CN110164793B - 液体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明能够不降低生产性而除去在旋涂时产生的抗蚀剂液的异物。抗蚀剂涂敷装置(32)包括：保持晶片(W)并使其旋转的旋转吸盘(121)；对由旋转吸盘(121)保持的晶片(W)涂敷涂敷液的涂敷液供给喷嘴(154)；包围被旋转吸盘(121)保持的晶片(W)地配置于旋转吸盘(121)的外侧的罩(125)；设置在旋转吸盘与罩(125)的内周面之间的排气路径(d)；收集部件(181)，其覆盖排气路径(d)地设置在排气路径(d)的上方，具有在上下方向连通的开口部(181a)；供给溶剂的溶剂供给喷嘴(158)；和中继部(180)，其位于收集部件(181)的上方，从罩(125)的内周面向收集部件(181)突出。

Description

液体处理装置
技术领域
本发明涉及在基片涂敷涂敷液的液体处理装置和该液体处理装置的清洗方法。
背景技术
例如在半导体器件的制造处理中的光刻步骤中，例如进行涂敷处理，其在作为基片的半导体晶片(下面，称为“晶片”。)上涂敷规定的涂敷液形成防反射膜、抗蚀剂膜之类的涂敷膜。
在上述的涂敷处理中，多使用所谓的旋涂法，即从喷嘴对旋转中的晶片供给涂敷液，涂敷液因离心力而在晶片上扩散从而在晶片上形成涂敷膜。在用于进行旋涂法的旋转式的液体处理装置设置有被称为罩的容器，其用于防止从旋转的晶片的表面飞散的涂敷液飞散到周围。另外，从罩的底部进行排气，使得不会在使晶片旋转时从晶片的缘部飞散的涂敷液成为雾状飞扬到罩的上方而污染罩外。
但是，近年来，存在要求使用高粘度的抗蚀剂液等涂敷液而在晶片上形成膜厚大的涂敷膜的情况。对于这样的高粘度的涂敷液，在将其涂敷到晶片后旋转晶片使涂敷液扩散时，涂敷液被从晶片的端部甩掉而一部分固化为丝状，并且固化为该丝状的涂敷液(下面，也称为丝状异物。)或者该丝状异物成为彼此缠绕的棉状的异物而堵塞在排气路径中。在这样的情况下，无法获得所希望的排气压，而例如罩外被雾状的涂敷液汚染。
对此，在专利文献1的液体处理装置中，在保持晶片并使其旋转的旋转保持部与罩的内周面之间的排气路径的上方以覆盖该排气路径的方式设置网状的收集部件，由该收集部件收集丝状异物、棉状异物。而且，在形成涂敷膜的步骤之后等，在收集部件清洗步骤中，将用于溶解固化为丝状的涂敷液的溶剂供给到收集部件，除去上述的丝状异物、棉状异物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：实用新型注册第3175893号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
然而，在专利文献1公开的方法中，除了为形成涂敷膜所需的步骤之外，还需要收集部件清洗步骤，该收集部件清洗步骤非常耗费时间，因此在生产性的方面有改善的余地。尤其是，在使用粘度高的涂敷液的情况下，与粘度低的涂敷液相比，涂敷膜的干燥步骤等需要较长时间，因此对与生产性有关的改善，要求较高。
本发明是鉴于上述情况而完成的，在如上述的以所谓的旋转方式在基片上涂敷涂敷液的液体处理装置中，其目的在于不降低生产性而除去在旋转涂敷时产生的异物。
用于解决技术问题的技术手段
为了实现上述目的，本发明为一种能够在基片上涂敷涂敷液的液体处理装置，其特征在于，包括：保持上述基片并使其旋转的基片保持部；对由该基片保持部保持的上述基片涂敷涂敷液的涂敷液供给部；罩体，其以能够包围被上述基片保持部保持的上述基片的方式配置于上述基片保持部的外侧；设置在上述基片保持部与上述罩体的内周面之间的排气路径；涂敷液收集部，其以覆盖上述排气路径的方式设置在该排气路径的上方，且具有在上下方向连通的开口部；溶剂供给部，其对上述涂敷液收集部供给上述涂敷液的溶剂；和中继部，其位于上述涂敷液收集部的上方，从上述罩体的内周面向上述涂敷液收集部突出。
依照本发明，在涂敷液收集部的上方设置有从罩体的内周面向该涂敷液收集部突出的中继部，因此在基片背面清洗时或边缘(周缘部)清洗时等从旋转的基片甩掉的溶剂与上述中继部或罩体碰撞，经由该中继部滴落到涂敷液收集部。因此，能够在基片背面清洗时或边缘清洗时等利用溶剂来溶解由涂敷液收集部收集的抗蚀剂液的丝状异物。即，能够不降低生产性而除去上述丝状异物。
