JP2004241702A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】パーティクルの発生を極力抑えつつ基板の製品領域へのリフトピン等の支持部材の転写を防止することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板の種類に応じてエアシリンダ４７、４９と４８との切り換えを行っているので基板の製品領域に支持ピン７０の跡が転写されることを防止することができる。また本発明では、ステージ４０を基準として支持ピン７０を昇降駆動しているので、エアシリンダ４７、４８、４９の駆動量を比較的少なくできパーティクルの発生を極力抑えることができる。
【選択図】 図５
【解決手段】本発明では、基板の種類に応じてエアシリンダ４７、４９と４８との切り換えを行っているので基板の製品領域に支持ピン７０の跡が転写されることを防止することができる。また本発明では、ステージ４０を基準として支持ピン７０を昇降駆動しているので、エアシリンダ４７、４８、４９の駆動量を比較的少なくできパーティクルの発生を極力抑えることができる。
【選択図】 図５
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示デバイス等に用いられるガラス基板を処理する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）等の製造工程においては、ＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。レジストの塗布の後露光前に、あるいは露光後現像前に基板を加熱する。これらの加熱処理はレジスト中の溶剤を蒸発させたり、露光による定在波効果によるレジストパターンの変形を軽減させたりするための処理である。
【０００３】
レジストを塗布する工程では、例えば塗布装置にてレジストを基板上に塗布する。レジストの塗布後、減圧乾燥装置にてレジストが塗布された基板を乾燥させる処理を行う。この乾燥処理後、エッジリムーバ装置にて基板の周縁部に付着した余分なレジストを除去する。
【０００４】
これらの塗布装置や減圧乾燥装置、加熱装置等は、外部の搬送ロボットから基板を受け取ったり、その搬送ロボットへ基板を渡したりするためのリフトピンを有している。
【０００５】
なお、本発明に関連する先行技術文献は、例えば特許文献１に開示されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−１２４１２７号公報（特に段落［００８９］〜段落［００９１］、図１６等）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記リフトピンは基板を下方から支持するものであり、例えば基板の製品領域にリフトピンの跡が転写されるという問題があった。このような転写が生じるのは、近年、高感度型のレジスト液が用いられるようになってきたこと等が原因と推測される。
【０００８】
特に最近のガラス基板は大型でその自重で下方に撓むため、下方から支持するリフトピンの数も増える傾向がある。そのためリフトピンを昇降駆動するエアシリンダ等の部品点数も増えている。
【０００９】
液晶デバイスや半導体の製造の分野では、パーティクルの発生を極力低減することが要求されている。ここで上記リフトピンの駆動機構は比較的パーティクルが発生する可能性の高いエアシリンダ等を用いる。したがって、パーティクルの低減を図るためには、エアシリンダ等の駆動機構を極力減らすことが望ましい。またエアシリンダ等の駆動量をも小さくすることもパーティクルの低減に貢献できることとなる。
【００１０】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、パーティクルの発生を極力抑えつつ基板の製品領域へのリフトピン等の支持部材の転写を防止することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係る基板処理装置は、昇降可能に設けられ、少なくとも基板の周縁部を保持する保持部と、前記保持部の昇降動作を駆動する第１の駆動部と、基板の第１の領域を支持する第１の支持部材と、基板の前記第１の領域とは異なる第２の領域を支持する第２の支持部材と、前記第１の支持部材と前記第２の支持部材とを適応的に切り換えて前記保持部に対して昇降させる第２の駆動部とを具備する。
【００１２】
本発明において、適応的に切り換えるとは、例えば第１の基板と第２の基板の区別に応じてという意味である。例えば、作業員が予め入力した基板の区別（第１の基板か第２の基板かの種類）に応じて切り換えればよい。また例えば、そのような基板の種類を読み取る手段、例えばセンサ等を設け、読み取られた結果に基づいて切り換えることもできる。
【００１３】
本発明では、保持部を第１の駆動部で昇降駆動させつつ、第１の支持部材と第２の支持部材とを適応的に切り換えてその保持部に対して昇降駆動させる。本発明において、例えば第１の領域及び第２の領域が基板の製品領域以外、すなわち非製品領域であれば、第１または第２の支持部材の製品領域への転写を防止することができる。また本発明では、保持部に対して第１及び第２の支持部材を昇降駆動しているので、これら第２の駆動部による駆動量を比較的少なくできパーティクルの発生を極力抑えることができる。
【００１４】
本発明の一の形態では、基板を収容して所定の処理を行うための処理室と、前記処理室を減圧する減圧機構と、前記減圧機構による減圧度に応じて、前記第１の支持部材または第２の支持部材の昇降の駆動を制御する手段とを具備する。例えば処理室に収容された基板が比較的大型の場合、処理室を減圧度が大きくなるに従い、すなわち圧力が小さくなるに従い基板が下方に撓む傾向がある。この場合に基板の中央部が例えば基板を支持していない支持部材に当接してしまうおそれがある。当接してしまうと製品領域にその支持部材の転写跡が残る問題がある。この状態を防止するために、本発明では減圧度に応じて基板を支持していない第１の支持部材または第２の支持部材の昇降の駆動を制御する。
【００１５】
本発明の一の形態では、前記第２の駆動部は前記保持部の昇降動作と一体的に動作するように設けられている。本発明では、第１の駆動部により保持部を昇降させることで第２の駆動部を昇降させることができる。これにより、第２の駆動部が行う第１または第２の支持部材の昇降駆動量を少なくすることができる。
【００１６】
本発明に係る基板処理装置は、基板の第１の領域を支持する第１の支持部材と、前記第１の支持部材を下方から押圧し前記プレートから突出させる第１の押圧部材と、前記第１の支持部材に対して第１の間隔をあけて配置され、基板前記第１の領域とは異なる第２の領域を支持する第２の支持部材と、前記第２の支持部材を下方から押圧し前記プレートから突出させる第２の押圧部材と、前記第１の押圧部材と第２の押圧部材とを前記第１の間隔とは異なる第２の間隔をあけて連結する連結部材と、前記第１の押圧部材を前記第１の支持部材に、前記第２の押圧部材を前記第２の支持部材に適応的に対向するように、前記連結部材を所定の方向に移動させる駆動部とを具備する。
【００１７】
本発明では、第１及び第２の押圧部材を連結する連結部材を駆動部により移動させることで第１の支持部材と第２の支持部材とを適応的に切り換えて昇降駆動させる。駆動部が多いほどパーティクルの発生が多くなる。本発明では、１つの駆動部で第１の支持部材と第２支持部材との切り換え動作を行うことができる。これによりパーティクルの発生を極力抑えることができる。また本発明では、例えば第１の領域及び第２の領域が基板の製品領域以外、すなわち非製品領域であれば、第１または第２の支持部材の製品領域への転写を防止することができる。
【００１８】
本発明に係る基板処理方法は、基板を載置させて処理するプレートと、基板の第１の領域を支持する第１の支持部材と、前記第１の支持部材を下方から押圧し前記プレートから突出させる第１の押圧部材と、前記第１の支持部材に対して第１の間隔をあけて配置され、基板の前記第１の領域とは異なる第２の領域を支持する第２の支持部材と、前記第２の支持部材を下方から押圧し前記プレートから突出させる第２の押圧部材と、前記第１の押圧部材と第２の押圧部材とを前記第１の間隔とは異なる第２の間隔をあけて連結する連結部材とを具備する基板処理装置の処理方法であって、前記第１の押圧部材を前記第１の支持部材に対向するように前記連結部材を移動させる工程と、前記第２の押圧部材を前記第２の支持部材に対向するように前記連結部材を移動させる工程とを具備する。
【００１９】
本発明では、第１及び第２の押圧部材を連結する連結部材を例えば１つの駆動装置で移動させることで第１の支持部材と第２の支持部材とを適応的に切り換えて昇降駆動させる。本発明では、例えば１つの駆動装置で第１の支持部材と第２支持部材との切り換え動作を行うことができる。これによりパーティクルの発生を極力抑えることができる。また本発明では、例えば第１の領域及び第２の領域が基板の製品領域以外、すなわち非製品領域であれば、第１または第２の支持部材の製品領域への転写を防止することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００２１】
図１は本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布現像処理装置を示す平面図であり、図２はその正面図、図３はその背面図である。
【００２２】
この塗布現像処理装置１は、複数のガラス基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション２と、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部３と、露光装置３２との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェース部４とを備えており、処理部３の両端にそれぞれカセットステーション２及びインターフェース部４が配置されている。
【００２３】
カセットステーション２は、カセットＣと処理部３との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション２においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部３との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００２４】
