JP2003303762A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 現像液等の処理液が基板裏面側へ回り込み、
基板の裏面が汚れることを防止できる基板処理装置及び
基板処理方法を提供すること。 【解決手段】 堰部材４１を基板Ｇの裏面側の周縁端部
Ｇａに沿って配置させているので、基板表面に現像液を
供給しても当該堰部材４１の堰き止め作用により現像液
の回り込みを防止することができる。これにより、基板
Ｇの裏面側の汚れを抑えることができ、この汚れによる
パーティクルの発生を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶デバイスの製
造において、液晶ディスプレイ（Liquid CrystalDispla
y：ＬＣＤ）等に使用される基板に供給されたレジスト
を現像する基板処理装置及び基板処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＣＤの製造工程においては、被処理体
であるＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin O
xide）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体
デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグ
ラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術で
は、レジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、さ
らに現像する。

【０００３】レジスト現像の一手法として、例えばチャ
ック部材で基板を裏面側から水平に保持し、静止した基
板上全面に現像液を盛りその静止状態のままで所定の時
間だけ放置することで現像処理を進行させる、いわゆる
パドル現像という手法がある。そしてこの現像方法で
は、所定時間経過して現像処理が終了した後、基板上の
現像液をリンス液で洗い流し、さらにエア等を供給して
乾燥処理を行っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現像処
理中に液盛りされた現像液が基板の裏面側に回り込み、
基板の裏面側が汚れるという問題がある。特に近年、現
像の精度を高めるためにさせるために基板上に現像液を
２回盛り、これによってレジストの線幅の均一性を向上
させることができるが、この場合、多量の現像液を使用
する。従って、現像液が基板の裏面側に回り込む量も多
くなり汚れも多くなる。

【０００５】かかる問題を解消するために、例えば基板
の裏面側に洗浄液を吐出して汚れを洗い流す、いわゆる
バックリンスが行われているが、例えば、ガラス基板の
長辺側から回り込んだ現像液が、基板の裏面中心側に配
置された上記チャック部材付近まで流れてしまった場合
には、このバックリンスではそのチャック部付近を洗浄
することができない。特に、チャック部は精密な回転機
構や真空機構を有していている場合もあるからである。

【０００６】以上のような事情に鑑み、本発明の目的
は、現像液等の処理液が基板裏面側へ回り込み、基板の
裏面が汚れることを防止できる基板処理装置及び基板処
理方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の観点に係る基板処理装置は、基板の
裏面側を保持する保持部と、この保持部に保持された基
板の表面に処理液を供給する手段と、少なくとも一部が
前記保持された基板裏面側の周縁部に沿って配置され、
前記処理液の基板裏面側への回り込みを前記少なくとも
一部で堰き止める堰部材とを具備する。

【０００８】本発明では、堰部材の少なくとも一部を、
保持部によって保持された基板裏面側の周縁部に沿って
配置させているので、基板表面に処理液を供給しても当
該堰部材の少なくとも一部で処理液の回り込みを防止す
ることができる。これにより、基板の裏面側の汚れを抑
えることができ、この汚れによるパーティクルの発生を
防止できる。

【０００９】また、本発明は、基板が例えば矩形のガラ
ス基板である場合には、堰部材の少なくとも一部は、こ
の基板の２つの長辺に沿って配置されていることが好ま
しい。これは、基板の長辺部から基板の中心までの距離
が、短辺部から基板の中心までの距離より短く、基板の
裏面側へ回り込んだ処理液が基板裏面の中心に到達する
までの時間が、長辺部から回り込んだ処理液の方が短辺
部のそれよりも早いからである。すなわち、例えば処理
液が現像液である場合に、基板の短辺部から回り込んだ
処理液が中心まで到達する以前に所定時間の静止現像処
理を終えることができるとともに、長辺部からの処理液
の回り込みを防止することができる。例えば、保持部が
基板裏面側の中心部分に配置される場合、保持部が処理
液で汚染されることを防止する観点から、短辺部から回
り込んだ処理液がこの保持部へ到達するまでに、現像処
理を終えればよい。

