JP4410076B2 - 現像処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は,基板を現像処理する現像処理装置に関する。
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では,例えば所定パターンに露光されたウェハを現像する現像処理が行われている。この現像処理は,通常現像処理装置で行われ,この現像処理装置では,例えばスピンチャックに保持されたウェハ上に現像液供給ノズルから現像液が供給され,ウェハ表面上に現像液の液膜が形成されて,ウェハが現像されている。その後現像処理装置では,ウェハが高速回転された状態で,洗浄液供給ノズルによりウェハ上に洗浄液が供給されて,ウェハが洗浄されている。
しかしながら,上述した現像処理装置では,洗浄時にウェハを高速で回転させていたため,大型で高トルクのモータが必要であった。このため,モータのための広いスペースが必要になり,現像処理装置が大型化していた。またモータを回転させるための電力消費量が多く,ランニングコストも増大していた。この問題を解決するには,例えばウェハを回転させないでウェハを洗浄することが提案できる。
例えば,洗浄液供給ノズルをウェハ表面に近づけて,洗浄液を吐出し,当該洗浄液供給ノズルをウェハの一端部側から他端部側に亘って複数回スキャンさせることによって,ウェハを洗浄することが提案されている(例えば,特許文献1参照。)。
しかしながら,上述のようにウェハの洗浄を非回転で行う場合,ウェハに遠心力が働かないため,ウェハ表面の洗浄液や現像液がウェハの裏面に回り込み,ウェハの裏面に洗浄液や現像液が付着することがあった。ウェハの裏面に洗浄液や現像液が付着すると,その付着物が乾燥しパーティクルの原因となる。
特開2004-14869号公報
本発明は,かかる点に鑑みてなされたものであり,ウェハなどの基板の表面側の現像液,洗浄液などの液体が基板の裏面側に回り込んで基板の裏面を汚染することを防止できる現像処理装置を提供することをその目的とする。
上記目的を達成するために,本発明は,基板を現像処理する現像処理装置であって,基板を保持する基板保持部材と,基板から飛散する液体を受け止めるために、前記基板保持部材の周囲に設けられたカップと、前記基板保持部材に保持された基板の外周部を囲み,前記基板の外周部との間で隙間を形成する外周板と,前記基板保持部材に保持された基板の裏面において基板の中央部側から前記基板の外周部側に向かって流れて前記隙間の下端部側を通過する気流を形成する気体吹出し口と,を有し、前記外周板は、水平部と垂直部とを有し、前記水平部の表面は,前記基板保持部材に保持された基板の表面と同一平面上に位置していると共に、当該水平部の厚さは、基板と同じ厚さを有し、前記垂直部は前記カップ内に配置されていることを特徴とする。
本発明によれば,基板の外周部を囲むように外周板が備えられ,基板の外周部と外周板との間に隙間を形成するので,基板上の液体が基板の外周部から裏面側に回り込む量を低減できる。基板の外周部と外周板との間に隙間が形成されるので,基板を外周板と干渉することなく基板保持部材に保持させることができる。そして,隙間から僅かに漏れる液体を気体吹出し口によって外側の外周板側に押し流すことができるので,基板の裏面側に液体が回り込むことを防止できる。また、前記外周板の表面が,前記基板保持部材に保持された基板の表面と同一平面上に形成されているので,例えば現像液を基板の表面より広い外周板の表面上にまで塗布することができる。こうすることにより,例えば現像中に基板の外周部から現像液が垂れ落ちて基板の表面上に現像液の流れを形成することがなく,基板表面上の現像を斑なく適正に行うことができる。
なお,前記外周板と基板の外周部との隙間は,基板の表面側から前記隙間を通過した液体が前記外周板の裏面側を伝って流れるような幅に設定されていてもよい。つまり,外周板と基板の外周部との隙間を狭小に設定し,隙間を通過した液体が落下しようとする力に対して,液体の外周板に対する表面張力を相対的に大きくして,隙間を通過した液体が気体吹出し口からの気流により外側に押し流されて外周板の裏面側を伝って流れるようにしてもよい。こうすることにより,より確実に基板の裏面側に液体が回り込むことを防止できる。
前記外周板の裏面には,親水化処理が施されていてもよい。これにより,基板の外周部と外周板との隙間を通過した液体が外周板の裏面側に流れやすくなる。
前記気体吹出し口は,上方向から基板の外周部側に傾いた斜め上方に気体を吹き出すように形成されていてもよい。かかる場合,気体吹出し口から吹出された気体がそのまま基板の外周部側に向かって流れるので,基板の中心部側から基板の外周部側に流れる円滑な流れを形成できる。なお,前記気体吹出し口は,基板の外周部に直接気体を吹き付けるように形成されていてもよい。
前記気体吹出し口は,前記基板の裏面側において同心円状に多重に形成されていてもよい。かかる場合,前記多重の気体吹出し口の中の外側の気体吹出し口は,基板の外周部に直接気体を吹き付けるように形成されていてもよい。
以上で記載した現像処理装置は,前記外周板を昇降する昇降駆動部をさらに有していてもよい。かかる場合,例えば外周板と基板の外周部の隙間を通過する液体が最も外周板の裏面を伝い易い位置に,外周板の高さを調節することができる。
前記外周板の裏面は,前記隙間の下端部を形成する部分から外側に向かって次第に下がるように傾斜していてもよい。かかる場合,隙間を通過した液体が外周板の傾斜した裏面に伝って流れ易くなる。
前記基板の裏面側には,前記気体吹出し口から吹き出された気体を前記基板の裏面と前記外周板の裏面に沿って流す流路が形成されていてもよい。かかる場合,気体吹出し口から吹出された気体が拡散することなく,総て隙間の下端部側を通過するので,効果的に液体を外周板側に押し流すことができる。
