JP3718647B2

JP3718647B2 - 現像装置及び現像方法

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Publication number: JP3718647B2
Application number: JP2001322003A
Authority: JP
Inventors: 太郎山本; 昭浩藤本; 孝介吉原; 秀治京田; 博史竹口
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2001-10-19
Filing date: 2001-10-19
Publication date: 2005-11-24
Anticipated expiration: 2021-10-19
Also published as: US6709174B2; US20030077083A1; JP2003124108A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジストが塗布され、露光処理が施された基板の表面に現像液を供給して現像処理を行う現像装置及び現像方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、例えば半導体ウェハ（以下ウェハＷという）表面に形成された薄膜状にレジストを塗布し、レジストを所定のパターンで露光し、現像してマスクパターンを形成している。このような処理は、一般にレジストの塗布・現像を行う塗布・現像装置に、露光装置を接続したシステムを用いて行われる。
【０００３】
露光後のウェハＷに対して、現像処理を行う手法の一つとして、図１４に示すようにウェハＷの直径に見合う長さに亘って吐出口が形成されたノズル１を用い、このノズル１を、例えばスピンチャック１１に水平に保持されたウェハＷの表面に対して、例えば１ｍｍ程度浮かせた状態でウェハＷの後端側から前端側に移動させながら、ノズル１の吐出口からウェハＷ表面に現像液１２を液盛し、ウェハＷ表面全体に現像液１２の、例えば１ｍｍ程度の液膜を形成する方法が実施、検討されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した手法では以下の様な課題がある。即ち、円形状であるウェハＷにおいては、前記ノズル１が現像液１２を吐出しながら、ウェハＷの直径部を越えて前端に向かって移動する際、ノズル１の長さに対してウェハＷの有効領域の長さが順次短くなることが問題となる。この場合ウェハＷの周縁部のある部位で見ると、ノズル１の吐出圧が現像液Ｄの自重程度と小さいことから、ノズル１が移動してその部位から離れて行くときに、ウェハＷの周縁部から離れた吐出口より吐出された現像液１２が直ぐに落下せずに、既にウェハＷ表面に盛られた現像液１２と表面張力で繋がったまま引張られた状態なる。更にノズル１が前端に向かうにつれて、前記現像液１２は表面張力で繋がった状態を維持できなくなり、ウェハＷ表面上に塗布される部位と、塗布されない部位との間で液切れが起こる。つまりウェハＷ表面と対向しないノズル１の吐出口とウェハＷ周縁部との間で液が切れながらノズル１は移動する。この液切れしたときの液の寄り戻し（引き戻し）の力により、ウェハＷ表面に液盛された現像液１２に、例えば周縁部から内側方向に向かう流れが生じる。特にウェハＷの前端においては、ノズル１がウェハＷ表面から離れるときの液の寄り戻しによる力は大きく、液盛された現像液１２に波立ちが起こる場合がある。また本発明者らは、その結果として現像後に得られるマスクパターンに線幅精度の均一性が低下することを把握している。
【０００５】
上述の問題を解決するために、図１５に示すようにウェハＷ周縁部での液切れをスムーズにするナイフリング１３をウェハＷの周縁に設ける手法があるが、ノズル１から吐出する現像液１２は吐出圧がほぼ自重程度に小さいので、ナイフリング１３の液切り面においても液の表面張力が作用してスムーズな液切りが行われない場合が懸念される。
【０００６】