也可以为液体处理装置包括控制上述基片保持部和上述溶剂供给部的控制部，上述控制部控制上述基片保持部和上述溶剂供给部，使得将从上述溶剂供给部供给到由上述基片保持部保持的上述基片的上述溶剂从旋转的上述基片甩掉，继而与上述中继部碰撞而滴落到上述涂敷液收集部上。
也可以为上述中继部的下端与上述涂敷液收集部之间的距离大于上述中继部的上下方向的长度。
也可以为上述涂敷液收集部形成为环状，上述涂敷液收集部的径向的尺寸为14mm以上、29mm以下。
也可以为上述涂敷液收集部形成为环状，上述中继部的下端位于上述涂敷液收集部的、在径向形成有开口部的区域即开口形成区域的上方。
也可以为上述中继部的下端位于比由上述基片保持部保持的上述基片的下表面靠下方处。
也可以为上述涂敷液收集部的开口率为40％以上、70％以下。
也可以为上述中继部与上述涂敷液收集部形成为一体。
也可以为上述中继部与上述罩体形成为分体的部件。
依照另一观点的本发明，为一种能够在基片上涂敷涂敷液的液体处理装置的清洗方法，其特征在于：上述液体处理装置包括：保持上述基片并使其旋转的基片保持部；对由该基片保持部保持的上述基片涂敷涂敷液的涂敷液供给部；罩体，其以能够包围被上述基片保持部保持的上述基片的方式配置于上述基片保持部的外侧；设置在上述基片保持部与上述罩体的内周面之间的排气路径；涂敷液收集部，其以覆盖上述排气路径的方式设置在该排气路径的上方，且具有在上下方向连通的开口部；溶剂供给部，其对上述涂敷液收集部供给上述涂敷液的溶剂；和中继部，其位于上述涂敷液收集部的上方，从上述罩体的内周面向上述涂敷液收集部突出，该清洗方法包括滴落步骤，在该滴落步骤中，从上述溶剂供给部向利用上述基片保持部而旋转的上述基片供给上述溶剂，将上述溶剂从旋转的上述基片甩掉，继而与上述中继部碰撞而滴落到上述涂敷液收集部上。
也可以为上述溶剂是上述基片的预湿润处理和/或对上述基片的一部分进行的清洗处理所使用的溶剂，上述滴落步骤在上述预湿润处理时和/或上述清洗处理时，将上述溶剂从旋转的上述基片甩掉，继而与上述中继部碰撞而滴落到上述涂敷液收集部上。
发明效果
依照本发明，能够不降低生产性而除去在旋转涂敷涂敷液时产生的异物。
附图说明
图1是表示本实施方式的具有液体处理装置的基片处理系统的构成的概略的俯视图。
图2是表示本实施方式的具有液体处理装置的基片处理系统的构成的概略的主视图。
图3是表示本实施方式的具有液体处理装置的基片处理系统的构成的概略的后视图。
图4是表示抗蚀剂涂敷装置的构成的概略的纵截面图。
图5是表示抗蚀剂涂敷装置的构成的概略的横截面图。
图6是表示设置在抗蚀剂涂敷装置的收集部件的概略的俯视图。
图7是图6的局部放大图。
图8是图4的局部放大图。
图9是说明中继部的另一例的图。
图10是说明中继部的又一例的图。
图11是说明中继部和收集部件的另一例的概略的局部放大纵截面图。
图12是说明中继部的另一例的概略的局部放大纵截面图。
附图标记说明
1 基片处理系统
32 抗蚀剂涂敷装置
120 处理容器
121 旋转吸盘
125 罩
130 外罩
140 内罩
154 抗蚀剂液供给喷嘴
158 溶剂供给喷嘴
180 中继部
181 收集部件
181a 开口部
182 背面冲洗液供给喷嘴
200 控制部
d 排气路径
R1 开口形成区域
W 晶片。
具体实施方式
下面，说明本发明的实施方式。图1是表示本实施方式的具有液体处理装置的基片处理系统1的构成的概略的说明图。图2和图3分别是示意地表示基片处理系统1的内部构成的概略的主视图和后视图。此外，在本实施方式中，以涂敷液是抗蚀剂液且液体处理装置是对基片涂敷抗蚀剂液的抗蚀剂涂敷装置的情况为例进行说明。
如图1所示，基片处理系统1具有将以下部分连接成一体的结构：盒站10，用于送入送出收纳有多个晶片W的盒C；处理站11，其具有对晶片W实施规定的处理的多个各种处理装置；和接口站13，其在与处理站11相邻的曝光装置12之间进行晶片W的交接。
