JP2004179513A - 基板保持装置及び基板処理装置 - Google Patents
基板保持装置及び基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004179513A JP2004179513A JP2002345910A JP2002345910A JP2004179513A JP 2004179513 A JP2004179513 A JP 2004179513A JP 2002345910 A JP2002345910 A JP 2002345910A JP 2002345910 A JP2002345910 A JP 2002345910A JP 2004179513 A JP2004179513 A JP 2004179513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- holding
- holding plate
- held
- pin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】基板の周縁付近に波打ち状のたわみが発生することがない基板保持装置及び基板処理装置の提供。
【解決手段】基板Gを保持ピンにより保持しながら、基板Gの周縁部に沿うように保持プレート101により保持し、しかも保持プレート101による基板保持面で吸着孔106を介して基板Gを吸着しているので、基板Gの周縁付近に波打ち状のたわみが発生することはなくなる。そして、この状態で基板Gの周縁に除去液を噴出しているので、残存するレジストの端部が波打ち状になるという問題を解消する。
【選択図】 図6
【解決手段】基板Gを保持ピンにより保持しながら、基板Gの周縁部に沿うように保持プレート101により保持し、しかも保持プレート101による基板保持面で吸着孔106を介して基板Gを吸着しているので、基板Gの周縁付近に波打ち状のたわみが発生することはなくなる。そして、この状態で基板Gの周縁に除去液を噴出しているので、残存するレジストの端部が波打ち状になるという問題を解消する。
【選択図】 図6
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばLCD(Liquid Crystal Display:LCD)等に用いられるガラス基板に形成されたレジスト膜のうちその周縁部に形成されたレジスト膜を除去する基板処理装置及び例えばそのような基板処理装置に用いられる基板保持装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
LCDや半導体などの製造においては、基板であるガラス基板や半導体ウェハの上面にレジスト膜パターンを形成させるために、いわゆるリソグラフィ処理が行われる。このリソグラフィ処理は、基板の洗浄、基板の乾燥、基板の表面へのレジストの塗布、感光膜の露光、現像など、種々の処理工程を含んでいる。例えば、基板を洗浄した後、疎水化処理を施し、更に冷却した後、フォトレジストとしてのレジストを塗布して基板の表面に感光膜を塗布形成する。加熱してべーキング処理を施した後、露光装置にて感光膜に所定のパターンを露光する。露光後の基板の表面に現像液を塗布して現像した後にリンス液により現像液を洗い流し、現像処理を完了する。
【0003】
以上のようなリソグラフィ処理において、レジストを塗布する工程は、スキャン塗布法やスピンコーティング法、スプレー法等が採用されている。これらの方法によってレジストを塗布した場合、塗布直後における膜厚は均一であるが、時間が経つに従い、表面張力の影響で基板周縁部でレジストが盛り上がるように厚くなってしまう。このように基板の周縁部に形成された不均一な厚い膜や裏面に付着したレジストは、その後の基板の搬送過程などにおいて、パーティクル発生の原因となる。また、基板を搬送する機器を汚す原因にもなる。
【0004】
そこで従来より、基板の表面にレジストを塗布した後、基板の周縁部や裏面に付着した不要なレジストを除去する処理が行われている。この除去処理は、基板の周縁に沿ってノズルを移動させ、そのノズルからレジストの溶剤を供給すると同時に、溶剤の供給によって溶解したレジストを吸引除去することにより行われている(例えば、特許文献1参照。)。
【0005】
【特許文献1】
特開平11−16831号公報(図3等)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
このようなレジストを除去する装置では、基板の中央付近を多数の保持ピンで保持したり、或いは上記特許文献1のように複数の板状の部材で基板の中央付近を保持することが行われている。基板の裏面の周縁を除く領域を保持板によって保持する構成とすると、基板に静電気が付着したり、基板の温度が面内でばらつきが生じるからである。
【0007】
しかしながら、基板を上記のように保持して基板の周縁のレジスト除去したとき、基板の周縁付近は波打ち状にたわんでいることから、残存するレジストの端部が直線ではなく波打ち状になる、という問題がある。
【0008】
本発明は、このような事情に基づきなされたもので、基板の周縁付近に波打ち状のたわみが発生することがない基板保持装置及び基板処理装置を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため、本発明の主たる観点に係る基板保持装置は、基板の周縁部に沿うように額縁状に設けられ、保持した基板を吸着するための孔が保持面に沿って設けられた保持プレートと、前記保持プレートにより保持される基板の領域よりも内側の領域に設けられ、前記基板を保持する保持ピンと、前記吸着孔を介して前記保持プレートにより保持された基板を吸着する吸着機構とを具備することを特徴とするものである。
【0010】
本発明では、基板を保持ピンにより保持しながら、基板の周縁部に沿うように保持プレートにより保持し、しかも保持プレートによる基板保持面で基板を吸着しているので、基板の周縁付近に波打ち状のたわみが発生することはなくなる。
【0011】
本発明の別の観点に係る基板処理装置は、基板の周縁部に沿うように額縁状に設けられ、保持した基板を吸着するための孔が保持面に沿って設けられた保持プレートと、前記保持プレートにより保持される基板の領域よりも内側の領域に設けられ、前記基板を保持する保持ピンと、前記吸着孔を介して前記保持プレートにより保持された基板を吸着する吸着機構と、前記保持ピン及び前記保持プレートにより保持された基板の周縁部に除去液を噴出して周縁部上の塗布膜を除去する除去機構とを具備することを特徴とするものである。
【0012】
本発明では、基板を保持ピンにより保持しながら、基板の周縁部に沿うように保持プレートにより保持し、しかも保持プレートによる基板保持面で基板を吸着しているので、基板の周縁付近に波打ち状のたわみが発生することはなくなる。そして、この状態で基板の周縁に除去液を噴出しているので、残存するレジストの端部が波打ち状になるという問題が解消する。
【0013】
本発明では、前記基板の裏面周縁部を保持して前記保持ピン及び前記保持プレート側に当該基板を搬送する搬送機構と、前記保持ピンを昇降させる昇降機構と、前記保持ピンの先端を前記保持プレートの保持面より上の位置に位置させて前記搬送機構から基板を受け取るように前記昇降機構を制御する手段とを具備してもよい。保持ピンだけで搬送機構から基板を受け取っているので、基板のスムーズな受け取りが可能となる。また、基板の受け渡し時に保持プレートと搬送機構との間の干渉がないので、搬送機構による基板の保持領域を拡大でき、基板を確実に搬送することが可能となる。
【0014】
本発明では、前記基板の裏面周縁部を保持して前記保持ピン及び前記保持プレート側に当該基板を搬送する搬送機構と、前記保持プレートを昇降させる昇降機構と、前記保持ピンの先端を前記保持プレートの保持面よりも下の位置に位置させて前記搬送機構から基板を受け取るように前記昇降機構を制御する手段とを具備してもよい。製品領域から離すことできる保持プレートだけで搬送機構から基板を受け取っているので、受け渡し時の製品領域における転写の問題をできる限り低減することができる。
【0015】
本発明では、前記保持プレートの保持面から基板を引き離すときに前記吸着孔から不活性噴出させる噴出機構を更に具備するようにしてもよい。これにより、基板をスムーズに且つ塗布膜に悪影響を与えることなく保持プレートの保持面から引き離すことが可能となる。
【0016】
本発明では、前記保持ピンを前記基板の製品領域を避けるように設けてもよい。これにより、転写の問題を回避できる。この場合、保持プレートも製品領域を避けるようにすればより好ましい。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【0018】
図1は本発明の一実施形態に係るLCD基板の塗布現像処理システムを示す平面図であり、図2はその正面図、また図3はその背面図である。
【0019】
この塗布現像処理システム1は、複数のガラス基板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーション2と、基板Gにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部3と、露光装置32との間で基板Gの受け渡しを行うためのインターフェース部4とを備えており、処理部3の両端にそれぞれカセットステーション2及びインターフェース部4が配置されている。
【0020】
カセットステーション2は、カセットCと処理部3との間でガラス基板Gの搬送を行うための搬送機構10を備えている。そして、カセットステーション2においてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機構10はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路12上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送アーム11によりカセットCと処理部3との間で基板Gの搬送が行われる。