処理部３には、カセットステーション２におけるカセットＣの配列方向（Ｙ方向）に垂直方向（Ｘ方向）に延設された主搬送部３ａと、この主搬送部３ａに沿って、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）を含む各処理ユニットが並設された上流部３ｂ及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）を含む各処理ユニットが並設された下流部３ｃとが設けられている。
【００２５】
主搬送部３ａには、Ｘ方向に延設された搬送路３１と、この搬送路３１に沿って移動可能に構成されガラス基板ＧをＸ方向に搬送する搬送シャトル２３とが設けられている。この搬送シャトル２３は、例えば支持ピンにより基板Ｇを保持して搬送するようになっている。また、主搬送部３ａのインターフェース部４側端部には、処理部３とインターフェース部４との間で基板Ｇの受け渡しを行う垂直搬送ユニット７が設けられている。
【００２６】
上流部３ｂにおいて、カセットステーション２側端部には、カセットステーション２側から、基板Ｇ上の有機物を除去するためのエキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９と、基板Ｇにスクラビングブラシで洗浄処理を施すスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）とが設けられている。
【００２７】
スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）の隣には、ガラス基板Ｇに対して熱的処理を行うユニットが多段に積み上げられた熱処理系ブロック２４及び２５が配置されている。これら熱処理系ブロック２４と２５との間には、垂直搬送ユニット５が配置され、搬送アーム５ａがＺ方向及び水平方向に移動可能とされ、かつθ方向に回動可能とされているので、両ブロック２４及び２５における各熱処理系ユニットにアクセスして基板Ｇの搬送が行われるようになっている。なお、上記処理部３における垂直搬送ユニット７についてもこの垂直搬送ユニット５と同一の構成を有している。
【００２８】
図２に示すように、熱処理系ブロック２４には、基板Ｇにレジスト塗布前の加熱処理を施すベーキングユニット（ＢＡＫＥ）が２段、ＨＭＤＳガスにより疎水化処理を施すアドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック２５には、基板Ｇに冷却処理を施すクーリングユニット（ＣＯＬ）が２段、アドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。
【００２９】
熱処理系ブロック２５に隣接してレジスト処理ブロック１５がＸ方向に延設されている。このレジスト処理ブロック１５は、基板Ｇにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）と、減圧により前記塗布されたレジストを乾燥させる減圧乾燥ユニット（ＶＤ）と、本発明に係る基板Ｇの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバ（ＥＲ）とが設けられて構成されている。レジスト処理ブロック１５には、図１４に示すように基板を保持して搬送する搬送ロボット８０がガイドレール１００に沿ってＸ方向に移動可能に設けられている。この搬送ロボット８０は、例えばレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）と減圧乾燥ユニット（ＶＤ）との間で基板を搬送するもの及び減圧乾燥ユニット（ＶＤ）とエッジリムーバ（ＥＲ）との間で基板を搬送するもの２つが設けられている。
【００３０】
レジスト処理ブロック１５に隣接して多段構成の熱処理系ブロック２６が配設されており、この熱処理系ブロック２６には、基板Ｇにレジスト塗布後の加熱処理を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）が３段積層されている。
【００３１】
下流部３ｃにおいては、図３に示すように、インターフェース部４側端部には、熱処理系ブロック２９が設けられており、これには、クーリングユニット（ＣＯＬ）、露光後現像処理前の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。
【００３２】
熱処理系ブロック２９に隣接して現像処理を行う現像処理ユニット（ＤＥＶ）がＸ方向に延設されている。この現像処理ユニット（ＤＥＶ）の隣には熱処理系ブロック２８及び２７が配置され、これら熱処理系ブロック２８と２７との間には、上記垂直搬送ユニット５と同一の構成を有し、両ブロック２８及び２７における各熱処理系ユニットにアクセス可能な垂直搬送ユニット６が設けられている。また、現像処理ユニット（ＤＥＶ）に隣接して、ｉ線処理ユニット（ｉ―ＵＶ）３３が設けられている。
【００３３】
熱処理系ブロック２８には、クーリングユニット（ＣＯＬ）、基板Ｇに現像後の加熱処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック２７も同様に、クーリングユニット（ＣＯＬ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。
【００３４】
インターフェース部４には、正面側にタイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２２が設けられ、垂直搬送ユニット７に隣接してエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５が、また背面側にはバッファカセット３４が配置されており、これらタイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２２とエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５とバッファカセット３４と隣接した露光装置３２との間で基板Ｇの受け渡しを行う垂直搬送ユニット８が配置されている。この垂直搬送ユニット８も上記垂直搬送ユニット５と同一の構成を有している。
【００３５】
以上のように構成された塗布現像処理装置１の処理工程について説明する。先ずカセットＣ内の基板Ｇが処理部３における上流部３ｂに搬送される。上流部３ｂでは、エキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９において表面改質・有機物除去処理が行われ、次にスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）において、基板Ｇが略水平に搬送されながら洗浄処理及び乾燥処理が行われる。続いて熱処理系ブロック２４の最下段部で垂直搬送ユニットにおける搬送アーム５ａにより基板Ｇが取り出され、同熱処理系ブロック２４のベーキングユニット（ＢＡＫＥ）にて加熱処理、アドヒージョンユニット（ＡＤ）にて、ガラス基板Ｇとレジスト膜との密着性を高めるため、基板ＧにＨＭＤＳガスを噴霧する処理が行われる。この後、熱処理系ブロック２５のクーリングユニット（ＣＯＬ）による冷却処理が行われる。
【００３６】
次に、基板Ｇは搬送アーム５ａから搬送シャトル２３に受け渡される。そしてレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）に搬送され、レジストの塗布処理が行われた後、減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）にて減圧乾燥処理、エッジリムーバ（ＥＲ）にて基板周縁のレジスト除去処理が順次行われる。
【００３７】
次に、基板Ｇは搬送シャトル２３から垂直搬送ユニット７の搬送アームに受け渡され、熱処理系ブロック２６におけるプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）にて加熱処理が行われた後、熱処理系ブロック２９におけるクーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。続いて基板Ｇはエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５にて冷却処理されるとともに露光装置にて露光処理される。
【００３８】
次に、基板Ｇは垂直搬送ユニット８及び７の搬送アームを介して熱処理系ブロック２９のポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）に搬送され、ここで加熱処理が行われた後、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。そして基板Ｇは垂直搬送ユニット７の搬送アームを介して、現像処理ユニット（ＤＥＶ）において基板Ｇは略水平に搬送されながら現像処理、リンス処理及び乾燥処理が行われる。
【００３９】
次に、基板Ｇは熱処理系ブロック２８における最下段から垂直搬送ユニット６の搬送アーム６ａにより受け渡され、熱処理系ブロック２８又は２７におけるポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）にて加熱処理が行われ、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。そして基板Ｇは搬送機構１０に受け渡されカセットＣに収容される。
【００４０】
図４は本発明の一実施の形態に係る減圧乾燥ユニット（ＶＤ）の斜視図である。図５はそのＸ方向で見た断面図、図６はＹ方向で見た断面図である。
【００４１】
この減圧乾燥ユニット（ＶＤ）は、ガラス基板Ｇを収容し上部が開口された下部チャンバ３６とこの下部チャンバ３６に着脱される上部チャンバ４６とを有している。上部チャンバ４６の着脱動作は図示しない駆動装置により行われる。下部チャンバ３６の上部の周囲には上部チャンバ４６が装着されたときに内部を密閉するためのリングシール４５が装着されている。下部チャンバ３６の底部には例えば凹部３６ａが形成されている。減圧乾燥ユニット（ＶＤ）は、基板を保持するステージ４０とステージ４０を支持して固定する支持板３８とを有し、支持板は例えば凹部３６ａに収められている。
【００４２】