【００１０】さらに、保持部の周囲にバックリンスを配
置させ、このバックリンスにより、保持部及び当該バッ
クリンスより基板外側に向けて洗浄液を吐出して、基板
の裏面側を洗浄する場合、保持部近傍の基板裏面を洗浄
することはできない。しかしながら、本発明では長辺に
沿って少なくとも堰部材の一部を配置させているので、
上記したように基板の短辺部から処理液が回り込んだと
しても、回り込んだ処理液が中心まで到達するまでには
所定時間の静止現像処理を終えることができるととも
に、バックリンスにより、少なくとも短辺部から回り込
んだ処理液を除去できる。

【００１１】本発明の一の形態によれば、前記堰部材の
少なくとも一部は、基板の周縁から中心側へ１０ｍｍま
での範囲に配置されている。これにより、例えば処理液
が現像液である場合に、基板表面に現像液が液盛りされ
てから現像液の液厚が薄くなるまでに、現像液の基板裏
面側の中心部への回り込みを防止することができる。す
なわち本発明は、基板の周縁から１０ｍｍを超えて中心
側に堰部材を配置させた場合には、回り込んだ現像液の
厚さが薄くなってしまい、堰部材と基板裏面との隙間か
ら現像液が漏れ出るおそれがあることを考慮している。

【００１２】本発明の一の形態によれば、前記堰部材と
前記保持された基板の裏面との隙間は１．０ｍｍ以上
２．５ｍｍ以下である。隙間を１．０ｍｍ以上としたの
は、基板が例えば比較的大きいガラス基板である場合に
は基板がたわみやすいことを考慮したからである。すな
わち、保持部で基板中央を保持した場合の当該保持面と
基板周縁との高低差を考慮し、隙間を１．０ｍｍより小
さくすると、堰部材と基板裏面とが接触して基板が傷つ
いたり破損したりするおそれがあるからである。一方、
２．５ｍｍ以下としたのは、これより隙間を大きくする
と、堰部材の処理液を堰き止める機能が失われるからで
ある。この場合、好ましくは、１．０ｍｍ以上２．０ｍ
ｍ以下である。

【００１３】本発明の一の形態によれば、前記堰部材
は、前記保持された基板の水平面に対し、基板外側に４
５°から基板内側に４５°までの範囲内で配置されてい
る。このような角度とすることにより、基板表面から回
り込もうとする処理液をスムーズに下方へ流れ落とすこ
とができる。この角度は、基板外側に向けて７５°から
９０°までの範囲内であればなおよい。

【００１４】本発明の一の形態によれば、前記保持され
た基板裏面側で前記堰部材の外側に配置され、基板の周
縁を支持する支持ピンをさらに具備する。これにより、
前述した基板のたわみを防止でき、堰部材が基板と接触
して基板が破損等することを防止できる。

【００１５】本発明の一の形態によれば、前記支持ピン
は、前記保持部の基板保持面より低い位置に配置されて
いる。これにより、基板の大きなたわみを防止できると
ともに、基板の周縁を保持面よりある程度低くしておく
ことで、基板周縁付近にある処理液が下方に流れ落ちよ
うとする作用と、堰部材の堰き止め作用との相乗効果に
より処理液の回り込みを効果的に防止することができ
る。

【００１６】本発明の第２の観点に係る基板処理装置
は、基板の裏面側を保持する保持部と、この保持部に保
持された基板の表面に処理液を供給する手段と、前記保
持された基板裏面側の周縁に沿って配置され、前記処理
液の基板裏面側への回り込みを堰き止める堰部材とを具
備する。

【００１７】本発明では、堰部材を基板裏面側の周縁に
沿って配置させているので、基板表面に処理液を供給し
ても処理液の回り込みを防止することができる。また、
本発明において、基板が矩形の場合、堰部材を基板の２
つの長辺に沿って配置させるようにすることもできる。
例えば、長尺状の堰部材を２本用い２つの長辺に沿って
配置させることも可能である。この場合、堰部材は、基
板の周縁から中心側へ１０ｍｍまでの範囲に配置させる
ようにしてもよい。基板の周縁から１０ｍｍを超えて中
心側に堰部材を配置させた場合には、回り込んだ現像液
の厚さが薄くなってしまい、堰部材と基板裏面との隙間
から現像液が漏れ出るおそれがあるからである。さら
に、堰部材を４つの辺に沿って配置させてもよい。