在盒站10设置有盒载置台20。在盒载置台20设置有多个盒载置板21，该盒载置板21用于在对基片处理系统1的外部送入送出盒C时载置盒C。
如图1所示，在盒站10设置有能够在X方向上延伸的输送路径22上移动的晶片输送装置23。晶片输送装置23能够在上下方向移动并且能够绕铅垂轴(θ方向)移动，能够在各盒载置板21上的盒C与后述的处理站11的第三区块G3的交接装置之间输送晶片W。
在处理站11设置有具有各种装置的多个区块，例如第一区块～第四区块这4个区块G1、G2、G3、G4。例如在处理站11的正面侧(图1的X方向负方向侧)设置有第一区块G1，在处理站11的背面侧(图1的X方向正方向侧)设置有第二区块G2。此外，在处理站11的盒站10侧(图1的Y方向负方向侧)设置有第三区块G3，在处理站11的交接站13侧(图1的Y方向正方向侧)设置有第四区块G4。
例如在第一区块G1，如图2所示从下开始依次配置有多个液体处理装置、例如对晶片W进行显影处理的显影处理装置30、在晶片W的抗蚀剂膜的下层形成防反射膜(下面称为“下部防反射膜”)的下部防反射膜形成装置31、在晶片W涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷装置32、在晶片W的抗蚀剂膜的上层形成防反射膜(下面称为“上部防反射膜”)的上部防反射膜形成装置33。
例如显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33以分别在水平方向上排列3个的方式配置。此外，能够任意选择这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33的数量和配置。
在上述显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33中，进行例如在晶片W上涂敷规定的涂敷液的旋涂动作。在旋涂动作中，例如一边从涂敷喷嘴将涂敷液排出到晶片W上，一边使晶片W旋转，以使涂敷液在晶片W的表面扩散。另外，在后面说明抗蚀剂涂敷装置32的结构。
例如在第二区块G2中，如图3所示在上下方向和水平方向上排列地设置有进行晶片W的加热或冷却等热处理的热处理装置40、用于提高抗蚀剂液与晶片W的固定性的粘着装置41、对晶片W的外周部进行曝光的周边曝光装置42。该热处理装置40、粘附装置41、周边曝光装置42的数量和配置均能够任意选择。
例如在第三区块G3，从下开始依次设置有多个交接装置50、51、52、53、54、55、56。此外，在第四区块G4，从下开始依次设置有多个交接装置60、61、62。
如图1所示，在被第一区块G1～第四区块G4包围的区域中，形成有晶片输送区域D。在晶片输送区域D配置有多个晶片输送装置70，其具有例如能够在Y方向、X方向、θ方向和上下方向移动的输送臂70a。晶片输送装置70能够在晶片输送区域D内移动，能够向周围的第一区块G1、第二区块G2、第三区块G3和第四区块G4内的规定装置输送晶片W。
此外，在晶片输送区域D中设置有在第三区块G3与第四区块G4之间直线地输送晶片W的往复输送装置80。
往复输送装置80能够在例如图3的Y方向上直线移动。往复输送装置80能够以支承晶片W的状态在Y方向上移动，能够在第三区块G3的交接装置52与第四区块G4的交接装置62之间输送晶片W。
如图1所示，在第三区块G3的X方向正方向侧的附近设置有晶片输送装置100。晶片输送装置100具有例如能够在X方向、θ方向和上下方向上移动的输送臂100a。晶片输送装置100能够以由输送臂100a支承晶片W的状态上下移动，来将晶片W输送到第三区块G3内的各交接装置。
在交接站13设置有晶片输送装置110和交接装置111。晶片输送装置110具有例如能够在Y方向、θ方向和上下方向上移动的输送臂110a。晶片输送装置110例如能够由输送臂110a支承晶片W，在与第四区块G4内的各交接装置、交接装置111与曝光装置12之间输送晶片W。
