JP5440441B2 - 液処理装置 - Google Patents
液処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5440441B2 JP5440441B2 JP2010181094A JP2010181094A JP5440441B2 JP 5440441 B2 JP5440441 B2 JP 5440441B2 JP 2010181094 A JP2010181094 A JP 2010181094A JP 2010181094 A JP2010181094 A JP 2010181094A JP 5440441 B2 JP5440441 B2 JP 5440441B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- nozzle
- processing
- unit
- developer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 365
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 200
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 101
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 159
- 238000011161 development Methods 0.000 description 73
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 70
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 41
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 40
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 101100221835 Arabidopsis thaliana CPL2 gene Proteins 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 101100221836 Arabidopsis thaliana CPL3 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100221837 Arabidopsis thaliana CPL4 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100065702 Arabidopsis thaliana ETC3 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100536545 Arabidopsis thaliana TCL2 gene Proteins 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- 101150075071 TRS1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Description
基板に処理液を供給するための処理液ノズルと、
前記カップ体の外側に設けられ、前記処理液ノズルを待機させるための待機部と、
前記液処理部の上方領域と、待機部との間で処理液ノズルを移動させるための移動手段と、
前記待機部に設けられ、待機部で待機する処理液ノズルに洗浄液を供給して洗浄する洗浄液供給手段と、
前記待機部に設けられ、当該待機部で待機する処理液ノズルから垂れた前記洗浄液の液滴に接触して、当該液滴を処理液ノズルから除去する液取り部と、
前記処理液ノズルにガスを吐出して、前記洗浄液供給手段から供給される洗浄液が処理液ノズルへ衝突する圧力を制御するガス供給部と、
を備えたことを特徴とする。
(a)前記液処理部は、横方向に一列に複数設けられ、
前記処理液ノズルはこれら複数の液処理部に対して共用化され、
前記待機部は、液処理部の列の延長線上に設けられ、
前記移動手段は、前記液処理部の各々の上方領域と前記待機部との間で前記液処理ノズルを液処理部の列に従って移動させるように構成される。
これら複数の液処理部に対して共用化され、基板に処理液を供給するための処理液ノズルと、
前記液処理部の列の延長線上に設けられ、処理液ノズルを待機させるための待機部と、
前記液処理部の各々の上方領域と前記待機部との間で前記処理液ノズルを液処理部の列に従って移動させるための移動手段と、
互いに隣接するカップ体の開口部間に設けられ、処理液ノズルに洗浄液を供給して洗浄する洗浄液供給手段と、
互いに隣接するカップ体の開口部間に設けられ、前記移動手段により移動する処理液ノズルから垂れた前記洗浄液の液滴に接触して、当該液滴を処理液ノズルから除去する液取り部と、
前記処理液ノズルにガスを吐出して、前記洗浄液供給手段から供給される洗浄液が処理液ノズルへ衝突する圧力を制御するガス供給部と、
を備えたことを特徴とする。
(b)前記液取り部は、前記待機部にて待機する処理液ノズルの吐出口の投影領域から外れた位置に設けられる。
(c)前記洗浄液供給手段は液取り部に設けられ、前記液取り部は洗浄液を供給する供給口を備える。
(d)前記液取り部の上方に位置する処理液ノズルにガスを吐出し、処理液ノズルに付着した洗浄液を当該処理液ノズルの下方側へと押し流すガス供給部が設けられる。
(e)前記処理液は現像液であり、前記基板はその表面にレジストが塗布され、露光されたものである。
現像液ノズル6において、その下端からどの程度下方まで垂れ下がった液滴Dが落下するのかを確認した。結果として液滴の大きさが1mm、2mm、3mmの場合においては液滴の落下は起きなかったが、液滴の大きさが4mmになると現像液ノズル6の先端から落下することが確認された。そして、この結果を踏まえて、現像液ノズル6が待機部66に収納されたとき当該現像液ノズル6の下端と液取り部7Cとの距離h2を2mmに設定し、続いて現像液ノズル6を液取り部7Cに対して上昇させ、現像液ノズルの下端から2mm強下側へ垂れ下がった液滴を形成した。そして、現像液ノズル6を下降させ、待機部66に収納した後、現像液ノズル6を上昇させて、液滴の有無を観察した。この現像液ノズル6を上昇させての液滴の形成と現像液ノズル6の待機部66への収納とを50回繰り返し行った。
液取り部7Cを絵の具で染めて、評価試験1と同様の試験を行い、現像液ノズル6が絵の具で汚染されるかどうかを調べた。結果として現像液ノズル6への絵の具の付着はなかった。従って、現像液ノズル6から液取り部7Cに付着した、液滴は再度現像液ノズル6に付着せずに、液取り部7Cにより除去されていることが分かる。この試験からも上記の実施形態のように現像装置に液取り部7Cを設けることが有効であることが分かり、また液取り部7A,7Bを設けることが有効であることが予想される。
