JP2002110506A - 塗布装置及び塗布方法 - Google Patents
塗布装置及び塗布方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数吐出孔のノズルによるレジストの塗布処
理において、レジスト膜圧の均一性を確保することがで
きる塗布装置及び塗布方法を提供すること。 【解決手段】 塗布順序が吐出開始点Ｓ１からＳ２（第
1列）、Ｓ２からＳ３、Ｓ３からＳ４（第２列）、・・
・、Ｓｎ−１から吐出終了点Ｓｎ（第ｎ列）と、基板Ｇ
の両端部Ｇ２及びＧ４から中心部へ向かうように塗布し
ているので、両端部Ｇ２及びＧ４の塗布列の乾燥時間が
略同一となる。従って各塗布列の乾燥時間が、基板中心
線Ｍの塗布列を中心として対称となっているので、この
乾燥状態のままで次工程の処理を受けることになり、膜
圧の均一性を確保することができ、また、ノズルが基板
Ｇの外側を移動する際にはレジスト液の吐出量を小さ
く、又は吐出を停止しているので、レジストの節約を図
ることができる。
理において、レジスト膜圧の均一性を確保することがで
きる塗布装置及び塗布方法を提供すること。 【解決手段】 塗布順序が吐出開始点Ｓ１からＳ２（第
1列）、Ｓ２からＳ３、Ｓ３からＳ４（第２列）、・・
・、Ｓｎ−１から吐出終了点Ｓｎ（第ｎ列）と、基板Ｇ
の両端部Ｇ２及びＧ４から中心部へ向かうように塗布し
ているので、両端部Ｇ２及びＧ４の塗布列の乾燥時間が
略同一となる。従って各塗布列の乾燥時間が、基板中心
線Ｍの塗布列を中心として対称となっているので、この
乾燥状態のままで次工程の処理を受けることになり、膜
圧の均一性を確保することができ、また、ノズルが基板
Ｇの外側を移動する際にはレジスト液の吐出量を小さ
く、又は吐出を停止しているので、レジストの節約を図
ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶ディス
プレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）に使われる
ガラス基板上にレジスト液を塗布する塗布装置に関す
る。
プレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）に使われる
ガラス基板上にレジスト液を塗布する塗布装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣＤの製造工程においては、ＬＣＤ用
のガラス基板上にＩＴＯ（Indium TinOxide）の薄膜や
電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造
に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利
用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジス
トをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像す
る。
のガラス基板上にＩＴＯ（Indium TinOxide）の薄膜や
電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造
に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利
用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジス
トをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像す
る。
【０００３】レジスト液の塗布方法としては、レジスト
液の供給ノズルを基板の端から端へ縦横方向に走査し
て、レジスト液を細径の線状にしてガラス基板上に塗布
していく方法がある。この塗布方法においては、レジス
ト液の供給ノズルの吐出孔が単一の方式と、レジスト液
の供給ノズルの吐出孔を一定間隔で複数にして、その複
数の吐出孔から同時にレジストを吐出させる方式とがあ
る。この複数の吐出孔による方式によれば、単一の吐出
孔の方式と比べて供給ノズルのガラス基板上を走査する
回数を減らすことができるので、塗布処理のタクトを短
縮させることができる。
液の供給ノズルを基板の端から端へ縦横方向に走査し
て、レジスト液を細径の線状にしてガラス基板上に塗布
していく方法がある。この塗布方法においては、レジス
ト液の供給ノズルの吐出孔が単一の方式と、レジスト液
の供給ノズルの吐出孔を一定間隔で複数にして、その複
数の吐出孔から同時にレジストを吐出させる方式とがあ
る。この複数の吐出孔による方式によれば、単一の吐出
孔の方式と比べて供給ノズルのガラス基板上を走査する
回数を減らすことができるので、塗布処理のタクトを短
縮させることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この複
数吐出孔のノズルによる場合であっても、ガラス基板の
端から端へ走査して塗布していくので、ガラス基板上の
塗布開始側と塗布終了側とでは時間的な差があり、レジ
ストの乾燥時間がガラス基板の塗布開始側と塗布終了側
の両端で異なる結果となる。従って基板両端のレジスト
の乾燥時間が異なった状態で、例えば次工程において、
転写跡の生起を防止するために減圧乾燥処理等が行われ
てしまい、レジスト膜圧がガラス基板の両端で不均一と
なってしまう。
数吐出孔のノズルによる場合であっても、ガラス基板の
端から端へ走査して塗布していくので、ガラス基板上の
塗布開始側と塗布終了側とでは時間的な差があり、レジ
ストの乾燥時間がガラス基板の塗布開始側と塗布終了側
の両端で異なる結果となる。従って基板両端のレジスト
の乾燥時間が異なった状態で、例えば次工程において、
転写跡の生起を防止するために減圧乾燥処理等が行われ
てしまい、レジスト膜圧がガラス基板の両端で不均一と
なってしまう。
【０００５】また複数吐出孔のノズルによる塗布は、単
一吐出孔のノズルによる場合と比べて単位時間当たりの
レジストの吐出量が多いので、ノズルがガラス基板の周
辺付近を走査する際に基板以外への吐出が多くなり、レ
ジストが無駄になっていた。
一吐出孔のノズルによる場合と比べて単位時間当たりの
レジストの吐出量が多いので、ノズルがガラス基板の周
辺付近を走査する際に基板以外への吐出が多くなり、レ
ジストが無駄になっていた。
【０００６】本発明は上記した事情に鑑みてなされたも
ので、複数吐出孔のノズルにより塗布する場合におい
て、レジスト液の乾燥時間を基板上で対称にして、基板
レジスト膜圧の均一性を確保することを目的とする。
ので、複数吐出孔のノズルにより塗布する場合におい
て、レジスト液の乾燥時間を基板上で対称にして、基板
レジスト膜圧の均一性を確保することを目的とする。
【０００７】また、本発明の別の目的はレジスト液の節
約を図ることにある。
約を図ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、基板を保持する保持部と、前記基板に対
して縦横方向に移動しながら、前記基板の表面に処理液
を供給する処理液供給手段と、前記処理液供給手段の移
動順序を可変する順序可変手段とを具備する。
め、本発明は、基板を保持する保持部と、前記基板に対
して縦横方向に移動しながら、前記基板の表面に処理液
を供給する処理液供給手段と、前記処理液供給手段の移
動順序を可変する順序可変手段とを具備する。
【０００９】本発明は、保持部に基板を保持する工程
と、前記基板に対して縦横方向に処理液供給手段を移動
させながら、前記基板の表面に処理液を供給する工程
と、前記供給工程において、前記処理液供給手段を移動
させる順序を変更可能とする。
と、前記基板に対して縦横方向に処理液供給手段を移動
させながら、前記基板の表面に処理液を供給する工程
と、前記供給工程において、前記処理液供給手段を移動
させる順序を変更可能とする。