【００１８】本発明に係る基板処理方法は、（ａ）基板
を裏面側から保持する工程と、（ｂ）この保持された基
板の表面に処理液を供給する工程と、（ｃ）基板裏面側
の周縁に沿った少なくとも一部で前記処理液の基板裏面
側への回り込みをで堰き止める工程とを具備する。

【００１９】本発明では、保持工程により保持された基
板裏面側の周縁に沿った少なくとも一部で、処理液の基
板裏面側への回り込みをで堰き止める。従って、基板の
裏面側の汚れを抑えることができ、この汚れによるパー
ティクルの発生を防止できる。

【００２０】また、例えば基板が矩形である場合には、
工程（ｃ）の後、前記基板の２つの短辺から回り込んだ
処理液を洗浄液を吐出して除去する工程を具備するよう
にしてもよい。例えば長辺部で処理液の回り込みを防止
できるとともに、短辺部から回り込んだ処理液を除去す
ることができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。

【００２２】図１は、本発明の一実施形態に係るＬＣＤ
基板の塗布現像処理システムを示す平面図である。

【００２３】この塗布現像処理システムは、複数の基板
Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーショ
ン１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の
処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２
と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡しを
行うためのインターフェイス部３とを備えており、処理
部２の両端にそれぞれカセットステーション１およびイ
ンターフェイス部３が配置されている。

【００２４】カセットステーション１は、カセットＣと
処理部２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機
構１０を備えている。そして、カセットステーション１
においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機
構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路
１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送
アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇ
の搬送が行われる。

【００２５】処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後
段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１
２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユ
ニットが配設されている。そして、これらの間には中継
部１５、１６が設けられている。

【００２６】前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可
能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側
には、２つの洗浄装置（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが配置
されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射装置
（ＵＶ）および冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられて
なる紫外線照射／冷却ユニット２５、２つの加熱処理装
置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット２
６、および２つの冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられ
てなる冷却ユニット２７が配置されている。

【００２７】また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って
移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の
一方側には、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２、減圧乾燥
装置（ＶＤ）４０および基板Ｇの周縁部のレジストを除
去するエッジリムーバ（ＥＲ）２３が一体的に設けられ
て配置され、塗布系処理ユニット群５０を構成してい
る。この塗布系処理ユニット群５０では、レジスト塗布
装置（ＣＴ）２２で基板Ｇにレジストが塗布された後、
基板Ｇが減圧乾燥装置（ＶＤ）４０に搬送されて乾燥処
理され、その後、エッジリムーバ（ＥＲ）２３により周
縁部レジスト除去処理が行われるようになっている。搬
送路１３の他方側には、２つの加熱装置（ＨＰ）が上下
に重ねられてなる加熱処理ユニット２８、加熱処理装置
（ＨＰ）と冷却処理装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられて
なる加熱処理／冷却ユニット２９、及び基板表面の疎水
化処理を行うアドヒージョン処理装置（ＡＤ）と冷却装
置（ＣＯＬ）とが上下に積層されてなるアドヒージョン
処理／冷却ユニット３０が配置されている。

【００２８】さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿っ
て移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４
の一方側には、本発明に係る例えば３つの現像処理装置
（ＤＥＶ）２４（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）が配置され
ており、搬送路１４の他方側には２つの加熱処理装置
（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット３
１、および加熱処理装置（ＨＰ）と冷却装置（ＣＯＬ）
が上下に積層されてなる２つの加熱処理／冷却ユニット
３２、３３が配置されている。

【００２９】上記主搬送装置１７，１８，１９は、それ
ぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、
および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ
軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞ
れ基板Ｇを支持するアーム１７ａ，１８ａ，１９ａを有
している。

【００３０】なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の
側に、洗浄装置（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂ、レジスト塗
布装置（ＣＴ）２２、及び現像処理装置２４ａ、２４
ｂ、２４ｃのような液供給系ユニットを配置しており、
他方の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱
系処理ユニットのみを配置する構造となっている。

