JPH10303099A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JPH10303099A JPH10303099A JP10727997A JP10727997A JPH10303099A JP H10303099 A JPH10303099 A JP H10303099A JP 10727997 A JP10727997 A JP 10727997A JP 10727997 A JP10727997 A JP 10727997A JP H10303099 A JPH10303099 A JP H10303099A
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- substrate
- processing chamber
- lid
- closed space
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理室内へのパーティクルの侵入を効果的に
抑える。 【解決手段】 基台２と、この基台２と共働して基板１
の処理室Ｓａを形成する蓋体１５と、蓋体１５と基台２
の間をシールするＯリング６と、処理室内を吸引排気し
て減圧する減圧系２０ａとを設け、処理室Ｓａ内に基板
１を配置した状態で処理室Ｓａ内を減圧しながら基板１
に処理を施すように基板処理装置を構成した。蓋体１５
には、その周囲につば部１８を設け、蓋体１５を基台２
にセットした状態で、このつば部１８、側壁１５ａ、Ｏ
リング６及び基台２により処理室Ｓａの周囲に環状の閉
空間Ｓｂを形成するようにした。そして、減圧系２０ｂ
により、この閉空間Ｓｂ内を吸引排気するようにした。
抑える。 【解決手段】 基台２と、この基台２と共働して基板１
の処理室Ｓａを形成する蓋体１５と、蓋体１５と基台２
の間をシールするＯリング６と、処理室内を吸引排気し
て減圧する減圧系２０ａとを設け、処理室Ｓａ内に基板
１を配置した状態で処理室Ｓａ内を減圧しながら基板１
に処理を施すように基板処理装置を構成した。蓋体１５
には、その周囲につば部１８を設け、蓋体１５を基台２
にセットした状態で、このつば部１８、側壁１５ａ、Ｏ
リング６及び基台２により処理室Ｓａの周囲に環状の閉
空間Ｓｂを形成するようにした。そして、減圧系２０ｂ
により、この閉空間Ｓｂ内を吸引排気するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示器用ガラ
ス基角形基板、プラズマディスプレイ用ガラス角形基
板、半導体ウエハ等の基板の処理において、特に、基板
の周囲を減圧してアドヒージョン処理、乾燥処理等の処
理を施す基板処理装置に関するものである。
ス基角形基板、プラズマディスプレイ用ガラス角形基
板、半導体ウエハ等の基板の処理において、特に、基板
の周囲を減圧してアドヒージョン処理、乾燥処理等の処
理を施す基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】上記のような基板処理装置として、例え
ば、特開平４−５６１４６号公報に開示されるような装
置が知られている。
ば、特開平４−５６１４６号公報に開示されるような装
置が知られている。
【０００３】この装置は、円板状の載置台（熱板）と、
その上部にセットされる蓋体とを備えており、熱板上に
基板（半導体ウエハ）を載置した状態で蓋体をセットす
ることによって熱板と蓋体とで形成される密閉な処理室
内に半導体ウエハを配置するようになっている。そし
て、この状態で処理室内を真空排気して減圧し、熱板に
よって基板を加熱しながら処理室内にＨＭＤＳ蒸気を供
給することにより基板にアドヒージョン処理を施すよう
に構成されている。
その上部にセットされる蓋体とを備えており、熱板上に
基板（半導体ウエハ）を載置した状態で蓋体をセットす
ることによって熱板と蓋体とで形成される密閉な処理室
内に半導体ウエハを配置するようになっている。そし
て、この状態で処理室内を真空排気して減圧し、熱板に
よって基板を加熱しながら処理室内にＨＭＤＳ蒸気を供
給することにより基板にアドヒージョン処理を施すよう
に構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の装置では、熱板
の周囲にフランジが設けられるとともに、このフランジ
にシール部材（Ｏリング）が配設されており、蓋体の周
縁部がＯリングに圧接されることにより蓋体とフランジ
との間がシールされて密閉な処理室が形成されるように
なっている。
の周囲にフランジが設けられるとともに、このフランジ
にシール部材（Ｏリング）が配設されており、蓋体の周
縁部がＯリングに圧接されることにより蓋体とフランジ
との間がシールされて密閉な処理室が形成されるように
なっている。
【０００５】ところが、この構造では、蓋体がセットさ
れた直後、Ｏリングが充分に押し潰されずにシールが不
完全な状態となる場合があり、この状態で処理室内の減
圧が開始されると、処理室周囲の空気が処理室内に導入
される。そのため、このように処理室内への空気流れに
乗って処理室周囲に浮遊していたパーティクルが当該処
理室内に流れ込み、基板に付着するという問題が生じて
いる。また、Ｏリングの劣化、損傷等が生じた場合に
も、シールが部分的に不完全な状態となって同様の問題
が発生する。
れた直後、Ｏリングが充分に押し潰されずにシールが不
完全な状態となる場合があり、この状態で処理室内の減