【００１０】これにより、前記基板に対しての処理液の
供給順序を可変とし、処理液の乾燥時間を基板上で対称
にするこができるので、膜圧の均一性を確保することが
できる。
供給順序を可変とし、処理液の乾燥時間を基板上で対称
にするこができるので、膜圧の均一性を確保することが
できる。
【００１１】本発明は、前記処理液の吐出量を可変する
手段を更に具備することにより、処理液供給手段が基板
の外側を移動する際に、処理液の吐出量を小さくする
か、又は吐出を停止することにより、処理液の無駄な吐
出を抑制して処理液の節約を図ることができる。
手段を更に具備することにより、処理液供給手段が基板
の外側を移動する際に、処理液の吐出量を小さくする
か、又は吐出を停止することにより、処理液の無駄な吐
出を抑制して処理液の節約を図ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。
に基づき説明する。
【００１３】図１は、本発明が適用されるＬＣＤ基板の
レジスト塗布・現像処理システムを示す平面図である。
レジスト塗布・現像処理システムを示す平面図である。
【００１４】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーシ
ョン１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
２と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡し
を行うためのインターフェイス部３とを備えており、処
理部２の両端にそれぞれカセットステーション１および
インターフェイス部３が配置されている。
板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーシ
ョン１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
２と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡し
を行うためのインターフェイス部３とを備えており、処
理部２の両端にそれぞれカセットステーション１および
インターフェイス部３が配置されている。
【００１５】カセットステーション１は、カセットＣと
処理部２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機
構１０を備えている。そして、カセットステーション１
においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機
構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路
１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送
アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇ
の搬送が行われる。
処理部２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機
構１０を備えている。そして、カセットステーション１
においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機
構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路
１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送
アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇ
の搬送が行われる。
【００１６】処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後
段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１
２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユ
ニットが配設されている。そして、これらの間には中継
部１５、１６が設けられている。
段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１
２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユ
ニットが配設されている。そして、これらの間には中継
部１５、１６が設けられている。
【００１７】前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可
能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側
には、２つの洗浄装置（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが配置
されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射装置
（ＵＶ）および冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられて
なる紫外線照射／冷却ユニット２５、２つの加熱処理装
置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット２
６、および２つの冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられ
てなる冷却ユニット２７が配置されている。
能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側
には、２つの洗浄装置（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが配置
されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射装置
（ＵＶ）および冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられて
なる紫外線照射／冷却ユニット２５、２つの加熱処理装
置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット２
６、および２つの冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられ
てなる冷却ユニット２７が配置されている。
【００１８】また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って
移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の
一方側には、本発明に係るレジスト塗布装置（ＣＴ）２
２が配置され、このレジスト塗布装置（ＣＴ）２２に隣
接して減圧乾燥装置（ＶＤ）４０が配置され、更にこの
減圧乾燥装置（ＶＤ）４０に隣接して、基板Ｇのエッジ
部や基板Ｇの裏側周縁部に回り込んで付着したレジスト
の除去処理が行われるエッジリムーバ２３（ＥＲ）が配
置されている。搬送路１３の他方側には、２つの加熱装
置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット２
８、加熱処理装置（ＨＰ）と冷却処理装置（ＣＯＬ）が
上下に重ねられてなる加熱処理／冷却ユニット２９、及
び疎水化処理を行うアドヒージョン処理装置（ＡＤ）と
冷却装置（ＣＯＬ）とが上下に積層されてなるアドヒー
ジョン処理／冷却ユニット３０が配置されている。
移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の
一方側には、本発明に係るレジスト塗布装置（ＣＴ）２
２が配置され、このレジスト塗布装置（ＣＴ）２２に隣
