JP6113618B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等（以下、単に「基板」という）に、処理を施す技術に関する。

従来から、回転される基板に対して処理液を供給して、基板を液処理する基板処理装置が存在する（例えば、特許文献１〜３参照）。例えば、特許文献２には、スピンベースに設けられた３個以上の保持部材で、ウエハの外周端部を保持することによって、ウエハを、スピンベースの表面から離間した状態で支持し、当該ウエハを回転しつつ、その下面に向けて、処理液を供給する構成が記載されている。

特開平７−１１５０８１号公報 特開２０００−２３５９４８号公報 特開２００２−３５９２２０号公報

ところで、回転される基板の下面に処理液を供給して、当該基板の下面を液処理する場合に、基板の下面に供給された処理液の一部が、基板の上面に回り込んでしまう可能性がある。例えば、特許文献２のように、スピンベースに設けられた保持部材で基板の外周端部を保持することによって、当該基板をスピンベースの表面から離間した状態で支持している場合、基板の下面に供給された処理液が、保持部材を伝って、基板の上面に回り込んでしまう可能性がある。

一般的に、基板の上面への処理液の回り込みは、好ましいものではない。例えば、表面が上を向くように支持されて回転される基板の下面（すなわち、基板の裏面）に処理液を供給して、当該基板の裏面を液処理する場合に、裏面に供給された処理液の一部が基板の表面に回り込んで、基板の表面における、デバイスパターンが形成される領域（デバイス領域）に処理液が付着してしまうと、デバイスパターンの不具合、ひいては、歩留まりの低下の原因となる虞がある。

この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板の下面に供給された処理液が、基板の上面に回り込むことを抑制できる技術を提供することを目的とする。

第１の態様は、基板処理装置であって、回転軸を中心に水平面内で回転されるスピンベースと、前記スピンベースの上方に基板を保持する保持部と、前記保持部に保持される前記基板の下面に向けて、処理液を吐出する下面処理部と、を備え、前記保持部が、基板の斜め下から前記基板に当接して、前記基板を、前記スピンベースの上面から離間した位置に水平姿勢で保持する、複数の第１当接部材と、基板の側方から前記基板に当接して、前記基板を、前記スピンベースの上面から離間した位置に水平姿勢で保持する、複数の第２当接部材と、前記複数の第１当接部材が基板を保持する第１保持状態と、前記複数の第２当接部材が基板を保持する第２保持状態と、を切り換える切換部と、を備え、前記第２保持状態において、前記第１当接部材が基板から離間しており、前記第１保持状態において、基板の上面が前記第１当接部材の上端よりも高い位置にあり、かつ、前記第２当接部材が前記基板から離間している。

第２の態様は、第１の態様に係る基板処理装置であって、基板の回転速度が定められた閾値より小さい場合に、前記複数の第１当接部材が前記基板を保持し、基板の回転速度が前記閾値以上の場合に、前記複数の第２当接部材が前記基板を保持する。

第３の態様は、第１または第２の態様に係る基板処理装置であって、前記第１当接部材が、円錐体の上部を底面と平行に切り落とした形状部分、を備え、前記第１当接部材が、前記円錐体の傾斜した側面において、前記基板と当接する。

第４の態様は、第３の態様に係る基板処理装置であって、前記円錐体の傾斜した側面が水平面となす角度が、４５°以上である。

第５の態様は、第１から第４のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記第１当接部材の表面が、疎水性である。

第６の態様は、第１から第５のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記切換部が、前記複数の第２当接部材の各々を、前記スピンベース上の基板の周縁と近接離間する方向に移動させることによって、前記第１保持状態と前記第２保持状態と間の切り換えが行われる。

第７の態様は、第１から第６のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記基板処理装置に対する基板の搬出入を行う搬送ロボットから前記スピンベース上に移載された基板が、まずは、前記複数の第１当接部材に保持される。

第８の態様は、基板処理方法であって、ａ）複数の第１当接部材を基板の斜め下から前記基板に当接させるとともに、複数の第２当接部材を前記基板から離間させて、前記基板を、スピンベースの上面から離間した位置に水平姿勢で保持する工程と、ｂ）前記複数の第１当接部材に保持される前記基板を、第１回転速度で回転しつつ、前記基板の下面に処理液を供給する工程と、ｃ）前記ｂ）工程の後、複数の第２当接部材を前記基板の側方から前記基板に当接させるとともに、前記複数の第１当接部材を前記基板から離間させて、前記基板を、前記スピンベースの上面から離間した位置に水平姿勢で保持する工程と、ｄ）前記複数の第２当接部材に保持される前記基板を、第１回転速度よりも大きな第２回転速度で回転させる工程と、を備え、前記複数の第１当接部材に保持される基板の上面が、前記第１当接部材の上端よりも高い位置にある。

第１、第８の態様によると、複数の第１当接部材が基板を保持する第１保持状態において、基板の上面が第１当接部材の上端よりも高い位置にあり、かつ、第２当接部材が基板から離間している。したがって、この第１保持状態においては、基板の下面に供給された処理液が、第１当接部材を伝って基板の上面に回り込みにくく、第２当接部材を伝っても基板の上面に回り込みにくい。すなわち、基板の下面に供給された処理液が、基板の上面に回り込むことを抑制できる。

第２の態様によると、閾値より小さな回転速度で回転される基板は、複数の第１当接部材で保持され、閾値以上の回転速度で回転される基板は、複数の第２当接部材で保持される。基板の回転速度が小さいほど、基板の下面に供給された処理液が遠心力で吹き飛ばされにくいために、当該処理液が基板の上面に回り込みやすくなるところ、ここでは、基板が比較的低速で回転される際には、複数の第１当接部材が基板を保持する第１保持状態とされるので、当該基板の下面に供給された処理液が基板の上面に回り込むことを抑制できる。一方で、基板の回転速度が大きいほど、基板が水平面内で位置ずれを起こしやすいところ、ここでは、基板が比較的高速で回転される際には、複数の第２当接部材が基板を保持する第２保持状態とされるので、当該基板が水平面内で位置ずれを起こすことを回避できる。

第３の態様によると、第１当接部材が、円錐体の傾斜した側面において基板と当接する。この構成によると、第１当接部材が基板を保持する第１保持状態において、基板の下面と当該傾斜した側面との隙間空間に寄せられた液が、当該傾斜した側面を伝って下方に落下しやすい。すなわち、当該隙間空間に液溜まりが形成されにくい。したがって、当該隙間空間に液溜まりが生じてそれが基板の上面に回り込む、といった事態の発生を抑制できる。さらに、基板の下面に供給された処理液が、当該傾斜した側面を伝って下方に落ちるという処理液の流れ（すなわち、基板の下面に供給された処理液を下方に導く処理液の流れ）が形成されることになるので、基板の下面に供給された処理液を、上面に回り込ませることなく、基板から速やかに除去することができる。

第４の態様によると、第１当接部材の斜側した側面と水平面とがなす角度が４５°以上である。この構成によると、第１当接部材が基板を保持する第１保持状態において、基板の下面と当該傾斜した側面との隙間空間に寄せられた液が、速やかに、当該傾斜した側面を伝って下方に落下する。したがって、当該隙間空間に液溜まりが生じてそれが基板の上面に回り込む、といった事態の発生を十分に抑制できるとともに、基板の下面に供給された処理液を、上面に回り込ませることなく、基板９から特に速やかに除去することができる。

第５の態様によると、第１当接部材の表面が疎水性である。この構成によると、第１当接部材に処理液が付着しづらく、基板の下面と第１当接部材との隙間空間に液溜まりが形成されにくい。したがって、当該隙間空間に液溜まりが生じてそれが基板の上面に回り込む、といった事態の発生を抑制できる。

第６の態様によると、複数の第２当接部材が、基板の周縁と近接離間する方向に移動されることによって、第１保持状態と第２保持状態と間の切り換えが行われる。この構成によると、第１保持状態と第２保持状態と間の切り換えを、簡易かつ速やかに行うことができる。

基板処理システムを模式的に示す概略平面図である。 処理対象となる基板の周縁部付近を示す断面図である。 基板処理装置の概略斜視図である。 基板処理装置の概略斜視図である。 基板処理装置の構成を説明するための模式図である。 スピンベースを斜め上から見た斜視図である。 第１当接部材を側方から見た図である。 第２当接部材を側方から見た図である。 第１保持状態を示す平面図である。 図９を矢印Ｋ１方向から見た側断面である。 第２保持状態を示す平面図である。 図１１を矢印Ｋ１方向から見た側断面である。 基板処理装置で実行される動作の全体の流れを示す図である。 前処理の流れを示す図である。 前処理を説明するための図である。 表面周縁処理の流れを示す図である。 表面周縁処理を説明するための図である。 裏面処理等の流れを示す図である。 裏面処理等を説明するための図である。

以下、図面を参照しながら、実施の形態について説明する。以下の実施の形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。また、以下に参照する各図では、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。

＜１．基板処理システム１００＞
＜１−１．構成＞
基板処理システム１００の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、基板処理システム１００を模式的に示す概略平面図である。

基板処理システム１００は、複数枚の基板９を、一枚ずつ、連続して処理するシステムである。以下の説明において、基板処理システム１００で処理の対象とされる基板９は、例えば、円形の半導体ウェハであるとする。

基板処理システム１００は、並設された複数のセル（処理ブロック）（具体的には、インデクサセル１１０および処理セル１２０）と、当該複数のセル１１０，１２０が備える各動作機構等を制御する制御部１３０と、を備える。

＜インデクサセル１１０＞
インデクサセル１１０は、装置外から受け取った未処理の基板９を処理セル１２０に渡すとともに、処理セル１２０から受け取った処理済みの基板９を装置外に搬出するためのセルである。インデクサセル１１０は、複数のキャリアＣを載置するキャリアステージ１１１と、各キャリアＣに対する基板９の搬出入を行う基板搬送装置（移載ロボット）ＩＲと、を備える。

キャリアステージ１１１に対しては、未処理の基板９を収納したキャリアＣが、装置外部から、ＯＨＴ(Overhead Hoist Transfer)等によって搬入されて載置される。未処理の基板９は、キャリアＣから１枚ずつ取り出されて装置内で処理され、装置内での処理が終了した処理済みの基板９は、再びキャリアＣに収納される。処理済みの基板９を収納したキャリアＣは、ＯＨＴ等によって装置外部に搬出される。このように、キャリアステージ１１１は、未処理の基板９および処理済みの基板９を集積する基板集積部として機能する。なお、キャリアＣの形態としては、基板９を密閉空間に収納するＦＯＵＰ(Front Opening Unified Pod)であってもよいし、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや、収納された基板９を外気に曝すＯＣ(Open Cassette)であってもよい。

移載ロボットＩＲは、基板９を下方から支持することによって、基板９を水平姿勢（基板９の主面が水平な姿勢）で保持するハンド１１２と、ハンド１１２を駆動するハンド駆動機構１１３と、を備える。移載ロボットＩＲは、キャリアステージ１１１に載置されたキャリアＣから未処理の基板９を取り出して、当該取り出した基板９を、基板受渡位置Ｐにおいて搬送ロボットＣＲ（後述する）に渡す。また、移載ロボットＩＲは、基板受渡位置Ｐにおいて搬送ロボットＣＲから処理済みの基板９を受け取って、当該受け取った基板９を、キャリアステージ１１１上に載置されたキャリアＣに収納する。

＜処理セル１２０＞
処理セル１２０は、基板９に処理を行うためのセルである。処理セル１２０は、複数の基板処理装置１と、当該複数の基板処理装置１に対する基板９の搬出入を行う基板搬送装置（搬送ロボットＣＲ）と、を備える。ここでは、複数個（例えば、３個）の基板処理装置１が鉛直方向に積層されて、１個の基板処理装置群１０を構成している。そして、複数個（図示の例では、４個）の基板処理装置群１０が、搬送ロボットＣＲを取り囲むようにクラスタ状（房状）に設置される。

複数の基板処理装置１の各々は、内部に処理空間を形成する筐体１１を備える。筐体１１には、搬送ロボットＣＲのハンド１２１を筐体内部に挿入させるための搬出入口１２が形成されており、基板処理装置１は、搬送ロボットＣＲが配置されている空間に、この搬出入口１２を対向させるようにして配置される。基板処理装置１の具体的な構成については、後に説明する。

搬送ロボットＣＲは、基板９を下方から支持することによって、基板９を水平姿勢で保持するハンド１２１と、ハンド１２１を駆動するハンド駆動機構１２２と、を備える。ただし、上述したとおり、搬送ロボットＣＲ（具体的には、搬送ロボットＣＲの基台）は、複数の基板処理装置群１０に取り囲まれる空間の中央に配置される。搬送ロボットＣＲは、指定された基板処理装置１から処理済みの基板９を取り出して、当該取り出した基板９を、基板受渡位置Ｐにおいて移載ロボットＩＲに渡す。また、搬送ロボットＣＲは、基板受渡位置Ｐにおいて移載ロボットＩＲから未処理の基板９を受け取って、当該受け取った基板９を、指定された基板処理装置１に搬送する。

＜制御部１３０＞
制御部１３０は、移載ロボットＩＲ、搬送ロボットＣＲ、および、一群の基板処理装置１の各々を制御する。制御部１３０のハードウエアとしての構成は、一般的なコンピュータと同様のものを採用できる。すなわち、制御部１３０は、例えば、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク、等を備えている。制御部１３０において、プログラムに記述された手順に従って主制御部としてのＣＰＵが演算処理を行うことにより、基板処理システム１００の各部を制御する各種の機能部が実現される。もっとも、制御部１３０において実現される一部あるいは全部の機能部は、専用の論理回路などでハードウエア的に実現されてもよい。

＜１−２．動作＞
基板処理システム１００の全体動作について、引き続き図１を参照しながら説明する。基板処理システム１００においては、制御部１３０が、基板９の搬送手順および処理条件等を記述したレシピにしたがって、基板処理システム１００が備える各部を制御することによって、以下に説明する一連の動作が実行される。

