JPH06151365A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH06151365A JPH06151365A JP30392392A JP30392392A JPH06151365A JP H06151365 A JPH06151365 A JP H06151365A JP 30392392 A JP30392392 A JP 30392392A JP 30392392 A JP30392392 A JP 30392392A JP H06151365 A JPH06151365 A JP H06151365A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pipe
- vacuum chamber
- gap
- ring
- seal ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ処理装置の真空チャンバ内で生成す
るラジカルによるＯリングの腐食を防止する。 【構成】 真空チャンバ１は、上部筐体１ａと下部筐体
１ｂとで構成され、それらの隙間には、Ｏリング１１が
介装されている。Ｏリング１１の近傍には配管１２の一
端が配置され、配管１２の他端は排気管１０に接続され
ている。プラズマ雰囲気中で生成し、上部筐体１ａと下
部筐体１ｂとの隙間に入り込んだラジカルは、Ｏリング
１１の近傍の配管１２から吸引されて外部に排出される
ため、ラジカルとＯリング１１との接触が回避される。
るラジカルによるＯリングの腐食を防止する。 【構成】 真空チャンバ１は、上部筐体１ａと下部筐体
１ｂとで構成され、それらの隙間には、Ｏリング１１が
介装されている。Ｏリング１１の近傍には配管１２の一
端が配置され、配管１２の他端は排気管１０に接続され
ている。プラズマ雰囲気中で生成し、上部筐体１ａと下
部筐体１ｂとの隙間に入り込んだラジカルは、Ｏリング
１１の近傍の配管１２から吸引されて外部に排出される
ため、ラジカルとＯリング１１との接触が回避される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程などに
おいて使用されるプラズマエッチング装置やプラズマＣ
ＶＤ装置などのプラズマ処理装置に適用して有効な技術
に関するものである。
おいて使用されるプラズマエッチング装置やプラズマＣ
ＶＤ装置などのプラズマ処理装置に適用して有効な技術
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマエッチング装置の一例を
図３に示す。このプラズマエッチング装置の真空チャン
バ１内には、半導体ウエハ２を支持するサセプタ３が設
置されている。このサセプタ３とその上方に設置された
シャワー電極４との間には、ＲＦ電源５より所定の電圧
が印加され、半導体ウエハ２の上方にプラズマ雰囲気が
形成されるようになっている。
図３に示す。このプラズマエッチング装置の真空チャン
バ１内には、半導体ウエハ２を支持するサセプタ３が設
置されている。このサセプタ３とその上方に設置された
シャワー電極４との間には、ＲＦ電源５より所定の電圧
が印加され、半導体ウエハ２の上方にプラズマ雰囲気が
形成されるようになっている。
【０００３】真空チャンバ１の上部にはガス供給管６の
一端が接続され、外部のエッチャント供給源７，８から
塩素、ＮＦ3 などのエッチャントが、またパージガス供
給源９から窒素などのパージガスがそれぞれシャワー電
極４の隙間を通って真空チャンバ１内に供給されるよう
になっている。
一端が接続され、外部のエッチャント供給源７，８から
塩素、ＮＦ3 などのエッチャントが、またパージガス供
給源９から窒素などのパージガスがそれぞれシャワー電
極４の隙間を通って真空チャンバ１内に供給されるよう
になっている。
【０００４】真空チャンバ１の底部には、外部の真空ポ
ンプ（図示せず）に接続された排気管１０の一端が接続
されており、真空チャンバ１内の不要となったガスを外
部に排出したり、真空チャンバ１内を所定の真空度に維
持したりすることができるようになっている。
ンプ（図示せず）に接続された排気管１０の一端が接続
されており、真空チャンバ１内の不要となったガスを外
部に排出したり、真空チャンバ１内を所定の真空度に維
持したりすることができるようになっている。
【０００５】真空チャンバ１は、その内部を定期的にク
リーニングできるようにするため、上部筐体１ａと下部
筐体１ｂとに二分割されており、それらの隙間には、真
空チャンバ１内の気密を維持するためのＯリング１１が
介装されている。
リーニングできるようにするため、上部筐体１ａと下部
筐体１ｂとに二分割されており、それらの隙間には、真
空チャンバ１内の気密を維持するためのＯリング１１が
介装されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な構成のプラズマエッチング装置においては、真空チャ
ンバ内のプラズマ雰囲気中で生成した〔Ｆ・〕などのラ
ジカルの一部が上部筐体と下部筐体との僅かな隙間（通
常２〜３mm程度）に入り込んでゴム製のＯリングを腐食
させてしまうという問題がある。
な構成のプラズマエッチング装置においては、真空チャ
ンバ内のプラズマ雰囲気中で生成した〔Ｆ・〕などのラ
ジカルの一部が上部筐体と下部筐体との僅かな隙間（通
常２〜３mm程度）に入り込んでゴム製のＯリングを腐食
させてしまうという問題がある。
【０００７】その対策として、この隙間の近傍に遮蔽板
を設けてラジカルが隙間に入り込むのを阻止することも
考えられるが、この対策は、真空チャンバ内の構造が複
