JP2001189266A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被処理基板の外縁部における特殊な気流状態
を解消でき、これによって膜厚の跳ね上がりを防止でき
る基板処理装置を提供する。 【解決手段】 表面にレジスト液が供給されるウエハＷ
を保持するためスピンチャック１０と、このスピンチャ
ック１０を収容し、底部から排気を行うことで、ウエハ
Ｗ周辺の雰囲気を強制排気するカップ２４と、このカッ
プ２４内に設けられ、ウエハＷの外周を囲み、ウエハＷ
付近の気流を制御する気流制御板２５とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理基板の表面にレジスト液等の処理液を塗布する基
板処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイス（ＩＣチップ）やＬＣＤ
の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィー技術
を利用することで、半導体ウエハやガラス基板等の被処
理基板の表面に微細なパターンを高精度かつ高密度に形
成する。

【０００３】例えば、半導体デバイスの製造において
は、半導体ウエハの表面にレジスト液を塗布した後、こ
れを所定のパターンに露光し、さらに現像処理・エッチ
ング処理することにより所定の回路パターンを形成する
ようにしている。

【０００４】近年、フォトリソグラフィ技術によって形
成するべき半導体回路の線幅がますます微細化する傾向
にあり、これに伴いレジスト膜の薄膜化及び膜厚の均一
化が厳しく要求されている。すなわち、形成される回路
の線幅は、このレジスト液の膜厚と、露光波長とに比例
することから、レジスト液の膜厚はできる限り薄くかつ
均一にすることが好ましい。

【０００５】スピンコーティング法では、ウエハ回転速
度を調整することによりレジスト膜厚を制御することが
できる。このため、例えば３００ｍｍウエハの場合、２
０００〜４０００ｒｐｍと、かなりの高速でウエハを回
転させることによって薄膜化を図るようにしている。

【０００６】このスピンコーティング法では、ウエハを
高速で回転させるため、ウエハの縁部からこのウエハ外
に飛散するレジスト液の量が非常に多い。スピンコーテ
ィング法では、この飛散するレジスト液を受け止めるた
め、ウエハをカップ内で回転させている。

【０００７】また、この場合、ウエハの縁部から飛散し
たレジスト液がミスト状となってカップの上方に舞い上
がって他の装置を汚染することがないように、カップの
底部から排気を行なうようにしている。すなわち、これ
にによりクリーンルーム内のダウンフローをカップ上側
から引き込み、カップ内に上側から下側に向かう気流を
形成することによってレジスト液のミストがカップの上
側に飛散する防止するようにしている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このように
ウエハを高速で回転させるレジスト塗布装置の場合、ウ
エハの周縁部のレジスト膜のみが他の部分と比較して盛
り上がる現象（膜厚跳ね上がり現象）が生じる場合があ
る。

【０００９】本発明の目的は、被処理基板上に塗布され
た塗布膜を遠心力で広げて薄膜化を図る工程において、
被処理基板の外縁部の塗布膜の膜厚が跳ね上がることを
有効に防止できる基板処理装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の観点によ
れば、表面に処理液が供給される被処理基板を保持する
ための基板保持機構と、前記基板保持機構を収容し、底
部から排気を行うことで、被処理基板周辺の雰囲気を強
制排気する容器と、前記容器内に設けられ、前記被処理
基板の外周を囲み、被処理基板付近の気流を制御する気
流制御板とを有する基板処理装置が提供される。

【００１１】本発明の第２の観点によれば、第１の面と
第２の面を有する基板を処理する基板処理装置におい
て、前記基板の第１の面を保持して回転させる保持・回
転部と、前記基板の第２の面に液を供給する液供給部
と、前記保持されて回転される基板の外周を囲うように
配置され、前記第２の面とほぼ同一の第３の面を有し、
該第３の面には通孔が設けられた気流制御板とを具備す
る基板処理装置が提供される。