未処理の基板９を収容したキャリアＣがキャリアステージ１１１に載置されると、移載ロボットＩＲが、当該キャリアＣから未処理の基板９を取り出す。そして、移載ロボットＩＲは、未処理の基板９を保持したハンド１１２を基板受渡位置Ｐまで移動させて、基板受渡位置Ｐにおいて、当該未処理の基板９を、搬送ロボットＣＲに渡す。ハンド１２１上に未処理の基板９を受け取った搬送ロボットＣＲは、当該未処理の基板９を、レシピにて指定された基板処理装置１に搬入する。なお、移載ロボットＩＲと搬送ロボットＣＲとの間の基板９の受け渡しは、ハンド１１２，１２１間で直接に行われてもよいし、基板受渡位置Ｐに設けられた載置部などを介して行われてもよい。

基板９が搬入された基板処理装置１においては、基板９に対して、定められた処理が実行される。基板処理装置１にて実行される処理の流れについては、後に説明する。

基板処理装置１において基板９に対する処理が終了すると、搬送ロボットＣＲは、処理済みの基板９を基板処理装置１から取り出す。そして、搬送ロボットＣＲは、処理済みの基板９を保持したハンド１２１を基板受渡位置Ｐまで移動させて、基板受渡位置Ｐにおいて、当該処理済みの基板９を、移載ロボットＩＲに渡す。ハンド１１２上に処理済みの基板９を受け取った移載ロボットＩＲは、当該処理済みの基板９を、キャリアＣに格納する。

基板処理システム１００においては、搬送ロボットＣＲおよび移載ロボットＩＲが、レシピにしたがって、上述した搬送動作を反復して行うとともに、各基板処理装置１が、レシピにしたがって、基板９に対する処理を実行する。これによって、基板９に対する処理が次々と行われていくことになる。

＜２．基板９＞
次に、基板処理装置１にて処理対象とされる基板９について、図２を参照しながら説明する。図２は、基板９の周縁部付近を示す断面図である。

基板処理装置１にて処理対象とされる基板９は、例えば、シリコン（Ｓｉ）により構成される中心層９０１、中心層９０１の外側に成膜された下層膜９０２、および、下層膜９０２の外側に成膜された上層膜９０３、の三層構造を備える。下層膜９０２は、例えば、熱酸化膜（Ｔｈ−ＳｉＯ_２）、あるいは、絶縁膜（例えば、Ｈｆ（ハフニューム）膜、または、酸化Ｈｆ膜、等）である。また、上層膜９０３は、例えば、バリアメタル膜（例えば、ＴｉＮ膜、ＴａＮ膜、等）、あるいは、メタル膜（例えば、Ａｌ膜、Ｗ膜、ＮｉＳｉ膜、Ｃｕ膜、等）である。もっとも、基板処理装置１で処理対象とされる基板９は、例えば、中心層９０１と下層膜９０２との二層構造を備えるものであってもよいし、４層以上の構造を備えるものであってもよい。

以下において、基板９の主面のうちのデバイスパターンが形成される方の面を「表面９１」という。また、表面９１の反対側の面を「裏面９２」という。さらに、表面９１における、デバイスパターンが形成される領域を「デバイス領域９０」という。また、表面９１における、デバイス領域９０よりも外側の周縁領域（具体的には、例えば、基板９の端面９３から微小幅ｄ（例えば、ｄ＝０．５ｍｍ〜３．０ｍｍ（ミリメートル））の環状の領域）を「表面周縁部９１１」という。また、裏面９２における、端面９３から微小幅ｄの環状の領域を「裏面周縁部９２１」という。

基板処理装置１は、上述されたような多層構造を備える基板９を処理対象として、その表面周縁部９１１および裏面９２に対する処理（例えば、表面周縁部９１１および裏面９２に形成されている薄膜を除去する処理）を行うことができる。

＜３．基板処理装置１の構成＞
基板処理装置１の構成について、図３〜図５を参照しながら説明する。図３は、基板処理装置１の概略斜視図であり、ガード部材６０を構成する半円弧部材６１，６２、カップ３１、および、周縁部用吐出ヘッド５１が、各々の待避位置に配置されている状態が示されている。図４も、基板処理装置１の概略斜視図であるが、ここでは、ガード部材６０、カップ３１、および、周縁部用吐出ヘッド５１が、各々の処理位置に配置されている状態が示されている。図５は、基板処理装置１の構成を説明するための模式図である。

なお、以下の説明において、「処理液」には、薬液処理に用いられる「薬液」と、薬液をすすぎ流すリンス処理に用いられる「リンス液」と、が含まれる。

基板処理装置１は、スピンチャック２、飛散防止部３、表面保護部４、周縁処理部５、液跳ね抑制部６、加熱処理部７、および、下面処理部８を、備える。これら各部２〜８は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０からの指示に応じて動作する。

＜スピンチャック２＞
スピンチャック２は、基板９を、例えば表面９１を上に向けた状態で、略水平姿勢に保持する基板保持部であって、当該基板９を、その表面９１の中心を通る鉛直な回転軸Ａのまわりで回転させる。

スピンチャック２は、基板９より若干大きい円板状の部材であるスピンベース２１を備える。スピンベース２１の下面中央部には、回転軸部２２が連結されている。回転軸部２２は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置される。また、回転軸部２２には、これをその軸線まわりに回転駆動する回転駆動部（例えば、モータ）２３が接続される。回転軸部２２および回転駆動部２３は、筒状のケーシング２４内に収容されている。また、スピンチャック２は、スピンベース２１の上面から僅かに離間した位置に基板９を水平姿勢で保持する保持部２５を備える。保持部２５については、後により詳細に説明する。

この構成において、保持部２５がスピンベース２１の上方で基板９を保持した状態で、回転駆動部２３が回転軸部２２を回転すると、スピンベース２１が鉛直方向に沿った軸心周りで回転され、これによって、スピンベース２１上に保持された基板９が、その面内の中心を通る鉛直な回転軸Ａのまわりで、回転される。

ただし、保持部２５および回転駆動部２３は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、スピンベース２１上に基板９を保持するタイミング、保持された基板９を開放するタイミング、および、スピンベース２１の回転態様（具体的には、回転開始タイミング、回転終了タイミング、回転数（すなわち、回転速度）、等）は、制御部１３０によって制御される。

＜飛散防止部３＞
飛散防止部３は、スピンベース２１に保持されて回転される基板９から飛散する処理液等を受け止める。

飛散防止部３は、カップ３１を備える。カップ３１は、上端が開放された筒形状の部材であり、スピンチャック２を取り囲むように設けられる。この実施の形態では、カップ３１は、例えば、内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３の３個の部材を含んで構成されている。

内部材３１１は、上端が開放された筒形状の部材であり、円環状の底部３１１ａと、底部３１１ａの内側縁部から上方に延びる円筒状の内壁部３１１ｂと、底部３１１ａの外側縁部から上方に延びる円筒状の外壁部３１１ｃと、内壁部３１１ｂと外壁部３１１ｃとの間に立設された円筒状の案内壁３１１ｄと、を備える。案内壁３１１ｄは、底部３１１ａから上方に延び、上端部付近は、内側上方に向かって湾曲している。内壁部３１１ｂの少なくとも先端付近は、スピンチャック２のケーシング２４に設けられた鍔状部材２４１の内側空間に収容される。

底部３１１ａには、内壁部３１１ｂと案内壁３１１ｄとの間の空間と連通する排液溝（図示省略）が形成される。この排液溝は、工場の排液ラインと接続される。また、この排液溝には、溝内を強制的に排気して、内壁部３１１ｂと案内壁３１１ｄとの間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。内壁部３１１ｂと案内壁３１１ｄとの間の空間は、基板９の処理に使用された処理液を集めて排液するための空間であり、この空間に集められた処理液は、排液溝から排液される。

また、底部３１１ａには、案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間の空間と連通する第１の回収溝（図示省略）が形成される。第１の回収溝は、第１の回収タンクと接続される。また、この第１の回収溝には、溝内を強制的に排気して、案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間の空間は、基板９の処理に使用された処理液を集めて回収するための空間であり、この空間に集められた処理液は、第１の回収溝を介して、第１の回収タンクに回収される。

中部材３１２は、上端が開放された筒形状の部材であり、内部材３１１の案内壁３１１ｄの外側に設けられている。中部材３１２の上部は内側上方に向かって湾曲しており、その上端縁部は案内壁３１１ｄの上端縁部に沿って折曲されている。

中部材３１２の下部には、内周面に沿って下方に延びる内周壁部３１２ａと、外周面に沿って下方に延びる外周壁部３１２ｂとが形成される。内周壁部３１２ａは、内部材３１１と中部材３１２とが近接する状態（図５に示される状態）において、内部材３１１の案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間に収容される。また、外周壁部３１２ｂの下端は、円環状の底部３１２ｃの内側縁部に着設される。底部３１２ｃの外側縁部からは、上方に延びる円筒状の外壁部３１２ｄが立設される。

底部３１２ｃには、外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間の空間と連通する第２の回収溝（図示省略）が形成される。第２の回収溝は、第２の回収タンクと接続される。また、この第２の回収溝には、溝内を強制的に排気して、外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間の空間は、基板９の処理に使用された処理液を集めて回収するための空間であり、この空間に集められた処理液は、第２の回収溝を介して、第２の回収タンクに回収される。

外部材３１３は、上端が開放された筒形状の部材であり、中部材３１２の外側に設けられている。外部材３１３の上部は内側上方に向かって湾曲しており、その上端縁部３０１は、中部材３１２の上端縁部および内部材３１１の上端縁部より僅かに内方で下方に折曲されている。内部材３１１，中部材３１２、および、外部材３１３が近接する状態（図５に示される状態）において、中部材３１２の上端縁部および内部材３１１の上端縁部が、外部材３１３の折曲された部分によって、覆われる。

外部材３１３の下部には、内周面に沿って下方に延びるように内周壁部３１３ａが形成される。内周壁部３１３ａは、中部材３１２と外部材３１３とが近接する状態（図５に示される状態）において、中部材３１２の外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間に収容される。

カップ３１には、これを昇降移動させるカップ駆動機構３２が配設されている。カップ駆動機構３２は、例えば、ステッピングモータにより構成される。この実施の形態では、カップ駆動機構３２は、カップ３１が備える３個の部材３１１，３１２，３１３を、独立して昇降させる。

内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３の各々は、カップ駆動機構３２の駆動を受けて、上方位置と下方位置との間で移動される。ここで、各部材３１１，３１２，３１３の上方位置は、当該部材３１１，３１２，３１３の上端縁部が、スピンベース２１上に保持された基板９の側方に配置される位置である。一方、各部材３１１，３１２，３１３の下方位置は、当該部材３１１，３１２，３１３の上端縁部が、スピンベース２１の上面よりも下方に配置される位置である。ただし、カップ駆動機構３２は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、カップ３１の位置（具体的には、内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３各々の位置）は、制御部１３０によって制御される。

外部材３１３が下方位置に配置されている状態（すなわち、内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３の全てが、下方位置に配置されている状態）を指して、以下「カップ３１が待避位置にある」という。スピンベース２１上に基板９が保持されていない間は、カップ３１は、待避位置に配置される。つまり、スピンベース２１上に基板９が保持されていない間は、カップ３１は、その上端縁部（すなわち、外部材３１３の上端縁部）３０１がスピンベース２１の上面よりも下方にくるような位置に配置される。

一方、外部材３１３が上方位置に配置されている状態を指して、以下「カップ３１が処理位置にある」という。処理位置にあるカップ３１の上端縁部（すなわち、外部材３１３の上端縁部３０１）は、スピンベース２１上に保持された基板９の側方に配置されることになる。ただし、「カップ３１が処理位置にある」状態には、以下の３つの状態が含まれる。第１の状態は、内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３の全てが、上方位置に配置された状態である（図５に示される状態）。この状態では、スピンチャック２に保持されている基板９から飛散した処理液は、内部材３１１の内壁部３１１ｂと案内壁３１１ｄとの間の空間に集められて、排液溝から排液される。第２の状態は、内部材３１１が下方位置に配置されるとともに、中部材３１２および外部材３１３が上方位置に配置された状態である。この状態では、スピンチャック２に保持されている基板９から飛散した処理液は、内部材３１１の案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間の空間に集められて、第１の回収タンクに回収される。第３の状態は、内部材３１１および中部材３１２が下方位置に配置されるとともに、外部材３１３が上方位置に配置された状態である。この状態では、スピンチャック２に保持されている基板９から飛散した処理液は、中部材３１２の外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間の空間に集められて、第２の回収タンクに回収される。

＜表面保護部４＞
表面保護部４は、スピンベース２１上に保持された基板９の表面９１の中央付近に対して、ガス（カバーガス）を供給して、デバイス領域９０を、表面周縁部９１１等に供給された処理液の雰囲気等から保護する。

表面保護部４は、スピンベース２１上に保持される基板９の表面９１の中央付近に向けて、ガスを吐出するカバーガスノズル４１を備える。カバーガスノズル４１は、水平に延在するアーム４２の先端部に取り付けられている。また、アーム４２の基端部は、ノズル基台４３に連結されている。ノズル基台４３は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置されており、アーム４２の基端部はノズル基台４３の上端に連結されている。

ノズル基台４３には、カバーガスノズル４１を駆動する駆動部４４が配設されている。駆動部４４は、例えば、ノズル基台４３をその軸線まわりに回転させる回転駆動部（例えば、サーボモータ）と、ノズル基台４３をその軸線に沿って伸縮させる昇降駆動部（例えば、ステッピングモータ）と、を含んで構成される。駆動部４４がノズル基台４３を回動させると、カバーガスノズル４１が、水平面内の円弧軌道に沿って移動し、駆動部４４がノズル基台４３を伸縮させると、カバーガスノズル４１が、基板９と近接離間する方向に移動する。