接して減圧乾燥装置（ＶＤ）４０が配置され、更にこの
減圧乾燥装置（ＶＤ）４０に隣接して、基板Ｇのエッジ
部や基板Ｇの裏側周縁部に回り込んで付着したレジスト
の除去処理が行われるエッジリムーバ２３（ＥＲ）が配
置されている。搬送路１３の他方側には、２つの加熱装
置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット２
８、加熱処理装置（ＨＰ）と冷却処理装置（ＣＯＬ）が
上下に重ねられてなる加熱処理／冷却ユニット２９、及
び疎水化処理を行うアドヒージョン処理装置（ＡＤ）と
冷却装置（ＣＯＬ）とが上下に積層されてなるアドヒー
ジョン処理／冷却ユニット３０が配置されている。
【００１９】さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿っ
て移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４
の一方側には、３つの現像処理装置（ＤＥＶ）２４ａ、
２４ｂ、２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側
には２つの加熱処理装置（ＨＰ）が上下に重ねられてな
る加熱処理ユニット３１、および加熱処理装置（ＨＰ）
と冷却装置（ＣＯＬ）が上下に積層されてなる２つの加
熱処理／冷却ユニット３２、３３が配置されている。
て移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４
の一方側には、３つの現像処理装置（ＤＥＶ）２４ａ、
２４ｂ、２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側
には２つの加熱処理装置（ＨＰ）が上下に重ねられてな
る加熱処理ユニット３１、および加熱処理装置（ＨＰ）
と冷却装置（ＣＯＬ）が上下に積層されてなる２つの加
熱処理／冷却ユニット３２、３３が配置されている。
【００２０】上記主搬送装置１７，１８，１９は、それ
ぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、
および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ
軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞ
れ基板Ｇを支持するアーム１７ａ，１８ａ，１９ａを有
している。これらのアーム１７ａ，１８ａ，１９ａによ
り、基板Ｇを各処理ユニットに搬送可能としている。
ぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、
および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ
軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞ
れ基板Ｇを支持するアーム１７ａ，１８ａ，１９ａを有
している。これらのアーム１７ａ，１８ａ，１９ａによ
り、基板Ｇを各処理ユニットに搬送可能としている。
【００２１】なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄処理装置２１ａ、２１ｂ、レジスト塗布装置
（ＣＴ）２２、現像処理装置２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、
のような塗布系ユニットのみを配置しており、他方の側
に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユ
ニットのみを配置する構造となっている。
側に洗浄処理装置２１ａ、２１ｂ、レジスト塗布装置
（ＣＴ）２２、現像処理装置２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、
のような塗布系ユニットのみを配置しており、他方の側
に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユ
ニットのみを配置する構造となっている。
【００２２】また、中継部１５、１６の塗布系ユニット
配置側の部分には、それぞれ薬液供給装置３４が配置さ
れており、さらにメンテナンスが可能なスペース３５が
それぞれ設けられている。
配置側の部分には、それぞれ薬液供給装置３４が配置さ
れており、さらにメンテナンスが可能なスペース３５が
それぞれ設けられている。
【００２３】インターフェイス部３は、処理部２との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファカセットを配置する２つのバッファステージ３７
と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの搬
入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８
はエクステンション３６及びバッファステージ３７の配
列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能な
搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処理
部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファカセットを配置する２つのバッファステージ３７
と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの搬
入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８
はエクステンション３６及びバッファステージ３７の配
列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能な
搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処理
部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００２４】図２及び図３はレジスト塗布装置（ＣＴ）
２２を示している。これらの図に示すように、レジスト
塗布装置（ＣＴ）２２の中央には、有底円筒状のフレー
ム７１ａが配置され、このフレーム７１ａ内にはガラス
基板Ｇを固定保持するための保持部である基板吸着テー
ブル５８が配置されている。また、このフレーム７１ａ
の上部には、ガラス基板Ｇを出し入れするための開口部
７１ｃが設けられている。
２２を示している。これらの図に示すように、レジスト
塗布装置（ＣＴ）２２の中央には、有底円筒状のフレー
ム７１ａが配置され、このフレーム７１ａ内にはガラス
基板Ｇを固定保持するための保持部である基板吸着テー
ブル５８が配置されている。また、このフレーム７１ａ
の上部には、ガラス基板Ｇを出し入れするための開口部
７１ｃが設けられている。
【００２５】基板吸着テーブル５８には、ガラス基板Ｇ
を真空吸着保持するための真空吸着装置７２が接続され
ている。また、この基板吸着テーブル５８は、ロッド７
５を介して昇降シリンダ７３によって上下方向に昇降可
能になっている。なお、この昇降シリンダ７３は、ＣＰ
Ｕ７４によって、その動作が制御される。具体的には、
ロッド７５の下部側が図示しない筒体内に配設されてお
り、この筒体内においてロッド７５はバキュームシール
部７６を介して昇降シリンダ７３の駆動によって上下方
向に移動し得るようになっている。
を真空吸着保持するための真空吸着装置７２が接続され
ている。また、この基板吸着テーブル５８は、ロッド７
５を介して昇降シリンダ７３によって上下方向に昇降可
能になっている。なお、この昇降シリンダ７３は、ＣＰ
Ｕ７４によって、その動作が制御される。具体的には、
ロッド７５の下部側が図示しない筒体内に配設されてお
り、この筒体内においてロッド７５はバキュームシール