本発明はこのような事情に基づきなされたものであり、その目的はレジストが塗布されて、露光処理が施された基板を現像処理する場合において、基板表面に液盛された現像液に流れおよび波立ちを形成しないで、基板の表面に現像液を塗布することができ、これにより線幅の均一性の高いマスクパターンを得ることのできる技術を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の現像装置は、表面にレジストが塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現像装置において、
前記基板を水平に保持する基板保持部と、
基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って吐出口が形成され、前記基板に現像液を供給するための供給ノズルと、
この供給ノズルを基板の後端側から前端側に亘って移動させる移動機構と、
現像液をその裏面側に通過させる通流孔が設けられると共に、基板表面と同じか僅かに低い高さ位置にて、少なくとも基板の前縁側に基板の前縁と僅かな離間距離をもって設けられた液受け板と、を備えたことを特徴とする。前記基板は例えば半導体ウェハであり、液受け板は供給ノズルと平行な半導体ウェハの直径よりも前方側の周縁を囲むように設けられる。また現像装置は例えば基板保持部に保持された基板を囲むように昇降自在に設けられたカップを備え、液受け板はこのカップの上部周縁に設けられた構成である。前記基板と液受け板の離間距離は、例えば０．５ｍｍ〜３ｍｍに設定され、基板表面から例えば０．３ｍｍ〜２．５ｍｍ低い位置に設けられる。更に液受け板は、基板の周縁に位置する側が高く、離れるに従い低くなるように傾斜した構成としても良い。
【００１０】
本発明によれば、現像液の供給ノズルが基板の直径部から終端に現像液を塗布する際、供給ノズルが基板から離れて行くときに、その表面張力により供給ノズルと基板の周縁部とに跨る現像液の液切れによる液の寄り戻しを抑制し、基板表面に液盛された現像液に流れおよび波立ちを形成しないで、基板の表面に現像液を供給することができ、これにより線幅の均一性の高いマスクパターンを得ることができる。
【００１１】
また本発明の現像方法は、基板表面にレジストが塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現像方法において、
前記基板を基板保持部に水平に保持する工程と、
次いで通流孔が設けられた液受け板を、供給ノズルの移動方向において少なくとも基板の前縁側に僅かな離間距離をもってかつその表面と基板表面とが同じか僅かに低い高さになるように位置させる工程と、
その後基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って吐出口が形成され、前記基板に現像液を供給するための供給ノズルを、基板の後端側から前端側に亘って移動させながら現像液を吐出し、基板の外側に位置する吐出口からの現像液を液受け板の通流孔を介して裏面側に通過させながら基板表面に現像液を塗布する工程と、を備えたことを特徴とする。また液受け板は、例えば基板保持部に保持された基板を囲む昇降自在なカップの上部周縁に設けられる。前記離間距離は基板と液受け板との間に、例えば０．５ｍｍ〜３ｍｍの隙間をもって設定され、基板表面から例えば０．３ｍｍ〜２．５ｍｍ低い位置に設けられる。更に液受け板は、基板の周縁に位置する側が高く、離れるに従い低くなるように傾斜した構成としても良い。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明に係る現像装置の実施の形態について、図１〜３に示す現像装置の概略図を用いて説明する。この現像装置は、例えばウェハＷの裏面中心部を吸引吸着し、ウェハＷを水平に保持する基板保持部であるスピンチャック２を備え、このスピンチャック２は主軸が駆動部２１に接続されており、回転および昇降できる構成である。また現像処理の際、現像液および洗浄液のミストが周囲に飛び散るのを防ぐための四角形状の外カップ３１と円環状の内カップ３２が、ウェハＷを囲う処理空間を形成するように設けられている。この処理空間の底面は円形板３３および円形板３３の周縁に現像液および洗浄液を回収するため空間である液受部３４とで構成されており、現像液および洗浄液は液受部３４底面に設けられた排出口３５を介して装置外に排出される。また円形板３３の周縁部には上端がウェハＷの裏面に近接する断面山形のリング体３６が設けられている。更に外カップ３１は昇降機構４により昇降可能な構成であり、内カップ３２は外カップ３１に連動して昇降可能に構成される。
