KR100488753B1 - 기판처리방법 및 그 장치 - Google Patents

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KR100488753B1
KR100488753B1 KR10-2002-0041912A KR20020041912A KR100488753B1 KR 100488753 B1 KR100488753 B1 KR 100488753B1 KR 20020041912 A KR20020041912 A KR 20020041912A KR 100488753 B1 KR100488753 B1 KR 100488753B1
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야마모토사토시
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나가오타카시
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Abstract

처리액을 띠모양으로 토출하는 액체 토출구를 갖는 처리액 토출노즐을 주사(注射)하면서 기판상으로 처리액을 토출하는 처리방식에 있어서, 처리액이 무용하게 소비되는 것을 없앨 수 있는 기판처리장치를 제공한다. 제1의 발명은, 웨이퍼 호울더에 지지된 웨이퍼를 둘러싸도록 설치된 현상컵의 주변에, 현상액 토출노즐의 액체 토출구로부터 웨이퍼 면 밖에 토출된 현상액을 회수하기 위한 회수용기를 설치하고 있다. 제2의 발명은, 회수용기의 회수구가 현상액 토출노즐의 액체 토출구에 대향하도록, 현상액 토출노즐의 아래 쪽에 회수용기를 배치하여, 웨이퍼에 대한 현상액 토출노즐의 위치에 따라 회수용기를 액체 토출구의 긴쪽 방향으로 이동시키고 있다.

Description

기판처리방법 및 그 장치{Substrate treating method and apparatus}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 기판의 표면에 현상액, 레지스트액, 린스액 등의 처리액을 전체적으로 띠모양으로 공급하여 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판처리방법 및 그 장치에 관한 것이다.
예컨대, 반도체 장치의 제조공정에 있어서, 근래, 반도체 웨이퍼의 표면에 형성된 포토 레지스트막을 현상처리하는 방법의 하나로서 슬릿스캔 현상방식이 넓게 사용되고 있다. 이 현상방식은, 예컨대 일본국 특개평11-221511호 공보 등에 개시되어 있는 것과 같이, 하단면에 슬릿모양의 액체 토출구를 갖는 현상액 토출노즐을, 웨이퍼 호울더에 의해서 수평자세로 유지되고 정지한 상태의 웨이퍼의 일단에서 타단까지 수평방향으로 직선 이동시키면서, 현상액 토출노즐의 슬릿모양의 액체 토출구로부터 현상액을 웨이퍼 상으로 토출하여, 웨이퍼 상에 현상액을 쌓아 올리도록 하는 것이다. 이와 같이, 웨이퍼를 정지시킨 상태에서 현상액의 푸들(puddle)을 형성함으로써, 레지스트막 패턴의 선폭(line width)의 균일성을 대폭 향상시키는 것이 가능하게 되었다.
그런데, 현상액 토출노즐이 주사하는 평면영역은 직사각형 모양인데 대하여, 반도체 웨이퍼나 그 주위를 둘러싸는 현상컵의 외주는 원형이다. 이 때문에, 현상액 토출노즐의 슬릿 모양의 액체 토출구로부터 토출되는 현상액 중의 일부는, 웨이퍼 상에 쌓이지 않고, 현상액 토출노즐의 주사 시에 웨이퍼면 밖으로 떨어져 폐기됨으로써, 현상액이 무용하게 소비되는 문제점이 있었다.
본 발명은, 상기와 같은 사정에 따라 발명된 것이며, 슬릿모양의 액체 토출구 또는 복수의 소구멍이 병렬한 액체 토출구를 구비한 처리액 토출노즐을 주사하면서 액체 토출구로부터 기판 상에 처리액을 토출하는 처리방식에 있어서, 처리액의 무용한 소비를 없앨 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.
본 발명은, 상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 채용한다.
즉, 본 발명은, 기판상에 처리액을 공급하여 소정의 처리를 행하는 기판처리방법에 있어서, 상기 기판처리방법은,처리액 토출노즐로부터 수평자세의 기판을 향하여, 전체적으로 띠형상으로 처리액을 토출하는 처리액 토출과정과;상기 처리액 토출노즐을 기판에 대하여 상대적으로 수평방향으로 이동시키는 수평이동과정과;상기 처리액 토출노즐이 기판의 일단측으로부터 타단측을 향하여 상대적으로 수평이동하고 있는 동안에, 상기 기판을 둘러싸는 컵의 주변에 설치된 회수용기로써, 상기 처리액 토출노즐로부터 기판면 밖으로 토출된 미사용(未使用)의 처리액을 회수하는 미사용 처리액 회수과정과;상기 기판을 둘러싸는 컵으로써, 상기 처리액 토출노즐로부터 기판면상으로 공급되어 기판처리에 사용된 기사용(旣使用)의 처리액을 회수하는 기사용 처리액 회수과정;을 포함한다.
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본 발명에 의하면, 처리액 토출노즐을 기판에 대하여 상대적으로 수평방향으로 이동시키면서, 이 노즐로부터 기판 상에 전체적으로 띠모양으로 처리액을 토출할 때, 처리액 중의 일부가 기판면 밖으로 토출되면, 그 처리액은, 컵의 주변에 설치된 회수용기 내에 떨어져서 회수된다. 그 결과, 종래는 일부가 폐기되었던 미사용의 처리액을 회수하는 것이 가능하게 되기 때문에, 처리액의 무용한 소비를 없앨 수 있다.
또한, 본 발명은, 기판상에 처리액을 공급하여 기판에 소정의 처리를 행하는 기판처리장치에 있어서, 상기 기판처리장치는,기판을 수평자세로 지지하는 기판지지수단과;상기 기판지지수단에 지지된 기판을 둘러싸도록 설치된, 기사용의 처리액을 회수하는 컵과;하단부에 슬릿형상의 또는 복수의 작은 구멍이 병렬된 액체 토출구를 구비하며, 상기 액체 토출구로부터 기판상으로 처리액을 토출하는 처리액 토출노즐과;상기 처리액 토출노즐을 기판에 대하여 상대적으로 수평방향으로 이동시키는 수평이동수단과;상기 컵의 주변에 설치되며, 상기 처리액 토출노즐이 기판의 일단측으로부터 타단측을 향하여 상대적으로 수평이동하고 있는 동안에, 상기 처리액 토출노즐의 액체 토출구로부터 기판면의 밖으로 토출된 미사용의 처리액을 회수하기 위한 회수용기;를 포함한다.
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본 발명에 따르면 상기 기판처리방법을 최적으로 실시할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 회수용기는, 상기 처리액 토출노즐의 액체 토출구로부터 기판면 밖으로 토출된 처리액을 회수하는 회수위치와 후퇴위치 사이에서 이동 가능하게 지지되는 게 바람직하다. 이와 같이 구성하면, 처리액 토출노즐로부터 기판상으로 처리액을 토출하지 않을 때에는, 회수용기가 후퇴위치로 이동되기 때문에, 다른 조작에 방해가 되지 않는다.
본 발명에 있어서, 상기 회수용기는, 상기 컵과 대향하여 근접하는 면이, 컵의 외주형상을 따른 형상으로 되어 있는 것이 바람직하다. 이 구성에 의하면, 컵의 외주와 회수용기의 대향면과의 틈새가 작게 되기 때문에, 처리액 토출노즐의 액체 토출구로부터 기판면 밖으로 토출된 처리액을 보다 많이 회수용기 내로 회수하는 것이 가능하게 된다.
본 발명에 있어서, 상기 컵을 기판에 대하여 상대적으로 상하방향으로 이동시키는 상하 이동수단을 구비하고, 상기 회수용기가 상기 컵에 일체적으로 부착되어, 상기 회수용기가 상기 컵과 함께 기판에 대하여 상대적으로 상하방향으로 이동하도록 구성되는 게 바람직하다. 이 구성에 의하면, 처리액 토출노즐로부터 기판 상으로 처리액이 토출될 때에는, 컵은 기판에 대하여 상대적으로 아래쪽으로 이동되지만, 컵에 일체적으로 부착된 회수용기도 기판에 대하여 그 아래쪽에 위치하여, 처리액 토출노즐의 액체 토출구로부터 기판면 밖으로 토출된 처리액을 회수용기 내로 회수한다. 처리액 토출노즐로부터 기판 상으로 처리액이 토출되지 않을 때, 예컨대, 기판상에 현상액의 푸들을 형성한 때로부터 소정시간이 경과한 뒤에 기판 상으로 순수를 토출하여 기판을 회전시킬 때에는, 컵은 기판에 대하여 상대적으로 위쪽으로 이동되어지지만, 컵에 일체적으로 부착된 회수용기도 기판에 대하여 그 위쪽에 위치하는 것이 되기 때문에, 기판 상에서 비산한 순수(純水) 또는 현상액이 회수용기 내의 처리액(현상액)에 혼입하는 것이 방지된다.
본 발명에 있어서, 상기 회수용기는 회수용 배관을 통해 처리액 저장탱크에 접속되는 게 바람직하다. 이 구성에 의하면, 처리액 토출노즐의 액체 토출구로부터 기판면 밖으로 토출되어 회수용기 내로 떨어진 처리액은, 회수용 배관을 통해 처리액 저장탱크 내로 모이고 저장된다. 그 결과, 처리액 저장탱크 내에 회수·저장된 처리액을 재이용할 수가 있다.
더욱이, 상기 회수용 배관에 개폐밸브가 장착되는 게 바람직하다. 이와 같이 구성하면, 처리액 저장탱크 내에 저장된 처리액이 회수용 배관을 통하여 공기와 접촉하는 것을 방지할 수가 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 회수용기의 안쪽면을 세정하여 건조시키는 세정·건조수단을 구비하는 것이 바람직하다. 이와 같이 구성하면, 세정·건조수단에 의해서 적절히 회수용기의 안쪽면을 세정하고 건조시킴으로서, 현상액 등의 처리액이 회수용기의 안쪽면에 부착하여, 그 영향으로 회수되는 처리액의 농도가 변동하는 것을 방지할 수가 있다.
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 기판의 표면에 공급되는 현상액, 레지스트액, 린스액 등의 처리액의 회수에 적용 가능하지만, 특히, 소위 슬릿스캔 현상방식에서 현상액의 회수에 유리하게 사용될 수 있다.