部７６を介して昇降シリンダ７３の駆動によって上下方
向に移動し得るようになっている。
【００２６】フレーム７１ａの両側には、搬送レール６
６、６６が配置されており、搬送レール６６、６６間に
は、スキャン機構１００が設けられている。このスキャ
ン機構１００は、搬送レール６６、６６間に掛け渡さ
れ、この搬送レール６６、６６に沿ってＹ方向に移動す
る第１のスライダ６７と、この第１のスライダ６７に付
設され、第１のスライダ６７の長手方向に沿ってＸ方向
に移動可能で、処理液供給手段としてのレジスト液供給
ノズル４６が固定された第２のスライダ４３とを有して
構成される。レジスト液供給ノズル４６は、レジスト液
を貯留するタンク５０からの供給管４２に接続され、レ
ジスト液供給ノズル４６とタンク５０との間にはレジス
ト液を吐出させるためのベローズポンプ４９が接続され
ている。レジスト液供給ノズル４６の下面側には図示し
ない複数の吐出孔が例えば２０個設けられている。
６、６６が配置されており、搬送レール６６、６６間に
は、スキャン機構１００が設けられている。このスキャ
ン機構１００は、搬送レール６６、６６間に掛け渡さ
れ、この搬送レール６６、６６に沿ってＹ方向に移動す
る第１のスライダ６７と、この第１のスライダ６７に付
設され、第１のスライダ６７の長手方向に沿ってＸ方向
に移動可能で、処理液供給手段としてのレジスト液供給
ノズル４６が固定された第２のスライダ４３とを有して
構成される。レジスト液供給ノズル４６は、レジスト液
を貯留するタンク５０からの供給管４２に接続され、レ
ジスト液供給ノズル４６とタンク５０との間にはレジス
ト液を吐出させるためのベローズポンプ４９が接続され
ている。レジスト液供給ノズル４６の下面側には図示し
ない複数の吐出孔が例えば２０個設けられている。
【００２７】搬送レール６６の一方の走行端付近には、
ＣＰＵ７４の指令により、該搬送レール６６に沿って第
１のスライダ６７を移動させると共に、第２のスライダ
４３を第１のスライダ６７に沿って移動させる駆動部４
８が設けられている。また、ＣＰＵ７４は各スライダ６
７及び４３の移動距離、すなわちガラス基板Ｇ上のレジ
スト液供給ノズル４６の移動位置に応じて、ベローズポ
ンプ４９の作動量を制御してレジスト液の吐出量を可変
としている。
ＣＰＵ７４の指令により、該搬送レール６６に沿って第
１のスライダ６７を移動させると共に、第２のスライダ
４３を第１のスライダ６７に沿って移動させる駆動部４
８が設けられている。また、ＣＰＵ７４は各スライダ６
７及び４３の移動距離、すなわちガラス基板Ｇ上のレジ
スト液供給ノズル４６の移動位置に応じて、ベローズポ
ンプ４９の作動量を制御してレジスト液の吐出量を可変
としている。
【００２８】以上のように構成されるレジスト塗布・現
像処理システムの作用を説明する。
像処理システムの作用を説明する。
【００２９】図１を参照して、カセットＣ内の基板Ｇ
が、搬送アーム１１により処理部２に搬送される。処理
部２では、まず、前段部２ａの紫外線照射／冷却ユニッ
ト２５の紫外線照射装置（ＵＶ）で表面改質・洗浄処理
が行われ、その後そのユニットの冷却装置（ＣＯＬ）で
冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ，２１ｂ
でスクラバー洗浄が施され、前段部２ａに配置された加
熱処理装置（ＨＰ）の一つで加熱乾燥された後、冷却ユ
ニット２７のいずれかの冷却装置（ＣＯＬ）で冷却され
る。
が、搬送アーム１１により処理部２に搬送される。処理
部２では、まず、前段部２ａの紫外線照射／冷却ユニッ
ト２５の紫外線照射装置（ＵＶ）で表面改質・洗浄処理
が行われ、その後そのユニットの冷却装置（ＣＯＬ）で
冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ，２１ｂ
でスクラバー洗浄が施され、前段部２ａに配置された加
熱処理装置（ＨＰ）の一つで加熱乾燥された後、冷却ユ
ニット２７のいずれかの冷却装置（ＣＯＬ）で冷却され
る。
【００３０】その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、ユニット３０の上段
のアドヒージョン処理装置（ＡＤ）にて疎水化処理（Ｈ
ＭＤＳ処理）され、下段の冷却装置（ＣＯＬ）で冷却
後、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２に搬入される。
レジストの定着性を高めるために、ユニット３０の上段
のアドヒージョン処理装置（ＡＤ）にて疎水化処理（Ｈ
ＭＤＳ処理）され、下段の冷却装置（ＣＯＬ）で冷却
後、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２に搬入される。
【００３１】このレジスト塗布装置（ＣＴ）２２では、
まず、基板吸着テーブル５８がフレーム７１ａの開口部
７１ｃより上方に上昇している状態で、主搬送装置１８
によりこの基板吸着テーブル５８上にガラス基板Ｇが移
載され、真空吸着保持される。次に、昇降シリンダ７３
の駆動により基板吸着テーブル５８が下降され、ガラス
基板Ｇが開口部７１ｃを通過してフレーム７１ａ内に搬
入される。
まず、基板吸着テーブル５８がフレーム７１ａの開口部
７１ｃより上方に上昇している状態で、主搬送装置１８
によりこの基板吸着テーブル５８上にガラス基板Ｇが移
載され、真空吸着保持される。次に、昇降シリンダ７３
の駆動により基板吸着テーブル５８が下降され、ガラス
基板Ｇが開口部７１ｃを通過してフレーム７１ａ内に搬
入される。
【００３２】続いてガラス基板Ｇの大きさに応じてＣＰ
Ｕ７４の指令に基づき、駆動部４８は第１のスライダ６
７を搬送レール６６に沿ってＹ方向に移動させるととも
に、第２のスライダ４３を第１のスライダ６７に沿って
Ｘ方向に移動させる。これにより第２スライダに固定さ
れている塗布液供給ノズル４６が、図４（ａ）に示すよ
うに例えば、基板Ｇにおける１辺Ｇ１の角の外側に位置
する所定の吐出開始点Ｓ１まで移動する。
Ｕ７４の指令に基づき、駆動部４８は第１のスライダ６
７を搬送レール６６に沿ってＹ方向に移動させるととも
に、第２のスライダ４３を第１のスライダ６７に沿って
Ｘ方向に移動させる。これにより第２スライダに固定さ
れている塗布液供給ノズル４６が、図４（ａ）に示すよ
うに例えば、基板Ｇにおける１辺Ｇ１の角の外側に位置
する所定の吐出開始点Ｓ１まで移動する。
【００３３】そして塗布液供給ノズル４６が吐出開始点
Ｓ１から辺Ｇ１の対辺であるＧ３に向かってＹ方向に移
動し、図４（ｂ）に示すように第１列目のレジストＲを
吐出していく。ここで図解を容易にするために、塗布液
供給ノズル４６から吐出されるレジストＲは５本の実線
で示しているが、吐出孔は例えば２０個設けられている
ので実際には更に細かい２０本の線になる。続いて辺Ｇ
３の外側の所定位置Ｓ２まで移動するとレジストの吐出
を停止し、図５（ａ）に示すように、位置Ｓ２から辺Ｇ
４に向かって基板Ｇの角の外側の所定位置Ｓ３までＸ方
向に移動する。そして位置Ｓ３から再び吐出を開始し
て、図５（ｂ）に示すように位置Ｓ３から辺Ｇ１に向か
ってＹ方向に移動しながら第２列目のレジストＲ２を吐
出していき、辺Ｇ１の角の外側の所定位置Ｓ４まで到達
すると、ここで吐出を停止し、続いてこの位置Ｓ４か
ら、吐出開始点Ｓ１よりノズル４６の幅の分だけ辺Ｇ４
側よりの位置Ｓ５までＸ方向に移動して、この位置Ｓ５
から再び辺Ｇ３に向かってＹ方向に移動しながら第３列
目のレジストR３を吐出していく。以上の動作を繰り返
して、すなわち基板Ｇ両端部から中心部へレジストを供
給してガラス基板Ｇの全面にレジストが塗布されること
になる。
Ｓ１から辺Ｇ１の対辺であるＧ３に向かってＹ方向に移
動し、図４（ｂ）に示すように第１列目のレジストＲを
吐出していく。ここで図解を容易にするために、塗布液
供給ノズル４６から吐出されるレジストＲは５本の実線
で示しているが、吐出孔は例えば２０個設けられている