前記外周板の表面には,疎水化処理が施されていてもよい。こうすることにより,外周板の表面上にも塗布された現像液が外側に拡散して外周板の端部から垂れ落ちることを防止できる。この結果,基板の表面上の現像液を完全に静止させることができる。
本発明によれば,基板の裏面が汚染されることが防止できるので,パーティクルの発生を防ぎ,基板表面へのパーティクルの付着による歩留まりの低下を防止できる。
以下,本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は,本実施の形態にかかる現像処理装置が搭載された塗布現像処理システム1の構成の概略を示す平面図であり,図2は,塗布現像処理システム1の正面図であり,図3は,塗布現像処理システム1の背面図である。
塗布現像処理システム1は,図1に示すように例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部から塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,カセットCに対してウェハWを搬入出したりするカセットステーション2と,フォトリソグラフィー工程の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション3と,この処理ステーション3に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハWの受け渡しをするインターフェイス部4とを一体に接続した構成を有している。
カセットステーション2では,カセット載置台5上の所定の位置に,複数のカセットCをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在となっている。カセットステーション2には,搬送路6上をX方向に向かって移動可能なウェハ搬送体7が設けられている。ウェハ搬送体7は,カセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)にも移動自在であり,X方向に配列された各カセットC内のウェハWに対して選択的にアクセスできる。
ウェハ搬送体7は,Z軸周りのθ方向に回転可能であり,後述する処理ステーション3側の第3の処理装置群G3に属する温調装置60やトランジション装置61に対してもアクセスできる。
カセットステーション2に隣接する処理ステーション3は,複数の処理装置が多段に配置された,例えば5つの処理装置群G1〜G5を備えている。処理ステーション3のX方向負方向(図1中の下方向)側には,カセットステーション2側から第1の処理装置群G1,第2の処理装置群G2が順に配置されている。処理ステーション3のX方向正方向(図1中の上方向)側には,カセットステーション2側から第3の処理装置群G3,第4の処理装置群G4及び第5の処理装置群G5が順に配置されている。第3の処理装置群G3と第4の処理装置群G4の間には,第1の搬送装置10が設けられている。第1の搬送装置10は,第1の処理装置群G1,第3の処理装置群G3及び第4の処理装置群G4内の処理装置に選択的にアクセスしてウェハWを搬送できる。第4の処理装置群G4と第5の処理装置群G5の間には,第2の搬送装置11が設けられている。第2の搬送装置11は,第2の処理装置群G2,第4の処理装置群G4及び第5の処理装置群G5内の処理装置に選択的にアクセスしてウェハWを搬送できる。
図2に示すように第1の処理装置群G1には,ウェハWに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置,例えばウェハWにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置20,21,22,露光処理時の光の反射を防止する反射防止膜を形成するボトムコーティング装置23,24が下から順に5段に重ねられている。第2の処理装置群G2には,液処理装置,例えば本発明にかかる現像処理装置30〜34が下から順に5段に重ねられている。また,第1の処理装置群G1及び第2の処理装置群G2の最下段には,各処理装置群G1及びG2内の液処理装置に各種処理液を供給するためのケミカル室40,41がそれぞれ設けられている。
例えば図3に示すように第3の処理装置群G3には,温調装置60,ウェハWの受け渡しを行うためのトランジション装置61,精度の高い温度管理下でウェハWを温度調節する高精度温調装置62〜64及びウェハWを高温で加熱処理する高温度熱処理装置65〜68が下から順に9段に重ねられている。
第4の処理装置群G4では,例えば高精度温調装置70,レジスト塗布処理後のウェハWを加熱処理するプリベーキング装置71〜74及び現像処理後のウェハWを加熱処理するポストベーキング装置75〜79が下から順に10段に重ねられている。
第5の処理装置群G5では,ウェハWを熱処理する複数の熱処理装置,例えば高精度温調装置80〜83,露光後のウェハWを加熱処理するポストエクスポージャーベーキング装置84〜89が下から順に10段に重ねられている。
図1に示すように第1の搬送装置10のX方向正方向側には,複数の処理装置が配置されており,例えば図3に示すようにウェハWを疎水化処理するためのアドヒージョン装置90,91,ウェハWを加熱する加熱装置92,93が下から順に4段に重ねられている。図1に示すように第2の搬送装置11のX方向正方向側には,例えばウェハWのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置94が配置されている。