더욱이, 본 발명은, 기판상에 처리액을 공급하여 소정의 처리를 행하는 기판처리방법에 있어서, 상기 기판처리방법은,처리액 토출노즐로부터 수평자세의 기판을 향하여, 전체적으로 띠형상으로 처리액을 토출하는 처리액 토출과정과;상기 처리액 토출노즐을 기판에 대하여 상대적으로 수평방향으로 이동시키는 수평이동과정과;상기 처리액 토출노즐로부터 토출된 처리액을 받아들이기 위한 회수구를 구비하며, 상기 회수구가 상기 처리액 토출노즐의 액체 토출구에 대향하도록, 상기 처리액 토출노즐의 하측에 배치된 회수용기를 사용하여, 상기 처리액 토출노즐이 기판의 일단측으로부터 타단측을 향하여 상대적으로 수평이동하고 있는 동안에, 상기 처리액 토출노즐로부터 기판면의 밖으로 토출된 미사용의 처리액을 상기 회수구로 받아들여 회수하는 미사용 처리액 회수과정과;상기 기판을 둘러싸는 컵으로써, 상기 처리액 토출노즐로부터 기판면상으로 공급되어 기판처리에 사용된 기사용의 처리액을 회수하는 기사용 처리액 회수과정;을 포함한다.
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본 발명은, 다음과 같은 기술적 과제들도 해결하고 있다.
예컨대, 전술한 처리액의 무용한 소비를 억제하기 위해서 다음과 같은 수법을 채용하면 문제점이 생긴다. 즉, 처리액 토출노즐의 슬릿 모양의 액체 토출구의 토출폭(액체 토출구의 슬릿방향의 길이)을 기판(예컨대, 반도체 웨이퍼)의 지름에 따라 변화시키면서, 요컨대 처리액 토출노즐의 액체 토출구의 토출 면적을 변화시키면서, 기판상에 처리액을 토출함으로써, 처리액 토출노즐의 주사 시에 기판면 밖으로의 처리액의 적하(滴下)를 줄이는 것도 생각해 볼 수 있다. 그렇지만, 이와 같은 수법에 의하면, 처리액 토출노즐로부터 기판에 토출되는 처리액의 유량이 변화하는 현상이 발생하고, 처리액 토출노즐을 기판에 대하여 주사하는 1주사 내에서, 처리액 토출노즐로부터 기판에 토출되는 처리액의 유량이 변화하고, 그 유량변화에 기인하여 처리얼룩(예컨대 현상얼룩)이 발생하여, 처리정밀도(예컨대 현상정밀도)가 나쁘게 되는 문제를 야기한다.
이에 대하여, 본 발명에 의하면, 처리액 토출노즐의 액체 토출구의 토출면적은 변화하지 않기 때문에, 토출 면적변화에 기인하는 처리액의 유량변화가 방지되어, 처리액 토출노즐로부터 기판에 토출되는 처리액의 유량을 일정하게 할 수 있다. 그 결과, 기판에 토출되는 처리액의 유량변화에 기인하는 기판의 처리얼룩을 방지할 수 있다. 더욱이, 처리액 토출노즐로부터 기판 밖으로 토출된 처리액이 이 처리액 토출노즐의 액체 토출구의 아래쪽에 대향 배치된 회수용기의 회수구로 회수되기 때문에, 처리액은 액체 토출구로부터 토출되어 회수구에 도달하는 사이에만 공기에 대하여 노출되므로, 처리액의 공기에 대한 노출이 감소된다. 그 결과, 처리액이 공기에 노출되는 것에 기인하는 처리액의 특성변화를 감소시킬 수가 있어, 처리액을 양호한 상태로 재사용할 수가 있다.
본 발명에 있어서, 상기 처리액 회수과정은, 상기 회수용기가 기판의 둘레 테두리에 대하여 틈새를 유지하면서 이 기판의 둘레 테두리를 따르도록, 상기 회수용기를 상기 액체 토출구의 긴쪽 방향으로 이동시키는 게 바람직하다. 이 구성에 의하면, 회수용기는, 기판의 둘레 테두리에 대하여 틈새를 유지한 채 이 기판의 둘레 테두리를 따르도록 액체 토출구의 긴쪽 방향으로 이동되기 때문에, 기판면 상으로 토출되어 기판처리에 제공된 처리액이 회수용기의 회수구에 유입하는 것을 방지할 수 있고, 회수구에는 기판면 밖으로 토출되어 기판처리에 사용되지 않은 미사용의 처리액만이 회수된다. 그 결과, 회수되는 처리액의 질을 한층 높일 수 있다.
본 발명은, 상기의 본 발명 방법을 최적으로 실시할 수 있는 다음의 기판처리장치도 포함한다.
즉, 본 발명은, 기판상에 처리액을 공급하여 기판에 소정의 처리를 행하는 기판처리장치에 있어서, 상기 기판처리장치는,기판을 수평자세로 지지하는 기판지지수단과;상기 기판지지수단에 지지된 기판을 둘러싸도록 설치된, 기사용의 처리액을 회수하는 컵과;하단부에 슬릿형상의 또는 복수의 작은 구멍이 병렬된 액체 토출구를 갖고, 상기 액체 토출구로부터 기판상으로 처리액을 토출하는 처리액 토출노즐과;상기 처리액 토출노즐을 기판에 대하여 상대적으로 수평방향으로 이동시키는 수평이동수단과;상기 처리액 토출노즐로부터 토출된 처리액을 받아들이기 위한 회수구를 구비하며, 상기 회수구가 상기 처리액 토출노즐의 액체 토출구에 대향하도록, 상기 처리액 토출노즐의 하측에 배치된 회수용기;를 포함한다.상기 회수용기는, 상기 처리액 토출노즐이 기판의 일단측으로부터 타단측을 향하여 상대적으로 수평이동하고 있는 동안에, 상기 처리액 토출노즐로부터 기판면의 밖으로 토출된 미사용의 처리액을 상기 회수구로 받아들여 회수한다.
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또한, 본 발명에 있어서, 기판에 대한 상기 처리액 토출노즐의 위치를 검출하는 노즐위치 검출수단과, 상기 노즐위치 검출수단으로 검출한 상기 처리액 토출노즐의 위치에 따라서, 상기 회수용기를 상기 액체 토출구의 긴쪽 방향으로 이동시키는 회수용기 이동수단을 더 구비하는 것이 바람직하며, 상기 회수용기는, 상기 회수용기 이동수단에 의해서, 기판의 둘레 테두리에 대하여 틈새를 유지하면서 이 기판의 둘레 테두리를 따르도록 상기 액체 토출구의 긴쪽 방향으로 이동된다.
본 발명에 있어서, 상기 회수용기는, 상기 액체 토출구의 긴쪽 방향으로 2개가 나란히 설치되는 것이 바람직한데, 한쪽의 상기 회수용기는, 상기 액체 토출구의 긴쪽방향의 길이를 2분할함으로써 형성되는 제1, 제2 범위 중 제1 범위를 이동하고, 다른 쪽의 상기 회수용기는, 상기 제2 범위를 이동한다.
이 구성에 의하면, 2개의 회수용기가 기판의 둘레 테두리를 따르도록 액체 토출구의 긴쪽 방향으로 각각 이동하기 때문에, 처리액 토출노즐의 양단부에서 기판 밖으로 토출되는 미사용된 처리액을 2개의 회수용기로 각각 회수할 수가 있다.
본 발명에 있어서, 상기 회수구는, 그 종단면이 깔때기 모양으로 형성되는 것이 바람직하다. 이 구성에 의하면, 처리액 토출노즐로부터 토출되는 처리액을 회수구 내에 적절하게 부어넣을 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 수평이동수단은, 상기 처리액 토출노즐을 수평이동시키며, 또한, 상기 회수용기는, 상기 처리액 토출노즐과 동기하여 수평이동하는 게 바람직하다.
이 구성에 의하면, 수평이동하는 처리액 토출노즐로부터 토출된 처리액은, 처리액 토출노즐과 동기하여 수평이동하는 회수용기에 의해서 적절하게 회수된다.
이 경우, 상기 회수용기는, 상기 처리액 토출노즐에 연결되어 있는 것이 바람직하다. 이 구성에 의하면, 회수용기를 이동시키기 위한 전용의 이동수단을 특별히 마련하지 않고, 회수용기를 처리액 토출노즐에 추종하여 이동시킬 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 회수구로 회수된 처리액을 상기 처리액 토출노즐에 공급하여 상기 처리액 토출노즐로부터 토출시키기 위한 순환 수단을 더 구비하는 게 바람직하다. 상기 순환 수단은, 예컨대, 상기 처리액 토출노즐에 접속되고, 상기 처리액 토출노즐에 공급되는 처리액을 저장하는 처리액 저장수단과, 상기 회수용기에 연결되어, 상기 회수용기로 회수된 처리액을 상기 처리액 저장수단에 공급하는 공급수단으로 구성된다. 이와 같은 구성에 의하면, 기판면 밖으로 토출된 미사용의 처리액이 회수용기의 회수구로 회수되어 처리액 토출노즐로부터 토출되기 때문에, 미사용의 처리액을 재사용할 수가 있다.
이하, 본 발명의 적당한 실시예를 도면에 따라서 상세히 설명한다.
(제1 실시예)
도 1 및 도 2는, 본 발명의 제1 실시예를 도시한다. 도 1은, 기판처리장치의 일종인 현상 처리장치의 개략 구성을 나타내는 평면도이고, 도 2는, 도 1의 선 II-II 방향에서 본 단면도이다.
이 현상 처리장치는, 기판, 예컨대 반도체 웨이퍼 (W)를 수평자세로 흡착유지하는 웨이퍼 호울더(10), 상단부에 웨이퍼 호울더(10)가 고착되어 수직으로 지지된 회전지지축(12) 및 회전지지축(12)에 회전축이 연결되어 웨이퍼 호울더(10)와 회전지지축(12)을 연직축 주위로 회전시키는 회전모터(14)를 구비하고 있다. 웨이퍼 호울더(10)의 주위에는, 웨이퍼 호울더(10) 상의 웨이퍼 (W)를 둘러싸도록 원형의 현상컵(16)이 설치되어 있고, 현상컵(16)은 상하 방향으로 왕복이동이 자유롭게 유지되어 있다.