カバーガスノズル４１は、駆動部４４の駆動を受けて、処理位置と待避位置との間で移動される。ここで、カバーガスノズル４１の処理位置は、スピンベース２１上に保持される基板９の上方の位置であって、表面９１の中央付近と対向しつつ、表面９１と非接触状態で近接した位置である。一方、カバーガスノズル４１の待避位置は、基板９の搬送経路と干渉しない位置であり、例えば、上方から見て、カップ３１の上端縁部３０１よりも外側の位置である。また、駆動部４４は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、カバーガスノズル４１の位置は、制御部１３０によって制御される。

カバーガスノズル４１には、これにガス（ここでは、例えば、窒素（Ｎ_２）ガス）を供給する配管系であるカバーガス供給部４５が接続されている。カバーガス供給部４５は、具体的には、例えば、窒素ガスを供給する供給源である窒素ガス供給源４５１が、開閉弁４５３が介挿された配管４５２を介して、カバーガスノズル４１に接続された構成を備えている。この構成において、開閉弁４５３が開放されると、窒素ガス供給源４５１から供給される窒素ガスが、カバーガスノズル４１から吐出される。なお、カバーガスノズル４１に供給されるガスは、窒素ガス以外の気体（例えば、窒素ガス以外の各種の不活性ガス、乾燥空気、等）であってもよい。

カバーガスノズル４１が処理位置に配置されている状態において、カバーガス供給部４５からカバーガスノズル４１にガスが供給されると、カバーガスノズル４１から、スピンベース２１上に保持される基板９の表面９１の中央付近に向けて、ガス（カバーガス）が吐出される。ただし、カバーガス供給部４５の開閉弁４５３は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、カバーガスノズル４１からのガスの吐出態様（具体的には、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。

＜周縁処理部５＞
周縁処理部５は、スピンベース２１上に保持された基板９の表面周縁部９１１に対する処理を行う。

周縁処理部５は、スピンベース２１上に保持される基板９の表面周縁部９１１に向けて、流体（ここでは、処理液、および、ガス）を吐出する周縁部用吐出ヘッド５１を備える。周縁部用吐出ヘッド５１は、水平に延在するアーム５２の先端部に取り付けられている。また、アーム５２の基端部は、ノズル基台５３に連結されている。ノズル基台５３は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置されており、アーム５２の基端部はノズル基台５３の上端に連結されている。

ノズル基台５３には、周縁部用吐出ヘッド５１を駆動する駆動部５４が配設されている。駆動部５４は、例えば、ノズル基台５３をその軸線まわりに回転させる回転駆動部（例えば、サーボモータ）と、ノズル基台５３をその軸線に沿って伸縮させる昇降駆動部（例えば、ステッピングモータ）と、を含んで構成される。駆動部５４がノズル基台５３を回動させると、周縁部用吐出ヘッド５１が、水平面内の円弧軌道に沿って移動し、駆動部５４がノズル基台５３を伸縮させると、周縁部用吐出ヘッド５１が、基板９と近接離間する方向に移動する。

周縁部用吐出ヘッド５１は、駆動部５４の駆動を受けて、処理位置と待避位置との間で移動される。ここで、周縁部用吐出ヘッド５１の処理位置は、スピンベース２１上に保持される基板９の上方であって、表面周縁部９１１と対向しつつ、表面周縁部９１１と非接触状態で近接した位置である（図４に示される位置）。ただし、周縁部用吐出ヘッド５１が処理位置に配置された状態において、周縁部用吐出ヘッド５１の少なくとも一部分が、後述するガード部材６０の内周壁に形成された切り欠き６０５内に収容された状態となる。一方、周縁部用吐出ヘッド５１の待避位置は、基板９の搬送経路と干渉しない位置であり、例えば、上方から見て、カップ３１の上端縁部３０１よりも外側の位置である（図３に示される位置）。また、駆動部５４は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、周縁部用吐出ヘッド５１の位置は、制御部１３０によって制御される。

周縁部用吐出ヘッド５１には、これに流体（具体的には、処理液およびガス）を供給する配管系である流体供給部５５が接続されている。流体供給部５５は、具体的には、例えば、酸系薬液供給源５５１ａ、アルカリ系薬液供給源５５１ｂ、リンス液供給源５５１ｃ、窒素ガス供給源５５１ｄ、複数の配管５５２ａ，５５２ｂ，５５２ｃ，５５２ｄ、および、複数の開閉弁５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃ，５５３ｄを、組み合わせて構成されている。

酸系薬液供給源５５１ａは、酸性の薬液を供給する供給源である。ここでは、酸系薬液供給源５５１ａは、例えば、希釈したフッ化水素酸（希フッ酸）（以下、「ＤＨＦ」と示す）と、塩酸過酸化水素水（すなわち、塩酸（ＨＣｌ）と過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）と純水（ＤＩＷ：脱イオン水）とが、定められた比率で混合された薬液であり、以下、「ＳＣ−２」と示す）とを、選択的に供給できる。酸系薬液供給源５５１ａは、開閉弁５５３ａが介挿された配管５５２ａを介して、周縁部用吐出ヘッド５１（より具体的には、周縁部用吐出ヘッド５１が備える第１薬液ノズル５０ａ）に接続されている。したがって、開閉弁５５３ａが開放されると、酸系薬液供給源５５１ａから供給される酸性の薬液（ＤＨＦ、あるいは、ＳＣ−２）が、第１薬液ノズル５０ａから吐出される。もっとも、酸系薬液供給源５５１ａは、必ずしもＤＨＦおよびＳＣ−２を選択的に供給するものに限らない。例えば、酸系薬液供給源５５１ａは、ＤＨＦ、ＳＣ−２、ＢＤＨＦ（バッファードフッ酸）、ＨＦ（フッ酸）、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸、およびこれらの混合溶液、等のうちの少なくとも１つを供給するものであってもよい。

アルカリ系薬液供給源５５１ｂは、アルカリ性の薬液を供給する供給源である。ここでは、アルカリ系薬液供給源５５１ｂは、例えば、アンモニア過酸化水素水（すなわち、水酸化アンモニウム（ＮＨ_４ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）と純水とが、定められた比率で混合された薬液であり、以下、「ＳＣ−１」と示す）を供給できる。アルカリ系薬液供給源５５１ｂは、開閉弁５５３ｂが介挿された配管５５２ｂを介して、周縁部用吐出ヘッド５１（より具体的には、周縁部用吐出ヘッド５１が備える第２薬液ノズル５０ｂ）に接続されている。したがって、開閉弁５５３ｂが開放されると、アルカリ系薬液供給源５５１ｂから供給されるアルカリ性の薬液（ＳＣ−１）が、第２薬液ノズル５０ｂから吐出される。なお、アルカリ系薬液供給源５５１ｂから供給されるＳＣ−１は、例えば、６０℃〜８０℃に温調されていることも好ましい。もっとも、アルカリ系薬液供給源５５１ｂは、ＳＣ−１以外の薬液（例えば、アンモニアの水溶液等）を供給するものであってもよい。

リンス液供給源５５１ｃは、リンス液を供給する供給源である。ここでは、リンス液供給源５５１ｃは、例えば、二酸化炭素（ＣＯ_２）が溶融した純水（炭酸水）を、リンス液として供給する。リンス液供給源５５１ｃは、開閉弁５５３ｃが介挿された配管５５２ｃを介して、周縁部用吐出ヘッド５１（より具体的には、周縁部用吐出ヘッド５１が備えるリンス液ノズル５０ｃ）に接続されている。したがって、開閉弁５５３ｃが開放されると、リンス液供給源５５１ｃから供給されるリンス液が、リンス液ノズル５０ｃから吐出される。なお、リンス液として、純水、温水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）、各種の有機溶剤（イオン水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、機能水、等が用いられてもよい。

窒素ガス供給源５５１ｄは、ガス（ここでは、例えば、窒素（Ｎ_２）ガス）を供給する供給源である。窒素ガス供給源５５１ｄは、開閉弁５５３ｄが介挿された配管５５２ｄを介して、周縁部用吐出ヘッド５１（より具体的には、周縁部用吐出ヘッド５１が備えるガスノズル５０ｄ）に接続されている。したがって、開閉弁５５３ｄが開放されると、窒素ガス供給源５５１ｄから供給される窒素ガスが、ガスノズル５０ｄから吐出される。もっとも、窒素ガス供給源５５１ｄは、窒素ガス以外のガス（例えば、窒素ガス以外の各種の不活性ガス、乾燥空気、等）を供給するものであってもよい。

周縁部用吐出ヘッド５１が処理位置に配置されている状態において、流体供給部５５から周縁部用吐出ヘッド５１に処理液（酸性の薬液（ＤＨＦ、あるいは、ＳＣ−２）、アルカリ性の薬液（ＳＣ−１）、あるいは、リンス液）が供給されると、周縁部用吐出ヘッド５１から、スピンベース２１上に保持された基板９の表面周縁部９１１に向けて、当該処理液が吐出される。また、周縁部用吐出ヘッド５１が処理位置に配置されている状態において、流体供給部５５から周縁部用吐出ヘッド５１にガスが供給されると、周縁部用吐出ヘッド５１から、スピンベース２１上に保持された基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される。また、流体供給部５５が備える開閉弁５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃ，５５３ｄの各々は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、周縁部用吐出ヘッド５１からの流体の吐出態様（具体的には、吐出される流体の種類、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。

＜液跳ね抑制部６＞
基板処理装置１においては、スピンベース２１上に保持された基板９の表面周縁部９１１に向けて、周縁部用吐出ヘッド５１から処理液が吐出されるときに、表面周縁部９１１に供給された処理液の一部が基板９から飛散し、当該飛散した処理液の一部が、外部に配置された部材で跳ね返されるなどして、基板９に再付着する虞がある。液跳ね抑制部６は、基板９から飛散した処理液が、基板９に再付着することを抑制するための部材である。

液跳ね抑制部６は、基板９の表面周縁部９１１の全周に沿うリング状の部材であるガード部材６０を備える。ガード部材６０は、スピンベース２１上に保持された基板９に対する処理が行われる間、上から見て、当該基板９と同心に配置され、当該基板９の表面周縁部９１１と非接触状態で近接した位置（処理位置）に配置される。ガード部材６０における周方向と直交する断面は、矩形であることが好ましく、特に、正方形であることが好ましい。

ガード部材６０の内径は、基板９の外径よりも僅かに小さい寸法とされる。したがって、処理位置に配置されているガード部材６０を上方から見ると、ガード部材６０の内周壁は、基板９の端面９３よりも内側（基板９の中心側）にあり、ガード部材６０の下面の少なくとも内周部分は、スピンベース２１上に保持される基板９の表面周縁部９１１と対向して配置される。また、ガード部材６０の外径は、基板９の外径よりも大きく、かつ、カップ３１の上端縁部３０１の内径よりも僅かに小さい寸法とされる。したがって、処理位置に配置されているガード部材６０を上方から見ると、ガード部材６０の外周壁は、基板９の端面９３よりも外側にあり、かつ、カップ３１の上端縁部３０１と非接触の状態で近接しつつ、上端縁部３０１の全周に沿って延在する。つまり、処理位置に配置されたカップ３１は、スピンベース２１上の基板９と、ガード部材６０とを一括して取り囲む恰好となる。

上述した周縁部用吐出ヘッド５１は、これが処理位置に配置された状態において、ガード部材６０の内周壁の側（すなわち、ガード部材６０を挟んで、カップ３１に対して反対側）に配置される。つまり、この状態において、周縁部用吐出ヘッド５１が備えるノズル５０は、ガード部材６０を挟んでカップ３１に対して反対側に配置される。ただし、ガード部材６０の内周壁には、周縁部用吐出ヘッド５１の少なくとも一部分を収容する切り欠き６０５が形成されており、周縁部用吐出ヘッド５１が処理位置に配置された状態において、周縁部用吐出ヘッド５１の少なくとも一部分（具体的には、例えば、周縁部用吐出ヘッド５１が備えるノズル５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄの少なくとも一部分）が、この切り欠き６０５に収容された状態となる。これによって、周縁部用吐出ヘッド５１が、ガード部材６０と干渉することなく、表面周縁部９１１の上方の処理位置に配置される。

カップ３１は、スピンベース２１の上面よりも下方の待避位置まで移動できるように、その上端縁部３０１の内径が、スピンベース２１の外径よりも大きな寸法とされている。スピンベース２１の外径は基板９の外径よりも大きな寸法とされているため、上から見ると、スピンベース２１上に保持された基板９の端面９３と、カップ３１の上端縁部３０１との間に、リング状の隙間空間が存在する。したがって、基板９の表面周縁部９１１と対向する処理位置に配置された周縁部用吐出ヘッド５１と、カップ３１の上端縁部３０１との間にも、隙間空間が存在することになる。この隙間空間は、基板９から飛散した処理液のミスト等が浮遊し得る空間であるところ、ここでは、この隙間空間の少なくとも一部分が、ガード部材６０の一部分によって埋められる。この構成によると、基板９から飛散した処理液のミスト等が浮遊し得る空間が、ガード部材６０によって埋められる空間分だけ小さくなり、当該空間が小さくなった分だけ、基板９の付近における処理液の浮遊量が少なくなる。その結果、処理液のミスト等が基板９に再付着する可能性が低減する。すなわち、基板９から飛散した処理液の一部が、基板９に再付着することを抑制できる。特に、ここでは、ガード部材６０の下面の少なくとも一部分が、表面周縁部９１１と対向配置されるので、基板９から飛散した処理液が、ガード部材６０の下面に沿って、カップ３１内へと導かれる。これによって、当該飛散した処理液が、基板９に再付着することを十分に抑制できる。また、ここでは、ガード部材６０が、基板９の表面周縁部９１１の全周に沿うリング状の部材であるので、基板９から飛散した処理液が基板９に再付着することを、基板９の周方向の全体に亘って抑制できる。

