板保持部保持的基板旋转，并从所述喷嘴向所述基板的表面周缘部喷出处理液。
第十二方式为一种基板处理装置，具有：
基板保持部，其将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转，
周缘部用喷出头，其向被所述基板保持部保持的所述基板的表面周缘部喷出处理液，
背面处理部，其向被所述基板保持部保持的所述基板的背面喷出处理液，
控制部，其对所述基板保持部、所述周缘部用喷出头以及所述背面处理部进行控制；
所述控制部使所述周缘部用喷出头向被所述基板保持部保持旋转的所述基板的表面周缘部喷出处理液后，使所述背面处理部向所述基板的背面喷出处理液。
第十三方式是如第十二方式所述的基板处理装置，所述控制部在停止从所述周缘部用喷出头喷出处理液之后且在开始从所述背面处理部喷出处理液之前，使所述基板保持部降低所述基板的旋转速度。
第十四方式是如第十二或第十三方式所述的基板处理装置，所述基板处理装置具有：
挡板构件，其呈沿着所述基板的表面周缘部的至少一部分形成的形状，并配置在与被所述基板保持部保持的所述基板的表面周缘部以非接触状态接近的位置，
杯，其为上端开放的筒形状构件，同时包围所述挡板构件和被所述基板保持部保持的所述基板；
所述周缘部用喷出头隔着所述挡板构件的至少一部分配置在与所述杯的一侧相反的一侧的位置，向所述表面周缘部喷出处理液。
第十五方式为一种基板处理方法，包括：
工序a，使基板保持部将基板保持为水平姿势；
工序b，使被所述基板保持部保持的所述基板围绕通过所述基板的面内的中心的铅垂的旋转轴开始旋转；
工序c，向被所述基板保持部保持旋转的所述基板的表面周缘部喷出处理液；
工序d，在所述工序c之后，向被所述基板保持部保持旋转的所述基板的背面喷出处理液。
第十六方式是如第十五方式所述的基板处理方法，包括：
工序e，在所述工序c之后且在所述工序d之前，使被所述基板保持部保持的所述基板的旋转速度下降。
第十七方式是如第十五或第十六方式所述的基板处理方法，在所述工序a之后且在所述工序b之前，该基板处理方法包括：
工序f，将呈沿着被所述基板保持部保持的所述基板的表面周缘部的至少一部分形成的形状的挡板构件配置在与所述表面周缘部以非接触状态接近的位置；
工序g，将上端开放的筒形状的杯配置为同时包围所述挡板构件和被所述基板保持部保持的所述基板；
工序h，在隔着所述挡板构件的至少一部分而与所述杯的一侧相反的一侧的位置，配置所述周缘部用喷出头。
第十八方式为一种基板处理装置，具有：
旋转基座，其以旋转轴为中心在水平面内旋转，
保持部，其在所述旋转基座的上方保持基板，
下表面处理部，其向被所述保持部保持的所述基板的下表面喷出处理液；
所述保持部具有：
多个第一抵接构件，从基板的斜下方与所述基板抵接，在从所述旋转基座的上表面离开的位置将所述基板保持为水平姿势，
多个第二抵接构件，从基板的侧方与所述基板抵接，在从所述旋转基座的上表面离开的位置将所述基板保持为水平姿势，
切换部，对所述多个第一抵接构件保持基板的第一保持状态和所述多个第二抵接构件保持基板的第二保持状态进行切换；
在所述第二保持状态下，所述第一抵接构件从基板离开，
在所述第一保持状态下，基板的上表面位于比所述第一抵接构件的上端更高的位置，且所述第二抵接构件从所述基板离开。
第十九方式是如第十八方式所述的基板处理装置，在基板的旋转速度小于规定的阈值的情况下，所述多个第一抵接构件保持所述基板，
在基板的旋转速度在所述阈值以上的情况下，所述多个第二抵接构件保持所述基板。
第二十方式是如第十八或第十九方式所述的基板处理装置，所述第一抵接构件具有从圆锥体与该圆锥体的底面平行地切掉上部而成的形状部分，
所述第一抵接构件在所述圆锥体的倾斜的侧面与所述基板抵接。
第二十一方式是如第二十方式所述的基板处理装置，所述圆锥体的倾斜的侧面与水平面所形成的角度在45°以上。
第二十二方式是如第十八至第二十一方式中任一方式所述的基板处理装置，所述第一抵接构件的表面具有疏水性。
第二十三方式是如第十八至于第二十二方式中任一方式所述的基板处理装置，所述切换部通过使所述多个第二抵接构件分别在与所述旋转基座上的基板的周缘接近或分离的方向上移动，来进行所述第一保持状态和所述第二保持状态之间的切换。
第二十四方式是如第十八至第二十三方式中任一方式所述的基板处理装置，从对所述基板处理装置进行基板的搬入搬出的搬送机械手移载至所述旋转基座上的基板首先被所述多个第一抵接构件保持。
第二十五方式为一种基板处理方法，包括：
工序a，使多个第一抵接构件从基板的斜下方与所述基板抵接，并且使多个第二抵接构件从所述基板离开，在从旋转基座的上表面离开的位置将所述基板保持为水平姿势，
工序b，使被所述多个第一抵接构件保持的所述基板以第一旋转速度旋转，并向所述基板的下表面供给处理液，
工序c，在所述工序b之后，使多个第二抵接构件从所述基板的侧方与所述基板抵接，并使所述多个第一抵接构件从所述基板离开，在从所述旋转基座的上表面离开的位置将所述基板保持为水平姿势，
工序d，使被所述多个第二抵接构件保持的所述基板以比第一旋转速度大的第二旋转速度旋转；
被所述多个第一抵接构件保持的基板的上表面位于比所述第一抵接构件的上端更高的位置。
第二十六方式为一种基板处理装置，具有：
基板保持部，其将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转，
周缘部用处理头，其对被所述基板保持部保持的基板的表面周缘部进行处理；
所述周缘部用处理头具有：
处理液喷嘴，其向所述表面周缘部喷出处理液，
吸引管，其与所述处理液喷嘴建立对应，吸引所述表面周缘部上的多余的所述处理液。
第二十七方式是如第二十六方式所述的基板处理装置，所述周缘部用处理头具有一体支撑所述处理液喷嘴和所述吸引管的支撑部。
第二十八方式是如第二十六或第二十七方式所述的基板处理装置，在所述周缘部用处理头中，所述吸引管配置在所述处理液喷嘴的附近，并且相比所述处理液喷嘴配置在所述基板的旋转方向的下游侧。
第二十九方式是如第二十六或第二十七方式所述的基板处理装置，在所述周缘部用处理头中，所述吸引管配置在所述处理液喷嘴的附近，并且相比所述处理液喷嘴配置在所述基板的旋转方向的上游侧。
第三十方式是如第二十六至第二十九方式中任一方式所述的基板处理装置，在所述吸引管配置于在所述吸引管的顶端通过开口而形成的吸引口与所述表面周缘部相向的吸引位置的状态下，所述吸引口中的位于所述基板的中心侧的端，比所述表面周缘部中的应使所述处理液作用的区域的内缘位置更靠基板的端面侧。
第三十一方式是如第二十六至第三十方式中任一方式所述的基板处理装置，在所述吸引管配置于在所述吸引管的顶端通过开口而形成的吸引口与所述表面周缘部相向的吸引位置的状态下，所述吸引口中的位于所述基板的端面侧的端，比所述基板的端面更靠内侧。
第三十二方式是如第二十六至第三十一方式中任一方式所述的基板处理装置，所述处理液喷嘴向所述基板上的第一位置喷出所述处理液，
所述吸引管从比所述第一位置更靠基板的端面侧的第二位置吸引所述处理液。
第三十三方式是如第二十六至第三十二方式中任一方式所述的基板处理装置，所述周缘部用处理头具有向所述表面周缘部喷出气体的气体喷嘴。
第三十四方式是如第二十六至第三十三方式中任一方式所述的基板处理装置，该基板处理装置具有对所述周缘部用处理头进行控制的控制部，
所述控制部使所述处理液喷嘴向旋转的基板的表面周缘部喷出处理液，并使所述吸引管吸引所述表面周缘部上的多余的所述处理液。
第三十五方式为一种基板处理方法，包括：
工序a，将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转；
工序b，向旋转的所述基板的表面周缘部喷出处理液；
工序c，与所述工序b并行，吸引所述表面周缘部上的多余的所述处理液。
根据第一、第十一方式，喷嘴和杯之间的空间的至少一部分被挡板构件填埋。根据该结构，从基板飞散的处理液的雾滴等能够漂浮的空间减小了被挡板构件填埋的空间大小，该空间变小，相应地，处理液的雾滴等再次附着在基板上的可能性下降。即，能够抑制从基板飞散的处理液的一部分再次附着在基板上。
根据第二方式，挡板构件的下表面的至少一部分与被基板保持部保持的基板的表面周缘部相向配置。根据该结构，从基板飞散的处理液沿着挡板构件的下表面被导向杯内。因此，能够充分抑制该飞散的处理液再次附着在基板上。
根据第三方式，挡板构件的下表面配置在与喷嘴中的处理液的喷出面相同的高度位置或比该喷出面低的位置。根据该结构，能够特别有效抑制从基板飞散的处理液再次附着在基板上。
根据第四方式，挡板构件的下表面配置在与杯的上端缘部的下表面相同的高度位置或比该下表面低的位置。根据该结构，能够特别有效地抑制从基板飞散的处理液再次附着在基板上。
根据第五方式，挡板构件是沿着基板的表面周缘部的整周形成的环状构件。根据该结构，能够在基板的整个周向上抑制从基板飞散的处理液再次附着在基板上。
根据第六方式，挡板构件由相互独立的多个弧状构件形成，所述多个弧状构件处于各所述弧状构件的周向的端面彼此相互抵接的状态。并且，在基板保持部未保持基板的期间，各弧状构件处于相互分离的状态，并配置在基板的搬入搬出路径的外侧的待避位置。根据该结构，能够容易使挡板构件在基板的搬入搬出路径的外侧待避。
根据第七方式，在基板保持部未保持基板的期间，杯以及各弧状构件配置在比基板保持部的上表面更靠下方的待避位置。根据该结构，通过向未保持基板的基板保持部供给清洗液并使基板保持部旋转，能够将基板保持部、杯、以及各弧状构件一起清洗。
根据第九方式，主体部的外周壁和杯的上端缘部之间的间隙被檐部覆盖。根据该结构，由于沿着该间隙流向上方并到达基板这样的处理液的飞散路径被檐部切断，所以能够充分抑制从基板飞散的处理液再次附着在基板上。
根据第十方式，喷嘴的至少一部分容纳在挡板构件的切口内。根据该结构，使挡板构件和喷嘴不干涉地将喷嘴配置在基板的表面周缘部的上方。
根据第十二、第十五方式，在维持基板被基板保持部保持的状态下，连续进行对该基板的表面周缘部的处理和对该基板的背面的处理，因此能够抑制生产能力的下降，并对基板的表面周缘部和背面这两者进行处理。另一方面，根据第十二、第十五方式，向基板的表面周缘部和基板的背面分别喷出处理液，因此，能够稳定地控制在表面周缘部和背面上分别保持的处理液的量。另外，根据第十二、第十五方式，在向表面周缘部供给处理液之后向背面供给处理液，因此，即使供给到表面周缘部上的处理液从基板飞散并附着在背面上，也能在之后利用供给至基板的背面的处理液使该附着的处理液流下。因此，能够对表面周缘部和背面这两者进行适当处理。这样，根据第十二、第五方式，能够抑制生产能力的下降，并对表面周缘部和背面这两者适当处理。
根据第十三、第十六方式，在向背面喷出处理液之前，降低基板的旋转速度。也就是说，在向表面周缘部供给处理液的期间，基板以比较高速旋转，在向背面供给处理液的期间，基板以比较低速基板。根据该结构，能够抑制向表面周缘部供给的处理液进入器件区域，并且能够抑制供给至背面的处理液绕入到基板的表面而进入器件区域。
根据第十四、第十七方式，周缘部用喷出头和杯之间的空间的至少一部分被挡板构件填埋。根据该结构，从基板飞散的处理液的雾滴等能够漂浮的空间减小了被挡板构件填埋的空间大小，该空间变小，相应地，处理液的雾滴等再次附着在基板上的可能性降低。即，能够抑制从基板飞散的处理液的一部分再次附着在基板上。
根据第十八、第二十五方式，在多个第一抵接构件保持基板的第一保持状态下，基板的上表面位于比第一抵接构件的上端更高的位置，且第二抵接构件从基板离开。因此，在该第一保持状态下，供给至基板的下表面的处理液难以沿着第一抵接构件绕入到基板的上表面，也难以沿着第二抵接构件绕入到基板的上表面。即，能够抑制供给基板的下表面的处理液绕入到基板的上表面。
根据第十九方式，以比阈值小的旋转速度旋转的基板由多个第一抵接构件保持，以阈值以上的旋转速度旋转的基板由多个第二抵接构件保持。基板的旋转速度越小，供给到基板的下表面的处理液难以在离心力的作用下被吹飞，所以该处理液容易绕入到基板的上表面，而在此，在基板以比较低速旋转时，处于多个第一抵接构件保持基板的第一保持状态，因此，能够抑制供给至该基板的下表面的处理液绕入到基板的上表面。另一方面，基板的旋转速度越大，基板在水平面内越容易产生位置偏移，而在此，在基板以比较高速旋转时，处于多个第二抵接构件保持基板的第二保持状态，因此能够避免该基板在水平面内产生位置偏移。
根据第二十方式，第一抵接构件在圆锥体的倾斜的侧面与基板抵接。根据该结构，在第一抵接构件保持基板的第一保持状态下，靠近基板的下表面和该倾斜的侧面之间的间隙空间的液体容易沿着该倾斜的侧面向下方落下。即，在该间隙空间内难以形成积存液体。因此，能够抑制发生在该间隙空间产生积存液体并且该积存液体绕入到基板的上表面这样的状况。进而，由于形成供给到基板的下表面的处理液沿着该倾斜的侧面落到下方这样的处理液的液流(即，将供给到基板的下表面的处理液导向下方的处理液的液流)，所以供给到基板的下表面的处理液不会绕入到上表面而能够从基板迅速除去。
根据第二十一方式，第一抵接构件的该倾斜的侧面和水平面所形成的角度在45°。根据该结构，在第一抵接构件保持基板的第一保持状态下，靠近基板的下表面和该倾斜的侧面之间的间隙空间的液体迅速地沿着该倾斜的侧面向下方落下。因此，能够充分抑制发生在该间隙空间产生积存液体并且该积存液体绕入到基板的上表面这样的状况，并且供给到基板的下表面的处理液不会绕入到上表面而从基板9特别迅速地除去。
根据第二十二方式，第一抵接构件的表面具有疏水性。根据该结构，在第一抵接构件上难以附着处理液，在基板的下表面和第一抵接构件之间的间隙空间难以形成积存液体。因此，能够抑制发生在该间隙空间产生积存液体并且积存液体绕入到基板的上表面这样的状况。
根据第二十三方式，多个第二抵接构件在与基板的周缘接近或分离的方向上移动，来进行第一保持状态和第二保持状态之间的切换。根据该结构，能够简单且迅速地进行第一保持状态和第二保持状态之间的切换。
根据第二十六方式，使吸引管吸引从处理液喷嘴供给到表面周缘部上的多余的处理液，由此能够将该多余的处理液从表面周缘部除去。其结果，能够抑制表面周缘部上的多余的处理液扩展到基板的中心侧。
根据第二十七方式，在周缘部用处理头中，一体支撑吸引管和处理液喷嘴。根据该结构，从旋转的基板的表面周缘部内的各位置观察，吸引管和处理液喷嘴一体地相对移动。因此，从处理液喷嘴供给处理液的供给时刻和由吸引管吸引处理液的吸引时刻在表面周缘部内的所有位置都相同。由此，能够抑制在表面周缘部内的各位置保持的处理液的量的增减方式出现偏差。进而，能够对表面周缘部内的各位置进行均一处理。
根据第二十八方式，在周缘部用处理头中，吸引管配置在对应的处理液喷嘴的附近，并且相比该处理液喷嘴配置在基板的旋转方向的下游侧。根据该结构，在刚从处理液喷嘴向旋转的基板的表面周缘部内的各位置供给新的处理液后，由吸引管吸引供给至该位置的多余的处理液。由此，能够将在表面周缘部内的各位置保持的处理液的量总是维持在所需足够的量。进而，能够高精度地控制表面周缘部中的处理液作用的区域的内缘位置。
根据第二十九方式，在周缘部用处理头中，吸引管配置在对应的处理液喷嘴的附近，并且相比该处理液喷嘴配置在基板的旋转方向的上游侧。根据该结构，由吸引管吸引从处理液喷嘴供给并流向基板的旋转方向的上游侧的多余的处理液来将该多余的处理液从表面周缘部除去。其结果，能够抑制表面周缘部上的多余的处理液扩展到基板的中心侧。进而，根据该结构，能够在由吸引管吸引在一周前从处理液喷嘴供给并在基板旋转一周的期间未被甩掉的旧的处理液后，从处理液喷嘴向该该位置供给新的处理液。由此，能够抑制发生新供给的处理液与表面周缘部上的旧的处理液碰撞而使处理液进入器件区域这样的状况。
根据第三十方式，在吸引管配置在吸引位置的状态下，吸引口中的位于基板的中心侧的端，比表面周缘部中的应使处理液作用的区域的内缘位置更靠基板的端面侧。根据该结构，能够使吸引压作用于比应使处理液作用的区域的内缘位置更靠基板的端面一侧。因此，能够抑制处理液露出到应使处理液作用的区域的内侧。
根据第三十一方式，在吸引管配置在吸引位置的状态下，吸引口中的基板的端面侧的端比基板的端面更靠内侧。根据该结构，能够使吸引压有效作用于处理液。
根据第三十二方式，向基板上的第一位置喷出处理液，从比该第一位置更靠基板的端面侧的第二位置吸引多余的处理液。根据该结构，表面周缘部上的多余的处理液从基板的内侧向外侧流动并由吸引管吸引，因此能够充分抑制表面周缘部上的多余的处理液扩展到基板的中心侧。
根据第三十三方式，能够利用从气体喷嘴喷出的气体除去从处理液喷嘴供给到表面周缘部的旧的处理液。由此，能够抑制发生新供给的处理液与表面周缘部上的旧的处理液碰撞而使处理液进入器件区域这样的状况。
根据第三十四、第三十五方式，与向旋转的基板的表面周缘部喷出处理液并行，吸引表面周缘部上的多余的处理液。根据该结构，能够避免处理效率的下降，并且能够抑制表面周缘部上的多余的处理液扩展到基板的中心侧。
附图说明
图1是示意性地表示基板处理系统的概略俯视图。
图2是表示成为处理对象的基板的周缘部附近的剖视图。
图3是基板处理装置的概略立体图。
图4是基板处理装置的概略立体图。
图5是用于说明基板处理装置的结构的示意图。
图6是周缘部用喷出头的立体图。
图7是示意性地表示喷嘴的顶端附近的结构的侧剖视图。
图8是示意性地表示周缘部用喷出头所具有的一组喷嘴的目标喷出位置的一例的图。
图9是从基板的旋转方向的下游侧观察周缘部用喷出头得到的图。
图10是从基板的旋转方向的下游侧观察周缘部用喷出头得到的图。
图11是挡板构件的立体图。
图12是从上方观察杯、挡板构件、以及周缘部用喷出头配置在各自的处理位置的状态的俯视图。
图13是从箭头K观察图12的侧剖视图。
图14是表示由基板处理装置执行的动作的整体的流程的图。
图15是表示前处理的流程的图。
图16是用于说明前处理的图。
图17是表示表面周缘处理的流程的图。
图18是用于说明表面周缘处理的图。
图19是说明背面处理等的流程的图。
图20是用于说明背面处理等的图。
图21是第一变形例的挡板构件的立体图。
图22是从上方观察杯、第一变形例的挡板构件、以及周缘部用喷出头配置在各自的处理位置的状态的俯视图。
图23是从箭头K1观察图22的侧剖视图。
图24是从上方观察杯、第二变形例的液体飞溅抑制部、以及周缘部用喷出头配置在各自的处理位置的状态的俯视图。
图25是从箭头图24的箭头K2观察的侧剖视图。
图26是基板处理装置的概略立体图。
图27是基板处理装置的概略立体图。
图28是用于说明基板处理装置的结构的示意图。
图29是从斜上方观察旋转基座的立体图。
图30是从侧方观察第一抵接构件的图。
图31是从侧方观察第二抵接构件的图。
图32是表示第一保持状态的俯视图。
图33是从箭头K1方向观察图32的侧剖面。
图34是表示第二保持状态的俯视图。
图35是从箭头K1方向观察图34的侧剖面。
图36是表示前处理的流程的图。
图37是表示背面处理等的流程的图。
图38是用于说明基板处理装置的结构的示意图。
图39是周缘部用处理头的立体图。
图40是示意性地表示喷出喷嘴的顶端附近的结构的侧剖视图。
图41是示意性地表示吸引管的顶端附近的结构的侧剖视图。
图42是示意性地表示标喷出位置和目标吸引位置的配置例的图。
图43是从基板的旋转方向的下游侧观察周缘部用处理头的图。
图44是从基板的旋转方向的下游侧观察周缘部用处理头的图。
图45是用于说明表面周缘处理的图。
图46是变形例的周缘部用处理头的立体图。
其中，附图标记说明如下：
100 基板处理系统
130 控制部
1 基板处理装置
2 旋转卡盘
21 旋转基座
25 保持构件
200 切换部
25 保持部
210 第一抵接构件
211 基体部分
212 顶端部分
2120 倾斜侧面
220 第二抵接构件
2220 倾斜面
2230 铅垂侧面
230 切换部
231 基台
232 转动轴部
233 驱动部
234 切换控制部
3 飞散防止部
31 杯
32 杯驱动机构
4 表面保护部
41 保护气体喷嘴
45 保护气体供给部
5 周缘处理部
51 周缘部用喷出头
55 周缘部用流体供给部
50 喷嘴
50a 第一药液喷嘴
50b 第二药液喷嘴
50c 冲洗液喷嘴
50d 气体喷嘴
501 喷嘴主体部
502 喷出面
503 导入流路部
504 喷出流路部
5041 铅垂流路部分
5042 倾斜流路部分
505 喷出口
55 流体供给部
56 吸引压形成部
501 喷出喷嘴
501a 第一药液喷嘴
501b 第二药液喷嘴
501c 冲洗液喷嘴
501d 气体喷嘴
511 喷嘴主体部
512 喷出面
513 导入流路部
514 喷出流路部
5141 铅垂流路部分
5142 倾斜流路部分
515 喷出口
502 吸引管
502a 第一吸引管
501b 第二吸引管
521 吸引口
5211 吸引口的内侧端
5212 吸引口的外侧端
6、6a、6b 液体飞溅抑制部
60、60a 挡板构件
601 挡板构件的内周壁
602 挡板构件的下表面
603 挡板构件的外周壁
604 挡板构件的上表面
605 切口
61、62 半圆弧构件
63 半圆弧构件驱动部
64 主体部
65 檐部
66 弧状构件
7 加热处理部
71 蒸汽喷嘴
72 蒸汽供给部
8 背面处理部
81 供给管
82 背面侧喷出口
83 背面用处理液供给部
9 基板
90 器件区域
91 基板的表面
911 基板的表面周缘部
92 基板的背面
93 基板的端面
Qa、Qb、Qc、Qd 目标喷出位置
Ra、Rb 目标吸引位置
具体实施方式
下面，参照附图对实施方式进行说明。以下的实施方式是使本发明具体化的一例，并不是对本发明的技术范围进行限定的事例。另外，在以下参照的各图中，为了便于理解，有时将各部的尺寸和数量夸大或简化图示。
<<第一实施方式>>
<1.基板处理系统100>
<1-1.结构>
参照图1对基板处理系统100的结构进行说明。图1是示意性地表示基板处理系统100的概略俯视图。
基板处理系统100是对多张基板9一张一张地连续处理的系统。在以下的说明中，假设在基板处理系统100中成为处理对象的基板9例如为圆形的半导体晶片。
基板处理系统100具有并排设置的多个单元(处理区)(具体地说，分度器单元110以及处理单元120)和对该多个单元110、120所具有的各动作机构等进行控制的控制部130。
<分度器单元110>
分度器单元110是用于将从装置外接受的未处理的基板9交给处理单元120，并且，将从处理单元120接受的处理完的基板9搬出到装置外的单元。分度器单元110具有：运送器载置台111，载置多个运送器C；基板搬送装置(移载机械手)IR，对各运送器C进行基板9的搬入搬出。
容纳了未处理的基板9的运送器C由OHT(Overhead Hoist Transfer：高架行驶无人搬运车)等搬入并载置于运送器载置台111。未处理的基板9被从运送器C一张一张取出并在装置内处理，在装置内的处理结束的处理完的基板9再次被容纳于运送器C。容纳了处理完的基板9的运送器C由OHT等搬出到装置外部。这样，运送器载置台111作为集聚未处理的基板9以及处理完的基板9的基板集聚部发挥功能。此外，作为运送器C的形式，可以是将基板9容纳在密闭间中的FOUP(Front Opening Unified Pod：前开式统一标准箱)，也可以是SMIF(Standard Mechanical Inter Face：标准机械界面)盒、将所容纳的基板9曝露在外部空气中的OC(Open Cassette：开放式盒子)。
移载机械手IR具有：手部112，通过对基板9从下方进行支撑来将基板9保持为水平姿势(基板9的主面水平的姿势)；手部驱动机构113，驱动手部112。移载机械手IR从在运送器载置台111上载置的运送器C取出未处理的基板9，将所取出的基板9在基板交接位置P交给搬送机械手CR(后述)。另外，移载机械手IR在基板交接位置P从搬送机械手CR接受处理完的基板9，并将所接受的基板9容纳于在运送器载置台111上载置的运送器C。
<处理单元120>
处理单元120是用于对基板9进行处理的单元。处理单元120具有：多个基板处理装置1；对该多个基板处理装置1进行基板9的搬入搬出的基板搬送装置(搬送机械手CR)。在此，多个(例如3个)基板处理装置1在铅垂方向上层叠，构成一个基板处理装置组10。并且，多个(在图示的例子中，4个)基板处理装置组10以包围搬送机械手CR等方式呈簇状(房状)设置。
多个基板处理装置1各自具有在内部形成处理空间的框体11。在框体11上形成有用于使搬送机械手CR的手部121插入框体内部的搬入搬出口12，基板处理装置1配置为，使该搬入搬出口12与配置有搬送机械手CR的空间相向。关于基板处理装置1的具体结构，在后面说明。
搬送机械手CR具有：手部121，对基板9从下方进行支撑来将基板9保持为水平姿势；手部驱动机构122，驱动手部121。其中，如上所述，搬送机械手CR(具体地说，搬送机械手CR的基台)配置在被多个基板处理装置组10包围的空间的中央。搬送机械手CR从指定的基板处理装置1取出处理完的基板9，将该取出的基板9在基板交接位置P交给移载机械手IR。另外，搬送机械手CR在基板交接位置P从移载机械手IR接受未处理的基板9，将该接受的基板9搬送到指定的基板处理装置1。
<控制部130>
控制部130对移载机械手IR、搬送机械手CR、以及每一组的各个基板处理装置1进行控制。作为控制部130的硬件的结构采用与一般的计算机同样的结构。即，控制部130例如具有进行各种运算处理的CPU、存储基本程序的读取专用的存储器即ROM、存储各种信息的读写自由的存储器即RAM、存储控制用软件和数据等的磁盘等。在控制部130中，作为主控制部的CPU根据在程序中记述的顺序进行运算处理，由此实现对基板处理系统100的各部进行控制的各种功能部。当然，在控制部130中实现的一部分或全部功能部也可以通过专用的逻辑电路等在硬件上实现。
<1-2.动作>
接下来，参照图1对基板处理系统100的整体动作进行说明。在基板处理系统100中，控制部130根据记述了基板9的搬送顺序以及处理条件等的方案(recipe)，对基板处理系统100具有的各部进行控制，来执行以下说明的一系列的动作。
当容纳了未处理的基板9的运送器C载置在运送器载置台111上时，移载机械手IR从该运送器C取出未处理的基板9。然后，移载机械手IR使保持有未处理的基板9的手部112移动到基板交接位置P，在基板交接位置P，将该未处理的基板9交给搬送机械手CR。在手部121上接受了未处理的基板9的搬送机械手CR将该未处理的基板9搬入至在方案中指定的基板处理装置1。此外，移载机械手IR和搬送机械手CR之间的基板9的交接既可以在手部112、121间直接进行，也可以经由在基板交接位置P设置的载置部等进行。
在搬入有基板9的基板处理装置1中，对基板9执行规定的处理。对在基板处理装置1执行的处理的流程在后面说明。
当在基板处理装置1中对基板9的处理结束时，搬送机械手CR将处理完的基板9从基板处理装置1取出。然后，搬送机械手CR使保持有处理完的基板9的手部121移动到基板交接位置P，在基板交接位置P将该处理完的基板9交给移载机械手IR。在手部112上接受了处理完的基板9的移载机械手IR将该处理完的基板9容纳在运送器C中。