圧が開始されると、処理室周囲の空気が処理室内に導入
される。そのため、このように処理室内への空気流れに
乗って処理室周囲に浮遊していたパーティクルが当該処
理室内に流れ込み、基板に付着するという問題が生じて
いる。また、Ｏリングの劣化、損傷等が生じた場合に
も、シールが部分的に不完全な状態となって同様の問題
が発生する。
【０００６】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたものであり、処理室内へのパーティクルの侵入を効
果的に抑えることができる基板処理装置を提供すること
を目的としている。
れたものであり、処理室内へのパーティクルの侵入を効
果的に抑えることができる基板処理装置を提供すること
を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、基台と、この基台と共働して基板の処理
室を形成する蓋体と、蓋体と基台の間をシールして前記
処理室を密閉するシール部材とを備え、前記処理室内に
基板を配置した状態で処理室内を減圧しながら基板に処
理を施すようにした基板処理装置において、前記基台、
シール部材及び蓋体と共働して前記処理室の周縁部分に
閉空間を形成する補助部材を設けるとともに、この閉空
間内を吸引排気する排気手段を設けたものである（請求
項１）。
に、本発明は、基台と、この基台と共働して基板の処理
室を形成する蓋体と、蓋体と基台の間をシールして前記
処理室を密閉するシール部材とを備え、前記処理室内に
基板を配置した状態で処理室内を減圧しながら基板に処
理を施すようにした基板処理装置において、前記基台、
シール部材及び蓋体と共働して前記処理室の周縁部分に
閉空間を形成する補助部材を設けるとともに、この閉空
間内を吸引排気する排気手段を設けたものである（請求
項１）。
【０００８】この基板処理装置によれば、蓋体と基台の
間のシールが不完全な状態で処理室内が減圧された場合
でも、処理室の周縁部分に形成された閉空間内が吸引排
気されることにより、装置周囲の空気及びパーティクル
が処理室内に侵入し難くなり、また、侵入したパーティ
クルは同時に侵入した空気とともに処理室の中心部に至
ることなく、閉空間を経由して装置外部に排気される。
間のシールが不完全な状態で処理室内が減圧された場合
でも、処理室の周縁部分に形成された閉空間内が吸引排
気されることにより、装置周囲の空気及びパーティクル
が処理室内に侵入し難くなり、また、侵入したパーティ
クルは同時に侵入した空気とともに処理室の中心部に至
ることなく、閉空間を経由して装置外部に排気される。
【０００９】この装置においては、前記補助部材を蓋体
の外周側に設けるのが好ましい（請求項２）。このよう
にすれば、蓋体と基台の間をシールするシール部材より
も外側に閉空間が形成される、つまり、処理室の外側に
閉空間が形成されるため、処理室内への装置周囲のパー
ティクルより効果的に抑えられる。
の外周側に設けるのが好ましい（請求項２）。このよう
にすれば、蓋体と基台の間をシールするシール部材より
も外側に閉空間が形成される、つまり、処理室の外側に
閉空間が形成されるため、処理室内への装置周囲のパー
ティクルより効果的に抑えられる。
【００１０】また、請求項１又は２の装置において、前
記補助部材と基台の間をシールして前記閉空間を密閉す
る補助シール部材を設けるようにすれば（請求項３）、
より確実に基板へのパーティクルの付着を防止すること
が可能となる。
記補助部材と基台の間をシールして前記閉空間を密閉す
る補助シール部材を設けるようにすれば（請求項３）、
より確実に基板へのパーティクルの付着を防止すること
が可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【００１２】図１は、本発明に係る基板処理装置の一の
実施の形態を示す断面概略図である。この装置は、減圧
状態下で基板にヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の
蒸気を供給して基板にアドヒージョン処理を施す装置
で、同図に示すように、角形基板１（以下、基板１とい
う）を支持する基台２と、この基台２に上方よりセット
されることによって基台２と共働して基板１に対してア
ドヒージョン処理を行う処理室を形成する蓋体１５と、
処理室内等を吸引排気して減圧する減圧系２０ａ，２０
ｂと、ＨＭＤＳ蒸気や窒素ガス等の供給系４０とを備え
た構成となっている。
実施の形態を示す断面概略図である。この装置は、減圧
状態下で基板にヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の
蒸気を供給して基板にアドヒージョン処理を施す装置
で、同図に示すように、角形基板１（以下、基板１とい
う）を支持する基台２と、この基台２に上方よりセット
されることによって基台２と共働して基板１に対してア
ドヒージョン処理を行う処理室を形成する蓋体１５と、
処理室内等を吸引排気して減圧する減圧系２０ａ，２０
ｂと、ＨＭＤＳ蒸気や窒素ガス等の供給系４０とを備え
た構成となっている。
【００１３】上記基台２は、中央部に基板１より若干大
きい角形の基板支持部３ａを有するとともに、その周囲
に基板支持部３ａよりも若干低い位置で基板支持部３ａ
を取り巻くように設けられたフランジ部３ｂを備えてい
る。基板支持部３ａの表面には、基板１を点で支持する
複数のプロキシミティボール５が所定の配置で設けられ