현상컵(16)의 한쪽 측부에는, 가이드 레일(18)이 설치되어 있다. 가이드 레일(18)에는, 아암 구동부(20)가 미끄럼 운동이 가능하게 장착되어 있고, 아암 구동부(20)에 노즐 아암(22)이 지지되어 있다. 노즐 아암(22)에는, 현상액 토출노즐(24)이 수평자세로 부착되어 있고, 현상액 토출노즐(24)은 가이드 레일(18)과 직교하는 방향으로 배치되어 있다. 현상액 토출노즐(24)은 그 하단면에 긴쪽 방향으로 연장되는 슬릿 모양의 액체 토출구(26)를 가지며, 도시하지 않은 현상액 공급관을 통해서 현상액 공급원에 접속되어 있다. 그리고, 아암 구동부(20)에 의해, 노즐아암(22)을 가이드레일(18)을 따라 수평방향으로 직선적으로 이동시켜, 현상액 토출노즐(24)을 화살표 A 방향으로 주사하면서, 현상액 토출노즐(24)의 슬릿 모양의 액체 토출구(26)로부터 웨이퍼(W) 상으로 현상액을 토출할 수 있게 되어 있다. 웨이퍼(W) 상에의 푸들(puddle) 형성이 끝나면 , 현상액 토출노즐(24)은, 화살표 A방향과 역방향으로 이동되어 원래의 위치로 되돌려진다.
또한, 현상컵(16)의 다른 쪽의 측부에는, 푸들이 끝나고 나서 소정시간이 경과한 뒤에 현상반응을 정지시키기 위해서 웨이퍼(W) 상으로 순수(린스액)를 토출하는 순수 토출노즐(28)이 설치되어 있다. 순수 토출노즐(28)은, 도시하지 않은 순수 공급관을 통해서 순수 공급원에 접속되어 있다. 이 순수 토출노즐(28)은, 화살표 B 방향으로 수평면 내에서 회전가능하게 지지되어 있다.
이 장치에는, 현상컵(16)의 주변에, 현상액 토출노즐(24)의 슬릿 모양의 액체토출구(26)로부터 웨이퍼(W) 면 밖으로 토출된 현상액을 회수하기 위한 회수용기(30)가 설치되어 있다. 도시한 예에서는, 현상액 토출노즐(24)의 이동방향으로 현상컵(16)의 전후에 한쌍의 회수용기(30)가 마련되어 있다. 또, 회수용기(30)는 현상컵(16)의 앞쪽 또는 뒤쪽의 어느 한쪽에만 마련하더라도 좋다.
회수용기(30)는, 현상액 토출노즐(24)의 이동방향과 직교하는 방향에서의 폭치수가 현상액 토출노즐(24)의 이동 방향으로의 치수와 동일하거나 조금 큰 직사각형의 형상을 가지며, 현상컵(16)과 대향하여 근접하는 면이 현상컵(16)의 외주 형상에 따라 원호 모양으로 형성되어 있고, 회수용기(30)와 현상컵(16) 사이에 거의 빈틈이 없도록 되어 있다. 물론, 회수용기(30)의 형상은, 도시한 예의 것에 한정되지 않는다. 예컨대, 도 3에 도시한 바와 같이, 회수용기(30)는 현상컵(17)과 대향하는 쪽의 상부를 현상컵(17)의 상단 테두리의 위쪽으로 돌출시켜서 와이퍼(W)의 둘레 테두리 부근까지 연장하는 형상으로 하여도 좋다.
회수용기(30)에는, 현상액 유출구(32)가 형성되어 있고, 현상액 유출구(32)에 회수용 배관(34)이 접속되어 있다. 회수용 배관(34)은, 현상액 저장탱크(36)에 유체가 소통되도록 접속되어 있다. 회수용 배관(34)에는, 회수용기(30) 쪽 및 현상액 저장탱크(36) 쪽에 각각 개폐밸브(38,40)가 장착되어 있다. 현상액 저장탱크(36)는 밀폐구조를 가지며, 내부에 회수된 현상액(42)이 저장된다. 또한, 현상액 저장탱크(36)에는, 개폐밸브(46)가 장착된 취출용 배관(44)이 삽입되어 있다.
회수용기(30)는, 현상액 토출노즐(24)의 슬릿 모양의 액체 토출구(26)로부터 웨이퍼(W) 면 밖으로 토출된 현상액을 회수하는 회수위치(도 1 및 도 2에 나타낸 위치)와 후퇴위치 사이를 이동가능하게 지지되어 있다. 후퇴위치는, 회수위치와 동일한 수평 평면 내에 설정하여, 도 1에서 화살표 C로 도시한 바와 같이 회수용기(30)를 수평면 내에서 왕복 이동시키도록 하여도 좋고, 후퇴위치를 회수위치의 아래 쪽으로 설정하여, 도 2에서 화살표 D로 도시한 바와 같이 회수용기(30)를 회수위치와 후퇴위치 사이에서 승강시키도록 하여도 좋다. 또, 조작에 특히 지장이 없으면,도 1 및 도 2에 나타낸 위치에 회수용기(30)를 고정하여도 된다.
또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 회수용기(30)에, 그 안쪽면을 세정하고 건조시키는 세정·건조장치(31)를 설치하면 좋다. 그리고, 세정·건조장치(31)에 의해, 적절하게 회수용기(30)의 안쪽 면을 세정하여 건조시키도록 한다. 이와 같이 하면, 현상액이 회수용기(30)의 안쪽 면에 부착하여, 그 영향으로 회수되는 현상액의 농도가 변동하는 것을 방지할 수가 있다. 이 경우, 세정에 쓰인 세정액의 폐액은, 도시하지 않은 배액용 배관을 통해 현상액과는 별도로 배출된다.
또, 회수용기의 평면형상은, 도 1에 나타낸 것에 한하지 않는다. 예컨대, 도 4에 도시한 바와 같이, 도 1에 나타낸 전후 한쌍의 회수용기(30)를 각각, 현상액 토출노즐(24)의 이동방향과 직교하는 폭방향에서 2분할하여, 4개의 회수용기(48)를 마련하여도 좋고, 더 세분할된 회수용기로 하여도 좋다. 이와 같은 구성으로 한 경우는, 회수용기(48)를 회수위치로부터 후퇴위치로 이동시킬 때에 큰 공간을 필요로 하지 않고, 회수용기(48)를 용이하게 후퇴시킬 수 있다. 도 4 중의 부호 50은, 현상액 유출구를 나타낸다. 또한, 회수용기를 고정하더라도 지장이 있지 않은 경우에 있어서, 도 5에 도시한 바와 같이, 현상컵(16)에 일체화된 회수용기(52)로 하여도 좋다. 이와 같은 구성으로 하면, 현상액 토출노즐(24)로부터 웨이퍼(W) 면 밖으로 토출된 미사용된 현상액을 보다 많이 회수용기(52) 내로 회수하는 것이 가능해진다. 도 4 및 도 5 중의 부호 50, 54는, 현상액 유출구를 나타낸다.
다음, 상기한 바와 같은 구성을 구비한 현상처리장치에 의한 처리동작의 일예에 관해서 설명한다.
표면에 노광 후의 포토 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)가 장치 내에 반입되어, 웨이퍼 호울더(10)에 웨이퍼(W)가 지지되면, 회수용기(30)를 회수 위치로 이동시킨다. 계속하여, 현상액 공급원에서 현상액 공급관을 통해서 현상액 토출노즐(24) 내로 현상액을 공급하고, 슬릿 모양의 액체 토출구(26)로부터 웨이퍼 (W) 상으로 현상액을 토출시키면서(처리액 토출과정), 아암 구동부(20)에 의해서 현상액 토출노즐(24)을 화살표 A의 방향으로 주사한다(수평이동과정). 이에 따라서 웨이퍼(W) 상에 현상액이 공급되어 푸들이 형성된다. 이 때, 현상액 토출노즐(24)의 슬릿 모양의 액체토출구(26)로부터 웨이퍼(W)면 밖으로 토출된 현상액은, 회수용기(30) 내에 적하한다(처리액 회수과정). 회수용기(30) 내에 적하한 현상액은, 회수용 배관(34)을 통해 현상액 저장탱크(36) 내에 모이고 저장된다. 현상액 저장탱크(36) 내에 저장된 현상액(42)은 농도가 체크되며, 필요한 경우 농도가 조정되어 재이용된다.
웨이퍼(W) 상에 푸들의 형성이 끝나면, 아암 구동부(20)에 의해 현상액 토출노즐(24)을 화살표 A 방향의 역방향으로 이동시켜 원래의 위치에 되돌리고 나서, 회수용기(30)를 회수위치로부터 후퇴위치로 이동시키고, 회수용 배관(34)에 장착된 개폐밸브(38,40)를 닫는다. 회수용 배관(30)에 장착된 개폐밸브(38,40)를 닫아둠으로써, 현상액 저장탱크(36) 내에 저장된 현상액(42)이 회수용 배관(30)을 통하여 공기와 접촉하는 것을 방지할 수가 있다.
다음, 현상컵(16)을 상승시키고, 웨이퍼(W) 상에 푸들을 형성하고 나서 소정의 시간이 경과하면, 순수 토출노즐(28)을 작동시키어, 순수 토출노즐(28)로부터 순수를 웨이퍼(W) 상으로 토출시키는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 상의 포토 레지스트막의 현상 반응을 정지시킨다. 계속하여, 회전모터(14)를 작동시키어, 웨이퍼 호울더(10)에 지지된 웨이퍼(W)를 수평면 내에서 연직축 주위로 회전시키는 것에 의해, 웨이퍼(W)를 건조시킨다. 웨이퍼(W)의 건조처리가 종료되면, 회전모터(14)를 정지시키고, 웨이퍼(W)를 장치 내에서 반출한다.