【００３１】また、中継部１５、１６の液供給系配置側
の部分には、薬液供給部３４が配置されており、さらに
メンテナンスが可能なスペース３５が設けられている。

【００３２】インターフェイス部３は、処理部２との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファカセットを配置する２つのバッファステージ３７
と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの搬
入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８
はエクステンション３６及びバッファステージ３７の配
列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能な
搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処理
部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。

【００３３】以上説明した塗布現像システムの一連の処
理工程については、まずカセットＣ内の基板Ｇが処理部
２に搬送され、処理部２では、前段部２ａの紫外線照射
／冷却ユニット２５の紫外線照射装置（ＵＶ）で表面改
質・洗浄処理が行われる。そして、そのユニットの冷却
装置（ＣＯＬ）で冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣ
Ｒ）２１ａ，２１ｂでスクラバー洗浄が施され、前段部
２ａに配置された加熱処理装置（ＨＰ）の一つで加熱乾
燥された後、冷却ユニット２７のいずれかの冷却装置
（ＣＯＬ）で冷却される。続いてガラス基板Ｇは中段部
２ｂに搬送され、レジストの定着性を高めるために、ユ
ニット３０の上段のアドヒージョン処理装置（ＡＤ）に
て疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、下段の冷却装置
（ＣＯＬ）で冷却後、塗布系処理ユニット群に搬入され
る。そして塗布系処理ユニット群で所定のレジスト塗布
処理等が行われる。その後、中段部２ｂに配置された加
熱処理装置（ＨＰ）の一つでプリベーク処理され、ユニ
ット２９または３０の下段の冷却装置（ＣＯＬ）で冷却
され、中継部１６から主搬送装置１９によりインターフ
ェイス部３を介して図示しない露光装置に搬送されてそ
こで所定のパターンが露光される。そして、基板Ｇは再
びインターフェイス部３を介して搬入され、必要に応じ
て後段部２ｃのいずれかの加熱処理装置（ＨＰ）でポス
トエクスポージャベーク処理を行った後、現像処理装置
（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれかで現像処
理される。現像処理装置（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２
４ｃのいずれかで現像処理が行われた後、処理された基
板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理装置（ＨＰ）
にてポストベーク処理が施された後、冷却装置（ＣＯ
Ｌ）にて冷却され、主搬送装置１９，１８，１７及び搬
送機構１０によってカセットステーション１上の所定の
カセットに収容される。

【００３４】図２は、第１の実施形態に係る現像処理装
置２４（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）のうちの１つを示す
平面図であり、図３は図２に示したＡ−Ａ線断面図であ
る。また、図４は、図２で示したＢ−Ｂ線断面図であ
る。

【００３５】この現像処理装置２４は例えばケース４９
で囲繞されており、このケース４９に開口部４９ａが形
成されている。上記アーム１９ａはこの開口部４９ａを
介して基板Ｇを装置内に搬入出できるようになってい
る。ケース４９内のほぼ中央部には、上部に開口を有す
る円筒形状のカップＣＰが配置されており、このカップ
ＣＰによりガラス基板Ｇが収容されるようになってい
る。カップＣＰに隣接して、現像液を吐出するノズル４
６が待機する位置にノズルバス４４が配置されており、
ここでノズル４６が待機している。このノズル４６はア
ーム４８に保持され、アーム４８は垂直支持体４７に支
持されている。この垂直支持体４７は、カップＣＰに隣
接してＸ方向に敷設されたレール５１に沿って移動可能
となっており、これにより、ノズル４６がカップＣＰ内
に収容された基板Ｇ上を移動するようなっている。この
移動機構としては、例えば図示しないベルト駆動機構に
より行われる。また垂直支持体４７は上下方向にも昇降
できるようになっており、これによりノズル４６が基板
Ｇに対し接離可能となっている。

【００３６】ノズル４６は長尺形状をなしており、その
下部には現像液を基板Ｇ上に吐出するためのスリット状
または複数の吐出孔が形成された現像液吐出部４６ａが
設けられている。