【００１２】本発明の第３の観点によれば、第１の面と
第２の面を有する基板を処理する基板処理装置におい
て、前記基板の第１の面を保持して回転させる保持・回
転部と、前記基板の第２の面に液を供給する液供給部
と、前記保持されて回転される基板の外周を囲うように
配置され、前記基板の外周から外側に流れる気体を表面
上を通過させ、前記基板の外周から外側に流れる液体を
裏面上を通過させる気液分離板とを具備する基板処理装
置が提供される。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。

【００１４】図１は、本発明を、半導体ウエハ（以下
「ウエハW」という）の表面にレジスト液を塗布するレ
ジスト液塗布装置に適用した例を示す概略構成図であ
る。また、図２は、この装置を上方から見た平面図であ
る。

【００１５】図１に示すように、この装置は、その上面
にウエハＷを吸着保持し、かつこのウエハＷを回転駆動
及び昇降駆動するスピンチャック１０を有する。このス
ピンチャック１０の上方には、このウエハＷに対向位置
決め可能に保持され、ウエハＷ上にレジスト膜を滴下す
るための供給ノズル１１が配置されている。このノズル
１１は、供給管１２及び制御弁１３を介してレジスト液
タンク１４に接続されている。

【００１６】また、ノズル１１は、図に示すようにＬ字
状に構成されたＺ駆動機構１５の先端にホルダ１７を介
して保持されている。Ｚ駆動機構１５の基端部は、Ｙ方
向移動機構１６によって保持されている。図２に示すよ
うに、このＹ駆動機構１６は、Ｙ方向に沿って前記カッ
プ１の外側にまで延出されたＹレール２０を有し、前記
ノズル１１を前記ウエハＷとノズル待機部２１との間で
移動できるようになっている。このノズル待機部２１
は、ノズル１１を収納できるように構成されていると共
に、このノズル１１の先端部を洗浄できるように構成さ
れている。

【００１７】また、前記スピンチャック１０の周囲に
は、ウエハＷが回転駆動されている最中に飛散する余分
なレジスト液を受けるカップ２４が設けられており、飛
散したレジスト液は図示しないドレイン管から強制排出
されるようになっている。

【００１８】また、図１に示すように、前記スピンチャ
ック１０に保持されたウエハＷと前記カップ２４の内周
面との隙間には、この発明の要部である気流制御板２５
が配置されている。この気流制御板２５は、ウエハＷと
対向する側を前記ウエハＷと略同じ高さに配置され、外
周部に向かって次第に増加する傾斜率で下方向に落ち込
むように曲成されている。そして、この気流制御板２５
は、外周部を前記カップ２４の内周面に固定させること
でこのカップ１内で保持されている。

【００１９】また、この気流制御板２５は、図２に示す
ように、前記ウエハＷの周囲を囲むようにドーナツ状に
形成され、かつ、周方向に沿って所定の間隔で複数の排
気孔２７が形成されている。なお、この図は、便宜上、
前記カップ２４の上部を切断した状態で示している。

【００２０】また、図３は、ウエハＷの外縁部と前記気
流制御板２５の関係を拡大して示す縦断面図である。こ
の気流制御板２５とウエハＷとの隙間ｔ１は気流を乱さ
ないように近接して設けられ、例えば１ｍｍ〜２ｍｍに
保持されている。また、ウエハＷの外縁部と前記排気孔
２７までの距離ｔ２はウエハ外縁部の気流が他の表面部
と比較して特殊な形状とならないように、例えば１０ｍ
ｍ以上と前記隙間ｔ１と比較して大きく離されて設けら
れている。このことで、ウエハＷの表面に沿って流れる
気流は、前記気流制御板２５の表面に連続的に流通し、
前記ウエハＷの外縁部から離れた位置に設けられた排気
孔２７から下方向に流通する。

【００２１】また、図１に示すように、前記カップ２４
の底部には、カップ内雰囲気の排気を行うための排気管
３０が設けられている。この排気管３０は、制御弁３１
を介してポンプ３２に接続され、このポンプ３２を作動
させることで強制排気を行うようにしている。このこと
で、カップ２４内が負圧となるから、クリーンルーム内
のダウンフローＤが前記カップ２４の上方からこのカッ
プ２４内に引き込まれるようになっている。そして、こ
のダウンフローＤは、上述したように、前記気流制御板
２５の排気孔２７を通ってカップ２４の底部に導入さ
れ、前記排気管３０を通して外部に排気されるようにな
っている。

