KR20190099124A - 액 처리 장치 - Google Patents

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KR20190099124A
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

회전식으로 기판 상에 도포액을 도포하는 액 처리 장치에 있어서, 회전 도포 시에 발생한 레지스트액의 이물을, 생산성을 손상시키지 않고 제거한다.
레지스트 도포 장치(32)는, 웨이퍼(W)를 보유 지지하여 회전시키는 스핀 척(121)과, 스핀 척(121)으로 보유 지지된 웨이퍼(W)에 도포액을 도포하는 도포액 공급 노즐(154)과, 스핀 척(121)으로 보유 지지되는 웨이퍼(W)를 둘러쌀 수 있도록, 스핀 척(121)의 외측에 배치된 컵(125)과, 스핀 척과 컵(125)의 내주면과의 사이에 마련되는 배기 경로 d와, 배기 경로 d의 상방에 해당 배기 경로 d를 덮도록 마련되고, 또한, 상하 방향으로 연통하는 개구부(181a)를 갖는 포집 부재(181)와, 용제를 공급하는 용제 공급 노즐(158)과 포집 부재(181)의 상방에 위치하여, 컵(125)의 내주면으로부터 포집 부재(181)를 향하여 돌출되는 중계부(180)를 구비한다.

Description

액 처리 장치{LIQUID PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판에 도포액을 도포하는 액 처리 장치 및 해당 액 처리 장치의 세정 방법에 관한 것이다.
예를 들어 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 예를 들어 기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 상에 소정의 도포액을 도포하여 반사 방지막이나 레지스트막과 같은 도포막을 형성하는 도포 처리가 행해진다.
상술한 도포 처리에 있어서는, 회전 중인 웨이퍼에 노즐로부터 도포액을 공급하고, 원심력에 의해 웨이퍼 상에서 도포액을 확산함으로써 웨이퍼 상에 도포막을 형성하는, 소위 스핀 도포법이 널리 사용되고 있다. 스핀 도포 방법을 행하기 위한 회전식 액 처리 장치에는, 회전하는 웨이퍼의 표면으로부터 비산된 도포액이 주위에 비산되는 것을 방지하기 위해서, 컵이라고 불리는 용기가 마련되어 있다. 또한, 웨이퍼를 회전시켰을 때에 웨이퍼의 에지부로부터 비산된 도포액이 미스트상이 되어 컵의 상방으로 날아 올라가서 컵 외부를 오염시키는 경우가 없도록, 컵의 저부로부터 배기가 행해지고 있다.
그런데, 근년, 고점도의 레지스트액 등의 도포액을 사용하여, 웨이퍼 상에 막 두께가 큰 도포막을 형성하는 것이 요구되는 경우가 있다. 이러한 고점도의 도포액의 경우, 웨이퍼에 도포한 후에 회전시켜 도포액을 확산시킬 때, 도포액이 웨이퍼의 단부로부터 떨쳐 내어져 일부가 실 형상으로 고화됨과 함께, 이 실 형상으로 고화된 도포액(이하, 실 형상 이물이라고도 함), 또는, 이 실 형상 이물끼리 서로 얽힌 면 형상의 이물이 되어 배기 경로 중에 막하는 경우가 있었다. 이러한 경우, 원하는 배기압을 얻을 수 없고, 예를 들어 미스트상의 도포액에 의해 컵 외부가 오염되어 버리게 된다.
그것에 대하여 특허문헌 1의 액 처리 장치에서는, 웨이퍼를 보유 지지하여 회전시키는 회전 보유 지지부와 컵의 내주면 사이에 마련되는 배기 경로의 상방에 해당 배기 경로를 덮도록 메쉬 형상의 포집 부재를 마련하고, 해당 포집 부재에서 실 형상 이물이나 면 형상 이물을 포집한다. 그리고, 도포막을 형성하는 공정의 후 등에, 포집 부재 세정 공정에 있어서, 실 형상으로 고화된 도포액을 용해하는 용제를 포집 부재에 공급하고, 상술한 실 형상 이물이나 면 형상 이물을 제거하고 있다.
실용 신안 등록 제3175893호 공보
그러나, 특허문헌 1에 개시된 방법에서는, 도포막을 형성하기 위해서 필수인 공정과는 별도로, 포집 부재 세정 공정이 필요해지고, 해당 포집 부재 세정 공정은 매우 시간이 걸리기 때문에, 생산성의 관점에서 개선의 여지가 있다. 특히, 점도가 높은 도포액을 사용하는 경우, 점도가 낮은 도포액에 비하여, 도포막의 건조 공정 등에 장시간을 필요로 하기 때문에, 생산성에 관한 개선의 요구가 높다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 상기한 바와 같은 소위 회전식으로 기판 상에 도포액을 도포하는 액 처리 장치에 있어서, 회전 도포 시에 발생된 이물을, 생산성을 손상시키지 않고 제거하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 기판 상에 도포액을 도포하는 액 처리 장치이며, 상기 기판을 보유 지지하여 회전시키는 기판 보유 지지부와, 해당 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판에 도포액을 도포하는 도포액 공급부와, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지되는 상기 기판을 둘러쌀 수 있도록, 상기 기판 보유 지지부의 외측에 배치된 컵부와, 상기 기판 보유 지지부와 상기 컵부의 내주면과의 사이에 마련되는 배기 경로와, 상기 배기 경로의 상방에 해당 배기 경로를 덮도록 마련되고, 또한, 상하 방향으로 연통하는 개구부를 갖는 도포액 포집부와, 상기 도포액 포집부에 상기 도포액의 용제를 공급하는 용제 공급부와, 상기 도포액 포집부의 상방에 위치하고, 상기 컵부의 내주면으로부터 상기 도포액 포집부를 향해 돌출되는 중계부를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 따르면, 도포액 포집부의 상방에, 컵부의 내주면으로부터 해당 도포액 포집부를 향해 돌출되는 중계부가 마련되어 있기 때문에, 기판 이면 세정시나 에지(주연부) 세정시 등에 회전하는 기판으로부터 떨쳐 내어진 용제가, 상기 중계부나 컵부에 충돌하고, 해당 중계부를 통해 도포액 포집부에 적하된다. 따라서, 도포액 포집부에서 포집된 레지스트액의 실 형상 이물을 기판 이면 세정시나 에지 세정시 등에 용제에 의해 용해시킬 수 있다. 즉, 생산성을 손상시키지 않고, 상기 실 형상 이물을 제거할 수 있다.