在基板处理系统100中，搬送机械手CR以及移载机械手IR根据方案反复进行上述的搬送动作，并且，各基板处理装置1根据方案执行对基板9的处理。由此，对基板9的处理一个接一个地进行。
<2.基板9>
接着，参照图2，对在基板处理装置1中成为处理对象的基板9进行说明。图2是表示基板9的周缘部附近的剖视图。
在基板处理装置1中成为处理对象的基板9例如具有由硅(Si)构成的中心层901、在中心层901的外侧形成的下层膜902、以及在下层膜902的外侧形成的上层膜903这三层结构。下层膜902例如是热氧化膜(Th-SiO2)或绝缘膜(例如Hf(铪)膜、或氧化铪膜等)。另外，上层膜903例如是阻挡金属膜(例如TiN膜、TaN膜等)或金属膜(例如Al膜、W膜、NiSi膜、Cu膜等)。当然，在基板处理装置1中成为处理对象的基板9例如也可以具有中心层901和下层膜902这二层结构，也可以具有4层以上的结构。
在以下，将基板9的主面中的形成器件图案一侧的面称为“表面91”。另外，将基板9的主面中的与表面91一侧相反一侧的面称为“背面92”。进而，将表面91中的形成器件图案的区域称为“器件区域90”。另外，将表面91中的比器件区域90靠外侧的周缘区域(具体地说，例如从基板9的端面93起具有微小宽度d(例如d＝0.5mm～3.0mm(毫米))的环状区域)称为“表面周缘部911”。另外，将背面92中的从端面93起具有微小宽度d的环状区域称为“背面周缘部921”。
基板处理装置1能够将上述那样的具有多层结构的基板9作为处理对象，对基板9的表面周缘部911以及背面92进行处理(例如除去在表面周缘部911以及背面92形成的薄膜的处理)。
<3.基板处理装置1的结构>
参照图3～图5对基板处理装置1的结构进行说明。图3是基板处理装置1的概略立体图，示出构成挡板构件60的半圆弧构件61、62、杯31、以及周缘部用喷出头51配置在各自的待避位置的状态。图4也是基板处理装置1的概略立体图，而在此示出挡板构件60、杯31、以及周缘部用喷出头51配置在各自的处理位置的状态。图5是用于说明基板处理装置1的结构的示意图。
此外，在以下的说明中，“处理液”包括在药液处理中使用的“药液”和在冲洗掉药液的冲洗处理中使用的“冲洗液”。
基板处理装置1具有旋转卡盘2、飞散防止部3、表面保护部4、周缘处理部5、液体飞溅抑制部6、加热处理部7、以及背面处理部8。所述各部2～8与控制部130电连接，根据来自控制部130的指示进行动作。
<旋转卡盘2>
旋转卡盘2是以基板9的表面91朝向上方的状态将基板9保持为大致水平姿势的基板保持部，并使该基板9围绕通过其表面91的中心的铅垂的旋转轴旋转。
旋转卡盘2具有旋转基座21，该旋转基座21是比基板9大一些的圆板状的构件。在旋转基座21的下表面中央部连接有旋转轴部22。旋转轴部22以使轴线沿着铅垂方向那样的姿势配置。另外，在旋转轴部22上连接有使旋转轴部22围绕其轴线旋转驱动的旋转驱动部(例如马达)23。旋转轴部22以及旋转驱动部23容纳在筒状的壳体24内。另外，在旋转基座21的上表面的周缘部附近隔着适当的间隔设置有多个(例如6个)保持构件25。保持构件25与基板9的端面93抵接来对基板9进行在水平方向上的定位，并且，在比旋转基座21的上表面稍高的位置(即，与旋转基座21的上表面隔开规定的间隔)，将基板9保持为大致水平姿势。
在该结构中，在保持构件25在旋转基座21的上方保持基板9的状态下，当旋转驱动部23使旋转轴部22旋转时，旋转基座21围绕沿着铅垂方向的轴心旋转，由此，在旋转基座21上保持的基板9围绕通过其面内的中心的铅垂的旋转轴旋转。
其中，保持构件25以及旋转驱动部23与控制部130电连接，并在控制部130的控制下进行动作。也就是说，在旋转基座21上保持基板9的时刻、释放所保持的基板9的时刻、以及旋转基座21的旋转方式(具体地说，旋转开始时刻、旋转结束时刻、转速(即，旋转速度)等)由控制部130控制。
<飞散防止部3>
飞散防止部3挡住从被旋转基座21保持旋转的基板9飞散的处理液等。
飞散防止部3具有杯31。杯31为上端开放的筒形状的构件，以包围旋转卡盘2的方式设置。在该实施方式中，杯31例如包括内构件311、中构件312、以及外构件313这3个构件。
内构件311是上端开放的筒形状的构件，具有：圆环状的底部311a、从底部311a的内侧缘部向上方延伸的圆筒状的内壁部311b、从底部311a的外侧缘部向上方延伸的圆筒状的外壁部311c、立设在内壁部311b和外壁部311c之间的圆筒状的引导壁311d。引导壁311d从底部311a向上方延伸，上端部附近向内侧上方弯曲。内壁部311b的至少顶端附近容纳于在旋转卡盘2的壳体24设置的凸缘构件241的内侧空间。
在底部311a上形成有与内壁部311b和引导壁311d之间的空间连通的排液槽(省略图示)。该排液槽与工厂排液管道连接。另外，在该排液槽上连接有对槽内强制排气来使内壁部311b和引导壁311d之间的空间处于负压状态的排气液机构。内壁部311b和引导壁311d之间空间是用于集中在基板9的处理中使用的处理液进行排出的空间，集中在该空间内的处理液从排液槽排出。
另外，在底部311a上形成有与引导壁311d和外壁部311c之间的空间连通的第一回收槽(省略图示)。第一回收槽与第一回收罐连接。另外，在该第一回收槽上连接有对槽内强制排气来使引导壁311d和外壁部311c之间的空间处于负压状态的排气液机构。引导壁311d和外壁部311c之间的空间是用于集中在基板9的处理中使用的处理液进行回收的空间，集中在该空间内的处理液经由第一回收槽回收到第一回收罐内。
中构件312是上端开放的筒形状的构件，设置在内构件311的引导壁311d的外侧。中构件312的上部向内侧上方弯曲，其上端缘部沿着引导壁311d的上端缘部弯折。
在中构件312的下部形成有沿着内周面向下方延伸的内周壁部312a和沿着外周面向下方延伸的外周壁部312b。内周壁部312a在内构件311和中构件312接近的状态(图5所示的状态)下，容纳在内构件311的引导壁311d和外壁部311c之间。另外，外周壁部312b的下端紧贴设置在圆环状的底部312c的内侧缘部。从底部312c的外侧缘部立设有向上方延伸的圆筒状的外壁部312d。
在底部312c上形成有与外周壁部312b和外壁部312d之间的空间连通的第二回收槽(省略图示)。第二回收槽与第二回收罐连接。另外，在该第二回收槽上连接有对槽内进行强制排气来使外周壁部312b和外壁部312d之间的空间处于负压状态的排气液机构。外周壁部312b和外壁部312d之间的空间是用于集中在基板9的处理中使用的处理液进行回收的空间，集中在该空间内的处理液经由第二回收槽回收到第二回收罐内。
外构件313是上端开放的筒形状的构件，设置在中构件312的外侧。外构件313的上部向内侧上方弯曲，其上端缘部301比中构件312的上端缘部以及内构件311的上端缘部稍靠内侧并向下方弯折。在内构件311、中构件312、以及外构件313接近的状态(图5所示的状态)下，中构件312的上端缘部以及内构件311的上端缘部被外构件313的被弯折的部分覆盖。
在外构件313的下部以沿着内周面向下方延伸的方式形成有内周壁部313a。在中构件312和外构件313接近的状态(图5所示的状态)下，内周壁部313a容纳在中构件312的外周壁部312b和外壁部312d之间。
在杯31上配设有使杯升降移动的杯驱动机构32。杯驱动机构32例如由步进马达构成。在该实施方式中，杯驱动机构32使杯31具有的3个构件311、312、313独立升降。
内构件311、中构件312、以及外构件313分别受到杯驱动机构32的驱动而在上方位置和下方位置之间移动。在此，各构件311、312、313的上方位置是该构件311、312、313的上端缘部配置在保持在旋转基座21上的基板9的侧方的位置。另一方面，各构件311、312、313的下方位置是该构件311、312、313的上端缘部比旋转基座21的上表面更靠下方的位置。其中，杯驱动机构32与控制部130电连接，在控制部130的控制下进行动作。也就是说，杯31的位置(具体地说，内构件311、中构件312、以及外构件313各自的位置)由控制部130控制。
关于外构件313配置在下方位置的状态(即，内构件311、中构件312、以及外构件313都配置在下方位置的状态)，以下称为“杯31位于待避位置”。在旋转基座21上未保持基板9的期间，杯31配置在待避位置。也就是说，在旋转基座21上未保持基板9的期间，杯31配置在如下位置，即，其上端缘部(即，外构件313的上端缘部)301比旋转基座21的上表面更靠下方。
另一方面，关于外构件313配置在上方位置的状态，以下称为“杯31位于处理位置”。位于处理位置的杯31的上端缘部(即，外构件313的上端缘部301)配置在保持在旋转基座21上的基板9的侧方。其中，“杯31位于处理位置”的状态包括以下三个状态。第一状态是内构件311、中构件312、以及外构件313都配置于上方位置的状态(图5所示的状态)。在该状态下，从保持在旋转卡盘2上的基板9飞散的处理液集中在内构件311的内壁部311b和引导壁311d之间的空间内，并从排液槽排出。第二状态是内构件311配置在下方位置并且中构件312以及外构件313配置在上方位置的状态。在该状态下，从保持在旋转卡盘2上的基板9飞散的处理液集中在内构件311的引导壁311d和外壁部311c之间的空间内，并回收到第一回收罐内。第三状态是内构件311以及中构件312配置在下方位置并且外构件313配置在上方位置的状态。在该状态下，从保持在旋转卡盘2上的基板9飞散的处理液集中在中构件312的外周壁部312b和外壁部312d之间的空间，并回收到第二回收罐内。
<表面保护部4>
表面保护部4向保持在旋转基座21上的基板9的表面91的中央附近供给气体(保护气体)，从供给到表面周缘部911等的处理液的环境空气等中保护器件区域90。
表面保护部4具有向保持在旋转基座21上的基板9的表面91的中央附近喷出气体的保护气体喷嘴41。保护气体喷嘴41安装在水平延伸的臂部42的顶端部。另外，臂部42的基端部与喷嘴基台43连接。喷嘴基台43以使轴线沿着铅垂方向的姿势配置，臂部42的基端部与喷嘴基台43的上端连接。
在喷嘴基台43上配置有驱动保护气体喷嘴41的驱动部44。驱动部44例如包括使喷嘴基台43围绕其轴线旋转的旋转驱动部(例如、伺服马达)、使喷嘴基台43沿着其轴线伸缩的升降驱动部(例如步进马达)。当驱动部44使喷嘴基台43转动时，保护气体喷嘴41沿水平面内的圆弧轨道移动，当驱动部44使喷嘴基台43伸缩时，保护气体喷嘴41在与基板9接近或分离的方向上移动。
保护气体喷嘴41受到驱动部44的驱动，在处理位置和待避位置之间移动。在此，保护气体喷嘴41的处理位置为如下位置：位于保持在旋转基座21上的基板9的上方，与表面91的中央附近相向且与表面91以非接触状态接近的位置。另一方面，保护气体喷嘴41的待避位置是与基板9的搬送路径不干涉的位置，例如，从上方观察，是比杯31的上端缘部301更靠外侧的位置。另外，驱动部44与控制部130电连接，在控制部130的控制下进行动作。也就是说，保护气体喷嘴41的位置由控制部130控制。
在保护气体喷嘴41上连接有保护气体供给部45，该保护气体供给部45是向保护气体喷嘴41供给气体(在此，例如为氮气(N2))的配管系统。具体地说，保护气体供给部45例如具有如下结构：作为供给氮气的供给源的氮气供给源451经由安装有开闭阀453的配管452与保护气体喷嘴41连接。在该结构中，当打开开闭阀453时，从氮气供给源451供给的氮气从保护气体喷嘴41喷出。此外，向保护气体喷嘴41供给的气体也可以是除了氮气以外的气体(例如除了氮气以外的各种非活性气体、干燥空气等)。
在保护气体喷嘴41配置在处理位置的状态下，当从保护气体供给部45向保护气体喷嘴41供给气体时，从保护气体喷嘴41向保持在旋转基座21上的基板9的表面91的中央附近喷出气体(保护气体)。其中，保护气体供给部45的开闭阀453与控制部130电连接，在控制部130的控制下开闭。也就是说，从保护气体喷嘴41喷出气体的喷出方式(具体地说，喷出开始时刻、喷出结束时刻、喷出流量等)由控制部130控制。
<周缘处理部5>
周缘处理部5对保持在旋转基座21上的基板9的表面周缘部911进行处理。
<i.整体结构>
周缘处理部5具有向保持在旋转基座21上的基板9的表面周缘部911喷出流体(在此为处理液、以及气体)的周缘部用喷出头51。周缘部用喷出头51安装在水平延伸的臂部52的顶端部。另外，臂部52的基端部与喷嘴基台53连接。喷嘴基台53以使其轴线沿着铅垂方向的姿势配置，臂部52的基端部与喷嘴基台53的上端连接。
在喷嘴基台53上配设用于驱动周缘部用喷出头51的驱动部54。驱动部54例如包括使喷嘴基台53沿其轴线旋转的旋转驱动部(例如伺服马达)和使喷嘴基台53沿其轴线伸缩的升降驱动部(例如步进马达)。当驱动部54使喷嘴基台53转动时，周缘部用喷出头51沿着水平面内的圆弧轨道移动，当驱动部54使喷嘴基台53伸缩时，周缘部用喷出头51在与基板9接近或分离的方向上移动。
周缘部用喷出头51受到驱动部54的驱动在处理位置和待避位置之间移动。在此，周缘部用喷出头51的处理位置为如下位置：位于保持在旋转基座21上的基板9的上方，与表面周缘部911相向且与表面周缘部911以非接触状态接近的位置(图4所示的位置)。其中，在周缘部用喷出头51配置在处理位置的状态下，周缘部用喷出头51的至少一部分容纳于在后述的挡板构件60的内周壁601上形成的切口605内。另一方面，周缘部用喷出头51的待避位置是与基板9的搬送路径不干涉的位置，例如，从上方观察，是比杯31的上端缘部301更靠外侧的位置(图3所示的位置)。另外，驱动部54与控制部130电连接，在控制部130的控制下进行动作。也就是说，周缘部用喷出头51的位置被控制部130控制。
在周缘部用喷出头51上连接有流体供给部55，该流体供给部55是向周缘部用喷出头51供给流体(具体地说，处理液以及气体)的配管系统。具体地说，流体供给部55例如组合酸类药液供给源551a、碱类药液供给源551b、冲洗液供给源551c、氮气供给源551d、多个配管552a、552b、552c、552d、以及多个开闭阀553a、553b、553c、553d而构成。
酸类药液供给源551a是供给酸性药液的供给源。在此，酸类药液供给源551a能够选择性地供给例如稀释后的氢氟酸(稀氢氟酸)(以下表示为“DHF”)和盐酸过氧化氢溶液(即，盐酸(HCl)、过氧化氢(H2O2)和纯水(DIW:去离子水)以规定的比率混合而成的药液，以下表示为“SC-2”)。酸类药液供给源551a经由安装有开闭阀553a的配管552a与周缘部用喷出头51(更具体地说，后述的“第一药液喷嘴50a”)连接。因此，当打开开闭阀553a时，从酸类药液供给源551a供给的酸性的药液(DHF或SC-2)从第一药液喷嘴50a喷出。当然，酸类药液供给源551a未必限于选择性地供给DHF以及SC-2。例如，酸类药液供给源551a也可以供给DHF、SC-2、BDHF(缓冲氢氟酸)、HF(氢氟酸)、盐酸、硫酸、硝酸、磷酸、醋酸、草酸、以及它们的混合溶液等中的至少一种。
碱类药液供给源551b是供给碱性药液的供给源。在此，碱类药液供给源551b能够供给例如氨过氧化氢溶液(即，氢氧化氨(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)和纯水以规定的比率混合而成的药液，以下表示为“SC-1”)。碱类药液供给源551b经由安装有开闭阀553b的配管552b与周缘部用喷出头51(更具体地说，后述的“第二药液喷嘴50b”)连接。因此，当打开开闭阀553b时，从碱类药液供给源551b供给的碱性的药液(SC-1)从第二药液喷嘴50b喷出。此外，优选从碱类药液供给源551b供给的SC-1的温度被调节至例如60℃～80℃。当然，碱类药液供给源551b也可以供给除了SC-1以外的药液(例如，氨的水溶液等)。
冲洗液供给源551c是供给冲洗液的供给源。在此，冲洗液供给源551c例如将溶解有二氧化碳(CO2)的纯水(碳酸水)作为冲洗液进行供给。冲洗液供给源551c经由安装有开闭阀553c的配管552c与周缘部用喷出头51(更具体地说，后述的“冲洗液喷嘴50c”)连接。因此，当打开开闭阀553c时，从冲洗液供给源551c供给的冲洗液从冲洗液喷嘴50c喷出。此外，作为冲洗液，也可以使用纯水、温水、臭氧水、磁化水、还原水(含氢水)、各种有机溶剂(离子水、IPA(异丙醇)、功能水等。
氮气供给源551d是供给气体(在此，例如为氮气(N2))的供给源。氮气供给源551d经由安装有开闭阀553d的配管552d与周缘部用喷出头51(更具体地说，后述的“气体喷嘴50d”)连接。因此，当打开开闭阀553d时，从氮气供给源551d供给的氮气从气体喷嘴50d喷出。当然，氮气供给源551d也可以供给除了氮气以外的气体(例如，除了氮气以外的各种非活性气体、干燥空气等)。
在周缘部用喷出头51配置在处理位置的状态下，当从流体供给部55向周缘部用喷出头51供给处理液(酸性药液(DHF、或SC-2)、碱性药液(SC-1)、或冲洗液)时，从周缘部用喷出头51向保持在旋转基座21上的基板9的表面周缘部911供给该处理液。另外，在周缘部用喷出头51配置在处理位置的状态下，当从流体供给部55向周缘部用喷出头51供给气体时，从周缘部用喷出头51向保持在旋转基座21上的基板9的表面周缘部911供给气体。另外，流体供给部55所具有的开闭阀553a、553b、553c、553d各自与控制部130电连接，在控制部130的控制下开闭。也就是说，从周缘部用喷出头51喷出流体的喷出方式(具体地说，喷出的流体的种类、喷出开始时刻、喷出结束时刻、喷出流量等)由控制部130控制。
<ii.周缘部用喷出头51>
在此，参照图6对周缘部用喷出头51进行具体说明。图6是周缘部用喷出头51的立体图。此外，为了便于说明，在图6中省略挡板构件60以及杯31的图示。
周缘部用喷出头51具有多个(在此为4个)喷嘴50a～50d和对该多个喷嘴50a～50d一体地进行支撑的支撑部500。
在周缘部用喷出头51所具有的一组喷嘴50a～50d中包含向表面周缘部911喷出处理液的1个以上(在此为3个)喷嘴(以下也称为“处理液喷嘴”)50a、50b、50c和向表面周缘部911喷出气体(在此为氮气)的喷嘴(以下也称为“气体喷嘴”)50d。特别是，作为该周缘部用喷出头51的处理液喷嘴50a、50b、50c，具有喷出药液的2个喷嘴(以下也称为“药液喷嘴”)50a、50b和喷出冲洗液的喷嘴(以下也称为“冲洗液喷嘴”)50c。特别是，作为该周缘部用喷出头51的药液喷嘴50a、50b，具有喷出酸性药液的喷嘴(以下还称为“第一药液喷嘴”)50a和喷出碱性药液的喷嘴(以下也称为“第二药液喷嘴”)50b。
对一组喷嘴50a～50d一体地进行支撑的支撑部500固定在上述的臂部52上。从上方观察，支撑部500为沿着表面周缘部911的弯曲成弧状的构件，一组喷嘴50a～50d沿着弯曲成弧状的支撑部500的延伸方向排列。因此，在周缘部用喷出头51配置在处理位置的状态下，一组喷嘴50a～50d沿着基板9的表面周缘部911排列。此时，沿着基板9的旋转方向AR9，从上游侧开始依次排列有气体喷嘴50d、第一药液喷嘴50a、冲洗液喷嘴50c、第二药液喷嘴50b。
也就是说，在该周缘部用喷出头51中，气体喷嘴50d相比处理液喷嘴50a、50b、50c配置在基板9的旋转方向AR9的上游侧。因此，旋转的基板9的表面周缘部911内的各位置首先通过气体喷嘴50d的下方后，通过处理液喷嘴50a、50b、50c的下方。根据该结构，在从处理液喷嘴50a、50b、50c向旋转的基板9的表面周缘部911内的各位置供给新的处理液之前，从气体喷嘴50d向该位置供给气体(即，喷射气体)。
因基板9的表面状态等的不同，有时存在如下情况，即：在一周前从处理液喷嘴50a、50b、50c向到达周缘部用喷出头51的下方的表面周缘部911内的各位置供给并且在基板9旋转一周的期间未被甩掉的旧的处理液附着在该位置。即使在这样的情况下，也能在用从气体喷嘴50d喷出的气体除去该旧的处理液后，从处理液喷嘴50a、50b、50c供给新的处理液。根据该结构，难以发生向表面周缘部911内的各位置新供给的处理液与旧的处理液碰撞而飞溅的状况。由此，能够抑制处理液进入器件区域90。另外，根据该结构，能够总是使新鲜的处理液作用于基板9，由此，能够提高处理效率。另外，在残存有旧的药液的位置又供给新的处理液时，保持在该位置的处理液的量暂时会变多，而如果采用在用气体除去旧的药液后供给新的处理液的结构，则难以发生在表面周缘部911内的各位置暂时保持大量的处理液的状况。其结果，能够使处理液所作用的区域的尺寸稳定。例如，能够使蚀刻用的药液所作用的区域的尺寸、即被从端面93向基板9的内侧蚀刻除去的宽度(以下仅称为“蚀刻宽度”)稳定，能够提高蚀刻宽度的控制精度。
另外，换个角度看，在该周缘部用喷出头51中，处理液喷嘴50a、50b、50c相比气体喷嘴50d配置在基板9的旋转方向AR9的下游侧。因此，旋转的基板9的表面周缘部911内的各位置在通过处理液喷嘴50a、50b、50c的下方后，并在基板9几乎旋转一周后，到达气体喷嘴50d的下方。根据该结构，从处理液喷嘴50a、50b、50c供给到表面周缘部911上的各位置的处理液的至少一部分在基板9几乎旋转一周的期间持续停留在表面周缘部911上，因此，能够使处理液充分作用于表面周缘部911内的各位置。
另外，在周缘部用喷出头51中，在喷出酸性药液的第一药液喷嘴50a和喷出碱性药液的第二药液喷嘴50b之间，配置有喷出冲洗液的冲洗液喷嘴50c。根据该结构，能够抑制发生例如从一个药液喷嘴喷出药液时形成的环境空气与残留在另一个药液喷嘴内的药液反应这样的状况。具体地说，例如，能够抑制发生在第一药液喷嘴50a喷出酸性药液时形成的环境空气与残留在第二药液喷嘴50b内的碱性药液反应、或者、在第二药液喷嘴50b喷出碱性药液时形成的环境空气与残留在第一药液喷嘴50a内的酸性药液反应这样的状况。
<iii.喷嘴50>
接着，参照图7对周缘部用喷出头51所具有的一组喷嘴50a～50d各自的结构进行说明。一组喷嘴50a～50d分别具有几乎相同的结构，以下，在没有对这些喷嘴50a～50d进行区別的情况下，仅称为“喷嘴50”。图7是示意性地表示喷嘴50的顶端附近的结构的侧剖视图。
喷嘴50具有喷嘴主体部501，该喷嘴主体部501具有下端变细的长条棒状的外形。喷嘴主体部501以轴向沿铅垂方向并且下表面(以下也称为“喷出面”)502为水平姿势的方式，支撑在支撑部500上。因此，在周缘部用喷出头51配置在处理位置的状态下，喷出面502以与保持在旋转基座21上的基板9的表面91平行的姿势，以非接触状态接近表面周缘部911。其中，在该状态下，喷出面502和表面周缘部911之间的分离距离m为充分小的距离(例如m＝1mm左右)。
在喷嘴主体部501的内部形成有导入流路部503和与其下端连通的喷出流路部504。在导入流路部503的上端连接有上述的配管552a、552b、552c、552d中的任一个。另外，喷出流路部504的下端与在喷出面502通过开口而形成的喷出口505连通。喷出口505为例如圆形的贯通孔，其直径小于图2中的从基板9的端面93起的微小宽度d，例如为0.6mm。因此，从配管供给的流体首先保持在导入流路部503，并流入喷出流路部504，然后从喷出口505喷出。
喷出流路部504具有在途中弯折而成的形状。具体地说，喷出流路部504具有铅垂流路部分5041和与其连接的倾斜流路部分5042。铅垂流路部分5041与喷嘴主体部501的轴向平行地延伸，在下端与倾斜流路部分5042连通。倾斜流路部分5042向斜下方延伸，并在下端与喷出口505连通，该斜下方是指，从基板9的内侧(基板9的中心侧)起，越向下方越接近外侧(端面93侧)的方向。
在该喷嘴50中，经由倾斜延伸的倾斜流路部分5042从喷出口505喷出流体，因此，能够使从喷嘴50向基板9的表面周缘部911喷出的流体在表面周缘部911向基板9的外侧流动。因此，例如在从喷嘴50向表面周缘部911喷出处理液的情况下，能够抑制该处理液流入器件区域90，并且能够使处理液作用的区域的尺寸(例如蚀刻用的药液作用的区域的尺寸、即蚀刻宽度)稳定，提高其控制精度。另外，例如在从喷嘴50向表面周缘部911喷出气体的情况下，能够在表面周缘部911形成朝向基板9的外侧的气流。利用该气流，能够将表面周缘部911上的处理液和处理液的雾滴吹飞到基板9的外侧。
特别是，在该喷嘴50中，喷嘴主体部501自身并不以倾斜姿势支撑在支撑部500上，而是在喷嘴主体部501的内部形成的喷出流路部504的一部分即倾斜流路部分5042倾斜。如果在喷嘴主体部的内部形成沿其轴向笔直延伸的流路并使喷嘴主体部自身处于倾斜姿势，则喷出面处于相对于水平面倾斜的姿势。在该情况下，有可能在喷出面的最下端的附近容易产生积存液体，该积存液体会滴下(滴落)到基板9上。这样的处理液的滴落产生在基板9上的比本来应供给处理液的位置更靠内侧(基板9的中心侧)的位置，因此，即使利用从气体喷嘴50d喷出的气体也难以除去。相对于此，如本实施方式那样，通过采用并不是使喷嘴主体部501倾斜而是使在其内部形成的喷出流路部504的一部分倾斜的结构，能够将喷出面502置于水平姿势，因此难以发生上述那样的处理液的滴落。
此外，为了提高处理液作用的区域的宽度(例如蚀刻用的药液作用的蚀刻宽度)的控制精度，优选倾斜流路部分5042的延伸方向与水平面形成的角度(倾斜角度)θ在45度以上，更优选在60度以上。
<iv.目标喷出位置>
现在，将从周缘部用喷出头51所具有的一组喷嘴50a～50d分别喷出流体并到达基板9上的到达位置称为该喷嘴的“目标喷出位置”。在以下，参照图8～图10，对一组喷嘴50a～50d各自的目标喷出位置Qa～Qd进行说明。图8是示意性地表示各喷嘴50a～50d的目标喷出位置的一例的图。图9、图10是从基板9的旋转方向AR9的下游侧观察周缘部用喷出头51的图。其中，在图9中示出从周缘部用喷出头51喷出药液和气体的状态，在图10中示出从周缘部用喷出头51喷出冲洗液和气体的状态。
周缘部用喷出头51所具有的一组喷嘴50a～50d各自的目标喷出位置Qa～Qd处于在基板9的径向上相互错开的位置。即，气体喷嘴50d的目标喷出位置Qd比处理液喷嘴50a、50b、50c的目标喷出位置Qa、Qb、Qc更靠基板9的径向内侧(中心侧)。进而，冲洗液喷嘴50c的目标喷出位置Qc比药液喷嘴50a、50b的目标喷出位置Qa、Qb更靠基板9的径向内侧。进而，第一药液喷嘴50a的目标喷出位置Qa和第二药液喷嘴50b的目标喷出位置Qb处于在径向上相同的位置。其中，“在径向上相同的位置”是指，距基板9的端面93的分离距离彼此相等的位置(即，距基板9的中心的分离距离相等的位置)。也就是说，在此，从基板9的端面93至第一药液喷嘴50a的目标喷出位置Qa的分离距离与从基板9的端面93至第二药液喷嘴50b的目标喷出位置Qb的分离距离相等。
作为一例，第一药液喷嘴50a的目标喷出位置Qa以及第二药液喷嘴50b的目标喷出位置Qb都为基板9的距端面93的距离为1.0mm的内侧的位置。另外，气体喷嘴50d的目标喷出位置Qd为距药液喷嘴50a、50b的目标喷出位置Qa、Qb还有0.5mm的基板9的内侧的位置。另外，冲洗液喷嘴50c的目标喷出位置Qc为基板9的在距端面93的距离为1.0mm～1.5mm的范围内的位置。