雑になったり、遮蔽板の表面に付着した生成物がウエハ
の汚染源になったりするという問題がある。
を設けてラジカルが隙間に入り込むのを阻止することも
考えられるが、この対策は、真空チャンバ内の構造が複
雑になったり、遮蔽板の表面に付着した生成物がウエハ
の汚染源になったりするという問題がある。
【０００８】本発明の目的は、プラズマ処理装置の真空
チャンバ内で生成するラジカルに起因するシールリング
の腐食を防止することのできる技術を提供することにあ
る。
チャンバ内で生成するラジカルに起因するシールリング
の腐食を防止することのできる技術を提供することにあ
る。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、下記の
とおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、下記の
とおりである。
【００１１】(1).請求項１記載の発明は、真空チャンバ
を複数の筐体で構成し、それらの隙間にシールリングを
介装したプラズマ処理装置において、前記シールリング
の近傍に配管の一端を配置し、前記配管の他端を前記真
空チャンバ内を排気するための排気管に接続したもので
ある。
を複数の筐体で構成し、それらの隙間にシールリングを
介装したプラズマ処理装置において、前記シールリング
の近傍に配管の一端を配置し、前記配管の他端を前記真
空チャンバ内を排気するための排気管に接続したもので
ある。
【００１２】(2).請求項２記載の発明は、真空チャンバ
を複数の筐体で構成し、それらの隙間にシールリングを
介装したプラズマ処理装置において、前記シールリング
の近傍に配管の一端を配置し、前記配管の他端を不活性
ガス供給源に接続したものである。
を複数の筐体で構成し、それらの隙間にシールリングを
介装したプラズマ処理装置において、前記シールリング
の近傍に配管の一端を配置し、前記配管の他端を不活性
ガス供給源に接続したものである。
【００１３】
【作用】上記した手段(1) によれば、筐体の隙間に入り
込んだラジカルを配管を通じて吸引することにより、こ
の隙間に介装されたシールリングとラジカルとの接触が
回避されるため、ラジカルとの接触によるシールリング
の腐食を確実に防止することができる。
込んだラジカルを配管を通じて吸引することにより、こ
の隙間に介装されたシールリングとラジカルとの接触が
回避されるため、ラジカルとの接触によるシールリング
の腐食を確実に防止することができる。
【００１４】上記した手段(2) によれば、筐体の隙間に
配管を通じて不活性ガスを供給することにより、この隙
間に介装されたシールリングとラジカルとの接触が回避
されるため、ラジカルとの接触によるシールリングの腐
食を確実に防止することができる。
配管を通じて不活性ガスを供給することにより、この隙
間に介装されたシールリングとラジカルとの接触が回避
されるため、ラジカルとの接触によるシールリングの腐
食を確実に防止することができる。
【００１５】
【実施例１】図１は、本発明の一実施例であるプラズマ
エッチング装置の概略構成図である。
エッチング装置の概略構成図である。
【００１６】本実施例のプラズマエッチング装置の真空
チャンバ１内には、半導体ウエハ２を支持するサセプタ
３が設置されている。このサセプタ３とその上方に設置
されたシャワー電極４との間には、ＲＦ電源５を通じて
所定の電圧が印加され、半導体ウエハ２の上方にプラズ
マ雰囲気が形成されるようになっている。
チャンバ１内には、半導体ウエハ２を支持するサセプタ
３が設置されている。このサセプタ３とその上方に設置
されたシャワー電極４との間には、ＲＦ電源５を通じて
所定の電圧が印加され、半導体ウエハ２の上方にプラズ
マ雰囲気が形成されるようになっている。
【００１７】真空チャンバ１の上部にはガス供給管６の
一端が接続され、外部のエッチャント供給源７，８から
塩素、ＮＦ3 などのエッチャントが、またパージガス供
給源９から窒素などのパージガスがそれぞれシャワー電
極４の隙間を通って真空チャンバ１内に供給されるよう
になっている。
一端が接続され、外部のエッチャント供給源７，８から
塩素、ＮＦ3 などのエッチャントが、またパージガス供
給源９から窒素などのパージガスがそれぞれシャワー電
極４の隙間を通って真空チャンバ１内に供給されるよう
になっている。
【００１８】真空チャンバ１の底部には、外部の真空ポ
ンプ（図示せず）に接続された排気管１０の一端が接続
され、真空チャンバ１内の不要となったガスを外部に排
出したり、真空チャンバ１内を所定の真空度に維持した
りするようになっている。
ンプ（図示せず）に接続された排気管１０の一端が接続
され、真空チャンバ１内の不要となったガスを外部に排
出したり、真空チャンバ１内を所定の真空度に維持した
りするようになっている。
【００１９】真空チャンバ１は、上部筐体１ａと下部筐
体１ｂとから構成されており、それらの隙間には、真空
チャンバ１内の気密を維持するためのＯリング１１が介
装されている。
体１ｂとから構成されており、それらの隙間には、真空
チャンバ１内の気密を維持するためのＯリング１１が介
装されている。
【００２０】本実施例のプラズマエッチング装置は、下
部筐体１ｂの中に配管１２の一部が挿通されており、そ
の一端は、上部筐体１ａと下部筐体１ｂとの隙間のＯリ
ング１１の近傍に配置され、他端は、排気管１０に接続
されている。
部筐体１ｂの中に配管１２の一部が挿通されており、そ
の一端は、上部筐体１ａと下部筐体１ｂとの隙間のＯリ
ング１１の近傍に配置され、他端は、排気管１０に接続
されている。