ているとともに、これらプロキシミティボール５の間に
上下方向に貫通する複数の貫通穴４が形成されており、
これら貫通穴４にリフトピン９がそれぞれ挿入されてい
る。
きい角形の基板支持部３ａを有するとともに、その周囲
に基板支持部３ａよりも若干低い位置で基板支持部３ａ
を取り巻くように設けられたフランジ部３ｂを備えてい
る。基板支持部３ａの表面には、基板１を点で支持する
複数のプロキシミティボール５が所定の配置で設けられ
ているとともに、これらプロキシミティボール５の間に
上下方向に貫通する複数の貫通穴４が形成されており、
これら貫通穴４にリフトピン９がそれぞれ挿入されてい
る。
【００１４】リフトピン９は、同図に示すように基台２
の下方に上下動可能に設けられた昇降プレート１０に立
設されるとともに、上下両端が昇降プレート１０及び基
台２にそれぞれ固定された伸縮自在なベローズ１１に挿
通されており、エアシリンダ等の図外の駆動手段の作動
による昇降プレート１０の上下動に応じて、基台２内の
退避位置（図中実線で示す位置）と、先端が基板支持部
３ａから突出してプロキシミティボール５の上方に達す
る突出位置（図中一点鎖線で示す位置）とに進退するよ
うになっている。
の下方に上下動可能に設けられた昇降プレート１０に立
設されるとともに、上下両端が昇降プレート１０及び基
台２にそれぞれ固定された伸縮自在なベローズ１１に挿
通されており、エアシリンダ等の図外の駆動手段の作動
による昇降プレート１０の上下動に応じて、基台２内の
退避位置（図中実線で示す位置）と、先端が基板支持部
３ａから突出してプロキシミティボール５の上方に達す
る突出位置（図中一点鎖線で示す位置）とに進退するよ
うになっている。
【００１５】基台２のフランジ部３ｂには、基台２と蓋
体１５との間をシールするＯリング６（シール部材）が
その表面に固定されているとともに、このＯリング６を
挟んで基台２の内側と外側にそれぞれ上下方向に貫通す
る複数の排気通路７，８が形成されている。
体１５との間をシールするＯリング６（シール部材）が
その表面に固定されているとともに、このＯリング６を
挟んで基台２の内側と外側にそれぞれ上下方向に貫通す
る複数の排気通路７，８が形成されている。
【００１６】一方、上記蓋体１５は、基台２の上方側で
昇降可能に支持されている。具体的には、サーボモータ
（図示省略）により回転駆動される鉛直方向に伸びる一
対のボールねじ軸１７が基台２の側方にそれぞれ配設さ
れ、この蓋体１５の側部に一体に形成されたナット部分
１６にボールねじ軸１７が螺合挿入されている。そし
て、これらのボールねじ軸１７が回転駆動されることに
より、蓋体１５がボールねじ軸１７に沿って上下方向に
移動するようになっている。
昇降可能に支持されている。具体的には、サーボモータ
（図示省略）により回転駆動される鉛直方向に伸びる一
対のボールねじ軸１７が基台２の側方にそれぞれ配設さ
れ、この蓋体１５の側部に一体に形成されたナット部分
１６にボールねじ軸１７が螺合挿入されている。そし
て、これらのボールねじ軸１７が回転駆動されることに
より、蓋体１５がボールねじ軸１７に沿って上下方向に
移動するようになっている。
【００１７】蓋体１５は、基本的には下方に開口する断
面逆Ｕ字型の蓋体であり、上記ボールねじ軸１７の回転
駆動により下降端位置まで移動させられて基台２にセッ
トされ、この際、側壁１５ａの下端部がＯリング６に圧
接されることにより密閉された基板１の処理室を形成す
るようになっている。
面逆Ｕ字型の蓋体であり、上記ボールねじ軸１７の回転
駆動により下降端位置まで移動させられて基台２にセッ
トされ、この際、側壁１５ａの下端部がＯリング６に圧
接されることにより密閉された基板１の処理室を形成す
るようになっている。
【００１８】蓋体１５の側壁１５ａの外側には略水平に
伸びて下方に垂下する断面逆Ｌ字型のつば部１８（補助
部材）が蓋体１５の全周にわたって設けられており、こ
れにより蓋体１５の周囲に下方に向かって開口する環状
の中空部分を形成している。そして、上述のように蓋体
１５が基台２上にセットされと、このつば部１８、側壁
１５ａ、Ｏリング６及び基台２によって処理室の周囲に
環状の閉空間が形成され、図２及び図３に示すように、
上記フランジ部３ｂに形成されたＯリング６よりも外側
の排気通路８がこの空間内に開口するようになってい
る。なお、つば部１８の先端部は、蓋体１５が基台２に
セットされた状態で、基台２との間に微小なすき間（例
えば、０．５mm程度）を生じるように形成されている。
伸びて下方に垂下する断面逆Ｌ字型のつば部１８（補助
部材）が蓋体１５の全周にわたって設けられており、こ
れにより蓋体１５の周囲に下方に向かって開口する環状
の中空部分を形成している。そして、上述のように蓋体
１５が基台２上にセットされと、このつば部１８、側壁
１５ａ、Ｏリング６及び基台２によって処理室の周囲に
環状の閉空間が形成され、図２及び図３に示すように、
上記フランジ部３ｂに形成されたＯリング６よりも外側
の排気通路８がこの空間内に開口するようになってい
る。なお、つば部１８の先端部は、蓋体１５が基台２に
セットされた状態で、基台２との間に微小なすき間（例
えば、０．５mm程度）を生じるように形成されている。
【００１９】上記減圧系は、図１に示すように二系統設
けられている。具体的には処理室内を減圧するための減
圧系２０ａと、つば部１８等により処理室の周囲に形成
される閉空間内を減圧する減圧系２０ｂとが設けられて