【００２２】このような構成によれば、前記ウエハＷの
外縁部で生じていた特殊な気流状態を解消することが可
能である。即ち、本発明の発明者らは、被処理基板の外
縁部で膜厚が跳ね上がるのは、処理基板の外縁部では特
有な気流が生じることに一因があると考えた。

【００２３】図８は、カップ１内で回転するウエハＷ
と、ウエハＷ付近の気流の状態を示した従来装置の平面
図である。ウエハＷをスピンチャック２上に保持し、図
に矢印αで示す方向に回転させると、カップ１の上方
（紙面手前）から導入されたダウンフローは、ウエハＷ
の上面に衝突することで、紙面に対して略平行な方向β
の気流に変換される。そして、ウエハＷの回転に伴う回
転遠心力によって渦巻き状に拡散してウエハＷの外縁部
４に案内される。そして、このウエハＷの外縁部４とカ
ップ１の内周面との間の隙間３からカップ１の底部に導
かれる。

【００２４】図９は、図８のウエハＷの外縁部４付近の
気流状態を示す縦断拡大図である。上記のような気流の
流れが生じる場合、ウエハＷの外縁部４では、ウエハＷ
の表面全域に供給されたダウンフローの全てが合流し、
かつ絞られて通過する。この図から分かるように、ウエ
ハＷの外縁部４の気流は、ウエハＷの他の表面部と異な
る特有な流れとなる。

【００２５】発明者らは、このウエハＷの外縁部４の特
有な気流状態がレジスト膜厚の跳ね上がりを引き起こす
と考え、この特有の気流の流れを解消することで、膜厚
の均一化が図れると考えるに至り、上記のように装置を
構成した。

【００２６】図４は、この構成により直径３００ｍｍの
ウエハＷに対してレジスト液の塗布を行った場合の膜厚
分布の測定結果を示すチャートである。同じチャートに
重ねて記入した従来構成による膜厚分布と比較すると、
ウエハＷの外縁部（チャートの両端部）における膜厚の
跳ね上がりを、従来の２０オングストロームから５オン
グストロームに低減できることが理解される。

【００２７】したがって、近年の半導体回路の微細化及
び高精細化の要求に十分に応えることができる処理装置
を得ることができる効果がある。

【００２８】なお、この処理装置は、図５〜図７に示す
塗布現像処理システムに適用されることが好ましい。

【００２９】図５に示すように、この塗布現像処理シス
テムは、ウエハＷが収容されたカセットＣＲからウエハ
Ｗを順次取り出すカセット部６０と、カセット部６０に
よって取り出されたウエハＷに対しレジスト液塗布及び
現像のプロセス処理を行なうプロセス処理部６１と、レ
ジスト液が塗布されたウエハＷを図示しない露光装置に
受け渡すインタフェース部６２とを備えている。

【００３０】前記カセット部６０には、カセットＣＲを
位置決め保持するための４つの突起部７０ａと、この突
起部７０ａによって保持されたカセット内からウエハＷ
を取り出す第１のサブアーム機構７１とが設けられてい
る。このサブアーム機構７１は、ウエハＷを取り出した
ならば、θ方向に回転して向きを変え、このウエハＷを
前記プロセス処理部６１に設けられたメインアーム機構
７２に受け渡すことができるようになっている。

【００３１】カセット部６０とプロセス処理部６１間で
のウエハＷの受け渡しは第３の処理ユニット群Ｇ３を介
して行われる。この第３の処理ユニット群Ｇ３は、図７
に示すように複数のプロセス処理ユニットを縦形に積み
上げて構成したものである。すなわち、この処理ユニッ
ト群Ｇ３は、ウエハＷを冷却処理するクーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）、ウエハＷに対するレジスト液の定着性を
高める疎水化処理を行なうアドヒージョンユニット（Ａ
Ｄ）、ウエハＷの位置合わせをするアライメントユニッ
ト（ＡＬＩＭ）、ウエハＷを待機させておくためのエク
ステンションユニット（ＥＸＴ）、レジスト塗布後のシ
ンナー溶剤を乾燥させる２つのプリベーキングユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）、及び露光処理後の加熱処理を行な
うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）及びポス
トエキスポージャーベークユニット（ＰＥＢ）を順次下
から上へと積み上げて構成されている。