액 처리 장치는, 상기 기판 보유 지지부와 상기 용제 공급부를 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판에 상기 용제 공급부로부터 공급된 상기 용제가 회전하는 상기 기판으로부터 떨쳐 내어져서, 상기 중계부에 충돌하고, 상기 도포액 포집부 상에 적하되도록 상기 기판 보유 지지부와 상기 용제 공급부를 제어해도 된다.
상기 중계부의 하단과 상기 도포액 포집부 사이의 거리가 상기 중계부의 상하 방향의 길이보다 커도 된다.
상기 도포액 포집부는 환상으로 형성되고, 상기 도포액 포집부의 직경 방향의 폭은, 14㎜ 이상 29㎜ 이하여도 된다.
상기 도포액 포집부는 환상으로 형성되고, 상기 중계부의 하단이 상기 도포액 포집부의 직경 방향에 있어서 개구부가 형성된 영역인 개구 형성 영역의 상방에 위치해도 된다.
상기 중계부의 하단이 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판의 하면보다도 하방에 위치해도 된다.
상기 도포액 포집부의 개구율은 40％ 이상 70％ 이하여도 된다.
상기 중계부는, 상기 도포액 포집부와 일체로 형성되어 있어도 된다.
상기 중계부는, 상기 컵부와는 별체의 부재로서 형성되어 있어도 된다.
별도의 관점에 의한 본 발명은 기판 상에 도포액을 도포하는 액 처리 장치의 세정 방법이며, 상기 액 처리 장치가 상기 기판을 보유 지지하여 회전시키는 기판 보유 지지부와, 해당 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판에 도포액을 도포하는 도포액 공급부와, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지되는 상기 기판을 둘러쌀 수 있도록, 상기 기판 보유 지지부의 외측에 배치된 컵부와, 상기 기판 보유 지지부와 상기 컵부의 내주면과의 사이에 마련되는 배기 경로와, 상기 배기 경로의 상방에 해당 배기 경로를 덮도록 마련되고, 또한, 상하 방향으로 연통하는 개구부를 갖는 도포액 포집부와, 상기 도포액 포집부에 상기 도포액의 용제를 공급하는 용제 공급부와, 상기 도포액 포집부의 상방에 위치하고, 상기 컵부의 내주면으로부터 상기 도포액 포집부를 향해 돌출되는 중계부를 구비하고, 해당 세정 방법은, 상기 기판 보유 지지부에 의해 회전되는 상기 기판에 상기 용제 공급부로부터 상기 용제를 공급하고, 회전하는 상기 기판으로부터 상기 용제를 떨쳐 내어, 상기 중계부에 충돌시키고, 상기 도포액 포집부 상에 적하시켜 적하 공정을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 용제는, 상기 기판의 프리웨트 처리 및/또는 상기 기판의 일부에 대한 세정 처리에 사용되는 것이며, 상기 적하 공정은, 상기 프리웨트 처리 시 및/또는 상기 세정 처리 시에, 회전하는 상기 기판으로부터 상기 용제를 떨쳐 내어, 상기 중계부에 충돌시켜 상기 도포액 포집부 상에 적하시켜도 된다.
본 발명에 따르면, 도포액의 회전 도포 시에 발생된 이물을, 생산성을 손상시키지 않고 제거할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 관한 액 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 실시 형태에 관한 액 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 정면도이다.
도 3은 본 실시 형태에 관한 액 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 배면도이다.
도 4는 레지스트 도포 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 5는 레지스트 도포 장치의 구성의 개략을 나타내는 횡단면도이다.
도 6은 레지스트 도포 장치에 마련되는 포집 부재의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 7은 도 6의 부분 확대도이다.
도 8은 도 4의 부분 확대도이다.
도 9는 중계부의 다른 예를 설명하는 도면이다.
도 10은 중계부의 또 다른 예를 설명하는 도면이다.
도 11은 중계부와 포집 부재의 다른 예의 개략을 설명하는 부분 확대 종단면도이다.
도 12는 중계부의 다른 예의 개략을 설명하는 부분 확대 종단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 관한 액 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 나타내는 설명도이다. 도 2 및 도 3은, 각각 기판 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 정면도와 배면도이다. 또한, 본 실시 형태에서는, 도포액이 레지스트액이며, 액 처리 장치가 기판에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 장치인 경우를 예로 들어서 설명한다.
기판 처리 시스템(1)은, 도 1에 나타낸 바와 같이 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트 C가 반출입되는 카세트 스테이션(10)과, 웨이퍼(W)에 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(11)과, 처리 스테이션(11)에 인접하는 노광 장치(12) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(13)을 일체로 접속시킨 구성을 갖고 있다.
카세트 스테이션(10)에는, 카세트 적재대(20)가 마련되어 있다. 카세트 적재대(20)에는, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 대해 카세트 C를 반출입할 때에 카세트 C를 적재하는 카세트 적재판(21)이 복수 마련되어 있다.
카세트 스테이션(10)에는, 도 1에 나타낸 바와 같이 X 방향으로 연장되는 반송로(22) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(23)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(23)는, 상하 방향 및 연직축 주위(θ 방향)에도 이동 가능하며, 각 카세트 적재판(21) 상의 카세트 C와, 후술하는 처리 스테이션(11)의 제3 블록 G3의 전달 장치 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
처리 스테이션(11)에는, 각종 장치를 구비한 복수, 예를 들어 제1 내지 제4의 4개의 블록 G1, G2, G3, G4가 마련되어 있다. 예를 들어 처리 스테이션(11)의 정면측(도 1의 X 방향 부방향측)에는, 제1 블록 G1이 마련되고, 처리 스테이션(11)의 배면측(도 1의 X 방향 정방향측)에는, 제2 블록 G2가 마련되어 있다. 또한, 처리 스테이션(11)의 카세트 스테이션(10)측(도 1의 Y 방향 부방향측)에는, 제3 블록 G3이 마련되고, 처리 스테이션(11)의 인터페이스 스테이션(13)측(도 1의 Y 방향 정방향측)에는, 제4 블록 G4가 마련되어 있다.
예를 들어 제1 블록 G1에는, 도 2에 나타낸 바와 같이 복수의 액 처리 장치, 예를 들어 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 장치(30), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하 「하부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(32), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하 「상부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치(33)가 아래부터 이 순서대로 배치되어 있다.
예를 들어 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)는, 각각 수평 방향으로 3개 나열하여 배치되어 있다. 또한, 이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다.