【００２１】上記のような配管１２を設けたことによ
り、プラズマ雰囲気中で生成し、上部筐体１ａと下部筐
体１ｂとの隙間に入り込んだラジカルは、この配管１２
を通じて吸引され、外部に排出されるため、ラジカルと
Ｏリング１１との接触が回避され、Ｏリング１１の腐食
が確実に防止される。
り、プラズマ雰囲気中で生成し、上部筐体１ａと下部筐
体１ｂとの隙間に入り込んだラジカルは、この配管１２
を通じて吸引され、外部に排出されるため、ラジカルと
Ｏリング１１との接触が回避され、Ｏリング１１の腐食
が確実に防止される。
【００２２】
【実施例２】図２は、本発明の他の実施例であるプラズ
マエッチング装置の概略構成図である。
マエッチング装置の概略構成図である。
【００２３】前記実施例１では、配管１２の他端を排気
管１０に接続したが、本実施例では、配管１２の他端が
パージガス供給源９に接続され、上部筐体１ａと下部筐
体１ｂとの隙間に窒素などのパージガスが供給されるよ
うになっている。
管１０に接続したが、本実施例では、配管１２の他端が
パージガス供給源９に接続され、上部筐体１ａと下部筐
体１ｂとの隙間に窒素などのパージガスが供給されるよ
うになっている。
【００２４】従って、プラズマ雰囲気中で生成し、上部
筐体１ａと下部筐体１ｂとの隙間に入り込んだラジカル
は、この配管１２を通じて供給されるパージガスによっ
て真空チャンバ１内に押し戻される。これにより、ラジ
カルとＯリング１１との接触が回避されるため、Ｏリン
グ１１の腐食が確実に防止される。
筐体１ａと下部筐体１ｂとの隙間に入り込んだラジカル
は、この配管１２を通じて供給されるパージガスによっ
て真空チャンバ１内に押し戻される。これにより、ラジ
カルとＯリング１１との接触が回避されるため、Ｏリン
グ１１の腐食が確実に防止される。
【００２５】なお、本実施例では、配管１２の他端をパ
ージガス供給源９に接続したが、真空チャンバ１の外部
に他の不活性ガス供給源を設置し、配管１２の他端をこ
の不活性ガス供給源に接続するようにしてもよい。
ージガス供給源９に接続したが、真空チャンバ１の外部
に他の不活性ガス供給源を設置し、配管１２の他端をこ
の不活性ガス供給源に接続するようにしてもよい。
【００２６】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００２７】前記実施例では、プラズマエッチング装置
に適用した場合について説明したが、プラズマＣＶＤ装
置やプラズマアッシング装置など、他のプラズマ処理装
置にも適用することができる。
に適用した場合について説明したが、プラズマＣＶＤ装
置やプラズマアッシング装置など、他のプラズマ処理装
置にも適用することができる。
【００２８】また、Ｏリングに限定されるものではな
く、各種の断面形状を有するシールリングに適用するこ
とができる。
く、各種の断面形状を有するシールリングに適用するこ
とができる。
【００２９】また、プラズマ処理装置以外であっても、
例えばシールリングを腐食させるようなガスを使用する
真空チャンバを備えた各種処理装置には、本発明を適用
することができる。
例えばシールリングを腐食させるようなガスを使用する
真空チャンバを備えた各種処理装置には、本発明を適用
することができる。
【００３０】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００３１】本発明のプラズマ処理装置によれば、ラジ
カルとの接触によるシールリングの腐食が確実に防止さ
れ、その寿命が向上するため、シールリングの交換頻度
を低減することが可能となる。
カルとの接触によるシールリングの腐食が確実に防止さ
れ、その寿命が向上するため、シールリングの交換頻度
を低減することが可能となる。
【図１】本発明の一実施例であるプラズマエッチング装
置の概略構成図である。
置の概略構成図である。
【図２】本発明の他の実施例であるプラズマエッチング
装置の概略構成図である。
装置の概略構成図である。
【図３】従来のプラズマエッチング装置の概略構成図で
ある。
ある。
１ 真空チャンバ １ａ 上部筐体 １ｂ 下部筐体 ２ 半導体ウエハ ３ サセプタ ４ シャワー電極 ５ ＲＦ電源 ６ ガス供給管 ７ エッチャントガス供給源 ８ エッチャントガス供給源 ９ パージガス供給源 １０ 排気管 １１ Ｏリング １２ 配管
Claims (2)
- 【請求項１】 真空チャンバを複数の筐体で構成し、そ
れらの隙間にシールリングを介装したプラズマ処理装置
であって、前記シールリングの近傍に配管の一端を配置
すると共に、前記配管の他端を前記真空チャンバ内を排
気するための排気管に接続し、前記隙間に入り込んだラ
ジカルを前記配管を通じて吸引するように構成したこと
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 真空チャンバを複数の筐体で構成し、そ
れらの隙間にシールリングを介装したプラズマ処理装置
であって、前記シールリングの近傍に配管の一端を配置
すると共に、前記配管の他端を不活性ガス供給源に接続
し、前記隙間に前記配管を通じて不活性ガスを供給する