各喷嘴50a、50b、50c、50d配置于在基板9的径向上相互错开的位置，并被支撑部500支撑，以使喷出流体到达各自的目标喷出位置Qa、Qb、Qc、Qd。即，气体喷嘴50d相比处理液喷嘴50a、50b、50c配置在基板9的径向内侧，并被支撑部500支撑。另外，冲洗液喷嘴50c相比药液喷嘴50a、50b配置在基板9的径向内侧，并被支撑部500。另外，第一药液喷嘴50a和第二药液喷嘴50b配置于在径向上相同的位置，并被支撑部500支撑。此外，各喷嘴50a、50b、50c、50d在配置中的彼此的偏移量根据前述的倾斜流路部分5042的角度设定，以使流体到达各自的目标喷出位置Qa、Qb、Qc、Qd。
在该周缘部用喷出头51中，气体喷嘴50d的目标喷出位置Qd比处理液喷嘴50a、50b、50c的目标喷出位置Qa、Qb、Qc更靠基板9的径向内侧，因此，在基板9的表面周缘部911中，向比喷出处理液的位置更靠内侧的位置供给气体。根据该结构，能够利用气体将供给到表面周缘部911上的处理液从基板9的内侧向外侧吹飞。由此，能够抑制表面周缘部911上的处理液进入器件区域90，并且能够使处理液作用的区域的尺寸(例如蚀刻用的药液作用的区域的尺寸、即蚀刻宽度)稳定，提高其控制精度。
另外，在该周缘部用喷出头51中，冲洗液喷嘴50c的目标喷出位置Qc比药液喷嘴50a、50b的目标喷出位置Qa、Qb更靠基板9的径向内侧，因此，在基板9的表面周缘部911，向比喷出药液的位置更靠内侧的位置喷出冲洗液。根据该结构，能够利用冲洗液将供给到表面周缘部911上的药液从基板9的内侧向外侧挤走。由此，能够充分抑制药液进入器件区域90，并且不残留药液残渣地充分冲洗掉药液。
另外，在该周缘部用喷出头51中，第一药液喷嘴50a的目标喷出位置Qa和第二药液喷嘴50b的目标喷出位置Qb位于基板9的在径向上相同的位置上，因此，在基板9的表面周缘部911中，能够向喷出酸性药液的位置喷出碱性药液。根据该结构，能够使各药液准确地作用于相同的区域。
<液体飞溅抑制部6>
再次参照图3～图5。在基板处理装置1中，在从周缘部用喷出头51向保持在旋转基座21上的基板9的表面周缘部911喷出处理液时，有可能供给到表面周缘部911上的处理液的一部分从基板9飞散，该飞散的处理液的一部分因被在外部配置的构件弹回等而再次附着在基板9上。液体飞溅抑制部6是用于抑制从基板9飞散的处理液再次附着在基板9上的构件。
<i.挡板构件60>
液体飞溅抑制部6具有挡板构件60。参照图3～图5、图11～图13对挡板构件60进行详细说明。图11是挡板构件60的立体图。图12是从上方观察杯31、挡板构件60、以及周缘部用喷出头51配置在各自的处理位置的状态的俯视图。图13是从图12的箭头K观察的侧剖视图。
挡板构件60是沿着基板9的表面周缘部911的整周形成的环状构件。挡板构件60在对保持在旋转基座21上的基板9进行处理的期间，从上方观察，与该基板9同心配置，并配置在以非接触状态与该基板9的表面周缘部911接近的位置(处理位置)。挡板构件60的与周向垂直的剖面优选为矩形，特别优选为正方形。
挡板构件60的内径具有比基板9的外径稍小的尺寸。因此，当从上方观察配置在处理位置的挡板构件60时，挡板构件60的内周壁601比基板9的端面93更靠内侧(基板9的中心侧)，挡板构件60的下表面602的至少内周部分与保持在旋转基座21上的基板9的表面周缘部911相向配置。也就是说，挡板构件60的内周壁601比基板9的表面周缘部更靠内侧(基板9的中心侧)，挡板构件60的下表面602局部与基板9的表面周缘部911接近相向。此时，挡板构件60的下表面602和保持在旋转基座21上的基板9的表面91之间分离距离h例如在1mm以上且1.5mm以下。
挡板构件60的外径具有大于基板9的外径且比杯31的上端缘部301的内径稍小的尺寸。因此，当从上方观察配置在处理位置的挡板构件60时，挡板构件60的外周壁603比基板9的端面93靠外侧，并以非接触状态与杯31的上端缘部301接近，且沿着上端缘部301的整周延伸。也就是说，配置在处理位置的杯31恰好同时包围旋转基座21上的基板9和挡板构件60。
上述的周缘部用喷出头51在其配置在处理位置的状态下配置在挡板构件60的内周壁601侧(即，隔着挡板构件60而与杯31一侧相反的一侧)。也就是说，在该状态下，周缘部用喷出头51所具有喷嘴50隔着挡板构件60配置在与杯31一侧相反的一侧。其中，在挡板构件60的内周壁601上形成有用于容纳周缘部用喷出头51的至少一部分的切口605，在周缘部用喷出头51配置在处理位置的状态下，周缘部用喷出头51的至少一部分(具体地说，例如周缘部用喷出头51所具有的喷嘴50的至少一部分)容纳在该切口605内。由此，周缘部用喷出头51与挡板构件60不干涉地配置在表面周缘部911的上方的处理位置。其中，优选切口605中的与下表面602相连接的壁面部分6051在从上方观察时与基板9的端面93处于同一个面或者位于端面93的内侧(基板9的中心侧)。
在挡板构件60、周缘部用喷出头51、以及杯31配置在各自的处理位置的状态下，优选挡板构件60的下表面602配置在与周缘部用喷出头51所具有的喷嘴50的喷出面502相同的高度位置或比喷出面502低的位置。另外，壁面部分6051能够配置在低至不妨碍从喷嘴50喷出的流体路径的位置为止的位置。另外，优选挡板构件60的下表面602配置在与杯31的上端缘部301的下表面3011相同的高度或比下表面3011低的位置。在该实施方式中，挡板构件60的下表面602、周缘部用喷出头51的喷出面502、以及杯31的上端缘部301的下表面3011位于相同的高度位置。即，3个面602、502、3011配置在同一水平面上。
另外，在挡板构件60、以及杯31配置在各自的处理位置的状态下，优选挡板构件60的上表面604配置在与杯31的上端缘部301的上表面3012相同的高度。
<ii.抑制处理液再次附着的理由>
在从周缘部用喷出头51向表面周缘部911喷出处理液的期间，通过将挡板构件60配置在处理位置，能够抑制从基板9飞散的处理液再次附着在基板9上。以下说明其理由。
杯31的上端缘部301的内径具有比旋转基座21的外径更大的尺寸，使得杯能够移动到比旋转基座21的上表面更靠下方的待避位置。由于旋转基座21的外径具有基板9的外径大的尺寸，因此从上方观察时，在保持在旋转基座21上的基板9的端面93和杯31的上端缘部301之间，存在环状的间隙空间。因此，与基板9的表面周缘部911相向的配置在处理位置的周缘部用喷出头51和杯31的上端缘部301之间也存在间隙空间V。该间隙空间V是从基板9飞散的处理液的雾滴等能够漂浮的空间，在此，该间隙空间V的至少一部分被挡板构件60的一部分填埋。根据该结构，从基板9飞散的处理液的雾滴等能够漂浮的空间减小了被挡板构件60填埋的空间大小，该空间变小，相应地，在基板9的附近的处理液的漂浮量变少。其结果，能够降低处理液的雾滴等再次附着在基板9上的可能性。即，能够抑制从基板9飞散的处理液的一部分再次附着在基板9上。
特别是，在此，挡板构件60的下表面602的至少一部分与表面周缘部911相向配置，因此从基板9飞散的处理液沿着挡板构件60的下表面602被导向杯31内。由此，能够充分抑制该飞散的处理液再次附着在基板9上。
特别是，发明者们确认，通过将挡板构件60的下表面602配置在与周缘部用喷出头51所具有的喷嘴50的喷出面502相同的高度位置或比喷出面502低的位置，能够特别有效地抑制从基板9飞散的处理液附着在基板9(特别是器件区域90)上。
另外，发明者们确认，通过将挡板构件60的下表面602配置在与杯31的上端缘部301的下表面3011相同的高度位置或比该下表面3011低的位置，也能够特别有效地抑制从基板9飞散的处理液附着在基板9(特别是器件区域90)。
进而，在此，挡板构件60是沿着基板9的表面周缘部911的整周形成的环状的构件，因此能够在基板9的整个周向上抑制从基板9飞散的处理液再次附着在基板9。
<iii.半圆弧构件61、62>
挡板构件60由相互独立的多个弧状构件(在此，一对半圆弧构件61、62)形成，多个弧状构件处于各弧状构件的周向的端面彼此相互抵接在一起的状态。即，一对半圆弧构件61、62是具有彼此相等的直径的半圆弧状的构件，使弦方向朝向内侧，并且使周向的端面相互相向配置。当然，挡板构件60也可以是使3个以上的弧状构件处于周向的端面彼此相互抵接在一起的状态而形成的。
在一对半圆弧构件61、62上分别配置有驱动各半圆弧构件61、62的半圆弧构件驱动部63。半圆弧构件驱动部63具有：升降驱动部(例如步进马达)631，使连接有升降驱动部631的半圆弧构件61、62沿铅垂轴升降移动；进退驱动部632，使该半圆弧构件61、62在水平面内在与另一个半圆弧构件接近或分离的方向上进退移动。
各半圆弧构件61、62在旋转基座21上未保持基板9的期间，与另一个半圆弧构件分离，并配置在基板9的搬入搬出路径的外侧的位置(待避位置)。具体地说，各半圆弧构件61、62的待避位置是比旋转基座21的上表面更靠下侧的位置(即，各半圆弧构件61、62的上表面604比旋转基座21的上表面更靠下侧的位置)，且是在从上方观察时比杯31的上端缘部301更靠外侧的位置(图3所示的位置)。
在旋转基座21上保持有基板9时，升降驱动部631使配置在待避位置的各半圆弧构件61、62上升至比旋转基座21的上表面稍微靠上方的位置，接着，进退驱动部632使各半圆弧构件61、62在水平面内向接近另一个半圆弧构件的方向移动，从而形成各半圆弧构件61、62的周向的端面彼此相互抵接在一起的状态。由此，实现环状的构件即挡板构件60配置在处理位置的状态。
<iv.清洗处理>
如上所述，在旋转基座21上未保持基板9的期间，各半圆弧构件61、62以及杯31配置在各自的待避位置。其中，如上所述，在各半圆弧构件61、62以及杯31配置在各自的待避位置的状态下，各半圆弧构件61、62以及杯31相比旋转基座21的上表面都配置在下侧，各半圆弧构件61、62在杯31的上侧配置在以非接触状态接近杯31的上表面的位置。
在基板处理装置1中，在旋转基座21上未保持基板9的状态下，定期地(例如每处理一定张数的基板9)、或不定期地(例如根据来自作业人员的指示)，对旋转基座21进行清洗处理。
在旋转基座21的清洗处理中，从清洗用喷嘴(省略图示)向未保持基板9的状态下的旋转基座21的上表面的中央附近供给清洗液，并使旋转基座21旋转。这样一来，清洗液借助伴随旋转基座21的旋转带来的离心力的作用扩展到旋转基座21的整个上表面，由此对旋转基座21的整个上表面进行清洗。该清洗液最终从旋转基座21的周缘部被甩落至旋转基座21之外。在此，在对旋转基座21进行清洗处理的期间，各半圆弧构件61、62以及杯31配置在比旋转基座21的上表面更靠下的待避位置，因此从旋转基座21的周缘部被甩落至旋转基座21之外的清洗液到达杯31以及位于杯的上侧的半圆弧构件61、62。由此，对杯31、以及半圆弧构件61、62进行清洗。也就是说，在旋转基座21的清洗处理中，不仅旋转基座21，杯31、以及半圆弧构件61、62也都被清洗。
<加热处理部7>
再次参照图3～图5。加热处理部7向保持在旋转基座21上的基板9的背面92供给蒸汽(水蒸汽)、特别优选过热蒸汽(过热水蒸汽)，对基板9进行加热。
加热处理部7具有向保持在旋转基座21上的基板9的背面92喷出蒸汽的蒸汽喷嘴71。蒸汽喷嘴71配置在旋转基座21上。在蒸汽喷嘴71的上表面侧形成有多个蒸汽喷出口(省略图示)。该多个蒸汽喷出口中的至少一个蒸汽喷出口形成在选择地向保持在旋转基座21上的基板9的背面周缘部921供给蒸汽的位置。更优选形成在与背面周缘部921相向的位置。另外，从该蒸汽喷出口能够喷出比其他蒸汽喷出口更多的蒸汽。根据该结构，蒸汽喷嘴71能够重点地向基板9的背面92、特别是背面周缘部921喷出蒸汽。
在蒸汽喷嘴71上连接有蒸汽供给部72，该蒸汽供给部72是向蒸汽喷嘴71供给蒸汽的配管系统。具体地说，蒸汽供给部72例如具有如下结构：供给蒸汽的供给源即蒸汽供给源721经由安装有开闭阀723的配管722与蒸汽喷嘴71连接。在该结构中，当打开开闭阀723时，从蒸汽供给源721供给的蒸汽从蒸汽喷嘴71喷出。
此外，从蒸汽喷嘴71喷出的蒸汽优选是被加热(过加热)至充分高温(例如100℃以上且130℃以下)的过热蒸汽(过热水蒸汽)。因此，例如由供给对纯水等加热而生成的蒸汽(水蒸汽)的供给源、与供给源连接的配管、在该配管的路径途中安装的加热器构成蒸汽供给源721即可(均省略图示)。在该情况下，考虑到从供给源供给的蒸汽在通过配管等时温度下降，优选通过加热器将从供给源供给的蒸汽加热(过加热)至例如140℃～160℃左右。当然，即使供给至基板9的蒸汽(过热蒸汽)的一部分因被基板9夺取热量而被冷却，在基板9上凝缩成为水滴，该水滴也借助伴随基板9的旋转产生的离心力的作用从基板9的端面93甩落至基板9之外。因此，水滴不会附着在器件区域90。
当从蒸汽供给部72向蒸汽喷嘴71供给蒸汽时，从蒸汽喷嘴71向保持在旋转基座21上的基板9的背面92喷出蒸汽，由此基板9被加热。如上所述，该实施方式的蒸汽喷嘴71能够向背面周缘部921重点地喷出蒸汽，因此能够对背面周缘部921特别重点地进行加热。其中，蒸汽供给部72的开闭阀723与控制部130电连接，在控制部130的控制下开闭。也就是说，从蒸汽喷嘴71喷出蒸汽的喷出方式(具体地说，喷出开始时刻、喷出结束时刻、喷出流量、等)由控制部130控制。
<背面处理部8>
背面处理部8对保持在旋转基座21上的基板9的背面92进行处理。具体地说，背面处理部8向保持在旋转基座21上的基板9的背面92供给处理液。
背面处理部8具有在旋转卡盘2的旋转轴部22的中空部贯通配置的供给管81。供给管81的顶端在旋转基座21的上表面形成开口，该开口形成背面侧喷出口82。
在供给管81上连接有处理液供给部83，该处理液供给部83是向供给管81供给处理液的配管系统。具体地说，处理液供给部83是组合SC-1供给源831a、DHF供给源831b、SC-2供给源831c、冲洗液供给源831d、多个配管832a、832b、832c、832d、以及多个开闭阀833a、833b、833c、833d而构成的。
SC-1供给源831a是供给SC-1的供给源。SC-1供给源831a经由安装有开闭阀833a的配管832a与供给管81连接。因此，当打开开闭阀833a时，从SC-1供给源831a供给的SC-1从背面侧喷出口82喷出。
DHF供给源831b是供给DHF的供给源。DHF供给源831b经由安装有开闭阀833b的配管832b与供给管81连接。因此，当打开开闭阀833b时，从DHF供给源831b供给的DHF从背面侧喷出口82喷出。
SC-2供给源831c是供给SC-2的供给源。SC-2供给源831c经由安装有开闭阀833c的配管832c与供给管81连接。因此，当打开开闭阀833c时，从SC-2供给源831c供给的SC-2从背面侧喷出口82喷出。
冲洗液供给源831d是供给冲洗液的供给源。在此，冲洗液供给源831d例如将溶解有二氧化碳(CO2)的纯水(碳酸水)作为冲洗液进行供给。冲洗液供给源831d经由安装有开闭阀833d的配管832d与供给管81连接。因此，当打开开闭阀833d时，从冲洗液供给源831d供给的冲洗液从背面侧喷出口82喷出。此外，作为冲洗液，也可以使用纯水、温水、臭氧水、磁化水、还原水(含氢水)、各种有机溶剂(离子水、IPA(异丙醇)、功能水等。
当从处理液供给部83向供给管81供给处理液(SC-1、DHF、SC-2、或冲洗液)时，从背面侧喷出口82向保持在旋转基座21上的基板9的背面92的中央附近喷出该处理液。其中，处理液供给部83所具有的开闭阀833a、833b、833c、833d各自与控制部130电连接，在控制部130的控制下开闭。也就是说，从背面侧喷出口82喷出处理液的喷出方式(具体地说，喷出的处理液的种类、喷出开始时刻、喷出结束时刻、喷出流量等)由控制部130控制。
<4.基板处理装置1的动作>
接着，对基板处理装置1的动作进行说明。在基板处理装置1中，在控制部130的控制下执行以下说明的一系列处理。当然，以下说明的只不过是能够在基板处理装置1中执行的处理的一例。
在基板处理装置1中，例如对一张基板9依次进行前处理(步骤S1)、表面周缘处理(步骤S2)、处理面切换处理(步骤S3)、背面处理(步骤S4)、以及干燥处理(步骤S5)(图14)。以下，对各处理具体说明。
<4-1.前处理>
参照图15、图16对前处理(步骤S1)进行说明。图15是表示前处理的流程的图。图16是用于说明前处理的图，示意性地示出在执行前处理中的各处理工序的状态下的基板处理装置1的一部分构件。
首先，在半圆弧构件61、62、杯31、周缘部用喷出头51、以及保护气体喷嘴41配置在各自的待避位置的状态下，搬送机械手CR将基板9以其表面91朝上的姿势配置在旋转基座21上。配置在旋转基座21上的基板9由一组保持构件25保持(步骤S101)。由此形成在旋转基座21上将基板9保持为大致水平姿势的状态。
当基板9保持在旋转基座21上时，挡板构件60移动到处理位置(步骤S102)。具体地说，半圆弧构件驱动部63的升降驱动部631使配置在待避位置的各半圆弧构件61、62上升到比旋转基座21的上表面稍微靠上方的位置，接着，半圆弧构件驱动部63的进退驱动部632使各半圆弧构件61、62在水平面内向接近另一个半圆弧构件的方向移动，以形成各半圆弧构件61、62的周向的端面彼此相互抵接在一起状态。由此，形成作为环状构件的挡板构件60配置在处理位置的状态。此外，即使旋转基座21开始旋转，配置在处理位置的挡板构件60也不旋转而保持静止状态。
当挡板构件60配置在处理位置时，接着，配置在待避位置的杯31上升，并配置在处理位置(步骤S103)。由此，形成了杯31以同时包围保持在旋转基座21上的基板9和挡板构件60的方式配置的状态。
当杯31配置在处理位置时，接着，保护气体喷嘴41从待避位置移动到处理位置。然后，从配置在处理位置的保护气体喷嘴41向基板9的表面91的中央附近开始喷出保护气体(步骤S104)。在此开始的向基板9的表面91的中央附近供给保护气体的处理持续执行到对该基板9的处理结束为止。通过持续向基板9的表面91的中央附近供给保护气体，在对该基板9进行处理的期间，器件区域90不会曝露在供给到表面周缘部911等的处理液的环境空气等中。也就是说，器件区域90从供给到表面周缘部上的处理液的环境空气中被持续保护。
此外，在此，在杯31配置在处理位置上后，开始从保护气体喷嘴41喷出保护气体。如果未等杯31上升至处理位置，就开始从保护气体喷嘴41喷出保护气体，则有可能使基板9的表面周缘部911附近的气流紊乱，发生卷起现象，导致颗粒等附着在基板9上，而如果采用在杯31配置在处理位置后开始喷出保护气体的结构，则能够避免发生这样的状况。
接着，开始使旋转基座21旋转，由此保持在旋转基座21上的基板9以水平姿势开始旋转(步骤S105)。此时的旋转基座21的转速(即，基板9的转速)例如为600rpm。该转速被适当设定为如下转速，即，在进行表面周缘处理的期间，供给到表面周缘部911的处理液不会进入器件区域90，另外，也不会移动到端部93侧(也就是说，处理液稳定地保持在应实施处理的表面周缘部911内的区域)。
接着，从蒸汽喷嘴71向旋转的基板9的背面92喷出蒸汽(预蒸(Pre-steam))(步骤S106)。当从开始喷出蒸汽起经过了规定时间(例如5秒)时，停止从蒸汽喷嘴71喷出蒸汽。通过该预蒸对基板9进行加热。在对基板9的药液处理中使用的药液大多是温度越高则越促进反应的药液，结果，基板9预先通过预蒸被加热，由此，促进药液处理中的药液和基板9之间的反应。其结果，缩短药液处理的处理时间，并且抑制药液的使用量。
<4-2.表面周缘处理>
当前处理(步骤S1)结束时，接着，进行表面周缘处理(步骤S2)。参照图17、图18对表面周缘处理进行说明。图17表示表面周缘处理的流程的图。图18是用于说明表面周缘处理的图，示意性地示出在执行表面周缘处理中的各处理工序的状态下的基板处理装置1的一部分构件。
其中，在执行以下说明的表面周缘处理的期间，基板9以一定的转速(例如600rpm)持续旋转。另外，如上所述，在执行表面周缘处理的期间，从保护气体喷嘴41向基板9的表面91的中央附近持续供给保护气体，由此，器件区域90从供给至表面周缘部911的处理液的环境空气中被保护。
<碱处理(SC-1)>
<i.药液处理>
首先，通过SC-1对基板9的表面周缘部911进行药液处理(步骤S201)。具体地说，首先，周缘部用喷出头51从待避位置移动到处理位置。然后，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的第二药液喷嘴50b向旋转的基板9的表面周缘部911喷出SC-1。此时的SC-1的喷出流量例如在20(mL/min)以上且在50(mL/min)以下。当从开始喷出SC-1起经过了规定时间(例如20秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出SC-1。
通过该药液处理除去在基板9的表面周缘部911形成的薄膜(蚀刻处理)。其中，在进行该药液处理的期间，从蒸汽喷嘴71向基板9的背面92喷出蒸汽。此时的蒸汽的喷出流量例如在500(mL/min)以上且在2000(mL/min)以下。另外，喷出的蒸汽的温度例如在110℃以上且在130℃以下。SC-1是温度越高则越促进反应的药液，被SC-1药液处理的基板9接受蒸汽的供给而被加热，由此，促进基板9的表面周缘部911和SC-1之间的反应(即，蚀刻速率高)(所谓加热辅助)。其结果，缩短利用SC-1进行药液处理的处理时间，并且抑制SC-1的使用量。特别是，在此，由于基板9的背面周缘部921被重点加热，能够有效地促进表面周缘部911和SC-1之间的反应。
<ii.冲洗处理>
接着，进行冲洗处理(步骤S202)。具体地说，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的冲洗液喷嘴50c向旋转的基板9的表面周缘部911喷出冲洗液。当从开始喷出冲洗液起经过了规定时间(例如5秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出冲洗液。通过该冲洗处理，冲洗掉附着在表面周缘部911上的处理液(在此为SC-1)。
<iii.液体甩掉处理>
接着，进行液体甩掉处理(步骤S203)。液体甩掉处理是使残存在表面周缘部911上的处理液(在此为在步骤S202的冲洗处理中未从基板9甩掉而残存在表面周缘部911上的冲洗液)靠近基板9的端面93侧，并从端面93甩掉至基板9外的处理。靠近端面93侧的处理液处于保持在端面93及其附近的非水平的面区域部分的状态，结果，保持在非水平的面区域部分的处理液难以发生断液现象，这样的处理液一起被甩掉至基板9外。也就是说，在使残存在表面周缘部911上的处理液靠近基板9的端面93侧之后甩掉至基板9外，从而在表面周缘部911几乎不发生液体残留，能够从基板9除去所残存的大部分处理液。
具体地说，液体甩掉处理例如如下进行。首先，在停止从周缘部用喷出头51向表面周缘部911喷出流体(处理液以及气体)的状态下，使基板9旋转规定的时间(液体靠近工序)(步骤S2031)。由此，在表面周缘部911上残存的处理液受到伴随基板9的旋转产生的离心力的作用，向接近基板9的端面93的方向移动，并保持在端面93及其附近的非水平的面区域部分。接着，从在处理位置配置的周缘部用喷出头51的气体喷嘴50d向旋转的基板9的表面周缘部911喷出气体(吹飞工序)(步骤S2032)。此时的气体的喷出流量例如为14(L/min)。由此，保持在非水平的面区域部分的处理液受到气体的风压和由基板9的旋转产生的离心力的作用，一起被甩掉至基板9外。当从开始从周缘部用喷出头51喷出气体起经过了规定时间(例如15秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出气体。
通过该液体甩掉处理，在表面周缘部911残存的大部分处理液(即，在步骤S202的冲洗处理中未从基板9甩掉而残存在表面周缘部911上的冲洗液)被从基板9甩掉。
<第一酸处理(SC-2)>
<i.药液处理>
接着，利用SC-2对基板9的表面周缘部911进行药液处理(步骤S204)。具体地说，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的第一药液喷嘴50a向旋转的基板9的表面周缘部911喷出SC-2。当从开始喷出SC-2起经过了规定时间(例如20秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出SC-2。
通过该药液处理除去附着在基板9的表面周缘部911上的金属成分(例如Mo、Co等)等(清洗处理)。但是，在此，在该药液处理之前，进行液体甩掉处理(步骤S203)。因此，向几乎不残存冲洗液的表面周缘部911喷出SC-2。若未进行步骤S203的液体甩掉处理，就向残存有冲洗液的表面周缘部911喷出SC-2，所喷出的SC-2与残存的冲洗液碰撞而飞溅，有可能进入器件区域90。但是，在此，通过液体甩掉处理，在表面周缘部911几乎不残存冲洗液，因此，难以发生因这样的处理液的碰撞而导致处理液进入器件区域90的状况。另外，若未进行步骤S203的液体甩掉处理，则在表面周缘部911上，残存的冲洗液和所供给的SC-2有可能发生混合，但是，在进行液体甩掉处理的情况下，难以发生这样的状况。其结果，能够使所希望的浓度的SC-2适当作用于表面周缘部911。另外，还能够避免冲洗掉碱性药液SC-1的冲洗液和酸性药液SC-2的混合接触。
<ii.液体甩掉处理>
接着，进行液体甩掉处理(步骤S205)。液体甩掉处理的具体的流程是如在步骤S203说明那样的流程。即，首先，在停止向表面周缘部911喷出流体的状态下，使基板9旋转规定的时间(液体靠近工序)，然后，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的气体喷嘴50d向旋转的基板9的表面周缘部911喷出气体(吹飞工序)。当从开始从周缘部用喷出头51喷出气体起经过了规定时间(例如15秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出气体。
通过该液体甩掉处理，在表面周缘部911上残存的处理液(即，在步骤S204的清洗处理中未从基板9甩掉而残存在表面周缘部911上的SC-2)的大部分被从基板9甩掉。在步骤S204的清洗处理中未从基板9甩掉而残存在表面周缘部911上的SC-2中包含通过清洗处理从基板9除去的金属成分等杂质，而通过在清洗处理后进行液体甩掉处理，该杂质在比较早的阶段被从基板9甩掉。因此，能够降低利用由SC-2进行的药液处理从基板9除去的杂质再次附着在基板9上的风险。
<iii.冲洗处理>