インターフェイス部4には,例えば図1に示すようにX方向に向けて延伸する搬送路100上を移動するウェハ搬送体101と,バッファカセット102が設けられている。ウェハ搬送体101は,Z方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり,インターフェイス部4に隣接した図示しない露光装置と,バッファカセット102及び第5の処理装置群G5に対してアクセスしてウェハWを搬送できる。
次に,上述した現像処理装置30の構成について詳しく説明する。図4は,現像処理装置30の構成の概略を示す縦断面の説明図であり,図5は,現像処理装置30の構成の概略を示す平面図である。
図4に示すように現像処理装置30は,中央部にウェハWを保持する基板保持部材としてのチャック120を備えている。チャック120は,水平な上面を有し,当該上面には,例えばウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により,ウェハWをチャック120上に吸着できる。
チャック120は,例えばシリンダなどの駆動部からなるチャック駆動機構121を備えており,昇降できる。
チャック120の周囲には,ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め,回収するカップ122が設けられている。カップ122は,例えばチャック120の周囲を囲む内周カップ123と,当該内周カップ123の外方を囲む外周カップ124を備えている。内周カップ123と外周カップ124との間には,回収した液体が収集される収集部125が形成されている。収集部125の底には,例えば工場の排液部に連通した排出管126が接続されており,カップ122において回収した液体は,この排出管126から現像処理装置30の外部に排出できる。
内周カップ123は,例えば略円筒状に形成されている。チャック120に保持されたウェハWの裏面に対向する内周カップ123の上面には,例えば図4及び図6に示すようにウェハWの裏面に平行な水平面123aと,当該水平面123aの外側の端部から外側に向かって次第に下がる傾斜面123bが形成されている。内周カップ123の水平面123aには,上方に向けて気体を吹出す気体吹出し口130が形成されている。気体吹出し口130は,例えば図7に示すように内周カップ123の水平面123aにおいて同一円周上に等間隔で複数箇所に形成されている。例えば気体吹出し口130は,例えば1mm程度の径を有し,水平面123a上に6°置きに60箇所に形成されている。
各気体吹出し口130は,図4に示すように内周カップ123の内部にリング状に形成されたバッファ131に連通している。バッファ131には,例えば現像処理装置30の外部に設置された気体供給源132に連通する給気管133が接続されている。本実施の形態においては,気体供給源132には,エアが貯留されており,気体吹出し口130からはエアが吹出される。かかる構成により,バッファ131において圧力が均一化されたエアが,各気体吹出し口130からウェハWの裏面に向けて一様に吹出し,ウェハWの裏面に沿って外方に流れる気流を形成できる。
外周カップ124は,例えば図5に示すように平面から見て四角形の略筒状に形成されている。外周カップ124は,図4に示すように例えばシリンダなどの昇降駆動部134によって上下動できる。
内周カップ123と外周カップ124との間であって,チャック120に保持されたウェハWの外方には,ウェハWの外周部を囲むように形成された外周板140が設けられている。外周板140は,例えば支持部材141によって支持されている。外周板140は,例えばチャック120に保持されたウェハWと同一平面上に位置する水平部140aと,当該水平部140aの外側の端部から下方に向かって形成された垂直部140bから構成されている。
水平部140aは,図5及び図8に示すように平面から見てウェハWより大きな面積を有する四角形に形成され,中央にウェハWがチャック120に保持されるための開口部140cが形成されている。水平部140aの厚さは,例えばウェハWの厚さと同程度の例えば0.5mm程度に形成されている。なお,水平部140aの内周部付近のみをウェハWと同じ厚さにし,他の部分をウェハWよりも厚く形成してもよい。
水平部140aとウェハWとの間には,所定の幅の隙間Dが形成される。隙間Dは,例えばウェハWと水平部140a上に液盛りされた液体が表面張力により自重のみでは隙間を通じて落下せず,さらにウェハW上の液体が加重されて隙間を通過しても,気体吹出し口130からの気流の作用と相俟って液体が水平部140aの裏面を伝うような幅に設定されている。例えば隙間Dは,0.1mm〜0.5mm程度,好ましくは0.25mm程度に設定されている。
水平部140aの表面は,チャック120に保持されたウェハWの表面と同一平面に合わせられている。水平部140aの表面には,例えばポリエチレン,ポリプロピレン,テフロン(デュポン社の登録商標)などの樹脂等がコーティングされて疎水化処理が施されている。これにより,ウェハWと水平部140a上に現像液の液膜が形成されたときに,水平部140aにおいて現像液が外側に拡散することを防止できる。水平部140aの裏面には,例えばプラズマ処理,UV処理がブラスト加工されて親水化処理が施されている。これにより,隙間Dを通過した液体が水平部140aの裏面側に回り込みやすくなっている。
垂直部140bは,内周カップ123と外周カップ124との間において収集部125に向けて形成されている。これにより,水平部140aの裏面を伝って流れてくる液体を垂直部140bを通じて収集部125に誘導することができる。なお,垂直部140bの内側にも水平部140aの裏面と同様に親水化処理が施されている。