이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)에서는, 예를 들어 웨이퍼(W) 상에 소정의 도포액을 도포하는 스핀코팅이 행해진다. 스핀코팅에서는, 예를 들어 도포 노즐로부터 웨이퍼(W) 상에 도포액을 토출함과 함께, 웨이퍼(W)를 회전시키고, 도포액을 웨이퍼(W)의 표면에 확산시킨다. 또한, 레지스트 도포 장치(32)의 구성에 대해서는 후술한다.
예를 들어 제2 블록 G2에는, 도 3에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)의 가열이나 냉각과 같은 열처리를 행하는 열처리 장치(40)나, 레지스트액과 웨이퍼(W)의 정착성을 높이기 위한 어드비젼 장치(41), 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 장치(42)가 상하 방향과 수평 방향으로 나열하여 마련되어 있다. 이들 열처리 장치(40), 어드비젼 장치(41), 주변 노광 장치(42)의 수나 배치에 대해서도, 임의로 선택할 수 있다.
예를 들어 제3 블록 G3에는, 복수의 전달 장치(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)가 아래부터 순서대로 마련되어 있다. 또한, 제4 블록 G4에는, 복수의 전달 장치(60, 61, 62)가 아래부터 순서대로 마련되어 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이 제1 블록 G1 내지 제4 블록 G4에 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역 D가 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역 D에는, 예를 들어 Y 방향, X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(70a)을 갖는 웨이퍼 반송 장치(70)가 복수 배치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는, 웨이퍼 반송 영역 D 내를 이동하고, 주위의 제1 블록 G1, 제2 블록 G2, 제3 블록 G3 및 제4 블록 G4 내의 소정의 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
또한, 웨이퍼 반송 영역 D에는, 제3 블록 G3과 제4 블록 G4 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 마련되어 있다.
셔틀 반송 장치(80)는, 예를 들어 도 3의 Y 방향에 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(80)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 Y 방향으로 이동하고, 제3 블록 G3의 전달 장치(52)와 제4 블록 G4의 전달 장치(62) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이 제3 블록 G3의 X 방향 정방향측의 옆에는, 웨이퍼 반송 장치(100)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들어 X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(100a)을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 반송 암(100a)에 의해 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 상하로 이동하여, 제3 블록 G3 내의 각 전달 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
인터페이스 스테이션(13)에는, 웨이퍼 반송 장치(110)와 전달 장치(111)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(110)는, 예를 들어 Y 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(110a)을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(110)는, 예를 들어 반송 암(110a)에 웨이퍼(W)를 지지하고, 제4 블록 G4 내의 각 전달 장치, 전달 장치(111) 및 노광 장치(12) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
이상의 기판 처리 시스템(1)에는, 도 1에 나타낸 바와 같이 제어부(200)가 마련되어 있다. 제어부(200)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시되지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 상술한 각종 처리 장치나 반송 장치 등의 구동계 동작을 제어하고, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 후술하는 도포 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그네트 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체 H에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어부(200)에 인스톨된 것이어도 된다.
다음에, 상술한 레지스트 도포 장치(32)의 구성에 대해 설명한다. 도 4 및 도 5는 각각 레지스트 도포 장치(32)의 구성의 개략을 나타내는 종단면도 및 횡단면도이다. 도 6은, 레지스트 도포 장치(32)에 마련되는 포집 부재의 개략을 나타내는 평면도이다. 도 7은, 도 6의 부분 확대도이다. 도 8은, 도 4의 부분 확대도이다.
레지스트 도포 장치(32)는, 도 4, 도 5에 나타낸 바와 같이 내부를 밀폐 가능한 처리 용기(120)를 갖고 있다. 처리 용기(120)의 측면에는, 웨이퍼(W)의 반입 출구(도시되지 않음)가 형성되어 있다.
처리 용기(120) 내에는, 웨이퍼(W)를 보유 지지하여 회전시키는 기판 보유 지지부로서의 스핀 척(121)이 마련되어 있다. 스핀 척(121)은, 예를 들어 모터 등의 척 구동부(122)에 의해 소정의 속도로 회전할 수 있다. 또한, 척 구동부(122)에는, 예를 들어 실린더 등의 승강 기동 기구가 마련되어 있고, 스핀 척(121)은 승강 가능하게 되었다.
또한, 처리 용기(120) 내에는, 스핀 척(121)을 수용하여 저부로부터 배기되는 컵부로서의 컵(125)이 마련되어 있다. 컵(125)은, 스핀 척(121)으로 보유 지지된 기판을 둘러쌀 수 있도록, 스핀 척(121)의 외측에 배치된 아우터 컵(130)과, 아우터 컵(130)의 내주측에 위치하는 이너 컵(140)을 포함한다. 아우터 컵(130)은, 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아 회수하는 것이다.
도 5에 나타낸 바와 같이 아우터 컵(130)의 X 방향 부방향(도 5의 하측 방향)측에는, Y 방향(도 5의 좌우 방향)에 따라 연신하는 레일(150)이 형성되어 있다. 레일(150)은, 예를 들어 아우터 컵(130)의 Y 방향 부방향(도 5의 좌측 방향)측의 외측으로부터 Y 방향 정방향(도 5의 우측 방향)측의 외측까지 형성되어 있다. 레일(150)에는, 2개의 암(151, 152)이 마련되어 있다.
제1 암(151)에는, 도포액으로 레지스트액을 공급하는, 도포액 공급 부재로서의 레지스트액 공급 노즐(154)이 지지되어 있다. 레지스트액 공급 노즐(154)이 공급하는 레지스트액은 50cp 이상의 고점도를 갖는다. 제1 암(151)은, 이동 기구로서의 노즐 구동부(155)에 의해, 레일(150) 상을 이동 가능하다. 이에 의해, 레지스트액 공급 노즐(154)은, 아우터 컵(130)의 Y 방향 정방향측의 외측에 마련된 대기부(156)로부터 아우터 컵(130) 내의 웨이퍼(W) 중심부 상방을 통과하여, 아우터 컵(130)의 Y 방향 부방향측의 외측에 마련된 대기부(157)까지 이동할 수 있다. 또한, 노즐 구동부(155)에 의해, 제1 암(151)은 승강 가능하며, 레지스트액 공급 노즐(154)의 높이를 조절할 수 있다.
제2 암(152)에는, 웨이퍼(W) 상에 시너 등의 유기 용제를 공급하는 용제 공급 노즐(158)이 지지되어 있다. 제2 암(152)은, 이동 기구로서의 노즐 구동부(159)에 의해 레일(150) 상을 이동 가능하게 되어 있다. 이에 의해, 용제 공급 노즐(158)은, 아우터 컵(130)의 Y 방향 정방향측의 외측에 마련된 대기부(160)로부터 아우터 컵(130) 내의 웨이퍼(W) 중심부 상방까지 이동할 수 있다. 대기부(160)는 대기부(156)의 Y 방향 정방향측에 마련되어 있다. 또한, 노즐 구동부(159)에 의해, 제2 암(152)은 승강 가능하며, 용제 공급 노즐(158)의 높이를 조절할 수 있다.