在以上的基片处理系统1中，如图1所示设置有控制部200。控制部200例如是计算机，具有程序存储部(未图示)。在程序存储部中存储有控制基片处理系统1中的晶片W的处理的程序。此外，在程序存储部中也存储有程序，该程序用于控制上述各种处理装置、输送装置等驱动系统的动作来实现基片处理系统1中的后述的基片处理。此外，上述程序是存储于例如计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等计算机可读取的存储介质H中的程序，也可以是从该存储介质安装于控制部200的程序。
接着，说明上述的抗蚀剂涂敷装置32的构成。图4和图5分别是表示抗蚀剂涂敷装置32的构成的概略的纵截面图和横截面图。图6是表示设置在抗蚀剂涂敷装置32的收集部件的概略的俯视图。图7是图6的局部放大图。图8是图4的局部放大图。抗蚀剂涂敷装置32如图4、图5所示具有内部可密闭的处理容器120。在处理容器120的侧面形成有晶片W的送入送出口(未图示)。
在处理容器120内设置有作为保持晶片W并使其旋转的基片保持部的旋转吸盘121。旋转吸盘121能够利用例如电动机等吸盘驱动部122以规定速度旋转。此外，在吸盘驱动部122设置有例如气缸(cylinder)等升降驱动机构，由此旋转吸盘122能够升降。
另外，在处理容器120内设置有作为收纳旋转吸盘121并能够从底部排气的罩体的罩125。罩125包括：以能够包围保持于旋转吸盘121的基片的方式配置在旋转吸盘121的外侧的外罩130；和位于外罩130的内周侧的内罩140。外罩130是承接并回收从晶片W飞散或下落的液体的部件。
如图5所示，在外罩130的X方向负方向(图5的下方向)侧形成有沿Y方向(图5的左右方向)延伸的导轨150。导轨150例如形成为从外罩130的Y方向负方向(图5的左方向)侧的外侧至Y方向正方向(图5的右方向)侧的外侧。在导轨150设置有2个臂151、152。
在第一臂151支承有抗蚀剂液供给喷嘴154，该抗蚀剂液供给喷嘴154作为对第一臂151供给作为涂敷液的抗蚀剂液的涂敷液供给部件。抗蚀剂液供给喷嘴154供给的抗蚀剂液具有50cp以上的高粘度。第一臂151由作为移动机构的喷嘴驱动部155而能够在导轨150上移动。由此，抗蚀剂液供给喷嘴154能够从设置于外罩130的Y方向正方向侧的外侧的待机部156通过外罩130内的晶片W的中心部上方，移动至设置于外罩130的Y方向负方向侧的外侧的待机部157。另外，利用喷嘴驱动部155，第一臂151能够升降，能够调节抗蚀剂液供给喷嘴154的高度。
在第二臂152支承有对晶片W上供给稀释剂(thiner)等有机溶剂的溶剂供给喷嘴158。第二臂152由作为移动机构的喷嘴驱动部159而能够在导轨150上移动。由此，溶剂供给喷嘴158能够从设置于外罩130的Y方向正方向侧的外侧的待机部160移动至外罩130内的晶片W的中心部上方。待机部160设置于待机部156的Y方向正方向侧。另外，利用喷嘴驱动部159，第二臂152能够升降，能够调节抗蚀剂液供给喷嘴158的高度。
在为使抗蚀剂液在晶片W上容易扩散而在涂敷抗蚀剂液之前进行的预湿润处理时，从溶剂供给喷嘴158供给的有机溶剂作为供给到晶片W上的预湿润液发挥作用。另外，如后述那样，在预湿润处理时，来自溶剂供给喷嘴158的有机溶剂被从晶片W甩掉，经由后述的中继部180滴落到后述的收集部件181上。由此，能够利用有机溶剂来溶解从晶片W产生并由收集部件181收集的、抗蚀剂液的线状异物和棉状异物。即，溶剂供给喷嘴158作为溶剂供给部发挥作用。
在内罩140与旋转吸盘121之间的部分设置有对晶片W的背面供给稀释剂等有机溶剂的背面冲洗液供给喷嘴182。为了防止抗蚀剂液在晶片W上扩散时等绕到晶片W的背面侧，从背面冲洗液供给喷嘴182供给的有机溶剂被供给到晶片W的背侧的端部。
在外罩130的下部设置有环状的壁体131，在内罩140的下部设置有环状的壁体141。在壁体131、141之间形成有构成排气路径d的间隙。并且，在内罩140的下方，由圆环状的水平部件142、筒状的外周垂直部件143、内周垂直部件144和位于底部的圆环状的底面部件145形成弯曲路径。由该弯曲路径构成气液分离部。
在壁体131与外周垂直部件143之间的底面部件145形成有用于排出回收的液体的排液口132，该排液口132与排液管133连接。