【0021】
処理部3には、カセットステーション2におけるカセットCの配列方向(Y方向)と直交する直交方向(X方向)に延設された主搬送部3aと、この主搬送部3aに沿って、レジスト塗布処理ユニット(CT)を含む各処理ユニットが並設された上流部3b及び現像処理ユニット(DEV)18を含む各処理ユニットが並設された下流部3cとが設けられている。
【0022】
主搬送部3aには、X方向に延設された搬送路31と、この搬送路31に沿って移動可能に構成されガラス基板GをX方向に搬送する搬送シャトル23とが設けられている。この搬送シャトル23は、例えば支持ピンにより基板Gを保持して搬送するようになっている。また、主搬送部3aのインターフェース部4側端部には、処理部3とインターフェース部4との間で基板Gの受け渡しを行う垂直搬送ユニット7が設けられている。
【0023】
上流部3bにおいて、カセットステーション2側端部には、基板Gに洗浄処理を施すスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)20が設けられ、このスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)20の上段に基板G上の有機物を除去するためのエキシマUV処理ユニット(e−UV)19が配設されている。
【0024】
スクラバ洗浄処理ユニット(SCR)20の隣には、ガラス基板Gに対して熱的処理を行うユニットが多段に積み上げられた熱処理系ブロック24及び25が配置されている。これら熱処理系ブロック24と25との間には、垂直搬送ユニット5が配置され、搬送アーム5aがZ方向及び水平方向に移動可能とされ、かつθ方向に回動可能とされているので、両ブロック24及び25における各熱処理系ユニットにアクセスして基板Gの搬送が行われるようになっている。なお、上記処理部3における垂直搬送ユニット7についてもこの垂直搬送ユニット5と同一の構成を有している。
【0025】
図2に示すように、熱処理系ブロック24には、基板Gにレジスト塗布前の加熱処理を施すベーキングユニット(BAKE)が2段、HMDSガスにより疎水化処理を施すアドヒージョンユニット(AD)が下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック25には、基板Gに冷却処理を施すクーリングユニット(COL)が2段、アドヒージョンユニット(AD)が下から順に積層されている。
【0026】
熱処理系ブロック25に隣接してレジスト処理ブロック15がX方向に延設されている。このレジスト処理ブロック15は、基板Gにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット(CT)49と、減圧により前記塗布されたレジストを乾燥させる減圧乾燥ユニット(VD)40と、本発明に係る基板Gの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバ(ER)48とが一体的に設けられて構成されている。このレジスト処理ブロック15には、レジスト塗布処理ユニット(CT)49からエッジリムーバ(ER)48にかけて移動するサブアーム(後述する。)が設けられており、このサブアームによりレジスト処理ブロック15内で基板Gが搬送されるようになっている。
【0027】
レジスト処理ブロック15に隣接して多段構成の熱処理系ブロック26が配設されており、この熱処理系ブロック26には、基板Gにレジスト塗布後の加熱処理を行うプリベーキングユニット(PREBAKE)が3段積層されている。
【0028】
下流部3cにおいては、図3に示すように、インターフェース部4側端部には、熱処理系ブロック29が設けられており、これには、クーリングユニット(COL)、露光後現像処理前の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキングユニット(PEBAKE)が2段、下から順に積層されている。
【0029】
熱処理系ブロック29に隣接して現像処理を行う現像処理ユニット(DEV)18がX方向に延設されている。この現像処理ユニット(DEV)18の隣には熱処理系ブロック28及び27が配置され、これら熱処理系ブロック28と27との間には、上記垂直搬送ユニット5と同一の構成を有し、両ブロック28及び27における各熱処理系ユニットにアクセス可能な垂直搬送ユニット6が設けられている。また、現像処理ユニット(DEV)18端部の上には、i線処理ユニット(i―UV)33が設けられている。
【0030】
熱処理系ブロック28には、クーリングユニット(COL)、基板Gに現像後の加熱処理を行うポストベーキングユニット(POBAKE)が2段、下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック27も同様に、クーリングユニット(COL)、ポストベーキングユニット(POBAKE)が2段、下から順に積層されている。
【0031】
インターフェース部4には、正面側にタイトラー及び周辺露光ユニット(Titler/EE)22が設けられ、垂直搬送ユニット7に隣接してエクステンションクーリングユニット(EXTCOL)35が、また背面側にはバッファカセット34が配置されており、これらタイトラー及び周辺露光ユニット(Titler/EE)22とエクステンションクーリングユニット(EXTCOL)35とバッファカセット34と隣接した露光装置32との間で基板Gの受け渡しを行う垂直搬送ユニット8が配置されている。この垂直搬送ユニット8も上記垂直搬送ユニット5と同一の構成を有している。
【0032】
以上のように構成された塗布現像処理システム1の処理工程については、先ずカセットC内の基板Gが処理部3部における上流部3bに搬送される。上流部3bでは、エキシマUV処理ユニット(e−UV)19において表面改質・有機物除去処理が行われ、次にスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)20において、基板Gが略水平に搬送されながら洗浄処理及び乾燥処理が行われる。続いて熱処理系ブロック24の最下段部で垂直搬送ユニットにおける搬送アーム5aにより基板Gが取り出され、同熱処理系ブロック24のベーキングユニット(BAKE)にて加熱処理、アドヒージョンユニット(AD)にて、ガラス基板Gとレジスト膜との密着性を高めるため、基板GにHMDSガスを噴霧する処理が行われる。この後、熱処理系ブロック25のクーリングユニット(COL)による冷却処理が行われる。
【0033】
次に、基板Gは搬送アーム5aから搬送シャトル23に受け渡される。そしてレジスト塗布処理ユニット(CT)に搬送され、レジストの塗布処理が行われた後、減圧乾燥処理ユニット(VD)にて減圧乾燥処理、エッジリムーバ(ER)48にて基板周縁のレジスト除去処理が順次行われる。
【0034】
次に、基板Gは搬送シャトル23から垂直搬送ユニット7の搬送アームに受け渡され、熱処理系ブロック26におけるプリベーキングユニット(PREBAKE)にて加熱処理が行われた後、熱処理系ブロック29におけるクーリングユニット(COL)にて冷却処理が行われる。続いて基板Gはエクステンションクーリングユニット(EXTCOL)35にて冷却処理されるとともに露光装置にて露光処理される。
【0035】
次に、基板Gは垂直搬送ユニット8及び7の搬送アームを介して熱処理系ブロック29のポストエクスポージャーベーキングユニット(PEBAKE)に搬送され、ここで加熱処理が行われた後、クーリングユニット(COL)にて冷却処理が行われる。そして基板Gは垂直搬送ユニット7の搬送アームを介して、現像処理ユニット(DEV)18において基板Gは略水平に搬送されながら現像処理、リンス処理及び乾燥処理が行われる。
【0036】
次に、基板Gは熱処理系ブロック28における最下段から垂直搬送ユニット6の搬送アーム6aにより受け渡され、熱処理系ブロック28又は27におけるポストベーキングユニット(POBAKE)にて加熱処理が行われ、クーリングユニット(COL)にて冷却処理が行われる。そして基板Gは搬送機構10に受け渡されカセットCに収容される。
【0037】
図4及び図5は、レジスト処理ブロック15を示す概略平面図及び概略側面図である。これらレジスト塗布ユニット(CT)49、減圧乾燥ユニット(VD)40、及びエッジリムーバ(ER)48は、図示するように同一のステージに一体的に並列されている。
【0038】
減圧乾燥ユニット(VD)40は、下部チャンバ61と、その上を覆うように設けられ、その内部の処理空間を気密に維持する上部チャンバ62とを有している。下部チャンバ61には、基板Gを載置するためのステージ63が設けられ、下部チャンバ61の各コーナー部には、4個の排気口64が設けられ、この排気口64に連通された排気管65がターボ分子排気ポンプ等の排気ポンプ(図示略)に接続されている。そして、下部チャンバ61と上部チャンバ62とが密着した状態でその中の処理空間を排気することにより、所定の真空度に減圧されるように構成されている。
【0039】
また、レジスト塗布ユニット(CT)49のほぼ中央には、有底円筒状のカップ71が配置され、カップ71内にはガラス基板Gを固定保持するための保持部材である基板吸着テーブル58が配置されている。
【0040】
これらレジスト塗布ユニット(CT)49、減圧乾燥ユニット(VD)40、及びエッジリムーバ(ER)48間における基板Gの搬送はサブアーム41、42により行われるようになっている。
【0041】
次に本発明の一実施形態に係るエッジリムーバ(ER)48について説明する。
図6はエッジリムーバ(ER)48の要部の斜視図、図7はエッジリムーバ(ER)48の正面断面図、図8はエッジリムーバ(ER)48の平面図である。
【0042】