なお、ガード部材６０は、互いに別体に構成されている複数の弧状部材（ここでは、一対の半円弧部材６１，６２）が、その周方向の端面同士が互いに当接し合う状態とされることによって、形成されている。すなわち、一対の半円弧部材６１，６２の各々は、互いに等しい径の半円弧状の部材であり、弦方向を内側に向けるとともに、周方向の端面を互いに対向させて配置されている。そして、一対の半円弧部材６１，６２の各々には、各半円弧部材６１，６２を駆動する半円弧部材駆動部６３が配設されている。半円弧部材駆動部６３は、これが接続されている半円弧部材６１，６２を、鉛直軸に沿って昇降移動させる昇降駆動部（例えば、ステッピングモータ）６３１と、当該半円弧部材６１，６２を、水平面内において他方の半円弧部材と近接離間する方向に進退移動させる進退駆動部６３２と、を含んで構成される。

各半円弧部材６１，６２は、スピンベース２１上に基板９が保持されていない間は、他方の半円弧部材から離間して、基板９の搬出入経路の外側の位置（待避位置）に配置される。各半円弧部材６１，６２の待避位置は、例えば、スピンベース２１の上面よりも下側の位置（すなわち、各半円弧部材６１，６２の上面が、スピンベース２１の上面よりも下側にくる位置）であり、かつ、上方から見てカップ３１の上端縁部３０１よりも外側の位置である（図３に示される位置）。

スピンベース２１上に基板９が保持されると、昇降駆動部６３１が、待避位置に配置されている各半円弧部材６１，６２を、スピンベース２１の上面よりも僅かに上方の位置まで上昇させ、続いて、進退駆動部６３２が、各半円弧部材６１，６２を、水平面内において他方の半円弧部材に近づける方向に移動させて、各半円弧部材６１，６２の周方向の端面同士が互いに当接し合う状態とする。これによって、リング状の部材であるガード部材６０が、処理位置に配置された状態となる（図４に示される状態）。

＜加熱処理部７＞
加熱処理部７は、保持部２５によってスピンベース２１上に保持された基板９の下面に対して、スチーム（水蒸気）、特に好ましくは、過熱スチーム（過熱水蒸気）を供給して、基板９を加熱する。ただし、この実施の形態では、基板９は、表面９１を上に向けてスピンベース２１上に保持されるので、スピンベース２１上に保持された基板９の下面は、裏面９２となる。つまり、加熱処理部７は、基板９の裏面９２に、スチームを供給する。

加熱処理部７は、スピンベース２１上に保持される基板９の裏面９２に向けて、スチームを吐出するスチームノズル７１を備える。スチームノズル７１は、スピンベース２１上に配置される。スチームノズル７１の上面側には、複数個のスチーム吐出口（図示省略）が形成されている。当該複数個のスチーム吐出口のうちの少なくとも１個のスチーム吐出口は、スピンベース２１上に保持される基板９の裏面周縁部９２１に対して選択的にスチームを供給する位置に形成されている。より好ましくは、裏面周縁部９２１と対向する位置に形成されている。また、このスチーム吐出口からは、他のスチーム吐出口よりも多量のスチームを吐出できるようになっている。この構成によって、スチームノズル７１は、基板９の裏面９２のうち、特に裏面周縁部９２１に向けて、重点的に、スチームを吐出できるようになっている。

スチームノズル７１には、これにスチームを供給する配管系であるスチーム供給部７２が接続されている。スチーム供給部７２は、具体的には、例えば、スチームを供給する供給源であるスチーム供給源７２１が、開閉弁７２３が介挿された配管７２２を介して、スチームノズル７１に接続された構成を備えている。この構成において、開閉弁７２３が開放されると、スチーム供給源７２１から供給されるスチームが、スチームノズル７１から吐出される。

なお、スチームノズル７１から吐出されるスチームは、十分高温（例えば、１００℃以上かつ１３０℃以下）に加熱（過熱）された過熱スチーム（過熱水蒸気）であることが好ましい。このためには、例えば、スチーム供給源７２１を、純水などが加熱されることにより生成されたスチーム（水蒸気）を供給する供給源と、これと接続された配管と、当該配管の経路途中に介挿されたヒータと、を含んで構成すればよい（いずれも図示省略）。この場合、供給源から供給されるスチームは配管等を通過する際の温度低下を考慮して、ヒータは、供給源から供給されるスチームを、例えば、１４０℃〜１６０℃程度に加熱（過熱）することが好ましい。もっとも、基板９に供給されたスチーム（過熱スチーム）の一部が、基板９に熱を奪われて冷却され、基板９上で凝縮して水滴となったとしても、当該水滴は、基板９の回転に伴う遠心力によって、基板９の端面９３から基板９の外に振り払われることになる。したがって、デバイス領域９０に水滴が付着することはない。

スチーム供給部７２からスチームノズル７１にスチームが供給されると、スチームノズル７１から、スピンベース２１上に保持される基板９の裏面９２に向けて、スチームが吐出され、これによって基板９が加熱されることになる。上述したとおり、この実施の形態に係るスチームノズル７１は、裏面周縁部９２１に向けて重点的にスチームを吐出できるので、裏面周縁部９２１を特に重点的に加熱することができる。ただし、スチーム供給部７２の開閉弁７２３は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、スチームノズル７１からのスチームの吐出態様（具体的には、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。

＜下面処理部８＞
下面処理部８は、保持部２５によってスピンベース２１上に保持された基板９の下面に向けて処理液を吐出して、当該下面に対する処理を行う。ただし、上述したとおり、この実施の形態では、基板９は、表面９１を上に向けてスピンベース２１上に保持されるので、スピンベース２１上に保持された基板９の下面は、裏面９２となる。つまり、下面処理部８は、基板９の裏面９２に向けて処理液を吐出して、当該裏面９２に対する処理を行う。

下面処理部８は、スピンチャック２の回転軸部２２の中空部に貫通して配置された供給管８１を備える。供給管８１の先端は、スピンベース２１の上面に開口しており、この開口が、下面側吐出口８２を形成する。

供給管８１には、これに処理液を供給する配管系である処理液供給部８３が接続されている。処理液供給部８３は、具体的には、ＳＣ−１供給源８３１ａ、ＤＨＦ供給源８３１ｂ、ＳＣ−２供給源８３１ｃ、リンス液供給源８３１ｄ、複数の配管８３２ａ，８３２ｂ，８３２ｃ，８３２ｄ、および、複数の開閉弁８３３ａ，８３３ｂ，８３３ｃ，８３３ｄを、組み合わせて構成されている。

ＳＣ−１供給源８３１ａは、ＳＣ−１を供給する供給源である。ＳＣ−１供給源８３１ａは、開閉弁８３３ａが介挿された配管８３２ａを介して、供給管８１に接続されている。したがって、開閉弁８３３ａが開放されると、ＳＣ−１供給源８３１ａから供給されるＳＣ−１が、下面側吐出口８２から吐出される。

ＤＨＦ供給源８３１ｂは、ＤＨＦを供給する供給源である。ＤＨＦ供給源８３１ｂは、開閉弁８３３ｂが介挿された配管８３２ｂを介して、供給管８１に接続されている。したがって、開閉弁８３３ｂが開放されると、ＤＨＦ供給源８３１ｂから供給されるＤＨＦが、下面側吐出口８２から吐出される。

ＳＣ−２供給源８３１ｃは、ＳＣ−２を供給する供給源である。ＳＣ−２供給源８３１ｃは、開閉弁８３３ｃが介挿された配管８３２ｃを介して、供給管８１に接続されている。したがって、開閉弁８３３ｃが開放されると、ＳＣ−２供給源８３１ｃから供給されるＳＣ−２が、下面側吐出口８２から吐出される。

リンス液供給源８３１ｄは、リンス液を供給する供給源である。ここでは、リンス液供給源８３１ｄは、例えば、二酸化炭素（ＣＯ_２）が溶融した純水（炭酸水）を、リンス液として供給する。リンス液供給源８３１ｄは、開閉弁８３３ｄが介挿された配管８３２ｄを介して、供給管８１に接続されている。したがって、開閉弁８３３ｄが開放されると、リンス液供給源８３１ｄから供給されるリンス液が、下面側吐出口８２から吐出される。なお、リンス液として、純水、温水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）、各種の有機溶剤（イオン水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、機能水、などが用いられてもよい。

処理液供給部８３から供給管８１に処理液（ＳＣ−１、ＤＨＦ、ＳＣ−２、あるいは、リンス液）が供給されると、下面側吐出口８２から、スピンベース２１上に保持された基板９の裏面９２の中央付近に向けて、当該処理液が吐出されることになる。ただし、処理液供給部８３が備える開閉弁８３３ａ，８３３ｂ，８３３ｃ，８３３ｄの各々は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、下面側吐出口８２からの処理液の吐出態様（具体的には、吐出される処理液の種類、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。

＜４．保持部２５＞
＜４−１．全体構成＞
保持部２５の全体構成について、図６等を参照しながら説明する。図６は、スピンベース２１を斜め上から見た斜視図である。

保持部２５は、スピンベース２１の上面の周縁部付近に、適当な間隔をおいて（例えば、等間隔で）、配列された複数個（例えば６個）の第１当接部材２１０を備える。複数の第１当接部材２１０は、上から見て、基板９の周縁にほぼ沿うような円周上に配列される。

また、保持部２５は、スピンベース２１の上面の周縁部付近に、適当な間隔をおいて（例えば、等間隔で）、配列された複数個（例えば６個）の第２当接部材２２０を備える。複数の第２当接部材２２０も、上から見て、基板９の周縁にほぼ沿うような円周上に配列される。ただし、第２当接部材２２０と第１当接部材２１０とは、スピンベース２１の周方向に沿って、間隔をあけて交互に設けられている。例えば、スピンベース２１の回転軸Ａから見て、各第２当接部材２２０は、その両側に配置されている第１当接部材２１０のほぼ真ん中の位置に配置される。

保持部２５は、さらに、複数の第１当接部材２１０が基板９を保持する第１保持状態と、複数の第２当接部材２２０が基板９を保持する第２保持状態とを切り換える切換部２３０を備える。

以下において、保持部２５が備える各要素２１０，２２０，２３０について具体的に説明する。

＜４−２．第１当接部材２１０＞
第１当接部材２１０について、図６に加え、図７を参照しながら説明する。図７は、第１当接部材２１０を側方から見た図である。

複数の第１当接部材２１０の各々は、同じ構成を備える。すなわち、各第１当接部材２１０は、スピンベース２１の上面に立設された基体部分２１１と、その上側に連なる先端部分２１２と、を備える。基体部分２１１は、その下端がスピンベース２１に対して固定されて、鉛直方向に延在する例えば円柱形状の部分である。一方、先端部分２１２は、円錐体の上部を底面と平行に切り落とした形状の部分である。先端部分２１２の上端面２１２１は、水平面となっており、先端部分２１２の側面２１２０は、水平面に対して傾斜した面（以下「傾斜側面」ともいう）となっている。先端部分２１２の傾斜側面２１２０は、これが水平面となす角度θが、４５°以上となっていることが好ましい。

第１当接部材２１０の表面は、疎水性となっていることが好ましい。このためには、例えば、第１当接部材２１０自体が、疎水性の樹脂（例えば、ＰＴＦＥ：ポリテトラフルオロエチレン）で形成されてもよいし、第１当接部材２１０の表面に、これが疎水性となるような表面加工が施されてもよい。

各第１当接部材２１０は、基板９の斜め下から当該基板９に当接する。具体的には、各第１当接部材２１０は、その傾斜側面２１２０において、基板９の下側エッジ部（すなわち、基板９の下面（図示の例では、裏面９２）と端面９３とを連ねる非平坦な面領域部分）と当接する。つまり、第１当接部材２１０は、基板９の側方から基板９に当接することはなく、基板９の斜め下のみから基板９に当接する。また、各第１当接部材２１０が基板９に当接した状態において、当該基板９の上面（図示の例では、表面９１）は、第１当接部材２１０の上端面２１２１よりも、高い位置にある。

複数の第１当接部材２１０の全てが、基板９の斜め下から当該基板９に当接することによって、当該基板９が、水平面内で位置決めされるとともに、スピンベース２１の上面から離間した位置で（すなわち、スピンベース２１の上面から定められた間隔ｈ１を隔てて）、略水平姿勢で保持された状態となる（図６、図９、図１０に示される状態）。ただし、複数の第１当接部材２１０に保持される基板９の上面は、各第１当接部材２１０の上端（具体的には、上端面２１２１）よりも高い位置にある。なお、この間隔ｈ１は、搬送ロボットＣＲのハンド１２１の厚みよりも大きな寸法とされる。複数の第１当接部材２１０が基板９を保持する状態を、以下「第１保持状態」ともいう。

上述したとおり、第１保持状態においては、基板９の上面が、各第１当接部材２１０の上端面２１２１よりも、高い位置にある。この構成によると、後述する裏面処理において、基板９の下面に供給された処理液が、第１当接部材２１０を伝って基板９の上面に回り込みにくい。

また、第１保持状態においては、各第１当接部材２１０が、傾斜側面２１２０において、基板９と当接する。この構成によると、基板９の下面と傾斜側面２１２０との隙間空間に寄せられた液が、傾斜側面２１２０を伝って下方に落下しやすい。すなわち、当該隙間空間に液溜まりが形成されにくい。したがって、当該隙間空間に液溜まりが生じてそれが基板９の上面に回り込む、といった事態の発生を抑制できる。さらに、基板９の下面に供給された処理液が、傾斜側面２１２０を伝って下方に落ちるという処理液の流れ（すなわち、基板９の下面に供給された処理液を下方に導く処理液の流れ）が形成されることになるので、基板９の下面に供給された処理液を、上面に回り込ませることなく、基板９から速やかに除去することができる。

特に、傾斜側面２１２０と水平面とがなす角度θが４５°以上となっていれば、基板９の下面と傾斜側面２１２０との隙間空間に寄せられた液が、速やかに、傾斜側面２１２０を伝って下方に落下する。したがって、当該隙間空間に液溜まりが生じてそれが基板９の上面に回り込む、といった事態の発生を十分に抑制できるとともに、基板９の下面に供給された処理液を、上面に回り込ませることなく、基板９から特に速やかに除去することができる。また、傾斜側面２１２０と水平面とがなす角度θが４５°以上となっていれば、基板９と傾斜側面２１２０との間の接触面積が小さくなるので、毛細管現象により基板９の上面に処理液が回り込むことも、抑制される。