接着，进行冲洗处理(步骤S206)。冲洗处理的具体的流程与步骤S202的处理相同。即，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的冲洗液喷嘴50c向旋转的基板9的表面周缘部911喷出冲洗液。当从开始喷出冲洗液起经过了规定时间(例如5秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出冲洗液。
通过该冲洗处理，冲洗掉在表面周缘部911上附着的处理液(在此为SC-2)。其中，在此，在该冲洗处理之前进行液体甩掉处理(步骤S205)，因此在表面周缘部911几乎不存在SC-2。因此，该冲洗处理的处理时间与不进行液体甩掉处理的情况相比变短。另外，在该冲洗处理中，冲洗液被向几乎不残存SC-2的表面周缘部911喷出，因此难以发生因处理液的碰撞导致处理液进入器件区域90。
<iv.液体甩掉处理>
接着，进行液体甩掉处理(步骤S207)。液体甩掉处理的具体的流程是如在步骤S203说明那样的流程。即，首先，在停止向表面周缘部911喷出流体的状态下，使基板9旋转规定的时间(液体靠近工序)，然后，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的气体喷嘴50d向旋转的基板9的表面周缘部911喷出气体(吹飞工序)。当从开始从周缘部用喷出头51喷出气体起经过了规定时间(例如15秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出气体。
通过该液体甩掉处理，在表面周缘部911残存的大部分处理液(即，在步骤S206的冲洗处理中未从基板9甩掉而残存在表面周缘部911上的冲洗液)被从基板9甩掉。
<第二酸处理(DHF)>
<i.药液处理>
接着，利用DHF对基板9的表面周缘部911进行药液处理(步骤S208)。具体地说，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的第一药液喷嘴50a向旋转的基板9的表面周缘部911喷出DHF。此时的DHF的喷出流量例如在20(mL/min)以上且在50(mL/min)以下。当从开始喷出DHF起经过了规定时间(例如10秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出DHF。
通过该药液处理除去在基板9的表面周缘部911形成的薄膜(蚀刻处理)。其中，在此，在该药液处理之前进行液体甩掉处理(步骤S207)，因此，DHF被向几乎不残存冲洗液的表面周缘部911喷出。因此，难以发生因处理液的碰撞而导致处理液进入器件区域90。另外，在表面周缘部911上，DHF和冲洗液不会发生混合，所以能够使所希望的浓度DHF适当作用于表面周缘部911。
其中，在进行该药液处理的期间，从周缘部用喷出头51的气体喷嘴50d向表面周缘部911喷出气体。此时的气体的喷出流量例如为14(L/min)。也就是说，在表面周缘部911内的各位置，在旧的DHF(即，在一周前从第一药液喷嘴50a供给并在基板9旋转一周的期间未被甩掉的旧的DHF)被从气体喷嘴50d喷出的气体除去后，从第一药液喷嘴50a向该位置供给新的DHF。根据该结构，如上所述，能够抑制因在基板9旋转一周的期间未被甩掉的旧的处理液和新供给的处理液之间的碰撞而导致处理液进入器件区域90。另外，根据该结构，总是能够使新鲜的DHF作用于基板9，提高处理效率。另外，根据该结构，能够避免在表面周缘部911内的各位置暂时保持大量的DHF的状况。其结果，能够使蚀刻宽度稳定，提高蚀刻宽度的控制精度。另外，当供给DHF时，表面周缘部911具有憎水性，因此，有时在表面周缘部911保持的旧的处理液局部变厚。当在该状态下供给新的处理液时，处理液容易弹起飞溅。因此，通过利用从气体喷嘴50d喷出的气体将旧的处理液向基板9的外侧吹飞，能够充分抑制该液滴等进入器件区域90。
<ii.冲洗处理>
接着，进行冲洗处理(步骤S209)。冲洗处理的具体的流程与步骤S202的处理相同。即，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的冲洗液喷嘴50c向旋转的基板9的表面周缘部911喷出冲洗液。当从开始喷出冲洗液起经过了规定时间(例如5秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出冲洗液。
通过该冲洗处理，冲洗掉在表面周缘部911附着的处理液(在此为DHF)。其中，也在进行该冲洗处理的期间，从周缘部用喷出头51的气体喷嘴50d向基板9的表面周缘部911喷出气体。此时的气体的喷出流量例如为14(L/min)。也就是说，在表面周缘部911内的各位置，在旧的冲洗液(即，在一周前从冲洗液喷嘴50c供给并在基板9旋转一周的期间未被甩掉的旧的冲洗液)被从气体喷嘴50d喷出的气体除去后，从冲洗液喷嘴50c向该位置供给新的冲洗液。根据该结构，如上所述，能够抑制因在基板9旋转一周的期间未被甩掉的旧的处理液和新供给的处理液之间的碰撞而导致处理液进入器件区域90。另外，根据该结构，由于能够将包含DHF的旧的冲洗液迅速从表面周缘部911除去，并且使不包含DHF的新的冲洗液作用于基板9，所以能够提高冲洗处理的处理效率。另外，根据该结构，如上所述，在表面周缘部911弹起的处理液的液滴等被由从气体喷嘴50d喷出的气体形成的气流向基板9的外侧吹飞，所以能够充分抑制该液滴等进入器件区域90。
<iii.液体甩掉处理>
接着，进行液体甩掉处理(步骤S210)。液体甩掉处理的具体的流程是如在步骤S203说明那样的流程。即，首先，在停止向表面周缘部911喷出流体的状态下，使基板9旋转规定的时间(液体靠近工序)，然后，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的气体喷嘴50d向旋转的基板9的表面周缘部911喷出气体(吹飞工序)。当从开始从周缘部用喷出头51喷出气体起经过了规定时间(例如5秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出气体。
通过该液体甩掉处理，在表面周缘部911残存的大部分处理液(即，在步骤S209的冲洗处理中未从基板9甩掉而残存在表面周缘部911上的冲洗液)被从基板9甩掉。
<4-3.处理面切换处理>
当表面周缘处理(步骤S2)结束时，接着进行处理面切换处理(步骤S3)。在处理面切换处理中，配合背面处理(步骤S4)，降低旋转基座21的旋转速度(即，基板9的旋转速度)(参照图19、图20)。即，旋转基座21的旋转速度从表面周缘处理时的旋转速度切换为比表面周缘处理时的旋转速度小的旋转速度(低速的旋转速度)。具体地说，旋转基座21的转速从表面周缘处理时的转速600rpm切换为比表面周缘处理时的转速600rpm充分小的低速的转速(例如20rpm)。
其中，如上所述，在执行处理面切换处理的期间，也从保护气体喷嘴41向基板9的表面91的中央附近持续供给保护气体。
<4-4.背面处理>
当处理面切换处理(步骤S3)结束时，接着进行背面处理(步骤S4)。参照图19、图20对背面处理进行说明。图19是表示背面处理的流程的图。图20是用于说明背面处理的图，示意性地示出在执行背面处理中的各处理工序的状态下的基板处理装置1的一部分构件。
其中，如上所述，在执行背面处理的期间，也从保护气体喷嘴41向基板9的表面91的中央附近持续供给保护气体，由此，器件区域90从供给到背面92的处理液的环境空气等被保护。
在向背面92供给处理液之前，旋转基座21的旋转速度被切换为低速的转速20rpm。在此所说的“低速的旋转速度”是指如下速度：在基板9以该旋转速度旋转的状态下，供给到基板9的背面92的处理液扩展到整个背面92，且不会绕入到基板9的表面91，具体地说，例如，“低速的旋转速度”是相当于20rpm以下的转速的旋转速度。
首先，利用SC-1对基板9的背面92进行药液处理(步骤S401)。具体地说，从背面侧喷出口82向以低速的旋转速度旋转的基板9的背面92的中央附近喷出SC-1。此时的SC-1的喷出流量例如在500(mL/min)以上且在2000(mL/min)以下。供给到背面92的中央附近的SC-1受到伴随基板9的旋转产生的离心力的作用扩展到整个背面92，由此，利用SC-1对基板9的背面92进行药液处理。在此，通过利用SC-1进行药液处理，除去在基板9的背面92形成的薄膜(蚀刻处理)。当从开始喷出SC-1起经过了规定时间(例如20秒)时，停止从背面侧喷出口82喷出SC-1。
接着，进行冲洗处理(步骤S402)。具体地说，在保持基板9以低速的旋转速度旋转的状态下，从背面侧喷出口82向基板9的背面92的中央附近喷出冲洗液。供给到背面92的中央附近的冲洗液受到伴随基板9的旋转产生的离心力的作用扩展到整个背面92，由此，冲洗掉在背面92附着的处理液(在此为SC-1)。当从开始喷出冲洗液起经过了规定时间(例如20秒)时，停止从背面侧喷出口82喷出冲洗液。
接着，利用SC-2对基板9的背面92进行药液处理(步骤S403)。具体地说，在保持基板9以低速的旋转速度旋转的状态下，从背面侧喷出口82向基板9的背面92的中央附近喷出SC-2。供给到背面92的中央附近的SC-2受到伴随基板9的旋转产生的离心力的作用扩展到整个背面92，由此，利用SC-2对背面92进行药液处理。在此，通过利用SC-2进行药液处理，除去在基板9的背面92上附着的金属成分(例如Mo、Co等)等(清洗处理)。当从开始喷出SC-2起经过了规定时间(例如20秒)时，停止从背面侧喷出口82喷出SC-2。
接着，进行冲洗处理(步骤S404)。冲洗处理的具体的流程与步骤S402的处理相同。即，在保持基板9以低速的旋转速度旋转的状态下，从背面侧喷出口82向基板9的背面92的中央附近喷出冲洗液。供给到背面92的中央附近的冲洗液受到伴随基板9的旋转产生的离心力的作用扩展到整个背面92，由此，冲洗掉在背面92上附着的处理液(在此为SC-2)。当从开始喷出冲洗液起经过了规定时间(例如20秒)时，停止从背面侧喷出口82喷出冲洗液。
接着，利用DHF对基板9的背面92进行药液处理(步骤S405)。具体地说，在保持基板9以低速的旋转速度旋转的状态下，从背面侧喷出口82向基板9的背面92的中央附近喷出DHF。此时的DHF的喷出流量例如在500(mL/min)以上且在2000(mL/min)以下。供给到背面92的中央附近的DHF受到伴随基板9的旋转产生的离心力的作用扩展到整个背面92，由此，利用DHF对背面92进行药液处理。在此，通过利用DHF进行药液处理，除去在基板9的背面92形成的薄膜(蚀刻处理)。当从开始喷出DHF起经过了规定时间(例如10秒)时，停止从背面侧喷出口82喷出DHF。
接着，进行冲洗处理(步骤S406)。冲洗处理的具体的流程与步骤S402的处理相同。即，在保持基板9以低速的旋转速度旋转的状态下，从背面侧喷出口82向基板9的背面92的中央附近喷出冲洗液。供给到背面92的中央附近的冲洗液受到伴随基板9的旋转产生的离心力的作用扩展到整个背面92，由此冲洗掉在背面92上附着的处理液(在此为DHF)。当从开始喷出冲洗液起经过了规定时间(例如22.5秒)时，停止从背面侧喷出口82喷出冲洗液。通过以上，结束背面处理。
<4-5.干燥处理>
当背面处理(步骤S4)结束时，接着，进行干燥处理(步骤S5)。在干燥处理中，在停止向基板9喷出处理液的状态下，使旋转基座21的旋转速度(即，基板9的旋转速度)从执行背面处理时的低速的旋转速度上升至比较的高速的干燥时的旋转速度(参照图19、图20)。由此，在基板9的背面92上附着的冲洗液渐渐被甩掉，最终，基板9被干燥。其中，如上所述，在执行干燥处理期间，也从保护气体喷嘴41向基板9的表面91持续供给保护气体，由此，器件区域90从处理液的环境空气等中被保护。
当从基板9开始以干燥时的旋转速度旋转起经过了规定时间时，停止旋转基座21的旋转。然后，停止从保护气体喷嘴41喷出气体，保护气体喷嘴41移动到待避位置。另外，周缘部用喷出头51、杯31、以及、半圆弧构件61、62移动到各自的待避位置。然后，一组保持构件25释放基板9，并且，搬送机械手CR将该基板9从基板处理装置1搬出。通过以上，结束对该基板9的一系列的处理。
<5.第一效果>
以往，存在向旋转的基板供给处理液来对基板进行液体处理的基板处理装置(例如参照日本特开平11-260780号公报、日本特开平9-260277号公报、日本特开2006-060252号公报、日本特开2011-238967号公报、日本特开平8-1064号公报等)。
在向旋转的基板供给处理液来对基板进行液体处理的种类的基板处理装置中，被供给到基板上的处理液的一部分从基板飞散，该飞散的处理液的一部分因被在外部配置的构件(例如用于挡住从基板飞散的处理液的杯)弹回等而再次附着在基板上，这可能成为基板的汚染原因。
例如在向基板的表面中的形成器件图案的区域(器件区域)的外侧的区域(表面周缘部)供给处理液的情况下，供给到该表面周缘部上的处理液的一部分从表面周缘部飞散，当该飞散的处理液的一部分再次附着在器件区域上时，有可能使器件图案产生不良，导致成品率下降。
因此，寻求能够抑制从基板飞散的处理液的一部分再次附着在基板上的技术。
根据上述的实施方式，周缘部用喷出头51所具有的喷嘴50和杯31之间的间隙空间V的至少一部分被挡板构件60填埋。根据该结构，从基板9飞散的处理液的雾滴等能够漂浮的空间减小了被挡板构件60填埋的空间大小，该空间变小，相应地，处理液的雾滴等再次附着在基板9上的可能性下降。即，能够抑制从基板9飞散的处理液的一部分再次附着在基板9上。
另外，根据上述实施方式，挡板构件60的下表面602的至少一部分与保持在旋转基座21上的基板9的表面周缘部911相向配置。根据该结构，从基板9飞散的处理液沿着挡板构件60的下表面602被导向杯31内。因此，能够充分抑制该飞散的处理液再次附着在基板9上。
另外，在上述的实施方式中，如果采用挡板构件60的下表面602配置在与喷嘴50中的处理液的喷出面502相同的高度位置或比该喷出面502低的位置的结构，则能够特别有效地抑制从基板9飞散的处理液再次附着在基板9上。
另外，在上述的实施方式中，如果采用挡板构件60的下表面602配置在与杯31的上端缘部301的下表面3011相同的高度位置或比该下表面3011低的位置的结构，则能够特别有效地抑制从基板9飞散的处理液再次附着在基板9上。
另外，根据上述实施方式，挡板构件60为沿着基板9的表面周缘部911的整周形成的环状构件。根据该结构，能够在基板9的整个周向上抑制从基板9飞散的处理液再次附着在基板9上。
另外，根据上述实施方式，挡板构件60由相互独立的一对半圆弧构件61、62形成，一对半圆弧构件61、62处于各半圆弧构件61、62的周向的端面彼此相互抵接在一起的状态。并且，在旋转基座21上未保持基板9的期间，一对半圆弧构件61、62处于相互分离的状态，配置在基板9的搬入搬出路径的外侧的待避位置。根据该结构，能够使挡板构件60简单地退避到基板9的搬入搬出路径的外侧。
另外，根据上述实施方式，在旋转基座21上未保持基板9的期间，杯31以及半圆弧构件61、62配置在比旋转基座21的上表面更靠下方的待避位置。根据该结构，通过向未保持基板9的旋转基座21供给清洗液并使旋转基座21旋转，能够对旋转基座21、杯31、以及各半圆弧构件61、62一起清洗。
另外，根据上述实施方式，周缘部用喷出头51所具有的喷嘴50的至少一部分容纳在挡板构件60的切口605内。根据该结构，能够不会使挡板构件60和喷嘴50相互干涉来使喷嘴50配置在基板9的表面周缘部911的上方。
<6.第二效果>
在基板中，几乎不会将器件图案(电路图案)最大限度地形成至基板的端面，大多是将器件图案形成在基板的距端面一定宽度的内侧的表面区域。
但是，在用于形成器件图案的成膜工序中，有时将膜形成至基板的背面和基板的表面上的形成器件图案的区域(器件区域)的外侧的周缘部。在背面和表面周缘部形成的膜不仅没有必要，而且可能成为各种故障的原因。例如，在背面和表面周缘部形成的膜有可能在处理工序的途中被剥落，引起成品率的下降、基板处理装置的故障等。
因此，有时进行通过蚀刻来除去在基板的背面以及表面周缘部形成的膜的处理。例如，在日本特开2004-006672号公报中记载了如下装置：向以水平姿势旋转的基板的背面供给处理液，并使该处理液绕入到基板的表面周缘部，由此对背面以及表面周缘部实施蚀刻处理。例如在日本特开2008-300454号公报、日本特开2009-070946号公报、日本特开2006-210580号公报、日本特开2006-229057号公报、日本特开2003-264168号公报、日本特开2001-060576号公报等中存在与此关联的技术。
在日本特开2004-006672号公报的方式中，由于能够一次对基板的背面和表面周缘部进行处理，所以具有能够实现高的生产能力的优点，另一方面，难以对绕入到表面周缘部的处理液的量进行控制，有可能无法对表面周缘部进行恰当处理。
因此，寻求能够抑制生产能力的下降并对表面周缘部和背面这两者进行恰当处理的技术。
根据上述实施方式，在保持基板9保持在旋转基座21上的状态下，连续进行对该基板9的表面周缘部911的处理和对该基板9的背面92的处理，因此能够抑制生产能力的下降并对基板9的表面周缘部911和背面92这两者进行处理。另一方面，根据上述实施方式，由于向基板9的表面周缘部911和基板9的背面92的分别喷出处理液，所以能够稳定地控制在表面周缘部911和背面92分别保持的处理液的量。另外，根据上述实施方式，在向表面周缘部911供给处理液后，向背面92供给处理液，所以供给到表面周缘部911上的处理液即使从基板9飞散而附着在背面92上，也能在之后通过供给到基板9的背面92上的处理液使该附着的处理液流下。因此，能够恰当地对表面周缘部911和背面92这两者进行处理。这样，根据上述实施方式，能够抑制生产能力的下降并对表面周缘部911和背面92这两者进行恰当处理。
另外，根据上述实施方式，在向背面92喷出处理液之前，使基板9的旋转速度下降。也就是说，在向表面周缘部911供给处理液的期间，基板9以比较高速旋转，在向背面92供给处理液的期间，基板9以比较低速旋转。根据该结构，能够抑制向表面周缘部911供给的处理液进入器件区域90，并且，还能够抑制供给至背面92的处理液绕入到基板9的表面91而进入器件区域90。
另外，根据上述实施方式，周缘部用喷出头51和杯31之间的间隙空间V的至少一部分被挡板构件60填埋。根据该结构，从基板9飞散的处理液的雾滴等能够漂浮的空间减小了被挡板构件60填埋的空间大小，该空间变小，相应地，处理液的雾滴等再次附着在基板9上的可能性降低。即，能够抑制从基板9飞散的处理液的一部分再次附着在基板9上。
<7.液体飞溅抑制部6的变形例>
<7-1.第一变形例的液体飞溅抑制部6a>
第一变形例的液体飞溅抑制部6a在挡板构件的结构上与上述实施方式的液体飞溅抑制部6不同，除此之外的结构都相同。参照图21～图23对液体飞溅抑制部6a所具有的挡板构件60a进行详细说明。图21是挡板构件60a的立体图。图22是从上方观察杯31、挡板构件60a、以及周缘部用喷出头51配置在各自的处理位置上的状态的俯视图。图23是从图22的箭头K1观察的侧剖视图。此外，在以下的说明中，对与在上述实施方式中说明的结构相同的结构，省略说明，并标注相同的附图标记。
挡板构件60a具有：主体部64，其是沿着基板9的表面周缘部911的整周形成的环状构件；檐部65，其从主体部64的外周壁643突出。此外，与上述的实施方式的挡板构件60相同，挡板构件60a由相互独立的多个弧状构件(在图示的例子中，为一对半圆弧构件61a、62a)形成，多个弧状构件处于各弧状构件的周向的端面彼此相互抵接在一起的状态。
主体部64是与上述的实施方式的挡板构件60相同的构件。
檐部65是平板环状的构件，其内径具有与主体部64的内径相等的的尺寸，其外径具有比主体部64的外径大的尺寸。檐部65的下表面652中的至少内周部分紧贴设置在主体部64的上表面上，由此，檐部65和主体部64形成为一体。
檐部65的外径具有比杯31的上端缘部301的内径大的尺寸。因此，当从上方观察配置在处理位置的挡板构件60a时，从主体部64的外周壁643(即，位于基板9的端面93的外侧，与杯31的上端缘部301以非接触的状态接近且沿着上端缘部301的整周延伸的外周壁643)突出的檐部65的外周缘651在杯31的上端缘部301的外侧沿着上端缘部301的整周延伸。
在挡板构件60a配置在处理位置的状态下，檐部65的下表面652中的突出到主体部64的外侧的部分在檐部65的整周与杯31(配置在处理位置的杯31)的上端缘部301的上表面3012抵接。也就是说，檐部65的下表面652和杯31的上表面3012不存在间隙地抵接在一起。由此，主体部64和杯31的上端缘部301之间的间隙(即，从上方观察，环状的间隙)恰好被檐部65覆盖(优选堵住)。
根据该变形例的挡板构件60a，杯31的上端缘部301和主体部64的外周壁643之间的间隙被檐部65覆盖。根据该结构，沿着该间隙向上方流动到达基板9这样的处理液的飞散路径被檐部65切断。因此，能够充分抑制从基板9飞散的处理液再次附着在基板9上。
<7-2.第二变形例的液体飞溅抑制部6b>
参照图24、图25对第二变形例的液体飞溅抑制部6b进行说明。图24是从上方观察杯31、液体飞溅抑制部6b、以及周缘部用喷出头51配置在各自的处理位置的状态的俯视图。图25是从图24的箭头K2观察的侧剖视图。此外，在以下的说明中，对与在上述实施方式中说明的结构相同的结构，省略说明，并标注相同的附图标记。
液体飞溅抑制部6b具有沿着基板9的表面周缘部911的一部分形成的弯曲成弧状的弧状构件66。该弧状构件66是通过将上述实施方式的挡板构件60(或第一变形例的挡板构件60a)在周向的途中切断并呈弧状切出而得到的构件。弧状构件66的在周向上的长度优选为与周缘部用喷出头51的长度(在喷嘴50的排列方向上的长度)相同程度的长度、或比周缘部用喷出头51的长度稍长的长度。
弧状构件66固定在周缘部用喷出头51上。具体地说，例如，弧状构件66通过上表面664紧贴设置在周缘部用喷出头51的支撑部500的下表面上来固定在周缘部用喷出头51。其中，在弧状构件66的内周壁661上形成有容纳周缘部用喷出头51的至少一部分的切口665，在周缘部用喷出头51配置在处理位置的状态下，周缘部用喷出头51的至少一部分成为容纳在该切口665的状态。另外，弧状构件66的下表面662优选配置在与周缘部用喷出头51的喷出面502相同的高度位置、或比该喷出面502低的位置上。
由于弧状构件66固定在周缘部用喷出头51上，所以当周缘部用喷出头51配置在处理位置上时，固定在周缘部用喷出头51上的弧状构件66配置在与保持在旋转基座21上的基板9的表面周缘部911以非接触状态接近的位置(处理位置)上。
当从上方观察配置在处理位置上的弧状构件66时，弧状构件66的外周壁663位于基板9的端面93的外侧，并且，以与杯31的上端缘部301非接触的状态接近杯31的上端缘部301，并沿着上端缘部301延伸。另外，当从上方观察配置在处理位置的弧状构件66时，弧状构件66的内周壁661位于基板9的端面93的内侧，弧状构件66的下表面662的至少内周部分与保持在旋转基座21上的基板9的表面周缘部911相向配置。此时，弧状构件66的下表面662和保持在旋转基座21上的基板9的表面91之间的分离距离例如在1mm以上且1.5mm以下。另外，此时，下表面662优选配置在与在处理位置配置的杯31的上端缘部301的下表面3011相同的高度位置或比下表面3011低的位置。
根据该变形例，在周缘部用喷出头51配置在处理位置上的状态下，周缘部用喷出头51和杯31的上端缘部301之间的间隙空间V的至少一部分被弧状构件66填埋。根据该结构，从基板9飞散的处理液的雾滴等能够漂浮的空间减小了被弧状构件66填埋的空间大小，该空间变小，相应地，在基板9的附近的处理液的漂浮量变少。其结果，处理液的雾滴等再次附着在基板9上的可能性降低。即，能够抑制从基板9飞散的处理液的一部分再次附着在基板9上。
特别是，在此，弧状构件66的下表面662的至少一部分与表面周缘部911相向配置，因此，从基板9飞散的处理液沿着弧状构件66的下表面662导向杯31内。因此，能够充分抑制该飞散的处理液再次附着在基板9上。
特别是，发明者们确认，通过将弧状构件66的下表面662配置在与周缘部用喷出头51的喷出面502相同的高度位置或比喷出面502低的位置，能够特别有效地抑制从基板9飞散的处理液附着在基板9(特别是器件区域90)。另外，发明者们确认，通过将弧状构件66的下表面662配置在与杯31的上端缘部301的下表面3011相同的高度位置或比该下表面3011低的位置，也能够特别有效地抑制从基板9飞散的处理液附着在基板9(特别是器件区域90)上。
另外，根据该变形例，由于弧状构件66固定在周缘部用喷出头51上，所以能够使弧状构件66与周缘部用喷出头51一起移动。因此，没有必要分别单独设置用于使弧状构件66移动的驱动机构和用于使周缘部用喷出头51移动的驱动机构，能够使装置结构简化。
<<第二实施方式>>
<1.基板处理装置1的结构>
参照图26～图28对第二实施方式的基板处理装置1的结构进行说明。图26是基板处理装置1的概略立体图，示出构成挡板构件60的半圆弧构件61、62、杯31、以及周缘部用喷出头51配置在各自的待避位置的状态。图27也是基板处理装置1的概略立体图，在此，示出挡板构件60、杯31、以及周缘部用喷出头51配置在各自的处理位置的状态。图28是用于说明基板处理装置1的结构的示意图。基板处理装置1例如搭载在上述的基板处理系统100上。另外，在基板处理装置1中，上述的基板9为处理对象。
此外，在以下的说明中，“处理液”包括在药液处理中使用的“药液”和在冲洗掉药液的冲洗处理中使用的“冲洗液”。
基板处理装置1具有旋转卡盘2、飞散防止部3、表面保护部4、周缘处理部5、液体飞溅抑制部6、加热处理部7、以及下表面处理部8。所述各部2～8与控制部130电连接，根据来自控制部130的指示进行动作。飞散防止部3、表面保护部4、周缘处理部5、液体飞溅抑制部6、以及加热处理部7的结构为如在第一实施方式说明那样的结构。另外，下表面处理部8是向由保持部25保持在旋转基座21上的基板9的下表面喷出处理液来对该下表面进行处理的构件，其具体的结构与例如在第一实施方式中说明的背面处理部8相同。此外，在此，假设基板9以表面91朝向上方的状态由后述的保持部25保持在旋转基座21上。当然，在该实施方式中，旋转基座21上的基板9未必使表面91朝向上方，也可以使背面92朝向上方。
<旋转卡盘2>
旋转卡盘2是以基板9的表面91朝向上方的状态将基板9保持为大致水平姿势的基板保持部，并使该基板9围绕通过其表面91的中心的铅垂的旋转轴A旋转。
旋转卡盘2具有旋转基座21，该旋转基座21是比基板9大一些的圆板状的构件。在旋转基座21的下表面中央部连接有旋转轴部22。旋转轴部22以使轴线沿着铅垂方向那样的姿势配置。另外，在旋转轴部22上连接有使旋转轴部22围绕其轴线旋转驱动的旋转驱动部(例如马达)23。旋转轴部22以及旋转驱动部23容纳在筒状的壳体24内。另外，旋转卡盘2具有在从旋转基座21的上表面稍微离开的位置将基板9保持为水平姿势的保持部25。关于保持部25，在后面详细说明。