下部チャンバ３６における４角にはチャンバ内部を減圧するための排気口３７が設けられており、排気管５６を介してターボ分子ポンプ等の真空ポンプ５４に接続されている。ステージ４０の周囲にはじゃま板５１が取り付けられており、これは理解を容易にするため図４では図示していない。また、ステージ４０の周囲にはチャンバ内に不活性ガスを導入するための導入口４１が設けられている。また、例えば下部チャンバ３６の下部には、図５に示すようにチャンバ内の圧力を測定するセンサ６４が設けられている。
【００４３】
ステージ４０の周縁部には基板の周縁部を支持するピン３９が取り付けられている。ステージ４０及び支持板３８には、それぞれ複数の長穴４０ａ及び３８ａが形成されている。これらの長穴４０ａ及び３８ａは、それぞれ対向し貫通して設けられている。長穴４０ａ及び３８ａにはそれぞれ、基板を支持する複数の支持ピン７０ａ、７０ｂ、７０ｃが板部材４２ａ、４２ｂ、４３ａ、４３ｂ、４４ａ、４４ｂ上に取り付けられて収容されている。板部材４２ａ、４２ｂ、４３ａ、４３ｂ、４４ａ、４４ｂはそれぞれ下方から棒部材８７によって支持されている。棒部材８７は下部チャンバ３６の底部に設けられた穴部３６ｃに挿通されて設けられている。板部材４２ａ、４２ｂは棒部材８７を介して下部板部材８１に取り付けられており、板部材４３ａ、４３ｂは棒部材８７を介して下部板部材８２に取り付けられており、板部材４４ａ、４４ｂは棒部材８７を介して下部板部材８３に取り付けられている。下部板部材８１、８２、８３は例えば支持ピン用エアシリンダ４７、４８、４９によりそれぞれ独立して昇降するように設けられている。
【００４４】
エアシリンダ４７、４８、４９は連結部材５８によって一体的に連結されており、この連結部材５８は例えばステージ用エアシリンダ５５により昇降自在に設けられている。連結部材５８は上記支持板３８に支持体６１を介して取り付けられており、支持体６１は下部チャンバ３６の穴部３６ｂに挿通されている。ステージ用エアシリンダ５５の駆動により、連結部材５８に連結された支持ピン用エアシリンダ４７、４８、４９、ステージ４０、板部材４２ａ、４２ｂ、４３ａ、４３ｂ、４４ａ、４４ｂ上に取り付けられた支持ピン７０ａ、７０ｂ、７０ｃが一体的に昇降する。
【００４５】
なお穴部３６ｂ、３６ｃには、チャンバ内を気密に保持するためにそれぞれシール部材６２、６３が取り付けられている。
【００４６】
このように板部材４２ａと４２ｂ（４３ａと４３ｂ、４４ａと４４ｂ）に分割することで、各々の板部材の剛性を高めることができる。すなわち、基板Ｇが比較的大型である場合、例えば板部材を４２ａと４２ｂとを一体に形成すると剛性が低減し、複数の支持ピン７０ａの各々の高さ等の精度が低減することを防止することができる。
【００４７】
支持ピン用エアシリンダ４７、４９は第１のエアシリンダコントローラ５１によりその駆動が制御される。支持ピン用エアシリンダ４８は第２のエアシリンダコントローラ５２によりその駆動が制御される。ステージ用エアシリンダ５５はステージ用エアシリンダコントローラ５３によりその駆動が制御される。メインコントローラ５０は、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）の統括的な制御を行い、センサ６４による検出信号に基づき真空ポンプ５４を制御する。また、メインコントローラ５０は、入力部５７からの入力信号に基づきエアシリンダコントローラ５１、５２、５３を制御する。入力部５７は例えば作業員が手動で処理内容の入力操作を行う操作パネル等である。
【００４８】
このように構成された減圧乾燥ユニット（ＶＤ）の動作を説明する。
【００４９】
例えば作業員が入力部５７によって減圧乾燥ユニット（ＶＤ）のレシピを入力する。例えばロット単位で塗布現像処理装置１全体のレシピを入力する際に、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）のレシピを入力すればよい。作業員は例えばガラス基板の種類等をレシピの１つとして入力する。ガラス基板の種類は、例えば図７や図８に示すガラス基板Ｇ１、Ｇ２上の製品となる領域Ａの数の違いによって分別される。図７は例えば２面取りのものを示し、図８は例えば３面取りのものを示している。
【００５０】
上部チャンバ４６が下部チャンバ３６から離間し、ステージ用エアシリンダ５５の駆動によりステージ４０が上昇して搬送ロボットから基板Ｇを受け取る。このとき、２面取りの基板であれば図９に示すように、第２のエアシリンダコントローラ５２の制御の下、支持ピン用エアシリンダ４９が駆動する。２面取りの基板Ｇ１の場合、図７に示すように非製品領域（斜線部分）が周囲と中央部にある。したがってこの場合、メインコントローラ５０は中央のエアシリンダ４９を駆動させることにより支持ピン７０ｂで２面取りの基板Ｇ１の非製品領域を支持する。
【００５１】
一方、３面取りの基板であれば図１０に示すように第１のエアシリンダコントローラ５１の制御の下、支持ピン用エアシリンダ４７、４８が駆動する。３面取りの基板Ｇ２の場合、非製品領域が図８に示す斜線部分の領域にある。したがってこの場合、メインコントローラ５０はエアシリンダ４７、４８を駆動させることにより支持ピン７０ａ、７０ｃで３面取りの基板Ｇ２の非製品領域を支持する。
【００５２】
このようにして基板が保持された後、ステージ用エアシリンダ５５の駆動によりステージ４０が下降し、上部チャンバ４６が下部チャンバ３６に装着されチャンバ内が密閉される。その後、チャンバ内が所定の圧力にまで減圧され、基板の乾燥処理が行われる。
【００５３】
乾燥処理後は、上部チャンバ４６が下部チャンバから離間し、ステージ用エアシリンダ５５の駆動によりステージ４０が上昇し、図示しない搬送ロボットに基板が渡される。
【００５４】
以上のように本実施の形態では、基板の種類に応じてエアシリンダ４７、４９と４８との切り換えを行っているので基板の製品領域に支持ピン７０の跡が転写されることを防止することができる。また本実施の形態では、ステージ４０を基準として支持ピン７０を昇降駆動しているので、エアシリンダ４７、４８、４９の駆動量を比較的少なくできパーティクルの発生を極力抑えることができる。
【００５５】
また、本実施の形態において、例えば３面取りの基板Ｇ２の減圧乾燥の処理中に、以下のような動作を行うこともできる。
【００５６】
例えば、チャンバ内の減圧度が大きくなるに従い、すなわち圧力が小さくなるに従い基板が下方に撓む傾向がある。基板が３面取りの基板である場合に、基板の中央部が、例えば基板を支持していない支持ピン７０ｂに当接してしまうおそれがある。この例は、ステージ４０等がなくピンのみで基板を支持する場合に見られる。支持ピン７０ｂが基板に当接してしまうと基板の製品領域にその支持ピン７０ｂの転写跡が残る。しかし、チャンバ内の圧力が小さくなるに従い基板を支持していない支持ピン７０ｂの位置を低くしていくようにすれば、当接することはない。
【００５７】
また、図１１に示すように基板が５面取りの場合には、別の支持ピン用エアシリンダ５９を設ければよい。この場合、エアシリンダ５９は支持ピン７０ｄを昇降させ、例えば５面取りの製品領域のうち３枚と２枚の間、つまり基板の長手方向の５分の２の位置を支持することができる。このような構成により、２面取り、３面取り、５面取りの基板の区別に応じて適宜支持ピンを変更することができ、支持ピンの転写を防止することができる。また、横並びで７面取りの場合も５面取りと同様に、基板の長手方向の７分の３の位置に支持ピンを配置して支持すればよい。３面取りの場合でも基板の中心線に対して非対称である基板の長手方向の片側３分の１の位置のみに支持ピンを配置してもよい。このように、横並びの製品の面取り数が奇数の場合、製品領域の全ての間に支持ピンを配置するのではなく、少なくとも基板の中心線に対して一部非対称でかつ製品領域以外の位置に直線状に支持ピンを配置してもよい。このように配置することにより、支持ピンの数を低減できる。これに伴い可動部の数も低減するので装置を簡素化でき、ひいては装置の信頼性を向上させることができる。また、横並びの製品面取り数が偶数の場合、少なくとも基板の中心線上に配置すればよく、同様に支持ピンの数を低減できる。
【００５８】
次に、本発明の他の実施の形態について説明する。図１２はその形態に係る熱処理系のユニットにおけるプレートを示す平面図であり、図１３はその断面図である。例えば上記プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）等の熱処理系のユニット、あるいはアドヒージョンユニット（ＡＤ）に用いることができる。
【００５９】
プレート６５は基板を載置するためのもので、例えばホットプレートやクーリングプレート等である。このプレート６５には複数の長穴６５ａが形成されている。長穴６５ａ内には支持ピン１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃが収容されており、これらの支持ピン１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃの下部８５、８６、６７はそれぞれプレート６５の下方で、押圧部材７１、７２、７３で押圧されるようになっている。押圧部材７１と７３との間隔は支持ピン１７０ａと１７０ｃとの間隔と対応するように設けられている。押圧部材７１及び７３が支持ピン１７０ａ及び１７０ｃの各々の下部８５及び８７に対向する時は、押圧部材７２は支持ピン１７０ｂの下部８６に対向しないようにずれて配置されている。このような配置関係で押圧部材７１、７２、７３は連結部材６９によって連結され固定されている。
【００６０】
この連結部材６９はスライド用エアシリンダ６７に接続されており、このエアシリンダ６７はこの連結部材を水平方向にスライドさせるように構成されている。スライド用エアシリンダ６７は板部材６６に固定されており、この板部材６６は板部材用エアシリンダ６８に接続され昇降可能に構成されている。
【００６１】
図１２に示すピン８４は基板の周縁部を支持するためのピンであり、これらのピン８４はプレート６５に対して固定されていてもよいし、別の駆動機構で昇降駆動されるように構成されていてもよい。ピン８４が昇降駆動する場合は、支持ピン１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃとともに基板の受け渡し機構として用いることができる。またこの場合、ピン８４は支持ピン１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃとともにプロキシミティピンとして用いることができる。ピン８４がプレート６５に固定されている場合には、支持ピン１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃとともにプロキシミティピンとしてのみ用いることができる。