【００３２】そして、前記ウエハＷのメインアーム機構
７２への受け渡しは、前記エクステンションユニット
（ＥＸＴ）及びアライメントユニット（ＡＬＩＭ）を介
して行われる。

【００３３】また、図５に示すように、このメインアー
ム機構７２の周囲には、前記第３の処理ユニット群Ｇ３
を含む第１〜第５の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５がこのメ
インアーム機構７２を囲むように設けられている。前述
した第３の処理ユニット群Ｇ３と同様に、他の処理ユニ
ット群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ４，Ｇ５も各種の処理ユニットを
上下方向に積み上げ的に構成されている。

【００３４】前記第１、第２の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ
２には、現像処理装置（ＤＥＶ）及びこの実施形態のレ
ジスト液塗布装置（ＣＯＴ）が設けられている。図６に
示すように、この第１、第２の処理ユニット群Ｇ１，Ｇ
２は、レジスト塗布装置（ＣＯＴ）と現像処理装置（Ｄ
ＥＶ）とを上下方向に積み上げ構成したものである。

【００３５】一方、前記メインアーム機構７２は、図７
に示すように、上下方向に延接された筒状のガイド７９
と、ガイド７９に沿って上下駆動されるメインアーム７
８を備えている。また、このメインアーム７８は平面方
向に回転し、かつ進退駆動されるように構成されてい
る。したがって、このメインアーム７８を、上下方向に
駆動することで、ウエハＷを前記各処理ユニット群Ｇ１
〜Ｇ５の各処理ユニットに対して任意にアクセスさせる
ことができるようになっている。

【００３６】前記カセット部６０から第３の処理ユニッ
ト群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介し
てウエハＷを受け取ったメインアーム機構７２は、先
ず、このウエハＷを第３の処理ユニット群Ｇ３のアドヒ
ージョンユニット（ＡＤ）に搬入し、疎水化処理を行な
う。ついで、アドヒージョンユニット（ＡＤ）からウエ
ハＷを搬出し、クーリングユニット（ＣＯＬ）で冷却処
理する。

【００３７】冷却処理されたウエハＷは、前記メインア
ーム機構７２によって前記第１の処理ユニット群Ｇ１
（若しくは第２の処理ユニット群Ｇ２）のレジスト液塗
布装置（ＣＯＴ）に対向位置決めされ、搬入される。こ
のレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）によりレジスト液が塗
布されたウエハＷは、メインアーム機構７２によってア
ンロードされ、第４の処理ユニット群Ｇ４を介して前記
インタフェース部６２に受け渡される。

【００３８】この第４の処理ユニット群Ｇ４は、図７に
示すように、クーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステ
ンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）、イ
クステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）、２つのプリベーキングユニット（ＰＲＥ
ＢＡＫＥ）、及び２つのポストベーキングユニット（Ｐ
ＯＢＡＫＥ）を下から上へと順次積み上げて構成したも
のである。

【００３９】前記レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）から取
り出されたウエハＷは、先ず、プリベーキングユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）に挿入され、レジスト液から溶剤
（シンナー）を飛ばして乾燥される。

【００４０】また、このポストベーキングユニットはレ
ジスト液塗布装置（ＣＯＴ）と別に設置しても良いし、
レジスト液塗布装置内に設置されていても良い。

【００４１】次に、このウエハＷはクーリングユニット
（ＣＯＬ）で冷却された後、エクステンションユニット
（ＥＸＴ）を介して前記インタフェース部６２に設けら
れた第２のサブアーム機構６４に受け渡される。

【００４２】ウエハＷを受け取った第２のサブアーム機
構６４は、受け取ったウエハＷを順次カセットＣＲ内に
収納する。このインターフェース部は、前記ウエハＷを
カセットＣＲに収納した状態で図示しない露光装置に受
け渡し、露光処理後のウエハＷが収納されたカセットＣ
Ｒを受け取る。