另一方面，在外周垂直部件143与内周垂直部件144之间的底面部件145形成有用于对晶片W的周边的气氛进行排气的排气口146，该排气口146与排气管147连接。
以封闭设置于上述的外罩130的壁体131与内罩140的壁体141之间的排气路径d的上方的方式，在罩125内设置有作为涂敷液收集部的收集部件181。收集部件181是用于收集抗蚀剂液的丝状异物的部件，是SUS等金属制的。另外，收集部件181如上述那样封闭排气路径d，但是由于其具有在上下方向连通的开口部181a，因此能够经由该开口部181a进行排气。
收集部件181以其上表面成为大致水平的方式设置于罩125内。该收集部件181例如如图6和图7所示，俯视时是圆环状部件，开口部181a等间隔地排列设置于圆周上。
如图8所示，在上述的外罩130的位于收集部件181的上方的部分，设置有从外罩130的内周面向收集部件181突出的中继部180。更具体而言，设置中继部180的位置是在收集部件181的径向上形成有开口部181a的区域即开口形成区域R1(参照图7)的上方，该中继部180的下端所处的位置。在侧视时，该中继部180的下端位于比由旋转吸盘121保持的晶片W的下表面靠下方处。另外，中继部180形成为俯视时呈圆环状(参照图5)。此外，设置中继部180的外罩130的上部内周面成为径向外侧低于内侧的倾斜面。
接着，说明使用如上那样构成的基片处理系统1进行的晶片处理。首先，收纳有多个晶片W的盒C被送入基片处理系统1的盒站10，由晶片输送装置23将盒C内的各晶片W依次输送到处理站11的交接装置53。
接着，晶片W被输送到第二区块G2的热处理装置40进行温度调节处理。之后，晶片W由晶片输送装置70输送到例如第一区块G1的下部防反射膜形成装置31，在晶片W上形成下部防反射膜。之后，晶片W被输送到第二区块G2的热处理装置40进行加热处理，并进行温度调节。
接着，晶片W被输送到粘着装置41，进行粘着处理。然后，晶片W被输送到第一区块G1的抗蚀剂涂敷装置32，在晶片W上形成抗蚀剂膜。之后，晶片W被输送到热处理装置40，进行预烘烤处理。此外，在预烘烤处理中也进行与下部防反射膜形成后的热处理同样的处理，另外，在后述的防反射膜形成后的热处理、曝光后烘烤处理、后烘烤处理中也进行同样的处理。其中，提供各热处理的热处理装置40彼此不同。
接着，晶片W被输送到上部防反射膜形成装置33，在晶片W上形成上部防反射膜。然后，晶片W被输送到热处理装置40，进行加热并进行温度调节。之后，晶片W被输送到周边曝光装置42，进行周边曝光处理。
接着，晶片W被输送到曝光装置12，按规定的图案进行曝光处理。
接着，晶片W被输送到热处理装置40，进行曝光后烘烤处理。之后，晶片W例如被输送到显影处理装置30进行显影处理。在显影处理结束后，晶片W被输送到热处理装置40进行后烘烤处理。然后，晶片W被输送到盒载置板21的盒C，一系列的光刻步骤完成。
在此，详细说明抗蚀剂涂敷装置32中的抗蚀剂涂敷处理。在抗蚀剂的涂敷处理时，首先，由旋转吸盘121的上表面吸附保持晶片W。然后，使溶剂供给喷嘴158移动到晶片W的中心部的上方，进行预湿润处理。关于预湿润处理的作用在后面述说。然后，使溶剂供给喷嘴158退避后，使抗蚀剂液供给喷嘴154移动到晶片W的中心部上方，一边使晶片W以低转速(例如100rpm)旋转，一边从抗蚀剂液供给喷嘴154将抗蚀剂液供给到晶片W上。
然后，在来自抗蚀剂液供给喷嘴154的抗蚀剂液的供给量达到规定的量的时刻停止供给抗蚀剂液，接着使抗蚀剂液供给喷嘴154退避。然后，使晶片W以更高的转速(例如3000rpm)旋转，进行使供给到晶片W的中心部的抗蚀剂液在晶片W的整个面扩散而形成规定膜厚的涂敷膜的扩散处理。接着，使晶片以规定的转速(例如1000rpm)旋转，进行使晶片W上的涂敷膜干燥的干燥处理。
此外，在扩散处理、干燥处理中，从背面冲洗液供给喷嘴182对旋转的晶片W的背面供给溶剂。