【００６２】
このように構成されたユニットでは、例えば２面取りや３面取りの基板に応じてスライド用エアシリンダ６７をスライドさせ、エアシリンダ６８で支持ピンを昇降させる。例えば３面取りの基板を処理する場合、図１３に示す状態からエアシリンダ６８を駆動して支持ピン１７０ａ、１７０ｃを上昇させ基板の非製品領域を支持した状態で処理を行う。一方、２面取りの基板を処理する場合、図１３に示す状態からスライド用エアシリンダ６７を駆動して中央の押圧部材７２を支持ピン１７０ｂの下部８６に対向させる。対向させたら、板部材用エアシリンダ６８を駆動して支持ピン１７０ａ、１７０ｃを上昇させ基板の非製品領域を支持した状態で処理を行う。
【００６３】
本実施の形態によれば、１つのエアシリンダ６７で支持ピン１７０ａ及び１７０ｃと、支持ピン１７０ｂとを切り換えることができる。これによりパーティクルの発生を極力抑えることができる。また、本実施の形態では、支持ピンによる製品領域への転写を防止することができる。
【００６４】
本発明は以上説明した実施の形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば減圧乾燥ユニット（ＶＤ）で用いた支持ピンの駆動機構を熱処理系ブロック２４、２５、２６、２８、２７における各ユニットで適用可能である。あるいはこれに限らず、基板を搬送する搬送装置に設けられる基板受け渡し用の台にも適用可能である。すなわち、基板の受け渡しを行う装置であれば本発明を適用できる。また、逆に、図１２、図１３に示した支持ピンの駆動機構も他の処理ユニットに組み込むことができる。また図１２、図１３に示す装置でも基板の製品領域の数が増えた場合に対応して押圧部材の数を増やすこともできる。
【００６５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、パーティクルの発生を極力抑えつつ基板の製品領域へのリフトピン等の支持部材の転写を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る塗布現像処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１に示す塗布現像処理装置の正面図である。
【図３】図１に示す塗布現像処理装置の背面図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係る減圧乾燥ユニットを示す斜視図である。
【図５】図４に示す減圧乾燥ユニットの断面図である。
【図６】図４に示す減圧乾燥ユニットの断面図である。
【図７】２面取り基板の製品領域を示す平面図である。
【図８】３面取り基板の製品領域を示す平面図である。
【図９】２面取りの基板を処理する減圧乾燥ユニットの動作を示す図である。
【図１０】３面取りの基板を処理する減圧乾燥ユニットの動作を示す図である。
【図１１】５面取りの基板を処理する減圧乾燥ユニットを示す断面図である。
【図１２】本発明の他の実施の形態に係る処理ユニットのプレートの平面図である。
【図１３】図１２に示す処理ユニットを示す断面図である。
【図１４】レジスト処理ブロックに設けられた搬送ロボットを示す平面図である。
【符号の説明】
Ｇ…ガラス基板
Ｃ…カセット
Ｇ…基板
Ｇ１．Ｇ２…ガラス基板
Ａ…製品領域
２４，２５，２６，２７，２８，２９…熱処理系ブロック
３９…ピン
４０…ステージ
４７，４８，４９，５９…支持ピン用エアシリンダ
５０…メインコントローラ
５１…第１のエアシリンダコントローラ
５２…第２のエアシリンダコントローラ
５３…ステージ用エアシリンダコントローラ
５４…真空ポンプ
５５…ステージ用エアシリンダ
６５…プレート
６７…スライド用エアシリンダ
６８…板部材用エアシリンダ
６９…連結部材
７０ａ，７０ｂ，７０ｃ，１７０ａ，１７０ｂ，１７０ｃ…支持ピン
７１，７２，７３…押圧部材
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示デバイス等に用いられるガラス基板を処理する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）等の製造工程においては、ＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。レジストの塗布の後露光前に、あるいは露光後現像前に基板を加熱する。これらの加熱処理はレジスト中の溶剤を蒸発させたり、露光による定在波効果によるレジストパターンの変形を軽減させたりするための処理である。
【０００３】
レジストを塗布する工程では、例えば塗布装置にてレジストを基板上に塗布する。レジストの塗布後、減圧乾燥装置にてレジストが塗布された基板を乾燥させる処理を行う。この乾燥処理後、エッジリムーバ装置にて基板の周縁部に付着した余分なレジストを除去する。
【０００４】
これらの塗布装置や減圧乾燥装置、加熱装置等は、外部の搬送ロボットから基板を受け取ったり、その搬送ロボットへ基板を渡したりするためのリフトピンを有している。
【０００５】
なお、本発明に関連する先行技術文献は、例えば特許文献１に開示されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−１２４１２７号公報（特に段落［００８９］〜段落［００９１］、図１６等）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記リフトピンは基板を下方から支持するものであり、例えば基板の製品領域にリフトピンの跡が転写されるという問題があった。このような転写が生じるのは、近年、高感度型のレジスト液が用いられるようになってきたこと等が原因と推測される。
【０００８】
特に最近のガラス基板は大型でその自重で下方に撓むため、下方から支持するリフトピンの数も増える傾向がある。そのためリフトピンを昇降駆動するエアシリンダ等の部品点数も増えている。
【０００９】
液晶デバイスや半導体の製造の分野では、パーティクルの発生を極力低減することが要求されている。ここで上記リフトピンの駆動機構は比較的パーティクルが発生する可能性の高いエアシリンダ等を用いる。したがって、パーティクルの低減を図るためには、エアシリンダ等の駆動機構を極力減らすことが望ましい。またエアシリンダ等の駆動量をも小さくすることもパーティクルの低減に貢献できることとなる。
【００１０】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、パーティクルの発生を極力抑えつつ基板の製品領域へのリフトピン等の支持部材の転写を防止することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係る基板処理装置は、昇降可能に設けられ、少なくとも基板の周縁部を保持する保持部と、前記保持部の昇降動作を駆動する第１の駆動部と、基板の第１の領域を支持する第１の支持部材と、基板の前記第１の領域とは異なる第２の領域を支持する第２の支持部材と、前記第１の支持部材と前記第２の支持部材とを適応的に切り換えて前記保持部に対して昇降させる第２の駆動部とを具備する。
【００１２】
本発明において、適応的に切り換えるとは、例えば第１の基板と第２の基板の区別に応じてという意味である。例えば、作業員が予め入力した基板の区別（第１の基板か第２の基板かの種類）に応じて切り換えればよい。また例えば、そのような基板の種類を読み取る手段、例えばセンサ等を設け、読み取られた結果に基づいて切り換えることもできる。
【００１３】
本発明では、保持部を第１の駆動部で昇降駆動させつつ、第１の支持部材と第２の支持部材とを適応的に切り換えてその保持部に対して昇降駆動させる。本発明において、例えば第１の領域及び第２の領域が基板の製品領域以外、すなわち非製品領域であれば、第１または第２の支持部材の製品領域への転写を防止することができる。また本発明では、保持部に対して第１及び第２の支持部材を昇降駆動しているので、これら第２の駆動部による駆動量を比較的少なくできパーティクルの発生を極力抑えることができる。
【００１４】
本発明の一の形態では、基板を収容して所定の処理を行うための処理室と、前記処理室を減圧する減圧機構と、前記減圧機構による減圧度に応じて、前記第１の支持部材または第２の支持部材の昇降の駆動を制御する手段とを具備する。例えば処理室に収容された基板が比較的大型の場合、処理室を減圧度が大きくなるに従い、すなわち圧力が小さくなるに従い基板が下方に撓む傾向がある。この場合に基板の中央部が例えば基板を支持していない支持部材に当接してしまうおそれがある。当接してしまうと製品領域にその支持部材の転写跡が残る問題がある。この状態を防止するために、本発明では減圧度に応じて基板を支持していない第１の支持部材または第２の支持部材の昇降の駆動を制御する。
【００１５】
本発明の一の形態では、前記第２の駆動部は前記保持部の昇降動作と一体的に動作するように設けられている。本発明では、第１の駆動部により保持部を昇降させることで第２の駆動部を昇降させることができる。これにより、第２の駆動部が行う第１または第２の支持部材の昇降駆動量を少なくすることができる。
【００１６】
本発明に係る基板処理装置は、基板の第１の領域を支持する第１の支持部材と、前記第１の支持部材を下方から押圧し前記プレートから突出させる第１の押圧部材と、前記第１の支持部材に対して第１の間隔をあけて配置され、基板前記第１の領域とは異なる第２の領域を支持する第２の支持部材と、前記第２の支持部材を下方から押圧し前記プレートから突出させる第２の押圧部材と、前記第１の押圧部材と第２の押圧部材とを前記第１の間隔とは異なる第２の間隔をあけて連結する連結部材と、前記第１の押圧部材を前記第１の支持部材に、前記第２の押圧部材を前記第２の支持部材に適応的に対向するように、前記連結部材を所定の方向に移動させる駆動部とを具備する。
【００１７】
本発明では、第１及び第２の押圧部材を連結する連結部材を駆動部により移動させることで第１の支持部材と第２の支持部材とを適応的に切り換えて昇降駆動させる。駆動部が多いほどパーティクルの発生が多くなる。本発明では、１つの駆動部で第１の支持部材と第２支持部材との切り換え動作を行うことができる。これによりパーティクルの発生を極力抑えることができる。また本発明では、例えば第１の領域及び第２の領域が基板の製品領域以外、すなわち非製品領域であれば、第１または第２の支持部材の製品領域への転写を防止することができる。
【００１８】