在该结构中，在保持部25在旋转基座21的上方保持基板9的状态下，当旋转驱动部23使旋转轴部22旋转时，旋转基座21围绕沿着铅垂方向的轴心旋转，由此，保持在旋转基座21上的基板9围绕通过其面内的中心的铅垂的旋转轴A旋转。
其中，保持部25以及旋转驱动部23与控制部130电连接，并在控制部130的控制下进行动作。也就是说，在旋转基座21上保持基板9的时刻、释放所保持的基板9的时刻、以及旋转基座21的旋转方式(具体地说，旋转开始时刻、旋转结束时刻、转速(即，旋转速度)等)由控制部130控制。
<2.保持部25>
<2-1.整体结构>
参照图29等对保持部25的整体结构进行说明。图29是从斜上方观察旋转基座21的立体图。
保持部25具有在旋转基座21的上表面的周缘部附近隔着适当的间隔(例如以等间隔)排列的多个(例如6个)第一抵接构件210。从上方观察，多个第一抵接构件210排列在几乎沿着基板9的周缘那样的圆周上。
另外，保持部25具有在旋转基座21的上表面的周缘部附近隔着适当的间隔(例如以等间隔)排列的多个(例如6个)第二抵接构件220。从上方观察，多个第二抵接构件220排列在几乎沿着基板9的周缘那样的圆周上。其中，第二抵接构件220和第一抵接构件210沿着旋转基座21的周向隔着间隔交替设置。例如，从旋转基座21的旋转轴A观察，各第二抵接构件220配置于在其两侧配置的第一抵接构件210的大致正中央的位置。
保持部25还具有切换部230，该切换部230对多个第一抵接构件210保持基板9的第一保持状态和多个第二抵接构件220保持基板9的第二保持状态进行切换。
在以下，对保持部25所具有的各构件210、220、230进行具体说明。
<2-2.第一抵接构件210>
参照图29和图30对第一抵接构件210进行说明。图30是从侧方观察第一抵接构件210的图。
多个第一抵接构件210各自具有相同的结构。即，各第一抵接构件210具有在旋转基座21的上表面立设的基体部分211和在基体部分211的上侧连接的顶端部分212。基体部分211的下端固定在旋转基座21上，基体部分211是在铅垂方向上延伸的例如圆柱形状的部分。另一方面，顶端部分212具有从圆锥体与该圆锥体的底面平行地切掉上部而成的形状部分。顶端部分212的上端面2121为水平面，顶端部分212的侧面2120为相对于水平面倾斜的面(以下也称为“倾斜侧面”)。优选顶端部分212的倾斜侧面2120与水平面所形成的角度θ在45°以上。
优选第一抵接构件210的表面具有疏水性。为此，例如，第一抵接构件210自身可以由疏水性的树脂(例如PTFE：聚四氟乙烯)形成，也可以对第一抵接构件210的表面实施使其具有疏水性那样的表面加工。
各第一抵接构件210从基板9的斜下方与该基板9抵接。具体地说，各第一抵接构件210在其倾斜侧面2120与基板9的下侧边缘部(即，连接基板9的下表面(图示的例子中为背面92)和端面93的非平坦的面区域部分)抵接。也就是说，第一抵接构件210不会从基板9的侧方与基板9抵接，而仅从基板9的斜下方与基板9抵接。另外，在各第一抵接构件210与基板9抵接的状态下，该基板9的上表面(在图示的例子中为表面91)位于比第一抵接构件210的上端面2121更高的位置。
多个第一抵接构件210都从基板9的斜下方与该基板9抵接，由此实现如下状态(图29、图32、图33所示的状态)：该基板9在水平面内被定位，并且，在从旋转基座21的上表面分离的位置(即，与旋转基座21的上表面隔开规定的间隔h1)以大致水平姿势被保持的状态。其中，被多个第一抵接构件210保持的基板9的上表面位于比各第一抵接构件210的上端(具体地说，上端面2121)更高的位置。此外，该间隔h1具有比搬送机械手CR的手部121的厚度大的尺寸。以下，将多个第一抵接构件210保持基板9的状态称为“第一保持状态”。
如上所述，在第一保持状态下，基板9的上表面位于比各第一抵接构件210的上端面2121更高的位置。根据该结构，在后述的背面处理中，供给至基板9的下表面的处理液难以沿着第一抵接构件210绕入到基板9的上表面。
另外，在第一保持状态下，各第一抵接构件210在倾斜侧面2120与基板9抵接。根据该结构，靠近基板9的下表面和倾斜侧面2120的间隙空间的液体容易沿着倾斜侧面2120向下方落下。即，在该间隙空间难以形成积存液体。因此，能够抑制发生在该间隙空间产生积存液体并且该积存液体绕入到基板9的上表面这样的状况。进而，由于形成供给到基板9的下表面的处理液沿着倾斜侧面2120落到下方这样的处理液的液流(即，将供给到基板9的下表面的处理液导向下方的处理液的液流)，所以供给到基板9的下表面的处理液不会绕入到上表面而能够从基板9迅速地除去。
特别是，如果倾斜侧面2120与水平面所成的角度θ在45°以上，则靠近基板9的下表面和倾斜侧面2120的间隙空间的液体迅速地沿着倾斜侧面2120向下方落下。因此，能够充分抑制发生在该间隙空间产生积存液体且该积存液体绕入到基板9的上表面这样的状况，并且，供给到基板9的下表面的处理液不会绕入到上表面而能够从基板9特别迅速地除去。另外，如果倾斜侧面2120和水平面所成的角度θ在45°以上，则基板9和倾斜侧面2120之间的接触面积变小，因此还能够抑制处理液通过毛细管现象绕入到基板9的上表面。
特别是，如果第一抵接构件210的表面具有疏水性，则处理液难以附着在第一抵接构件210上，在基板9的下表面和第一抵接构件210(具体地说，例如倾斜侧面2120)之间的间隙空间难以形成积存液体。因此，能够抑制发生在该间隙空间产生积存液体并且该积存液体绕入到基板9的上表面这样的状况。
<2-3.第二抵接构件220>
参照图29和图31对第二抵接构件220进行说明。图31是从侧方观察第二抵接构件220的图。
多个第二抵接构件220各自具有相同的结构。即，各第二抵接构件220具有：基体部分221，立设于在旋转基座21上配设的基台231(后述)的上表面上；下方抵接部分222，与基体部分221的上侧连接；侧方抵接部分223，与下方抵接部分222的上侧连接。基体部分221是其下端固定在基台231上的柱状部分。另外，从上方观察，下方抵接部分222例如是长圆形状的部分，其长度方向与朝向旋转基座21的旋转轴A的方向大致一致(参照图32)。下方抵接部分222的上表面为随着接近上方而向从旋转轴A离开的方向倾斜的面(倾斜面)2220。另外，侧方抵接部分223是在从上方观察时在下方抵接部分222中的距旋转轴A远的一侧的端部附近与倾斜面2220的上端缘连接，并沿着铅垂方向延伸的例如圆柱形状的部分。也就是说，第二抵接构件220具有相对于水平面倾斜的倾斜面2220和与倾斜面2220的上端连接并沿着铅垂延伸的铅垂侧面2230。
各第二抵接构件220从基板9的侧方以及基板9的斜下方与该基板9抵接。具体地说，各第二抵接构件220在其倾斜面2220与基板9的下侧边缘部抵接，在其铅垂侧面2230与基板9的端面93抵接。在各第二抵接构件220与基板9抵接的状态下，该基板9的上表面(在图示的例子中，为表面91)位于比第二抵接构件220的上端低的位置。
多个第二抵接构件220都从基板9的侧方以及斜下方与该基板9抵接，由此实现如下状态(图34、图35所示的状态)：该基板9在水平面内被定位，并且，在与旋转基座21的上表面分离的位置(即，与旋转基座21的上表面隔开规定的间隔h2)以大致水平姿势保持。其中，如在后面说明那样，该间隔h2比保持在多个第一抵接构件210上的基板9和旋转基座21之间的间隔h1大。以下，将多个第二抵接构件220保持基板9的状态称为“第二保持状态”。
如上所述，在第二保持状态下，多个第二抵接构件220各自的铅垂侧面2230与基板9的端面93抵接。也就是说，多个第二抵接构件220从端面93侧夹入基板9进行把持。根据该结构，例如，即使基板9以比较高速旋转，该基板9在水平面内也难以发生位置偏移。
<2-4.切换部230>
<i.结构>
如上所述，切换部230对多个第一抵接构件210保持基板9的第一保持状态和多个第二抵接构件220保持基板9的第二保持状态进行切换。接着，参照图29、图31对切换部230的结构进行说明。
切换部230具有：基台231，对多个第二抵接构件220分别进行支撑；转动轴部232，将多个基台231分别支撑在旋转基座21的上方；驱动部233，使多个转动轴部232一齐转动；切换控制部234，对驱动部233进行控制。切换控制部234例如在控制部130中实现。
转动轴部232上下贯通旋转基座21的上板而设置，在其上端(即，旋转基座21的上表面的上侧)能够支撑基台231，在其下端(即，旋转基座21的上板的下侧)与驱动部233连接。其中，从上方观察，转动轴部232在从第二抵接构件220偏心的位置与基台231连接。在该结构中，当驱动部233在切换控制部234的控制下使转动轴部232转动时，基台231以转动轴部232为中心转动，第二抵接构件220在与旋转基座21的旋转轴A接近或分离的方向(即，与旋转基座21上的基板9的端面93接近或分离的方向)上移动。其中，此时，第二抵接构件220移动的方向与倾斜面2220的长度方向(即，连接倾斜面2220的上端缘和下端缘的方向)几乎一致。
<ii.切换的方式>
切换部230通过使多个第二抵接构件220在与旋转基座21上的基板9的周缘接近或分离的方向移动，能够在第一保持状态和第二保持状态之间进行切换。参照图32～图35对该切换的方式进行说明。图32是表示第一保持状态的俯视图。图33是从箭头K1方向观察图32的侧剖面。图34是表示第二保持状态的俯视图。图35是从箭头K1方向观察图34的侧剖面。
a.从第一保持状态向第二保持状态的切换
在多个第一抵接构件210保持基板9的第一保持状态(图32、图33所示的状态)下，当切换控制部234控制驱动部233使多个转动轴部232一齐向第二抵接构件220接近基板9的端面93的方向(第一方向AR1)转动时，各第一抵接构件210与基板9分离，并且各第二抵接构件220与基板9抵接，形成多个第二抵接构件220保持基板9的第二保持状态(图34、图35所示的状态)。即，从第一保持状态切换为第二保持状态。
对从第一保持状态向第二保持状态的切换方式进行具体说明。当多个转动轴部232从基板9被多个第一抵接构件210保持的状态(图32、图33所示的状态)向第一方向AR1一齐转动时，各第二抵接构件220接近基板9，各第二抵接构件220在其倾斜面2220的下端缘附近从斜下方与基板9的下侧边缘部抵接。并且，随着转动的进行，各倾斜面2220上的与基板9抵接的抵接位置向倾斜面2220的上端缘侧移动，伴随于此，基板9保持着水平姿势被举到上方。由此，基板9从各第一抵接构件210离开。当各倾斜面2220上的与基板9抵接的抵接位置到达倾斜面2220的上端缘，并且基板9的端面93与各第二抵接构件220的铅垂侧面2230对接时，停止多个转动轴部232的转动。由此，形成多个第二抵接构件220保持基板9的第二保持状态(图34、图35所示的状态)。
从上述说明可以清楚得知，在第二保持状态下，多个第一抵接构件210与基板9分离。根据该结构，供给到该基板9的下表面的处理液难以沿着第一抵接构件210绕入到基板9的上表面。
此外，第一抵接构件210的高度尺寸(即，旋转基座21的上表面和第一抵接构件210的上端面2121之间的分离距离)优选小于保持在多个第二抵接构件220上的基板9和旋转基座21的间隔h2。根据该结构，由于保持在多个第二抵接构件220上的基板9和各第一抵接构件210充分分离，所以能够充分抑制供给到基板9的下表面的处理液沿着第一抵接构件210绕入到基板9的上表面。
b.从第二保持状态向第一保持状态的切换
在多个第二抵接构件220保持基板9的第二保持状态(图34、图35所示的状态)下，当切换控制部234控制驱动部233，使多个转动轴部232向第二抵接构件220从基板9的端面93离开的方向(第二方向AR2)一齐转动时，各第二抵接构件220从基板9离开，各第一抵接构件210与基板9抵接，形成多个第一抵接构件210保持基板9的第一保持状态(图32、图33所示的状态)。即，从第二保持状态切换为第一保持状态。
对从第二保持状态向第一保持状态的切换方式进行具体说明。当多个转动轴部232从基板9被多个第二抵接构件220保持的状态(图34、图35所示的状态)向与第一方向AR1相反的第二方向AR2一齐转动时，各第二抵接构件220的铅垂侧面2230从基板9的端面93离开。并且，随着转动的进行，各倾斜面2220上的与基板9抵接的抵接位置移动到倾斜面2220的下端缘侧，伴随于此，基板9保持着水平姿势下降。当基板9到达与旋转基座21的上表面隔开规定的间隔h1的水平位置时，各第一抵接构件210的倾斜侧面2120从斜下方与基板9的下侧边缘部抵接。由此，基板9被从多个第二抵接构件220交给多个第一抵接构件210。当进一步进行转动时，各第二抵接构件220的倾斜面2220从基板9完全分离。当各第二抵接构件220从基板9充分离开时，停止多个转动轴部232的转动。由此，形成多个第一抵接构件210保持基板9的第一保持状态(图32、图33所示的状态)。
从上述说明可以清楚得知，在第一保持状态下，多个第二抵接构件220与基板9分离。根据该结构，供给到该基板9的下表面的处理液难以沿着第二抵接构件220绕入到基板9的上表面。此外，如上所述，在第一保持状态下，基板9的上表面位于比第一抵接构件210的上端更高的位置，因此供给到该基板9的下表面的处理液也不会容易沿着第一抵接构件210绕入到基板9的上表面。也就是说，在第一保持状态下，能够充分抑制处理液绕入到基板9的上表面。
<iii.切换的时刻>
如上所述，在该实施方式中，切换部230通过使第二抵接构件220在与旋转基座21上的基板9的周缘接近或分离的方向上移动，来进行第一保持状态和第二保持状态之间的切换。切换部230(具体地说，切换控制部234)在基板9的旋转速度小于规定的阈值T的情况下，使多个第一抵接构件210保持基板9，在基板9的旋转速度为阈值T以上的情况下，使多个第二抵接构件220保持基板9。
例如，在对基板9进行一系列的处理中，在保持在多个第一抵接构件210上的基板9的旋转速度上升到阈值T以上的旋转速度的情况下，切换部230进行从第一保持状态向第二保持状态的切换。
另外，例如，在基板9进行一系列的处理中，在保持在多个第二抵接构件220上的基板9的旋转速度下降至小于预先设定的阈值T的旋转速度的情况下，切换部230根据需要进行从第二保持状态向第一保持状态的切换。
其中，优选保持状态的切换(从第一保持状态向第二保持状态的切换、以及从第二保持状态向第一保持状态的切换)在基板9以小于阈值T的低速的旋转速度进行旋转的期间、或基板9未旋转的期间进行。另外，还优选保持状态的切换在附着在基板9上的处理液的量比较少的状态(例如从基板9几乎完全甩掉处理液的状态)进行。
这样，在该实施方式中，以小于阈值T的旋转速度旋转的基板9由多个第一抵接构件210保持，以阈值T以上的旋转速度旋转的基板9由多个第二抵接构件220保持。也就是说，多个第一抵接构件210是用于保持以比较低速旋转的基板9的保持部(低速用保持部)，多个第二抵接构件220是用于以比较高速旋转保持基板9的保持部(高速用保持部)。
基板9的旋转速度越小，供给到基板9的下表面的处理液越难以在离心力的作用下被甩掉，因此该处理液容易绕入到基板9的上表面，而通过在基板9以比较低速旋转时处于多个第一抵接构件210保持基板9的第一保持状态，能够抑制供给到该基板9的下表面的处理液绕入到基板9的上表面。此外，如果基板9的旋转速度小，则难以发生基板9在水平面内产生位置偏移的状况。因此，如果基板9以比较低速旋转，则即使处于第一保持状态(即，即使不从端面93侧夹入把持基板9)，也能将基板9持续保持在水平面内的规定的位置。
另一方面，基板9的旋转速度越大，基板9在水平面内越容易产生位置偏移，而通过在基板9以比较高速旋转时处于多个第二抵接构件220保持基板9的第二保持状态，能够避免该基板9在水平面内产生位置偏移。此外，如果基板9的旋转速度大，则供给到基板9的下表面的处理液容易在离心力的作用下被甩掉，该处理液难以绕入到基板9的上表面。因此，如果基板9以比较高速旋转，则即使处于第二保持状态(即，即使第二抵接构件220与基板9的端面93抵接)，供给到该基板9的下表面的处理液沿着第二抵接构件220绕入到基板9的表面的可能性低。
此外，阈值T的具体的值例如能够由作业人员通过控制部130任意设定。在以下的说明中，假设该阈值T设定为例如100rpm，并对具体的切换时刻的一例进行说明。
<3.基板处理装置1的动作>
接着，对基板处理装置1的动作进行说明。在基板处理装置1中，在控制部130的控制下执行以下说明的一系列处理。当然，以下说明的只不过是能够在基板处理装置1中执行的处理的一例。
在基板处理装置1中，例如对一张基板9依次进行前处理(步骤S1)、表面周缘处理(步骤S2)、处理面切换处理(步骤S3)、背面处理(步骤S4)、以及干燥处理(步骤S5)(图14)。以下，对各处理具体说明。
<3-1.前处理>
参照图36、图16对前处理(步骤S1)进行说明。图36是表示前处理的流程的图。图16是用于说明前处理的图，示意性地示出在执行前处理中的各处理工序的状态下的基板处理装置1的一部分构件。
首先，在半圆弧构件61、62、杯31、周缘部用喷出头51、以及保护气体喷嘴41配置在各自的待避位置的状态下，搬送机械手CR将基板9移载在旋转基座21上，保持部25将该基板9保持在旋转基座21上(步骤S101)。
具体地说，在步骤S101的处理如下进行。首先，搬送机械手CR以基板9的表面91朝向上方的姿势将基板9移载在旋转基座21上。其中，此时，多个第二抵接构件220配置在与基板9的周缘分离的位置，从搬送机械手CR移载在旋转基座21上的基板9首先保持在多个第一抵接构件210上(步骤S1011)。
当多个第一抵接构件210保持基板9时，接着，切换部230进行从第一保持状态向第二保持状态的切换，使该基板9保持在多个第二抵接构件220上(步骤S1012)。由此，修正旋转基座21上的基板9的位置偏移和姿势的倾斜。也就是说，即使移载在旋转基座21上并被多个第一抵接构件210保持的基板9在水平面内配置在从所希望的位置偏移的位置，或处于从水平姿势稍微倾斜的姿势，通过将该基板9暂时保持在多个第二抵接构件220上，能够形成该基板9准确地与所希望的位置对准的状态，并且该基板9的姿势处于水平姿势。
然后，切换部230根据需要进行从第二保持状态向第一保持状态的切换。具体地说，在基板9开始旋转之后才开始进行的处理中，基板9的旋转速度小于阈值T的情况下，切换部230在该阶段进行从第二保持状态向第一保持状态的切换。在本实施方式中，在基板9开始旋转开之后才开始进行的处理(步骤S106)中，基板9的旋转速度在阈值T以上。因此，在本实施方式中，切换部230在该阶段不进行从第二保持状态向第一保持状态的切换。也就是说，维持多个第二抵接构件220保持基板9的第二保持状态不变。
当基板9保持在旋转基座21上时，挡板构件60移动到处理位置(步骤S102)。具体地说，半圆弧构件驱动部63的升降驱动部631使配置在待避位置的各半圆弧构件61、62上升到比旋转基座21的上表面稍微靠上方的位置，接着，半圆弧构件驱动部63的进退驱动部632使各半圆弧构件61、62在水平面内向接近另一个半圆弧构件的方向移动，以形成各半圆弧构件61、62的周向的端面彼此相互抵接在一起状态。由此，形成作为环状构件的挡板构件60配置在处理位置的状态。此外，即使旋转基座21开始旋转，配置在处理位置的挡板构件60也不旋转而保持静止状态。
当挡板构件60配置在处理位置时，接着，配置在待避位置的杯31上升，并配置在处理位置(步骤S103)。由此，形成了杯31以同时包围保持在旋转基座21上的基板9和挡板构件60的方式配置的状态。
当杯31配置在处理位置时，接着，保护气体喷嘴41从待避位置移动到处理位置。然后，从配置在处理位置的保护气体喷嘴41向基板9的表面91的中央附近开始喷出保护气体(步骤S104)。在此开始的向基板9的表面91的中央附近供给保护气体的处理持续执行到对该基板9的处理结束为止。通过持续向基板9的表面91的中央附近供给保护气体，在对该基板9进行处理的期间，器件区域90不会曝露在供给到表面周缘部911等的处理液的环境空气等中。也就是说，器件区域90从供给到表面周缘部上的处理液的环境空气中被持续保护。
此外，在此，在杯31配置在处理位置上后，开始从保护气体喷嘴41喷出保护气体。如果未等杯31上升至处理位置，就开始从保护气体喷嘴41喷出保护气体，则有可能使基板9的表面周缘部911附近的气流紊乱，发生卷起现象，导致颗粒等附着在基板9上，而如果采用在杯31配置在处理位置后开始喷出保护气体的结构，则能够避免发生这样的问题。
接着，开始使旋转基座21旋转，由此保持在旋转基座21上的基板9(其中，如上所述，此时，基板9由多个第二抵接构件220保持)以水平姿势开始旋转(步骤S105)。此时的旋转基座21的转速(即，基板9的转速)例如为600rpm。该转速被适当设定为如下转速，即，在进行表面周缘处理的期间，供给到表面周缘部911的处理液不会进入器件区域90，另外，也不会移动到端部93侧(也就是说，处理液稳定地保持在应实施处理的表面周缘部911内的区域)。
接着，从蒸汽喷嘴71向旋转的基板9的背面92喷出蒸汽(预蒸)(步骤S106)。当从开始喷出蒸汽起经过了规定时间(例如5秒)时，停止从蒸汽喷嘴71喷出蒸汽。通过该预蒸对基板9进行加热。在对基板9的药液处理中使用的药液大多是温度越高则越促进反应的药液，结果，基板9预先通过预蒸被加热，由此，促进药液处理中的药液和基板9之间的反应。其结果，缩短药液处理的处理时间，并且抑制药液的使用量。通过以上，前处理结束。
<3-2.表面周缘处理>
当前处理(步骤S1)结束时，接着，进行表面周缘处理(步骤S2)。参照图17、图18对表面周缘处理进行说明。图17表示表面周缘处理的流程的图。图18是用于说明表面周缘处理的图，示意性地示出在执行表面周缘处理中的各处理工序的状态下的基板处理装置1的一部分构件。
其中，在本实施方式中，在执行以下说明的表面周缘处理的期间，基板9以阈值T以上的一定的旋转速度(例如、600rpm)持续旋转。因此，在本实施方式中，切换部230在开始进行表面周缘处理的时刻不进行从第二保持状态向第一保持状态的切换。也就是说，维持多个第二抵接构件220保持基板9的第二保持状态不变来进行表面周缘处理。
表面周缘处理的具体的方式是如在第一实施方式说明那样的方式。即，首先，通过SC-1对基板9的表面周缘部911进行药液处理(步骤S201)，接着，进行冲洗处理(步骤S202)，接着，进行液体甩掉处理(步骤S203)。接着，通过SC-2对基板9的表面周缘部911进行药液处理(步骤S204)，接着，进行液体甩掉处理(步骤S205)，接着，进行冲洗处理(步骤S206)，接着，进行液体甩掉处理(步骤S207)。接着，通过DHF对基板9的表面周缘部911进行药液处理(步骤S208)，接着，进行冲洗处理(步骤S209)，接着，进行液体甩掉处理(步骤S210)。通过以上，表面周缘处理结束。此外，如上所述，在此也是在执行表面周缘处理的期间，从保护气体喷嘴41向基板9的表面91的中央附近持续供给保护气体，由此，器件区域90从供给至表面周缘部911的处理液的环境空气中被保护。
<3-3.处理面切换处理>
当表面周缘处理(步骤S2)结束时，接着进行处理面切换处理(步骤S3)。其中，如上所述，在执行处理面切换处理的期间，也从保护气体喷嘴41向基板9的表面91的中央附近持续供给保护气体。
在处理面切换处理中，首先，降低旋转基座21的旋转速度(即，基板9的旋转速度)(步骤S31)。即，旋转基座21的旋转速度从表面周缘处理时的旋转速度(例如600rpm)切换为比表面周缘处理时的旋转速度小的旋转速度(低速的旋转速度)(例如20rpm)。
通过进行步骤S31，基板9的旋转速度变得小于阈值T。因此，切换部230在进行步骤S31后进行从第二保持状态向第一保持状态的切换(步骤S32)。
<3-4.背面处理>
当处理面切换处理(步骤S3)结束时，接着进行背面处理(步骤S4)。参照图37、图20对背面处理进行说明。图37是表示步骤S2～步骤S4的流程的图。图20是用于说明背面处理等的图，示意性地示出在执行背面处理中的各处理工序的状态下的基板处理装置1的一部分构件。
其中，如在后面明确那样，在进行以下说明的背面处理的期间，基板9持续以小于阈值T的一定的旋转速度(低速的旋转速度，具体地说，例如为20rpm)旋转。因此，在该实施方式中，切换部230在开始进行背面处理的时刻不进行从第一保持状态向第二保持状态的切换。也就是说，维持多个第一抵接构件210保持基板9的第一保持状态不变来进行背面处理。
在向背面92供给处理液之前，旋转基座21的旋转速度被切换为低速的转速20rpm。在此所说的“低速的旋转速度”是指如下速度：在基板9以该旋转速度旋转的状态下，供给到基板9的背面92的处理液扩展到整个背面92，且不会绕入到基板9的表面91，具体地说，例如，“低速的旋转速度”是相当于20rpm以下的转速的旋转速度。
背面处理的具体的方式是如在第一实施方式说明那样的方法。即，首先，通过SC-1对基板9的背面92进行药液处理(步骤S401)。接着，进行冲洗处理(步骤S402)。接着，通过SC-2对基板9的背面92进行药液处理(步骤S403)。接着，进行冲洗处理(步骤S404)。接着，通过DHF对基板9的背面92进行药液处理(步骤S405)。接着，进行冲洗处理(步骤S406)。通过以上，背面处理结束。如上所述，在进行该背面处理的期间，处于多个第一抵接构件210保持基板9的第一保持状态。因此，能够抑制供给到基板9的背面92的处理液绕入到基板9的表面。此外，如上所述，在此也在进行背面处理的期间，从保护气体喷嘴41向基板9的表面91的中央附近持续供给保护气体，由此，器件区域90从供给到背面92的处理液的环境空气等中被保护。
<3-5.干燥处理>
当背面处理(步骤S4)结束时，接着，进行干燥处理(步骤S5)。其中，如上所述，在执行干燥处理期间，也从保护气体喷嘴41向基板9的表面91的中央附近持续供给保护气体。
在干燥处理中，在停止向基板9喷出处理液的状态下，旋转基座21的旋转速度(即，基板9的旋转速度)从低速的旋转速度上升至比较高速的干燥时的旋转速度。在此，在从基板9的旋转速度开始上升起(步骤S51)不久的期间，基板9以小于阈值T的转速旋转。在基板9以比阈值T小的比较低速的旋转速度旋转的期间，切换部230不进行从第一保持状态向第二保持状态的切换。也就是说，在基板9以比较低速的旋转速度旋转的期间，维持多个第一抵接构件210保持基板9的第一保持状态不变。在该期间，在基板9上附着的冲洗液大部分地被甩掉。
当从基板9的旋转速度开始上升起经过了规定的时间时，基板9的旋转速度到达阈值T。切换部230在基板9的旋转速度变为阈值T之前进行从第一保持状态向第二保持状态的切换(步骤S52)。
在基板9的旋转速度到达阈值T后，基板9的旋转速度进一步上升，最终达到干燥时的旋转速度(步骤S53)。在基板9以阈值T以上的比较的高速的旋转速度旋转的期间，处于多个第二抵接构件220保持基板9的第二保持状态。在该期间，在基板9附着的冲洗液完全被除去，最终基板9被干燥。当从基板9开始以干燥时的旋转速度旋转起经过了规定时间时，停止旋转基座21的旋转。通过以上，干燥处理结束。