図5に示すようにカップ122のX方向負方向(図5の下方向)側には,Y方向(図5の左右方向)に沿って延伸する第1のレール150が形成されている。第1のレール150は,例えばカップ122のY方向負方向(図5の左方向)側の外方からカップ122のY方向正方向(図5の右方向)側の外方まで形成されている。第1のレール150には,例えば二本のアーム151,152が取り付けられている。第1のアーム151には,現像液供給ノズル153が支持されている。第1のアーム151は,例えばノズル駆動部154によって第1のレール150上をY方向に移動できる。この第1のアーム151により,現像液供給ノズル153は,カップ122のY方向負方向側の外方に設置されたノズル待機部155からカップ122内まで移動し,ウェハWの表面上を移動できる。また,第1のアーム151は,例えばノズル駆動部154によって上下方向にも移動でき,現像液供給ノズル153を昇降させることができる。
現像液供給ノズル153は,例えばウェハWの直径寸法と同じかそれよりも長い,X方向に沿った細長形状を有している。図4に示すように現像液供給ノズル153の上部には,現像液供給源156に連通する現像液供給管157が接続されている。現像液供給ノズル153の下部には,例えば長手方向に沿って一列に形成された複数の吐出口158が形成されている。現像液供給ノズル153は,上部の現像液供給管157から導入された現像液を現像液供給ノズル153の内部を流通させ,下部の各吐出口158から一様に吐出できる。
第2のアーム152には,図5に示すように洗浄液供給ノズル160が支持されている。第2のアーム152は,例えばノズル駆動部161によって第1のレール150上をY方向に移動できる。第2のアーム152によって,洗浄液供給ノズル160は,カップ122のY方向正方向側の外方に設けられたノズル待機部162からカップ122内に移動し,ウェハWの表面上を移動できる。また,第2のアーム152は,ノズル駆動部161によって上下方向にも移動できる。
洗浄液供給ノズル160は,例えばウェハWの直径寸法と同じかそれよりも長い,X方向に沿った細長形状を有している。図4に示すように洗浄液供給ノズル160の上部には,洗浄液供給源163に連通する洗浄液供給管164が接続されている。本実施の形態では,洗浄液供給源163に純水が貯留されており,洗浄液供給ノズル160には,洗浄液として純水が供給される。洗浄液供給ノズル160の下部には,例えば洗浄液を吐出する複数の吐出口165が長手方向に沿って直線状に形成されている。複数の吐出口165は,洗浄液供給ノズル160の長手方向の一端部から他端部に渡り形成されている。洗浄液供給ノズル160は,上部の洗浄液供給管164から導入された洗浄液を洗浄液供給ノズル160の内部を通過させ,下部の各吐出口165から一様に吐出できる。
図5に示すようにカップ122のX方向正方向(図5の上方向)側には,Y方向に沿って延伸する第2のレール170が形成されている。第2のレール170は,例えばカップ122のY方向正方向側の外方からカップ122のY方向負方向側の端部付近まで形成されている。第2のレール170には,例えば第3のアーム171が取り付けられている。第3のアーム171には,乾燥用ガス噴出ノズル173が支持されている。第3のアーム171は,例えばノズル駆動部174によって第3のレール170上をY方向に移動できる。この第3のアーム171により,乾燥用ガス噴出ノズル173は,カップ122のY方向正方向側の外方に設置されたノズル待機部175からカップ122内まで移動し,ウェハWの表面上を移動できる。また,第3のアーム171は,例えばノズル駆動部174によって上下方向にも移動自在であり,乾燥用ガス噴出ノズル173を昇降させることができる。
乾燥用ガス噴出ノズル173は,例えばウェハWの直径寸法と同じかそれよりも長い,X方向に沿った細長形状を有している。図4に示すように乾燥用ガス噴出ノズル173の上部には,乾燥用ガス供給源176に連通する給気管177が接続されている。本実施の形態では,乾燥用ガス供給源176にエアが封入されており,乾燥用ガス噴出ノズル173には,乾燥用ガスとしてエアが供給される。乾燥用ガス噴出ノズル173の下部には,長手方向の一端部から他端部に渡るスリット状のガス噴出口178が形成されている。乾燥用ガス噴出ノズル173は,上部の給気管177から導入されたエアを乾燥用ガス噴出ノズル173の内部に流通させ,下部のガス噴出口178から噴出できるようになっている。
図5に示すようにカップ122のX方向正方向側には,Y方向に沿って延伸する第3のレール190が形成されている。第3のレール190は,例えばカップ122のY方向正方向側の端部からカップ122のY方向負方向側の外方まで形成されている。第3のレール190には,例えばメッシュ部材191を保持する保持アーム192が取り付けられている。保持アーム192は,例えばアーム駆動部193により,第3のレール190上を移動自在である。この保持アーム192により,メッシュ部材191は,ノズル待機部155のY方向負方向側の外方に設置されたメッシュ部材待機部194からカップ122内のウェハW上まで移動できる。また,保持アーム192は,例えばアーム駆動部193によって上下方向にも移動自在であり,メッシュ部材191を昇降させることができる。
メッシュ部材191は,例えば平面から見てウェハWよりも大きく外周板140よりも小さい四角形状に形成され,メッシュ部材191の外周部に沿って形成された外枠部191aと,当該外枠部191aの内側に平面状に形成されたメッシュ部191bから構成されている。外枠部191aは,例えば図4に示すように外周板140上に載置されたときにメッシュ部191bとウェハ表面との間に所定幅の隙間ができるように,メッシュ部材191の下面よりも下方に突出している。メッシュ部191bは,例えば細い線状の部材が網の目状に配置されて構成されている。メッシュ部191bを構成する線状の部材は,親水性に優れた樹脂などの材質により形成されている。メッシュ部材191を外周板140上に載置し,現像液をメッシュ部材191の上方から供給してメッシュ部191b内を通過させることにより,ウェハW上に供給される現像液の流動を抑制し,ウェハW上に流動がなく厚みの均一な液膜を形成することができる。