【００３７】カップＣＰ内には、基板Ｇの裏面側の中央
部を例えば真空吸着して保持するスピンチャック４２が
モータ５２により回転可能に設けられている。また、外
部との間で基板の受け渡しを行うため、スピンチャック
４２は例えばモータ５２により昇降可能になっている。
スピンチャック４２の下部にはバックリンスノズル４３
が配置されている。このバックリンスノズル４３は、例
えばその斜面４３ａに図示しない孔が形成されており、
この孔から洗浄液を基板の外側に向けて吐出させ基板Ｇ
の裏面側を洗浄するようになっている。

【００３８】また、スピンチャック４２に保持された基
板Ｇの裏面側には、現像液の基板裏面側への回り込みを
堰き止める堰部材４１が基板周縁付近に沿って配置され
ている。この堰部材４１は、図２に示すように例えばＲ
形状部分と直線形状部分とを有するリング状でなり、図
３及び図４に示すように、保持された基板Ｇの長辺部Ｇ
ａの縁面に沿って長辺用部材４１ａと、短辺部Ｇｂに沿
って短辺用部材４１ｂとを有している。この堰部材４１
は、例えば複数の支持棒５４で下方部から所定の高さに
配置されるように支持されている。

【００３９】図５は、スピンチャック４２に保持された
基板Ｇと堰部材４１との位置関係を示している。詳しく
は、基板Ｇの長辺端部Ｇａと堰部材４１の長辺用部材４
１ａとを示している。堰部材４１は例えば断面が三角形
状でなり、その頂点部４１ｃと基板Ｇの裏面側との隙間
の距離ｔは、１．０ｍｍ以上２．５ｍｍ以下とされてい
る。これは、基板Ｇはガラス基板であり、また、基板が
大型化するほどたわみやすくなることを考慮したもので
ある。すなわち、隙間を１．０ｍｍより小さくすると、
堰部材４１と基板裏面とが接触して基板Ｇが傷ついたり
破損したりするおそれがあるからである。一方、２．５
ｍｍ以下としたのは、これより隙間を大きくすると、堰
部材４１の現像液を堰き止める機能が失われるからであ
る。この場合、好ましくは、１．０ｍｍ以上２．０ｍｍ
以下である。

【００４０】堰部材４１は、その頂点部４１ｃの水平方
向の位置が基板長辺部Ｇａの面に一致している。また、
堰部材４１はその頂点部４１ｃの角度が例えば１５°と
され、斜面４１ｄを有している。すなわち、この斜面４
１ｄの基板水平面に対する角度αが例えば７５°とされ
ている。このような角度とすることにより、基板表面か
ら回り込もうとする現像液を斜面４１ｄに沿わせて、矢
印Ｄの方向にスムーズに下方へ流れ落とすことができ
る。また、堰部材４１の材質は、撥水処理を施したもの
を用いることにより、現像液を流れ落とす効果を促進さ
せることができる。このような角度αは、７５°以上９
０°以下が好ましい。

【００４１】次に、図６及び図７を参照しながらこの現
像処理装置２４における処理動作を説明する。なお、図
６（ｂ）のみ基板Ｇの長辺部Ｇａ方向から見た図であ
り、図６（ｂ）以外は短辺部Ｇｂ方向から見た図であ
る。

【００４２】まず図６（ａ）に示すように、スピンチャ
ック４２が上昇することでガラス基板Ｇがスピンチャッ
ク４２に保持され、スピンチャック４２が下降すること
で基板ＧがカップＣＰ内に収容される。次に図６（ｂ）
に示すように、ノズル４６が例えば短辺部Ｇｂから移動
されながら現像液が基板Ｇ上盛られていく。この場合、
現像性能を高めるためにノズル４６を往復させて２度盛
りを行うようにしてもよい。そして次に図６（ｃ）に示
すように、現像液５７盛られた状態で所定時間基板Ｇを
静止させて現像処理を進行させる。