いる。
けられている。具体的には処理室内を減圧するための減
圧系２０ａと、つば部１８等により処理室の周囲に形成
される閉空間内を減圧する減圧系２０ｂとが設けられて
いる。
【００２０】これらの減圧系２０ａ，２０ｂは同一の構
成となっており、同図に示すように、アスピレータ２１
と、このアスピレータ２１に接続されて上流側が図外の
流体供給源に至る流体供給管２２と、下流側がアスピレ
ータ２１に接続される一方、上流側が分岐してそれぞれ
上記排気通路７又は排気通路８に至る排気管２４とを備
えており、流体供給管２２及び排気管２４には、それぞ
れ開閉バルブ２３，２５ａ，２５ｂが介設されている。
そして、流体供給管２２を介して各アスピレータ２１に
流体が供給されることにより、減圧系２０ａにおいて
は、排気管２４及び排気通路８を介して上記処理室内を
吸引排気し、減圧系２０ｂにおいては、排気管２４及び
排気通路７を介して上記閉空間を吸引排気するようにな
っている。
成となっており、同図に示すように、アスピレータ２１
と、このアスピレータ２１に接続されて上流側が図外の
流体供給源に至る流体供給管２２と、下流側がアスピレ
ータ２１に接続される一方、上流側が分岐してそれぞれ
上記排気通路７又は排気通路８に至る排気管２４とを備
えており、流体供給管２２及び排気管２４には、それぞ
れ開閉バルブ２３，２５ａ，２５ｂが介設されている。
そして、流体供給管２２を介して各アスピレータ２１に
流体が供給されることにより、減圧系２０ａにおいて
は、排気管２４及び排気通路８を介して上記処理室内を
吸引排気し、減圧系２０ｂにおいては、排気管２４及び
排気通路７を介して上記閉空間を吸引排気するようにな
っている。
【００２１】上記供給系４０は、その下流側が蓋体１５
の中央付近に形成された開口４６に接続された供給配管
４１を備えている。この供給配管４１の上流側は分岐し
ており、この分岐した一方側にはＨＭＳＤ用配管４２が
接続され、他方側には窒素ガス用配管４３が接続されて
いる。ＨＭＳＤ用配管４２の上流側は、開閉バルブ４４
を介して図外のＨＭＳＤ供給用タンクに接続されてい
る。また、窒素ガス用配管４３の上流側は、開閉バルブ
４５を介して図外の窒素ガス供給源に接続されてる。
の中央付近に形成された開口４６に接続された供給配管
４１を備えている。この供給配管４１の上流側は分岐し
ており、この分岐した一方側にはＨＭＳＤ用配管４２が
接続され、他方側には窒素ガス用配管４３が接続されて
いる。ＨＭＳＤ用配管４２の上流側は、開閉バルブ４４
を介して図外のＨＭＳＤ供給用タンクに接続されてい
る。また、窒素ガス用配管４３の上流側は、開閉バルブ
４５を介して図外の窒素ガス供給源に接続されてる。
【００２２】次に、上記装置による基板の処理動作につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２３】上記装置では、まず、図１に示すように蓋
体１５が上昇端位置に保持された状態で基板１が図外の
搬送装置により搬入される。このとき、リフトピン９は
突出位置に位置決めされており、搬入された基板１がこ
れらリフトピン９によって支持される。そして、リフト
ピン９が突出位置から退避位置に変位することにより基
板１がリフトピン９から基板支持部３ａ上のプロキシミ
ティボール５に移載される。なお、基板１の搬入の際に
は、各減圧系２０ａ，２０ｂの開閉バルブ２３は開か
れ、開閉バルブ２５は閉じられている。
体１５が上昇端位置に保持された状態で基板１が図外の
搬送装置により搬入される。このとき、リフトピン９は
突出位置に位置決めされており、搬入された基板１がこ
れらリフトピン９によって支持される。そして、リフト
ピン９が突出位置から退避位置に変位することにより基
板１がリフトピン９から基板支持部３ａ上のプロキシミ
ティボール５に移載される。なお、基板１の搬入の際に
は、各減圧系２０ａ，２０ｂの開閉バルブ２３は開か
れ、開閉バルブ２５は閉じられている。
【００２４】基板１が基板支持部３ａ上に載置される
と、ボールねじ軸１７が回転駆動されることにより蓋体
１５が下降端位置まで移動させられて基台２上にセット
される。これにより、図３に示すように処理室Ｓａが形
成されて基板支持部３ａに載置された基板１がこの処理
室Ｓａ内に配置されるとともに、処理室Ｓａの周囲に環
状の閉空間Ｓｂが形成される。
と、ボールねじ軸１７が回転駆動されることにより蓋体
１５が下降端位置まで移動させられて基台２上にセット
される。これにより、図３に示すように処理室Ｓａが形
成されて基板支持部３ａに載置された基板１がこの処理
室Ｓａ内に配置されるとともに、処理室Ｓａの周囲に環
状の閉空間Ｓｂが形成される。
【００２５】また、蓋体１５が下降端位置に達するタイ
ミングで各減圧系２０ａ，２０ｂの開閉バルブ２５ａ，
２５ｂが開かれ、処理室Ｓａ及び閉空間Ｓｂ内の吸引排
気が開始される。この際、閉空間Ｓｂ内の吸引排気が開
始されると、蓋体１５の周囲の空気がつば部１８と基台
２とのすき間から閉空間Ｓｂ内に導入されつつ排気通路
８を介して装置外部に排気される。そのため、仮に蓋体
１５のセット直後、Ｏリング６によるシールが不完全な
ままで処理室Ｓａ内の減圧が開始された場合でも処理室
Ｓａ内へのパーティクルの侵入が効果的に阻止される。
ミングで各減圧系２０ａ，２０ｂの開閉バルブ２５ａ，
２５ｂが開かれ、処理室Ｓａ及び閉空間Ｓｂ内の吸引排
気が開始される。この際、閉空間Ｓｂ内の吸引排気が開