なお,現像処理装置30以外の現像処理装置31〜34の構成は,現像処理装置30と同様であり,説明を省略する。
ここで,以上のように構成された塗布現像処理システム1で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスについて説明する。
先ず,ウェハ搬送体7によって,カセット載置台5上のカセットCから未処理のウェハWが一枚取り出され,第3の処理装置群G3の温調装置60に搬送される。温調装置60に搬送されたウェハWは,所定温度に温度調節され,その後第1の搬送装置10によってボトムコーティング装置23に搬送され,反射防止膜が形成される。反射防止膜が形成されたウェハWは,第1の搬送装置10によって加熱装置92,高温度熱処理装置65,高精度温調装置70に順次搬送され,各装置で所定の処理が施される。その後ウェハWは,レジスト塗布装置20に搬送され,ウェハW上にレジスト膜が形成された後,第1の搬送装置10によってプリベーキング装置71に搬送され,続いて第2の搬送装置11によって周辺露光装置94,高精度温調装置83に順次搬送されて,各装置において所定の処理が施される。その後,ウェハWは,インターフェイス部4のウェハ搬送体101によって図示しない露光装置に搬送され,露光される。露光処理の終了したウェハWは,ウェハ搬送体101によって例えばポストエクスポージャーベーキング装置84に搬送され,加熱処理が施された後,第2の搬送装置11によって高精度温調装置81に搬送されて温度調節される。その後,現像処理装置30に搬送され,ウェハW上のレジスト膜が現像される。その後ウェハWは,第2の搬送装置11によってポストベーキング装置75に搬送され,加熱処理が施された後,高精度温調装置63に搬送され温度調節される。そしてウェハWは,第1の搬送装置10によってトランジション装置61に搬送され,ウェハ搬送体7によってカセットCに戻されて一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
次に,上述の現像処理装置30で行われる現像処理について詳しく説明する。図9は,現像処理のプロセスを説明するためのフロー図である。先ず,現像処理装置30内に搬入されたウェハWは,図4に示すようにチャック120上に吸着保持され,外周板140と同一平面上に配置される。続いてメッシュ部材待機部194で待機していたメッシュ部材191が保持アーム192により,カップ122内の外周板140上まで移動され,外周板140上に載置される。次に,ノズル待機部155で待機していた現像液供給ノズル153が第1のアーム151により,例えば平面から見てカップ122内のウェハWのY方向負方向側の端部の手前の位置P1(図5中の点線部)まで移動し,メッシュ部材191の上面に近づけられる。このとき,ウェハWの裏面側の気体吹出し口130からの気体の吹出しは停止されている。その後,現像液供給ノズル153から現像液が吐出され,現像液供給ノズル153は現像液A1を吐出しながら,メッシュ部材191の表面に沿ってウェハWのY方向正方向側の端部の外方の位置P2(図5中の点線部)まで移動する(図9の(a))。これにより,メッシュ部材191を通じてウェハWの表面と,その周りの外周板140の表面上に現像液A1が供給され,現像液A1の液膜が形成される。こうして,ウェハ表面の現像が開始され,ウェハWが所定時間静止現像される。この現像時には,ウェハWと外周板140との隙間Dから現像液A1が漏れないので,ウェハWの裏面側の気体吹出し口130からの気体の吹出しは停止されている。現像液A1の供給が終了した現像液供給ノズル153は,ノズル待機部155に戻される。なお,現像時に,気体吹出し口130から気体を吹出し,ウェハWの裏面側に気流を形成してもよい。
所定時間の静止現像が終了すると,例えばノズル待機部162で待機していた洗浄液供給ノズル160が第2のアーム152により,平面から見てウェハWのY方向正方向側の端部の手前の位置P2まで移動し,メッシュ部材191の表面に近づけられる。このとき,ウェハWの裏面側の気体吹出し口130から気体の吹出しが開始され,ウェハWの裏面に沿ってウェハWの中央部から外周部側に向かって流れる気流が形成される。そして,洗浄液供給ノズル160から洗浄液A2としての純水が吐出され,洗浄液供給ノズル160が洗浄液A2を吐出しながらメッシュ部材191の表面に沿ってウェハWのY方向負方向側の端部の外方の位置P1まで移動する(図9(b))。これにより,純水がメッシュ部材191を介してウェハ表面に供給され,ウェハ表面の現像液A1が洗浄液A2に置換されて,ウェハ表面が洗浄される。このとき,外周板140とウェハWの外周部との間の隙間Dから現像液A1や洗浄液A2の一部が漏れることがあるが,当該漏れた液体は,図6に示すように隙間Dの下端部において,気体吹出し口130からの気流により外側に押し流され,また液体自体の表面張力により外周板140の裏面を伝ってカップ122内に排出される。なお,洗浄液供給ノズル160の一回のスキャンでは,洗浄液A2への置換が十分でない場合は,洗浄液A2を吐出した洗浄液供給ノズル160を複数回往復移動させてもよく,気体吹出し口130からの気体の吹出しは,その間継続して行われる。
ウェハW上の現像液A1が洗浄液A2に置換されると,洗浄液供給ノズル160がノズル待機部162に戻される。その後,保持アーム192によりメッシュ部材191がメッシュ部材待機部194に戻される。この間も,気体吹出し口130による気体の吹出しが継続され,隙間Dから漏れた液体は,外周板140の裏面側に押し流され,排出される。