在上述的扩散处理、干燥处理中，虽然抗蚀剂液的粘度高，但为了以少量的抗蚀剂液形成涂敷膜而晶片的转速较大，因此，抗蚀剂液从由旋转吸盘121的上表面吸附保持的晶片W的上表面飞散到周围。飞散的抗蚀剂液与中继部180碰撞，沿着中继部180向下方移动，从中继部180的下端下落到收集部件181而被收集。此时，由于该抗蚀剂液是高粘度的，因此一部分抗蚀剂液固化为丝状而成为丝状异物。此外，有时从晶片W飞散的抗蚀剂液与外罩130的上部内周面上的比中继部180靠上方的部分碰撞。在该情况下，如上述那样外罩130的上部内周面成为径向外侧低的倾斜面，因此碰撞到外罩130的上部内周面的抗蚀剂液沿该内周面和中继部180移动，从中继部180的前端下落到收集部件181上而被该收集部件181收集。
利用上述的干燥处理而完成涂敷膜的形成，因此将由旋转吸盘121吸附保持的晶片W从抗蚀剂涂敷装置32送出，送入下一晶片W。接着，对该下一晶片W进行上述的预湿润处理。在预湿润步骤中，一边使晶片W以高转速(例如2000rpm)旋转，一边从溶剂供给喷嘴158将溶剂供给到晶片W上。因此，溶剂从由旋转吸盘121的上表面吸附保持的晶片W的上表面飞散到周围。飞散的溶剂与中继部180碰撞，沿该中继部180向下方移动，从该中继部180的下端滴落到由收集部件181收集的抗蚀剂液的丝状异物上。此外，有时从晶片W飞散的溶剂与外罩130的上部内周面上的比中继部180靠上方的部分碰撞。在该情况下，如上述那样外罩130的上部内周面成为径向外侧低的倾斜面，因此与外罩130的上部内周面碰撞的抗蚀剂液沿该内周面和中继部180移动，从中继部180的前端滴落到由收集部件181收集的抗蚀剂液的丝状异物上。
在本实施方式中，上述的中继部180设置于收集部件181的上方。因此，能够利用在预湿润处理时被涂敷到晶片W并从晶片W飞散而利用中继部180滴落的溶剂，溶解并除去在旋涂于晶片W上时等从晶片W飞散而被收集部件181收集的抗蚀剂液的丝状异物。因此，无需另外进行用于溶解并除去由收集部件181收集的抗蚀剂液的处理，故而不会降低生产量。
在现有的液体处理装置的清洗方法即收集部件的清洗方法中，难以控制收集部件中的抗蚀剂液的丝状异物的收集位置和用于溶解收集部件中的丝状异物的溶剂的滴落位置。因此，难以适当地除去上述丝状异物。对此，在本实施方式中，由于设置有中继部180，因此能够控制收集部件181中的上述丝状异物的收集位置和收集部件181中的溶剂的滴落位置，因此能够适当地溶解并除去上述丝状异物。
本实施方式中，抗蚀剂液和溶剂均经由中继部180而下落/滴落到收集部件181上，因此收集部件181上的抗蚀剂液的下落位置和溶剂的滴落位置相同。因此，在抗蚀剂液成为丝状异物的情况下，能够高效地除去该异物。
在本实施方式中，在预湿润处理时，使用来自溶剂供给喷嘴158的溶剂来溶解并除去固化的抗蚀剂液。也可以在此基础上或者取而代之，在扩散处理时或干燥处理时等期间清洗晶片W的背面时，使用来自背面冲洗液供给喷嘴182的溶剂，来溶解并除去固化的抗蚀剂液。在清洗晶片W的背面时该晶片的转速高的情况下，从背面冲洗液供给喷嘴182供给到晶片W的背面的溶剂，从晶片W的背面飞散而与中继部180或外罩130的上部内周面碰撞后，从中继部180滴落到收集部件181上。因此，在背面清洗时也能够溶解并除去固化的抗蚀剂液。另外，也可以在清洗晶片W的周缘部时，使用来自溶剂供给喷嘴158的溶剂来溶解并除去固化的抗蚀剂液。
在本实施方式中，为了溶解并除去固化的抗蚀剂液而设置的中继部180，形成为其下端不与收集部件181的上表面接触。具体而言，中继部180形成为该中继部180的下端与收集部件181的上表面之间的距离L1(参照图8)大于该中继部180的上下方向的长度L2(参照图8)。当中继部180的上下方向的长度L2过大时，溶剂不绕到中继部180的背侧即中继部180的与旋转吸盘121相反的一侧，而存在附着物积存在该背侧的可能性。但是，在本实施方式中，按上述那样的尺寸设置了中继部180，因此在该背侧不积存附着物。此外，中继部180的下端与收集部件181的上表面之间的距离L1例如为14mm以上。