エッジリムーバ(ER)48の中央には、基板Gの周縁部に沿うように額縁状に設けられた101及びこの保持プレート101により保持される基板Gの領域よりも内側の領域に設けられた複数の保持ピン102が配置されている。保持プレート101は支柱103により固定され、複数の保持ピン102は基台104上に植設され、この基台104は支柱105により昇降可能に保持されている。保持プレート101の上面は、一面平坦であり、保持プレート101の基板保持面には、額縁状のラインに沿って基板Gを吸着するための吸着孔106が複数設けられている。したがって、保持プレート101の上面で基板Gを吸着することにより、基板Gのレジストを除去する領域より内側の枠状領域内を連続して保持プレート101の上面にならわせた状態で支持可能である。基板Gの周縁のレジスト除去する際には、保持プレート101及び保持ピン102が基板Gを保持し、且つ、吸着孔106により基板Gを吸着するようになっている。
【0043】
保持プレート101及び保持ピン102により保持された基板Gの対向する2箇所の角部107に近接すように、基板Gとの当接面が当該角部に沿った形状を有するL字状の基板位置決部材108が設けられている。基板位置決部材108は昇降用シリンダ(図示せず)により昇降可能とされ、進退用シリンダ(図示せず)により進退可能とされている。基板位置決部材108は下降することで後述するノズルとの干渉を避け、上昇することで基板Gの角部107と対向するようになっている。基板位置決部材108は基板Gの角部107と対向した状態で当該角部に向けて前進して基板Gの角部107と当接し、基板Gの位置決めが行われるようになっている。
【0044】
支柱105の下端は、装置フレーム109に固定された軸受110を貫通しており、この軸受110内を支柱105が摺動することにより、基台104は支柱105と共に昇降する。但し、支柱105は装置フレーム109に固定されたシリンダ111のピストンロッド112に接続部材113によって結合されており、また、軸受110およびシリンダ111を覆うカバー114がピストンロッド112に結合されている。従って、シリンダ111が伸縮稼働することによってカバー114と共に基台104が昇降動作する。
【0045】
基台104に載置された基板Gの下方には、後述するように基板Gの周縁のレジストを除去する際に使用した溶剤やレジストなどが落下したときにそれら溶剤やレジストを受け取るためのドレインパン115が配置されている。図示のドレインパン115は、先に説明した軸受110やシリンダ111などといった基台104の駆動部分の周囲を囲むように配置されている。このドレインパン115の底面116には、ドレインパン115に溜まった溶剤を排液するためのドレイン管117とエッジリムーバ(ER)48内の雰囲気を排気するための排気管118が接続されている。排気管118の上端は、ドレインパン115の底面よりも若干高い位置に開口して設けられている。ドレイン管117および排気管118には図示していない排液系統および排気系統にそれぞれ接続される。排液系統は蓄液タンクを備え、ドレインパン115に溜まった溶液を蓄液タンクに導く。排液系統はポンプ等の吸気装置を備えており、その稼働によってエッジリムーバ(ER)48内の雰囲気を工場排気系統を介して排気する。
【0046】
ドレインパン115の内周壁119は外周壁120よりも高く形成されており、先述のカバー体114には、この内周壁119の周囲を覆うようにして環状のカバー壁121が形成されている。このようにドレインパン115の内周壁119をカバー体114のカバー壁121で常時覆うことにより、基台104の自由な昇降移動を妨げることなく、軸受110、シリンダ111などといった基台104の駆動部分が溶剤やレジストで汚染されることを防いでいる。
【0047】
また、保持プレート101及び保持ピン102に保持された基板Gと排気管118の間に、二枚の拡散板122、123が上下に配置されている。これら拡散板122、123は何れもパンチングメタルで構成されており、拡散板122、123には、多数の通気孔(図示を省略)がそれぞれ穿設されている。
【0048】
更に、ドレインパン115に落下したシンナ等の洗浄剤がガス化してエッジリムーバ(ER)48の外部へ漏れることを防ぐためにドレインパン115を囲むように側壁部材124が設けらている。
【0049】
保持プレート101及び保持ピン102により保持された基板Gの周囲には、長方形をなす基板Gの四辺のそれぞれに沿って移動するノズル125、126、127、128が配置されている。例えば、ノズル125、127を基板Gの短辺L1、L3に沿ってそれぞれ移動するように対向して配置し、ノズル126、128を基板Gの長辺L2、L4に沿ってそれぞれ移動するように対向して配置している。これらノズル125、126、127、128は、L字型をなす移動部材133、134、135、136の先端にそれぞれ取り付けられている。基板Gの周囲を囲むようにしてガイドレール129、130、131、132が配置されており、これらガイドレール129、130、131、132は、装置フレーム109に固定された支持部材137、138、139、140、141、142、143、144によってそれぞれ支持されている。移動部材133、134、135、136の基端側をこれらガイドレール129、130、131、132のそれぞれに摺動自在に装着することにより、ノズル125、126、127、128が基板Gの四辺L1、L2、L3、L4のそれぞれに沿って移動できるように構成されている。
【0050】
基板Gの短辺L1、L3に沿って移動するノズル125、127について説明すると、支持部材138の外側にモータ145が取り付けてあり、その駆動軸146が支持部材145と対向して配置されている支持部材141にまで延長されている。また、この駆動軸146には、支持部材145の内側近傍に駆動プーリ147が取り付けてあり、支持部材141の内側近傍に駆動プーリ148が取り付けてある。一方、支持部材137の内側近傍には従動プーリ149が取り付けてあり、同様に支持部材142の内側近傍にも従動プーリ150が取り付けてある。
【0051】
駆動プーリ147と従動プーリ149には無端ベルト151が巻回してあり、駆動プーリ7148従動プーリ150には無端ベルト152が巻回してある。従って、モータ138の稼働によってこれら二本の無端ベルト151、152が同じ方向に走行される。
【0052】
また、ノズル125を支持している移動部材133がブラケット153を介して無端ベルト151の上側に接続されており、ノズル127を支持している移動部材135がブラケット154を介して無端ベルト152の下側に接続されている。このように、一方の移動部材133を無端ベルト151の上側に連動させ、他方の移動部材135を無端ベルト152の下側に連動させることによって、モータ138の稼働でノズル125、127が互いに反対の方向に平行移動される。
【0053】
以上は基板Gの短辺L1、L3に沿って移動するノズル125、127について説明したが、ノズル126、128も、ノズル125、127と全く同様の構成によって、基板Gの長辺L2、L4に沿って移動するようになっている。即ち、支持部材144の外側にモータ155が取り付けてあり、その駆動軸156が支持部材144と対向して配置されている支持部材139にまで延長されている。また、この駆動軸156には、支持部材144の内側近傍に駆動プーリ157が取り付けてあり、支持部材139の内側近傍に駆動プーリ158が取り付けてある。一方、支持部材143の内側近傍には従動プーリ159が取り付けてあり、同様に支持部材140の内側近傍にも従動プーリ160が取り付けられている。
【0054】
駆動プーリ157と従動プーリ159には無端ベルト161が巻回してあり、駆動プーリ158と従動プーリ160には無端ベルト162が巻回してある。先に説明したノズル125、127と全く同様にして、これらノズル126、128は、モータ155の稼働により、基板Gの長辺L2、L4に沿って互いに反対の方向に平行移動するように構成されている。
【0055】
なお、先述のように基台104の昇降によってエッジリムーバ(ER)48内に基板Gを搬入する際やエッジリムーバ(ER)48内から基板Gを搬出する際には、ノズル125、126、127、128は基板Gの周囲から離れた位置に退避しているので、基板Gの搬入・搬出がノズル125、126、127、128の存在によって妨げられる心配がない。
【0056】
ノズル125、126、127、128は何れも同様の構成を備えているので、代表して基板Gの短辺L1に沿って移動するノズル125の構成について説明する。ノズル125は、図9に示すように、基板Gの周縁の上下両面を覆う断面略L字状のノズル本体90を備えている。ノズル本体90には、基板Gの周縁近傍を覆うようにして隙間91が形成されており、上述のように基台104の上面に吸着保持された基板Gの周縁が非接触の状態でこの隙間91に嵌入される。また、この隙間91に嵌入した基板Gの周縁上面に向かってレジストの溶剤を吹きつけるための上吹き出し孔92と、基板Gの周縁下面に向かってレジストの溶剤を吹きつけるための下吹き出し孔93、94がそれぞれ設けられている。
【0057】
隙間91の上面には、全部で四箇所に上吹き出し孔92が設けられている。これら上吹き出し孔92は、基板Gの周縁近傍に沿って短辺L1と平行に配置されている。これら上吹き出し孔92には、ノズル本体90内部上方を通る通液孔95を介して溶剤が供給され、その溶剤が上吹き出し孔92から下方に噴出して基板Gの周縁上面に吹きつけられるようになっている。
【0058】
また、隙間91の下面には、二箇所の下吹き出し孔93と四箇所の下吹き出し孔94が設けられている。下吹き出し孔93は基板Gの周縁近傍に沿って短辺L1と平行に配置されている。一方、下吹き出し孔94は基板Gの周縁近傍から基板Gの内方に向かうように短辺L1と直交して配置されている。これら下吹き出し孔93と下吹き出し孔94には、ノズル本体90内部下方を通る通液孔96、97を介して溶剤がそれぞれ供給され、その溶剤がこれら下吹き出し孔93、94から上方に噴出して基板Gの周縁下面に吹きつけられるようになっている。
【0059】
更に、ノズル本体90のほぼ中央には、隙間91内における基板Gの周縁近傍の雰囲気を外側に吸引排気するための吸引孔98が設けられている。