メッシュ部材190がウェハW上から退避し終えると,次にノズル待機部175に待機していた乾燥用ガス噴出ノズル173が第3のアーム171により,例えば平面から見てウェハWのY方向正方向側の端部の手前の位置P2まで移動し,ウェハ表面に近づけられる。その後,乾燥用ガス噴出ノズル173からエアが噴出され,乾燥用ガス噴出ノズル173は,エアを噴出しながらウェハ表面に沿ってウェハWのY方向負方向側の端部の外方の位置P1まで移動する(図9の(c))。これにより,ウェハW表面上の洗浄液A2が吹き飛ばされ,ウェハWが乾燥される。この乾燥時にも,気体吹出し口130による気体の吹出しが継続され,隙間Dから漏れた液体は,外周板140の裏面側に押し流され,排出される。
ウェハWの乾燥が終了すると,乾燥用ガス噴出ノズル173がノズル待機部175に戻され,気体吹出し口130からの気体の吹出しが停止される。その後ウェハWは,チャック120から第2の搬送装置11に受け渡され,現像処理装置30から搬出されて,一連の現像処理が終了する。
以上の実施の形態によれば,外周板140によってウェハWの外周部を囲み,ウェハWの外周部との間に狭小な隙間Dを形成し,内周カップ123の気体吹出し口130によりウェハWの裏面に沿ってウェハWの中心部側から外周部側に向けた気流を形成できるようにしたので,隙間Dから漏れる現像液A1や洗浄液A2などの液体をウェハWより外側の外周板140の裏面を伝わせて排出することができる。これにより,ウェハWの裏面側に液体が回り込むことがなく,液体がウェハWの裏面に付着することを防止できる。
外周板140の水平部140aの裏面が親水化処理されたので,隙間Dから漏れる液体がより外周板140の裏面を伝いやすくなる。
外周板140の水平部140aの表面がウェハWの表面と同一平面になるように形成されたので,現像液A1をウェハWと外周板140の表面に渡って液盛りすることができる。これにより,現像時に現像液A1がウェハWの端部から落下して現像液A1が流動することが防止され,ウェハ面内の現像が斑なく行われる。また,水平部140aの表面が疎水化処理されたので,外周板140上の現像液A1が外側に拡散して例えば外周板140の端部から落下することが防止される。
以上の実施の形態では,気体吹出し口130が上方に向けて形成されていたが,図10に示すようにウェハWの外周部側に傾いた斜め上方に向けて形成されていてもよい。かかる場合,気体吹出し口130から吹出された気体がスムーズに隙間Dの方に流れるので,隙間D付近に強い気流を効果的に形成できる。また,図11に示すように斜めにした気体吹出し口130を,気体がウェハWの外周部に直接吹き付けられるように形成してもよい。かかる場合,例えば隙間Dの下端部において液体がウェハWの外周部側の裏面に回り込もうとするのを効果的に防ぐことができる。
さらに,気体吹出し口130は,図12に示すように内側と外側の二重に形成されていてもよい。かかる場合,例えば内側と外側の気体吹出し口130が平面から見て同心円状に形成される。また,内側と外側の各気体吹出し口130毎にバッファ131が形成される。さらに,外側の気体吹出し口130は,例えば気体がウェハWの外周部に対し直接吹き付けられるように形成され,内側の気体吹出し口130がウェハWの外周部よりも内側に向けて形成される。かかる場合,例えば外側の気体吹出し口130からの気体によって,隙間Dから漏れる液体がウェハWの裏面側に回り込むのを防止し,内側の気体吹出し口130からの気体によって,周辺のミストなどの不純物がウェハWの裏面側に流れ込むのを防止できる。なお,以上の実施の形態では,気体吹出し口130が二重に形成されていたが,三重以上の多重に形成されていてもよい。
内側と外側に気体吹出し口130が形成される場合,図13に示すように外側の気体吹出し口130と外側の気体吹出し口130を互い違いの位置に配置してもよい。また,図14に示すようにウェハWの外周部に直接吹き付ける気体吹出し口130のみをスリット状に形成してもよい。かかる場合,ウェハWの外周部の全周に亘ってより均一な気流を形成できる。
以上の実施の形態では,外周板140の水平部140aの裏面が水平に形成されていたが,図15に示すように隙間Dの下端部の位置から外側に向けて次第に下がるように傾斜していてもよい。こうすることにより,隙間Dを通過した液体が外周板140の裏面を伝って流れ易くなる。なお,水平部140aの裏面の傾斜角は,10°〜30°程度,好ましくは15°以下が好ましい。
また,ウェハWの裏面側に,図16に示すように気体吹出し口130から吹出された気体をウェハWの裏面と外周部140の裏面に沿って流す流路を形成するようにしてもよい。かかる場合,例えば内周カップ123の上面123cが,ウェハWと裏面と外周板140の水平部140aの裏面に対して平行になるように水平に形成され,内周カップ123の側面123dが,外周板140の水平部140bの内面に対して平行になるように垂直に形成され,内周カップ123と,ウェハW及び外周板140との間に狭小な流路200が形成される。流路200は,カップ122の収集部125に通じる。流路200の幅は,例えば隙間Dの
2倍程度の0.5mm程度に設定される。こうすることにより,気体吹出し口130から吹出された気体がウェハWの裏面,外周部140の水平部140bの裏面に沿って強制的に流され,隙間Dの下端部側を外側に向かって通過する強い気流が形成される。したがって,隙間Dから漏れた液体をより効率的に外側に押し流し外周板140の裏面を伝って排除できる。
以上の実施の形態で記載した外周板140に,図17に示すようにシリンダやモータなどからなる昇降駆動部210が設けられていてもよい。かかる場合,例えば洗浄液供給ノズル160によってウェハW上に洗浄液A2を供給してウェハWを洗浄する際に,例えば図18に示すように外周板140が僅かに上昇され,ウェハWと外周板140との上下方向の位置がずらされる。このようにウェハWと外周板140との縦方向の位置が適正な関係に設定されることにより,ウェハWと外周板140との隙間Dから漏れた液体が外周板140の裏面に伝って流れ易くなり,適正に排出される。なお,この場合の外周板140とウェハWとの適正な位置関係は,液体の物性や隙間Dの幅などにより異なるため,予め実験などにより求められる。