收集部件181在其径向的尺寸W1(参照图7)过窄时，为了获得所希望的排气压而确保开口率同时获得机械强度，为此无法扩大开口部181a的周向的尺寸W2(参照图7)，这样一来就无法收集固化的抗蚀剂液。另外，收集部件181在其径向的尺寸W1过宽时，经由中继部180滴落到该收集部件181上的溶剂在该收集部件181上无法充分在径向扩展，因此存在固化的抗蚀剂液未被溶解而残留的科可能性。因此，使收集部件181的径向的尺寸W1为14mm以上、29mm以下。此外，使收集部件181中的开口部181a间的周向的尺寸W2为1.5mm以上、3mm以下。这是因为，当上述尺寸W2过宽时，无法获得所希望的排气压，当上述尺寸W2过窄时，无法由收集部件181收集抗蚀剂液的丝状异物。
收集部件181在开口率过小时即俯视时开口部181a相对于收集部件181整体的面积过小时，在固化于开口部181a的抗蚀剂液过度堵塞，存在无法获得所希望的排气压的可能性。另一方面，在上述开口率过大时，无法收集固化的抗蚀剂液而无法除去该固化的抗蚀剂液。因此，使收集部件181的开口率为40以上、70％以下。
在本实施方式中，如上所述，收集部件181的下端在侧视时位于比由旋转吸盘121保持的晶片W的下表面靠下方处。因此，当经由中继部180将溶剂滴落在收集部件181上时，无论将来自溶剂供给喷嘴158的溶剂从晶片W的上表面甩掉的情况下，还是在将来自背面冲洗液供给喷嘴182的溶剂从晶片W的下表面甩掉的情况下，都能够使甩掉的溶剂更可靠地与收集部件181碰撞，滴落到收集部件181上的规定的部位。
另外，在本实施方式中，如上所述，关于中继部180，该中继部180的下端位于在收集部件181的开口形成区域R1(参照图7)的上方。因此，经由中继部180滴落到收集部件181的溶剂在收集部件181上适当地扩散，因此能够溶解并除去固化且被收集部件181收集的抗蚀剂液。
此外，本实施方式中，如上所述，收集部件181以其上表面成为大致水平的方式设置于罩125内。这是因为，在收集部件181的上表面不是水平的情况下，即该上表面的一侧的位置较低的情况下，经由中继部180滴落到收集部件181上的溶剂流向收集部件181的上表面较低处，无法溶解并除去由较高一侧的部分收集的抗蚀剂液的丝状异物。另外，在增高收集部件181的径向的一端而使溶剂滴落到该部分的情况下，溶剂到达较低的另一端之前从开口向下方下落的量变多，在较低的端部产生难以被溶解并除去的部分。如上所述，利用对基片的处理步骤进行溶剂供给，因此在产品生产效率上不优选增加溶剂供给量或者其供给时间，因此优选在半径方向整个区域更容易扩展的方式。根据上述的理由，可以说本实施方式是适合上述要求的方式。
图9和图10是说明中继部180的另一例的图。在上述的例中，中继部180可以为1个，也可以如图9所示为2个。此外，中继部180的数量可以为3个以上。在中继部180为多个的情况下，以侧视时一中继部180的下端位于比该一中继部180靠内侧的另一中继部180的下端靠下方处的方式设置各中继部180。
另外，在上述的例中，中继部180形成为剖视时呈长方形状。中继部180的形状没有限制，中继部180也可以例如如图10所示，形成为剖视时向下凸的弧状。通过使中继部180成为这样的形状，能够使溶剂、抗蚀剂液暂时积存在中继部180而后滴落，因此能够抑制堵塞清洗前的中继部180。
此外，也可以使中继部180的旋转吸盘121侧的表面为亲水性的。其原因在于，由此溶剂容易沿着中继部180流动。另外，也可以使中继部180的旋转吸盘121侧的表面为亲水性，并使与旋转吸盘121相反的一侧的表面为疏水性的。其原因在于，由此溶剂容易从中继部180的前端下落。
图11是说明中继部和收集部件的另一例的概略的局部放大纵截面图。在上述的例中，中继部180与外罩130形成为一体而与收集部件181分体，但是也可以如图11所示，将中继部180与收集部件181设为一体。由此，能够使用现有的罩。此外，在该情况下，与中继部180形成为一体的收集部件181例如是树脂制的。另外，使该收集部件181为可分割的，由此容易将该收集部件181安装到罩125。
图12是说明中继部的另一例的概略的局部放大纵截面图。在图4等的例中，中继部180与外罩130形成为一体。但是，中继部180也可以如图12所示，作为与外罩130分体的中继部件。由此，能够容易地改变中继部180的上下方向的长度，例如能够根据抗蚀剂液的粘度来选择中继部180的上下方向的长度。