本発明に係る基板処理方法は、基板を載置させて処理するプレートと、基板の第１の領域を支持する第１の支持部材と、前記第１の支持部材を下方から押圧し前記プレートから突出させる第１の押圧部材と、前記第１の支持部材に対して第１の間隔をあけて配置され、基板の前記第１の領域とは異なる第２の領域を支持する第２の支持部材と、前記第２の支持部材を下方から押圧し前記プレートから突出させる第２の押圧部材と、前記第１の押圧部材と第２の押圧部材とを前記第１の間隔とは異なる第２の間隔をあけて連結する連結部材とを具備する基板処理装置の処理方法であって、前記第１の押圧部材を前記第１の支持部材に対向するように前記連結部材を移動させる工程と、前記第２の押圧部材を前記第２の支持部材に対向するように前記連結部材を移動させる工程とを具備する。
【００１９】
本発明では、第１及び第２の押圧部材を連結する連結部材を例えば１つの駆動装置で移動させることで第１の支持部材と第２の支持部材とを適応的に切り換えて昇降駆動させる。本発明では、例えば１つの駆動装置で第１の支持部材と第２支持部材との切り換え動作を行うことができる。これによりパーティクルの発生を極力抑えることができる。また本発明では、例えば第１の領域及び第２の領域が基板の製品領域以外、すなわち非製品領域であれば、第１または第２の支持部材の製品領域への転写を防止することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００２１】
図１は本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布現像処理装置を示す平面図であり、図２はその正面図、図３はその背面図である。
【００２２】
この塗布現像処理装置１は、複数のガラス基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション２と、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部３と、露光装置３２との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェース部４とを備えており、処理部３の両端にそれぞれカセットステーション２及びインターフェース部４が配置されている。
【００２３】
カセットステーション２は、カセットＣと処理部３との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション２においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部３との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００２４】
処理部３には、カセットステーション２におけるカセットＣの配列方向（Ｙ方向）に垂直方向（Ｘ方向）に延設された主搬送部３ａと、この主搬送部３ａに沿って、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）を含む各処理ユニットが並設された上流部３ｂ及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）を含む各処理ユニットが並設された下流部３ｃとが設けられている。
【００２５】
主搬送部３ａには、Ｘ方向に延設された搬送路３１と、この搬送路３１に沿って移動可能に構成されガラス基板ＧをＸ方向に搬送する搬送シャトル２３とが設けられている。この搬送シャトル２３は、例えば支持ピンにより基板Ｇを保持して搬送するようになっている。また、主搬送部３ａのインターフェース部４側端部には、処理部３とインターフェース部４との間で基板Ｇの受け渡しを行う垂直搬送ユニット７が設けられている。
【００２６】
上流部３ｂにおいて、カセットステーション２側端部には、カセットステーション２側から、基板Ｇ上の有機物を除去するためのエキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９と、基板Ｇにスクラビングブラシで洗浄処理を施すスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）とが設けられている。
【００２７】
スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）の隣には、ガラス基板Ｇに対して熱的処理を行うユニットが多段に積み上げられた熱処理系ブロック２４及び２５が配置されている。これら熱処理系ブロック２４と２５との間には、垂直搬送ユニット５が配置され、搬送アーム５ａがＺ方向及び水平方向に移動可能とされ、かつθ方向に回動可能とされているので、両ブロック２４及び２５における各熱処理系ユニットにアクセスして基板Ｇの搬送が行われるようになっている。なお、上記処理部３における垂直搬送ユニット７についてもこの垂直搬送ユニット５と同一の構成を有している。
【００２８】
図２に示すように、熱処理系ブロック２４には、基板Ｇにレジスト塗布前の加熱処理を施すベーキングユニット（ＢＡＫＥ）が２段、ＨＭＤＳガスにより疎水化処理を施すアドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック２５には、基板Ｇに冷却処理を施すクーリングユニット（ＣＯＬ）が２段、アドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。
【００２９】
熱処理系ブロック２５に隣接してレジスト処理ブロック１５がＸ方向に延設されている。このレジスト処理ブロック１５は、基板Ｇにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）と、減圧により前記塗布されたレジストを乾燥させる減圧乾燥ユニット（ＶＤ）と、本発明に係る基板Ｇの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバ（ＥＲ）とが設けられて構成されている。レジスト処理ブロック１５には、図１４に示すように基板を保持して搬送する搬送ロボット８０がガイドレール１００に沿ってＸ方向に移動可能に設けられている。この搬送ロボット８０は、例えばレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）と減圧乾燥ユニット（ＶＤ）との間で基板を搬送するもの及び減圧乾燥ユニット（ＶＤ）とエッジリムーバ（ＥＲ）との間で基板を搬送するもの２つが設けられている。
【００３０】
レジスト処理ブロック１５に隣接して多段構成の熱処理系ブロック２６が配設されており、この熱処理系ブロック２６には、基板Ｇにレジスト塗布後の加熱処理を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）が３段積層されている。
【００３１】
下流部３ｃにおいては、図３に示すように、インターフェース部４側端部には、熱処理系ブロック２９が設けられており、これには、クーリングユニット（ＣＯＬ）、露光後現像処理前の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。
【００３２】
熱処理系ブロック２９に隣接して現像処理を行う現像処理ユニット（ＤＥＶ）がＸ方向に延設されている。この現像処理ユニット（ＤＥＶ）の隣には熱処理系ブロック２８及び２７が配置され、これら熱処理系ブロック２８と２７との間には、上記垂直搬送ユニット５と同一の構成を有し、両ブロック２８及び２７における各熱処理系ユニットにアクセス可能な垂直搬送ユニット６が設けられている。また、現像処理ユニット（ＤＥＶ）に隣接して、ｉ線処理ユニット（ｉ―ＵＶ）３３が設けられている。
【００３３】
熱処理系ブロック２８には、クーリングユニット（ＣＯＬ）、基板Ｇに現像後の加熱処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック２７も同様に、クーリングユニット（ＣＯＬ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。
【００３４】
インターフェース部４には、正面側にタイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２２が設けられ、垂直搬送ユニット７に隣接してエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５が、また背面側にはバッファカセット３４が配置されており、これらタイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２２とエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５とバッファカセット３４と隣接した露光装置３２との間で基板Ｇの受け渡しを行う垂直搬送ユニット８が配置されている。この垂直搬送ユニット８も上記垂直搬送ユニット５と同一の構成を有している。
【００３５】
以上のように構成された塗布現像処理装置１の処理工程について説明する。先ずカセットＣ内の基板Ｇが処理部３における上流部３ｂに搬送される。上流部３ｂでは、エキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９において表面改質・有機物除去処理が行われ、次にスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）において、基板Ｇが略水平に搬送されながら洗浄処理及び乾燥処理が行われる。続いて熱処理系ブロック２４の最下段部で垂直搬送ユニットにおける搬送アーム５ａにより基板Ｇが取り出され、同熱処理系ブロック２４のベーキングユニット（ＢＡＫＥ）にて加熱処理、アドヒージョンユニット（ＡＤ）にて、ガラス基板Ｇとレジスト膜との密着性を高めるため、基板ＧにＨＭＤＳガスを噴霧する処理が行われる。この後、熱処理系ブロック２５のクーリングユニット（ＣＯＬ）による冷却処理が行われる。
【００３６】
次に、基板Ｇは搬送アーム５ａから搬送シャトル２３に受け渡される。そしてレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）に搬送され、レジストの塗布処理が行われた後、減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）にて減圧乾燥処理、エッジリムーバ（ＥＲ）にて基板周縁のレジスト除去処理が順次行われる。
【００３７】