如上所述，在从开始进行干燥处理起不久的期间(干燥处理的早期)，基板9以比较低速旋转，在该基板9上附着的冲洗液大部分被甩掉。在该期间，处于多个第一抵接构件210保持基板9的第一保持状态。因此，在冲洗液大部分被甩掉时，能够抑制该冲洗液绕入到基板9的表面。此外，在干燥处理的早期，基板9的旋转速度为比较低，所以能够通过多个第一抵接构件210将基板9持续保持在水平面内的规定的位置。
另一方面，在从开始进行干燥处理起不久后(干燥处理的最后阶段)，基板9以比较高速旋转，在该基板9上附着的冲洗液完全被甩掉。在该期间，处于多个第二抵接构件220保持基板9的第二保持状态。因此，即使基板9的旋转速度变大一些，也不会产生基板9的位置偏移，持续将基板9保持在所希望的位置。此外，在干燥处理的早期，基板9的下表面的冲洗液已经大部分被甩掉，所以在干燥处理的最后阶段，在基板9附着的冲洗液的量不那么多。另外，在干燥处理的最后阶段，基板9以比较高速旋转，所以在基板9残存的冲洗液受到强的离心力的作用被吹飞到基板9外。因此，在干燥处理的最后阶段，冲洗液沿着第二抵接构件220绕入到基板9的表面的可能性低。
当干燥处理结束时，停止从保护气体喷嘴41喷出气体，保护气体喷嘴41移动到待避位置。另外，周缘部用喷出头51、杯31、以及半圆弧构件61、62移动到各自的待避位置。并且，切换部230进行从第二保持状态向第一保持状态的切换。由此，解除多个第二抵接构件220对基板9的把持状态。然后，搬送机械手CR将保持在多个第一抵接构件210上的基板9移载到手部121上，将该基板9从基板处理装置1搬出。通过以上，结束对该基板9的一系列的处理。
<4.效果>
以往，存在向旋转的基板供给处理液来对基板进行液体处理的基板处理装置(例如参照日本特开平7-115081号公报、日本特开2000-235948号公报、日本特开2002-359220号公报)。例如，在日本特开2000-235948号公报中记载有如下结构：利用在旋转基座上设置的3个以上保持构件保持晶片的外周端部，由此，以从旋转基座的表面离开的状态支撑晶片，使该晶片旋转并向其下表面供给处理液。
但是，在向旋转的基板的下表面供给处理液来对该基板的下表面进行液体处理的情况下，供给到基板的下表面的处理液的一部分有可能绕入到基板的上表面。例如，在如专利文献2那样，利用在旋转基座上设置的保持构件保持基板的外周端部，来以从旋转基座的表面离开的状态支撑该基板的情况下，供给到基板的下表面的处理液有可能沿着保持构件绕入到基板的上表面。
一般情况下，并不想使处理液绕入到基板的上表面。例如在向以表面朝向上方的方式被支撑旋转的基板的下表面(即，基板的背面)供给处理液来对该基板的背面进行液体处理的情况下，供给到背面的处理液的一部分绕入到基板的表面，当处理液附着在基板的表面上的形成器件图案的区域(器件区域)时，有可能成为器件图案的不良乃至成品率下降的原因。
因此，寻求能够抑制供给到基板的下表面的处理液绕入到基板的上表面的技术。
根据上述实施方式，在多个第一抵接构件210保持基板9的第一保持状态下，基板9的上表面位于比第一抵接构件210的上端(具体地说，上端面2121)更高的位置，且第二抵接构件220与基板9分离。因此，在该第一保持状态下，供给到基板9的下表面的处理液难以沿着第一抵接构件210绕入到基板9的上表面，即使沿着第二抵接构件220也难以绕入到基板9的上表面。即，能够抑制供给到基板9的下表面的处理液绕入到基板9的上表面。
另外，根据上述实施方式，以比阈值T小的旋转速度旋转的基板9由多个第一抵接构件210保持，以阈值T以上的旋转速度旋转的基板9由多个第二抵接构件220保持。由于基板9的旋转速度越小，供给到基板9的下表面的处理液越难以在离心力的作用下被吹飞，因此该处理液容易绕入到基板9的上表面，而在此，在基板9以比较低速旋转时，处于多个第一抵接构件210保持基板9的第一保持状态，因此能够抑制供给到该基板9的下表面上的处理液绕入到基板9的上表面。另一方面，基板9的旋转速度越大，基板9在水平面内越容易产生位置偏移，而在此，在基板9以比较高速旋转时，处于多个第二抵接构件220保持基板9的第二保持状态，因此能够避免该基板9在水平面内产生位置偏移。
另外，根据上述实施方式，第一抵接构件210在倾斜侧面2120与基板9抵接。根据该结构，在第一抵接构件210保持基板9的第一保持状态下，靠近基板9的下表面和倾斜侧面2120的间隙空间的液体容易沿着倾斜侧面2120向下方落下。即，难以在该间隙空间形成积存液体。因此，能够抑制发生在该间隙空间产生积存液体并且该积存液体绕入到基板9的上表面这样的状况。进而，由于形成供给到基板9的下表面的处理液沿着倾斜侧面2120落到下方这样的处理液的液流(即，将供给到基板9的下表面的处理液导向下方的处理液的液流)，所以供给到基板9的下表面的处理液不会绕入到上表面而能够从基板9迅速地除去。
特别是，如果倾斜侧面2120与水平面所成的角度θ在45°以上，则在第一抵接构件210保持基板9的第一保持状态下，靠近基板9的下表面和倾斜侧面2120的间隙空间的液体迅速地沿着倾斜侧面2120向下方落下。因此，能够充分抑制发生在该间隙空间产生积存液体且该积存液体绕入到基板9的上表面这样的状况，并且，供给到基板9的下表面的处理液不会绕入到上表面而能够从基板9特别迅速地除去。另外，如果倾斜侧面2120和水平面所成的角度θ在45°以上，则基板9和倾斜侧面2120之间的接触面积变小，因此还能够抑制发生处理液通过毛细管现象绕入到基板9的上表面的状况。
特别是，如果第一抵接构件210的表面具有疏水性，则处理液难以附着在第一抵接构件210上，在基板9的下表面和第一抵接构件210之间的间隙空间难以形成积存液体。因此，能够抑制发生在该间隙空间产生积存液体并且该积存液体绕入到基板9的上表面这样的状况。
另外，在上述的实施方式中，通过使第二抵接构件220在与基板9的周缘接近或分离的方向移动，来进行第一保持状态和第二保持状态之间的切换。根据该结构，能够简单且迅速地进行第一保持状态和第二保持状态之间的切换。
<5.变形例>
在上述实施方式中，对基板9依次进行表面周缘处理以及背面处理，但也可以例如跳过表面周缘处理而进行背面处理。在该情况下，在基板9开始旋转开始后才进行的处理中，基板9的旋转速度小于阈值T，因此，如上所述，在步骤S1012的处理后，切换部230进行从第二保持状态向第一保持状态的切换。
<<第三实施方式>>
<1.基板处理装置1的结构>
参照图3、图4、图38对第三实施方式的基板处理装置1的结构进行说明。图3是基板处理装置1的概略立体图，示出构成挡板构件60的半圆弧构件61、62、杯31、以及周缘部用喷出头51配置在各自的待避位置的状态。图4也是基板处理装置1的概略立体图，而在此示出挡板构件60、杯31、以及周缘部用喷出头51配置在各自的处理位置的状态。图38是用于说明基板处理装置1的结构的示意图。基板处理装置1例如搭载在上述的基板处理系统100中。另外，在基板处理装置1中，将上述的基板9作为处理对象。
此外，在以下的说明中，“处理液”包括在药液处理中使用的“药液”和在冲洗掉药液的冲洗处理中使用的“冲洗液”。
基板处理装置1具有旋转卡盘2、飞散防止部3、表面保护部4、周缘处理部5、液体飞溅抑制部6、加热处理部7、以及背面处理部8。所述各部2～8与控制部130电连接，根据来自控制部130的指示进行动作。旋转卡盘2、飞散防止部3、表面保护部4、液体飞溅抑制部6、加热处理部7、以及背面处理部8的结构是如在第一实施方式中说明那样的结构。
<2.周缘处理部5>
<2-1.整体结构>
周缘处理部5对保持在旋转基座21上的基板9的表面周缘部911进行处理。接着，参照图3、图4、图38对周缘处理部5的整体结构进行说明。
周缘处理部5具有对保持在旋转基座21上的基板9的表面周缘部911进行处理的周缘部用处理头51。周缘部用处理头51安装在水平延伸的臂部52的顶端部。另外，臂部52的基端部与喷嘴基台53连接。喷嘴基台53以使其轴线沿着铅垂方向的姿势配置，臂部52的基端部与喷嘴基台53的上端连接。
在喷嘴基台53上配设用于驱动周缘部用喷出头51的驱动部54。驱动部54例如包括使喷嘴基台53沿其轴线旋转的旋转驱动部(例如伺服马达)和使喷嘴基台53沿其轴线伸缩的升降驱动部(例如步进马达)。当驱动部54使喷嘴基台53转动时，周缘部用喷出头51沿着水平面内的圆弧轨道移动，当驱动部54使喷嘴基台53伸缩时，周缘部用喷出头51在与基板9接近或分离的方向上移动。
周缘部用喷出头51受到驱动部54的驱动在处理位置和待避位置之间移动。在此，周缘部用喷出头51的处理位置是位于保持在旋转基座21上的基板9的上方，与表面周缘部911相向且与表面周缘部911以非接触状态接近的位置(图4所示的位置)。其中，在周缘部用喷出头51配置在处理位置的状态下，周缘部用喷出头51的至少一部分容纳于在后述的挡板构件60的内周壁601上形成的切口605内。另一方面，周缘部用喷出头51的待避位置是与基板9的搬送路径不干涉的位置，例如，从上方观察，是比杯31的上端缘部301更靠外侧的位置(图3所示的位置)。另外，驱动部54与控制部130电连接，在控制部130的控制下进行动作。也就是说，周缘部用喷出头51的位置被控制部130控制。
<2-2.周缘部用处理头51>
接着，参照图38、图39对周缘部用处理头51进行说明。图39是周缘部用处理头51的立体图。此外，为了便于说明，在图39中省略挡板构件60以及杯31。
周缘部用处理头51具有向表面周缘部911喷出流体(处理液以及气体)的结构和吸引表面周缘部911上的处理液的结构。
<2-2-1.与流体的喷出相关的结构>
<i.喷出喷嘴501a～501d>
周缘部用处理头51具有向表面周缘部911喷出流体的多个(在此为4个)喷出喷嘴501a～501d。周缘部用处理头51所具有一组喷出喷嘴501a～501d中包括向表面周缘部911喷出处理液的1个以上(在此为3个)喷出喷嘴(以下也称为“处理液喷嘴”)501a、501b、501c和向表面周缘部911喷出气体(在此为氮气)的喷出喷嘴(以下也称为“气体喷嘴”)501d。特别是，作为该周缘部用处理头51的处理液喷嘴501a、501b、501c，具有喷出药液的2个喷出喷嘴(以下也称为“药液喷嘴”)501a、501b和喷出冲洗液的喷出喷嘴(以下也称为“冲洗液喷嘴”)501c。特别是，作为该周缘部用处理头51的药液喷嘴501a、501b，具有喷出酸性药液的喷出喷嘴(以下也称为“第一药液喷嘴”)501a和喷出碱性的药液的喷出喷嘴(以下也称为“第二药液喷嘴”)501b。
<ii.流体供给部55>
在周缘部用处理头51上连接有流体供给部55，该流体供给部55是向周缘部用处理头51所具有的一组喷出喷嘴501a～501d分别供给规定的た流体(具体地说，规定的处理液或气体)的配管系统。
具体地说，流体供给部55是例如组合酸类药液供给源551a、碱类药液供给源551b、冲洗液供给源551c、氮气供给源551d、多个配管552a、552b、552c、552d、以及多个开闭阀553a、553b、553c、553d组合而构成的。
酸类药液供给源551a是供给酸性药液的供给源。在此，酸类药液供给源551a能够选择性地供给例如稀释后的氢氟酸(稀氢氟酸)(以下表示为“DHF”)和盐酸过氧化氢溶液(即，盐酸(HCl)、过氧化氢(H2O2)和纯水(DIW:去离子水)以规定的比率混合而成的药液，以下表示为“SC-2”)。酸类药液供给源551a经由安装有开闭阀553a的配管552a与第一药液喷嘴501a连接。因此，当打开开闭阀553a时，从酸类药液供给源551a供给的酸性的药液(DHF或SC-2)从第一药液喷嘴501a喷出。当然，酸类药液供给源551a未必限于选择性地供给DHF以及SC-2。例如，酸类药液供给源551a也可以供给DHF、SC-2、BDHF(缓冲氢氟酸)、HF(氢氟酸)、盐酸、硫酸、硝酸、磷酸、醋酸、草酸、以及它们的混合溶液等中的至少一种。
碱类药液供给源551b是供给碱性药液的供给源。在此，碱类药液供给源551b能够供给例如氨过氧化氢溶液(即，氢氧化氨(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)和纯水以规定的比率混合而成的药液，以下表示为“SC-1”)。碱类药液供给源551b经由安装有开闭阀553b的配管552b与第二药液喷嘴501b连接。因此，当打开开闭阀553b时，从碱类药液供给源551b供给的碱性的药液(SC-1)从第二药液喷嘴501b喷出。此外，优选从碱类药液供给源551b供给的SC-1的温度被调节至例如60℃～80℃。当然，碱类药液供给源551b也可以供给除了SC-1以外的药液(例如、氨的水溶液等)。
冲洗液供给源551c是供给冲洗液的供给源。在此，冲洗液供给源551c例如将溶解有二氧化碳(CO2)的纯水(碳酸水)作为冲洗液进行供给。冲洗液供给源551c经由安装有开闭阀553c的配管552c与冲洗液喷嘴501c连接。因此，当打开开闭阀553c时，从冲洗液供给源551c供给的冲洗液从冲洗液喷嘴501c喷出。此外，作为冲洗液，也可以使用纯水、温水、臭氧水、磁化水、还原水(含氢水)、各种有机溶剂(离子水、IPA(异丙醇)、功能水等。
氮气供给源551d是供给气体(在此，例如为氮气(N2))的供给源。氮气供给源551d经由安装有开闭阀553d的配管552d与气体喷嘴501d连接。因此，当打开开闭阀553d时，从氮气供给源551d供给的氮气从气体喷嘴501d喷出。当然，氮气供给源551d也可以供给除了氮气以外的气体(例如，除了氮气以外的各种非活性气体、干燥空气等)。
在周缘部用处理头51配置在处理位置的状态下，各喷出喷嘴501a～501d配置在如下位置(喷出位置)：在其顶端形成的喷出口515(后述)与保持在旋转基座21上的基板9的表面周缘部911以非接触的状态接近并相向。在该状态下，当流体供给部55向喷出喷嘴501a～501d供给流体时，向表面周缘部911喷出该流体。例如，当流体供给部55向第一药液喷嘴501a供给酸性药液(DHF、或SC-2)时，从第一药液喷嘴501a向表面周缘部911喷出酸性药液。另外，当流体供给部55向第二药液喷嘴501b供给碱性药液(SC-1)时，从第二药液喷嘴501b向表面周缘部911喷出碱性的药液。另外，当流体供给部55向冲洗液喷嘴501c供给冲洗液时，从冲洗液喷嘴501c向表面周缘部911喷出冲洗液。另外，当流体供给部55向气体喷嘴501d供给气体时，从气体喷嘴501d向表面周缘部911喷出气体。
另外，流体供给部55所具有的开闭阀553a、553b、553c、553d各自与控制部130电连接，在控制部130的控制下开闭。也就是说，从各喷出喷嘴501a～501d喷出流体的喷出方式(具体地说，喷出开始时刻、喷出结束时刻、喷出流量、等)由控制部130控制。
<iii.喷出喷嘴501>
接着，参照图40对周缘部用处理头51所具有的一组喷出喷嘴501a～501d各自的具体的结构进行说明。一组喷出喷嘴501a～501d分别具有几乎相同的结构，以下，在没有对这些喷出喷嘴501a～501d进行区別的情况下，仅表示为“喷出喷嘴501”。图40是示意性地表示喷出喷嘴501的顶端附近的结构的侧剖视图。
喷出喷嘴501具有喷嘴主体部511，该喷嘴主体部511具有下端变细的长条棒状的外形。喷嘴主体部511以轴向沿铅垂方向并且下表面(以下也称为“喷出面”)512为水平姿势的方式，支撑在支撑部500(后述)上。因此，在周缘部用处理头51配置在处理位置的状态下，喷出面512以与保持在旋转基座21上的基板9的表面91平行的姿势，以非接触状态接近表面周缘部911。其中，在该状态下，喷出面512和表面周缘部911之间的分离距离m为充分小的距离(例如、m＝1mm左右)。
在喷嘴主体部511的内部形成有导入流路部513和与其下端连通的喷出流路部514。在导入流路部513的上端连接有上述的配管552a、552b、552c、552d中的任一个。另外，喷出流路部514的下端与在喷出面512通过开口而形成的喷出口515连通。喷出口515为例如圆形的贯通孔，其直径小于图2中的从基板9的端面93起的微小宽度d，例如为0.6mm。因此，从配管供给的流体首先保持在导入流路部513，并流入喷出流路部514，然后从喷出口515喷出。
喷出流路部514具有在途中弯折而成的形状。具体地说，喷出流路部514具有铅垂流路部分5141和与其连接的倾斜流路部分5142。铅垂流路部分5141与喷嘴主体部511的轴向平行地延伸，在下端与倾斜流路部分5142连通。倾斜流路部分5142向斜下方延伸，并在下端与喷出口515连通，该斜下方是指，从基板9的内侧(基板9的中心侧)起，越向下方越接近外侧(端面93侧)的方向。
在该喷出喷嘴501中，经由倾斜延伸的倾斜流路部分5142从喷出口515喷出流体，因此，能够使从喷出喷嘴501向基板9的表面周缘部911喷出的流体在表面周缘部911向基板9的外侧流动。因此，例如在从处理液喷嘴501a、501b、501c向表面周缘部911喷出处理液的情况下，能够抑制该处理液流入器件区域90，并且能够高精度地控制表面周缘部911上的处理液作用的区域的内缘位置。另外，例如在从气体喷嘴501d向表面周缘部911喷出气体的情况下，能够在表面周缘部911形成朝向基板9的外侧的气流。利用该气流，能够将表面周缘部911上的处理液和处理液的雾滴吹飞到基板9的外侧。
特别是，在该喷出喷嘴501中，喷嘴主体部511自身并不以倾斜姿势支撑在支撑部500上，而是在喷嘴主体部511的内部形成的喷出流路部514的一部分即倾斜流路部分5142倾斜。如果在喷嘴主体部的内部形成沿其轴向笔直延伸的流路并使喷嘴主体部自身处于倾斜姿势，则喷出面处于相对于水平面倾斜的姿势。在该情况下，有可能在喷出面的最下端的附近容易产生积存液体，该积存液体会滴下(滴落)到基板9上。这样的处理液的滴落产生在基板9上的比本来应供给处理液的位置更靠内侧(基板9的中心侧)的位置，因此，即使利用从气体喷嘴501d喷出的气体也难以除去。相对于此，如本实施方式那样，通过采用并不是使喷嘴主体部511而使在其内部形成的喷出流路部514的一部分倾斜的结构，能够将喷出面512置于水平姿势，因此难以发生上述那样的处理液的滴落。
此外，为了提高处理液作用的区域的宽度(例如蚀刻用的药液作用的蚀刻宽度)的控制精度，优选倾斜流路部分5142的延伸方向与水平面形成的角度(倾斜角度)θ在45度以上，更优选在60度以上。
<2-2-2.与处理液的吸引相关的结构>
<i.吸引管502a、502b>
再次参照图38、图39。周缘部用处理头51具有吸引表面周缘部911上的多余的处理液的吸引管502a、502b。其中，在此所提及的“多余的处理液”是指，供给到表面周缘部911上的处理液中减去对所希望的区域进行所希望的处理所需的足够的量的处理液而得到的多余的处理液。也就是说，吸引管502a、502b留下表面周缘部911上的处理液中的处理所需的足够的量的处理液并仅吸引多余的处理液。
各吸引管502a、502b分别与处理液喷嘴501a、501b、501c的任一个建立对应，吸引从对应的处理液喷嘴供给到表面周缘部911上的处理液。在该实施方式中，周缘部用处理头51具有2个吸引管502a、502b，一个吸引管(以下也称为“第一吸引管”)502a与第一药液喷嘴501a建立对应，吸引从第一药液喷嘴501a喷出的药液。另外，另一个吸引管(以下也称为“第二吸引管”)502b与第二药液喷嘴501b建立对应，吸引从第二药液喷嘴501b喷出的药液。
<ii.吸引压形成部56>
在周缘部用处理头51上连接有吸引压形成部56，该吸引压形成部56是在周缘部用处理头51所具有的多个吸引管502a、502b各自的中空空间内形成负压(吸引压)的配管系统。
具体地说，吸引压形成部56例如具有如下结构：吸引源561经由安装有开闭阀563的配管562与各吸引管502a、502b连接。具体地说，吸引源561例如包括吸引液体并排出的泵(例如容积泵、非容积泵等)和回收从该泵排出的液体的回收罐。在该结构中，当打开开闭阀563时，在吸引管502a、502b的中空空间内形成负压(吸引压)，经由在吸引管502a、502b的下端通过开口而形成的吸引口521(后述)吸引处理液等。所吸引的处理液被回收到回收罐内。当然，吸引压形成部56也可以不将所吸引的处理液回收到回收罐而直接向外部的排液管道排出、或者使其循环到流体供给部55所具有的该处理液的供给源。
在周缘部用处理头51配置在处理位置的状态下，各吸引管502a、502b配置在如下位置(吸引位置)：在其顶端形成的吸引口521以非接触的状态与保持在旋转基座21上的基板9的表面周缘部911接近并相向。在该状态下，当吸引压形成部56在吸引管502a、502b的中空空间内形成负压(吸引压)时，表面周缘部911上的处理液由吸引管502a、502b经由吸引口521吸引。
其中，吸引源561以及开闭阀563与控制部130电连接，在控制部130的控制下被驱动(或开闭)。也就是说，由吸引管502a、502b吸引处理液的吸引方式(具体地说，吸引开始时刻、吸引结束时刻、吸引压(即，吸引量)、等)由控制部130控制。其中，控制部130调整吸引管502a、502b的吸引压(具体地说，吸引源561的泵的压力等)，以便在表面周缘部911上留下处理所需的足够的量的处理液，并且由吸引管502a、502b吸引超过该足够的量的多余的处理液。
在该基板处理装置1中，在通过从上述的处理液喷嘴501a、501b、501c向表面周缘部911喷出处理液，对表面周缘部911实施规定的处理时，需要高精度地控制表面周缘部911中的处理液作用的区域的内缘位置。特别是，需要高精度地控制表面周缘部911中的药液(例如蚀刻用的药液)作用的区域的内缘位置。但是，当从处理液喷嘴501a、501b、501c向表面周缘部911供给比处理所需的足够的量更多的处理液时，表面周缘部911上的多余的处理液扩展到基板9的中心侧，该内缘位置有可能比所希望的位置更偏向基板9的中心侧。在最坏的情况下，扩展到基板9的中心侧的处理液也有可能进入器件区域90而使器件图案发生不良。
在该基板处理装置1中，通过使在周缘部用处理头51上设置的吸引管502a、502b吸引表面周缘部911上的多余的处理液，能够将该多余的处理液从表面周缘部911上除去。由此，能够抑制表面周缘部911上的多余的处理液的扩展到基板9的中心侧。即，能够抑制表面周缘部911中的处理液作用的区域的内缘位置比所希望的位置更偏向基板9的中心侧。另外，能够避免扩展到基板9的中心侧的处理液进入器件区域90而使器件图案发生不良这样的状况。
进而，当在表面周缘部911上存在多余的处理液时，新供给至此的处理液有可能与该多余的处理液碰撞而飞溅进入器件区域90，而通过从表面周缘部911除去多余的处理液，还能够抑制这样的状况。
<iii.吸引管502a、502b>
接着，参照图41对周缘部用处理头51所具有的各吸引管502a、502b的具体的结构进行说明。各吸引管502a、502b具有几乎相同的结构，以下，在不对各吸引管502a、502b进行区別的情况下，仅表示为“吸引管502”。图41是示意性地表示吸引管502的顶端附近的结构的侧剖视图。
吸引管502具有细长的圆筒形状的外形，并且内部为中空。吸引管502的内部的中空空间与在吸引管502的下端通过开口而形成的吸引口521连通。当然，吸引管502既可以是图示那样的笔直形状，也可以是随着接近顶端而缩径的喷嘴形状。
在此，吸引管502所具有的吸引口521的直径比表面周缘部911中的应使处理液作用的区域(具体地说，是应使从与该吸引管502建立对应的处理液喷嘴501a、501b喷出的处理液作用的区域，以下称为“目标处理区域”)的宽度T小。
并且，在吸引管502配置在吸引位置的状态下，吸引口521的靠基板9的中心侧的端(内侧端)5211相比目标处理区域的内缘位置(以下称为“目标内缘位置”)t位于基板9的端面93侧。根据该结构，由于使吸引压作用于目标内缘位置t的外侧(基板9的端面93侧)，所以能够抑制多余的处理液向基板9的中心侧扩展而超出目标处理区域。
另外，在吸引管502配置在吸引位置的状态下，吸引口521的靠基板9的端面93侧的端(外侧端)5212相比基板9的端面93位于内侧(基板9的中心侧)。根据该结构，能够有效地使吸引压作用于处理液。
<2-2-3.布局>
周缘部用处理头51具有固定在上述的臂部52上的支撑部500。支撑部500对多个喷出喷嘴501a～501d和多个吸引管502a、502b进行一体支撑。参照图39对这些被支撑为一体的多个喷出喷嘴501a～501d以及多个吸引管502a、502b的布局进行说明。
此外，如上所述，周缘处理部5所具有的周缘部用处理头51在周缘部用处理头51配置在处理位置的状态下，配置在挡板构件60的内周壁侧(即，隔着挡板构件60而与杯31一侧相反的一侧)。也就是说，在该状态下，周缘部用处理头51所具有的喷出喷嘴501～501d以及吸引管502a、502b隔着挡板构件60配置在与杯31的一侧相反的一侧。其中，在挡板构件60的内周壁上形成有用于容纳周缘部用处理头51的至少一部分的切口605，在周缘部用处理头51配置在处理位置的状态下，周缘部用处理头51的至少一部分(具体地说，例如周缘部用处理头51所具有的喷出喷嘴501a～501d以及吸引管502a、502b的至少一部分)容纳在该切口605内。由此，周缘部用处理头51在与挡板构件60不干涉的情况下配置在表面周缘部911的上方的处理位置。
<i.喷出喷嘴501a～501d的布局>
从上方观察，支撑部500为沿着表面周缘部911的弯曲成弧状的构件，一组喷出喷嘴501a～501d沿着弯曲成弧状的支撑部500的延伸方向排列。因此，在周缘部用处理头51配置在处理位置的状态下，一组喷出喷嘴501a～501d沿着基板9的表面周缘部911排列。此时，沿着基板9的旋转方向AR9，从上游侧开始依次排列有气体喷嘴501d、第一药液喷嘴501a、冲洗液喷嘴501c、第二药液喷嘴501b。
这样，在周缘部用处理头51中，气体喷嘴501d相比处理液喷嘴501a、501b、501c配置在基板9的旋转方向AR9的上游侧。因此，旋转的基板9的表面周缘部911内的各位置首先通过气体喷嘴501d的下方后，通过处理液喷嘴501a、501b、501c的下方。根据该结构，在从处理液喷嘴501a、501b、501c向旋转的基板9的表面周缘部911内的各位置供给新的处理液之前，从气体喷嘴501d向该位置供给气体(即，喷射气体)。
因基板9的表面状态等的不同，有时存在如下情况，在一周前从处理液喷嘴501a、501b、501c向到达周缘部用喷出头51的下方的表面周缘部911内的各位置供给并且在基板9旋转一周的期间未被甩掉的旧的处理液附着在该位置。即使在这样的情况下，也能在该周缘部用处理头51中，在用从气体喷嘴501d喷出的气体除去该旧的处理液后，从处理液喷嘴501a、501b、501c供给新的处理液。根据该结构，难以发生向表面周缘部911内的各位置新供给的处理液与旧的处理液碰撞而飞溅的状况。由此，能够抑制处理液进入器件区域90。另外，根据该结构，能够总是使新鲜的处理液作用于基板9，由此，能够提高处理效率。另外，在残存有旧的药液的位置又供给新的处理液时，保持在该位置的处理液的量暂时会变多，而如果采用在用气体除去旧的药液后供给新的处理液的结构，则难以发生在表面周缘部911内的各位置暂时保持大量的处理液的状况。由此，能够抑制在表面周缘部911内的各位置保持的处理液的量随着时间的经过而变动。进而，能够高精度地控制表面周缘部911中的处理液作用的区域的内缘位置。