特に、第１当接部材２１０の表面が疎水性となっていれば、第１当接部材２１０に処理液が付着しづらく、基板９の下面と第１当接部材２１０（具体的には、例えば、傾斜側面２１２０）との隙間空間に液溜まりが形成されにくい。したがって、当該隙間空間に液溜まりが生じてそれが基板９の上面に回り込む、といった事態の発生を抑制できる。

＜４−３．第２当接部材２２０＞
第２当接部材２２０について、図６に加え、図８を参照しながら説明する。図８は、第２当接部材２２０を側方から見た図である。

複数の第２当接部材２２０の各々は、同じ構成を備える。すなわち、各第２当接部材２２０は、スピンベース２１上に配設された基台２３１（後述する）の上面に立設された基体部分２２１と、その上側に連なる下方当接部分２２２と、その上側に連なる側方当接部分２２３と、を備える。基体部分２２１は、その下端が基台２３１に対して固定された柱状の部分である。また、下方当接部分２２２は、上方から見て例えば長円形状の部分であり、その長尺方向は、スピンベース２１の回転軸Ａに向かう方向とほぼ一致している（図９参照）。下方当接部分２２２の上面は、上方にいくにつれて回転軸Ａから離れる方向に傾斜した面（傾斜面）２２２０となっている。また、側方当接部分２２３は、上方から見て下方当接部分２２２における回転軸Ａから遠い側の端部付近において、傾斜面２２２０の上端縁と連なって、鉛直方向に延在する例えば円柱形状の部分である。つまり、第２当接部材２２０は、水平面に対して傾斜した傾斜面２２２０と、その上端に連なって鉛直に延在する鉛直側面２２３０とを備える。

各第２当接部材２２０は、基板９の側方および基板９の斜め下から当該基板９に当接する。具体的には、各第２当接部材２２０は、その傾斜面２２２０において、基板９の下側エッジ部と当接し、その鉛直側面２２３０において、基板９の端面９３と当接する。各第２当接部材２２０が基板９に当接した状態において、当該基板９の上面（図示の例では、表面９１）は、第２当接部材２２０の上端よりも、低い位置にある。

複数の第２当接部材２２０の全てが、基板９の側方および斜め下から当該基板９に当接することによって、当該基板９が、水平面内で位置決めされるとともに、スピンベース２１の上面から離間した位置で（すなわち、スピンベース２１の上面から定められた間隔ｈ２を隔てて）、略水平姿勢で保持された状態となる（図１１、図１２に示される状態）。ただし、後に明らかになるように、この間隔ｈ２は、複数の第１当接部材２１０に保持されている基板９とスピンベース２１との間隔ｈ１よりも大きい。複数の第２当接部材２２０が基板９を保持する状態を、以下「第２保持状態」ともいう。

上述したとおり、第２保持状態においては、基板９の端面９３に複数の第２当接部材２２０各々の鉛直側面２２３０が当接している。つまり、複数の第２当接部材２２０が、基板９を端面９３側から挟み込んで把持している。この構成によると、例えば、基板９が比較的高速で回転されたとしても、当該基板９が水平面内において位置ずれを起こしにくい。

＜４−４．切換部２３０＞
＜i．構成＞
切換部２３０は、上述したとおり、複数の第１当接部材２１０が基板９を保持する第１保持状態と、複数の第２当接部材２２０が基板９を保持する第２保持状態とを切り換える。切換部２３０の構成について、引き続き図６、図８を参照しながら説明する。

切換部２３０は、複数の第２当接部材２２０の各々を支持する基台２３１と、複数の基台２３１の各々をスピンベース２１の上方に軸支する回動軸部２３２と、複数の回動軸部２３２を一斉に回動させる駆動部２３３と、駆動部２３３を制御する切換制御部２３４と、を備える。切換制御部２３４は、例えば、制御部１３０において実現される。

回動軸部２３２は、スピンベース２１の上板を上下に貫通して設けられており、その上端（すなわち、スピンベース２１の上面の上側）において、基台２３１を軸支し、その下端（すなわち、スピンベース２１の上板の下側）において、駆動部２３３と連結されている。ただし、回動軸部２３２は、上方から見て、第２当接部材２２０から偏心した位置において、基台２３１と連結されている。この構成において、駆動部２３３が、切換制御部２３４の制御下で回動軸部２３２を回動させると、基台２３１が回動軸部２３２を中心に回動し、第２当接部材２２０が、スピンベース２１の回転軸Ａと近接離間する方向（すなわち、スピンベース２１上の基板９の端面９３と近接離間する方向）に、移動する。ただし、このときに第２当接部材２２０が移動される方向は、傾斜面２２２０の長尺方向（すなわち、傾斜面２２２０の上端縁と下端縁とを結ぶ方向）と、ほぼ一致している。

＜ii．切り換えの態様＞
切換部２３０は、複数の第２当接部材２２０の各々を、スピンベース２１上の基板９の周縁と近接離間する方向に移動させることによって、第１保持状態と第２保持状態と間の切り換えを行う。この切り換えの態様について、図９〜図１２を参照しながら説明する。図９は、第１保持状態を示す平面図である。図１０は、図９を矢印Ｋ１方向から見た側断面である。図１１は、第２保持状態を示す平面図である。図１２は、図１１を矢印Ｋ１方向から見た側断面である。

ａ．第１保持状態から第２保持状態への切り換え
複数の第１当接部材２１０が基板９を保持する第１保持状態（図９、図１０に示される状態）において、切換制御部２３４が、駆動部２３３を制御して、複数の回動軸部２３２を、第２当接部材２２０が基板９の端面９３に近づく方向（第１方向ＡＲ１）に、一斉に回動させると、各第１当接部材２１０が基板９から離間するとともに、各第２当接部材２２０が基板９に当接して、複数の第２当接部材２２０が基板９を保持する第２保持状態となる（図１１、図１２に示される状態）。すなわち、第１保持状態から第２保持状態に切り替わる。

第１保持状態から第２保持状態への切り換え態様について、具体的に説明する。基板９が複数の第１当接部材２１０に保持されている状態（図９、図１０に示される状態）から、複数の回動軸部２３２が第１方向ＡＲ１に一斉に回動されると、各第２当接部材２２０が、基板９に近づいていき、各第２当接部材２２０が、その傾斜面２２２０の下端縁付近において、基板９の下側エッジ部に、斜め下から当接した状態となる。そして、回動が進むにつれて、各傾斜面２２２０における基板９との当接位置が、傾斜面２２２０の上端縁側に移動していき、これとともに、基板９が水平姿勢のまま上方に持ち上げられていく。これによって、基板９が各第１当接部材２１０から離間する。各傾斜面２２２０における基板９との当接位置が、傾斜面２２２０の上端縁に到達して、基板９の端面９３が、各第２当接部材２２０の鉛直側面２２３０に突き当たった状態となると、複数の回動軸部２３２の回動が停止される。これによって、複数の第２当接部材２２０が基板９を保持する第２保持状態となる（図１１、図１２に示される状態）。

上記の説明からも明らかなとおり、第２保持状態においては、複数の第１当接部材２１０が基板９から離間している。この構成によると、当該基板９の下面に供給された処理液が、第１当接部材２１０を伝って基板９の上面に回り込みにくい。

なお、第１当接部材２１０の高さ寸法（すなわち、スピンベース２１の上面と第１当接部材２１０の上端面２１２１との離間距離）が、複数の第２当接部材２２０に保持されている基板９とスピンベース２１との間隔ｈ２よりも小さいことも好ましい。この構成によると、複数の第２当接部材２２０に保持されている基板９と、各第１当接部材２１０とが十分に離間されるので、基板９の下面に供給された処理液が第１当接部材２１０を伝って基板９の上面に回り込むことを十分に抑制できる。

ｂ．第２保持状態から第１保持状態への切り換え
複数の第２当接部材２２０が基板９を保持する第２保持状態（図１１、図１２に示される状態）において、切換制御部２３４が、駆動部２３３を制御して、複数の回動軸部２３２を、第２当接部材２２０が基板９の端面９３から遠ざかる方向（第２方向ＡＲ２）に、一斉に回動させると、各第２当接部材２２０が基板９から離間するとともに、各第１当接部材２１０が基板９に当接して、複数の第１当接部材２１０が基板９を保持する第１保持状態となる（図９、図１０に示される状態）。すなわち、第２保持状態から第１保持状態に切り替わる。

第２保持状態から第１保持状態への切り換え態様について、具体的に説明する。基板９が複数の第２当接部材２２０に保持されている状態（図１１、図１２に示される状態）から、複数の回動軸部２３２が、第１方向ＡＲ１とは逆の第２方向ＡＲ２に一斉に回動されると、各第２当接部材２２０の鉛直側面２２３０が基板９の端面９３から離間する。そして、回動が進むにつれて、各傾斜面２２２０における基板９との当接位置が、傾斜面２２２０の下端縁側に移動していき、これとともに、基板９が水平姿勢のまま下降されていく。基板９が、スピンベース２１の上面から定められた間隔ｈ１を隔てた水平位置に到達すると、基板９の下側エッジ部に、各第１当接部材２１０の傾斜側面２１２０が、斜め下から当接する。これによって、基板９が、複数の第２当接部材２２０から複数の第１当接部材２１０に受け渡される。さらに回動が進むと、各第２当接部材２２０の傾斜面２２２０が、基板９から完全に離間する。各第２当接部材２２０が、基板９から十分に離間すると、複数の回動軸部２３２の回動が停止される。これによって、複数の第１当接部材２１０が基板９を保持する第１保持状態となる（図９、図１０に示される状態）。

上記の説明からも明らかなとおり、第１保持状態においては、複数の第２当接部材２２０が基板９から離間している。この構成によると、当該基板９の下面に供給された処理液が、第２当接部材２２０を伝って基板９の上面に回り込みにくい。なお、上述したとおり、第１保持状態においては、基板９の上面が第１当接部材２１０の上端よりも高い位置にあるので、当該基板９の下面に供給された処理液は、第１当接部材２１０を伝っても基板９の上面には容易に回り込めない。つまり、第１保持状態においては、基板９の上面への処理液の回り込みが十分に抑制される。

＜iii．切り換えのタイミング＞
上述したとおり、この実施の形態では、切換部２３０が、第２当接部材２２０を、スピンベース２１上の基板９の周縁と近接離間する方向に移動させることによって、第１保持状態と第２保持状態と間の切り換えが行われる。切換部２３０（具体的には、切換制御部２３４）は、基板９の回転速度が定められた閾値Ｔより小さい場合に、複数の第１当接部材２１０に基板９を保持させ、基板９の回転速度が閾値Ｔ以上の場合に、複数の第２当接部材２２０に基板９を保持させる。

例えば、基板９に対する一連の処理が行われる中で、複数の第１当接部材２１０に保持されている基板９の回転速度が、閾値Ｔ以上の回転速度まで上昇される場合、切換部２３０は、第１保持状態から第２保持状態への切り換えを行う。

また例えば、基板９に対する一連の処理が行われる中で、複数の第２当接部材２２０に保持されている基板９の回転速度が、予め定められた閾値Ｔよりも小さい回転速度まで低下される場合、切換部２３０は、必要に応じて、第２保持状態から第１保持状態への切り換えを行う。

ただし、保持状態の切り換え（第１保持状態から第２保持状態への切り換え、および、第２保持状態から第１保持状態への切り換え）は、基板９が閾値Ｔより小さい低速の回転速度で回転されている間、あるいは、基板９が回転されていない間に行われることが好ましい。また、保持状態の切り換えは、基板９に付着している処理液の量が比較的少ない状態（例えば、基板９から処理液がほぼ完全に振り切られている状態）で行われることも好ましい。

このように、この実施の形態では、閾値Ｔより小さな回転速度で回転される基板９は、複数の第１当接部材２１０で保持され、閾値Ｔ以上の回転速度で回転される基板９は、複数の第２当接部材２２０で保持される。つまり、複数の第１当接部材２１０は、比較的低速で回転される基板９を保持するための保持部（低速用保持部）であり、複数の第２当接部材２２０は、比較的高速で回転される基板９を保持するための保持部（高速用保持部）である。

基板９の回転速度が小さいほど、基板９の下面に供給された処理液が遠心力で吹き飛ばされにくいために、当該処理液が基板９の上面に回り込みやすくなるところ、基板９が比較的低速で回転される際に、複数の第１当接部材２１０が基板９を保持する第１保持状態とされていることによって、当該基板９の下面に供給された処理液が基板９の上面に回り込むことが抑制される。なお、基板９の回転速度が小さければ、基板９が水平面内で位置ずれを起こす事態は生じにくい。したがって、基板９が比較的低速で回転されるのであれば、第１保持状態とされていても（すなわち、基板９が端面９３側から挟み込まれて把持されていなくとも）、基板９を水平面内の所定の位置に保持し続けることができる。

一方、基板９の回転速度が大きいほど、基板９が水平面内で位置ずれを起こしやすいところ、基板９が比較的高速で回転される際に、複数の第２当接部材２２０が基板９を保持する第２保持状態とされていることによって、当該基板９が水平面内で位置ずれを起こすことが回避される。なお、基板９の回転速度が大きければ、基板９の下面に供給された処理液が遠心力で吹き飛ばされやすく、当該処理液が基板９の上面に回り込みにくい。したがって、基板９が比較的高速で回転されるのであれば、第２保持状態とされていても（すなわち、基板９の端面９３に第２当接部材２２０が当接していても）、当該基板９の下面に供給された処理液が、第２当接部材２２０を伝って基板９の表面に回り込む可能性は低い。

なお、閾値Ｔの具体的な値は、例えば、オペレータが制御部１３０を介して任意に設定できる構成とすればよい。以下の説明では、当該閾値Ｔが、例えば、１００ｒｐｍと設定されているとして、具体的な切り換えタイミングの一例を説明する。