용제 공급 노즐(158)로부터 공급되는 유기 용제는 레지스트액이 웨이퍼(W) 상으로 확산되기 쉽게 하기 위해서 레지스트액의 도포 전에 행하여지는 프리웨트 처리 시에, 웨이퍼(W) 상에 공급되는 프리웨트액으로서 기능한다. 또한, 후술하는 바와 같이, 용제 공급 노즐(158)로부터의 유기 용제는, 프리웨트 처리 시에, 웨이퍼(W)로부터 떨쳐 내어져, 후술하는 중계부(180)를 통해, 후술하는 포집 부재(181) 상에 적하된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)로부터 발생하여 포집 부재(181)에 포집된 레지스트액의 선상 이물 및 면 형상 이물을 유기 용제로 용해할 수 있다. 즉, 용제 공급 노즐(158)은 용제 공급부로서 기능한다.
또한, 이너 컵(140)과 스핀 척(121)과의 사이의 부분에는, 웨이퍼(W)의 이면에 시너 등의 유기 용제를 공급하는 백 린스액 공급 노즐(182)이 마련되어 있다. 백 린스액 공급 노즐(182)로부터 공급되는 유기 용제는, 웨이퍼(W) 상에 레지스트액을 확산할 때 등에 웨이퍼(W)의 이면측으로 돌아 들어가는 것을 방지하기 위해서, 웨이퍼(W)의 이측 단부에 공급된다.
아우터 컵(130)의 하부에는, 환상의 벽체(131)가 마련되어 있고, 이너 컵(140)의 하부에는, 환상의 벽체(141)가 마련되어 있다. 이들 벽체(131, 141)와의 사이에 배기 경로 d를 이루는 간극이 형성되어 있다. 또한, 이너 컵(140)의 하방에는, 원환상의 수평 부재(142), 통상의 외주 수직 부재(143) 및 내주 수직 부재(144), 저부에 위치하는 원환상의 저면 부재(145)에 의해, 굴곡로가 형성되어 있다. 이 굴곡로에 의해, 기액 분리부가 구성되어 있다.
그리고, 벽체(131)와 외주 수직 부재(143)와의 사이에 있어서의 저면 부재(145)에는, 회수된 액체를 배출하는 액체 배출구(132)가 형성되어 있고, 이 액체 배출구(132)에는 배액관(133)이 접속되어 있다.
한편, 외주 수직 부재(143)와 내주 수직 부재(144)와의 사이에 있어서의 저면 부재(145)에는, 웨이퍼(W)의 주변 분위기를 배기하는 배기구(146)가 형성되어 있고, 이 배기구(146)에는 배기관(147)이 접속되어 있다.
또한, 상술한 아우터 컵(130)의 벽체(131)와 이너 컵(140)의 벽체(141)와의 사이에 마련된 배기 경로 d의 상방을 막도록, 도포액 포집부로서의 포집 부재(181)가 컵(125) 내에 마련되어 있다. 포집 부재(181)는, 레지스트액의 실 형상 이물을 포집하는 것이며, SUS 등의 금속제이다. 또한, 포집 부재(181)는, 상술한 바와 같이 배기 경로 d를 막고 있지만, 상하 방향으로 연통하는 개구부(181a)를 갖고 있기 때문에, 해당 개구부(181a)를 통해 배기는 가능하게 되었다.
또한, 포집 부재(181)는, 그 상면이 대략 수평이 되도록 컵(125) 내에 마련되어 있다. 이 포집 부재(181)는, 예를 들어 도 6 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 평면에서 볼 때 원환상 부재이며, 개구부(181a)가 등간격으로 원주 상에 나열되도록 마련되어 있다.
또한, 도 8에 나타내는 바와 같이, 상술한 아우터 컵(130)의 포집 부재(181)의 상방에 위치하는 부분에는, 아우터 컵(130)의 내주면으로부터 포집 부재(181)를 향하여 돌출되는 중계부(180)가 마련되어 있다. 중계부(180)가 마련되는 위치는, 더 구체적으로는, 포집 부재(181)의 직경 방향에 있어서의 개구부(181a)가 형성된 영역인 개구 형성 영역 R1(도 7 참조)의 상방에, 해당 중계부(180)의 하단이 위치하는 위치이다. 이 중계부(180)의 하단은, 측면에서 보아, 스핀 척(121)으로 보유 지지된 웨이퍼(W)의 하면보다 하방에 위치한다. 또한, 중계부(180)는 평면에서 볼 때 원환상으로 형성되어 있다(도 5 참조). 또한, 중계부(180)가 마련되는 아우터 컵(130)의 상부 내주면은 직경 방향 외측이 내측보다 낮은 경사면으로 되어 있다.
다음에, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)을 사용하여 행하여지는 웨이퍼 처리에 대해 설명한다. 우선, 복수의 웨이퍼(W)를 수납한 카세트 C가, 기판 처리 시스템(1)의 카세트 스테이션(10)에 반입되어, 웨이퍼 반송 장치(23)에 의해 카세트 C 내의 각 웨이퍼(W)가 순차 처리 스테이션(11)의 전달 장치(53)에 반송된다.
다음으로, 웨이퍼(W)는 제2 블록 G2의 열처리 장치(40)에 반송되어 온도 조절 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 예를 들어 제1 블록 G1의 하부 반사 방지막 형성 장치(31)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 제2 블록 G2의 열처리 장치(40)에 반송되고, 가열 처리되어 온도 조절된다.
다음에 웨이퍼(W)는 어드비젼 장치(41)에 반송되어, 어드비젼 처리된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 제1 블록 G1의 레지스트 도포 장치(32)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 열처리 장치(40)에 반송되어, 프리베이크 처리된다. 또한, 프리베이크 처리에 있어서도 하부 반사 방지막 형성 후의 열처리와 마찬가지의 처리가 행하여져, 또한, 후술하는 반사 방지막 형성 후의 열처리, 노광 후 베이크 처리, 포스트 베이크 처리에 있어서도 마찬가지의 처리가 행해진다. 단, 각 열처리에 제공되는 열처리 장치(40)는 서로 다르다.
다음에 웨이퍼(W)는, 상부 반사 방지막 형성 장치(33)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 열처리 장치(40)에 반송되고, 가열되어 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 주변 노광 장치(42)에 반송되어, 주변 노광 처리된다.
