KR100680439B1

KR100680439B1 - 막 형성 장치

Info

Publication number: KR100680439B1
Application number: KR1020000076972A
Authority: KR
Inventors: 기타노다카히로; 모리카와마사테루; 에사키유키히코; 이시자카노부카즈; 고가노리히사; 다케시타가즈히로; 오쿠마히로후미; 아키모토마사미
Original assignee: 동경 엘렉트론 주식회사
Priority date: 1999-12-16
Filing date: 2000-12-15
Publication date: 2007-02-08
Also published as: KR20010067381A; US20010003966A1

Abstract

본 발명의 막형성 장치에 있어서 토출노즐은 대략 통형상의 지지부재와, 지지부재의 기판측의 면에 지지되고, 또한, 기판측의 면을 폐쇄하는 박판 또는 박판부를 갖고, 이들의 박판 혹은 박판부에, 도포액을 토출하기 위한 토출구가 설치되어 있다. 레이저 가공, 펀치 등에 의해, 종래의 사출성형 가공에 의해서도 미소한 토출구를 박판 또는 박판부에 형성하는 것이 가능하다. 도포액의 토출량이나 기판상의 토출 영역을 보다 세밀하게 제어할 수 있다.

본 발명의 막 형성 장치는 토출노즐을 세정하는 세정장치를 갖고, 토출노즐의 토출구에 대하여 세정용의 세정액을 분출시키는 세정액 분출기구와, 토출구 부근의 분위기를 흡인하는 흡인기구를 갖는다. 토출구에 부착된 오염물은 종래에 비해 보다 완전하게 제거된다. 따라서, 토출구의 직경이 미소일지라도, 효과적으로 세정할 수 있다. 토출구로 분출된 세정액을 흡인기구에 의해 흡인하여 이것을 적절하게 배출할 수 있고, 세정액의 비산 또는 토출구 주변의 오염이 방지된다.

Description

막 형성 장치{FILM FORMING APPARATUS}

도 1은 본 실시 형태에 관련된 레지스트 도포장치를 갖는 도포현상처리 시스템의 평면에서 본 설명도,

도 2는 도 1의 도포현상처리 시스템의 정면도,

도 3은 도 1의 도포현상처리 시스템의 배면도,

도 4는 본 실시의 형태에 따른 레지스트 도포장치의 종단면의 설명도,

도 5는 본 실시의 형태에 따른 레지스트 도포장치의 횡단면의 설명도,

도 6은 레지스트 도포장치에 사용되는 토출노즐의 종단면을 나타내는 설명도,

도 7은 토출노즐의 노즐플레이트의 단면도의 확대도,

도 8은 본 실시의 형태에 있어서의 레지스트액의 도포경로를 나타내는 설명도,

도 9는 다른 구멍형상을 갖는 노즐플레이트를 모식적으로 나타낸 횡단면의 확대도,

도 10은, 온도조절용 유체의 유로를 갖는 토출노즐의 종단면을 나타내는 설 명도,

도 11은 노즐플레이트 대신에 박판부를 갖는 토출노즐의 종단면을 나타내는 설명도,

도 12는 측둘레면이 사각형인 외본체를 갖는 2개의 토출노즐을 접속고정한 모양을 나타내는 사시도,

도 13은 다른 실시형태에 따른 레지스트도포장치의 종단면의 설명도,

도 14는 도 13의 레지스트 도포장치의 횡단면의 설명도,

도 15는 토출노즐과 세정블록의 위치관계를 나타낸 사시도,

도 16(a)는 토출노즐의 세정장치에 사용되는 세정블록의 평면도, 도 16(b)는 동종단면의 설명도,

도 17은 세정시의 토출노즐과 세정블록의 종단면의 설명도,

도 18(a)는 다른 형태의 세정블록의 평면도, 도 18(b)는 종단면의 설명도,

도 19는 세정블록의 다른 형태를 나타낸 종단면의 설명도,

도 20은 다이어그램식의 펌프를 사용하여 토출노즐에 레지스트액을 공급하는 경우의 레지스트액 공급기구를 모식적으로 나타낸 설명도,

도 21은 박판을 갖지 않은 토출노즐을 씰링재를 통해 세정블록과 밀착시키고 있는 모양을 나타내는 횡단면도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1: 도포현상처리 시스템 2: 카세트 스테이션

3: 처리 스테이션 4: 인터페이스부

5: 카세트 재치대 7, 50: 웨이퍼반송체

8: 반송로 13: 주반송장치

17, 19: 레지스트 도포장치 18: 현상 처리장치

32, 42: 익스텐션장치 33: 베큠드라잉장치

34: 프리베이킹장치 35, 36: 포스트베이킹

40: 냉각장치 41: 익스텐션·냉각장치

43: 클리닝 장치 44, 45: 포스트 노출장치

46, 47: 포스트베이킹장치 60: 케이싱

61: 외용기 62: 내용기

63: 레일 64: 내용기 구동장치

65: 재치대 66: 회전구동

67: 초음파진동자 68: 용제탱크

70: 마스크부재 71: 마스크 지지부재

73: 배기구 80: 덮개

80a:슬릿 85: 토출노즐

86: 타이밍벨트 87:플리

94: 토출구 95: 노즐플레이트

96: 내본체 97: 외본체

100: 펠티어 소자 105: 유로

205, 210: 세정블록 205a: 분출구

205b: 분출경로 205c: 흡인구

205d: 흡인 경로 205e: 돌출부

205: 수직 레일

본 발명은, 기판의 막 형성 장치에 관한 것이다.

예를 들어, 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그라피 공정에서는, 웨이퍼 표면에 레지스트액을 도포하고, 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포처리, 웨이퍼에 패턴을 노광하는 노광처리, 노광후의 웨이퍼에 대하여 현상을 하는 현상처리 등이 행하여져, 웨이퍼에 소정의 회로 패턴이 형성된다.

상술한 레지스트 분포처리를 실시하는 장치에 있어서 사용되고 있는, 웨이퍼에 대하여 레지스트액을 토출하는 토출노즐은, 일반적으로 수지제로 끝이 가느다란 것을 사용하고 있다. 이 끝이 가느다란 토출노즐은, 사출성형 가공을 사용하고 제조되고 있기 때문에, 이 구경은 가공 기술의 한계로 인해 현재 약2 mm 정도이다.

그러나, 근년의 반도체 기술의 진보에 따라, 더욱 가느다란 회로 패턴의 선 폭이 요구되고 있지만, 토출노즐의 토출구의 구경은, 그대로 토출되는 도포 액류의 직경으로 되기 때문에, 보다 작은 토출구의 형성이 바람직하다. 또한, 레지스트액이 쓸데없는 토출을 억제하기 위해서는, 구경이 작은 노즐이 바람직하다.

또한, 상기의 레지스트 도포처리에서는, 도포액 토출노즐로부터 웨이퍼에 대하여 레지스트액을 토출하여 행하여지지만, 이 도포액 토출노즐은, 레지스트액 등에 의해 오염되기 때문에, 필요에 따라서 세정하지 않으면 토출구의 직경이 변화하여 버린다.

그래서, 종래부터 이 도포액 토출노즐의 세정은 용제 등의 세정액에 의해 세정되고 있지만, 종래의 세정은, 용제를 저장하는 세정탱크에 토출노즐의 토출구를 침지함에 의해 행하여지고 있다.

그렇지만, 노즐의 토출구의 직경이 상기한 바와 같이 대단히 작게 되면, 종래의 세정 방법에서는 잘 세정할 수 없으며, 상기 토출구에 미소한 오염이 남게되고, 레지스트액의 토출 방향이나 토출압력이 변화해버리고, 레지스트액이 웨이퍼에 적절히 도포되지 않는다.

본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 제 1 목적은 도포액이 토출되는 토출구의 직경이, 종래 보다도 작게 하는 것이 용이한 토출노즐을 갖는 막 형성 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 하고 있다.

또한, 본 발명의 제 2 목적은, 액의 토출노즐의 토출구가 미소일지라도, 이 토출구에 부착된 미세한 오염을 보다 완전히 제거한다.

이러한 제 1 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제 1 관점에 의하면, 본 발명의 막 형성 장치로서는, 토출노즐이 대략 통형상의 지지부재와 상기 지지부재의 기판측의 면에 지지되어 또한 상기 기판측의 면을 폐쇄하는 박판을 갖는 상기 박판에, 기판에 도포액을 토출하는 토출구가 설치되어 있다.

본 발명의 제 2 관점에 의하면, 본 발명의 막 형성 장치는, 토출노즐은, 대략 통형상의 지지부재와 상기 지지부재의 기판측의 면에 배치되어 상기 기판측의 면을 폐쇄하는 박판부를 갖고, 상기 박판부는, 상기 지지부재에 대하여 착탈가능한 누름 부재와 일체화되어, 상기 박판부에는, 상기 기판에 도포액을 토출하는 토출구가 설치되어 있다.

본 발명에 의하면, 도포액은 지지부재 속을 통해 박판의 토출구로부터 토출되는 것으로 되지만, 박판에는, 레이저 가공, 펀치 등에 의해 종래의 사출성형 가공보다도 미소한 구멍을 형성하는 것이 가능하다. 따라서, 본 발명에 의하면, 지극히 미소한 토출구를 박판에 형성할 수 있고, 이 토출구로부터 도포액을 도포하는 것이 가능하다. 그 결과, 예를 들어, 부득이하게 기판 밖으로 토출되는 경우에도, 쓸데없이 낭비되는 도포액의 량이 종래 보다 적다. 또한 토출구의 직경을 작게 할 수 있기 때문에 도포액의 토출량이나 기판상의 토출 영역을 보다 세밀하게 제어할 수가 있다.