始されると、蓋体１５の周囲の空気がつば部１８と基台
２とのすき間から閉空間Ｓｂ内に導入されつつ排気通路
８を介して装置外部に排気される。そのため、仮に蓋体
１５のセット直後、Ｏリング６によるシールが不完全な
ままで処理室Ｓａ内の減圧が開始された場合でも処理室
Ｓａ内へのパーティクルの侵入が効果的に阻止される。
【００２６】こうして処理室Ｓａ内が所定圧力まで減圧
されると、減圧系２０ａの開閉バルブ２５ａが閉じられ
る。次に、供給系４０の開閉バルブ４５が閉じられた状
態で開閉バルブ４４が開けられ、図外のＨＭＤＳ供給用
タンクからＨＭＤＳ用配管４２、供給配管４１及び開口
４６を介して処理室Ｓａ内にＨＭＤＳ蒸気が導入され
る。そして、所定時間経過後、供給系４０の開閉バルブ
４４が閉じられるとともに、開閉バルブ４５が開けられ
て、図外の窒素ガス供給源から窒素ガス用配管４３、供
給配管４１及び開口４６を介して窒素ガスが処理室Ｓａ
内に導入されるとともに、減圧系２０ａの開閉バルブ２
５ａが開けられ、処理室Ｓａ内のＨＭＤＳ上記が排気通
路７から排出されて、処理室Ｓａ内の雰囲気がＨＭＤＳ
蒸気から窒素ガスに置換される。
されると、減圧系２０ａの開閉バルブ２５ａが閉じられ
る。次に、供給系４０の開閉バルブ４５が閉じられた状
態で開閉バルブ４４が開けられ、図外のＨＭＤＳ供給用
タンクからＨＭＤＳ用配管４２、供給配管４１及び開口
４６を介して処理室Ｓａ内にＨＭＤＳ蒸気が導入され
る。そして、所定時間経過後、供給系４０の開閉バルブ
４４が閉じられるとともに、開閉バルブ４５が開けられ
て、図外の窒素ガス供給源から窒素ガス用配管４３、供
給配管４１及び開口４６を介して窒素ガスが処理室Ｓａ
内に導入されるとともに、減圧系２０ａの開閉バルブ２
５ａが開けられ、処理室Ｓａ内のＨＭＤＳ上記が排気通
路７から排出されて、処理室Ｓａ内の雰囲気がＨＭＤＳ
蒸気から窒素ガスに置換される。
【００２７】上述のように処理室Ｓａ内が減圧されてか
ら処理室Ｓａ内の雰囲気が窒素ガスに置換されるまでの
間において、減圧系２０ｂの開閉バルブ２５ｂは常に開
けられた状態であり、閉空間Ｓｂに対しては継続して排
気通路８からの吸引排気が行われている。
ら処理室Ｓａ内の雰囲気が窒素ガスに置換されるまでの
間において、減圧系２０ｂの開閉バルブ２５ｂは常に開
けられた状態であり、閉空間Ｓｂに対しては継続して排
気通路８からの吸引排気が行われている。
【００２８】上述のように処理室Ｓａ内の雰囲気が窒素
ガスに置換されると、各開閉バルブ２５ａ，２５ｂが閉
じられて処理室Ｓａ及び閉空間Ｓｂ内の吸引排気が停止
され、その後、上記ボールねじ軸１７が反転駆動されて
蓋体１５が上昇端基板１まで移動させられるとともに、
リフトピン９が突出位置へと変位し、これにより基板１
が基板支持部３ａからリフトアップされる。そして、上
記搬送装置により基板１が次工程へと搬出されることに
より、当該装置による処理動作が終了する。
ガスに置換されると、各開閉バルブ２５ａ，２５ｂが閉
じられて処理室Ｓａ及び閉空間Ｓｂ内の吸引排気が停止
され、その後、上記ボールねじ軸１７が反転駆動されて
蓋体１５が上昇端基板１まで移動させられるとともに、
リフトピン９が突出位置へと変位し、これにより基板１
が基板支持部３ａからリフトアップされる。そして、上
記搬送装置により基板１が次工程へと搬出されることに
より、当該装置による処理動作が終了する。
【００２９】このように上記構成の基板処理装置では、
処理室Ｓａの周囲に閉空間Ｓｂが形成され、この閉空間
Ｓｂ内が吸引排気されることにより処理室Ｓａ内への装
置周囲の空気の侵入が抑えられるようになっているた
め、従来のこの種の装置のように、蓋体のセット直後
に、装置周囲の空気が処理室Ｓａに流れ込み、これに含
まれるパーティクルが基板に付着するという事態の発生
を効果的に阻止することができる。また、蓋体のセット
直後に拘らず、例えば、Ｏリング６に劣化、損傷等が生
じ、こによりＯリング６のシール状態が不完全となるよ
うな場合でも、同様に処理室Ｓａ内へのパーティクルの
侵入を防止することができる。
処理室Ｓａの周囲に閉空間Ｓｂが形成され、この閉空間
Ｓｂ内が吸引排気されることにより処理室Ｓａ内への装
置周囲の空気の侵入が抑えられるようになっているた
め、従来のこの種の装置のように、蓋体のセット直後
に、装置周囲の空気が処理室Ｓａに流れ込み、これに含
まれるパーティクルが基板に付着するという事態の発生
を効果的に阻止することができる。また、蓋体のセット
直後に拘らず、例えば、Ｏリング６に劣化、損傷等が生
じ、こによりＯリング６のシール状態が不完全となるよ
うな場合でも、同様に処理室Ｓａ内へのパーティクルの
侵入を防止することができる。
【００３０】なお、上記実施形態の装置は、本発明に係
る基板処理装置の一の実施の形態であって、その具体的
な構成は本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能
である。
る基板処理装置の一の実施の形態であって、その具体的
な構成は本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能
である。
【００３１】例えば、上記装置の蓋体１５では、処理室
Ｓａの周囲に連続した環状の閉空間Ｓｂを形成するよう
にしているが、図４に示すように、側壁１５ａとつば部
１８との間にリブ３０を設けることにより複数の閉空間
Ｓｂ（図示の例では２つの閉空間Ｓｂ）を形成して処理