【００１３】
前記内カップ３２の上部にはスピンチャック２に保持されたウェハＷの外周縁を囲むように、例えばリング幅３０ｍｍ、厚さ１．５ｍｍのリング状の液受け板３７が設けられ、液受け板３７の内周縁はウェハＷの周囲に液受け板３７が位置したときにウェハＷの外周縁との間に、例えば０．５〜３ｍｍの隙間が形成されるように設定される。この液受け板３７の取り付け構造については、例えば内カップ３２の内縁に段部を形成すると共に、液受け板３７がこの段部に係合して内カップ３２に保持されるように構成し、液受け板３７を交換できるようにすることが望ましい。また液受け板３７は、例えば直径３ｍｍの通流孔３８が、例えば５ｍｍピッチで千鳥配列あるいは正則配列に穿設され、この液受け板３７の材質は、例えばＳＵＳ、セラミックスおよび樹脂から選択されるもので構成される。本発明は上述の通流孔３８の配列構成に限定されるものではなく、例えば同心円状にスリット形状の開口部を設けるか、あるいはメッシュ形状の部材で液受け板３７を構成しても良い。
【００１４】
ウェハＷの表面に現像液を供給するための供給ノズル５１は、内部に現像液の流路を備えた細長い四角形状のノズル本体５２の下面長手方向に、ウェハＷの有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さの吐出口５３が設けられている。この吐出口５３は、例えばウェハＷの直径と同じ長さに多数の吐出孔が一列に配列された構成でも良く、あるいはウェハＷの直径と同じ長さのスリット形状の開口部を設けた構成としても良い。この供給ノズル５１はアーム部５４を介して第１の移動機構５５の移動部５６に接続されている。この第１の移動機構５５は、ガイドレール６に沿って水平移動し、供給ノズル５１がウエハＷの前端側から後端側に水平移動可能に構成され、更に第１の移動機構５５は、例えばボールネジ機構５７を備えており、供給ノズル５１が上下移動可能に構成される。
【００１５】
また現像後の洗浄工程において洗浄液、例えば純水をウェハＷ表面に供給するための洗浄ノズル７１は、第２の移動機構７２に接続されており、洗浄液の吐出口７３がウェハＷの中心上に位置設定されるように、ガイドレール６に沿って水平移動可能に構成されている。なお上述の駆動部２１、昇降機構４、第１の移動機構５５及び第２の移動機構７２は夫々制御部と接続されており、例えば駆動部２１によるスピンチャック２の昇降に応じて第１の移動機構５５による現像液の供給を行うような、各部を連動させた動作制御が可能な構成である。
【００１６】
次に上述の現像装置を用いた現像処理工程について説明する。先ずスピンチャック２が外カップ３１の上方まで上昇し、既に前工程でレジストが塗布され、露光処理が施されたウエハＷが図示しない搬送アームからスピンチャック２に受け渡され、次いでスピンチャック２はウェハＷの中心部を吸引吸着した状態で下降し、ウェハＷに現像処理を行う設定位置、例えば図１の実線で示す位置に設定される。この場合、液受け板３７の内周縁とウェハＷの外周縁とが、例えば０．５〜３ｍｍの離間距離をもってかつ液受け板３７表面とウェハ表面とが同じかあるいは僅かに低い高さ位置になるように設定される。この場合、液受け板３７（液受け板３７表面）はウェハＷ（ウェハＷ表面）よりも０．３〜２．５ｍｍ低く設定するのが好ましい。続いて供給ノズル５１が外カップ３１とウエハＷの周縁との間の走査開始位置に水平移動され、更に供給ノズル５１は下降し、ウエハＷに対して現像液の供給を行う高さ、例えば吐出口５３の先端面がウェハＷ表面から１ｍｍ程度高い位置に設定される。
【００１７】