다음, 도 6 및 도 7은, 도 5에 도시한 바와 같이 현상컵에 일체적으로 부착된 회수용기를 구비한 현상처리장치에 의한 처리동작에 관해서 설명하기 위한 도면이다. 이 장치의 현상컵(56)은, 개구를 형성하는 상부에 비하여 원통형의 하부의 지름이 크다. 이것은, 도 7에 도시한 바와 같이 현상컵(56)을 상승시킨 상태로 웨이퍼(W) 상으로 순수를 토출시킨 후에 웨이퍼(W)를 회전시키어 건조시킬 때, 웨이퍼(W) 상에서 비산한 순수 또는 현상액이 현상컵(56)의 내주 벽면에서 튀어 오르는 것을 적게 하기 위해서이다. 이 현상컵(56) 상부의 소(小)지름부의 외주벽면에, 현상액 토출노즐(24)로부터 웨이퍼(W)면 밖으로 토출된 미사용의 현상액을 회수하기 위한 회수용기(58)가 고정되어 있다. 도면 중의 부호 60, 62는, 각각 현상액 토출노즐(24)의 대기 위치를 나타낸다.
이와 같은 구성의 장치에 있어서, 현상액 토출노즐(24)에 의해서 웨이퍼(W) 상에 현상액의 푸들을 형성할 때는, 도 6에 도시한 바와 같이, 현상컵(56) 및 회수용기(58)는 웨이퍼(W)보다 조금 아래쪽의 위치에 정지되어진다. 이 상태에서, 현상액 토출노즐(24)의 슬릿 모양의 액체 토출구로부터 웨이퍼(W) 상으로 현상액을 토출시키면서 현상액 토출노즐(24)을 화살표 방향으로 이동시킨다. 이것에 의해, 웨이퍼(W) 상에 현상액이 공급되어 푸들이 형성되고, 현상액 토출노즐(24)의 슬릿 모양의 액체 토출구로부터 웨이퍼(W)면 밖으로 토출된 현상액이 회수용기(58) 내로 회수된다.
웨이퍼(W) 상으로의 현상액의 공급이 끝나면, 도 7에 도시한 바와 같이, 현상액 토출노즐(24)이 대기위치(60)로 이동하고, 도시하지 않은 상하 이동기구에 의해서 현상컵(56)이 상승되며, 현상컵(56)과 일체의 회수용기(58)도 상승하여, 웨이퍼(W)보다 위쪽의 위치에 정지한다. 그리고, 웨이퍼(W) 상에 푸들이 형성된 때로부터 소정시간이 경과하면, 순수 토출노즐(도 6 및 도 7에는 미도시)로부터 순수가 웨이퍼(W) 상으로 토출되어, 웨이퍼(W) 상의 포토 레지스트막의 현상 반응이 정지되고, 계속하여, 웨이퍼 호울더(10)에 유지된 웨이퍼(W)가 회전되면서 건조된다. 이 때, 회수용기(58)의 상면 개구는, 웨이퍼(W)보다 위쪽에 위치하고 있기 때문에, 웨이퍼(W) 상에서 순수 또는 현상액이 비산하더라도, 그 분무가 회수용기(58) 내의 현상액에 혼입될 염려가 없다. 웨이퍼(W)의 건조처리가 종료하면, 현상컵(56) 및 회수용기(58)가 원래의 아래쪽 위치로 이동되고, 그 후에 웨이퍼(W)가 장치로부터 반출된다.
또, 상기한 실시예에서는, 하단면에 슬릿 모양의 액체 토출구(26)를 갖는 현상액 토출노즐(24)을 구비한 현상처리장치에 관해서 설명하였지만, 복수의 작은 구멍을 긴쪽 방향으로 병렬시킨 다공 모양의 액체 토출구를 하단부에 갖는 현상액 토출노즐을 구비한 장치에 대해서도, 본 발명은 상기와 같이 적용될 수 있다. 또한, 상기 실시예에서는, 현상처리장치에 관해서 설명하였지만, 본 발명은, 그 이외의 기판처리장치에 대해서도 적용하는 것이 가능하다.
(제2 실시예)
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 관한 기판처리장치의 개략 구성을 나타내는 평면도이고, 도 9는 그 측면도이다.
또, 이 실시예에서는, 기판으로서의 예컨대 반도체 웨이퍼(이하, 단지「웨이퍼」라 칭함)에 처리액인 현상액을 토출하는 처리액 토출노즐을 구비한 기판 현상장치를 예로 들어 설명한다. 또한, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니고, 웨이퍼의 처리면에 적절한 처리액(예컨대, 레지스트액, 린스액 등)을 토출하여, 웨이퍼에 처리를 하는 여러 가지의 기판처리장치 및 그 장치에 사용되는 처리액 토출노즐에 넓게 적용될 수 있다.
도 9에 도시한 바와 같이, 이 기판현상장치는, 웨이퍼(W)를 수평자세로 유지하는 웨이퍼 호울더(101)를 구비하고 있다. 웨이퍼 호울더(101)는, 회전축(103)을 통해 전동모터(105)에 연동되게 연결하여 구성됨과 동시에, 도시하지 않은 진공라인에 연결되어 있어, 웨이퍼(W)를 진공흡착하여 지지한다. 이 웨이퍼 호울더(101)는, 전동모터(105)의 회전구동에 의해서, 웨이퍼(W)를 지지하면서 회전중심 P1 주위로 회전한다. 또, 전술한 웨이퍼 호울더(101)가 본 발명에 있어서의 기판지지수단에 상당한다.
웨이퍼 호울더(101)의 주위에는, 웨이퍼 호울더(101)에 지지된 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸도록, 내측컵(102)이 마련되어 있다. 이 내측컵(102)은, 도시하지 않은 승강기구에 의해서 승강이 가능하게 구성되어 있고, 웨이퍼(W)가 회전구동될 때에 상승하여, 웨이퍼(W) 상에 푸들을 형성하는 현상액이 주위에 비산하는 것을 방지한다. 이 때, 내측컵(102) 내에 흩날린 현상액은, 내측컵(102)에 마련된 미도시의 폐액 회수구조에 의해서 회수된다. 웨이퍼 W의 회전구동이 종료되면, 웨이퍼 호울더(101)로부터 웨이퍼(W)의 반출을 허용하도록, 내측컵(102)은 하강한다. 내측컵(102)의 주위에는, 거의 정사각형의 외측컵(104)이 마련되어 있다.
도 8에 도시한 바와 같이, 외측컵(104)의 양측에는, 후술하는 처리액 토출노즐(107)이 대기하기 위한 대기포트(106a,106b)가 각각 마련되어 있다. 또한, 이 외측컵(104)의 옆쪽에는, 가이드레일(110)이 마련되어 있다. 이 가이드레일(110)을 따라 미끄럼이 운동이 가능하도록 설치된 노즐 구동기구(109)는, 처리액 토출노즐(107)을 캔티레버(cantilever) 방식으로 지지하는 지지아암(108)을 승강 가능하게 지지하고 있다. 노즐 구동기구(109)의 미끄럼 이동에 의해서, 후술하는 처리액 토출노즐(107)을 X 방향으로 전후 이동시킬 수 있다. 전술한 노즐 구동기구(109)와 가이드 레일(110)이 본 발명의 수평이동수단을 구성한다.
도 9에 도시한 바와 같이, 지지아암(108)의 내부에 일체로 구성된 송액관(108a)은, 지지아암(108)에 캔티레버(cantilever) 방식으로 지지된 처리액 토출노즐(107)과 소통되게 접촉되어 있다. 또한, 이 송액관(108a)은 지지아암(108)의 기단부(基端部)에서, 현상액 탱크(111)에 연결되어 있는 현상액 공급라인(111a)과 소통되게 접속되어 있다. 현상액 공급라인(111a)의 도중에는, 제어부(112)의 지시에 의해서, 현상액 공급라인(111a)의 개폐를 하는 개폐밸브(113)가 마련되어 있다. 현상액 공급라인(111a)이 연결되어 있는 현상액 탱크(111)에는, 그 내부에 저장된 현상액 Q를 가압하는 질소 가압라인(111b)이 접속되어 있다. 또, 전술한 현상액 탱크(111)가 본 발명에 있어서의 처리액 저장탱크에 상당한다.
또한, 전술의 기판현상장치는, 도 9에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)에 대한 노즐(107)의 위치를 검출하기 위한 노즐위치 검출부(114)를 구비하고 있다. 웨이퍼(W)를 지지하는 웨이퍼호울더(101), 노즐(107)을 지지하는 노즐구동기구(109) 및 대기포트(106a,106b) 등의 위치 관계는 이미 알고 있고, 노즐구동기구(109)를 가이드레일(110)을 따라 미끄럼 이동시킨 거리에 관해서도, 노즐구동기구(109)를 미끄럼 이동시키기 위한 모터(도시 생략)의 회전구동을 인코더(도시 생략) 등으로 검출하여 산출할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)에 대한 노즐(107)의 위치를 검출될 수 있다. 또한, 노즐 위치검출부(114)에 위치검출 센서나 광학센서 등을 채용하여, 웨이퍼(W)에 대한 노즐(107)의 위치를 검출하여도 좋다. 노즐 위치검출부(114)에 의해 검출된 웨이퍼 W에 대한 노즐(107)의 위치는 제어부(112)에 출력된다. 또, 전술한 노즐위치 검출부(114)가 본 발명에 있어서의 노즐위치 검출수단에 상당한다.
다음, 본 발명에 있어 하나의 특징적인 부분인 처리액 토출노즐(107)에 관해서, 도 10∼도 12를 사용하여 설명한다. 도 10은 처리액 토출노즐(107)의 개략 사시도이고, 도 11은 처리액 토출노즐(107)의 하면을 나타내는 도면이고, 도 12는 도 8에 나타낸 처리액 토출노즐(107)의 화살표 XII-XII 방향에서 본 단면도이다.
도 8과 도 11에 도시한 바와 같이, 이 처리액 토출노즐(이하, 단지「노즐」이라함)(107)은, 그 하면에 웨이퍼(W)를 향하여 현상액(Q)을 토출하는 액체 토출구(107a)를 구비하고 있다. 도 11에 도시한 바와 같이, 액체 토출구(107a)는, 복수 개(이 실시예에서는 7개)의 타원모양인 슬롯 형태의 토출구(107a1∼107a7)의 긴 지름이 일직선 모양으로 나란히 배치되어 구성된다. 각 타원모양의 슬롯은, 예컨대, 짧은 지름이「0.1∼1.0 mm」, 긴 지름이「42 mm」의 치수로 형성되어 있다.
도 12에 도시한 바와 같이, 노즐(107)의 내부에는, 송액관(108a)에서 송액된 현상액(Q)이 모이는 처리액 통(107b)과, 이 현상액(Q)을 액체 토출구(107a)에까지 안내하는 액체 안내로(107c)가 마련되어 있다.