以上,本発明の実施の形態の一例について説明したが,本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば本実施の形態は,非回転式の現像処理装置であったが,本発明は,回転式の現像処理装置に適用してもよい。回転式の現像処理装置であっても,上述した外周板140や気体吹出し口130を備えることによってウェハWの裏面側への液体の回り込みを防止できる。また,本実施の形態は,洗浄液供給ノズル160と乾燥用ガス噴出ノズル173が別体のノズルであったが,一体化したノズルであってもよい。ウェハWの現像処理装置であったが,本発明は,ウェハ以外の例えばFPD(フラットパネルディスプレイ),フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板の現像処理装置にも適用できる。
本発明は,現像処理時に基板の裏面側に液体が回り込むことを防止する際に有用である。
本実施の形態における塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。 図1の塗布現像処理システムの正面図である。 図1の塗布現像処理システムの背面図である。 現像処理装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。 現像処理装置の構成の概略を示す平面図である。 内周カップと外周板の構成を示す縦断面の説明図である。 内周カップの平面図である。 外周板の構成を説明するための斜視図である。 現像処理のフローの説明図である。 斜めに形成された気体吹出し口を有する内周カップと外周板の構成を示す縦断面の説明図である。 ウェハの外周部に直接気体を吹き付ける気体吹出し口を有する内周カップと外周板の構成を示す縦断面の説明図である。 二重の気体吹出し口を有する内周カップと外周板の構成を示す縦断面の説明図である。 気体吹出し口の配置例を示す内周カップの平面図である。 スリット状の気体吹出し口が形成された内周カップの平面図である。 裏面が傾斜した外周板と内周カップの構成を示す縦断面の説明図である。 ウェハの裏面に流路が形成される場合の内周カップと外周板との構成を示す縦断面の説明図である。 外周板の昇降駆動部を有する現像処理装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。 ウェハに対し縦方向の位置をずらした状態の外周板と内周カップを示す縦断面図である。
符号の説明
1 塗布現像処理システム
30 現像処理装置
120 チャック
123 内周カップ
130 気体吹出し口
140 外周板
160 洗浄液供給ノズル
D 隙間
W ウェハ

Claims (11)

  1. 基板を現像処理する現像処理装置であって,
    基板を保持する基板保持部材と,
    基板から飛散する液体を受け止めるために,前記基板保持部材の周囲に設けられたカップと,
    前記基板保持部材に保持された基板の外周部を囲み,前記基板の外周部との間で隙間を形成する外周板と,
    前記基板保持部材に保持された基板の裏面において基板の中央部側から前記基板の外周部側に向かって流れて前記隙間の下端部側を通過する気流を形成する気体吹出し口と,を有し,
    前記外周板は,水平部と垂直部とを有し,
    前記水平部の表面は,前記基板保持部材に保持された基板の表面と同一平面上に位置していると共に,当該水平部の厚さは,基板と同じ厚さを有し,前記垂直部は前記カップ内に配置されていることを特徴とする,現像処理装置。
  2. 前記外周板と基板の外周部との隙間は,基板の表面側から前記隙間を通過した液体が前記外周板の裏面を伝って流れるような幅に設定されていることを特徴とする,請求項1に記載の現像処理装置。
  3. 前記外周板の裏面には,親水化処理が施されていることを特徴とする,請求項1または2のいずれかに記載の現像処理装置。
  4. 前記気体吹出し口は,上方向から基板の外周部側に傾いた斜め上方に気体を吹き出すように形成されていることを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載の現像処理装置。
  5. 前記気体吹出し口は,基板の外周部に直接気体を吹き付けるように形成されていることを特徴とする,請求項4に記載の現像処理装置。
  6. 前記気体吹出し口は,前記基板の裏面側において同心円状に多重に形成されていることを特徴とする,請求項4に記載の現像処理装置。
  7. 前記多重の気体吹出し口の中の外側の気体吹出し口は,基板の外周部に直接気体を吹き付けるように形成されていることを特徴とする,請求項6に記載の現像処理装置。
  8. 前記外周板を昇降する昇降駆動部をさらに有することを特徴とする,請求項1〜7のいずれかに記載の現像処理装置。
  9. 前記外周板の裏面は,前記隙間の下端部を形成する部分から外側に向かって次第に下がるように傾斜していることを特徴とする,請求項1〜8のいずれかに記載の現像処理装置。
  10. 前記基板の裏面側には,前記気体吹出し口から吹き出された気体を前記基板の裏面と前記外周板の裏面に沿って流す流路が形成されていることを特徴とする,請求項1〜9のいずれかに記載の現像処理装置。