另外，换个角度看，在该周缘部用处理头51中，处理液喷嘴501a、501b、501c相比气体喷嘴501d配置在基板9的旋转方向AR9的下游侧。因此，旋转的基板9的表面周缘部911内的各位置在处理液喷嘴501a、501b、501c的下方后，并在基板9几乎旋转一周后，到达气体喷嘴501d的下方。根据该结构，从处理液喷嘴501a、501b、501c供给到表面周缘部911上的各位置的处理液的至少一部分在基板9几乎旋转一周的期间持续停留在表面周缘部911上，因此，能够使处理液充分作用于表面周缘部911内的各位置。
另外，在该周缘部用处理头51中，在酸性药液的第一药液喷嘴501a和喷出碱性药液的第二药液喷嘴501b之间，配置有喷出冲洗液的冲洗液喷嘴501c。根据该结构，能够抑制发生例如从一个药液喷嘴喷出药液时形成的环境空气与残留在另一个药液喷嘴内的药液反应这样的状况。具体地说，例如，能够抑制发生在第一药液喷嘴501a喷出酸性药液时形成的环境空气与残留在第二药液喷嘴501b内的碱性药液反应、或者在第二药液喷嘴501b喷出碱性药液时形成的环境空气与残留在第一药液喷嘴501a内的酸性药液反应这样的状况。
<ii.吸引管502a、502b的布局>
第一吸引管502a配置在第一吸引管502a所对应的处理液喷嘴即第一药液喷嘴501a的附近，并相比第一药液喷嘴501a配置在基板9的旋转方向AR9的下游侧。另外，第二吸引管502b配置在第二吸引管502b所对应的处理液喷嘴即第二药液喷嘴501b的附近，并相比第二药液喷嘴501b配置在基板9的旋转方向AR9的下游侧。其中，在此所提及的“附近”是指，从基板9的中心(即，旋转基座21的旋转轴A)观察，第一吸引管502a和第一药液喷嘴501a所成的角度(或者第二吸引管502b和第二药液喷嘴501b所成的角度)在10°以下，特别优选在5°以下。
其中，优选第一吸引管502a相比第一药液喷嘴501a配置在基板9的旋转方向AR9的下游侧，且相比冲洗液喷嘴501c配置在基板9的旋转方向AR9的上游侧(也就是说，从基板9的中心观察，配置在第一药液喷嘴501a和冲洗液喷嘴501c之间)。
这样，在周缘部用处理头51中，各吸引管502a、502b配置在各自对应的处理液喷嘴的附近，并相比该处理液喷嘴配置在基板9的旋转方向AR9的下游侧。因此，旋转的基板9的表面周缘部911内的各位置在刚通过各药液喷嘴501a、501b的下方后，通过与该药液喷嘴501a、501b对应的吸引管502a、502b的下方。根据该结构，能够在刚从各药液喷嘴501a、501b向旋转的基板9的表面周缘部911内的各位置供给新的药液后，由与该药液喷嘴501a、501b对应的吸引管502a、502b吸引供给到该位置的多余的药液。由此，能够将保持在表面周缘部911内的各位置的药液的量总是维持为所需足够的量。进而，能够高精度地控制表面周缘部911中的处理液作用的区域的内缘位置。
<2-2-4.喷出位置和吸引位置>
现在，将从周缘部用处理头51所具有的多个喷出喷嘴501a～501d分别喷出流体并到达基板9上的到达位置称为该喷出喷嘴501a～501d的“目标喷出位置”。另外，将周缘部用处理头51所具有的多个吸引管502a、502b分别吸引处理液(具体地说，从与该吸引管502a、502b建立对应的处理液喷嘴501a、501b喷出的处理液)的基板9上的位置称为该吸引管502a、502b的“目标吸引位置”。以下，参照图42～图44对多个喷出喷嘴501a～501d各自的目标喷出位置Qa～Qd以及多个吸引管502a、502b各自的目标吸引位置Ra、Rb进行说明。图42是示意性地表示目标喷出位置Qa～Qd以及目标吸引位置Ra、Rb的配置例的图。图43、图44是从基板9的旋转方向AR9的下游侧观察周缘部用处理头51的图。其中，在图43中示出从周缘部用处理头51喷出药液和气体的状态，在图44中示出从周缘部用处理头51喷出冲洗液和气体的状态。
多个喷出喷嘴501a～501d各自的目标喷出位置Qa～Qd为在基板9的径向上相互错开的位置。即，气体喷嘴501d的目标喷出位置Qd相比处理液喷嘴501a、501b、501c的目标喷出位置Qa、Qb、Qc位于基板9的径向内侧(中心侧)。进而，冲洗液喷嘴501c的目标喷出位置Qc相比药液喷嘴501a、501b的目标喷出位置Qa、Qb位于基板9的径向内侧。进而，第一药液喷嘴501a的目标喷出位置Qa和第二药液喷嘴501b的目标喷出位置Qb位于在径向上相同的位置。其中，“在径向上相同的位置”是指，距基板9的端面93的分离距离彼此相等的位置(即，距基板9的中心的分离距离相等的位置)。也就是说，在此，从基板9的端面93至第一药液喷嘴501a的目标喷出位置Qa的分离距离和从基板9的端面93至第二药液喷嘴501b的目标喷出位置Qb的分离距离相等。
另一方面，第一吸引管502a吸引从第一药液喷嘴501a喷出的药液的基板9上的位置(目标吸引位置)Ra相比第一药液喷嘴501a的目标喷出位置Qa位于基板9的径向外侧(端面93侧)。也就是说，第一药液喷嘴501a向基板9上的第一位置(目标喷出位置Qa)喷出药液，第一吸引管502a从比该目标喷出位置Qa更靠基板9的端面93侧的第二位置(目标吸引位置Ra)吸引该药液。
同样，第二吸引管502b吸引从第二药液喷嘴501b喷出的药液的基板9上的位置(目标吸引位置)Rb相比第二药液喷嘴501b的目标喷出位置Qb位于基板9的径向外侧(端面93侧)。也就是说，第二药液喷嘴501b向基板9上的第一位置(目标喷出位置Qb)喷出药液，第二吸引管502b从相比该目标喷出位置Qb更靠基板9的端面93侧的第二位置(目标吸引位置Rb)吸引该药液。
此外，如上所述，各吸引管502a、502b相比各自对应的处理液喷嘴配置在基板9的旋转方向AR9的下游侧。因此，第一吸引管502a的目标吸引位置Ra相比第一药液喷嘴501a的目标喷出位置Qa位于基板9的旋转方向AR9的下游侧，第二吸引管502b的目标吸引位置Rb相比第二药液喷嘴501b的目标喷出位置Qb位于基板9的旋转方向AR9的下游侧。
作为一例，第一药液喷嘴501a的目标喷出位置Qa以及第二药液喷嘴501b的目标喷出位置Qb都为基板9的距端面93的距离为1.0mm的内侧的位置。另外，第一吸引管502a的目标吸引位置Ra以及第二吸引管502b的目标吸引位置Rb都为基板9的在距端面93的距离为0mm～1.0mm的范围内的位置。另外，气体喷嘴501d的目标喷出位置Qd为距药液喷嘴501a、501b的目标喷出位置Qa、Qb(或者吸引管502a、502b的目标吸引位置Ra、Rb)还有0.5mm的基板9的内侧的位置。另外，冲洗液喷嘴501c的目标喷出位置Qc为基板9的在距端面93的距离为1.0mm～1.5mm的范围内的位置。
各喷出喷嘴501a～501d以及各吸引管502a、502b配置于在基板9的径向上相互错开的位置，并被支撑部500支撑，以使喷出流体到达各自的目标喷出位置Qa、Qb、Qc、Qd，并能够从各自的目标吸引位置Ra、Rb吸引处理液。即，气体喷嘴501d相比处理液喷嘴501a、501b、501c配置在基板9的径向内侧(中心侧)，并被支撑部500支撑。另外，冲洗液喷嘴501c相比药液喷嘴501a、501b配置在基板9的径向内侧，并被支撑部500支撑。另外，第一药液喷嘴501a和第二药液喷嘴501b配置于在径向上相同的位置，并被支撑部500支撑。此外，各喷嘴50a、50b、50c、50d在配置中的彼此的偏移量根据前述的倾斜流路部分5042的角度设定，以使流体到达各自的目标喷出位置Qa、Qb、Qc、Qd。另外，各吸引管502a、502b相比各自对应的药液喷嘴501a、501b配置在基板9的径向外侧(端面93侧)，并被支撑部500支撑。
在该周缘部用处理头51中，气体喷嘴501d的目标喷出位置Qd比处理液喷嘴501a、501b、501c的目标喷出位置Qa、Qb、Qc更靠基板9的径向内侧，因此，在基板9的表面周缘部911中，向比喷出处理液的位置更靠内侧的位置供给气体。根据该结构，能够利用气体将供给到表面周缘部911的处理液从基板9的内侧向外侧除去。由此，能够抑制表面周缘部911上的处理液进入器件区域90，并且，能够使处理液作用的区域的宽度(例如，蚀刻用的药液作用的区域的宽度(蚀刻宽度))稳定，提高其控制精度。
另外，在该周缘部用处理头51中，冲洗液喷嘴501c的目标喷出位置Qc比药液喷嘴501a、501b的目标喷出位置Qa、Qb更靠基板9的径向内侧，因此，在基板9的表面周缘部911，向比喷出药液的位置更靠内侧的位置喷出冲洗液。根据该结构，能够利用冲洗液将供给到表面周缘部911上的药液从基板9的内侧向外侧挤走。由此，能够充分抑制药液进入器件区域90，并且不残留药液残渣地充分冲洗掉药液。
另外，在该周缘部用处理头51中，第一药液喷嘴501a的目标喷出位置Qa和第二药液喷嘴501b的目标喷出位置Qb位于基板9的在径向上相同的位置，因此，在基板9的表面周缘部911中，能够向喷出酸性药液的位置喷出碱性药液。根据该结构，能够使各药液准确地作用于相同的区域。
另外，在该周缘部用处理头51中，各吸引管502a、502b的目标吸引位置Ra、Rb相比与该吸引管502a、502b对应的处理液喷嘴501a、501b的目标喷出位置Qa、Qb更靠基板9的端面93侧。也就是说，在基板9的表面周缘部911上，在比喷出处理液的位置更靠基板9的端面93侧的位置吸引多余的处理液。根据该结构，表面周缘部911上的多余的处理液从基板9的内侧向外侧流动而被吸引管502a、502b吸引，因此，能够充分抑制表面周缘部911上的多余的处理液向基板9的中心侧扩展。
<3.基板处理装置1的动作>
接着，对基板处理装置1的动作进行说明。在基板处理装置1中，在控制部130的控制下执行以下说明的一系列处理。当然，以下说明的只不过是能够在基板处理装置1中执行的处理的一例。
在基板处理装置1中，例如对一张基板9依次进行前处理(步骤S1)、表面周缘处理(步骤S2)、处理面切换处理(步骤S3)、背面处理(步骤S4)、以及干燥处理(步骤S5)(图14)。以下，对各处理具体说明。
<3-1.前处理>
首先，进行前处理(步骤S1)。前处理的具体的方式是如在第一实施方式说明那样的方式。
<3-2.表面周缘处理>
当前处理(步骤S1)结束时，接着，进行表面周缘处理(步骤S2)。参照图17、图45对表面周缘处理进行说明。图17是表示表面周缘处理的流程的图。图45是用于说明表面周缘处理的图，示意性地示出在执行表面周缘处理中的各处理工序的状态下的基板处理装置1的一部分构件。
其中，在执行以下说明的表面周缘处理的期间，基板9以一定的转速(例如600rpm)持续旋转。另外，如上所述，在进行表面周缘处理的期间，也从保护气体喷嘴41向基板9的表面91的中央附近持续供给保护气体，由此，器件区域90从供给至表面周缘部911的处理液的环境空气等中被保护。
<碱处理(SC-1)>
<i.药液处理>
首先，通过SC-1对基板9的表面周缘部911进行药液处理(步骤S201)。具体地说，首先，周缘部用喷出头51从待避位置移动到处理位置。然后，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的第二药液喷嘴501b向旋转的基板9的表面周缘部911喷出SC-1。此时的SC-1的喷出流量例如在20(mL/min)以上且在50(mL/min)以下。当从开始喷出SC-1起经过了规定时间(例如20秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出SC-1。
去在基板9的表面周缘部911形成的薄膜(蚀刻处理)。其中，在进行该药液处理的期间，与第二药液喷嘴501b向表面周缘部911喷出SC-1并行，第二吸引管502b吸引表面周缘部911上的多余的SC-1。即，从第二药液喷嘴501b开始向表面周缘部911喷出SC-1的同时，第二吸引管502b开始进行吸引，从第二药液喷嘴501b停止向表面周缘部911喷出SC-1的同时，第二吸引管502b停止吸引。由此，能够抑制供给到表面周缘部911的多余的SC-1扩展到基板9的中心侧。
另外，在进行该药液处理的期间，从蒸汽喷嘴71向基板9的背面92喷出蒸汽。此时的蒸汽的喷出流量例如在500(mL/min)以上且在2000(mL/min)以下。另外，喷出的蒸汽的温度例如在110℃以上且在130℃以下。SC-1是温度越高则越促进反应的药液，被SC-1药液处理的基板9接受蒸汽的供给而被加热，由此，促进基板9的表面周缘部911和SC-1之间的反应(即，蚀刻速率高)(所谓加热辅助)。其结果，缩短利用SC-1进行药液处理的处理时间，并且抑制SC-1的使用量。特别是，在此，由于基板9的背面周缘部921被重点加热，能够有效地促进表面周缘部911和SC-1之间的反应。
<ii.冲洗处理>
接着，进行冲洗处理(步骤S202)。具体地说，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的冲洗液喷嘴501c向旋转的基板9的表面周缘部911喷出冲洗液。当从开始喷出冲洗液起经过了规定时间(例如5秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出冲洗液。通过该冲洗处理，冲洗掉附着在表面周缘部911上的处理液(在此为SC-1)。
<iii.液体甩掉处理>
接着，进行液体甩掉处理(步骤S203)。液体甩掉处理是使残存在表面周缘部911上的处理液(在此为在步骤S202的冲洗处理中未从基板9甩掉而残存在表面周缘部911上的冲洗液)靠近基板9的端面93侧，并从端面93甩掉至基板9外的处理。靠近端面93侧的处理液处于保持在端面93及其附近的非水平的面区域部分的状态，结果，保持在非水平的面区域部分的处理液难以发生断液现象，这样的处理液一起被甩掉至基板9外。也就是说，在使残存在表面周缘部911上的处理液靠近基板9的端面93侧之后甩掉至基板9外，从而在表面周缘部911几乎不发生液体残留，能够从基板9除去所残存的大部分处理液。
具体地说，液体甩掉处理例如如下进行。首先，在停止从周缘部用喷出头51向表面周缘部911喷出流体(处理液以及气体)的状态下，使基板9旋转规定的时间(液体靠近工序)(步骤S2031)。由此，在表面周缘部911上残存的处理液受到伴随基板9的旋转产生的离心力的作用，向接近基板9的端面93的方向移动，并保持在端面93及其附近的非水平的面区域部分。接着，从在处理位置配置的周缘部用喷出头51的气体喷嘴501d向旋转的基板9的表面周缘部911喷出气体(吹飞工序)(步骤S2032)。此时的气体的喷出流量例如为14(L/min)。由此，保持在非水平的面区域部分的处理液受到气体的风压和由基板9的旋转产生的离心力的作用，一起被甩掉至基板9外。当从开始从周缘部用喷出头51喷出气体起经过了规定时间(例如15秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出气体。
通过该液体甩掉处理，在表面周缘部911残存的大部分处理液(即，在步骤S202的冲洗处理中未从基板9甩掉而残存在表面周缘部911上的冲洗液)被从基板9甩掉。
<第一酸处理(SC-2)>
<i.药液处理>
接着，利用SC-2对基板9的表面周缘部911进行药液处理(步骤S204)。具体地说，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的第一药液喷嘴501a向旋转的基板9的表面周缘部911喷出SC-2。当从开始喷出SC-2起经过了规定时间(例如20秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出SC-2。
通过该药液处理除去附着在基板9的表面周缘部911上的金属成分(例如Mo、Co等)等(清洗处理)。但是，在此，在该药液处理之前，进行液体甩掉处理(步骤S203)。因此，向几乎不残存冲洗液的表面周缘部911喷出SC-2。若未进行步骤S203的液体甩掉处理，就向残存有冲洗液的表面周缘部911喷出SC-2，所喷出的SC-2与残存的冲洗液碰撞而飞溅，有可能进入器件区域90。但是，在此，通过液体甩掉处理，在表面周缘部911几乎不残存冲洗液，因此，难以发生因这样的处理液的碰撞而导致处理液进入器件区域90的问题。另外，若未进行步骤S203的液体甩掉处理，则在表面周缘部911上，残存的冲洗液和所供给的SC-2有可能发生混合，但是，在进行液体甩掉处理的情况下，难以发生这样的状况。其结果，能够使所希望的浓度的SC-2适当作用于表面周缘部911。另外，还能够避免冲洗掉碱性药液SC-1的冲洗液和酸性药液SC-2的混合接触。
另外，在进行该药液处理的期间，与第一药液喷嘴501a向表面周缘部911喷出SC-2并行，第一吸引管502a吸引表面周缘部911上的多余的SC-2。即，从第一药液喷嘴501a开始向表面周缘部911喷出SC-1的同时，第一吸引管502a开始吸引，从第一药液喷嘴501a停止向表面周缘部911喷出SC-2的同时，第一吸引管502a停止吸引。由此，能够抑制供给到表面周缘部911的多余的SC-2扩展到基板9的中心侧。
<ii.液体甩掉处理>
接着，进行液体甩掉处理(步骤S205)。液体甩掉处理的具体的流程是如在步骤S203说明那样的流程。即，首先，在停止向表面周缘部911喷出流体的状态下，使基板9旋转规定的时间(液体靠近工序)，然后，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的气体喷嘴501d向旋转的基板9的表面周缘部911喷出气体(吹飞工序)。当从开始从周缘部用喷出头51喷出气体起经过了规定时间(例如15秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出气体。
通过该液体甩掉处理，在表面周缘部911上残存的处理液(即，在步骤S204的清洗处理中未从基板9甩掉而残存在表面周缘部911上的SC-2)的大部分被从基板9甩掉。在步骤S204的清洗处理中未从基板9甩掉而残存在表面周缘部911上的SC-2中包含通过清洗处理从基板9除去的金属成分等杂质，而通过在清洗处理后进行液体甩掉处理，该杂质在比较早的阶段被从基板9甩掉。因此，能够降低利用由SC-2进行的药液处理从基板9除去的杂质再次附着在基板9上的风险。
<iii.冲洗处理>
接着，进行冲洗处理(步骤S206)。冲洗处理的具体的流程与步骤S202的处理相同。即，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的冲洗液喷嘴501c向旋转的基板9的表面周缘部911喷出冲洗液。当从开始喷出冲洗液起经过了规定时间(例如5秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出冲洗液。
通过该冲洗处理，冲洗掉在表面周缘部911上附着的处理液(在此为SC-2)。其中，在此，在该冲洗处理之前进行液体甩掉处理(步骤S205)，因此在表面周缘部911几乎不存在SC-2。因此，该冲洗处理的处理时间与不进行液体甩掉处理的情况相比变短。另外，在该冲洗处理中，冲洗液被向几乎不残存SC-2的表面周缘部911喷出，因此难以发生因处理液的碰撞导致处理液进入器件区域90。
<iv.液体甩掉处理>
接着，进行液体甩掉处理(步骤S207)。液体甩掉处理的具体的流程是如在步骤S203说明那样的流程。即，首先，在停止向表面周缘部911喷出流体的状态下，使基板9旋转规定的时间(液体靠近工序)，然后，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的气体喷嘴50d向旋转的基板9的表面周缘部911喷出气体(吹飞工序)。当从开始从周缘部用喷出头51喷出气体起经过了规定时间(例如15秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出气体。
通过该液体甩掉处理，在表面周缘部911残存的大部分处理液(即，在步骤S206的冲洗处理中未从基板9甩掉而残存在表面周缘部911上的冲洗液)被从基板9甩掉。
<第二酸处理(DHF)>
<i.药液处理>
接着，利用DHF对基板9的表面周缘部911进行药液处理(步骤S208)。具体地说，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的第一药液喷嘴501a向旋转的基板9的表面周缘部911喷出DHF。此时的DHF的喷出流量例如在20(mL/min)以上且在50(mL/min)以下。当从开始喷出DHF起经过了规定时间(例如10秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出DHF。
通过该药液处理除去在基板9的表面周缘部911形成的薄膜(蚀刻处理)。其中，在此，在该药液处理之前进行液体甩掉处理(步骤S207)，因此，DHF被向几乎不残存冲洗液的表面周缘部911喷出。因此，难以发生因处理液的碰撞而导致处理液进入器件区域90。另外，在表面周缘部911上，DHF和冲洗液不会发生混合，所以能够使所希望的浓度DHF适当作用于表面周缘部911。
另外，在进行该药液处理的期间，与第一药液喷嘴501a向表面周缘部911喷出DHF并行，第一吸引管502a吸引表面周缘部911上的多余的DHF。即，从第一药液喷嘴501a开始向表面周缘部911喷出DHF的同时，第一吸引管502a开始进行吸引，从第一药液喷嘴501a停止向表面周缘部911喷出DH的同时，第一吸引管502a停止吸引。由此，能够抑制供给至表面周缘部911的多余的DHF扩展到基板9的中心侧。
另外，在进行该药液处理的期间，从周缘部用喷出头51的气体喷嘴501d向表面周缘部911喷出气体。此时的气体的喷出流量例如为14(L/min)。也就是说，在表面周缘部911内的各位置，在旧的DHF(即，在一周前从第一药液喷嘴501a供给并在基板9旋转一周的期间未被甩掉的旧的DHF)被从气体喷嘴501d喷出的气体除去后，从第一药液喷嘴501a向该位置供给新的DHF。根据该结构，如上所述，能够抑制因在基板9旋转一周的期间未被甩掉的旧的处理液和新供给的处理液之间的碰撞而导致处理液进入器件区域90。另外，根据该结构，总是能够使新鲜的DHF作用于基板9，提高处理效率。另外，根据该结构，能够避免在表面周缘部911内的各位置暂时保持大量的DHF的状况。其结果，能够使蚀刻宽度稳定，提高蚀刻宽度的控制精度。另外，当供给DHF时，由于表面周缘部911具有憎水性，所以有时在表面周缘部911保持的旧的处理液局部变厚。当在该状态下供给新的处理液时，处理液容易弹起飞溅。因此，通过利用从气体喷嘴501d喷出的气体将旧的处理液向基板9的外侧吹飞，能够充分抑制该液滴等进入器件区域90。
<ii.冲洗处理>
接着，进行冲洗处理(步骤S209)。冲洗处理的具体的流程与步骤S202的处理相同。即，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的冲洗液喷嘴501c向旋转的基板9的表面周缘部911喷出冲洗液。当从开始喷出冲洗液起经过了规定时间(例如5秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出冲洗液。
通过该冲洗处理，冲洗掉在表面周缘部911附着的处理液(在此为DHF)。其中，也在进行该冲洗处理的期间，从周缘部用喷出头51的气体喷嘴501d向基板9的表面周缘部911喷出气体。此时的气体的喷出流量例如为14(L/min)。也就是说，在表面周缘部911内的各位置，在旧的冲洗液(即，在一周前从冲洗液喷嘴501c供给并在基板9旋转一周的期间未被甩掉的旧的冲洗液)被从气体喷嘴501d喷出的气体除去后，从冲洗液喷嘴501c向该位置供给新的冲洗液。根据该结构，如上所述，能够抑制因在基板9旋转一周的期间未被甩掉的旧的处理液和新供给的处理液之间的碰撞而导致处理液进入器件区域90。另外，根据该结构，由于能够将包含DHF的旧的冲洗液迅速从表面周缘部911除去，并且使不包含DHF的新的冲洗液作用于基板9，所以能够提高冲洗处理的处理效率。另外，根据该结构，如上所述，在表面周缘部911弹起的处理液的液滴等被由从气体喷嘴501d喷出的气体形成的气流向基板9的外侧吹飞，所以能够充分抑制该液滴等进入器件区域90。
<iii.液体甩掉处理>
接着，进行液体甩掉处理(步骤S210)。液体甩掉处理的具体的流程是如在步骤S203说明那样的流程。即，首先，在停止向表面周缘部911喷出流体的状态下，使基板9旋转规定的时间(液体靠近工序)，然后，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的气体喷嘴501d向旋转的基板9的表面周缘部911喷出气体(吹飞工序)。当从开始从周缘部用喷出头51喷出气体起经过了规定时间(例如5秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出气体。
通过该液体甩掉处理，在表面周缘部911残存的大部分处理液(即，在步骤S209的冲洗处理中未从基板9甩掉而残存在表面周缘部911上的冲洗液)被从基板9甩掉。
<3-3.处理面切换处理>
当表面周缘处理(步骤S2)结束时，接着，进行处理面切换处理(步骤S3)。处理面切换处理的具体的方式是如在第一实施方式说明那样的方式。
<3-4.背面处理>
当处理面切换处理(步骤S3)结束时，接着，进行背面处理(步骤S4)。背面处理的具体的方式是如在第一实施方式说明那样的方式。
<3-5.干燥处理>
当背面处理(步骤S4)结束时，接着，进行干燥处理(步骤S5)。干燥处理的具体的方式是是如在第一实施方式说明那样的方式。
<4.效果>
在基板中，几乎不会将器件图案(电路图案)最大限度地形成至基板的端面，大多是将器件图案形成在基板的距端面一定宽度的内侧的表面区域。
但是，在用于器件图案的成膜工序中，有时将膜形成至形成器件图案的区域(器件区域)的外侧。在器件区域的外侧形成的膜不仅没有必要，而且可能成为各种故障的原因。例如，在器件区域的外侧形成的膜有可能在处理工序的途中被剥落，引起成品率的下降、基板处理装置的故障等。
因此，有时进行通过蚀刻来除去在器件区域的外侧形成的薄膜的处理(所谓斜面蚀刻处理)，并提出了进行这种处理的装置(例如参照日本特开2006-229057号公报、日本特开2003-264168号公报、日本特开2007-258274号公报、日本特开2003-286597号公报)。
在利用处理液对器件区域的外侧的表面周缘部进行处理的情况下，当在表面周缘部上供给有比处理所需的足够的量更多的处理液时，多余的处理液有可能扩展到基板的中心侧。这样一来，表面周缘部中的处理液作用的区域的内缘位置比所希望的位置更偏向基板的中心侧。在最坏的情况下，扩展到基板9的中心侧的处理液也有可能进入器件区域90而使器件图案发生不良。