L 現像液
W ウエハ
2 現像装置
21a〜21c 現像処理部
22a〜22c スピンチャック
30a〜30c 開口部
31a〜31c カップ体
4a〜4c 複合ノズル部
41a〜41c 純水ノズル
42a〜42c N2ガスノズル
6 現像液ノズル
61 吐出口
65 駆動機構
66 待機部
7A〜7C 液取り部
100 制御部
101 液取り部
102 山型部
103 排液部
108 洗浄液吐出孔
113 排液部
114 排液口
Claims (8)
- 上側に開口部が形成されたカップ体の中に基板を水平に保持する基板保持部を設けて構成される液処理部と、
基板に処理液を供給するための処理液ノズルと、
前記カップ体の外側に設けられ、前記処理液ノズルを待機させるための待機部と、
前記液処理部の上方領域と、待機部との間で処理液ノズルを移動させるための移動手段と、
前記待機部に設けられ、待機部で待機する処理液ノズルに洗浄液を供給して洗浄する洗浄液供給手段と、
前記待機部に設けられ、当該待機部で待機する処理液ノズルから垂れた前記洗浄液の液滴に接触して、当該液滴を処理液ノズルから除去する液取り部と、
前記処理液ノズルにガスを吐出して、前記洗浄液供給手段から供給される洗浄液が処理液ノズルへ衝突する圧力を制御するガス供給部と、
を備えたことを特徴とする液処理装置。 - 前記液処理部は、横方向に一列に複数設けられ、
前記処理液ノズルはこれら複数の液処理部に対して共用化され、
前記待機部は、液処理部の列の延長線上に設けられ、
前記移動手段は、前記液処理部の各々の上方領域と前記待機部との間で前記処理液ノズルを液処理部の列に従って移動させることを特徴とする請求項1記載の液処理装置。 - 上側に開口部が形成されたカップ体の中に基板を水平に保持する基板保持部を設けて構成され、各々横方向に一列に配置された複数の液処理部と、
これら複数の液処理部に対して共用化され、基板に処理液を供給するための処理液ノズルと、
前記液処理部の列の延長線上に設けられ、処理液ノズルを待機させるための待機部と、
前記液処理部の各々の上方領域と前記待機部との間で前記処理液ノズルを液処理部の列に従って移動させるための移動手段と、
互いに隣接するカップ体の開口部間に設けられ、処理液ノズルに洗浄液を供給して洗浄する洗浄液供給手段と、
互いに隣接するカップ体の開口部間に設けられ、前記移動手段により移動する処理液ノズルから垂れた前記洗浄液の液滴に接触して、当該液滴を処理液ノズルから除去する液取り部と、
前記処理液ノズルにガスを吐出して、前記洗浄液供給手段から供給される洗浄液が処理液ノズルへ衝突する圧力を制御するガス供給部と、
を備えたことを特徴とする液処理装置。 - 前記液取り部は、前記待機部にて待機する処理液ノズルの吐出口の投影領域から外れた位置に設けられることを特徴とする請求項1または2記載の液処理装置。
- 前記洗浄液供給手段は液取り部に設けられ、前記液取り部は洗浄液を供給する吐出口を備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の液処理装置。
- 前記液取り部の上方に位置する処理液ノズルにガスを吐出し、処理液ノズルに付着した洗浄液を当該処理液ノズルの下方側へと押し流すための第1のガス供給部が設けられたことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の液処理装置。
- 前記処理液ノズルは、斜め下方に前記処理液を吐出する吐出口を備えていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の液処理装置。
- 前記処理液は現像液であり、前記基板はその表面にレジストが塗布され、露光されたものであることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一つに記載の液処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010181094A JP5440441B2 (ja) | 2010-08-12 | 2010-08-12 | 液処理装置 |
KR1020110079911A KR101670095B1 (ko) | 2010-08-12 | 2011-08-11 | 액 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010181094A JP5440441B2 (ja) | 2010-08-12 | 2010-08-12 | 液処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012043836A JP2012043836A (ja) | 2012-03-01 |
JP5440441B2 true JP5440441B2 (ja) | 2014-03-12 |
Family
ID=45838543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010181094A Active JP5440441B2 (ja) | 2010-08-12 | 2010-08-12 | 液処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5440441B2 (ja) |
KR (1) | KR101670095B1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5933993B2 (ja) * | 2012-03-08 | 2016-06-15 | 旭サナック株式会社 | ノズルの洗浄装置 |
TWI544291B (zh) | 2012-05-22 | 2016-08-01 | 斯克林半導體科技有限公司 | 顯像處理裝置 |
CN113363187B (zh) * | 2014-09-30 | 2024-03-22 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置 |
JP6370678B2 (ja) * | 2014-10-28 | 2018-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
KR102322671B1 (ko) * | 2015-04-01 | 2021-11-05 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
JP6714346B2 (ja) * | 2015-11-10 | 2020-06-24 | 株式会社Screenホールディングス | ノズル待機装置および基板処理装置 |