ので実際には更に細かい２０本の線になる。続いて辺Ｇ
３の外側の所定位置Ｓ２まで移動するとレジストの吐出
を停止し、図５（ａ）に示すように、位置Ｓ２から辺Ｇ
４に向かって基板Ｇの角の外側の所定位置Ｓ３までＸ方
向に移動する。そして位置Ｓ３から再び吐出を開始し
て、図５（ｂ）に示すように位置Ｓ３から辺Ｇ１に向か
ってＹ方向に移動しながら第２列目のレジストＲ２を吐
出していき、辺Ｇ１の角の外側の所定位置Ｓ４まで到達
すると、ここで吐出を停止し、続いてこの位置Ｓ４か
ら、吐出開始点Ｓ１よりノズル４６の幅の分だけ辺Ｇ４
側よりの位置Ｓ５までＸ方向に移動して、この位置Ｓ５
から再び辺Ｇ３に向かってＹ方向に移動しながら第３列
目のレジストR３を吐出していく。以上の動作を繰り返
して、すなわち基板Ｇ両端部から中心部へレジストを供
給してガラス基板Ｇの全面にレジストが塗布されること
になる。
【００３４】図６は、以上説明したノズル４６の基板Ｇ
上における軌跡を模式的に示している。このように塗布
順序が吐出開始点Ｓ１からＳ２（第1列）、Ｓ２からＳ
３、Ｓ３からＳ４（第２列）、・・・、Ｓｎ−１から吐
出終了点Ｓｎ（第ｎ列）と、基板Ｇの両端部Ｇ２及びＧ
４から中心部へ向かうように塗布しているので、両端部
Ｇ２及びＧ４の塗布列の乾燥時間が略同一となる。更に
は図において各塗布列の乾燥時間が、破線で示した基板
中心線Ｍの塗布列を中心として対称となっているので、
この乾燥状態のままで次工程の処理を受けることにな
り、膜圧の均一性を確保することができる。更に、ノズ
ル４６が基板Ｇの外側を移動する際にはレジスト液の吐
出を停止しているので、レジストの節約を図ることがで
きる。
上における軌跡を模式的に示している。このように塗布
順序が吐出開始点Ｓ１からＳ２（第1列）、Ｓ２からＳ
３、Ｓ３からＳ４（第２列）、・・・、Ｓｎ−１から吐
出終了点Ｓｎ（第ｎ列）と、基板Ｇの両端部Ｇ２及びＧ
４から中心部へ向かうように塗布しているので、両端部
Ｇ２及びＧ４の塗布列の乾燥時間が略同一となる。更に
は図において各塗布列の乾燥時間が、破線で示した基板
中心線Ｍの塗布列を中心として対称となっているので、
この乾燥状態のままで次工程の処理を受けることにな
り、膜圧の均一性を確保することができる。更に、ノズ
ル４６が基板Ｇの外側を移動する際にはレジスト液の吐
出を停止しているので、レジストの節約を図ることがで
きる。
【００３５】また、従来ではレジストの種類によって
は、レジスト液の粘度が低く、基板Ｇの中心部列から両
端部Ｇ２及びＧ４に向かうにつれて膜圧が小さくなり、
レジスト液が該両端Ｇ２及びＧ４から外側に垂れる現象
が起こることがあったが、本実施形態によれば、基板Ｇ
の中心部列から両端に向かうにつれて乾燥時間は長くな
るので、両端に向かうにつれてレジスト液は固化してい
き、両端からレジスト液が垂れるおそれはない。
は、レジスト液の粘度が低く、基板Ｇの中心部列から両
端部Ｇ２及びＧ４に向かうにつれて膜圧が小さくなり、
レジスト液が該両端Ｇ２及びＧ４から外側に垂れる現象
が起こることがあったが、本実施形態によれば、基板Ｇ
の中心部列から両端に向かうにつれて乾燥時間は長くな
るので、両端に向かうにつれてレジスト液は固化してい
き、両端からレジスト液が垂れるおそれはない。
【００３６】また、図６に示す基板中心部列の吐出終了
点Ｓｎを、図７に示すように吐出開始点Ｓ１として上記
実施形態の塗布順序とは逆の順序で塗布するようにして
もよい。すなわち、中心列の基板外側の所定の吐出開始
点Ｓ１から辺Ｇ３に向かってＹ方向に移動しながらレジ
ストを吐出していき、辺Ｇ３の外側の所定位置Ｓ２まで
移動するとレジストの吐出を停止し、この位置Ｓ２から
辺Ｇ２に向かってＸ方向にノズル４６の幅の分だけ移動
して、続いて位置Ｓ３から辺Ｇ１に向かって辺Ｇ１の外
側の位置Ｓ４までＹ方向に移動しながら吐出していく。
そしてＳ４から吐出を停止して、Ｘ方向にノズル４６の
幅の2倍分に当たる位置Ｓ５まで移動して再びＹ方向に
移動しながら吐出していく。これにより、図６に示す塗
布順序と同様に両端部Ｇ２及びＧ４の塗布列の乾燥時間
が略同一となり、膜圧を均一とすることができる。特に
従来ではレジストの種類によっては、レジスト液の粘度
が高く、また表面張力ために両端でレジストが盛り上が
る現象が起こることがあったが、本実施形態によれば、
基板Ｇの中心部列から両端Ｇ２及びＧ４に向かうにつれ
て乾燥時間は短くなるので、両端においてレジストが盛
り上がるおそれはなく、膜圧の均一性を確保することが
できる。また、本実施形態においても、ノズル４６が基
板Ｇの外側を移動する際にはレジスト液の吐出を停止し
ているので、無駄なレジスト供給をなくしてレジストの
節約を図ることができる。
点Ｓｎを、図７に示すように吐出開始点Ｓ１として上記
実施形態の塗布順序とは逆の順序で塗布するようにして
もよい。すなわち、中心列の基板外側の所定の吐出開始
点Ｓ１から辺Ｇ３に向かってＹ方向に移動しながらレジ
ストを吐出していき、辺Ｇ３の外側の所定位置Ｓ２まで
移動するとレジストの吐出を停止し、この位置Ｓ２から
辺Ｇ２に向かってＸ方向にノズル４６の幅の分だけ移動
して、続いて位置Ｓ３から辺Ｇ１に向かって辺Ｇ１の外
側の位置Ｓ４までＹ方向に移動しながら吐出していく。
そしてＳ４から吐出を停止して、Ｘ方向にノズル４６の
幅の2倍分に当たる位置Ｓ５まで移動して再びＹ方向に
移動しながら吐出していく。これにより、図６に示す塗
布順序と同様に両端部Ｇ２及びＧ４の塗布列の乾燥時間
が略同一となり、膜圧を均一とすることができる。特に
従来ではレジストの種類によっては、レジスト液の粘度
が高く、また表面張力ために両端でレジストが盛り上が
る現象が起こることがあったが、本実施形態によれば、
基板Ｇの中心部列から両端Ｇ２及びＧ４に向かうにつれ
て乾燥時間は短くなるので、両端においてレジストが盛
り上がるおそれはなく、膜圧の均一性を確保することが
できる。また、本実施形態においても、ノズル４６が基
板Ｇの外側を移動する際にはレジスト液の吐出を停止し
ているので、無駄なレジスト供給をなくしてレジストの
節約を図ることができる。
【００３７】レジスト塗布装置（ＣＴ）２２で処理液が
塗布された後は、ロッド７５が上昇し、ガラス基板Ｇは
真空吸着が解除されて、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２
からエッジリムーバ（ＥＲ）２３の間で基板Ｇの受け渡
しを行う図示しないアームにより、次工程である減圧乾
燥装置（ＶＤ）４０まで搬送されて乾燥処理される。続
いて、エッジリムーバ（ＥＲ）により基板Ｇのエッジ部
分や基板Ｇの裏側周縁部に回り込んで付着したレジスト
の除去処理が行われる。
塗布された後は、ロッド７５が上昇し、ガラス基板Ｇは
真空吸着が解除されて、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２
からエッジリムーバ（ＥＲ）２３の間で基板Ｇの受け渡
しを行う図示しないアームにより、次工程である減圧乾
燥装置（ＶＤ）４０まで搬送されて乾燥処理される。続
いて、エッジリムーバ（ＥＲ）により基板Ｇのエッジ部
分や基板Ｇの裏側周縁部に回り込んで付着したレジスト
の除去処理が行われる。
【００３８】その後、ガラス基板Ｇは、中段部２ｂに配
置された加熱処理装置（ＨＰ）の一つでプリベーク処理
され、ユニット２９または３０の下段の冷却装置（ＣＯ
Ｌ）で冷却され、中継部１６から主搬送装置１９により
インターフェイス部３を介して図示しない露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、
必要に応じて後段部２ｃのいずれかの加熱処理装置（Ｈ
Ｐ）でポストエクスポージャベーク処理を行った後、現
像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのい
ずれかで現像処理される。
置された加熱処理装置（ＨＰ）の一つでプリベーク処理
され、ユニット２９または３０の下段の冷却装置（ＣＯ