続いて図４（ａ）（ｂ）に示すように、供給ノズル５１の吐出口５３から現像液Ｄを吐出すると共に、供給ノズル５１をウエハＷの後端側から、吐出口５３の中心がウエハＷの中心上方を通過して前端側に向かうように、例えば１００ｍｍ／ｓｅｃの速度で走査することにより、現像液ＤがウェハＷおよび液受け板３７に供給される。このときウェハＷ表面においては現像液Ｄが供給ノズル５１の先端面で押し広げられながら液盛され、例えば１ｍｍの厚さの液膜を形成する。一方液受け板３７に供給された現像液Ｄは通流孔３８を介して下方に流れ落ち、液受け部３４を介して排出口３５から排出される。
【００１８】
現像液Ｄの液盛終了後、供給ノズル５１が退避し、図４（ｃ）に示す状態を例えば５５秒間維持して静止現像が行われ、ウェハＷ表面のレジストの溶解性部位が現像液Ｄに溶解してマスクパターンを形成する。続いて外カップ３１が上昇し、この外カップ３１に連動して内カップ３２および液受け板３７が上昇して内カップ３２の傾斜面部をウェハＷの外周縁の側方に位置させ、次いで洗浄液Ｒの吐出部７３がウエハＷの中心上方に位置するように、洗浄ノズル７１が移動し、図４（ｄ）に示すように洗浄ノズル７１から洗浄液ＲをウエハＷ中心部に供給すると共に、スピンチャック２を回転させてウェハＷ表面に介在する現像液Ｄを遠心力によりウエハＷの中心部から周縁部へ向かって洗浄液Ｒで置換することにより現像液Ｄが洗い流される。更に図４（ｅ）に示すようにスピンチャック２を回転させてスピン乾燥を行い現像処理が終了する。このとき現像液Ｄと洗浄液Ｒは液受部３４を介して排出口３５から排出される。
【００１９】
上述の実施の形態によれば、図５に模式的に示すように供給ノズル５１が当該供給ノズル５１と平行なウェハＷの直径部を越えて前端側に向かって走査する際、ウェハＷの周縁を越えたときにウェハＷ上の現像液Ｄは吐出口５３の移動により外側に引張られるが、液切れが起こる前に吐出口５３からの液は液受け板３７に達して一旦隙間を跨いだ状態となり、その後自重により隙間を落下していく。現像液Ｄの落下時にもウェハＷ側の現像液Ｄの寄り戻しは僅かながら起こるが、液受け板３７がない場合のような大きな寄り戻しは起こらないので、ウェハＷ上の現像液Ｄは落ち着いた状態となっている。この結果ウェハＷ表面にある現像液Ｄに流れ、波立ちの形成が抑えられる。更に本発明者らは現像により得られるマスクパターンの線幅の均一性が向上したことを確認している。また液受け板３７をウェハＷ表面よりも低く設定した場合においては、前記隙間を跨いだ現像液Ｄが落下するときの僅かな寄り戻しを抑えることができると共に、仮に液受け板３７上にある現像液にパーティクル付着していたとしても、僅かな寄り戻しによってパーティクルをウェハＷ側に引き込んでしまうのを効果的に抑制することができる。なお、液受け板３７を２．５ｍｍよりも低く設定すると、前記隙間を現像液Ｄが跨いだときにウェハＷ周縁部の現像液Ｄが液受け板３７に向かって流れてしまう懸念がある。
【００２０】
また、本発明の他の実施の形態を以下に説明する。まず液受け板３７は上述したリング状に限られず、例えば図６（ａ）に示すように、馬蹄形状の液受け板３７をウェハＷの直径部から前端に対応する位置に設けるようにしても良い。又は図６（ｂ）に示すように、ウェハＷよりも僅かに大きいウェハＷと相似形の開口部が設けられた四角形状の液受け板３７を設けるようにしても良い。あるいは図６（ｃ）に示すようにウェハＷの直径部から前端の周縁部に対応する位置に、四角形状の液受け板３７を設ける構成であっても良い。更に液受け板３７は、ウェハＷ周縁側に位置する内周縁が高く、外周縁向かうに従って低くなるように傾斜している構成としても良い。このような構成においても、上述の場合と同様に液の寄り戻しの力が低減され、ウェハＷに液盛された現像液Ｄに流れ、波立ちが形成されるのが抑えられる。
【００２１】
続いて本発明の他の実施の形態を図７、図８を用いて説明する。この実施の形態では液受け板３７を設けるのではなく、供給ノズルの進行方向に向かうように吐出口７５が湾曲、例えば曲率がウェハＷの周縁と同じ円弧状に形成された供給ノズル７４を設けた構成とする。なお既述の実施の形態と共通する構成については説明を省略する。