室Ｓａを囲むようにしてもよい。この場合には、各閉空
間Ｓｂに対して排気通路８を開口させるようにすればよ
い。とりわけ、大型の基板１を処理するような装置で
は、図５に示すように、多くの閉空間Ｓｂ（図示の例で
は４つの閉空間Ｓｂ）を形成し、各閉空間Ｓｂに対して
複数の排気通路８を開口させるのが好ましい。
Ｓａの周囲に連続した環状の閉空間Ｓｂを形成するよう
にしているが、図４に示すように、側壁１５ａとつば部
１８との間にリブ３０を設けることにより複数の閉空間
Ｓｂ（図示の例では２つの閉空間Ｓｂ）を形成して処理
室Ｓａを囲むようにしてもよい。この場合には、各閉空
間Ｓｂに対して排気通路８を開口させるようにすればよ
い。とりわけ、大型の基板１を処理するような装置で
は、図５に示すように、多くの閉空間Ｓｂ（図示の例で
は４つの閉空間Ｓｂ）を形成し、各閉空間Ｓｂに対して
複数の排気通路８を開口させるのが好ましい。
【００３２】また、上記装置では、処理室Ｓａ及び閉空
間Ｓｂに対して独立した減圧系を設けているが、勿論、
１つの減圧系を共通して用いるようにして減圧系の簡素
化を図るようにしてもよい。但し、大型基板向けの処理
装置等、処理室Ｓａや閉空間Ｓｂの容積を大きくする必
要がある装置では、強力な吸引排気力が要求されるた
め、このような装置では、処理室Ｓａ及び閉空間Ｓｂの
減圧系を上記実施形態の装置のようにそれぞれ独立して
設けるのが好ましい。また、処理内容等の諸条件によっ
ては、処理室Ｓａ及び閉空間Ｓｂ内の吸引排気を個別に
管理することが要求される場合もあるので、このような
装置については、上記実施形態のような独立した減圧系
を採用する方が都合がよい。
間Ｓｂに対して独立した減圧系を設けているが、勿論、
１つの減圧系を共通して用いるようにして減圧系の簡素
化を図るようにしてもよい。但し、大型基板向けの処理
装置等、処理室Ｓａや閉空間Ｓｂの容積を大きくする必
要がある装置では、強力な吸引排気力が要求されるた
め、このような装置では、処理室Ｓａ及び閉空間Ｓｂの
減圧系を上記実施形態の装置のようにそれぞれ独立して
設けるのが好ましい。また、処理内容等の諸条件によっ
ては、処理室Ｓａ及び閉空間Ｓｂ内の吸引排気を個別に
管理することが要求される場合もあるので、このような
装置については、上記実施形態のような独立した減圧系
を採用する方が都合がよい。
【００３３】さらに、上記装置では、蓋体１５の側壁１
５ａ外側につば部１８を形成するようにしている、つま
り、処理室Ｓａの外側に閉空間Ｓｂを形成するようにし
ているが、例えば、図６に示すように側壁１５ａの内側
につば部１８を形成し、これにより処理室Ｓａ内に閉空
間Ｓｂを設けるようにしてもよい。この場合、同図に示
すようにＯリング６の内側に排気通路８を設けるように
すればよい。この構成では、装置周囲の空気が処理室Ｓ
ａ内に導入されるが、空気は処理室Ｓａの中心部に至る
ことなく直接閉空間Ｓｂ内を経由して排気通路８を介し
て外部に排気されるため、処理室Ｓａ内に導入された空
気中のパーティクルは、上記空気とともに外部に排気さ
れる。従って、基板１へのパーティクルの飛来を防止す
ることができ、このような構成を採用しても、上記実施
形態の装置同様の効果を得ることができる。
５ａ外側につば部１８を形成するようにしている、つま
り、処理室Ｓａの外側に閉空間Ｓｂを形成するようにし
ているが、例えば、図６に示すように側壁１５ａの内側
につば部１８を形成し、これにより処理室Ｓａ内に閉空
間Ｓｂを設けるようにしてもよい。この場合、同図に示
すようにＯリング６の内側に排気通路８を設けるように
すればよい。この構成では、装置周囲の空気が処理室Ｓ
ａ内に導入されるが、空気は処理室Ｓａの中心部に至る
ことなく直接閉空間Ｓｂ内を経由して排気通路８を介し
て外部に排気されるため、処理室Ｓａ内に導入された空
気中のパーティクルは、上記空気とともに外部に排気さ
れる。従って、基板１へのパーティクルの飛来を防止す
ることができ、このような構成を採用しても、上記実施
形態の装置同様の効果を得ることができる。
【００３４】また、上記装置では、つば部１８と基台２
との間にすき間を形成し、これにより蓋体１５周囲の雰
囲気を積極的に閉空間Ｓｂ内に導入するようにしている
が、例えば、図７に示すように、基台２にさらに別のシ
ール部材５０（補助シール部材）を設け、つば部１８と
基台２との間をシールして密閉な閉空間Ｓｂを形成する
ようにしてもよい。このようにすれば、閉空間Ｓｂ内へ
の雰囲気の導入が阻止されるため、より効果的に処理室
Ｓａ内へのパーティクルの侵入を阻止することができ
る。
との間にすき間を形成し、これにより蓋体１５周囲の雰
囲気を積極的に閉空間Ｓｂ内に導入するようにしている
が、例えば、図７に示すように、基台２にさらに別のシ
ール部材５０（補助シール部材）を設け、つば部１８と
基台２との間をシールして密閉な閉空間Ｓｂを形成する
ようにしてもよい。このようにすれば、閉空間Ｓｂ内へ
の雰囲気の導入が阻止されるため、より効果的に処理室
Ｓａ内へのパーティクルの侵入を阻止することができ
る。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、基台
と、この基台と共働して基板の処理室を形成する蓋体
と、蓋体と基台の間をシールして前記処理室を密閉する
シール部材とを備え、前記処理室内に基板を配置した状
態で処理室内を減圧しながら基板に処理を施すようにし
た基板処理装置において、前記基台、シール部材及び蓋