토출구에 있어서의 기판측의 면의 둘레가장자리부는, 기판으로 가까이 감에 따라서, 이 토출구의 직경이 커지도록 테이퍼형으로 성형하여도 좋다. 토출구에 있어서의 기판측의 면의 반대측의 면의 둘레가장자리부는, 기판으로 가까이 감에 따라서, 상기 토출구의 직경이 작아지도록 성형하더라도 좋다. 이들 성형가공에 의해 표면장력이 토출에 영향을 주는 것도 억제된다.

토출구에 있어서의 기판측의 면의 둘레가장자리부의 주변부에 요부(凹部)를 형성하여도 좋다. 이 요부의 존재는, 토출구 둘레가장자리부에 도포액이 부착하여 표면장력의 변동에 의한 영향을 억제한다.

토출구에 도포액에 대하는 발수처리(water repellent treatment)를 실시하면, 도포액이 상기 토출구로부터 부드럽게 토출되어, 기판에 안정된 소정의 도포액을 공급할 수가 있다.

토출구는 복수개 존재할지라도 좋다. 이것에 의해서 기판으로의 토출량을 늘리는 것이 가능해진다.

상기 토출노즐은, 기판에 대하여, 상대적으로 수평방향으로 이동가능하게 하면, 예를 들어, 노즐이 기판 상을 이동하면서 도포액을 토출시켜, 소위「한번에 쓰기(continuous stroke)」의 요령으로 기판 상에 도포액을 형성할 수가 있다. 한번에 쓰기의 요령으로 도포액을 토출함으로써, 기판전면에 걸쳐 얼룩이 없는 두께가 균일한 도포막을 형성하는 것이 가능하다.

박판이나 박판부의 온도를 조절가능한 온도조절 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 기판의 막 형성 장치가 제공된다. 이것에 의해서, 박판의 온도를 소정의 온도로 유지하는 것이 가능하게 되고 박판이나 박판부에 형성된 토출구의 직경이 일정하게 유지할 수 있다. 또한 토출구 내를 흐르는 도포액의 온도도, 소정의 온도에 유지할 수가 있어, 도포액의 점도, 표면장력이 일정하다.

상기 지지부재나 누름 부재에 설치된 온도조절가능한 유체가 흐르는 유로도 상기 박판, 박판부나 도포액의 온도를 소정의 온도로 유지할 수 있다.

본 발명에서 사용되는 도포액은, 예를 들어 용제 등으로 희석하여, 종래의 스핀코팅법으로 도포되는 도포액보다도 점도가 낮게 된 것이 적합하다. 예를 들어 점도에 있어서는, 2 cP∼7 cP이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어 도포액이 포토레지스트 형성용인 경우에는, 해당 도포액중의 포토레지스트 막형성 성분의 분량(용적백분율)이, 도포액의 1.0%∼7.0%, 특히 1.5% 정도가 적합하다. 또한, 예를 들어, 도포액이 층간 절연막 형성용인 경우에는, 해당 도포액중의 층간 절연막 형성성분의 분량은, 도포액의 1.0∼8.0%, 특히 4.0% 정도가 적합하다.

또한 본 발명의 제 2 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제 3 관점에 의하면, 본 발명의 막 형성 장치는, 토출노즐로부터 기판에 도포액을 공급하여, 이 기판표면에 막을 형성하는 막 형성 장치로서, 상기 토출노즐을 세정하는 세정장치를 갖고, 상기 세정장치는, 상기 토출노즐의 토출구에 대하여, 세정용의 세정액을 분출시키는 세정액 분출기구와 상기 토출구 부근의 분위기를 흡인하는 흡인기구를 갖는다.

이와 같이 토출노즐의 토출구에 대하여, 직접 세정액을 분출함으로써 상기 토출구에 부착한 오염물이, 이 세정액의 분출압력도 도와 종래에 비교해서 보다 완전히 제거된다. 따라서 토출구의 직경이 미소일지라도 효과적으로 제거할 수 있다. 또한 흡인기구에 의해 상기 토출구로 분출된 세정액을 흡인하여 이것을 적절히 배액할 수가 있으므로, 세정액의 비산이나 상기 토출구의 주변의 오염이 방지된 다. 더욱이 흡인에 의해서 기류가 발생하고, 상기 토출구의 건조가 촉진된다. 또 본 발명에 있어서, 세정액이란, 도포액의 용제도 포함한다.

본 발명의 제4의 관점에 의하면, 본 발명의 막 형성 장치는 토출노즐로부터 기판에 도포액을 공급하여, 이 기판표면에 막을 형성하는 막 형성 장치로서, 상기 토출노즐을 세정하는 세정장치를 갖고, 상기 토출노즐은, 대략 통형상의 지지부재와 상기 지지부재의 아래면에 설치되어, 이 아래면을 폐쇄하는 박판과 이 박판에 형성된 토출구를 갖고, 상기 세정장치는, 상기 박판에 밀착하는 평탄한 밀착부를 상단에 갖는 세정블록을 갖고, 상기 세정블록이 상기 박판과 밀착하였을 때에 상기 토출노즐의 토출구로 향하여 세정액을 분출하는 세정액 분출기구와 상기 토출구 부근의 분위기를 흡인하는 흡인기구가 상기 세정블록에 설치된다.

액토출노즐에 가공이 용이한 박판을 사용하고 있기 때문에, 보다 작은 토출구를 형성할 수가 있다. 또한 이 박판에 상기 세정액분출수단을 갖는 세정블록을 밀착시켜 세정함으로써, 직접 세정액을 토출구로 내뿜는 것이 가능해지기 때문에, 토출구가 미소한 것일지라도 보다 세밀한 오염이 보다 완전히 제거된다.

도포액 토출노즐이 바깥쪽으로부터 상기 박판을 상기 지지부재에 대하여 고정하는 누름 부재를 갖고, 세정장치는, 상기 누름 부재에 밀착하는 평탄한 밀착부를 상단에 갖는 세정 블록을 갖고, 상기 세정블록이 상기 누름 부재와 밀착하였을 때에 상기 도포액 토출노즐의 토출구로 향하여 세정액을 분출하는 세정액 분출수단과 상기 토출구부근의 분위기를 흡인하는 흡인수단이 세정블록에 설치되도록 할지라도 좋다.

세정장치는, 상기 박판과 접촉하는 측의 면에 돌출부를 갖는 세정블록을 갖고, 더욱이, 상기 돌출부를 통해 세정블록과 박판이 접촉하였을 때에, 상기 토출노즐의 토출구로 향하여 세정액을 분출하는 세정액 분출기구와, 상기 토출구 부근의 분위기를 흡인하는 흡인기구가 이 세정 블록에 설치되더라도 좋다.

세정블록에 상기 돌출부를 설치함으로써, 이 세정블록이, 상기 누름 부재와 접촉하는 때에 세정 블록과 누름 부재와의 사이에 간극(隙間)이 생긴다. 이로 인해, 상기 흡인 수단에 의해 주위의 분위기를 흡인한 때에 그 간극을 통하여 토출구로 유입하여 건조가 촉진된다. 따라서, 예를 들어 건조용의 질소가스 등의 불활성가스를 별도 공급하지 않더라도, 상기 토출구의 건조가 적절히 행하여진다. 또, 이 빈틈으로부터의 세정액의 비산을 억제하기 위해, 상기 돌출부는, 상기 토출구를 둘러싸도록 하여 원호형상으로 배치하는 것이 바람직하다.

상기 박판은, 상기 누름 부재와 일체로 되어, 누름 부재에 있어서의 박판부로서 구체화된다. 그 경우에는, 토출구는 박판부에 형성된다. 그리고 이러한 경우, 상기 누름 부재와 상기 밀착부의 사이에 씰링재를 개재시키면, 세정액이 주위에 비산하지 않는다.

세정블록 상부의 중심에는, 세정 요부가 형성되어, 상기 분출구와 흡인구는, 이 세정 요부내에 개구시키더라도 좋다. 또한 상기 분출구로 통하는 분출경로와, 상기 흡인구로 통하는 흡인경로는, 상기 세정블록내에 형성되어 있더라도 좋다. 세정 블록은 상기 토출노즐의 토출구로 향하여 건조용의 불활성 기체를 공급하는 기체공급 기구를 별도로 갖고, 불활성 기체의 공급구가, 상기 세정 요부내에 개구 하고 있더라도 좋다. 또한 상기 분출구로 통하는 분출경로와, 상기 흡인구로 통하는 흡인경로와, 상기 공급구로 통하는 공급경로가, 상기 세정블록내에 형성되어 있더라도 좋다. 상기 흡인구는, 토출노즐의 토출구에 대하여 대향하는 위치에 형성되어 있더라도 좋다.

토출노즐은, 기판에 대하여 상대적으로 이동이 자유롭고, 상기 세정 블록은, 상기 토출노즐의 이동범위내에 배치되며, 또한 상하로 이동가능하게 하더라도 좋다. 토출노즐은, 기판에 대하여 상대적으로 이동가능하고, 상기 세정 블록은 상기 토출노즐의 이동범위내에 이동자유로운 반송기구로 유지되어, 이 반송기구가 상하로 이동가능하게 하더라도 좋다.