【００２２】
このような構成とした場合、供給ノズル７４が現像液Ｄを供給しながら走査された際、図９（ａ）に示すように上方向からみてウェハＷの直径部から前端にかけての周縁と吐出口７５が一致した後、供給ノズル７４はウェハＷの周縁から同時に離れていく。このため現像液Ｄは点ではなくウェハＷ周縁に沿った線状で液切れする。このため寄り戻しの力を分散して弱めることができ、上述の場合と同様の効果が得られる。また更に液の寄り戻しを小さくするために前記ウェハＷの直径部から前端にかけての周縁と吐出口７５が一致したときに、現像液Ｄの供給を停止するように構成しても良い。
【００２３】
また前記吐出口７５の曲率は、ウェハＷの周縁と同じに限られず、ウェハＷの直径ｄに対してπｄ〜２πｄの範囲で設定しても良い。このような構成においても、例えば図９（ｂ）に示すようにウェハＷの前端を通過する際、ウェハＷの周縁に沿うように交わるので、現像液Ｄは点ではなくウェハＷ周縁に沿ってある程度幅を持った線状で液切れする。このため寄り戻しの力を分散して弱めることができ、上述の場合と同様の効果が得られる。
【００２４】
更に本発明の他の実施の形態として、ウェハＷ表面に沿うように、ウェハＷ表面の後端側の周縁から前端に向かう気流を形成するための気流形成手段８を備えた構成としても良い。一例として図１０に示すように、ウェハＷの前端から直径部の周縁に対応する半周に亘って、ウェハＷの周縁と内カップ３２との間に昇降機構８１により昇降自在な多数の通気管８２が設けられた構成とし、現像液Ｄの液盛の際に、通気管８２の通気孔８３をウェハＷ表面に対して例えば２ｍｍの高さ位置に設定し、例えば供給ノズル５１の進行方向に向かうように気体、例えば窒素ガスを流しても良い。なお既述の実施の形態と共通する構成については説明を省略する。
【００２５】
このような構成によれば、供給ノズル５１がウェハＷの直径部から前端に亘って走査されながら現像液Ｄを供給する際、ウェハＷと供給ノズル５１の吐出口５３との間にその表面張力により跨る現像液Ｄが液切れした際に生じる液の寄り戻しの力をこの気体の風圧で押さえて弱めることができる。このためウェハＷに液盛された現像液Ｄに流れ、波立ちが形成されるのが抑えられ、現像後に均一性の高いマスクパターンが得られる。
【００２６】
この気流形成手段８は上述の構成に限られず、例えば予め実験を行って液の寄り戻しが作用する方向を把握し、その方向に対向するように気流が形成される位置に通気管８２を配列するようにしても良い。更に通気管８２に図示しない吸引機構を接続して吸引することにより気流を形成する構成としても良い。このような構成においても液の寄り戻しの力を気体の風圧で弱めることができ、上述の場合と同様の効果が得られる。
【００２７】
更にまた気流形成手段８は、例えばウェハＷの直径部から前端の周縁部に対応する半周に亘って、開閉自在の自動バルブ８５が各々接続された通気管８２が設けられ、その先端は図１１に示すような短い円弧形状の通気口８４に形成された構成とし、例えばシーケンス制御により供給ノズル５１が通過したタイミングに合わせて自動バルブ８５を開閉させて各通気口８４から順次パージガスを上方に向かって流すようにしても良い。このような構成においては、ウェハＷの周縁と供給ノズル５１の吐出口５３との間に跨る現像液Ｄが液切れする程に引張られる前に、気体で順次切ることにより寄り戻しの力を弱めることができ、このためウェハＷに液盛された現像液Ｄに流れ、波立ちが形成されるのが抑えられ、上述と同様の効果が得られる。
【００２８】
以上において、既述した液受け板３７、円弧状の供給ノズル７４および気流形成手段８の構成は互いに組み合わせても良く、例えば液受け板３７を設け、円弧状の供給ノズル７４で液盛するように構成しても良いし、液受け板３７と気流形成手段８を設けた構成、あるいは円弧状の供給ノズル７４と気流形成手段８設けた構成でも良い。更には液受け板３７、円弧状の供給ノズル７４および気流形成手段８の全てを備えた構成であっても良い。
【００２９】