【００４３】露光処理された後のウエハＷは、前記とは
逆に第４の処理ユニット群Ｇ４を介してメインアーム機
構７２に受け渡され、このメインアーム機構７２は、こ
の露光後のウエハＷを必要であればポストベーキングユ
ニット（ＰＯＢＡＫＥ）に挿入した後、この実施形態の
現像装置（ＤＥＶ）に挿入し現像処理を行なわせる。現
像処理後のウエハＷは、いずれかのベーキングユニット
に搬送され、加熱乾燥した後、この第３の処理ユニット
群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介して
カセット部６０に排出される。

【００４４】なお、前記第５の処理ユニット群Ｇ５は、
選択的に設けられるもので、この例では前記第４の処理
ユニット群Ｇ４と同様に構成されている。また、この第
５の処理ユニット群Ｇ５はレール６５によって移動可能
に保持され、前記メインアーム機構７２及び前記第１〜
第４の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ４に対するメンテナンス
処理を容易に行ない得るようになっている。

【００４５】この発明の塗布膜除去装置を、図５〜図７
に示した塗布現像ユニットに適用した場合、複数のウエ
ハの並行処理が容易に行なえるから、ウエハＷの塗布現
像処理工程を非常に効率的に行なうことができる。ま
た、各処理ユニットが上下に積上げ式に構成されている
から装置の設置面積を著しく減少させることができる。

【００４６】次に、本発明の他の実施形態を説明する。

【００４７】この実施形態では、気流制御板１２５を図
１０に示すような構成としたものである。

【００４８】この気流制御板１２５では、ウエハＷの外
周方向１２６の断面形状がウエハＷの外周１２７から離
れるに従って下方１２８に向けて厚みｔ３が増加するよ
うになっている。例えば、気流制御板１２５の断面形状
は、３角形とされ、３角形の気流制御板１２５のウエハ
Ｗ近傍の頂部１２９の内角θは、ほぼ１８°〜ほぼ３５
°、より好ましくは２０°とされている。

【００４９】気流制御板１２５の表面１３０とウエハＷ
の表面とは、ほぼ同一の高さとされているが、気流制御
板１２５の表面１３０をウエハＷの表面より若干ｔ４、
例えばほぼ０．５ｍｍ〜ほぼ１．０ｍｍ程度高くした方
が好ましい。これにより、ウエハＷの外周１２７と気流
制御板１２５との間には所定の隙間が設けられている。
また、ウエハＷの外周１２７から外側に流れる気体１３
１を気流制御板１２５の表面１３０上を通過させ、ウエ
ハＷの外周１２７から外側に流れる液体１３２を気流制
御板１２５の裏面１３３上を通過させることができる。
即ち、本発明に係る気流制御板１２５は気液分離板とし
て機能させることができる。

【００５０】この気流制御板１２５の複数の通孔１２６
は、図１１に示すように、ウエハＷの外周１２７から所
定寸法離間して設けられ、所定の間隔で設けられ、それ
ぞれが気流制御板１２５の裏面１３３（下部）まで貫通
している。なお、図１２に示すように、通孔１２６ａ
を、ウエハＷの外周１２７から所定寸法離間して設けた
リング状のスリットとしてもよい。図１２中１２６ｂ
は、スリット状の通孔１２６ａにより内外に２分割され
た気流制御板１２５ａ、１２５ｂとを連通させる連通部
材である。

【００５１】本実施形態では、特に気流制御板１２５の
通孔１２６を通過する気流１４０が気流制御板１２５の
裏面１３３側を通過する気流１４１を巻き込み、気流１
４１が下方に向けて流れるようになり、排気管３０（図
１参照）から排気されることになる。これにより、気流
制御板１２５の裏面１３３側の空間を舞うミストを効果
的に除去することができる。