세정액에는, 초음파가 부여되어 있거나, 기포가 혼입되어 있는 것이 세정효과가 높다. 세정액은, 간헐적으로 분출되더라도 좋다.

토출노즐에 도포액을 공급하는 다이어그램식의 펌프와 이 펌프의 누름량의 변화를 검출하는 검출기구를 갖고, 이 검출기구의 검출 결과에 따라서, 상기 세정장치에 의한 세정을 시작시키는 세정제어장치를 구비하고 있더라도 좋다.

(실시예)

이하, 본 발명이 바람직한 실시형태에 관해서 설명한다. 도 1은 본 실시의 형태에 따른 레지스트 도포장치를 갖는 도포현상 처리 시스템(1)의 평면도이고, 도 2는, 도포현상 처리시스템(1)의 정면도이며, 도 3은 도포현상 처리 시스템(1)의 배면도이다.

도포현상처리 시스템(1)은 도 1에 나타낸 바와 같이, 예를 들어 25장의 웨이 퍼(W)를 카세트 단위로 외부에서 도포현상 처리시스템(1)에 대하여 반입 반출하는 카세트(C)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입 반출하는 카세트 스테이션(2)과 도포현상 처리공정 중에 낱장식으로 소정의 처리를 실시하는 각종 처리장치를 다단 배치하여 이루어지는 처리 스테이션(3)과, 이 처리스테이션(3)에 인접하여 설치되는 (도시하지 않은)노광장치 사이에서 웨이퍼(W)를 주고받는 인터페이스부(4)를 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.

카세트 스테이션(2)으로서는, 재치부가 되는 카세트재치대(5)상의 소정의 위치에, 복수의 카세트(C)를 X방향(도 1중의 상하방향)으로 일렬로 자유롭게 재취되어 있다. 그리고, 이 카세트 배열방향(X방향)으로 카세트(C)에 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼 배열방향(Z 방향; 연직방향)에 대하여 이송가능한 웨이퍼반송체(7)가 반송로(8)에 따라 이동가능하게 설치되고, 각 카세트(C)에 대하여 선택적으로 억세스할 수 있도록 되어 있다.

웨이퍼반송체(7)는, 웨이퍼(W)의 위치맞춤을 행하는 얼라이먼트 기능을 구비하고 있다. 이 웨이퍼반송체(7)는 후술하는 바와 같이 처리스테이션(3)측의 제 3 처리장치군(G3)에 속하는 익스텐션 장치(32)에 대하여도 억세스할 수 있도록 구성되어 있다.

처리스테이션(3)에서는, 그 중심부에 주반송장치(13)가 설치되어 있고, 이 주반송장치(13)의 주변에는 각종 처리장치가 다단에 배치되어 처리장치군을 구성하고 있다. 이 도포현상 처리 시스템(1)에 있어서는, 4개의 처리장치군(G1, G2, G3, C4)이 배치되어 있고, 제 1 및 제 2 처리장치군(G1, G2)은 현상처리 시스템(1)의 정면측에 배치되고, 제 3 처리장치군(G3)은, 카세트스테이션(2)에 인접하여 배치되며, 제4의 처리장치군(G4)은, 인터페이스부(4)에 인접하여 배치되어 있다. 더욱이 옵션으로서 파선으로 나타낸 제5의 처리장치군(G5)을 배면측에 별도 배치가능하게 되어있다.

제 1 처리장치군(G1)에서는, 예를 들어 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 따른 레지스트 도포장치(17)와, 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하여 처리하는 현상처리장치(18)가 밑으로부터 순서대로 2단으로 배치되어 있다. 제 2 처리장치군 (G2)의 경우도 동일하게, 레지스트 도포장치(19)와, 현상처리장치(20)가 밑으로부터 순서대로 2단에 겹쳐 쌓아져 있다.

제 3 처리장치군(G3)에서는, 예를 들어 도 3에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)를 냉각처리하는 클리닝 장치(30), 레지스트액과 웨이퍼(W)의 정착성을 높이기 위한 어드히전 장치(31), 웨이퍼(W)를 대기시키는 익스텐션 장치(32), 레지스트액 중의 용제를 감압건조시키는 배큠드라잉 장치(33), 프리베이킹 장치(34) 및 현상처리후의 가열처리를 실시하는 포스트베이킹 장치(35, 36) 등이 밑으로부터 순서대로 예를 들어 7단으로 포개져 있다.

제4의 처리장치군(G4)으로서는, 예를 들어 냉각 장치(40), 얹어 놓은 웨이퍼 (W)를 자연냉각시키는 익스텐션·냉각 장치(41), 익스텐션 장치(42), 클리닝 장치 (43), 노광처리후의 가열처리를 하는 포스트 노출 장치(44, 45), 포스트베이킹 장치(46, 47) 등이 밑으로부터 순차로 예를 들어 8단으로 포개어져 있다.

인터페이스부(4)의 중앙부에는 웨이퍼반송체(50)가 설치되어있다. 이 웨이 퍼반송체(50)는 X방향(도 1중의 상하방향), Z 방향(수직방향)의 이동과 θ 방향(Z축을 중심으로 하는 회전방향)의 회전이 가능하도록 구성되어 있고, 제 4의 처리장치군(G4)에 속하는 익스텐션·냉각 장치(41), 익스텐션 장치(42), 주변노광 장치 (51) 및 도시하지 않은 노광장치에 대하여 억세스할 수 있도록 구성되어 있다.

그 다음에 상술한 레지스트 도포장치(17)의 구성에 관해서 설명한다. 이 레지스트 도포장치(17)는 레지스트액을 토출하는 레지스트액토출기구가 웨이퍼(W)에 대하여, 상대적으로 이동하면서 레지스트액을 도포한다, 소위 한번에 쓰기 요령의 도포방식을 채용하고 있다.

레지스트 도포장치(17)의 케이싱(60)내에는, 도 4, 도 5에 나타낸 바와 같이, Y 방향(도 5중의 상하방향)으로 대략 긴 상자형의 외용기(61)가 설치되어 있고, 이 외용기(61)는, 윗면이 개구하고 있다. 이 외용기(61)내에는, 그 속에서 웨이퍼(W)를 처리하는 내용기(62)가 설치되어 있다. 이 내용기(62)는 상면이 개구하여 있고, 또한, 외용기(61)의 저면상에 설치된 Y 방향으로 신장하는 2 개의 레일 (63)상을 내용기 구동기구(64)에 의해 이동가능하게 구성되어 있다. 따라서, 웨이퍼(W)를 내용기(62)에 반입, 반출하는 경우에는, 내용기(62)가 외용기(61)의 Y 방향 정방향측(도 5중의 위쪽)의 반송부(L)로 이동하고, 웨이퍼(W)를 도포처리하는 경우에는, Y 방향 부방향측(도 5중의 아래 쪽)의 처리부(R)로 이동할 수가 있다. 또한, 웨이퍼(W)에 대하여 레지스트액을 도포중에 있더라도 내용기(62)를 소정의 타이밍으로 소정의 거리만큼만 Y 방향으로 이동시키는 것이 가능해진다.

더욱이, 이 내용기(62)내에는, 웨이퍼(W)를 흡착하여 유지하는 재치대 (mounting table :65)가 설치되어 있고, 그 아래쪽으로는, 이 재치대(65)를 회전가능하게 하는 회전구동(66)이 설치되어 있다. 또한, 이 재치대(65)에는 예를 들어, 초음파진동자(67)가 부착되어 있고, 재치대(65)를 고주파수로 진동시킬 수 있다. 내용기(62)의 저면에는, 내용기(62)내를 소정 농도의 용제 분위기로 유지하기 위한 용제를 저장하는 용제탱크(68)가 설치되어 있다.

내용기(62)의 저면에는, 배기구(73)가 설치되어 있고, 여기부터의 배기에 의해 내용기(62)내로 기류를 발생시켜 웨이퍼(W) 주변을 소정의 용제 농도로 유지할 수가 있게 되어 있다.

또한, 웨이퍼(W)상을 덮는 레지스트액의 도포범위를 한정하는 마스크부재 (70)가 웨이퍼(W)의 위쪽에 배치되어 있고, 이 마스크부재(70)는 내용기(62)의 안쪽벽에 설치되는 마스크 지지부재(71)로 지지된다. 마스크부재(70)는, 도시하지 않은 반송기구에 의해 X방향으로 반송가능하게 되어 있다. 따라서, 마스크부재 (70)를 외용기(61)의 X 방향 부방향측(도 5중의 왼쪽방향)의 세정부에 대기시켜 두고, 웨이퍼를(W)을 갖는 내용기(62)가 처리부(R)로 이동한 후에, 상기 반송기구에 의해, 마스크 지지부재(71)상에 반입하는 것이 가능해진다.

상술한 외용기(61)에는 외용기(61)의 처리부(R) 측으로 뚜껑을 덮는 덮개 (80)가 고정되어 부착되어 있고, 내용기(62)가 처리부(R) 측으로 이동한 때에, 그 위쪽이 덮개(80)에서 덮여지면, 소정의 분위기를 유지하기 쉽게 된다. 또한, 이 덮개(80)에는, X방향으로 연장되는 슬릿(80a)이 설치되어 있고, 이 슬릿(80a) 내를 후술하는 토출노즐로서 토출노즐(85)이 X방향으로 이동한다.