次に上述の現像装置を例えば現像ユニットに組み込んだ塗布・現像装置の一例について図１２及び図１３を参照しながら説明する。図１２及び図１３中、９１は例えば２５枚のウエハＷが収納されたカセットＣを搬入出するためのカセットステーションであり、このカセットステーション９１には前記カセットＣを載置する載置部９１ａと、カセットＣからウエハＷを取り出すための受け渡し手段９２とが設けられている。カセットステーション９１の奥側には、例えばカセットステーション９１から奥を見て例えば右側には塗布・現像系のユニットＵ１が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４が夫々配置されていると共に、塗布・現像系ユニットＵ１と棚ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４との間でウエハＷの受け渡しを行うための搬送アームＭＡが設けられている。但し図１２では便宜上受け渡し手段９２、ユニットＵ２及び搬送アームＭＡは描いていない。
【００３０】
塗布・現像系のユニットＵ１においては、例えば上段には２個の上述の現像装置を備えた現像ユニット９３が、下段には２個の塗布装置を備えた塗布ユニット９４が設けられている。棚ユニットＵ２,Ｕ３,Ｕ４においては、加熱ユニットや冷却ユニットのほか、ウエハの受け渡しユニットや疎水化処理ユニット等が上下に割り当てされている。
【００３１】
この搬送アームＭＡや塗布・現像系ユニットＵ１等が設けられている部分を処理ブロックと呼ぶことにすると、当該処理ブロックはインタ−フェイスユニット９５を介して露光ブロック９６と接続されている。インタ−フェイスユニット９５はウエハＷの受け渡し手段９７により前記処理ブロックと露光ブロック９６との間でウエハＷの受け渡しを行うものである。
【００３２】
この装置のウエハの流れについて説明すると、先ず外部からウエハＷが収納されたウエハカセットＣが載置部９１ａに載置され、受け渡し手段９２によりカセットＣ内からウエハＷが取り出され、既述の加熱・冷却ユニットＵ３の棚の一つである受け渡し台を介して搬送アームＭＡに受け渡される。次いでユニットＵ３の一の棚の処理部内にて疎水化処理が行われた後、塗布ユニット９４にてレジスト液が塗布され、レジスト膜が形成される。レジスト膜が塗布されたウエハＷは加熱ユニットで加熱された後、ユニットＵ４のインターフェースユニット９５の受け渡し手段９７と受渡し可能な冷却ユニットに搬送され、処理後にインタ−フェイスユニット９５，受け渡し手段９７を介して露光装置９６に送られ、ここでパタ−ンに対応するマスクを介して露光が行われる。露光処理後のウエハを受け渡し手段９７で受け取り、ユニットＵ４の受け渡しユニットを介して処理ブロックのウエハ搬送アームＭＡに渡す。
【００３３】
この後ウエハＷは加熱ユニットで所定温度に加熱され、しかる後冷却ユニットで所定温度に冷却され、続いて例えば図１〜図３で示した装置を備えた現像ユニット９３に送られて現像処理され、レジストのマスクパターンが形成される。しかる後ウエハＷは載置部９１ａ上のカセットＣ内に戻される。また本発明は、被処理基板に半導体ウエハ以外の基板、例えばＬＣＤ基板、フォトマスク用レチクル基板の現像処理にも適用できる。
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、レジストが塗布されて、露光処理が施された基板を現像処理する際、基板表面にある現像液膜に流れおよび波立ちが形成されるのを抑えて、基板の表面に現像液を供給することができる。このため現像により得られるマスクパターンの線幅の均一性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る現像装置の実施の形態を表す断面図である。
【図２】本発明に係る現像装置の実施の形態を表す平面図である。
【図３】本発明に係る現像装置の現像液供給部を示す側面図である。
【図４】本発明に係る現像装置の現像処理を示す工程図である。
【図５】本発明に係る現像装置の現像液供給手法を示す説明図である。
【図６】本発明に係る現像装置の他の実施の形態を示す説明図である。
【図７】本発明に係る現像装置の他の実施の形態を示す平面図である。