【0060】
なお、代表して基板Gの短辺L1に沿って移動するノズル125の構成について説明したが、他のノズル126、127、128も、ノズル125と全く同様の構成を備えているので、他のノズル126、127、128については詳細な説明を省略する。
【0061】
図10は保持プレート101の基板保持面における吸着・気体噴出機構の構成を示す図である。
【0062】
保持プレート101に設けられた各吸着孔106は保持プレート101の内部に設けられた連結室201に接続されている。連結室201には三方弁202を介して真空ポンプ203及びN2ガスタンク204が接続されている。
【0063】
三方弁202は制御部205の制御の元に連結室201に対してN2ガスタンク204からN2ガスを圧送するか(図10(a))、真空ポンプ203により連結室201を真空吸引するかを切替える(図10(b))。なお、真空ポンプ203により連結室201を真空吸引して基板Gを保持プレート101の保持面に吸着させる際には徐々に吸引力を増すようにしてもよい。これにより、基板Gのたわみをより抑制しながら、前記の保持面に基板Gを吸着させることができる。この場合、例えば開放弁を流路上に設け、徐々に開放弁を閉じるような制御によって吸引力の制御が可能である。また、N2ガスを圧送する際にイオナイザーからの気体をN2ガスに混入させて基板Gに対してこれらのガスを噴出するようにしてもよい。これにより、基板Gを前記の保持面から剥離させる際に発生する静電気をその発生直後に基板Gから除去することができる。
【0064】
次に、このように構成されたエッジリムーバ(ER)48の動作を説明する。
【0065】
まず、サブアーム42により基板Gが保持プレート101及び保持ピン102により保持される位置の上にくると、保持ピン102が上昇して(その先端が保持プレート101の基板保持面よりも上にある状態で)基板Gが保持ピン102により保持される。この後、サブアーム42はこの位置から退避する。
【0066】
次に、保持ピン102が基板Gを保持した状態で下降して保持ピン102の先端が保持プレート101の保持面と同一の高さの位置となる。これより、基板Gは保持プレート及び保持ピン102の両方で保持される。そして、この状態で、基板位置決部材108により基板Gの位置決めが行われる。なお、この位置決めは、保持ピン102だけで基板を保持した状態で行ってもよい。これにより、基板Gとの間の擦動面積をできる限り小さくして位置合わせが可能であり、静電気の発生等を極力低減することができる。
【0067】
このような位置合わせの終了後、吸着孔106を介して真空ポンプ203により基板Gが保持プレート101の保持面に吸着される(図10(b)参照)。この状態で、ノズル125、126、127、128による基板Gの周縁のレジストの除去が行われる。
【0068】
このようなレジストの除去が終了すると、図10(a)に示したように、吸着孔106からN2ガスが噴出されると共に、保持ピン102が上昇する。その後、図示を省略したサブアームによって基板Gは次工程に搬出される。
【0069】
本実施形態では、基板Gを保持ピン102により保持しながら、基板Gの周縁部に沿うように保持プレート101により保持し、しかも保持プレート101による基板保持面で吸着孔106を介して基板Gを吸着しているので、基板Gの周縁付近に波打ち状のたわみが発生することはなくなる。そして、この状態で基板Gの周縁に除去液を噴出しているので、図11に示すように、残存するレジストRの端部が波打ち状になるという問題が解消する。
【0070】
なお、上述した実施形態では、保持ピン102を昇降させてサブアームとの間で基板Gの受け渡し保持ピン102によってを行うように構成したが、保持プレート101を昇降させてサブアームとの間の基板Gの受け渡しを保持プレート101によって行うように構成しても構わない。
【0071】
また、図12に示すように、保持ピン102は基板Gの製品領域A1を避けた非製品領域A2に対応する位置に設けるようにしてもよい。これにより、製品領域A1に転写不良が発生することを防止できる。
【0072】
また、基板Gを保持ピン102で保持するのではなく、保持プレート101のみで吸着保持した状態でレジスト除去処理を行っても良い。
【0073】
更に、上述した実施形態では、LCD用のガラス基板に本発明を適用した例を説明したが、本発明は半導体ウエハ等の他の基板に対しても適用できる。
【0074】
本発明に係る基板保持装置は、エッジリムーバばかりなく他の基板処理装置にも適用することができる。
【0075】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板の周縁付近に波打ち状のたわみが発生することがなくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係るLCD基板の塗布現像処理システムを示す平面図である。
【図2】図1に示した塗布現像処理システムの平面図である。
【図3】図1に示した塗布現像処理システムの背面図である。
【図4】図1に示した塗布現像処理システムにおけるレジスト処理ブロックを示す概略平面図である。
【図5】図4に示したレジスト処理ブロックの概略側面図である。
【図6】図4に示したエッジリムーバ(ER)の要部の斜視図である。
【図7】図6に示したエッジリムーバ(ER)の正面断面図である。
【図8】図6に示したエッジリムーバ(ER)の平面図である。
【図9】図6に示したノズルの断面図である。
【図10】図6に示した保持プレートの基板保持面における吸着・気体噴出機構の構成を示す図である。
【図11】本発明に係る効果を説明するための図である。
【図12】本発明の他の実施形態を説明するための図である。
【符号の説明】
42 サブアーム
48 エッジリムーバ(ER)
101 保持プレート
102 保持ピン
106 吸着孔
108 基板位置決部材
203 真空ポンプ
204 N2ガスタンク
125、126、127、128 ノズル
G ガラス基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばLCD(Liquid Crystal Display:LCD)等に用いられるガラス基板に形成されたレジスト膜のうちその周縁部に形成されたレジスト膜を除去する基板処理装置及び例えばそのような基板処理装置に用いられる基板保持装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
LCDや半導体などの製造においては、基板であるガラス基板や半導体ウェハの上面にレジスト膜パターンを形成させるために、いわゆるリソグラフィ処理が行われる。このリソグラフィ処理は、基板の洗浄、基板の乾燥、基板の表面へのレジストの塗布、感光膜の露光、現像など、種々の処理工程を含んでいる。例えば、基板を洗浄した後、疎水化処理を施し、更に冷却した後、フォトレジストとしてのレジストを塗布して基板の表面に感光膜を塗布形成する。加熱してべーキング処理を施した後、露光装置にて感光膜に所定のパターンを露光する。露光後の基板の表面に現像液を塗布して現像した後にリンス液により現像液を洗い流し、現像処理を完了する。
【0003】
以上のようなリソグラフィ処理において、レジストを塗布する工程は、スキャン塗布法やスピンコーティング法、スプレー法等が採用されている。これらの方法によってレジストを塗布した場合、塗布直後における膜厚は均一であるが、時間が経つに従い、表面張力の影響で基板周縁部でレジストが盛り上がるように厚くなってしまう。このように基板の周縁部に形成された不均一な厚い膜や裏面に付着したレジストは、その後の基板の搬送過程などにおいて、パーティクル発生の原因となる。また、基板を搬送する機器を汚す原因にもなる。
【0004】
そこで従来より、基板の表面にレジストを塗布した後、基板の周縁部や裏面に付着した不要なレジストを除去する処理が行われている。この除去処理は、基板の周縁に沿ってノズルを移動させ、そのノズルからレジストの溶剤を供給すると同時に、溶剤の供給によって溶解したレジストを吸引除去することにより行われている(例えば、特許文献1参照。)。
【0005】
【特許文献1】
特開平11−16831号公報(図3等)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
このようなレジストを除去する装置では、基板の中央付近を多数の保持ピンで保持したり、或いは上記特許文献1のように複数の板状の部材で基板の中央付近を保持することが行われている。基板の裏面の周縁を除く領域を保持板によって保持する構成とすると、基板に静電気が付着したり、基板の温度が面内でばらつきが生じるからである。
【0007】
しかしながら、基板を上記のように保持して基板の周縁のレジスト除去したとき、基板の周縁付近は波打ち状にたわんでいることから、残存するレジストの端部が直線ではなく波打ち状になる、という問題がある。
【0008】
本発明は、このような事情に基づきなされたもので、基板の周縁付近に波打ち状のたわみが発生することがない基板保持装置及び基板処理装置を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため、本発明の主たる観点に係る基板保持装置は、基板の周縁部に沿うように額縁状に設けられ、保持した基板を吸着するための孔が保持面に沿って設けられた保持プレートと、前記保持プレートにより保持される基板の領域よりも内側の領域に設けられ、前記基板を保持する保持ピンと、前記吸着孔を介して前記保持プレートにより保持された基板を吸着する吸着機構とを具備することを特徴とするものである。
【0010】
本発明では、基板を保持ピンにより保持しながら、基板の周縁部に沿うように保持プレートにより保持し、しかも保持プレートによる基板保持面で基板を吸着しているので、基板の周縁付近に波打ち状のたわみが発生することはなくなる。
【0011】