Ｌ）で冷却され、中継部１６から主搬送装置１９により
インターフェイス部３を介して図示しない露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、
必要に応じて後段部２ｃのいずれかの加熱処理装置（Ｈ
Ｐ）でポストエクスポージャベーク処理を行った後、現
像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのい
ずれかで現像処理される。
【００３９】現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４
ｂ，２４ｃのいずれかで現像処理が行われた後、処理さ
れた基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理装置
（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、冷却装置
（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置１９，１８，１７
及び搬送機構１０によってカセットステーション１上の
所定のカセットに収容される。
ｂ，２４ｃのいずれかで現像処理が行われた後、処理さ
れた基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理装置
（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、冷却装置
（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置１９，１８，１７
及び搬送機構１０によってカセットステーション１上の
所定のカセットに収容される。
【００４０】図８は第２の実施形態のレジスト塗布装置
を示しており、このレジスト塗布装置（ＣＴ）４１にお
いて第1の実施形態におけるレジスト塗布装置（ＣＴ）
２２の構成要素と異なる点は、複数の吐出孔を有する塗
布液供給ノズル４６が２つ設けられている点である。こ
れら一方の塗布液供給ノズル４６ａ及び他方の塗布液供
給ノズル４６ｂは、第1のスライダ６７に沿ってＸ方向
に移動する第２の一方のスライダ４３ａ及び第２の他方
のスライダ４３ｂにそれぞれ固定されている。また、一
方の塗布液供給ノズル４６ａ及び他方の塗布液供給ノズ
ル４６ｂは、それぞれレジスト液の供給管４２に接続さ
れている。その他の構成要素は同一であるので同一の符
号を付し、その説明を省略する。
を示しており、このレジスト塗布装置（ＣＴ）４１にお
いて第1の実施形態におけるレジスト塗布装置（ＣＴ）
２２の構成要素と異なる点は、複数の吐出孔を有する塗
布液供給ノズル４６が２つ設けられている点である。こ
れら一方の塗布液供給ノズル４６ａ及び他方の塗布液供
給ノズル４６ｂは、第1のスライダ６７に沿ってＸ方向
に移動する第２の一方のスライダ４３ａ及び第２の他方
のスライダ４３ｂにそれぞれ固定されている。また、一
方の塗布液供給ノズル４６ａ及び他方の塗布液供給ノズ
ル４６ｂは、それぞれレジスト液の供給管４２に接続さ
れている。その他の構成要素は同一であるので同一の符
号を付し、その説明を省略する。
【００４１】このレジスト塗布装置（ＣＴ）４１におい
ては、駆動部４８により、まず第１のスライダ６７が搬
送レール６６に沿ってＹ方向に移動するとともに、第２
の一方及び他方のスライダ４３ａ及び４３ｂが、第１の
スライダ６７に沿ってＸ方向に移動する。これにより第
２の一方のスライダ４３ａに固定されている一方の塗布
液供給ノズル４６ａが、図９（ａ）に示すように例え
ば、基板Ｇにおける１辺Ｇ１の一方の角の外側に位置す
る所定の吐出開始点Ｓ１ａまで移動するとともに、第２
の他方のスライダ４３ｂに固定されている他方の塗布液
供給ノズル４６ｂが、基板Ｇにおける１辺Ｇ１の他方の
角の外側に位置する所定の吐出開始点Ｓ１ｂまで移動す
る。そして一方のノズル４６ａ及び他方のノズル４６ｂ
はそれぞれＹ方向に同時に移動しながら第1列目のレジ
ストを供給していき、図９（ｂ）に示すように、辺Ｇ３
の外側の所定位置Ｓ２ａ及びＳ２ｂまで達するとそれぞ
れＣＰＵ７４の制御によりレジストの吐出量を小さくす
る。そしてその吐出量を維持したまま一方のノズル４６
ａはＸ方向の図中左方へＳ３ａまで移動するとともに、
他方のノズル４６ｂもＸ方向の図中右方へＳ３ｂまで移
動し、それぞれＳ３ａ及びＳ３ｂから吐出量を再び第１
列と同じにして、同時にＹ方向に移動しながら第２列目
のレジストを吐出していく。そしてそれぞれ辺Ｇ１の外
側Ｓ４ａ及びＳ４ｂまで達すると、Ｓ２ａ〜Ｓ３ａ、Ｓ
２ｂ〜Ｓ３ｂと同様にレジストの吐出量を小さくして、
それぞれＳ５ａ及びＳ５ｂから吐出量を第１列及び第２
列と同じくしてＹ方向に移動していく。この動作を繰り
返すことにより、基板Ｇ両端の第1列から中心列の第ｎ
列まで全面にレジスト塗布を行う。
ては、駆動部４８により、まず第１のスライダ６７が搬
送レール６６に沿ってＹ方向に移動するとともに、第２
の一方及び他方のスライダ４３ａ及び４３ｂが、第１の
スライダ６７に沿ってＸ方向に移動する。これにより第
２の一方のスライダ４３ａに固定されている一方の塗布
液供給ノズル４６ａが、図９（ａ）に示すように例え
ば、基板Ｇにおける１辺Ｇ１の一方の角の外側に位置す
る所定の吐出開始点Ｓ１ａまで移動するとともに、第２
の他方のスライダ４３ｂに固定されている他方の塗布液
供給ノズル４６ｂが、基板Ｇにおける１辺Ｇ１の他方の
角の外側に位置する所定の吐出開始点Ｓ１ｂまで移動す
る。そして一方のノズル４６ａ及び他方のノズル４６ｂ
はそれぞれＹ方向に同時に移動しながら第1列目のレジ
ストを供給していき、図９（ｂ）に示すように、辺Ｇ３
の外側の所定位置Ｓ２ａ及びＳ２ｂまで達するとそれぞ
れＣＰＵ７４の制御によりレジストの吐出量を小さくす
る。そしてその吐出量を維持したまま一方のノズル４６
ａはＸ方向の図中左方へＳ３ａまで移動するとともに、
他方のノズル４６ｂもＸ方向の図中右方へＳ３ｂまで移
動し、それぞれＳ３ａ及びＳ３ｂから吐出量を再び第１
列と同じにして、同時にＹ方向に移動しながら第２列目
のレジストを吐出していく。そしてそれぞれ辺Ｇ１の外
側Ｓ４ａ及びＳ４ｂまで達すると、Ｓ２ａ〜Ｓ３ａ、Ｓ
２ｂ〜Ｓ３ｂと同様にレジストの吐出量を小さくして、
それぞれＳ５ａ及びＳ５ｂから吐出量を第１列及び第２
列と同じくしてＹ方向に移動していく。この動作を繰り
返すことにより、基板Ｇ両端の第1列から中心列の第ｎ
列まで全面にレジスト塗布を行う。
【００４２】この第2の実施形態によれば、基板Ｇ両端
の第1列から中心列の第ｎ列まで順に塗布するので、第1
の実施形態における効果と同様の効果が得られるととも
に、2つのノズル４６ａ及び４６ｂにより基板Ｇ両端か
ら同時に塗布しているので、基板Ｇ両端の乾燥時間はよ
り正確に一致することになるため、膜圧の均一性は更に
向上し、かつ、第1の実施形態よりもタクトを短縮する
ことができる。
の第1列から中心列の第ｎ列まで順に塗布するので、第1
の実施形態における効果と同様の効果が得られるととも
に、2つのノズル４６ａ及び４６ｂにより基板Ｇ両端か
ら同時に塗布しているので、基板Ｇ両端の乾燥時間はよ
り正確に一致することになるため、膜圧の均一性は更に
向上し、かつ、第1の実施形態よりもタクトを短縮する
ことができる。
【００４３】また、Ｓ２ａ〜Ｓ３ａ間、Ｓ４ａ〜Ｓ５ａ
間等の基板Ｇの外側においてはレジスト液の吐出量を小
さくしているので、レジスト液の節約を図ることができ
る。なお、この基板Ｇ外側において、吐出量を小さくす
るのではなく第1の実施形態と同様に吐出を停止するよ
うにしてもよい。
間等の基板Ｇの外側においてはレジスト液の吐出量を小
さくしているので、レジスト液の節約を図ることができ
る。なお、この基板Ｇ外側において、吐出量を小さくす
るのではなく第1の実施形態と同様に吐出を停止するよ
うにしてもよい。
【００４４】図１０は上記した第2の実施形態における