상술한 바와 같이, 외용기(61)의 처리부(R) 측에 설치된 덮개(80)의 슬릿 (80a)에는 본 발명에 따른 토출노즐(85)이 아래쪽의 웨이퍼(W)로 레지스트액을 토출가능하게 설치되어 있다. 이 토출노즐(85)은 노즐 유지 부재의 홀더(91)에 고정되어, 이 홀더(91)는 X방향으로 연장되는 타이밍벨트(86)에 부착되고 있다. 이 타이밍벨트(86)는, 덮개(80)상에 설치된 풀리(88, 89)사이에 걸어지고, 풀리(88)는 도시하지 않은 모터 등의 회전기구에 의해서 정회전·반전된다. 그 결과, 타이밍벨트(86)에 의해, 이 토출노즐(85)은, 덮개(80)의 슬릿(80a) 내를 왕복이동할 수 있다. 따라서, 토출노즐(85)이 아래쪽의 웨이퍼(W)에 대하여 상대적으로 이동하면서 레지스트액을 토출하고, 또한, 내용기(62)가 Y 방향으로 간헐적으로 이동함으로써, 소위 한번에 쓰기 요령으로 웨이퍼(W)에 레지스트액을 공급할 수가 있다.

다음에, 상기 토출노즐(85)의 구조를 자세히 설명한다. 토출노즐(85)은 도 6에 나타낸 바와 같이, 지지부재로서의 대략 원통형의 내 본체(96)와, 이 아래면을 폐쇄하는 박판으로서의 노즐플레이트(95)를 갖고, 이 노즐플레이트(95)의 중심에 토출구(94)가 형성되어 있다. 이 노즐플레이트(95)는 내본체(inner body : 96)의 바깥쪽에 나사장착되는 누름 부재(holding member)로서의 외본체(97)에 의해서, 내본체(96)의 아래면에 대하여 나사고정되어 있다.

노즐플레이트(95)는, 두께 0.1 mm 정도의 금속재, 예를 들어 스텐레스재가 사용되고, 그 외형은 원형으로 가공되어 있다. 이 노즐플레이트(95)의 중심에는, 지름이 10μm에서 200μm의 범위의 소정의 크기의 토출구(94)가 형성되어 있다. 또한, 도 7에 나타낸 바와 같이 이 토출구(94)의 상면둘레가장자리부(94a)는 아래 쪽으로 감에 따라 직경이 작아지도록 되어 있는 테이퍼 형상으로 형성되어 있고, 한편, 토출구(94)의 아래면둘레가장자리부(94b)는, 아래쪽으로 감에 따라서 직경이 커지도록 되어 있는 테이퍼형상에 형성되어 있다. 또한, 이 토출구(94)에는, 사용되는 레지스트액에 대하는 발수처리, 예를 들어, 무전해 니켈처리가 되어 있다. 또, 노즐플레이트(95)의 재질로서, PTFE 등의 수지나 세라믹스를 사용하더라도 좋다.

내본체(96)는, 원통형으로 형성되어 있고, 상단부(top end portion)에는, 도시하지 않은 레지스트액 공급원으로부터 레지스트액이 공급되는 공급구(96a)를 갖고 있다. 이 내본체(96)의 하단부(lower end portion)는, 개구 단(open end)이지만, 상기 노즐플레이트(95)에 의해서 폐쇄되어 있다. 따라서, 공급구(96a)에서 내본체(96)내에 공급된 레지스트액은, 내본체(96)내를 통과하고, 하단부의 노즐플레이트(95)의 토출구(94)로부터 웨이퍼(W) 상으로 토출된다.

외본체(97)는, 위쪽이 개구된 대략 통형상(cylindrical form)이다. 이 외본체(97)의 내측의 형상은, 내본체(96)의 외형에 대응하고, 내본체(96)의 하단면 (96b)과 외본체(97)의 안쪽 저면으로 노즐플레이트(95)를 밑으로부터 누르면서 내본체(96)를 밖으로부터 덮도록 구성되어 있다. 이 본체(97)의 하단에는, 레지스트액을 토출하는 것을 방해하지 않도록 구멍이 설치된다. 이 외본체(97)의 외벽에는, 도시하지 않은 온도 제어장치에 제어되는 전자 냉열 소자(electro-thermal element)로서의 예를 들어 펠티어 소자(Peltier element : 100)가 접촉하여 부착되고 있고, 외본체(97)를 통해, 노즐플레이트(95) 및 레지스트액의 온도를 조절가능 하게 되어 있다.

또한, 내본체(96)의 바깥쪽면과 외본체(97)의 안쪽면에는, 나사가 새겨져 있고, 내본체(96)로부터 외본체(97)를 떼어냄으로써, 노즐플레이트(95)를 떼어낼 수 있다. 따라서, 노즐플레이트(95)가 오염된 경우나 노즐플레이트(95)를 여러 가지의 재질, 형상 등의 다른 직경의 것으로 교환하는 경우 등에 신속하고 또한 용이하게 대응할 수 있다.

이상과 같이 구성되어 있는 레지스트 도포장치(17)의 작용에 관해서, 도포현상처리 시스템(1)으로 행하여지는 포토리소그라피 공정의 프로세스와 같이 설명한다.

우선, 웨이퍼반송체(7)가 카세트(C)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 1장 꺼내어, 제 3 처리장치군(G3)에 속하는 어드히젼 장치(31)로 반입한다. 그리고, 레지스트액의 밀착성을 향상시키는 예를 들어 HMDS를 도포한 웨이퍼(W)는, 주반송장치 (13)에 의해서, 클리닝 장치(30)로 반송되어, 소정의 온도로 냉각된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 레지스트 도포장치(17 또는 19)로 반송된다.

이 레지스트 도포장치(17 또는 19)에서, 후술하는 소위 한번에 쓰기 요령으로 레지스트액이 도포된 웨이퍼(W)는, 그 후, 주반송장치(13)에 의해 배큠드라잉 장치(33), 프리베이킹 장치(34), 냉각장치(40)로 순차 반송된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 각 처리장치에 있어서 노광처리, 현상처리 등의 일련의 소정의 처리가 행하여져, 도포현상처리가 종료한다.

상술한 레지스트 도포장치(17)의 작용에 관해서 자세히 설명하면, 우선, 클 리닝 장치(30)에 있어서 소정의 온도로 냉각된 웨이퍼(W)가 주반송치(13)에 의해, 레지스트 도포장치(17)의 케이싱(60)내로 반입된다. 이때 외용기(61)내의 내용기 (62)는 미리 반송위치(L)에서 대기하고, 있고, 웨이퍼(W)는, 주반송장치(13)에 의해 직접 재치대(65)에 재치되어, 흡착유지된다. 여기서, 회전기구(66)에 의해 도시하지 않은 얼라이먼트 기구에 의해 웨이퍼(W)의 노치 또는 오리프라(orientation flat)를 검출하고, 웨이퍼(W)는 소정의 위치에 위치 결정된다. 다음에, 내용기 구동장치(64)에 의해 내용기(62)를 처리위치(R)로 이동시킨다. 그 후 세정부에 대기되어 있던 마스크부재(70)가, 도시하여 않은 반송기구에 의해 외용기(61) 밖으로부터 내용기내로 반송되어, 마스크 지지부재(71)상에 재치된다.

다음에, 배기구(73)로부터 내용기(62)내의 기체를 소정 속도로 배기하고, 내용기(62)내를 소정의 분위기로 유지한다. 그리고, 이 내용기(62)내에서, 토출노즐 (82)이 웨이퍼(W)에 대하여 상대적으로 이동하면서 레지스트액을 도포하여 웨이퍼 (W) 상에 레지스트막을 형성한다.

레지스트액의 도포경로(도포궤적)의 예를 도 8에 나타낸다. 예를 들어, 도 8에 나타낸 바와 같이 우선 토출노즐(85)이, START 위치로부터 X방향 정방향(도 8의 오른쪽방향)으로 소정의 속도로 이동하면서 레지스트액을 웨이퍼(W) 상에 토출한다. 이 때, 토출노즐(85)에서는, 도시하지 않은 레지스트액 공급원으로부터 소정의 압력으로 압송된 레지스트액이 내본체(96)의 상단부(96a)로부터 공급되고, 본체(96)내를 통과하고, 노즐플레이트(95)의 토출구(94)로부터 토출되고 있다. 또한, 노즐플레이트(95)는 외본체(97)에 부착되어 있는 펠티어 소자(100)에 의해 소 정의 온도로 유지되도록 토출구(94)의 직경이 변화하지 않고, 노즐플레이트(95)로부터는 소정 직경의 실 형상(thread form)으로 레지스트액이 토출된다.

토출되는 레지스트액은 용제에 따라서 희석된 것을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 레지스트 막형성 성분이 레지스트액 중에 차지하는 용적이 1.5%로 되도록 희석하여 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같이 희석함으로써, 토출구(94)부터의 토출이 원활히 행해질 수 있다.

그 후, 토출노즐(85)은 웨이퍼(W)의 직경분 보다도 긴 거리, 즉 항상 웨이퍼 (W) 단부보다 바깥쪽으로 나온 위치까지 진행하여, 마스크부재(70)상에서 일단 정지한다. 이 때도 레지스트액은 계속하여 토출되고, 이 웨이퍼(W) 이외의 장소로 토출된 레지스트액은 마스크부재(70)에 의해 받아 배액된다. 그리고, 내용기 구동장치(64)에 의해 내용기(62)가 Y 방향으로 소정거리 벗어나서 놓이고, 웨이퍼(W)도 Y 방향으로 어긋난다. 그 후, 토출노즐(85)은 되돌려서, 계속해서 레지스트액을 도포하면서 X방향 부방향으로 이동하고, 이와 같이 하여, 웨이퍼(W) 바깥쪽까지 진행하여 정지한다. 그리고, 웨이퍼(W)가 소정거리 Y 방향으로 어긋나, 다시 토출노즐(85)은 되돌려서 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포한다.