KR102000017B1 (ko) | 2017-07-21 | 2019-07-18 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP7236318B2 (ja) * | 2019-04-26 | 2023-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、及び液処理方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0430521A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板用回転式表面処理装置 |
JP3391963B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2003-03-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | ノズル待機装置 |
JP3453022B2 (ja) * | 1996-02-26 | 2003-10-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 現像装置 |
JPH10261609A (ja) | 1997-03-21 | 1998-09-29 | Sony Corp | 薬液処理装置及び薬液処理方法 |
JP3992488B2 (ja) * | 2000-12-15 | 2007-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP4328658B2 (ja) * | 2004-04-09 | 2009-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置及び塗布方法 |
JP2007258462A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4582654B2 (ja) * | 2006-05-23 | 2010-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法、ノズル洗浄プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP5545693B2 (ja) * | 2008-10-01 | 2014-07-09 | 株式会社Sokudo | 現像処理装置 |
-
2010
- 2010-08-12 JP JP2010181094A patent/JP5440441B2/ja active Active
-
2011
- 2011-08-11 KR KR1020110079911A patent/KR101670095B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012043836A (ja) | 2012-03-01 |
KR101670095B1 (ko) | 2016-10-27 |
KR20120016011A (ko) | 2012-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5440441B2 (ja) | 液処理装置 | |
KR101530959B1 (ko) | 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 | |
KR100897428B1 (ko) | 기판세정장치 및 기판세정방법 | |
JP3587723B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4582654B2 (ja) | ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法、ノズル洗浄プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP4324527B2 (ja) | 基板洗浄方法及び現像装置 | |
KR102566736B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
CN106449470B (zh) | 基板液处理装置和基板液处理方法 | |
KR101529741B1 (ko) | 현상 장치, 현상 방법 및 기억 매체 | |
JP5635452B2 (ja) | 基板処理システム | |
KR102612328B1 (ko) | 액 처리 장치 | |
US20170084470A1 (en) | Substrate processing apparatus and cleaning method of processing chamber | |
JP6728358B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 | |
US6843259B2 (en) | Solution treatment unit | |
JP5293790B2 (ja) | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 | |
JP6961362B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP3667164B2 (ja) | 処理液吐出ノズル、液処理装置および液処理方法 | |
JP3958911B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2018129476A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2001252604A (ja) | 処理液吐出ノズルおよび液処理装置 | |
JP3453022B2 (ja) | 現像装置 | |
JP3773626B2 (ja) | 両面洗浄ユニット及びこれを用いたウエット処理装置 | |
JP2024050440A (ja) | リフトピンの洗浄方法および基板処理装置 | |
JP2001179190A (ja) | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 | |
KR20050103327A (ko) | 웨이퍼 이송 유닛 및 이를 포함하는 스핀 스크러버 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120920 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130827 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131025 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131119 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5440441 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |