JP2010010302A - 真空処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】容器本体の上部開口部を塞ぐ蓋体を開いて処理容器に対して被処理体の搬入出を行うにあたり、処理容器内への水分やパーティクルの混入量を低減すること。
【解決手段】内部に被処理体をなす基板Sの載置台3を備えた容器本体21と、この容器本体21の上部開口部を塞ぐ蓋体22とにより構成された処理容器20において、前記基板Sを処理容器20に対して搬入あるいは搬出するために蓋体22と容器本体21との間に隙間を形成したときに、少なくとも基板Sの搬入出領域を除いた領域において前記隙間を覆うように、処理容器20の外周面に周方向に沿ってカバー部材5を設ける。
【選択図】図1
Description
以上において本発明においては、処理容器20と大気雰囲気との間にて基板の受け渡しを行う構成には限られず、処理容器20と真空雰囲気の搬送室との間で基板の受け渡しを行なう構成にも適用できる。プラズマ発生方式については、上述の例に限らない。また上部電極34に高周波を供給するように構成してもよいし、載置台3に2種類の高周波を供給する構成としてもよい。さらにまた被処理体としては、FPD被処理体やLCD被処理体等の角型基板の他、半導体ウエハであってもよく、例えば半導体ウエハを処理する真空処理装置では、処理容器は円筒形状に形成される。
21 容器本体
22 蓋体
23 昇降機構
24 搬入出用開口部
26 真空ポンプ
3 載置台(下部電極)
34 処理ガス供給部(上部電極)
5 カバー部材
53 排気路
54 排気ポンプ
6 カバーシート
9 カバー規制プレート
S 被処理体
Claims (13)
- 内部に被処理体の載置台を備えた容器本体と、この容器本体の上部開口部を塞ぐ蓋体とにより構成された処理容器と、
前記蓋体と容器本体との間に、前記被処理体を処理容器に対して搬入あるいは搬出するための隙間を形成するために、前記蓋体を容器本体に対して相対的に昇降させる昇降機構と、
前記処理容器内を真空排気するための真空排気手段と、
前記被処理体を処理容器に対して搬入あるいは搬出するために蓋体と容器本体との間に隙間を形成したときに、少なくとも被処理体の搬入出領域を除いた領域において前記隙間を覆うように処理容器の外周面に周方向に沿って設けられたカバー部材と、を備えたことを特徴とする真空処理装置。 - 前記隙間を形成したときに、前記処理容器とカバー部材との間の空間を、処理容器内の圧力よりも陰圧になるように排気するための手段を備えることを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。
- 前記被処理体の搬入出領域にはカバー部材が設けられていないことを特徴とする請求項1又は2記載の真空処理装置。
- 前記カバー部材は前記処理容器の周囲全体に設けられ、このカバー部材に被処理体の搬入出口が形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の真空処理装置。
- 前記カバー部材は、処理容器から外方側に突出し更に屈曲されて当該処理容器の外周面と対向するように構成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一に記載の真空処理装置。
- 前記カバー部材は剛性部材により構成されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一に記載の真空処理装置。
- 前記カバー部材は可撓性部材により構成され、上縁側及び下縁側が夫々蓋体及び容器本体に固定されていることを特徴とする請求項1、2又は4記載の真空処理装置。
- 前記可撓性部材における上縁側及び下縁側の少なくとも一方にはシール材が設けられ、このシール材は蓋体及び容器本体の接合部に介在していることを特徴とする請求項7記載の真空処理装置。
- 前記処理容器内は真空雰囲気とされ、
前記シール材は前記処理容器内を気密に保持するための真空用シール材を兼用していることを特徴とする請求項8記載の真空処理装置。 - 前記可撓性部材における上縁側及び下縁側の少なくとも一方に設けられた取り付け部材と、
処理容器に固定された固定部材と、
この固定部材及び前記取り付け部材の少なくとも一方側に設けられると共に他方側に着脱自在に係合して、この取り付け部材を処理容器の外周面に押圧する状態及びその押圧を解除する状態の一方を選択する操作機構と、を備えたことを特徴とする請求項7記載の真空処理装置。 - 前記処理容器に周方向に沿って設けられ、前記可撓性部材の形状を規制するための規制部材を備えたことを特徴とする請求項7ないし10のいずれか一に記載の真空処理装置。
- 前記処理容器とカバー部材との間の空間に乾燥用ガスを供給するための手段を備えたことを特徴とする請求項1ないし11のいずれか一に記載の真空処理装置。
- 前記処理容器に対しては、大気雰囲気との間で基板の受け渡しが行われることを特徴とする請求項1ないし12のいずれか一に記載の真空処理装置。
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