  11. 前記外周板の表面には,疎水化処理が施されていることを特徴とする,請求項1に記載の現像処理装置。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100900628B1 (ko) * 2006-09-15 2009-06-02 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP4737638B2 (ja) * 2007-01-19 2011-08-03 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置
US8092599B2 (en) * 2007-07-10 2012-01-10 Veeco Instruments Inc. Movable injectors in rotating disc gas reactors
JP5312923B2 (ja) * 2008-01-31 2013-10-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5029486B2 (ja) * 2008-05-13 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体
JP5012651B2 (ja) * 2008-05-14 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体
JP5275275B2 (ja) * 2010-02-25 2013-08-28 株式会社東芝 基板処理方法、euvマスクの製造方法、euvマスクおよび半導体装置の製造方法
KR101098987B1 (ko) * 2010-04-19 2011-12-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP5795917B2 (ja) * 2010-09-27 2015-10-14 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP5006464B1 (ja) * 2011-10-25 2012-08-22 ミクロ技研株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN104425323B (zh) * 2013-08-30 2018-01-19 细美事有限公司 处理基板的装置和清洁该装置的方法
JP6559706B2 (ja) 2014-01-27 2019-08-14 ビーコ インストルメンツ インコーポレイテッド 化学蒸着システム用の複合半径を有する保持ポケットを有するウェハキャリア
JP6391524B2 (ja) * 2015-03-31 2018-09-19 株式会社Screenホールディングス 脱酸素装置および基板処理装置
CN106356316B (zh) * 2015-07-14 2018-10-09 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种工艺单元排废积液检测装置
WO2017042974A1 (ja) * 2015-09-11 2017-03-16 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
TWI645913B (zh) * 2016-11-10 2019-01-01 辛耘企業股份有限公司 液體製程裝置
JP7137986B2 (ja) * 2018-07-19 2022-09-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR20220059638A (ko) * 2020-11-03 2022-05-10 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG103277A1 (en) * 1996-09-24 2004-04-29 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning treatment
JPH10340948A (ja) * 1997-06-09 1998-12-22 M Setetsuku Kk 表面処理装置
JP3265238B2 (ja) * 1997-08-01 2002-03-11 東京エレクトロン株式会社 液膜形成装置及びその方法
JP3923676B2 (ja) * 1999-04-21 2007-06-06 株式会社東芝 基板処理方法
KR100597287B1 (ko) * 1999-07-28 2006-07-04 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리장치 및 그 방법
US6289550B1 (en) * 2000-03-10 2001-09-18 United Microelectronics Corp. Jet cleaning device for developing station
JP3920608B2 (ja) * 2001-09-21 2007-05-30 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像方法
JP3718647B2 (ja) * 2001-10-19 2005-11-24 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像方法
JP3761457B2 (ja) * 2001-12-04 2006-03-29 Necエレクトロニクス株式会社 半導体基板の薬液処理装置
JP4194302B2 (ja) 2002-06-07 2008-12-10 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像処理方法

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