【００４３】この時、堰部材４１の長辺用部材４１ａの
堰き止め作用により、図５に示したように現像液５７が
基板長辺部Ｇａから基板Ｇの裏面側へ回り込むことを防
止できる。この場合、基板Ｇの短辺部Ｇｂからは現像液
５７が回り込む可能性があるが、問題はない。これは、
長辺部Ｇａから基板Ｇの中心までの距離が、短辺部Ｇｂ
から基板Ｇの中心までの距離より短く、基板Ｇの裏面側
へ回り込んだ処理液が基板裏面の中心に到達するまでの
時間が、長辺部Ｇａから回り込んだ処理液の方が短辺部
Ｇｂのそれよりも早いからである。

【００４４】すなわち、現像液が基板Ｇの短辺部Ｇｂか
ら回り込んだとしても、現像液が中心まで到達する以前
に所定時間の静止現像処理を終えることができ、回り込
んだ現像液は、後述するように静止現像終了後にバック
リンスノズル４３により除去できるからである。仮に、
堰部材４１が長辺部Ｇａの端部にないとした場合、長辺
部Ｇａから回り込んだ現像液が、静止現像処理を終える
までにバックリンスノズル４３では除去できない位置、
例えば基板中心部まで流れてきてしまうおそれがある。
このような理由から、堰部材４１の長辺用部材４１ａ
は、その基板の長辺部Ｇａの端部に沿わせて配置させて
いる。

【００４５】静止現像処理を終えると、図７（ａ）に示
すように、例えばリンス液を吐出するリンスノズル５８
（図２では図示を省略している）により、基板Ｇ上にリ
ンス液が吐出されるとともに、基板Ｇが回転され現像液
が洗い流される。これと同時にバックリンスノズル４３
により基板Ｇの裏面側を洗浄する。この場合、図示する
ようにスピンチャック４２による基板Ｇの保持する位置
を、これまでより高い位置にしてリンス処理を行うよう
にしてもよい。これにより基板Ｇの回転動作によるばた
つきで、堰部材４１と基板Ｇと接触することを回避でき
る。そして、図７（ｂ）に示すように、基板Ｇの回転を
そのまま継続して行うことにより、基板上のリンス液を
振り切り基板Ｇを乾燥させる。

【００４６】以上のように、堰部材４１の堰き止め作用
によって、基板の裏面側の汚れを抑えることができ、こ
の汚れによるパーティクルの発生を防止できる。また、
スピンチャック４２が現像液で汚染されることを防止す
ることができる。

【００４７】図８は、別の実施形態に係る堰部材を示
す。この堰部材４１は、基板Ｇの２つの長辺部Ｇａ及び
２つの短辺部Ｇｂの縁面に沿って配置されている。これ
により、長辺部Ｇａ及び短辺部Ｇｂからの現像液の回り
込みを防止できる。この場合、基板Ｇの裏面側が現像液
で汚れることはないので上記したバックリンスノズル４
３を設けなくてもよいが、もちろん上記実施形態で示し
たように設けてもよい。

【００４８】また、図９に示すように、堰部材４１の長
辺用部材４１ａが基板Ｇの長辺端部Ｇａから基板の中心
側に距離ｕを設けて配置されるようにしてもよい。この
距離ｕは、例えば端部Ｇａから１０ｍｍ以下の範囲であ
る。これにより、図６（ｃ）に示すように基板表面に現
像液５７が液盛りされてから現像液５７の液厚が薄くな
るまで、例えば静止現像処理が終わるまで現像液の基板
裏面側の中心部への回り込みを防止することができる。
つまり本実施形態では、基板Ｇの周縁から１０ｍｍを超
えて中心側に堰部材４１を配置させた場合には、回り込
んだ現像液の厚さが薄くなってしまい、堰部材と基板裏
面との隙間から現像液が漏れ出るおそれがあることを考
慮している。なお、この距離ｕは積極的に設ける必要は
なく、堰部材４１の基板Ｇの周縁端部に配置させる位置
精度を緩和したものである。