在以上的例中，对排气路径d设置的收集部件181的数量可以是一个也可以是多个。
以上，参照附图，对本发明的优选的实施方式进行了说明，但是本发明不限于该例。对于本领域技术人员而言，在权利要求的范围所记载的思想的范畴内，显然能够想到各种变形例或修正例，它们也当然属于本发明的技术的范围。本发明不限于该例可采用的各种方式。在基片为晶片以外的FPD(平面显示器)、光刻用的掩模版(mask reticle)等的其他基片的情况下，也能够应用本发明。
产业上的可利用性
本发明适用于基片上涂敷涂敷液的液体处理装置。

Claims (11)

1.一种能够在基片上涂敷涂敷液的液体处理装置，其特征在于，包括：
保持所述基片并使其旋转的基片保持部；
对由该基片保持部保持的所述基片涂敷涂敷液的涂敷液供给部；
罩体，其以能够包围被所述基片保持部保持的所述基片的方式配置于所述基片保持部的外侧；
设置在所述基片保持部与所述罩体的内周面之间的排气路径；
涂敷液收集部，其以覆盖所述排气路径的方式设置在该排气路径的上方，且具有在上下方向连通的开口部；
溶剂供给部，其对所述涂敷液收集部供给所述涂敷液的溶剂；
中继部，其位于所述涂敷液收集部的上方，从所述罩体的内周面向所述涂敷液收集部突出；和
控制所述基片保持部和所述溶剂供给部的控制部，
所述控制部控制所述基片保持部和所述溶剂供给部，使得将从所述溶剂供给部供给到由所述基片保持部保持的所述基片的所述溶剂从旋转的所述基片甩掉，继而与所述中继部碰撞而滴落到所述涂敷液收集部上。
2.如权利要求1所述的液体处理装置，其特征在于：
所述中继部的下端与所述涂敷液收集部之间的距离大于所述中继部的上下方向的长度。
3.如权利要求1或2所述的液体处理装置，其特征在于：
所述涂敷液收集部形成为环状，
所述涂敷液收集部的径向的尺寸为14mm以上、29mm以下。
4.如权利要求1或2所述的液体处理装置，其特征在于：
所述涂敷液收集部形成为环状，
所述中继部的下端以所述滴落的溶剂在所述涂敷液收集部上在径向扩展的方式位于所述涂敷液收集部的、在径向形成有开口部的区域即开口形成区域的上方。
5.如权利要求1或2所述的液体处理装置，其特征在于：
所述中继部的下端位于比由所述基片保持部保持的所述基片的下表面靠下方处。
6.如权利要求1或2所述的液体处理装置，其特征在于：
所述涂敷液收集部的开口率为40％以上、70％以下。
7.如权利要求1或2所述的液体处理装置，其特征在于：
所述涂敷液收集部是具有俯视观察时将最内侧区域与最外侧区域以直线状相连的区域的部件。
8.如权利要求1或2所述的液体处理装置，其特征在于：
所述中继部与所述涂敷液收集部形成为一体。
9.如权利要求1或2所述的液体处理装置，其特征在于：
所述中继部与所述罩体形成为分体的部件。
10.一种能够在基片上涂敷涂敷液的液体处理装置的清洗方法，其特征在于：
所述液体处理装置包括：
保持所述基片并使其旋转的基片保持部；
对由该基片保持部保持的所述基片涂敷涂敷液的涂敷液供给部；
罩体，其以能够包围被所述基片保持部保持的所述基片的方式配置于所述基片保持部的外侧；
设置在所述基片保持部与所述罩体的内周面之间的排气路径；
涂敷液收集部，其以覆盖所述排气路径的方式设置在该排气路径的上方，且具有在上下方向连通的开口部；
溶剂供给部，其对所述涂敷液收集部供给所述涂敷液的溶剂；和
中继部，其位于所述涂敷液收集部的上方，从所述罩体的内周面向所述涂敷液收集部突出，
该清洗方法包括滴落步骤，在该滴落步骤中，从所述溶剂供给部向利用所述基片保持部而旋转的所述基片供给所述溶剂，将所述溶剂从旋转的所述基片甩掉，继而与所述中继部碰撞而滴落到所述涂敷液收集部上。
11.如权利要求10所述的液体处理装置的清洗方法，其特征在于：
所述溶剂是所述基片的预湿润处理和/或对所述基片的一部分进行的清洗处理所使用的溶剂，
所述滴落步骤在所述预湿润处理时和/或所述清洗处理时，将所述溶剂从旋转的所述基片甩掉，继而与所述中继部碰撞而滴落到所述涂敷液收集部上。
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