因此，寻求能够抑制供给至基板的表面周缘部的多余的处理液扩展到基板的中心侧的技术。
在上述实施方式中，使各吸引管502a、502b吸引从处理液喷嘴(具体地说，是与该吸引管502a、502b建立对应的处理液喷嘴，在上述实施方式中，为各药液喷嘴501a、501b)供给到表面周缘部911上的多余的处理液，由此能够将该多余的处理液从表面周缘部除去。其结果，能够抑制表面周缘部911上的多余的处理液向基板9的中心侧扩展。即，能够抑制表面周缘部911中的处理液作用的区域的内缘位置比所希望的位置更偏向基板9的中心侧。另外，能够避免扩展到基板9的中心侧的处理液进入器件区域90而使器件图案发生不良这样的状况。
另外，根据上述实施方式，在周缘部用处理头51中，各吸引管502a、502b和各自对应的处理液喷嘴被支撑为一体。根据该结构，从旋转的基板9的表面周缘部911内的各位置观察，吸引管502a、502b和各自对应的处理液喷嘴一体地相对移动。因此，从处理液喷嘴供给处理液的供给时刻和从吸引管502a、502b吸引该处理液的吸引时刻在表面周缘部911内的所有位置都相同。由此，能够抑制在表面周缘部911内的各位置保持的处理液的量的增减方式上出现偏差。进而，能够对表面周缘部911内的各位置进行均一处理。
另外，根据上述实施方式，在周缘部用处理头51中，各吸引管502a、502b配置在各自对应的处理液喷嘴的附近，并且相比该处理液喷嘴配置在基板9的旋转方向的下游侧。根据该结构，在刚从处理液喷嘴向旋转的基板9的表面周缘部911内的各位置供给新的处理液后，由与该处理液喷嘴对应的吸引管502a、502b吸引供给至该位置的多余的处理液。由此，能够将保持在表面周缘部911内的各位置的处理液的量总是维持在所需足够的的量。进而，能够高精度地控制表面周缘部911中的处理液作用的区域的内缘位置。
另外，根据上述实施方式，在各吸引管502a、502b配置在吸引位置的状态下，吸引口521的内侧端5211相比表面周缘部911中的应使处理液作用的区域(即，应使从与该吸引管502a、502b建立对应的处理液喷嘴喷出的处理液作用的区域即目标处理区域)的内缘位置(目标内缘位置t)，位于基板9的端面93侧。根据该结构，能够使吸引压作用于比目标内缘位置t更靠基板9的端面93侧。因此，能够抑制处理液露出到应使处理液作用的区域的内侧。
另外，根据上述实施方式，在各吸引管502a、502b配置在吸引位置的状态下，吸引口521的外侧端5212相比基板9的端面93位于内侧。根据该结构，能够有效地使吸引压作用于处理液。
另外，根据上述实施方式，向基板9上的第一位置喷出处理液，并从比该第一位置更靠基板9的端面93侧的第二位置吸引多余的处理液。根据该结构，表面周缘部911上的多余的处理液从基板9的内侧向外侧流动并由吸引管502a、502b吸引，因此，能够充分抑制表面周缘部911上的多余的处理液扩展到基板9的中心侧。
另外，根据上述实施方式，周缘部用处理头51具有向表面周缘部911喷出气体的气体喷嘴501d。根据该结构，能够利用从气体喷嘴501d喷出的气体除去从处理液喷嘴501a、501b、501c供给至表面周缘部911的旧的处理液。由此，难以发生新供给的处理液与表面周缘部911上的旧的处理液碰撞而飞溅这样的状况。由此，能够抑制处理液进入器件区域90。
另外，根据上述实施方式，与向旋转的基板9的表面周缘部911喷出处理液并行，吸引表面周缘部911上的多余的处理液。根据该结构，能够避免处理效率下降，并能够抑制表面周缘部911上的多余的处理液扩展至基板9的中心侧。
<5.周缘部用处理头的变形例>
参照图46对其他方式的周缘部用处理头51a进行说明。图46是周缘部用处理头51a的立体图。此外，在图中，对于与在上述实施方式说明的结构相同的结构，标注相同的附图标记。另外，在以下的说明中，对在上述实施方式中说明的结构相同的结构，省略说明，并且标注相同的附图标记来表示。
周缘部用处理头51a与上述实施方式的周缘部用处理头51同样，具有多个喷出喷嘴501a～501d、多个吸引管502a、502b。进而，周缘部用处理头51a具有对多个喷出喷嘴501a～501d以及多个吸引管502a、502b进行一体支撑的支撑部500。
周缘部用处理头51a中的各吸引管502a、502b的布局与上述实施方式的周缘部用处理头51不同。即，在周缘部用处理头51a中，第一吸引管502a配置在第一吸引管502a所对应的处理液喷嘴即第一药液喷嘴501a的附近，并相比第一药液喷嘴501a配置在基板9的旋转方向AR9的上游侧。另外，第二吸引管502b配置在第二吸引管502b所对应的处理液喷嘴即第二药液喷嘴501b的附近，并相比第二药液喷嘴501b配置在基板9的旋转方向AR9的上游侧。其中，与上述实施方式相同，在此所提及的“附近”也是指，从基板9的中心观察，第一吸引管502a和第一药液喷嘴501a所成的角度(或者第二吸引管502b和第二药液喷嘴501b所成的角度)在10°以下，特别优选在5°以下。
这样，在周缘部用处理头51a中，各吸引管502a、502b配置在各自对应的处理液喷嘴的附近，并相比该处理液喷嘴配置在基板9的旋转方向AR9的上游侧。根据该结构，能够由与处理液喷嘴对应的吸引管502a、502b吸引从该处理液喷嘴供给并流向基板9的旋转方向的上游侧的多余的处理液，来从表面周缘部911除去。其结果能够抑制表面周缘部911上的多余的处理液扩展到基板9的中心侧。
另外，根据该结构，旋转的基板9的表面周缘部911内的各位置在刚通过各药液喷嘴501a、501b的下方之前，通过与该药液喷嘴501a、501b对应的吸引管502a、502b的下方。因此，能够在一周前从处理液喷嘴供给并在基板9旋转一周的期间未被甩掉的旧的处理液由与该处理液喷嘴对应的吸引管502a、502b吸引后，从该处理液喷嘴向该位置供给新的处理液。由此，能够抑制发生新供给的处理液与表面周缘部911上的旧的处理液碰撞而导致处理液进入器件区域90这样的状况。
<6.变形例>
另外，在上述实施方式中，周缘部用处理头51具有2个吸引管502a、502b，各吸引管502a、502b与各药液喷嘴501a、501b建立对应，但是，周缘部用处理头51还可以具有与冲洗液喷嘴501c建立对应的吸引管。当然，周缘部用处理头51未必需要2个以上的吸引管，只要具有至少1个吸引管即可，该至少一个吸引管分别与某个处理液喷嘴501a、501b、501b对应。另外，也可以设置多个与1个处理液喷嘴对应的吸引管。
另外，在上述实施方式的周缘部用处理头51中，相对于冲洗液喷嘴501c，在基板9的旋转方向AR9的上游侧配置第一药液喷嘴501a，在下游侧配置第二药液喷嘴501b，但是，也可以相对于冲洗液喷嘴501c，在基板9的旋转方向AR9的上游侧配置第二药液喷嘴501b，在下游侧配置第一药液喷嘴501a。
另外，在上述实施方式中，采用分别在利用SC-2进行药液处理(步骤S201)的期间、利用SC-2进行药液处理(步骤S204)的期间、利用DHF进行药液处理(步骤S208)的期间，吸引管502a、502b吸引供给到基板9的表面周缘部911上的多余的药液的结构，但是未必在所有的药液处理中利用吸引管502a、502b进行吸引。例如，在以清洗为目的的药液处理中，也可以不利用吸引管502a、502b进行吸引。
另外，在上述实施方式中，从药液喷嘴501a、501b开始向表面周缘部911喷出药液的同时，吸引管502a、502b开始进行吸引，但是，也可以在开始喷出药液之后或开始喷出药液之前，吸引管502a、502b开始进行吸引。
另外，在上述实施方式中，从药液喷嘴501a、501b停止向表面周缘部911喷出药液的同时，吸引管502a、502b停止吸引，但是，也可以在停止喷出药液之后、或停止喷出药液之前，吸引管502a、502b停止吸引。
<<其他实施方式>>
在上述各实施方式中，在利用SC-2进行药液处理(步骤S201)、以及利用DHF进行药液处理(步骤S208)时，不向基板9的背面92供给蒸汽(不进行加热辅助)。即，在上述实施方式中，利用SC-2进行的药液处理不是蚀刻处理而是进行清洗处理的药液处理，因此省略加热辅助。另外，DHF即使没有加热辅助也能够以比较高的蚀刻速率进行蚀刻，因此，在利用DHF进行药液处理时也省略加热辅助。但是，因处理对象等而不同，在利用SC-2进行药液处理、或利用DHF进行药液处理的期间，也可以向基板9的背面92供给蒸汽。
另外，在上述各实施方式，在利用SC-1进行的药液处理(步骤S201)以及之后的冲洗处理(步骤S202)、利用SC-2进行的药液处理(步骤S204)、以及之后的冲洗处理(步骤S206)的各处理中，不从气体喷嘴50d向表面周缘部911供给气体。其原因在于，当供给SC-1或SC-2时，表面周缘部911具有亲水性，因此，供给至此的处理液的液膜因仅受到由基板的旋转产生的离心力的作用而比较稳定地保持在周缘部上，当向这种状态的表面周缘部911供给气体时，反而有可能导致发生液体飞溅。但是，因处理对象等的不同，也可以在进行上述各处理的期间，向表面周缘部911供给气体。
另外，在上述各实施方式中，在利用SC-1进行药液处理后，不进行液体甩掉处理。其原因在于，在上述实施方式中，通过利用SC-1进行的药液处理对基板9实施蚀刻处理，在蚀刻处理后不进行液体甩掉处理而进行冲洗处理，迅速地冲洗掉用于蚀刻的药液，由此能够良好地控制蚀刻宽度以及蚀刻深度。此外，当供给SC-1时，表面周缘部911具有亲水性，因此，在利用SC-1进行的药液处理结束的时刻，在表面周缘部911上残存的SC-1处于薄薄地扩展到表面周缘部911上的状态。即使向这种状态的表面周缘部911供给作为接下来的处理液的冲洗液，也比较难以发生液体飞溅。即，即使在利用SC-1进行药液处理后省略液体甩掉处理，也难以成为严重的问题。当然，因处理对象等的不同，也可以在利用SC-1进行药液处理后，进行液体甩掉处理。例如，在通过利用SC-1进行的药液处理对基板9不是实施蚀刻处理而实施清洗处理(例如除去在基板9的表面周缘部911附着的有机物等的清洗处理)的情况下，反而优选在利用SC-1进行药液处理后进行液体甩掉处理。
另外，在上述各实施方式中，在利用DHF进行药液处理后也不进行液体甩掉处理。其原因在于，上述实施方式中，通过利用DHF进行的药液处理对基板9实施蚀刻处理，如上所述，在蚀刻处理后不进行液体甩掉处理而进行冲洗处理，迅速地冲洗掉用于蚀刻的药液，由此能够良好地控制蚀刻宽度以及蚀刻深度。此外，当供给DHF时，表面周缘部911具有憎水性，因此处于在表面周缘部911上难以残存处理液的状态。并且，在上述实施方式中，在利用DHF进行药液处理的期间，从气体喷嘴50d向表面周缘部911供给气体，因此，供给到表面周缘部911上的不要的大部分DH从基板9的端面93被除去。因此，在利用DHF进行的药液处理完成的时刻(没必要进行液体甩掉处理)，在基板9的表面周缘部911上几乎不残存DHF。因此，特别缺少在利用DHF进行药液处理后进行液体甩掉处理的必要性。当然，因处理对象等的不同，也可以在利用DHF进行药液处理后进行液体甩掉处理。
另外，在上述各实施方式中，在各表面周缘处理(步骤S2)以及背面处理(步骤S4)中，使用了三种药液(SC-1、SC-2、以及DHF)的药液处理隔着冲洗处理等依次进行，但是未必使用这三种药液进行药液处理。例如，也可以使用从SC-1、SC-2、DHF、BDHF(缓冲氢氟酸)、HF(氢氟酸)、盐酸、硫酸、硝酸、磷酸、醋酸、草酸或氨等水溶液、或者它们的混合溶液等中选择的1种以上的药液，对表面周缘部911或背面92进行药液处理。
另外，上述各实施方式的流体供给部55可以组合供给氢氟酸(例如49％的氢氟酸)的氢氟酸供给源、供给盐酸的盐酸供给源、供给过氧化氢的过氧化氢供给源、供给氢氧化氨的氢氧化氨供给源、供给纯水的纯水供给源、供给二氧化碳气体的二氧化碳气体供给源、供给氮气的氮气供给源、配管、开闭阀、以及混合阀等来构成。在该结构中，例如，来自氢氟酸供给源的氢氟酸和来自纯水供给源的纯水在混合阀内以规定的比率混合来生成DHF，DHF供给至周缘部用喷出头51(具体地说，第一药液喷嘴50a、501a)。另外，来自盐酸供给源的盐酸和来自过氧化氢供给源的过氧化氢在混合阀内以规定的比率混合来生成SC-2，SC-2供给至周缘部用喷出头51(具体地说，第一药液喷嘴50a、501a)。另外，来自氢氧化氨供给源的氢氧化氨、来自过氧化氢供给源的过氧化氢和来自纯水供给源的纯水在混合阀内以规定的比率混合来生成SC-1，SC-1供给至周缘部用喷出头51(具体地说，第二药液喷嘴50b、501b)。另外，在来自纯水供给源的纯水中溶解二氧化碳来生成冲洗液，冲洗液供给至周缘部用喷出头51(具体地说，冲洗液喷嘴50c、501c)。
另外，在上述各实施方式中，加热处理部7使用蒸汽对基板9进行加热，但是加热处理部7也可以使用其他加热源(例如电热丝加热器、灯加热器等)对基板9进行加热。当然，使用蒸汽对基板9进行加热的方式与利用电热丝加热器或灯加热器对基板9进行加热的方式相比，能够局部短时间对基板9进行加热(进而，能够实现良好的生产能力)，因此特别优选。
另外，在上述各实施方式中，在液体甩掉处理中，依次进行液体靠近工序(步骤S2031)和吹飞工序(步骤S2032)，但液体靠近工序(步骤S2031)和吹飞工序(步骤S2032)也可以并行进行。
另外，进行液体甩掉处理的时机并不限于在上述实施方式例示的时机。例如，也可以省略在利用SC-2进行药液处理后的液体甩掉处理，也可以省略各冲洗处理之后的液体甩掉处理中的至少一个。另外，如上所述，也可以在利用SC-1进行药液处理后进行液体甩掉处理，也可以在利用DHF进行药液处理后进行液体甩掉处理。
另外，在上述各实施方式中，在基板处理装置1中，对基板9的表面周缘部911以及背面92实施处理，但在基板处理装置1中，也可以仅对表面周缘部911或背面92进行处理。另外，在基板处理装置1中，对表面周缘部911以及背面92的至少一方实施蚀刻处理、清洗处理以外的处理(例如成膜处理)。
另外，在上述各实施方式的周缘部用喷出头51中，相对于冲洗喷嘴50c，在基板9的旋转方向AR9的上游侧配置第一药液喷嘴50a，在下游侧配置第二药液喷嘴50b，但也可以相对于冲洗喷嘴50c，在基板9的旋转方向AR9的上游侧配置第二药液喷嘴50b，在下游侧配置第一药液喷嘴50a。
另外，在上述各实施方式中，在周缘部用喷出头51配置在处理位置的状态下，周缘部用喷出头51的至少一部分容纳于在挡板构件60的内周壁601形成的切口605内，但也可以在周缘部用喷出头51配置在处理位置的状态下，周缘部用喷出头51的至少一部分(具体地说，例如周缘部用喷出头51所具有的喷嘴50的至少一部分)例如容纳于从挡板构件60的上表面604贯通至下表面602的贯通孔内。也就是说，配置在处理位置的周缘部用喷出头51所具有的喷嘴50隔着挡板构件60的一部分配置在与杯31相反一侧。
另外，在上述各实施方式的基板处理装置1中，可以对表面周缘部911以及背面92中的至少一方进行蚀刻处理、清洗处理的处理(例如成膜处理)。
另外，在上述各实施方式中，在基板处理装置1对基板9的表面周缘部911进行处理后，对背面92进行处理，但对表面周缘部911的处理和对背面92的处理可以并行进行。
另外，在上述各实施方式中，基板9为半导体晶片，但是基板9也可以是液晶表示装置用玻璃基板、等离子体显示器用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用玻璃基板、太阳电池用基板等。
如以上那样，本发明被详细表示并记载，但上述的记载在所有的方式中仅是例示而不是限定性的。因此，本发明在其发明的范围内能对实施方式适当变形、省略。

Claims (21)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
基板保持部，其将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转；
挡板构件，其呈沿着所述基板的表面周缘部的至少一部分形成的形状，并配置在与被所述基板保持部保持的基板的表面周缘部以非接触状态接近的位置；
杯，其为上端开放的筒形状构件，同时包围所述挡板构件和被所述基板保持部保持的基板；
喷嘴，隔着所述挡板构件的至少一部分而相对于所述杯配置在所述挡板构件的内周壁侧，向被所述基板保持部保持的所述基板的表面周缘部喷出处理液，
在处理位置，所述挡板构件的下表面配置在比所述杯的上端缘部的下表面低的位置，所述挡板构件的所述内周壁比所述基板的端面更靠内侧。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述挡板构件的下表面的至少一部分与所述表面周缘部相向配置。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述挡板构件的下表面配置在与所述喷嘴中的所述处理液的喷出面相同的高度位置或比所述喷出面低的位置。
4.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述挡板构件是沿着所述基板的表面周缘部的整周形成的环状构件。
5.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述挡板构件具有用于容纳所述喷嘴的至少一部分的切口。
6.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
基板保持部，其将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转；
挡板构件，其呈沿着所述基板的表面周缘部的至少一部分形成的形状，并配置在与被所述基板保持部保持的基板的表面周缘部以非接触状态接近的位置；
杯，其为上端开放的筒形状构件，同时包围所述挡板构件和被所述基板保持部保持的基板；
喷嘴，隔着所述挡板构件的至少一部分配置在与所述杯的一侧相反的一侧，向被所述基板保持部保持的所述基板的表面周缘部喷出处理液，
在处理位置，所述挡板构件的下表面配置在比所述杯的上端缘部的下表面低的位置，
所述挡板构件具有：
主体部，
檐部，其从所述主体部的外周壁突出；
所述主体部的外周壁与所述杯的上端缘部以非接触状态接近，并沿着所述上端缘部的至少一部分延伸，
所述主体部的外周壁和所述杯的上端缘部之间的间隙被所述檐部覆盖。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述挡板构件具有用于容纳所述喷嘴的至少一部分的切口。
8.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
基板保持部，其将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转；
挡板构件，其呈沿着所述基板的表面周缘部的至少一部分形成的形状，并配置在与被所述基板保持部保持的基板的表面周缘部以非接触状态接近的位置；
杯，其为上端开放的筒形状构件，同时包围所述挡板构件和被所述基板保持部保持的基板；
喷嘴，隔着所述挡板构件的至少一部分而相对于所述杯配置在所述挡板构件的内周壁侧，向被所述基板保持部保持的所述基板的表面周缘部喷出处理液，
所述挡板构件具有用于容纳所述喷嘴的至少一部分的切口，
在处理位置，所述挡板构件的所述内周壁比所述基板的端面更靠内侧。
9.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
基板保持部，其将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转；
挡板构件，其呈沿着所述基板的表面周缘部的至少一部分形成的形状，并配置在与被所述基板保持部保持的基板的表面周缘部以非接触状态接近的位置；
杯，其为上端开放的筒形状构件，同时包围所述挡板构件和被所述基板保持部保持的基板；
喷嘴，隔着所述挡板构件的至少一部分配置在与所述杯的一侧相反的一侧，向被所述基板保持部保持的所述基板的表面周缘部喷出处理液，
所述挡板构件是沿着所述基板的表面周缘部的整周形成的环状构件，
所述挡板构件由相互独立的多个弧状构件形成，所述多个弧状构件处于各所述弧状构件的周向的端面彼此相互抵接的状态，
在所述基板保持部未保持基板的期间，所述多个弧状构件分别与其他弧状构件分离，并配置在基板的搬入搬出路径的外侧的待避位置。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述基板保持部未保持基板的期间，所述杯配置在所述杯的上端缘部比所述基板保持部的上表面更靠下方的待避位置，
所述多个弧状构件各自的所述待避位置是如下位置：比所述基板保持部的上表面更靠下侧，且在从上方观察时比所述杯的上端缘部更靠外侧。
11.如权利要求9或10所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具有：
升降驱动部，其使所述多个弧状构件分别沿着铅垂轴升降移动；
进退驱动部，其使所述多个弧状构件分别在水平面内在与其他弧状构件接近或分离的方向上进退移动。
12.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
基板保持部，其将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转；
挡板构件，其呈沿着所述基板的表面周缘部的至少一部分形成的形状，并配置在与被所述基板保持部保持的基板的表面周缘部以非接触状态接近的位置；
杯，其为上端开放的筒形状构件，同时包围所述挡板构件和被所述基板保持部保持的基板；
喷嘴，隔着所述挡板构件的至少一部分配置在与所述杯的一侧相反的一侧，向被所述基板保持部保持的所述基板的表面周缘部喷出处理液，
在处理位置，所述挡板构件的下表面配置在比所述杯的上端缘部的下表面低的位置，
所述挡板构件由相互独立的多个弧状构件形成，所述多个弧状构件处于各所述弧状构件的周向的端面彼此相互抵接的状态，
在所述基板保持部未保持基板的期间，所述多个弧状构件分别与其他弧状构件分离，并配置在基板的搬入搬出路径的外侧的待避位置。
13.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述基板保持部未保持基板的期间，所述杯配置在所述杯的上端缘部比所述基板保持部的上表面更靠下方的待避位置，
所述多个弧状构件各自的所述待避位置是如下位置：比所述基板保持部的上表面更靠下侧，且在从上方观察时比所述杯的上端缘部更靠外侧。
14.如权利要求12或13所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具有：
升降驱动部，其使所述多个弧状构件分别沿着铅垂轴升降移动；
进退驱动部，其使所述多个弧状构件分别在水平面内在与其他弧状构件接近或分离的方向上进退移动。
15.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
工序a，使基板保持部将基板保持为水平姿势；
工序b，将呈沿着所述基板的表面周缘部的至少一部分形成的形状的挡板构件配置在与所述表面周缘部以非接触状态接近的位置；
工序c，将上端开放的筒形状的杯配置为同时包围所述基板和所述挡板构件；
工序d，在隔着所述挡板构件的至少一部分而相对于所述杯位于所述挡板构件的内周壁侧的位置配置喷嘴；
工序e，使被所述基板保持部保持的基板旋转，并从所述喷嘴向所述基板的表面周缘部喷出处理液，
在处理位置，所述挡板构件的下表面配置在比所述杯的上端缘部的下表面低的位置，所述挡板构件的所述内周壁比所述基板的端面更靠内侧。
16.一种基板处理装置，其特征在于，
具有：
基板保持部，其将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转，
周缘部用喷出头，其向被所述基板保持部保持的所述基板的表面周缘部喷出处理液，
背面处理部，其不向被所述基板保持部保持的所述基板的表面喷出处理液而向被所述基板保持部保持的所述基板的背面喷出处理液，
控制部，其对所述基板保持部、所述周缘部用喷出头以及所述背面处理部进行控制；
所述控制部使所述周缘部用喷出头向被所述基板保持部保持旋转的所述基板的表面周缘部喷出处理液后，使所述背面处理部不向所述基板的表面喷出处理液而向所述基板的背面以不绕入到基板的表面的方式喷出处理液，
在所述基板保持部设置有与所述基板抵接的抵接构件，该抵接构件从所述基板的斜下方与所述基板抵接，在所述基板与所述抵接构件抵接的状态下，所述基板的上表面位于比所述抵接构件的上端面高的位置。
17.如权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部在停止从所述周缘部用喷出头喷出处理液之后且在开始从所述背面处理部喷出处理液之前，使所述基板保持部降低所述基板的旋转速度。
18.如权要求16或17所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置具有：
挡板构件，其呈沿着所述基板的表面周缘部的至少一部分形成的形状，并配置在与被所述基板保持部保持的所述基板的表面周缘部以非接触状态接近的位置，
杯，其为上端开放的筒形状构件，同时包围所述挡板构件和被所述基板保持部保持的所述基板；
所述周缘部用喷出头隔着所述挡板构件的至少一部分配置在与所述杯的一侧相反的一侧的位置，向所述表面周缘部喷出处理液。
19.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
工序a，使基板保持部将基板保持为水平姿势；
工序b，使被所述基板保持部保持的所述基板围绕通过所述基板的面内的中心的铅垂的旋转轴开始旋转；
工序c，向被所述基板保持部保持旋转的所述基板的表面周缘部喷出处理液；
工序d，在所述工序c之后，向被所述基板保持部保持旋转的所述基板的背面以不绕入到基板的表面的方式喷出处理液，
在所述基板保持部设置有与所述基板抵接的抵接构件，该抵接构件从所述基板的斜下方与所述基板抵接，在所述基板与所述抵接构件抵接的状态下，所述基板的上表面位于比所述抵接构件的上端面高的位置。
20.如权利要求19所述的基板处理方法，其特征在于，包括：
工序e，在所述工序c之后且在所述工序d之前，使被所述基板保持部保持的所述基板的旋转速度下降。
21.如权利要求19或20所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述工序a之后且在所述工序b之前，该基板处理方法包括：
工序f，将呈沿着被所述基板保持部保持的所述基板的表面周缘部的至少一部分形成的形状的挡板构件配置在与所述表面周缘部以非接触状态接近的位置；
工序g，将上端开放的筒形状的杯配置为同时包围所述挡板构件和被所述基板保持部保持的所述基板；
工序h，在隔着所述挡板构件的至少一部分而与所述杯的一侧相反的一侧的位置，配置所述周缘部用喷出头。
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