本発明の別の観点に係る基板処理装置は、基板の周縁部に沿うように額縁状に設けられ、保持した基板を吸着するための孔が保持面に沿って設けられた保持プレートと、前記保持プレートにより保持される基板の領域よりも内側の領域に設けられ、前記基板を保持する保持ピンと、前記吸着孔を介して前記保持プレートにより保持された基板を吸着する吸着機構と、前記保持ピン及び前記保持プレートにより保持された基板の周縁部に除去液を噴出して周縁部上の塗布膜を除去する除去機構とを具備することを特徴とするものである。
【0012】
本発明では、基板を保持ピンにより保持しながら、基板の周縁部に沿うように保持プレートにより保持し、しかも保持プレートによる基板保持面で基板を吸着しているので、基板の周縁付近に波打ち状のたわみが発生することはなくなる。そして、この状態で基板の周縁に除去液を噴出しているので、残存するレジストの端部が波打ち状になるという問題が解消する。
【0013】
本発明では、前記基板の裏面周縁部を保持して前記保持ピン及び前記保持プレート側に当該基板を搬送する搬送機構と、前記保持ピンを昇降させる昇降機構と、前記保持ピンの先端を前記保持プレートの保持面より上の位置に位置させて前記搬送機構から基板を受け取るように前記昇降機構を制御する手段とを具備してもよい。保持ピンだけで搬送機構から基板を受け取っているので、基板のスムーズな受け取りが可能となる。また、基板の受け渡し時に保持プレートと搬送機構との間の干渉がないので、搬送機構による基板の保持領域を拡大でき、基板を確実に搬送することが可能となる。
【0014】
本発明では、前記基板の裏面周縁部を保持して前記保持ピン及び前記保持プレート側に当該基板を搬送する搬送機構と、前記保持プレートを昇降させる昇降機構と、前記保持ピンの先端を前記保持プレートの保持面よりも下の位置に位置させて前記搬送機構から基板を受け取るように前記昇降機構を制御する手段とを具備してもよい。製品領域から離すことできる保持プレートだけで搬送機構から基板を受け取っているので、受け渡し時の製品領域における転写の問題をできる限り低減することができる。
【0015】
本発明では、前記保持プレートの保持面から基板を引き離すときに前記吸着孔から不活性噴出させる噴出機構を更に具備するようにしてもよい。これにより、基板をスムーズに且つ塗布膜に悪影響を与えることなく保持プレートの保持面から引き離すことが可能となる。
【0016】
本発明では、前記保持ピンを前記基板の製品領域を避けるように設けてもよい。これにより、転写の問題を回避できる。この場合、保持プレートも製品領域を避けるようにすればより好ましい。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【0018】
図1は本発明の一実施形態に係るLCD基板の塗布現像処理システムを示す平面図であり、図2はその正面図、また図3はその背面図である。
【0019】
この塗布現像処理システム1は、複数のガラス基板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーション2と、基板Gにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部3と、露光装置32との間で基板Gの受け渡しを行うためのインターフェース部4とを備えており、処理部3の両端にそれぞれカセットステーション2及びインターフェース部4が配置されている。
【0020】
カセットステーション2は、カセットCと処理部3との間でガラス基板Gの搬送を行うための搬送機構10を備えている。そして、カセットステーション2においてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機構10はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路12上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送アーム11によりカセットCと処理部3との間で基板Gの搬送が行われる。
【0021】
処理部3には、カセットステーション2におけるカセットCの配列方向(Y方向)と直交する直交方向(X方向)に延設された主搬送部3aと、この主搬送部3aに沿って、レジスト塗布処理ユニット(CT)を含む各処理ユニットが並設された上流部3b及び現像処理ユニット(DEV)18を含む各処理ユニットが並設された下流部3cとが設けられている。
【0022】
主搬送部3aには、X方向に延設された搬送路31と、この搬送路31に沿って移動可能に構成されガラス基板GをX方向に搬送する搬送シャトル23とが設けられている。この搬送シャトル23は、例えば支持ピンにより基板Gを保持して搬送するようになっている。また、主搬送部3aのインターフェース部4側端部には、処理部3とインターフェース部4との間で基板Gの受け渡しを行う垂直搬送ユニット7が設けられている。
【0023】
上流部3bにおいて、カセットステーション2側端部には、基板Gに洗浄処理を施すスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)20が設けられ、このスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)20の上段に基板G上の有機物を除去するためのエキシマUV処理ユニット(e−UV)19が配設されている。
【0024】
スクラバ洗浄処理ユニット(SCR)20の隣には、ガラス基板Gに対して熱的処理を行うユニットが多段に積み上げられた熱処理系ブロック24及び25が配置されている。これら熱処理系ブロック24と25との間には、垂直搬送ユニット5が配置され、搬送アーム5aがZ方向及び水平方向に移動可能とされ、かつθ方向に回動可能とされているので、両ブロック24及び25における各熱処理系ユニットにアクセスして基板Gの搬送が行われるようになっている。なお、上記処理部3における垂直搬送ユニット7についてもこの垂直搬送ユニット5と同一の構成を有している。
【0025】
図2に示すように、熱処理系ブロック24には、基板Gにレジスト塗布前の加熱処理を施すベーキングユニット(BAKE)が2段、HMDSガスにより疎水化処理を施すアドヒージョンユニット(AD)が下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック25には、基板Gに冷却処理を施すクーリングユニット(COL)が2段、アドヒージョンユニット(AD)が下から順に積層されている。
【0026】
熱処理系ブロック25に隣接してレジスト処理ブロック15がX方向に延設されている。このレジスト処理ブロック15は、基板Gにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット(CT)49と、減圧により前記塗布されたレジストを乾燥させる減圧乾燥ユニット(VD)40と、本発明に係る基板Gの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバ(ER)48とが一体的に設けられて構成されている。このレジスト処理ブロック15には、レジスト塗布処理ユニット(CT)49からエッジリムーバ(ER)48にかけて移動するサブアーム(後述する。)が設けられており、このサブアームによりレジスト処理ブロック15内で基板Gが搬送されるようになっている。
【0027】
レジスト処理ブロック15に隣接して多段構成の熱処理系ブロック26が配設されており、この熱処理系ブロック26には、基板Gにレジスト塗布後の加熱処理を行うプリベーキングユニット(PREBAKE)が3段積層されている。
【0028】
下流部3cにおいては、図3に示すように、インターフェース部4側端部には、熱処理系ブロック29が設けられており、これには、クーリングユニット(COL)、露光後現像処理前の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキングユニット(PEBAKE)が2段、下から順に積層されている。
【0029】
熱処理系ブロック29に隣接して現像処理を行う現像処理ユニット(DEV)18がX方向に延設されている。この現像処理ユニット(DEV)18の隣には熱処理系ブロック28及び27が配置され、これら熱処理系ブロック28と27との間には、上記垂直搬送ユニット5と同一の構成を有し、両ブロック28及び27における各熱処理系ユニットにアクセス可能な垂直搬送ユニット6が設けられている。また、現像処理ユニット(DEV)18端部の上には、i線処理ユニット(i―UV)33が設けられている。
【0030】
熱処理系ブロック28には、クーリングユニット(COL)、基板Gに現像後の加熱処理を行うポストベーキングユニット(POBAKE)が2段、下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック27も同様に、クーリングユニット(COL)、ポストベーキングユニット(POBAKE)が2段、下から順に積層されている。
【0031】
インターフェース部4には、正面側にタイトラー及び周辺露光ユニット(Titler/EE)22が設けられ、垂直搬送ユニット7に隣接してエクステンションクーリングユニット(EXTCOL)35が、また背面側にはバッファカセット34が配置されており、これらタイトラー及び周辺露光ユニット(Titler/EE)22とエクステンションクーリングユニット(EXTCOL)35とバッファカセット34と隣接した露光装置32との間で基板Gの受け渡しを行う垂直搬送ユニット8が配置されている。この垂直搬送ユニット8も上記垂直搬送ユニット5と同一の構成を有している。
【0032】