이상의 공정을 반복하여, 토출노즐(85)이, 도 8에 나타내는 END 위치까지 오는 곳에서 토출을 정지하고, 도포가 종료한다. 이것에 의해서, 토출노즐(85)의 궤적은 도 8에 나타낸 바와 같게되고, 웨이퍼(W)의 전면에 소위 한번에 쓰기 요령으로 레지스트액이 도포된다. 그 후 재치대(65)에 부착되어 있는 고주파진동자(67)에 의해 웨이퍼(W)가 진동되어, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액이 평탄화된다. 그리 고 최종적으로, 웨이퍼(W) 상의 도포범위에는, 레지스트액이 얼룩없이 도포되어, 소정의 막후의 레지스트막이 형성된다.

그렇지만, 토출되는 레지스트액은, 그 농도가 1.5%로 희석된 것을 사용하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)가 소정거리 Y 방향으로 어긋나도록 도포하여도 습윤성 (wettablity) 의해 도포된 레지스트액의 높낮이가 낮고, 또한 피치를 비워 이웃에 도포된 레지스트액과 달라붙어, 전체적으로 평탄성이 양호하고 균일한 레지스트막을 형성하는 것이 가능하다.

레지스트액의 도포의 종료 후, 마스크부재(70)가 도시하지 않은 반송기구에 의해 외용기(61)내에서 반출되어, 그 후, 내용기(62)가 내용기 구동장치(64)에 의해 반송부(L)에 이동된다. 그리고, 주반송장치(13)에 의해 케이싱(60)내로부터 반출되어, 다음 공정이 행하여지는 배큠드라잉 장치(33)로 반송되어, 감압 건조처리된다.

이상의 실시의 형태에 있어서의 토출노즐(85)은, 스텐레스의 박판인 노즐플레이트(95)를 사용함으로써, 가공이 용이하기 때문에 직경 10μm에서 200μm 정도의 작은 토출구를 갖고 있다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 도포범위 이외에서의 레지스트액의 도포량이 감소하기 때문에, 웨이퍼(W)의 레지스트도포에 필요한 레지스트액의 량이 감소한다. 또한, 보다 상세하게 토출량 혹은 토출범위를 제어할 수 있는 것으로부터, 생산수율의 향상으로 이어진다. 또, 상술한 노즐플레이트(95)에는, 스텐레스를 사용하였지만 그 밖의 금속, 예를 들어, 알루미늄, 황동 등이라도 좋고, PTFE 수지, 세라믹 등의 비금속재료라도 좋다.

노즐플레이트(95)의 토출구(94)의 양면둘레가장자리부(94a, 94 b)에 테이퍼를 설치하여, 발수처리를 실시함으로써, 보다 부드럽게 레지스트액이 토출되어, 레지스트액의 토출선의 직경이나 토출방향이 안정하기 때문에, 소정의 레지스트액이 적절히 도포된다. 또, 이와 같이 토출구(94)의 양면둘레가장자리부(94a, 94b)에 테이퍼를 설치하는 경우의 다른, 도 9에 나타낸 바와 같이, 윗면둘레가장자리부만(도 9(a)), 아래면둘레가장자리부만(도 9(b))일지라도 좋다. 더욱이, 도 9의(c)에서와 같이, 토출구(94)의 아래면둘레가장자리부의 주변부에, 요부(95a)를 형성하더라도 좋다. 이렇게 함으로써, 토출되는 레지스트액이 노즐플레이트(95)의 아래면과의 사이에 작용하는 표면장력의 영향을 억제할 수 있으므로, 레지스트액의 토출방향을 안정시켜 웨이퍼(W)에 공급할 수가 있다.

상술한 실시의 형태에서는, 외본체(97)에 펠티어 소자(100)를 부착함으로써, 노즐플레이트(95)와 내본체(96)내를 흐르는 레지스트액이 소정의 온도로 유지되기 때문에, 노즐플레이트(95)의 토출구의 직경과 레지스트액의 점성 등의 물성이 안정하고, 소정의 레지스트액이 적절히 도포된다.

상술한 노즐플레이트(95)는 내본체(96)와 외본체(97)를 떼어냄으로써, 착탈가능하기 때문에, 노즐플레이트(95)를 세정하는 경우 또는 직경이 다른 노즐플레이트(95)를 사용하는 경우에 토출노즐(85)자체를 교환하는 필요가 없어 편리하다.

상술한 바와 같이, 노즐플레이트(95)와 레지스트액의 온도를 유지시키기 위해서, 펠티어 소자(100)를 사용하였지만, 그 밖의 방법 예를 들어 서모 모듈 (thermo-module)로 온도조절하더라도 좋다.

우선, 도 10 에 도시한 바와 같이, 외본체(97)에 온도조절된 가스 또는 액체를 흘리는 유로(105)를 설치하여 온도조절하도록 하더라도 좋다. 또한, 이 유로 (105)를 내본체(96)에 부착하도록 하더라도 좋다. 또한, 펠티어 소자 등의 직접 냉열소자를 내본체(96)에 부착하더라도 좋다. 또한, 노즐플레이트(95)에 직접 냉열소자를 부착하도록 하더라도 좋다.

상술한 노즐플레이트(95)의 발수처리는, 재질이 알루미늄의 노즐플레이트에 테프론 가공하거나, 알루마이트, 크로메이트, 금도금, 은도금하여도 동일한 효과를 얻을 수 있고, 레지스트액을 부드럽게 토출시킬 수 있다. 노즐플레이트(95)의 토출구(94)는, 1개만이 설치되었지만, 여러개 일지라도 좋다. 이렇게 함으로써, 직경을 작게 함으로 인한 도포 속도의 저하가 회피되고, 생산성의 향상이 도모된다.

도 11에 나타낸 토출노즐(85)은 상술한 노즐플레이트(95)를 채용하지 않고, 세라믹스제의 외본체(97)의 아래면에, 돌출부(97a)를 형성하고, 돌출부(97a)의 아래면에 박판부(97b)를 채용하여 이 박판부(97b)에 토출구(94)를 형성한 것이다. PTFE로 이루어지는 내본체(96)의 하단면(96b)에는, 고리형상홈(98)이 형성되어, 이 고리형상홈(98)내에는, O링(98a)이 끼워져 있다.

이러한 도 11의 토출노즐(85)에서는, 금속제의 노즐플레이트를 채용하고 있지 않고, 그렇지만 내본체(96), 외본체(97) 모두가 금속재료가 아니기 때문에, 전체로서 금속오염을 야기하지 않는다. 또한 노즐플레이트를 채용하지 않기 때문에, 부품수도 저감하고 있다. 또 토출구(94)의 여러 가지의 형태에 있어서는, 상술한 각 실시형태의 토출구의 변형예를 그대로 채용할 수 있다.

외본체(97)의 외형, 특히 측둘레면에 있어서는, 도 12에 나타낸 바와 같이, 사각형이 적합하다. 외본체(97)의 외형을 사각형으로 하는 것으로, 다른 토출노즐 (85)과 접촉하여 병렬사용할 때, 양 토출노즐(85)을 고정하기 쉽고, 또한 안정한 고정 상태가 실현된다.

여기서, 상술한 실시형태에서는, 레지스트액을 웨이퍼(W)에 대하여 위쪽으로부터 토출하였지만, 본 발명은 웨이퍼(W)의 표면을 아래면으로 한 상태로, 이 웨이퍼(W)의 아래쪽에서 위쪽으로 향하여 토출하고, 레지스트막을 형성하는 경우에도 적용할 수 있다. 소위 한번에 쓰기 요령으로 레지스트액을 도포했지만, 그 밖의 방식 예를 들어, 웨이퍼(W)를 회전시켜 레지스트액을 도포하는 스핀코팅 방식 등으로 도포하는 경우에도 응용가능하다.

다음에 다른 실시의 형태에 관해서 설명한다. 도 13, 14에 나타낸 레지스트 도포장치(17)는. 도 4, 도 5에 나타낸 레지스트 도포장치(17)와 기본적으로 동일한 구성을 갖고 있다. 덮개(80)의 슬릿(80a)은, 후술하는 토출노즐(85)이 그 범위를 이동할 수 있도록 형성되어 있기 때문에, 원래, 토출노즐(85)의 웨이퍼(W)에 레지스트액을 공급하기 위해서 필요한 이동범위, 즉 웨이퍼(W)의 직경의 일끝단부에서 다른 끝단부까지 열려져 있으면 충분하다. 그러나, 본 실시형태에서는, 상기 내용기(62)의 X방향 정방향 바깥쪽에 후술하는 토출노즐(85)의 세정블록(205)을 설치하였기 때문에, 그 세정위치(S)까지 상기 토출노즐(85)이 이동가능하도록 슬릿 (80a)의 길이가 X방향 정방향으로 연장되어 있다.