ように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30392392A JPH06151365A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30392392A JPH06151365A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151365A true JPH06151365A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17926908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30392392A Pending JPH06151365A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151365A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004538373A (ja) * | 2001-08-16 | 2004-12-24 | ファースト ソーラー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 化学蒸着システム |
| JP2010010302A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
| KR20170117890A (ko) | 2016-04-14 | 2017-10-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 가열 장치 및 터보 분자 펌프 |
-
1992
- 1992-11-13 JP JP30392392A patent/JPH06151365A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004538373A (ja) * | 2001-08-16 | 2004-12-24 | ファースト ソーラー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 化学蒸着システム |
| JP2010010302A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
| KR20170117890A (ko) | 2016-04-14 | 2017-10-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 가열 장치 및 터보 분자 펌프 |
| US10801521B2 (en) | 2016-04-14 | 2020-10-13 | Tokyo Electron Limited | Heating device and turbo molecular pump |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100198862B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
| KR100345420B1 (ko) | 플라즈마처리장치 | |
| KR101141488B1 (ko) | 처리중의 기판이면(裏面) 증착 감소방법 및 장치 | |
| WO1998046808A1 (fr) | Processeur | |
| JP5281811B2 (ja) | プラズマ処理用環状部品、プラズマ処理装置、及び外側環状部材 | |
| KR102640570B1 (ko) | 배기 파이프 장치 | |
| JP3946640B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JP4286576B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US20050106869A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JPH06151365A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4622972B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| KR20230077627A (ko) | 배기 배관 장치 | |
| JPH108269A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH06112168A (ja) | プラズマ装置 | |
| US6524430B1 (en) | Apparatus for fabricating a semiconductor device | |
| KR20200108787A (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
| JP5194226B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4044218B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2007184611A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| KR19990009775A (ko) | Pecvd 플라즈마 챔버의 서셉터 및 이를 이용한 챔버 클리닝 방법 | |
| JPH043927A (ja) | 半導体処理装置 | |
| JP2885150B2 (ja) | ドライエッチング装置のドライクリーニング方法 | |
| JPH05121360A (ja) | 半導体処理装置 | |
| JPH06283449A (ja) | 真空排気方法及び真空装置 | |
| JPH05315261A (ja) | 半導体製造装置 |