이 노즐(107)에 의하면, 송액관(108a)에서 처리액 통(107b) 내에 아래 방향으로 공급된 현상액(Q)은, 처리액 통(107b)의 바닥면에서 그 흐름이 위방향으로 변경되고, 액체 안내로(107c)에 흘러들어와, 토출구(107a1∼107a7)에까지 안내되어, 토출구(107a1∼107a7)로부터 토출된다.
노즐(107)의 액체 토출구(107a)에서 웨이퍼(W)를 향하여 토출되는 현상액(Q)에 관해서, 도 13과 도 14를 사용하여 설명한다. 도 13은 처리액 토출노즐(107)로부터 현상액(Q)을 토출한 모양을 나타낸 도면이고, 도 14는 각 토출구로부터 현상액(Q)을 토출한 모양을 확대하여 나타낸 도면이다. 노즐(107)의 액체 토출구(107a)에서 웨이퍼(W)를 향하여 토출되는 현상액(Q)은, 도 13에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 향하여 전체적으로 띠모양으로 토출된다. 또, 각 토출구(107a1∼107a7)로부터 토출되는 현상액은, 도 14에 도시한 바와 같이 토출구(107an)에서 토출됨에 따라 테이퍼 형상으로 된다. 그러나, 그 테이퍼 형상은 각각의 토출구(107a1∼107a7)에서 발생하는 것이며, 웨이퍼(W)에서 보는 경우, 전술한 것과 같이 전체적으로 띠모양으로 균일하게 액체 토출구(107a)로부터 현상액(Q)이 토출된다.
도 10에 도시한 바와 같이, 이 노즐(107)의 하면의 근방에는, 노즐(107)로부터 웨이퍼(W)면 밖으로 토출되는 현상액(Q)을 받기 위한 회수부(115)가 Y 방향으로 2개 설치되어 있다. 이들 회수부(115)는, 후술하는 바와 같이 Y 방향으로 이동가능하게 되어 있다. 이 회수부(115)에 관해서 도 15와 도 16을 사용하여 설명한다. 도 15는 회수부(115)의 개략 평면도이고, 도 16는 그 측면도이다.
노즐(107)의 측면(107d)에는, Y 방향으로 위치시킨 이송나사(116)와, 이 이송나사(116)의 일단을 회전가능하게 지지하는 베어링(117)과, 이송나사(116)의 타단에 접속되고 이송나사(116)를 회전시키기 위한 모터(118)를 구비한 회수부 구동기구(119)가, Y 방향으로 2조가 설치되어 있다. 도 10에서 좌측에 위치하는 회수부(115)의 지지부(120)의 나사구멍(121)에는, 도 10에서 좌측에 위치하는 회수부 구동기구(119)의 이송나사(116)가 결합되어 있고, 도 10에서 우측에 위치하는 회수부(115)의 지지부(120)의 나사구멍(121)에는, 도 10의 우측에 위치하는 회수부 구동기구(119)의 이송나사(116)가 결합되어 있다. 모터(118)가 회전하면 이송나사(116)가 회전하고, 이 이송나사(116)의 회전에 의해 회수부(115)의 지지부(120)가 Y 방향으로 이동, 요컨대, 회수부(115)가 Y 방향으로 이동하는 것이 된다. 모터(118)의 회전방향을 정회전, 역회전시킴으로써 회수부(115)의 이동방향이 바뀐다.
제어부(112)는, 노즐위치 검출부(114)로 검출된 노즐(107)의 웨이퍼(W)에 대한 위치에 따라 모터(118)를 구동 제어하며, 회수부(115)가 웨이퍼(W)의 둘레 테두리에 대하여 틈새를 유지하면서 웨이퍼(W)의 둘레 테두리에 따르도록 이 회수부(115)를 액체 토출구(107a)의 긴쪽 방향(Y 방향)으로 이동시키고 있다. 여기서 말하는 「틈새」는, 웨이퍼(W)의 면 상에 토출되어 기판처리에 사용된 현상액(Q)이 회수부(115)의 회수구(122)에 유입하는 것을 방지함과 동시에, 회수구(122)에는 기판면 밖으로 토출되어 기판처리에 사용되지 않은 미사용의 처리액 만이 회수되도록 적당히 설정된 간격을 의미한다. 또, 전술한 제어부(112)와 회수부 구동기구(119)가 본 발명에 있어서의 회수용기 이동수단에 상당한다.
계속하여, 이 회수부(115)에 형성된, 노즐(107)로부터 현상액(Q)을 받기 위한 회수구(122)에 관해서 설명한다. 도 10과 도 12에 도시한 바와 같이, 회수부(115)의 윗면(115a)에는, 가늘고 긴 회수구(122), 예컨대 가늘고 긴 직사각형 모양의 회수구(122)가 그 긴쪽방향을 Y 방향으로 하여 형성되어 있다. 도 15에 도시한 바와 같이, 이 회수부(115)는, 그 윗면(115a)에 마련된 회수구(122)가 노즐(107)의 액체 토출구(107a)의 아래쪽 위치(이 실시예에서는 바로 아래)에 대향하게 위치하도록, 노즐(107)에 연결되어 있다. 구체적으로는, 회수구(122)의 짧은(X 방향길이)은, 예컨대, 노즐(107)의 액체 토출구(107a)의 짧은 지름보다도 조금 큰 치수(예컨대「1∼3 mm」)로 형성되어 있고, 회수구(122)의 긴 변(Y 방향길이)은, 예컨대, 노즐(107)의 액체 토출구(107a)의 Y 방향길이의 반인 치수(예컨대「150 mm」)로 형성되어 있다. 이 회수구(122)는, 도 12에 도시한 바와 같이, 그 종단면이 깔때기 모양으로 형성되어 있다. 깔때기 모양을 사용함으로써, 노즐(107)로부터 토출되는 현상액(Q)이 회수구(122) 내로 부드럽게 들어간다. 이 실시예에서는, 회수구(122)를 가늘고 긴 직사각형 모양으로 하고 있지만, 타원모양 등 여러가지의 형상으로 하여도 좋다.
또, 이 회수구(122)의 Z 방향의 높이는, 도 12에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 처리면보다 낮은 위치로 되어 있다. 노즐(107)의 액체 토출구(107a)에서 웨이퍼(W)면 밖으로 토출되는 현상액(Q)을, 웨이퍼(W)의 처리면보다 낮은 위치에 있는 회수부(115)의 회수구(122)로 회수함과 동시에, 회수구(122)에의 현상액(Q)의 유입속도와 회수구(122)에서의 현상액(Q)의 회수속도는 대략 같게 되어 있다. 요컨대, 현상액(Q)이 회수구(122) 내에 적절하게 회수되지 않고 넘치는 일이 없기 때문에, 노즐(107)의 아래면에 회수부(115)가 위치하는 것에 기인하여, 노즐(107)의 액체 토출구(107a)에서 토출되는 현상액(Q)의 유량이 변화하는 일은 없다.
또한, 회수구(122)의 짧은 변 및 긴 변의 길이는, 전술의 치수에 한정되는 것이 아니고, 노즐(107)의 액체 토출구(107a)에서 토출되는 현상액(Q)을 회수구(122)에서수용할 정도의 크기 이상으로 설정하면 좋다.
노즐(107)의 액체 토출구(107a)와 회수부(115)의 회수구(122)와의 거리는, 노즐(107)의 액체 토출구(107a)에서 토출되는 현상액 Q의 공기에 대한 노출을 적극 억제하는 점에서 될 수 있는 한 짧게 하는 것이 바람직하고, 다음 조건을 만족시키도록함으로써, 노즐(107)의 아래면과 회수부(115)의 윗면(115a)을 가능한 서로 접근시키거나 또는, 노즐(107)의 아래면과 회수부(115)의 윗면(115a)을 접촉, 노즐(107)의 액체 토출구(107a)와 회수부(115)의 회수구(122)를 동일 평면 내에 위치시킬 수 있다. 전술의 조건이란, 노즐(107)의 아래면에 회수부(115)가 위치함으로써, 노즐(107)의 액체 토출구(107a)에서 토출되는 현상액(Q)의 유량이 변화하지 않는 것을 말한다. 이 조건을 구비하는 수단으로서는, 도 18에 도시한 바와 같이, 회수부(115)의 양단 중에서 다른 회수부(115)에 인접하는 쪽의 회수부(115)의 단부를 Z 방향으로 웨이퍼(W)의 처리면의 높이보다도 낮아지도록 절취부(125)를 형성하는 것을 들 수 있다. 또, Y 방향에 설치된 2개의 회수부(115)를 접합시킨 상태로 하면, 회수부(115)의 윗면(115a)에는, 2개의 회수구(122)의 연결에 의해서 단일의 회수구가 형성된다. 이와 같이함으로써, 노즐(107)의 아래면에 회수부(115)가 접촉하도록 위치시켰다 해도, 노즐(107)의 액체 토출구(107a)에서 토출되는 현상액(Q)의 유량이 변화하는 일은 없다.
또, 전술한 회수부(115)가 본 발명에 있어서의 회수용기에 상당하며, 전술한 회수구(122)가 본 발명에 있어서의 회수구에 상당한다.
도 10과 도 12에 도시한 바와 같이, 회수부(115)의 하부에는 회수관(123)의 일단이 접속되어 있고, 도 9에 도시한 바와 같이, 이 회수관(123)의 타단은 현상액 탱크(111)에 접속되어 있다. 회수구(122)로부터 회수부(115)의 내부에 회수된 현상액(Q)는, 회수관(123)을 통해 현상액 탱크(111)에 공급된다. 도 9에 도시한 바와 같이, 이 회수관(123)의 도중에는, 현상액(Q)을 현상액 탱크(111)에 되돌아가는 일이 없게 공급하기 위한 현상액 재공급부(124)가 마련되어 있다. 현상액 재공급부(124)는, 제어부(112)의 지시에 의해서 동작하며, 회수관(123)으로부터의 현상액(Q)을 내부의 저장탱크(도시생략)에 저장하고, 이 저장탱크에 저장된 현상액 (Q)을 체크밸브를 통해 보내는 펌프 등을 구비하고 있고, 회수부(115)로 회수된 현상액(Q)를 현상액 탱크(111)에 역으로 되돌아가게 하는 일 없이 공급하도록 하고 있다.