덮개(80)의 슬릿(80a) 내에는, 레지스트액을 토출하는 토출노즐(85)이 아래 쪽의 웨이퍼(W)에 레지스트액을 토출가능해지도록 위치한다. 도 15에 도시한 바와 같이, 이 토출노즐(85)은, 홀더(94)에 고정되어, 이 홀더(94)는, X방향으로 연장하는 타이밍벨트(86)에 부착되고 있다. 이 타이밍벨트(86)는, 덮개(80)상에 설치될 수 있는 풀리(88, 89)사이에 걸어지고, 풀리(88)는 도시하지 않은 모터 등의 회전기구에 의해서 정회전·반전된다. 그 결과, 타이밍벨트(86)의 이동에 따라, 토출노즐(85)은 덮개(80)의 슬릿(80a) 내를 왕복이동할 수 있다. 따라서, 토출노즐 (85)이 아래쪽의 웨이퍼(W)에 대하여 상대적으로 이동하면서 레지스트액을 토출하고, 또한, 내용기(62)가 Y 방향으로 간헐적으로 이동함으로써, 소위 한번에 쓰기의 요령으로 웨이퍼(W) 전면에 레지스트액을 공급할 수가 있다. 또한, 토출노즐(85)을 세정하는 때는, 상술한 내용기(62)외의 세정위치(S)까지 토출노즐(85)을 이동할 수가 있다. 토출노즐(85)의 구성은, 기술한 도 6에 나타낸 바와 같다.

도 13∼15에 도시한 바와 같이, 상술한 토출노즐(85)의 세정위치(S)의 아래쪽으로는, 이 토출노즐(85)을 세정하는 세정블록(205)이 설치된다. 이 세정블록 (205)은. 세정홀더(206)에 의해 유지되어, 이 세정블록 홀더(206)는 외용기(61)의 내벽에 수직하게 설치된 수직레일(207)상을 이동가능하게 부착되어 있다. 따라서, 이 세정블록(85)은 도시하지 않은 구동기구에 의해 상하로 이동이 자유롭다.

이 세정블록(205)은 도 16에 나타낸 바와 같이 대략 통형상으로 형성되고, 그 상면의 중앙에는 세정 요부로서 세정공간(T)이 형성되어 있다. 또한, 그 세정공간(T) 내측면에는 세정액의 분출하는 분출구(205a)가 개구되어 있고, 이 분출구 (205a)로 통하는 분출경로(205b)가 세정블록(205) 중에 형성되어 있다. 이 세정공 간(T)으로 분출되는 세정액에는, 도시하지 않은 세정액 공급원에 있어서, 예를 들어 진동소자에 의해 초음파가 부가되도록 되어 있다. 따라서, 도시하지 않은 세정액 공급원 보다 초음파 진동된 세정액이 이 분출경로(205b)를 통하여 세정공간(T)으로 분출된다.

세정공간(T) 내의 저면에는, 이 세정공간(T) 내의 분위기를 흡인하는 흡인구 (205c)가 개구되어 있고, 이 흡인구(205c)로 통하는 흡인경로(205d)도 세정블록 (205)내에 형성되어 있다. 따라서, 이 흡인경로(205d)로부터 흡인됨으로써, 세정 중에는 세정공간(T) 내의 세정액을 배액하고, 건조 중에는, 기류를 발생시켜, 건조를 촉진시킬 수 있다.

세정블록(205) 윗면에는, 세정공간(T)의 주위에 복수의 돌출부(205e)가 설치된다. 이 돌출부(205e)에 의해 세정할 때에 토출노즐(85)의 외본체(97)의 아래면이 돌출부(205e)에 접촉하고, 외본체(97)와 세정블록(205)의 사이에 간극이 생긴다. 세정블록(205)의 윗면의 둘레가장자리부에는, 둑부(205f)가 철형상으로 설치되어 있고 이것은, 세정액의 비산을 방지하는 커버로서의 기능도 수행한다.

상술한 도 13, 도 14의 레지스트 도포장치(17)에 의하면, 상술한 도 8에 나타낸 바와 같이, 토출노즐(85)의 도포궤적에 의해 웨이퍼(W)의 전면에 소위 한번에 쓰기 요령으로 레지스트액이 도포된다.

상술한 도포처리에 있어서 사용된 토출노즐(85)은 웨이퍼(W)의 소정의 처리 매수마다 혹은, 레시피(recipe) 또는 소정시간 마다 세정된다.

도 15에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 도포처리를 종료시킨 토출노즐(85) 은 홀더(94)에 유지된 상태로 타이밍벨트(86)에 의해 세정위치(S)까지 이동되어 대기한다. 그 후, 세정위치(S) 아래쪽에서 대기하고 있는 세정블록(205)이 도 13에 나타낸 수직 레일(207)을 따라 상승하고, 도 17에 나타낸 바와 같이 토출노즐(85)의 하단부(외본체(97)의 아래면)와 세정블록(205)의 돌출부(205e)가 접촉하는 곳에서 정지한다. 이 때, 토출노즐(85)의 토출구(94)와 세정블록(205)의 세정공간(T)이 대향하도록 토출노즐(85)의 중심축과 세정블록(205)의 중심축이 거의 일치하는 것이 바람직하다.

다음에 도시하지 않은 세정액 공급원으로부터 초음파 진동된 세정액이, 세정블록(206)의 분출경로(205b)를 통해 세정공간(T)에 공급된다. 이 때, 세정액의 공급량과 흡인량이 일치하도록 흡인구(205c)에서 세정액을 흡인한다. 따라서, 세정공간(T)내에 분출된 세정액은, 토출구(94)까지 도달하여, 토출구(94)를 세정한 후, 흡인구(105c)에서 배액된다. 이 세정공정이 소정시간 행하여진 후, 세정액의 분출을 정지시킨다. 한편, 흡인구(205c)부터의 흡인은 계속해서 행하여진다. 그렇다면, 빈틈(d)으로부터 주위의 분위기가 토출구(94) 부근으로 유입하여, 토출구(94)의 건조가 촉진된다. 이 때, 더욱 건조를 촉진시키기 위해, 흡인속도를 올려도 좋다.

상기한 바와 같이, 건조공정이 소정시간 행하여진 후, 토출구(94)로부터 레지스트액의 더미디스펜스가 행하여진다. 이어서 흡인구(205c)부터의 흡인을 정지시키면, 세정·건조공정이 종료한다. 그 후, 세정블록(205)은 수직 레일(207)을 따라 하강하고, 소정의 위치로 복귀된다. 이것으로서 일련의 토출노즐(85)의 세정 프로세스가 종료한다.

이상의 실시의 형태에 의하면, 토출노즐(85)의 토출구(94)에 세정액을 분출시켜서, 노즐플레이트(95)의 세정을 행하기 때문에, 토출구(94)가 미소한 직경일지라도 보다 미세한 오염을 보다 완전히 제거할 수 있다. 또한, 여기서 사용되는 세정액을 초음파 진동시킨 것으로, 세정능력을 증대시킬 수 있다. 또, 세정능력을 강화하기 위해서 세정액에 거품을 혼입시키던가, 세정액를 간헐적으로 분출시키던가, 고압으로 분출시키던가, 분출구를 분할하여 복수 샤워형상으로 분출시켜도 좋다.

세정블록(205)에 흡인구(205c)를 설치하여, 이 흡인구(205c)에서 흡인함으로써, 세정액 분출시에는 세정액의 배액이 행하여져, 건조시에는 건조를 촉진시키다. 따라서, 단순한 기구 하에서, 적절히 세정·건조된다. 세정블록(205)의 상면에 돌출부(205f)를 설치한 것에 의해, 세정블록(205)과 토출노즐(85) 사이의 간극(d)이 형성되어 있기 때문에, 흡인구(205c)로부터 흡인되면, 그 간극(d)으로부터 주위의 공기가 건조용 기체로서 사용된다.

세정블록(205)을, 상기 토출노즐(85)의 이동범위내, 즉 슬릿(80a) 내의 세정위치(S)의 아래쪽에 배치하는 바와 같이, 상하이동 가능하게 설치하는 것에 의해, 토출노즐(85) 자체를 반송하는 기구를 별도 설치하여 토출노즐(85)을 소정의 위치로 반송시켜 세정할 필요가 없다. 상기 실시 형태에서는, 원래의 토출노즐(85)의 슬라이드 범위를 연장시켜 슬릿(80a) 끝단(세정위치(S))에 세정블록(205)을 설치하여, 세정블록(105)을 상하로 이동하도록 하였지만, 세정블록(205)을 반송수단로서 의 적절한 아암에 지지시켜, 이 아암을 상기 슬릿(80a) 내에 이동가능하게 설치하도록 하여도 좋다. 슬릿(80a)의 폭을 원래의 웨이퍼(W)의 도포에 필요한 범위로 하고, 세정블록(205)을 지지한 아암을 이 범위로 이동하도록 하여도 좋다. 또한, 아암의 부착 위치도 외용기(61)의 내벽에 한하지 않고, 내용기(62)의 내벽에 설치하여도 좋다.

이상의 실시의 형태에 있어서의 세정블록(205)에 토출구(94)에 대하여 건조용의 불활성 기체를 공급하는 기체 공급수단을 설치하더라도 좋다. 즉, 도 18에 나타낸 바와 같이 세정블록(210)의 세정공간(T) 내의 측벽에 개구한 기체공급구 (210a)를, 세정블록(210)에 설치하여, 기체공급구(210a)로 통하는 기체공급경로 (20b)를 세정블록(210)내에 설치한다. 세정블록(210)의 윗면에는, 상술한 세정블록(205)과 같이 돌출부(205e)를 설치하더라도 좋지만, 건조용의 기체를 기체공급구 (210a), 기체공급경로(210b)에 의해서 적극적으로 공급하기 위해서, 오히려 설치하지 않아도 좋다. 상기 실시형태와 마찬가지로 세정공정이 종료된 후, 이 기체공급구(210a)로부터 불활성기체, 예를 들어 질소가스를 세정공간(T) 내에 공급하고, 흡인구(210c)에서 배기하여, 노즐플레이트(95)의 건조를 행하여도 좋다.