다음에 웨이퍼(W)는, 노광 장치(12)에 반송되어, 소정의 패턴으로 노광 처리된다.
다음으로 웨이퍼(W)는 열처리 장치(40)에 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 예를 들어 현상 처리 장치(30)에 반송되어 현상 처리된다. 현상 처리 종료 후, 웨이퍼(W)는, 열처리 장치(40)에 반송되어, 포스트베이크 처리된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 카세트 적재판(21)의 카세트 C에 반송되어, 일련의 포토리소그래피 공정이 완료된다.
여기서, 레지스트 도포 장치(32)에 있어서의 레지스트 도포 처리에 대해 상세히 설명한다. 레지스트의 도포 처리에 있어서는, 우선 스핀 척(121)의 상면에서 웨이퍼(W)를 흡착 보유 지지한다. 그리고 용제 공급 노즐(158)을 웨이퍼(W)의 중심부 상방으로 이동시켜, 프리웨트 처리를 행한다. 프리웨트 처리의 작용에 대해서는 후술한다. 그 후 용제 공급 노즐(158)을 퇴피시킨 후, 웨이퍼(W)의 중심부 상방에 레지스트액 공급 노즐(154)을 이동시키고, 웨이퍼(W)를 낮은 회전수(예를 들어 100rpm)로 회전시키면서, 레지스트액 공급 노즐(154)로부터 웨이퍼(W) 상에 레지스트액을 공급한다.
그리고 레지스트액 공급 노즐(154)로부터의 레지스트액의 공급량이 소정의 양에 도달한 시점에서 레지스트액의 공급을 정지하고, 이어서 레지스트액 공급 노즐(154)을 퇴피시킨다. 그 후, 보다 고속의 회전수(예를 들어 3000rpm)로 웨이퍼(W)를 회전시키고, 웨이퍼(W)의 중심부에 공급된 레지스트액을 웨이퍼(W)의 전체면에 확산시키고 소정의 막 두께의 도포막을 형성하는 확산 처리를 행한다. 이어서 소정의 회전수(예를 들어 1000rpm)로 웨이퍼를 회전시키고, 웨이퍼(W) 상의 도포막을 건조시키는 건조 처리를 행한다.
또한, 확산 처리나 건조 처리에서는, 백 린스액 공급 노즐(182)로부터 회전하는 웨이퍼(W)의 이면에 용제가 공급된다.
상술한 확산 처리나 건조 처리에서는, 레지스트액의 점도가 높지만, 소량의 레지스트액으로 도포막을 형성하기 위해서 웨이퍼의 회전수가 크기 때문에, 스핀 척(121)의 상면에서 흡착 보유 지지한 웨이퍼(W)의 상면으로부터, 레지스트액이 주위에 비산된다. 비산된 레지스트액은, 중계부(180)에 충돌하고, 중계부(180)에 따라 하방으로 이동하고, 중계부(180)의 하단에서 포집 부재(181)에 낙하하여 포집된다. 이때, 일부의 레지스트액은, 해당 레지스트액이 고점도이기 때문에, 실 형상으로 고화되어 실 형상 이물이 된다. 또한, 아우터 컵(130)의 상부 내주면에 있어서의 중계부(180)보다 상방의 부분에, 웨이퍼(W)로부터 비산된 레지스트액이 충돌하는 경우도 있다. 이 경우, 전술한 바와 같이 아우터 컵(130)의 상부 내주면은 직경 방향 외측이 낮은 경사면이 되기 때문에, 아우터 컵(130)의 상부 내주면이 충돌한 레지스트액이, 해당 내주면 및 중계부(180)에 따라 이동하고, 중계부(180)의 선단으로부터, 포집 부재(181) 상에 낙하해 해당 포집 부재(181)에 포집된다.
상술한 건조 처리에 의해 도포막 형성은 완료되기 때문에, 스핀 척(121)에 흡착 보유 지지되어 있던 웨이퍼(W)는 레지스트 도포 장치(32)로부터 반출되어, 다음의 웨이퍼(W)가 반입된다. 계속해서, 해당 다음의 웨이퍼(W)에 대해 전술한 프리웨트 처리를 행한다. 프리웨트 공정에서는, 웨이퍼(W)를 고회전수(예를 들어 2000rpm)로 회전시키면서, 용제 공급 노즐(158)로부터 웨이퍼(W) 상에 용제를 공급한다. 따라서, 스핀 척(121)의 상면에서 흡착 보유 지지한 웨이퍼(W)의 상면으로부터는 용제가 주위에 비산된다. 비산된 용제는, 중계부(180)에 충돌하고, 해당 중계부(180)에 따라 하방으로 이동하여, 해당 중계부(180)의 하단에서 포집 부재(181)에 포집된 레지스트액의 실 형상 이물 상에 적하된다. 또한, 아우터 컵(130)의 상부 내주면에 있어서의 중계부(180)보다 상방의 부분에 웨이퍼(W)로부터 비산된 용제가 충돌하는 경우도 있다. 이 경우, 전술한 바와 같이 아우터 컵(130)의 상부 내주면은 직경 방향 외측이 낮은 경사면이 되기 때문에, 아우터 컵(130)의 상부 내주면이 충돌한 레지스트액이 해당 내주면 및 중계부(180)에 따라 이동하고, 중계부(180)의 선단으로부터 포집 부재(181)에 포집된 레지스트액의 실 형상 이물 상에 적하된다.
본 실시 형태에서는, 상술한 중계부(180)가 포집 부재(181)의 상방에 마련되어 있다. 그 때문에, 웨이퍼(W) 상에 회전 도포되었을 때 등에 웨이퍼(W)로부터 비산하여 포집 부재(181)에 포집된 레지스트액의 실 형상 이물을, 프리웨트 처리 시에 도포되어 웨이퍼(W)로부터 비산하여 중계부(180)를 통해 적하된 용제에서 용해 제거할 수 있다. 따라서, 포집 부재(181)에 포집된 레지스트액을 용해 제거하기 위한 처리를, 별도로 행할 필요가 없기 때문에, 스루풋이 손상되는 경우가 없다.