또, 전술한 전동모터(105), 노즐 구동기구(109), 개폐밸브(113), 노즐 위치검출부(114), 회수부 구동기구(119), 그리고 현상액 재공급부(124) 등은, 제어부(112)에 접속되어 있다. 제어부(112)는, 노즐(107)의 이동량, 웨이퍼(W)의 회전수, 현상액(Q)의 토출 타이밍, 회수부(115)의 이동량, 회수한 현상액(Q)의 현상액 탱크(111)에의 공급 등을 통괄적으로 제어하고 있다.
또, 전술한 현상액 재공급부(124)가 본 발명에 있어서의 공급수단에 상당하며, 전술한 현상액 탱크(111)와 현상액 재공급부(124)가 본 발명에 있어서의 순환수단에 상당한다.
다음, 기판현상장치의 동작에 관해서, 도 8과 도 9, 도 17를 사용하여 설명한다. 도 17은, 노즐(107)로부터 웨이퍼(W)에 현상액(Q)을 토출할 때의 회수부(115)의 이동궤적을 나타내는 설명도이다.
도시하지 않은 기판반송기구에 의해서 반입되어 온 웨이퍼(W)가, 웨이퍼 호울더(101) 상에 놓여지면, 웨이퍼 호울더(101)는, 이 웨이퍼(W)를 흡착 지지한다. 이와 거의 동시에, 노즐 구동기구(109)는, 지지아암(108)을 상승시키어, 지지아암(108)에 지지된 노즐(107)을 대기 포트(106a)로부터 상승시킨다. 또한, 노즐구동기구(109)는, 가이드레일(110)을 따라 이동하여, 노즐(107)을 외측컵(104)내의 현상처리 개시위치에까지 이동시키면, 지지아암(108)을 하강시키어 노즐(107)을 처리 개시높이에까지 가지고 온다. 이 때, 2개의 회수부(115)는, 도 15와 도 16에 실선으로 도시한 바와 같이, 노즐(107)의 액체 토출구(107a)의 아래 쪽 위치에서 서로 근접한 상태로 되어 있다.
여기서, 제어부(112)는, 개폐밸브(113)를 열어, 현상액 탱크(111) 내의 현상액(Q)을 처리액 공급라인(111a) 및 송액관(108a)을 통해, 노즐(107)에 공급한다. 노즐(107)은, 현상액(Q)이 공급됨과 동시에, 액체 토출구(107a)에서 현상액(Q)을 토출한다. 액체 토출구(107a)에서 토출된 현상액(Q)은, 2개의 회수부(115)의 회수구(122)로 회수된다.
노즐(107)로부터 현상액(Q)의 토출이 시작되면, 다시 노즐 구동기구(109)는, 가이드레일(110)을 따라 X 방향으로 일정 속도로 이동한다. 이 이동과 동시에, 도 17에 도시한 바와 같이, 액체 토출구(107a)의 아래 쪽에 위치하는 2개의 회수부(115)는 웨이퍼(W)의 둘레 테두리에 대하여 틈새를 유지한 채 웨이퍼(W)의 둘레 테두리를 따르도록 액체 토출구(107a)의 긴쪽 방향(Y 방향)으로 이동하며, 그리고 노즐(107)은, 웨이퍼(W)면의 위쪽을 일정 속도로 X 방향으로 이동하면서, 웨이퍼(W)상에 현상액(Q)을 토출한다. 웨이퍼(W)의 면상에 토출된 현상액(Q)은, 표면 장력에 의해서 웨이퍼(W) 상에 유지(푸들 상태로)되고, 웨이퍼(W)의 면 밖으로 토출된 미사용의 현상액(Q)은, 노즐(107)의 아래 쪽에 위치하면서 웨이퍼 W의 둘레 테두리에 대하여 틈새를 유지한 채 웨이퍼(W)의 둘레 테두리를 따라 이동하는 회수부(115)의 회수구(122)로 회수된다. 또, 노즐(107)로부터 웨이퍼(W)로 향하여 토출되는 현상액(Q)은 전술한 바와 같이 전체적으로 띠모양으로 토출된다(도 13 및 도 14 참조).
노즐(107)이, 웨이퍼(W) 상을 통과하여, 웨이퍼(W)를 벗어난 위치에까지 오면 , 제어부(112)는 개폐밸브(113)를 닫아, 노즐(107)로부터의 현상액(Q)의 토출을 종료한다. 그리고, 노즐(107)이 외측컵(104) 내의 이동 정지위치에까지 오면, 노즐 구동기구(109)는 일단 정지하고, 노즐(107)을 상승시킨 후, 다른 쪽의 대기포트(106b)에까지 이동하여, 노즐(107)을 대기포트(106b) 내에 대기시킨다.
또, 노즐(107)의 액체 토출구(107a)로부터 수평자세의 기판(W)을 향하여, 전체적으로 띠모양으로 현상액(Q)을 토출하는 과정이 본 발명의 처리액 토출과정에 상당하며, 노즐(107)을 기판(W)상에서 이 기판(W)에 대하여 이동시키는 과정이 본 발명의 수평 이동과정에 상당하며, 가늘고 긴 회수구(122)를 구비한 회수부(115)를, 노즐(107)의 액체 토출구(107a)의 아래 쪽에서 이 액체 토출구(107a)에 대향시키어, 노즐(107)로부터 기판(W)의 면 밖으로 토출되는 현상액(Q)을 회수구(122)로 받는 과정이 본 발명의 처리액 회수과정에 상당한다.
웨이퍼 호울더(101)는, 웨이퍼(W) 상에 푸들을 형성하는 현상액(Q)을, 그 상태대로 일정시간 유지한다. 이 때, 웨이퍼(W) 상에서는 현상액(Q)에 의해서 현상처리가 행하여진다. 일정시간 경과 후, 현상액(Q)이 주위에 비산하는 것을 방지하기 위한 내측컵(102)이 상승한 후, 웨이퍼 호울더(101)는, 고속회전하여 웨이퍼(W) 상의 현상액(Q)을 흩뜨린다. 그 후, 린스 등의 현상 후처리가 행하여진 뒤, 내측컵(102)이 하강하여, 기판반송기구에 의해서 웨이퍼(W)가 반출되어, 일련의 현상처리가 종료한다.
전술한 바와 같이 본 실시예의 기판 현상장치에 의하면, 노즐(107)의 액체 토출구(107a)의 토출면적을 변화시키지 않기 때문에, 토출면적 변화에 기인하는 현상액(Q)의 유량 변화가 방지되고, 노즐(107)로부터 웨이퍼(W)에 토출되는 현상액(Q)의 유량을 일정하게 할 수 있어, 웨이퍼(W)에 토출되는 현상액(Q)의 유량 변화에 기인하는 웨이퍼(W)의 현상 얼룩을 방지할 수 있고, 노즐(107)의 토출 면적을 변화시키더라도 노즐(107)로부터 토출되는 현상액(Q)의 유량이 일정하도록 제어하기 위한 복잡한 구성의 유량제어기구를 불필요하게 한다. 게다가, 노즐(107)로부터 웨이퍼(W) 밖으로 토출된 현상액(Q)이 노즐(107)의 액체 토출구(107a)에 대향 배치된 회수부(115)의 가늘고 긴 회수구(122)로 회수되기 때문에, 현상액(Q)은 액체 토출구(107a)에서 토출되어 회수구(122)에 도달하는 동안만 공기에 대하여 노출되므로, 현상액(Q)의 공기에 대한 노출이 감소되어, 현상액(Q)이 공기에 노출되는 것에 기인한 그 특성 변화를 감소시킬 수가 있다.
회수부(115)는, 웨이퍼(W)의 둘레 테두리에 대하여 틈새를 유지하면서 이 웨이퍼(W)의 둘레 테두리를 따르도록 액체 토출구(107a)의 긴쪽 방향(Y 방향)으로 이동되기 때문에, 웨이퍼(W)의 면상에 토출된 현상액(Q), 즉, 기판처리에 사용된 현상액(Q)이 회수부(115)의 회수구(122)에 유입하는 것을 방지할 수 있고, 회수구(122)에는 미사용된 현상액(Q), 즉, 웨이퍼 W의 면밖으로 토출되어 기판처리에 사용되지 않은 현상액(Q)만이 회수되기 때문에, 회수되는 현상액(Q)의 질을 높일 수 있다.
또한, 2개의 회수부(115)가 웨이퍼(W)의 둘레 테두리에 대하여 틈새를 유지한 채 웨이퍼(W)의 둘레 테두리에 따르도록 액체 토출구(107a)의 긴쪽방향(Y 방향)으로 각각 이동하기 때문에, 노즐(107)의 양단에서 웨이퍼(W) 밖으로 토출된 미사용된 현상액(Q)을 2개의 회수부(115)로 각각 회수할 수가 있다.
또한, 회수구(122)는, 그 종단면이 깔때기 모양으로 형성되어 있기 때문에, 노즐(107)로부터 토출되는 현상액(Q)을 회수구(122) 내에 적절하게 부어넣을 수 있다.
또한, 회수부(115)는, 노즐(107)에 연결되어 있기 때문에, 노즐(107)을 기판 유지수단으로서의 웨이퍼 호울더(101)에 대하여 이동시키는 경우, 회수부(115)를 노즐(107)에 추종하도록 이동시키기 위한, 노즐 구동기구(109)와는 별도의 이동수단을 마련할 필요가 없다.
또한, 웨이퍼(W)의 면밖으로 토출된 미사용된 현상액(Q)이 회수부(115)의 회수구(122)로 회수되어 노즐(107)로부터 토출되기 때문에, 미사용된 현상액(Q)을 재사용할 수가 있어, 유효하게 활용할 수가 있다.
또한, 전술한 바와 같이 노즐(107)을 구비한 기판현상장치는, 웨이퍼(W)를 향하여 전체적으로 띠모양으로 현상액(Q)을 토출하기 때문에, 웨이퍼(W)의 처리면 전체에 항상 현상 성능의 저하가 없는 현상액(Q)을, 유속을 빠르게 하는 일없이 거의 균일하게 토출할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 처리면 전체에 균일한 현상처리를 할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W) 상에 현상액이 정숙하게 공급되기 때문에 레지스트막에 손상을 주는 일도 없다.