상술한 실시의 형태에서는, 세정공간(T) 내측면에서 세정액을 분출하고, 세정공간(T) 저면으로부터 세정액이나 분위기 등을 흡인 하였지만, 도 19에 나타낸 바와 같이 세정블록(215)의 세정공간(T)내의 측면에 세정액 등을 흡인하는 흡인구 (215c)를 설치하여도 좋다. 이 예에서는, 세정액을 토출노즐(85)의 토출구(94)에 대향하여 분출할 수 있으므로, 세정액의 분출압이 그대로 토출구(94)에 전해져서 세정 효과가 높다.

이 경우, 흡인구(215c)로부터의 배기압은 분출구(215a)로부터의 분출압 보다도 높게 하는 것으로, 토출노즐(85)의 토출구로부터의 잔류액을 흡인할 수 있고, 보다 확실히 토출구(94)의 세정을 실시하는 것이 가능하다.

상술한 실시의 형태에 있어서의 토출노즐(85)에는 누름 부재로서의 외본체 (97)가 설치되어 있지만, 외본체(97) 없이 노즐플레이트(95)가 직접 내본체(96)에 고정되어 있는 경우에는, 노즐플레이트(95)의 아래면에 직접 세정블록(205)을 밀착하더라도 좋다.

이상의 실시의 형태에 있어서의 세정 타이밍은 상술한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 매수마다, 또는 소정 시간 간격으로 미리 설정한 타이밍으로 행하고 있지만, 토출노즐(85)의 토출구(94)가 오염된 경우에만 세정을 행하더라도 좋다. 이하에 이 토출구(94)가 오염된 것을 검출하는 장치에 대하여 설명한다.

도 20에 나타낸 예에서는, 상기 토출노즐(85)에 레지스트액을 공급하는 공급수단으로서, 다이어그램식의 펌프(220)를 사용하고, 토출노즐(85)까지의 공급관 (221)에는 토출압력을 측정하는 압력계(222)가 설치된다. 압력계(222)의 측정치에 근거하여 펌프(220)를 제어하는 펌프 제어장치(223)가 설치되어 있고, 이 펌프제어장치(223)에 의해서, 레지스트액의 토출압이 항상 일정하게 유지되도록 펌프(220)가 제어된다. 펌프(220)는 다이어그램식이기 때문에, 상기 압력의 측정치에 근거하여 누름량(forcing amount : M)을 변화시켜 레지스트액의 토출압은 일정하게 유지된다. 토출구(94)가 오염되어 누름량(M)이 소정의 값 이상 변화한 것을 장점으 로서, 세정블록(205)이나 토출노즐(85)의 구동기구에 대하여 세정의 개시를 명령하는 세정 제어장치(224)가 구비되고 있다.

펌프제어장치(223)에, 각종의 레지스트액의 성질, 예를 들어 점도 등에 대하는 펌프(220)의 누름량(M)이 기억되어, 그 변화량(N)을 산출하는 검출수단으로서의 검출기능이 부착되어, 그 변화량(N)은 수시 산출된다. 통상은, 공급관(221)내의 압력을 일정하게 유지하기 위한 누름량(M)은, 일정속도로 증가하기 때문에 펌프 (220)의 상기 변화량(N)은 일정하다. 그러나, 토출노즐(85)이 오염되어, 레지스트액이 토출되기 어렵게 되면, 공급관(221)내의 압력을 일정하게 유지하기 위해서, 펌프(220)의 누름량(M)의 속도가 펌프제어장치(223)에 의해서 감속된다. 이때에 펌프(220)의 상기 변화량(N)이 변동한다.

이 변동 신호가 세정제어장치(224)로 보내어 지고, 또한, 세정제어장치(224)로부터의 명령에 의해 세정블록(205)과 토출노즐(85)의 구동기구가 기동되어, 상술한 바와 같이, 토출노즐(85)의 세정처리가 시작된다. 따라서, 이 변화량(N)을 수시 산출하여, 관측해둠으로써, 오염의 타이밍 즉, 세정 타이밍을 검출할 수 있다.

펌프(220)가 다이어그램식이 아니어도 예를 들어, 회전식의 펌프이더라도 마찬가지로, 그 펌프의 회전수의 변화량, 전력소비량의 변화량 등을 관측하여 둠으로써, 세정타이밍을 감지할 수가 있다.

더욱이, 토출노즐(85)을 직접 관측하고, 그 화상 데이터에 따라 세정타이밍을 감지하여도 좋다. 이 경우, 예를 들어, 토출노즐(85)의 토출구(94)를 관측하는 CCD 카메라를 부착하여, 수시 관측시켜 놓음으로써 실현된다.

도 21에 나타낸 토출노즐(85)은, 노즐플레이트를 가지지 않고, 세라믹스제의 외본체(97)의 아래면에, 돌출부(97a)를 형성하고, 돌출부(97a)의 아래면에 박판부 (97b)를 채용하여, 이 박판부(97b)에 토출구(94)를 형성한 것이다. PTFE로 이루어지는 내본체(96)의 하단면(96b)에는, 고리형상홈(98)이 형성되어, 이 고리형상홈 (98)내에는, O 링(98a)이 끼워져 있다.

이러한 도 21의 토출노즐(85)에서는, 금속제의 노즐플레이트를 채용하고 있지 않고, 더구나 내본체(96), 외본체(97) 모두가 금속재료가 아니기 때문에, 전체적으로 금속 오염을 야기하지 않는다. 또한 노즐플레이트를 채용하지 않기 때문에, 부품수도 저감하고 있다. 외본체(97)의 외형, 특히 측둘레면에 있어서는, 사각형이 적합하다. 외본체(97)의 외형을 사각형으로 함으로써, 다른 토출노즐(85)과 접촉하여 병렬사용할 때, 양 토출노즐(85)을 고정하기 쉽고, 또한 안정한 고정상태를 실현할 수 있다.

도 21에 나타낸 세정블록(205)에서는, 흡입구(205c)는 수평으로 형성되어 있다. 그리고 세정공간(T)의 저면은, 역 원추형 형상을 이루고, 세정액의 고임부 (205f)가 형성되어 있다. 따라서, 세정액은 이 고임부(205f)에 고이게 되고, 그 증기에 의해 토출노즐(94)의 건조가 방지된다.

이상의 실시 형태에서는 소위 한번에 쓰기 요령으로 레지스트액을 도포하고 있지만, 웨이퍼(W)를 회전시켜 레지스트액을 도포하는 스핀코팅 방식 등으로 도포 하는 경우에도 본 발명은 적용가능하다.

또한, 이상의 실시형태로서는, 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하고, 레지스트막을 형성하는 막 형성 장치이지만, 본 발명은, 절연막 등의 다른 막 형성 장치, 예를 들어 SOD, SOG 막 형성 장치에 있어서도 적용할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W) 이외의 기판 예를 들어 LCD 기판의 막 형성 장치에도 적용된다.

이상의 실시의 형태는 본 발명의 이해를 쉽게 한다. 그렇지만 본 발명은, 이상의 실시의 형태에 한정되어 해석되지 않는다. 본 발명의 정신에 따라서 이루어진 여러 가지의 개량, 변형 예도 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.

Claims

토출노즐로부터 기판에 도포액을 공급하여 이 기판 표면에 막을 형성하는 막 형성 장치로서,

상기 토출노즐은, 통형상의 지지부재와, 상기 지지부재의 기판측의 면에 지지되어, 상기 기판측의 면을 폐쇄하는 박판을 갖고,

상기 박판에는, 상기 기판에 도포액을 토출하는 토출구가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 1 항에 있어서, 바깥쪽으로부터 상기 박판을 상기 지지부재에 대하여 고정하는 누름 부재를 갖는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 2 항에 있어서, 상기 토출구에 있어서의 기판측의 면의 둘레가장자리부는, 상기 기판측으로 가까이 감에 따라, 상기 토출구의 직경이 커지도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 2 항에 있어서, 상기 토출구에 있어서 상기 기판측의 면의 반대측의 면의 둘레가장자리부는, 상기 기판으로 가까이 감에 따라, 상기 토출구의 직경이 작아지도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 2 항에 있어서, 상기 토출구에 있어서 기판측의 면의 둘레가장자리부의 주변부는, 요부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 2 항에 있어서, 적어도 상기 토출구는 상기 도포액에 대하여 발수처리가 이루어지는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 2 항에 있어서, 상기 박판은 상기 지지부재에 대하여 착탈가능한 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 2 항에 있어서, 상기 토출구는 상기 박판에 복수개 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 2 항에 있어서, 상기 토출노즐은 상기 기판에 대하여 수평방향으로 이동가능한 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 2 항에 있어서, 상기 박판의 온도를 조절할 수 있는 온도조절 장치를 더 갖는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 2 항에 있어서, 상기 지지 부재에는 온도조절용의 유체가 흐르는 통로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 2 항에 있어서, 상기 누름 부재에는 온도조절용의 유체가 흐르는 통로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 10 항에 있어서, 상기 온도조절 장치는 전자 냉열 소자이고, 이 냉열 소자는 상기 지지부재 또는 상기 누름 부재에 접촉하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 2 항에 있어서, 상기 도포액은 포토레지스트 형성용 도포액으로서, 이 도포액 중의 포토레지스트 막 형성 성분의 분량은 도포액의 1.0%∼7.0%인 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 2 항에 있어서, 상기 도포액은 층간 절연막 형성용 도포액으로서, 이 도포액 중의 층간 절연막 형성 성분의 분량은 도포액의 1.0%∼8.0%인 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 2 항에 있어서, 상기 누름 부재의 측둘레면은 사각형인 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
토출노즐로부터 기판에 도포액을 공급하여 이 기판 표면에 막을 형성하는 막 형성 장치로서,