次に、基板Ｇは搬送シャトル２３から垂直搬送ユニット７の搬送アームに受け渡され、熱処理系ブロック２６におけるプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）にて加熱処理が行われた後、熱処理系ブロック２９におけるクーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。続いて基板Ｇはエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５にて冷却処理されるとともに露光装置にて露光処理される。
【００３８】
次に、基板Ｇは垂直搬送ユニット８及び７の搬送アームを介して熱処理系ブロック２９のポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）に搬送され、ここで加熱処理が行われた後、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。そして基板Ｇは垂直搬送ユニット７の搬送アームを介して、現像処理ユニット（ＤＥＶ）において基板Ｇは略水平に搬送されながら現像処理、リンス処理及び乾燥処理が行われる。
【００３９】
次に、基板Ｇは熱処理系ブロック２８における最下段から垂直搬送ユニット６の搬送アーム６ａにより受け渡され、熱処理系ブロック２８又は２７におけるポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）にて加熱処理が行われ、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。そして基板Ｇは搬送機構１０に受け渡されカセットＣに収容される。
【００４０】
図４は本発明の一実施の形態に係る減圧乾燥ユニット（ＶＤ）の斜視図である。図５はそのＸ方向で見た断面図、図６はＹ方向で見た断面図である。
【００４１】
この減圧乾燥ユニット（ＶＤ）は、ガラス基板Ｇを収容し上部が開口された下部チャンバ３６とこの下部チャンバ３６に着脱される上部チャンバ４６とを有している。上部チャンバ４６の着脱動作は図示しない駆動装置により行われる。下部チャンバ３６の上部の周囲には上部チャンバ４６が装着されたときに内部を密閉するためのリングシール４５が装着されている。下部チャンバ３６の底部には例えば凹部３６ａが形成されている。減圧乾燥ユニット（ＶＤ）は、基板を保持するステージ４０とステージ４０を支持して固定する支持板３８とを有し、支持板は例えば凹部３６ａに収められている。
【００４２】
下部チャンバ３６における４角にはチャンバ内部を減圧するための排気口３７が設けられており、排気管５６を介してターボ分子ポンプ等の真空ポンプ５４に接続されている。ステージ４０の周囲にはじゃま板５１が取り付けられており、これは理解を容易にするため図４では図示していない。また、ステージ４０の周囲にはチャンバ内に不活性ガスを導入するための導入口４１が設けられている。また、例えば下部チャンバ３６の下部には、図５に示すようにチャンバ内の圧力を測定するセンサ６４が設けられている。
【００４３】
ステージ４０の周縁部には基板の周縁部を支持するピン３９が取り付けられている。ステージ４０及び支持板３８には、それぞれ複数の長穴４０ａ及び３８ａが形成されている。これらの長穴４０ａ及び３８ａは、それぞれ対向し貫通して設けられている。長穴４０ａ及び３８ａにはそれぞれ、基板を支持する複数の支持ピン７０ａ、７０ｂ、７０ｃが板部材４２ａ、４２ｂ、４３ａ、４３ｂ、４４ａ、４４ｂ上に取り付けられて収容されている。板部材４２ａ、４２ｂ、４３ａ、４３ｂ、４４ａ、４４ｂはそれぞれ下方から棒部材８７によって支持されている。棒部材８７は下部チャンバ３６の底部に設けられた穴部３６ｃに挿通されて設けられている。板部材４２ａ、４２ｂは棒部材８７を介して下部板部材８１に取り付けられており、板部材４３ａ、４３ｂは棒部材８７を介して下部板部材８２に取り付けられており、板部材４４ａ、４４ｂは棒部材８７を介して下部板部材８３に取り付けられている。下部板部材８１、８２、８３は例えば支持ピン用エアシリンダ４７、４８、４９によりそれぞれ独立して昇降するように設けられている。
【００４４】
エアシリンダ４７、４８、４９は連結部材５８によって一体的に連結されており、この連結部材５８は例えばステージ用エアシリンダ５５により昇降自在に設けられている。連結部材５８は上記支持板３８に支持体６１を介して取り付けられており、支持体６１は下部チャンバ３６の穴部３６ｂに挿通されている。ステージ用エアシリンダ５５の駆動により、連結部材５８に連結された支持ピン用エアシリンダ４７、４８、４９、ステージ４０、板部材４２ａ、４２ｂ、４３ａ、４３ｂ、４４ａ、４４ｂ上に取り付けられた支持ピン７０ａ、７０ｂ、７０ｃが一体的に昇降する。
【００４５】
なお穴部３６ｂ、３６ｃには、チャンバ内を気密に保持するためにそれぞれシール部材６２、６３が取り付けられている。
【００４６】
このように板部材４２ａと４２ｂ（４３ａと４３ｂ、４４ａと４４ｂ）に分割することで、各々の板部材の剛性を高めることができる。すなわち、基板Ｇが比較的大型である場合、例えば板部材を４２ａと４２ｂとを一体に形成すると剛性が低減し、複数の支持ピン７０ａの各々の高さ等の精度が低減することを防止することができる。
【００４７】
支持ピン用エアシリンダ４７、４９は第１のエアシリンダコントローラ５１によりその駆動が制御される。支持ピン用エアシリンダ４８は第２のエアシリンダコントローラ５２によりその駆動が制御される。ステージ用エアシリンダ５５はステージ用エアシリンダコントローラ５３によりその駆動が制御される。メインコントローラ５０は、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）の統括的な制御を行い、センサ６４による検出信号に基づき真空ポンプ５４を制御する。また、メインコントローラ５０は、入力部５７からの入力信号に基づきエアシリンダコントローラ５１、５２、５３を制御する。入力部５７は例えば作業員が手動で処理内容の入力操作を行う操作パネル等である。
【００４８】
このように構成された減圧乾燥ユニット（ＶＤ）の動作を説明する。
【００４９】
例えば作業員が入力部５７によって減圧乾燥ユニット（ＶＤ）のレシピを入力する。例えばロット単位で塗布現像処理装置１全体のレシピを入力する際に、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）のレシピを入力すればよい。作業員は例えばガラス基板の種類等をレシピの１つとして入力する。ガラス基板の種類は、例えば図７や図８に示すガラス基板Ｇ１、Ｇ２上の製品となる領域Ａの数の違いによって分別される。図７は例えば２面取りのものを示し、図８は例えば３面取りのものを示している。
【００５０】
上部チャンバ４６が下部チャンバ３６から離間し、ステージ用エアシリンダ５５の駆動によりステージ４０が上昇して搬送ロボットから基板Ｇを受け取る。このとき、２面取りの基板であれば図９に示すように、第２のエアシリンダコントローラ５２の制御の下、支持ピン用エアシリンダ４９が駆動する。２面取りの基板Ｇ１の場合、図７に示すように非製品領域（斜線部分）が周囲と中央部にある。したがってこの場合、メインコントローラ５０は中央のエアシリンダ４９を駆動させることにより支持ピン７０ｂで２面取りの基板Ｇ１の非製品領域を支持する。
【００５１】
一方、３面取りの基板であれば図１０に示すように第１のエアシリンダコントローラ５１の制御の下、支持ピン用エアシリンダ４７、４８が駆動する。３面取りの基板Ｇ２の場合、非製品領域が図８に示す斜線部分の領域にある。したがってこの場合、メインコントローラ５０はエアシリンダ４７、４８を駆動させることにより支持ピン７０ａ、７０ｃで３面取りの基板Ｇ２の非製品領域を支持する。
【００５２】
このようにして基板が保持された後、ステージ用エアシリンダ５５の駆動によりステージ４０が下降し、上部チャンバ４６が下部チャンバ３６に装着されチャンバ内が密閉される。その後、チャンバ内が所定の圧力にまで減圧され、基板の乾燥処理が行われる。
【００５３】
乾燥処理後は、上部チャンバ４６が下部チャンバから離間し、ステージ用エアシリンダ５５の駆動によりステージ４０が上昇し、図示しない搬送ロボットに基板が渡される。
【００５４】
以上のように本実施の形態では、基板の種類に応じてエアシリンダ４７、４９と４８との切り換えを行っているので基板の製品領域に支持ピン７０の跡が転写されることを防止することができる。また本実施の形態では、ステージ４０を基準として支持ピン７０を昇降駆動しているので、エアシリンダ４７、４８、４９の駆動量を比較的少なくできパーティクルの発生を極力抑えることができる。
【００５５】
また、本実施の形態において、例えば３面取りの基板Ｇ２の減圧乾燥の処理中に、以下のような動作を行うこともできる。
【００５６】
例えば、チャンバ内の減圧度が大きくなるに従い、すなわち圧力が小さくなるに従い基板が下方に撓む傾向がある。基板が３面取りの基板である場合に、基板の中央部が、例えば基板を支持していない支持ピン７０ｂに当接してしまうおそれがある。この例は、ステージ４０等がなくピンのみで基板を支持する場合に見られる。支持ピン７０ｂが基板に当接してしまうと基板の製品領域にその支持ピン７０ｂの転写跡が残る。しかし、チャンバ内の圧力が小さくなるに従い基板を支持していない支持ピン７０ｂの位置を低くしていくようにすれば、当接することはない。
【００５７】
また、図１１に示すように基板が５面取りの場合には、別の支持ピン用エアシリンダ５９を設ければよい。この場合、エアシリンダ５９は支持ピン７０ｄを昇降させ、例えば５面取りの製品領域のうち３枚と２枚の間、つまり基板の長手方向の５分の２の位置を支持することができる。このような構成により、２面取り、３面取り、５面取りの基板の区別に応じて適宜支持ピンを変更することができ、支持ピンの転写を防止することができる。また、横並びで７面取りの場合も５面取りと同様に、基板の長手方向の７分の３の位置に支持ピンを配置して支持すればよい。３面取りの場合でも基板の中心線に対して非対称である基板の長手方向の片側３分の１の位置のみに支持ピンを配置してもよい。このように、横並びの製品の面取り数が奇数の場合、製品領域の全ての間に支持ピンを配置するのではなく、少なくとも基板の中心線に対して一部非対称でかつ製品領域以外の位置に直線状に支持ピンを配置してもよい。このように配置することにより、支持ピンの数を低減できる。これに伴い可動部の数も低減するので装置を簡素化でき、ひいては装置の信頼性を向上させることができる。また、横並びの製品面取り数が偶数の場合、少なくとも基板の中心線上に配置すればよく、同様に支持ピンの数を低減できる。