以上のように構成された塗布現像処理システム1の処理工程については、先ずカセットC内の基板Gが処理部3部における上流部3bに搬送される。上流部3bでは、エキシマUV処理ユニット(e−UV)19において表面改質・有機物除去処理が行われ、次にスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)20において、基板Gが略水平に搬送されながら洗浄処理及び乾燥処理が行われる。続いて熱処理系ブロック24の最下段部で垂直搬送ユニットにおける搬送アーム5aにより基板Gが取り出され、同熱処理系ブロック24のベーキングユニット(BAKE)にて加熱処理、アドヒージョンユニット(AD)にて、ガラス基板Gとレジスト膜との密着性を高めるため、基板GにHMDSガスを噴霧する処理が行われる。この後、熱処理系ブロック25のクーリングユニット(COL)による冷却処理が行われる。
【0033】
次に、基板Gは搬送アーム5aから搬送シャトル23に受け渡される。そしてレジスト塗布処理ユニット(CT)に搬送され、レジストの塗布処理が行われた後、減圧乾燥処理ユニット(VD)にて減圧乾燥処理、エッジリムーバ(ER)48にて基板周縁のレジスト除去処理が順次行われる。
【0034】
次に、基板Gは搬送シャトル23から垂直搬送ユニット7の搬送アームに受け渡され、熱処理系ブロック26におけるプリベーキングユニット(PREBAKE)にて加熱処理が行われた後、熱処理系ブロック29におけるクーリングユニット(COL)にて冷却処理が行われる。続いて基板Gはエクステンションクーリングユニット(EXTCOL)35にて冷却処理されるとともに露光装置にて露光処理される。
【0035】
次に、基板Gは垂直搬送ユニット8及び7の搬送アームを介して熱処理系ブロック29のポストエクスポージャーベーキングユニット(PEBAKE)に搬送され、ここで加熱処理が行われた後、クーリングユニット(COL)にて冷却処理が行われる。そして基板Gは垂直搬送ユニット7の搬送アームを介して、現像処理ユニット(DEV)18において基板Gは略水平に搬送されながら現像処理、リンス処理及び乾燥処理が行われる。
【0036】
次に、基板Gは熱処理系ブロック28における最下段から垂直搬送ユニット6の搬送アーム6aにより受け渡され、熱処理系ブロック28又は27におけるポストベーキングユニット(POBAKE)にて加熱処理が行われ、クーリングユニット(COL)にて冷却処理が行われる。そして基板Gは搬送機構10に受け渡されカセットCに収容される。
【0037】
図4及び図5は、レジスト処理ブロック15を示す概略平面図及び概略側面図である。これらレジスト塗布ユニット(CT)49、減圧乾燥ユニット(VD)40、及びエッジリムーバ(ER)48は、図示するように同一のステージに一体的に並列されている。
【0038】
減圧乾燥ユニット(VD)40は、下部チャンバ61と、その上を覆うように設けられ、その内部の処理空間を気密に維持する上部チャンバ62とを有している。下部チャンバ61には、基板Gを載置するためのステージ63が設けられ、下部チャンバ61の各コーナー部には、4個の排気口64が設けられ、この排気口64に連通された排気管65がターボ分子排気ポンプ等の排気ポンプ(図示略)に接続されている。そして、下部チャンバ61と上部チャンバ62とが密着した状態でその中の処理空間を排気することにより、所定の真空度に減圧されるように構成されている。
【0039】
また、レジスト塗布ユニット(CT)49のほぼ中央には、有底円筒状のカップ71が配置され、カップ71内にはガラス基板Gを固定保持するための保持部材である基板吸着テーブル58が配置されている。
【0040】
これらレジスト塗布ユニット(CT)49、減圧乾燥ユニット(VD)40、及びエッジリムーバ(ER)48間における基板Gの搬送はサブアーム41、42により行われるようになっている。
【0041】
次に本発明の一実施形態に係るエッジリムーバ(ER)48について説明する。
図6はエッジリムーバ(ER)48の要部の斜視図、図7はエッジリムーバ(ER)48の正面断面図、図8はエッジリムーバ(ER)48の平面図である。
【0042】
エッジリムーバ(ER)48の中央には、基板Gの周縁部に沿うように額縁状に設けられた101及びこの保持プレート101により保持される基板Gの領域よりも内側の領域に設けられた複数の保持ピン102が配置されている。保持プレート101は支柱103により固定され、複数の保持ピン102は基台104上に植設され、この基台104は支柱105により昇降可能に保持されている。保持プレート101の上面は、一面平坦であり、保持プレート101の基板保持面には、額縁状のラインに沿って基板Gを吸着するための吸着孔106が複数設けられている。したがって、保持プレート101の上面で基板Gを吸着することにより、基板Gのレジストを除去する領域より内側の枠状領域内を連続して保持プレート101の上面にならわせた状態で支持可能である。基板Gの周縁のレジスト除去する際には、保持プレート101及び保持ピン102が基板Gを保持し、且つ、吸着孔106により基板Gを吸着するようになっている。
【0043】
保持プレート101及び保持ピン102により保持された基板Gの対向する2箇所の角部107に近接すように、基板Gとの当接面が当該角部に沿った形状を有するL字状の基板位置決部材108が設けられている。基板位置決部材108は昇降用シリンダ(図示せず)により昇降可能とされ、進退用シリンダ(図示せず)により進退可能とされている。基板位置決部材108は下降することで後述するノズルとの干渉を避け、上昇することで基板Gの角部107と対向するようになっている。基板位置決部材108は基板Gの角部107と対向した状態で当該角部に向けて前進して基板Gの角部107と当接し、基板Gの位置決めが行われるようになっている。
【0044】
支柱105の下端は、装置フレーム109に固定された軸受110を貫通しており、この軸受110内を支柱105が摺動することにより、基台104は支柱105と共に昇降する。但し、支柱105は装置フレーム109に固定されたシリンダ111のピストンロッド112に接続部材113によって結合されており、また、軸受110およびシリンダ111を覆うカバー114がピストンロッド112に結合されている。従って、シリンダ111が伸縮稼働することによってカバー114と共に基台104が昇降動作する。
【0045】
基台104に載置された基板Gの下方には、後述するように基板Gの周縁のレジストを除去する際に使用した溶剤やレジストなどが落下したときにそれら溶剤やレジストを受け取るためのドレインパン115が配置されている。図示のドレインパン115は、先に説明した軸受110やシリンダ111などといった基台104の駆動部分の周囲を囲むように配置されている。このドレインパン115の底面116には、ドレインパン115に溜まった溶剤を排液するためのドレイン管117とエッジリムーバ(ER)48内の雰囲気を排気するための排気管118が接続されている。排気管118の上端は、ドレインパン115の底面よりも若干高い位置に開口して設けられている。ドレイン管117および排気管118には図示していない排液系統および排気系統にそれぞれ接続される。排液系統は蓄液タンクを備え、ドレインパン115に溜まった溶液を蓄液タンクに導く。排液系統はポンプ等の吸気装置を備えており、その稼働によってエッジリムーバ(ER)48内の雰囲気を工場排気系統を介して排気する。
【0046】
ドレインパン115の内周壁119は外周壁120よりも高く形成されており、先述のカバー体114には、この内周壁119の周囲を覆うようにして環状のカバー壁121が形成されている。このようにドレインパン115の内周壁119をカバー体114のカバー壁121で常時覆うことにより、基台104の自由な昇降移動を妨げることなく、軸受110、シリンダ111などといった基台104の駆動部分が溶剤やレジストで汚染されることを防いでいる。
【0047】
また、保持プレート101及び保持ピン102に保持された基板Gと排気管118の間に、二枚の拡散板122、123が上下に配置されている。これら拡散板122、123は何れもパンチングメタルで構成されており、拡散板122、123には、多数の通気孔(図示を省略)がそれぞれ穿設されている。
【0048】
更に、ドレインパン115に落下したシンナ等の洗浄剤がガス化してエッジリムーバ(ER)48の外部へ漏れることを防ぐためにドレインパン115を囲むように側壁部材124が設けらている。
【0049】
保持プレート101及び保持ピン102により保持された基板Gの周囲には、長方形をなす基板Gの四辺のそれぞれに沿って移動するノズル125、126、127、128が配置されている。例えば、ノズル125、127を基板Gの短辺L1、L3に沿ってそれぞれ移動するように対向して配置し、ノズル126、128を基板Gの長辺L2、L4に沿ってそれぞれ移動するように対向して配置している。これらノズル125、126、127、128は、L字型をなす移動部材133、134、135、136の先端にそれぞれ取り付けられている。基板Gの周囲を囲むようにしてガイドレール129、130、131、132が配置されており、これらガイドレール129、130、131、132は、装置フレーム109に固定された支持部材137、138、139、140、141、142、143、144によってそれぞれ支持されている。移動部材133、134、135、136の基端側をこれらガイドレール129、130、131、132のそれぞれに摺動自在に装着することにより、ノズル125、126、127、128が基板Gの四辺L1、L2、L3、L4のそれぞれに沿って移動できるように構成されている。
【0050】
基板Gの短辺L1、L3に沿って移動するノズル125、127について説明すると、支持部材138の外側にモータ145が取り付けてあり、その駆動軸146が支持部材145と対向して配置されている支持部材141にまで延長されている。また、この駆動軸146には、支持部材145の内側近傍に駆動プーリ147が取り付けてあり、支持部材141の内側近傍に駆動プーリ148が取り付けてある。一方、支持部材137の内側近傍には従動プーリ149が取り付けてあり、同様に支持部材142の内側近傍にも従動プーリ150が取り付けてある。
【0051】
駆動プーリ147と従動プーリ149には無端ベルト151が巻回してあり、駆動プーリ7148従動プーリ150には無端ベルト152が巻回してある。従って、モータ138の稼働によってこれら二本の無端ベルト151、152が同じ方向に走行される。