또, 본 발명은 아래와 같이 변형 실시하는 것도 가능하다.
(1) 전술한 실시예에서는, 웨이퍼(W)의 위치가 고정된 상태에서 노즐(107)이 이동하는 구성이지만, 반대로 웨이퍼(W)가 이동하는 구성이더라도 본 발명을 적용 가능하다.
(2) 전술한 실시예에서는, 웨이퍼(W)에 처리액(예컨대 현상액(Q))을 토출할 때에, 회수부(115)를 웨이퍼(W)의 둘레 테두리에 대하여 틈새를 유지하면서 이 웨이퍼(W)의 둘레 테두리를 따르도록 액체 토출구(107a)의 긴쪽방향(Y 방향)으로 이동시키고 있지만, 회수부(115)를 웨이퍼 호울더(101)나 웨이퍼(W) 등에 간섭하지 않도록 Y 방향으로 이동시키지 않고 위치를 고정한 상태로 이 회수부(115)의 일부를 웨이퍼(W)의 아래 쪽에 위치시켜도 좋다. 이 경우에는, 웨이퍼(W)의 면상에 토출된 현상액(Q), 즉, 기판처리에 사용된 현상액(Q)이 회수부(115)의 회수구(122)에 유입하지만, 노즐(107)의 액체 토출구(107a)의 토출면적을 변화시키지 않기 때문에, 토출면적 변화에 기인하는 현상액(Q)의 유량변화가 방지되고, 노즐(107)로부터 웨이퍼(W)에 토출되는 현상액(Q)의 유량을 일정하게 할 수 있어, 웨이퍼(W)에 토출되는 현상액(Q)의 유량변화에 기인하는 웨이퍼(W)의 현상얼룩을 방지할 수 있는 것에는 변함이 없다.
(3) 전술한 실시예에서는, 웨이퍼(W)의 면밖으로 토출되는 처리액(예컨대 현상액 (Q))을 2개의 회수부(115)로 회수하고 있지만, 단수개의 회수부(115)로 회수하도록 하여도 좋다. 이 경우에는, 웨이퍼(W)의 면밖으로 토출되는 처리액(예컨대 현상액(Q))의 회수효율이 저하되지만, 회수한 처리액을 재이용할 수 있다.
(4) 전술한 실시예에서는, 2개의 회수부(115)를 각각 개별로 독립하여 구동할 수 있도록 2개의 회수부 구동기구(119)를 구비하고 있지만, 단일의 회수부 구동기구로 2개의 회수부(115)를 구동하도록 하여도 좋다. 이 단일의 회수부 구동기구는, 예컨대, 노즐(107)의 측면(107d)에 Y 방향으로 위치시킨 가이드 레일과, 이 가이드 레일에 미끄럼 이동이 가능하게 설치된 2개의 슬라이더(slider)와, 이 2개의 슬라이더 사이에 배치되어 양단이 각각 슬라이더에 맞닿는 신축가능한 신축기구를 구비하고, 슬라이더 마다에 대응하는 회수부(115)가 접속된 것으로 하며, 신축기구를 신축시킴으로써 2개의 회수부(115)를 서로 떨어지도록 이동시키거나 서로 가까와지도록 이동시키기도록 연동시켜도 좋다.
(5) 전술한 실시예의 장치에서는, 회수부(115)로 회수된 처리액(예컨대 현상액(Q))을 현상액 탱크(111)에 공급하여 노즐(107)로부터 토출되도록 하고 있지만, 회수부(115)로 회수된 처리액(예컨대 현상액(Q))을 노즐(107)에 직접 공급하여도 좋다.
(6) 전술한 실시예의 장치에서는, 도 11에 도시한 바와 같이, 노즐(107)의 액체 토출구(107a)를, Y 방향으로 일렬 배치된 복수 개(예컨대 7개)의 타원 형상의 슬롯인 토출구(107a1∼107a7)로 형성하고 있지만, 도 19에 도시한 바와 같이, 노즐(107)의 액체 토출구(107a)를 Y 방향으로 긴 슬릿 형상의 단일의 슬롯인 토출구(170)로 형성하더라도 좋다. 이 단일의 슬롯은, 예컨대, 그 짧은 쪽 방향의 폭이「0. 1∼1.0 mm」, 그 긴 쪽 방향의 폭이「8 인치 또는 300 mm」의 치수로 형성되어 있다. 또한, 도 20에 도시한 바와 같이, 이 토출구(170)를 X 방향으로 복수 개(예컨대 2개) 형성시켜 노즐(107)의 액체 토출구(107a)를 형성시키더라도 좋다. 또한, 도 21에 도시한 바와 같이, 노즐(107)의 액체 토출구(107a)를 n개의 타원 형상의 슬롯인 토출구(171a1∼171an)의 긴 지름이 서로 평행하게 되도록 일렬로 배치하여 구성하여도 좋다. 노즐(107)의 액체 토출구(107a)에 어느 쪽의 토출구를 채용하였다고 해도, 그 액체 토출구(107a)의 크기에 따라 회수부(115)의 회수구(122)의 크기를 설정하면 된다.
(7) 전술한 실시예에서는 기판 현상장치를 예로 하여 설명하였지만, 본 발명은 이와 같은 장치에 한정되는 것이 아니고, 기판의 처리면에 적당한 처리액 (예컨대, 레지스트액, 린스액 등)을 토출하여, 기판에 처리를 하는 여러 가지의 기판처리 장치 및 그 장치에 사용되는 처리액 토출노즐에 넓게 적용할 수가 있다.
본 발명은, 그 사상 또는 본질로부터 일탈하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시할 수 있고, 따라서, 발명의 범위를 나타내는 것으로, 전술한 설명이 아니고, 부가된 청구항을 참조하여야 한다.
본 발명에 의하면, 처리액 토출노즐을 기판에 대하여 상대적으로 수평방향으로 이동시키면서, 이 노즐로부터 기판 상에 전체적으로 띠모양으로 처리액을 토출할 때, 처리액 중의 일부가 기판면 밖으로 토출되면, 그 처리액은, 컵의 주변에 설치된 회수용기 내에 떨어져서 회수된다. 그 결과, 종래는 일부가 폐기되었던 미사용의 처리액을 회수하는 것이 가능하게 되기 때문에, 처리액의 무용한 소비를 없앨 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 처리액 토출노즐의 액체 토출구의 토출면적은 변화하지 않기 때문에, 토출 면적변화에 기인하는 처리액의 유량변화가 방지되고, 처리액 토출노즐로부터 기판에 토출되는 처리액의 유량을 일정하게 할 수 있다. 그 결과, 기판에 토출되는 처리액의 유량변화에 기인하는 기판의 처리얼룩을 방지할 수 있다. 또한, 처리액 토출노즐로부터 기판 밖으로 토출된 처리액이 이 처리액 토출노즐의 액체 토출구의 아래쪽에 대향 배치된 회수용기의 회수구로 회수되기 때문에, 처리액은 액체 토출구로부터 토출되어 회수구에 도달하는 동안에만 공기에 대하여 노출되므로, 처리액의 공기에 대한 노출을 감소시킨다. 그 결과, 처리액이 공기에 노출되는 것에 기인하는 처리액의 특성변화를 감소시킬 수가 있어, 처리액을 양호한 상태로 재사용할 수가 있다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시예를 나타내며, 기판처리장치의 일종인 현상처리장치의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는, 도 1의 화살표 II-II 방향에서 본 단면도이다.
도 3은, 도 1과는 다른 형상을 가지는 회수용기를 나타내는 요부 개략 단면도이다.
도 4는, 도 1과는 다른 구성예를 가지는 회수용기를 나타내는 개략 평면도이다.
도 5는, 또 다른 구성예를 가지는 회수용기를 나타내는 개략 평면도이다.
도 6은, 현상컵(developing cup)에 일체적으로 부착된 회수용기를 구비한 현상처리장치에 의한 처리동작에 관해서 설명하기 위한 도면으로서, 현상액 토출노즐로부터 현상액을 웨이퍼 상으로 토출할 때의 상태를 나타내는 요부의 개략 단면도이다.
도 7은, 웨이퍼 상으로 현상액을 공급한 후에 순수(純水) 토출노즐로부터 순수를 웨이퍼 상으로 토출할 때의 상태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 8은, 본 발명의 제2 실시예에 관한 기판처리장치의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 9는, 도 8에 나타낸 기판처리장치의 측면도이다.
도 10은, 처리액 토출노즐의 개략 사시도이다.
도 11은, 처리액 토출노즐의 하면을 나타내는 도면이다.
도 12는, 도 8에 나타낸 처리액 토출노즐의 선 XII-XII 방향에서 본 단면도이다.
도 13은, 처리액 토출노즐로부터 현상액이 토출되는 모양을 나타낸 도면이다.
도 14는, 각 토출구로부터 토출된 현상액의 모양을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 15는, 회수부의 개략 평면도이다.
도 16은, 도 15에 나타낸 회수부의 측면도이다.
도 17은, 노즐로부터 기판에 현상액을 토출할 때의 회수부의 이동궤적을 나타내는 설명도이다.
도 18은, 변형예에 따른 회수부의 개략 구성을 나타내는 사시도이다.
도 19∼ 도 21는, 변형예에 따른 노즐의 액체 토출구를 나타내는 평면도이다.