塗布順序を逆にしたものを示す図である。すなわち2つ
のノズル４６ａ及び４６ｂにより、所定の中心部の吐出
開始点Ｓ１ａ及びＳ１ｂから吐出して、基板Ｇ中心部の
第１列から基板Ｇ両端の第ｎ列まで全面に塗布する。図
１１は2つのノズル４６ａ及び４６ｂにより、それぞれ
辺Ｇ１の外側両端の吐出開始点Ｓ１ａ及びＳ１ｂから、
同時に辺Ｇ３の外側両端位置Ｓ２ａ及びＳ２ｂまで吐出
し、位置Ｓ２ａ及びＳ２ｂから、それぞれ基板中心部列
の位置Ｓ３ａ及びＳ３ｂまで移動して、ここから同時に
辺Ｇ１の外側の位置Ｓ４ａ及びＳ４ｂまで吐出してき、
これを繰り返して所定の吐出終了点まで同時に移動しな
がら吐出する。
塗布順序を逆にしたものを示す図である。すなわち2つ
のノズル４６ａ及び４６ｂにより、所定の中心部の吐出
開始点Ｓ１ａ及びＳ１ｂから吐出して、基板Ｇ中心部の
第１列から基板Ｇ両端の第ｎ列まで全面に塗布する。図
１１は2つのノズル４６ａ及び４６ｂにより、それぞれ
辺Ｇ１の外側両端の吐出開始点Ｓ１ａ及びＳ１ｂから、
同時に辺Ｇ３の外側両端位置Ｓ２ａ及びＳ２ｂまで吐出
し、位置Ｓ２ａ及びＳ２ｂから、それぞれ基板中心部列
の位置Ｓ３ａ及びＳ３ｂまで移動して、ここから同時に
辺Ｇ１の外側の位置Ｓ４ａ及びＳ４ｂまで吐出してき、
これを繰り返して所定の吐出終了点まで同時に移動しな
がら吐出する。
【００４５】図１０及び図１１に示す塗布順序により基
板Ｇ両端に塗布されたレジストの乾燥時間は同一とな
り、この乾燥状態で次工程の処理が受けられるので、膜
圧を均一にすることができる。これは第1実施形態と同
様に、特に基板Ｇ両端の膜圧の精密な制御が必要とされ
る場合に有効である。また以上の場合においても、基板
Ｇの外側のＳ２ａ〜Ｓ３ａ間等はレジストの吐出量を小
さくするか、または吐出を停止している。これによりレ
ジストの節約を図ることができる。
板Ｇ両端に塗布されたレジストの乾燥時間は同一とな
り、この乾燥状態で次工程の処理が受けられるので、膜
圧を均一にすることができる。これは第1実施形態と同
様に、特に基板Ｇ両端の膜圧の精密な制御が必要とされ
る場合に有効である。また以上の場合においても、基板
Ｇの外側のＳ２ａ〜Ｓ３ａ間等はレジストの吐出量を小
さくするか、または吐出を停止している。これによりレ
ジストの節約を図ることができる。
【００４６】図１２（ａ）、（ｂ）は、第３の実施形態
による塗布方法を示している。本実施形態では、図１２
（ａ）に示すように、１つの塗布液供給ノズル４６によ
り、第１の実施形態における吐出開始点Ｓ１（図４
（ａ））よりノズル４６の幅の半分だけ図中右方にずれ
た位置Ｓ１´から、Ｙ方向に位置Ｓ２までレジストを吐
出しながら移動し（第1列）、続いて第１の実施形態に
おける位置Ｓ３よりノズル４６の幅の半分だけ図中左方
にずれた位置Ｓ３´まで移動して、位置Ｓ３から位置Ｓ
４までＹ方向に（第２列）移動しながら吐出する。そし
て位置Ｓ４から、第１の実施形態における吐出開始点Ｓ
１に相当する位置Ｓ５´まで移動して第１列のレジスト
にノズル４６の幅の半分だけ重ね塗りをして、Ｙ方向に
移動していく（第３列）。続いて第２列目にも同様に重
ね塗りをしながらＹ方向に辺Ｇ１に向かって移動してい
き、この幅半分だけの重ね塗りの動作を繰り返して、基
板Ｇ両端から中心部列に向かって順に塗布していく。な
お、この場合もＳ２´〜Ｓ３´間等の基板Ｇの外側の移
動の際には吐出量を小さくするか、または停止してい
る。
による塗布方法を示している。本実施形態では、図１２
（ａ）に示すように、１つの塗布液供給ノズル４６によ
り、第１の実施形態における吐出開始点Ｓ１（図４
（ａ））よりノズル４６の幅の半分だけ図中右方にずれ
た位置Ｓ１´から、Ｙ方向に位置Ｓ２までレジストを吐
出しながら移動し（第1列）、続いて第１の実施形態に
おける位置Ｓ３よりノズル４６の幅の半分だけ図中左方
にずれた位置Ｓ３´まで移動して、位置Ｓ３から位置Ｓ
４までＹ方向に（第２列）移動しながら吐出する。そし
て位置Ｓ４から、第１の実施形態における吐出開始点Ｓ
１に相当する位置Ｓ５´まで移動して第１列のレジスト
にノズル４６の幅の半分だけ重ね塗りをして、Ｙ方向に
移動していく（第３列）。続いて第２列目にも同様に重
ね塗りをしながらＹ方向に辺Ｇ１に向かって移動してい
き、この幅半分だけの重ね塗りの動作を繰り返して、基
板Ｇ両端から中心部列に向かって順に塗布していく。な
お、この場合もＳ２´〜Ｓ３´間等の基板Ｇの外側の移
動の際には吐出量を小さくするか、または停止してい
る。
【００４７】本実施形態によれば各列の塗布されたレジ
スト間に塗布されない部分が発生するおそれはなく、膜
圧を均一にして塗布することができる。また、本実施形
態においては、第1列と第３列との重ね塗り、及び第２
列と第４列との重ね塗りは行わず、第１及び第２実施形
態と同様にノズル幅分の塗布を行って、それ以外の各列
は重ね塗りを行うようにしてもよい。これにより基板両
端Ｇ２及びＧ４の膜圧を他の部位の膜圧より小さくし
て、両端の膜圧の盛り上がりを抑制することができる。
従って膜圧の均一性を確保できる。なお、この場合に
は、該両端の塗布量（第1列及び第２列の塗布量）を調
整するようにしてもよい。
スト間に塗布されない部分が発生するおそれはなく、膜
圧を均一にして塗布することができる。また、本実施形
態においては、第1列と第３列との重ね塗り、及び第２
列と第４列との重ね塗りは行わず、第１及び第２実施形
態と同様にノズル幅分の塗布を行って、それ以外の各列
は重ね塗りを行うようにしてもよい。これにより基板両
端Ｇ２及びＧ４の膜圧を他の部位の膜圧より小さくし
て、両端の膜圧の盛り上がりを抑制することができる。
従って膜圧の均一性を確保できる。なお、この場合に
は、該両端の塗布量（第1列及び第２列の塗布量）を調
整するようにしてもよい。
【００４８】なお、本発明は以上説明した実施形態には
限定されない。
限定されない。
【００４９】例えば第２の実施形態において、塗布液供
給ノズルを２つ設ける構成としたが、これを４つとし
て、又はそれより多くして、基板の大きさに応じてノズ
ルの個数を適宜選択できるようにしてもよい。
給ノズルを２つ設ける構成としたが、これを４つとし
て、又はそれより多くして、基板の大きさに応じてノズ
ルの個数を適宜選択できるようにしてもよい。
【００５０】また、第１及び第2の実施形態では、ノズ
ルが基板の外側を移動するときのみレジストの吐出量を
変化させていたが、例えば基板上の両端においても変化
させるようにして膜圧の制御を行うようにしてもよい。
ルが基板の外側を移動するときのみレジストの吐出量を
変化させていたが、例えば基板上の両端においても変化
させるようにして膜圧の制御を行うようにしてもよい。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数吐出孔のノズルによるレジストの塗布処理におい
て、レジスト膜圧の均一性を確保し、特に基板両端にお
ける膜圧を均一にして、かつレジスト液の節約を図るこ
とができる。
複数吐出孔のノズルによるレジストの塗布処理におい
て、レジスト膜圧の均一性を確保し、特に基板両端にお
ける膜圧を均一にして、かつレジスト液の節約を図るこ
とができる。
【図１】本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処
理システムを示す平面図である。
理システムを示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態によるレジスト塗布装
置（ＣＴ）の概略平面図である。
置（ＣＴ）の概略平面図である。
【図３】図２に示したレジスト塗布装置（ＣＴ）の概略
構成を示す一部断面図である。
構成を示す一部断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態によるレジストの塗布
順序を説明するための平面図である。
順序を説明するための平面図である。
【図５】同塗布順序を説明するための平面図である。