상기 토출노즐은, 통형상의 지지부재와, 상기 지지부재의 기판측의 면에 배치되어, 상기 기판측의 면을 폐쇄하는 박판부을 갖고,

상기 박판부는, 상기 지지부재에 대하여 착탈가능한 누름 부재와 일체화되고,

상기 박판부에는 상기 기판에 도포액을 토출하는 토출구가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 17 항에 있어서, 상기 토출구에 있어서의 기판측의 면의 반대측의 면의 둘레가장자리부는, 상기 기판측으로 가까이 감에 따라, 상기 토출구의 직경이 작아지도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 17 항에 있어서, 상기 토출구에 있어서 기판측의 면의 둘레가장자리부의 주변부에는, 요부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 17 항에 있어서, 적어도 상기 토출구는 상기 도포액에 대하여 발수처리가 이루어지는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 17 항에 있어서, 상기 토출구는 상기 박판에 복수개 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 17 항에 있어서, 상기 토출노즐은 상기 기판에 대하여 수평방향으로 이동가능한 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 17 항에 있어서, 상기 박판부의 온도를 조절할 수 있는 온도조절 장치를 더 갖는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 17 항에 있어서, 상기 지지 부재에는 온도조절용의 유체가 흐르는 통로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 17 항에 있어서, 상기 누름 부재에는 온도조절용의 유체가 흐르는 통로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 23 항에 있어서, 상기 온도조절 장치는 전자 냉열 소자이고, 이 냉열 소자는 상기 지지부재 또는 상기 누름 부재에 접촉하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 17 항에 있어서, 상기 도포액은 포토레지스트 형성용 도포액으로서, 이 도포액 중의 포토레지스트 막 형성 성분의 분량은 도포액의 1.0%∼7.0%인 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 17 항에 있어서, 상기 도포액은 층간 절연막 형성용 도포액으로서, 이 도포액 중의 층간 절연막 형성 성분의 분량은 도포액의 1.0%∼8.0%인 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
토출노즐로부터 기판에 도포액을 공급하여 이 기판 표면에 막을 형성하는 막 형성 장치로서,

상기 토출노즐을 세정하는 세정장치를 갖고,

상기 토출노즐은 통형상의 지지부재와, 상기 지지부재의 아래면에 설치되어 그 아래면을 폐쇄하는 박판과, 상기 박판에 형성된 토출구를 갖고,

상기 세정장치는 상기 토출노즐의 토출구에 대하여 세정용의 세정액을 분출시키는 세정액 분출기구와, 상기 토출구 부근의 분위기를 흡인하는 흡인기구를 갖는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
토출노즐로부터 기판에 도포액을 공급하여 이 기판 표면에 막을 형성하는 막 형성 장치로서,

상기 토출노즐을 세정하는 세정장치를 갖고,

상기 토출노즐은, 통형상의 지지부재와, 상기 지지부재의 아래면에 설치되 어, 그 아래면을 폐쇄하는 박판과, 이 박판에 형성된 토출구를 갖고,

상기 세정장치는 상기 박판에 밀착하는 평탄한 밀착부를 상단에 갖는 세정블럭을 갖고,

상기 세정블록이 상기 박판과 밀착된 때에 상기 토출노즐의 토출구로 향하여 세정액을 분출하는 세정액 분출기구와, 상기 토출구 부근의 분위기를 흡인하는 흡인기구가 상기 세정블록에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
토출노즐로부터 기판에 도포액을 공급하여 이 기판 표면에 막을 형성하는 막 형성 장치로서,

상기 토출노즐을 세정하는 세정장치를 갖고,

상기 토출노즐은, 통형상의 지지부재와, 상기 지지부재의 아래면에 설치되어, 그 아래면을 폐쇄하는 박판과, 이 박판에 형성된 토출구와, 바깥쪽으로부터 상기 박판을 상기 지지부재에 대하여 고정하는 누름 부재를 갖고,

상기 세정장치는 상기 누름 부재에 밀착하는 평탄한 밀착부를 상단에 갖는 세정블럭을 갖고,

상기 세정블록이 상기 누름 부재와 밀착된 때에 상기 토출노즐의 토출구로 향하여 세정액을 분출하는 세정액 분출기구와, 상기 토출구 부근의 분위기를 흡인하는 흡인기구가 세정블록에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
토출노즐로부터 기판에 도포액을 공급하여 이 기판 표면에 막을 형성하는 막 형성 장치로서,

상기 토출노즐과 접촉하여 상기 토출노즐을 세정하는 세정장치를 갖고,

상기 토출노즐은, 통형상의 지지부재와, 상기 지지부재의 아래면에 지지되어, 그 아래면을 폐쇄하는 박판과, 이 박판에 형성된 소정 직경의 토출구를 갖고,

상기 세정장치는 상기 박판에 접촉하는 측의 면에 돌출부를 갖는 세정 블록을 갖고,

상기 돌출부를 통하여 상기 세정블록과 상기 박판이 접촉한 때에, 상기 토출노즐의 토출구로 향하여 세정액을 분출하는 세정액 분출기구와, 상기 토출구 부근의 분위기를 흡인하는 흡인기구가 세정블록에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
토출노즐로부터 기판에 도포액을 공급하여 이 기판 표면에 막을 형성하는 막 형성 장치로서,

상기 토출노즐과 접촉하여 상기 토출노즐을 세정하는 세정장치를 갖고,

상기 토출노즐은 통형상의 지지부재와, 상기 지지부재의 아래면에 지지되어, 그 아래면을 폐쇄하는 박판과, 이 박판에 형성된 토출구와, 바깥쪽으로부터 상기 박판을 상기 지지부재에 대하여 고정하는 누름 부재를 갖고,

상기 세정장치는 상기 누름 부재와 접촉하는 측의 면에 돌출부를 갖는 세정 블록을 갖고,

상기 돌출부를 통하여 상기 세정블록과 상기 누름 부재가 접촉한 때에, 상기 토출노즐의 토출구로 향하여 세정액을 분출하는 세정액 분출기구와, 상기 토출구 부근의 분위기를 흡인하는 흡인기구가 세정블록에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 31 항에 있어서, 상기 박판은 상기 누름 부재와 일체로 이루어진 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 34 항에 있어서,

상기 누름 부재와 상기 밀착부 사이에 씰링재가 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 33 항에 있어서, 상기 박판은 상기 누름 부재와 일체로 이루어진 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 30 항에 있어서, 상기 세정 블록 상부의 중심에는 세정 요부가 형성되고,

상기 분출구와 흡인구는 상기 세정 요부내에 개구되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 37 항에 있어서, 상기 분출구로 통하는 분출 경로와, 상기 흡인구로 통하는 흡인경로는 상기 세정블록 내에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 37 항에 있어서, 상기 세정 블록에는 상기 분출 노즐의 토출구로 향하여 건조용의 불활성 기체를 공급하는 기체 공급 기구를 갖고,

불활성 기체의 공급구는 상기 세정 요부 내에 개구하고 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 39 항에 있어서, 상기 분출구로 통하는 분출 경로와, 상기 흡인구로 통하는 흡인경로와, 상기 공급구로 통하는 공급 경로는 상기 세정블록 내에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 39 항에 있어서, 상기 불활성 기체는 소정 온도로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 34 항에 있어서, 상기 분출구는 토출노즐의 토출구에 대하여 대향하는 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 34 항에 있어서, 상기 흡인구는 토출노즐의 토출구에 대하여 대향하는 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 30 항에 있어서, 상기 토출노즐은 기판에 대하여 상대적으로 이동가능하고,

상기 세정 블록은 상기 토출노즐의 이동범위 내에 배치되고, 또한, 상하로 이동가능한 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 30 항에 있어서, 상기 토출노즐은 기판에 대하여 상대적으로 이동가능하고,

상기 세정 블록은 상기 토출노즐의 이동범위 내로 이동가능한 반송기구에 유지되고, 이 반송기구는 상하로 이동가능한 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 29 항에 있어서, 상기 분출되는 세정액에는 초음파가 부여되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 29 항에 있어서, 상기 분출되는 세정액에는 기포가 혼입되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 29 항에 있어서, 상기 분출되는 세정액은 간헐적으로 분출되는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 29 항에 있어서, 상기 세정액을 분출하는 분출구는 복수인 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 29 항에 있어서, 상기 토출노즐에 도포액을 공급하는 다이어그램식 펌프와, 이 펌프의 누름량의 변화를 검출하는 검출기구를 갖고, 이 검출기구의 검출 결과에 기초하여 상기 세정 장치에 의한 세정을 개시시키는 세정제어장치를 갖는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
제 29 항에 있어서, 상기 세정 블록에는 상기 토출노즐의 적어도 아래쪽 주위를 덮는 커버가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.