【００４９】図１０（ａ），（ｂ）は、さらに別の実施
形態に係る堰部材の断面図である。図１０（ａ）に示す
ように、堰部材４１の斜面４１ｄの基板水平面に対する
角度を図示するように４５°としてもよいし、図１０
（ｂ）に示すように斜面４１ｄを基板Ｇの内側に向けて
傾斜させるようにし、この角度を例えば１２０°として
もよい。すなわち、４５°（基板外側へ４５°の傾斜）
以上、１３５°（基板内側へ４５°の傾斜）以下となる
ようにしてもよい。

【００５０】さらに、図１１、図１２及び図１３を参照
して現像処理装置の変形例を説明する。

【００５１】図１１はこれまで説明した堰部材４１の内
側に、この堰部材４１よりさらに径の小さい堰部材４１
が配置されている。これにより、２重に現像液の回り込
みを堰き止めているので、基板中心側への現像液が流れ
ていくことをより確実に防止できる。

【００５２】図１２及び図１３は基板Ｇの長辺側から見
た図である。図１２では、例えば大型のガラス基板Ｇの
短辺部Ｇｂのたわみをなくすために、複数の支持ピン６
１で基板Ｇの短辺部Ｇｂを支持している。例えばこれら
の支持ピン６１を図示しないシリンダ機構等を用いて昇
降可能にし、これにより堰部材４１と基板Ｇの裏面との
隙間を調整することにより、当該隙間を精密に管理する
必要がなくなる。この支持ピンはもちろん基板Ｇの長辺
側に配置する構成としてもよい。

【００５３】図１３では、図１２における支持ピン６１
の基板の支持位置を、例えばスピンチャック４２による
基板保持面４２ａより低くして、基板を多少たわませて
いる。このような状態で、基板上に現像液を供給し現像
処理を行うことにより、基板Ｇの大きなたわみを防止で
きるとともに、基板Ｇの周縁を保持面４２ａよりある程
度低くしておくことで、基板周縁付近にある現像液が下
方に流れ落ちようとする作用と、堰部材４１の堰き止め
作用との相乗効果により現像液の回り込みを効果的に防
止することができる。

【００５４】本発明は以上説明した実施形態には限定さ
れるものではなく、種々の変形が可能である。

【００５５】上記各実施形態では、堰部材４１は連続的
につながったリング形状に形成されたものを用いたが、
これに限らず、例えば基板の２つの長辺部のみで堰き止
めを行う２本の棒状の堰部材を用いてもよい。

【００５６】また、堰部材を例えばベルト機構やシリン
ダ機構で昇降可能とし、堰部材と基板裏面との隙間を調
整できるようにしてもよい。

【００５７】さらに、上記実施形態では基板として矩形
のガラス基板を用いたが、これに限らず、略円形状の半
導体ウェハであっても本発明は適用可能である。

【００５８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
現像液等の処理液が基板裏面側へ回り込み、基板の裏面
が汚れることを防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】一実施形態に係る塗布現像処理システムの平面
図である。

【図２】本発明の一実施形態に係る現像処理装置を示す
平面図である。

【図３】図２に示すＡ−Ａ線断面図である。

【図４】図２に示すＢ−Ｂ線断面図である。

【図５】一実施形態に係る堰部材の拡大断面図である。

【図６】現像処理装置の処理動作（その１）を説明する
ための図である。

【図７】現像処理装置の処理動作（その２）を説明する
ための図である。

【図８】別の実施形態に係る堰部材を示す平面図であ
る。

【図９】堰部材と基板の周縁端部との距離を説明するた
めの平面図である。

【図１０】さらに別の実施形態に係る堰部材を示す拡大
断面図である。

【図１１】他の実施形態に係る現像処理装置の要部を示
す断面図である。

【図１２】別の実施形態に係る現像処理装置の要部を示
す断面図である。

【図１３】別の実施形態に係る現像処理装置の要部を示
す断面図である。

【符号の説明】

Ｇ…ガラス基板 Ｇａ…長辺部 Ｇｂ…短辺部 ｔ，ｕ…距離 Ｇａ…基板長辺部 α…角度 ２４…現像処理装置 ２４ａ．２４ｂ…現像処理装置 ４１…堰部材 ４１ａ…長辺用部材 ４１ｂ…短辺用部材 ４１ｃ…頂点部 ４１ｄ…斜面 ４２…スピンチャック ４２ａ…基板保持面 ４３…バックリンスノズル ５７…現像液 ６１…支持ピン