Claims (20)

  1. 기판상에 처리액을 공급하여 소정의 처리를 행하는 기판처리방법에 있어서,
    처리액 토출노즐로부터 수평자세의 기판을 향하여, 전체적으로 띠형상으로 처리액을 토출하는 처리액 토출과정과;
    상기 처리액 토출노즐을 기판에 대하여 상대적으로 수평방향으로 이동시키는 수평이동과정과;
    상기 처리액 토출노즐이 기판의 일단측으로부터 타단측을 향하여 상대적으로 수평이동하고 있는 동안에, 상기 기판을 둘러싸는 컵의 주변에 설치된 회수용기로써, 상기 처리액 토출노즐로부터 기판면 밖으로 토출된 미사용(未使用)의 처리액을 회수하는 미사용 처리액 회수과정과;
    상기 기판을 둘러싸는 컵으로써, 상기 처리액 토출노즐로부터 기판면상으로 공급되어 기판처리에 사용된 기사용(旣使用)의 처리액을 회수하는 기사용 처리액 회수과정;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  2. 기판상에 처리액을 공급하여 기판에 소정의 처리를 행하는 기판처리장치에 있어서,
    기판을 수평자세로 지지하는 기판지지수단과;
    상기 기판지지수단에 지지된 기판을 둘러싸도록 설치된, 기사용의 처리액을 회수하는 컵과;
    하단부에 슬릿형상의 또는 복수의 작은 구멍이 병렬된 액체 토출구를 구비하며, 상기 액체 토출구로부터 기판상으로 처리액을 토출하는 처리액 토출노즐과;
    상기 처리액 토출노즐을 기판에 대하여 상대적으로 수평방향으로 이동시키는 수평이동수단과;
    상기 컵의 주변에 설치되며, 상기 처리액 토출노즐이 기판의 일단측으로부터 타단측을 향하여 상대적으로 수평이동하고 있는 동안에, 상기 처리액 토출노즐의 액체 토출구로부터 기판면의 밖으로 토출된 미사용의 처리액을 회수하기 위한 회수용기;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 회수용기는, 상기 처리액 토출노즐의 액체 토출구로부터 기판면의 밖으로 토출된 처리액을 회수하는 회수위치와 후퇴위치와의 사이를 이동가능하게 지지되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 회수용기는, 상기 컵과 대향하여 근접하는 면이, 컵의 외주 형상에 따른 형상으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 기판처리장치는 상기 컵을 기판에 대하여 상대적으로 상하 방향으로 이동시키는 상하 이동수단을 더 구비하고, 상기 회수용기가 상기 컵에 일체적으로 부착되어, 상기 회수용기가 컵과 함께 기판에 대하여 상대적으로 상하 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 회수용기는, 회수용 배관을 통해 처리액 저장탱크에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 회수용 배관에 개폐밸브가 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 기판처리장치는, 상기 회수용기의 안쪽 면을 세정하고 건조시키는 세정·건조수단을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 처리액은, 현상액인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 기판상에 처리액을 공급하여 소정의 처리를 행하는 기판처리방법에 있어서,
    처리액 토출노즐로부터 수평자세의 기판을 향하여, 전체적으로 띠형상으로 처리액을 토출하는 처리액 토출과정과;
    상기 처리액 토출노즐을 기판에 대하여 상대적으로 수평방향으로 이동시키는 수평이동과정과;
    상기 처리액 토출노즐로부터 토출된 처리액을 받아들이기 위한 회수구를 구비하며, 상기 회수구가 상기 처리액 토출노즐의 액체 토출구에 대향하도록, 상기 처리액 토출노즐의 하측에 배치된 회수용기를 사용하여, 상기 처리액 토출노즐이 기판의 일단측으로부터 타단측을 향하여 상대적으로 수평이동하고 있는 동안에, 상기 처리액 토출노즐로부터 기판면의 밖으로 토출된 미사용의 처리액을 상기 회수구로 받아들여 회수하는 미사용 처리액 회수과정과;
    상기 기판을 둘러싸는 컵으로써, 상기 처리액 토출노즐로부터 기판면상으로 공급되어 기판처리에 사용된 기사용의 처리액을 회수하는 기사용 처리액 회수과정;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 처리액 회수과정은, 상기 회수용기가 기판의 둘레 테두리에 대하여 틈새를 유지하면서 이 기판의 둘레 테두리를 따르도록, 상기 회수용기를 상기 액체 토출구의 긴쪽 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  12. 기판상에 처리액을 공급하여 기판에 소정의 처리를 행하는 기판처리장치에 있어서,
    기판을 수평자세로 지지하는 기판지지수단과;
    상기 기판지지수단에 지지된 기판을 둘러싸도록 설치된, 기사용의 처리액을 회수하는 컵과;
    하단부에 슬릿형상의 또는 복수의 작은 구멍이 병렬된 액체 토출구를 갖고, 상기 액체 토출구로부터 기판상으로 처리액을 토출하는 처리액 토출노즐과;
    상기 처리액 토출노즐을 기판에 대하여 상대적으로 수평방향으로 이동시키는 수평이동수단과;
    상기 처리액 토출노즐로부터 토출된 처리액을 받아들이기 위한 회수구를 구비하며, 상기 회수구가 상기 처리액 토출노즐의 액체 토출구에 대향하도록, 상기 처리액 토출노즐의 하측에 배치된 회수용기;를 포함하며,
    상기 회수용기는, 상기 처리액 토출노즐이 기판의 일단측으로부터 타단측을 향하여 상대적으로 수평이동하고 있는 동안에, 상기 처리액 토출노즐로부터 기판면의 밖으로 토출된 미사용의 처리액을 상기 회수구로 받아들여 회수하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 기판처리장치는, 기판에 대한 상기 처리액 토출노즐의 위치를 검출하는 노즐위치 검출수단과, 상기 노즐위치 검출수단으로 검출한 상기 처리액 토출노즐의 위치에 따라, 상기 회수용기를 상기 액체 토출구의 긴쪽 방향으로 이동시키는 회수용기 이동수단을 더 구비하며, 상기 회수용기는, 상기 회수용기 이동수단에 의해서, 기판의 둘레 테두리에 대하여 틈새를 유지하면서 이 기판의 둘레 테두리를 따르도록 상기 액체 토출구의 긴쪽 방향으로 이동되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 회수용기는, 상기 액체 토출구의 긴쪽 방향으로 2개가 설치되며, 한쪽의 상기 회수용기는, 상기 액체 토출구의 긴쪽 방향의 길이를 2분할함으로써 형성되는 제1, 제2 범위 중의 제1 범위를 이동하며, 다른 쪽의 상기 회수용기는, 상기제2 범위를 이동하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 회수구는, 그 종단면이 깔때기모양으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 수평이동수단은 상기 처리액 토출노즐을 수평이동시키며, 상기 회수용기는 상기 처리액 토출노즐과 동기하여 수평이동하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 회수용기는, 상기 처리액 토출노즐에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 기판처리장치는, 상기 회수구로 회수된 처리액을 상기 처리액 토출노즐에 공급하여 상기 처리액 토출노즐로부터 토출시키기 위한 순환수단을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 순환수단은, 상기 처리액 토출노즐에 접속되고, 상기 처리액 토출노즐에 공급되는 처리액을 저장하는 처리액 저장수단과, 상기 회수용기에 접속되고, 상기 회수용기로 회수된 처리액을 상기 처리액 저장수단에 공급하는 공급수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  20. 제12항에 있어서,
    상기 처리액은, 현상액인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200063680A (ko) * 2018-11-28 2020-06-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4426403B2 (ja) * 2004-08-31 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 レーザー処理装置
JP4476217B2 (ja) * 2005-12-27 2010-06-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7940669B2 (en) * 2007-06-15 2011-05-10 Silver Spring Networks, Inc. Route and link evaluation in wireless mesh communications networks
US8092599B2 (en) * 2007-07-10 2012-01-10 Veeco Instruments Inc. Movable injectors in rotating disc gas reactors
JP5523062B2 (ja) * 2008-11-20 2014-06-18 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5889691B2 (ja) 2012-03-28 2016-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP5835188B2 (ja) * 2012-11-06 2015-12-24 東京エレクトロン株式会社 基板周縁部の塗布膜除去方法、基板処理装置及び記憶媒体
CN103630959A (zh) * 2013-03-05 2014-03-12 苏州秀诺光电科技有限公司 一种全息光栅的显影方法及其专用设备
TWI569349B (zh) * 2013-09-27 2017-02-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
US10145013B2 (en) 2014-01-27 2018-12-04 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor desposition systems
CN103823334A (zh) * 2014-03-06 2014-05-28 上海华虹宏力半导体制造有限公司 图形化光刻胶的形成方法
KR102340465B1 (ko) 2014-03-11 2021-12-16 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN113441354B (zh) * 2021-07-15 2022-08-12 安徽帝晶光电科技有限公司 一种新型高效高精度Mini LED封胶装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07130618A (ja) * 1993-10-29 1995-05-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR19980053394A (ko) * 1996-12-26 1998-09-25 문정환 포토 레지스트 코팅장치
JPH11150064A (ja) * 1997-11-18 1999-06-02 Tokyo Electron Ltd 処理方法及び処理装置
US6051349A (en) * 1997-01-30 2000-04-18 Tokyo Electron Limited Apparatus for coating resist and developing the coated resist
KR200205172Y1 (ko) * 1998-08-22 2001-01-15 김영환 반도체 웨이퍼 제조용 코팅장치
KR20010007326A (ko) * 1999-06-09 2001-01-26 히가시 데쓰로 현상처리방법 및 현상처리장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5608943A (en) * 1993-08-23 1997-03-11 Tokyo Electron Limited Apparatus for removing process liquid
JP3116297B2 (ja) * 1994-08-03 2000-12-11 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
JP3578577B2 (ja) * 1997-01-28 2004-10-20 大日本スクリーン製造株式会社 処理液供給方法及びその装置
TW418452B (en) * 1997-10-31 2001-01-11 Tokyo Electron Ltd Coating process
JP3722629B2 (ja) 1997-12-05 2005-11-30 大日本スクリーン製造株式会社 現像液吐出ノズルおよび現像液供給装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07130618A (ja) * 1993-10-29 1995-05-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR19980053394A (ko) * 1996-12-26 1998-09-25 문정환 포토 레지스트 코팅장치
KR100210841B1 (ko) * 1996-12-26 1999-07-15 구본준 포토 레지스트 코팅장치
US6051349A (en) * 1997-01-30 2000-04-18 Tokyo Electron Limited Apparatus for coating resist and developing the coated resist
JPH11150064A (ja) * 1997-11-18 1999-06-02 Tokyo Electron Ltd 処理方法及び処理装置
KR200205172Y1 (ko) * 1998-08-22 2001-01-15 김영환 반도체 웨이퍼 제조용 코팅장치
KR20010007326A (ko) * 1999-06-09 2001-01-26 히가시 데쓰로 현상처리방법 및 현상처리장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200063680A (ko) * 2018-11-28 2020-06-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102174762B1 (ko) * 2018-11-28 2020-11-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030011545A (ko) 2003-02-11
TWI284937B (en) 2007-08-01
US20030017665A1 (en) 2003-01-23
US7105074B2 (en) 2006-09-12

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