＜５．基板処理装置１の動作＞
次に、基板処理装置１の動作について説明する。基板処理装置１においては、制御部１３０の制御下で、以下に説明する一連の処理が実行される。もっとも、以下に説明するのは、基板処理装置１にて実行可能な処理の一例に過ぎない。

基板処理装置１では、例えば、１枚の基板９に対して、前処理（ステップＳ１）、表面周縁処理（ステップＳ２）、処理面切り替え処理（ステップＳ３）、裏面処理（ステップＳ４）、および、乾燥処理（ステップＳ５）が、この順で行われる（図１３）。以下に、各処理について具体的に説明する。

＜５−１．前処理＞
前処理（ステップＳ１）について、図１４、図１５を参照しながら説明する。図１４は、前処理の流れを示す図である。図１５は、前処理を説明するための図であり、前処理における各処理工程を実行している状態の基板処理装置１の一部要素が、模式的に示されている。

まず、半円弧部材６１，６２、カップ３１、周縁部用吐出ヘッド５１、および、カバーガスノズル４１が、各々の待避位置に配置されている状態において、搬送ロボットＣＲが、基板９をスピンベース２１上に移載し、保持部２５が、当該基板９をスピンベース２１上に保持する（ステップＳ１０１）。

ステップＳ１０１の処理は、具体的には、次のように行われる。まず、搬送ロボットＣＲが、基板９を、その表面９１が上を向く姿勢で、スピンベース２１上に移載する。ただし、このとき、複数の第２当接部材２２０は、基板９の周縁から離間した位置に配置されており、搬送ロボットＣＲからスピンベース２１上に移載された基板９は、まずは、複数の第１当接部材２１０に保持される（ステップＳ１０１１）。

複数の第１当接部材２１０が基板９を保持すると、続いて、切換部２３０が、第１保持状態から第２保持状態への切り換えを行って、当該基板９を複数の第２当接部材２２０に保持させる（ステップＳ１０１２）。これによって、スピンベース２１上の基板９の位置ずれや姿勢の傾斜が補正される。つまり、仮に、スピンベース２１上に移載されて複数の第１当接部材２１０に保持された基板９が、水平面内において所期の位置からずれた位置に配置されていたり、水平姿勢から僅かに傾斜した姿勢となっていたりしたとしても、その基板９を、一旦、複数の第２当接部材２２０に保持させることによって、当該基板９が所期の位置に正確に位置合わせされた状態となるとともに、当該基板９の姿勢が水平姿勢とされる。

その後、切換部２３０は、必要に応じて、第２保持状態から第１保持状態への切り換えを行う。具体的には、基板９が回転開始されてからはじめに行われる処理での基板９の回転速度が閾値Ｔよりも小さい場合、切換部２３０は、この段階で、第２保持状態から第１保持状態への切り換えを行う。この実施の形態では、基板９が回転開始されてからはじめに行われる処理（ステップＳ１０６）での基板９の回転速度は、閾値Ｔ以上である。したがって、この実施の形態では、切換部２３０は、この段階で、第２保持状態から第１保持状態への切り換えは行わない。つまり、複数の第２当接部材２２０が基板９を保持する第２保持状態のままとされる。

基板９がスピンベース２１上に保持されると、ガード部材６０が処理位置まで移動される（ステップＳ１０２）。具体的には、半円弧部材駆動部６３の昇降駆動部６３１が、待避位置に配置されている各半円弧部材６１，６２を、スピンベース２１の上面よりも僅かに上方の位置まで上昇させ、続いて、半円弧部材駆動部６３の進退駆動部６３２が、各半円弧部材６１，６２を、水平面内において他方の半円弧部材に近づける方向に移動させて、各半円弧部材６１，６２の周方向の端面同士が互いに当接し合う状態とする。これによって、リング状の部材であるガード部材６０が、処理位置に配置された状態となる。なお、処理位置に配置されたガード部材６０は、スピンベース２１が回転開始されても、回転されることなく静止状態のままとされる。

ガード部材６０が処理位置に配置されると、続いて、待避位置に配置されているカップ３１が上昇されて、処理位置に配置される（ステップＳ１０３）。これによって、カップ３１が、スピンベース２１上に保持された基板９とガード部材６０とを一括して取り囲むように配置された状態となる。

カップ３１が処理位置に配置されると、続いて、カバーガスノズル４１が、待避位置から処理位置に移動される。そして、処理位置に配置されたカバーガスノズル４１から、基板９の表面９１の中央付近に向けて、カバーガスが吐出開始される（ステップＳ１０４）。ここで開始された、基板９の表面９１の中央付近へのカバーガスの供給は、当該基板９に対する処理が終了するまで続行される。基板９の表面９１の中央付近にカバーガスが供給され続けることによって、当該基板９に対する処理が行われる間、デバイス領域９０が、表面周縁部９１１等に供給された処理液の雰囲気等に曝されることがない。つまり、デバイス領域９０が、表面周縁部に供給された処理液の雰囲気等から保護され続ける。

なお、ここでは、カップ３１が処理位置に配置された後に、カバーガスノズル４１からのカバーガスの吐出を開始している。仮に、カップ３１が処理位置まで上昇されるのを待たずに、カバーガスノズル４１からのカバーガスの吐出を開始してしまうと、基板９の表面周縁部９１１付近の気流が乱れて巻き上がりが生じて、基板９にパーティクル等が付着する虞があるところ、カップ３１が処理位置に配置された後にカバーガスの吐出を開始する構成とすれば、このような事態の発生を回避できる。

続いて、スピンベース２１の回転が開始され、これによって、スピンベース２１上に保持されている基板９（ただし、上述したとおり、このとき、基板９は複数の第２当接部材２２０によって保持されている）が、水平姿勢で回転開始される（ステップＳ１０５）。このときのスピンベース２１の回転数（すなわち、基板９の回転数）は、例えば、６００ｒｐｍである。この回転数は、表面周縁処理が行われる間、表面周縁部９１１に供給された処理液がデバイス領域９０に進入することがなく、また、端部９３の側に移動することもないような回転数（つまり、処理を施すべき表面周縁部９１１内の領域に、処理液が安定的に保持されるような回転数）に、適宜設定される。

続いて、スチームノズル７１から、回転される基板９の裏面９２に向けて、スチームが吐出される（プレスチーム）（ステップＳ１０６）。スチームが吐出開始されてから、所定時間（例えば、５秒）が経過すると、スチームノズル７１からのスチームの吐出が停止される。このプレスチームによって、基板９が加熱される。基板９に対する薬液処理に用いられる薬液の多くは、温度が上がるほど反応が促進される薬液であるところ、基板９が、予めこのプレスチームにより加熱されることによって、薬液処理における、薬液と基板９との反応が促進される。その結果、薬液処理の処理時間が短縮されるとともに、薬液の使用量が抑えられる。以上で、前処理が終了する。

＜５−２．表面周縁処理＞
前処理（ステップＳ１）が終了すると、続いて、表面周縁処理（ステップＳ２）が行われる。表面周縁処理について、図１６、図１７を参照しながら説明する。図１６は、表面周縁処理の流れを示す図である。図１７は、表面周縁処理を説明するための図であり、表面周縁処理における各処理工程を実行している状態の基板処理装置１の一部要素が、模式的に示されている。

ただし、この実施の形態では、以下に説明する表面周縁処理が行われる間、基板９は、閾値Ｔ以上の一定の回転速度（例えば、６００ｒｐｍ）で回転され続ける。したがって、この実施の形態では、切換部２３０は、表面周縁処理が開始されるタイミングで、第２保持状態から第１保持状態への切り換えは行わない。つまり、複数の第２当接部材２２０が基板９を保持する第２保持状態のまま、表面周縁処理が行われる。

また、上述したとおり、表面周縁処理が行われる間も、基板９の表面９１の中央付近に向けて、カバーガスノズル４１からカバーガスが供給され続けており、これによって、デバイス領域９０が、表面周縁部９１１に供給される処理液の雰囲気等から保護されている。

＜アルカリ処理（ＳＣ−１）＞
＜i．薬液処理＞
まず、基板９の表面周縁部９１１に対して、ＳＣ−１による薬液処理が行われる（ステップＳ２０１）。具体的には、まず、周縁部用吐出ヘッド５１が、待避位置から処理位置に移動される。そして、処理位置に配置された周縁部用吐出ヘッド５１の第２薬液ノズル５０ｂから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ＳＣ−１が吐出される。このときのＳＣ−１の吐出流量は、例えば、２０（ｍＬ/ｍｉｎ）以上かつ５０（ｍＬ/ｍｉｎ）以下である。ＳＣ−１が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのＳＣ−１の吐出が停止される。

この薬液処理によって、基板９の表面周縁部９１１に形成されている薄膜が除去される（エッチング処理）。ただし、この薬液処理が行われている間、スチームノズル７１から、基板９の裏面９２に向けて、スチームが吐出される。このときのスチームの吐出流量は、例えば、５００（ｍＬ/ｍｉｎ）以上かつ２０００（ｍＬ/ｍｉｎ）以下である。また、吐出されるスチームの温度は、例えば、１１０℃以上かつ１３０℃以下である。ＳＣ−１は、温度が上がるほど反応が促進される薬液であるところ、ＳＣ−１により薬液処理される基板９が、スチームの供給を受けて加熱されることによって、基板９の表面周縁部９１１とＳＣ−１との反応が促進される（すなわち、エッチングレートが高まる）（所謂、ヒートアシスト）。その結果、ＳＣ−１による薬液処理の処理時間が短縮されるとともに、ＳＣ−１の使用量が抑えられる。特に、ここでは、基板９の裏面周縁部９２１が重点的に加熱されるので、表面周縁部９１１とＳＣ−１との反応を効果的に促進させることができる。

＜ii．リンス処理＞
続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ２０２）。具体的には、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のリンス液ノズル５０ｃから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、リンス液が吐出される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのリンス液の吐出が停止される。このリンス処理によって、表面周縁部９１１に付着している処理液（ここでは、ＳＣ−１）が、すすぎ流される。

＜iii．液振り切り処理＞
続いて、液振り切り処理が行われる（ステップＳ２０３）。液振り切り処理は、表面周縁部９１１に残存している処理液（ここでは、ステップＳ２０２のリンス処理において基板９から振り切られずに、表面周縁部９１１に残存しているリンス液）を、基板９の端面９３側に寄せて、端面９３から基板９の外に振り切る処理である。端面９３側に寄せられた処理液は、端面９３およびその付近の非水平な面領域部分に保持された状態となるところ、非水平な面領域部分に保持された処理液は液切れを起こしにくいため、このような処理液は、まとまって、基板９の外に振り切られる。つまり、表面周縁部９１１に残存している処理液を、基板９の端面９３側に寄せてから基板９の外に振り切ることによって、表面周縁部９１１に液残りをほとんど生じさせることなく、当該残存している処理液の大部分を基板９から除去することができる。

液振り切り処理は、具体的には、例えば、次のように行われる。まず、周縁部用吐出ヘッド５１からの表面周縁部９１１に向けての流体（処理液およびガス）の吐出が停止された状態で、基板９が定められた時間だけ回転される（液寄せ工程）（ステップＳ２０３１）。これによって、表面周縁部９１１に残存している処理液が、基板９の回転に伴う遠心力を受けて、基板９の端面９３に近づく方向に移動して、端面９３およびその付近の非水平な面領域部分に保持された状態となる。続いて、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のガスノズル５０ｄから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される（吹き飛ばし工程）（ステップＳ２０３２）。このときのガスの吐出流量は、例えば、１４（Ｌ/ｍｉｎ）である。これによって、非水平な面領域部分に保持されている処理液が、ガスの風圧と基板９の回転に伴う遠心力とを受けて、まとまって、基板９の外に振り切られる。周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が開始されてから所定時間（例えば、１５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が停止される。

この液振り切り処理によって、表面周縁部９１１に残存している処理液（すなわち、ステップＳ２０２のリンス処理において基板９から振り切られずに表面周縁部９１１に残存しているリンス液）の大部分が、基板９から振り切られる。

＜第１の酸処理（ＳＣ−２）＞
＜i．薬液処理＞
次に、基板９の表面周縁部９１１に対して、ＳＣ−２による薬液処理が行われる（ステップＳ２０４）。具体的には、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１の第１薬液ノズル５０ａから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ＳＣ−２が吐出される。ＳＣ−２が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのＳＣ−２の吐出が停止される。

この薬液処理によって、基板９の表面周縁部９１１に付着しているメタル成分（例えば、Ｍｏ、Ｃｏ、等）等が除去される（洗浄処理）。ただし、ここでは、この薬液処理に先立って、液振り切り処理が行われている（ステップＳ２０３）。このため、ＳＣ−２は、リンス液がほとんど残存しない表面周縁部９１１に向けて、吐出されることになる。仮に、ステップＳ２０３の液振り切り処理が行われていないとすると、リンス液が残存している表面周縁部９１１に向けてＳＣ−２が吐出されることになり、当該吐出されたＳＣ−２が、残存しているリンス液と衝突して跳ねて、デバイス領域９０に進入する虞がある。しかしながら、ここでは、液振り切り処理によって、表面周縁部９１１は、リンス液がほとんど残存しない状態となっているので、このような処理液の衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入が生じにくい。また、仮に、ステップＳ２０３の液振り切り処理が行われていないとすると、表面周縁部９１１上で、残存しているリンス液と、供給されたＳＣ−２とが混じり合う虞があるが、液振り切り処理が行われている場合は、このような事態が生じにくい。その結果、所期の濃度のＳＣ−２を表面周縁部９１１に適切に作用させることができる。また、アルカリ性の薬液であるＳＣ−１をすすぎ流したリンス液と酸性の薬液であるＳＣ−２との混触も回避できる。

＜ii．液振り切り処理＞
続いて、液振り切り処理が行われる（ステップＳ２０５）。液振り切り処理の具体的な流れは、ステップＳ２０３にて説明したとおりである。すなわち、まず、表面周縁部９１１に向けての流体の吐出が停止された状態で、基板９が定められた時間だけ回転され（液寄せ工程）、その後、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のガスノズル５０ｄから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される（吹き飛ばし工程）。周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が開始されてから所定時間（例えば、１５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が停止される。