体と共働して前記処理室の周縁部分に閉空間を形成する
補助部材を設けるとともに、この閉空間内を吸引排気す
る排気手段を設けたので、蓋体と基台の間のシールが不
完全な状態で処理室内が減圧された場合でも、装置周囲
のパーティクル及び空気の処理室内への侵入を防止し、
また、侵入したパーティクル及び空気が基板に至るの防
止するこができる。そのため、従来のこの種の装置のよ
うに、蓋体のセット直後、その周囲の空気が処理室内に
流れ込み基板にパーティクルが付着するという事態の発
生を効果的に回避することができる。また、シール部材
に劣化、損傷等が生じてシール状態が不完全となるよう
な場合にも同様の効果を得ることができる。
と、この基台と共働して基板の処理室を形成する蓋体
と、蓋体と基台の間をシールして前記処理室を密閉する
シール部材とを備え、前記処理室内に基板を配置した状
態で処理室内を減圧しながら基板に処理を施すようにし
た基板処理装置において、前記基台、シール部材及び蓋
体と共働して前記処理室の周縁部分に閉空間を形成する
補助部材を設けるとともに、この閉空間内を吸引排気す
る排気手段を設けたので、蓋体と基台の間のシールが不
完全な状態で処理室内が減圧された場合でも、装置周囲
のパーティクル及び空気の処理室内への侵入を防止し、
また、侵入したパーティクル及び空気が基板に至るの防
止するこができる。そのため、従来のこの種の装置のよ
うに、蓋体のセット直後、その周囲の空気が処理室内に
流れ込み基板にパーティクルが付着するという事態の発
生を効果的に回避することができる。また、シール部材
に劣化、損傷等が生じてシール状態が不完全となるよう
な場合にも同様の効果を得ることができる。
【００３６】この装置においては、補助部材を蓋体の外
周側に設けるのが好ましい。このようにすれば、蓋体と
基台の間をシールするシール部材よりも外側に閉空間が
形成される、つまり、処理室の外側に閉空間が形成され
るため、処理室内への装置周囲のパーティクルの侵入を
効果的に抑えることができる。
周側に設けるのが好ましい。このようにすれば、蓋体と
基台の間をシールするシール部材よりも外側に閉空間が
形成される、つまり、処理室の外側に閉空間が形成され
るため、処理室内への装置周囲のパーティクルの侵入を
効果的に抑えることができる。
【００３７】また、前記補助部材と基台の間をシールし
て前記閉空間を密閉するシール部材を設けるようにすれ
ば、より確実に基板へのパーティクルの付着を防止する
ことができる。
て前記閉空間を密閉するシール部材を設けるようにすれ
ば、より確実に基板へのパーティクルの付着を防止する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の一の実施の形態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】蓋体の構成を示す図１におけるＡ−Ａ断面図で
ある。
ある。
【図３】蓋体をセットした状態を示す基板処理装置の断
面図である。
面図である。
【図４】つば部により形成される閉空間の他の実施の形
態を示す図２に対応する図である。
態を示す図２に対応する図である。
【図５】つば部により形成される閉空間の別の実施の形
態を示す図２に対応する図である。
態を示す図２に対応する図である。
【図６】本発明に係る基板処理装置のさらに別の実施の
形態を示す断面図（蓋体をセットした状態）である。
形態を示す断面図（蓋体をセットした状態）である。
【図７】本発明に係る基板処理装置のさらに別の実施の
形態を示す断面図（蓋体をセットした状態）である。
形態を示す断面図（蓋体をセットした状態）である。
１ 基板 ２ 基台 ３ａ 基板支持部 ３ｂ フランジ部 ５ プロキシミティボール ６ Ｏリング ７，８ 排気通路 １５ 蓋体 １８ つば部 ２０ａ，２０ｂ 減圧系 ２１ アスピレータ ２４ 排気管 ４０ 供給系 ５０ シール部材（補助シール部材） Ｓａ 処理室 Ｓｂ 閉空間
Claims (3)
- 【請求項１】 基台と、この基台と共働して基板の処理
室を形成する蓋体と、蓋体と基台の間をシールして前記
処理室を密閉するシール部材とを備え、前記処理室内に
基板を配置した状態で処理室内を減圧しながら基板に処
理を施すようにした基板処理装置において、前記基台、
シール部材及び蓋体と共働して前記処理室の周縁部分に
閉空間を形成する補助部材を設けるとともに、この閉空
間内を吸引排気する排気手段を設けたことを特徴とする
基板処理装置。 - 【請求項２】 前記補助部材を蓋体の外周側に設けたこ
とを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。 - 【請求項３】 前記補助部材と基台の間をシールして前
記閉空間を密閉する補助シール部材を設けたことを特徴
とする請求項１又は２記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10727997A JPH10303099A (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10727997A JPH10303099A (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303099A true JPH10303099A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14455053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10727997A Withdrawn JPH10303099A (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10303099A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007118007A (ja) * | 2001-09-19 | 2007-05-17 | Tokyo Electron Ltd | 減圧乾燥装置及び塗布膜形成方法 |