【００５８】
次に、本発明の他の実施の形態について説明する。図１２はその形態に係る熱処理系のユニットにおけるプレートを示す平面図であり、図１３はその断面図である。例えば上記プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）等の熱処理系のユニット、あるいはアドヒージョンユニット（ＡＤ）に用いることができる。
【００５９】
プレート６５は基板を載置するためのもので、例えばホットプレートやクーリングプレート等である。このプレート６５には複数の長穴６５ａが形成されている。長穴６５ａ内には支持ピン１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃが収容されており、これらの支持ピン１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃの下部８５、８６、６７はそれぞれプレート６５の下方で、押圧部材７１、７２、７３で押圧されるようになっている。押圧部材７１と７３との間隔は支持ピン１７０ａと１７０ｃとの間隔と対応するように設けられている。押圧部材７１及び７３が支持ピン１７０ａ及び１７０ｃの各々の下部８５及び８７に対向する時は、押圧部材７２は支持ピン１７０ｂの下部８６に対向しないようにずれて配置されている。このような配置関係で押圧部材７１、７２、７３は連結部材６９によって連結され固定されている。
【００６０】
この連結部材６９はスライド用エアシリンダ６７に接続されており、このエアシリンダ６７はこの連結部材を水平方向にスライドさせるように構成されている。スライド用エアシリンダ６７は板部材６６に固定されており、この板部材６６は板部材用エアシリンダ６８に接続され昇降可能に構成されている。
【００６１】
図１２に示すピン８４は基板の周縁部を支持するためのピンであり、これらのピン８４はプレート６５に対して固定されていてもよいし、別の駆動機構で昇降駆動されるように構成されていてもよい。ピン８４が昇降駆動する場合は、支持ピン１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃとともに基板の受け渡し機構として用いることができる。またこの場合、ピン８４は支持ピン１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃとともにプロキシミティピンとして用いることができる。ピン８４がプレート６５に固定されている場合には、支持ピン１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃとともにプロキシミティピンとしてのみ用いることができる。
【００６２】
このように構成されたユニットでは、例えば２面取りや３面取りの基板に応じてスライド用エアシリンダ６７をスライドさせ、エアシリンダ６８で支持ピンを昇降させる。例えば３面取りの基板を処理する場合、図１３に示す状態からエアシリンダ６８を駆動して支持ピン１７０ａ、１７０ｃを上昇させ基板の非製品領域を支持した状態で処理を行う。一方、２面取りの基板を処理する場合、図１３に示す状態からスライド用エアシリンダ６７を駆動して中央の押圧部材７２を支持ピン１７０ｂの下部８６に対向させる。対向させたら、板部材用エアシリンダ６８を駆動して支持ピン１７０ａ、１７０ｃを上昇させ基板の非製品領域を支持した状態で処理を行う。
【００６３】
本実施の形態によれば、１つのエアシリンダ６７で支持ピン１７０ａ及び１７０ｃと、支持ピン１７０ｂとを切り換えることができる。これによりパーティクルの発生を極力抑えることができる。また、本実施の形態では、支持ピンによる製品領域への転写を防止することができる。
【００６４】
本発明は以上説明した実施の形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば減圧乾燥ユニット（ＶＤ）で用いた支持ピンの駆動機構を熱処理系ブロック２４、２５、２６、２８、２７における各ユニットで適用可能である。あるいはこれに限らず、基板を搬送する搬送装置に設けられる基板受け渡し用の台にも適用可能である。すなわち、基板の受け渡しを行う装置であれば本発明を適用できる。また、逆に、図１２、図１３に示した支持ピンの駆動機構も他の処理ユニットに組み込むことができる。また図１２、図１３に示す装置でも基板の製品領域の数が増えた場合に対応して押圧部材の数を増やすこともできる。
【００６５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、パーティクルの発生を極力抑えつつ基板の製品領域へのリフトピン等の支持部材の転写を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る塗布現像処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１に示す塗布現像処理装置の正面図である。
【図３】図１に示す塗布現像処理装置の背面図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係る減圧乾燥ユニットを示す斜視図である。
【図５】図４に示す減圧乾燥ユニットの断面図である。
【図６】図４に示す減圧乾燥ユニットの断面図である。
【図７】２面取り基板の製品領域を示す平面図である。
【図８】３面取り基板の製品領域を示す平面図である。
【図９】２面取りの基板を処理する減圧乾燥ユニットの動作を示す図である。
【図１０】３面取りの基板を処理する減圧乾燥ユニットの動作を示す図である。
【図１１】５面取りの基板を処理する減圧乾燥ユニットを示す断面図である。
【図１２】本発明の他の実施の形態に係る処理ユニットのプレートの平面図である。
【図１３】図１２に示す処理ユニットを示す断面図である。
【図１４】レジスト処理ブロックに設けられた搬送ロボットを示す平面図である。
【符号の説明】
Ｇ…ガラス基板
Ｃ…カセット
Ｇ…基板
Ｇ１．Ｇ２…ガラス基板
Ａ…製品領域
２４，２５，２６，２７，２８，２９…熱処理系ブロック
３９…ピン
４０…ステージ
４７，４８，４９，５９…支持ピン用エアシリンダ
５０…メインコントローラ
５１…第１のエアシリンダコントローラ
５２…第２のエアシリンダコントローラ
５３…ステージ用エアシリンダコントローラ
５４…真空ポンプ
５５…ステージ用エアシリンダ
６５…プレート
６７…スライド用エアシリンダ
６８…板部材用エアシリンダ
６９…連結部材
７０ａ，７０ｂ，７０ｃ，１７０ａ，１７０ｂ，１７０ｃ…支持ピン
７１，７２，７３…押圧部材
Claims (7)
- 昇降可能に設けられ、少なくとも基板の周縁部を保持する保持部と、
前記保持部の昇降動作を駆動する第１の駆動部と、
基板の第１の領域を支持する第１の支持部材と、
基板の前記第１の領域とは異なる第２の領域を支持する第２の支持部材と、
前記第１の支持部材と前記第２の支持部材とを適応的に切り換えて前記保持部に対して昇降させる第２の駆動部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記第１の支持部材は、基板のうち、前記第１の領域として第１の非製品領域を有する第１の基板を支持するものであり、
前記第２の支持部材は、基板のうち、前記第２の領域として前記第１の非製品領域とは異なる第２の非製品領域を有する第２の基板を支持するものであることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項２に記載の基板処理装置であって、
基板を収容して所定の処理を行うための処理室と、
前記処理室を減圧する減圧機構と、
前記減圧機構による減圧度に応じて、前記第１の支持部材または第２の支持部材の昇降の駆動を制御する手段と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記第２の駆動部は前記保持部の昇降動作と一体的に動作するように設けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 基板を載置させて処理するプレートと、
基板の第１の領域を支持する第１の支持部材と、
前記第１の支持部材を下方から押圧し前記プレートから突出させる第１の押圧部材と、
前記第１の支持部材に対して第１の間隔をあけて配置され、基板の前記第１の領域とは異なる第２の領域を支持する第２の支持部材と、
前記第２の支持部材を下方から押圧し前記プレートから突出させる第２の押圧部材と、
前記第１の押圧部材と第２の押圧部材とを前記第１の間隔とは異なる第２の間隔をあけて連結する連結部材と、
前記第１の押圧部材を前記第１の支持部材に、前記第２の押圧部材を前記第２の支持部材に適応的に対向するように、前記連結部材を所定の方向に移動させる駆動部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記第１の支持部材は、基板のうち、前記第１の領域として第１の非製品領域を有する第１の基板を支持するものであり、
前記第２の支持部材は、基板のうち、前記第２の領域として前記第１の非製品領域とは異なる第２の非製品領域を有する第２の基板を支持するものであることを特徴とする基板処理装置。 - 基板を載置させて処理するプレートと、基板の第１の領域を支持する第１の支持部材と、前記第１の支持部材を下方から押圧し前記プレートから突出させる第１の押圧部材と、前記第１の支持部材に対して第１の間隔をあけて配置され、基板の前記第１の領域とは異なる第２の領域を支持する第２の支持部材と、前記第２の支持部材を下方から押圧し前記プレートから突出させる第２の押圧部材と、前記第１の押圧部材と第２の押圧部材とを前記第１の間隔とは異なる第２の間隔をあけて連結する連結部材とを具備する基板処理装置の処理方法であって、
前記第１の押圧部材を前記第１の支持部材に対向するように前記連結部材を移動させる工程と、
前記第２の押圧部材を前記第２の支持部材に対向するように前記連結部材を移動させる工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。
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Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007057132A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Koyo Thermo System Kk | 熱処理装置 |