この液振り切り処理によって、表面周縁部９１１に残存している処理液（すなわち、ステップＳ２０４の洗浄処理において基板９から振り切られずに、表面周縁部９１１に残存しているＳＣ−２）の大部分が、基板９から振り切られる。ステップＳ２０４の洗浄処理において基板９から振り切られずに表面周縁部９１１に残存しているＳＣ−２には、洗浄処理で基板９から除去されたメタル成分等の不純物が含まれているところ、洗浄処理の後に液振り切り処理が行われることによって、この不純物が、早い段階で、基板９から振り切られることになる。したがって、ＳＣ−２による薬液処理で基板９から除去された不純物が、基板９に再付着するリスクが低減される。

＜iii．リンス処理＞
続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ２０６）。リンス処理の具体的な流れは、ステップＳ２０２の処理と同様である。すなわち、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のリンス液ノズル５０ｃから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、リンス液が吐出される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのリンス液の吐出が停止される。

このリンス処理によって、表面周縁部９１１に付着している処理液（ここでは、ＳＣ−２）が、すすぎ流される。ただし、ここでは、このリンス処理に先立って、液振り切り処理が行われている（ステップＳ２０５）ため、表面周縁部９１１は、ＳＣ−２がほとんど残存しない状態となっている。したがって、このリンス処理の処理時間は、液振り切り処理が行われない場合よりも短くてすむ。また、このリンス処理においては、リンス液は、ＳＣ−２がほとんど残存しない表面周縁部９１１に向けて、吐出されることになるため、処理液の衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入が生じにくい。

＜iv．液振り切り処理＞
続いて、液振り切り処理が行われる（ステップＳ２０７）。液振り切り処理の具体的な流れは、ステップＳ２０３にて説明したとおりである。すなわち、まず、表面周縁部９１１に向けての流体の吐出が停止された状態で、基板９が定められた時間だけ回転され（液寄せ工程）、その後、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のガスノズル５０ｄから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される（吹き飛ばし工程）。周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が開始されてから所定時間（例えば、１５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が停止される。

この液振り切り処理によって、表面周縁部９１１に残存している処理液（すなわち、ステップＳ２０６のリンス処理において基板９から振り切られずに、表面周縁部９１１に残存しているリンス液）の大部分が、基板９から振り切られる。

＜第２の酸処理（ＤＨＦ）＞
＜i．薬液処理＞
次に、基板９の表面周縁部９１１に対して、ＤＨＦによる薬液処理が行われる（ステップＳ２０８）。具体的には、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１の第１薬液ノズル５０ａから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ＤＨＦが吐出される。このときのＤＨＦの吐出流量は、例えば、２０（ｍＬ/ｍｉｎ）以上かつ５０（ｍＬ/ｍｉｎ）以下である。ＤＨＦが吐出開始されてから所定時間（例えば、１０秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのＤＨＦの吐出が停止される。

この薬液処理によって、基板９の表面周縁部９１１に形成されている薄膜が除去される（エッチング処理）。ただし、ここでは、この薬液処理に先立って、液振り切り処理が行われている（ステップＳ２０７）ため、ＤＨＦは、リンス液がほとんど残存しない表面周縁部９１１に向けて、吐出されることになる。したがって、処理液の衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入が生じにくい。また、表面周縁部９１１上で、ＤＨＦとリンス液とが混じり合うことがないので、所期の濃度のＤＨＦを、表面周縁部９１１に適切に作用させることができる。

ただし、この薬液処理が行われている間は、周縁部用吐出ヘッド５１のガスノズル５０ｄから、表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される。このときのガスの吐出流量は、例えば、１４（Ｌ/ｍｉｎ）である。つまり、表面周縁部９１１内の各位置において、古いＤＨＦ（すなわち、一周前に第１薬液ノズル５０ａから供給されて、基板９が一周回転される間に振り切られなかった古いＤＨＦ）が、ガスノズル５０ｄから吐出されるガスで除去された後に、当該位置に第１薬液ノズル５０ａから新たなＤＨＦが供給される。この構成によると、上述したとおり、基板９が一周回転される間に振り切られなかった古い処理液と新しく供給された処理液との衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入を抑制できる。また、この構成によると、常に新鮮なＤＨＦを基板９に作用させて、処理効率を高めることができる。また、この構成によると、表面周縁部９１１内の各位置に一時的に多量のＤＨＦが保持されるといった状況を回避することができる。その結果、エッチング幅を安定させて、エッチング幅の制御精度を高めることができる。また、ＤＨＦが供給されると、表面周縁部９１１は撥水性となるため、表面周縁部９１１に保持される古い処理液が部分的に厚くなる場合がある。この状態で新しい処理液が供給されると、処理液が弾かれて跳ねやすい状態となる。そのため、古い処理液をガスノズル５０ｄから吐出されるガスにより基板９の外側に向けて吹き飛ばすことによって、当該液滴等がデバイス領域９０へ進入することが十分に抑制される。

＜ii．リンス処理＞
続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ２０９）。リンス処理の具体的な流れは、ステップＳ２０２の処理と同様である。すなわち、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のリンス液ノズル５０ｃから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、リンス液が吐出される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのリンス液の吐出が停止される。

このリンス処理によって、表面周縁部９１１に付着している処理液（ここでは、ＤＨＦ）が、すすぎ流される。ただし、このリンス処理が行われている間も、周縁部用吐出ヘッド５１のガスノズル５０ｄから、基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される。このときのガスの吐出流量は、例えば、１４（Ｌ/ｍｉｎ）である。つまり、表面周縁部９１１内の各位置において、古いリンス液（すなわち、一周前にリンス液ノズル５０ｃから供給されて、基板９が一周回転される間に振り切られなかった古いリンス液）が、ガスノズル５０ｄから吐出されるガスで除去された後に、当該位置にリンス液ノズル５０ｃから新たなリンス液が供給される。この構成によると、上述したとおり、基板９が一周回転される間に振り切られなかった古い処理液と新しく供給された処理液との衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入を抑制できる。また、この構成によると、ＤＨＦを含む古いリンス液を、速やかに表面周縁部９１１から除去するとともに、ＤＨＦを含まない新たなリンス液を基板９に作用させることができるので、リンス処理の処理効率が高まる。また、この構成によると、上述したとおり、表面周縁部９１１で弾かれた処理液の液滴等が、ガスノズル５０ｄから吐出されるガスによって形成される気流によって、基板９の外側に向けて吹き飛ばされるので、当該液滴等がデバイス領域９０へ進入することが十分に抑制される。

＜iii．液振り切り処理＞
続いて、液振り切り処理が行われる（ステップＳ２１０）。液振り切り処理の具体的な流れは、ステップＳ２０３にて説明したとおりである。すなわち、まず、表面周縁部９１１に向けての流体の吐出が停止された状態で、基板９が定められた時間だけ回転され（液寄せ工程）、その後、処理位置に配置されている周縁部用吐出ヘッド５１のガスノズル５０ｄから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される（吹き飛ばし工程）。周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が開始されてから所定時間（例えば、５秒）が経過すると、周縁部用吐出ヘッド５１からのガスの吐出が停止される。

この液振り切り処理によって、表面周縁部９１１に残存している処理液（すなわち、ステップＳ２０９のリンス処理において基板９から振り切られずに、表面周縁部９１１に残存しているリンス液）の大部分が、基板９から振り切られる。以上で、表面周縁処理が終了する。

＜５−３．処理面切り替え処理＞
表面周縁処理（ステップＳ２）が終了すると、続いて、処理面切り替え処理（ステップＳ３）が行われる。ただし、上述したとおり、処理面切り替え処理が行われる間も、基板９の表面９１の中央付近に向けて、カバーガスノズル４１からカバーガスが供給され続けている。

処理面切り替え処理では、まず、スピンベース２１の回転速度（すなわち、基板９の回転速度）が下げられる（ステップＳ３１）。すなわち、スピンベース２１の回転速度が、表面周縁処理時の回転速度（例えば、６００ｒｐｍ）から、これより小さい回転速度（低速の回転速度）（例えば、２０ｒｐｍ）に切り換えられる。

ステップＳ３１が行われることによって基板９の回転速度が閾値Ｔよりも小さくなる。そこで、切換部２３０は、ステップＳ３１が行われた後、第２保持状態から第１保持状態への切り換えを行う（ステップＳ３２）。

＜５−４．裏面処理＞
処理面切り替え処理（ステップＳ３）が終了すると、続いて、裏面処理（ステップＳ４）が行われる。裏面処理について、図１８、図１９を参照しながら説明する。図１８は、ステップＳ２〜ステップＳ４の流れを示す図である。図１９は、裏面処理等を説明するための図であり、裏面処理における各処理工程を実行している状態の基板処理装置１の一部要素が、模式的に示されている。

ただし、後に明らかになるように、以下に説明する裏面処理が行われる間、基板９は、閾値Ｔより小さい一定の回転速度（低速の回転速度であり、具体的には、例えば、２０ｒｐｍ）で回転され続ける。したがって、この実施の形態では、切換部２３０は、裏面処理が開始されるタイミングで、第１保持状態から第２保持状態への切り換えは行わない。つまり、複数の第１当接部材２１０が基板９を保持する第１保持状態のまま、裏面処理が行われる。

また、上述したとおり、裏面処理が行われる間も、基板９の表面９１の中央付近に向けて、カバーガスノズル４１からカバーガスが供給され続けており、これによって、デバイス領域９０が、裏面９２に供給される処理液の雰囲気等から保護されている。

裏面９２に対する処理液の供給に先立って、スピンベース２１の回転速度が、低速の回転数である２０ｒｐｍに切り換えられている。ここでいう「低速の回転速度」とは、基板９が当該回転速度で回転されている状態において、基板９の裏面９２に供給された処理液が、裏面９２の全体に広がり、かつ、基板９の表面９１まで回り込むことがないような速度であり、具体的には、例えば、２０ｒｐｍ以下の回転数に相当する回転速度である。

まず、基板９の裏面９２に対して、ＳＣ−１による薬液処理が行われる（ステップＳ４０１）。具体的には、下面側吐出口８２から、低速の回転速度で回転される基板９の裏面９２の中央付近に向けて、ＳＣ−１が吐出される。このときのＳＣ−１の吐出流量は、例えば、５００（ｍＬ/ｍｉｎ）以上かつ２０００（ｍＬ/ｍｉｎ）以下である。裏面９２の中央付近に供給されたＳＣ−１は、基板９の回転に伴う遠心力によって裏面９２の全体に広がり、これによって、基板９の裏面９２に対して、ＳＣ−１による薬液処理が進行する。ここでは、ＳＣ−１による薬液処理によって、基板９の裏面９２に形成されている薄膜が除去される（エッチング処理）。ＳＣ−１が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、下面側吐出口８２からのＳＣ−１の吐出が停止される。

続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ４０２）。具体的には、基板９が低速の回転速度で回転された状態のままで、下面側吐出口８２から、基板９の裏面９２の中央付近に向けて、リンス液が吐出される。裏面９２の中央付近に供給されたリンス液は、基板９の回転に伴う遠心力によって裏面９２の全体に広がり、これによって、裏面９２に付着している処理液（ここでは、ＳＣ−１）が、すすぎ流される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、下面側吐出口８２からのリンス液の吐出が停止される。

続いて、基板９の裏面９２に対して、ＳＣ−２による薬液処理が行われる（ステップＳ４０３）。具体的には、基板９が低速の回転速度で回転された状態のままで、下面側吐出口８２から、基板９の裏面９２の中央付近に向けて、ＳＣ−２が吐出される。裏面９２の中央付近に供給されたＳＣ−２は、基板９の回転に伴う遠心力によって裏面９２の全体に広がり、これによって、裏面９２に対して、ＳＣ−２による薬液処理が進行する。ここでは、ＳＣ−２による薬液処理によって、基板９の裏面９２に付着しているメタル成分（例えば、Ｍｏ、Ｃｏ、等）等が除去される（洗浄処理）。ＳＣ−２が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、下面側吐出口８２からのＳＣ−２の吐出が停止される。

続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ４０４）。リンス処理の具体的な流れは、ステップＳ４０２の処理と同様である。すなわち、基板９が低速の回転速度で回転された状態のままで、下面側吐出口８２から、基板９の裏面９２の中央付近に向けて、リンス液が吐出される。裏面９２の中央付近に供給されたリンス液は、基板９の回転に伴う遠心力によって裏面９２の全体に広がり、これによって、裏面９２に付着している処理液（ここでは、ＳＣ−２）が、すすぎ流される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、下面側吐出口８２からのリンス液の吐出が停止される。

続いて、基板９の裏面９２に対して、ＤＨＦによる薬液処理が行われる（ステップＳ４０５）。具体的には、基板９が低速の回転速度で回転された状態のままで、下面側吐出口８２から、基板９の裏面９２の中央付近に向けて、ＤＨＦが吐出される。このときのＤＨＦの吐出流量は、例えば、５００（ｍＬ/ｍｉｎ）以上かつ２０００（ｍＬ/ｍｉｎ）以下である。裏面９２の中央付近に供給されたＤＨＦは、基板９の回転に伴う遠心力によって裏面９２の全体に広がり、これによって、裏面９２に対して、ＤＨＦによる薬液処理が進行する。ここでは、ＤＨＦによる薬液処理によって、基板９の裏面９２に形成されている薄膜が除去される（エッチング処理）。ＤＨＦが吐出開始されてから所定時間（例えば、１０秒）が経過すると、下面側吐出口８２からのＤＨＦの吐出が停止される。

続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ４０６）。リンス処理の具体的な流れは、ステップＳ４０２の処理と同様である。すなわち、基板９が低速の回転速度で回転された状態のままで、下面側吐出口８２から、基板９の裏面９２の中央付近に向けて、リンス液が吐出される。裏面９２の中央付近に供給されたリンス液は、基板９の回転に伴う遠心力によって裏面９２の全体に広がり、これによって、裏面９２に付着している処理液（ここでは、ＤＨＦ）が、すすぎ流される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、２２．５秒）が経過すると、下面側吐出口８２からのリンス液の吐出が停止される。