【００５２】本発明の更に他の実施形態として、図１３
に示すように、気流制御板２５を回転駆動する回転駆動
部２０１を更に設け、制御部２０２の制御のもとで、図
１４に示すように、回転駆動部２０１がウエハＷの回転
と同期して（同一方向且つ同一速度）気流制御板２５を
回転させるようにしている。これにより、ウエハＷの外
周の塗布ムラが更に少なくなり、レジスト液を塗布する
際のウエハＷの回転速度を遅くできるようになり、例え
ばレジスト液の種類（特にレジスト液の粘度）の選択の
幅が広がることになる。

【００５３】なお、この実施形態は、このような塗布現
像ユニット以外の装置にも適用可能であることはもちろ
んである。また、上記一実施形態は、その他発明の要旨
を変更しない範囲で種々変形可能である。

【００５４】例えば、上記一実施形態は、半導体ウエハ
にレジスト液を塗布するレジスト液塗布装置を例にとっ
て説明したが、半導体ウエハに限定されるものではな
く、ＬＣＤ製造に用いる矩形状のガラス基板にレジスト
液を塗布する装置であってもよい。また、レジスト液ば
かりでなく、例えば現像液を基板に供給する基板処理装
置にも本発明を適用できる。これにより、特にミストを
効果的に低減させることができる。

【００５５】さらに、前記一実施形態では、基板を回転
させるものであったが、基板を回転させるものでなくて
も良い。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように、以上説明したよう
に、この発明によれば、被処理基板の外縁部に生じてい
た塗布膜の跳ね上がりを有効に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係るレジスト液塗布装置
を示す概略構成図である。

【図２】図１に示したレジスト液塗布装置の平面図であ
る。

【図３】一実施形態に係るウエハＷの外縁部と気流制御
板とを拡大して示す縦断面図である。

【図４】一実施形態に係る３００ｍｍウエハについて膜
厚の跳ね上がりを検証した結果を示すチャートである。

【図５】本発明に係るレジスト液塗布装置を適用した塗
布現像処理装置の平面図である。

【図６】図５に示した塗布現像処理装置の側面図であ
る。

【図７】図５に示した塗布現像処理装置における機能を
説明するための正面図である。

【図８】従来のレジスト液塗布装置を示す平面図であ
る。

【図９】従来のレジスト液塗布装置におけるウエハ外縁
部における気流の状態示す模式図である。

【図１０】本発明の他の実施形態に係るレジスト液塗布
装置の拡大断面図である。

【図１１】図１０に示したレジスト液塗布装置の平面図
である。

【図１２】図１０及び図１１に示したレジスト液塗布装
置の変形例を示す平面図である。

【図１３】本発明の更に他の実施形態に係るレジスト液
塗布装置の側面図である。

【図１４】図１３に示したレジスト液塗布装置の説明図
である。

【符号の説明】

Ｗ…ウエハ（被処理基板） Ｄ…ダウンフロー Ｇ１〜Ｇ５…第１〜第５の処理ユニット群 １…カップ（容器） ２…スピンチャック（基板保持機構） ３…隙間 ４…外縁部 １０…スピンチャック １１…供給ノズル １２…供給管 １３…制御弁 １４…レジスト液タンク １５…Ｚ駆動機構 １６…Ｙ方向移動機構 １７…ホルダ ２０…Ｙレール ２１…ノズル待機部 ２４…カップ ２５…気流制御板 ２７…排気孔 ３０…排気管 ３１…制御弁 ３２…ポンプ ６０…カセット部 ６１…プロセス処理部 ６２…インタフェース部 ６４…第２のサブアーム機構 ６５…レール ７０ａ…突起部 ７１…第１のサブアーム機構 ７２…メインアーム機構 ７８…メインアーム ７９…ガイド