【0052】
また、ノズル125を支持している移動部材133がブラケット153を介して無端ベルト151の上側に接続されており、ノズル127を支持している移動部材135がブラケット154を介して無端ベルト152の下側に接続されている。このように、一方の移動部材133を無端ベルト151の上側に連動させ、他方の移動部材135を無端ベルト152の下側に連動させることによって、モータ138の稼働でノズル125、127が互いに反対の方向に平行移動される。
【0053】
以上は基板Gの短辺L1、L3に沿って移動するノズル125、127について説明したが、ノズル126、128も、ノズル125、127と全く同様の構成によって、基板Gの長辺L2、L4に沿って移動するようになっている。即ち、支持部材144の外側にモータ155が取り付けてあり、その駆動軸156が支持部材144と対向して配置されている支持部材139にまで延長されている。また、この駆動軸156には、支持部材144の内側近傍に駆動プーリ157が取り付けてあり、支持部材139の内側近傍に駆動プーリ158が取り付けてある。一方、支持部材143の内側近傍には従動プーリ159が取り付けてあり、同様に支持部材140の内側近傍にも従動プーリ160が取り付けられている。
【0054】
駆動プーリ157と従動プーリ159には無端ベルト161が巻回してあり、駆動プーリ158と従動プーリ160には無端ベルト162が巻回してある。先に説明したノズル125、127と全く同様にして、これらノズル126、128は、モータ155の稼働により、基板Gの長辺L2、L4に沿って互いに反対の方向に平行移動するように構成されている。
【0055】
なお、先述のように基台104の昇降によってエッジリムーバ(ER)48内に基板Gを搬入する際やエッジリムーバ(ER)48内から基板Gを搬出する際には、ノズル125、126、127、128は基板Gの周囲から離れた位置に退避しているので、基板Gの搬入・搬出がノズル125、126、127、128の存在によって妨げられる心配がない。
【0056】
ノズル125、126、127、128は何れも同様の構成を備えているので、代表して基板Gの短辺L1に沿って移動するノズル125の構成について説明する。ノズル125は、図9に示すように、基板Gの周縁の上下両面を覆う断面略L字状のノズル本体90を備えている。ノズル本体90には、基板Gの周縁近傍を覆うようにして隙間91が形成されており、上述のように基台104の上面に吸着保持された基板Gの周縁が非接触の状態でこの隙間91に嵌入される。また、この隙間91に嵌入した基板Gの周縁上面に向かってレジストの溶剤を吹きつけるための上吹き出し孔92と、基板Gの周縁下面に向かってレジストの溶剤を吹きつけるための下吹き出し孔93、94がそれぞれ設けられている。
【0057】
隙間91の上面には、全部で四箇所に上吹き出し孔92が設けられている。これら上吹き出し孔92は、基板Gの周縁近傍に沿って短辺L1と平行に配置されている。これら上吹き出し孔92には、ノズル本体90内部上方を通る通液孔95を介して溶剤が供給され、その溶剤が上吹き出し孔92から下方に噴出して基板Gの周縁上面に吹きつけられるようになっている。
【0058】
また、隙間91の下面には、二箇所の下吹き出し孔93と四箇所の下吹き出し孔94が設けられている。下吹き出し孔93は基板Gの周縁近傍に沿って短辺L1と平行に配置されている。一方、下吹き出し孔94は基板Gの周縁近傍から基板Gの内方に向かうように短辺L1と直交して配置されている。これら下吹き出し孔93と下吹き出し孔94には、ノズル本体90内部下方を通る通液孔96、97を介して溶剤がそれぞれ供給され、その溶剤がこれら下吹き出し孔93、94から上方に噴出して基板Gの周縁下面に吹きつけられるようになっている。
【0059】
更に、ノズル本体90のほぼ中央には、隙間91内における基板Gの周縁近傍の雰囲気を外側に吸引排気するための吸引孔98が設けられている。
【0060】
なお、代表して基板Gの短辺L1に沿って移動するノズル125の構成について説明したが、他のノズル126、127、128も、ノズル125と全く同様の構成を備えているので、他のノズル126、127、128については詳細な説明を省略する。
【0061】
図10は保持プレート101の基板保持面における吸着・気体噴出機構の構成を示す図である。
【0062】
保持プレート101に設けられた各吸着孔106は保持プレート101の内部に設けられた連結室201に接続されている。連結室201には三方弁202を介して真空ポンプ203及びN2ガスタンク204が接続されている。
【0063】
三方弁202は制御部205の制御の元に連結室201に対してN2ガスタンク204からN2ガスを圧送するか(図10(a))、真空ポンプ203により連結室201を真空吸引するかを切替える(図10(b))。なお、真空ポンプ203により連結室201を真空吸引して基板Gを保持プレート101の保持面に吸着させる際には徐々に吸引力を増すようにしてもよい。これにより、基板Gのたわみをより抑制しながら、前記の保持面に基板Gを吸着させることができる。この場合、例えば開放弁を流路上に設け、徐々に開放弁を閉じるような制御によって吸引力の制御が可能である。また、N2ガスを圧送する際にイオナイザーからの気体をN2ガスに混入させて基板Gに対してこれらのガスを噴出するようにしてもよい。これにより、基板Gを前記の保持面から剥離させる際に発生する静電気をその発生直後に基板Gから除去することができる。
【0064】
次に、このように構成されたエッジリムーバ(ER)48の動作を説明する。
【0065】
まず、サブアーム42により基板Gが保持プレート101及び保持ピン102により保持される位置の上にくると、保持ピン102が上昇して(その先端が保持プレート101の基板保持面よりも上にある状態で)基板Gが保持ピン102により保持される。この後、サブアーム42はこの位置から退避する。
【0066】
次に、保持ピン102が基板Gを保持した状態で下降して保持ピン102の先端が保持プレート101の保持面と同一の高さの位置となる。これより、基板Gは保持プレート及び保持ピン102の両方で保持される。そして、この状態で、基板位置決部材108により基板Gの位置決めが行われる。なお、この位置決めは、保持ピン102だけで基板を保持した状態で行ってもよい。これにより、基板Gとの間の擦動面積をできる限り小さくして位置合わせが可能であり、静電気の発生等を極力低減することができる。
【0067】
このような位置合わせの終了後、吸着孔106を介して真空ポンプ203により基板Gが保持プレート101の保持面に吸着される(図10(b)参照)。この状態で、ノズル125、126、127、128による基板Gの周縁のレジストの除去が行われる。
【0068】
このようなレジストの除去が終了すると、図10(a)に示したように、吸着孔106からN2ガスが噴出されると共に、保持ピン102が上昇する。その後、図示を省略したサブアームによって基板Gは次工程に搬出される。
【0069】
本実施形態では、基板Gを保持ピン102により保持しながら、基板Gの周縁部に沿うように保持プレート101により保持し、しかも保持プレート101による基板保持面で吸着孔106を介して基板Gを吸着しているので、基板Gの周縁付近に波打ち状のたわみが発生することはなくなる。そして、この状態で基板Gの周縁に除去液を噴出しているので、図11に示すように、残存するレジストRの端部が波打ち状になるという問題が解消する。
【0070】
なお、上述した実施形態では、保持ピン102を昇降させてサブアームとの間で基板Gの受け渡し保持ピン102によってを行うように構成したが、保持プレート101を昇降させてサブアームとの間の基板Gの受け渡しを保持プレート101によって行うように構成しても構わない。
【0071】
また、図12に示すように、保持ピン102は基板Gの製品領域A1を避けた非製品領域A2に対応する位置に設けるようにしてもよい。これにより、製品領域A1に転写不良が発生することを防止できる。
【0072】
また、基板Gを保持ピン102で保持するのではなく、保持プレート101のみで吸着保持した状態でレジスト除去処理を行っても良い。
【0073】
更に、上述した実施形態では、LCD用のガラス基板に本発明を適用した例を説明したが、本発明は半導体ウエハ等の他の基板に対しても適用できる。
【0074】
本発明に係る基板保持装置は、エッジリムーバばかりなく他の基板処理装置にも適用することができる。
【0075】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板の周縁付近に波打ち状のたわみが発生することがなくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係るLCD基板の塗布現像処理システムを示す平面図である。
【図2】図1に示した塗布現像処理システムの平面図である。
【図3】図1に示した塗布現像処理システムの背面図である。
【図4】図1に示した塗布現像処理システムにおけるレジスト処理ブロックを示す概略平面図である。
【図5】図4に示したレジスト処理ブロックの概略側面図である。
【図6】図4に示したエッジリムーバ(ER)の要部の斜視図である。
【図7】図6に示したエッジリムーバ(ER)の正面断面図である。
【図8】図6に示したエッジリムーバ(ER)の平面図である。
【図9】図6に示したノズルの断面図である。
【図10】図6に示した保持プレートの基板保持面における吸着・気体噴出機構の構成を示す図である。
【図11】本発明に係る効果を説明するための図である。
【図12】本発明の他の実施形態を説明するための図である。
【符号の説明】
42 サブアーム
48 エッジリムーバ(ER)
101 保持プレート
102 保持ピン
106 吸着孔
108 基板位置決部材
203 真空ポンプ
204 N2ガスタンク
125、126、127、128 ノズル
G ガラス基板
Claims (8)