以上で、裏面処理が終了する。上述したとおり、この裏面処理が行われる間は、複数の第１当接部材２１０が基板９を保持する第１保持状態となっている。したがって、基板９の裏面９２に供給された処理液が、基板９の表面に回り込むことが抑制される。

＜５−５．乾燥処理＞
裏面処理（ステップＳ４）が終了すると、続いて、乾燥処理（ステップＳ５）が行われる。ただし、上述したとおり、乾燥処理が行われる間も、基板９の表面９１の中央付近に向けて、カバーガスノズル４１からカバーガスが供給され続けている。

乾燥処理では、基板９に向けての処理液の吐出が停止された状態で、スピンベース２１の回転速度（すなわち、基板９の回転速度）が、低速の回転速度から、比較的高速の、乾燥時の回転速度まで上げられてゆく。ここで、基板９の回転速度の上昇が開始されてから（ステップＳ５１）、しばらくの間は、基板９は、閾値Ｔより小さい回転数で回転される。基板９が、閾値Ｔより小さい比較的低速の回転速度で回転されている間は、切換部２３０は、第１保持状態から第２保持状態への切り換えは行わない。つまり、基板９が比較的低速の回転速度で回転されている間は、複数の第１当接部材２１０が基板９を保持する第１保持状態のままとされる。この間に、基板９に付着しているリンス液がおおまかに振り切られる。

基板９の回転速度の上昇が開始されてから定められた時間が経過すると、基板９の回転速度が閾値Ｔに到達する。切換部２３０は、基板９の回転速度が閾値Ｔとなる前に、第１保持状態から第２保持状態への切り換えを行う（ステップＳ５２）。

基板９の回転速度が閾値Ｔに到達した後、基板９の回転速度はさらに上昇され、最終的に、乾燥時の回転速度とされる（ステップＳ５３）。基板９が、閾値Ｔ以上の比較的高速の回転速度で回転されている間は、複数の第２当接部材２２０が基板９を保持する第２保持状態とされている。この間に、基板９に付着しているリンス液が完全に除去されてゆき、最終的に、基板９が乾燥される。基板９が乾燥時の回転速度で回転開始されてから、所定時間が経過すると、スピンベース２１の回転が停止される。以上で、乾燥処理が終了する。

上述したとおり、乾燥処理が開始されてからしばらくの間（乾燥処理の序盤）は、基板９は比較的低速で回転され、当該基板９に付着しているリンス液がおおまかに振り切られる。この間は、複数の第１当接部材２１０が基板９を保持する第１保持状態となっている。したがって、リンス液がおおまかに振り切られているときに、当該リンス液が基板９の表面に回り込むことが抑制される。なお、乾燥処理の序盤では、基板９の回転速度が比較的低速であるので、複数の第１当接部材２１０によって基板９を水平面内の所定の位置に保持し続けることができる。

一方、乾燥処理が開始されてからしばらくした後（乾燥処理の終盤）は、基板９は比較的高速で回転され、当該基板９に付着しているリンス液が完全に振り切られる。この間は、複数の第２当接部材２２０が基板９を保持する第２保持状態となっている。したがって、基板９の回転速度がいくら大きくなっても、基板９の位置ずれを生じさせずに、基板９を所期の位置に保持し続けることができる。なお、乾燥処理の序盤で、基板９の下面のリンス液は既におおまかに振り払われているために、乾燥処理の終盤では、基板９に付着しているリンス液の量はさほど多くはない。また、乾燥処理の終盤では、基板９が比較的高速に回転されるので、基板９に残存しているリンス液は、強い遠心力をうけて基板９の外に吹き飛ばされる。したがって、乾燥処理の終盤で、第２当接部材２２０を伝って基板９の表面にリンス液が回り込む可能性は低い。

乾燥処理が終了すると、カバーガスノズル４１からのガスの吐出が停止されて、カバーガスノズル４１が待避位置に移動される。また、周縁部用吐出ヘッド５１、カップ３１、および、半円弧部材６１，６２が、各々の待避位置に移動される。そして、切換部２３０が、第２保持状態から第１保持状態への切り換えを行う。これによって、複数の第２当接部材２２０による基板９の把持状態が解除される。その後、搬送ロボットＣＲが、複数の第１当接部材２１０に保持されている基板９を、ハンド１２１上に移載して、当該基板９を基板処理装置１から搬出する。以上で、当該基板９に対する一連の処理が終了する。

＜６．効果＞
上記の実施の形態によると、複数の第１当接部材２１０が基板９を保持する第１保持状態において、基板９の上面が第１当接部材２１０の上端（具体的には、上端面２１２１）よりも高い位置にあり、かつ、第２当接部材２２０が基板９から離間している。したがって、この第１保持状態においては、基板９の下面に供給された処理液が、第１当接部材２１０を伝って基板９の上面に回り込みにくく、第２当接部材２２０を伝っても基板９の上面に回り込みにくい。すなわち、基板９の下面に供給された処理液が、基板９の上面に回り込むことを抑制できる。

また、上記の実施の形態によると、閾値Ｔより小さな回転速度で回転される基板９は、複数の第１当接部材２１０で保持され、閾値Ｔ以上の回転速度で回転される基板９は、複数の第２当接部材２２０で保持される。基板９の回転速度が小さいほど、基板９の下面に供給された処理液が遠心力で吹き飛ばされにくいために、当該処理液が基板９の上面に回り込みやすくなるところ、ここでは、基板９が比較的低速で回転される際には、複数の第１当接部材２１０が基板９を保持する第１保持状態とされるので、当該基板９の下面に供給された処理液が基板９の上面に回り込むことを抑制できる。一方で、基板９の回転速度が大きいほど、基板９が水平面内で位置ずれを起こしやすいところ、ここでは、基板９が比較的高速で回転される際には、複数の第２当接部材２２０が基板９を保持する第２保持状態とされるので、当該基板９が水平面内で位置ずれを起こすことを回避できる。

また、上記の実施の形態によると、第１当接部材２１０が、傾斜側面２１２０において基板９と当接する。この構成によると、第１当接部材２１０が基板９を保持する第１保持状態において、基板９の下面と傾斜側面２１２０との隙間空間に寄せられた液が、傾斜側面２１２０を伝って下方に落下しやすい。すなわち、当該隙間空間に液溜まりが形成されにくい。したがって、当該隙間空間に液溜まりが生じてそれが基板９の上面に回り込む、といった事態の発生を抑制できる。さらに、基板９の下面に供給された処理液が、傾斜側面２１２０を伝って下方に落ちるという処理液の流れ（すなわち、基板９の下面に供給された処理液を下方に導く処理液の流れ）、が形成されることになるので、基板９の下面に供給された処理液を、上面に回り込ませることなく、基板９から速やかに除去することができる。

特に、傾斜側面２１２０と水平面とがなす角度θが４５°以上となっていれば、第１当接部材２１０が基板９を保持する第１保持状態において、基板９の下面と傾斜側面２１２０との隙間空間に寄せられた液が、速やかに、傾斜側面２１２０を伝って下方に落下する。したがって、当該隙間空間に液溜まりが生じてそれが基板９の上面に回り込む、といった事態の発生を十分に抑制できるとともに、基板９の下面に供給された処理液を、上面に回り込ませることなく、基板９から特に速やかに除去することができる。また、傾斜側面２１２０と水平面とがなす角度θが４５°以上となっていれば、基板９と傾斜側面２１２０との間の接触面積が小さくなるので、毛細管現象により基板９の上面に処理液が回り込むといった事態の発生も、抑制される。

特に、第１当接部材２１０の表面が疎水性となっていれば、第１当接部材２１０に処理液が付着しづらく、基板９の下面と第１当接部材２１０との隙間空間に液溜まりが形成されにくい。したがって、当該隙間空間に液溜まりが生じてそれが基板の上面に回り込む、といった事態の発生を抑制できる。

また、上記の実施の形態においては、第２当接部材２２０が、基板９の周縁と近接離間する方向に移動されることによって、第１保持状態と第２保持状態と間の切り換えが行われる。この構成によると、第１保持状態と第２保持状態と間の切り換えを、簡易かつ速やかに行うことができる。

＜７．変形例＞
上記の実施の形態においては、基板９に対して、表面周縁処理および裏面処理がこの順番で行われていたが、例えば、表面周縁処理をスキップして、裏面処理が行われてもよい。この場合、基板９が回転開始されてからはじめに行われる処理での基板９の回転速度が、閾値Ｔよりも小さいことになるため、上述したとおり、ステップＳ１０１２の処理の後に、切換部２３０が、第２保持状態から第１保持状態への切り換えを行う。

また、上記の実施の形態においては、表面周縁処理（ステップＳ２）および裏面処理（ステップＳ４）の各々において、３種類の薬液（ＳＣ−１、ＳＣ−２、および、ＤＨＦ）を用いた薬液処理が、リンス処理等を挟みながら、順番に行われていたが、必ずしもこれら３種類の薬液を用いた薬液処理を行う必要はない。例えば、ＳＣ−１、ＳＣ−２、ＤＨＦ、ＢＤＨＦ（バッファードフッ酸）、ＨＦ（フッ酸）、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸もしくはアンモニアなどの水溶液、または、それらの混合溶液、等のうちから選択された１以上の薬液を用いて、表面周縁部９１１あるいは裏面９２に対する薬液処理が行われてもよい。

また、上記の実施の形態に係る基板処理装置１において、表面周縁部９１１および裏面９２の少なくとも一方に対して、エッチング処理、洗浄処理以外の処理（例えば、成膜処理）が行われてもよい。

また、上記の実施の形態において、基板９は、半導体ウェハであるとしたが、基板９は、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等であってもよい。

以上のとおり、本発明は詳細に示され記述されたが、上記の記述は全ての態様において例示であって限定的ではない。したがって、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

１００ 基板処理システム
１３０ 制御部
２００ 切換部
１ 基板処理装置
２ スピンチャック
２１ スピンベース
２５ 保持部
２１０ 第１当接部材
２１１ 基体部分
２１２ 先端部分
２１２０ 傾斜側面
２２０ 第２当接部材
２２２０ 傾斜面
２２３０ 鉛直側面
２３０ 切換部
２３１ 基台
２３２ 回動軸部
２３３ 駆動部
２３４ 切換制御部
３ 飛散防止部
３１ カップ
３２ カップ駆動機構
４ 表面保護部
４１ カバーガスノズル
４５ カバーガス供給部
５ 周縁処理部
５１ 周縁部用吐出ヘッド
５５ 周縁部用流体供給部
６ 液跳ね抑制部
６０ ガード部材
７ 加熱処理部
７１ スチームノズル
７２ スチーム供給部
８ 下面処理部
８１ 供給管
８２ 下面側吐出口
８３ 裏面用処理液供給部
９ 基板
９０ デバイス領域
９１ 基板の表面
９１１ 基板の表面周縁部
９２ 基板の裏面
９３ 基板の端面

Claims (8)

1. 回転軸を中心に水平面内で回転されるスピンベースと、
   前記スピンベースの上方に基板を保持する保持部と、
   前記保持部に保持される前記基板の下面に向けて、処理液を吐出する下面処理部と、
   を備え、
   前記保持部が、
   基板の斜め下から前記基板に当接して、前記基板を、前記スピンベースの上面から離間した位置に水平姿勢で保持する、複数の第１当接部材と、
   基板の側方から前記基板に当接して、前記基板を、前記スピンベースの上面から離間した位置に水平姿勢で保持する、複数の第２当接部材と、
   前記複数の第１当接部材が基板を保持する第１保持状態と、前記複数の第２当接部材が基板を保持する第２保持状態と、を切り換える切換部と、
   を備え、
   前記第２保持状態において、前記第１当接部材が基板から離間しており、
   前記第１保持状態において、基板の上面が前記第１当接部材の上端よりも高い位置にあり、かつ、前記第２当接部材が前記基板から離間している、
   基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   基板の回転速度が定められた閾値より小さい場合に、前記複数の第１当接部材が前記基板を保持し、
   基板の回転速度が前記閾値以上の場合に、前記複数の第２当接部材が前記基板を保持する、
   基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
   前記第１当接部材が、
   円錐体の上部を底面と平行に切り落とした形状部分、
   を備え、
   前記第１当接部材が、前記円錐体の傾斜した側面において、前記基板と当接する、
   基板処理装置。
4. 請求項３に記載の基板処理装置であって、
   前記円錐体の傾斜した側面が水平面となす角度が、４５°以上である、
   基板処理装置。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記第１当接部材の表面が、疎水性である、
   基板処理装置。
6. 請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記切換部が、前記複数の第２当接部材の各々を、前記スピンベース上の基板の周縁と近接離間する方向に移動させることによって、前記第１保持状態と前記第２保持状態と間の切り換えが行われる、
   基板処理装置。
7. 請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記基板処理装置に対する基板の搬出入を行う搬送ロボットから前記スピンベース上に移載された基板が、まずは、前記複数の第１当接部材に保持される、
   基板処理装置。
8. ａ）複数の第１当接部材を基板の斜め下から前記基板に当接させるとともに、複数の第２当接部材を前記基板から離間させて、前記基板を、スピンベースの上面から離間した位置に水平姿勢で保持する工程と、
   ｂ）前記複数の第１当接部材に保持される前記基板を、第１回転速度で回転しつつ、前記基板の下面に処理液を供給する工程と、
   ｃ）前記ｂ）工程の後、複数の第２当接部材を前記基板の側方から前記基板に当接させるとともに、前記複数の第１当接部材を前記基板から離間させて、前記基板を、前記スピンベースの上面から離間した位置に水平姿勢で保持する工程と、
   ｄ）前記複数の第２当接部材に保持される前記基板を、第１回転速度よりも大きな第２回転速度で回転させる工程と、
   を備え、
   前記複数の第１当接部材に保持される基板の上面が、前記第１当接部材の上端よりも高い位置にある、
   基板処理方法。

Images