| KR100780356B1 (ko) | 2006-11-27 | 2007-11-30 | 삼성전자주식회사 | 나노 임프린팅 장치와 이에 의한 소프트스템퍼의 이형방법 |
| JP2008041760A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理等の表面処理用設置装置 |
| JP2009117568A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Tokyo Electron Ltd | 載置台、処理装置および処理システム |
| US7718925B2 (en) * | 2005-12-06 | 2010-05-18 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate heat treatment apparatus |
| WO2011007616A1 (ja) * | 2009-07-13 | 2011-01-20 | シャープ株式会社 | 支持装置およびこの支持装置を備える乾燥装置 |
| JP2011086807A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Tokyo Electron Ltd | 減圧乾燥装置 |
| US8003919B2 (en) * | 2005-12-06 | 2011-08-23 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate heat treatment apparatus |
| US8148665B2 (en) * | 2004-08-31 | 2012-04-03 | Lg Display Co., Ltd. | Apparatus and method for soft baking photoresist on substrate |
| CN103241677A (zh) * | 2013-05-08 | 2013-08-14 | 武汉理工大学 | 一种顶起装置 |
| KR101495340B1 (ko) * | 2006-11-28 | 2015-02-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 기판 수취 장치 |
| KR20180066627A (ko) * | 2016-12-09 | 2018-06-19 | 주식회사 아바코 | 마스크 정렬장치용 기판 리프트 장치 |
| JP2018109473A (ja) * | 2017-01-05 | 2018-07-12 | 東レエンジニアリング株式会社 | 減圧乾燥装置 |
| KR20200085571A (ko) * | 2019-01-07 | 2020-07-15 | 주식회사 아바코 | 마스크 정렬장치용 기판 리프트 장치 |
| WO2022202529A1 (ja) * | 2021-03-23 | 2022-09-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板昇降装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100409424C (zh) * | 2005-04-26 | 2008-08-06 | 大日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置 |
| CN100383952C (zh) * | 2005-12-08 | 2008-04-23 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 用于半导体设备具有调节长度功能的举升装置 |
| JP5073230B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2012-11-14 | 東京応化工業株式会社 | 支持ピン |
| JP4683670B2 (ja) | 2009-04-17 | 2011-05-18 | キヤノン株式会社 | 電子写真画像形成装置、プロセスカートリッジ、及び、現像カートリッジ |
| JP2013161946A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| CN105652608B (zh) * | 2016-04-14 | 2017-11-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曝光机及曝光方法 |
| JP2021096961A (ja) * | 2019-12-17 | 2021-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 |
| CN112265369B (zh) * | 2020-10-29 | 2022-05-17 | 滁州新彩家用玻璃有限公司 | 一种平板玻璃压膜装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3597321B2 (ja) * | 1996-09-03 | 2004-12-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 減圧乾燥装置 |
| JPH10303099A (ja) * | 1997-04-24 | 1998-11-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JPH11238673A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-08-31 | Hirata Corp | 基板現像装置 |
| JP3374743B2 (ja) * | 1998-03-05 | 2003-02-10 | 日本電気株式会社 | 基板熱処理装置及び同装置からの基板の分離方法 |
| JP3748028B2 (ja) * | 2000-04-27 | 2006-02-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| US6437296B1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-08-20 | Lg. Philips Lcd Co. Ltd. | Alignment apparatus of the substrate for LCD |
| US6935466B2 (en) * | 2001-03-01 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Lift pin alignment and operation methods and apparatus |
-
2003
- 2003-02-07 JP JP2003031016A patent/JP3989384B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-26 TW TW092137097A patent/TWI232485B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-01-20 KR KR1020040004130A patent/KR100968316B1/ko active IP Right Grant
- 2004-02-09 CN CNB2004100041008A patent/CN100347812C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8148665B2 (en) * | 2004-08-31 | 2012-04-03 | Lg Display Co., Ltd. | Apparatus and method for soft baking photoresist on substrate |
| JP2007057132A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Koyo Thermo System Kk | 熱処理装置 |
| US7718925B2 (en) * | 2005-12-06 | 2010-05-18 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate heat treatment apparatus |
| US8003919B2 (en) * | 2005-12-06 | 2011-08-23 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate heat treatment apparatus |
| JP2008041760A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理等の表面処理用設置装置 |
| KR100780356B1 (ko) | 2006-11-27 | 2007-11-30 | 삼성전자주식회사 | 나노 임프린팅 장치와 이에 의한 소프트스템퍼의 이형방법 |
| KR101495340B1 (ko) * | 2006-11-28 | 2015-02-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 기판 수취 장치 |
| JP2009117568A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Tokyo Electron Ltd | 載置台、処理装置および処理システム |
| WO2011007616A1 (ja) * | 2009-07-13 | 2011-01-20 | シャープ株式会社 | 支持装置およびこの支持装置を備える乾燥装置 |
| JP2011086807A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Tokyo Electron Ltd | 減圧乾燥装置 |
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