- 基板の周縁部に沿うように額縁状に設けられ、保持した基板を吸着するための孔が保持面に沿って設けられた保持プレートと、
前記保持プレートにより保持される基板の領域よりも内側の領域に設けられ、前記基板を保持する保持ピンと、
前記吸着孔を介して前記保持プレートにより保持された基板を吸着する吸着機構と
を具備することを特徴とする基板保持装置。 - 請求項1に記載の基板保持装置であって、
前記保持ピンを昇降させる昇降機構と、
前記保持ピンの先端を前記保持プレートの保持面より上の位置に位置させて保持ピンにより基板を受け取るように前記昇降機構を制御する手段と
を具備することを特徴とする基板保持装置。 - 請求項1に記載の基板保持装置であって、
前記保持プレートを昇降させる昇降機構と、
前記保持ピンの先端を前記保持プレートの保持面よりも下の位置に位置させて保持プレートにより基板を受け取るように前記昇降機構を制御する手段と
を具備することを特徴とする基板保持装置。 - 基板の周縁部に沿うように額縁状に設けられ、保持した基板を吸着するための孔が保持面に沿って設けられた保持プレートと、
前記保持プレートにより保持される基板の領域よりも内側の領域に設けられ、前記基板を保持する保持ピンと、
前記吸着孔を介して前記保持プレートにより保持された基板を吸着する吸着機構と、
前記保持ピン及び前記保持プレートにより保持された基板の周縁部に除去液を噴出して周縁部上の塗布膜を除去する除去機構と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記基板の裏面周縁部を保持して前記保持ピン及び前記保持プレート側に当該基板を搬送する搬送機構と、
前記保持ピンを昇降させる昇降機構と、
前記保持ピンの先端を前記保持プレートの保持面より上の位置に位置させて前記搬送機構から前記保持ピンにより基板を受け取るように前記昇降機構を制御する手段と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記基板の裏面周縁部を保持して前記保持ピン及び前記保持プレート側に当該基板を搬送する搬送機構と、
前記保持プレートを昇降させる昇降機構と、
前記保持ピンの先端を前記保持プレートの保持面よりも下の位置に位置させて前記搬送機構から前記保持プレートにより基板を受け取るように前記昇降機構を制御する手段と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4から請求項6のうちいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記保持プレートの保持面から基板を引き離すときに前記吸着孔から不活性噴出させる噴出機構を更に具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4から請求項7のうちいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記保持ピンは前記基板の製品領域を避けるように設けられていることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002345910A JP2004179513A (ja) | 2002-11-28 | 2002-11-28 | 基板保持装置及び基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002345910A JP2004179513A (ja) | 2002-11-28 | 2002-11-28 | 基板保持装置及び基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004179513A true JP2004179513A (ja) | 2004-06-24 |
Family
ID=32706971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002345910A Pending JP2004179513A (ja) | 2002-11-28 | 2002-11-28 | 基板保持装置及び基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004179513A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007207807A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 試料位置決め装置 |
JP2010165962A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Takatori Corp | ウエハの保持テーブル |
JP2010182755A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2014067935A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置 |
CN105300111A (zh) * | 2014-07-24 | 2016-02-03 | 中外炉工业株式会社 | 平台单元 |
CN110759087A (zh) * | 2019-09-25 | 2020-02-07 | 南京泰治自动化技术有限公司 | 一种基板计数取料装置及取料方法 |
-
2002
- 2002-11-28 JP JP2002345910A patent/JP2004179513A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007207807A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 試料位置決め装置 |
JP2010165962A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Takatori Corp | ウエハの保持テーブル |
JP2010182755A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP4696165B2 (ja) * | 2009-02-03 | 2011-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2014067935A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置 |
CN105300111A (zh) * | 2014-07-24 | 2016-02-03 | 中外炉工业株式会社 | 平台单元 |
CN105300111B (zh) * | 2014-07-24 | 2018-09-25 | 中外炉工业株式会社 | 平台单元 |
CN110759087A (zh) * | 2019-09-25 | 2020-02-07 | 南京泰治自动化技术有限公司 | 一种基板计数取料装置及取料方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102436241B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 열처리 장치 | |
KR101798320B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP4272230B2 (ja) | 減圧乾燥装置 | |
KR101079441B1 (ko) | 스테이지 장치 및 도포 처리 장치 | |
JP4312787B2 (ja) | 減圧乾燥装置 | |
JP4372182B2 (ja) | 基板支持機構及び減圧乾燥装置及び基板処理装置 | |
KR101359751B1 (ko) | 감압 건조 장치 | |
KR101216747B1 (ko) | 감압 건조 장치 | |
JP2004241702A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR100379647B1 (ko) | 처리장치 | |
JP5503057B2 (ja) | 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 | |
KR101069494B1 (ko) | 도포막형성장치 | |
KR20090031823A (ko) | 상압 건조장치 및 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
KR101558596B1 (ko) | 감압 건조 장치 및 감압 건조 방법 | |
KR101568050B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR20080059519A (ko) | 기판 처리 방법 및 레지스트 표면 처리 장치 | |
JP3581292B2 (ja) | 処理装置および処理方法 | |
JP2004179513A (ja) | 基板保持装置及び基板処理装置 | |
JP3874960B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2000181079A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2003332213A (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
JP2005142372A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2002233808A (ja) | 液処理装置 | |
JP3605541B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4327345B2 (ja) | 液供給装置及び液供給方法 |