【図６】同塗布順序を説明するための平面図である。
【図７】同塗布順序を説明するための図で、基板両端部
から中心部への塗布を示す平面図である。
から中心部への塗布を示す平面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態によるレジスト塗布装
置（ＣＴ）の概略平面図である。
置（ＣＴ）の概略平面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態によるレジストの塗布
順序を説明するための図で、基板両端部から中心部への
塗布を示す平面図である。
順序を説明するための図で、基板両端部から中心部への
塗布を示す平面図である。
【図１０】同塗布順序を説明するための図で、基板中心
部から両端部への塗布を示す平面図である。
部から両端部への塗布を示す平面図である。
【図１１】同塗布順序を説明するための平面図である。
【図１２】本発明の第３の実施形態によるレジストの塗
布方法を説明するための図で、重ね塗りを示す平面図で
ある。
布方法を説明するための図で、重ね塗りを示す平面図で
ある。
Ｇ…ガラス基板 Ｇ１〜Ｇ４…辺 ２２…レジスト塗布装置 ４１…レジスト塗布装置 ４６…塗布液供給ノズル ４６ａ…一方の塗布液供給ノズル ４６ｂ…他方の塗布液供給ノズル ５８…基板吸着テーブル ７４…ＣＰＵ ７６…バキュームシール部
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｚ ５Ｆ０４６ (72)発明者 松田 義隆 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４ 東京エレクトロン九州株式会社 大津事業所内 (72)発明者 三浦 雄一郎 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４ 東京エレクトロン九州株式会社 大津事業所内 (72)発明者 下村 雄二 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４ 東京エレクトロン九州株式会社 大津事業所内 Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB17 EA04 4D075 AC06 AC08 AC09 AC73 AC82 AC84 AC88 AC92 AC93 AC94 CA48 DA06 DB13 DC24 EA45 4F033 AA01 AA14 BA03 CA04 DA01 EA05 LA01 LA13 4F041 AA02 AA05 AB02 BA05 BA13 BA21 BA34 BA57 4F042 AA02 AA10 BA08 BA12 BA25 CB07 5F046 JA02 JA27
Claims (7)
- 【請求項１】 基板を保持する保持部と、 前記基板に対して縦横方向に移動しながら、前記基板の
表面に処理液を供給する処理液供給手段と、 前記処理液供給手段の移動順序を可変する順序可変手段
と、 を具備することを特徴とする塗布装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の塗布装置であって、前
記処理液の吐出量を可変する手段を更に具備することを
特徴とする塗布装置。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の塗布装置
であって、前記処理液供給手段は、前記処理液を吐出さ
せる孔を複数有することを特徴とする塗布装置。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のうちいずれか１
項に記載の塗布装置であって、前記処理液供給手段を少
なくとも２つ有することを特徴とする塗布装置。 - 【請求項５】 保持部に基板を保持する工程と、 前記基板に対して縦横方向に処理液供給手段を移動させ
ながら、前記基板の表面に処理液を供給する工程と、 を具備し、 前記供給工程において、前記処理液供給手段を移動させ
る順序を変更可能としたことを特徴とする塗布方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載の塗布装置であって、前
記処理液の吐出量を変化させる工程を更に具備すること
を特徴とする塗布方法。 - 【請求項７】 請求項５又は請求項６に記載の塗布方法
であって、前記処理液供給手段は、前記処理液を吐出さ
せる孔を複数有し、前記複数の孔から前記処理液を同時
に吐出させることを特徴とする塗布方法。
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|---|---|---|---|
| JP2000294129A JP4372984B2 (ja) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | 塗布装置及び塗布方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2000294129A JP4372984B2 (ja) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | 塗布装置及び塗布方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2004267927A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Seiko Epson Corp | 描画装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 |
| JP2005000721A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Shibaura Mechatronics Corp | 成膜方法及び成膜装置 |
| JP2008042187A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-21 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ |
| JP2009148765A (ja) * | 2009-04-06 | 2009-07-09 | Shibaura Mechatronics Corp | 成膜方法及び成膜装置 |
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| US8016996B2 (en) | 2006-02-10 | 2011-09-13 | Tennant Company | Method of producing a sparged cleaning liquid onboard a mobile surface cleaner |
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| US8156608B2 (en) | 2006-02-10 | 2012-04-17 | Tennant Company | Cleaning apparatus having a functional generator for producing electrochemically activated cleaning liquid |
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-
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- 2001-09-21 KR KR1020010058717A patent/KR100837849B1/ko not_active IP Right Cessation
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