【図８】本発明に係る現像装置の他の実施の形態の供給ノズルを示す斜視図である。
【図９】本発明に係る現像装置の他の実施の形態の現像液供給手法を示す説明図である。
【図１０】本発明に係る現像装置の他の実施の形態を示す説明図である。
【図１１】本発明に係る現像装置の他の実施の形態を示す説明図である。
【図１２】前記現像装置を組み込んだ塗布・現像装置の一例を示す斜視図である。
【図１３】前記現像装置を組み込んだ塗布・現像装置の一例を示す平面図である。
【図１４】従来技術に係る現像液の供給方法を示す説明図である。
【図１５】従来技術に係る現像液の供給方法を示す説明図である。
【符号の説明】
Ｗウエハ
Ｄ現像液
Ｒ洗浄液
２スピンチャック
３１外カップ
３２内カップ
３７液受け板
３８通流孔
５１供給ノズル
６ガイドレール
７１洗浄ノズル
７４供給ノズル
８気流形成手段
８２通気管
８３通気孔

Claims

表面にレジストが塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現像装置において、
前記基板を水平に保持する基板保持部と、
基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って吐出口が形成され、前記基板に現像液を供給するための供給ノズルと、
この供給ノズルを基板の後端側から前端側に亘って移動させる移動機構と、
現像液をその裏面側に通過させる通流孔が設けられると共に、基板表面と同じか僅かに低い高さ位置にて、少なくとも基板の前縁側に基板の前縁と僅かな離間距離をもって設けられた液受け板と、を備えたことを特徴とする現像装置。
基板は半導体ウェハであり、液受け板は供給ノズルと平行な半導体ウェハの直径よりも前方側の周縁を囲むように設けられたことを特徴とする請求項１記載の現像装置。
基板保持部に保持された基板を囲むように昇降自在に設けられたカップを備え、液受け板はカップの上部周縁に設けられることを特徴とする請求項１又は２記載の現像装置。
基板と液受け板の離間距離は０．５ｍｍ〜３ｍｍであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の現像装置。
液受け板は、基板表面から０．３ｍｍ〜２．５ｍｍ低い位置に設けられることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の現像装置。
液受け板は、基板の周縁に位置する側が高く、離れるに従い低くなるように傾斜していることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の現像装置。
基板表面にレジストが塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現像方法において、
前記基板を基板保持部に水平に保持する工程と、
次いで通流孔が設けられた液受け板を、供給ノズルの移動方向において少なくとも基板の前縁側に僅かな離間距離をもってかつその表面と基板表面とが同じか僅かに低い高さになるように位置させる工程と、
その後基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って吐出口が形成され、前記基板に現像液を供給するための供給ノズルを、基板の後端側から前端側に亘って移動させながら現像液を吐出し、基板の外側に位置する吐出口からの現像液を液受け板の通流孔を介して裏面側に通過させながら基板表面に現像液を塗布する工程と、を備えたことを特徴とする現像方法。
液受け板は、基板保持部に保持された基板を囲む昇降自在なカップの上部周縁に設けられたことを特徴とする請求項７記載の現像方法。
前記離間距離は基板と液受け板との間に０．５ｍｍ〜３ｍｍの隙間を設けることを特徴とする請求項７又は８記載の現像方法。
液受け板は、基板表面から０．３ｍｍ〜２．５ｍｍ低い位置に設けられることを特徴とする請求項７ないし９のいずれか一に記載の現像方法。
液受け板は、基板の周縁に位置する側が高く、離れるに従い低くなるように傾斜していることを特徴とする請求項７ないし１０のいずれか一に記載の現像方法。