| US7361905B2 (en) | 2003-04-10 | 2008-04-22 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Substrate processing apparatus and maintenance method therefor |
| JP2008225493A (ja) * | 2000-11-30 | 2008-09-25 | Fujitsu Ltd | プレス装置 |
| JP2009188411A (ja) * | 2009-03-06 | 2009-08-20 | Tokyo Electron Ltd | シリル化処理方法、シリル化処理装置およびエッチング処理システム |
| KR100968316B1 (ko) * | 2003-02-07 | 2010-07-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| US8128768B2 (en) | 2000-11-30 | 2012-03-06 | Fujitsu Limited | Apparatus for manufacturing bonded substrate |
| KR101241933B1 (ko) * | 2010-02-25 | 2013-03-11 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 열처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP2020096061A (ja) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 処理チャンバおよび基板処理装置 |
| JP2021047335A (ja) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
-
1997
- 1997-04-24 JP JP10727997A patent/JPH10303099A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008225493A (ja) * | 2000-11-30 | 2008-09-25 | Fujitsu Ltd | プレス装置 |
| US8128768B2 (en) | 2000-11-30 | 2012-03-06 | Fujitsu Limited | Apparatus for manufacturing bonded substrate |
| JP2007118007A (ja) * | 2001-09-19 | 2007-05-17 | Tokyo Electron Ltd | 減圧乾燥装置及び塗布膜形成方法 |
| KR100968316B1 (ko) * | 2003-02-07 | 2010-07-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| US7361905B2 (en) | 2003-04-10 | 2008-04-22 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Substrate processing apparatus and maintenance method therefor |
| JP2009188411A (ja) * | 2009-03-06 | 2009-08-20 | Tokyo Electron Ltd | シリル化処理方法、シリル化処理装置およびエッチング処理システム |
| KR101241933B1 (ko) * | 2010-02-25 | 2013-03-11 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 열처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US8734148B2 (en) | 2010-02-25 | 2014-05-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Heat treatment apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2020096061A (ja) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 処理チャンバおよび基板処理装置 |
| JP2021047335A (ja) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040706 |