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に処理液が供給される被処理基板を
   保持するための基板保持機構と、 前記基板保持機構を収容し、底部から排気を行うこと
   で、被処理基板周辺の雰囲気を強制排気する容器と、 前記容器内に設けられ、前記被処理基板の外周を囲み、
   被処理基板付近の気流を制御する気流制御板とを具備す
   ることを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記基板保持機構は、前記被処理基板を回転駆動し、こ
   の被処理基板上に供給された処理液を遠心力によって拡
   散させるスピンチャックを有することを特徴とする基板
   処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記気流制御板は、 少なくとも前記被処理基板と対向する側をこの被処理基
   板と略同じ高さに位置させていることを特徴とする基板
   処理装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の基板処理装置におい
   て、 前記気流制御板は、基板から離れるに従って次第に傾斜
   度が増すようにカップの底部側に曲成されていることを
   特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記気流制御板は、被処理基板付近の気流を前記容器の
   底部に案内させるための気流流通部を有し、 この気流流通部は、前記被処理基板の外周から所定寸法
   離間して設けられていることを特徴とする基板処理装
   置。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の基板処理装置におい
   て、 前記気流流通部は、前記気流制御板に所定の間隔で設け
   られた通孔であることを特徴とする基板処理装置。
7. 【請求項７】 第１の面と第２の面を有する基板を処理
   する基板処理装置において、 前記基板の第１の面を保持して回転させる保持・回転部
   と、 前記基板の第２の面に液を供給する液供給部と、 前記保持されて回転される基板の外周を囲うように配置
   され、前記第２の面とほぼ同一の高さの第３の面を有
   し、該第３の面には通孔が設けられた気流制御板とを具
   備することを特徴とする基板処理装置。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の基板処理装置におい
   て、 前記第３の面は、前記第２の面よりも高い位置にあるこ
   とを特徴とする基板処理装置。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の基板処理装置におい
   て、 前記第３の面と前記第２の面との高さの差が、ほぼ０．
   ５ｍｍ〜ほぼ１．０ｍｍであることを特徴とする基板処
   理装置。
10. 【請求項１０】 請求項７に記載の基板処理装置におい
    て、 前記保持されて回転される基板の外周と前記気流制御板
    との間には所定の隙間が設けられていることを特徴とす
    る基板処理装置。
11. 【請求項１１】 請求項７に記載の基板処理装置におい
    て、 前記気流制御板の、前記保持されて回転される基板の外
    周方向の断面形状は、基板の外周から離れるに従って下
    方に向けて厚みが増加するようになっていることを特徴
    とする基板処理装置。
12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記断面形状は、３角形であることを特徴とする基板処
    理装置。
13. 【請求項１３】 請求項１２に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記前記断面形状が３角形の前記気流制御板の基板近傍
    の頂部の内角は、ほぼ１８°〜ほぼ３５°であることを
    特徴とする基板処理装置。
14. 【請求項１４】 請求項７に記載の基板処理装置におい
    て、 前記通孔は、前記基板の外周から所定寸法離間して設け
    られ、前記気流制御板に所定の間隔で設けられ、前記気
    流制御板の下部まで貫通する複数の孔であることを特徴
    とする基板処理装置。
15. 【請求項１５】 請求項７に記載の基板処理装置におい
    て、 前記通孔は、前記基板の外周から所定寸法離間して設け
    られたリング状のスリットであることを特徴とする基板
    処理装置。
16. 【請求項１６】 請求項７に記載の基板処理装置におい
    て、 前記気流制御板を回転駆動する回転駆動部を更に有する
    ことを特徴とする基板処理装置。
17. 【請求項１７】 請求項１６に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記回転駆動部は、前記基板の回転と同期して前記気流
    制御板を回転させることを特徴とする基板処理装置。
18. 【請求項１８】 請求項７に記載の基板処理装置におい
    て、 前記保持・回転部を収容し、底部から排気を行うこと
    で、基板周辺の雰囲気を強制排気する容器を更に具備す
    ることを特徴とする基板処理装置。
19. 【請求項１９】 第１の面と第２の面を有する基板を処
    理する基板処理装置において、 前記基板の第１の面を保持して回転させる保持・回転部
    と、 前記基板の第２の面に液を供給する液供給部と、 前記保持されて回転される基板の外周を囲うように配置
    され、前記基板の外周から外側に流れる気体を表面上を
    通過させ、前記基板の外周から外側に流れる液体を裏面
    上を通過させる気液分離板とを具備することを特徴とす
    る基板処理装置。
20. 【請求項２０】 請求項１９に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記気液分離板には、表面から裏面に向かう気流を形成
    するための通孔が設けられていることを特徴とする基板
    処理装置。