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の裏面側を保持する保持部と、 この保持部に保持された基板の表面に処理液を供給する
   手段と、 少なくとも一部が前記保持された基板裏面側の周縁部に
   沿って配置され、前記処理液の基板裏面側への回り込み
   を前記少なくとも一部で堰き止める堰部材とを具備する
   ことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記基板は矩形であり、前記堰部材の少なくとも一部
   は、この基板の２つの長辺に沿って配置されていること
   を特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記堰部材の少なくとも一部は、基板の周縁端部から中
   心側へ１０ｍｍまでの範囲に配置されていることを特徴
   とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記堰部材と前記保持された基板の裏面との隙間は１．
   ０ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であることを特徴とする基板
   処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記堰部材は、前記保持された基板の水平面に対し、基
   板外側に４５°から基板内側に４５°までの範囲内に配
   置されていることを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記堰部材は、前記保持された基板の水平面に対し、基
   板外側に向けて７５°から９０°までの範囲内に配置さ
   れていることを特徴とする基板処理装置。
7. 【請求項７】 請求項１に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記保持部は、基板のほぼ中央を保持し、 前記堰部材がこの保持部材の周囲に配置されるととも
   に、この堰部材と保持部材との間には基板の裏面側に洗
   浄液を吐出するノズルが配置されていることを特徴とす
   る基板処理装置。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記ノズルは、前記洗浄液で少なくとも基板の２つの短
   辺から回り込んだ処理液を除去することを特徴とする基
   板処理装置。
9. 【請求項９】 請求項２に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記保持された基板裏面側で前記堰部材の外側に配置さ
   れ、基板の周縁を支持する支持ピンをさらに具備するこ
   とを特徴とする基板処理装置。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載の基板処理装置であっ
    て、 前記支持ピンは、前記保持部の基板保持面より低い位置
    に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
11. 【請求項１１】 基板の裏面側を保持する保持部と、 この保持部に保持された基板の表面に処理液を供給する
    手段と、 前記保持された基板裏面側の周縁部に沿って配置され、
    前記処理液の基板裏面側への回り込みを堰き止める堰部
    材とを具備することを特徴とする基板処理装置。
12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の基板処理装置であ
    って、 前記基板は矩形であり、前記堰部材は、この基板の２つ
    の長辺に沿って配置されていることを特徴とする基板処
    理装置。
13. 【請求項１３】 請求項１２に記載の基板処理装置であ
    って、 前記堰部材は、基板の周縁から中心側へ１０ｍｍまでの
    範囲に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
14. 【請求項１４】 請求項１１に記載の基板処理装置であ
    って、 前記堰部材と前記保持された基板の裏面との隙間は１．
    ０ｍｍ〜２．５ｍｍであることを特徴とする基板処理装
    置。
15. 【請求項１５】 （ａ）基板を裏面側から保持する工程
    と、 （ｂ）この保持された基板の表面に処理液を供給する工
    程と、 （ｃ）基板裏面側の周縁部に沿った少なくとも一部で前
    記処理液の基板裏面側への回り込みをで堰き止める工程
    とを具備することを特徴とする基板処理方法。
16. 【請求項１６】 請求項１５に記載の基板処理方法であ
    って、 前記基板は矩形であり、 前記工程（ｃ）は、この基板の２つの長辺に沿って前記
    処理液の基板裏面側への回り込みを堰き止める工程を含
    むことを特徴とする基板処理方法。
17. 【請求項１７】 請求項１６に記載の基板処理方法であ
    って、 前記工程（ｃ）は、基板の周縁から中心側へ１０ｍｍま
    での範囲で堰き止める工程を含むことを特徴とする基板
    処理方法。
18. 【請求項１８】 請求項１６に記載の基板処理方法であ
    って、 前記工程（ｃ）の後、前記基板の２つの短辺から回り込
    んだ処理液を洗浄液を吐出して除去する工程をさらに具
    備することを特徴とする基板処理方法。