또한, 종래의 액 처리 장치의 세정 방법 즉 포집 부재의 세정 방법에서는, 포집 부재에 있어서의 레지스트액의 실 형상 이물의 포집 위치나, 포집 부재에 있어서의 실 형상 이물을 용해시키기 위한 용제 적하 위치를 제어하기가 어렵다. 그 때문에, 상기 실 형상 이물을 적절하게 제거하기가 어려운 경우가 있다. 그것에 대해, 본 실시 형태에서는, 중계부(180)가 마련되어 있기 때문에, 포집 부재(181)에 있어서의 상기 실 형상 이물의 포집 위치나, 포집 부재(181)에 있어서의 용제의 적하 위치를 제어할 수 있기 때문에, 상기 실 형상 이물을 적절하게 용해 제거할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 레지스트액 및 용제가 모두 중계부(180)를 통해 포집 부재(181) 상에 낙하하여/적하되므로, 포집 부재(181) 상에 있어서의 레지스트액의 낙하 위치와 용제의 적하 위치가 동일해진다. 따라서, 레지스트액이 실 형상 이물이 되어 있는 경우에, 해당 이물을 효율적으로 제거할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 프리웨트 처리 시에, 용제 공급 노즐(158)로부터의 용제를 사용하여, 고화된 레지스트액을 용해 제거되어 있었다. 여기에 첨가하여 또는 이것 대신에, 확산 처리 시나 건조 처리시 등에 있어서의 웨이퍼(W)의 이면 세정 시에, 백 린스액 공급 노즐(182)로부터의 용제를 사용하여, 고화된 레지스트액을 용해 제거하도록 해도 된다. 웨이퍼(W)의 이면 세정 시에 해당 웨이퍼의 회전수가 높은 경우, 백 린스액 공급 노즐(182)로부터 웨이퍼(W)의 이면에 공급된 용제가, 웨이퍼(W)의 이면으로부터 비산하여, 중계부(180)나 아우터 컵(130)의 상부 내주면에 충돌한 후, 중계부(180)로부터 포집 부재(181) 상에 적하된다. 따라서, 고화된 레지스트액을 이면 세정 시에도 용해 제거할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 주연부의 세정 시에, 용제 공급 노즐(158)로부터의 용제를 사용하여, 고화된 레지스트액을 용해 제거하도록 해도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 고화된 레지스트액을 용해 제거하기 위해서 마련된 중계부(180)는, 그 하단이 포집 부재(181)의 상면에 접촉하지 않도록 형성되어 있다. 구체적으로는, 중계부(180)는 해당 중계부(180)의 하단과 포집 부재(181)의 상면 사이의 거리 L1(도 8 참조)이, 해당 중계부(180)의 상하 방향 길이 L2(도 8 참조)보다 커지도록 형성되어 있다. 중계부(180)의 상하 방향 길이 L2가 너무 크면, 중계부(180)의 이측 즉 중계부(180)에 스핀 척(121)과 반대측에 용제가 돌아 들어가지 않고, 해당 이측에 부착물이 모일 우려가 있다. 그러나, 본 실시 형태에서는, 상술한 바와 같은 치수에서 중계부(180)가 마련되어 있기 때문에, 그 이측에 부착물이 모이는 일은 없다. 또한, 중계부(180)의 하단과 포집 부재(181)의 상면 사이의 거리 L1은 예를 들어 14㎜ 이상이다.
또한, 포집 부재(181)는, 그 직경 방향의 폭 W1(도 7 참조)이 지나치게 좁으면, 원하는 배기압을 얻기 위하여 개구율을 확보하면서 기계적 강도를 얻기 위해서는, 개구부(181a)의 주위 방향의 폭 W2(도 7 참조)를 넓게 해야만 하며, 그렇게 하면 고화된 레지스트액을 포집할 수 없다. 또한, 포집 부재(181)는, 그 직경 방향의 폭 W1이 지나치게 넓으면, 중계부(180)를 통해 해당 포집 부재(181) 상에 적하된 용제가 해당 포집 부재(181) 상에서 충분히 직경 방향으로 넓어지지 않기 때문에, 고화된 레지스트액이 용해되지 않고 남을 우려가 있다. 따라서, 포집 부재(181)의 직경 방향의 폭 W1은 14㎜ 이상 29㎜ 이하로 되어 있다. 또한, 포집 부재(181)에 있어서의 개구부(181a)간의 주위 방향의 폭 W2는, 1.5㎜ 이상 3㎜ 이하로 되어 있다. 상기 폭 W2가 지나치게 넓으면, 원하는 배기압을 얻을 수 없게 되고, 상기 폭 W2가 지나치게 좁으면, 레지스트액의 실 형상 이물을 포집 부재(181)로 포집할 수 없기 때문이다.
또한, 포집 부재(181)는, 개구율이 너무 작으면, 즉, 개구부(181a)의 평면에서 보면 포집 부재(181) 전체에 대한 면적이 너무 작으면, 개구부(181a)에 고화된 레지스트액이 지나치게 막혀, 원하는 배기압을 얻을 수 없게 될 우려가 있다. 한편, 상기 개구율이 너무 크면, 고화된 레지스트액을 포집할 수 없고 해당 고화된 레지스트액을 제거할 수 없다. 따라서, 포집 부재(181)의 개구율은 40％ 이상 70％ 이하로 되어 있다.
그리고, 본 실시 형태에서는, 전술한 바와 같이, 포집 부재(181)의 하단은, 측면에서 보아, 스핀 척(121)으로 보유 지지된 웨이퍼(W)의 하면보다 하방에 위치한다. 따라서, 중계부(180)를 통해 용제를 포집 부재(181) 상에 적하할 때에, 용제 공급 노즐(158)로부터의 용제를 웨이퍼(W)의 상면으로부터 떨쳐 내는 경우에도, 백 린스액 공급 노즐(182)로부터의 용제를 웨이퍼(W)의 하면으로부터 떨쳐 내는 경우에도, 떨쳐 내어진 용제를 보다 확실하게 포집 부재(181)에 충돌시키고, 포집 부재(181) 상의 소정의 장소에 적하시킬 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 전술한 바와 같이, 중계부(180)는 포집 부재(181)의 개구 형성 영역 R1(도 7 참조)의 상방에, 해당 중계부(180)의 하단이 위치한다. 따라서, 중계부(180)를 통해 포집 부재(181)에 적하된 용제가 포집 부재(181) 상을 적절히 넓게 하기 위해 고화되어 포집 부재(181)에 포집된 레지스트액을 용해 제거할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 전술한 바와 같이, 포집 부재(181)는 그 상면이 대략 수평이 되도록 컵(125) 내에 마련되어 있다. 이것은, 포집 부재(181)의 상면이 수평이 아닌 경우, 즉, 해당 상면의 한쪽 위치가 낮은 경우, 중계부(180)를 통해 포집 부재(181) 상에 적하된 용제가 포집 부재(181)의 상면의 낮은 쪽으로 흘러가고, 높은 쪽의 부분에 포집된 레지스트액의 실 형상 이물을 용해 제거할 수 없기 때문이다. 또한, 포집 부재(181)의 직경 방향의 일단부를 높게 하여 그 부분에 용제가 적하되도록 한 경우도, 용제가 이미 일단부의 낮은 쪽에 도달하기 전에 개구로부터 아랫쪽으로 떨어지는 양이 많아지고, 낮은 쪽의 단부에서 용해 제거가 되기 어려운 부분이 생긴다. 전술한 바와 같이, 기판으로의 처리 공정을 이용하여 용제 공급하고 있기 때문에, 용제 공급량이나 그 공급 시간을 증가시키는 것은 제품 생산 효율상 바람직하지 않으므로, 보다 반경 방향 전역으로 넓어지기 쉬운 형태가 요망된다. 그러한 이유로부터, 본 실시 형태는 그것에 적합한 형태라고 할 수 있다.
도 9 및 도 10은, 중계부(180)의 다른 예를 설명하는 도면이다.
전술한 예에서는, 중계부(180)는 하나였지만, 도 9에 나타내는 바와 같이 2개여도 된다. 또한, 중계부(180)의 수는 3개 이상이어도 된다. 중계부(180)를 복수로 하는 경우, 측면에서 보아, 하나의 중계부(180)의 하단은, 해당 하나의 중계부(180)보다 내측의 다른 중계부(180)의 하단보다 하방에 위치하도록, 각 중계부(180)는 마련된다.
또한, 전술한 예에서는, 중계부(180)는 단면에서 볼 때에 있어서 직사각형으로 형성되어 있었다. 중계부(180)의 형상은 이에 한정되지 않고, 중계부(180)는, 예를 들어 도 10에 나타내는 바와 같이, 단면에서 볼 때에 아래로 볼록의 호 형상으로 형성되어 있어도 된다. 중계부(180)를 이러한 형상으로 함으로써, 용제나 레지스트액을 일단 중계부(180)에 저류하고 나서 적하시킬 수 있기 때문에, 세정 전의 중계부(180)의 막힘을 억제시킬 수 있다.
또한, 중계부(180)의 스핀 척(121)측의 표면을 친수성으로 하면 된다. 왜냐하면, 이에 의해, 용제가 중계부(180)에 따라 흐르기 쉬워지기 때문이다. 또한, 중계부(180)의 스핀 척(121)측의 표면을 친수성으로 하고, 스핀 척(121)과 반대측의 표면을 소수성으로 하면 된다. 왜냐하면, 이에 의해, 중계부(180)의 선단으로부터 용제가 떨어지기 쉬워지기 때문이다.
도 11은, 중계부와 포집 부재의 다른 예의 개략을 설명하는 부분 확대 종단면도이다.
전술한 예에서는, 중계부(180)는 아우터 컵(130)과 일체로 형성되고 있고 포집 부재(181)와는 별체였지만, 도 11에 나타낸 바와 같이 포집 부재(181)에 중계부(180)를 일체로 마련해도 된다. 이에 의해, 기존의 컵을 사용할 수 있다. 또한, 이 경우, 중계부(180)가 일체로 형성된 포집 부재(181)는, 예를 들어 수지제이다. 또한, 이 포집 부재(181)는, 분할 가능하도록 함으로써 해당 포집 부재(181)의 컵(125)으로의 장착이 용이해진다.
도 12는, 중계부의 다른 예의 개략을 설명하는 부분 확대 종단면도이다.
도 4 등의 예에서는, 중계부(180)는 아우터 컵(130)과 일체로 형성되어 있었다. 그러나, 중계부(180)는, 도 12에 나타내는 바와 같이, 아우터 컵(130)과는 별체의 중계 부재로서 형성되어 있어도 된다. 이에 의해, 중계부(180)의 상하 방향 길이를 용이하게 바꿀 수 있고, 예를 들어 레지스트액의 점도에 따라 중계부(180)의 상하 방향의 길이를 선택할 수 있다.
이상의 예에서는, 배기 경로 d에 대해 마련된 포집 부재(181)의 수는 하나였지만 복수여도 된다.
이상, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면 특허 청구 범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하고, 그것들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이라고 이해된다. 본 발명은 이 예에 한정되지 않고 다양한 형태를 채용할 수 있는 것이다. 본 발명은 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.
본 발명은 기판 상에 도포액을 도포하는 액 처리 장치에 유용하다.
1: 기판 처리 시스템
32: 레지스트 도포 장치
120: 처리 용기
121: 스핀 척
125: 컵
130: 아우터 컵
140: 이너 컵
154: 레지스트액 공급 노즐
158: 용제 공급 노즐
180: 중계부
181: 포집 부재
181a: 개구부
182: 백 린스액 공급 노즐
200: 제어부
d: 배기 경로
R1: 개구 형성 영역
W: 웨이퍼

Claims (12)

  1. 기판 상에 도포액을 도포하는 액 처리 장치이며,
    상기 기판을 보유 지지하여 회전시키는 기판 보유 지지부와,
    해당 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판에 도포액을 도포하는 도포액 공급부와,
    상기 기판 보유 지지부에 보유 지지되는 상기 기판을 둘러쌀 수 있도록, 상기 기판 보유 지지부의 외측에 배치된 컵부와,
    상기 기판 보유 지지부와 상기 컵부의 내주면과의 사이에 마련되는 배기 경로와,
    상기 배기 경로의 상방에 해당 배기 경로를 덮도록 마련되고, 또한, 상하 방향으로 연통하는 개구부를 갖는 도포액 포집부와,
    상기 도포액 포집부에 상기 도포액의 용제를 공급하는 용제 공급부와,
    상기 도포액 포집부의 상방에 위치하고, 상기 컵부의 내주면으로부터 상기 도포액 포집부를 향해 돌출되는 중계부를 구비하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판 보유 지지부와 상기 용제 공급부를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판에 상기 용제 공급부로부터 공급된 상기 용제가 회전하는 상기 기판으로부터 떨쳐 내어져서, 상기 중계부에 충돌하고, 상기 도포액 포집부 상에 적하되도록 상기 기판 보유 지지부와 상기 용제 공급부를 제어하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 중계부의 하단과 상기 도포액 포집부 사이의 거리가 상기 중계부의 상하 방향의 길이보다 큰 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도포액 포집부는 환상으로 형성되고,
    상기 도포액 포집부의 직경 방향의 폭은, 14㎜ 이상 29㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도포액 포집부는 환상으로 형성되고,
    상기 중계부의 하단이, 상기 도포액 포집부의 직경 방향에 있어서 개구부가 형성된 영역인 개구 형성 영역의 상방에 위치하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 중계부의 하단이, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판의 하면보다도 하방에 위치하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도포액 포집부의 개구율은 40％ 이상 70％ 이하인 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도포액 포집부는, 평면에서 본 경우의 가장 내측의 영역과 가장 외측의 영역을 직선상으로 연결시키는 영역을 구비하는 것인, 액 처리 장치
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 중계부는, 상기 도포액 포집부와 일체로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 중계부는, 상기 컵부와는 별체의 부재로서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  11. 기판 상에 도포액을 도포하는 액 처리 장치의 세정 방법이며,
    상기 액 처리 장치가,
    상기 기판을 보유 지지하여 회전시키는 기판 보유 지지부와,
    해당 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판에 도포액을 도포하는 도포액 공급부와,
    상기 기판 보유 지지부에 보유 지지되는 상기 기판을 둘러쌀 수 있도록, 상기 기판 보유 지지부의 외측에 배치된 컵부와,
    상기 기판 보유 지지부와 상기 컵부의 내주면과의 사이에 마련되는 배기 경로와,
    상기 배기 경로의 상방에 해당 배기 경로를 덮도록 마련되고, 또한, 상하 방향으로 연통하는 개구부를 갖는 도포액 포집부와,
    상기 도포액 포집부에 상기 도포액의 용제를 공급하는 용제 공급부와,
    상기 도포액 포집부의 상방에 위치하고, 상기 컵부의 내주면으로부터 상기 도포액 포집부를 향해 돌출되는 중계부를 구비하고,
    해당 세정 방법은,
    상기 기판 보유 지지부에 의해 회전되는 상기 기판에 상기 용제 공급부로부터 상기 용제를 공급하고, 회전하는 상기 기판으로부터 상기 용제를 떨쳐 내어, 상기 중계부에 충돌시키고, 상기 도포액 포집부 상에 적하시켜 적하 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치의 세정 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 용제는, 상기 기판의 프리웨트 처리 및/또는 상기 기판의 일부에 대한 세정 처리에 사용되는 것이며,
    상기 적하 공정은, 상기 프리웨트 처리 시 및/또는 상기 세정 처리 시에, 회전하는 상기 기판으로부터 상기 용제를 떨쳐 내어, 상기 중계부에 충돌시켜 상기 도포액 포집부 상에 적하시키는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치의 세정 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220089562A (ko) * 2020-12-21 2022-06-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7232737B2 (ja) * 2019-08-07 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP7462503B2 (ja) * 2019-08-30 2024-04-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 塗布装置
US10998218B1 (en) 2019-12-29 2021-05-04 Nanya Technology Corporation Wet cleaning apparatus and manufacturing method using the same
KR102612183B1 (ko) * 2020-09-29 2023-12-13 세메스 주식회사 처리 용기 및 액처리 장치
KR102624576B1 (ko) * 2020-11-23 2024-01-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP2024007180A (ja) 2022-07-05 2024-01-18 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP2024007189A (ja) 2022-07-05 2024-01-18 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
CN115555216B (zh) * 2022-09-22 2023-06-06 广东盈通纸业有限公司 一种双工位定量刮胶机

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63260025A (ja) * 1987-04-16 1988-10-27 Mitsubishi Electric Corp 回転塗布装置
JP3175893B2 (ja) 1994-03-25 2001-06-11 日石三菱株式会社 緩衝器用油圧作動油組成物
JP2016184644A (ja) * 2015-03-26 2016-10-20 株式会社テックインテック 回転式塗布装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5927229B2 (ja) * 1979-09-19 1984-07-04 富士通株式会社 スピンナ−
JPS6146028A (ja) * 1984-08-10 1986-03-06 Fujitsu Ltd レジスト塗布装置
JP3276449B2 (ja) * 1993-05-13 2002-04-22 富士通株式会社 回転塗布方法
JPH0945611A (ja) * 1995-07-27 1997-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板塗布装置
JP3518948B2 (ja) * 1995-08-24 2004-04-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板の回転処理装置
US5908661A (en) * 1997-05-30 1999-06-01 The Fairchild Corporation Apparatus and method for spin coating substrates
US6527860B1 (en) * 1999-10-19 2003-03-04 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP4069081B2 (ja) * 2004-01-13 2008-03-26 東京エレクトロン株式会社 位置調整方法及び基板処理システム
JP4043444B2 (ja) * 2004-02-18 2008-02-06 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置及び塗布処理方法
JP4805758B2 (ja) * 2006-09-01 2011-11-02 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び塗布処理装置
JP5006274B2 (ja) * 2008-06-25 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2011086676A (ja) * 2009-10-13 2011-04-28 Tokyo Electron Ltd 加熱処理装置、加熱処理方法及び記憶媒体
KR101258002B1 (ko) * 2010-03-31 2013-04-24 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5632860B2 (ja) * 2012-01-05 2014-11-26 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体
JP2013169500A (ja) * 2012-02-20 2013-09-02 Ricoh Co Ltd スピンカップ洗浄方法
JP3175893U (ja) * 2012-03-15 2012-06-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5721145B2 (ja) * 2012-07-26 2015-05-20 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法並びに液処理用記憶媒体
TWI584370B (zh) * 2013-08-27 2017-05-21 Tokyo Electron Ltd A substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a memory medium
JP2015070208A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
TWI666684B (zh) * 2015-11-16 2019-07-21 日商東京威力科創股份有限公司 塗佈膜形成方法、塗佈膜形成裝置及記憶媒體
JP6059793B2 (ja) * 2015-12-11 2017-01-11 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置
TWI638394B (zh) * 2016-07-25 2018-10-11 斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63260025A (ja) * 1987-04-16 1988-10-27 Mitsubishi Electric Corp 回転塗布装置
JP3175893B2 (ja) 1994-03-25 2001-06-11 日石三菱株式会社 緩衝器用油圧作動油組成物
JP2016184644A (ja) * 2015-03-26 2016-10-20 株式会社テックインテック 回転式塗布装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220089562A (ko) * 2020-12-21 2022-06-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US11829070B2 (en) 2020-12-21 2023-11-28 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
CN110164793A (zh) 2019-08-23
US20190255561A1 (en) 2019-08-22
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CN110164793B (zh) 2024-04-30
JP2019145561A (ja) 2019-08-29
JP7067950B2 (ja) 2022-05-16
US11235350B2 (en) 2022-02-01
TWI803575B (zh) 2023-06-01
TW201937548A (zh) 2019-09-16

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